JP2012089436A - 有機el装置および電子機器 - Google Patents
有機el装置および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012089436A JP2012089436A JP2010237162A JP2010237162A JP2012089436A JP 2012089436 A JP2012089436 A JP 2012089436A JP 2010237162 A JP2010237162 A JP 2010237162A JP 2010237162 A JP2010237162 A JP 2010237162A JP 2012089436 A JP2012089436 A JP 2012089436A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- sealing layer
- organic
- electrode
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 168
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 57
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 316
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】基体上に、無機絶縁層と、前記無機絶縁層上に設けられた第1の電極と、前
記第1の電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた第2の電極と、前記第
2の電極を覆うように設けられた第1の封止層と、前記第1の封止層を覆うように設けら
れた樹脂封止層と、前記樹脂封止層を覆うように設けられた第2の封止層と、を備え、前
記第1の封止層、前記樹脂封止層および前記第2の封止層は、それぞれ前記無機絶縁層と
接していることを特徴とする有機EL装置。
【選択図】図3
Description
た有機エレクトロルミネッセンス(以下「有機EL」)素子を有する有機EL装置が提案
されている。
化してしまう虞がある。よって、有機EL装置では、外部からの水分や気体の浸入から有
機EL素子を保護する封止構造が重要となる。
例えば、特許文献1には、陰極を覆うように多層構造の封止層が設けられ、封止層はガ
スバリア性の高い珪素化合物やセラミックス等の無機化合物からなる2層のガスバリア層
の間に、バンク層などに起因する凹凸を平坦化する流動性のある材料からなる樹脂封止層
を設ける構成が知られている。
このような多層封止層の場合、より確実に外部からの水分や気体の侵入から有機EL素
子を保護するために、2層のガスバリア層の端部を接触させる構造が知られている。
ため、特に端部周辺において膜厚のばらつきが生じやすい。樹脂封止層の膜厚が場所によ
って異なると、樹脂封止層の上層および下層に設けられる2層のガスバリア層のそれぞれ
が有する内部応力に差が生じてしまい、内部応力に起因してガスバリア層にクラックが生
じる虞がある。その結果、生じたクラックから大気中の水分や気体が有機EL素子内部に
侵入してしまい、封止性能が低下する虞があった。
また、樹脂封止層は流動性を有する材料を用いるため、樹脂封止層の端部が基板の外周
部にまで達してしまい、有機EL素子が配置された発光領域の周辺の領域、いわゆる額縁
領域が広くなってしまうという課題があった。
して実現することが可能である。
層上に設けられた第1の電極と、前記第1の電極上に設けられた発光層と、前記発光層上
に設けられた第2の電極と、前記第2の電極を覆うように設けられた第1の封止層と、前
記第1の封止層を覆うように設けられた樹脂封止層と、前記樹脂封止層を覆うように設け
られた第2の封止層と、を備え、前記第1の封止層、前記樹脂封止層および前記第2の封
止層は、それぞれ前記無機絶縁層と接していることを特徴とする。
、無機絶縁層と接触させるので、封止層の端部同士は互いに接触しない。よって、樹脂封
止層の端部における膜厚が場所によって異なった場合でも、第1の封止層および第2の封
止層の端部同士が接触しないので、第1の封止層および第2の封止層のクラックの発生を
抑制することができる。
機化合物により形成されていることを特徴とする。
それぞれ無機絶縁層と接触させるので、封止端部における密着性を十分に確保することが
でき、封止性能の低下を防止することができる。
有し、前記反射層は、前記発光層から発せられた光を前記第2の電極側に反射させること
を特徴とする。
層の端部まで延在させて、封止層と無機絶縁層とを接触させることにより、基体内に含ま
れる水分や酸素が有機EL素子へ侵入するのを確実に防止し、かつ封止層との密着性を高
めることができる。
部が設けられたバンク層と、前記バンク層の外側に設けられた配線部と、を有し、前記第
2の電極は、前記バンク層を覆っており、前記無機絶縁層は、前記バンク層の外側まで延
在して、前記配線部を覆っており、前記無機絶縁層は、前記配線部の外側で、前記第1の
封止層、前記樹脂封止層および前記第2の封止層とそれぞれ接していることを特徴とする
。
外側に設けられた配線部の凹凸により、樹脂封止層の少なくとも一部を堰き止めることが
でき、樹脂封止層の端部が基体の外周部へ広がるのを抑制することができる。したがって
、額縁領域が広くなるのを効果的に防止し、狭額縁化を実現することができる。
れた第2電極用配線と、前記第2の電極と前記第2電極用配線とを電気的に接続するコン
タクトホールと、を含むことを特徴とする。
部の凹部が樹脂封止層の堰き止め部となるので、新たに堰き止め部を形成する必要がない
。したがって、製造プロセスが増加することなく、狭額縁化を実現することができる。
電源線のいずれかを含むことを特徴とする。
生じた凸部が樹脂封止層の堰き止め部となるので、新たに堰き止め部を形成する必要がな
い。したがって、製造プロセスが増加することなく、狭額縁化を実現することができる。
走査線駆動回路または前記信号線と電気的に接続された信号線駆動回路を含むことを特徴
とする。
脂封止層の堰き止め部となるので、新たに堰き止め部を形成する必要がない。したがって
、製造プロセスが増加することなく、狭額縁化を実現することができる。
する。
電子機器が得られる。
以下、本発明に係る実施形態の有機EL装置の構成について、図面を参照して説明する
。なお、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとする
ため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせてある。
は、スイッチング素子として薄膜トランジスター(Thin Film Transis
tor:以下、TFT)を用いたアクティブマトリクス方式の有機EL装置であり、X方
向に延在する複数の走査線101と、各走査線101に対して直角に交差するようにY方
向に延在する複数の信号線102と、各信号線102に並列に延びる複数の電源線103
と、からなる配線構成を有している。走査線101の各々は走査線駆動回路部104に電
気的に接続されており、信号線102の各々は信号線駆動回路部105に電気的に接続さ
れている。さらに、走査線101と信号線102との各交点付近には、画素5が形成され
ている。
ング用TFT112と、このスイッチング用TFT112を介して信号線102から供給
される画素信号を保持する保持容量113と、保持容量113によって保持された画素信
号がゲート電極に供給される駆動用TFT116と、駆動用TFT116を介して電源線
103に電気的に接続したときに電源線103から駆動電流が流れ込む有機EL素子10
0と、を備えている。有機EL素子100は、第1電極としての画素電極(陽極)20と
、画素電極20と対向するように設けられた共通電極(陰極)50と、画素電極20と共
通電極50との間に設けられる後述する図示しない発光層と、を備えている。
ン状態になると、そのときの信号線102の電位が保持容量113に保持され、該保持容
量113の状態に応じて、駆動用TFT116のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動
用TFT116を介して、電源線103から画素電極20に電流が流れ、さらに発光層を
介して共通電極50に電流が流れる。発光層は、これを流れる電流量に応じて発光して、
画素信号に基づいた表示が行われる。
L装置1は、基板10上に、発光領域300と、発光領域300の周辺に配線領域310
(図2中、発光領域300から破線内までの領域)と、配線領域310の周辺に封止端領
域320(図2中、破線から一点鎖線までの領域)と、を備え、基板10には、フレキシ
ブル基板220が接合されている。発光領域300は、複数の画素5がマトリクス状に配
置された領域であり、配線領域310は、電源線103、共通電極用配線106、走査線
駆動回路部104および信号線駆動回路部105などの発光領域300内の画素と電気的
に接続された配線が配置された配線部である。また、封止端領域320は、第1封止層6
0、樹脂封止層70および第2封止層80のそれぞれの端部が配置される領域である。
、緑色(以下、Gと称す)または青色(以下、Bと称す)のいずれかの光を取り出すこと
が可能となっている。発光領域300においては、画素5が本実施形態ではマトリクス状
に配置されており、このように、発光領域300で、R、G、Bの光を射出するマトリク
ス状に配置された画素5を用いてフルカラー表示を行うことが可能となっている。なお、
画素5は、X方向に同一色の画素5がいわゆるストライプ状に配置されていてもよいし、
ストライプ配置に限定されず、デルタ配置や千鳥配置のように配置してもよい。
体的には、共通電極用配線106は、フレキシブル基板220が設けられている基板10
の外周辺を除いて、発光領域300を囲むように形成されている。また、電源線103は
、フレキシブル基板220が設けられた基板10の外周辺に沿って形成されている。電源
線103および共通電極用配線106は、フレキシブル基板220上に設けられた図示し
ない外部回路と電気的に接続されている。また、電源線103には、外部回路から駆動電
流が供給され、共通電極用配線106は、共通電極50と電気的に接続されている。
路部104および信号線駆動回路部105が設けられている。具体的には、Y方向におい
て、電源線103に対向するように信号線駆動回路部105が設けられており、X方向に
おいて、走査線駆動回路部104が互いに対向するように設けられている。走査線駆動回
路部104は、後述する図示しない走査線駆動回路が設けられた領域であり、信号線駆動
回路部105は、後述する図示しない信号線駆動回路が設けられた領域である。
EL装置1の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する
検査情報出力手段(図示せず)を備え、製造途中や出荷時における有機EL装置1の品質
検査を行うことができるように構成されている。
図である。図4は、図3のA’部を拡大した概略断面図、図5は、図3のB’部を拡大し
た概略断面図である。
0、および画素電極20と発光層40と共通電極50とを備えた有機EL素子100を複
数設けて、さらに有機EL素子100を覆って、第1封止層60、樹脂封止層70および
第2封止層80を形成して、接着層90を介して保護基板95が形成されている構成であ
る。
と電気的に接続された共通電極用配線106などを含む配線層200が形成され、基体2
10が構成される。なお、本明細書中においては、基板10と、基板10上に形成される
図1に示したスイッチング用TFT112や駆動用TFT116などのTFT、保持容量
113、走査線駆動回路114や信号線駆動回路115などの各種回路、ゲート絶縁膜1
42、層間絶縁層144および平坦化絶縁層125などが設けられた配線層200と、を
含めて基体210と称している。
は走査線駆動回路114、信号線駆動回路115および共通電極用配線106が形成され
ている。走査線駆動回路114は、図1に示す走査線101に、図示しない外部回路より
供給される各種信号に応じた走査信号を供給する。信号線駆動回路115は、図1に示す
信号線102に画像信号を供給する。
ドレイン電極146で構成されている。図4に示すように、信号線駆動回路115は、半
導体層151、ゲート電極153、ソース電極155およびドレイン電極156で構成さ
れている。図5に示すように、走査線駆動回路114は、半導体層161、ゲート電極1
63、ソース電極165およびドレイン電極166で構成されている。以下、図3、図4
および図5を参照して具体的に説明する。
0c上には、多結晶シリコンからなる図3に示す半導体層141、図4に示す半導体層1
51および図5に示す半導体層161が形成されている。なお、半導体層141、151
、161はそれぞれ、ソース領域141a、151a、161aと、ドレイン領域141
b、151a、161aと、チャネル領域141c、151c、161cと、を含む。
、ゲート電極143、153、163はそれぞれ、半導体層141のチャネル領域141
c、151c、161cの位置に対応するようにゲート絶縁膜142上に形成されている
。また、共通電極用配線106も同時にゲート絶縁膜142上に形成される。ゲート絶縁
膜142およびゲート電極143、153、163上には、層間絶縁層144が設けられ
ている。なお、ゲート絶縁膜142および層間絶縁層144は、珪素化合物などの無機絶
縁材料から形成されている。
6、156、166が形成され、半導体層141、151、161のソース領域141a
、151a、161aとソース電極145、155、165、半導体層141のドレイン
領域141b、151b、161bとドレイン電極146、156、166は、層間絶縁
層144に設けられたコンタクトホールを介してそれぞれ電気的に接続されている。なお
、ソース電極145は電源線103と電気的に接続され、ドレイン電極156は信号線1
02と電気的に接続され、ドレイン電極166は走査線101と電気的に接続されている
。
44を覆うように、平坦化絶縁層125が形成されている。具体的には、平坦化絶縁層1
25は、発光領域300から配線領域310に亘って延在するように形成され、平坦化絶
縁層125の端部125aは、配線領域310内に配置されている。平坦化絶縁層125
は、駆動用TFT116の配線による凹凸を平坦にする機能を有しており、アクリルなど
の有機材料から形成されている。
配線層200と称し、基板10と配線層200とを含めて基体210と称している。
130および画素電極20がこの順に設けられている。
層15と画素電極20とは平面視において重なる部分を備えるように設けられる。また、
反射層15は、発光層40から発せられた光を保護基板95側へ反射させる機能を有して
いる。したがって、反射層15は、光反射性を有する材料であれば何れでもよく、例えば
金属材料のアルミニウムや銀などの光反射性能が高い材料が好適に用いられる。
信号線駆動回路115の全面を覆うように形成されている。具体的には、無機絶縁層13
0は、発光領域300から配線領域310、さらには封止端領域320の外側まで延在し
て、層間絶縁層144と接触するように設けられている。
25内に含まれる水分を有機EL素子100に浸入させないという機能を有している。さ
らに、無機絶縁層130は、発光層40から発せられた光を反射層15へあるいは反射層
15で反射された光を保護基板95側へ透過させる必要があるので、耐水性および光透過
性を有する絶縁性材料を用いる。具体的には、後述する第1封止層60および第2封止層
80との密着性を高めるため、無機絶縁材料が好ましく、珪素化合物、特に窒化珪素、酸
化珪素、および珪素酸窒化物などのいずれかを用いることが望ましい。
電極20は、仕事関数が5eV以上の正孔注入性の高い材料が望ましく、ITO(Ind
ium Tin Oxide)などの光透過性の有する導電性材料が好適に用いられる。
また、画素電極20は、無機絶縁層130および平坦化絶縁層125に設けられたコンタ
クトホールH1を介して、駆動用TFT116のドレイン電極146と電気的に接続され
ている。なお、駆動用TFT116のドレイン電極146に対応する位置にコンタクトホ
ールH1を設ける構成に限定されず、駆動用TFT116のドレイン電極146と電気的
に接続された配線に対応する位置にコンタクトホールH1を形成してもよい。すなわち、
駆動用TFT116と画素電極20とが電気的に接続されている構成であればよい。
115と平面視において重なる無機絶縁層130上には、配線保護膜170が形成されて
いる。配線保護膜170は、後に形成する第1封止層60の形成時における走査線駆動回
路114および信号線駆動回路115へのダメージを防止する機能を有する膜であり、画
素電極20の形成時に同時にパターン形成される。すなわち、配線保護膜170は、画素
電極20と同じ材料で形成され、ITOが好適に用いられる。
ンク層(画素隔壁)30が設けられている。具体的には、バンク層30は、画素電極20
の対応する位置に開口部を有するように、格子状に形成されている。バンク層30は、例
えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のある有機材料により形成され
ている。なおバンク層30は、画素電極20の一部と重なるように形成されており、本実
施形態では、バンク層30の一部が画素電極20の端部に乗り上げるように重ねて形成さ
れている。また、バンク層30により、単一の有機EL素子100を区画している。
すなわち発光領域300内に配置され、平面視において、平坦化絶縁層125の端部12
5aとは重ならないように形成されている。なお、バンク層30の外周部30aが平坦化
絶縁層125の端部125aと平面視において重なるように配置されていてもよいが、バ
ンク層30の外周部30aと平坦化絶縁層125の端部125aとが重なることで層間絶
縁層144からバンク層30に至るまでの段差が生じてしまう。そのため、後に形成され
る、バンク層30の外周部30aを覆う共通電極50および第1封止層60の成膜性が低
下し、共通電極50が断線してしまう、もしくは第1封止層60にクラックが生じてしま
う虞がある。したがって、平坦化絶縁層125の端部125aとバンク層30の外周部3
0aは、平面視において重ならないように形成するのが好ましい。
い。すなわち、バンク層30の外周部30aは、平坦化絶縁層125の端部125aより
も外側である配線領域310内に配置されていてもよい。このようにすれば、平坦化絶縁
層125の端部125aをバンク層30が覆うので、段差部が軽減され、共通電極50の
断線や第1封止層60のクラックなどが生じにくくなる。
それぞれ所望の発光色(R、G、B)を有する発光材料を有機EL素子100ごとにイン
クジェット法やマスクを用いた真空蒸着法などにより塗り分け、発光層40R、40G、
40Bを形成する。
子輸送層などのキャリア注入層またはキャリア輸送層を備えるもの、さらには、正孔阻止
層(ホールブロッキング層)、電子阻止層(エレクトロン阻止層)の少なくともいずれか
を一つを備えていてもよい。なお、本明細書中において特別の指示が無い限り、発光層4
0の他に上記のいずれかの層を備えた場合についても、発光層40と称している。発光層
40を構成するいずれの層も、それぞれ公知の材料を用いることができ、例えば、発光層
40の下層或いは上層に、トリアリールアミン(ATP)多量体正孔注入層、TDP(ト
リフェニルジアミン)系正孔輸送層、アルミニウムキノリノール(Alq3)層(電子輸
送層)、LiF(電子注入バッファー層)を成膜してもよい。
て、共通電極50が形成されている。さらにいえば、発光領域300より広い範囲を備え
て、発光層40およびバンク層30の上面、さらにはバンク層30の外周部30aを覆う
ように形成される。さらに共通電極50は、配線領域310内の平坦化絶縁層125の端
部125aの外側において、無機絶縁層130および層間絶縁層144に設けられたコン
タクトホールH2を介して共通電極用配線106に電気的に接続される。この共通電極用
配線106は、基板10に接合されたフレキシブル基板220(図2参照)に設けられた
図示しない配線と電気的に接続されており、これによって共通電極50は、共通電極用配
線106を介してフレキシブル基板220(図2参照)上の図示しない配線を介して図示
しない外部回路に接続される。共通電極50は、電子注入効果の大きい(仕事関数が4e
V以下)材料が望ましく、例えば、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム、
又はこれらの化合物が用いられ、化合物としては、フッ化カルシウム等の金属フッ化物や
酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体が該当す
る。なお、本実施形態では、マグネシウムおよび銀を共蒸着し、光透過性が得られる膜厚
に調整して用いる。
覆うように第1封止層60が形成されている。具体的には、第1封止層60は、共通電極
50および配線保護膜170の全面と無機絶縁層130を覆うように、発光領域300か
ら配線領域310、さらには封止端領域320に亘って延在され、第1封止層60の端部
60aが無機絶縁層130と接触するように形成されている。
通電極50や発光層40を劣化から保護する機能を有する保護膜である。なお、第1封止
層60は、本実施形態はトップエミッション型であるので光透過性を有し、かつガスバリ
ア性、耐水性を考慮した材料が選択される。例えば、珪素化合物など光透過性を有する無
機化合物、好ましくは珪素化合物、特に珪素の窒化物や珪素の酸窒化物が望ましい。
0が形成されている領域よりも広い範囲で、第1封止層60の全面を覆うように樹脂封止
層70が形成されている。すなわち、樹脂封止層70は、封止端領域320における第1
封止層60の端部60aより外側まで形成されていて、樹脂封止層70の端部70aが無
機絶縁層130と接触するように形成されている。
ク層30、平坦化絶縁層125、共通電極用配線106、コンタクトホールH2、走査線
駆動回路114、信号線駆動回路115により発生した第1封止層60の凹凸を埋め、樹
脂封止層70の上面が略平坦になるように形成されている。
5の端部125aの段差に起因して剥離しやすい。また、配線領域310を覆うように設
けられた第1封止層60は、配線領域310に設けられているコンタクトホールH2、走
査線駆動回路114および信号線駆動回路115の凹凸に起因してITO膜および無機絶
縁層130から剥離しやすい。樹脂封止層70は、バンク層30に起因する凹凸および配
線領域310に設けられる配線やコンタクトホールに起因して生じた無機絶縁層130の
凹凸を埋めるように形成されるので、共通電極50および第1封止層60の剥離を防止す
る機能を有する。また、樹脂封止層70の上面が略平坦化されるので、後述する樹脂封止
層70上に形成される第2封止層80の上面も平坦化されるので、第2封止層80への応
力集中が軽減される。
のような流動性を有する材料を用いて形成されている。しかしながら、流動性を有するた
め樹脂封止層70が、基板10の外周部へ向かって流れ出してしまう虞がある。すなわち
、樹脂封止層70の端部70aが、発光領域300さらには配線領域310から離れた位
置にまで配置されてしまい、いわゆる額縁領域が広くなってしまう。しかし、配線領域3
10には、走査線駆動回路114、信号線駆動回路115およびコンタクトホールH2な
どに起因する凹凸部が存在しているので、この凹凸部によって流動性のある樹脂封止層7
0を堰き止めることができ、額縁領域が広くならないよう樹脂封止層70の流動を効果的
に抑制することができる。
止層60と同様の機能を有する膜であって、同一の材料で形成されている。具体的には、
樹脂封止層70が形成されている領域よりも広い範囲で、樹脂封止層70の全面を覆うよ
うに形成されている。すなわち、第2封止層80は、樹脂封止層70の端部70aより外
側まで形成されていて、第2封止層80の端部80aが無機絶縁層130と接触するよう
に形成されている。
じやすい。具体的には、基板10上のあらゆる凹凸に起因して樹脂封止層70の膜厚の差
が生じやすく、特に樹脂封止層70の端部70aにおいては、膜厚の差がより生じやすい
。樹脂封止層70の端部70aにおいて膜厚に差があると、第1封止層60および第2封
止層80は、同じ材料で形成された場合においてもそれぞれの内部応力に差が生じてしま
う。その結果、第1封止層60および第2封止層80の端部同士を接触させてしまうと、
少なくともどちらか一方にクラックが生じてしまい、封止性能が低下してしまう。本発明
においては、第1封止層60の端部60aおよび第2封止層80の端部80aを互いに接
触させないので、クラックの発生を抑制することができる。さらに、無機化合物からなる
第1封止層60の端部60aおよび第2封止層80の端部80aをそれぞれ無機絶縁層1
30と接触させるので、端部における密着性を確保することができ、封止性能を低下させ
ることなく、クラックの発生を効果的に防止することができる。
0は、第2封止層80上に保護基板95を固定させ、かつ外部からの機械的衝撃に対する
緩衝機能を有しており、発光層40や第2封止層80の保護をする。接着層90は、例え
ばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの透明樹脂材料が好まし
い。なお、接着層90には、シランカップリング剤を添加しておくのが好ましく、このよ
うにすれば、接着層90と第2封止層80との接着性、すなわち密着性がより良好になり
、機械的衝撃に対する緩衝機能や第2封止層80のガスバリア性をより高めることができ
る。
ス、透明プラスチック、透明プラスチックフィルムが採用される。ここで、プラスチック
材料としては、例えば、PET、アクリル、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が採用
される。また、保護基板95には、紫外線遮断/吸収層や光反射防止層、放熱層、レンズ
等が設けられていてもよい。
15および共通電極用配線106に限定されず、電源線103(図1参照)、信号線10
2(図1参照)、信号線駆動回路115に制御信号を供給する図示しない駆動回路用制御
信号配線や、走査線101(図1参照)、走査線駆動回路114に電源電圧を供給する図
示しない駆動回路用電源配線および図示しない検査回路であってもよい。すなわち、配線
領域310に形成される配線は、発光領域300内の画素と電気的に接続される配線であ
り、発光領域300内の画素と電気的に接続される配線であれば上述の配線に限定されな
い。
第2封止層80の各々の端部は、発光領域300から延在された無機絶縁層130と接触
させ、第1封止層60、樹脂封止層70および第2封止層80の各々の端部同士を互いに
接触させない。よって、樹脂封止層70の端部70aの膜厚が場所によって異なる場合で
あっても、第1封止層60および第2封止層80の内部応力の差に起因して生じる第1封
止層60および第2封止層80のクラックの発生を抑制することができる。さらに、無機
化合物からなる第1封止層60の端部60aおよび第2封止層80の端部80aをそれぞ
れ無機絶縁層130と接触させるので、封止端部における密着性を十分に確保することが
でき、封止性能を低下させることない。したがって、封止性能を低下させることなく、ク
ラックの発生を効果的に防止することができ、封止性能に優れた有機EL装置1を提供す
ることができる。
次に、本発明の電子機器について説明する。
電子機器は、上述した有機EL装置1を表示部として用いたものであり、具体的には図
6に示すものが挙げられる。
図6(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図6(a)において、携帯電話
1000は、上述した有機EL装置1を用いた表示部1001を備える。
図6(b)は、ヘッドマウントディスプレイの一例を示した斜視図である。図6(b)
において、ヘッドマウントディスプレイ2000は、上述した有機EL装置1を用いた表
示部2001を備える。
なお、携帯電話およびヘッドマウントディスプレイのほかに、パソコンなどの情報処理
装置やテレビなどの電子機器の表示部に、上述の有機EL装置1を用いてもよい。
EL装置1を有した表示部1001、2001を備えているので、信頼性の高い電子機器
となる。
器であってもよい。例えば、有機EL装置1を露光ヘッド(ラインヘッド)として備える
ページプリンター(画像形成装置)や、有機EL装置1を発光部として備える照明装置で
あってもよい。
上記の有機EL装置1において、反射層15を設けずに、平坦化絶縁層125の全面を
覆うように無機絶縁層130を形成する構成としてもよい。なお、反射層15を設けず、
発光層40から発せられた光を基板10側から出射させるいわゆるボトムエミッションの
場合には、共通電極50は光反射性を有するような膜厚で形成すればよい。また、上記の
有機EL装置1のように、発光層40から発せられた光を保護基板95側から出射させる
いわゆるトップエミッション構造の場合には、画素電極20は、光反射性を有する金属材
料を用いるか、ITOと金属膜とを直接積層した多層構造とすればよい。いずれの場合に
おいても、平坦化絶縁層125の全面を覆うように設けられた無機絶縁層130上に画素
電極20を設けるので、平坦化絶縁層125内に含まれる水分を有機EL素子100に浸
入させない機能を十分に発揮することができ、封止性能に優れた有機EL装置1を実現す
ることができる。
上記の有機EL装置1において、発光層40は、開口部25にのみ形成される構成に限
定されず、開口部25およびバンク層30を覆うように発光層40が設けられていてもよ
い。すなわち複数の有機EL素子100に跨るように共通して発光層40が設けられてい
てもよい。さらに、発光層40から発せられる光は白色光として、射出された白色光は、
R、G、Bに対応する所定の波長範囲の光を透過させ他の波長範囲の光を遮光する図示し
ないカラーフィルターを介して各色の光に変換させて、有機EL装置1のフルカラー表示
を行ってもよい。
上記の有機EL装置1における第2封止層80上に設ける接着層90、保護基板95の
構成は、これに限定されない。例えば、第2封止層80上には接着層90を介さずに、有
機EL素子100が形成されている領域に彫り込み部を設けた保護基板95を基体210
に接合して中空構造とする、いわゆる缶封止構造としてもよい。
0R,40G,40B…発光層、50…共通電極、60…第1封止層、70…樹脂封止層
、80…第2封止層、90…接着層、95…保護基板、100…有機EL素子、106…
共通電極用配線、114…走査線駆動回路、115…信号線駆動回路、116…駆動用T
FT、125…平坦化絶縁層、130…無機絶縁層、170…配線保護膜、200…配線
層、210…基体、300…発光領域、310…配線領域、320…封止端領域。
Claims (8)
- 基体上に、
無機絶縁層と、
前記無機絶縁層上に設けられた第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第2の電極と、
前記第2の電極を覆うように設けられた第1の封止層と、
前記第1の封止層を覆うように設けられた樹脂封止層と、
前記樹脂封止層を覆うように設けられた第2の封止層と、を備え、
前記第1の封止層、前記樹脂封止層および前記第2の封止層は、それぞれ前記無機絶縁
層と接していることを特徴とする有機EL装置。 - 前記第1の封止層および前記第2の封止層が、無機化合物により形成されていることを
特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。 - 前記基体と前記無機絶縁層との間には、反射層を有し、
前記反射層は、前記発光層から発せられた光を前記第2の電極側に反射させることを特
徴とする請求項1または2に記載の有機EL装置。 - 前記基体上には、
前記第1の電極に対応する開口部が設けられたバンク層と、
前記バンク層の外側に設けられた配線部と、を有し、
前記第2の電極は、前記バンク層を覆っており、
前記無機絶縁層は、前記バンク層の外側まで延在して、前記配線部を覆っており、
前記無機絶縁層は、前記配線部の外側で、前記第1の封止層、前記樹脂封止層および前
記第2の封止層とそれぞれ接していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に
記載の有機EL装置。 - 前記配線部は、前記第2の電極と電気的に接続された第2電極用配線と、前記第2の電
極と前記第2電極用配線とを電気的に接続するコンタクトホールと、を含むことを特徴と
する請求項4に記載の有機EL装置。 - 前記配線部は、少なくとも走査線、信号線および電源線のいずれかを含むことを特徴と
する請求項4に記載の有機EL装置。 - 前記配線部は、前記走査線と電気的に接続された走査線駆動回路または前記信号線と電
気的に接続された信号線駆動回路を含むことを特徴とする請求項6に記載の有機EL装置
。 - 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の有機EL装置を備える電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010237162A JP5472035B2 (ja) | 2010-10-22 | 2010-10-22 | 有機el装置および電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010237162A JP5472035B2 (ja) | 2010-10-22 | 2010-10-22 | 有機el装置および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012089436A true JP2012089436A (ja) | 2012-05-10 |
JP5472035B2 JP5472035B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=46260835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010237162A Active JP5472035B2 (ja) | 2010-10-22 | 2010-10-22 | 有機el装置および電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5472035B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140030842A (ko) * | 2012-09-04 | 2014-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법 |
JP2014103111A (ja) * | 2012-11-19 | 2014-06-05 | Samsung Display Co Ltd | 有機発光表示装置、及び有機発光表示装置の製造方法 |
JP2015023023A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 有機発光表示装置及びその製造方法 |
JP2015053213A (ja) * | 2013-09-09 | 2015-03-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
JP2019061961A (ja) * | 2013-12-02 | 2019-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US11751445B2 (en) | 2018-03-29 | 2023-09-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003017244A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Sony Corp | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
JP2003086352A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2003282241A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 |
JP2005166395A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 分散型エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2005319678A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Nippon Zeon Co Ltd | 積層体、発光素子及びその使用 |
JP2007090803A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Fujifilm Corp | ガスバリアフィルム、並びに、これを用いた画像表示素子および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2007157470A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
JP2010027561A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
JP2010231908A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
-
2010
- 2010-10-22 JP JP2010237162A patent/JP5472035B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003017244A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Sony Corp | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
JP2003086352A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2003282241A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 |
JP2005166395A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 分散型エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2005319678A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Nippon Zeon Co Ltd | 積層体、発光素子及びその使用 |
JP2007090803A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Fujifilm Corp | ガスバリアフィルム、並びに、これを用いた画像表示素子および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2007157470A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
JP2010027561A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
JP2010231908A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140030842A (ko) * | 2012-09-04 | 2014-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법 |
KR101941661B1 (ko) * | 2012-09-04 | 2019-01-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법 |
JP2014103111A (ja) * | 2012-11-19 | 2014-06-05 | Samsung Display Co Ltd | 有機発光表示装置、及び有機発光表示装置の製造方法 |
JP2015023023A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 有機発光表示装置及びその製造方法 |
US10032835B2 (en) | 2013-07-22 | 2018-07-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emtting display apparatus and method of manufacturing same |
JP2015053213A (ja) * | 2013-09-09 | 2015-03-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
JP2020106847A (ja) * | 2013-12-02 | 2020-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
JP2020144385A (ja) * | 2013-12-02 | 2020-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US10312315B2 (en) | 2013-12-02 | 2019-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10355067B2 (en) | 2013-12-02 | 2019-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
JP2019061961A (ja) * | 2013-12-02 | 2019-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
JP2020129128A (ja) * | 2013-12-02 | 2020-08-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US10763322B2 (en) | 2013-12-02 | 2020-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
JP2020144382A (ja) * | 2013-12-02 | 2020-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
JP2020144386A (ja) * | 2013-12-02 | 2020-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
JP2019071277A (ja) * | 2013-12-02 | 2019-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US10854697B2 (en) | 2013-12-02 | 2020-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10872947B2 (en) | 2013-12-02 | 2020-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10879331B2 (en) | 2013-12-02 | 2020-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US11004925B2 (en) | 2013-12-02 | 2021-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US11672148B2 (en) | 2013-12-02 | 2023-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US12048207B2 (en) | 2013-12-02 | 2024-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US11751445B2 (en) | 2018-03-29 | 2023-09-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5472035B2 (ja) | 2014-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10204846B2 (en) | Display device | |
US10651265B2 (en) | Organic light emitting display device | |
US10170525B2 (en) | Organic light emitting display device | |
US11482695B2 (en) | Organic light emitting display device including a transparent region | |
KR102614612B1 (ko) | 관통홀을 통해 기판의 앞면과 배면을 연결한 평판 표시장치 | |
KR102504630B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
JP6947536B2 (ja) | 表示装置 | |
WO2018128033A1 (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
US10332952B2 (en) | Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus | |
US20180151850A1 (en) | Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same | |
US20170104036A1 (en) | Display device | |
KR101065410B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
US9941338B2 (en) | Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same | |
KR102664048B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
JP6715708B2 (ja) | 表示装置 | |
KR20190029860A (ko) | 표시 장치 | |
JP5472035B2 (ja) | 有機el装置および電子機器 | |
JP4978138B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2016134236A (ja) | 表示装置 | |
US20180301651A1 (en) | Display device | |
US20090058293A1 (en) | Display device | |
KR20160074411A (ko) | 유기 일렉트로 루미네센스 표시 장치 | |
US20200273940A1 (en) | Organic light emitting diode display device | |
KR102591727B1 (ko) | 정전기 방지 다이오드 및 정전기 방지 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치 | |
JP6486848B2 (ja) | 表示装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130409 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131022 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20131101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5472035 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |