JP2012109886A5 - - Google Patents

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上記従来例の問題点を解決するための本発明は、セラミックパッケージの両面に凹部が設けられ、一方の凹部に水晶片が搭載され、他方の凹部にICチップが搭載されたH型構造の水晶発振器であって、水晶片とICチップとを接続する金属配線が、両凹部を接続するビアホールによって接続され、ビアホールが、水晶片によって覆われる領域で凹部の中央部又は当該中央部付近に形成されていることを特徴としている。 The present invention for solving the problems of the conventional example described above is an H-type crystal in which concave portions are provided on both surfaces of a ceramic package, a crystal piece is mounted in one concave portion, and an IC chip is mounted in the other concave portion. In the oscillator, the metal wiring that connects the crystal piece and the IC chip is connected by a via hole that connects both the concave portions, and the via hole is formed at or near the central portion of the concave portion in the region covered by the crystal piece. It is characterized by having.

また、本発明は、上記水晶発振器において、ビアホールが、水晶片及びICチップに挟まれる領域で凹部の中央部又は当該中央部付近に形成されていることを特徴としている。 According to the present invention, in the crystal oscillator, the via hole is formed at or near the center of the recess in a region sandwiched between the crystal piece and the IC chip.

また、本発明は、上記水晶発振器において、水晶片の一短辺を凹部に固定する2つの水晶保持端子を備え、2つの水晶保持端子から引き出された金属配線が、一旦当該短辺の中央方向に向かって形成され、短辺の中央付近から水晶片に覆われた凹部の中央部又は当該中央部付近に設けられたビアホールに向かって、並行して形成されていることを特徴としている。 In the crystal oscillator, the present invention further includes two crystal holding terminals for fixing one short side of the crystal piece to the recess, and the metal wiring drawn out from the two crystal holding terminals is once in the center direction of the short side. And is formed in parallel from the vicinity of the center of the short side toward the center of the recess covered with the crystal piece or the via hole provided in the vicinity of the center .

本発明によれば、セラミックパッケージの両面に凹部が設けられ、一方の凹部に水晶片が搭載され、他方の凹部にICチップが搭載されたH型構造の水晶発振器であって、水晶片とICチップとを接続する金属配線が、両凹部を接続するビアホールによって接続され、ビアホールが、水晶片によって覆われる領域で凹部の中央部又は当該中央部付近に形成されている水晶発振器としているので、金属配線をセラミックパッケージの周辺部ではなく内側の領域に形成し、また、熱伝導率の高い金属配線を熱伝導率の低いセラミックパッケージと水晶片とで挟んで形成することができ、外部の熱源の影響を抑えて、水晶片とICチップとの温度差を小さくし、安定した出力周波数を得ることができる効果がある。 According to the present invention, there is provided an H-type crystal oscillator in which concave portions are provided on both surfaces of a ceramic package, a crystal piece is mounted on one concave portion, and an IC chip is mounted on the other concave portion. Since the metal wiring connecting the chip is connected by a via hole connecting both concave portions, and the via hole is a crystal oscillator formed in or near the central portion of the concave portion in the region covered by the crystal piece, the metal oscillator Wiring can be formed not on the periphery of the ceramic package but on the inner region, and metal wiring with high thermal conductivity can be formed between the ceramic package with low thermal conductivity and the crystal piece, This has the effect of suppressing the influence, reducing the temperature difference between the crystal piece and the IC chip, and obtaining a stable output frequency.

また、本発明によれば、ビアホールが、水晶片及びICチップに挟まれる領域で凹部の中央部又は当該中央部付近に形成されている上記水晶発振器としているので、更に、金属配線をセラミックパッケージとICチップとで挟んで形成することができ、外部の熱源の影響を一層抑制して、水晶片とICチップとの温度差を小さくし、安定した出力周波数を得ることができる効果がある。 Further, according to the present invention, the via hole is the crystal oscillator formed in the central part of the recess or in the vicinity of the central part in the region sandwiched between the crystal piece and the IC chip. It can be formed by being sandwiched between IC chips, and it is possible to further suppress the influence of an external heat source, reduce the temperature difference between the crystal piece and the IC chip, and obtain a stable output frequency.

また、本発明によれば、水晶片の一短辺を凹部に固定する2つの水晶保持端子を備え、2つの水晶保持端子から引き出された金属配線が、一旦当該短辺の中央方向に向かって形成され、短辺の中央付近から水晶片に覆われた凹部の中央部又は当該中央部付近に設けられたビアホールに向かって、並行して形成されている上記水晶発振器としているので、金属配線をできるだけセラミックパッケージの内側の領域に形成して、外部の熱源の影響を一層抑制して、水晶片とICチップとの温度差を小さくし、安定した出力周波数を得ることができる効果がある。
In addition, according to the present invention, the two crystal holding terminals for fixing one short side of the crystal piece to the concave portion are provided, and the metal wiring drawn from the two crystal holding terminals is temporarily directed toward the center of the short side. Since the crystal oscillator is formed in parallel from the center of the short side toward the center of the recess covered with the crystal piece or the via hole provided in the vicinity of the center , the metal wiring is By forming it as much as possible inside the ceramic package, the effect of an external heat source can be further suppressed, the temperature difference between the crystal piece and the IC chip can be reduced, and a stable output frequency can be obtained.

Claims (4)

セラミックパッケージの両面に凹部が設けられ、一方の凹部に水晶片が搭載され、他方の凹部にICチップが搭載されたH型構造の水晶発振器であって、
前記水晶片と前記ICチップとを接続する金属配線が、前記両凹部を接続するビアホールによって接続され、
前記ビアホールが、前記水晶片によって覆われる領域で凹部の中央部又は当該中央部付近に形成されていることを特徴とする水晶発振器。
A crystal oscillator having an H-type structure in which recesses are provided on both sides of a ceramic package, a crystal piece is mounted on one recess, and an IC chip is mounted on the other recess,
The metal wiring that connects the crystal piece and the IC chip is connected by a via hole that connects the concave portions,
The crystal oscillator according to claim 1, wherein the via hole is formed at or near the center of the recess in a region covered with the crystal piece.
ビアホールが、水晶片及びICチップに挟まれる領域で凹部の中央部又は当該中央部付近に形成されていることを特徴とする請求項1記載の水晶発振器。 2. The crystal oscillator according to claim 1, wherein the via hole is formed in a central portion of the concave portion or in the vicinity of the central portion in a region sandwiched between the crystal piece and the IC chip. 水晶片の一短辺を凹部に固定する2つの水晶保持端子を備え、
前記2つの水晶保持端子から引き出された金属配線が、一旦前記短辺の中央方向に向かって形成され、前記短辺の中央付近から前記水晶片に覆われた前記凹部の中央部又は当該中央部付近に設けられたビアホールに向かって、並行して形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の水晶発振器。
Two crystal holding terminals for fixing one short side of the crystal piece to the recess,
The metal wiring drawn out from the two crystal holding terminals is once formed toward the central direction of the short side, and the central portion of the concave portion or the central portion covered by the crystal piece from near the center of the short side 3. The crystal oscillator according to claim 1, wherein the crystal oscillator is formed in parallel toward a via hole provided in the vicinity .
水晶発振器が温度補償型水晶発振器であることを特徴とする請求項1乃至3記載の水晶発振器。   4. The crystal oscillator according to claim 1, wherein the crystal oscillator is a temperature compensated crystal oscillator.
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JP2004357019A (en) * 2003-05-29 2004-12-16 Seiko Epson Corp Piezo oscillator
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