JP2012135525A - Radiation image capturing apparatus, radiation image capturing method, and radiation image capturing control processing program - Google Patents

Radiation image capturing apparatus, radiation image capturing method, and radiation image capturing control processing program Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To capture a radiation image using irradiated radiation without requiring synchronization with a radiation generator for irradiating radiation in terms of irradiation timing, while reducing time and effort of a user as well as power consumption.SOLUTION: When vibration to be detected by a vibration detection part 61 for detecting vibration has become a predetermined state where positioning is considered to have been terminated, the radiation imaging apparatus determines to be ready to start imaging, and starts detecting radiation. When the radiation is detected, a radiation image is captured.

Description

本発明は、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影方法、及び放射線画像撮影制御処理プログラムに係り、特に、撮影対象部位を透過した放射線により示される放射線画像を取得する放射線画像撮影装置、放射線画像撮影方法、及び放射線画像撮影制御処理プログラムに関する。   The present invention relates to a radiographic image capturing apparatus, a radiographic image capturing method, and a radiographic image capturing control processing program, and more particularly to a radiographic image capturing apparatus and a radiographic image capturing method for acquiring a radiation image indicated by radiation that has passed through a region to be imaged. And a radiographic imaging control processing program.

近年、TFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス基板上に放射線感応層を配置し、放射線を直接デジタルデータに変換できるFPD(Flat Panel Detector)等の放射線検出器が実用化されており、この放射線検出器を用いて、照射された放射線により表わされる放射線画像を撮影する放射線画像撮影装置が実用化されている。なお、この放射線画像撮影装置に用いられる放射線検出器には、放射線を変換する方式として、放射線をシンチレータで光に変換した後にフォトダイオード等の半導体層で電荷に変換する間接変換方式や、放射線をアモルファスセレン等の半導体層で電荷に変換する直接変換方式等があり、各方式でも半導体層に使用可能な材料が種々存在する。   In recent years, radiation detectors such as flat panel detectors (FPDs) that can arrange radiation sensitive layers on TFT (Thin Film Transistor) active matrix substrates and convert radiation directly into digital data have been put into practical use. A radiographic image capturing apparatus that captures a radiographic image represented by irradiated radiation has been put into practical use. The radiation detector used in this radiographic imaging apparatus has an indirect conversion system in which radiation is converted into light by a scintillator and then converted into electric charge in a semiconductor layer such as a photodiode, or the like. There is a direct conversion method in which a semiconductor layer such as amorphous selenium converts into electric charge, and there are various materials that can be used for the semiconductor layer in each method.

ところで、放射線検出器は、ノイズの一因となる暗電流が存在するため、撮像時間をむやみに長くすることができない。このため、従来の放射線検出器を用いた放射線画像撮影装置では、放射線を照射する放射線発生装置との間で各種の信号の送受信を行い、放射線発生装置から放射線を照射する照射動作と放射線画像撮影装置での撮像動作とを同期させていた。   By the way, in the radiation detector, since a dark current that contributes to noise exists, the imaging time cannot be increased unnecessarily. For this reason, in a conventional radiographic imaging apparatus using a radiation detector, various signals are transmitted to and received from the radiation generating apparatus that irradiates radiation, and irradiation operation and radiographic imaging that irradiate the radiation from the radiation generating apparatus. The imaging operation in the apparatus was synchronized.

しかし、このように放射線発生装置からの放射線の照射動作と放射線画像撮影装置での撮像動作とを同期を必要とした場合、放射線発生装置と放射線画像撮影装置とを1つの一体化したシステムとして構築する必要があり、既存の放射線発生装置と組み合わせてシステムを構築しようとした場合、放射線発生装置側にも同期をとるための修正が必要となる。   However, when it is necessary to synchronize the radiation operation from the radiation generator and the imaging operation of the radiographic imaging device in this way, the radiation generating device and the radiographic imaging device are constructed as one integrated system. Therefore, when an attempt is made to construct a system in combination with an existing radiation generator, a modification for synchronizing the radiation generator is also necessary.

そこで、放射線発生装置からの放射線の照射動作と放射線画像撮影装置での撮像動作の同期を必要とせずに放射線画像の撮影を可能とするための技術として、特許文献1には、バイアス電流に基づいて放射線の照射開始を検出する技術が記載されている。   Therefore, Patent Document 1 discloses a technique based on a bias current as a technique for enabling radiographic imaging without requiring synchronization of radiation irradiation from the radiation generator and imaging operation in the radiographic imaging apparatus. A technique for detecting the start of radiation irradiation is described.

特開2010−264181号公報JP 2010-264181 A

ところで、特許文献1に記載のように、放射線の照射開始を検知して撮影を行うには、放射線の照射の検出を随時行う必要があり、放射線の照射の検出を随時行うものとした場合、電力消費が大きくなる。特に、放射線検出器を内蔵し、バッテリで駆動する電力により放射線画像の撮影を行う可搬型の放射線画像撮影装置(以下「電子カセッテ」ともいう。)では電力消費が大きくなると駆動可能な時間が短くなってしまう。   By the way, as described in Patent Document 1, in order to detect the start of radiation irradiation and perform imaging, it is necessary to detect radiation irradiation at any time, and when radiation detection is to be performed at any time, Power consumption increases. In particular, in a portable radiation image capturing apparatus (hereinafter also referred to as “electronic cassette”) that incorporates a radiation detector and captures a radiation image with power driven by a battery, the driveable time is shortened when the power consumption increases. turn into.

そこで、撮影者が放射線画像撮影装置を放射線の照射開始を検知して撮影を行う撮影モードへの移行させる指示を行うものとした場合、手間がかかる。   Therefore, it takes time and effort when the photographer instructs the radiographic imaging apparatus to shift to a radiographing mode in which radiography is started and radiographing is performed.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、撮影者の手間も省くと共に電力消費を抑えつつ放射線を照射する放射線発生装置と放射線の照射タイミングの同期を必要とせずに照射された放射線による放射線画像を撮影できる放射線画像撮影装置、放射線画像撮影方法、及び放射線画像撮影制御処理プログラムを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described facts, and saves the trouble of the photographer and suppresses power consumption, and the radiation generator that irradiates the radiation and the radiation irradiated without requiring synchronization of the radiation irradiation timing. An object of the present invention is to provide a radiographic image capturing apparatus, a radiographic image capturing method, and a radiographic image capturing control processing program capable of capturing a radiographic image.

上記目的を達成するために、請求項1に記載の放射線画像撮影装置は、放射された放射線による放射線画像を撮影可能な撮影部と、放射線を検出する放射線検出手段と、撮影準備が完了したか否か判断する判断手段と、前記判断手段により撮影準備が完了したと判断した場合に前記放射線検出手段による放射線の検出を開始し、前記放射線検出手段により放射線が検出された場合に放射線画像を撮影するように前記撮影部を制御する制御手段と、を有している。   In order to achieve the above object, the radiographic imaging device according to claim 1 is an imaging unit capable of imaging a radiographic image of emitted radiation, radiation detection means for detecting radiation, and whether imaging preparation has been completed. A determination unit that determines whether or not radiation detection is started by the radiation detection unit when it is determined that the preparation for imaging is completed by the determination unit, and a radiographic image is captured when radiation is detected by the radiation detection unit Control means for controlling the photographing unit.

請求項1記載の放射線画像撮影装置は、撮影部による放射された放射線による放射線画像を撮影可能とされており、放射線を検出する放射線検出手段を有し、判断手段により、撮影準備が完了したか否が判断される。   The radiographic imaging device according to claim 1 is capable of taking a radiographic image of radiation emitted by the imaging unit, has radiation detection means for detecting radiation, and has the preparation for imaging completed by the judging means? No is determined.

そして、本発明では、制御手段により、判断手段により撮影準備が完了したと判断した場合に前記放射線検出手段による放射線の検出を開始し、前記放射線検出手段により放射線が検出された場合に放射線画像を撮影するように前記撮影部が制御される。   In the present invention, the control means starts detection of radiation by the radiation detection means when it is determined that the preparation for imaging is completed by the determination means, and when the radiation detection means detects the radiation image, The photographing unit is controlled so as to photograph.

このように、請求項1に記載の放射線画像撮影装置によれば、撮影準備が完了したと判断し、撮影準備が完了したと判断した場合に放射線の検出を開始し、放射線検出手段により放射線が検出された場合に放射線画像の撮影を行うことにより、撮影者の手間も省くと共に電力消費を抑えつつ放射線を照射する放射線発生装置と放射線の照射タイミングの同期を必要とせずに照射された放射線による放射線画像を撮影できる。   Thus, according to the radiographic imaging device of claim 1, it is determined that imaging preparation is completed, and when it is determined that imaging preparation is completed, radiation detection is started, and radiation is detected by the radiation detection means. By detecting the radiation image when it is detected, it is possible to save the trouble of the photographer and reduce the power consumption, and the radiation generator that irradiates the radiation and the radiation irradiated without requiring synchronization of the radiation irradiation timing. A radiographic image can be taken.

なお、請求項1記載の発明は、請求項2に記載の発明のように、振動を検出する振動検出手段をさらに備え、前記判断手段が、前記振動検出手段により検出される振動がポジショニングが終了したとみなすことができる所定状態に収まった場合に撮影準備が完了したと判断してもよい。   The invention according to claim 1 further includes vibration detection means for detecting vibration, as in the invention according to claim 2, wherein the determination means finishes positioning of the vibration detected by the vibration detection means. It may be determined that the preparation for photographing has been completed when it falls within a predetermined state that can be regarded as having been performed.

特に、請求項2に記載の発明は、請求項3に記載の発明のように、前記振動検出手段を、加速度センサ、ジャイロセンサ、ひずみゲージ、重力センサ、地磁気センサの何れかとしてもよい。   In particular, in the invention described in claim 2, as in the invention described in claim 3, the vibration detection means may be any one of an acceleration sensor, a gyro sensor, a strain gauge, a gravity sensor, and a geomagnetic sensor.

また、請求項2に記載の発明は、請求項4に記載の発明のように、前記撮影部は、バイアス電圧を印加され、放射線又は放射線が変換された光により電荷が発生するセンサ部が複数形成された放射線検出器を備え、前記振動検出手段が、バイアス電圧の変化、及びセンサ部に蓄積される暗電流量の変化の少なくとも一方に基づいて振動を検出してもよい。   According to a second aspect of the present invention, as in the fourth aspect of the present invention, the imaging unit includes a plurality of sensor units that generate a charge by radiation or light converted from radiation by applying a bias voltage. The radiation detector may include a formed radiation detector, and the vibration detecting unit may detect vibration based on at least one of a change in bias voltage and a change in dark current amount accumulated in the sensor unit.

また、請求項2に記載の発明は、請求項5に記載の発明のように、前記振動検出手段を、重力センサ、地磁気センサの何れかとし、重力センサにより検出される重力方向、地磁気センサにより検出される地磁気方向の変化に基づいて振動を検出してもよい。   According to a second aspect of the present invention, as in the fifth aspect of the present invention, the vibration detecting means is either a gravity sensor or a geomagnetic sensor, and the direction of gravity detected by the gravity sensor and the geomagnetic sensor are used. You may detect a vibration based on the change of the detected geomagnetic direction.

また、本発明は、請求項6に記載の発明のように、前記制御手段が、前記撮影部による放射線画像の撮影終了後、又は前記判断手段により撮影準備であると判断された場合、前記放射線検出手段による放射線の検出を停止してもよい。   Further, according to the present invention, as in the invention described in claim 6, when the control unit determines that the radiographic image is captured by the imaging unit or is prepared for imaging by the determination unit, the radiation The detection of radiation by the detection means may be stopped.

一方、上記目的を達成するために、請求項7に記載の放射線画像撮影方法は、撮影準備が完了したか否か判断し、撮影準備が完了したと判断した場合に放射線を検出する放射線検出手段による放射線の検出を開始し、放射線を検出する放射線検出手段により放射線が検出された場合に、放射線画像を撮影するように撮影部を制御する。   On the other hand, in order to achieve the above object, the radiographic image capturing method according to claim 7 determines whether or not preparation for imaging is completed, and detects radiation when it is determined that imaging preparation is completed. The detection of the radiation is started, and when the radiation is detected by the radiation detection means for detecting the radiation, the imaging unit is controlled so as to capture the radiation image.

従って、本発明によれば、請求項1同様に作用するため、撮影者の手間も省くと共に電力消費を抑えつつ放射線を照射する放射線発生装置と放射線の照射タイミングの同期を必要とせずに照射された放射線による放射線画像を撮影できる。   Therefore, according to the present invention, since the operation is the same as that of the first aspect, the irradiation is performed without requiring the synchronization of the radiation irradiation timing and the radiation generation apparatus that irradiates the radiation while saving power and the power consumption. Radiation images can be taken.

一方、上記目的を達成するために、請求項8に記載の放射線画像撮影制御処理プログラムは、撮影準備が完了したか否か判断するステップと、撮影準備が完了したと判断した場合に放射線を検出する放射線検出手段による放射線の検出を開始するステップと、放射線を検出する放射線検出手段により放射線が検出された場合に、放射線画像を撮影するように撮影部を制御するステップと、を含む処理をコンピュータに実行させる。   On the other hand, in order to achieve the above object, the radiographic imaging control processing program according to claim 8 detects the radiation when the radiographic imaging control processing program determines whether the imaging preparation is completed and when the imaging preparation is completed. A process including: a step of starting detection of radiation by the radiation detection means, and a step of controlling the imaging unit so as to capture a radiation image when radiation is detected by the radiation detection means for detecting radiation. To run.

従って、本発明によれば、請求項1同様に作用するため、撮影者の手間も省くと共に電力消費を抑えつつ放射線を照射する放射線発生装置と放射線の照射タイミングの同期を必要とせずに照射された放射線による放射線画像を撮影できる。   Therefore, according to the present invention, since the operation is the same as that of the first aspect, the irradiation is performed without requiring the synchronization of the radiation irradiation timing and the radiation generation apparatus that irradiates the radiation while saving power and the power consumption. Radiation images can be taken.

本発明によれば、撮影者の手間も省くと共に電力消費を抑えつつ放射線を照射する放射線発生装置と放射線の照射タイミングの同期を必要とせずに照射された放射線による放射線画像を撮影できる、という効果が得られる。   Advantageous Effects of Invention According to the present invention, it is possible to take a radiographic image of irradiated radiation without the need for a photographer and without requiring synchronization of the radiation irradiation timing and the radiation generation apparatus that irradiates radiation while suppressing power consumption. Is obtained.

実施の形態に係る放射線情報システムの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the radiation information system which concerns on embodiment. 実施の形態に係る放射線画像撮影システムの放射線撮影室における各装置の配置状態の一例を示す側面図である。It is a side view which shows an example of the arrangement | positioning state of each apparatus in the radiography room of the radiographic imaging system which concerns on embodiment. 実施の形態に係る放射線検出器の3画素部分の概略構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows schematic structure of the 3 pixel part of the radiation detector which concerns on embodiment. 実施の形態に係る放射線検出器の1画素部分の信号出力部の構成を概略的に示した断面側面図である。It is the cross-sectional side view which showed schematically the structure of the signal output part of 1 pixel part of the radiation detector which concerns on embodiment. 実施の形態に係る放射線検出器の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the radiation detector which concerns on embodiment. 実施の形態に係る電子カセッテの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the electronic cassette concerning embodiment. 実施の形態に係る電子カセッテの構成を示す断面側面図である。It is a section side view showing the composition of the electronic cassette concerning an embodiment. 実施の形態に係る放射線画像撮影システムの電気系の要部構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part structure of the electrical system of the radiographic imaging system which concerns on embodiment. 実施の形態に係る撮影制御処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of a process of the imaging | photography control processing program which concerns on embodiment. 放射線画像の表面読取方式と裏面読取方式を説明するための断面側面図である。It is a cross-sectional side view for demonstrating the surface reading system and back surface scanning system of a radiographic image. 実施の形態に係る放射線検出器の他の形態例を示す平面図である。It is a top view which shows the other example of a form of the radiation detector which concerns on embodiment.

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、ここでは、本発明を、病院における放射線科部門で取り扱われる情報を統括的に管理するシステムである放射線情報システムに適用した場合の形態例について説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Here, a description will be given of an example in which the present invention is applied to a radiation information system that is a system for comprehensively managing information handled in a radiology department in a hospital.

まず、図1を参照して、本実施の形態に係る放射線情報システム(以下、「RIS」(Radiology Information System)という。)100の構成について説明する。   First, the configuration of a radiation information system (hereinafter referred to as “RIS” (Radiology Information System)) 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

RIS100は、放射線科部門内における、診療予約、診断記録等の情報管理を行うためのシステムであり、病院情報システム(以下、「HIS」(Hospital Information System)という。)の一部を構成する。   The RIS 100 is a system for managing information such as medical appointments and diagnosis records in the radiology department, and constitutes a part of a hospital information system (hereinafter referred to as “HIS” (Hospital Information System)).

RIS100は、複数台の撮影依頼端末装置(以下、「端末装置」という。)140、RISサーバ150、および病院内の放射線撮影室(あるいは手術室)の個々に設置された放射線画像撮影システム(以下、「撮影システム」という。)104を有しており、これらが有線や無線のLAN(Local Area Network)等から成る病院内ネットワーク102に各々接続されて構成されている。なお、RIS100は、同じ病院内に設けられたHISの一部を構成しており、病院内ネットワーク102には、HIS全体を管理するHISサーバ(図示省略。)も接続されている。   The RIS 100 includes a plurality of radiography requesting terminal devices (hereinafter referred to as “terminal devices”) 140, a RIS server 150, and a radiographic imaging system (hereinafter referred to as a radiographic imaging room (or operating room) in a hospital). , Which are referred to as “imaging systems”) 104, which are connected to a hospital network 102 composed of a wired or wireless LAN (Local Area Network) or the like. The RIS 100 constitutes a part of the HIS provided in the same hospital, and an HIS server (not shown) for managing the entire HIS is also connected to the in-hospital network 102.

端末装置140は、医師や放射線技師が、診断情報や施設予約の入力、閲覧等を行うためのものであり、放射線画像の撮影依頼や撮影予約もこの端末装置140を介して行われる。各端末装置140は、表示装置を有するパーソナル・コンピュータを含んで構成され、RISサーバ150と病院内ネットワーク102を介して相互通信が可能とされている。   The terminal device 140 is used by doctors and radiographers to input and browse diagnostic information and facility reservations, and radiographic image capturing requests and imaging reservations are also performed via the terminal device 140. Each terminal device 140 includes a personal computer having a display device, and can communicate with the RIS server 150 via the hospital network 102.

一方、RISサーバ150は、各端末装置140からの撮影依頼を受け付け、撮影システム104における放射線画像の撮影スケジュールを管理するものであり、データベース150Aを含んで構成されている。   On the other hand, the RIS server 150 receives an imaging request from each terminal device 140 and manages a radiographic imaging schedule in the imaging system 104, and includes a database 150A.

データベース150Aは、患者(被検者)の属性情報(氏名、性別、生年月日、年齢、血液型、体重、患者ID(Identification)等)、病歴、受診歴、過去に撮影した放射線画像等の患者に関する情報、撮影システム104で用いられる、後述する電子カセッテ40の識別番号(ID情報)、型式、サイズ、感度、使用開始年月日、使用回数等の電子カセッテ40に関する情報、および電子カセッテ40を用いて放射線画像を撮影する環境、すなわち、電子カセッテ40を使用する環境(一例として、放射線撮影室や手術室等)を示す環境情報を含んで構成されている。   Database 150A includes patient (subject) attribute information (name, sex, date of birth, age, blood type, weight, patient ID (Identification), etc.), medical history, medical history, radiation images taken in the past, etc. Information regarding the patient, information regarding the electronic cassette 40 used in the imaging system 104, such as an identification number (ID information), model, size, sensitivity, start date of use, number of times of use, etc., and the electronic cassette 40 It includes the environment information which shows the environment which takes a radiographic image using, ie, the environment (for example, a radiography room, an operating room, etc.) which uses electronic cassette 40.

撮影システム104は、RISサーバ150からの指示に応じて医師や放射線技師の操作により放射線画像の撮影を行う。撮影システム104は、放射線源121(図2も参照。)から曝射条件に従った線量とされた放射線X(図6も参照。)を被検者に照射する放射線発生装置120と、被検者の撮影対象部位を透過した放射線Xを吸収して電荷を発生し、発生した電荷量に基づいて放射線画像を示す画像情報を生成する放射線検出器20(図6も参照。)を内蔵する電子カセッテ40と、電子カセッテ40に内蔵されているバッテリを充電するクレードル130と、電子カセッテ40および放射線発生装置120を制御するコンソール110と、を備えている。   The imaging system 104 captures a radiographic image by an operation of a doctor or a radiographer according to an instruction from the RIS server 150. The imaging system 104 includes a radiation generator 120 that irradiates a subject with radiation X (see also FIG. 6) that has been dosed according to the exposure conditions from a radiation source 121 (see also FIG. 2), and a subject. Electrons that incorporate a radiation detector 20 (see also FIG. 6) that absorbs radiation X that has passed through a region to be imaged by the person and generates charges, and generates image information indicating a radiation image based on the amount of charges generated. A cassette 40, a cradle 130 for charging a battery built in the electronic cassette 40, and a console 110 for controlling the electronic cassette 40 and the radiation generator 120 are provided.

コンソール110は、RISサーバ150からデータベース150Aに含まれる各種情報を取得して後述するHDD116(図8参照。)に記憶し、必要に応じて当該情報を用いて、電子カセッテ40および放射線発生装置120の制御を行う。   The console 110 acquires various types of information included in the database 150A from the RIS server 150 and stores them in an HDD 116 (see FIG. 8) described later, and uses the information as necessary to use the electronic cassette 40 and the radiation generator 120. Control.

図2には、本実施の形態に係る撮影システム104の放射線撮影室180における各装置の配置状態の一例が示されている。   FIG. 2 shows an example of the arrangement state of each device in the radiation imaging room 180 of the imaging system 104 according to the present embodiment.

同図に示すように、放射線撮影室180には、立位での放射線撮影を行う際に用いられる立位台160と、臥位での放射線撮影を行う際に用いられる臥位台164とが設置されており、立位台160の前方空間は立位での放射線撮影を行う際の被検者の撮影位置170とされ、臥位台164の上方空間は臥位での放射線撮影を行う際の被検者の撮影位置172とされている。   As shown in the figure, the radiation imaging room 180 has a standing table 160 used when performing radiography in a standing position and a prone table 164 used when performing radiography in a lying position. The space in front of the standing stand 160 is set as a photographing position 170 of the subject when performing radiography in the standing position, and the space above the supine stand 164 is when performing radiography in the prone position. The imaging position 172 of the subject.

立位台160には電子カセッテ40を保持する保持部162が設けられており、立位での放射線画像の撮影を行う際には、電子カセッテ40が保持部162に保持される。同様に、臥位台164には電子カセッテ40を保持する保持部166が設けられており、臥位での放射線画像の撮影を行う際には、電子カセッテ40が保持部166に保持される。   The standing stand 160 is provided with a holding unit 162 that holds the electronic cassette 40, and the electronic cassette 40 is held by the holding unit 162 when a radiographic image is taken in the standing position. Similarly, the holding table 164 is provided with a holding unit 166 that holds the electronic cassette 40, and the electronic cassette 40 is held by the holding unit 166 when a radiographic image is taken in the lying position.

また、放射線撮影室180には、単一の放射線源121からの放射線によって立位での放射線撮影も臥位での放射線撮影も可能とするために、放射線源121を、水平な軸回り(図2の矢印a方向)に回動可能で、鉛直方向(図2の矢印b方向)に移動可能で、さらに水平方向(図2の矢印c方向)に移動可能に支持する支持移動機構124が設けられている。ここで、支持移動機構124は、放射線源121を水平な軸回りに回動させる駆動源と、放射線源121を鉛直方向に移動させる駆動源と、放射線源121を水平方向に移動させる駆動源を各々備えている(何れも図示省略。)。   Further, in the radiation imaging room 180, the radiation source 121 is placed around a horizontal axis (see FIG. 5) in order to enable radiation imaging in a standing position and radiation imaging in a lying position by radiation from a single radiation source 121. 2 is provided, and a support moving mechanism 124 is provided which can be rotated in the vertical direction (arrow b direction in FIG. 2) and can be moved in the horizontal direction (arrow c direction in FIG. 2). It has been. Here, the support moving mechanism 124 includes a drive source that rotates the radiation source 121 around a horizontal axis, a drive source that moves the radiation source 121 in the vertical direction, and a drive source that moves the radiation source 121 in the horizontal direction. Each is provided (not shown).

一方、クレードル130には、電子カセッテ40を収納可能な収容部130Aが形成されている。   On the other hand, the cradle 130 is formed with an accommodating portion 130 </ b> A capable of accommodating the electronic cassette 40.

電子カセッテ40は、未使用時にはクレードル130の収容部130Aに収納された状態で内蔵されているバッテリに充電が行われ、放射線画像の撮影時には放射線技師等によってクレードル130から取り出され、撮影姿勢が立位であれば立位台160の保持部162に保持され、撮影姿勢が臥位であれば臥位台164の保持部166に保持される。   When the electronic cassette 40 is not in use, the built-in battery is charged in a state of being housed in the housing portion 130A of the cradle 130. When a radiographic image is taken, the electronic cassette 40 is taken out from the cradle 130 by a radiographer or the like, and the photographing posture is established. If it is in the upright position, it is held in the holding part 162 of the standing base 160, and if it is in the upright position, it is held in the holding part 166 of the standing base 164.

ここで、本実施の形態に係る撮影システム104では、放射線発生装置120とコンソール110との間、および電子カセッテ40とコンソール110との間で、無線通信によって各種情報の送受信を行う。   Here, in the imaging system 104 according to the present embodiment, various types of information are transmitted and received between the radiation generation apparatus 120 and the console 110 and between the electronic cassette 40 and the console 110 by wireless communication.

なお、電子カセッテ40は、立位台160の保持部162や臥位台164の保持部166で保持された状態のみで使用されるものではなく、その可搬性から、腕部,脚部等を撮影する際には、保持部に保持されていない状態で使用することもできる。   The electronic cassette 40 is not used only in a state where it is held by the holding part 162 of the standing base 160 or the holding part 166 of the prone base 164. When photographing, it can be used in a state where it is not held by the holding unit.

次に、本実施の形態に係る放射線検出器20の構成について説明する。図3は、本実施の形態に係る放射線検出器20の3画素部分の構成を概略的に示す断面模式図である。   Next, the configuration of the radiation detector 20 according to the present embodiment will be described. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view schematically showing the configuration of the three pixel portions of the radiation detector 20 according to the present exemplary embodiment.

同図に示すように、本実施の形態に係る放射線検出器20は、絶縁性の基板1上に、信号出力部14、センサ部13、およびシンチレータ8が順次積層しており、信号出力部14、センサ部13により画素が構成されている。画素は、基板1上に複数配列されており、各画素における信号出力部14とセンサ部13とが重なりを有するように構成されている。   As shown in the figure, in the radiation detector 20 according to the present embodiment, a signal output unit 14, a sensor unit 13, and a scintillator 8 are sequentially stacked on an insulating substrate 1. The pixels are configured by the sensor unit 13. A plurality of pixels are arranged on the substrate 1, and the signal output unit 14 and the sensor unit 13 in each pixel are configured to overlap each other.

シンチレータ8は、センサ部13上に透明絶縁膜7を介して形成されており、上方(基板1の反対側)または下方から入射してくる放射線を光に変換して発光する蛍光体を成膜したものである。このようなシンチレータ8を設けることで、被写体を透過した放射線を吸収して発光することになる。   The scintillator 8 is formed on the sensor unit 13 via the transparent insulating film 7, and forms a phosphor that emits light by converting radiation incident from above (opposite side of the substrate 1) or from below into light. It is a thing. Providing such a scintillator 8 absorbs the radiation transmitted through the subject and emits light.

シンチレータ8が発する光の波長域は、可視光域(波長360nm〜830nm)であることが好ましく、この放射線検出器20によってモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることがより好ましい。   The wavelength range of light emitted by the scintillator 8 is preferably a visible light range (wavelength 360 nm to 830 nm), and in order to enable monochrome imaging by the radiation detector 20, the wavelength range of green is included. Is more preferable.

シンチレータ8に用いる蛍光体としては、具体的には、放射線としてX線を用いて撮像する場合、ヨウ化セシウム(CsI)を含むものが好ましく、X線照射時の発光スペクトルが420nm〜600nmにあるCsI(Tl)(タリウムが添加されたヨウ化セシウム)を用いることが特に好ましい。なお、CsI(Tl)の可視光域における発光ピーク波長は565nmである。   Specifically, the phosphor used in the scintillator 8 preferably contains cesium iodide (CsI) when imaging using X-rays as radiation, and has an emission spectrum of 420 nm to 600 nm during X-ray irradiation. It is particularly preferable to use CsI (Tl) (cesium iodide with thallium added). Note that the emission peak wavelength of CsI (Tl) in the visible light region is 565 nm.

センサ部13は、上部電極6、下部電極2、および当該上下の電極間に配置された光電変換膜4を有し、光電変換膜4は、シンチレータ8が発する光を吸収して電荷が発生する有機光電変換材料により構成されている。   The sensor unit 13 includes an upper electrode 6, a lower electrode 2, and a photoelectric conversion film 4 disposed between the upper and lower electrodes. The photoelectric conversion film 4 absorbs light emitted from the scintillator 8 and generates charges. It is composed of an organic photoelectric conversion material.

上部電極6は、シンチレータ8により生じた光を光電変換膜4に入射させる必要があるため、少なくともシンチレータ8の発光波長に対して透明な導電性材料で構成することが好ましく、具体的には、可視光に対する透過率が高く、抵抗値が小さい透明導電性酸化物(TCO;Transparent Conducting Oxide)を用いることが好ましい。なお、上部電極6としてAuなどの金属薄膜を用いることもできるが、透過率を90%以上得ようとすると抵抗値が増大し易いため、TCOの方が好ましい。例えば、ITO、IZO、AZO、FTO、SnO、TiO、ZnO等を好ましく用いることができ、プロセス簡易性、低抵抗性、透明性の観点からはITOが最も好ましい。なお、上部電極6は、全画素で共通の一枚構成としてもよく、画素毎に分割してもよい。 Since it is necessary for the upper electrode 6 to cause the light generated by the scintillator 8 to be incident on the photoelectric conversion film 4, it is preferable that the upper electrode 6 be made of a conductive material that is transparent at least with respect to the emission wavelength of the scintillator 8. It is preferable to use a transparent conductive oxide (TCO) having a high transmittance for visible light and a small resistance value. Although a metal thin film such as Au can be used as the upper electrode 6, TCO is preferable because it tends to increase the resistance value when it is desired to obtain a transmittance of 90% or more. For example, ITO, IZO, AZO, FTO, SnO 2 , TiO 2 , ZnO 2 and the like can be preferably used, and ITO is most preferable from the viewpoint of process simplicity, low resistance, and transparency. Note that the upper electrode 6 may have a single configuration common to all pixels, or may be divided for each pixel.

光電変換膜4は、有機光電変換材料を含み、シンチレータ8から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。このように有機光電変換材料を含む光電変換膜4であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ8による発光以外の電磁波が光電変換膜4に吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線が光電変換膜4で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。   The photoelectric conversion film 4 includes an organic photoelectric conversion material, absorbs light emitted from the scintillator 8, and generates a charge corresponding to the absorbed light. In this way, the photoelectric conversion film 4 containing an organic photoelectric conversion material has a sharp absorption spectrum in the visible range, and electromagnetic waves other than light emitted by the scintillator 8 are hardly absorbed by the photoelectric conversion film 4. The noise generated by the radiation such as being absorbed by the photoelectric conversion film 4 can be effectively suppressed.

光電変換膜4を構成する有機光電変換材料は、シンチレータ8で発光した光を最も効率よく吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ8の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長とシンチレータ8の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ8から発された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、シンチレータ8の放射線に対する発光ピーク波長との差が、10nm以内であることが好ましく、5nm以内であることがより好ましい。   The organic photoelectric conversion material constituting the photoelectric conversion film 4 is preferably such that its absorption peak wavelength is closer to the emission peak wavelength of the scintillator 8 in order to absorb light emitted by the scintillator 8 most efficiently. Ideally, the absorption peak wavelength of the organic photoelectric conversion material matches the emission peak wavelength of the scintillator 8, but if the difference between the two is small, the light emitted from the scintillator 8 can be sufficiently absorbed. . Specifically, the difference between the absorption peak wavelength of the organic photoelectric conversion material and the emission peak wavelength with respect to the radiation of the scintillator 8 is preferably within 10 nm, and more preferably within 5 nm.

このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物およびフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ8の材料としてCsI(Tl)を用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能となり、光電変換膜4で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。   Examples of the organic photoelectric conversion material that can satisfy such conditions include quinacridone-based organic compounds and phthalocyanine-based organic compounds. For example, since the absorption peak wavelength in the visible region of quinacridone is 560 nm, if quinacridone is used as the organic photoelectric conversion material and CsI (Tl) is used as the material of the scintillator 8, the difference in peak wavelength can be within 5 nm. Thus, the amount of charge generated in the photoelectric conversion film 4 can be substantially maximized.

次に、本実施の形態に係る放射線検出器20に適用可能な光電変換膜4について具体的に説明する。   Next, the photoelectric conversion film 4 applicable to the radiation detector 20 according to the present embodiment will be specifically described.

本実施の形態に係る放射線検出器20における電磁波吸収/光電変換部位は、1対の電極2,6と、当該電極2,6間に挟まれた有機光電変換膜4を含む有機層により構成することができる。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、および層間接触改良部位等の積み重ね、もしくは混合により形成することができる。   The electromagnetic wave absorption / photoelectric conversion site in the radiation detector 20 according to the present embodiment is configured by an organic layer including a pair of electrodes 2 and 6 and an organic photoelectric conversion film 4 sandwiched between the electrodes 2 and 6. be able to. More specifically, this organic layer is a part that absorbs electromagnetic waves, a photoelectric conversion part, an electron transport part, a hole transport part, an electron blocking part, a hole blocking part, a crystallization preventing part, an electrode, and an interlayer contact improvement. It can be formed by stacking or mixing parts.

上記有機層は、有機p型化合物または有機n型化合物を含有することが好ましい。   The organic layer preferably contains an organic p-type compound or an organic n-type compound.

有機p型半導体(化合物)は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体(化合物)であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。   The organic p-type semiconductor (compound) is a donor organic semiconductor (compound) mainly represented by a hole-transporting organic compound and refers to an organic compound having a property of easily donating electrons. More specifically, an organic compound having a smaller ionization potential when two organic materials are used in contact with each other. Accordingly, any organic compound can be used as the donor organic compound as long as it is an electron-donating organic compound.

有機n型半導体(化合物)は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体(化合物)であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。   An organic n-type semiconductor (compound) is an acceptor organic semiconductor (compound) mainly represented by an electron-transporting organic compound and refers to an organic compound having a property of easily accepting electrons. More specifically, the organic compound having the higher electron affinity when two organic compounds are used in contact with each other. Accordingly, as the acceptor organic compound, any organic compound can be used as long as it is an electron-accepting organic compound.

この有機p型半導体および有機n型半導体として適用可能な材料、および光電変換膜4の構成については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。なお、光電変換膜4は、さらにフラーレン若しくはカーボンナノチューブを含有させて形成してもよい。   The materials applicable as the organic p-type semiconductor and organic n-type semiconductor and the configuration of the photoelectric conversion film 4 are described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-32854, and thus the description thereof is omitted. The photoelectric conversion film 4 may be formed by further containing fullerenes or carbon nanotubes.

光電変換膜4の厚みは、シンチレータ8からの光を吸収する点では膜厚は大きいほど好ましいが、ある程度以上厚くなると光電変換膜4の両端から印加されるバイアス電圧により光電変換膜4に発生する電界の強度が低下して電荷が収集できなくなるため、30nm以上300nm以下が好ましく、より好ましくは、50nm以上250nm以下、特に好ましくは80nm以上200nm以下である。   The thickness of the photoelectric conversion film 4 is preferably as large as possible in terms of absorbing light from the scintillator 8. However, when the thickness is more than a certain level, the photoelectric conversion film 4 is generated in the photoelectric conversion film 4 by a bias voltage applied from both ends of the photoelectric conversion film 4. Since electric field strength is reduced and charges cannot be collected, the thickness is preferably 30 nm to 300 nm, more preferably 50 nm to 250 nm, and particularly preferably 80 nm to 200 nm.

なお、図3に示す放射線検出器20では、光電変換膜4は、全画素で共通の一枚構成であるが、画素毎に分割してもよい。   In the radiation detector 20 shown in FIG. 3, the photoelectric conversion film 4 has a single configuration common to all pixels, but may be divided for each pixel.

下部電極2は、画素毎に分割された薄膜とする。下部電極2は、透明または不透明の導電性材料で構成することができ、アルミニウム、銀等を好適に用いることができる。   The lower electrode 2 is a thin film divided for each pixel. The lower electrode 2 can be made of a transparent or opaque conductive material, and aluminum, silver, or the like can be suitably used.

下部電極2の厚みは、例えば、30nm以上300nm以下とすることができる。   The thickness of the lower electrode 2 can be, for example, 30 nm or more and 300 nm or less.

センサ部13では、上部電極6と下部電極2の間に所定のバイアス電圧を印加することで、光電変換膜4で発生した電荷(正孔、電子)のうちの一方を上部電極6に移動させ、他方を下部電極2に移動させることができる。本実施の形態の放射線検出器20では、上部電極6に配線が接続され、この配線を介してバイアス電圧が上部電極6に印加されるものとする。また、バイアス電圧は、光電変換膜4で発生した電子が上部電極6に移動し、正孔が下部電極2に移動するように極性が決められているものとするが、この極性は逆であってもよい。   In the sensor unit 13, by applying a predetermined bias voltage between the upper electrode 6 and the lower electrode 2, one of electric charges (holes, electrons) generated in the photoelectric conversion film 4 is moved to the upper electrode 6. The other can be moved to the lower electrode 2. In the radiation detector 20 of the present embodiment, a wiring is connected to the upper electrode 6, and a bias voltage is applied to the upper electrode 6 through this wiring. In addition, the polarity of the bias voltage is determined so that electrons generated in the photoelectric conversion film 4 move to the upper electrode 6 and holes move to the lower electrode 2, but this polarity is reversed. May be.

各画素を構成するセンサ部13は、少なくとも下部電極2、光電変換膜4、および上部電極6を含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜3および正孔ブロッキング膜5の少なくともいずれかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。   The sensor unit 13 constituting each pixel only needs to include at least the lower electrode 2, the photoelectric conversion film 4, and the upper electrode 6. In order to suppress an increase in dark current, the electron blocking film 3 and the hole blocking film are used. 5 is preferably provided, and it is more preferable to provide both.

電子ブロッキング膜3は、下部電極2と光電変換膜4との間に設けることができ、下部電極2と上部電極6間にバイアス電圧を印加したときに、下部電極2から光電変換膜4に電子が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。   The electron blocking film 3 can be provided between the lower electrode 2 and the photoelectric conversion film 4. When a bias voltage is applied between the lower electrode 2 and the upper electrode 6, electrons are transferred from the lower electrode 2 to the photoelectric conversion film 4. It is possible to suppress the dark current from increasing due to the injection of.

電子ブロッキング膜3には、電子供与性有機材料を用いることができる。   An electron donating organic material can be used for the electron blocking film 3.

実際に電子ブロッキング膜3に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜4の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数(Wf)より1.3eV以上電子親和力(Ea)が大きく、かつ、隣接する光電変換膜4の材料のイオン化ポテンシャル(Ip)と同等のIpもしくはそれより小さいIpを持つものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。   The material actually used for the electron blocking film 3 may be selected according to the material of the adjacent electrode, the material of the adjacent photoelectric conversion film 4 and the like, and 1.3 eV or more from the work function (Wf) of the material of the adjacent electrode. Those having a large electron affinity (Ea) and an Ip equivalent to or smaller than the ionization potential (Ip) of the material of the adjacent photoelectric conversion film 4 are preferable. The material applicable as the electron donating organic material is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-32854, and thus the description thereof is omitted.

電子ブロッキング膜3の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部13の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、さらに好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。   The thickness of the electron blocking film 3 is preferably 10 nm or more and 200 nm or less, more preferably 30 nm or more and 150 nm or less, and particularly preferably, in order to surely exhibit the dark current suppressing effect and prevent a decrease in photoelectric conversion efficiency of the sensor unit 13. It is 50 nm or more and 100 nm or less.

正孔ブロッキング膜5は、光電変換膜4と上部電極6との間に設けることができ、下部電極2と上部電極6間にバイアス電圧を印加したときに、上部電極6から光電変換膜4に正孔が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。   The hole blocking film 5 can be provided between the photoelectric conversion film 4 and the upper electrode 6. When a bias voltage is applied between the lower electrode 2 and the upper electrode 6, the hole blocking film 5 is transferred from the upper electrode 6 to the photoelectric conversion film 4. It is possible to suppress the increase in dark current due to the injection of holes.

正孔ブロッキング膜5には、電子受容性有機材料を用いることができる。   An electron-accepting organic material can be used for the hole blocking film 5.

正孔ブロッキング膜5の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部13の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、さらに好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。   The thickness of the hole blocking film 5 is preferably 10 nm or more and 200 nm or less, more preferably 30 nm or more and 150 nm or less, and particularly preferably, in order to surely exhibit the dark current suppressing effect and prevent a decrease in photoelectric conversion efficiency of the sensor unit 13. Is from 50 nm to 100 nm.

実際に正孔ブロッキング膜5に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜4の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数(Wf)より1.3eV以上イオン化ポテンシャル(Ip)が大きく、かつ、隣接する光電変換膜4の材料の電子親和力(Ea)と同等のEaもしくはそれより大きいEaを持つものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。   The material actually used for the hole blocking film 5 may be selected according to the material of the adjacent electrode, the material of the adjacent photoelectric conversion film 4 and the like, and 1.3 eV from the work function (Wf) of the material of the adjacent electrode. As described above, it is preferable that the ionization potential (Ip) is large and that the Ea is equal to or larger than the electron affinity (Ea) of the material of the adjacent photoelectric conversion film 4. Since the material applicable as the electron-accepting organic material is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-32854, description thereof is omitted.

なお、光電変換膜4で発生した電荷のうち、正孔が上部電極6に移動し、電子が下部電極2に移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜3と正孔ブロッキング膜5の位置を逆にすればよい。また、電子ブロッキング膜3と正孔ブロッキング膜5は両方設けなくてもよく、いずれかを設けておけば、ある程度の暗電流抑制効果を 各画素の下部電極2下方の基板1の表面には信号出力部14が形成されている。図4には、信号出力部14の構成が概略的に示されている。   In addition, when a bias voltage is set so that holes move to the upper electrode 6 and electrons move to the lower electrode 2 among the charges generated in the photoelectric conversion film 4, the electron blocking film 3 and the hole blocking are set. The position of the film 5 may be reversed. Further, both the electron blocking film 3 and the hole blocking film 5 do not have to be provided. If either of them is provided, a certain amount of dark current suppressing effect is exerted on the surface of the substrate 1 below the lower electrode 2 of each pixel. An output unit 14 is formed. FIG. 4 schematically shows the configuration of the signal output unit 14.

同図に示すように、本実施の形態に係る信号出力部14は、下部電極2に対応して、下部電極2に移動した電荷を蓄積するコンデンサ9と、コンデンサ9に蓄積された電荷を電気信号に変換して出力する電界効果型薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、単に薄膜トランジスタという場合がある。)10が形成されている。コンデンサ9および薄膜トランジスタ10の形成された領域は、平面視において下部電極2と重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素における信号出力部14とセンサ部13とが厚さ方向で重なりを有することとなる。なお、放射線検出器20(画素)の平面積を最小にするために、コンデンサ9および薄膜トランジスタ10の形成された領域が下部電極2によって完全に覆われていることが望ましい。   As shown in the figure, the signal output unit 14 according to the present embodiment corresponds to the lower electrode 2, and a capacitor 9 that accumulates the charges transferred to the lower electrode 2, and the electric charges accumulated in the capacitor 9 are electrically A field effect thin film transistor (Thin Film Transistor, hereinafter simply referred to as a thin film transistor) 10 that converts the signal into a signal and outputs the signal is formed. The region in which the capacitor 9 and the thin film transistor 10 are formed has a portion that overlaps the lower electrode 2 in a plan view. With this configuration, the signal output unit 14 and the sensor unit 13 in each pixel are thick. There will be overlap in the vertical direction. In order to minimize the plane area of the radiation detector 20 (pixel), it is desirable that the region where the capacitor 9 and the thin film transistor 10 are formed is completely covered by the lower electrode 2.

コンデンサ9は、基板1と下部電極2との間に設けられた絶縁膜11を貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する下部電極2と電気的に接続されている。これにより、下部電極2で捕集された電荷をコンデンサ9に移動させることができる。   The capacitor 9 is electrically connected to the corresponding lower electrode 2 through a wiring made of a conductive material penetrating an insulating film 11 provided between the substrate 1 and the lower electrode 2. Thereby, the electric charge collected by the lower electrode 2 can be moved to the capacitor 9.

薄膜トランジスタ10は、ゲート電極15、ゲート絶縁膜16、および活性層(チャネル層)17が積層され、さらに、活性層17上にソース電極18とドレイン電極19が所定の間隔を開けて形成されている。   In the thin film transistor 10, a gate electrode 15, a gate insulating film 16, and an active layer (channel layer) 17 are stacked, and a source electrode 18 and a drain electrode 19 are formed on the active layer 17 at a predetermined interval. .

活性層17は、例えば、アモルファスシリコンや非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブなどにより形成することができる。なお、活性層17を構成する材料は、これらに限定されるものではない。   The active layer 17 can be formed of, for example, amorphous silicon, amorphous oxide, organic semiconductor material, carbon nanotube, or the like. In addition, the material which comprises the active layer 17 is not limited to these.

活性層17を構成する非晶質酸化物としては、In、GaおよびZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物(例えばIn−O系)が好ましく、In、GaおよびZnのうちの少なくとも2つを含む酸化物(例えばIn−Zn−O系、In−Ga−O系、Ga−Zn−O系)がより好ましく、In、GaおよびZnを含む酸化物が特に好ましい。In−Ga−Zn−O系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がInGaO(ZnO)(mは6未満の自然数)で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、InGaZnOがより好ましい。 The amorphous oxide constituting the active layer 17 is preferably an oxide containing at least one of In, Ga, and Zn (for example, In—O-based), and at least two of In, Ga, and Zn. An oxide containing In (eg, In—Zn—O, In—Ga—O, or Ga—Zn—O) is more preferable, and an oxide containing In, Ga, and Zn is particularly preferable. As the In—Ga—Zn—O-based amorphous oxide, an amorphous oxide whose composition in a crystalline state is represented by InGaO 3 (ZnO) m (m is a natural number less than 6) is preferable, and InGaZnO is particularly preferable. 4 is more preferable.

活性層17を構成可能な有機半導体材料としては、フタロシアニン化合物や、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。なお、フタロシアニン化合物の構成については、特開2009−212389号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。   Examples of the organic semiconductor material that can form the active layer 17 include, but are not limited to, phthalocyanine compounds, pentacene, vanadyl phthalocyanine, and the like. In addition, about the structure of a phthalocyanine compound, since it is demonstrated in detail in Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-212389, description is abbreviate | omitted.

薄膜トランジスタ10の活性層17を非晶質酸化物や有機半導体材料、カーボンナノチューブで形成したものとすれば、X線等の放射線を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、信号出力部14におけるノイズの発生を効果的に抑制することができる。   If the active layer 17 of the thin film transistor 10 is formed of an amorphous oxide, an organic semiconductor material, or a carbon nanotube, it will not absorb radiation such as X-rays, or even if it absorbs it, it will remain in a very small amount. Generation of noise in the portion 14 can be effectively suppressed.

また、活性層17をカーボンナノチューブで形成した場合、薄膜トランジスタ10のスイッチング速度を高速化することができ、また、可視光域での光の吸収度合の低い薄膜トランジスタ10を形成できる。なお、カーボンナノチューブで活性層17を形成する場合、活性層17に極微量の金属性不純物を混入するだけで、薄膜トランジスタ10の性能は著しく低下するため、遠心分離などにより極めて高純度のカーボンナノチューブを分離・抽出して形成する必要がある。   When the active layer 17 is formed of carbon nanotubes, the switching speed of the thin film transistor 10 can be increased, and the thin film transistor 10 having a low light absorption in the visible light region can be formed. In addition, when the active layer 17 is formed of carbon nanotubes, the performance of the thin film transistor 10 is remarkably deteriorated only by mixing a very small amount of metallic impurities into the active layer 17, so that extremely high purity carbon nanotubes can be obtained by centrifugation or the like. It is necessary to form by separating and extracting.

ここで、薄膜トランジスタ10の活性層17を構成する非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブや、光電変換膜4を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、基板1としては、半導体基板、石英基板、およびガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板や、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。   Here, any of the amorphous oxides, organic semiconductor materials, carbon nanotubes constituting the active layer 17 of the thin film transistor 10 and organic photoelectric conversion materials constituting the photoelectric conversion film 4 can be formed at a low temperature. . Therefore, the substrate 1 is not limited to a substrate having high heat resistance such as a semiconductor substrate, a quartz substrate, and a glass substrate, and a flexible substrate such as plastic, aramid, or bionanofiber can also be used. Specifically, flexible materials such as polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene phthalate, polyethylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, poly (chlorotrifluoroethylene), etc. A conductive substrate can be used. If such a plastic flexible substrate is used, it is possible to reduce the weight, which is advantageous for carrying around, for example.

また、基板1には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。   In addition, the substrate 1 is provided with an insulating layer for ensuring insulation, a gas barrier layer for preventing permeation of moisture and oxygen, an undercoat layer for improving flatness or adhesion to electrodes, and the like. May be.

一方、アラミドは、200度以上の高温プロセスを適用できるために透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバICの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ITO(Indium Tin Oxide)やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して基板を形成してもよい。   On the other hand, since aramid can be applied at a high temperature process of 200 ° C. or more, the transparent electrode material can be cured at a high temperature to reduce its resistance, and it can be used for automatic mounting of a driver IC including a solder reflow process. Moreover, since aramid has a thermal expansion coefficient close to that of ITO (Indium Tin Oxide) or a glass substrate, there is little warping after manufacturing and it is difficult to crack. In addition, aramid can form a substrate thinner than a glass substrate or the like. The substrate may be formed by laminating an ultrathin glass substrate and aramid.

また、バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束(バクテリアセルロース)と透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ高強度、高弾性、低熱膨張である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を60〜70%も含有しながら、波長500nmで約90%の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数(3〜7ppm)を有し、鋼鉄並の強度(460MPa)、高弾性(30GPa)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く基板1を形成できる。   The bionanofiber is a composite of a cellulose microfibril bundle (bacterial cellulose) produced by bacteria (Acetobacter Xylinum) and a transparent resin. The cellulose microfibril bundle has a width of 50 nm and a size of 1/10 of the visible light wavelength, and has high strength, high elasticity, and low thermal expansion. By impregnating and curing a transparent resin such as an acrylic resin or an epoxy resin in bacterial cellulose, a bio-nanofiber having a light transmittance of about 90% at a wavelength of 500 nm can be obtained while containing 60 to 70% of the fiber. Bionanofiber has a low coefficient of thermal expansion (3-7ppm) comparable to silicon crystals, and is as strong as steel (460MPa), highly elastic (30GPa), and flexible, compared to glass substrates, etc. The substrate 1 can be formed thinly.

本実施の形態では、基板1上に、信号出力部14、センサ部13、透明絶縁膜7を順に形成することによりTFT基板30を形成し、当該TFT基板30上に光吸収性の低い接着樹脂等を用いてシンチレータ8を貼り付けることにより放射線検出器20を形成している。   In the present embodiment, the TFT substrate 30 is formed on the substrate 1 by sequentially forming the signal output unit 14, the sensor unit 13, and the transparent insulating film 7, and the light-absorbing adhesive resin is formed on the TFT substrate 30. The radiation detector 20 is formed by pasting the scintillator 8 using, for example.

図5に示すように、TFT基板30には、上述したセンサ部13、コンデンサ9、および薄膜トランジスタ10を含んで構成される画素32が一定方向(図5の行方向)、および当該一定方向に対する交差方向(図5の列方向)に2次元状に複数設けられている。   As shown in FIG. 5, the TFT substrate 30 includes a pixel 32 including the sensor unit 13, the capacitor 9, and the thin film transistor 10 described above in a certain direction (row direction in FIG. 5) and crossing the certain direction. A plurality of two-dimensional shapes are provided in the direction (column direction in FIG. 5).

また、放射線検出器20には、上記一定方向(行方向)に延設され、各薄膜トランジスタ10をオン・オフさせるための複数本のゲート配線34と、上記交差方向(列方向)に延設され、オン状態の薄膜トランジスタ10を介して電荷を読み出すための複数本のデータ配線36と、が設けられている。   Further, the radiation detector 20 extends in the predetermined direction (row direction), and extends in the intersecting direction (column direction) with a plurality of gate wirings 34 for turning on and off each thin film transistor 10. A plurality of data wirings 36 for reading out charges through the thin film transistor 10 in the on state are provided.

放射線検出器20は、平板状で、かつ平面視において外縁に4辺を有する四辺形状、より具体的には、矩形状に形成されている。   The radiation detector 20 has a flat plate shape and a quadrilateral shape having four sides on the outer edge in a plan view, more specifically, a rectangular shape.

ここで、本実施の形態に係る放射線検出器20では、画素32の一部が放射線の照射状態を検出するために用いられており、残りの画素32によって放射線画像の撮影を行う。なお、以下では、放射線の照射状態を検出するための画素32を放射線検出用画素32Aといい、残りの画素32を放射線画像取得用画素32Bという。   Here, in the radiation detector 20 according to the present exemplary embodiment, a part of the pixels 32 is used to detect the irradiation state of the radiation, and a radiographic image is captured by the remaining pixels 32. Hereinafter, the pixels 32 for detecting the radiation irradiation state are referred to as radiation detection pixels 32A, and the remaining pixels 32 are referred to as radiation image acquisition pixels 32B.

本実施の形態に係る放射線検出器20では、画素32における放射線検出用画素32Aを除いた放射線画像取得用画素32Bにより放射線画像の撮影を行うため、放射線検出用画素32Aの配置位置における放射線画像の画素情報を得ることができない。このため、本実施の形態では、放射線検出用画素32Aを分散するように配置し、放射線検出用画素32Aの配置位置における放射線画像の画素情報を、当該放射線検出用画素32Aの周囲に位置する放射線画像取得用画素32Bにより得られた画素情報を用いて補間することにより生成する。   In the radiation detector 20 according to the present embodiment, the radiation image is captured by the radiation image acquisition pixel 32B excluding the radiation detection pixel 32A in the pixel 32. Therefore, the radiation image at the position where the radiation detection pixel 32A is disposed. Pixel information cannot be obtained. Therefore, in the present embodiment, the radiation detection pixels 32A are arranged so as to be dispersed, and the pixel information of the radiation image at the arrangement position of the radiation detection pixels 32A is used as the radiation positioned around the radiation detection pixels 32A. It generates by interpolating using the pixel information obtained by the image acquisition pixel 32B.

本実施の形態に係る放射線検出器20には、図5に示すように、放射線検出用画素32Aにおけるコンデンサ9と薄膜トランジスタ10との接続部が接続された、当該コンデンサ9に蓄積された電荷を直接読み出すための直接読出配線38が上記一定方向(行方向)に延設されている。なお、本実施の形態に係る放射線検出器20では、上記一定方向に並ぶ複数の放射線検出用画素32Aに対して1本の直接読出配線38が割り当てられており、当該複数の放射線検出用画素32Aにおけるコンデンサ9と薄膜トランジスタ10との接続部が共通(単一)の直接読出配線38に接続されている。   As shown in FIG. 5, the radiation detector 20 according to the present embodiment directly receives the charge accumulated in the capacitor 9 connected to the connection portion between the capacitor 9 and the thin film transistor 10 in the radiation detection pixel 32A. A direct read wiring 38 for reading is extended in the predetermined direction (row direction). In the radiation detector 20 according to the present embodiment, one direct readout wiring 38 is assigned to the plurality of radiation detection pixels 32A arranged in the predetermined direction, and the plurality of radiation detection pixels 32A. The connection portion between the capacitor 9 and the thin film transistor 10 is connected to a common (single) direct readout wiring 38.

次に、本実施の形態に係る電子カセッテ40の構成について説明する。図6には、本実施の形態に係る電子カセッテ40の構成を示す斜視図が示されている。   Next, the configuration of the electronic cassette 40 according to the present embodiment will be described. FIG. 6 is a perspective view showing the configuration of the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment.

同図に示すように、本実施の形態に係る電子カセッテ40は、放射線を透過させる材料からなる筐体41を備えており、防水性、密閉性を有する構造とされている。電子カセッテ40は、手術室等で使用されるとき、血液やその他の雑菌が付着するおそれがある。そこで、電子カセッテ40を防水性、密閉性を有する構造として、必要に応じて殺菌洗浄することにより、1つの電子カセッテ40を繰り返し続けて使用することができる。   As shown in the figure, an electronic cassette 40 according to the present embodiment includes a housing 41 made of a material that transmits radiation, and has a waterproof and airtight structure. When the electronic cassette 40 is used in an operating room or the like, there is a risk that blood or other germs may adhere. Therefore, one electronic cassette 40 can be used repeatedly by sterilizing and cleaning the electronic cassette 40 as necessary with a waterproof and hermetic structure.

筐体41の内部には、種々の部品を収容する空間Aが形成されており、当該空間A内には、放射線Xが照射される筐体41の照射面側から、被写体を透過した放射線Xを検出する放射線検出器20、および放射線Xのバック散乱線を吸収する鉛板43が順に配設されている。   A space A for accommodating various components is formed inside the housing 41, and the radiation X transmitted through the subject from the irradiation surface side of the housing 41 to which the radiation X is irradiated is formed in the space A. The radiation detector 20 for detecting the radiation X and the lead plate 43 for absorbing the back scattered radiation of the radiation X are arranged in this order.

ここで、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、筐体41の平板状の一方の面の放射線検出器20の配設位置に対応する領域が放射線を検出可能な四辺形状の撮影領域41Aとされている。この筐体41の撮影領域41Aを有する面が電子カセッテ40における天板41Bとされており、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、放射線検出器20が、TFT基板30が天板41B側となるように配置され、当該天板41Bの筐体41における内側の面(天板41Bの放射線が入射される面の反対側の面)に貼り付けられている。   Here, in the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment, the area corresponding to the arrangement position of the radiation detector 20 on one flat surface of the housing 41 is a quadrilateral imaging area 41A capable of detecting radiation. Has been. The surface having the imaging region 41A of the casing 41 is a top plate 41B in the electronic cassette 40. In the electronic cassette 40 according to the present embodiment, the radiation detector 20 is connected to the TFT substrate 30 on the top plate 41B side. The top plate 41B is affixed to the inner surface of the casing 41 (the surface on the opposite side of the surface on which the radiation of the top plate 41B is incident).

一方、図6に示すように、筐体41の内部の一端側には、放射線検出器20と重ならない位置(撮影領域41Aの範囲外)に、後述するカセッテ制御部58や電源部70(共に図8参照。)を収容するケース42が配置されている。   On the other hand, as shown in FIG. 6, a cassette control unit 58 and a power supply unit 70 (both described later) are placed on one end side inside the housing 41 so as not to overlap with the radiation detector 20 (outside the imaging region 41A). The case 42 which accommodates (refer FIG. 8) is arrange | positioned.

筐体41は、電子カセッテ40全体の軽量化を図るために、例えば、カーボンファイバ(炭素繊維)、アルミニウム、マグネシウム、バイオナノファイバ(セルロースミクロフィブリル)、または複合材料等で構成されている。   The casing 41 is made of, for example, carbon fiber (carbon fiber), aluminum, magnesium, bionanofiber (cellulose microfibril), or a composite material in order to reduce the weight of the entire electronic cassette 40.

複合材料としては、例えば、強化繊維樹脂を含む材料が用いられ、強化繊維樹脂には、カーボンやセルロース等が含まれる。具体的には、複合材料としては、炭素繊維強化プラスチック(CFRP)や、発泡材をCFRPでサンドイッチした構造のもの、または発泡材の表面にCFRPをコーティングしたもの等が用いられる。なお、本実施の形態では、発泡材をCFRPでサンドイッチした構造のものが用いられている。これにより、筐体41をカーボン単体で構成した場合と比較して、筐体41の強度(剛性)を高めることができる。   As the composite material, for example, a material including a reinforced fiber resin is used, and the reinforced fiber resin includes carbon, cellulose, and the like. Specifically, as the composite material, carbon fiber reinforced plastic (CFRP), a structure in which a foamed material is sandwiched with CFRP, or a material in which the surface of the foamed material is coated with CFRP is used. In the present embodiment, a structure in which a foam material is sandwiched with CFRP is used. Thereby, compared with the case where the housing | casing 41 is comprised with a carbon single-piece | unit, the intensity | strength (rigidity) of the housing | casing 41 can be improved.

一方、図7に示すように、筐体41の内部には、天板41Bと対向する背面部41Cの内面に支持体44が配置されており、支持体44および天板41Bの間に、放射線検出器20および鉛板43が放射線Xの照射方向にこの順で並んで配置されている。支持体44は、軽量化の観点、寸法偏差を吸収する観点から、例えば、発泡材で構成されており、鉛板43を支持する。   On the other hand, as shown in FIG. 7, a support body 44 is disposed on the inner surface of the back surface portion 41 </ b> C facing the top plate 41 </ b> B inside the housing 41, and radiation is provided between the support body 44 and the top plate 41 </ b> B. The detector 20 and the lead plate 43 are arranged in this order in the radiation X irradiation direction. The support body 44 is made of, for example, a foam material from the viewpoint of weight reduction and absorption of dimensional deviation, and supports the lead plate 43.

同図に示すように、天板41Bの内面には、放射線検出器20のTFT基板30を剥離可能に接着する接着部材80が設けられている。接着部材80としては、例えば、両面テープが用いられる。この場合、両面テープは、一方の接着面の接着力が他方の接着面の接着力よりも強くなるように形成されている。   As shown in the figure, an adhesive member 80 is provided on the inner surface of the top plate 41B to adhere the TFT substrate 30 of the radiation detector 20 in a peelable manner. As the adhesive member 80, for example, a double-sided tape is used. In this case, the double-sided tape is formed so that the adhesive force of one adhesive surface is stronger than the adhesive force of the other adhesive surface.

具体的には、接着力の弱い面(弱接着面)は、180°ピール接着力で1.0N/cm以下に設定されている。そして、接着力の強い面(強接着面)が天板41Bに接し、弱接着面がTFT基板30に接する。これにより、ねじ等の固定部材等によって放射線検出器20を天板41Bに固定する場合と比べて電子カセッテ40の厚みを薄くすることができる。また、衝撃や荷重で天板41Bが変形しても、放射線検出器20は剛性の高い天板41Bの変形に追従するため、大きな曲率(緩やかな曲がり)しか発生せず、局所的な低曲率で放射線検出器20が破損する可能性が低くなる。さらに、放射線検出器20が天板41Bの剛性の向上に寄与する。   Specifically, the weak adhesive surface (weakly adhesive surface) is set to 1.0 N / cm or less at 180 ° peel adhesive force. Then, the surface having a strong adhesive force (strong adhesion surface) is in contact with the top plate 41B, and the weak adhesion surface is in contact with the TFT substrate 30. Thereby, compared with the case where the radiation detector 20 is fixed to the top plate 41B with fixing members, such as a screw, the thickness of the electronic cassette 40 can be made thin. Even if the top plate 41B is deformed by an impact or load, the radiation detector 20 follows the deformation of the top plate 41B having high rigidity, so that only a large curvature (slow bend) is generated, and a local low curvature is generated. Therefore, the possibility that the radiation detector 20 is damaged is reduced. Furthermore, the radiation detector 20 contributes to the improvement of the rigidity of the top plate 41B.

このように、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、放射線検出器20を筐体41の天板41Bの内部に貼り付けているため、筐体41が、天板41B側と背面部41C側とで2つに分離可能とされており、放射線検出器20を天板41Bに貼り付けたり、放射線検出器20を天板41Bから剥離したりする際には、筐体41を天板41B側と背面部41C側とで2つに分離した状態とされる。   As described above, in the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment, the radiation detector 20 is attached to the inside of the top plate 41B of the housing 41, so that the housing 41 is on the top plate 41B side and the back surface portion 41C side. When the radiation detector 20 is attached to the top plate 41B or the radiation detector 20 is peeled off from the top plate 41B, the housing 41 is placed on the top plate 41B side. And the back surface portion 41C side are separated into two.

なお、本実施の形態では、放射線検出器20の天板41Bへの接着をクリーンルーム等で行わなくてもよい。なぜなら、放射線検出器20および天板41Bの間に放射線を吸収する金属片等の異物が混入した場合に、放射線検出器20を天板41Bから剥離して当該異物を除去できるからである。   In the present embodiment, the radiation detector 20 may not be bonded to the top plate 41B in a clean room or the like. This is because when a foreign object such as a metal piece that absorbs radiation is mixed between the radiation detector 20 and the top plate 41B, the foreign object can be removed by peeling the radiation detector 20 from the top plate 41B.

次に、図8を参照して、本実施の形態に係る撮影システム104の電気系の要部構成について説明する。   Next, with reference to FIG. 8, the configuration of the main part of the electrical system of imaging system 104 according to the present embodiment will be described.

同図に示すように、電子カセッテ40に内蔵された放射線検出器20は、隣り合う2辺の一辺側にゲート線ドライバ52が配置され、他辺側に第1信号処理部54が配置されている。TFT基板30の個々のゲート配線34はゲート線ドライバ52に接続され、TFT基板30の個々のデータ配線36は第1信号処理部54に接続されている。   As shown in the figure, the radiation detector 20 incorporated in the electronic cassette 40 has a gate line driver 52 arranged on one side of two adjacent sides and a first signal processing unit 54 arranged on the other side. Yes. Each gate wiring 34 of the TFT substrate 30 is connected to the gate line driver 52, and each data wiring 36 of the TFT substrate 30 is connected to the first signal processing unit 54.

また、筐体41の内部には、画像メモリ56と、カセッテ制御部58と、無線通信部60と、を備えている。   The housing 41 includes an image memory 56, a cassette control unit 58, and a wireless communication unit 60.

TFT基板30の各薄膜トランジスタ10は、ゲート線ドライバ52からゲート配線34を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、オン状態とされた薄膜トランジスタ10によって読み出された電荷は、電気信号としてデータ配線36を伝送されて第1信号処理部54に入力される。これにより、電荷は行単位で順に読み出され、二次元状の放射線画像が取得可能となる。   Each thin film transistor 10 of the TFT substrate 30 is sequentially turned on in a row unit by a signal supplied from the gate line driver 52 via the gate wiring 34, and the electric charge read by the thin film transistor 10 in the on state is converted into an electric signal. The data wiring 36 is transmitted and input to the first signal processing unit 54. As a result, the charges are sequentially read out in units of rows, and a two-dimensional radiation image can be acquired.

図示は省略するが、第1信号処理部54は、個々のデータ配線36毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路およびサンプルホールド回路を備えており、個々のデータ配線36を伝送された電気信号は増幅回路で増幅された後にサンプルホールド回路に保持される。また、サンプルホールド回路の出力側にはマルチプレクサ、A/D(アナログ/デジタル)変換器が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電気信号はマルチプレクサに順に(シリアルに)入力され、A/D変換器によってデジタルの画像データへ変換される。   Although not shown, the first signal processing unit 54 includes an amplification circuit and a sample hold circuit for amplifying an input electric signal for each data wiring 36, and the individual data wiring 36 is transmitted. The electric signal is amplified by the amplifier circuit and then held in the sample hold circuit. Further, a multiplexer and an A / D (analog / digital) converter are connected in order to the output side of the sample and hold circuit, and the electric signals held in the individual sample and hold circuits are sequentially (serially) input to the multiplexer. The digital image data is converted by an A / D converter.

第1信号処理部54には画像メモリ56が接続されており、第1信号処理部54のA/D変換器から出力された画像データは画像メモリ56に順に記憶される。画像メモリ56は所定枚分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ56に順次記憶される。   An image memory 56 is connected to the first signal processing unit 54, and image data output from the A / D converter of the first signal processing unit 54 is sequentially stored in the image memory 56. The image memory 56 has a storage capacity capable of storing a predetermined number of image data, and image data obtained by imaging is sequentially stored in the image memory 56 each time a radiographic image is captured.

画像メモリ56はカセッテ制御部58と接続されている。カセッテ制御部58はマイクロコンピュータを含んで構成され、CPU(中央処理装置)58A、ROM(Read Only Memory)およびRAM(Random Access Memory)を含むメモリ58B、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部58Cを備えており、電子カセッテ40全体の動作を制御する。   The image memory 56 is connected to the cassette control unit 58. The cassette control unit 58 includes a microcomputer, and includes a CPU (Central Processing Unit) 58A, a memory 58B including a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory), a nonvolatile storage unit 58C including a flash memory and the like. And controls the entire operation of the electronic cassette 40.

さらに、カセッテ制御部58には無線通信部60が接続されている。無線通信部60は、IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers)802.11a/b/g等に代表される無線LAN(Local Area Network)規格に対応しており、無線通信による外部機器との間での各種情報の伝送を制御する。カセッテ制御部58は、無線通信部60を介して、放射線画像の撮影に関する制御を行うコンソール110などの外部装置と無線通信が可能とされており、コンソール110等との間で各種情報の送受信が可能とされている。   Further, a wireless communication unit 60 is connected to the cassette control unit 58. The wireless communication unit 60 corresponds to a wireless local area network (LAN) standard represented by IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) 802.11a / b / g, etc. Control transmission of various information. The cassette control unit 58 can wirelessly communicate with an external device such as the console 110 that performs control related to radiographic image capturing via the wireless communication unit 60, and can transmit and receive various types of information to and from the console 110 and the like. It is possible.

また、電子カセッテ40には、TFT基板30を隔ててゲート線ドライバ52の反対側に第2信号処理部55が配置されており、TFT基板30の個々の直接読出配線38は第2信号処理部55に接続されている。   In the electronic cassette 40, a second signal processing unit 55 is disposed on the opposite side of the gate line driver 52 across the TFT substrate 30, and each direct readout wiring 38 of the TFT substrate 30 is connected to the second signal processing unit. 55.

第2信号処理部55は、直接読出配線38毎に設けられた増幅器及びA/D変換器を備えており、カセッテ制御部58と接続されている。第2信号処理部55は、カセッテ制御部58からの制御により、所定の周期で各直接読出配線38のサンプリングを行って各直接読出配線38を伝送される電気信号をデジタルデータに変換し、変換したデジタルデータを順次、カセッテ制御部58へ出力する。   The second signal processing unit 55 includes an amplifier and an A / D converter provided for each direct readout wiring 38 and is connected to the cassette control unit 58. Under the control of the cassette control unit 58, the second signal processing unit 55 samples each direct readout wiring 38 at a predetermined cycle to convert an electrical signal transmitted through each direct readout wiring 38 into digital data, The digital data is output to the cassette control unit 58 sequentially.

また、電子カセッテ40には、振動を検出する振動検出部61が設けられている。振動検出部61はカセッテ制御部58に接続されており、カセッテ制御部58は振動検出部61による検出状態に基づいて、振動状態を把握することができる。   The electronic cassette 40 is provided with a vibration detection unit 61 that detects vibration. The vibration detection unit 61 is connected to the cassette control unit 58, and the cassette control unit 58 can grasp the vibration state based on the detection state by the vibration detection unit 61.

また、電子カセッテ40には電源部70が設けられており、上述した各種回路や各素子(ゲート線ドライバ52、第1信号処理部54、第2信号処理部55、画像メモリ56、無線通信部60、振動検出部61、カセッテ制御部58として機能するマイクロコンピュータ等)は、電源部70から供給された電力によって作動する。電源部70は、電子カセッテ40の可搬性を損なわないように、バッテリ(充電可能な二次電池)を内蔵しており、充電されたバッテリから各種回路・素子へ電力を供給する。なお、図8では、電源部70と各種回路や各素子を接続する配線を省略している。   Further, the electronic cassette 40 is provided with a power supply unit 70, and the various circuits and elements (gate line driver 52, first signal processing unit 54, second signal processing unit 55, image memory 56, wireless communication unit) described above. 60, a vibration detection unit 61, a microcomputer functioning as a cassette control unit 58, and the like) are operated by electric power supplied from the power supply unit 70. The power supply unit 70 incorporates a battery (a rechargeable secondary battery) so as not to impair the portability of the electronic cassette 40, and supplies power from the charged battery to various circuits and elements. In FIG. 8, wiring for connecting the power supply unit 70 to various circuits and elements is omitted.

一方、コンソール110は、サーバ・コンピュータとして構成されており、操作メニューや撮影された放射線画像等を表示するディスプレイ111と、複数のキーを含んで構成され、各種の情報や操作指示が入力される操作パネル112と、を備えている。   On the other hand, the console 110 is configured as a server computer, and includes a display 111 that displays an operation menu, a captured radiographic image, and the like, and a plurality of keys, and inputs various information and operation instructions. An operation panel 112.

また、本実施の形態に係るコンソール110は、装置全体の動作を司るCPU113と、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたROM114と、各種データを一時的に記憶するRAM115と、各種データを記憶して保持するHDD(ハードディスク・ドライブ)116と、ディスプレイ111への各種情報の表示を制御するディスプレイドライバ117と、操作パネル112に対する操作状態を検出する操作入力検出部118と、を備えている。また、コンソール110は、無線通信により、放射線発生装置120との間で後述する曝射条件等の各種情報の送受信を行うと共に、電子カセッテ40との間で画像データ等の各種情報の送受信を行う無線通信部119を備えている。   The console 110 according to the present embodiment includes a CPU 113 that controls the operation of the entire apparatus, a ROM 114 that stores various programs including a control program in advance, a RAM 115 that temporarily stores various data, and various data. An HDD (Hard Disk Drive) 116 that stores and holds, a display driver 117 that controls display of various types of information on the display 111, and an operation input detection unit 118 that detects an operation state of the operation panel 112 are provided. . In addition, the console 110 transmits and receives various types of information such as an exposure condition, which will be described later, to and from the radiation generation apparatus 120 through wireless communication, and transmits and receives various types of information such as image data to and from the electronic cassette 40. A wireless communication unit 119 is provided.

CPU113、ROM114、RAM115、HDD116、ディスプレイドライバ117、操作入力検出部118、および無線通信部119は、システムバスBUSを介して相互に接続されている。従って、CPU113は、ROM114、RAM115、HDD116へのアクセスを行うことができると共に、ディスプレイドライバ117を介したディスプレイ111への各種情報の表示の制御、および無線通信部119を介した放射線発生装置120および電子カセッテ40との各種情報の送受信の制御を各々行うことができる。また、CPU113は、操作入力検出部118を介して操作パネル112に対するユーザの操作状態を把握することができる。   The CPU 113, ROM 114, RAM 115, HDD 116, display driver 117, operation input detection unit 118, and wireless communication unit 119 are connected to each other via the system bus BUS. Therefore, the CPU 113 can access the ROM 114, RAM 115, and HDD 116, controls display of various information on the display 111 via the display driver 117, and the radiation generator 120 via the wireless communication unit 119 and Control of transmission and reception of various types of information with the electronic cassette 40 can be performed. Further, the CPU 113 can grasp the operation state of the user with respect to the operation panel 112 via the operation input detection unit 118.

一方、放射線発生装置120は、放射線源121と、コンソール110との間で曝射条件等の各種情報を送受信する無線通信部123と、受信した曝射条件に基づいて放射線源121を制御する線源制御部122と、を備えている。   On the other hand, the radiation generator 120 includes a radio communication unit 123 that transmits and receives various types of information such as an exposure condition between the radiation source 121 and the console 110, and a line that controls the radiation source 121 based on the received exposure condition. A source control unit 122.

線源制御部122もマイクロコンピュータを含んで構成されており、受信した曝射条件等を記憶する。このコンソール110から受信する曝射条件には管電圧、管電流等の情報が含まれている。線源制御部122は、受信した曝射条件に基づいて放射線源121から放射線Xを照射させる。   The radiation source control unit 122 is also configured to include a microcomputer, and stores the received exposure conditions and the like. The exposure conditions received from the console 110 include information such as tube voltage and tube current. The radiation source control unit 122 causes the radiation source 121 to emit radiation X based on the received exposure conditions.

次に、本実施の形態に係る撮影システム104の作用を説明する。   Next, the operation of the imaging system 104 according to the present embodiment will be described.

撮影者は、放射線画像の撮影を行う場合、コンソール110に対して操作パネル112を介して撮影対象部位、撮影時の姿勢、電子カセッテ40を立位台160の保持部162や臥位台164の保持部166に保持させた状態での撮影か又は電子カセッテ40を保持部に保持させない状態での撮影かを示す保持状態情報などの撮影条件を入力し、さらに管電圧、管電流及び照射期間などの曝射条件を入力する。コンソール110は、撮影条件及び曝射条件が入力されると、入力された撮影条件及び曝射条件を無線通信部119を介して電子カセッテ40へ送信し、曝射条件を無線通信部119を介して放射線発生装置120へ送信する。   When the radiographer performs radiographic image capture, the radiographing target region, the posture at the time of radiographing, and the electronic cassette 40 are placed on the console 110 via the operation panel 112. Shooting conditions such as holding state information indicating whether shooting is performed in a state in which the holding unit 166 is held or shooting is performed in a state where the electronic cassette 40 is not held in the holding unit, and tube voltage, tube current, and irradiation period are input. Enter the exposure conditions. When the imaging condition and the exposure condition are input, the console 110 transmits the input imaging condition and the exposure condition to the electronic cassette 40 via the wireless communication unit 119, and the exposure condition is transmitted via the wireless communication unit 119. To the radiation generator 120.

放射線発生装置120の線源制御部122は、コンソール110から曝射条件を受信すると、受信した曝射条件を記憶し、当該曝射条件での曝射準備を行う。   When receiving the exposure condition from the console 110, the radiation source control unit 122 of the radiation generator 120 stores the received exposure condition and prepares for exposure under the exposure condition.

電子カセッテ40のカセッテ制御部58は、コンソール110から撮影条件及び曝射条件を受信すると、受信した撮影条件及び曝射条件を記憶部58Cに記憶する。   When the cassette control unit 58 of the electronic cassette 40 receives the imaging conditions and the exposure conditions from the console 110, the cassette control unit 58 stores the received imaging conditions and the exposure conditions in the storage unit 58C.

撮影者は、撮影時の姿勢が立位または臥位である場合に、対応する立位台160の保持部162または臥位台164の保持部166に電子カセッテ40を保持させると共に放射線源121を対応する位置に位置決めした後、被検者を所定の撮影位置に位置させる。これに対し、撮影者は、撮影対象部位が腕部、脚部等の電子カセッテ40を保持部に保持させない状態で放射線画像の撮影を行う場合に、当該撮影対象部位を撮影可能な状態に被検者、電子カセッテ40、および放射線源121を位置決めする。   The photographer holds the electronic cassette 40 on the holding unit 162 of the standing table 160 or the holding unit 166 of the standing table 164 and holds the radiation source 121 when the posture at the time of imaging is standing or lying. After positioning at the corresponding position, the subject is positioned at a predetermined imaging position. On the other hand, when taking a radiographic image in a state where the imaging target part does not hold the electronic cassette 40 such as an arm part or a leg part in the holding part, the photographer covers the imaging target part in a state where the imaging target part can be photographed. The examiner, the electronic cassette 40, and the radiation source 121 are positioned.

そして、撮影者は、撮影準備完了すると、コンソール110の操作パネル112に対して撮影を指示する撮影指示操作を行う。   Then, when the photographing preparation is completed, the photographer performs a photographing instruction operation for instructing photographing on the operation panel 112 of the console 110.

コンソール110では、操作パネル112に対して撮影指示操作が行われると、曝射開始を指示する指示情報を放射線発生装置120および電子カセッテ40へ無線通信部119を介して送信する。   In the console 110, when an imaging instruction operation is performed on the operation panel 112, instruction information for instructing the start of exposure is transmitted to the radiation generator 120 and the electronic cassette 40 via the wireless communication unit 119.

これに応じて、放射線源121は、放射線発生装置120がコンソール110から受信した曝射条件に応じた管電圧および管電流で放射線Xを照射期間だけ射出する。放射線源121から射出された放射線Xは、被検者を透過した後に電子カセッテ40に到達する。これにより、放射線検出器20の各画素32には、電荷が発生する。   In response to this, the radiation source 121 emits the radiation X for the irradiation period at a tube voltage and a tube current corresponding to the exposure conditions received by the radiation generator 120 from the console 110. The radiation X emitted from the radiation source 121 reaches the electronic cassette 40 after passing through the subject. Thereby, an electric charge is generated in each pixel 32 of the radiation detector 20.

本実施の形態に係る電子カセッテ40では、第2信号処理部55により放射線検出用画素32Aから各直接読出配線38に流れ出した電気信号のサンプリングを行ってデジタルデータに変換し、変換したデジタルデータに基づいて放射線の照射開始の検出を行っており、放射線の照射開始したタイミングで放射線画像の撮影動作を開始する。すなわち、電子カセッテ40は、放射線の照射を検出して撮影動作を開始する。これにより、本実施の形態に係る撮影システム104では、コンソール110や放射線発生装置120と電子カセッテ40との間で放射線の照射開始に関する情報の送受信を行って放射線発生装置120からの放射線の照射動作と電子カセッテ40での撮像動作とを同期させることなく、放射線画像を撮影できる。   In the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment, the second signal processing unit 55 performs sampling of the electrical signal that has flowed out from the radiation detection pixel 32A to each readout wiring 38 and converts it into digital data. Based on this, the start of radiation irradiation is detected, and the radiographic image capturing operation is started at the timing when radiation irradiation starts. That is, the electronic cassette 40 detects the irradiation of radiation and starts an imaging operation. Thereby, in the imaging system 104 according to the present embodiment, the operation of irradiating the radiation from the radiation generator 120 by transmitting / receiving information regarding the start of radiation irradiation between the console 110 or the radiation generator 120 and the electronic cassette 40. A radiographic image can be taken without synchronizing the imaging operation with the electronic cassette 40.

ところで、電子カセッテ40は、放射線の照射開始を検知するため、第2信号処理部55により各直接読出配線38に流れ出した電気信号のサンプリングを随時行うものとした場合、電力消費が大きくなる。   By the way, since the electronic cassette 40 detects the start of radiation irradiation, the power consumption increases when the second signal processing unit 55 performs sampling of the electrical signal that has flowed out to each direct readout wiring 38 as needed.

そこで、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、振動検出部61による検出状態に基づいて振動状態を把握しており、振動が収まった場合、電子カセッテ40のポジショニングが完了し、撮影準備が完了したものと判断して第2信号処理部55による各直接読出配線38のサンプリングを開始させる。   Therefore, in the electronic cassette 40 according to the present embodiment, the vibration state is grasped based on the detection state by the vibration detection unit 61, and when the vibration is stopped, the positioning of the electronic cassette 40 is completed and the preparation for photographing is completed. As a result, the second signal processing unit 55 starts sampling of each direct readout wiring 38.

ここで、振動検出部61は、振動を検出できれば、加速度センサ、ジャイロセンサ、ひずみゲージ、重力センサ、地磁気センサなど何れとしてもよい。   Here, the vibration detection unit 61 may be any one of an acceleration sensor, a gyro sensor, a strain gauge, a gravity sensor, a geomagnetic sensor, and the like as long as vibration can be detected.

加速度センサ、ジャイロセンサは、加速度が検出されなくなった場合、又は加速度が一定値以内におさまった場合に、振動がおさまり、ポジショニングや撮影準備が完了と判断できる。ひずみゲージは、ひずみが無くなる、又はひずみが安定したら、振動がおさまり、ポジショニングや撮影準備が完了と判断できる。重力センサ、地磁気センサは、重力、地磁気の向きを検出し、重力、地磁気の向きが安定になったら、振動がおさまり、ポジショニングや撮影準備が完了と判断できる。   The acceleration sensor and the gyro sensor can determine that the positioning is completed and the imaging preparation is completed when the acceleration is not detected or the acceleration is within a certain value. When the strain gauge is free from strain or stable, the vibration is reduced, and it can be determined that the positioning and preparation for imaging are complete. The gravity sensor and the geomagnetic sensor detect the direction of gravity and geomagnetism, and when the direction of gravity and geomagnetism becomes stable, it can be determined that the vibration is stopped and the preparation for positioning and photographing is completed.

図9には、コンソール110から撮影条件及び曝射条件を受信した際に、カセッテ制御部58のCPU58Aにより実行される撮影制御処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートが示されている。なお、当該プログラムはメモリ58B(ROM)の所定の領域に予め記憶されている。   FIG. 9 is a flowchart showing a flow of processing of the imaging control processing program executed by the CPU 58A of the cassette control unit 58 when receiving imaging conditions and exposure conditions from the console 110. The program is stored in advance in a predetermined area of the memory 58B (ROM).

同図のステップS10では、ゲート線ドライバ52を制御してゲート線ドライバ52から各ゲート配線34に薄膜トランジスタ10をオン状態とさせる制御信号を順に出力させることを繰り返すリセット動作を開始させる。   In step S10 in the same figure, a reset operation is repeated in which the gate line driver 52 is controlled to sequentially output a control signal for turning on the thin film transistor 10 from the gate line driver 52 to each gate wiring 34.

これにより、放射線検出器20では、1ラインずつ順に各画素32のコンデンサ9に蓄積された電荷が電気信号として各データ配線36に流れ出し、暗電流等によって各画素32のコンデンサ9に蓄積された電荷が除去されることが繰り返される。   As a result, in the radiation detector 20, the charges accumulated in the capacitors 9 of the respective pixels 32 in order line by line flow out to the respective data wirings 36 as electric signals, and the charges accumulated in the capacitors 9 of the respective pixels 32 due to dark current or the like. Is repeatedly removed.

次のステップS12では、振動検出部61による検出状態に基づいて把握される振動が、ポジショニングが終了したとみなすことができる所定状態に収まったか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップS14へ移行し、否定判定となった場合は再度ステップS12へ移行する。   In the next step S12, it is determined whether or not the vibration grasped based on the detection state by the vibration detection unit 61 has fallen into a predetermined state that can be regarded as the completion of positioning. When the process proceeds to S14 and a negative determination is made, the process proceeds to Step S12 again.

ここで、電子カセッテ40を立位台160の保持部162や臥位台164の保持部166に保持させた状態で撮影を行う場合と電子カセッテ40を保持部に保持させない状態で撮影を行う場合とでは、被検者や電子カセッテ40のポジショニングによって振動検出部61により検出される振動量が異なり、保持部に保持された状態の方が保持部に保持させない状態よりもポジショニングによって振動検出部61により検出される振動が小さい。   Here, when shooting is performed with the electronic cassette 40 held by the holding unit 162 of the standing table 160 or the holding unit 166 of the standing table 164 and when shooting is performed without holding the electronic cassette 40 by the holding unit. The vibration amount detected by the vibration detection unit 61 differs depending on the positioning of the subject and the electronic cassette 40, and the vibration detection unit 61 is positioned by the holding unit rather than the holding unit by the positioning unit. The vibration detected by is small.

このため、撮影条件に含まれる保持状態情報に基づき、電子カセッテ40を保持部に保持させた状態での撮影と電子カセッテ40を保持部に保持させない状態での撮影かを判定し、ポジショニングが終了したとみなすことができる状態の条件を変えてもよい。   Therefore, based on the holding state information included in the shooting conditions, it is determined whether the shooting is performed with the electronic cassette 40 held in the holding unit and the shooting is performed without holding the electronic cassette 40 in the holding unit, and the positioning is completed. You may change the condition of the state which can be regarded as having done.

例えば、所定時間(例えば、5秒)の間で振動検出部61により検出される振動値の変動量が所定の閾値以下となった場合にポジショニングが終了したとみなすものとした場合、電子カセッテ40を保持部に保持させた状態での撮影よりも電子カセッテ40を保持部に保持させない状態での撮影で、閾値の値を小さく変更するようにしてもよい。   For example, when it is assumed that the positioning is completed when the fluctuation amount of the vibration value detected by the vibration detection unit 61 within a predetermined time (for example, 5 seconds) is equal to or less than a predetermined threshold, the electronic cassette 40 The threshold value may be changed to be smaller in shooting in a state where the electronic cassette 40 is not held in the holding unit than in shooting in a state where the holding unit is held in the holding unit.

次のステップ14では、第2信号処理部55による各直接読出配線38のサンプリングを開始させる。   In the next step 14, sampling of each direct readout wiring 38 by the second signal processing unit 55 is started.

これにより、第2信号処理部55は、所定の周期で各直接読出配線38のサンプリングを行って各直接読出配線38を伝送される電気信号をデジタルデータに変換し、変換したデジタルデータを順次、カセッテ制御部58へ出力する。   Thus, the second signal processing unit 55 performs sampling of each direct readout wiring 38 at a predetermined cycle to convert an electrical signal transmitted through each direct readout wiring 38 into digital data, and sequentially converts the converted digital data, Output to the cassette control unit 58.

次のステップS16では、第2信号処理部55から入力する各直接読出配線38のデジタルデータの値をそれぞれ予め定めた放射線照射検知用のしきい値と比較し、何れかのデジタルデータの値が放射線照射検知用のしきい値以上となったか否かにより放射線の照射開始の検出を行っており、何れかのデジタルデータの値が放射線照射検知用のしきい値以上となった場合は放射線の照射が開始されたものとしてステップS18へ移行し、何れのデジタルデータの値も放射線照射検知用のしきい値未満の場合はステップS16へ再度移行して、放射線の照射開始待ちを行う。   In the next step S16, the digital data value of each direct readout wiring 38 input from the second signal processing unit 55 is compared with a predetermined threshold value for detecting radiation irradiation, and the value of any digital data is determined. The start of radiation irradiation is detected based on whether or not the radiation exposure detection threshold is exceeded, and if any digital data value is greater than or equal to the radiation exposure detection threshold, the radiation exposure is detected. Assuming that irradiation has started, the process proceeds to step S18. If any of the digital data values is less than the threshold value for detecting radiation irradiation, the process proceeds to step S16 again to wait for radiation irradiation start.

次のステップS18では、ゲート線ドライバ52を制御してゲート線ドライバ52から各ゲート配線34に各画素32の薄膜トランジスタ10をオフ状態とさせる制御信号を出力させる。これにより、各画素32では、照射された放射線量に応じた電荷が蓄積される。   In the next step S18, the gate line driver 52 is controlled to output a control signal from the gate line driver 52 to each gate wiring 34 to turn off the thin film transistor 10 of each pixel 32. Thereby, in each pixel 32, electric charge according to the amount of irradiated radiation is accumulated.

次のステップS20では、上記ステップS16において放射線の照射開始を検出した時点から曝射条件により示される照射期間を経過したか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップS22へ移行し、否定判定となった場合は再度ステップS20へ移行する。   In the next step S20, it is determined whether or not the irradiation period indicated by the exposure condition has elapsed since the start of radiation irradiation in step S16, and if the determination is affirmative, the process proceeds to step S22. When it becomes negative determination, it transfers to step S20 again.

ステップS22では、ゲート線ドライバ52を制御してゲート線ドライバ52から1ラインずつ順に各ゲート配線34にオン信号を出力させる。   In step S <b> 22, the gate line driver 52 is controlled to output an ON signal to each gate line 34 sequentially from the gate line driver 52 line by line.

放射線検出器20は、各ゲート配線34にオン信号が入力すると、各ゲート配線34に接続された各画素32の薄膜トランジスタ10を1ラインずつ順にオンされ、1ラインずつ順に各画素32のコンデンサ9に蓄積された電荷が電気信号として各データ配線36に流れ出す。各データ配線36に流れ出した電気信号は第1信号処理部54でデジタルの画像データに変換されて、画像メモリ56に記憶される。これにより、画像メモリ56には、放射線検出器20の各放射線検出用画素32Aによる放射線画像を示す画像データが記憶される。   When an ON signal is input to each gate line 34, the radiation detector 20 turns on the thin film transistor 10 of each pixel 32 connected to each gate line 34 one by one in order, and one line at a time to the capacitor 9 of each pixel 32. The accumulated electric charge flows out to each data wiring 36 as an electric signal. The electrical signal that has flowed out to each data wiring 36 is converted into digital image data by the first signal processing unit 54 and stored in the image memory 56. Thereby, the image memory 56 stores image data indicating a radiation image by each radiation detection pixel 32 </ b> A of the radiation detector 20.

次のステップS24では、第2信号処理部55による各直接読出配線38のサンプリングを停止させる。   In the next step S24, sampling of each direct readout wiring 38 by the second signal processing unit 55 is stopped.

ところで、本実施の形態に係る放射線検出器20には、放射線画像取得用画素32Bと共に放射線検出用画素32Aが設けられている。放射線検出用画素32Aは、発生した電荷が直接読出配線38に流れ出す。このため、画像データにより示される放射線画像において、放射線検出用画素32Aに対応する画素は、欠陥画素となる。   By the way, the radiation detector 20 according to the present embodiment is provided with a radiation detection pixel 32A together with the radiation image acquisition pixel 32B. In the radiation detection pixel 32 </ b> A, the generated charges flow out directly to the readout wiring 38. For this reason, in the radiographic image indicated by the image data, the pixel corresponding to the radiation detection pixel 32A is a defective pixel.

そこで、ステップS26では、画像メモリ56に記憶された放射線画像に対して補間処理を行い、各放射線検出用画素32Aに対応する各画素のデータをそれぞれ放射線検出用画素32Aの周囲の放射線画像取得用画素32Bのデータから補間により生成する。   Therefore, in step S26, interpolation processing is performed on the radiation image stored in the image memory 56, and the data of each pixel corresponding to each radiation detection pixel 32A is used to acquire the radiation image around the radiation detection pixel 32A. It is generated by interpolation from the data of the pixel 32B.

次のステップS28では、上記ステップS26で補間処理された放射線画像の画像データをコンソール42へ送信し、処理終了となる。   In the next step S28, the image data of the radiographic image interpolated in step S26 is transmitted to the console 42, and the process ends.

ところで、本実施の形態に係る電子カセッテ40は、図7に示すように、放射線検出器20がTFT基板30側から放射線Xが照射されるように内蔵されている。   Incidentally, in the electronic cassette 40 according to the present embodiment, as shown in FIG. 7, the radiation detector 20 is incorporated so that the radiation X is irradiated from the TFT substrate 30 side.

ここで、放射線検出器20は、図10に示すように、シンチレータ8が形成された側から放射線が照射されて、当該放射線の入射面の裏面側に設けられたTFT基板30により放射線画像を読み取る、いわゆる裏面読取方式とされた場合、シンチレータ8の同図上面側(TFT基板30の反対側)でより強く発光し、TFT基板30側から放射線が照射されて、当該放射線の入射面の表面側に設けられたTFT基板30により放射線画像を読み取る、いわゆる表面読取方式とされた場合、TFT基板30を透過した放射線がシンチレータ8に入射してシンチレータ8のTFT基板30側がより強く発光する。TFT基板30に設けられた各センサ部13には、シンチレータ8で発生した光により電荷が発生する。このため、放射線検出器20は、表面読取方式とされた場合の方が裏面読取方式とされた場合よりもTFT基板30に対するシンチレータ8の発光位置が近いため、撮影によって得られる放射線画像の分解能が高い。   Here, as shown in FIG. 10, the radiation detector 20 is irradiated with radiation from the side on which the scintillator 8 is formed, and reads a radiation image by the TFT substrate 30 provided on the back side of the incident surface of the radiation. In the case of a so-called back surface reading method, light is emitted more strongly on the upper surface side of the scintillator 8 (opposite side of the TFT substrate 30), radiation is irradiated from the TFT substrate 30 side, and the surface side of the incident surface of the radiation In the case of a so-called surface reading method in which a radiation image is read by the TFT substrate 30 provided on the TFT substrate 30, the radiation transmitted through the TFT substrate 30 enters the scintillator 8 and the TFT substrate 30 side of the scintillator 8 emits light more strongly. Electric charges are generated in each sensor unit 13 provided on the TFT substrate 30 by light generated by the scintillator 8. For this reason, since the radiation detector 20 is closer to the light emission position of the scintillator 8 with respect to the TFT substrate 30 when the front surface reading method is used than when the rear surface reading method is used, the resolution of the radiation image obtained by imaging is higher. high.

また、放射線検出器20は、光電変換膜4を有機光電変換材料により構成しており、光電変換膜4で放射線がほとんど吸収されない。このため、本実施の形態に係る放射線検出器20は、表面読取方式により放射線がTFT基板30を透過する場合でも光電変換膜4による放射線の吸収量が少ないため、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。表面読取方式では、放射線がTFT基板30を透過してシンチレータ8に到達するが、このように、TFT基板30の光電変換膜4を有機光電変換材料により構成した場合、光電変換膜4での放射線の吸収が殆どなく放射線の減衰を少なく抑えることができるため、表面読取方式に適している。   In the radiation detector 20, the photoelectric conversion film 4 is made of an organic photoelectric conversion material, and the photoelectric conversion film 4 hardly absorbs radiation. For this reason, the radiation detector 20 according to the present embodiment suppresses a decrease in sensitivity to radiation because the amount of radiation absorbed by the photoelectric conversion film 4 is small even when radiation is transmitted through the TFT substrate 30 by the surface reading method. Can do. In the surface reading method, radiation passes through the TFT substrate 30 and reaches the scintillator 8. Thus, when the photoelectric conversion film 4 of the TFT substrate 30 is made of an organic photoelectric conversion material, the radiation in the photoelectric conversion film 4 is obtained. Therefore, it is suitable for the surface reading method.

また、薄膜トランジスタ10の活性層17を構成する非晶質酸化物や光電変換膜4を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。このため、基板1を放射線の吸収が少ないプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成することができる。このように形成された基板1は放射線の吸収量が少ないため、表面読取方式により放射線がTFT基板30を透過する場合でも、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。   In addition, both the amorphous oxide constituting the active layer 17 of the thin film transistor 10 and the organic photoelectric conversion material constituting the photoelectric conversion film 4 can be formed at a low temperature. For this reason, the board | substrate 1 can be formed with a plastic resin, aramid, and bio-nanofiber with little radiation absorption. Since the substrate 1 formed in this way has a small amount of radiation absorption, even when the radiation passes through the TFT substrate 30 by the surface reading method, it is possible to suppress a decrease in sensitivity to radiation.

また、本実施の形態によれば、図7に示すように、放射線検出器20をTFT基板30が天板41B側となるように筐体41内の天板41Bに貼り付けているが、基板1を剛性の高いプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出器20自体の剛性が高いため、筐体41の天板41Bを薄く形成することができる。また、基板1を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出器20自体が可撓性を有するため、撮影領域41Aに衝撃が加わった場合でも放射線検出器20が破損しづらい。   Further, according to the present embodiment, as shown in FIG. 7, the radiation detector 20 is attached to the top plate 41B in the housing 41 so that the TFT substrate 30 is on the top plate 41B side. When 1 is formed of a highly rigid plastic resin, aramid, or bio-nanofiber, the radiation detector 20 itself has high rigidity, so that the top plate 41B of the housing 41 can be formed thin. In addition, when the substrate 1 is formed of a highly rigid plastic resin, aramid, or bionanofiber, the radiation detector 20 itself has flexibility, so that even when an impact is applied to the imaging region 41A, the radiation detector 20 is damaged. It ’s hard.

以上詳細に説明したように、本実施の形態では、ポジショニングが完了したかにより撮影準備が完了したと判断し、撮影準備が完了したと判断した場合に放射線の検出を開始し、放射線が検出された場合に放射線画像の撮影を行うことにより、撮影者の手間も省くと共に電力消費を抑えつつ放射線を照射する放射線発生装置と放射線の照射タイミングの同期を必要とせずに照射された放射線による放射線画像を撮影できる。   As described above in detail, in the present embodiment, it is determined that the preparation for imaging is completed depending on whether the positioning is completed, and when it is determined that the preparation for imaging is completed, the detection of radiation is started, and the radiation is detected. In this case, by taking a radiographic image, the radiation image of the radiation applied without the need to synchronize the irradiation timing with the radiation generating apparatus that irradiates the radiation while saving the power consumption and reducing the power consumption. Can be taken.

また、本実施の形態では、振動状態に基づいてポジショニングが完了したか否か判定することにより、ポジショニングの完了を精度良く検出でき、適切なタイミングで放射線の検出を開始できる。   In the present embodiment, it is possible to accurately detect the completion of positioning by determining whether or not the positioning is completed based on the vibration state, and it is possible to start the detection of radiation at an appropriate timing.

また、本実施の形態では、放射線検出器20に放射線検出手段として放射線検出用画素32Aを形成することにより、放射線検出器20とは別に放射線を検出する手段を設ける必要がないため、製造コストを低減することができる。   Further, in the present embodiment, by forming the radiation detection pixel 32A as the radiation detection means in the radiation detector 20, there is no need to provide a means for detecting radiation separately from the radiation detector 20, and thus the manufacturing cost is reduced. Can be reduced.

また、本実施の形態では、複数の放射線検出用画素32Aから蓄積された電荷を読み出すための直接読出配線38を備えているので、放射線画像の撮影動作とは無関係に放射線の照射状態を検出することができる結果、より高速に放射線画像の撮影を行うことができる。   In the present embodiment, since the direct readout wiring 38 for reading out the charges accumulated from the plurality of radiation detection pixels 32A is provided, the radiation irradiation state is detected regardless of the radiographic image capturing operation. As a result, a radiographic image can be taken at a higher speed.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。発明の要旨を逸脱しない範囲で上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることができ、当該変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれる。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. Various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment without departing from the gist of the invention, and embodiments to which such modifications or improvements are added are also included in the technical scope of the present invention.

また、上記の実施の形態は、クレーム(請求項)にかかる発明を限定するものではなく、また実施の形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。前述した実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜の組み合わせにより種々の発明を抽出できる。実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。   The above embodiments do not limit the invention according to the claims (claims), and all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solution means of the invention. Is not limited. The embodiments described above include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements. Even if some constituent requirements are deleted from all the constituent requirements shown in the embodiment, as long as an effect is obtained, a configuration from which these some constituent requirements are deleted can be extracted as an invention.

また、上記実施の形態では、一例として図11(A)に示すように、放射線検出用画素32Aとして放射線画像取得用画素32Bの一部を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、一例として図11(B)に示すように、放射線検出用画素32Aを、放射線画像取得用画素32Bの間隙に設ける形態としてもよい。この場合、放射線検出用画素32Aが設けられた位置に対応する放射線画像取得用画素32Bの面積が小さくなるため、当該画素の感度は低減するものの、当該画素も放射線画像の検出用として用いることができるため、放射線画像の品質を向上させることができる。また、放射線の照射の検出する手段としては、特許文献1のようにバイアス電流をモニターし、バイアス電流の変化から放射線の照射を検出してもよい。また、第1信号処理部54に内蔵された、各データ配線36を流れる電気信号を増幅する増幅回路へ供給されるアンプ電流をモニターし、アンプ電流の変化から放射線照射を検出してもよい。また、放射線の照射により各画素32から漏れ出す漏れ電流も変化するため、各画素32から漏れ出す漏れ電流をモニターすることによって、アンプ電流の変化から放射線照射を検出してもよい。また、2次元状に複数設けた画素32を全て放射線画像取得用画素32Bとし、画素32の間に放射線検出用の検出素子を配置し、検出素子による検出結果から放射線照射を検出してもよい。さらに上記実施の形態では図9を元に動作を説明したが同様の機能を実現できれば動作の順番や内容を適宜修正してもよい。   In the above embodiment, as an example, as shown in FIG. 11A, the case where a part of the radiation image acquisition pixel 32B is applied as the radiation detection pixel 32A has been described, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 11B, for example, the radiation detection pixel 32A may be provided in the gap between the radiation image acquisition pixels 32B. In this case, since the area of the radiation image acquisition pixel 32B corresponding to the position where the radiation detection pixel 32A is provided is reduced, the sensitivity of the pixel is reduced, but the pixel is also used for detection of the radiation image. Therefore, the quality of the radiographic image can be improved. As a means for detecting radiation irradiation, a bias current may be monitored as in Patent Document 1, and radiation irradiation may be detected from a change in bias current. Alternatively, the irradiation of radiation may be detected from a change in the amplifier current by monitoring the amplifier current supplied to the amplifier circuit built in the first signal processing unit 54 that amplifies the electric signal flowing through each data wiring 36. Further, since the leakage current leaking from each pixel 32 also changes due to the irradiation of radiation, the radiation irradiation may be detected from the change of the amplifier current by monitoring the leakage current leaking from each pixel 32. Alternatively, all of the two-dimensionally provided pixels 32 may be used as radiation image acquisition pixels 32B, and a detection element for detecting radiation may be arranged between the pixels 32, and radiation irradiation may be detected from the detection result of the detection element. . Furthermore, although the operation has been described based on FIG. 9 in the above embodiment, the order and contents of the operation may be appropriately modified as long as a similar function can be realized.

また、上記実施の形態では、放射線検出器20に設けられた画素32の一部を放射線検出用画素32Aとして用いる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、放射線検出用画素32Aを、画素32とは別層として放射線検出器20に積層して放射線検出部とする形態としてもよい。この場合、欠陥画素が生じることがないため、上記実施の形態に比較して、放射線画像の品質を向上させることができる。また、放射線検出用画素32Aや放射線検出部は、それぞれ個別に電荷を読み出せるように構成してもよい。   In the above embodiment, the case where a part of the pixels 32 provided in the radiation detector 20 is used as the radiation detection pixel 32A has been described. However, the present invention is not limited to this, and for example, radiation The detection pixel 32A may be stacked on the radiation detector 20 as a separate layer from the pixel 32 to form a radiation detection unit. In this case, since defective pixels do not occur, the quality of the radiation image can be improved as compared with the above embodiment. Further, the radiation detection pixel 32A and the radiation detection unit may be configured to be able to individually read out charges.

また、上記実施の形態では、放射線の照射開始を検出した時点から曝射条件により示される照射期間を経過した時点で放射線検出器20から電荷の読み出しを行う場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、放射線の照射開始を検出した以降も、放射線照射検知用のしきい値以上となった直接読出配線38のデジタルデータの値を放射線照射検知用のしきい値と比較し続け、当該直接読出配線38のデジタルデータの値が放射線照射検知用のしきい値未満となった時点で放射線の照射が終了したものとして放射線検出器20から電荷の読み出しを行うものとしてもよい。また、例えば、コンソール110は、曝射条件と共に最適な濃度が得られる放射線量を電子カセッテ40へ送信するものとし、電子カセッテ40は、放射線の照射開始を検出した以降、第2信号処理部55から入力する各直接読出配線38のデジタルデータの値を累計して記憶し、累計された放射線量の累積値が、最適な濃度が得られる放射線量に応じた値となった場合に放射線の照射終了をコンソール110へ通知すると共に、放射線検出器20から電荷の読み出しを行うものとしてもよい。コンソール110は、電子カセッテ40から放射線の照射終了が通知された場合、放射線発生装置120からの放射線の照射を停止させるように制御するものとしてもよい。   In the above-described embodiment, the case where the charge is read from the radiation detector 20 when the irradiation period indicated by the exposure condition has elapsed from the time when the start of radiation irradiation is detected has been described. However, the present invention is not limited to this. It is not something. For example, after the start of radiation irradiation is detected, the digital data value of the direct readout wiring 38 that is equal to or greater than the threshold value for radiation irradiation detection is continuously compared with the threshold value for radiation irradiation detection. The charge may be read from the radiation detector 20 assuming that the radiation irradiation has been completed when the value of the digital data of the wiring 38 is less than the radiation irradiation detection threshold. Further, for example, the console 110 transmits to the electronic cassette 40 a radiation dose that provides an optimal concentration along with the exposure conditions. The electronic cassette 40 detects the start of radiation irradiation, and then the second signal processing unit 55. The digital data values of the respective direct readout wirings 38 input from are accumulated and stored, and when the accumulated value of the accumulated radiation dose becomes a value corresponding to the radiation dose for obtaining an optimum concentration, radiation irradiation is performed. The end of the charge may be notified to the console 110 and the charge may be read from the radiation detector 20. The console 110 may control to stop the irradiation of radiation from the radiation generator 120 when the electronic cassette 40 notifies the end of irradiation.

また、上記実施の形態では、錯綜を回避するために、放射線検出用画素32Aに蓄積された電荷を放電することに関しては特に言及しなかったが、放射線の照射開始を検出したタイミングで、放射線検出用画素32Aによって蓄積された電荷を放電させた後に放射線の照射終了を検出する形態としてもよい。これにより、放射線の照射終了を検出する際の上記放射線量の飽和を防止することができる。   In the above-described embodiment, in order to avoid complications, no particular mention was made regarding discharging the charge accumulated in the radiation detection pixels 32A. However, at the timing when the start of radiation irradiation is detected, the radiation detection is performed. It is also possible to detect the end of radiation irradiation after discharging the charge accumulated by the pixel for use 32A. Thereby, the saturation of the said radiation dose at the time of detecting completion | finish of irradiation of a radiation can be prevented.

また、上記実施の形態では、センサ部13が、シンチレータ8で発生した光を受光することにより電荷が発生する有機光電変換材料を含んで構成されている場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、センサ部13として有機光電変換材料を含まずに構成されたものを適用する形態としてもよい。   In the above embodiment, the case where the sensor unit 13 is configured to include an organic photoelectric conversion material that generates charges by receiving light generated by the scintillator 8 has been described. It is not limited, It is good also as a form which applies what was comprised without including an organic photoelectric conversion material as the sensor part 13. FIG.

また、上記実施の形態では、電子カセッテ40の筐体41の内部にカセッテ制御部58や電源部70を収容するケース42と放射線検出器20とを重ならないように配置した場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、放射線検出器20とカセッテ制御部58や電源部70を重なるように配置してもよい。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where it arrange | positions so that the case 42 which accommodates the cassette control part 58 and the power supply part 70 in the inside of the housing | casing 41 of the electronic cassette 40, and the radiation detector 20 may not overlap. It is not limited to this. For example, the radiation detector 20 and the cassette control unit 58 or the power supply unit 70 may be arranged so as to overlap each other.

また、上記実施の形態では、電子カセッテ40とコンソール110との間、放射線発生装置120とコンソール110との間で、無線にて通信を行う場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、これらの少なくとも一方を有線にて通信を行う形態としてもよい。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where it communicated by radio | wireless between the electronic cassette 40 and the console 110, and between the radiation generator 120 and the console 110, this invention is limited to this. For example, at least one of these may be configured to perform wired communication.

また、上記実施の形態では、振動検出部61により振動を検出する場合について説明したが、これに限定されるものではない。放射線検出器20を用いて振動を検出してもよい。放射線検出器20は、振動により電荷の発生したりや流れる電流量に変化が生じる場合があるため、放射線検出器20からの信号や流れる電流量をモニタすることにより、振動検出することができる。例えば、センサ部13は、上部電極6と下部電極2の間にバイアス電圧が印加されるが、振動によりバイアス電圧が変化する。そこで、バイアス電圧を検出する電圧検出部を設け、電圧検出部により検出されるバイアス電圧の変化から振動を検出するものとしてもよい。また、暗電流によりセンサ部13に蓄積される電荷量も振動により変化する。そこで、リセット動作で各放射線画像取得用画素32Bから読み出される電荷量の変化から振動を検出するものとしてもよい。また、放射線の照射の検出と同様に、放射線検出用画素32Aの電荷変化や、第1信号処理部54に内蔵された増幅回路へアンプ電流の変化から振動を検出するものとしてもよい。放射線検出用画素32Aや放射線を検出する放射線検出部をそれぞれ個別に電荷を読み出せるように構成した場合、ポジショニング完了を検知するために放射線検出用画素32Aや放射線検出部を全てのオンにする必要はなく、振動検知するためであれば一部のみをオンすればよい。その上で、ポジショニング完了を判断した後、放射線検出用画素32Aや放射線検出部を全てをオンして、放射線の照射状態へ検出する状態へ移行させてもよい。なお、放射線の照射の検出を行う場合、放射線検出用画素32Aや放射線検出部を全てをオンにする必要はなく、撮影部位に応じた部分のみオンするようにしてもよい。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where a vibration was detected by the vibration detection part 61, it is not limited to this. Vibration may be detected using the radiation detector 20. The radiation detector 20 may detect vibration by monitoring the signal from the radiation detector 20 and the amount of flowing current because charges may be generated or the amount of flowing current may change due to vibration. For example, in the sensor unit 13, a bias voltage is applied between the upper electrode 6 and the lower electrode 2, but the bias voltage changes due to vibration. Therefore, a voltage detection unit that detects the bias voltage may be provided, and vibration may be detected from a change in the bias voltage detected by the voltage detection unit. In addition, the amount of charge accumulated in the sensor unit 13 due to dark current also changes due to vibration. Therefore, vibration may be detected from a change in the amount of charge read from each radiation image acquisition pixel 32B in the reset operation. Similarly to the detection of radiation irradiation, the vibration may be detected from the change in the charge of the radiation detection pixel 32 </ b> A or the change in the amplifier current in the amplifier circuit built in the first signal processing unit 54. When the radiation detection pixel 32A and the radiation detection unit for detecting radiation are configured to be able to individually read out charges, it is necessary to turn on all the radiation detection pixels 32A and the radiation detection unit in order to detect the completion of positioning. There is no need to turn on only a part for vibration detection. Then, after determining the completion of positioning, all of the radiation detection pixels 32 </ b> A and the radiation detection unit may be turned on to shift to a state of detecting the radiation irradiation state. When detecting radiation irradiation, it is not necessary to turn on all of the radiation detection pixels 32A and the radiation detection unit, and only the part corresponding to the imaging region may be turned on.

また、上記実施の形態では、ゲート線ドライバ52から各ゲート配線34にオン信号を出力させて放射線画像を読み出し、撮影終了したタイミングで放射線の検出を停止させる場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、振動検出部61により再度振動が検出されて撮影準備であると判断された場合に放射線の検出を停止させるようにしてもよい。   In the above embodiment, the case where the gate line driver 52 outputs an ON signal to each gate wiring 34 to read out a radiation image and stops the detection of radiation at the end of imaging has been described. However, the present invention is not limited to this. It is not something. For example, the detection of radiation may be stopped when it is determined that the vibration detection unit 61 detects vibration again and is ready for imaging.

さらに、放射線検出器20を用いた振動の検出と加速度センサ等の振動検出部61を用いた振動の検出とを併用してもよい。これにより、ポジショニング完了判断後に振動が発生して、その振動により、例えば、放射線検出用画素32Aに電荷が発生して直接読出配線38に電気信号が流れて放射線照射と誤って検知される場合でも、振動検出部61による振動の検出と併用することにより、誤検出も防ぐことができる。   Furthermore, vibration detection using the radiation detector 20 and vibration detection using the vibration detection unit 61 such as an acceleration sensor may be used in combination. As a result, vibration is generated after the positioning completion determination, and for example, even when the vibration is generated, for example, a charge is generated in the radiation detection pixel 32A and an electric signal flows directly to the readout wiring 38 and is erroneously detected as radiation irradiation. In combination with vibration detection by the vibration detector 61, erroneous detection can also be prevented.

また、上記実施の形態では、振動が収まった場合に第2信号処理部55による各直接読出配線38のサンプリングを開始させる場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、電子カセッテ40は、未使用時にはクレードル130の収容部130Aに収納された状態で内蔵されているバッテリに充電が行われ、放射線画像の撮影時には放射線技師等によってクレードル130から取り出されるため、クレードル130から取り出されたことタイミングで各直接読出配線38のサンプリングを開始させるものとしてもよい。電子カセッテ40がクレードル130から取り出されたことの検出は、例えば、電子カセッテ40にセンサを設けて収容部130Aに収納されているか否かを検出してもよい。また、例えば、電子カセッテ40が収容部130Aに収納された際に端子を接触させて充電を行う場合、端子の接触の有無により検出してもよい。また、例えば、電子カセッテ40が収容部130Aに収納された際に無線給電により充電を行う場合、給電の有無により検出してもよい。   In the above-described embodiment, the case where the sampling of each direct readout wiring 38 by the second signal processing unit 55 is started when the vibration is stopped is described. However, the present invention is not limited to this. For example, when the electronic cassette 40 is not used, the built-in battery is charged in a state of being housed in the housing portion 130A of the cradle 130, and is taken out of the cradle 130 by a radiographer or the like when a radiographic image is taken. Sampling of each direct readout wiring 38 may be started at the timing of being taken out from 130. The detection of the electronic cassette 40 being taken out from the cradle 130 may be detected, for example, by detecting whether the electronic cassette 40 is provided with a sensor and stored in the storage unit 130A. Further, for example, when charging is performed by bringing a terminal into contact when the electronic cassette 40 is housed in the housing portion 130 </ b> A, the electronic cassette 40 may be detected based on whether or not the terminal is in contact. Further, for example, when charging is performed by wireless power feeding when the electronic cassette 40 is housed in the housing portion 130 </ b> A, detection may be performed based on the presence or absence of power feeding.

また、上記実施の形態では、放射線としてX線を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、γ線等の他の放射線を適用する形態としてもよい。   In the above embodiment, the case where X-rays are applied as radiation has been described. However, the present invention is not limited to this, and other radiation such as γ-rays may be applied.

その他、上記実施の形態で説明したRIS100の構成(図1参照。)、放射線撮影室の構成(図2参照。)、電子カセッテ40の構成(図3〜図7参照。)、撮影システム104の構成(図8参照。)は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要な部分を削除したり、新たな部分を追加したり、接続状態等を変更したりすることができることは言うまでもない。   In addition, the configuration of the RIS 100 described in the above embodiment (see FIG. 1), the configuration of the radiation imaging room (see FIG. 2), the configuration of the electronic cassette 40 (see FIGS. 3 to 7), and the imaging system 104. The configuration (see FIG. 8) is an example, and an unnecessary part can be deleted, a new part can be added, a connection state, etc. can be changed without departing from the gist of the present invention. Needless to say.

また、上記実施の形態で説明した初期情報の構成も一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要な情報を削除したり、新たな情報を追加したりすることができることは言うまでもない。   The configuration of the initial information described in the above embodiment is also an example, and it goes without saying that unnecessary information can be deleted or new information can be added without departing from the gist of the present invention. Yes.

また、上記実施の形態で説明した撮影制御処理プログラムの処理の流れ(図9参照。)も一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ換えたりすることができることは言うまでもない。   Further, the flow of processing of the photographing control processing program described in the above embodiment (see FIG. 9) is also an example, and unnecessary steps can be deleted or new steps can be made without departing from the gist of the present invention. Needless to say, can be added or the processing order can be changed.

13 センサ部
20 放射線検出器(撮影部)
30 TFT基板
32 画素
32A 放射線検出用画素(放射線検出手段)
32B 放射線画像取得用画素
40 電子カセッテ
55 第2信号処理部
58 カセッテ制御部(制御手段、判断手段)
58A CPU
61 振動検出部
13 Sensor unit 20 Radiation detector (imaging unit)
30 TFT substrate 32 Pixel 32A Pixel for radiation detection (radiation detection means)
32B Radiation Image Acquisition Pixel 40 Electronic Cassette 55 Second Signal Processing Unit 58 Cassette Control Unit (Control Unit, Judgment Unit)
58A CPU
61 Vibration detector

Claims (8)

放射された放射線による放射線画像を撮影可能な撮影部と、
放射線を検出する放射線検出手段と、
撮影準備が完了したか否か判断する判断手段と、
前記判断手段により撮影準備が完了したと判断した場合に前記放射線検出手段による放射線の検出を開始し、前記放射線検出手段により放射線が検出された場合に放射線画像を撮影するように前記撮影部を制御する制御手段と、
を有する放射線画像撮影装置。
An imaging unit capable of capturing a radiographic image of the emitted radiation;
Radiation detection means for detecting radiation;
A judging means for judging whether or not the shooting preparation is completed;
Control of the imaging unit to start radiation detection by the radiation detection unit when the determination unit determines that preparation for imaging is completed, and to capture a radiographic image when radiation is detected by the radiation detection unit Control means to
A radiographic imaging apparatus having
振動を検出する振動検出手段をさらに備え、
前記判断手段は、前記振動検出手段により検出される振動がポジショニングが終了したとみなすことができる所定状態に収まった場合に撮影準備が完了したと判断する
請求項1記載の放射線画像撮影装置。
It further comprises vibration detection means for detecting vibration,
The radiographic imaging apparatus according to claim 1, wherein the determination unit determines that imaging preparation is completed when the vibration detected by the vibration detection unit falls within a predetermined state in which positioning can be regarded as completed.
前記振動検出手段は、加速度センサ、ジャイロセンサ、ひずみゲージ、重力センサ、地磁気センサの何れかとした
請求項2記載の放射線画像撮影装置。
The radiographic imaging apparatus according to claim 2, wherein the vibration detection unit is any one of an acceleration sensor, a gyro sensor, a strain gauge, a gravity sensor, and a geomagnetic sensor.
前記撮影部は、バイアス電圧を印加され、放射線又は放射線が変換された光により電荷が発生するセンサ部が複数形成された放射線検出器を備え、
前記振動検出手段は、バイアス電圧の変化、及びセンサ部に蓄積される暗電流量の変化の少なくとも一方に基づいて振動を検出する
請求項2記載の放射線画像撮影装置。
The imaging unit includes a radiation detector formed with a plurality of sensor units to which a bias voltage is applied and a charge is generated by radiation or light converted from radiation,
The radiographic imaging apparatus according to claim 2, wherein the vibration detection unit detects vibration based on at least one of a change in bias voltage and a change in dark current amount accumulated in the sensor unit.
前記振動検出手段は、重力センサ、地磁気センサの何れかとし、重力センサにより検出される重力方向、地磁気センサにより検出される地磁気方向の変化に基づいて振動を検出する
請求項2記載の放射線画像撮影装置。
The radiographic imaging according to claim 2, wherein the vibration detection unit is a gravity sensor or a geomagnetic sensor, and detects vibration based on a gravity direction detected by the gravity sensor and a change in the geomagnetic direction detected by the geomagnetic sensor. apparatus.
前記制御手段は、前記撮影部による放射線画像の撮影終了後、又は前記判断手段により撮影準備であると判断された場合、前記放射線検出手段による放射線の検出を停止する
請求項1〜請求項5の何れか1項記載の放射線画像撮影装置。
The said control means stops the detection of the radiation by the said radiation detection means after completion | finish of imaging | photography of the radiographic image by the said imaging | photography part, or when it is judged that it is an imaging preparation by the said judgment means. The radiographic imaging apparatus of any one of Claims.
撮影準備が完了したか否か判断し、
撮影準備が完了したと判断した場合に放射線を検出する放射線検出手段による放射線の検出を開始し、
放射線を検出する放射線検出手段により放射線が検出された場合に、放射線画像を撮影するように撮影部を制御する
放射線画像撮影方法。
Determine if the shooting preparation is complete,
When it is determined that the preparation for imaging has been completed, the radiation detection means for detecting radiation is started,
A radiation image capturing method for controlling an image capturing unit so as to capture a radiation image when radiation is detected by a radiation detecting means for detecting radiation.
撮影準備が完了したか否か判断するステップと、
撮影準備が完了したと判断した場合に放射線を検出する放射線検出手段による放射線の検出を開始するステップと、
放射線を検出する放射線検出手段により放射線が検出された場合に、放射線画像を撮影するように撮影部を制御するステップと、
を含む処理をコンピュータに実行させるための放射線画像撮影制御処理プログラム。
Determining whether the preparation for shooting is completed;
A step of starting detection of radiation by a radiation detecting means for detecting radiation when it is determined that preparation for imaging is completed;
A step of controlling the imaging unit to capture a radiation image when radiation is detected by a radiation detection means for detecting radiation; and
A radiographic imaging control processing program for causing a computer to execute processing including:
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