JP2012083159A - ガス濃度測定装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体レーザへの戻り光及びフリンジノイズを大幅に低減することができるガス濃度測定装置。
【解決手段】レーザ光を発生する波長可変型の半導体レーザ1と、半導体レーザからのレーザ光の内の特定の偏光方向を持つレーザ光を通過させる第1の偏光板6と、第1の偏光板からのレーザ光を円偏光させる第1の1/4波長板8と、ガスを封入し且つ第1の1/4波長板からのレーザ光を入射するサンプルセル2と、サンプルセルからのレーザ光を直線偏光させる第2の1/4波長板9と、第2の1/4波長板からのレーザ光の内の特定の偏光方向を持つレーザ光を通過させる第2の偏光板7と、第2の偏光板からのレーザ光を受光する受光素子3とを備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、波長可変型の半導体レーザを用いてサンプルセル内のガスの濃度を測定するガス濃度測定装置に関する。
波長可変型ダイオードレーザ分光吸収法(TDLAS)は、レーザ光の周波数を変調することにより測定ガスの微小な吸収を高感度で検出し、測定ガスの濃度を測定できる方法である。
測定ガスの濃度を測定する装置として、特許文献1に記載された技術が知られている。図5は、特許文献1に記載された従来のガス濃度測定装置の構成図である。図5に示すガス濃度測定装置は、波長可変型の半導体レーザ1、サンプルセル2、受光素子3、レーザ駆動部4、演算処理部5を有している。
レーザ駆動部4は、半導体レーザ1を駆動するもので、半導体レーザ1の発振波長を一定周期で変調する。半導体レーザ1は、発振波長が一定周期で変調されたレーザ光を発生し、発生したレーザ光をサンプルセル2に導く。サンプルセル2は、測定ガスを封入し、半導体レーザ1からのレーザ光を測定ガスを介して受光素子3に導く。このとき、測定ガスが封入されたサンプルセル2を通過したレーザ光は、ガス濃度に応じて測定ガスに吸収される。
受光素子5は、サンプルセル2内の測定ガスにより吸収されて減少された透過光量を検出する。演算処理部5は、例えばロックインアンプなどであり、受光素子3で検出された透過光量内の変調信号の2倍周波数を同期検波することによりサンプルセル2内の測定ガスの濃度を測定する。
特開2001−21493号公報
しかしながら、半導体レーザ1から放たれたレーザ光が受光素子3で反射し、戻り光となって半導体レーザ1の発光部に入射するとき、誘導放出が混乱し、光の強度が変動し、共振器でのレーザ光の発振が不安定になってしまう。
また、半導体レーザ1から放たれたレーザ光が受光素子3で反射され、光軸上の窓やセルの内壁などの光軸上で再反射し、再反射されたレーザ光が受光素子3に再入射されるとき、その往復分が光路差となり、フリンジノイズとなる。測定されるガスの温度変化によって光路差が変化するため、干渉の明暗が動く。その結果、レーザ光の信号強度が時間的に変化し、ガス濃度を正確に測定することができなかった。
本発明の課題は、半導体レーザへの戻り光及びフリンジノイズを大幅に低減することができるガス濃度測定装置を提供することにある。
本発明に係るガス濃度測定装置は、上記課題を解決するために、レーザ光を発生する波長可変型の半導体レーザと、前記半導体レーザからのレーザ光の内の特定の偏光方向を持つレーザ光を通過させる第1の偏光板と、前記第1の偏光板からのレーザ光を円偏光させる第1の1/4波長板と、ガスを封入し且つ前記第1の1/4波長板からのレーザ光を入射するサンプルセルと、前記サンプルセルからのレーザ光を直線偏光させる第2の1/4波長板と、前記第2の1/4波長板からのレーザ光の内の特定の偏光方向を持つレーザ光を通過させる第2の偏光板と、前記第2の偏光板からのレーザ光を受光する受光素子とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、半導体レーザとサンプルセルとの間に第1の偏光板及び第1の1/4波長板を配置し、サンプルセルと受光素子との間に第2の偏光板及び第2の1/4波長板をアイソレータとして設けたので、半導体レーザへの戻り光及びフリンジノイズを大幅に低減することができる。
実施例1のガス濃度測定装置の構成図である。 実施例1のガス濃度測定装置においてレーザ光の光軸に対する偏向板と1/4波長板との配置関係を示す図である。 実施例1のガス濃度測定装置においてレーザ光がP方向に進むときの1/4波長板の傾き角度を示す図である。 実施例1のガス濃度測定装置においてレーザ光がQ方向に進むときの1/4波長板の傾き角度を示す図である。 従来のガス濃度測定装置の構成図である。
以下、本発明のガス濃度測定装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、実施例1のガス濃度測定装置の構成図である。図1に示す実施例1のガス濃度測定装置は、図5に示すガス濃度装置に対して、さらに、半導体レーザ1とサンプルセル2との間に、偏光板(第1の偏光板に対応)6と1/4波長板(第1の1/4波長板に対応)8とを設け、サンプルセル2と受光素子3との間に、偏光板(第2の偏光板に対応)7と1/4波長板(第2の1/4波長板に対応)9とをアイソレータとして設けたことを特徴とする。
なお、図1に示すその他の構成は、図5に示す構成と同一であるので、同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。ここでは、偏光板6,7と1/4波長板8,9とを説明する。
偏光板6,7は、特定の偏光方向を持つ光を通過させる光学素子である。偏光板6は、図2(a)に示すように、半導体レーザ1からのレーザ光の偏光の向きに合わせて傾き角度が設定され、半導体レーザ1からのレーザ光の偏光の向きに合わせた直線偏光されたレーザ光を通過させる。
1/4波長板8は、図2(a)に示すように、偏光板6の傾き角度に対して例えば時計方向に45°傾けて配置され、偏光板6からの直線偏光されたレーザ光を円偏光させてサンプルセル2に導く。
偏光板7は、図2(b)に示すように、レーザ光の進行方向から見て、偏光板6の傾き角度と同じ傾き角度に設定されている。1/4波長板9は、図2(b)に示すように、レーザ光の進行方向から見て、1/4波長板8の傾き角度と同じ傾き角度に設定されている。
1/4波長板9は、サンプルセル2からの円偏光されたレーザ光を直線偏光させる。偏光板7は、1/4波長板9からの直線偏光されたレーザ光を通過させて受光素子3に導く。なお、図2(a)、図2(b)において、Oはレーザ光の光軸を示している。
次に、このように構成された実施例1のガス濃度測定装置の動作を、図3及び図4を用いて詳細に説明する。図3は、実施例1のガス濃度測定装置においてレーザ光がP方向に進むときの1/4波長板8,9の傾き角度を示す図である。
まず、可干渉距離が短い半導体レーザ1から放たれたレーザ光は、直線偏光であり、このレーザ光の偏光の向きに偏光板6が合わせられているので、偏光板6を通過したレーザ光は、偏光板6の傾き角度を持つ直線偏光となる。このときの偏光板6の傾き角度を持つ直線偏光信号は、図3(a)においてV1で示している。
そして、偏光板6に対して時計方向に45°傾いて配置された1/4波長板8により、図3(a)に示すように、直線偏光信号V1(90°成分)と偏光信号V2(0°成分)とが合成されて直線偏光が円偏光C1に変換される。
次に、偏光板7に対して時計方向に45°傾いて配置された1/4波長板9により、図3(b)に示すように、円偏光C1が直線偏光(信号V1)に変換される。
また、直線偏光されたレーザ光の偏光の向きに合せるように偏光板7が配置されているので、偏光板7を通過したレーザ光は、偏光板7の傾き角度を持つ直線偏光となり、受光素子3で受光される。
一方、受光素子3の受光面で反射されて戻ってくるレーザ光(戻り光)は、偏光板7を通過して1/4波長板9を通過すると、直線偏光が円偏光に戻る。この戻り光は、円偏光の向きが逆向きになっている。
このときの動作を図4を用いて説明する。図4は、レーザ光がQ方向に進むとき、即ち戻り光のときの1/4波長板8,9の傾き角度を示す図である。図4(a)(b)に示すように、1/4波長板8,9は、戻り光のときには、直線偏光信号V3(90°成分で直線偏光信号V1と同じ)に対して反時計方向に45°傾いている。
受光素子3からの戻り光は、偏光板7により直線偏光されて、図4(a)に示すように、直線偏光信号V3(90°成分)となって1/4波長板9に導かれる。
偏光板7に対して反時計方向に45°傾いて配置された1/4波長板9により、図4(a)に示すように、直線偏光信号V3(90°成分)と偏光信号V4(180°成分)とが合成されて直線偏光が円偏光に変換される。
次に、偏光板6に対して反時計方向に45°傾いて配置された1/4波長板8により、図4(b)に示すように、円偏光が直線偏光(信号V4)に変換される。この直線偏光(信号V4)の向きは、半導体レーザ1から放たれたレーザ光の直線偏光(信号V1)とは90°傾いている。
このため、戻り光は、偏光板6によりブロックされることで、半導体レーザ1へ戻り光が入射されず、安定にレーザ発振させることができる。
また、半導体レーザ1から放たれたレーザ光は受光素子3で反射され、光軸上の窓やサンプルセル2の内壁等で再反射し、再反射されたレーザ光が受光素子3に再入射されるとき、この往復分が光路差となり、フリンジノイズとなっていた。
これに対して、実施例1のガス濃度測定装置では、受光素子3からのレーザ光が1/4波長板9に入射されるときには、図4(a)に示すように、1/4波長板9は、直線偏光信号V3に対して反時計方向に45°に傾いており、サンプルセル2からのレーザ光が1/4波長板9に入射されるときには、図3(b)に示すように、1/4波長板9は、直線偏光信号V1に対して時計方向に45°に傾いている。
即ち、受光素子3からのレーザ光が1/4波長板9に入射されるときと、サンプルセル2からのレーザ光が1/4波長板9に入射されるときでは、円偏光の向きが逆向きとなっている。そのため、サンプルセル2からのレーザ光が1/4波長板9により円偏光が直線偏波(信号V2)に変換される。この直線偏波(信号V2)の向きは、受光素子3からのレーザ光の直線偏波(信号V3)とは90°傾いている。このため、光軸上の窓やサンプルセル2の内壁等で再反射されたレーザ光は、偏光板7によりブロックされることで受光素子3に入射されない。このため、フリンジノイズを大幅に低減することができる。
なお、実施例1のガス濃度測定装置では、アイソレータとして、半導体レーザ1とサンプルセル2との間に、偏光板6と1/4波長板8とを設け、サンプルセル2と受光素子3との間に、偏光板7と1/4波長板9とを設けたが、アイソレータとして、半導体レーザ1とサンプルセル2との間及びサンプルセル2と受光素子3との間に、ファラデーローテータなどを設けても良い。
本発明に係るガス濃度測定装置は、ガス分析装置に利用可能である。
1 半導体レーザ
2 サンプルセル
3 受光素子
4 レーザ駆動部
5 演算処理部
6,7 偏向板
8,9 1/4波長板

Claims (3)

  1. レーザ光を発生する波長可変型の半導体レーザと、
    前記半導体レーザからのレーザ光の内の特定の偏光方向を持つレーザ光を通過させる第1の偏光板と、
    前記第1の偏光板からのレーザ光を円偏光させる第1の1/4波長板と、
    ガスを封入し且つ前記第1の1/4波長板からのレーザ光を入射するサンプルセルと、
    前記サンプルセルからのレーザ光を直線偏光させる第2の1/4波長板と、
    前記第2の1/4波長板からのレーザ光の内の特定の偏光方向を持つレーザ光を通過させる第2の偏光板と、
    前記第2の偏光板からのレーザ光を受光する受光素子と、
    を備えることを特徴とするガス濃度測定装置。
  2. 前記第1の偏光板は、前記半導体レーザからのレーザ光の偏光の向きに合わせて傾き角度が設定され、
    前記第1の1/4波長板は、前記第1の偏光板に対して45°傾けて配置されることを特徴とする請求項1記載のガス濃度測定装置。
  3. 前記第2の偏光板は、前記レーザ光の進行方向から見て、前記第1の偏光板の傾き角度と同じ傾き角度に設定され、
    前記第2の1/4波長板は、前記レーザ光の進行方向から見て、前記第1の1/4波長板の傾き角度と同じ傾き角度に設定されることを特徴とする請求項2記載のガス濃度測定装置。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6128842A (ja) * 1984-07-18 1986-02-08 Toshiba Corp ガス密度検出装置
JPS634434A (ja) * 1986-06-24 1988-01-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光ピツクアツプ
JPH01501567A (ja) * 1986-10-24 1989-06-01 ブリティッシュ・テクノロジー・グループ・リミテッド 光学装置および方法
JPH04102048A (ja) * 1990-08-22 1992-04-03 Akitetsu Mizuno レーザ式トンネル内空気透過率測定方法と装置
JPH081416B2 (ja) * 1990-07-02 1996-01-10 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 粒子分類装置
JP2001021493A (ja) * 1999-07-12 2001-01-26 Nippon Sanso Corp レーザー分光分析装置
JP2002250708A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Asahi Kasei Corp レーザー計測装置
JP2002541476A (ja) * 1999-04-13 2002-12-03 アメリカ合衆国 物質検出のための差分吸収放射分析に基づく光学経路スイッチング
JP2007513342A (ja) * 2003-12-03 2007-05-24 パルプ アンド ペーパー リサーチ インスチチュート オブ カナダ 円偏光法、並びにセルロース系繊維の壁厚及び小繊維の方位決定用の機器
JP2008241361A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 浮遊粒子状物質測定装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6128842A (ja) * 1984-07-18 1986-02-08 Toshiba Corp ガス密度検出装置
JPS634434A (ja) * 1986-06-24 1988-01-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光ピツクアツプ
JPH01501567A (ja) * 1986-10-24 1989-06-01 ブリティッシュ・テクノロジー・グループ・リミテッド 光学装置および方法
JPH081416B2 (ja) * 1990-07-02 1996-01-10 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 粒子分類装置
JPH04102048A (ja) * 1990-08-22 1992-04-03 Akitetsu Mizuno レーザ式トンネル内空気透過率測定方法と装置
JP2002541476A (ja) * 1999-04-13 2002-12-03 アメリカ合衆国 物質検出のための差分吸収放射分析に基づく光学経路スイッチング
JP2001021493A (ja) * 1999-07-12 2001-01-26 Nippon Sanso Corp レーザー分光分析装置
JP2002250708A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Asahi Kasei Corp レーザー計測装置
JP2007513342A (ja) * 2003-12-03 2007-05-24 パルプ アンド ペーパー リサーチ インスチチュート オブ カナダ 円偏光法、並びにセルロース系繊維の壁厚及び小繊維の方位決定用の機器
JP2008241361A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 浮遊粒子状物質測定装置

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