JP2012093675A - 偏光ビーム変換素子、偏光ビーム変換方法、電子銃、ビーム測定装置、及び電子発生方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一態様にかかる偏光ビーム変換素子は、第1の波長板10には、4分割された分割領域11〜14が設けられ、分割領域11〜14のそれぞれにλ/8板が設けられ、λ/8板の軸方位が、隣接する2つの分割領域では略直交しており、かつ対向する2つの分割領域では略平行であり、第2の波長板20には、4分割された分割領域21〜24が設けられ、分割領域21〜24のそれぞれにλ/4板が配置され、λ/4板の軸方位が、隣接する2つの分割領域では略直交しており、かつ対向する2つの分割領域では略平行であり、分割領域のそれぞれがずれて配置され、λ/8板とλ/4板の軸方位がずれているものである。
【選択図】図8
Description
特許文献2では、擬似ラジアル偏光をビーム測定装置及びビーム測定方法に利用している。具体的には、電子ビームの経路中に、電子ビームが通過する中空部分を有する電気光学素子を配置している。電子ビームによって生じる電界によって、電気光学素子の結晶軸方位が変化する。そして、擬似ラジアル偏光が電気光学素子を通過することによって、偏光状態が変化する。このため、電気光学素子を通過した光の偏光状態を測定することで、電子ビームの空間分布を測定することができる。また、特許文献1では、擬似ラジアル偏光を集光することで、Z偏光を生成している。
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであり、波長板の分割数よりも多い分割数の偏光ビーム変換素子、及びそれを用いた偏光ビーム変換方法、電子銃、ビーム測定装置、電子発生方法を提供することを目的とする。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。まず、図1を用いて本実施形態に係る偏光ビーム変換素子の全体構成を説明する。図1は、偏光ビーム変換素子の全体構成を示す側面図である。偏光ビーム変換素子1は、第1の波長板10と第2の波長板20と位相板30を有している。第1の波長板10と第2の波長板20と位相板30を組み合わせることで、偏光ビーム変換素子1が形成される。偏光ビーム変換素子1は、擬似ラジアル偏光(以下、単にラジアル偏光ともいう)、又は擬似アジマス偏光(以下、単にアジマス偏光ともいう)を生成するための素子である。位相板30の後段に第1の波長板10が設けられている。第1の波長板10の後段に第2の波長板20が設けられている。従って、位相板30を通過した入射光は、第1の波長板10に入射する。第1の波長板10を通過した入射光は、第2の波長板20に入射する。第1の波長板10、及び第2の波長板20のそれぞれは、波長板を組み合わせた組み合わせ波長板素子である。第1の波長板10、及び第2の波長板20のそれぞれは、平行な光入射面と光出射面を有しており、光入射面と光出射面とが、光軸と垂直になるように配置されている。
Ey=cos(−ωt) ・・・式(1)
さらに、透明膜は、λ/4板と近い屈折率の材料によって形成することが好ましい。もちろん、λ/4板と屈折率が同じ材料として、λ/4板と同じ材料を使用することができる。例えば、λ/4板が石英波長板の場合、SiO2を蒸着する。λ/4板がMgF2の場合、MgF2を蒸着する。あるいは、SiO2、MgF2、と同じ屈折率に調整されたレジスト、光硬化性樹脂膜を塗布する。
こうすることで、位相板(透明膜)と波長板の屈折率が近くなり、界面での反射によるロスを少なくすることができる。よって、光の利用効率を向上することができる。λ/4板と異なる屈折率の材料で透明膜を形成する場合でも、λ/4板と透明膜との間に適切な誘電体多層膜を形成することで、界面での反射によるロスを小さくできる。しかしながら、この場合にはλ/4板と近い屈折率の透明膜を使用する場合に比べると製造工程が増えてしまう。また、第2の波長板20と位相板20は分割領域の配置が同じであるため、容易に均一な厚さの透明膜を形成することができる。すなわち、4片のλ/8板又は4片のλ/4板を組み合わせる前に、それぞれの波長板の片に対して所定の厚さだけ透明膜を形成すればよい。
さらに、擬似アジマス偏光を生成するための配置に付いて説明する。右円偏光から擬似アジマス偏光を生成する場合、第1の波長板10と第2の波長板20を裏返す。これにより、第1の波長板10と第2の波長板20の軸方位は、図11に示す状態となる。なお、位相板30はそのままの配置、すなわち、図10に示す配置とする。このような配置とすることで、右円偏光から擬似アジマス偏光を生成することができる。なお、第1の波長板10と第2の波長板20とを裏返す代わりに、第1の波長板10と第2の波長板20を図2、及び図3に示した状態から−90°回転させても良い。
左円偏光から擬似アジマス偏光を生成する場合、位相板30を裏返す。すなわち、位相板30を図11に示す状態とする。このとき、第1の波長板10と第2の波長板20とは、図10に示す状態となっている。このような配置とすることで、左円偏光を擬似アジマス偏光に変換することができる。
このようにすることで、擬似ラジアル偏光を生成するための組み合わせ波長板で、擬似ラジアル偏光を生成することができる。すなわち、擬似ラジアル偏光と擬似アジマス偏光とで、第1の波長板10、第2の波長板20、及び位相板30を共通化することができる。
本実施の形態では、直線偏光を擬似ラジアル偏光、又は擬似アジマス偏光とするため、偏光ビーム変換素子1が、図12に示す構成となっている。本実施形態では、実施の形態1で示した構成に加えて第3の波長板40が設けられている。なお、実施の形態1で示した構成については説明を省略する。第3の波長板40は、第1の波長板10の前段に配置されている。第3の波長板40は、図13に示すように、λ/4板である。図13では、λ/4板の軸方位が太線で示され、直線偏光の偏光軸が矢印で示されている。直線偏光の偏光軸が軸方位に対して45°傾いている。よって、直線偏光が第3の波長板40を通過することで、円偏光が生成される。従って、実施の形態1と同様に、擬似ラジアル偏光、又は擬似アジマス偏光を生成することができる。
本実施の形態では、円偏光ラゲールガウスビームを擬似ラジアル偏光、又は擬似アジマス偏光とするための、偏光ビーム変換素子1が図14に示す構成となっている。ラゲールガウスビームでは波面が螺旋状になっている。そのため、第1の波長板10と第2の波長板20による位相遅れの調整が不要となる。実施の形態1の構成から、位相板30が取り除かれた構成となっている。なお、実施の形態1で示した構成については説明を省略する。本実施形態では、入射光の波面が予め螺旋状になっているラゲールガウスビームを用いてため、位相板30で位相を揃える必要がない。もちろん、本実施の形態にかかる偏光ビーム変換素子1は、波面が螺旋状となっているラゲールガウスビームに限らず、波面が螺旋階段状となっている擬似的なラゲールガウスビームに対しても適用可能である。なお、ラゲールガウスビームはホログラム素子や液晶素子を用いて生成することができる。
本実施の形態では、直線偏光ラゲールガウスビームを擬似ラジアル偏光、又は擬似アジマス偏光とするための、偏光ビーム変換素子1が図15に示す構成となっている。ラゲールガウスビームでは波面が螺旋状になっている。そのため、第1の波長板10と第2の波長板20による位相遅れの調整が不要となる。実施の形態2の構成から、位相板30が取り除かれた構成となっている。すなわち、実施の形態3の構成に対して、第3の波長板40を追加した構成となっている。なお、実施の形態1で示した構成については説明を省略する。本実施形態では、入射光の波面が予め螺旋状になっているため、位相板30で位相を揃える必要がない。もちろん、本実施の形態にかかる偏光ビーム変換素子1は、波面が螺旋状となっているラゲールガウスビームに限らず、波面が螺旋階段状となっている擬似的なラゲールガウスビームに対しても適用可能である。なお、ラゲールガウスビームはホログラム素子や液晶素子を用いて生成することができる。
なお、上記の説明では、第1の波長板10、第2の波長板20、及び位相板30の外形は正方形に限られるものではない。例えば、第1の波長板10、第2の波長板20、及び位相板30の外形が、円形や長方形状であっても良い。また、レーザ光のスポット形状は円形に限られるものではない。例えば、スポットがリング状のビームを用いることもできる。さらに、波長板、及び位相板の外形線、軸方位の角度、分割領域の境界線は、示した角度値と厳密に一致していなくてもよい。実質的に、擬似ラジアル偏光や擬似アジマス偏光が得られるように配置されていても良い。このため、第1の波長板10には、放射状に4分割された分割領域が設けられ、分割領域のそれぞれにλ/8板が設けられた構成とする。そした、λ/8板の軸方位が、周方向に隣接する2つの分割領域では略直交しており、かつ対向する2つの分割領域では略平行となるように配置する。さらに、第1の波長板10の後段に配置された第2の波長板20には、放射状に4分割された分割領域が設けられ、分割領域のそれぞれにλ/4板が配置された構成とする。そして、λ/4板の軸方位が、周方向に隣接する2つの分割領域では略直交しており、かつ対向する2つの分割領域では略平行となるように配置する。さらに、第1の波長板10の分割領域のそれぞれが、第2の波長板20の分割領域とずれて配置され、λ/8板の軸方位とλ/4板の軸方位がずれるように配置すればよい。
上記の偏光ビーム変換素子は電子銃、レーザ加工装置、レーザ顕微鏡等に利用することができる。例えば、電子銃、特には偏極電子銃への利用することで、電子ビームの高輝度化、低エミッタンス化を実現することができる。例えば、フォトカソードに擬似ラジアル偏光ビームを入射させる。擬似ラジアル偏光ビームを用いた電子銃に付いては、例えば、特開2008−288099号公報、特開2009−031634号公報、特開2010−015877号公報等に記載されている。さらに、上記の電子銃は、電子顕微鏡、X線自由電子レーザ(XFEL)、逆コンプトン散乱によるフェムト秒X線パルス光源、高繰り返しフェムト秒時間分解電子顕微鏡、超短パルス電子線描画装置、エネルギー回収型ライナック(ERL)などの電子源として、好適である。また、偏光ビーム変換素子をレーザ加工装置に用いることで、高効率なレーザ加工を実現することができる。レーザ顕微鏡に用いることで、より精度よく観察することができる。
さらに、上記の偏光ビーム変換素子は、特開2008−288087号公報に開示されたビーム測定装置、ビーム測定方法についても利用することができる。本実施の形態の偏光ビーム変換素子を用いて、擬似ラジアル偏光を生成する。さらに、測定対象となる電子ビームの経路中には、ビームが通過する中空部分を有する電気光学素子を配置しておく。そして、電気光学素子の中空部分を電子ビームのバンチが通過すると、電気光学素子の結晶軸が変化する。また、電子ビームと同期して、中空の擬似ラジアル偏光を、経路中の電気光学素子を通過させる。すると、結晶軸の軸方位に応じて、擬似ラジアル偏光の偏光状態が変化する。従って、電気光学素子を通過した光の偏光状態を調べることで、ビームの3次元空間分布等を測定することができる。
上記の説明では、4分割の波長板を2枚組み合わせて、8分割の擬似ラジアル偏光を生成したが、本発明にかかる偏光ビーム変換素子は、2n分割の波長板を2枚組み合わせて、2(n+1)分割の擬似ラジアル偏光に変換する構成に拡張することができる(なお、nは2以上の自然数である)。n分割に拡張する場合に付いて説明する。
ただし、
S1=cosχcosψ
S2=cosχsinψ
S3=sinχ
S1 2+S2 2+S3 2=1
である。
波長板2−1と波長板2−2nは同じ位相差の波長板であるため、BとCの間の球の表面に沿った距離と、BとDの間の球の表面に沿った距離とは等しいことが求められる。したがって、点BはS1S3平面上の点である必要がある(北極からの投影図のS1軸上)。
回転対称性から、波長板2−1がx軸となす角と、波長板2−2n がx軸となす角との差は、2π/2nである。このような角度の違いを持った波長板によって、BからC、BからDへ偏光状態が移動するためには、北極からの投影図上でのCBD=2π/2n−1である必要がある。以上の条件から点Bの位置は(0,arccos(0.5/cos(π/2n))と求められる。
2・∠CAB=∠CBEより、AB=BC(二等辺三角形)
AC=1より、AB=0.5/cos(∠CAB)=0.5/cos(π/2n)
χ=arccos(AB)=arccos(0.5/cos(π/2n)
軸の向きとx軸の成す角度:−π/4
位相差:(λ/4)×(1−arccos(0.5/cos(π/2n))/(π/2)) ・・・(2)
軸の向きとx軸の成す角度: π/2n−π/4
位相差:(λ/4)×(arccos(1−0.5/cos2(π/2n))/(π/2)) ・・・(3)
次に、n=1の場合に付いて図23〜図25を用いて説明する。n=1の場合、2分割の波長板を2枚用意して、4分割の擬似ラジアル偏光、又は擬似アジマス偏光を生成する。図23は、第1の波長板10の正面図であり、図24は、第2の波長板20の正面図であり、図25は位相板30の正面図である。図23〜図25は、それぞれ、ビームの入射側から見た構成を示している。n=1の場合、入射光を45°の直線偏光とする。すなわち、x軸から+45°傾斜した偏光面を持つ直線偏光を第1の波長板10に入射させる。第1の波長板10の前段に、λ/2板やλ/4板を配置することで、入射光を45°の直線偏光にすることができる。n=1の場合、上記の(2)式、及び(3)式に当てはまらない特異点となる。以下の説明では、45°の直線偏光を、4分割の擬似ラジアル偏光に変換する例に付いて説明する。
10 第1の波長板、 11 第1分割領域、 12 第2分割領域、
13 第3分割領域、 14 第4分割領域
20 第2の波長板、 21 第1分割領域、 22 第2分割領域
23 第3分割領域、 24 第4分割領域、
30 位相板、 31 第1分割領域、 32 第2分割領域、
33 第3分割領域、 34 第4分割領域
100 電子銃100、 111 レーザ光源、 112 波長変換素子112
113 アキシコンレンズ、 114 アキシコンレンズ、 115 偏光ビーム変換素子、
117 ミラー、 118 レンズ、 121 フォトカソード、 123 共振器、
124 マイクロ波源、 150 レーザ光
201 レーザ光源
202 光変調器
203 フォトニック結晶
204 偏光ビーム変換素子
205 アキシコンレンズ
206 アキシコンレンズ
207 タイミング制御板207
220 電子ビーム
211 中空ミラー
212 波長板
213 ビームスプリッタ
Claims (18)
- 第1及び第2の波長板を備え、擬似ラジアル偏光、又は擬似アジマス偏光を生成するための偏光ビーム変換素子であって、
前記第1の波長板には、放射状に2n(nは2以上の自然数)分割された分割領域が設けられ、前記分割領域のそれぞれに(λ/4)×(1−arccos(0.5/cos(π/2n))/(π/2))の位相差を与える分割波長板が設けられ、
前記第1の波長板の前記分割波長板の軸方位が、略回転対称になっており、
前記第1の波長板の後段に配置された前記第2の波長板には、放射状に2n分割された分割領域が設けられ、前記分割領域のそれぞれに(λ/4)×(arccos(1−0.5/cos2(π/2n))/(π/2))の位相差を与える分割波長板が設けられ、
前記第2の波長板の前記分割波長板の軸方位が、略回転対称になっており、
前記第1の波長板の分割領域のそれぞれが、前記第2の波長板の分割領域とずれて配置され、
前記第1の波長板に設けられた分割波長板の軸方位と前記第2の波長板の前記分割波長板の軸方位がずれている偏光ビーム変換素子。 - 前記第1の波長板、及び前記第2の波長板の少なくとも一方が2π/2nの回転対称になっていることを特徴とする請求項1に記載の偏光ビーム変換素子。
- 光軸と垂直な平面において、前記第2の波長板の分割領域と一致するよう配置された2nの分割領域を有する位相板をさらに備え、
前記位相板が隣接する分割領域においてλ/2nに対応する光路長差を与える請求項1、又は2に記載の偏光ビーム変換素子。 - 前記第1の波長板の分割波長板の軸方位と、前記第2の波長板の前記分割波長板の軸方位が略π/2nずれている請求項1乃至3のいずれか1項に記載の偏光ビーム変換素子。
- 前記第1の波長板の前記分割領域の境界線と、前記第2の波長板の前記分割領域の境界線が略π/2nずれている請求項1乃至4のいずれか1項に記載の偏光ビーム変換素子。
- n=2であり、
前記第1の波長板の4つの分割領域、及び第2の波長板の4つの分割領域のそれぞれが矩形状になっている請求項1乃至5のいずれか1項に記載の偏光ビーム変換素子。 - 前記第1の波長板の前段に配置された第3の波長板をさらに備え、
前記第3の波長板が入射する直線偏光を円偏光にする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の偏光ビーム変換素子。 - 第1及び第2の波長板を備え、擬似ラジアル偏光、又は擬似アジマス偏光を生成するための偏光ビーム変換素子であって、
前記第1の波長板には、放射状に2分割された分割領域が設けられており、前記分割領域のそれぞれにλ/4板が設けられ、
前記第1の波長板の前記λ/4板の軸方位が、略直交し、
前記第1の波長板の後段に設けられた第2の波長板には、放射状に2分割された分割領域が設けられており、前記分割領域のそれぞれにλ/4板が設けられ、
前記第1の波長板の前記λ/4板の軸方位が、略直交し、
前記第1の波長板の分割領域のそれぞれが、前記第2の波長板の分割領域とずれて配置されている偏光ビーム変換素子。 - 光軸と垂直な平面において、前記第1の波長板の分割領域の境界線、及び前記第1の波長板の分割領域の境界線と一致する2つの境界線で分割された4つの分割領域を有する位相板をさらに備え、
前記位相板が隣接する分割領域において、λ/4に対応する光路長差を与える請求項8に記載の偏光ビーム変換素子。 - 前記位相板と前記第2の波長板が一体的に形成されていることを特徴とする請求項3、又は9に記載の偏光ビーム変換素子。
- 前記位相板が前記第2の波長板に蒸着された蒸着膜によって構成され、
前記第2の波長板の材料と同一の材料を蒸着することで前記位相板が形成されている請求項10に記載の偏光ビーム変換素子。 - 前記第1の波長板の前記λ/4板の軸方位と、前記第2の波長板の前記λ/4の軸方位が平行になっている請求項8乃至11のいずれか1項に記載の偏光ビーム変換素子。
- 前記第1の波長板の前記分割領域の境界線と、前記第2の波長板の前記分割領域の境界線が略π/2ずれている請求項8乃至12のいずれか1項に記載の偏光ビーム変換素子。
- 擬似ラジアル偏光、又は擬似アジマス偏光を生成する偏光ビーム変換方法であって、
円偏光を第1の波長板に入射させるステップと、
前記第1の波長板を通過した光を第2の波長板に入射させるステップと、を備え、
前記第1の波長板には、放射状に2n(nは2以上の自然数)分割された分割領域が設けられ、前記分割領域のそれぞれに(λ/4)×(1−arccos(0.5/cos(π/2n))/(π/2))の位相差を与える分割波長板が設けられ、
前記第1の波長板の前記分割波長板の軸方位が、回転対称になっており、
前記第1の波長板の後段に配置された前記第2の波長板には、放射状に2n分割された分割領域が設けられ、前記分割領域のそれぞれに(λ/4)×(arccos(1−0.5/cos2(π/2n))/(π/2))の位相差を与える分割波長板が設けられ、
前記第2の波長板の前記分割波長板の軸方位が、回転対称になっており、
前記第1の波長板の分割領域のそれぞれが、前記第2の波長板の分割領域とずれて配置され、
前記第1の波長板に設けられた分割波長板の軸方位と前記第2の波長板の分割波長板の軸方位がずれている、偏光ビーム変換方法。 - 擬似ラジアル偏光、又は擬似アジマス偏光を生成する偏光ビーム変換方法であって、
円偏光を第1の波長板に入射させるステップと、
前記第1の波長板を通過した光を第2の波長板に入射させるステップと、を備え、
前記第1の波長板には、放射状に2分割された分割領域が設けられており、前記分割領域のそれぞれにλ/4板が設けられ、
前記第1の波長板の前記分割波長板の軸方位が、略回転対称になっており、
前記第1の波長板の後段に設けられた第2の波長板には、放射状に2分割された分割領域が設けられており、前記分割領域のそれぞれにλ/4板が設けられ、
前記第1の波長板の前記分割波長板の軸方位が、略回転対称になっており、
前記第1の波長板の分割領域のそれぞれが、前記第2の波長板の分割領域とずれて配置されている偏光ビーム変換方法。 - 請求項1乃至13のいずれか1項に記載の偏光ビーム変換素子と、
前記偏光ビーム変換素子によって生成された擬似ラジアル偏光を集光するレンズと、
前記レンズで集光された光が入射するフォトカソードと、を備える電子銃。 - 請求項1乃至13のいずれか1項に記載の偏光ビーム変換素子に、円偏光を入射させるステップと、
前記偏光ビーム変換素子で生成された擬似ラジアル偏光を集光して、フォトカソードに入射させるステップと、を有する電子発生方法。 - パルスレーザ光を用いて量子ビームを3次元的に測定するビーム測定装置であって、
レーザ発振器によって発振したパルスレーザ光の波長が時間に応じて変化するよう、前記パルスレーザ光のパルス波形を整形して出射する光源部と、
前記光源部から出射したパルスレーザ光に対して入射位置に応じた時間遅延を与える遅延素子と、前記パルスレーザ光を入射位置に応じて異なる偏光状態に変換する偏光ビーム変換素子と、を有する入射光学系と、
前記量子ビームのビーム径路に配置され、前記電界によって屈折率が変化する電気光学素子と、
前記入射光学系から前記電気光学素子を介して入射したパルスレーザ光から、所定の偏光成分を取り出す偏光子と、
前記偏光子で取り出されたパルスレーザ光のスペクトルを測定する測定器と、を備え、
前記偏光ビーム変換素子に、請求項1乃至13のいずれか1項に記載の偏光ビーム変換素子が用いられているビーム測定装置。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015213952A (ja) * | 2014-05-12 | 2015-12-03 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
WO2017138655A1 (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | シチズン時計株式会社 | 照明装置及び照明光生成方法 |
JP2019164363A (ja) * | 2014-05-07 | 2019-09-26 | 国立大学法人電気通信大学 | レーザ装置 |
KR102185019B1 (ko) * | 2020-05-25 | 2020-12-01 | 국방과학연구소 | 다중 레이저 대즐링 효과도 측정 장치 |
WO2022219814A1 (ja) * | 2021-04-16 | 2022-10-20 | 株式会社日立ハイテク | 電子ビーム応用装置 |
WO2023233657A1 (ja) * | 2022-06-03 | 2023-12-07 | 株式会社日立ハイテク | 電子線応用装置及び電子ビーム発生方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007193025A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Nano Photon Kk | 偏光制御素子とその製造方法、並びに、顕微鏡 |
JP2009116311A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 投写型映像表示装置 |
JP2009223095A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | 偏光制御装置及び偏光制御方法 |
-
2010
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007193025A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Nano Photon Kk | 偏光制御素子とその製造方法、並びに、顕微鏡 |
JP2009116311A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 投写型映像表示装置 |
JP2009223095A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | 偏光制御装置及び偏光制御方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019164363A (ja) * | 2014-05-07 | 2019-09-26 | 国立大学法人電気通信大学 | レーザ装置 |
JP2015213952A (ja) * | 2014-05-12 | 2015-12-03 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
WO2017138655A1 (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | シチズン時計株式会社 | 照明装置及び照明光生成方法 |
JPWO2017138655A1 (ja) * | 2016-02-10 | 2018-12-13 | シチズン時計株式会社 | 照明装置及び照明光生成方法 |
US10345222B2 (en) | 2016-02-10 | 2019-07-09 | Citizen Watch Co., Ltd. | Illumination device and method for generating illumination light |
KR102185019B1 (ko) * | 2020-05-25 | 2020-12-01 | 국방과학연구소 | 다중 레이저 대즐링 효과도 측정 장치 |
WO2022219814A1 (ja) * | 2021-04-16 | 2022-10-20 | 株式会社日立ハイテク | 電子ビーム応用装置 |
JP7455279B2 (ja) | 2021-04-16 | 2024-03-25 | 株式会社日立ハイテク | 電子ビーム応用装置 |
WO2023233657A1 (ja) * | 2022-06-03 | 2023-12-07 | 株式会社日立ハイテク | 電子線応用装置及び電子ビーム発生方法 |
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