JP2012142432A - Semiconductor laser device - Google Patents

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JP2012142432A JP2010294011A JP2010294011A JP2012142432A JP 2012142432 A JP2012142432 A JP 2012142432A JP 2010294011 A JP2010294011 A JP 2010294011A JP 2010294011 A JP2010294011 A JP 2010294011A JP 2012142432 A JP2012142432 A JP 2012142432A
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light
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Hideki Kondo
秀樹 近藤
Tadaaki Miyata
忠明 宮田
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Nichia Chemical Industries Ltd
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Nichia Chemical Industries Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser device which reduces speckle noise under a configuration different from that of the past.SOLUTION: A semiconductor laser device comprises a semiconductor laser element, a collimator lens for converting light emitted from the semiconductor laser element to approximately parallel light, dispersion means for dispersing light emitted from the collimator lens, feedback means for feeding back light of a specific wavelength from among the light dispersed by the dispersion means to the semiconductor laser element and transfer means for rotationally transferring the dispersion means, the feedback means, or the dispersion means and the feedback means periodically centering a predetermined rotation center.

Description

本発明は、半導体レーザ装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor laser device.

従来、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子の一方端面から出射する光を反射する外部ミラーと、を備え、半導体レーザ素子の他方端面と外部ミラーとの間で共振器を形成し、外部ミラーを光軸方向に振動させることで、発振波長に幅を持たせ、スペックルノイズを低減する半導体レーザ装置が提案されている（特許文献１参照）。   Conventionally, a semiconductor laser element and an external mirror that reflects light emitted from one end face of the semiconductor laser element are provided. A resonator is formed between the other end face of the semiconductor laser element and the external mirror, and the external mirror is A semiconductor laser device has been proposed that vibrates in the axial direction to give a wider oscillation wavelength and reduce speckle noise (see Patent Document 1).

特開平１１−２５１６８１号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-251681

しかしながら、上記従来の半導体レーザ装置では、突合せにより光結合を行うため、外部ミラーで反射した光の半導体レーザ素子への結合効率が悪いという問題がある。   However, since the above conventional semiconductor laser device performs optical coupling by matching, there is a problem that the coupling efficiency of the light reflected by the external mirror to the semiconductor laser element is poor.

そこで、本発明は、従来とは異なる構成でスペックルノイズを低減する半導体レーザ装置を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a semiconductor laser device that reduces speckle noise with a configuration different from the conventional one.

本発明によれば、上記課題は、次の手段により解決される。   According to the present invention, the above problem is solved by the following means.

本発明は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射する光を略平行光にするコリメータレンズと、前記コリメータレンズから出射する光を分光する分光手段と、前記分光手段によって分光された光の中から特定波長の光を前記半導体レーザ素子へ帰還させる帰還手段と、前記分光手段、前記帰還手段、又は前記分光手段及び前記帰還手段を所定の回転中心を中心にして周期的に回転移動させる移動手段と、を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置である。   The present invention includes a semiconductor laser element, a collimator lens that makes light emitted from the semiconductor laser element substantially parallel light, a spectroscopic unit that splits light emitted from the collimator lens, and a light split by the spectroscopic unit. Feedback means for returning light of a specific wavelength to the semiconductor laser element, and movement for periodically rotating the spectroscopic means, the feedback means, or the spectroscopic means and the feedback means about a predetermined rotation center And a semiconductor laser device.

また、本発明は、前記分光手段と前記帰還手段とが回折格子により一体的に構成され、前記移動手段は、前記回折格子として一体的に構成された分光手段と帰還手段とを周期的に回転移動させる、ことを特徴とする上記の半導体レーザ装置である。   In the present invention, the spectroscopic unit and the feedback unit are integrally formed of a diffraction grating, and the moving unit periodically rotates the spectroscopic unit and the feedback unit integrally configured as the diffraction grating. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the semiconductor laser device is moved.

また、本発明は、前記分光手段は、プリズムであり、前記帰還手段は、反射鏡であり、前記移動手段は、前記反射鏡である帰還手段を周期的に回転移動させる、ことを特徴とする上記の半導体レーザ装置である。   Further, the invention is characterized in that the spectroscopic means is a prism, the feedback means is a reflecting mirror, and the moving means periodically rotates and moves the feedback means that is the reflecting mirror. The semiconductor laser device described above.

また、本発明は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射する光を略平行光にするコリメータレンズと、前記コリメータレンズから出射する光を分光する分光手段と、前記分光手段によって分光された光の中から特定波長の光を前記半導体レーザ素子へ帰還させる帰還手段と、前記半導体レーザ素子又は前記コリメータレンズを所定の移動軸に沿って周期的に平行移動させる及び／又は所定の回転中心を中心にして周期的に回転移動させる移動手段と、を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置である。   Further, the present invention provides a semiconductor laser element, a collimator lens that makes light emitted from the semiconductor laser element substantially parallel light, a spectroscopic unit that splits light emitted from the collimator lens, and the spectroscopic unit. Feedback means for returning light of a specific wavelength from the light to the semiconductor laser element, and periodically translating the semiconductor laser element or the collimator lens along a predetermined movement axis and / or a predetermined center of rotation. And a moving means for periodically rotating the center of the semiconductor laser device.

また、本発明は、前記移動手段は、１２０Ｈｚ以上の周波数で移動させる、ことを特徴とする上記の半導体レーザ装置である。   The present invention is the above semiconductor laser device, wherein the moving means is moved at a frequency of 120 Hz or more.

本発明によれば、従来とは異なる構成でスペックルノイズを低減する半導体レーザ装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a semiconductor laser device that reduces speckle noise with a configuration different from the conventional one.

本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the semiconductor laser apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention. スペックルノイズ量と発振波長の幅との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the amount of speckle noise, and the width | variety of an oscillation wavelength. 圧電バイモルフ素子に印加する電圧の振幅と発振波長の幅との関係の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the relationship between the amplitude of the voltage applied to a piezoelectric bimorph element, and the width | variety of an oscillation wavelength. 本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ装置において、回折格子を周期的に回転移動させた場合における発振波長の幅の一例を示す図である。In the semiconductor laser device according to the first embodiment of the present invention, it is a diagram illustrating an example of a width of an oscillation wavelength when a diffraction grating is periodically rotated. 回折格子を用いた半導体レーザ装置ではあるが、回折格子を回転移動させない場合の発振波長の幅の一例を示す図である。It is a semiconductor laser device using a diffraction grating, but is a diagram illustrating an example of the width of an oscillation wavelength when the diffraction grating is not rotated.

以下に、添付した図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態について説明する。   EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the form for implementing this invention is demonstrated, referring attached drawing.

［本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ装置］
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の概略構成図である。 [Semiconductor Laser Device According to First Embodiment of the Present Invention]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention.

図１に示すように、本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ装置１０は、半導体レーザ素子１１と、半導体レーザ素子駆動装置１２と、コリメータレンズ１３と、回折格子１４と、回折格子回転移動部１５と、を備えている。以下、順に説明する。   As shown in FIG. 1, a semiconductor laser device 10 according to a first embodiment of the present invention includes a semiconductor laser element 11, a semiconductor laser element driving device 12, a collimator lens 13, a diffraction grating 14, and a diffraction grating rotational movement. Part 15. Hereinafter, it demonstrates in order.

（半導体レーザ素子１１）
半導体レーザ素子１１としては、その一方端面と他方端面に反射防止膜と高反射率膜を各々有しており、一方端面から光を出射するものが好ましい。 (Semiconductor laser element 11)
The semiconductor laser element 11 preferably has an antireflection film and a high reflectance film on one end face and the other end face, and emits light from one end face.

半導体レーザ素子１１としては、窒化物系のレーザ素子や、ガリウム砒素系半導体や、ガリウム燐系半導体や、セレン化亜鉛系半導体などのレーザ素子を用いることができる。   As the semiconductor laser element 11, a laser element such as a nitride laser element, a gallium arsenide semiconductor, a gallium phosphorus semiconductor, or a zinc selenide semiconductor can be used.

半導体レーザ素子１１の形状は、例えば、長さを２００μｍ以上１０００μｍ以下、幅を１００μｍ以上５００μｍ以下程度とする。   The shape of the semiconductor laser element 11 is, for example, about 200 μm to 1000 μm in length and about 100 μm to 500 μm in width.

（半導体レーザ素子駆動装置１２）
半導体レーザ素子駆動装置１２は、半導体レーザ素子１１へ印加する電圧又は電流を制御する制御回路と、この制御回路を経由して半導体レーザ素子１１に電圧又は電流を供給する電源と、を備える。 (Semiconductor laser element driving device 12)
The semiconductor laser element driving device 12 includes a control circuit that controls a voltage or current applied to the semiconductor laser element 11 and a power supply that supplies the voltage or current to the semiconductor laser element 11 via the control circuit.

所望の信号波形を有する電圧又は電流を半導体レーザ素子１１に印加し又は流すことができるよう、光出力を一定に保つ定出力制御回路（ＡＰＣ：Ａｕｔｏ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）を半導体レーザ素子駆動装置１２の制御回路として用いたり、高周波信号等の変調信号を発生・重畳させる変調回路などを半導体レーザ素子駆動装置１２に組み込んだりすることが好ましい。   A constant output control circuit (APC: Auto Power Control) that keeps the optical output constant is controlled by the semiconductor laser element driving device 12 so that a voltage or current having a desired signal waveform can be applied to or supplied to the semiconductor laser element 11. It is preferable to use the semiconductor laser device driving device 12 as a circuit, or to incorporate a modulation circuit that generates and superimposes a modulation signal such as a high-frequency signal.

（コリメータレンズ１３）
コリメータレンズ１３は、半導体レーザ素子１１の一方端面から出射する光を略平行光にする。コリメータレンズ１３としては、波長の変化による色収差を低減できるものを用いることが好ましい。 (Collimator lens 13)
The collimator lens 13 makes light emitted from one end face of the semiconductor laser element 11 substantially parallel light. It is preferable to use a collimator lens 13 that can reduce chromatic aberration due to a change in wavelength.

コリメータレンズ１３の表面に反射防止膜を設ければ、反射等による光損失を低減することができる。   If an antireflection film is provided on the surface of the collimator lens 13, light loss due to reflection or the like can be reduced.

（回折格子１４）
回折格子１４は、コリメータレンズ１３から出射する光を回折することにより分光し、この回折により分光された光の中から特定波長の光をコリメータレンズ１３を経由して半導体レーザ素子１１へ帰還させる。本発明の第１実施形態における回折格子１４は、「分光手段」と「帰還手段」とを一体的に構成する光学素子の一例である。 (Diffraction grating 14)
The diffraction grating 14 diffracts the light emitted from the collimator lens 13 by diffracting it, and returns light of a specific wavelength from the light dispersed by the diffraction to the semiconductor laser element 11 via the collimator lens 13. The diffraction grating 14 according to the first embodiment of the present invention is an example of an optical element that integrally constitutes “spectral means” and “feedback means”.

本発明の第１実施形態では、半導体レーザ素子１１の他方端面と回折格子１４との間で共振器が形成される。回折格子１４から半導体レーザ素子１１へ帰還する光の波長が発振波長となる。   In the first embodiment of the present invention, a resonator is formed between the other end face of the semiconductor laser element 11 and the diffraction grating 14. The wavelength of light returning from the diffraction grating 14 to the semiconductor laser element 11 is the oscillation wavelength.

発振波長は、回折格子１４が回転移動すると変化する。すなわち、次式に示すように、回折格子１４が回転移動すると、半導体レーザ素子１１やコリメータレンズ１３に対する回折格子１４の配置角度が変わるため、回折格子１４に対する光の入射角度や回折角度が変わり、回転移動の前とは波長の異なる回折光が回折格子１４から半導体レーザ素子１１へ帰還するようになり、発振波長が変化する。   The oscillation wavelength changes as the diffraction grating 14 rotates. That is, as shown in the following equation, when the diffraction grating 14 rotates, the arrangement angle of the diffraction grating 14 with respect to the semiconductor laser element 11 and the collimator lens 13 changes, so that the incident angle and diffraction angle of light with respect to the diffraction grating 14 change, Diffracted light having a wavelength different from that before the rotational movement is fed back from the diffraction grating 14 to the semiconductor laser element 11, and the oscillation wavelength changes.

Figure 2012142432
Figure 2012142432

ここで、ｎは回折次数、λは回折光の波長、ｄは回折格子１４の格子ピッチ、θｉとθｄはそれぞれ回折格子１４の格子面の法線に対する角度で入射角度及び回折角度を示している。 Here, n is the diffraction order, λ is the wavelength of the diffracted light, d is the grating pitch of the diffraction grating 14, θ i and θ d are the angles with respect to the normal of the grating surface of the diffraction grating 14 and indicate the incident angle and the diffraction angle, respectively. ing.

回折格子１４が有する格子の形状は、例えば、矩形、正弦波形状、三角波形状などとすることができる。特に、正弦波形状は、形状変化が連続的であるため、複数の波長の回折光を略同時に半導体レーザ素子１１に結合させることができ、複数の回折波長でレーザ発振させやすい。   The shape of the grating included in the diffraction grating 14 can be, for example, a rectangular shape, a sine wave shape, a triangular wave shape, or the like. In particular, since the sine wave shape changes continuously, diffracted light of a plurality of wavelengths can be coupled to the semiconductor laser element 11 almost simultaneously, and laser oscillation is easily performed at a plurality of diffraction wavelengths.

このため、正弦波形状の回折格子は、回折格子１４の回転移動によって半導体レーザ素子１１に様々な波長の光を帰還させる本発明の第１実施形態において、特に好ましく用いることができる。   Therefore, the sinusoidal diffraction grating can be particularly preferably used in the first embodiment of the present invention in which light of various wavelengths is fed back to the semiconductor laser element 11 by the rotational movement of the diffraction grating 14.

回折格子１４には、所定の回折効率を実現できるよう、高反射率膜が格子面側に設けられ、反射防止膜が格子面の反対面に設けられている。所定の回折効率は、２０±１５％の範囲が好ましい。   In the diffraction grating 14, a high reflectance film is provided on the grating surface side and an antireflection film is provided on the opposite surface of the grating surface so as to realize a predetermined diffraction efficiency. The predetermined diffraction efficiency is preferably in the range of 20 ± 15%.

（回折格子回転移動部１５）
回折格子回転移動部１５は、「移動手段」の一例である。「移動手段」は、「分光手段」、「帰還手段」、又は「分光手段及び帰還手段」を回転移動させるが、本発明の第１実施形態では、「分光手段及び帰還手段」を回転移動させる「移動手段」の一例について説明する。 (Diffraction grating rotation moving part 15)
The diffraction grating rotation moving unit 15 is an example of a “moving unit”. The “moving means” rotates the “spectral means”, “feedback means”, or “spectral means and feedback means”. In the first embodiment of the present invention, the “spectral means and feedback means” rotates. An example of “moving means” will be described.

回折格子回転移動部１５は、回折格子１４を所定の回転中心Ａを中心にして回転移動させる手段であり、回折格子載置台１５ａと、圧電バイモルフ素子１５ｂと、圧電バイモルフ素子駆動部１５ｃと、を備えている。回転軸は、「入射面」に略垂直な軸であることが好ましい。なお、ここでいう「入射面」とは、幾何光学において光線が別の媒質に入射するとき、入射光線と反射光線を含む面のことであり、図１では本紙面に相当する。   The diffraction grating rotation moving unit 15 is means for rotating the diffraction grating 14 around a predetermined rotation center A, and includes a diffraction grating mounting table 15a, a piezoelectric bimorph element 15b, and a piezoelectric bimorph element driving unit 15c. I have. The rotation axis is preferably an axis substantially perpendicular to the “incident surface”. Note that the “incident surface” here is a surface including incident light and reflected light when a light ray enters another medium in geometrical optics, and corresponds to the paper surface in FIG.

＜回折格子載置台１５ａ＞
回折格子載置台１５ａは、回折格子１４を載置する部であり、所定の回転中心Ａを中心にして回転移動する。 <Diffraction grating mounting table 15a>
The diffraction grating mounting table 15a is a part on which the diffraction grating 14 is mounted, and rotates around a predetermined rotation center A.

＜圧電バイモルフ素子１５ｂ＞
圧電バイモルフ素子１５ｂは、回折格子載置台１５ａに接続される。 <Piezoelectric bimorph element 15b>
The piezoelectric bimorph element 15b is connected to the diffraction grating mounting table 15a.

＜圧電バイモルフ素子駆動装置１５ｃ＞
圧電バイモルフ素子駆動装置１５ｃは、圧電バイモルフ素子１５ｂに接続され、圧電バイモルフ素子１５ｂに電圧を印加する。 <Piezoelectric bimorph element driving device 15c>
The piezoelectric bimorph element driving device 15c is connected to the piezoelectric bimorph element 15b and applies a voltage to the piezoelectric bimorph element 15b.

圧電バイモルフ素子駆動装置１５ｃによって圧電バイモルフ素子１５ｂに印加する電圧を周期的に変えることにより、圧電バイモルフ素子１５ｂを振動させて回折格子１４を周期的に回転移動させ、発振波長を周期的に変化させる。これにより、発振波長に幅を持たせることが可能となる。   By periodically changing the voltage applied to the piezoelectric bimorph element 15b by the piezoelectric bimorph element driving device 15c, the piezoelectric bimorph element 15b is vibrated to periodically rotate and move the diffraction grating 14, thereby periodically changing the oscillation wavelength. . Thereby, it becomes possible to give a width to the oscillation wavelength.

圧電バイモルフ素子駆動装置１５ｃには、所望の信号波形を有する印加電圧を圧電バイモルフ素子１５ｂに印加できるよう、高周波信号等の変調信号を発生・重畳させる変調回路などを組み込むことが好ましい。   The piezoelectric bimorph element driving device 15c preferably incorporates a modulation circuit that generates and superimposes a modulation signal such as a high-frequency signal so that an applied voltage having a desired signal waveform can be applied to the piezoelectric bimorph element 15b.

本発明の第１実施形態では、圧電バイモルフ素子１５ｂを用いて回折格子１４を回転移動させるが、回折格子１４は、例えば、圧電バイモルフ素子以外の圧電素子や、モータや、ＭＥＭＳ等を用いて回転移動させてもよい。   In the first embodiment of the present invention, the diffraction grating 14 is rotated using the piezoelectric bimorph element 15b. The diffraction grating 14 is rotated using, for example, a piezoelectric element other than the piezoelectric bimorph element, a motor, MEMS, or the like. It may be moved.

本発明の第１実施形態では、半導体レーザ素子１１の一方端面と他方端面に反射防止膜と高反射率膜とを設け、半導体レーザ素子１１の他方端面と回折格子１４との間で共振器が形成されるものとしたが、本発明の第１実施形態においては、半導体レーザ素子１１の両端面に反射防止膜を設け、半導体レーザ素子１１の外部に反射鏡（図示せず）を配置することにより、この反射鏡（図示せず）と回折格子１４との間で共振器が形成されるようにすることもできる。   In the first embodiment of the present invention, an antireflection film and a high reflectance film are provided on one end face and the other end face of the semiconductor laser element 11, and a resonator is provided between the other end face of the semiconductor laser element 11 and the diffraction grating 14. In the first embodiment of the present invention, an antireflection film is provided on both end faces of the semiconductor laser element 11, and a reflecting mirror (not shown) is disposed outside the semiconductor laser element 11. Thus, a resonator can be formed between the reflecting mirror (not shown) and the diffraction grating 14.

［本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ装置］
図２は、本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ装置の概略構成図である。 [Semiconductor Laser Device According to Second Embodiment of the Present Invention]
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a semiconductor laser device according to the second embodiment of the present invention.

図２に示すように、本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ装置２０は、半導体レーザ素子２１と、半導体レーザ素子駆動装置２２と、コリメータレンズ２３と、プリズム２４と、反射鏡２５と、反射鏡回転移動部２６と、を備えている。以下、順に説明する。   As shown in FIG. 2, a semiconductor laser device 20 according to the second embodiment of the present invention includes a semiconductor laser element 21, a semiconductor laser element driving device 22, a collimator lens 23, a prism 24, a reflecting mirror 25, And a reflecting mirror rotating / moving unit 26. Hereinafter, it demonstrates in order.

（半導体レーザ素子２１）
半導体レーザ素子２１には、本発明の第１実施形態で説明した半導体レーザ素子１１と同じものを用いる。 (Semiconductor laser element 21)
The semiconductor laser element 21 is the same as the semiconductor laser element 11 described in the first embodiment of the present invention.

（半導体レーザ素子駆動装置２２）
半導体レーザ素子駆動装置２２には、本発明の第１実施形態で説明した半導体レーザ素子駆動装置１２と同じものを用いる。 (Semiconductor laser element driving device 22)
The same semiconductor laser element driving apparatus 12 as that described in the first embodiment of the present invention is used as the semiconductor laser element driving apparatus 22.

（コリメータレンズ２３）
コリメータレンズ２３には、本発明の第１実施形態で説明したコリメータレンズ１３と同じものを用いる。 (Collimator lens 23)
The collimator lens 23 is the same as the collimator lens 13 described in the first embodiment of the present invention.

（プリズム２４）
プリズム２４は、コリメータレンズ２３から出射する光を分光する。コリメータレンズ２３から出射した光は、プリズム２４に入射し、波長ごとに異なる角度でプリズム２４から出射する。 (Prism 24)
The prism 24 separates the light emitted from the collimator lens 23. The light emitted from the collimator lens 23 enters the prism 24 and is emitted from the prism 24 at different angles for each wavelength.

プリズム２４は、「分光手段」の一例である。なお、回折格子は、上記した本発明の第１実施形態のように、分光手段と帰還手段とを一体的に構成する光学素子として用いることもできるが、帰還手段と一体的に構成されない分光手段として用いることもできる。   The prism 24 is an example of “spectral means”. The diffraction grating can also be used as an optical element that integrally configures the spectroscopic means and the feedback means as in the first embodiment of the present invention described above, but the spectroscopic means that is not configured integrally with the feedback means. Can also be used.

（反射鏡２５）
反射鏡２５は、プリズム２４によって分光された光を反射して該光の中から特定波長の光をコリメータレンズ２３及びプリズム２４を経由して半導体レーザ素子２１へ帰還させる。反射鏡２５は、「帰還手段」の一例である。 (Reflector 25)
The reflecting mirror 25 reflects the light dispersed by the prism 24 and feeds back light of a specific wavelength from the light to the semiconductor laser element 21 via the collimator lens 23 and the prism 24. The reflecting mirror 25 is an example of “return means”.

本発明の第２実施形態では、半導体レーザ素子２１の他方端面と反射鏡２５との間で共振器が形成される。プリズム２４から波長ごとに異なる角度で出射した光は、反射鏡２５により波長ごとに異なる角度で反射され、そのうち特定の角度で反射された光がコリメータレンズ２３及びプリズム２４を経由して半導体レーザ素子２１へ帰還する。   In the second embodiment of the present invention, a resonator is formed between the other end face of the semiconductor laser element 21 and the reflecting mirror 25. The light emitted from the prism 24 at different angles for each wavelength is reflected by the reflecting mirror 25 at different angles for each wavelength, and the light reflected at a specific angle of the light passes through the collimator lens 23 and the prism 24 and is a semiconductor laser element. Return to 21.

本発明の第２実施形態では、このようにして帰還する光の波長が発振波長となるが、反射鏡２５を回転移動させると、プリズム２４から異なる角度で出射した各波長の光が、反射鏡２５により回転移動の前とは異なる角度で反射され、回転移動の前とは異なる波長の光が半導体レーザ素子２１へ帰還するようになり、発振波長が変化する。   In the second embodiment of the present invention, the wavelength of the light returning in this way becomes the oscillation wavelength. When the reflecting mirror 25 is rotated, the light of each wavelength emitted from the prism 24 at different angles is reflected. 25, the light is reflected at an angle different from that before the rotational movement, and light having a wavelength different from that before the rotational movement is fed back to the semiconductor laser element 21 to change the oscillation wavelength.

（反射鏡回転移動部２６）
反射鏡回転移動部２６は、「移動手段」の一例である。「移動手段」は、「分光手段」、「帰還手段」、又は「分光手段及び帰還手段」を回転移動させるが、本発明の第２実施形態では、「帰還手段」を回転移動させる「移動手段」の一例について説明する。 (Reflector rotation moving part 26)
The reflecting mirror rotating / moving unit 26 is an example of a “moving unit”. “Moving means” rotates and moves “spectrographic means”, “feedback means”, or “spectral means and feedback means”. In the second embodiment of the present invention, “moving means” rotates and moves “feedback means”. An example will be described.

反射鏡回転移動部２６は、反射鏡２５を所定の回転中心Ｂを中心にして回転移動させる手段であり、圧電バイモルフ素子２６ａと、圧電バイモルフ素子駆動装置２６ｂと、を備えている。回転軸は、「入射面」に略垂直な軸であることが好ましい。なお、ここでいう「入射面」とは、幾何光学において光線が別の媒質に入射するとき、入射光線と反射光線を含む面のことであり、図２では本紙面に相当する。   The reflecting mirror rotation moving unit 26 is means for rotating the reflecting mirror 25 around a predetermined rotation center B, and includes a piezoelectric bimorph element 26a and a piezoelectric bimorph element driving device 26b. The rotation axis is preferably an axis substantially perpendicular to the “incident surface”. Note that the “incident surface” here is a surface including incident light and reflected light when the light beam enters another medium in geometric optics, and corresponds to the paper surface in FIG.

＜圧電バイモルフ素子２６ａ＞
圧電バイモルフ素子２６ａは、反射鏡２５に接続される。 <Piezoelectric bimorph element 26a>
The piezoelectric bimorph element 26 a is connected to the reflecting mirror 25.

＜圧電バイモルフ素子駆動装置２６ｂ＞
圧電バイモルフ素子駆動装置２６ｂは、圧電バイモルフ素子２６ａに接続され、圧電バイモルフ素子２６ａに電圧を印加する。 <Piezoelectric bimorph element driving device 26b>
The piezoelectric bimorph element driving device 26b is connected to the piezoelectric bimorph element 26a and applies a voltage to the piezoelectric bimorph element 26a.

圧電バイモルフ素子駆動装置２６ｂによって圧電バイモルフ素子２６ａに印加する電圧を周期的に変えることにより、圧電バイモルフ素子２６ａを振動させて反射鏡２５を周期的に回転移動させ、発振波長を周期的に変化させる。これにより、発振波長に幅を持たせることが可能となる。   By periodically changing the voltage applied to the piezoelectric bimorph element 26a by the piezoelectric bimorph element driving device 26b, the piezoelectric bimorph element 26a is vibrated, the reflecting mirror 25 is periodically rotated and the oscillation wavelength is periodically changed. . Thereby, it becomes possible to give a width to the oscillation wavelength.

圧電バイモルフ素子駆動装置２６ｂには、所望の信号波形を有する印加電圧を圧電バイモルフ素子２６ａに印加できるよう、高周波信号等の変調信号を発生・重畳させる変調回路などを組み込むことが好ましい。   The piezoelectric bimorph element driving device 26b preferably incorporates a modulation circuit that generates and superimposes a modulation signal such as a high-frequency signal so that an applied voltage having a desired signal waveform can be applied to the piezoelectric bimorph element 26a.

本発明の第２実施形態では、圧電バイモルフ素子２６ａを用いて反射鏡２５を回転移動させるが、反射鏡２５は、例えば、圧電バイモルフ素子以外の圧電素子や、モータや、ＭＥＭＳ等を用いて回転移動させてもよい。   In the second embodiment of the present invention, the reflecting mirror 25 is rotated using the piezoelectric bimorph element 26a. The reflecting mirror 25 is rotated using, for example, a piezoelectric element other than the piezoelectric bimorph element, a motor, MEMS, or the like. It may be moved.

本発明の第２実施形態では、半導体レーザ素子２１の一方端面と他方端面に反射防止膜と高反射率膜とを設け、半導体レーザ素子２１の他方端面と反射鏡２５との間で共振器が形成されるものとしたが、本発明の第２実施形態においては、半導体レーザ素子２１の両端面に反射防止膜を設け、半導体レーザ素子２１の外部に反射鏡（図示せず）を配置することにより、この反射鏡（図示せず）と反射鏡２５との間で共振器が形成されるようにすることもできる。   In the second embodiment of the present invention, an antireflection film and a high reflectance film are provided on one end face and the other end face of the semiconductor laser element 21, and a resonator is provided between the other end face of the semiconductor laser element 21 and the reflecting mirror 25. In the second embodiment of the present invention, an antireflection film is provided on both end faces of the semiconductor laser element 21 and a reflecting mirror (not shown) is disposed outside the semiconductor laser element 21 in the second embodiment of the present invention. Thus, a resonator can be formed between the reflecting mirror (not shown) and the reflecting mirror 25.

以上、本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ装置１０と本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ装置２０について説明したが、これらの半導体レーザ装置によれば、回折格子１４や反射鏡２５を周期的に回転移動させて、レーザ光の発振波長を周期的に変化させ、発振波長に幅を持たせることが可能となる。   The semiconductor laser device 10 according to the first embodiment of the present invention and the semiconductor laser device 20 according to the second embodiment of the present invention have been described above. According to these semiconductor laser devices, the diffraction grating 14 and the reflecting mirror 25 are described. The oscillation wavelength of the laser light can be periodically changed by periodically rotating and moving the laser beam so that the oscillation wavelength has a width.

［スペックルノイズと発振波長の幅との関係］
次に、スペックルノイズと発振波長の幅との関係について説明する。 [Relationship between speckle noise and oscillation wavelength width]
Next, the relationship between speckle noise and the oscillation wavelength width will be described.

スペックルノイズは、レーザ光の照射面で散乱した光が干渉し合って生じる現象であり、レーザ光の可干渉性（コヒーレンス）に起因する。   Speckle noise is a phenomenon that occurs when light scattered on the laser light irradiation surface interferes with each other, and is caused by the coherence of the laser light.

したがって、スペックルノイズを低減するためには、発振波長に幅を持たせてレーザ光の可干渉性を低下させればよい。   Therefore, in order to reduce speckle noise, it is only necessary to reduce the coherence of the laser light by giving a width to the oscillation wavelength.

例えば、スペックルノイズの定量化方法の一例として、平均光量とスペックルノイズのコントラストとの比でスペックルノイズ量ｃを定義すると、スペックルノイズと発振波長及び発振波長の幅との関係は、次の式で表現することができる。

Figure 2012142432
For example, as an example of the speckle noise quantification method, when the speckle noise amount c is defined by the ratio of the average light quantity and the speckle noise contrast, the relationship between the speckle noise, the oscillation wavelength, and the width of the oscillation wavelength is as follows. It can be expressed by the following formula.
Figure 2012142432

ここで、Δλ及びλはそれぞれレーザ光の発振波長の幅及び中心波長であり、θｈはレーザ照射面の表面粗さであり、ｃはスペックルノイズ量である。 Here, Δλ and λ are the oscillation wavelength width and the center wavelength of the laser beam, θ h is the surface roughness of the laser irradiation surface, and c is the speckle noise amount.

このように、スペックルノイズは、レーザ光の発振波長の幅に依存しており、発振波長に幅を持たせること、そして、その発振波長の幅を広げることにより、低減する。   As described above, speckle noise depends on the width of the oscillation wavelength of the laser light, and is reduced by providing the oscillation wavelength with a width and increasing the width of the oscillation wavelength.

図３は、スペックルノイズ量と発振波長の幅との関係を示す図である。
図３に示すスペックルノイズ量と発振波長の幅との関係は、上記した数２に基づき算出されたものである。 FIG. 3 is a diagram illustrating a relationship between the amount of speckle noise and the width of the oscillation wavelength.
The relationship between the speckle noise amount and the oscillation wavelength width shown in FIG. 3 is calculated based on Equation 2 above.

図３に示すように、スペックルノイズ量は、発振波長の幅を広げることにより低減する。例えば、発振波長の幅を５ｎｍ以上にまで広げれば、スペックルノイズ量を０．１５程度まで低減することができる。   As shown in FIG. 3, the speckle noise amount is reduced by widening the width of the oscillation wavelength. For example, if the width of the oscillation wavelength is expanded to 5 nm or more, the speckle noise amount can be reduced to about 0.15.

以上説明したように、本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ装置１０と本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ装置２０とによれば、回折格子１４や反射鏡２５を周期的に回転移動させて、レーザ光の発振波長を周期的に変化させ、発振波長に幅を持たせることにより、スペックルノイズを低減することが可能となる。   As described above, according to the semiconductor laser device 10 according to the first embodiment of the present invention and the semiconductor laser device 20 according to the second embodiment of the present invention, the diffraction grating 14 and the reflecting mirror 25 are periodically rotated. It is possible to reduce speckle noise by moving the laser light and periodically changing the oscillation wavelength of the laser light to give a width to the oscillation wavelength.

よって、本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ装置１０と本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ装置２０とによれば、従来とは異なる構成でスペックルノイズを低減する半導体レーザ装置を提供することができる。   Therefore, according to the semiconductor laser device 10 according to the first embodiment of the present invention and the semiconductor laser device 20 according to the second embodiment of the present invention, a semiconductor laser device that reduces speckle noise with a configuration different from the conventional one. Can be provided.

図４は、圧電バイモルフ素子に印加する電圧の振幅と発振波長の幅との関係の一例を示す図である。   FIG. 4 is a diagram illustrating an example of the relationship between the amplitude of the voltage applied to the piezoelectric bimorph element and the width of the oscillation wavelength.

図４に示すように、圧電バイモルフ素子１５ｂ、２６ａに印加する電圧の振幅を大きくすれば、回折格子１４や反射鏡２５がより広範囲で周期的な回転移動を行うことになるため、発振波長の幅が広がり、スペックルノイズをより一層低減することが可能となる。   As shown in FIG. 4, when the amplitude of the voltage applied to the piezoelectric bimorph elements 15b and 26a is increased, the diffraction grating 14 and the reflecting mirror 25 perform periodic rotational movement over a wider range. The width is widened and speckle noise can be further reduced.

例えば、圧電バイモルフ素子１５ｂ、２６ａに印加する電圧の振幅を−５０〜５０Ｖ以上（より好ましくは−１００〜１００Ｖ以上）とすれば、発振波長の幅が３ｎｍ以上（より好ましくは５ｎｍ以上）となり、スペックルノイズをより一層低減することが可能となる。   For example, if the amplitude of the voltage applied to the piezoelectric bimorph elements 15b and 26a is −50 to 50 V or more (more preferably −100 to 100 V or more), the oscillation wavelength width is 3 nm or more (more preferably 5 nm or more), Speckle noise can be further reduced.

また、圧電バイモルフ素子１５ｂ、２６ａに印加する電圧を変化させる周波数を高くすれば、回折格子１４や反射鏡２５がより高速に周期的な回転移動を行うことになるため、一定時間内に観察されるスペックルノイズ量をより一層少なくすることができる。   Further, if the frequency for changing the voltage applied to the piezoelectric bimorph elements 15b and 26a is increased, the diffraction grating 14 and the reflecting mirror 25 perform periodic rotational movement at a higher speed. Speckle noise amount can be further reduced.

例えば、圧電バイモルフ素子１５ｂ、２６ａに印加する電圧を変化させる周波数をディスプレイのリフレッシュレートとほぼ同等の６０Ｈｚ以上（より好ましくは１２０Ｈｚ以上）とすれば、回折格子１４や反射鏡２５が６０Ｈｚ以上（より好ましくは１２０Ｈｚ以上）の周波数で周期的な回転移動を行い、一定時間内に観察されるスペックルノイズ量をより一層少なくすることができる。   For example, if the frequency for changing the voltage applied to the piezoelectric bimorph elements 15b and 26a is set to 60 Hz or more (more preferably 120 Hz or more) which is substantially equal to the refresh rate of the display, the diffraction grating 14 and the reflecting mirror 25 are 60 Hz or more (more The amount of speckle noise observed within a certain time can be further reduced by performing periodic rotational movement at a frequency of preferably 120 Hz or higher.

なお、発振波長が変化する範囲の上限及び下限は、半導体レーザ素子１１、２１の利得範囲により決定される。   Note that the upper and lower limits of the range in which the oscillation wavelength changes are determined by the gain range of the semiconductor laser elements 11 and 21.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明には、次のようにして発振波長に幅を持たせる形態も含まれる。
（１）分光帰還側を周期的に回転移動させる形態
（２）光源側を周期的に平行移動又は回転移動させる形態 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention includes a mode in which the oscillation wavelength is given a width as follows.
(1) Form in which the spectral feedback side is periodically rotated and moved (2) Form in which the light source side is periodically translated or rotated

（分光帰還側を周期的に回転移動させる形態）
「分光帰還側を周期的に回転移動させる形態」とは、上記した本発明の第１実施形態や第２実施形態のように、分光手段や帰還手段などを周期的に回転移動させる形態である。 (Mode of periodically rotating the spectral feedback side)
The “form in which the spectral feedback side is rotationally moved periodically” is a form in which the spectroscopic means, the feedback means, etc. are periodically rotated, as in the first and second embodiments of the present invention described above. .

「分光帰還側を周期的に回転移動させる形態」の例としては、上記した本発明の第１実施形態や第２実施形態のほか、次のような形態を挙げることができる。
・プリズム２４等の分光手段を所定の回転中心を中心にして周期的に回転移動させる形態
・プリズム２４の背面に反射膜を形成し、このプリズム自体を所定の回転中心を中心にして周期的に回転移動させる形態 As an example of “a mode in which the spectral feedback side is periodically rotated,” in addition to the first and second embodiments of the present invention described above, the following modes can be cited.
A mode in which the spectroscopic means such as the prism 24 is periodically rotated around a predetermined rotation center. A reflection film is formed on the back surface of the prism 24, and the prism itself is periodically rotated around the predetermined rotation center. Rotating form

前者のプリズムは分光手段の一例であり、後者のプリズムは、一体的に形成された分光手段と帰還手段の一例である。   The former prism is an example of a spectroscopic unit, and the latter prism is an example of a spectroscopic unit and a feedback unit that are integrally formed.

「分光帰還側を周期的に回転移動させる形態」は、分光手段・帰還手段から半導体レーザ素子に帰還する光の波長を直接的に変化させることができるため、装置の光軸が変化しにくく、特に好ましく用いることができる。   The "form in which the spectral feedback side is rotationally moved periodically" can directly change the wavelength of light returning from the spectroscopic means / feedback means to the semiconductor laser element, so that the optical axis of the apparatus hardly changes, It can be particularly preferably used.

（光源側を周期的に平行移動又は回転移動させる形態）
「光源側を周期的に平行移動又は回転移動させる形態」とは、上記した本発明の第１実施形態や第２実施形態において、半導体レーザ素子１１、２１やコリメータレンズ１３、２３などの素子を所定の移動軸に沿って周期的に平行移動させる及び／又は所定の回転中心を中心にして周期的に回転移動させる形態である。回転軸は、「入射面」に略垂直な軸であることが好ましい。なお、ここでいう「入射面」とは、幾何光学において光線が別の媒質に入射するとき、入射光線と反射光線を含む面のことである。所定の移動軸は、半導体レーザ素子の光軸に略垂直な面内にあることが好ましい。 (Mode in which the light source side is periodically translated or rotated)
The “form in which the light source side is periodically translated or rotated” refers to elements such as the semiconductor laser elements 11 and 21 and the collimator lenses 13 and 23 in the first embodiment and the second embodiment of the present invention described above. It is a form in which a translation is periodically performed along a predetermined movement axis and / or a rotation is periodically performed around a predetermined rotation center. The rotation axis is preferably an axis substantially perpendicular to the “incident surface”. Here, the “incident surface” is a surface including incident light and reflected light when the light enters the other medium in geometric optics. The predetermined movement axis is preferably in a plane substantially perpendicular to the optical axis of the semiconductor laser element.

「光源側を周期的に平行移動又は回転移動させる形態」は、光源側（半導体レーザ素子やコリメータレンズなど）から分光帰還側（分光手段や帰還手段など）に入射する光の光軸を変化させることにより、分光手段や帰還手段などにおける回折角度、屈折角や反射角を変化させるものである。   The “form in which the light source side is periodically translated or rotated” changes the optical axis of light incident on the spectral feedback side (spectral means, feedback means, etc.) from the light source side (semiconductor laser element, collimator lens, etc.). Thus, the diffraction angle, the refraction angle, and the reflection angle in the spectroscopic means and the feedback means are changed.

「光源側を周期的に平行移動又は回転移動させる形態」の場合においても、半導体レーザ素子１１、２１やコリメータレンズ１３、２３などの素子をより広範囲で周期的に平行移動や回転移動させれば、発振波長の幅が広がり、スペックルノイズをより一層低減することが可能となる。   Even in the case of “a mode in which the light source side is periodically translated or rotated”, elements such as the semiconductor laser elements 11 and 21 and the collimator lenses 13 and 23 can be periodically translated and rotated in a wider range. The width of the oscillation wavelength is widened, and speckle noise can be further reduced.

また、「光源側を周期的に平行移動又は回転移動させる形態」の場合においても、半導体レーザ素子１１、２１やコリメータレンズ１３、２３などの素子をより高速に周期的に平行移動や回転移動させれば、一定時間内に観察されるスペックルノイズ量をより一層少なくすることができる。   Also, in the case of “a form in which the light source side is periodically translated or rotated”, elements such as the semiconductor laser elements 11 and 21 and the collimator lenses 13 and 23 are periodically translated and rotated at a higher speed. If so, the amount of speckle noise observed within a certain time can be further reduced.

例えば、半導体レーザ素子１１、２１やコリメータレンズ１３、２３などの素子をディスプレイのリフレッシュレートとほぼ同等の６０Ｈｚ以上（より好ましくは１２０Ｈｚ以上）の周波数で周期的に平行移動させたり回転移動させたりすれば、一定時間内に観察されるスペックルノイズ量をより一層少なくすることができる。   For example, elements such as the semiconductor laser elements 11 and 21 and the collimator lenses 13 and 23 are periodically translated or rotated at a frequency of 60 Hz or higher (more preferably 120 Hz or higher) that is substantially equal to the refresh rate of the display. For example, the amount of speckle noise observed within a certain time can be further reduced.

図５は、本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ装置１０において、回折格子１４を周期的に回転移動させた場合における発振波長の幅の一例を示す図である。   FIG. 5 is a diagram showing an example of the oscillation wavelength width when the diffraction grating 14 is periodically rotated in the semiconductor laser device 10 according to the first embodiment of the present invention.

図５に示すように、回折格子１４を周期的に回転移動させれば、発振波長に幅を持たせることができる。   As shown in FIG. 5, if the diffraction grating 14 is periodically rotated, the oscillation wavelength can be widened.

［比較例１］
図６は、回折格子を用いた半導体レーザ装置ではあるが、回折格子を回転移動させない場合の発振波長の幅の一例を示す図である。 [Comparative Example 1]
FIG. 6 is a diagram showing an example of the oscillation wavelength width when the diffraction grating is not rotationally moved although it is a semiconductor laser device using a diffraction grating.

図６に示すように、回折格子を回転移動させない場合は、発振波長の幅が狭い。   As shown in FIG. 6, when the diffraction grating is not rotated, the oscillation wavelength is narrow.

このように、回折格子を周期的に回転移動させた場合は発振波長に幅を持たせることができるのに対し、回折格子を回転移動させない場合は、発振波長に幅を持たせることができない。   As described above, when the diffraction grating is periodically rotated, the oscillation wavelength can be given a width. On the other hand, when the diffraction grating is not rotated, the oscillation wavelength cannot be given a width.

以上、本発明の実施形態及び実施例について説明したが、これらの説明は、本発明の一例に関するものであり、本発明は、これらの説明によって何ら限定されるものではない。   As mentioned above, although embodiment and the Example of this invention were described, these description is related to an example of this invention, and this invention is not limited at all by these description.

本発明に係る半導体レーザ装置は、レーザディスプレイ装置やレーザ露光装置などに特に好ましく利用することができる。   The semiconductor laser device according to the present invention can be particularly preferably used for a laser display device, a laser exposure device, and the like.

１０ 半導体レーザ装置
１１ 半導体レーザ素子
１２ 半導体レーザ素子駆動装置
１３ コリメータレンズ
１４ 回折格子
１５ 回折格子回転移動部
１５ａ 回折格子載置台
１５ｂ 圧電バイモルフ素子
１５ｃ 圧電バイモルフ素子駆動装置
２０ 半導体レーザ装置
２１ 半導体レーザ素子
２２ 半導体レーザ素子駆動装置
２３ コリメータレンズ
２４ プリズム
２５ 反射鏡
２６ 反射鏡回転移動部
２６ａ 圧電バイモルフ素子
２６ｂ 圧電バイモルフ素子駆動装置
Ａ 回転中心
Ｂ 回転中心
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor laser apparatus 11 Semiconductor laser element 12 Semiconductor laser element drive apparatus 13 Collimator lens 14 Diffraction grating 15 Diffraction grating rotation moving part 15a Diffraction grating mounting base 15b Piezoelectric bimorph element 15c Piezoelectric bimorph element driving apparatus 20 Semiconductor laser apparatus 21 Semiconductor laser element 22 Semiconductor laser element driving device 23 Collimator lens 24 Prism 25 Reflecting mirror 26 Reflecting mirror rotation moving part 26a Piezoelectric bimorph element 26b Piezoelectric bimorph element driving device A Rotation center B Rotation center

Claims (5)

半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子から出射する光を略平行光にするコリメータレンズと、
前記コリメータレンズから出射する光を分光する分光手段と、
前記分光手段によって分光された光の中から特定波長の光を前記半導体レーザ素子へ帰還させる帰還手段と、
前記分光手段、前記帰還手段、又は前記分光手段及び前記帰還手段を所定の回転中心を中心にして周期的に回転移動させる移動手段と、
を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。 A semiconductor laser element;
A collimator lens that makes light emitted from the semiconductor laser element substantially parallel light;
Spectroscopic means for spectrally separating light emitted from the collimator lens;
Feedback means for returning light of a specific wavelength to the semiconductor laser element from the light dispersed by the spectroscopic means;
Moving means for periodically rotating the spectroscopic means, the feedback means, or the spectroscopic means and the feedback means around a predetermined rotation center;
A semiconductor laser device comprising: 前記分光手段と前記帰還手段とが回折格子により一体的に構成され、
前記移動手段は、前記回折格子として一体的に構成された分光手段と帰還手段とを周期的に回転移動させる、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。 The spectroscopic means and the feedback means are integrally constituted by a diffraction grating,
The moving means periodically rotates and moves the spectroscopic means and the feedback means integrally configured as the diffraction grating,
The semiconductor laser device according to claim 1. 前記分光手段は、プリズムであり、
前記帰還手段は、反射鏡であり、
前記移動手段は、前記反射鏡である帰還手段を周期的に回転移動させる、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。 The spectroscopic means is a prism;
The feedback means is a reflector;
The moving means periodically rotates and moves the feedback means that is the reflecting mirror.
The semiconductor laser device according to claim 1. 半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子から出射する光を略平行光にするコリメータレンズと、
前記コリメータレンズから出射する光を分光する分光手段と、
前記分光手段によって分光された光の中から特定波長の光を前記半導体レーザ素子へ帰還させる帰還手段と、
前記半導体レーザ素子又は前記コリメータレンズを所定の移動軸に沿って周期的に平行移動させる及び／又は所定の回転中心を中心にして周期的に回転移動させる移動手段と、
を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。 A semiconductor laser element;
A collimator lens that makes light emitted from the semiconductor laser element substantially parallel light;
Spectroscopic means for spectrally separating light emitted from the collimator lens;
Feedback means for returning light of a specific wavelength to the semiconductor laser element from the light dispersed by the spectroscopic means;
Moving means for periodically translating the semiconductor laser element or the collimator lens along a predetermined movement axis and / or for periodically rotating about a predetermined rotation center;
A semiconductor laser device comprising: 前記移動手段は、１２０Ｈｚ以上の周波数で移動させる、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。   5. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the moving unit moves at a frequency of 120 Hz or more. 6.
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