JP2012129471A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 紫外線の照射条件の安定化を実現する基板処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明の基板処理装置1は、ステージ4上に基板100を載せて紫外線照射装置2により基板表面に紫外線を照射することにより基板表面を改質するように構成される。この基板処理装置1は、吸着手段を備える。吸着手段は、基板裏面側からエアを吸引する機能を有する。
【選択図】図1
【解決手段】 本発明の基板処理装置1は、ステージ4上に基板100を載せて紫外線照射装置2により基板表面に紫外線を照射することにより基板表面を改質するように構成される。この基板処理装置1は、吸着手段を備える。吸着手段は、基板裏面側からエアを吸引する機能を有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板表面を改質する基板処理装置に関する。
従来より、ステージ上に、太陽電池セルや有機EL素子用の樹脂基板を載せて紫外線照射装置により基板表面に紫外線を照射することにより基板表面を改質(物理的性質および化学的性質の両方を含む。)する基板処理技術が知られている(例えば、特許文献1等参照)。
このような基板処理技術では、改質後の表面状態の均質化のため、紫外線の照射条件(例えば、紫外線ランプから基板表面までの距離など。)も一定にする必要がある。特に、樹脂基板は軽量であるため、ステージ上から基板が浮きやすく、紫外線の照射条件が安定しないという問題がある。不活性ガスやプロセスガスが基板表面に流動状態で供給される場合には、ガスの気流で基板が躍ってしまうのでなおさら問題である。また、製品の市場価格の低下要求もあって紫外線の照射時間の短縮も急務となっている。
本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであり、紫外線の照射条件の安定化を実現する基板処理装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の基板処理装置は、ステージ上に基板を載せて紫外線照射装置により基板表面に紫外線を照射することにより基板表面を改質するように構成される。この基板処理装置は、吸着手段を備える。
吸着手段は、基板裏面側からエアを吸引する機能を有する。また、加熱手段は、基板を加熱する機能を有する。
この基板処理装置においては、吸着手段のエア吸引により基板がステージ上に安定的に固定される。基板の固定は、基板の浮きや躍りの防止につながる。
また、本発明の基板処理装置においては、基板を加熱する加熱手段を備えることも可能である。これによると、加熱手段により基板が加熱され、基板表面の温度が高められる。基板表面の温度上昇は、紫外線照射による基板表面の改質の促進に寄与する。
また、本発明の基板処理装置においては、ステージとして、ベースプレート、中間プレート、およびトッププレートが順に積層された構造のものを好適に用いることが出来る。具体的には、ベースプレートには熱源が設けられ、トッププレートには多数の吸気孔が形成され、中間プレートにはエア吸引用の気密空間を作るためのシールリングが設けられている。
これによると、吸着手段および加熱手段の機能部をステージと一体にコンパクトに構成することが出来る。
また、本発明の基板処理装置においては、基板表面に不活性ガスまたは酸素を供給するガス供給装置を備える。大気中には体積比で約20%の酸素が存在する。したがって、ガス供給手段により不活性ガスを供給することにより、基板表面の雰囲気を所望の酸素濃度に設定することが可能となる。他方、ガス供給手段により酸素を供給することにより、基板表面の雰囲気を酸素で置換することが可能となる。いずれにしても酸素の存在下に紫外線が照射されることになり、紫外光のエネルギーにより酸素が励起されて活性酸素が生成される。したがって、生成される活性酸素による改質が進行する。
また、本発明の基板処理装置においては、紫外線照射装置の光源として、真空紫外線を出射する光源を好適に用いることが出来る。このような光源としては、例えば波長172nmに発光ピークを有するエキシマランプを挙げることが出来る。これによると、基板表面の改質に費やす紫外線照射時間を大幅に短縮することが出来る。
なお、ステージの材質は耐熱性および耐光性を備える材料であることが望ましい。例えば、硬質アルマイト処理が施されたアルミニウムなどは安価で入手が容易であるため好適である。
また、本発明の基板処理装置においては、ステージを昇降自在に支持する昇降装置を備えている。この構成によると、昇降装置によりステージを昇降させることにより、紫外線照射装置の光源と基板表面との間の距離(以下、「照射距離」という。)が調節される。したがって、基板の種類に応じて表面改質に適した照射距離に容易に設定することが出来る。
本発明の基板処理装置によれば、紫外線の照射条件の安定化を実現することが出来る。
図1を用いて、本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を説明する。本発明の基板処理装置1は、ステージ4上に基板100を載せて紫外線照射装置(紫外線照射ユニット)2により基板表面に紫外線を照射することにより基板表面を改質するように構成される。
ここで、処理対象である基板100は、紫外線照射により表面改質が進行するような素材で出来ている。具体的には、ガラス基板や樹脂基板が好適に用いられる。樹脂基板の例としては、太陽電池セルや有機EL素子用の樹脂基板として有用なPENフィルム(2軸延伸ポリエチレン2,6−ナフタレート)やPETフィルム(2軸延伸ポリエチレンテレフタレート)が挙げられる。
この基板処理装置1は、図1に示すように、主として、紫外線照射ユニット(上部ユニット)2および処理室ユニット(下部ユニット)3の2つのユニットから構成される。
紫外線照射ユニット2は、光源である紫外線ランプ22が、薄箱形の外形を呈するハウジング20内に収容されたユニットである。本実施の形態では、紫外線ランプとして、真空紫外線を出射するエキシマランプ(株式会社クォークテクノロジー製)を好適に用いることが出来る。エキシマランプは、波長172nmに高発光強度の単一の発光ピークを有するランプである。真空紫外領域(波長10〜200nm)の紫外光はエネルギーが極めて高いので、基板表面の改質に費やす紫外線照射時間を大幅に短縮することが出来る。紫外線ランプとしては、エキシマランプの他に、用途に応じて高圧水銀ランプ、紫外線LED、低圧水銀ランプを用いることも可能である。
ハウジング20の下壁には紫外線ランプ22の配置領域の下側に位置する部分に開口20Aが形成されている。開口20Aには、紫外線を透過する材料(例えば、石英ガラスや石英合成ガラスなど)から出来た照射窓21が設けられる。開口20Aと照射窓21との隙間には図示しないシール部材を配設し、ハウジング20内を密閉している。
また、照射窓21の下方には、フィルタ28が設置されている。フィルタ28は、光透過性に優れた石英又は合成石英を素材として、薄板状に形成されている。フィルタ28は、例えば、固定ネジを介して、全面を照射窓21の下面に密接または近接させた状態で着脱自在に配置されている。基板表面において発生した塵埃は、フィルタ28に付着し、照射窓21に付着することがない。フィルタ28のみを交換又は清掃することで塵埃の付着による紫外線の照射効率を回復することができ、紫外線ランプ22のランニングコストを低減できる。
本実施の形態では、紫外線ランプ22は箱形のランプを用いている。紫外線ランプ22と照射窓21との間の隙間27には、ダクト26が設けられている。ダクト26は隙間27に向けて開口する複数の排気孔26Aを有している。
ハウジング20の左右両側壁には吸気管25がそれぞれ貫設されている。ダクト26の左右両端と吸気管25の一端とはジョイント23を介して接続されている。吸気管25の他端はハウジング20の外部に突出しており、ジョイント24を介して図示しない不活性ガス(例えば、窒素、アルゴンなど。)のボンベから延びる送気管に接続される。これにより、前述の隙間27に不活性ガスを流すことが出来る。すなわち、紫外線ランプ22を不活性ガス雰囲気に配置することが可能となる。
紫外線ランプ22から出射される紫外線(特に、エキシマランプの真空紫外線)は、酸素などに吸収されると、照度の低下とオゾンの発生を招く。したがって、上述のように紫外線ランプ22を不活性ガス雰囲気に配置することにより紫外線の吸収をなくすことが出来る。
処理室ユニット3は、処理対象である基板100を載せるステージ4が、薄箱形の外形を呈するハウジング30内に収容されたユニットである。
ハウジング30の右側壁には吸気管31が貫設され、ハウジング30の左側壁には排気管32が貫設されている。図1に示された実施形態では、吸気管31が2つ、排気管32が1つ設けられた例が示されているが、吸気管31および排気管32の数はこれに限定されるものではない。吸気管31の一端はハウジング30の外部に突出しており、ジョイント33を介して図示しない不活性ガス(例えば、窒素、アルゴンなど)もしくは酸素のボンベから延びる送気管に接続されている。これにより、ハウジング30内に不活性ガスもしくは酸素を供給することが出来る。
上述した吸気管31、排気管32、不活性ガスもしくは酸素のボンベ、およびボンベの送気管は、本発明のガス供給装置を構成している。
大気中には体積比で約20%の酸素が存在する。したがって、上述のように不活性ガスをハウジング30内に供給することにより、基板表面の雰囲気を所望の酸素濃度に設定することが可能となる。他方、酸素を供給することにより、基板表面の雰囲気を酸素で置換することが可能となる。いずれにしても酸素の存在下に紫外線ランプ22からの紫外線が照射されることになり、紫外光のエネルギーにより酸素が励起されて活性酸素(例えば、OHラジカルなど。)が生成される。したがって、生成される活性酸素による基板表面の改質が進行する。なお、不活性ガスを供給する場合は、ハウジング30内の酸素濃度が一定になるように、酸素センサを設けてガス流量を制御しても良い。
ハウジング30の上壁にも前述の開口20Aに対応して開口30Aが設けられているこの開口30Aの真下にステージ4が配置されている。紫外線照射ユニット2は処理室ユニット3上に、両ユニットのハウジング20,30の開口20A,30Aが合致するように重ねられ、処理室ユニット3の上部へビス止めにより固定される。したがって、照射窓21および開口30Aを通して紫外線ランプ22から出射される紫外線をステージ4に載せられた基板100の表面に照射することが可能である。
本実施の形態では、ステージ4は、ベースプレート41、中間プレート42、およびトッププレート43の3枚の矩形のプレートが順に積層された構造である。これらのプレートの材質は、耐熱性および耐光性を考慮して備える材料であることが望ましい。例えば、硬質アルマイト処理が施されたアルミニウムなどは安価で入手が容易であるため好適である。
ステージ4の詳細な構成を、図2および図3を用いて説明する。図2に示すように、各プレート41,42,43の四隅にはネジ孔41A,42A,43Aがそれぞれ設けられている。したがって、3枚のプレート41,42,43を重ね、四隅のネジ穴に図示しないネジを差し込めば、これらのプレートを圧着状態に固定することが出来る。
ベースプレート41の上面中央部にはフィルム状のヒータ9(例えば、ポリイミドヒータなど。)が配置されている。ヒータ9は、ヒータ線13を介して図示しない電流源に接続されており、通電されることによりジュール熱を発生するように構成される。この熱は、トッププレート41まで伝熱する。これにより、トッププレート41上に載せられた基板100を加熱することが出来る。なお、図2における符号41Cで示される溝は、ヒータ線13を引き出すためのベースプレート41上面に形成された溝である。
上述したヒータ9および電流源は、本発明の加熱手段を構成している。
さらにベースプレート41の一端には、吸引ノズル11を取付けるための取付孔41Bが設けられている。また、取付孔41Bの近傍に位置するベースプレート41の一端縁には熱電対12を取付けるための溝41Dが設けられている。熱電対12はヒータ9の発熱制御、すなわち基板温度の制御用である。
トッププレート43には多数の微少な吸気孔43Bがほぼ全面に設けられている。
中間プレート42には、前述のベースプレート41の取付孔41Bに対応した位置に吸引孔42Bが設けられている。図3に示すように、ベースプレート41の取付孔41Bには、吸引ノズル11が挿着される。吸引ノズル11の下端は図示しないバキュームジェネレータに接続されている。吸引ノズル11の上端はOリングパッキン10によりシールされる。なお、図3における符号42Cで示される凹部は、前述のヒータ9を収納するための中間プレート42下面に設けられた凹部である。
さらに中間プレート42の上面には、周縁にゴム製のシールリング8が接着されている。これにより、図3に示すように、中間プレート42とトッププレート43との間のシールリング8で囲まれた領域に密閉空間が形成されるようになる。したがって、吸引ノズル11を用いてこの空間のエアを吸引することにより、この空間が負圧になり、トッププレート43の多数の吸気孔43Bを通して矢印Kの方向に吸引気流が発生する。これにより、基板100を吸引してトッププレート43上に確実に固定することができる。
上述したベースプレート41の取付孔41B、中間プレート42の吸引孔42B、トッププレート43の吸気孔43B、Oリングパッキン10、シールリング8、吸引ノズル11並びにバキュームジェネレータは、本発明の吸着手段を構成している。
本実施の形態によると、吸着手段および加熱手段の機能部をステージ4と一体にコンパクトに構成することが出来る。
以上のように構成されるステージ4は、図1に示されるように、昇降装置5により昇降自在に支持されている。したがって、昇降装置5を用いてステージ4を昇降させることにより、紫外線ランプ22と基板表面との間の距離D(以下、「照射距離」という。)が調節される。したがって、基板の種類に応じて表面改質に適した照射距離に容易に設定することが出来る。
以上のように構成される基板処理装置1による基板表面の改質原理について、基板100として樹脂基板、紫外線ランプ22としてエキシマランプを使用した場合を例にして説明する。
真空紫外線を基板表面に照射すると、高いエネルギーにより表面分子の主鎖や側鎖の大部分が切断され、表面からは素材に含まれる水素原子が分離される。この水素原子は、大気中の酸素から紫外光により生成された活性酸素(例えば、OHラジカルなど。)と結合してアシル基(COH)、ヒドリキシル基(OH)、カルボキシル基(COOH)などが表面に形成される。これにより、基板表面の物理的性質および化学的性質が改質(平滑性や親水性の向上など)される。この結果、接着剤や塗料等の基板表面への被着が困難であったコーティング材との密着性が改善され、膜圧の均質化が得られる。また、改質と同時に各種素材の表面に残留する有機物の汚染物質や素材自体から滲み出る油分を真空紫外線と活性酸素により酸化洗浄することが可能である。
また、本発明の基板処理装置1においては、紫外線の照射中、吸引ノズル11によりシールリング8に囲まれた空間のエアが吸引され、図3に矢印Kで示す吸引気流が発生する。これにより、基板100はトッププレート43上に安定的に固定され、基板の浮きや躍りが防止される。さらに、ベースプレート41に配設されたヒータ9(図2参照。)に通電され、ヒータ9が発熱する。この熱は、トッププレート41まで伝熱し、高温となったトッププレート41を介して基板100が加熱される。これにより、基板表面の温度を高めて紫外線による改質を促進することが出来る。したがって、本発明の基板処理装置1によれば、紫外線の照射条件の安定化、照射時間の短縮、および改質効果の向上を実現することが出来る。
本発明の基板処理装置を用いて実際に基板表面の改質を行い、その表面に導電膜のコーティングを行ったサンプルを2つ得た。これを実施例1、2とする。比較のため、未改質の基板に同様にコーティングを行ったサンプルも2つ得た。これを比較例1、2とする。実験は以下の要領で行った。
<紫外線照射条件(実施例)>
紫外線ランプ22には、エキシマランプ(波長172nm)を使用した。照射距離は4mm、照射強度は40mW/cm2、照射時間は10秒とした。処理対象の基板100にはPENフィルムを用いた。紫外線の照射中、吸着手段および加熱手段も動作させた。また、処理室ユニット3のハウジング30内に窒素ガスを流量20L/minで供給した。
紫外線ランプ22には、エキシマランプ(波長172nm)を使用した。照射距離は4mm、照射強度は40mW/cm2、照射時間は10秒とした。処理対象の基板100にはPENフィルムを用いた。紫外線の照射中、吸着手段および加熱手段も動作させた。また、処理室ユニット3のハウジング30内に窒素ガスを流量20L/minで供給した。
<コーティング(実施例、比較例)>
Ag含有高分子導電膜を基板表面に膜圧100nmでスリットコート法により成膜し、風乾5分、60℃のホットプレート上で5分、さらに120℃のオーブン内で5分乾燥した。なお、オーブンの代わりに赤外線ヒータを用いても良い。
Ag含有高分子導電膜を基板表面に膜圧100nmでスリットコート法により成膜し、風乾5分、60℃のホットプレート上で5分、さらに120℃のオーブン内で5分乾燥した。なお、オーブンの代わりに赤外線ヒータを用いても良い。
<密着性テスト>
上記のようにして得た実施例および比較例のサンプルを用いてテープ剥離試験による未着性テストを行った。使用テープは、3M社のスコッチブランドテープコアシリーズ2−0300とした。
上記のようにして得た実施例および比較例のサンプルを用いてテープ剥離試験による未着性テストを行った。使用テープは、3M社のスコッチブランドテープコアシリーズ2−0300とした。
抵抗値測定および密着性テストの結果を表1に示す。密着性テストの結果において、表中の「○」は導電膜の剥離がなかったことを示し、「×」は導電膜の剥離が起こったことを示している。
表1に示すように、本発明の基板処理装置を用いて表面改質を行った実施例のサンプルでは、テープ剥離試験において導電膜の剥離が全く起こらなかったが、未改質の比較例のサンプルではいずれも剥離が起こってしまった。剥離が起こらないことは、基板表面と導電膜との密着性が強固であることを意味する。すなわち、真空紫外線の照射より、基板表面の化学的性質(例えば、親水性など。)が改質されることが確かめられた。
上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1−基板処理装置
2−紫外線照射ユニット
3−処理室ユニット
4−ステージ
5−昇降装置
8−シールリング
9−ヒータ
22−紫外線ランプ
41−ベースプレート
42−中間プレート
43−トッププレート
2−紫外線照射ユニット
3−処理室ユニット
4−ステージ
5−昇降装置
8−シールリング
9−ヒータ
22−紫外線ランプ
41−ベースプレート
42−中間プレート
43−トッププレート
Claims (7)
- ステージ上に基板を載せて紫外線照射装置により基板表面に紫外線を照射することにより前記基板表面を改質する基板処理装置において、
前記基板裏面側からエアを吸引して前記基板をステージ上に固定する吸着手段と、
を備える基板処理装置。 - 前記基板を加熱する加熱手段を備える請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記ステージは、熱源が設置されたベースプレートと、多数の吸気孔が形成されたトッププレートと、前記ベースプレートと前記トッププレートとの間に介装されエア吸引用の気密空間を作るためのシールリングが設けられた中間プレートと、を積層した構造で構成される請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記基板表面に不活性ガスまたはプロセスガスを供給するガス供給装置を備える請求項1〜3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記紫外線が、真空紫外線である請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記ステージに、硬質アルマイト処理が施された請求項1〜5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記ステージを昇降可能に支持する昇降装置を備える請求項1〜6のいずれかに記載の基板処理装置。
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2010
- 2010-12-17 JP JP2010281993A patent/JP2012129471A/ja active Pending
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