JP2012099462A - バックライトユニット及びそれを用いたディスプレイ装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】光源の周辺に現れるホットスポット(hot spot)現象を除去し、全体的な光の輝度を均一にすることのできる、バックライトユニットを提供すること。
【達成手段】バックライトユニット及びそれを用いたディスプレイ装置に関するもので、少なくとも一つの光源と、光源の光を反射する反射層と、光源の光出射面に隣接した反射層の一部の領域上に形成され、光源の光の一部を吸収する多数の吸収パターンと、を含むことができる。
【選択図】図1A

Description

実施例は、バックライトユニット及びそれを用いたディスプレイ装置に関するものである。
一般に、代表的な大型ディスプレイ装置としては、LCD(Liquid Crystal Display)、PDP(Plasma Display Panel)などがある。
自発光方式のPDPとは異なって、LCDは、自発的な発光素子の不在のため別途のバックライトユニットが必ず必要である。
LCDに使用されるバックライトユニットは、光源の位置によってエッジ(edge)方式のバックライトユニットと直下方式のバックライトユニットとに区分され、エッジ方式は、LCDパネルの左右側面又は上下側面に光源を配置し、導光板を用いて光を全面に均一に分散させるので、光の均一性が良く、パネル厚さの超薄型化が可能である。
直下方式は、通常20インチ以上のディスプレイに使用される技術であって、パネルの下部に複数の光源を配置するので、エッジ方式に比べて光効率に優れるという長所を有し、高輝度を要求する大型ディスプレイに主に使用される。
既存のエッジ方式や直下方式のバックライトユニットの光源としては、CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)を用いた。
しかし、CCFLを用いたバックライトユニットは、常にCCFLに電源が印加されるので、相当量の電力消耗をもたらし、CRTに比べて約70%水準の色再現率、水銀の添加による環境汚染問題などが短所として指摘されている。
上記の問題点を解消するための代替品として、現在、LED(Light Emitting diode)を用いたバックライトユニットに対する研究が活発に行われている。
LEDをバックライトユニットに使用する場合、LEDアレイの部分的なオン/オフが可能であり、消耗電力を画期的に減少させることができ、RGB LEDの場合、NTSC(National Television System Committee)色再現範囲仕様の100%を上回って、より生々しい画質を消費者に提供することができる。
また、半導体工程で製作されるLEDは、環境に無害であるという特徴を有する。
現在、上記のような長所を有するLEDを採用したLCD製品が続々と発売されているが、既存のCCFL光源と駆動メカニズムが相異するので、駆動ドライバー、PCB基板などが高価である。
したがって、LEDバックライトユニットは、未だに高価のLCD製品のみに適用されている。
実施例は、光源の周辺の反射層上に吸収パターンを形成して光の一部を吸収し、遮光パターンを有する遮光層を用いて光の一部を遮断することによって、光源の周辺に現れるホットスポット(hot spot)現象を除去し、全体的な光の輝度を均一にすることのできる、バックライトユニットを提供することを目的とする。
また、実施例は、導光板に溝を形成して、溝に光源の一部を挿入することによって、厚さの薄いバックライトユニットを提供することを目的とする。
実施例は、少なくとも一つの光源と、光源の光を反射する反射層と、光源の光出射面に隣接した反射層の一部の領域上に形成され、光源の光の一部を吸収する多数の吸収パターンと、を含むことができる。
ここで、吸収パターンは、各光源ごとに一対一対応するように配置されることができ、吸収パターンは、光源から1〜5mm以内に形成されることができる。
そして、吸収パターンの密度は、光源から遠ざかるほど低くなることができる。
吸収パターンは、光源から距離が遠ざかるほど、吸収パターンの大きさが減少し、互いに隣接した吸収パターン間の距離が広くなることができる。
または、吸収パターンは、光源からの距離と関係なく大きさが一定で、光源から距離が遠ざかるほど互いに隣接した吸収パターン間の距離が広くなるか、または、吸収パターンは、光源から距離が遠ざかるほど吸収パターンの大きさが減少し、光源からの距離と関係なく互いに隣接した吸収パターン間の距離は一定であることもできる。
また、各光源に配置される吸収パターンの分布形状は五角形形状であっても良く、吸収パターンは円形、楕円形、多角形状であっても良い。
また、各光源に対応して配置される吸収パターンは、隣接した光源に対応して配置される吸収パターンと一定間隔だけ離隔して配置されることができる。
そして、吸収パターンは、ホワイトインクとブラックインクとの混合物からなることができ、ホワイトインクは、金属、TiO、SiO、CaCO、ZnOのうち少なくともいずれか一つであっても良く、ブラックインクはカーボン系列であっても良い。
ここで、ブラックインクの混合比率は1〜50%であると良い。
そして、光源から発生された光をガイドする導光板と、導光板に接触して支持されるか、または、導光板から一定の空間を有するように離隔して配置されることによって、光源の光の一部を遮断する遮光パターンをさらに含むことができる。
ここで、遮光パターンは、物質が互いに異なる複数層であっても良く、上部層が下部層の面積よりも広くても良く、下部層が上部層よりも反射率が高くても良い。
そして、導光板は、光源の一部または全部を挿入するための少なくとも一つの溝を有することができる。
実施例によると、光源の周辺の反射層上に吸収パターンを形成して光の一部を吸収し、遮光パターンを有する遮光層を用いて光の一部を遮断することによって、光源の周辺に現れるホットスポット現象を除去し、全体的な光の輝度を均一にすることのできる、バックライトユニットを提供することができる。
また、実施例によると、導光板に溝を形成して、溝に光源の一部を挿入することによって、厚さの薄いバックライトユニットを提供することができる。
実施例によるバックライトユニットを示す図である。 実施例によるバックライトユニットを示す図である。 吸収パターンの配置形状を示す平面図である。 吸収パターンの配列状態を示す断面図である。 吸収パターンの配列状態を示す断面図である。 吸収パターンの配列状態を示す断面図である。 遮光パターンの配列を示す断面図である。 遮光パターンの配列を示す断面図である。 遮光パターンの配列を示す断面図である。 複数層の遮光パターンを示す断面図である。 遮光パターンの位置を示す断面図である。 遮光パターンの位置を示す断面図である。 遮光パターンの位置を示す断面図である。 導光板に配置される光源を示す断面図である。 導光板に配置される光源を示す断面図である。 吸収パターンの有無によるバックライトユニットの輝度を示すグラフである。 実施例によるバックライトユニットを有するディスプレイモジュールを示す断面図である。 実施例によるディスプレイ装置を示す図である。 実施例によるディスプレイ装置を示す図である。
以下、各実施例を添付の図面を参照して説明する。
本実施例の説明において、各構成要素の“上または下”に形成されると記載される場合において、上また下は、二つの構成要素が互いに直接接触したり、一つ以上の他の構成要素が前記二つの構成要素の間に配置されて形成されることを全て含む。
また、“上又は下”と表現される場合、一つの構成要素を基準にして上側方向のみならず、下側方向の意味も含むことができる。
図1A及び図1Bは、実施例によるバックライトユニットを示す図であって、図1Aは、エッジ型光学系を有するバックライトユニットであり、図1Bは、直下型光学系を有するバックライトユニットである。
図1A及び図1Bに示すように、バックライトユニット200は、第1の層210、光源220、第2の層230、反射層240、及び多数の吸収パターン260を含むことができる。
ここで、第1の層210上には複数の光源220が形成され、第1の層210上には第2の層230が配置されて複数の光源220を覆うように形成されることができる。
第1の層210は、複数の光源220が実装される基板であっても良く、電源を供給するアダプタ(図示せず)と光源220を連結するための電極パターン(図示せず)が形成されていても良い。
例えば、基板の上面には、光源220とアダプター(図示せず)を連結するための炭素ナノチューブ電極パターン(図示せず)が形成されることができる。
このような第1の層210は、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ガラス、ポリカーボネート(PC)又はシリコン(Si)などからなり、複数の光源220が実装されるPCB(Printed Circuit Board)基板であっても良く、フィルム状に形成されることができる。
光源220は、発光ダイオードチップ、または少なくとも一つの発光ダイオードチップが具備された発光ダイオードパッケージのうち一つであっても良い。
本実施例では、光源220として発光ダイオードパッケージが使用されることを例に挙げて説明する。
光源220を構成するLEDパッケージは、発光面が向かう方向によって、サイドビュー(Side View)方式とトップビュー(Top View)方式とに区分することができ、図1Aの光源220は、発光面が側面に向かって形成されるサイドビュー方式のLEDパッケージであり、図1Bの光源220は、発光面が上側に向かって形成されるトップビュー方式のLEDパッケージである。
本実施例は、サイドビュー方式の光源及びトップビュー方式の光源のうち少なくとも一つを用いて構成することができる。
各実施例のうち、光源220がサイドビュー方式のLEDパッケージである場合、図1Aのように、複数の光源220はそれぞれ発光面が側面に配置されて、側面方向、即ち、第1の層210または反射層240が延長された方向に光を放出することができる。
そして、光源220がトップビュー方式のLEDパッケージである場合、図1Bのように、複数の光源220はそれぞれ発光面が上側面に配置されて、上面方向、即ち、第2の層230の方向に光を放出することができる。
また、光源220は、赤色、青色、緑色などのカラーのうち少なくとも一つのカラーを放出する有色LEDで構成されたり、又は白色LEDで構成されることができる。
そして、有色LEDは、赤色LED、青色LED及び緑色LEDのうち少なくとも一つを含むことができ、このような発光ダイオードの配置及び放出光は多様に変更及び適用可能である。
一方、第1の層210上に配置されて複数の光源220を覆う形態で形成される第2の層230は、光源220から放出される光を透過させると同時に拡散させて、光源220から放出される光が均一にディスプレイパネルに提供されるようにすることができる。
第1の層210上には光源220から放出される光を反射させる反射層240が位置することができる。
反射層240は、第1の層210上の光源220が形成された領域を除外した領域に形成されることができる。
場合によっては、光源220の下部にも反射層240が形成されることもできる。
反射層240は、光源220から放出される光を反射し、第2の層230の境界から全反射される光を再び反射させて、光がより広く拡散されるようにすることができる。
反射層240は、反射物質である金属または金属酸化物のうち少なくとも一つを含むことができ、例えば、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)又は二酸化チタニウム(TiO)のように高い反射率を有する金属又は金属酸化物を含んで構成されることができる。
この場合、反射層240は、金属または金属酸化物を第1の層210上に蒸着又はコーティングして形成することができ、金属インクを印刷して形成することもできる。
ここで、蒸着方法としては、熱蒸着法、蒸発法又はスパッタリング法などの真空蒸着法を使用することができ、コーティング又は印刷方法としては、プリンティング法、グラビアコーティング法又はシルクスクリーン法を使用することができる。
一方、第1の層210上に位置した第2の層230は、光透過性材質、例えば、シリコンまたはアクリル系樹脂からなることができる。
しかし、第2の層230は、前記の物質に限定されず、多様な樹脂(resin)からなることができる。
また、光源220から放出される光が拡散されて、バックライトユニット200が均一な輝度を有するようにするために、第2の層230は、約1.4〜1.6の屈折率を有する樹脂で形成されることができる。
例えば、第2の層230は、ポリエチレンテレフタレート(Polyethylene terephthalate:PET)、ポリカーボネート(Polycarbonate:PC)、ポリプロピレン(Polypropylene:PP)、ポリエチレン(Polyethylene:PE)、ポリスチレン(Polystyrene:PS)、ポリエポキシ(Polyepoxy:PE)、シリコン、アクリルなどからなる群から選択されたいずれか一つの材料で形成されることができる。
そして、第2の層230は、光源220及び反射層240に堅固に密着するように接着性を有する高分子樹脂を含むことができる。
例えば、第2の層230は、不飽和ポリエステル(polyester)、メチルメタクリレート(methyl methacrylate)、エチルメタクリレート(ethyl methacrylate)、イソブチルメタクリレート(isobutyl methacrylate)、n-ブチルメタクリレート(n-butyl methacrylate)、アクリル酸(acrylic acid)、メタクリル酸(methacrylic acid)、ヒドロキシエチルメタクリレート(hydroxyl ethyl methacrylate)、ヒドロキシプロピルメタクリレート(hydroxyl propyl methacrylate)、ヒドロキシエチルアクリレート(hydroxyl ethyl acrylate)、アクリルアミド(acrylamide)、エチルアクリレート(ethyl acrylate)、イソブチルアクリレート(isobutyl acrylate)、n-ブチルアクリレート(n-butyl acrylate)などを含んで構成されることができる。
第2の層230は,液状またはゲル(gel)状の樹脂を複数の光源220及び反射層240が形成された第1の層210上に塗布した後に硬化させることによって形成することができ、または、支持シート上に樹脂を塗布した後に部分硬化して、第1の層210上に接着させて形成することもできる。
第2の層230は、光源から発生された光をガイドする導光板の役割を果たすこともできる。
そして、吸収パターン260は、光源220の光出射面に隣接した反射層240の一部領域上に形成され、光源220の光の一部を吸収する役割を果たすことができる。
ここで、光源220の隣接領域の反射層240上に多数の吸収パターンを形成する理由は、次の通りである。
最近、バックライトユニット200の厚さが漸次的にスリム化される趨勢にあるが、バックライトユニット200の厚さが薄くなるほど光の均一度(uniformity)がさらに悪くなるので、光源220の隣接領域においてホットスポットなどの現象が現れることがある。
したがって、光源220に隣接した反射層240で高い輝度の光の一部を吸収パターン260によって吸収することで、ホットスポット現象を除去できるだけでなく、光の輝度を全体的に均一に維持することができる。
吸収パターン260は、図1Aのように、エッジ型の光学系である場合、光源220の光出射面の方向に位置することができ、図1Bのように、直下型の光学系である場合、光源220の周囲を取り囲むように位置することができる。
また、吸収パターン260は、多数個の光源220が並んで配列される場合、各光源220ごとに一対一に対応するように配置することが好ましい。
図2は、吸収パターンの配置形状を示す平面図である。
図2に示すように、反射層240上に光源220が一列に並んで配列される場合、吸収パターン260は各光源220に対応して、光源220の光出射面の方向に一定間隔d2だけ離隔して配置されることができる。
ここで、間隔d2は約0.1〜1mm程度であり、光源220から出射された光が反射層240に到達することができない領域の距離によって可変されることができる。
したがって、吸収パターン260は光源220から約1〜5mm以内に形成されることもできる。
そして、図2に示すように、各光源220の前に配置される吸収パターン260の分布領域262の形状は五角形形状であると良い。
その理由は、光源220の光が水平方向に拡散されて進行するので、光の進行方向に吸収パターン260を配列することが好ましい。
また、吸収パターン260の分布領域262が広すぎると、光の輝度を低下させることがあるので、吸収パターン260の配列が光源220から遠ざかるほど再び狭くなるように配列することが良い。したがって、吸収パターン260の分布領域262の形状は五角形形状であると良い。
場合によって、吸収パターン260の分布領域262の形状は五角形形状だけでなく、円形、楕円形、多角形など特定の形状に限定されない。
そして、各光源220に対応して配置される吸収パターン260は、隣接した光源に対応して配置される吸収パターン260と一定間隔d1だげ離隔して配置されることが好ましい。
その理由は、前述したように、吸収パターン260の分布領域262が広すぎると、光の輝度を低下させるからである。
また、吸収パターン260の形状は、円形、楕円形、多角形状などのように特定の形状に限定されない。
そして、吸収パターン260の密度は、光源220から遠ざかるほど低くなることが好ましいが、これに限定されない。
その理由は、光源220に隣接した領域が、光源220から遠い領域よりも、反射層から反射される光の輝度が高いからである。
したがって、好ましくは、光源220に隣接した領域に位置する吸収パターン260の個数が、光源220から遠い領域に位置する吸収パターン260の個数よりも多い。
図3A乃至図3Cは、吸収パターンの配列状態を示す断面図である。
図3Aに示すように、吸収パターン260は、光源220から距離が遠ざかるほど、吸収パターン260の大きさW1が減少し、互いに隣接した吸収パターン260間の距離D1が増加するように配列されることができる。
また、図3Bに示すように、吸収パターン260は、光源220からの距離と関係なく大きさW1が一定であり、光源220から距離が遠ざかるほど、互いに隣接した吸収パターン260間の距離D1が増加するように配列されることもできる。
そして、図3Cに示すように、吸収パターン260は、光源220から距離が遠ざかるほど吸収パターン260の大きさW1が減少し、光源220からの距離と関係なく、互いに隣接した吸収パターン260間の距離D1が一定であるように配列されることができる。
このように配列される吸収パターン260は、ホワイトインクとブラックインクとの混合物で製作されることができる。
ここで、ホワイトインクは金属、TiO、SiO、CaCO、ZnOのうち少なくともいずれか一つであっても良く、ブラックインクはカーボン系列の物質を含むことができる。
この時、ホワイトインクとブラックインクの混合物において、ブラックインクの混合比率は約1〜50%であると良く、ブラックインクの混合比率が約3〜15%であっても良い。
その理由は、ブラックインクの混合比率が前記基準値に比べて高すぎると、光源220の隣接領域において暗部が発生することがあり、前記基準値に比べて低すぎると、光源220の隣接領域においてホットスポットが発生することがある。
このように、吸収パターンを有するバックライトユニットにおいて、ホットスポットの現象が減少してはいるが、全体的な輝度の均一度のために、追加的に、遮光パターンをさらに形成することもできる。
ここで、遮光パターンは、光源に隣接した領域から放出される光の輝度を減少させることによって、バックライトユニットから均一な輝度の光が放出されるようにする役割を果たすことができる。
図4A乃至図4Cは、遮光パターンの配列を示す断面図である。
図4A乃至図4Cに示すように、遮光パターン250は、第2の層230に接触されて支持されたり、または第2の層230から一定の空間を有するように離隔して配置されて、光源220の光の一部を遮断することができる。
ここで、遮光パターン250は、単一層であったり、または複数層であっても良い。
そして、遮光パターン250の幅は、光源220の発光面からの距離と関係なく同一であっても良く、光源220の発光面から距離が遠ざかるほど漸次減少しても良い。
また、遮光パターン250の厚さは、光源220の発光面からの距離と関係なく同一であっても良く、光源220の発光面から距離が遠ざかるほど漸次減少しても良い。
また、遮光パターン250は、金属、Al、TiO、SiO、CaCO、ZnOのうち少なくともいずれか一つからなっても良い。
このように、遮光パターン250は、光の輝度を全体的に均一に制御するために、光源220との距離によって遮光パターン250の大きさ及び密度が変わることができる。
図4Aに示すように、遮光パターン250は、光源220から遠ざかるほど遮光パターン250の間隔D2が漸次増加し、光源220からの距離と関係なく、遮光パターン250の大きさW2が一定であることができる。
そして、図4Bに示すように、遮光パターン250は、光源220から遠ざかるほど、遮光パターン250の間隔D2が漸次増加して、遮光パターン250の大きさW2が漸次減少することができる。
また、図4Cに示すように、遮光パターン250は、光源220からの距離と関係なく遮光パターン250の間隔D2が一定で、光源220から遠ざかるほど、遮光パターン250の大きさW2が漸次減少することができる。
このように配列される遮光パターン250は、各領域ごとに互いに異なる光透過率を有する単一層であっても良く、複数層であっても良い。
複数層で形成される遮光パターン250は、各層ごとに物質が互いに異なることができる。
図5は、複数層の遮光パターンを示す断面図である。
図5に示すように、遮光パターン250は、下部層252と、下部層252を覆う上部層254とを含むことができる。
ここで、遮光パターン250は、上部層254が下部層252の面積よりも広く形成されることができる。
また、遮光パターン250は、下部層252が上部層254よりも反射率が高くても良い。
例えば、遮光パターン250の下部層252はAlを含むことができ、上部層254はTiOまたはSiOを含むことができる。
このように、複数層で遮光パターン250を形成する理由は、単一層の遮光パターン250の場合、光を反射させるときに遮光パターン250の周辺部にも光が漏れることがあるため、下部層252の遮光パターン250より反射率が高くない遮光パターン250を上部層254に形成することによって、下部層252の周辺から漏れる光を散乱させて光の輝度を制御することができる。
また、遮光パターン250の総厚さtは、約3〜5μmで形成することが好ましい。
その理由は、厚さが前記基準値以上である場合、光を完全に遮断して暗部が発生することがあり、バックライトユニットの全体的な厚さが厚くなることがあり、厚さが前記基準値以下である場合、光が遮光パターン250を透過しながら光の波長がシフトされて、黄色への色変化が発生することがある。
図6A乃至図6Cは、遮光パターンの位置を示す断面図である。
図6Aに示すように、遮光パターン250は拡散層270の下部に形成されることもできる。
すなわち、遮光パターン250上には光が上部に拡散され得るように、拡散層270が具備され、このとき、拡散層270は遮光パターン250に直接接着されることもでき、付加的な接着部材を用いて接着されることもできる。
ここで、拡散層270は、入射される光を拡散させて、遮光パターン250から出る光が部分的に集中されることを防止して、光の輝度をより均一にすることができる。
また、図6Bのように、遮光パターン250は、光透過性材質の第2の層230から空気またはガスで満ちた所定空間280を有して離隔して形成されることもでき、図6Cのように、遮光パターン250と第2の層230との間に所定のバッファ層290がさらに形成されることもできる。
ここで、バッファ層290は、図6Aの拡散層270であっても良く、第2の層230と屈折率が異なる物質であっても良く、遮光パターン250と第2の層230との間の接着力を向上するための接着剤、または遮光パターン250の遮光パターンの製作時に残っている熱吸収層であっても良い。
図7及び図8は、導光板に配置される光源を示す断面図である。
図7及び図8に示すように、第2の層230が導光板である場合、導光板は光源の一部または全部を挿入するための少なくとも一つの溝310を有することができる。
導光板は、光源220が配置される領域に所定深さの溝310を形成することができる。
また、導光板の溝310内に光源220を挿入するように配置することによって、バックライトユニットの全体的な厚さを減少させることができる。
図7のように、光源220の支持部221の一部が導光板の溝310から一定部分突出されることもでき、図8のように、支持部221を含んだ光源220の全体が導光板の溝310内に完全に挿入されることもできる。
図9は、吸収パターンの有無によるバックライトユニットの輝度を示すグラフである。
図9に示すように、吸収パターンがないバックライトユニットの場合、光源から一定距離による輝度を測定した結果、光源に隣接した領域において光の輝度が高く現れ、一方、吸収パターンが形成されたバックライトユニットの場合、光源に隣接した領域においても光の輝度が一定に現れることが分かる。
したがって、吸収パターンが形成されたバックライトユニットは、光源に隣接した領域においてホットスポット現象が現れないだけでなく、全体的に均一な輝度を提供することができる。
すなわち、光源の周辺の反射層上に吸収パターンを形成して光の一部を吸収することによって、光源の周辺に現れるホットスポット現象を除去し、全体的な光の輝度を均一に提供することができる。
また、実施例は、光源の周辺に複数層の遮光パターンを形成して光の透過率を調整することによって、光源と隣接した領域においての光透過率を低下させ、透過された光の色変化を最小化させることができる。
そして、実施例は、導光板の溝に光源の一部を挿入するように配置することによって、全体的なバックライトユニットの厚さを減少させることができる。
図10は、実施例によるバックライトユニットを有するディスプレイモジュールを示す図である。
図10に示すように、ディスプレイモジュール20はディスプレイパネル100及びバックライトユニット200を含むことができる。
ディスプレイパネル100は、互いに対向し、均一なセルギャップが維持されるように合着されたカラーフィルタ基板110及びTFT(Thin Film Transistor)基板120を含み、前記二つの基板110、120の間に液晶層(図示せず)が介在され得る。
そして、ディスプレイパネル100の上側及び下側には、それぞれ上部偏光板130及び下部偏光板140が配置されることができ、より詳しくは、カラーフィルタ基板110の上面に上部偏光板130が配置され、TFT基板120の下面に下部偏光板140が配置されることができる。
図示していないが、ディスプレイパネル100の側面には、パネル100を駆動させるための駆動信号を生成するゲート及びデータ駆動部が具備され得る。
図11及び図12は、実施例によるディスプレイ装置を示す図である。
図11を参照すると、ディスプレイ装置1は、ディスプレイモジュール20、ディスプレイモジュール20を取り囲むフロントカバー30及びバックカバー35、バックカバー35に具備された駆動部55、及び駆動部55を覆う駆動部カバー40で構成されることができる。
フロントカバー30は、光を透過させる透明な材質の前面パネル(図示せず)を含むことができ、前面パネルは、一定の間隔を置いてディスプレイモジュール20を保護し、ディスプレイモジュール20から放出される光を透過させて、ディスプレイモジュール20で表示される映像が外部から見えるようにする。
バックカバー35は、フロントカバー30と結合してディスプレイモジュール20を保護することができる。
バックカバー35の一面には駆動部55が配置されることができる。
駆動部55は、駆動制御部55a、メインボード55b及び電源供給部55cを含むことができる。
駆動制御部55aは、タイミングコントローラであっても良く、ディスプレイモジュール20の各ドライバーICの動作タイミングを調節する駆動部で、メインボード55bは、タイミングコントローラにVシンク、Hシンク及びR、G、B解像度信号を伝達する駆動部で、電源供給部55cはディスプレイモジュール20に電源を印加する駆動部である。
駆動部55は、バックカバー35に具備されて、駆動部カバー40によって覆われることができる。
バックカバー35には、複数のホールが具備されて、ディスプレイモジュール20と駆動部55が連結されることができ、ディスプレイ装置1を支持するスタンド60が具備されることができる。
一方、図12に示すように、駆動部55の駆動制御部55aはバックカバー35に具備され、メインボード55bと電源ボード55cはスタンド60に具備されることもできる。
そして、駆動部カバー40は、バックカバー35に具備された駆動部55のみを覆うことができる。
本実施例では、メインボード55bと電源ボード55cをそれぞれ別途に構成したが、一つの統合ボードからなることもでき、これに限定されない。
このように、実施例は、光源の周辺の反射層上に吸収パターンを形成して光の一部を吸収することによって、光源の周辺に現れるホットスポット現象を除去し、全体的な光の輝度を均一に提供することができる。
また、実施例は、光源の周辺に複数層の遮光パターンを形成して光の透過率を調整することによって、光源と隣接した領域においての光透過率を低下させ、透過された光の色変化を最小化させることができる。
そして、実施例は、導光板の溝に光源の一部を挿入するように配置することによって、全体的なバックライトユニットの厚さを減少させることができる。
以上では、実施例を中心として説明したが、これは例示的なものに過ぎず、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術思想と範疇を逸脱しない範囲で様々な変形と修正が可能であるということが理解できる。特に、本発明の詳細な説明、図面及び添付の請求項の範囲内で構成要素及び/又はその組み合わせの様々な変形及び修正が可能である。これら構成要素及び/またはその組み合わせの様々な変形及び修正に加えて、その他の利用が当業者には明らかである。

Claims (22)

  1. 少なくとも一つの光源と、
    前記光源の光を反射する反射層と、
    前記光源の光出射面に隣接した前記反射層の一部の領域上に形成され、前記光源の光の一部を吸収する多数の吸収パターンと、を含むバックライトユニット。
  2. 前記吸収パターンは、前記各光源ごとに一対一対応するように配置される、請求項1に記載のバックライトユニット
  3. 前記吸収パターンは、前記光源から1〜5mm以内に形成される、請求項1に記載のバックライトユニット。
  4. 前記吸収パターンの密度は、前記光源から遠ざかるほど低くなる、請求項1に記載のバックライトユニット。
  5. 前記吸収パターンは、前記光源から距離が遠ざかるほど、前記吸収パターンの大きさが減少し、前記互いに隣接した吸収パターン間の距離が広くなる、請求項1〜4のうちいずれか1項に記載のバックライトユニット。
  6. 前記吸収パターンは、 前記光源から距離が遠ざかるほど、 前記吸収パターンの大きさが一定で、 前記互いに隣接した吸収パターン間の距離が広くなる、請求項1〜4のうちいずれか1項に記載のバックライトユニット。
  7. 前記吸収パターンは、前記光源から距離が遠ざかるほど前記吸収パターンの大きさが減少し、 、前記互いに隣接した吸収パターン間の距離は一定である、請求項1〜4のうちいずれか1項に記載のバックライトユニット。
  8. 前記各光源に配置される吸収パターンの分布形状は五角形形状である、請求項1に記載のバックライトユニット。
  9. 前記各光源に対応して配置される吸収パターンは、隣接した光源に対応して配置される吸収パターンと一定間隔だけ離隔して配置される、請求項1に記載のバックライトユニット。
  10. 前記吸収パターンは、ホワイトインクとブラックインクとの混合物である、請求項1に記載のバックライトユニット。
  11. 前記ホワイトインクは、金属、TiO、SiO、CaCO、ZnOのうち少なくともいずれか一つであり、前記ブラックインクはカーボン系列である、請求項10に記載のバックライトユニット。
  12. 前記ブラックインクの混合比率は1〜50%である、請求項10に記載のバックライトユニット。
  13. 前記光源から発生された光をガイドする導光板と、
    前記導光板に接触して支持されるか、または、前記導光板から一定の空間を有するように離隔して配置されることにより、前記光源の光の一部を遮断する遮光パターンをさらに含む、請求項1に記載のバックライトユニット。
  14. 前記導光板と遮光パターンとの間にはバッファ層が形成される、請求項13に記載のバックライトユニット。
  15. 前記遮光パターンは、物質が互いに異なる複数層である、請求項13に記載のバックライトユニット。
  16. 前記遮光パターンは、上部層が下部層の面積よりも広い、請求項15に記載のバックライトユニット。
  17. 前記遮光パターンは、下部層が上部層よりも反射率が高い、請求項15に記載のバックライトユニット。
  18. 前記遮光パターンの下部層はAlからなり、上部層はTiOまたはSiOである、請求項15に記載のバックライトユニット。
  19. 前記遮光パターンの総厚さは、3〜5μmである、請求項15に記載のバックライトユニット。
  20. 前記遮光パターンの密度は、前記光源から遠ざかるほど低くなる、請求項13〜19のうちいずれか1項に記載のバックライトユニット。
  21. 前記導光板は、前記光源の一部または全部を挿入するための少なくとも一つの溝を有する、請求項13に記載のバックライトユニット。
  22. ディスプレイパネルと、
    前記ディスプレイパネルに光を照射するバックライトユニットと、を含み、
    前記バックライトユニットは、請求項1〜21に記載のバックライトユニットのうちいずれか一つのバックライトユニットを用いたディスプレイ装置。
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