JP2012119618A - パワー半導体モジュール - Google Patents
パワー半導体モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012119618A JP2012119618A JP2010270367A JP2010270367A JP2012119618A JP 2012119618 A JP2012119618 A JP 2012119618A JP 2010270367 A JP2010270367 A JP 2010270367A JP 2010270367 A JP2010270367 A JP 2010270367A JP 2012119618 A JP2012119618 A JP 2012119618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power semiconductor
- wiring
- semiconductor module
- interface member
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】パワー半導体モジュール200は、パワー半導体素子18を搭載した、銅板と絶縁板を有する絶縁基板16、前記パワー半導体素子18に接続したピン付プリント基板、前記銅板に接続した接続端子、および、前記絶縁基板16と前記ピン付プリント基板を内部に封入する樹脂封止材を少なくとも備えるパワー半導体ユニット28と、複数の前記パワー半導体ユニット28から突出した前記接続端子を電気的に接続するインターフェイス部材と、を備える。
【選択図】図3
Description
従来のパワー半導体モジュールについて以下に説明する。図11は、従来のパワー半導体モジュールの内部構造を示す要部断面図である。101は放熱用の金属ベース板、102は金属ベース板101の上に搭載してハンダ103で接合したセラミクス基板、104はセラミクス基板102にハンダ105を介しマウントしたパワー半導体素子(IGBTなどのパワーチップ)、106はセラミクス基板と金属ベース板101を収納する樹脂ケース、107は樹脂ケース106内に配置された電極端子である。パワー半導体素子104と電極端子107は、ボンディングワイヤ108で接合されている。樹脂ケース106の側面は、金属ベース板101とセラミクス基板102の上面とともに、パワー半導体素子104を取り囲む空間を形成し、内部に封止材109が充填されている。これにより、パワー半導体素子104、セラミクス基板102、金属ベース板101、電極端子107の相互間の絶縁性が確保されている。
また、特許文献1〜4には従来の他のパワー半導体モジュールが開示されている。
通常、パワー半導体モジュールの電極端子の位置は、顧客(使用者)から指定され、そのニーズにより異なる場合が多い。その結果、既存のパワー半導体モジュールを流用しようとした場合、電気的な特性が満たせていても電極端子の位置が使用者の仕様に合わないため、モジュール全体を新規に設計する必要があった。その結果、その開発期間や部品製作(金型,治工具含む)に膨大なコストがかかっていた。
図1に示すパワー半導体ユニット28aは、半導体素子1つ分の機能を有する1in1と呼ばれる構成を備えており、実施例2以下で説明するインターフェイス部材、すなわちユニット間配線用プリント基板27と結合して本発明のパワー半導体モジュールを構成する。
29はパワー半導体素子に電流を供給する、第1導電板としてのアノード側(P側)配線、30は半導体素子からの電流を流す、第2導電板としてのカソード側(N側)配線であり、それぞれ2in1用パワー半導体ユニット28のコレクタ側接続端子31(23)とエミッタ側接続端子32(22)が接続されている。33,34は外部からの電力供給用接続端子であり、それぞれカソード側(N側)配線30とアノード側(P側)配線29に接続されている。
ユニット間配線用プリント基板27は2層構造となっており、アノード側(P側)配線29は下面側、すなわちパワー半導体ユニット28側に配置されカソード側(N側)配線30は上面側に配置されており、樹脂層43を介して積層されている。このように、アノード側(P側)配線29とカソード側(N側)配線30が近接し対向するように積層され配置されているために、配線インダクタンスが相殺され、電流の脈動によるノイズ、もしくはスイッチング時に生じるスパイクノイズが低減される。
インターフェイス部材を信号配線用と電力供給配線用に分離することにより、各配線幅を拡げることができる。第2実施例のユニット間配線用プリント基板27に比べて、電力供給配線用プリント基板Pは、信号配線にて使用していたスペースまで配線幅を拡げることができるので電気抵抗が低くなり、電流が流れる際のジュール熱を低減できる。
図9に示すパワー半導体モジュール200aは第2実施例のパワー半導体モジュール200の変形例である。パワー半導体モジュール200aは、インターフェイス部材の配線43〜45上に駆動回路51を、配線38〜40上にGMR(巨大磁気抵抗)素子52をそれぞれ備えている。ユニット間配線用プリント基板27に駆動回路51とGMR素子52を搭載する構造により、パワー半導体ユニット28を変更することなく顧客の仕様に応じたパワー半導体モジュール200aを提供することができる。また、GMR素子52を配線38〜40上に搭載することにより、配線38〜40に流れる電流値を測定することができる。GMR素子52は従来同じ目的で用いられているシャント抵抗に比べ小さいので、パワー半導体モジュール200aが小型となる。また、図示していないが、GMR素子をプリント基板21に搭載することによりパワー半導体素子18近傍の温度を測定し、パワー半導体モジュール200aの保護手段として用いることもできる。なお、駆動回路51には保護回路を搭載してもよい。
2、14 第1銅板
3、15 第2銅板
4、16 絶縁基板
5、7、17、19 はんだ
6、18 パワー半導体素子
8、20 接続ピン
9、21 プリント基板
10、23、31 コレクタ側接続端子
11、25 ゲート用接続端子
12、22、32 エミッタ側接続端子
24 出力端子
26 エミッタ信号用端子
27 ユニット間配線用プリント基板
28、28a、28b パワー半導体ユニット
29 アノード側(P側)配線
30 カソード側(N側)配線
33,34 電力供給用接続端子
35、36、37 外部出力端子
38、39、40、43、44、45 配線
41 ゲート信号用端子
42 エミッタ信号端子
46、47 電流経路
48、49 電磁界
200、200a パワー半導体モジュール
R 封止材
P 電力供給配線用プリント基板
S 信号配線用プリント基板
51 駆動回路
52 GMR素子
53 樹脂層
54a,54b ネジ穴
Claims (5)
- パワー半導体素子を搭載した銅板と絶縁板を有する絶縁基板と、前記パワー半導体素子に接続したピン付プリント基板と、前記銅板に接続した接続端子と、前記絶縁基板と前記ピン付プリント基板を内部に封入する樹脂封止材とを少なくとも備えるパワー半導体ユニットと、
複数の前記パワー半導体ユニットから突出した前記接続端子を電気的に接続するインターフェイス部材と、
を備えるパワー半導体モジュール。 - 請求項1に記載のパワー半導体モジュールにおいて、前記インターフェイス部材が、前記パワー半導体ユニットに電流を供給するアノード側(P側)配線と、これに近接配置され、前記パワー半導体ユニットからの電流を流すカソード側(N側)配線とを、少なくとも備えることを特徴とするパワー半導体モジュール。
- 請求項1に記載のパワー半導体モジュールにおいて、前記インターフェイス部材が、プリント基板を用いて構成されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。
- 請求項3に記載のパワー半導体モジュールにおいて、前記インターフェイス部材が、信号配線用プリント基板と電力供給配線用プリント基板からなることを特徴とするパワー半導体モジュール。
- 請求項1に記載のパワー半導体モジュールにおいて、前記インターフェイス部材が、バスバーを用いて構成されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010270367A JP5644440B2 (ja) | 2010-12-03 | 2010-12-03 | パワー半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010270367A JP5644440B2 (ja) | 2010-12-03 | 2010-12-03 | パワー半導体モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012119618A true JP2012119618A (ja) | 2012-06-21 |
JP5644440B2 JP5644440B2 (ja) | 2014-12-24 |
Family
ID=46502102
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010270367A Expired - Fee Related JP5644440B2 (ja) | 2010-12-03 | 2010-12-03 | パワー半導体モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5644440B2 (ja) |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014057004A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Fuji Electric Co Ltd | パワー半導体モジュール |
WO2014061211A1 (ja) | 2012-10-15 | 2014-04-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN103780066A (zh) * | 2014-01-24 | 2014-05-07 | 嘉兴斯达微电子有限公司 | 一种四象限绝缘栅双极性晶体管模块 |
WO2014185050A1 (ja) * | 2013-05-16 | 2014-11-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2015050267A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2015115130A1 (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体装置 |
WO2015125352A1 (ja) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュールおよびパワーユニット |
WO2015159751A1 (ja) * | 2014-04-14 | 2015-10-22 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2015174158A1 (ja) * | 2014-05-15 | 2015-11-19 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュールおよび複合モジュール |
WO2016031462A1 (ja) * | 2014-08-28 | 2016-03-03 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
CN105470223A (zh) * | 2014-09-26 | 2016-04-06 | 富士电机株式会社 | 功率半导体模块装置 |
CN106057744A (zh) * | 2015-04-01 | 2016-10-26 | 富士电机株式会社 | 半导体模块 |
US20160365307A1 (en) * | 2015-06-10 | 2016-12-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2017141407A1 (ja) * | 2016-02-18 | 2017-08-24 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
JP2017168721A (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | アルプス電気株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2018074074A (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JPWO2017187578A1 (ja) * | 2016-04-27 | 2018-07-05 | 三菱電機株式会社 | モータ駆動装置および空気調和機 |
JP2020047658A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール |
JP2020064913A (ja) * | 2018-10-15 | 2020-04-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US10998309B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-05-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor unit, semiconductor module, and semiconductor device having terminal region extending in parallel to the transistors |
CN112993023A (zh) * | 2019-12-17 | 2021-06-18 | 三菱电机株式会社 | 半导体模块以及半导体装置 |
US11289466B2 (en) | 2019-03-19 | 2022-03-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor unit, semiconductor module, and semiconductor device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6634778B2 (ja) | 2015-11-06 | 2020-01-22 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10146066A (ja) * | 1996-11-12 | 1998-05-29 | Hitachi Ltd | インバータ装置 |
JP2003100987A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2006100327A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009064852A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Okutekku:Kk | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2010027814A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
JP2010104135A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Hitachi Ltd | 電力変換装置及び車載用電機システム |
JP2010108955A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2010
- 2010-12-03 JP JP2010270367A patent/JP5644440B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10146066A (ja) * | 1996-11-12 | 1998-05-29 | Hitachi Ltd | インバータ装置 |
JP2003100987A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2006100327A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009064852A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Okutekku:Kk | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2010027814A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
JP2010104135A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Hitachi Ltd | 電力変換装置及び車載用電機システム |
JP2010108955A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014057004A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Fuji Electric Co Ltd | パワー半導体モジュール |
WO2014061211A1 (ja) | 2012-10-15 | 2014-04-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US10070528B2 (en) | 2012-10-15 | 2018-09-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device wiring pattern and connections |
JPWO2014185050A1 (ja) * | 2013-05-16 | 2017-02-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2014185050A1 (ja) * | 2013-05-16 | 2014-11-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US10163868B2 (en) | 2013-05-16 | 2018-12-25 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN105103289A (zh) * | 2013-05-16 | 2015-11-25 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
JP2015050267A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN103780066A (zh) * | 2014-01-24 | 2014-05-07 | 嘉兴斯达微电子有限公司 | 一种四象限绝缘栅双极性晶体管模块 |
WO2015115130A1 (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体装置 |
JPWO2015125352A1 (ja) * | 2014-02-24 | 2017-03-30 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュールおよびパワーユニット |
WO2015125352A1 (ja) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュールおよびパワーユニット |
US9666519B2 (en) | 2014-02-24 | 2017-05-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor module and power unit |
DE112014006397B4 (de) | 2014-02-24 | 2022-11-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Leistungshalbleitermodul und Leistungseinheit |
WO2015159751A1 (ja) * | 2014-04-14 | 2015-10-22 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US10398023B2 (en) | 2014-04-14 | 2019-08-27 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10187973B2 (en) | 2014-04-14 | 2019-01-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
JPWO2015174158A1 (ja) * | 2014-05-15 | 2017-04-20 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュールおよび複合モジュール |
US9761567B2 (en) | 2014-05-15 | 2017-09-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Power semiconductor module and composite module |
WO2015174158A1 (ja) * | 2014-05-15 | 2015-11-19 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュールおよび複合モジュール |
CN105765716A (zh) * | 2014-05-15 | 2016-07-13 | 富士电机株式会社 | 功率半导体模块和复合模块 |
CN105981168A (zh) * | 2014-08-28 | 2016-09-28 | 富士电机株式会社 | 功率半导体模块 |
JPWO2016031462A1 (ja) * | 2014-08-28 | 2017-04-27 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
US10128166B2 (en) | 2014-08-28 | 2018-11-13 | Fuji Electric Co., Ltd. | Power semiconductor module |
WO2016031462A1 (ja) * | 2014-08-28 | 2016-03-03 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
JP2016066761A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-04-28 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュール装置 |
CN105470223A (zh) * | 2014-09-26 | 2016-04-06 | 富士电机株式会社 | 功率半导体模块装置 |
CN106057744B (zh) * | 2015-04-01 | 2020-05-15 | 富士电机株式会社 | 半导体模块 |
CN106057744A (zh) * | 2015-04-01 | 2016-10-26 | 富士电机株式会社 | 半导体模块 |
JP2016195206A (ja) * | 2015-04-01 | 2016-11-17 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール |
US9691692B2 (en) * | 2015-06-10 | 2017-06-27 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
US20160365307A1 (en) * | 2015-06-10 | 2016-12-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2017141407A1 (ja) * | 2016-02-18 | 2017-08-24 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
CN108701689A (zh) * | 2016-02-18 | 2018-10-23 | 三菱电机株式会社 | 功率半导体模块 |
JPWO2017141407A1 (ja) * | 2016-02-18 | 2018-06-28 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
CN108701689B (zh) * | 2016-02-18 | 2021-07-27 | 三菱电机株式会社 | 功率半导体模块 |
JP2017168721A (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | アルプス電気株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JPWO2017187578A1 (ja) * | 2016-04-27 | 2018-07-05 | 三菱電機株式会社 | モータ駆動装置および空気調和機 |
US10749414B2 (en) | 2016-04-27 | 2020-08-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Motor driving device and air conditioner |
CN108022884A (zh) * | 2016-11-02 | 2018-05-11 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
JP2018074074A (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US10998309B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-05-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor unit, semiconductor module, and semiconductor device having terminal region extending in parallel to the transistors |
JP2020047658A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール |
JP7279324B2 (ja) | 2018-09-14 | 2023-05-23 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール |
JP2020064913A (ja) * | 2018-10-15 | 2020-04-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7151361B2 (ja) | 2018-10-15 | 2022-10-12 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US11289466B2 (en) | 2019-03-19 | 2022-03-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor unit, semiconductor module, and semiconductor device |
CN112993023A (zh) * | 2019-12-17 | 2021-06-18 | 三菱电机株式会社 | 半导体模块以及半导体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5644440B2 (ja) | 2014-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5644440B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP5971263B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5954410B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2014061211A1 (ja) | 半導体装置 | |
US10079552B2 (en) | Power conversion device | |
JP5293473B2 (ja) | 半導体パワーモジュール | |
JP6685414B2 (ja) | 電力用半導体モジュール及び電力用半導体装置 | |
JP4640213B2 (ja) | 電力半導体装置及びそれを使用したインバータブリッジモジュール | |
US11101241B2 (en) | Semiconductor device having terminals and semiconductor elements electrically connected to a respective side surface of the terminals | |
JP2015018943A (ja) | パワー半導体モジュールおよびそれを用いた電力変換装置 | |
JP2019186403A (ja) | 半導体装置 | |
JP7428017B2 (ja) | 半導体モジュール | |
WO2022059251A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP4403166B2 (ja) | パワーモジュールおよび電力変換装置 | |
JP2013157346A (ja) | 半導体装置 | |
JP2021158232A (ja) | 半導体モジュール | |
JP5188602B2 (ja) | インバータ | |
JP5704190B2 (ja) | 半導体パワーモジュール | |
JP2019145641A (ja) | 半導体装置 | |
US10978381B2 (en) | Semiconductor device | |
JP7077893B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2020188167A (ja) | 半導体装置 | |
WO2023090072A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP7118204B1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2023013388A1 (ja) | 半導体モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131114 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140610 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140731 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141007 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141020 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5644440 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |