JP2012069724A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置および基板の処理技術に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing technique.
半導体あるいは太陽電池用のCVD(Chemical Vapor Deposition)による基板処理装置としては、抵抗加熱ヒータを有するホットウォール方式の基板処理装置や、RF(Radio Frequency)コイルを有するコールドウォール方式の基板処理装置がある。 As a substrate processing apparatus by CVD (Chemical Vapor Deposition) for semiconductors or solar cells, there are a hot wall type substrate processing apparatus having a resistance heater and a cold wall type substrate processing apparatus having an RF (Radio Frequency) coil. .
これらの基板処理装置のうち、ホットウォール方式の基板処理装置は、抵抗加熱ヒータを備え、当該抵抗加熱ヒータにより処理炉(反応容器)の内部全体を処理温度に昇温し、これによりボートに装填したウェハ(基板)を所望の温度に昇温するようにしている(例えば特許文献1参照)。 Among these substrate processing apparatuses, the hot wall type substrate processing apparatus includes a resistance heater, and the resistance heater heats the entire interior of the processing furnace (reaction vessel) to the processing temperature, thereby loading the boat. The heated wafer (substrate) is heated to a desired temperature (see, for example, Patent Document 1).
一方、コールドウォール方式の基板処理装置は、図17および図18に示すように、複数のウェハaに対応して複数のカーボン製のサセプタbを備え、各サセプタbに各ウェハaをそれぞれ載置した状態のもとで各サセプタbをボートcに装填している。そして、RFコイル(図示せず)に高周波電流を供給することで各サセプタbを誘導加熱し、ひいては各サセプタbに載置した各ウェハaを所望の温度に昇温するようにしている。ここで、図17はサセプタに保持されたウェハを説明する上面図を、図18は図17のZ−Z線に沿う断面図をそれぞれ表している。 On the other hand, as shown in FIGS. 17 and 18, the cold wall type substrate processing apparatus includes a plurality of carbon susceptors b corresponding to a plurality of wafers a, and each wafer a is mounted on each susceptor b. Each susceptor b is loaded into the boat c under the condition described above. Each susceptor b is induction-heated by supplying a high-frequency current to an RF coil (not shown), so that each wafer a placed on each susceptor b is heated to a desired temperature. Here, FIG. 17 is a top view for explaining the wafer held by the susceptor, and FIG. 18 is a sectional view taken along the line ZZ of FIG.
しかしながら、上述のホットウォール方式の基板処理装置によれば、サセプタを備えない分、反応容器に収納できるウェハの枚数を増やせるものの、反応容器の内壁等にCVD膜が成膜されてしまう。したがって、CVD膜の剥がれ(異物)に起因する不良品の発生を防止すべく、反応容器の内壁等に付着したCVD膜を除去するための定期的なメンテナンス処理(エッチング処理等)が必要となり、これが稼働時間の短縮化を招いていた。 However, according to the above-described hot wall type substrate processing apparatus, the number of wafers that can be accommodated in the reaction vessel can be increased by the amount not provided with the susceptor, but a CVD film is formed on the inner wall of the reaction vessel. Therefore, in order to prevent the occurrence of defective products due to the peeling (foreign matter) of the CVD film, a periodic maintenance process (such as an etching process) for removing the CVD film attached to the inner wall of the reaction vessel is necessary. This has led to a reduction in operating time.
一方、上述のコールドウォール方式の基板処理装置によれば、ウェハおよびサセプタにCVD膜が成膜されるため、処理を終えたウェハおよびサセプタを順次交換して運用することで、反応容器のメンテナンス処理を削減でき、稼働時間の延長化を図ることができる。しかしながら、例えば、ウェハの厚み寸法の2倍の厚み寸法を有するサセプタがウェハの枚数だけ必要となるので、反応容器に収納できるウェハの枚数が少なくなって生産性の低下を招くことになる。つまり、図18に示すように、サセプタbの厚み寸法Taが大きい分、厚み寸法Tbの範囲内に収納できるウェハaの枚数が少なくなって生産性が低下する。 On the other hand, according to the above-described cold wall type substrate processing apparatus, a CVD film is formed on the wafer and the susceptor. Can be reduced and the operation time can be extended. However, for example, as many susceptors having a thickness as twice the thickness of the wafer are required, the number of wafers that can be stored in the reaction vessel is reduced, leading to a decrease in productivity. That is, as shown in FIG. 18, as the thickness dimension Ta of the susceptor b is larger, the number of wafers a that can be accommodated within the range of the thickness dimension Tb is reduced and productivity is lowered.
本発明の目的は、反応容器のメンテナンス処理を削減しつつ、反応容器に収納できる基板の枚数を増やすことが可能な基板処理装置および基板の処理方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can increase the number of substrates that can be accommodated in a reaction container while reducing maintenance processing of the reaction container.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。 Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
すなわち、本発明に係る基板処理装置は、内部で基板を処理する反応容器と、複数枚の前記基板を前記反応容器の延在方向に積載保持する基板保持体と、前記反応容器内の前記基板保持体の外周側で前記基板の積載方向に延在して前記基板の周方向に所定の間隙を成して複数設けられ、前記基板を加熱する被誘導体と、前記被誘導体を誘導加熱する誘導加熱装置とを備えている。 That is, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a reaction container that internally processes a substrate, a substrate holder that stacks and holds a plurality of the substrates in the extending direction of the reaction container, and the substrate in the reaction container. A plurality of the outer periphery of the holding body extending in the stacking direction of the substrate and forming a predetermined gap in the circumferential direction of the substrate, and a derivative to heat the substrate and induction to heat the derivative And a heating device.
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。 The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
すなわち、反応容器のメンテナンス処理を削減しつつ、反応容器に収納できる基板の枚数を増やすことが可能となる。 That is, it is possible to increase the number of substrates that can be stored in the reaction container while reducing the maintenance process of the reaction container.
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらは互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例,詳細,補足説明等の関係にある。 In the following embodiment, when it is necessary for the sake of convenience, the description will be divided into a plurality of sections or embodiments. However, unless otherwise specified, they are not irrelevant, and one is the other. Some or all of the modifications, details, supplementary explanations, etc. are related.
また、以下の実施の形態において、要素の数等(個数,数値,量,範囲等を含む)に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。 Also, in the following embodiments, when referring to the number of elements (including the number, numerical value, quantity, range, etc.), particularly when clearly indicated, or when clearly limited to a specific number in principle, etc. Except, it is not limited to the specific number, and may be more or less than the specific number.
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素(要素ステップ等も含む)は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。 Further, in the following embodiments, the constituent elements (including element steps and the like) are not necessarily indispensable unless otherwise specified and apparently essential in principle. Needless to say.
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状,位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。 Similarly, in the following embodiments, when referring to the shape, positional relationship, etc., of components, etc., it is substantially the case unless specifically stated otherwise and in principle considered otherwise. Including those that are approximate or similar to the shape. The same applies to the above numerical values and ranges.
また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかり易くするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。 In all the drawings for explaining the embodiments, the same members are denoted by the same reference symbols in principle, and the repeated explanation thereof is omitted. In order to make the drawings easy to understand, even a plan view may be hatched.
[第1実施の形態]
本発明を実施するための実施の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置(IC等)の製造方法に含まれる様々な処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。以下の説明では、半導体基板(半導体ウェハ)にエピタキシャル成長法による成膜処理,CVD法による成膜処理,あるいは酸化処理や拡散処理等を行なう縦型の基板処理装置に本発明の技術的思想を適用した場合について述べる。特に、本実施の形態では、複数の基板を一度に処理するバッチ方式の基板処理装置を対象にして説明する。
[First Embodiment]
In an embodiment for carrying out the present invention, a substrate processing apparatus is configured as a semiconductor manufacturing apparatus that performs various processing steps included in a manufacturing method of a semiconductor device (IC or the like) as an example. In the following description, the technical idea of the present invention is applied to a vertical substrate processing apparatus that performs film formation by epitaxial growth, film formation by CVD, or oxidation or diffusion treatment on a semiconductor substrate (semiconductor wafer). The case will be described. In particular, in this embodiment, a batch-type substrate processing apparatus that processes a plurality of substrates at once will be described.
<基板処理装置の構成>
まず、第1実施の形態における基板処理装置について、図面を参照しながら説明する。図1は本発明に係る基板処理装置の概要を示す斜視図を、図2はウェハをボートに装填した状態を示す上面図を、図3は図2のA−A線に沿う断面図をそれぞれ表している。以下、基板処理装置101を構成する各部材について説明するが、筐体111の側面のうち、カセット110が搬入搬出される側を正面として説明する。また、筐体111内における各部材の位置について、正面に向かう方向を前方、正面から遠ざかる方向を後方として説明する。
<Configuration of substrate processing apparatus>
First, the substrate processing apparatus in 1st Embodiment is demonstrated, referring drawings. 1 is a perspective view showing an outline of a substrate processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a top view showing a state in which wafers are loaded on a boat, and FIG. 3 is a sectional view taken along line AA in FIG. Represents. Hereinafter, although each member which comprises the
図1に示すように、基板処理装置101は、ウェハキャリアとしてのカセット110を備え、カセット110にはシリコン等からなる半導体基板としての複数のウェハ(基板)200が収納されている。基板処理装置101の外郭を形成する筐体111は、例えば略直方体形状を成し、その内部にはカセット110が搬入搬出されるようになっている。筐体111の正面壁111aの下方には、基板処理装置101をメンテナンスするための開口部として、正面メンテナンス口103が開設され、正面メンテナンス口103は、筐体111の正面壁111aに設けられた正面メンテナンス扉104により開閉可能となっている。
As shown in FIG. 1, the
正面メンテナンス扉104には、カセット搬入搬出口(基板収容器搬入搬出口)112が筐体111の内外を連通するよう開設されており、カセット搬入搬出口112はフロントシャッタ(基板収容器搬入搬出口開閉機構)113により開閉可能となっている。カセット搬入搬出口112の筐体111内側にはカセットステージ(基板収容器受渡し台)114が設置されている。カセット110は、カセットステージ114上に工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつ、カセットステージ114上から搬出されるようになっている。カセットステージ114には、工程内搬送装置により、カセット110内のウェハ200が垂直姿勢となり、かつ、カセット110のウェハ出し入れ口が上方向を向くよう、カセット110が載置されるようになっている。
A cassette loading / unloading port (substrate container loading / unloading port) 112 is opened on the
筐体111内の前後方向の略中央下部には、カセット棚(基板収容器載置棚)105が設置されており、カセット棚105は、複数段および複数列で複数個のカセット110を保管し、カセット110内のウェハ200を出し入れ可能に配置されている。カセット棚105は、スライドステージ(水平移動機構)106上に横方向に移動可能に設置されている。また、カセット棚105の上方にはバッファ棚(基板収容器保管棚)107が設置され、バッファ棚107にもカセット110が保管されるようになっている。
A cassette shelf (substrate container mounting shelf) 105 is installed at a substantially central lower portion in the front-rear direction in the
カセットステージ114とカセット棚105との間には、カセット搬送装置(基板収容器搬送装置)118が設置されている。カセット搬送装置118は、カセット110を保持した状態で昇降可能なカセットエレベータ(基板収容器昇降機構)118aと、搬送機構としてのカセット搬送機構(基板収容器搬送機構)118bとを備えている。カセットエレベータ118aおよびカセット搬送機構118bの連続動作により、カセットステージ114,カセット棚105およびバッファ棚107の間で、カセット110を搬送できるようになっている。
A cassette carrying device (substrate container carrying device) 118 is installed between the
カセット棚105の後方には、ウェハ移載機構(基板移載機構)125が設置されている。ウェハ移載機構125は、ウェハ200を水平方向に回転ないし直動可能なウェハ移載装置(基板移載装置)125aおよびウェハ移載装置125aを昇降させるためのウェハ移載装置エレベータ(基板移載装置昇降機構)125bを備えている。図1に模式的に示すように、ウェハ移載装置エレベータ125bは、筐体111の前方に向かう右側部分に設置されている。これらのウェハ移載装置エレベータ125bおよびウェハ移載装置125aの連続動作により、ウェハ移載装置125aに設けたツイーザ(基板保持具)125cが、ウェハ200をボート(基板保持体)217に対して、装填(チャージング)および脱装(ディスチャージング)するようになっている。
A wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125 is installed behind the
ボート217は、図2および図3に示すように3本の支柱(保持部材)PRを備えている。各支柱PRの軸方向一端側および軸方向他端側には、各支柱PRをウェハ200の周方向に沿って所定間隔で保持する円盤状の天板217aおよび底板217b(図4参照)が設けられている。また、各支柱PRのウェハ200側、つまりボート217の中心軸側には、保持部HUが突出して形成され、各保持部HUにはウェハ200がそれぞれ載置されるようになっている。各保持部HUは、各支柱PRの軸方向に沿って等間隔で複数設けられ、例えば50枚〜100枚程度のウェハ200をその中心を揃えて軸方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持できるようになっている。各保持部HUの各支柱PRの軸方向に沿う間隔は、ウェハ200の厚み寸法T1(約1mm)よりも長い距離となるよう設定され、これによりウェハ200の一側面(図3中上側面)と他の保持部HUとの接触を回避しつつ、ウェハ200の一側面の全域にガスが行き渡るようにしている。
The
このように本実施の形態においては、サセプタを用いないコールドウォール方式を採用しており、各ウェハ200をボート217の軸方向に間隔を詰めて載置できるようにしている。よって、厚み寸法T2の範囲内(図18に示す厚み寸法Tbと略同じ範囲内)により多くのウェハ200を載置可能となっている。ここで、ボート217を形成する各支柱PR,各保持部HU,天板217aおよび底板217bは、それぞれ耐熱材料としての石英(SiO2)材により所定形状に形成されている。なお、各支柱PRを3本設けたものを例示したが、ウェハ200をボート217の横方向からセット可能であれば、4本以上の支柱PRを設けることもできる。
As described above, in the present embodiment, a cold wall system that does not use a susceptor is employed, and the
図1に示すように、バッファ棚107の後方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを基板処理装置101内へ供給するために、供給ファンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット134aが設けられ、クリーンユニット134aはクリーンエアを筐体111の内部に流通させるよう構成されている。また、ウェハ移載装置エレベータ125b側とは反対側、つまり筐体111の前方に向かう左側部分には、ツイーザ125cによりピックアップされたウェハ200にクリーンエアを供給するように、供給ファンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット(図示せず)が設置されている。そして、このクリーンユニットから吹き出されたクリーンエアは、ウェハ移載装置125a(ウェハ200)を流通した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体111の外部へ排気されるようになっている。
As shown in FIG. 1, a
ウェハ移載装置(基板移載装置)125aの後方には、大気圧未満の圧力(以下、負圧という)を維持可能な気密性能を有する耐圧筐体140が設置されている。この耐圧筐体140により、ボート217を収容可能な容積を有するロードロック方式の待機室であるロードロック室(移載室)141が形成されている。
Behind the wafer transfer device (substrate transfer device) 125a, a pressure-
耐圧筐体140の正面壁140aにはウェハ搬入搬出口(基板搬入搬出口)142が開設されており、ウェハ搬入搬出口142はゲートバルブ(基板搬入搬出口開閉機構)143によって開閉されるようになっている。耐圧筐体140の一対の側壁にはロードロック室141へ窒素ガス等の不活性ガスを給気するためのガス供給管144と、ロードロック室141を負圧に排気するためのガス排気管(図示せず)とがそれぞれ接続されている。
A wafer loading / unloading port (substrate loading / unloading port) 142 is opened on the
ロードロック室141の上方には、反応容器としての処理炉(反応炉)202が設けられている。処理炉202の下端部は炉口シャッタ(炉口ゲートバルブ,炉口開閉機構)147により開閉されるように構成されている。
Above the
図1に模式的に示すように、ロードロック室141には、ボート217を昇降させるためのボートエレベータ(支持体保持体昇降機構)115が設置されている。ボートエレベータ115に連結された連結具としてのアーム(図示せず)には蓋体としてのシールキャップ219が水平に据え付けられており、シールキャップ219はボート217を垂直に支持し、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成されている。
As schematically shown in FIG. 1, a boat elevator (supporting body lifting mechanism) 115 for lifting and lowering the
基板処理装置101を構成する各駆動部、つまりアクチュエータ等の電気部品は、図1に示すようにコントローラ240と電気的に接続され、コントローラ240は、基板処理装置101を構成する各駆動部の動作を、所定の制御ロジックに基づき制御するようになっている。
As shown in FIG. 1, each drive unit constituting the
<基板処理装置の動作>
基板処理装置101は、概ね上述のように構成され、以下、基板処理装置101の動作、特にウェハ200の処理炉202への搬入搬出動作について説明する。
<Operation of substrate processing apparatus>
The
図1に示すように、カセット110がカセットステージ114に供給されるのに先立って、カセット搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放される。その後、カセット110はカセット搬入搬出口112から筐体111内に搬入され、カセットステージ114上に載置される。このとき、カセットステージ114上に載置されるウェハ200は垂直姿勢となっており、かつ、カセット110のウェハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。
As shown in FIG. 1, the cassette loading / unloading
次に、カセット110は、カセット搬送装置118によって、カセットステージ114から取り上げられるとともに、カセット110内のウェハ200が水平姿勢となり、かつ、カセット110のウェハ出し入れ口が筐体111の後方を向くように、筐体111の後方に向けて90°回転させられる。続いて、カセット110は、カセット搬送装置118によって、カセット棚105あるいはバッファ棚107の指定された位置へ自動的に搬送され、受け渡される。つまり、カセット110は、バッファ棚107に一時的に保管された後、カセット搬送装置118によってカセット棚105に移載されるか、あるいは、直接、カセット棚105に搬送される。
Next, the
その後、スライドステージ106は、カセット棚105を水平移動させ、移載の対象となるカセット110をウェハ移載装置125aに対峙するように位置決めする。ウェハ200は、ウェハ移載装置125aのツイーザ125cによって、カセット110からウェハ出し入れ口を通じてピックアップされる。
Thereafter, the
次に、予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室141のウェハ搬入搬出口142がゲートバルブ143の動作により開放されると、ツイーザ125cによりピックアップされたウェハ200は、ウェハ移載装置125aの動作によってウェハ搬入搬出口142を通じてロードロック室141内に搬入され、ボート217に装填される。その後、ウェハ移載装置125aはカセット110へ戻り、ツイーザ125cにより次のウェハ200をピックアップする。そして、ウェハ移載装置125aは、当該動作を繰り返すことで次々とウェハ200をボート217に装填していく。これにより、図3に示すように、各ウェハ200はボート217を形成する各保持部HUに保持されてそれぞれ水平状態となる。
Next, when the wafer loading / unloading
次に、予め指定された枚数のウェハ200がボート217に装填されると、ウェハ搬入搬出口142がゲートバルブ143によって閉じられる。その後、処理炉202の下端部が炉口シャッタ147によって開放される。続いて、ウェハ200が装填されたボート217およびシールキャップ219が、ボートエレベータ115の動作により上昇し、ボート217が処理炉202内へ搬入(ローディング)されるとともに、シールキャップ219により処理炉202の下端部が閉塞される。
Next, when a predetermined number of
ボート217のローディング後は、処理炉202内において各ウェハ200に任意の処理が実施される。各ウェハ200の処理後は、ボートエレベータ115が作動して、シールキャップ219により処理炉202の下端部が開放されるとともに、ボート217が処理炉202から引き出される。その後は、概ね上述した動作と逆の動作を辿って、処理済みの各ウェハ200を収納したカセット110が、筐体111の外部に取り出される。
After loading the
<処理炉の構成>
次に、基板処理装置101を形成する処理炉202について、図面を参照しながら説明する。図4は第1実施の形態に係る基板処理装置の処理炉内と処理炉周辺の概略を示す断面図を、図5は図4の処理炉における横方向の断面を示す横断面図を、図6は図5のウェハ,ボート,カーボン支柱およびガス供給ノズルを示す斜視図をそれぞれ表している。
<Processing furnace configuration>
Next, the
図4に示すように、処理炉202の周囲には、当該処理炉202を覆うよう略円筒形状の誘導加熱装置206が設けられている。誘導加熱装置206は、高周波電流を印加することにより各ウェハ200を輻射熱により加熱するもので、誘導加熱部としてのRFコイル2061,壁体2062,冷却壁2063を備えている。RFコイル2061は高周波電源(図示せず)に接続され、この高周波電源により、RFコイル2061には高周波電流が流れるようになっている。
As shown in FIG. 4, a substantially cylindrical
壁体2062は、ステンレス材等の金属から円筒形状に形成され、その内壁側にはRFコイル2061が設けられている。RFコイル2061は、壁体2062の内壁に支持されたコイル支持部(図示せず)により壁体2062に支持され、コイル支持部は、RFコイル2061と壁体2062との間に、壁体2062の半径方向に所定の隙間(図示せず)を形成するようになっている。
The
壁体2062の外壁側には、壁体2062と同心円状に、冷却壁2063が設けられている。冷却壁2063には、内部に冷却媒体として、例えば、冷却水が流通可能なように冷却壁2063の略全域に冷却媒体流路(図示せず)が形成されている。冷却壁2063には、冷却媒体を供給する冷却媒体供給部と、冷却媒体を排出する冷却媒体排出部(何れも図示せず)とが接続されている。冷却媒体供給部から冷却媒体流路に冷却媒体を供給し、冷却媒体排出部から冷却媒体を排出することにより、冷却壁2063が冷却され、熱伝導により壁体2062および壁体2062の内部が冷却される。
On the outer wall side of the
壁体2062の上端には、その中央に開口部2066が形成されている。開口部2066の下流側には、ダクト(図示せず)が接続されており、ダクトの下流側には冷却装置としてのラジエータ2064と、排気装置としてのブロア2065とが接続されている。
An
RFコイル2061の内側には、誘導加熱装置206と同心円状に処理炉202を形成するアウターチューブ(反応管)205が設けられている。アウターチューブ205は、耐熱材料としての石英(SiO2)材で形成されており、上端が閉塞し下端が開口した有底円筒形状を成している。
An outer tube (reaction tube) 205 that forms the
アウターチューブ205の下方には、アウターチューブ205と同心円状に処理炉202を形成するマニホールド209が設けられている。マニホールド209は、例えば、石英(SiO2)材若しくはステンレス材等から成り、上端および下端が開口した円筒形状を成している。マニホールド209は、シール部材としてのOリング309を介してアウターチューブ205を支持しており、マニホールド209とアウターチューブ205との間は気密に保持されている。マニホールド209が保持体(図示せず)に支持されることにより、アウターチューブ205は垂直に据え付けられた状態となっている。なお、マニホールド209は、特にアウターチューブ205と別体で設ける場合に限定されず、アウターチューブ205と一体とし、個別にマニホールド209を設けないようにすることもできる。
A manifold 209 that forms a
アウターチューブ205内の処理室201には、各ウェハ200を保持したボート217が収納され、アウターチューブ205の中心軸およびボート217の中心軸は一致した状態となっている。アウターチューブ205とボート217との間には環状の間隙SPが形成され、当該間隙SPには、処理室201内に配置した各ウェハ200に、その側方からガスを供給するためのガス供給ノズル(ガス供給部)2321が配置されている。
A
ガス供給ノズル2321は、耐熱材料である石英(SiO2)材により中空の円筒棒状に形成され、アウターチューブ205の軸方向に沿うよう延在している。ガス供給ノズル2321の先端側は、アウターチューブ205の軸方向に沿って当該アウターチューブ205の閉塞側(図中上側)に臨んでいる。ガス供給ノズル2321の基端側は、アウターチューブ205の軸方向に沿って当該アウターチューブ205の開口側(図中下側)に臨んでいる。ガス供給ノズル2321の基端側は、マニホールド209の内壁側に溶着等によって接続されており、ガス供給ノズル2321の基端側には、マニホールド209の外壁側に接続されたガス供給管232が接続されている。これにより、ガス供給管232とガス供給ノズル2321とが連通されて、ガス供給管232にガスを供給することでガス供給ノズル2321内にガスが供給される。
The
ガス供給ノズル2321の先端側は閉塞されており、ガス供給ノズル2321の側壁には、その軸方向に並ぶようにして複数のガス供給口2322が設けられている。各ガス供給口2322は、図5および図6の破線矢印に示すように、処理室201内に配置した各ウェハ200の中心に向けてガスを供給可能なように、各ウェハ200の中心に向けて開口している。各ガス供給口2322は、ボート217に積載保持された各ウェハ200間と対向するよう設けられ、これにより各ウェハ200の表面上にガスを効率良く流通できるようにしている。ここで、ガス供給ノズル2321は、各ウェハ200の表面全域に均一にガスを供給できるように、間隙SPに所定間隔で複数設けることが好ましい。例えば、ガス供給ノズル2321を2つ設ける場合には、ウェハ200の中心を挟んでウェハ200の径方向で対向するよう配置すれば良く、これにより各ウェハ200の表面全域に均一にガスを供給できるようになる。
The distal end side of the
図4に示すように、マニホールド209には、処理室201内に配置した各ウェハ200を通過したガスを側方から排気するガス排気口2311が形成されている。ガス排気口2311は、ウェハ200の中心を挟んでガス供給ノズル2321側とは反対側に設けられ、ガス排気口2311には、耐熱材料である石英(SiO2)材で形成されたガス排気管231が接続されている。なお、ガス排気管231は、マニホールド209の外壁側に溶着等によって接続されている。ただし、ガス排気管231は、マニホールド209の外壁側に接続しなくとも、アウターチューブ205の外壁側に接続するようにしても良い。また、ガス供給ノズル2321およびガス供給管232においても、マニホールド209の内壁側および外壁側にそれぞれ接続しなくとも、アウターチューブ205の内壁側および外壁側にそれぞれ接続するようにしても良い。
As shown in FIG. 4, the manifold 209 is formed with a
ガス供給管232は、上流側で3つに分岐しており、各バルブ177,178,179およびガス流量制御装置としての各MFC(Mass Flow Controller)183,184,185を介して第1のガス供給源180,第2のガス供給源181,第3のガス供給源182にそれぞれ接続されている。各MFC183,184,185および各バルブ177,178,179には、コントローラ240のガス流量制御部235が電気的に接続されており、当該ガス流量制御部235によって、供給するガスの流量が所望の流量となるよう所望のタイミングにて制御されるようになっている。また、ガス供給管232は上流側でさらに分岐され、バルブと不活性ガス流量制御装置としてのMFCを介して、不活性ガス供給源(何れも図示せず)に接続されている。
The
ガス排気管231の下流側には、圧力検出器としての圧力センサ(図示せず)および圧力調整器としてのAPC(Automatic Pressure Control)バルブ242を介して真空ポンプ等の真空排気装置246が接続されている。圧力センサおよびAPCバルブ242には、コントローラ240の圧力制御部236が電気的に接続されており、圧力制御部236は、圧力センサにより検出された圧力に基づいてAPCバルブ242の開度を調節することにより、処理室201内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するよう構成されている。
A
アウターチューブ205内の処理室201に形成された間隙SP、つまりボート217(各ウェハ200)の外周側には、各ウェハ200をその径方向外側から囲うようにして複数のカーボン支柱234が配置されている。各カーボン支柱234は、ガス供給ノズル2321と同様に、各ウェハ200の積載方向(図中上下方向)に延在しており、図5および図6に示すように、各ウェハ200およびアウターチューブ205に対して非接触の状態となっている。また、各カーボン支柱234は、ウェハ200の周方向に沿って15本並んで設けられ、ガス供給ノズル2321を挟んで所定の間隙を形成している。具体的には、各カーボン支柱234は、ウェハ200を中心に22.5°間隔(等間隔)で設けられ、ガス供給ノズル2321に設けた各ガス供給口2322は、各カーボン支柱234間の間隙と対向するようになっている。ここで、図6においては、ボート217およびウェハ200を明確に表すために、図中手前側の各カーボン支柱234を省略している。
A plurality of
各カーボン支柱234は、ボート217に保持された各ウェハ200を加熱するものであり、本発明における被誘導体を構成している。各カーボン支柱234は、炭化シリコン(SiC)等で表面が被覆された導電性材料(カーボンやカーボングラファイト等)により断面が円形の円柱棒状に形成され、表面を被覆することにより各カーボン支柱234の母材となる導電性材料からの不純物の放出を抑制している。各カーボン支柱234は、図5に示すように、間隙SPにおいて各ウェハ200の径方向外側に当該各ウェハ200からの距離が等しくなるようそれぞれ配置され、これにより各ウェハ200から離れた位置で各ウェハ200をその周方向から均一に加熱し易くしている。
Each
なお、各カーボン支柱234は、上述のように円柱棒状でなくとも、例えば断面が楕円形形状の棒状や、断面が多角形形状の棒状でも良く、さらには表面に凹凸部を形成して表面積を確保するようにしても良い。ウェハ200に対向する面の表面積を多く確保することで、誘導加熱を効率良く行うことができ、ひいては省エネルギーにも対応できるようになる。また、処理炉202の温度特性等(アウターチューブ205内の温度分布等)に応じて、各カーボン支柱234の軸方向に沿う太さを異ならせても良い。さらに、各カーボン支柱234の間隔は等間隔(22.5°間隔)でなくても良く、例えば、処理炉202の温度特性等に応じて、各カーボン支柱234を不等ピッチで設けても良い。また、各カーボン支柱234の太さや本数は任意であって、これらは必要とされる加熱条件に応じて設定すれば良い。
Each
図4に示すように、各カーボン支柱234の基端側(図中下側)は、マニホールド209の軸方向に沿う略中間部分に一体に形成された支持フランジ2341に、ネジ等の固定具FTにより固定されている。支持フランジ2341は、マニホールド209の径方向内側のデッドスペースに向けて突出し、円盤状に形成されている。支持フランジ2341の一側面(図中上側面)は、アウターチューブ205内の処理室201に形成された間隙SPと対向している。ここで、支持フランジ2341は、マニホールド209のガス排気口2311よりも下方側、つまり図中ボート217側とは反対側に設けられ、これにより支持フランジ2341は、各ウェハ200を通過したガスの障壁とならず、ガス排気口2311からのガスの排気をスムーズに行えるようにしている。その一方で、支持フランジ2341は、回転機構254等へのガスの流通を阻止する障壁としての機能を有し、回転機構254が高温のガスに曝されるのを抑制するようにしている。
As shown in FIG. 4, the base end side (lower side in the figure) of each
マニホールド209の下方には、マニホールド209の下端開口を気密に閉塞するための炉口蓋体として、シールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、例えば、ステンレス等の金属材料により略円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面とマニホールド209の下端との間には、シール部材としてのOリング301が設けられている。シールキャップ219には、回転機構254の回転軸255が貫通しており、回転軸255の軸方向一端側(図中上側)は、ボート217に一体回転可能に設けられた断熱筒216に接続されている。これにより、回転機構254を回転駆動することで回転軸255および断熱筒216を介してボート217が回転し、ひいては各ウェハ200を処理室201内で回転させることができる。
A
シールキャップ219は、処理炉202の外部に設けられた昇降機構としての昇降モータ248によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート217を処理室201に対し搬入搬出することが可能となっている。
The
ボート217の下部には、例えば、耐熱性材料としての石英(SiO2)材により略円筒形状に形成された断熱筒216が配置され、この断熱筒216により、誘導加熱装置206による誘導加熱で生じた熱が回転機構254側に伝わり難くなるように構成されている。ただし、断熱筒216は、ボート217と別体として設けずに、ボート217の下部に一体に設けても良い。また、断熱筒216に代えて、あるいは、断熱筒216に加えて、ボート217の下部、あるいは断熱筒216の下部に複数枚の断熱板を設けるように構成しても良い。
In the lower part of the
ここで、ボート217は、ウェハ200の成膜処理時における膜中への不純物の混入を抑制するために、高純度で汚染物を放出しない材料で形成するのが好ましい。また、ボート217の材料としては、断熱筒216の熱劣化を抑制すべく、熱伝導率の低い材料であることが好ましい。さらに、ボート217は、ウェハ200への熱影響を極力抑制するために、誘導加熱装置206により誘導加熱されない材料で形成するのが好ましい。そこで、これらの条件を満足するように、本実施の形態においてはボート217を石英(SiO2)材により形成している。
Here, the
回転機構254および昇降モータ248には、コントローラ240の駆動制御部237が電気的に接続されており、駆動制御部237は、回転機構254および昇降モータ248が所望の動作をするように所望のタイミングにて制御するようになっている。
A
誘導加熱装置206には、螺旋状に形成されたRFコイル2061が上下複数の領域(ゾーン)に分割されて設けられている。例えば、図4に示すように、下方側のゾーンから、RFコイルL,RFコイルCL,RFコイルC,RFコイルCU,RFコイルUというように5つのゾーンに区分けして設けられている。これらの5つのゾーンに区分けされたRFコイルL,RFコイルCL,RFコイルC,RFコイルCU,RFコイルUは、それぞれ独立して制御されるようになっている。
The
誘導加熱装置206を形成するRFコイル2061の近傍には、処理室201内の温度を検出する温度検出体としての放射温度計263が、例えば、4箇所に設置されている。放射温度計263は、少なくとも一つ設置すれば良いが、複数個の放射温度計263を設置することにより温度制御性を向上させることができる。
In the vicinity of the
誘導加熱装置206および各放射温度計263には、コントローラ240の温度制御部238が電気的に接続されており、温度制御部238は、各放射温度計263により検出された温度情報に基づいて、誘導加熱装置206への通電状態を調節することができるようになっている。そして、温度制御部238によって、処理室201内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御されるようになっている。
A
ブロア2065には、コントローラ240の温度制御部238が電気的に接続されている。温度制御部238は、予め設定された制御ロジックに従って、ブロア2065の動作を制御するようになっている。具体的には、ブロア2065を動作させることで、壁体2062とアウターチューブ205との間隙にある雰囲気を開口部2066から排出する。開口部2066から雰囲気を排出した後、ラジエータ2064を通して冷却し、ブロア2065の下流側で設備に排出する。すなわち、温度制御部238による制御に基づいて、ブロア2065が動作することにより、誘導加熱装置206およびアウターチューブ205を冷却することができる。
A
冷却壁2063に接続されている冷却媒体供給部と冷却媒体排気部は、冷却壁2063への冷却媒体の流量を所望の冷却具合となるように所定のタイミングにてコントローラ240にて制御されるように構成されている。なお、処理炉202の外部への放熱性を向上させてアウターチューブ205をより一層冷却し易くするために、冷却壁2063を設けるのが好ましいが、ブロア2065の動作によって所望の冷却具合が得られるのであれば、冷却壁2063は設けなくても良い。
The cooling medium supply unit and the cooling medium exhaust unit connected to the
壁体2062の上端には、開口部2066とは別に、非常時用の圧力開放口(図示せず)と、当該圧力開放口を開閉する圧力開放口開閉装置2067が設けられている。何らかの原因、例えば、壁体2062内において水素ガスと酸素ガスとが混合し、これにより壁体2062内が異常に高圧となった場合(非常時)には、その高圧が壁体2062に作用することになる。そして、比較的強度の弱い箇所、例えば、壁体2062を形成するボルトやネジ,パネル等が変形したり破損したりする。このように、壁体2062に高圧が作用して基板処理装置101が損傷するのを最小限に抑えるために、圧力開放口開閉装置2067は、壁体2062内が所定圧力以上となった際に圧力開放口を開き、壁体2062の内部圧力を外部に開放するになっている。
In addition to the
<処理炉周辺の構成>
続いて、処理炉202の周辺の構成について、図4を参照しながら説明する。予備室としてのロードロック室141の外面には、下基板245が設けられている。下基板245には、昇降台249に摺接して昇降台249を移動自在に支持するガイドシャフト264と、昇降台249と螺合するボール螺子244とが設けられている。下基板245に立設したガイドシャフト264およびボール螺子244の上端には、上基板247が設けられている。ボール螺子244は上基板247に設けられた昇降モータ248により回転駆動され、ボール螺子244が回転することにより昇降台249は昇降するようになっている。
<Configuration around the processing furnace>
Next, the configuration around the
昇降台249には、中空の昇降シャフト250が垂直方向に設置され、昇降台249と昇降シャフト250の連結部は気密となっている。昇降シャフト250は昇降台249とともに昇降するようになっている。昇降シャフト250はロードロック室141を形成する天板251を貫通している。昇降シャフト250が貫通する天板251の貫通穴の大きさは、天板251と昇降シャフト250とが接触しないよう充分な大きさに設定されている。ロードロック室141を形成する天板251と昇降台249との間には、昇降シャフト250の周囲を覆うようにしてベローズ265が設けられている。ベローズ265は、伸縮性を有する中空伸縮体(例えば、耐熱ゴム等の弾性体)により形成され、ロードロック室141を気密に保持するようになっている。ベローズ265は、昇降台249の昇降量に対応し得る充分な伸縮量を有し、かつベローズ265の内径は昇降シャフト250の外径に比べて充分に大きくなっている。これにより、ベローズ265の伸縮により、当該ベローズ265が昇降シャフト250に接触することは無い。
A hollow elevating
昇降シャフト250の下端には昇降基板252が水平に固着されている。昇降基板252の下面には、Oリング等のシール部材を介して駆動部カバー253が気密状態で取付けられている。昇降基板252と駆動部カバー253とで駆動部収納ケース256を形成し、これにより駆動部収納ケース256の内部とロードロック室141内の雰囲気とは隔離されている。
A lifting
駆動部収納ケース256の内部には、ボート217を処理炉202内で回転させるための回転機構254が設けられ、回転機構254の周辺部は、冷却機構257により冷却されるようになっている。また、電力供給ケーブル258が昇降シャフト250の上端から昇降シャフト250の中空部を通って回転機構254に導かれて接続されている。そして、冷却機構257およびシールキャップ219には、それぞれ冷却流路259が形成され、各冷却流路259には、冷却水(図示せず)を供給する冷却水配管260がそれぞれ接続されている。各冷却水配管260は、昇降シャフト250の上端から昇降シャフト250の中空部を通っている。
A
コントローラ240により昇降モータ248を回転駆動することでボール螺子244が回転し、これにより昇降台249および昇降シャフト250を介して駆動部収納ケース256は昇降するようになっている。駆動部収納ケース256を上昇させることにより、昇降基板252に気密に設けたシールキャップ219が処理炉202の開口部である炉口161を閉塞し、各ウェハ200の成膜処理が可能な状態となる。一方、駆動部収納ケース256を下降させることにより、シールキャップ219とともにボート217が降下されて、各ウェハ200を外部に搬出できる状態となる。
The
ガス流量制御部235,圧力制御部236,駆動制御部237,および温度制御部238は、操作部や入出力部を構成し、基板処理装置101全体を制御する主制御部239に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部235,圧力制御部236,駆動制御部237,温度制御部238,および主制御部239は、コントローラ240として構成されている。以上のようにして、基板処理装置101の処理炉202と、処理炉202周辺の構造体が構成されている。
The gas flow
<基板の処理工程>
次に、基板処理装置101を使用した基板の製造方法における、基板の処理工程について、図4および図7を参照しながら説明する。本実施の形態では、基板の処理工程の一工程として、ウェハ等の基板上に、エピタキシャル成長法を使用してシリコン(Si)等の半導体膜を形成する方法(半導体装置の製造方法)について説明する。なお、本実施の形態では、半導体装置の製造方法を例に説明するが、本実施の形態で開示される基板の製造方法は、半導体装置の製造方法に限定されるものではない。例えば、第1導電型(例えばp型)の半導体基板であるウェハ等の基板上に、第1導電型とは反対導電型の第2導電型(例えばn型)のエピタキシャル成長法を使用してシリコン(Si)等の半導体膜を成膜し、pn接合を形成する太陽電池の製造方法に適用することもできる。
<Substrate processing process>
Next, the substrate processing steps in the substrate manufacturing method using the
図7は基板処理装置の処理シーケンスを示すタイミングチャート図を表しており、図7の破線は処理室201内の温度(℃)を示し、図7の実線は処理室201内の圧力(Torr)を示している。なお、以下の説明において、基板処理装置101を構成する各部の動作は、コントローラ240により制御される。
FIG. 7 is a timing chart showing the processing sequence of the substrate processing apparatus. The broken line in FIG. 7 indicates the temperature (° C.) in the
まず、図4に示す処理室201内にボート217を搬入する前段階として、処理室201はスタンバイ状態となっている(図7のスタンバイ工程)。スタンバイ状態とは、ボート217が処理室201の真下にあるロードロック室141に配置され、ボート217に各ウェハ200を装填した状態を指している。
First, as a stage before the
各ウェハ200がボート217に装填されると、スタンバイ工程に続いて、昇降モータ248の上昇方向への回転駆動(正転駆動)により昇降台249および昇降シャフト250が上昇動作する。これにより、図4に示すようにボート217は上昇して処理室201内に搬入、つまりアウターチューブ205内に搬送(ボートローディング)される(図7のボートロード工程)。その後、シールキャップ219はOリング301を介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。このとき、処理室201内の内部圧力は、例えば、760Torr(=760×133.3Pa)となっている。ここで、ボートロード工程は、本発明における「基板保持体を反応容器に搬送する工程」を構成している。
When each
ボートロード工程に続いて、処理室201内に不活性ガスとして、例えば、N2(窒素)ガスが供給され、処理炉202内の処理室201を不活性ガスに置換する(図7のパージ1工程)。なお、不活性ガスは、ガス供給管232に接続される不活性ガス供給源(図示せず)から、ガス供給ノズル2321の複数のガス供給口2322を介して供給される。
Following the boat loading process, for example, N 2 (nitrogen) gas is supplied as an inert gas into the
パージ1工程に続いて、処理室201内を不活性ガスで満たし、かつ所望の圧力となるように真空排気装置246によって排気(真空引き)し、処理室201内を減圧する(図7の真空排気1工程)。
Following the
真空排気1工程に続いて、処理室201内の圧力を圧力センサで測定し、測定した圧力に基づいてAPCバルブ(圧力調節器)242がフィードバック制御される(図7の圧力制御工程)。この時、ガス供給管232に接続される不活性ガス供給源(図示せず)から、不活性ガスとして、例えばN2ガスが、ガス供給ノズル2321の複数のガス供給口2322を介して供給される。この圧力制御工程によって、処理室201内の圧力は、16000Pa〜93310Paの範囲から選択される処理圧力のうち、一定の処理圧力に調整される。例えば、200Torr〜700Torr(200×133.3Pa〜700×133.3Pa)となる。なお、処理室201内の圧力制御は、この圧力制御工程以降、図7に示す真空排気2工程まで一定の処理圧力を維持するように制御する。
Following the
そして、ブロア2065を動作させることで、誘導加熱装置206とアウターチューブ205との間でガス若しくはエアを流通させ、アウターチューブ205の側壁,ガス供給ノズル2321,ガス供給口2322,およびガス排気口2311を冷却する。ラジエータ2064および冷却壁2063には、冷却媒体として冷却水が流通し、壁体2062を介して誘導加熱装置206内が冷却される。また、各ウェハ200を所望の温度とするように誘導加熱装置206には高周波電流が印加され、各カーボン支柱234に誘導電流(渦電流)を生じさせる。
Then, by operating the
具体的には、誘導加熱装置206により処理炉202内の少なくとも各カーボン支柱234を誘導加熱し、ボート217に保持された各ウェハ200を輻射熱で加熱する(図7の昇温工程)。つまり、誘導加熱装置206に高周波電流を流すと、処理炉202内に高周波電磁界が発生し、当該高周波電磁界により被誘導体である各カーボン支柱234に渦電流が発生する。各カーボン支柱234は、渦電流によって誘導加熱が起こり昇温され、その後、各カーボン支柱234からの輻射熱により、各ウェハ200が加熱される。ここで、昇温工程は、本発明における「基板を加熱処理する工程」を構成している。
Specifically, at least each
このように、基板処理装置101では、誘導加熱により各ウェハ200を加熱するコールドウォール方式を採用している。ここで、誘導加熱装置206に高周波電流を流すことにより発生する高周波電磁界によって、各ウェハ200を直接誘導加熱しても加熱量が足りないことが多いため、コールドウォール方式である基板処理装置101では、各ウェハ200を誘導加熱で効率的に加熱できるように、被誘導体であるカーボン支柱234を複数設けるようにしている。
As described above, the
各カーボン支柱234を誘導加熱する際、温度制御部238は、処理室201内が所望の温度分布となるように各放射温度計263により検出した温度情報を監視し、当該温度情報に基づいて誘導加熱装置206への通電具合をフィードバック制御するようにしている。なお、ブロア2065の動作は、アウターチューブ205の外壁の温度が各ウェハ200上で膜成長させる温度よりも遥かに低い、例えば600℃以下に冷却されるよう予め設定された制御量で制御される。各ウェハ200は、700℃〜1200℃の範囲から選択される処理温度のうち、一定の温度で加熱される。例えば、各ウェハ200は、1100℃〜1200℃に加熱される。
When induction heating each
また、例えば、原料ガスとしてSiHCl3(トリクロロシラン)、キャリアガスとして水素(H2)を用いる場合には、各カーボン支柱234を1150℃以上となるように誘導加熱する。さらに、各ウェハ200は、700℃〜1200℃の範囲から選択される処理温度のうち、一定の温度で加熱されるが、いずれの処理温度を選択した場合であっても、ブロア2065は、アウターチューブ205の外壁の温度が各ウェハ200上で膜成長させる温度よりも遥かに低い、例えば600℃以下に冷却されるよう予め設定された制御量で制御される。
For example, when SiHCl 3 (trichlorosilane) is used as the source gas and hydrogen (H 2 ) is used as the carrier gas, each
昇温工程に続いて、回転機構254を回転駆動してボート217を回転させ、各ウェハ200を処理炉202内で回転させる。その後、各ウェハ200の温度が安定したところで、第1のガス供給源180,第2のガス供給源181,第3のガス供給源182からそれぞれガスを供給する。そして、各ガス供給原181,182,183からのガスが所望の流量となるよう各MFC183,184,185の開度が調節された後、各バルブ177,178,179が開かれる。これにより、それぞれのガスがガス供給管232を通ってガス供給ノズル2321に流入する。
Following the temperature raising step, the
ガス供給ノズル2321に流すガスの流量は、1回の成膜処理で処理するウェハ200の枚数によって異なるが、例えば、26.25slm〜262.5slmとしている。なお、流量の単位として[slm]を用いているが、この[slm]は標準状態(大気圧:101325Pa,0℃)で1分間当たりの流量をリットルで表したものである。したがって、標準状態のガスに換算すると、1slmは、1.67×10−6m3/secとして表すことができる。以下、ガスの流量について説明する場合には、この[slm]を用いて説明する。
The flow rate of the gas flowing through the
ここで、第1のガス供給源180,第2のガス供給源181,第3のガス供給源182には、Si系およびSiGe(シリコンゲルマニウム)系の原料ガスとしてSiH2Cl2(ジクロロシラン),SiHCl3(トリクロロシラン),SiCl4(四塩化ケイ素)等,ドーピングガスとしてB2H6(ジボラン),BCl3(三塩化ホウ素),PH3(ホスフィン)等,キャリアガスとして水素(H2)がそれぞれ封入されている。
Here, the first
ガス供給ノズル2321の流路断面積は、複数設けたガス供給口2322の開口面積に比べて十分に大きいため、ガス供給ノズル2321内の圧力は、処理室201内の圧力よりも大きい圧力となる。よって、各ガス供給口2322から噴出するガスは、各ガス供給口2322において略均一な流量/流速で処理室201内に供給される。例えば、本実施の形態では、ガス供給口2322は開口径をφ1.5mmとし、ガス供給ノズル2321の流路径をφ35mmとしている。これにより、ガス供給ノズル2321内を流れるガスの圧力損失を抑えて、各ガス供給口2322から噴出するガスの流量/流速を略均一化するようにしている。
Since the cross-sectional area of the
処理室201内に供給されたガスは、各ウェハ200間を通過して各ウェハ200の表面上に行き渡った後、ガス排気口2311に到達し、ガス排気口2311からガス排気管231に排気される。このとき、ガスは各ウェハ200間を通過する際に各カーボン支柱234によって加熱されるとともに、加熱された各ウェハ200と接触する。これにより、各ウェハ200の表面上にエピタシャル成長によりシリコン(Si)などの半導体膜が形成される(図7の成膜工程)。
The gas supplied into the
ここで、ガス供給ノズル2321は、各カーボン支柱234間に配置されているので、各カーボン支柱234が各ガス供給口2322からのガスの噴出を妨げることは無く(図5参照)、各ウェハ200の表面上にムラ無くガスを行き渡らせることが可能となっている。また、各カーボン支柱234は、各ウェハ200から離れた位置にそれぞれ配置されているので、各ガス供給口2322から各ウェハ200に向けて噴出されるガスが各カーボン支柱234に接触するのを抑えて、各カーボン支柱234に半導体膜が形成されるのを抑制している。つまり、各カーボン支柱234への半導体膜の形成量は、サセプタ(図17および図18参照)への半導体膜の形成量に比して少なく、各ウェハ200を処理する度に各カーボン支柱234をメンテナンス処理する必要は無い。
Here, since the
成膜工程後、予め設定された時間が経過すると、誘導加熱装置206への高周波電流の印加を停止させる等して、処理室201内の温度を低下させる(図7の降温工程)。そして、処理室201内を所望の圧力とすべく真空排気装置246を作動させて、処理室201内の雰囲気を外部に排気(真空引き)しつつ、処理室201内を減圧する(図7の真空排気2工程)。続いて、不活性ガス供給源(図示せず)から不活性ガスとして、例えば、N2ガスを処理室201内に供給して処理室201内を不活性ガスに置換し、処理室201内の圧力を常圧に復帰させる(図7のパージ2工程)。
When a preset time elapses after the film forming process, the temperature in the
パージ2工程に続いて、昇降モータ248を下降方向に回転駆動(逆転駆動)させることにより、シールキャップ219を下降させる。すると、マニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済の各ウェハ200がボート217に保持された状態でマニホールド209の下端から処理炉202の外部、つまりロードロック室141に向けて搬出(ボートアンローディング)される(図7のボートアンロード工程)。そして、処理済の各ウェハ200をボート217から取り出せる状態となる(ウェハディスチャージ)。その後、基板処理装置101はスタンバイ状態に復帰する。以上のようにして、各ウェハ200の表面上に半導体膜を形成することができる。
Following the
<第1実施の形態の代表的効果>
以上、第1実施の形態で説明した技術的思想によれば、少なくとも、以下に記載する複数の効果のうち、1つ以上の効果を奏する。
<Typical effects of the first embodiment>
As described above, according to the technical idea described in the first embodiment, at least one of the plurality of effects described below is produced.
(1)第1実施の形態によれば、処理炉202内のボート217の外周側に、各ウェハ200の積載方向に延在し、かつ各ウェハ200の周方向に所定の間隙を成すよう複数のカーボン支柱234を設け、各カーボン支柱234を誘導加熱装置206で誘導加熱し、各カーボン支柱234からの輻射熱で各ウェハ200を加熱するようにしたので、基板処理装置101をコールドウォール方式としつつ、処理炉202内に収納できるウェハ200の枚数を増やすことができる。よって、生産性の向上を図ることができる。
(1) According to the first embodiment, a plurality of the
(2)第1実施の形態によれば、各カーボン支柱234の輻射熱により各ウェハ200を加熱するので、ホットウォール方式の基板処理装置に比して、処理炉202の内部全体を処理温度に昇温しなくて済む。したがって、アウターチューブ205の内壁等に半導体膜が形成されるのを抑制して、ひいては処理炉202のメンテナンス処理を削減でき、基板処理装置101の稼働時間の延長化を図ることができる。
(2) According to the first embodiment, since each
(3)第1実施の形態によれば、各ガス供給口2322を、ボート217に積載保持された各ウェハ200間と対向するよう設けたので、各ウェハ200の表面上にガスを効率良く流通させることができ、各ウェハ200の成膜状態にバラツキが生じるのを抑制できる。
(3) According to the first embodiment, each
(4)第1実施の形態によれば、マニホールド209の軸方向に沿う略中間部分に、支持フランジ2341を一体に形成し、当該支持フランジ2341にネジ等の固定具FTにより各カーボン支柱234を固定したので、マニホールド209の径方向内側に形成されたデッドスペースを有効利用することができる。したがって、基板処理装置101の大型化を抑制することができる。
(4) According to the first embodiment, the
(5)第1実施の形態によれば、各カーボン支柱234を、処理炉202の軸方向に延在する棒状に形成したので、例えば、各カーボン支柱234を押し出し成形等の成形手段により形成することができる。この場合、押し出し成形したままの状態の長尺のカーボン支柱を、必要とされる長さに切断することで、種々の長さのカーボン支柱を容易に準備することができ、種々の大きさの基板処理装置に容易に対応することが可能となる。
(5) According to the first embodiment, each
(6)第1実施の形態によれば、ガス供給ノズル2321を、各カーボン支柱234間に配置したので、各カーボン支柱234が各ガス供給口2322からのガスの噴出を妨げることが無い。したがって、各ウェハ200の表面上にムラ無くガスを行き渡らせることができ、各ウェハ200の成膜状態にバラツキが生じるのを抑制できる。
(6) According to the first embodiment, since the
(7)第1実施の形態によれば、各カーボン支柱234を、各ウェハ200から離れた位置にそれぞれ配置したので、各ガス供給口2322から各ウェハ200に向けて噴出されるガスが各カーボン支柱234に接触するのを抑えることができる。したがって、各カーボン支柱234への半導体膜の形成量を、サセプタ(図17および図18参照)への半導体膜の形成量に比して少なくでき、各ウェハ200を成膜処理する度に各カーボン支柱234をメンテナンス処理する必要が無い。
(7) According to the first embodiment, since each
(8)第1実施の形態によれば、各カーボン支柱234を、各ウェハ200を加熱するための加熱源として用い、アウターチューブ205やガス供給ノズル2321等を石英(SiO2)材で形成したので、これらは誘導加熱されない、あるいは誘導加熱され難い。したがって、ガス供給ノズル2321内を流通するガスの温度上昇を抑えて、ウェハ200に到達する前のガスの熱分解等を抑制することができる。
(8) According to the first embodiment, each
(9)第1実施の形態で説明した基板処理装置101を、基板の製造方法における基板の処理工程において用いることにより、基板の処理方法において、上述した複数の効果のうち、1つ以上の効果を奏する。
(9) By using the
(10)第1実施の形態で説明した基板処理装置101を、半導体装置の製造方法における基板の処理工程において用いることにより、半導体装置の製造方法において、上述した複数の効果のうち、1つ以上の効果を奏する。
(10) By using the
(11)第1実施の形態で説明した基板処理装置101を、太陽電池の製造方法における基板の処理工程において用いることにより、太陽電池の製造方法において、上述した複数の効果のうち、1つ以上の効果を奏する。
(11) By using the
[第2実施の形態]
次に、本発明の第2実施の形態に係る基板処理装置について、図面を用いて詳細に説明する。なお、上述した第1実施の形態と同様の機能を有する部分については同一の記号を付し、その詳細な説明を省略する。
[Second Embodiment]
Next, a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that portions having the same functions as those of the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
図8は第2実施の形態に係る基板処理装置の処理炉内と処理炉周辺の概略を示す断面図を、図9は図8の処理炉における横方向の断面を示す横断面図を、図10は図8の破線円B部分の拡大断面図を、図11は図9の破線円C部分の拡大断面図を、図12は図9のウェハ,インナーチューブ,ボート,カーボン支柱およびガス供給ノズルを示す斜視図をそれぞれ表している。 FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing the inside and the periphery of the processing furnace of the substrate processing apparatus according to the second embodiment, and FIG. 9 is a cross-sectional view showing a cross-section in the horizontal direction in the processing furnace of FIG. 10 is an enlarged sectional view of a broken line circle B portion of FIG. 8, FIG. 11 is an enlarged sectional view of a broken line circle C portion of FIG. 9, and FIG. 12 is a wafer, inner tube, boat, carbon column and gas supply nozzle of FIG. FIG.
図8および図9に示すように、第2実施の形態に係る基板処理装置400は、上述した第1実施の形態に比して、各カーボン支柱234とボート217との間にインナーチューブ401を設けた点、および各カーボン支柱234の基端側(図中下側)をインナーチューブ401に支持させた点が異なっている。それ以外の基板処理装置400の構成,動作および各ウェハ200の成膜工程等については、上述した第1実施の形態と同様である。
As shown in FIGS. 8 and 9, the
インナーチューブ401は、耐熱材料としての石英(SiO2)材より成り、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ401は、処理室201内にアウターチューブ205と同心円状に設けられ、インナーチューブ401の先端側(図中上側)はアウターチューブ205の閉塞側に臨み、インナーチューブ401の基端側(図中下側)はマニホールド209内にまで延在している。インナーチューブ401は、各カーボン支柱234およびボート217に対して非接触の状態で、処理炉202の径方向に沿って、ボート217と各カーボン支柱234およびガス供給ノズル2321との間に設けられている。ここで、インナーチューブ401は、石英(SiO2)材により形成しているので各カーボン支柱234からの輻射熱を透過し、これによりインナーチューブ401の昇温が抑えられている。したがって、インナーチューブ401には半導体膜が形成され難くなっている。なお、インナーチューブ401は、その上下端を開口した円筒形状に限定されず、アウターチューブ205と同様に、先端側を閉塞して有底筒状に形成することもできる。
The
インナーチューブ401の基端側には、図10に示すように、被誘導体支持部としての支柱固定部402が一体に形成されている。支柱固定部402は、インナーチューブ401の径方向外側に環状に突出して設けられ、インナーチューブ401の肉厚よりも厚い肉厚となっている。支柱固定部402には、各カーボン支柱234の基端側に一体に形成した段差部234aを固定するための複数の固定孔403(図示では1つのみ示す)が形成されている。各固定孔403は、各カーボン支柱234の軸方向への位置決めを行えるよう、各カーボン支柱234の段差部234aと同様に段差形状に形成されている。これにより、各カーボン支柱234の段差部234aを各固定孔403にそれぞれ差し込むことで、各カーボン支柱234は処理炉202の軸方向に対して位置決めされ、インナーチューブ401に確実に支持される。ここで、各固定孔403は支柱固定部402の周方向に沿って、図5(第1実施の形態)に示した各カーボン支柱234の配置関係となるよう、等間隔(22.5°間隔)で15個設けられている。
On the proximal end side of the
支柱固定部402は、マニホールド209の支持フランジ2341の一側面(図中上側面)に突き当てられて、ネジ等の固定手段(図示せず)により支持フランジ2341に固定されている。なお、ネジ等の固定手段は、支柱固定部402の周方向に沿う各カーボン支柱234間に配置され、これによりネジ等の固定手段と各カーボン支柱234とが干渉することを回避している。
The
図8に示すように、インナーチューブ401の径方向に沿うガス供給ノズル2321側、つまりインナーチューブ401の各ガス供給口2322と対向する位置には、インナーチューブ401の内側の処理室201と、インナーチューブ401の外側の間隙SPとの間を連通するガス流通孔としての開口部FHが形成されている。開口部FHは、インナーチューブ401の軸方向に延在してスリット状に形成され、開口部FHの長さ寸法は、少なくともボート217に積載保持された各ウェハ200と対向し得る長さで、かつガス供給ノズル2321に設けた複数のガス供給口2322と対向し得る長さに設定されている。また、図11に示すように、インナーチューブ401の周方向に沿う開口部FHの長さ寸法、つまり開口部FHの幅寸法W1は、ガス供給ノズル2321に設けた各ガス供給口2322の幅寸法W2よりも大きい寸法(W1>W2)に設定されている。これにより、各ガス供給口2322を開口部FHに確実に対向させて、図9および図12の破線矢印に示すように、各ガス供給口2322から噴出されるガスをインナーチューブ401内のボート217(各ウェハ200)に向けて確実に導入できるようにしている。
As shown in FIG. 8, the
<本実施の形態2の代表的効果>
以上、第2実施の形態で説明した技術的思想によれば、上述した第1実施の形態で説明した効果に加え、少なくとも、以下に記載する複数の効果のうち、1つ以上の効果を奏する。
<Typical effects of the second embodiment>
As described above, according to the technical idea described in the second embodiment, in addition to the effects described in the first embodiment, at least one of the plurality of effects described below is achieved. .
(1)第2実施の形態によれば、ガス供給ノズル2321に設けた各ガス供給口2322から噴出されるガスを、インナーチューブ401内の処理室201に導入するので、第1実施の形態に比して、実質的に処理炉202を小型化したのと同等の効果が得られる。つまり、各ウェハ200の処理に必要なガスの量を減らすことができ、省エネルギー化や環境性能の向上等を図ることができる。
(1) According to the second embodiment, since the gas ejected from each
(2)第2実施の形態によれば、インナーチューブ401の有無で、処理能力の異なる基板処理装置を構築することができ、この場合、インナーチューブ401以外の構成部品を共通化して、基板処理装置の製造コストを削減することができる。
(2) According to the second embodiment, it is possible to construct a substrate processing apparatus having different processing capabilities with or without the
(3)第2実施の形態によれば、ガス供給ノズル2321に設けた各ガス供給口2322から噴出されるガスを、インナーチューブ401内の処理室201に導入するので、第1実施の形態に比して、ガスが各カーボン支柱234に接触するのをより抑えることができる。したがって、各カーボン支柱234に半導体膜が形成されるのをより抑制でき、各カーボン支柱234のメンテナンス処理を削減することができる。
(3) According to the second embodiment, since the gas ejected from each
(4)第2実施の形態によれば、インナーチューブ401を石英(SiO2)材により形成したので、インナーチューブ401は各カーボン支柱234からの輻射熱を透過する。これによりインナーチューブ401の昇温を抑制することができ、インナーチューブ401に半導体膜が形成されるのを抑えて、インナーチューブ401のメンテナンス処理を削減することができる。
(4) According to the second embodiment, since the
(5)第2実施の形態で説明した基板処理装置400を、基板の製造方法における基板の処理工程において用いることにより、基板の処理方法において、上述した複数の効果のうち、1つ以上の効果を奏する。
(5) By using the
(6)第2実施の形態で説明した基板処理装置400を、半導体装置の製造方法における基板の処理工程において用いることにより、半導体装置の製造方法において、上述した複数の効果のうち、1つ以上の効果を奏する。
(6) By using the
(7)第2実施の形態で説明した基板処理装置400を、太陽電池の製造方法における基板の処理工程において用いることにより、太陽電池の製造方法において、上述した複数の効果のうち、1つ以上の効果を奏する。
(7) By using the
[第3実施の形態]
次に、本発明の第3実施の形態に係る基板処理装置について、図面を用いて詳細に説明する。なお、上述した第2実施の形態と同様の機能を有する部分については同一の記号を付し、その詳細な説明を省略する。
[Third Embodiment]
Next, a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that portions having the same functions as those of the second embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
図13は第3実施の形態に係る基板処理装置の処理炉における横方向の断面を示す横断面図を、図14は図13のウェハ,インナーチューブ,ボート,カーボン支柱およびガス供給ノズルを示す斜視図をそれぞれ表している。 13 is a cross-sectional view showing a cross-section in the horizontal direction in the processing furnace of the substrate processing apparatus according to the third embodiment, and FIG. 14 is a perspective view showing the wafer, inner tube, boat, carbon column and gas supply nozzle of FIG. Each figure is shown.
図13および図14に示すように、第3実施の形態に係る基板処理装置500は、上述した第2実施の形態に比して、各カーボン支柱234の配置関係のみが異なっている。具体的には、各カーボン支柱234を、ガス供給ノズル2321を挟んで所定の間隙を有するよう、ウェハ200の周方向に沿って10本並べて等間隔(32.7°間隔)で設け、ウェハ200の径方向に沿うガス供給ノズル2321の対向部分、つまりガス排気管231(ガス排気口2311)に対応する部分に、カーボン支柱234を配置しないようにしている。なお、第3実施の形態に係る基板処理装置500における各カーボン支柱234の配置関係は、インナーチューブ401を備えない第1実施の形態に係る基板処理装置101にも適用することができる。
As shown in FIGS. 13 and 14, the
<第3実施の形態の代表的効果>
以上、第3実施の形態で説明した技術的思想によれば、上述した第1実施の形態および第2実施の形態で説明した効果に加え、少なくとも、以下に記載する複数の効果のうち、1つ以上の効果を奏する。
<Typical effects of the third embodiment>
As described above, according to the technical idea described in the third embodiment, in addition to the effects described in the first embodiment and the second embodiment described above, at least one of the effects described below is 1 Has more than one effect.
(1)第3実施の形態によれば、ウェハ200の径方向に沿うガス供給ノズル2321の対向部分、つまり各ガス供給口2322から噴出されるガスの噴出先において、インナーチューブ401に形成される半導体膜が厚くなる等、成膜が著しい場合に、当該部分への輻射熱の伝達を弱めて温度を適温に低下させることができる。これにより、基板処理装置500のメンテナンス処理をより削減することができる。
(1) According to the third embodiment, the
(2)第3実施の形態で説明した基板処理装置500を、基板の製造方法における基板の処理工程において用いることにより、基板の処理方法において、上述した複数の効果のうち、1つ以上の効果を奏する。
(2) By using the
(3)第3実施の形態で説明した基板処理装置500を、半導体装置の製造方法における基板の処理工程において用いることにより、半導体装置の製造方法において、上述した複数の効果のうち、1つ以上の効果を奏する。
(3) By using the
(4)第3実施の形態で説明した基板処理装置500を、太陽電池の製造方法における基板の処理工程において用いることにより、太陽電池の製造方法において、上述した複数の効果のうち、1つ以上の効果を奏する。
(4) By using the
[第4実施の形態]
次に、本発明の第4実施の形態に係る基板処理装置について、図面を用いて詳細に説明する。なお、上述した第2実施の形態と同様の機能を有する部分については同一の記号を付し、その詳細な説明を省略する。
[Fourth embodiment]
Next, a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that portions having the same functions as those of the second embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
図15は第4実施の形態に係る基板処理装置の処理炉における横方向の断面を示す横断面図を、図16は図15のウェハ,インナーチューブ,ボート,カーボン支柱およびガス供給ノズルを示す斜視図をそれぞれ表している。 FIG. 15 is a cross-sectional view showing a cross-section in the horizontal direction in the processing furnace of the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment, and FIG. 16 is a perspective view showing the wafer, inner tube, boat, carbon column and gas supply nozzle of FIG. Each figure is shown.
図15および図16に示すように、第4実施の形態に係る基板処理装置600は、上述した第2実施の形態に比して、カーボン支柱の断面を長方形形状として板状に形成した点のみが異なっている。各カーボン支柱(被誘導体)601は、対向する一対の幅広面602と対向する一対の幅狭面603とを備えており、各幅広面602のうちの一方は、ウェハ200の中心に向けられている。各カーボン支柱601は、ガス供給ノズル2321を挟んで所定の間隙を有するよう、ウェハ200の周方向に沿って7枚並べて等間隔(45°間隔)で設けられている。なお、カーボン支柱の断面は上述のような長方形形状の板状に限らず、間隙SPの曲率半径に合わせた曲率半径を有する断面が円弧形状の板状に形成することもできる。また、第4実施の形態に係る基板処理装置600における各カーボン支柱601は、インナーチューブ401を備えない第1実施の形態に係る基板処理装置101にも適用することができる。
As shown in FIGS. 15 and 16, the
<第4実施の形態の代表的効果>
以上、第4実施の形態で説明した技術的思想によれば、上述した第1実施の形態および第2実施の形態で説明した効果に加え、少なくとも、以下に記載する複数の効果のうち、1つ以上の効果を奏する。
<Typical effects of the fourth embodiment>
As described above, according to the technical idea described in the fourth embodiment, in addition to the effects described in the first embodiment and the second embodiment described above, at least one of the effects described below is 1 Has more than one effect.
(1)第4実施の形態によれば、各カーボン支柱601の各ウェハ200の中心に向けられる部分の表面積、つまり幅広面602の表面積を多く確保することができるので、誘導加熱を効率良く行うことができる。これにより、少ない電気エネルギーで各ウェハ200を適温に昇温させることができ、省エネルギーに対応することが可能となる。
(1) According to the fourth embodiment, it is possible to secure a large surface area of the portion directed to the center of each
(2)第4実施の形態で説明した基板処理装置600を、基板の製造方法における基板の処理工程において用いることにより、基板の処理方法において、上述した複数の効果のうち、1つ以上の効果を奏する。
(2) By using the
(3)第4実施の形態で説明した基板処理装置600を、半導体装置の製造方法における基板の処理工程において用いることにより、半導体装置の製造方法において、上述した複数の効果のうち、1つ以上の効果を奏する。
(3) By using the
(4)第4実施の形態で説明した基板処理装置600を、太陽電池の製造方法における基板の処理工程において用いることにより、太陽電池の製造方法において、上述した複数の効果のうち、1つ以上の効果を奏する。
(4) By using the
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上述した各実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、上記各実施の形態ではエピタキシャル装置を例示して説明したが、CVD装置,ALD装置,酸化装置,拡散装置,あるいはアニール装置等、その他の基板処理装置においても本発明における技術的思想を適用することができる。 As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say. For example, in the above embodiments, the epitaxial apparatus has been described as an example. However, the technical idea of the present invention can be applied to other substrate processing apparatuses such as a CVD apparatus, an ALD apparatus, an oxidation apparatus, a diffusion apparatus, or an annealing apparatus. can do.
本発明は少なくとも以下の実施の形態を含む。 The present invention includes at least the following embodiments.
〔付記1〕
内部で基板を処理する反応容器と、
複数枚の前記基板を前記反応容器の延在方向に積載保持する基板保持体と、
前記反応容器内の前記基板保持体の外周側で前記基板の積載方向に延在して前記基板の周方向に所定の間隙を成して複数設けられ、前記基板を加熱する被誘導体と、
前記被誘導体を誘導加熱する誘導加熱装置と、
を備える基板処理装置。
[Appendix 1]
A reaction vessel for processing the substrate inside;
A substrate holder for stacking and holding a plurality of the substrates in the extending direction of the reaction container;
A plurality of derivatives extending in the stacking direction of the substrate on the outer peripheral side of the substrate holder in the reaction vessel and having a predetermined gap in the circumferential direction of the substrate, and heating the substrate;
An induction heating device for induction heating the derivative;
A substrate processing apparatus comprising:
〔付記2〕
基板を積載保持した基板保持体を反応容器に搬送する工程と、
誘導加熱装置にて前記反応容器内の前記基板保持体の外周側で前記基板の積載方向に延在して前記基板の周方向に所定の間隙を成して複数設けられた被誘導体を誘導加熱し、前記基板を加熱処理する工程と、
を有する基板の処理方法。
[Appendix 2]
A step of transporting a substrate holder on which a substrate is loaded and held to the reaction vessel;
Inductive heating is performed on a plurality of derivatives to be provided with a predetermined gap extending in the circumferential direction of the substrate extending in the stacking direction of the substrate on the outer peripheral side of the substrate holder in the reaction vessel with an induction heating device. And heat-treating the substrate;
A method for processing a substrate comprising:
〔付記3〕
前記反応容器内の前記基板保持体の外周側で前記基板の積載方向に延在し前記基板保持体に保持された前記基板に対してガスを供給するガス供給口を有するガス供給部をさらに備え、前記ガス供給口は前記複数の被誘導体間の前記所定の間隙と対向するように配置される付記1記載の基板処理装置。
[Appendix 3]
The apparatus further includes a gas supply unit having a gas supply port that extends in the stacking direction of the substrate on the outer peripheral side of the substrate holder in the reaction vessel and supplies gas to the substrate held by the substrate holder. The substrate processing apparatus according to
〔付記4〕
前記反応容器内の前記基板保持体と、前記ガス供給部および前記被誘導体との間には、インナーチューブが設けられ、前記インナーチューブの前記ガス供給口に対向する位置にはガス流通孔が設けられる付記3記載の基板処理装置。
[Appendix 4]
An inner tube is provided between the substrate holder in the reaction vessel, the gas supply unit, and the derivative, and a gas flow hole is provided at a position facing the gas supply port of the inner tube. 4. The substrate processing apparatus according to appendix 3.
〔付記5〕
前記インナーチューブには、前記被誘導体を支持する被誘導体支持部が設けられ、前記被誘導体は前記被誘導体支持部に支持されている付記4記載の基板処理装置。
[Appendix 5]
The substrate processing apparatus according to appendix 4, wherein the inner tube is provided with a derivative support portion for supporting the derivative, and the derivative is supported by the derivative support portion.
〔付記6〕
前記被誘導体は棒状に形成されている付記1記載の基板処理装置。
[Appendix 6]
The substrate processing apparatus according to
〔付記7〕
前記被誘導体は板状に形成されている付記1記載の基板処理装置。
[Appendix 7]
The substrate processing apparatus according to
本発明は、半導体装置や太陽電池などを製造する製造業に幅広く利用することができる。 The present invention can be widely used in manufacturing industries for manufacturing semiconductor devices and solar cells.
101,400,500,600 基板処理装置
103 正面メンテナンス口
104 正面メンテナンス扉
105 カセット棚
106 スライドステージ
107 バッファ棚
110 カセット
111 筐体
111a 正面壁
112 カセット搬入搬出口
113 フロントシャッタ
114 カセットステージ
115 ボートエレベータ
118 カセット搬送装置
118a カセットエレベータ
118b カセット搬送機構
125 ウェハ移載機構
125a ウェハ移載装置
125b ウェハ移載装置エレベータ
125c ツイーザ
134a クリーンユニット
140 耐圧筐体
140a 正面壁
141 ロードロック室
142 ウェハ搬入搬出口
143 ゲートバルブ
144 ガス供給管
147 炉口シャッタ
161 炉口
177,178,179 バルブ
180 第1のガス供給源
181 第2のガス供給源
182 第3のガス供給源
183,184,185 MFC
200 ウェハ(基板)
201 処理室
202 処理炉(反応容器)
205 アウターチューブ(処理炉)
206 誘導加熱装置
209 マニホールド(処理炉)
216 断熱筒
217 ボート(基板保持体)
217a 天板
217b 底板
219 シールキャップ
231 ガス排気管
232 ガス供給管
234,601 カーボン支柱(被誘導体)
234a 段差部
235 ガス流量制御部
236 圧力制御部
237 駆動制御部
238 温度制御部
239 主制御部
240 コントローラ
242 APCバルブ
244 ボール螺子
245 下基板
246 真空排気装置
247 上基板
248 昇降モータ
249 昇降台
250 昇降シャフト
251 天板
252 昇降基板
253 駆動部カバー
254 回転機構
255 回転軸
256 駆動部収納ケース
257 冷却機構
258 電力供給ケーブル
259 冷却流路
260 冷却水配管
263 放射温度計
264 ガイドシャフト
265 ベローズ
301,309 Oリング
401 インナーチューブ
402 支柱固定部(被誘導体支持部)
403 固定孔
602 幅広面
603 幅狭面
2061 RFコイル
2062 壁体
2063 冷却壁
2064 ラジエータ
2065 ブロア
2066 開口部
2067 圧力開放口開閉装置
2311 ガス排気口
2321 ガス供給ノズル(ガス供給部)
2322 ガス供給口
2341 支持フランジ
FH 開口部(ガス流通孔)
HU 保持部
PR 支柱
SP 間隙
101, 400, 500, 600
200 wafer (substrate)
201
205 Outer tube (processing furnace)
206
216
234a Stepped
403
2322
HU holding part PR strut SP gap
Claims (2)
複数枚の前記基板を前記反応容器の延在方向に積載保持する基板保持体と、
前記反応容器内の前記基板保持体の外周側で前記基板の積載方向に延在して前記基板の周方向に所定の間隙を成して複数設けられ、前記基板を加熱する被誘導体と、
前記被誘導体を誘導加熱する誘導加熱装置と、
を備える基板処理装置。 A reaction vessel for processing the substrate inside;
A substrate holder for stacking and holding a plurality of the substrates in the extending direction of the reaction container;
A plurality of derivatives extending in the stacking direction of the substrate on the outer peripheral side of the substrate holder in the reaction vessel and having a predetermined gap in the circumferential direction of the substrate, and heating the substrate;
An induction heating device for induction heating the derivative;
A substrate processing apparatus comprising:
誘導加熱装置にて前記反応容器内の前記基板保持体の外周側で前記基板の積載方向に延在して前記基板の周方向に所定の間隙を成して複数設けられた被誘導体を誘導加熱し、前記基板を加熱処理する工程と、
を有する基板の処理方法。 A step of transporting a substrate holder on which a substrate is loaded and held to the reaction vessel;
Inductive heating is performed on a plurality of derivatives to be provided with a predetermined gap extending in the circumferential direction of the substrate extending in the stacking direction of the substrate on the outer peripheral side of the substrate holder in the reaction vessel with an induction heating device. And heat-treating the substrate;
A method for processing a substrate comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010213150A JP2012069724A (en) | 2010-09-24 | 2010-09-24 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010213150A JP2012069724A (en) | 2010-09-24 | 2010-09-24 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012069724A true JP2012069724A (en) | 2012-04-05 |
Family
ID=46166630
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2010213150A Pending JP2012069724A (en) | 2010-09-24 | 2010-09-24 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2012069724A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109411388A (en) * | 2017-08-17 | 2019-03-01 | 三星电子株式会社 | Substrate-treating apparatus and its clean method |
CN112768385A (en) * | 2015-02-25 | 2021-05-07 | 株式会社国际电气 | Substrate processing apparatus, heater, storage medium, and substrate processing method |
-
2010
- 2010-09-24 JP JP2010213150A patent/JP2012069724A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN112768385A (en) * | 2015-02-25 | 2021-05-07 | 株式会社国际电气 | Substrate processing apparatus, heater, storage medium, and substrate processing method |
CN109411388A (en) * | 2017-08-17 | 2019-03-01 | 三星电子株式会社 | Substrate-treating apparatus and its clean method |
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