JP2012095112A - 超音波発生ユニット - Google Patents
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Abstract
【課題】平板状の波面を有する超音波を射出できる超音波発生ユニットを提供する。
【解決手段】cMUT100において、基板110上に、円板形状の下部電極122を有する底面部120が形成され、その上には中空の円筒形状をした支持部130が形成されている。支持部130上には、輪帯形状をした上部電極142と、上部電極142の中心軸C側に形成された非導電性の振動質量部144とを含む上面部140が形成されている。下部電極122と上部電極142との間に交流電圧を印加すると、それら電極が対向する部分に静電吸引力が作用する。一方、振動質量部144は、他の部分よりも剛性が高く変形しにくい。その結果、上面部140は、上部電極142を含む周辺部分が湾曲し、振動質量部144を含む中心部分は平板形状を維持したまま振動する。したがって、cMUT100は、その波面が平板状であり、指向性が良い超音波を射出できる。
【選択図】図1
【解決手段】cMUT100において、基板110上に、円板形状の下部電極122を有する底面部120が形成され、その上には中空の円筒形状をした支持部130が形成されている。支持部130上には、輪帯形状をした上部電極142と、上部電極142の中心軸C側に形成された非導電性の振動質量部144とを含む上面部140が形成されている。下部電極122と上部電極142との間に交流電圧を印加すると、それら電極が対向する部分に静電吸引力が作用する。一方、振動質量部144は、他の部分よりも剛性が高く変形しにくい。その結果、上面部140は、上部電極142を含む周辺部分が湾曲し、振動質量部144を含む中心部分は平板形状を維持したまま振動する。したがって、cMUT100は、その波面が平板状であり、指向性が良い超音波を射出できる。
【選択図】図1
Description
本発明は、超音波発生ユニット、特に静電容量型超音波発生ユニットに関する。
近年、超音波素子として、静電容量型の超音波発生ユニット(capasitive Micromachined Ultrasonic Transducers;cMUT)が注目を集めている。一般に、cMUTは、基板上に配置された下部電極、下部電極と対向する薄膜内に配置された上部電極、及び下部電極と上部電極との間に位置する空洞部を有する。下部電極と上部電極との間に電圧を印加すると、当該電極間に静電吸引力が働く。したがって、下部電極と上部電極との間に交流電圧を印加すると、当該電極間に働く静電吸引力が変化し、前記薄膜が振動する。この振動により、cMUTは超音波を射出する。
例えば、特許文献1には、上部電極及び下部電極のうち少なくとも一方が、複数の電極要素を含み、超音波エネルギを効率的に送信及び受信することができるcMUTに係る技術が開示されている。特許文献1に係るcMUTでは、上部電極及び下部電極のうち少なくとも一方の電極が複数の要素に分割されていることで、上部電極と下部電極との接触による当該cMUTの破損を防止している。
一般にcMUTでは、前記薄膜を1次振動モードで振動させる。1次振動モードでは、一般に振動する薄膜の中央部分の変位が最も大きい。したがって、薄膜は、静止状態の平板形状から、凸形状や凹形状の曲面形状に変形して振動する。このため、薄膜が平板形状から凸形状に変形するときには、当該cMUTを中心に拡散する超音波の音場が形成され、薄膜が平板形状から凹形状に変形するときには、当該cMUTから集束する超音波の音場が形成される。その結果、超音波の進行方向に対して拡散も集束もしない平行な音場が形成される場合に比較して、薄膜が凸形状や凹形状に湾曲して振動するcMUTでは、射出する超音波の指向性が低下し、音圧も低下する。
そこで本発明は、指向性が高い超音波を射出できる超音波発生ユニットを提供することを目的とする。
前記目的を果たすため、本発明の超音波発生ユニットの一態様は、基板上に位置する底面部と、前記底面部と間隙を有して対向する上面部と、支持部とを具備し、前記底面部は第1の電極を有し、前記上面部は第2の電極を有すると共に、中心領域と該中心領域の周囲に位置する周辺領域とを含み、前記支持部は前記底面部及び前記上面部と接し、これにより前記間隙の一部に空隙部が形成され、前記上面部側から前記下面部を見たときに、前記第2の電極の少なくとも一部は前記空隙部の一部と重なるように位置し、前記周辺領域は中心領域よりも剛性が低いことを特徴とする。
また、前記目的を果たすため、本発明の超音波発生ユニットの別の一態様は、基板上に位置する底面部と、前記底面部と間隙を有して対向する上面部と、支持部とを具備し、前記底面部は第1の電極を有し、前記上面部は第2の電極を有すると共に、前記底面部と間隙を有して対向し、前記支持部は前記底面部及び前記上面部と接し、これにより前記間隙の一部に空隙部が形成され、前記第1の電極と前記第2の電極のうち少なくとも一方は内側端と外側端を有し、前記上面部側から前記下面部を見たときに、前記内側端は前記空隙部と重なるように位置し、前記第2の電極の外周端の全ては前記支持部と重なるように位置する、ことを特徴とする。
本発明によれば、振動面の中心部が湾曲しにくいので、指向性が高い超音波を射出できる超音波発生ユニットを提供できる。
[第1の実施形態]
まず、本発明の第1の実施形態について図面を参照して説明する。本実施形態に係る静電容量型の超音波発生ユニットである、capasitive Micromachined Ultrasonic Transducers(cMUT)100の構成の概略を図1に示す。図1(a)は、当該cMUT100から射出される超音波の進行方向から見たcMUT100の上面図を、図1(b)は、その側面から見た断面図を、それぞれ模式的に示す。
まず、本発明の第1の実施形態について図面を参照して説明する。本実施形態に係る静電容量型の超音波発生ユニットである、capasitive Micromachined Ultrasonic Transducers(cMUT)100の構成の概略を図1に示す。図1(a)は、当該cMUT100から射出される超音波の進行方向から見たcMUT100の上面図を、図1(b)は、その側面から見た断面図を、それぞれ模式的に示す。
この図に示すように、本実施形態に係るcMUT100において、基板110上には、例えば円板形状の底面部120が位置している。基板110と底面部120は一体で形成されていても、別体で形成されていてもよい。この底面部120の円板の中心を通り、基板110の上面と垂直な方向の軸を、中心軸Cと定義する。更に、中心軸C側を内側、中心軸Cから離れる側を外側と定義する。底面部120は、例えば円板形状の下部電極122を有する。下部電極122の円形の中心は、中心軸Cと一致している。底面部120上には、中空の円筒形状を有する支持部130が形成されている。支持部130の内側の側面で形成される円筒の中心軸と、外側の側面で形成される円筒の中心軸とは、ともに中心軸Cと一致している。
支持部130上には、円板形状の上面部140が形成されている。上面部140の円形の中心も、中心軸Cと一致している。上面部140は、上部電極142と、振動質量部144とを含む。上部電極142は、輪帯形状をしている。輪帯形状をした上部電極142の、中心側の縁を内側端、外周側の縁を外側端と称する。本実施形態に係る上部電極142の内側端と外側端とは、ともに円形をしている。内側端の円の中心と、外側端の円の中心とは、中心軸Cと一致している。振動質量部144は、上部電極142の内側端よりも内側に形成されている。振動質量部144も円板形状をしており、その中心を中心軸Cと一致させている。ここで振動質量部144は、非導電性である。上記の構成により、cMUT100は、底面部120と、支持部130と、上面部140とに囲まれた、円柱形状をした空間であるキャビティ150を有する。キャビティ150は真空である。
本実施形態に係るcMUT100において、下部電極122の直径(図1(a)のD1)は、キャビティ150の直径(図1(a)のD2)よりも大きい。また、上部電極142の外側端の直径は、キャビティ150の直径よりも大きい。また、上部電極142の内側端の直径は、キャビティ150の直径よりも小さい。更に、上部電極142の内側端と外側端との中点を結んだ線を幅中心Cw1と称すると、当該幅中心Cw1が描く円の直径は、キャビティ150の直径よりも小さい。
即ち、基板110の法線方向から見て(上面部140側から下面部120を見たときに、)上部電極142は、キャビティ150の一部と重なるように位置する。また、基板110の法線方向から見て、上部電極142の外側端は、支持部130と重なるように位置し、内側端は、キャビティ150と重なるように位置する。したがって、上部電極142は、基板110の法線方向から見て支持部130と重なるように位置する外側端と、基板110の法線方向から見て支持部130と重なるように位置する内側端とを、端部として有する。また、上部電極142の内側端と外側端との中点を結んだ線である幅中心Cw1は、基板110の法線方向から見てキャビティ150と重なるように位置する。
また、本実施形態に係るcMUT100において、振動質量部144のヤング率は、上面部140のその他の部分のヤング率よりも大きい。更に、振動質量部144の比重は、上面部140のその他の部分の比重よりも大きい。ここで、上部電極142は、例えばアルミニウムで形成されており、振動質量部144は、例えばSiO2で形成されており、上面部140のその他の部分は、例えばSiNで形成されている。
なお、本実施形態において、振動質量部144は、上部電極142の内側端よりも内側に形成されているとしたが、振動質量部の外周縁は、上部電極142の内側端よりも外側に形成されていても良い。即ち、超音波の射出方向から見て、上部電極142と振動質量部144とは重なり合う位置に配置されていても良い。
このように、例えば下部電極122は、第1の電極として機能し、例えば底面部120は、底面部として機能し、例えば上部電極142は、第2の電極として機能し、例えば上面部140は、上面部として機能し、例えば振動質量部144の領域は、中心領域として機能し、例えば振動質量部144以外の上部電極142を含む上面部140の領域は、周辺領域として機能し、例えば支持部130は、支持部として機能し、例えばキャビティ150は、空隙部として機能する。
次に、本実施形態に係るcMUT100の動作を説明する。下部電極122と上部電極142との間に電圧を印加すると、互いに対向する下部電極122と上部電極142との間に静電吸引力が働く。ここで、基板110は十分に硬く、下部電極122及びそれを含む底面部120は殆んど変形しない。一方、上部電極142を含む上面部140は変形しやすい。したがって、前記静電吸引力が働くと、上部電極142を含む上面部140が変形する。下部電極122と上部電極142との間に印加する電圧を交流にすると、電圧の変化に伴って下部電極122と上部電極142との間に働く静電吸引力が変化し、上面部140は振動する。この上面部140の振動によって、当該cMUT100は、超音波を発生する。一般に、振動する上面部140は、「メンブレン」又は「振動膜」等とも呼ばれる。また、底面部120、支持部130、上面部140、キャビティ150等を含む部分は、まとめて「セル」と呼ばれることもある。
なお、下部電極122及び上部電極142に印加する電圧の極性は問わない。何れの電極に正の電位を印加しても負の電位を印加しても、対向する下部電極122と上部電極142との間に電位差があれば、当該下部電極122と上部電極142との間には、引力である静電吸引力が働く。異極性同士の電荷の静電吸引力F(N)は、次式(1)で定義される。
ここで、Aは電極の面積(m2)、Vは印加電圧(V)、lは電極間の距離(m)、ε0は真空誘電率、εsは、媒質の誘電比率である。
cMUT100の上面部140を効率的に振動させるため、下部電極122と上部電極142との間には、DCバイアス電圧が印加されている。DCバイアス電圧が印加されると、上面部140は、底面部120側に変位する。この上面部140の変位によって、cMUT100には、エネルギが蓄えられる。ここで、下部電極122と上部電極142との間のDCバイアス電圧にパルス電圧を重畳させると、上面部140は、DCバイアス電圧によって蓄えられたエネルギも開放するように、大きく振動する。
ここで例として、本実施形態に係るcMUT100の上面部140に、1次振動モードを励起させた場合の様子を、図2を参照して説明する。本実施形態では、図2の最上段に示すように、下部電極122と上部電極142との間に、+50VのDCバイアス電圧を印加し、そこに振幅が50Vであるサイン波状のACパルス波(駆動電圧)を1波重畳させている。このときの上面部140の変位を図2の中段に、発生する音圧を図2の下段に、それぞれ記載する。
駆動電圧を印加する直前である時刻t1において、上面部140は、DCバイアス電圧が印加された状態、即ち前記のとおり上面部140が底面部120側に変位した状態で静止している。このとき、音圧は0である。この状態からACパルス波を印加すると、その後、上面部140は、更に底面部120側に変位する。駆動電圧が極大値を取る時刻t2において、上面部140の変位速度が最大になる。上面部140の変位速度が最大になる時刻t2において、音圧は一度正の極大値を示す。メンブレンが最もマイナス側に変位する時刻である時刻t3からやや遅れた時刻t4において、最大負圧が得られる。駆動電圧が極小値となる0Vをとる時刻t5において、上面部140は、初期位置よりも上方に持ち上がった位置まで変位する。t5からやや遅れた時刻t6において、最大正圧が得られる。
次に、上面部140の変形について図3を参照して更に説明する。下部電極122と上部電極142との間に電圧が印加されたとき、輪帯形状をした上部電極142の幅中心Cw1に、最も強い静電吸引力が作用する。一方、上部電極142の内側端よりも内側の、電極が形成されていない部分は、導電性を有さないため、その部分には、静電吸引力が作用しない。また、振動質量部144は、上面部140の他の部分よりもヤング率が大きい。このため、振動質量部144の部分は、上面部140の他の部分よりも、剛性が高く変形しにくい。
以上によって、下部電極122と上部電極142との間にDCバイアス電圧を印加すると、また、このDCバイアス電圧に更に電圧を重畳させると、cMUT100の上面部140は、図3(a)に示すように変形する。即ち、上部電極142を含む部分が、底面部120の方向へ湾曲し、湾曲等の変形をしにくい振動質量部144を含む中心部分は、平板形状を維持したまま、底面部120の方向へ変位する。
その後、下部電極122と上部電極142との間に印加する電圧を小さくすると、上面部140は、元の形状に戻ろうとし、慣性力で図3(b)のように底面部120と反対の方向へ変位する。このときも、振動質量部144を含む中心部分は、平板形状を維持している。したがって、図3(a)及び(b)に示すように変形することで生じる超音波は、振動質量部144が形成する平板と平行な、平板状の波面を有し、当該平板の法線方向に進行する。
比較のため、仮に上面部140が、振動質量部144を有さず上面部140が一様の剛性を有し、円板形状の上部電極142を含む第1の比較例の場合を考える。このような第1の比較例では、図4(a)に示すように、上部電極142は、中心軸Cの部分において最も強い静電吸引力を受け、上面部140は、中心軸Cの部分が最も底面部120の方向へ変位し、全体として湾曲する。また、下部電極122と上部電極142との間に印加する電圧を小さくすると、上面部140は、元の形状に戻ろうとし、慣性力で図4(b)のように底面部120と反対の方向へ変位する。このとき、上面部140は、中心軸Cの部分が最も底面部120から遠い位置へ変位し、全体として湾曲する。図4(a)及び(b)に示す形状に変化することで生じる超音波は、上面部140の法線方向に進行する。したがって、当該第1の比較例に係るcMUTが射出する超音波は、その波面を凸曲面や凹曲面にし、拡散したり集束したりする。なお、振動質量部144を有さず、上部電極142が上面部140の一面に形成されているcMUTについては、例えば、特許第4370120号公報を参照されたい。
このように、本実施形態に係るcMUT100では、振動質量部144の存在により、平板状(あるいは略平板状)の波面を有する超音波を射出することができる。この平板状の波面は拡散あるいは収束することなく、振動質量部144の上面の法線方向に沿って進行する(波面は法線方向と直交している)。そのため、本実施形態に係るcMUT100では、指向性が高い超音波を発生させることができる。即ち、本構成は、発生させる超音波の指向性を向上させ、発生する音圧の低下を抑制する。
なお、射出する超音波が十分広い平板状の波面を有するように、振動質量部144の直径は、十分に大きいことが好ましい。また、超音波を発生させるために振動する振動質量部144の比重が上面部140のその他の部分の比重よりも大きいことは、振動する部分の質量を増加させる働きを有する。その結果、振動する部分の運動エネルギは大きくなり、当該cMUT100が発生する超音波の出力は大きくなる。
本実施形態では、上部電極142の外側端の直径は、キャビティ150の直径よりも大きい。比較のため、上部電極142の外側端が、キャビティ150の外周よりも中心軸C側にある第2の比較例の場合を考える。このような第2の比較例では、輪帯形状をした上部電極142の幅中心Cw1に最も強い静電吸引力が作用するため、上部電極142の幅中心Cw1の部分が最も変位する。その結果、図5に示すように、当該第2の比較例の上面部140は、うねった形状となる。しかしながら、この場合でも、振動質量部144は、前記の通り、平板形状を維持して平行に変位するので、発生する超音波は、その波面を平板状にし、当該平板の法線方向に平行に進行し、指向性は高い。即ち、第2の比較例のような構成でも、本発明の課題は解決される。
なお、第2の比較例では、図3を参照して説明した本実施形態の場合と比較して、振動質量部144の変位は、小さくなる。したがって、第2の比較例に係るcMUTが射出する超音波の出力は、本実施形態に係るcMUT100が射出する超音波の出力よりも小さくなる。第2の比較例に係るcMUTは、本実施形態に係るcMUT100よりも、超音波の出力が小さくても良いような場合に適している。
本実施形態では、上部電極142の外側端の直径は、キャビティ150の直径よりも大きい。前記した第2の比較例との比較から分かるように、本実施形態に係るcMUT100では、上部電極142が、支持部130とキャビティ150との境界を支点として変形するため、上面部140は、第2の比較例の場合よりも振幅が大きくなる。即ち、本実施形態に係るcMUT100の構成、特にキャビティ150と上部電極142との位置関係は、振動質量部144の変位を大きくし、強い超音波を射出することに寄与する。したがって、上部電極142の外側端の直径は、キャビティ150の直径よりも大きいことが好ましい。
[第1の実施形態の第1の変形例]
次に、本発明の第1の実施形態の第1の変形例について説明する。ここで本変形例の説明では、第1の実施形態との相違点に限定して説明し、同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。本変形例では、上面部140の中心部分の剛性を高めるため、当該中心部分を他の部分より厚くしている。
次に、本発明の第1の実施形態の第1の変形例について説明する。ここで本変形例の説明では、第1の実施形態との相違点に限定して説明し、同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。本変形例では、上面部140の中心部分の剛性を高めるため、当該中心部分を他の部分より厚くしている。
図6(a)は、本変形例に係るcMUT100の、照射される超音波の進行方向から見た上面図を、図6(b)は、その側面から見た断面図を、それぞれ模式的に示す。本変形例に係るcMUTは、第1の実施形態における振動質量部144を、振動質量部146に置換したものである。ここで、振動質量部146は、上面部140の他の部分と同一のヤング率を有する物質でできており、上面部140の他の部分よりも厚みが大きい。振動質量部146の部分は、上面部140の他の部分よりも、厚みが大きいため剛性が高く変形しにくい。本変形例に係るcMUT100の振動質量部146以外の構成は、第1の実施形態の場合と同様である。
以上のように、振動質量部146は、上面部140の他の部分よりも変形しにくい。このため、下部電極122と上部電極142との間に交流電圧を印加すると、振動質量部146は、平板形状を維持したまま振動する。したがって、本変形例によるcMUT100も、第1の実施形態に係るcMUT100と同様に、その波面が平板状であり、当該平板の法線方向に平行に進行し、指向性が高い、超音波を射出することができる。
[第1の実施形態の第2の変形例]
次に、本発明の第1の実施形態の第2の変形例について説明する。ここで本変形例の説明では、第1の実施形態との相違点に限定して説明し、同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。本変形例に係るcMUT100は、第1の実施形態に係るcMUT100と外形が異なり、また、上部電極142及び振動質量部144等の形状が異なる。
次に、本発明の第1の実施形態の第2の変形例について説明する。ここで本変形例の説明では、第1の実施形態との相違点に限定して説明し、同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。本変形例に係るcMUT100は、第1の実施形態に係るcMUT100と外形が異なり、また、上部電極142及び振動質量部144等の形状が異なる。
図7(a)は、本変形例に係るcMUT100の、照射される超音波の進行方向から見た上面図を、図7(b)は、その側面から見た断面図を、それぞれ模式的に示す。本変形例に係るcMUTは、超音波の進行方向から見て四角形状をしている。本変形例において、振動質量部144は四角形の板状である。上部電極142は、図7(a)に示すように、台形形状をした電極が4つ寄せ集められた構成を有している。各台形形状をした電極の、平行な辺のうち短い方の辺は、上部電極142側に位置しており、長い方の辺は、支持部130側に位置している。台形形状をした電極の平行でない辺は、隣り合う辺と間隙を有して対向している。したがって、上部電極142全体では、図7(a)に示すように、概ね四角形状をした内側端と外側端とを有する形状をしており、内側端側で、振動質量部144の端部を支えるように構成されている。そして、概ね四角形状をした上部電極142の対角線に相当する部分には、スリットが入っている。なお、このスリットに相当する部分は、上面部140の変位を大きくすることに寄与する。また、当該cMUTから照射される超音波の進行方向から見た下部電極122やキャビティ150の形状も、四角形である。
このような構成を有する本変形例によっても、第1の実施形態と同様に、振動質量部144は、上面部140の他の部分よりも変形しにくい。このため、当該cMUT100は、その波面が平板状であり、当該平板の法線方向に平行に進行し、指向性が高い、超音波を射出することができる。
なお、図7を参照して説明した本変形例において、超音波の射出方向、即ち基板110の法線方向から見て、上部電極142と振動質量部144とは、重なり合う位置に配置されているが、重ならなくてもよい。例えば、第1の実施形態と同様に、上部電極142の内側端よりも内側に、振動質量部144が配置されていてもよい。この場合も第1の実施形態や本変形例と同様に機能する。
更に、別の変形例に係るcMUT100の一例の上面図を図8に示す。この例において、cMUT及び各部の形状は、図8に示すように、射出する超音波の進行方向から見て六角形状である。この場合も前述の変形例や、第1の実施形態に係るcMUT100と同様に動作し、同様に機能する。
また、四角形や六角形に限らず、三角形や八角形その他の形状でもよく、また、上部電極142は、その一部にスリットが入った形状でもよい。上記何れの場合も、第1の実施形態の場合と同様の効果が得られる。
また、四角形や六角形に限らず、三角形や八角形その他の形状でもよく、また、上部電極142は、その一部にスリットが入った形状でもよい。上記何れの場合も、第1の実施形態の場合と同様の効果が得られる。
[第2の実施形態]
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。ここで本実施形態の説明では、第1の実施形態との相違点に限定して説明し、同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。本実施形態に係るcMUT100の構成の概略を図9に示す。図9(a)は、当該cMUT100から照射される超音波の進行方向から見たcMUT100の上面図を、図9(b)は、その側面から見た断面図を、それぞれ模式的に示す。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。ここで本実施形態の説明では、第1の実施形態との相違点に限定して説明し、同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。本実施形態に係るcMUT100の構成の概略を図9に示す。図9(a)は、当該cMUT100から照射される超音波の進行方向から見たcMUT100の上面図を、図9(b)は、その側面から見た断面図を、それぞれ模式的に示す。
本実施形態に係るcMUT100は、第1の実施形態における輪帯形状の上部電極142を、円板形状の上部電極242に置換したものである。ここで、上部電極242は、上面部140の中心部分に位置し、超音波の進行方向、即ち基板110の法線方向から見て、振動質量部144と重なる位置に配置されている。本実施形態においても、上部電極242は、基板110の法線方向から見てキャビティ150の一部と重なるように位置している。
下部電極122と上部電極242との間に、電圧を印加すると、下部電極122と上部電極242とが対向する部分で、静電吸引力が発生する。振動質量部144は、上面部140の他の部分よりもヤング率が大きいため、他の部分よりも変形しにくい。その結果、cMUT100の上面部140は、図3を参照して説明した第1の実施形態に係るcMUT100と同様に変形する。即ち、ヤング率が高く湾曲などの変形をしにくい振動質量部144を含む中心部分は、平板形状を維持し、ヤング率が低く変形しやすい周辺部分が湾曲し、上面部140は振動する。
したがって、下部電極122と上部電極242との間に交流電圧を印加したとき、本実施形態に係るcMUT100は、その波面が平板状であり、当該平板の法線方向に平行に進行し、指向性が高い、超音波を射出することができる。
なお、図9においては、上部電極242の大きさは、振動質量部144の大きさと一致しており、上部電極242の位置も振動質量部144の位置と一致している。しかしながら、上部電極242は、振動質量部144よりも大きくても小さくても良い。また、上部電極242と振動質量部144との位置も、基板の法線方向から見て一致していなくてもよい。
[第3の実施形態]
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。ここで本実施形態の説明では、第1の実施形態との相違点に限定して説明する。本実施形態に係るcMUT300の構成の概略を図10に示す。図10(a)は、当該cMUT300から照射される超音波の進行方向から見たcMUT300の上面図を、図10(b)は、その側面から見た断面図を、それぞれ模式的に示す。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。ここで本実施形態の説明では、第1の実施形態との相違点に限定して説明する。本実施形態に係るcMUT300の構成の概略を図10に示す。図10(a)は、当該cMUT300から照射される超音波の進行方向から見たcMUT300の上面図を、図10(b)は、その側面から見た断面図を、それぞれ模式的に示す。
この図に示すように、本実施形態に係るcMUT300において、基板310上には、円板形状の底面部320が形成されている。この底面部320の円板の中心を通り、円板と垂直な方向の軸を、中心軸Cと定義する。この底面部320は、例えば輪帯形状の下部電極322を有する。輪帯形状をした下部電極322の、中心側の縁を内側端、外周側の縁を外側端と称する。本実施形態に係る下部電極322の内側端と外側端とは、円形をしている。内側端の円の中心と、外側端の円の中心とは、中心軸Cと一致している。
底面部320上には、中空の円筒形状を有する支持部330が形成されている。ここで、支持部330の内側の側面の中心軸と外側の側面の中心軸とは、中心軸Cと一致している。支持部330上には、円板形状の上面部340が形成されている。この上面部340は、円板形状の上部電極342を有する。上面部340及び上部電極342の円形の中心も、中心軸Cと一致している。このように、cMUT300は、底面部320と、支持部330と、上面部340とに囲まれた円柱形状の空間であるキャビティ350を有する。キャビティ350は、真空である。
本実施形態に係るcMUT300において、下部電極322の外側端の直径は、キャビティ350の直径よりも大きい。また、下部電極322の内側端の直径は、キャビティ350の直径よりも小さい。更に、下部電極322の内側端と外側端との中点を結んだ線を幅中心Cw3と称すると、当該幅中心Cw3が描く円の直径は、キャビティ350の直径よりも小さい。また、上部電極342の直径は、キャビティ350の直径よりも大きい。
即ち、基板310の法線方向から見て、下部電極322の内側端は、キャビティ350と重なるように位置し、下部電極322の外側端は、支持部330と重なるように位置し、幅中心Cw3が描く円は、キャビティ350と重なるように位置している。また、基板310の法線方向から見て上部電極342の外周部は、支持部330と重なるように位置している。
このように、例えば下部電極322は、第1の電極として機能し、例えば底面部320は、底面部として機能し、例えば上部電極342は、第2の電極として機能し、例えば上面部340は、上面部として機能し、例えば支持部330は、支持部として機能し、例えばキャビティ350は、空隙部として機能する。そして、下部電極322は、基板310の法線方向から見てキャビティ350と重なるように位置する内側端と、支持部330と重なるように位置する外側端とを、端部として有し、上部電極342の外周の全ては、基板310の法線方向から見て支持部330と重なるように位置する。
次に、本実施形態に係るcMUT300の動作を説明する。下部電極322及び上部電極342間に、電圧を印加すると、下部電極322の幅中心Cw3に、最も強い静電吸引力が作用する。一方、下部電極322の内側端よりも内側の部分、即ち、輪帯形状の下部電極322に囲まれた中央部分は、導電性がないため、中央部分には静電吸引力は作用しない。したがって、図11に示すように、上面部340のうち、下部電極322と対向する部分は、湾曲する。一方で、上面部340のうち、輪帯形状の下部電極322に囲まれた中央部分と対向する部分は、湾曲しない。以上によって、中央部分は、平板形状を維持したまま平行に変位する。
したがって、下部電極322と上部電極342との間に交流電圧を印加したとき、本実施形態に係るcMUT300は、その波面が平板状であり、当該平板の法線方向に平行に進行し、指向性が高い、超音波を射出することができる。
本実施形態では、上部電極342の外側端の直径は、キャビティ350の直径よりも大きい。第1の実施形態の説明において記載したのと同様に、本実施形態に係るcMUT300でも、上部電極342が、支持部330とキャビティ350との境界を支点として変形するため、上面部340の振幅が大きくなる。即ち、本実施形態に係るcMUT300の構成における支持部330及びキャビティ350と上部電極342との位置関係は、上面部340の振幅を大きくし、強い超音波を射出することに寄与する。
また、射出する超音波が十分広い平板状の波面を有するように、下部電極322に囲まれた導電性がない中央部分の直径は、十分に大きいことが好ましい。
また、射出する超音波が十分広い平板状の波面を有するように、下部電極322に囲まれた導電性がない中央部分の直径は、十分に大きいことが好ましい。
[第4の実施形態]
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。ここで本実施形態の説明では、第3の実施形態との相違点に限定して説明し、同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。本実施形態に係るcMUT300の構成の概略を図12に示す。図12は、当該cMUT300の側面から見た断面図を模式的に示す。本実施形態に係るcMUT300は、第3の実施形態における円形状の上部電極342を、輪帯形状の上部電極442に置換したものである。
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。ここで本実施形態の説明では、第3の実施形態との相違点に限定して説明し、同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。本実施形態に係るcMUT300の構成の概略を図12に示す。図12は、当該cMUT300の側面から見た断面図を模式的に示す。本実施形態に係るcMUT300は、第3の実施形態における円形状の上部電極342を、輪帯形状の上部電極442に置換したものである。
輪帯形状をした上部電極442の、内側の縁を内側端、外側の縁を外側端と称する。本実施形態に係る上部電極442の内側端と外側端とは、円形をしている。内側端の円の中心と、外側端の円の中心とは、中心軸Cと一致している。また、上部電極442の外側端の直径は、キャビティ350の直径よりも大きい。また、上部電極442の内側端の直径は、キャビティ350の直径よりも小さい。更に、上部電極442の内側端と外側端との中点を結んだ線を幅中心Cw4と称すると、当該幅中心Cw4が描く円の直径は、キャビティ350の直径よりも小さい。更に、上部電極442の内側端の直径は、下部電極322の内側端の直径よりも大きい。
即ち、基板310の法線方向から見て、上部電極442は、キャビティ350と重なるように位置する内側端と、支持部330と重なるように位置する外側端とを、端部として有し、幅中心Cw4が描く円は、キャビティ350と重なるように位置している。また、基板310の法線方向から見て上部電極442の内側端は、下部電極322と重なるように位置している。
下部電極322と上部電極442との間に、電圧を印加すると、下部電極322と上部電極442とが対向している部分に、静電吸引力が作用する。一方、上部電極442の内側端よりも内側の部分、即ち、輪帯形状の上部電極442に囲まれた中央部分は、導電性がないため、中央部分には静電吸引力は作用しない。したがって、下部電極322と上部電極442との間に交流電圧を印加すると、上面部340のうち、下部電極322と上部電極442とが対向しており、下部電極322と上部電極442との間にキャビティ350が存在する場所では、上面部340は、湾曲して振動する。一方で、上面部340のうち、下部電極322と上部電極442とが対向していない中央部分は、湾曲しない。以上によって、下部電極322と上部電極442との間に交流電圧を印加すると、上面部340は、中央部分が平板形状を維持して平行に変位する振動を行う。
したがって、下部電極322と上部電極442との間に交流電圧を印加したとき、本実施形態に係るcMUT300は、その波面が平板状であり、当該平板の法線方向に平行に進行し、指向性が高い、超音波を射出することができる。
ここで、下部電極322の内側端は、上部電極442の内側端よりも内側にあることは、次の意味を有する。上面部340の機械的特性に寄与しない下部電極322を大きくすることは、静電吸引力が作用する面積、即ち、前記式(1)における電極面積Aを大きくすることに相当する。電極面積Aが増すことで、静電吸引力Fを大きくすることができる。したがって、下部電極322の内側端は上部電極442の内側端よりも内側にあり、電極面積Aを大きくしていることは、静電吸引力Fを大きくすることに寄与する。
[第5の実施形態]
次に、本発明の第5の実施形態について説明する。ここで本実施形態の説明では、第4の実施形態との相違点に限定して説明し、同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。本実施形態に係るcMUT300を側面から見た断面の概略を図13に示す。本実施形態に係るcMUT300は、第3の実施形態における輪帯形状の下部電極322を、円板形状の下部電極522に置換したものである。
次に、本発明の第5の実施形態について説明する。ここで本実施形態の説明では、第4の実施形態との相違点に限定して説明し、同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。本実施形態に係るcMUT300を側面から見た断面の概略を図13に示す。本実施形態に係るcMUT300は、第3の実施形態における輪帯形状の下部電極322を、円板形状の下部電極522に置換したものである。
図13に示すように、円板形状をした下部電極522の中心は、中心軸Cと一致している。また、円板形状をした下部電極522の直径は、キャビティ350の直径よりも大きい。即ち、基板310の法線方向から見て下部電極522の円周部は、支持部330と重なるように位置している。また、上部電極442は、基板310の法線方向から見てキャビティ350と重なるように位置する内側端と、支持部330と重なるように位置する外側端とを、端部として有する。更に、上部電極442の内側端と外側端との中点を結んだ線である幅中心Cw4が描く円の直径は、キャビティ350の直径よりも小さい。即ち、幅中心Cw4が描く円は、キャビティ350と重なるように位置している。
下部電極522と上部電極442との間に、電圧を印加すると、下部電極522と上部電極442とが対向している部分に、静電吸引力が作用する。一方、上部電極442の内側端よりも内側の部分、即ち、輪帯形状の上部電極442に囲まれた中央部分は導電性がないため、中央部分には静電吸引力は作用しない。
したがって、上面部340のうち、下部電極522と上部電極442とが対向しており、下部電極522と上部電極442との間にキャビティ350が存在する場所では、上面部340は、湾曲する。一方で、上面部340のうち、下部電極522と上部電極442とが対向していない中央部分は、湾曲しない。以上によって、中央部分は、平板形状を維持したまま平行に変位する。下部電極522と上部電極442との間に交流電圧を印加すると、上面部340は、中央部分が平板形状を維持して平行に変位する振動を行う。
したがって、下部電極522と上部電極442との間に交流電圧を印加したとき、本実施形態に係るcMUT300は、その波面が平板状であり、当該平板の法線方向に平行に進行し、指向性が高い、超音波を射出することができる。
[各実施形態の組み合わせ]
第3の実施形態、第4の実施形態、又は第5の実施形態においても、第1の実施形態と同様に、上面部の中央部分に、上面部のその他の部分よりもヤング率が大きい振動質量部を設け、当該中央部分の剛性を高めても良い。また、第2の実施形態、第3の実施形態、第4の実施形態、又は第5の実施形態においても、第1の実施形態の第1の変形例と同様に、上面部の中央部分の厚さを大きくし、当該中央部分の剛性を高めてもよい。また、中央部分のヤング率を大きくし、厚みも大きくしてもよい。これら何れによっても当該中央部分は、更に湾曲しにくくなり、発生する超音波の指向性は、更に向上する。
第3の実施形態、第4の実施形態、又は第5の実施形態においても、第1の実施形態と同様に、上面部の中央部分に、上面部のその他の部分よりもヤング率が大きい振動質量部を設け、当該中央部分の剛性を高めても良い。また、第2の実施形態、第3の実施形態、第4の実施形態、又は第5の実施形態においても、第1の実施形態の第1の変形例と同様に、上面部の中央部分の厚さを大きくし、当該中央部分の剛性を高めてもよい。また、中央部分のヤング率を大きくし、厚みも大きくしてもよい。これら何れによっても当該中央部分は、更に湾曲しにくくなり、発生する超音波の指向性は、更に向上する。
また、第2の実施形態、第3の実施形態、第4の実施形態、又は第5の実施形態においても、各部の構成を円形とするに限らず、第1の実施形態の第2の変形例と同様に、四角形又は六角形、若しくは、三角形、八角形等の多角形、あるいはその他の形状にしてもよい。また、第1の実施形態、第2の実施形態、第3の実施形態、第4の実施形態、又は第5の実施形態においても、第1の実施形態の第2の変形例と同様に、上部電極をスリットが設けられた形状にしてもよい。これら何れの場合も、各実施形態と同様の効果が得られる。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除しても、発明が解決しようとする課題の欄で述べられた課題が解決でき、かつ、発明の効果が得られる場合には、この構成要素が削除された構成も発明として抽出され得る。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
100…cMUT、110…基板、120…底面部、122…下部電極、130…支持部、140…上面部、142…上部電極、144…振動質量部、146…振動質量部、150…キャビティ、240…上面部、242…上部電極、300…cMUT、310…基板、320…底面部、322…下部電極、330…支持部、340…上面部、342…上部電極、350…キャビティ、442…上部電極、522…下部電極。
Claims (11)
- 基板上に位置する底面部と、前記底面部と間隙を有して対向する上面部と、支持部とを具備し、
前記底面部は第1の電極を有し、
前記上面部は第2の電極を有すると共に、中心領域と該中心領域の周囲に位置する周辺領域とを含み、
前記支持部は前記底面部及び前記上面部と接し、これにより前記間隙の一部に空隙部が形成され、
前記上面部側から前記下面部を見たときに、前記第2の電極の少なくとも一部は前記空隙部の一部と重なるように位置し、
前記周辺領域は中心領域よりも剛性が低い
ことを特徴とする超音波発生ユニット。 - 前記中心領域を構成する物質と前記周辺領域を構成する物質とのヤング率が異なることを特徴とする請求項1に記載の超音波発生ユニット。
- 前記中心領域の厚みと、前記周辺領域の厚みとが異なることを特徴とする請求項1に記載の超音波発生ユニット。
- 前記中心領域は、非導電性を有することを特徴とする請求項1に記載の超音波発生ユニット。
- 前記第2の電極は、前記上面部側から前記下面部を見たときに、前記支持部と重なるように位置する外側端と、前記空隙部と重なるように位置する内側端とを、端部として有することを特徴とする請求項1に記載の超音波発生ユニット。
- 前記第2の電極上の、前記内側端からの距離と前記外側端からの距離とが等しい幅中心の各点は、前記上面部側から前記下面部を見たときに前記空隙部と重なるように位置する、ことを特徴とする請求項5に記載の超音波発生ユニット。
- 基板上に位置する底面部と、前記底面部と間隙を有して対向する上面部と、支持部とを具備し、
前記底面部は第1の電極を有し、
前記上面部は第2の電極を有すると共に、前記底面部と間隙を有して対向し、
前記支持部は前記底面部及び前記上面部と接し、これにより前記間隙の一部に空隙部が形成され、
前記第1の電極と前記第2の電極とのうち少なくとも一方は、内側端と外側端を有し、
前記上面部側から前記下面部を見たときに、前記内側端は前記空隙部と重なるように位置し、
前記第2の電極の外周端の全ては前記支持部と重なるように位置する、
ことを特徴とする超音波発生ユニット。 - 前記第1の電極は、前記内側端と前記外側端とを端部として有する、ことを特徴とする請求項7に記載の超音波発生ユニット。
- 前記第2の電極は、前記内側端と前記外側端とを端部として有し、該外側端は前記外周端である、ことを特徴とする請求項7に記載の超音波発生ユニット。
- 前記第2の電極上の、前記内側端からの距離と前記外側端からの距離とが等しい各点は、前記上面部側から前記下面部を見たときに前記空隙部と重なるように位置する、ことを特徴とする請求項9に記載の超音波発生ユニット。
- 前記第1の電極及び前記第2の電極はともに、前記内側端と前記外側端とを端部として有し、
前記第2の電極の外側端は前記外周端であり、前記第2の電極の内側端は、前記上面部側から前記下面部を見たときに前記第1の電極と重なるように位置する、
ことを特徴とする請求項7に記載の超音波発生ユニット。
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