JP2012069859A - 反射型マスク、及び反射型マスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスク、及び反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、前記基板表面に形成された多層反射層２１と、前記多層反射層の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクの製造工程において、基板裏面よりレーザ照射を行う工程を設けることで、多層反射層２１の界面を消失させ、多層反射層２１から発生する反射強度を下げ、且つ吸収層５１の光学的性質が維持された遮光性の高い遮光枠を作製する。
【選択図】図２

Description

本発明は、反射型マスク、及び反射型マスクの製造方法に関する。特に、極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ；ＥＵＶ）を光源とするＥＵＶリソグラフィを用いた半導体装置などに利用される、反射型マスク、及び反射型マスクの製造方法に関する。

近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶを光源に用いたＥＵＶリソグラフィが提案されている。
ＥＵＶリソグラフィは光源波長の特性のため、真空中で行われる必要がある。更にＥＵＶの波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は１よりもわずかに小さい値であり、また光吸収性が非常に高い。このため、ＥＵＶリソグラフィにおいては従来から用いられてきた屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。従って、マスクも、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスクとする必要がある。

このような反射型マスクは、基板の上に露光光源波長に対して高い反射率を示す多層反射層と、露光光源波長の吸収層が順次形成されており、更に基板の裏面には露光機内における静電チャックのための裏面導電膜が形成されている。また、前記多層反射層と、吸収層の間に緩衝膜を有する構造を持つＥＵＶマスクもある。吸収層を部分的に除去し、緩衝膜を有する構造の場合はこれも同じく除去し、吸収部と反射部からなる回路パターンを形成する。前記反射型マスクで反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。

反射光学系を用いた露光方法では、マスク面に対して垂直方向から所定角度傾いた入射角で照射されるため、吸収層の膜厚が厚い場合、パターン自身の影が生じてしまい、この影となった部分における反射強度は、影になっていない部分よりも小さいため、コントラストが低下し、パターンエッジ部のぼやけや設計寸法からのずれが生じてしまう。
このようなパターンエッジ部のぼやけや設計寸法からのずれを防ぐためには、吸収層の膜厚は小さくし、パターンの高さを低くすることが有効であるが、吸収層の膜厚が小さくなると、吸収層における遮光性が低下し、転写コントラストが低下してしまう。

そこで、吸収層表面における反射光の位相と、吸収層を経由した多層反射層からの反射光の位相を異なる位相とする位相シフト機能を有するように吸収層膜厚を設計した位相シフト型吸収層とすることで、吸収膜の膜厚を小さくしつつ、転写コントラストを改善することができる。但し、同じ材料で構成され、同じ位相シフト機能を有するように設計された、膜厚が異なる吸収層を比較した場合、膜厚が大きい吸収層と比較すると膜厚が小さい吸収層の遮光性は劣る。

一方、反射型マスクを用いて半導体基板上に転写回路パターンを形成する際、一枚の半導体基板上には複数の回路パターンのチップが形成される。
そこで、半導体基板上の各チップ間に区切る枠を設けるため、あらかじめ反射型マスク上に、回路パターン領域を囲うように吸収層による遮光領域、すなわち遮光枠を設けることがある。

一枚の半導体基板上に形成するチップ数を増加させると、隣接するチップ間において、反射型マスク上の遮光枠の領域が重なる領域が存在する場合がある。この場合、この領域については複数回に渡り露光されることになる。
従って、吸収層の膜厚が小さい位相シフト型吸収層を有する反射型マスクを用いて露光を行う場合などでは、多重に露光されることで、各チップを区切る枠となるべき領域の一部は感光してしまい、各チップを区切る正確な枠を形成するのが困難になるという問題があった。

このような問題を解決するために、反射型マスクの吸収層から多層反射層に達する溝を形成することや、回路パターン領域の吸収層の膜厚よりも厚い膜を形成することや、反射型マスク上にレーザ照射もしくはイオン注入することで多層反射層の反射率を低下させることにより、露光光源波長に対する遮光性の高い遮光枠を設けた反射型マスクが提案されている。（特許文献１）

特開２００９−２１２２２０号公報

しかしながら、吸収層から多層反射層に達する溝を形成することや、回路パターン領域の吸収層の膜厚よりも厚い膜を形成することで遮光枠を形成する場合、遮光枠の形成にリソグラフィによるパターニング工程が新たに発生し、反射型マスクを製造する工程が複雑となるため、歩留まりの悪化が懸念される。
また、反射型マスク上にレーザ照射もしくはイオン注入することで遮光枠を形成する場合、多層反射層以外によるレーザ光もしくはイオンの損失があるため、この損失分を考慮したレーザ光もしくはイオンを照射しなくてはならない。また多層反射層以外の膜にはレーザ光もしくはイオンの照射によるダメージが生じ、吸収層の露光光源波長の吸収率の低下してしまうことが懸念される。

そこで、本発明は遮光枠の形成において、リソグラフィなどによるパターニング工程を必要とせず、また遮光枠部位の多層反射層の反射率を低下させ、且つ吸収層へのダメージを抑制することで、吸収層の光学的性質の変化を防ぎ、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスク、及び反射型マスクの製造方法を提供することを目的とする。

本発明の反射型マスクは、基板と、前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層と、を有し、前記吸収層には転写回路パターンが形成された反射型マスクにおいて、前記回路パターン領域の外側に形成され、且つ多層反射層の各界面により発生する反射強度を抑制する遮光枠を有し、当該遮光枠に対応する領域に位置する前記吸収層の光学的性質が、前記転写回路パターン領域に対応する領域に位置する前記吸収層と同等であることを特徴とするものである。

また、本発明の反射型マスクは、前記基板の裏面に導電膜が形成されていることを特徴とするものである。
また、本発明の反射型マスクは、前記遮光枠部位の多層反射層には、当該多層反射層を構成する層と層の間に少なくとも当該多層反射層の隣接する二層の構成材料が含まれる中間層の形成された複合層が、少なくとも１層以上存在することを特徴とするものである。

また、本発明の反射型マスクは、前記遮光枠部位の多層反射層には、少なくとも多層反射層最上層と多層反射層最上層の下に隣接する層との界面が存在することを特徴とするものである。
また、本発明の反射型マスクは、前記遮光枠部位の多層反射層には、多層反射層最上層と多層反射層最上層の上に隣接する層との界面が存在し、且つ多層反射層最上層と多層反射層最上層の下に隣接する層の間に、少なくとも多層反射層最上層の構成材料と多層反射層最上層の下に隣接する層の構成材料とが含まれる中間層が形成されていることを特徴とするものである。

また、本発明の反射型マスクは、前記遮光枠部位の吸収層と吸収層の下に隣接する層には界面が存在することを特徴とするものである。
また、本発明の反射型マスクは、前記遮光枠部位の吸収層と吸収層の下に隣接する層との間には、少なくとも吸収層の構成材料と吸収層の下に隣接する層の構成材料とが含まれる中間層が形成されていることを特徴とするものである。

また、本発明の反射型マスクの製造方法は、基板表面に多層反射層を形成し、前記多層反射層の上に保護層を形成して反射型マスクブランクとする工程と、前記反射型マスクブランクの吸収層に転写回路パターンを形成する工程と、を少なくとも含む反射型マスクの製造方法において、前記基板裏面からレーザ照射、又はイオン注入を行う工程を具備することを特徴とするものである。
また、本発明の反射型マスクの製造方法は、前記レーザ照射、又はイオン注入を行う工程の後に、前記基板の裏面に導電膜を形成する工程を具備することを特徴とするものである。

本発明は、反射型マスクにおいて多層反射層から発生する反射光の強度を抑制し、更に吸収層の光学的性質の変化を抑制することで、遮光性の高い遮光枠を形成することができる。このため本発明の反射型マスクを用いることで、高い精度で転写パターンを形成できるという効果を奏する。

本発明の反射型マスク及び反射型マスクの製造方法の実施形態として用いられた反射型マスクブランクの概略断面図である。 本発明の反射型マスク及び反射型マスクの製造方法の第１及び第２実施形態の反射型マスクの概略断面図である。 本発明の反射型マスク及び反射型マスクの製造方法の第３及び第４実施形態の反射型マスクの概略断面図である。 本発明の反射型マスク及び反射型マスクの製造方法の実施例として用いられた反射型マスクブランクの概略断面図である。

以下、本発明に係る第１乃至第４実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、同一の機能を有する構成要素には同一の符号を付し、特に断る場合を除き同じ説明を繰り返さないものとする。
まず、第１乃至第４実施形態に係る反射型マスクブランクの構成について説明する。図１（ａ）、及び図１（ｂ）は第１及び第２実施形態に係る反射型マスクブランク１００、及び反射型マスクブランク１０１の断面を示している。また、図１（ｃ）、及び図１（ｄ）は第３及び第４実施形態に係る反射型マスクブランク２００、及び反射型マスクブランク２０１の断面を示している。即ち、第１及び第２実施形態では、図１（ａ）の反射型マスクブランク１００を用いてもよいし、図１（ｂ）の反射型マスクブランク１０１を用いてもよく、第３及び第４実施形態では、図１（ｃ）の反射型マスクブランク２００を用いてもよいし、図１（ｄ）の反射型マスクブランク２０１を用いてもよい。

図１（ａ）に示す反射型マスクブランク１００は、基板１１の表面に、多層反射層２１、吸収層５１が順次形成されている。図１（ｂ）に示す反射型マスクブランク１０１は基板１１の表面に、多層反射層２１、吸収層５１が順次形成されていると共に、基板１１の裏面に導電膜７１が形成された構造となっている。つまり、図１（ｂ）の反射型マスクブランク１０１は、図１（ａ）の反射型マスクブランク１００の基板１１の裏面に導電膜７１が形成されている。図１（ｃ）の反射型マスクブランク２００はガラス基板１２の表面に多層反射層２２、緩衝層４１、吸収層５１、低反射層６１が順次形成されている。図１（ｄ）の反射型マスクブランク２０１は、図１（ｃ）の反射型マスクブランク２００のガラス基板１２の裏面に導電膜７１が形成された構造となっている。

図１（ａ）及び図１（ｂ）の多層反射層２１は、１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶに対して６０％程度の反射率を達成できるように設計されており、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）が交互に５０ペア積層した積層膜で、さらに最上層はルテニウム（Ｒｕ）で構成されている。Ｒｕ層の下に隣接する層はＳｉ層である。
図１（ｃ）及び図１（ｄ）の多層反射層２２は、１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶに対して６０％程度の反射率を達成できるように設計されており、ＭｏとＳｉが交互に４０ペア積層した積層膜で、最上層はＳｉ層で構成されている。

図１（ｃ）及び図１（ｄ）の緩衝層４１は、吸収層５１のエッチングやパターン修正時に、緩衝層の下に隣接する多層反射層２２の最上層であるＳｉ層を保護するために設けられており、クロム（Ｃｒ）の窒素化合物（ＣｒＮ）で構成されている。
図１（ａ）〜図１（ｄ）の吸収層５１は、１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶに対して吸収率の高いタンタル（Ｔａ）の窒素化合物（ＴａＮ）で構成されている。他の材料として、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）やタンタルシリコン（ＴａＳｉ）でも良い。

図１（ｃ）及び図１（ｄ）の低反射層６１は、１９０ｎｍ〜２６０ｎｍの紫外光に対して反射防止機能を有し、Ｔａの酸化窒化物（ＴａＯＮ）で構成される。他の材料としてタンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）やタンタルシリコン酸化物（ＴａＳｉＯ）でも良い。
図１（ｂ）及び図１（ｄ）の導電膜７１は、ＣｒＮで構成されている。

（第１実施形態）
以下、第１実施形態の反射型マスク及び反射型マスクの製造方法について説明する。まず、図１（ａ）に示す反射型マスクブランク１００を用意し、電子線リソグラフィ、塩素プラズマによるドライエッチング、レジスト剥離洗浄工程を経て、吸収層５１に回路パターン９１を形成し、図２（ａ）に示す作製途中の反射型マスク１１０を得る。

次に、作製途中の反射型マスク１１０の基板１１の裏面より、パルスレーザを照射し、多層反射層２１のＭｏ層とＳｉ層の間に少なくともそれら２層の構成材料であるＭｏとＳｉを含む中間層が形成された複合層３１を形成し、図２（ｂ）に示す遮光枠１が形成された作製途中の反射型マスク１２０を得る。この工程において、レーザ照射のエネルギー、および光軸を精密に調整することで、多層反射層におけるＲｕ層とＳｉ層の界面や一部のＭｏ層とＳｉ層の界面は残すことができる。

遮光枠１が形成された作製途中の反射型マスク１２０の基板１１の裏面に、スパッタリングにより導電膜７１を形成することで図２（ｃ）に示す、遮光枠１が形成された反射型マスク１３０を得る。
反射型マスク１３０に１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶを照射した場合、遮光枠１において吸収層５１で吸収されなかったＥＵＶは、Ｒｕ層とＳｉ層の界面などで反射するが、反射光は再度吸収層５１を経由するため、更に吸収される。こうして遮光性の高い遮光枠１を形成することができる。

なお、予め導電膜７１が形成された図１（ｂ）の反射型マスクブランク１０１を用いて遮光枠が形成された反射型マスク１３０を得る場合、パルスレーザ照射工程において、導電膜７１によるレーザ照射エネルギーの損失を考慮に入れなくてはならないため、精度良く遮光枠１を形成するのが困難となるが、前記スパッタリングにより導電膜７１を形成する工程は省かれる。
また、基板１１の厚さが十分に小さい場合などは、レーザ照射の代わりにイオン注入を行うことで、複合層３１を形成することも可能である。

（第２実施形態）
以下、第２実施形態の反射型マスク及び反射型マスクの製造方法について説明する。第２実施形態については、図２（ａ）に示す作製途中の反射型マスク１１０を得る工程までは、第１実施形態と同じである。

次に、作製途中の反射型マスク１１０の基板１１の裏面より、パルスレーザを照射し、多層反射層２１におけるＭｏ層とＳｉ層の間には少なくともそれら２層の構成材料であるＭｏとＳｉを含む中間層が、Ｒｕ層とＳｉ層の間には少なくともそれら２層の構成材料であるＲｕとＳｉを含む中間層が夫々形成された複合層３２を形成し、図２（ｄ）に示す遮光枠２が形成された作製途中の反射型マスク１３０を得る。この工程において、レーザ照射のエネルギー、および光軸を精密に調整することで、多層反射層４１の最上層であるＲｕ層と吸収層５１の界面は残すことが出来る。

遮光枠２が形成された作製途中の反射型マスク１４０の基板１１の裏面に、スパッタリングにより導電膜７１を形成することで図２（ｅ）に示す、遮光枠２が形成された反射型マスク１５０を得る。
反射型マスク１５０に１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶを照射した場合、遮光枠２において吸収層５１で吸収されなかったＥＵＶは、吸収層５１と多層反射層４１の最上層であるＲｕ層との界面で一部反射するが、反射光は再度吸収層５１を経由するため、更に吸収される。こうして遮光性の高い遮光枠２を形成することができる。

なお、予め導電膜７１が形成された図１（ｂ）の反射型マスクブランク１０１を用いて遮光枠が形成された反射型マスク１５０を得る場合、パルスレーザ照射工程において、導電膜７１によるレーザ照射エネルギーの損失を考慮に入れなくてはならないため、精度良く遮光枠２を形成するのが困難となるが、前記スパッタリングにより導電膜７１を形成する工程は省かれる。
また、基板１１の厚さが十分に小さい場合などは、レーザ照射の代わりにイオン注入を行うことで、複合層３２を形成することも可能である。

（第３実施形態）
以下、第３実施形態の反射型マスク及び反射型マスクの製造方法について説明する。まず、前記図１（ｃ）に示す反射型マスクブランク２００を用意し、電子線リソグラフィによりレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマにより低反射層６１を、塩素プラズマにより吸収層５１をエッチングし、レジスト剥離洗浄することで、吸収層５１に回路パターン９１が形成された、図３（ａ）に示す作製途中の反射型マスク２１０を得る。

次に、作製途中の反射型マスク２１０のガラス基板１２の裏面より、パルスレーザを照射し、多層反射層２２のＭｏ層とＳｉ層の間に少なくともそれら２層の構成材料であるＭｏとＳｉを含む中間層が、Ｒｕ層とＳｉ層の間には多層反射層２２の最上層であるＳｉと緩衝層４１の間には少なくともＳｉとＣｒと窒素（Ｎ）を含む中間層が夫々形成された複合層３３を形成し、図３（ｂ）に示す遮光枠３が形成された作製途中の反射型マスク２２０を得る。この工程において、レーザ照射のエネルギー、および光軸を精密に調整することで、吸収層５１と緩衝層４１の界面は残すことができる。

遮光枠３が形成された作製途中の反射型マスク２２０のガラス基板１２の裏面に、スパッタリングにより導電膜７１を形成することで図３（ｃ）に示す、遮光枠３が形成された反射型マスク２３０を得る。
反射型マスク２３０に１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶを照射した場合、遮光枠３において吸収層５１で吸収されなかったＥＵＶは、一部吸収層５１と緩衝層４１の界面にて反射するが、反射光は再度吸収層５１を経由するため、更に吸収される。こうして遮光性の高い遮光枠３を形成することができる。

なお、予め導電膜７１が形成された図１（ｄ）の反射型マスクブランク２０１を用いて遮光枠３が形成された反射型マスク２３０を得る場合、パルスレーザ照射工程において、導電膜７１によるレーザ照射エネルギーの損失を考慮に入れなくてはならないため、精度良く遮光枠１を形成するのが困難となるが、前記スパッタリングにより導電膜７１を形成する工程は省かれる。

（第４実施形態）
以下、第４実施形態の反射型マスク及び反射型マスクの製造方法について説明する。第４実施形態については図３（ａ）に示す作製途中の反射型マスク２１０を得る工程までは、第３実施形態と同じである。
作製途中の反射型マスク２１０のガラス基板１２の裏面より、パルスレーザを照射し、多層反射層２１のＭｏ層とＳｉ層の間に少なくともそれら２層の構成材料であるＭｏとＳｉを含む中間層が、多層反射層２２の最上層であるＳｉと緩衝層４１の間には少なくともＳｉとＣｒとＮを含む中間層が、緩衝層４１と吸収層５１の間には少なくともＣｒとＴａとＮを含む中間層がそれぞれ形成された複合層３４を形成し、図３（ｄ）に示す遮光枠４が形成された作製途中の反射型マスク２４０を得る。この工程において、レーザ照射のエネルギー、および光軸を精密に調整することで、吸収層５１中の一部に複合層３４が形成される。

遮光枠３が形成された作製途中の反射型マスク２４０のガラス基板１２の裏面に、スパッタリングにより導電膜７１を形成することで図３（ｅ）に示す、遮光枠４が形成された反射型マスク２５０を得る。
反射型マスク２５０に１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶを照射した場合、遮光枠３において吸収層５１で吸収されなかったＥＵＶは、複合層３４があるため反射しない。こうして遮光性の高い遮光枠３を形成することができる。

なお、予め導電膜７１が形成された図１（ｄ）の反射型マスクブランク２０１を用いて遮光枠４が形成された反射型マスク２５０を得る場合、パルスレーザ照射工程において、導電膜７１によるレーザ照射エネルギーの損失を考慮に入れなくてはならないため、精度良く遮光枠１を形成するのが困難となるが、前記スパッタリングにより導電膜７１を形成する工程は省かれる。

以下、本発明の反射型マスク及びその製造方法の実施例を説明する。図４に本実施例で用意した反射型マスクブランク３００を示す。反射型マスクブランク３００は低熱膨張ガラス基板１３の表面に、１３．５ｎｍのＥＵＶに対して反射率が６４％程度となるように設計されたＭｏとＳｉの５０ペアの積層及び最上層にＲｕをもつ多層反射層２３、ＴａＮからなる吸収層５２、ＴａＯＮからなる低反射層６２が順次形成されている。低反射層６２の膜厚は２５０ｎｍ近傍の紫外光に対して反射率が１０％以下となるように設計した。また低反射層６２と吸収層５２の合計膜厚は５０ｎｍとした。

図４の反射型マスクブランク３００に電子線リソグラフィとドライエッチング、レジスト剥離洗浄を行い、低反射層６２、吸収層５２に回路パターンが形成した。低反射層６２のエッチングには四フッ化メタン（ＣＦ４）の誘導結合型プラズマを、吸収層５２のエッチングにはＣｌ２の誘導結合型プラズマをそれぞれ適用した。
低熱膨張ガラス基板１３の裏面から、回路パターン９２を囲うように線幅５ｍｍの枠状領域に対して、パルス型レーザを照射し、遮光枠を形成した。

低熱膨張ガラス基板１３の裏面に、スパッタリングによりＣｒＮを成膜し、回路パターンとこれを囲う遮光枠が形成された反射型マスクを作製した。
前記反射型マスクを用いて１３．５ｎｍのＥＵＶを光源とした露光を行い、半導体基板上に隣接した４つのチップを転写した。隣接したチップにおいて、作製した反射型マスク上の遮光枠に相当する領域の一部は重なっていたにもかかわらず、半導体基板上の当該領域におけるレジストの感光は確認されなかった。

１、２、３、４・・・遮光枠
１１・・・基板
１２・・・ガラス基板
１３・・・低熱膨張ガラス基板
２１、２２、２３・・・多層反射層
３１、３２、３３、３４、３５・・・複合層
４１・・・緩衝層
５１、５２・・・吸収層
６１、６２・・・低反射層
７１・・・導電膜
９１・・・回路パターン
１００、１０１、２０１、２０２、３００・・・反射型マスクブランク
１１０、１２０、１４０、２１０、２２０、２４０・・・作製途中の反射型マスク
２３０、２５０、３３０、３５０・・・反射型マスク

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板表面に形成された多層反射層と、
   前記多層反射層の上に形成された吸収層と、を有し、
   前記吸収層には転写回路パターンが形成された反射型マスクにおいて、
   前記回路パターン領域の外側に形成され、且つ多層反射層の各界面により発生する反射強度を抑制する遮光枠を有し、
   当該遮光枠に対応する領域に位置する前記吸収層の光学的性質が、前記転写回路パターン領域に対応する領域に位置する前記吸収層と同等であることを特徴とする反射型マスク。
2. 前記基板の裏面に導電膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスク。
3. 前記遮光枠部位の多層反射層には、当該多層反射層を構成する層と層の間に少なくとも当該多層反射層の隣接する二層の構成材料が含まれる中間層の形成された複合層が、少なくとも１層以上存在することを特徴とする請求項１又は２に記載の反射型マスク。
4. 前記遮光枠部位の多層反射層には、少なくとも多層反射層最上層と多層反射層最上層の下に隣接する層との界面が存在することを特徴とする請求項３に記載の反射型マスク。
5. 前記遮光枠部位の多層反射層には、多層反射層最上層と多層反射層最上層の上に隣接する層との界面が存在し、且つ多層反射層最上層と多層反射層最上層の下に隣接する層の間に、少なくとも多層反射層最上層の構成材料と多層反射層最上層の下に隣接する層の構成材料とが含まれる中間層が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の反射型マスク。
6. 前記遮光枠部位の吸収層と吸収層の下に隣接する層には界面が存在することを特徴とする請求項３に記載の反射型マスク。
7. 前記遮光枠部位の吸収層と吸収層の下に隣接する層との間には、少なくとも吸収層の構成材料と吸収層の下に隣接する層の構成材料とが含まれる中間層が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の反射型マスク。
8. 基板表面に多層反射層を形成し、前記多層反射層の上に保護層を形成して反射型マスクブランクとする工程と、
   前記反射型マスクブランクの吸収層に転写回路パターンを形成する工程と、を少なくとも含む反射型マスクの製造方法において、
   前記基板裏面からレーザ照射、又はイオン注入を行う工程を具備することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
9. 前記レーザ照射、又はイオン注入を行う工程の後に、前記基板の裏面に導電膜を形成する工程を具備することを特徴とする請求項８に記載の反射型マスクの製造方法。

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