JP2012067328A - Method for manufacturing semiconductor device, and substrate treatment apparatus - Google Patents
Method for manufacturing semiconductor device, and substrate treatment apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012067328A JP2012067328A JP2010210590A JP2010210590A JP2012067328A JP 2012067328 A JP2012067328 A JP 2012067328A JP 2010210590 A JP2010210590 A JP 2010210590A JP 2010210590 A JP2010210590 A JP 2010210590A JP 2012067328 A JP2012067328 A JP 2012067328A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- valve
- processing chamber
- gas supply
- supply pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 72
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 463
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 174
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 21
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 16
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 4
- -1 TEMAH Chemical compound 0.000 claims description 3
- SEQDDYPDSLOBDC-UHFFFAOYSA-N Temazepam Chemical compound N=1C(O)C(=O)N(C)C2=CC=C(Cl)C=C2C=1C1=CC=CC=C1 SEQDDYPDSLOBDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N tetrakis(dimethylamido)titanium Chemical compound CN(C)[Ti](N(C)C)(N(C)C)N(C)C MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 62
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 77
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 29
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 21
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 20
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 10
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 7
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910003855 HfAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007875 ZrAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006501 ZrSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIQVEZFSDIJTMW-UHFFFAOYSA-N aluminum hafnium(4+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Hf+4] MIQVEZFSDIJTMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVXCTUSYKCFNMG-UHFFFAOYSA-N aluminum oxygen(2-) zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[Zr+4].[Al+3] HVXCTUSYKCFNMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013404 process transfer Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、基板上に薄膜を形成する半導体装置の製造方法及び基板処理装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device manufacturing method and a substrate processing apparatus for forming a thin film on a substrate.
DRAM等の半導体装置の製造工程の一工程として、シリコンウエハ等の基板上に例えば窒化チタニウム(TiN)膜等の薄膜を形成する基板処理工程が実施されることがある。近年、薄膜を形成する方法として、ALD(Atomic Layer Deposition)法が用いられるようになってきた。ALD法は、基板が収容された処理室内への原料ガスの供給と反応ガスの供給とを交互に所定回数実施することで、基板上に所望の膜厚の薄膜を形成する手法である。ALD法を用いた場合、CVD(Chemical Vapor Deposition)法を用いた場合に比べて低温で良好な膜質が得られ、また高い膜厚均一性が得られる。 As one step of manufacturing a semiconductor device such as a DRAM, a substrate processing step of forming a thin film such as a titanium nitride (TiN) film on a substrate such as a silicon wafer may be performed. In recent years, the ALD (Atomic Layer Deposition) method has come to be used as a method for forming a thin film. The ALD method is a method of forming a thin film with a desired film thickness on a substrate by alternately supplying a source gas and a reaction gas into a processing chamber in which the substrate is accommodated a predetermined number of times. When the ALD method is used, a good film quality can be obtained at a low temperature and high film thickness uniformity can be obtained as compared with the case where the CVD (Chemical Vapor Deposition) method is used.
しかしながら、ALD法は、CVD法に比べて成膜速度が低下し易い傾向がある。ALD法にて成膜速度を高めるには、処理室内に供給する原料ガスの分圧を短時間で上昇させることが有効である。原料ガスの分圧を短時間で上昇させるには、処理室内に原料ガスを供給するガス供給管に供給タンクを設け、この供給タンク内に原料ガスを充填して加圧状態とし、加圧された供給タンク内と減圧された処理室内との差圧を利用して供給タンク内の原料ガスを処理室内に短時間で導入する手法が有効である。 However, the ALD method tends to decrease the film formation rate as compared with the CVD method. In order to increase the deposition rate by the ALD method, it is effective to increase the partial pressure of the source gas supplied into the processing chamber in a short time. In order to increase the partial pressure of the raw material gas in a short time, a supply tank is provided in the gas supply pipe for supplying the raw material gas into the processing chamber, and the raw material gas is filled in the supply tank to be in a pressurized state and pressurized. It is effective to introduce the raw material gas in the supply tank into the processing chamber in a short time using the pressure difference between the supply tank and the reduced processing chamber.
しかしながら、原料ガスの蒸気圧が低い場合には、加圧することで原料ガスが液化してしまうことがあるため、供給タンク内の圧力を充分に高めることは困難であった。なお、供給タンク内を加熱することで、原料ガスの液化を抑制させることは可能である。しかしながら、加熱により原料ガスが熱分解してしまうことがあるため、供給タンク内の温度を充分に高めることは困難であった。 However, when the vapor pressure of the raw material gas is low, since the raw material gas may be liquefied by pressurization, it is difficult to sufficiently increase the pressure in the supply tank. It is possible to suppress liquefaction of the source gas by heating the inside of the supply tank. However, since the source gas may be thermally decomposed by heating, it has been difficult to sufficiently raise the temperature in the supply tank.
本発明の主な目的は、処理室内に供給した原料ガスの分圧を短時間で上昇させ、薄膜の成膜速度を高めることが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することである。 A main object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing method and a substrate processing apparatus capable of increasing a partial pressure of a source gas supplied into a processing chamber in a short time and increasing a film forming speed of a thin film. is there.
本発明の一態様によれば、処理室に接続されるガス供給管に設けられた第1のガス溜め部内に不活性ガスを充填しつつ、前記第1のガス溜め部よりも下流側の前記ガス供給管に設けられた第2のガス溜め部内に原料ガスを充填する工程と、前記第1のガス溜め部と前記第2のガス溜め部との間の前記ガス供給管に設けられた開閉弁、及び前記第2のガス溜め部と前記処理室との間の前記ガス供給管に設けられた開閉弁をそれぞれ開いて、前記第1のガス溜め部内に充填された不活性ガスにより、前記第2のガス溜め部内に充填された原料ガスを前記処理室内に圧送する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, the first gas reservoir provided in the gas supply pipe connected to the processing chamber is filled with an inert gas, and the downstream of the first gas reservoir is provided. A step of filling a source gas in a second gas reservoir provided in the gas supply pipe, and an opening / closing provided in the gas supply pipe between the first gas reservoir and the second gas reservoir. A valve and an on-off valve provided in the gas supply pipe between the second gas reservoir and the processing chamber, respectively, and an inert gas filled in the first gas reservoir, And a step of pumping the source gas filled in the second gas reservoir into the processing chamber.
本発明の他の態様によれば、処理室内に基板を搬送する工程と、前記処理室に接続されるガス供給管に設けられた第1の開閉弁を開くと共に第2の開閉弁を閉じ、前記第1の開閉弁と前記第2の開閉弁との間の前記ガス供給管に設けられた第1のガス溜め部内に不活性ガスを充填しつつ、前記第2の開閉弁よりも下流側の前記ガス供給管に設けられた第3の開閉弁を開くと共に第4の開閉弁を閉じ、前記第3の開閉弁と前記第4の開閉弁との間
の前記ガス供給管に設けられた第2のガス溜め部内に原料ガスを充填する第1の工程と、前記第2の開閉弁及び前記第4の開閉弁をそれぞれ閉じた状態で、前記第1の開閉弁及び前記第3の開閉弁をそれぞれ閉じる第2の工程と、前記第2の開閉弁、前記第3の開閉弁及び前記第4の開閉弁をそれぞれ開き、前記第2のガス溜め部内に充填された原料ガスを、前記第1のガス溜め部内に充填された不活性ガスにより前記処理室内に圧送する第3の工程と、前記第4の開閉弁を開いた状態で前記第3の開閉弁を閉じ、前記第2のガス溜め部内の残留ガスを除去する第4の工程と、前記処理室内から基板を搬送する工程と、を有し、前記第1の工程から前記第4の工程を所定回数実施することで前記基板上に薄膜を形成する半導体装置の製造方法が提供される。
According to another aspect of the present invention, the step of transporting the substrate into the processing chamber, the first on-off valve provided in the gas supply pipe connected to the processing chamber is opened and the second on-off valve is closed, The first gas reservoir provided in the gas supply pipe between the first on-off valve and the second on-off valve is filled with an inert gas, and is further downstream than the second on-off valve. The third on-off valve provided in the gas supply pipe is opened and the fourth on-off valve is closed, and provided on the gas supply pipe between the third on-off valve and the fourth on-off valve. The first on-off valve and the third on-off valve are closed with the first step of filling the second gas reservoir with the source gas, and the second on-off valve and the fourth on-off valve being closed, respectively. A second step of closing each of the valves, and each of the second on-off valve, the third on-off valve, and the fourth on-off valve. A third step of opening and feeding the source gas filled in the second gas reservoir into the processing chamber by the inert gas filled in the first gas reservoir; and the fourth on-off valve A fourth step of closing the third on-off valve in the opened state to remove residual gas in the second gas reservoir, and a step of transporting the substrate from the processing chamber, A method of manufacturing a semiconductor device is provided in which a thin film is formed on the substrate by performing the first to fourth steps a predetermined number of times.
本発明の他の態様によれば、基板を収容する処理室と、不活性ガス及び原料ガスを前記処理室内へ供給するガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、前記ガス供給系及び前記排気系を制御する制御部と、を有し、前記ガス供給系は、前記処理室に接続される第1のガス供給管を有し、前記第1のガス供給管には、上流側から順に、不活性ガス供給源、第1の開閉弁、第1のガス溜め部、第2の開閉弁、第3の開閉弁、第2のガス溜め部及び第4の開閉弁が設けられ、前記第2の開閉弁と前記第3の開閉弁との間の前記第1のガス供給管には、第2のガス供給管が接続され、前記第2のガス供給管には、上流側から順に、原料ガス供給源及び第5の開閉弁が設けられている基板処理装置が提供される。 According to another aspect of the present invention, a processing chamber that accommodates a substrate, a gas supply system that supplies an inert gas and a source gas into the processing chamber, an exhaust system that exhausts an atmosphere in the processing chamber, and the gas A control unit that controls a supply system and the exhaust system, and the gas supply system includes a first gas supply pipe connected to the processing chamber, and the first gas supply pipe includes: In order from the upstream side, an inert gas supply source, a first on-off valve, a first gas reservoir, a second on-off valve, a third on-off valve, a second gas reservoir, and a fourth on-off valve are provided. A second gas supply pipe is connected to the first gas supply pipe between the second on-off valve and the third on-off valve, and an upstream is connected to the second gas supply pipe. A substrate processing apparatus provided with a source gas supply source and a fifth on-off valve in this order is provided.
本発明に係る半導体装置の製造方法及び基板処理装置によれば、処理室内に供給した原料ガスの分圧を短時間で上昇させ、薄膜の成膜速度を高めることが可能となる。 According to the method for manufacturing a semiconductor device and the substrate processing apparatus according to the present invention, it is possible to increase the partial pressure of the source gas supplied into the processing chamber in a short time and increase the deposition rate of the thin film.
<本発明の一実施形態>
以下に、本実施形態に係る基板処理装置の基本構成、及び該基板処理装置により実施される基板処理工程について説明する。
<One Embodiment of the Present Invention>
Hereinafter, a basic configuration of the substrate processing apparatus according to the present embodiment and a substrate processing process performed by the substrate processing apparatus will be described.
(1)基板処理装置の構成
図1は、本実施形態に係る基板処理装置101の全体構成を例示する概略構成図である。図1に示すように、基板処理装置101は筐体111を備えている。シリコン等からなる基板としてのウエハ200を筐体111内外へ搬送するには、複数枚のウエハ200を収納可能なウエハキャリア(基板搬送容器)としてのカセット110が使用される。筐体111の正面壁111aの下方には、筐体111内をメンテナンス可能なように開口された開口部としての正面メンテナンス口(図示せず)が開設されている。筐体111の正面壁111aには、この正面メンテナンス口を開閉する正面メンテナンス扉(図示せず)が設けられている。メンテナンス扉には、カセット搬入搬出口(基板収容器搬入搬出口)1
12が、筐体111内外を連通するように開設されている。カセット搬入搬出口112は、フロントシャッタ(基板収容器搬入搬出口開閉機構)113によって開閉されるようになっている。カセット搬入搬出口112の筐体111内側には、カセットステージ(基板収容器受渡し台)114が設置されている。カセット110は、工程内搬送装置(図示せず)によってカセットステージ114上に搬入され、また、カセットステージ114上から搬出されるようになっている。
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating the overall configuration of a
12 is established to communicate between the inside and outside of the
カセット110は、図示しない工程内搬送装置によって、カセット110内のウエハ200が垂直姿勢となり、カセット110のウエハ出し入れ口が上方向を向くように、カセットステージ114上に載置される。カセットステージ114は、カセット110を筐体111の後方に向けて縦方向に90°回転させ、カセット110内のウエハ200を水平姿勢とさせ、カセット110のウエハ出し入れ口を筐体111内の後方を向かせることが可能なように構成されている。
The
筐体111内の前後方向の略中央部には、カセット棚(基板収容器載置棚)105が設置されている。カセット棚105には、複数段、複数列にて複数個のカセット110が保管されるように構成されている。カセット棚105には、後述するウエハ移載機構125の搬送対象となるカセット110が収納される移載棚123が設けられている。また、カセットステージ114の上方には、予備カセット棚107が設けられ、予備的にカセット110を保管するように構成されている。
A cassette shelf (substrate container mounting shelf) 105 is installed at a substantially central portion in the front-rear direction in the
カセットステージ114とカセット棚105との間には、カセット搬送装置(基板収容器搬送装置)118が設置されている。カセット搬送装置118は、カセット110を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ(基板収容器昇降機構)118aと、カセット110を保持したまま水平移動可能な搬送機構としてのカセット搬送機構(基板収容器搬送機構)118bと、を備えている。これらカセットエレベータ118aとカセット搬送機構118bとの連続動作により、カセットステージ114、カセット棚105、予備カセット棚107の間で、カセット110を搬送するように構成される。
A cassette carrying device (substrate container carrying device) 118 is installed between the
カセット棚105の後方には、ウエハ移載機構(基板移載機構)125が設置されている。ウエハ移載機構125は、ウエハ200を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置(基板移載装置)125aと、ウエハ移載装置125aを昇降させるウエハ移載装置エレベータ(基板移載装置昇降機構)125bと、を備えている。なお、ウエハ移載装置125aは、ウエハ200を水平姿勢で保持するツイーザ(基板移載用治具)125cを備えている。ウエハ移載装置エレベータ125bは、耐圧性を有する筐体111の右側端部に設置されている。これら、ウエハ移載装置125aとウエハ移載装置エレベータ125bとの連続動作により、ウエハ200を移載棚123上のカセット110内からピックアップして後述するボート(基板支持部材)220へ装填(チャージ)したり、ウエハ200をボート220から脱装(ディスチャージ)して移載棚123上のカセット110内へ収納したりするように構成されている。
A wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125 is installed behind the
筐体111の後部上方には、処理炉202が設けられている。処理炉202の下端部には開口(炉口)が設けられている。係る開口は、炉口シャッタ(炉口開閉機構)147により開閉されるように構成されている。なお、処理炉202の構成については後述する。
A
処理炉202の下方には、ボート220を昇降させて処理炉202内外へ搬送する昇降機構としてのボートエレベータ(基板保持具昇降機構)115が設けられている。ボートエレベータ115の昇降台には、連結具としてのアーム128が設けられている。アーム128上には、ボート220を垂直に支持するとともに、ボートエレベータ115によりボート220が上昇したときに処理炉202の下端部を気密に閉塞する真空気密板として
の蓋体であるシールキャップ219が水平に設けられている。
Below the
ボート220は、複数枚(例えば、10枚〜150枚程度)のウエハ200を、水平姿勢で所定の間隔で多段に積層して保持するように構成されている。ボート220の構成については後述する。
The
カセット棚105の上方には、供給ファンと防塵フィルタとを備えたクリーンユニット134aが設けられている。クリーンユニット134aは、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを筐体111の内部に流通させるように構成されている。
Above the
また、ウエハ移載装置エレベータ125bおよびボートエレベータ115側と反対側である筐体111の左側端部には、供給ファンと防塵フィルタとを備えたクリーンユニット134bが設置されている。クリーンユニット134bから吹き出されたクリーンエアは、ウエハ移載装置125a及びボート220の周囲を流通した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体111の外部に排気されるようになっている。
In addition, a
次に、本実施形態に係る基板処理装置101の動作について説明する。
Next, the operation of the
カセット搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放され、カセット110がカセットステージ114上に載置される。その後、カセット110はカセット搬入搬出口112から筐体111内に搬入される。なお、カセット110は、ウエハ200が垂直姿勢となりカセット110のウエハ出し入れ口が上方向を向くように、カセットステージ114上に載置される。その後、カセット110は、カセットステージ114によって、筐体111の後方に向けて縦方向に90°回転させられる。その結果、カセット110内のウエハ200は水平姿勢となり、カセット110のウエハ出し入れ口は筐体111内の後方を向く。
The cassette loading / unloading
次に、カセット110は、カセット搬送装置118によって、カセット棚105ないし予備カセット棚107の指定された棚位置へ自動的に搬送されて受け渡されて一時的に保管された後、カセット棚105又は予備カセット棚107から移載棚123に移載されるか、もしくは移載棚123に直接搬送される。
Next, the
カセット110が移載棚123に移載されると、ウエハ200は、ウエハ移載装置125aのツイーザ125cによって、ウエハ出し入れ口を通じてカセット110からピックアップされ、ウエハ移載装置125aとウエハ移載装置エレベータ125bとの連続動作によって、移載室124の後方に設けられたボート220に装填(チャージ)される。ボート220にウエハ200を受け渡したウエハ移載装置125aは、カセット110に戻り、次のウエハ200をボート220に装填する。
When the
予め指定された枚数のウエハ200がボート220に装填されると、炉口シャッタ147によって閉じられていた処理炉202の下端部が、炉口シャッタ147によって開放される。続いて、シールキャップ219がボートエレベータ115によって上昇されることにより、ウエハ200群を保持したボート220が処理炉202内へ搬入(ボートローディング)される。
When a predetermined number of
ローディング後は、処理炉202にてウエハ200に任意の処理が実施される。かかる処理については後述する。処理後は、上述の逆の手順で、ウエハ200およびカセット110は、上述の手順とは逆の手順で筐体111の外部へ払い出される。
After loading, arbitrary processing is performed on the
(2)処理炉の構成
続いて、本発明の一実施形態にかかる処理炉202の構成について、図面を参照しながら説明する。図2は、本実施形態にて好適に用いられる処理炉202の一例とそれに付随する部材の概略構成図であって、特に処理炉202部分を縦断面で示す図である。図3は、本実施形態にて好適に用いられる図2に示す処理炉202のA−A線断面図である。
(2) Configuration of Processing Furnace Next, the configuration of the
(処理室)
本発明の一実施形態にかかる処理炉202は、反応管203とマニホールド209とを有している。反応管203は、例えば石英(SiO2)や炭化珪素(SiC)等の耐熱性を有する非金属材料から構成され、上端が閉塞され、下端が開放された円筒形状に形成されている。マニホールド209は、例えばSUS等の金属材料から構成され、上端及び下端が開放された円筒形状に形成されている。反応管203は、マニホールド209により下端側から縦向きに支持されている。反応管203とマニホールド209とは、同心円状に配置されている。反応管203とマニホールド209との間には、Oリングなどの封止部材220が設けられている。マニホールド209の下端は、上述したボートエレベータ115が上昇した際に、シールキャップ219により気密に封止されるように構成されている。マニホールド209の下端とシールキャップ219との間には、処理室201内を気密に封止するOリングなどの封止部材220bが設けられている。
(Processing room)
A
反応管203及びマニホールド209の内部には、基板としてのウエハ200が収容される処理室201が形成されている。処理室201内には、基板保持具としてのボート217が下方から挿入されるように構成されている。反応管203及びマニホールド209の内径は、ウエハ200を装填したボート217の最大外形よりも大きくなるように構成されている。
Inside the
ボート217は、複数枚(例えば75枚から100枚)のウエハ200を、略水平状態で所定の隙間(基板ピッチ間隔)をもって多段に保持するように構成されている。ボート217は、ボート217からの熱伝導を遮断する断熱キャップ218上に搭載されている。断熱キャップ218は、回転軸255により下方から支持されている。回転軸255は、処理室201内の気密を保持しつつ、シールキャップ219の中心部を貫通するように設けられている。シールキャップ219の下方には、回転軸255を回転させる回転機構267が設けられている。回転機構267により回転軸255を回転させることにより、処理室201内の気密を保持したまま、複数のウエハ200を搭載したボート217を回転させることが出来るように構成されている。
The
反応管203の外周には、反応管203と同心円状に加熱手段(加熱機構)としての抵抗加熱式のヒータ207が設けられている。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。
On the outer periphery of the
(原料ガス供給系)
マニホールド209の側壁には、原料ガス導入部としての原料ガスノズル400aが設けられている。原料ガスノズル400aは、垂直部と水平部とを有するL字形状に構成されている。原料ガスノズル400aの垂直部は、反応管203の内壁を沿うように鉛直方向に配設されている。原料ガスノズル400aの垂直部側面には、原料ガス供給孔401aが鉛直方向に複数設けられている。原料ガス供給孔401aの開口径は、それぞれ下部から上部にわたって同一とされていてもよく、下部から上部にわたって徐々に大きくされていてもよい。原料ガスノズル400aの水平部は、マニホールド209の側壁を貫通するように設けられている。
(Raw gas supply system)
On the side wall of the manifold 209, a
マニホールド209の側壁から突出した原料ガスノズル400aの上流端には、第1のガス供給管410aの下流端が接続されている。第1のガス供給管410aには、上流側か
ら順に、不活性ガスとしての窒素(N2)ガスを供給する不活性ガス供給源としてのN2ガスタンク411a、流量制御装置としてのマスフローコントローラ412a、第1の開閉弁としての第1バルブ413a、第1のガス溜め部としての第1充填タンク414a、第2の開閉弁としての第2バルブ415a、第3の開閉弁としての第3バルブ416a、第2のガス溜め部としての第2充填タンク417a及び第4の開閉弁としての第4バルブ418aが設けられている。なお、第1充填タンク414a及び第2充填タンク418aは、第1充填タンク414a内及び第2充填タンク418a内を所定温度に昇温させる図示しないヒータをそれぞれ備えている。また、第1充填タンク414a及び第2充填タンク418aは、第1充填タンク414a内及び第2充填タンク418a内の圧力を測定する図示しない圧力センサをそれぞれ備えている。
The downstream end of the first
第2バルブ413aと第3バルブ415aとの間の第1のガス供給管410aには、第2のガス供給管410cの下流端が接続されている。第2のガス供給管410cには、上流側から順に、常温で液状である液体原料としての四塩化チタニウム(TiCl4)を供給する液体原料タンク411c、流量制御装置としての液体マスフローコントローラ412c、第6の開閉弁としての第6バルブ413c、気化器414c、第5の開閉弁としての第5バルブ415cが設けられている。
The downstream end of the second
気化器414cには、気化器414c内に供給された液状のTiCl4を気化させるキャリアガスとしての不活性ガスを供給する不活性ガス供給管410fの下流端が接続されている。不活性ガス供給管410fには、上流側から順に、不活性ガスとしてのArガスを供給するArガスタンク411f、マスフローコントローラ412f、第7の開閉弁としての第7バルブ413fが設けられている。第6バルブ413cを開け、液体マスフローコントローラ412cにより流量制御された液状のTiCl4を気化器414c内に供給しつつ、第7バルブ413fを開け、マスフローコントローラ412fにより流量制御されたArガスを気化器414c内に供給することで、バブリングにより原料ガスとしてのTiCl4ガスを生成することが可能なように構成されている。
The
また、気化器414cと第5バルブとの間の第2のガス供給管410cには、ベントガス管410dの上流端が接続されている。ベントガス管410dの下流端は、後述する排気管231のAPCバルブ243cの下流側に接続されている。ベントガス管410dには、第8の開閉弁としての第8バルブ411dが設けられている。
The upstream end of the
主に、液体原料タンク411c、液体マスフローコントローラ412c、気化器414c、不活性ガス供給管410f、Arガスタンク411f、マスフローコントローラ412f及び第7バルブ413fにより、本実施形態に係る原料ガス供給源が構成されている。なお、原料ガス供給源は、上述のようにバブリングにより液体原料を気化させる気化器を用いる場合に限らず、例えば液体原料を昇温して気化させる気化器等を用いる場合であってもよい。
The raw material gas supply source according to this embodiment is mainly configured by the liquid
また主に、原料ガスノズル400a、原料ガス供給孔401a、第1のガス供給管410a、N2ガスタンク411a、マスフローコントローラ412a、第1バルブ413a、第1充填タンク414a、第2バルブ415a、第3バルブ416a、第2充填タンク417a、第4バルブ418a、第2のガス供給管410c、第5バルブ415c及び上述の原料ガス供給源により、本実施形態に係る原料ガス供給系が構成されている。
Further, mainly, the
(反応ガス供給系)
また、マニホールド209の側壁には、反応ガス導入部としての反応ガスノズル400bが設けられている。反応ガスノズル400bは、原料ガスノズル400aと同様に、垂直部と水平部とを有するL字形状に構成されている。反応ガスノズル400bの垂直部は
、反応管203の内壁を沿うように鉛直方向に配設されている。反応ガスノズル400bの垂直部側面には、反応ガス供給孔401bが鉛直方向に複数設けられている。反応ガス供給孔401bの開口径は、それぞれ下部から上部にわたって同一とされていてもよく、下部から上部にわたって徐々に大きくされていてもよい。反応ガスノズル400bの水平部は、マニホールド209の側壁を貫通するように設けられている。
(Reactive gas supply system)
A
マニホールド209の側壁から突出した反応ガスノズル400bの上流端には、第3のガス供給管410bの下流端が接続されている。第3のガス供給管410bには、上流側から順に、反応ガスとしての窒化ガスであるアンモニア(NH3)ガスを供給する反応ガス供給源としてのNH3ガスタンク411b、マスフローコントローラ412b及び第9の開閉弁としての第9バルブ413bが設けられている。
The downstream end of the third
第9バルブ413bより下流側の第3のガス供給管410bには、キャリアガス或いはパージガスとしての不活性ガスを供給する不活性ガス供給管410dの下流端が接続されている。不活性ガス供給管410dには、上流側から順に、不活性ガスとしての窒素(N2)ガスを供給する不活性ガス供給源としてのN2ガスタンク411d、マスフローコントローラ412d、第10の開閉弁としての第10バルブ413dが設けられている。
A downstream end of an inert
主に、反応ガスノズル400b、反応ガス供給孔401b、第3のガス供給管410b、NH3ガスタンク411b、マスフローコントローラ412b、第9バルブ413b、不活性ガス供給管410d、N2ガスタンク411d、マスフローコントローラ412d及び第10バルブ413dにより、本実施形態に係る反応ガス供給系が構成されている。
Mainly, the
(排気系)
マニホールド209の側壁には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231の上流端が接続されている。排気管231には、上流側から順に、圧力検出器としての圧力センサ245、圧力調整器としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ243、真空排気装置としての真空ポンプ246が設けられている。真空ポンプ246を作動させつつ、APCバルブ242の開閉弁の開度を調整することにより、処理室201内を所望の圧力とすることが可能なように構成されている。
(Exhaust system)
An upstream end of an
主に、排気管231、圧力センサ245、APCバルブ243及び真空ポンプ246により、本実施形態に係る排気系が構成されている。
The exhaust system according to this embodiment is mainly configured by the
(シールキャップ)
マニホールド209の下方には、マニホールド209の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、マニホールド209の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ219は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には、マニホールド209の下端と当接するシール部材としてのOリング220bが設けられている。シールキャップ219の処理室201と反対側には、ボート217を回転させる回転機構267が設置されている。回転機構267の回転軸255は、シールキャップ219を貫通してボート217を下方から支持しており、回転機構267を作動させることでウエハ200を回転させることが可能なように構成されている。シールキャップ219は、反応管203の外部に垂直に配置された昇降機構としてのボートエレベータ115によって、垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート217を処理室201内外に搬送することが可能となっている。
(Seal cap)
Below the manifold 209, a
(コントローラ)
制御部(制御手段)であるコントローラ280は、ヒータ207、APCバルブ243
、真空ポンプ246、回転機構267、ボートエレベータ115、第1バルブ413a、第2バルブ415a、第3バルブ416a、第4バルブ418a、第5バルブ415c、第6バルブ413c、第7バルブ413f、第8バルブ410e、第9バルブ413b、第10バルブ413d、液体マスフローコントローラ412c及びマスフローコントローラ412a,412f,412b,412d等に接続されている。コントローラ280により、ヒータ207の温度調整動作、APCバルブ243の開閉及び圧力調整動作、真空ポンプ246の起動・停止、回転機構267の回転速度調節、ボートエレベータ115の昇降動作、第1バルブ413a、第2バルブ415a、第3バルブ416a、第4バルブ418a、第5バルブ415c、第6バルブ413c、第7バルブ413f、第8バルブ410e、第9バルブ413bの開閉動作、液体マスフローコントローラ412c、マスフローコントローラ412a,412f,412b,412dの流量調整等の制御が行われる。
(controller)
A
,
(3)基板処理工程
続いて、本発明の一実施形態としての基板処理工程について、主に図4,5を参照しながら説明する。図4は、本実施形態に係る基板処理工程のフロー図である。図5は、本実施形態に係る四塩化チタニウム(TiCl4)ガス供給工程におけるバルブ開閉シーケンスを示す概略図である。
(3) Substrate Processing Step Next, the substrate processing step as one embodiment of the present invention will be described mainly with reference to FIGS. FIG. 4 is a flowchart of the substrate processing process according to the present embodiment. FIG. 5 is a schematic diagram showing a valve opening / closing sequence in the titanium tetrachloride (TiCl 4 ) gas supply step according to the present embodiment.
なお、本実施形態は、CVD(Chemical Vapor Deposition)法の中の1つであるALD法を用いてウエハ200の表面に窒化チタニウム(TiN)膜を成膜する方法であり、半導体装置の製造工程の一工程として実施される。CVD法の場合、形成する膜を構成する複数の元素を含む複数種類のガスを同時に供給し、また、ALD法の場合、形成する膜を構成する複数の元素を含む複数種類のガスを交互に供給する。そして、ガス供給時のガス供給流量、ガス供給時間、プラズマパワー等の供給条件を制御することにより膜を形成する。それらの技術では、例えばTiN膜を形成する場合、膜の組成比が化学量論組成であるN/Ti≒1.0となるようにすることを目的として供給条件を制御する。一方、形成する膜の組成比が化学量論組成とは異なる所定の組成比となるようにすることを目的として、供給条件を制御することも可能である。すなわち、形成する膜を構成する複数の元素のうち少なくとも1つの元素が他の元素よりも化学量論組成に対し過剰となるようにすることを目的として、供給条件を制御することも可能である。このように、形成する膜を構成する複数の元素の比率、すなわち膜の組成比を制御しつつ成膜を行うことも可能である。以下では、異なる種類の元素を含む複数種類のガスを交互に供給して化学量論組成を有する膜を形成するシーケンス例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置101を構成する各部の動作はコントローラ280により制御される。
The present embodiment is a method of forming a titanium nitride (TiN) film on the surface of the
(ウエハ搬入工程(S10))
上述した手順により、処理対象のウエハ200をボート217へと装填する。続いて、ボートエレベータ115を上昇させて、ウエハ200を装填したボート217を処理室201内へと搬入すると共に、処理室201内をシールキャップ219により気密に封止する。ウエハ200の搬入後は、回転機構によりウエハ200を回転させる。
(Wafer carry-in process (S10))
The
なお、ウエハ搬入工程(S10)では、第4バルブ418a,第9バルブ413bを閉じた状態で、第10バルブ413dを開き、パージガスとしてのN2ガスを、不活性ガス供給管410d、第3のガス供給管410b及び反応ガスノズル400bを介して処理室201内に常に流しておくことが好ましい。これにより、処理室201内の酸素(O2)濃度を下げると共に、パーティクル(異物)や金属汚染物のウエハ200への付着を抑制することができる。また、処理室201内は例えば300℃に予め昇温しておくことが好ましい。
In the wafer carry-in step (S10), the
(減圧及び昇温工程(S20))
第10バルブ413dを閉じ、真空ポンプ246を作動させた状態でAPCバルブ243を開くことにより、処理室201内を排気する。このとき、第3バルブ416aを閉じ、第4バルブ418aを開くことにより、第2充填タンク417a内も併せて排気する。そして、APCバルブ243の開度を調整することにより、処理室201内の圧力が所定の圧力になるよう制御する。また、ヒータ207に電力を供給することにより、処理室201内の温度が所定の温度になるように昇温する。
(Decompression and temperature raising step (S20))
The inside of the
また、後述するTiN膜形成工程(S30)を開始する前に、原料ガスとしてのTiCl4ガスを予め生成しておく。すなわち、第6バルブ413cを開け、液体マスフローコントローラ412cにより流量制御された液状のTiCl4を気化器414c内に供給しつつ、第7バルブ413fを開け、マスフローコントローラ412fにより流量制御されたArガスを気化器414c内に供給することで、原料ガスとしてのTiCl4ガスの生成を予め開始しておく。生成したTiCl4ガスは、第5バルブ415cを閉めた状態で第8バルブ411eを開けることで、第2充填タンク417a内に供給することなくベントガス管410dを介して排気管231へ排出する。TiCl4ガスを安定して生成させるには所定の時間を要するが、TiN膜形成工程(S30)を開始する前にTiCl4ガスを予め生成しておき、第5バルブ415c及び第8バルブ411eを切り替えることでTiCl4ガスの供給先を制御するようにすれば、第2充填タンク417a内へのTiCl4ガスの供給を迅速に開始できる。
Further, before starting a TiN film forming step (S30) described later, TiCl 4 gas as a source gas is generated in advance. That is, the
また、後述するTiN膜形成工程(S30)を開始する前に、第1充填タンク414a内及び第2充填タンク418a内をそれぞれ所定の温度に昇温しておく。このようにすることで、後述する第1の工程(S31a)を実施した際に、第1充填タンク414a内及び第2充填タンク418a内に充填されるガスの液化を防ぎつつ、ガスの圧力を充分に高めることができる。第1充填タンク414a内及び第2充填タンク417a内の圧力は、それぞれ充填されるガスが液化しない温度、すなわち充填されるガスの蒸気圧以下の圧力とする必要があるが、例えば、第2充填タンク418a内の温度を293K(20℃)から333K(60℃)に上昇させることで、第2充填タンク418a内に充填されるTiCl4ガスの蒸気圧を8torrから65torrにまで高めることができ(図6参照)、第2充填タンク418a内の圧力をより高めることが可能となる。
In addition, before the TiN film forming step (S30) described later is started, the temperature inside the
なお、第2充填タンク418a内の温度は、第2充填タンク418a内に充填されるTiCl4ガスの熱分解温度よりも低い温度とする。また、後述するように、第1充填タンク414a内に充填されるN2ガスは、第2充填タンク418a内に充填されるTiCl4ガスと混合するため、第1充填タンク414a内の温度も、TiCl4ガスの熱分解温度よりも低い温度とすることが好ましい。これにより、TiCl4ガスの熱分解を抑制することができる。
Note that the temperature in the
(TiN膜形成工程(S30))
続いて、処理室201内に原料ガスとしてのTiCl4ガスを供給する工程(S31)、処理室201内をパージする工程(S32)、処理室201内に反応ガスとしてのNH3ガスを供給する工程(S33)、処理室201内をパージする工程(S34)を1サイクルとして、このサイクルを所定回数実施する(S35)ことで、ウエハ200上にTiN膜を形成する。以下に、各工程S31〜S34を順に説明する。
(TiN film forming step (S30))
Subsequently, a step of supplying TiCl 4 gas as a raw material gas into the processing chamber 201 (S 31), a step of purging the processing chamber 201 (S 32), and supplying NH 3 gas as a reactive gas into the
(TiCl4ガスを供給する工程(S31))
TiCl4ガスを供給する工程(S31)では、第1充填タンク414a内にN2ガスを充填しつつ、第2充填タンク418a内にTiCl4ガスを充填する第1の工程(S3
1a)と、処理室201内へのTiCl4ガスの圧送を準備する第2の工程(S31b)と、処理室201内へTiCl4ガスを圧送する第3の工程(S31c)と、第2充填タンク418a内を排気する第4の工程(S31d)と、を順次実施する。
(Step of supplying TiCl 4 gas (S31))
In the step of supplying TiCl 4 gas (S31), the first step of filling TiCl 4 gas into the
1a), a second step (S31b) for preparing pressure feeding of TiCl 4 gas into the
[第1の工程(S31a)]
第1の工程(S31a)では、原料ガス供給系の各バルブの開閉状態を図5(a)に示すような状態とする。すなわち、第1のガス供給管410aに設けられた第1バルブ413a開くと共に第2バルブ415aを閉じ、第1のガス溜め部としての第1充填タンク414a内にマスフローコントローラ412aに流量調整されたN2ガスを充填する。同時に、第3バルブ416a及び第5バルブ415cを開くと共に第4バルブ418aを閉じ、第2のガス溜め部としての第2充填タンク417a内に気化器414cで生成したTiCl4ガスを充填する。
[First Step (S31a)]
In the first step (S31a), the open / close state of each valve of the source gas supply system is set as shown in FIG. That is, the
なお、第1充填タンク414a内及び第2充填タンク417a内の圧力は、それぞれ充填されるガスが液化しない温度、すなわち充填されるガスの蒸気圧以下の圧力とする必要がある。図6に、原料ガスとしてのTiCl4ガスの蒸気圧曲線を示す。図6の横軸はTiCl4ガスの温度(K)を示し、縦軸はTiCl4ガスの蒸気圧(torr)を示している。図6によれば、333.15K(60℃)に加熱されたTiCl4ガスの蒸気圧は65torrである。従って、第2充填タンク417a内の温度を60℃とした場合、TiCl4ガスの液化を防ぐには、第2充填タンク414a内の圧力を65torr以下にする必要がある。なお、第2タンク418aの容量が300cc、温度が60℃、圧力が65torrである場合、第2充填タンク414a内に充填されるTiCl4の量、すなわちALDの1サイクル毎に処理室201内に供給されるTiCl4の量は25.6ccとなる。
Note that the pressure in the
所定時間が経過し、第1充填タンク414a内及び第2充填タンク418a内にガスが充填され、第1充填タンク414a内及び第2充填タンク418a内の圧力がそれぞれ所定の圧力に到達したら、第2の工程(S31b)を実施する。
When the predetermined time elapses and the gas is filled in the
[第2の工程(S31b)]
第2の工程(S31b)では、原料ガス供給系の各バルブの開閉状態を図5(b)に示すような状態とする。すなわち、第2バルブ415a及び第4バルブ418aをそれぞれ閉じた状態で、第1バルブ413a、第3バルブ416a及び第5バルブ415cをそれぞれ閉じる。その後、第3の工程(S31c)を実施する。なお、第1バルブ413aと、第3バルブ416a及び第5バルブ415cとは、必ずしも同時に閉めるとは限らず、充填タンクの圧力が所定の圧力に到達したタイミングでそれぞれ閉めるようにする。
[Second Step (S31b)]
In the second step (S31b), the open / close state of each valve of the source gas supply system is set as shown in FIG. That is, the
[第3の工程(S31c)]
第3の工程(S31c)では、原料ガス供給系の各バルブの開閉状態を図5(c)に示すような状態とする。すなわち、第1バルブ413a及び第5バルブ415cを閉じた状態で、第2バルブ415a、第3バルブ416a及び第4バルブ418aをそれぞれ開く。その結果、第2充填タンク417a内に充填されたTiCl4ガスが、第1充填タンク414a内に充填されたN2ガスにより圧送され、第1のガス供給管410a、原料ガスノズル400a及び原料ガス供給孔401aを介して処理室201内にごく短時間で導入(フラッシュ導入)される。処理室201内に導入されたTiCl4ガスとN2ガスとの混合ガスは、ボート217に保持されたウエハ200間をウエハ200の主面と平行に流れた後、排気管231を介して処理室201内から排出される。なお、TiCl4ガスがウエハ200間を流れることで、TiCl4ガス分子がウエハ200表面に吸着し、ウエハ200上にTiCl4ガス分子の吸着層が形成される。
[Third step (S31c)]
In the third step (S31c), the open / close state of each valve of the source gas supply system is set as shown in FIG. That is, with the
なお、TiCl4ガスは、第2バルブ415a及び第3バルブ416aを閉じたまま、第4バルブ418aのみを開くことによっても処理室201内に単独で供給することが可能である。TiCl4ガスをこのように単独で供給する場合、TiCl4ガスの移動速度は、第2充填タンク417a内と処理室201内との差圧によって決定されることになる。しかしながら、TiCl4ガスの液化を防ぐには、第2充填タンク417a内の圧力をTiCl4ガスの蒸気圧以下の圧力とする必要がある。従って、TiCl4ガスを単独で供給する場合には、TiCl4ガスの移動速度は、TiCl4ガスの蒸気圧によって制限を受けることになる。
Note that TiCl 4 gas can be supplied alone into the
これに対し、本実施形態のように加圧されたN2ガスによりTiCl4ガスを圧送するようにすると、TiCl4ガスの移動速度を、TiCl4ガスを単独で移動させる場合に比べて大幅に高めることが可能となる。すなわち、本実施形態によれば、第2充填タンク417a内の圧力をTiCl4ガスの蒸気圧以下の圧力に制限した場合であっても、加圧されたN2ガスの圧力を利用することで、TiCl4ガスの移動速度を大幅に高めることが可能となる。そして、TiCl4ガスの移動速度を高めることで、処理室201内のTiCl4ガスの分圧をより短時間で増大させることができ、ウエハ200上へのTiCl4ガス分子の吸着層の形成をより短時間で行うことができる。
In contrast, when the to pump TiCl 4 gas with the pressurized N 2 gas as in this embodiment, the moving speed of the TiCl 4 gas, largely as compared with the case of moving the TiCl 4 gas alone It becomes possible to raise. That is, according to this embodiment, even when the pressure in the
なお、第3の工程(S31c)では、第2バルブ415a、第3バルブ416a及び第4バルブ418aを開く際に、第1バルブ413a及び第5バルブ415cを閉じたままの状態としている。これにより、加圧されたN2ガスが第2のガス供給管410c内に逆流してしまうことを抑制できる。
In the third step (S31c), when the
また、第3の工程(S31c)では、第2バルブ415a、第3バルブ416a及び第4バルブ418aを同時に開くか、或いは第4バルブ418a、第3バルブ416a、第2バルブ415aの順番で開くようにする。第4バルブ418aを開く前に第2バルブ415a及び第3バルブ416aを開いてしまうと、加圧されたN2ガスが第2充填タンク417a内に導入されることで第2充填タンク417a内の圧力が一時的にTiCl4ガスの蒸気圧を超えてしまい、TiCl4ガスの液化を招いてしまう恐れがあるためである。
In the third step (S31c), the
所定時間が経過して処理室201内へのTiCl4ガスの圧送が完了したら、第4の工程(S31d)を実施する。
When the predetermined time has elapsed and the pressure feeding of the TiCl 4 gas into the
[第4の工程(S31d)]
第4の工程(S31d)では、原料ガス供給系の各バルブの開閉状態を図5(c)に示すような状態とする。すなわち、第4バルブ418aを開いた状態で第2バルブ415a、第3バルブ416a、第5バルブ415cを閉じ、第2充填タンク417a内の残留ガス、すなわちTiCl4ガス及びN2ガスを除去する。第2充填タンク417a内の残留ガス(特に不活性ガス)を除去することで、次のALDサイクルで第1の工程(S31a)を実施した際における第2充填タンク417a内へのTiCl4ガスの充填量を増大させることができる。
[Fourth Step (S31d)]
In the fourth step (S31d), the open / close state of each valve of the source gas supply system is set as shown in FIG. That is, the
所定時間が経過して第2充填タンク417aの残留ガスが除去され、第2充填タンク417a内が処理室201内の圧力まで減圧されたら、第4バルブ418aを閉じ、処理室201内をパージする工程(S32)を実施する。なお、第4の工程(S31d)は、後述する処理室201内をパージする工程(S32)と平行して実施するようにしてもよい。
After a predetermined time has passed, the residual gas in the
(処理室201内をパージする工程(S32))
処理室201内をパージする工程(S32)では、処理室201内へのTiCl4ガスの供給を停止した状態で、APCバルブ243の開度を調節し、処理室201内に残留しているTiCl4ガスを除去する。このとき、第10バルブ413dを開き、パージガスとしてのN2ガスを、不活性ガス供給管410d、第3のガス供給管410b及び反応ガスノズル400bを介して処理室201内に供給するようにすれば、処理室201内からのTiCl4ガスの排気効率を高めることができる。処理室201内からのTiCl4ガスの除去が完了したら、NH3ガスを供給する工程(S33)を実施する。
(Step of purging the inside of the processing chamber 201 (S32))
In the process of purging the inside of the processing chamber 201 (S32), the opening degree of the
(NH3ガスを供給する工程(S33))
NH3ガスを供給する工程(S33)では、第9バルブ413bを開き、マスフローコントローラ412bにより流量調整された反応ガスとしてのNH3ガスを、第2のガス供給管410b、反応ガスノズル400b及び反応ガス供給孔401bを介して処理室201内に供給する。このとき、第10バルブ413dを開き、キャリアガスとしてのN2ガスを、不活性ガス供給管410d、第3のガス供給管410b及び反応ガスノズル400bを介して処理室201内に供給するようにすれば、処理室201内へのNH3ガスの拡散を促すことができ、また処理室201内へ供給されるNH3ガスの濃度を調整することが出来る。
(Step of supplying NH 3 gas (S33))
In the step of supplying NH 3 gas (S33), the
処理室201内に供給されたNH3ガス、或いはNH3ガスとN2ガスとの混合ガスは、ボート217に保持されたウエハ200間をウエハ200の主面と平行に流れた後、排気管231を介して処理室201内から排出される。なお、NH3ガスがウエハ200間を流れることで、ウエハ200上に形成されているTiCl4ガス分子の吸着層とNH3ガスとが反応し、ウエハ200上に1原子層未満から数原子層の窒化チタニウム(TiN)膜が形成される。
The NH 3 gas or the mixed gas of NH 3 gas and N 2 gas supplied into the
所定時間が経過してTiCl4ガス分子の吸着層とNH3ガスとの反応が完了したら、第9バルブ413bを閉じ、処理室201内へのNH3ガスの供給を停止し、処理室201内をパージする工程(S34)を実施する。
When the reaction between the adsorption layer of TiCl 4 gas molecules and the NH 3 gas is completed after a predetermined time has elapsed, the
(処理室201内をパージする工程(S34))
処理室201内をパージする工程(S34)では、処理室201内へのNH3ガスの供給を停止した状態で、APCバルブ243の開度を調節し、処理室201内に残留しているNH3ガス及び反応生成物等を除去する。このとき、第10バルブ413dを開き、パージガスとしてのN2ガスを、不活性ガス供給管410d、第3のガス供給管410b及び反応ガスノズル400bを介して処理室201内に供給するようにすれば、処理室201内からのNH3ガス及び反応生成物等の排気効率を高めることができる。
(Purging process chamber 201 (S34))
In the process of purging the inside of the processing chamber 201 (S34), the opening degree of the
(繰り返し工程(S35))
そして、処理室201内にTiCl4ガスを供給する工程(S31)、処理室201内をパージする工程(S32)、処理室201内に反応ガスとしてのNH3ガスを供給する工程(S33)、処理室201内をパージする工程(S34)を1サイクルとして、このサイクルを所定回数実施することで、ウエハ200上に所望の膜厚のTiN膜を形成し、TiN膜形成工程(S30)を終了する。なお、形成するTiN膜の膜厚は、サイクルの繰り返し回数を調整することで調整可能である。例えば、1サイクル毎に生成されるTiN窒化膜の厚さが1Åであるとき、このサイクルを20回繰り返すことにより、20Åの厚さのTiN膜が形成される。
(Repeating step (S35))
Then, a step of supplying TiCl 4 gas into the processing chamber 201 (S31), a step of purging the processing chamber 201 (S32), a step of supplying NH 3 gas as a reaction gas into the processing chamber 201 (S33), The process of purging the inside of the processing chamber 201 (S34) is one cycle, and this cycle is performed a predetermined number of times to form a TiN film having a desired film thickness on the
(降温及び大気圧復帰工程(S40))
そして、ヒータ207への電力の供給を停止し、ヒータ207への通電を停止して処理室201内及びウエハ200を所定温度(例えば室温程度)にまで降温させる。また、第
10バルブ413dを開き、パージガスとしてのN2ガスを、不活性ガス供給管410d、第3のガス供給管410b及び反応ガスノズル400bを介して処理室201内に供給しつつ、APCバルブ243の開度を調整することにより、処理室201内の圧力が所定の圧力(例えば大気圧)になるよう制御する。
(Temperature lowering and atmospheric pressure recovery step (S40))
Then, the supply of power to the
(ウエハ搬出工程(S50))
続いて、ボートエレベータ115によりシールキャップ219を下降させ、マニホールド209の下端を開口させるとともに、処理済のウエハ200を保持したボート217を下降させ、処理室201から引き出す(ボートアンローディング)。この際、第10バルブ413dは開けたままとし、処理室201内にN2ガスを常に流しておくことが好ましい。そして、搬出したボート217から処理済のウエハ200を取り出し(ウエハディスチャージ)、本実施形態にかかる基板処理工程を終了する。
(Wafer unloading step (S50))
Subsequently, the
なお、本実施形態に係るTiN膜形成工程(S30)における処理条件としては、
処理室201内の温度:250℃〜550℃、好ましくは350〜450℃、より好ましくは400℃、
処理室201内の圧力:0.1〜10Torr
が例示される。
As processing conditions in the TiN film forming step (S30) according to the present embodiment,
Temperature in the processing chamber 201: 250 ° C. to 550 ° C., preferably 350 ° C. to 450 ° C., more preferably 400 ° C.
Pressure in the processing chamber 201: 0.1 to 10 Torr
Is exemplified.
また、TiCl4ガスを供給する工程(S31)における第1充填タンク414a内へのN2ガス供給条件としては、
第1充填タンク414aの容量:100〜1000cc、
第1充填タンク414a内の温度:20〜60℃、好ましくは60℃
第1充填タンク414a内の圧力:1〜300torr(温度には依存しない)、
不活性ガス(N2ガス)の供給流量:1〜10slm
が例示される。
In addition, as a condition for supplying N 2 gas into the
Capacity of the
Temperature in the
Pressure in the
Supply flow rate of inert gas (N 2 gas): 1-10 slm
Is exemplified.
また、TiCl4ガスを供給する工程(S31)における第2充填タンク417a内へのTiCl4ガス供給条件としては、
第2充填タンク417aの容量:チャンバの容積の1/2000〜5/2000、
第2充填タンク417a内の温度:20〜60℃、好ましくは60℃
第2充填タンク417a内の圧力:65torr(タンク温度60℃の時)、
8torr(タンク温度20℃の時)、
原料ガス(TiCl4ガス)の供給流量:100〜500sccm、
バブリング用キャリアガス(Arガス)供給流量:100〜1000sccm、
が例示される。
In addition, as a condition for supplying TiCl 4 gas into the
Capacity of the
Temperature in
Pressure in
8 torr (when tank temperature is 20 ° C),
Supply flow rate of source gas (TiCl 4 gas): 100 to 500 sccm,
Bubbling carrier gas (Ar gas) supply flow rate: 100 to 1000 sccm,
Is exemplified.
また、NH3ガスを供給する工程(S33)におけるガス供給条件としては、
反応ガス(NH3ガス)の供給流量:1000〜10000sccm、
キャリアガス(N2ガス)の供給流量:500〜5000sccm、
反応ガス及びキャリアガスの供給時間:2〜20秒、
が例示される。
In addition, as gas supply conditions in the step of supplying NH 3 gas (S33),
Supply flow rate of reaction gas (NH 3 gas): 1000-10000 sccm,
Carrier gas (N 2 gas) supply flow rate: 500 to 5000 sccm,
Reaction gas and carrier gas supply time: 2 to 20 seconds,
Is exemplified.
また、処理室201内をパージする工程(S32、S34)におけるガス供給条件としては、
パージガス(N2ガス)の供給流量:1000〜10000sccm、
パージガスの供給時間:2〜10秒、が例示される。それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することで、ウエハ200上にTiN膜が形成される。
In addition, as a gas supply condition in the process of purging the inside of the processing chamber 201 (S32, S34),
Supply flow rate of purge gas (N 2 gas): 1000 to 10000 sccm,
Purge gas supply time: 2 to 10 seconds is exemplified. A TiN film is formed on the
(4)本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果を奏する。
(4) Effects according to the present embodiment According to the present embodiment, the following one or more effects are achieved.
(a)本実施形態によれば、第2充填タンク417a内に充填されたTiCl4ガスを、第1充填タンク414a内に充填されたN2ガスにより圧送し、第1のガス供給管410a、原料ガスノズル400a及び原料ガス供給孔401aを介して処理室201内にごく短時間で導入(フラッシュ導入)する。このように、加圧されたN2ガスによりTiCl4ガスを圧送するようにすると、TiCl4ガスの移動速度を、TiCl4ガスを単独で移動させる場合に比べて大幅に高めることが可能となる。すなわち、本実施形態によれば、第2充填タンク417a内の圧力をTiCl4ガスの蒸気圧以下の圧力に制限した場合であっても、加圧されたN2ガスの圧力を利用することで、TiCl4ガスの移動速度を大幅に高めることが可能となる。そして、TiCl4ガスの移動速度を高めることで、処理室201内のTiCl4ガスの分圧をより短時間で増大させることができ、ウエハ200上へのTiCl4ガス分子の吸着層の形成をより短時間で行うことができる。
(A) According to this embodiment, the TiCl 4 gas filled in the
(b)本実施形態によれば、TiN膜形成工程(S30)を開始する前に、第1充填タンク414a内及び第2充填タンク418a内をそれぞれ所定の温度に昇温しておく。このようにすることで、後述する第1の工程(S31a)を実施した際に、第1充填タンク414a及び第2充填タンク418a内に充填されるガスの液化を防ぎつつ、ガスの圧力を充分に高めることができる。
(B) According to this embodiment, the temperature in the
なお、第2充填タンク418a内の温度を、第2充填タンク418a内に充填されるTiCl4ガスの熱分解温度よりも低い温度とすることで、TiCl4ガスの熱分解を抑制することができる。また、第1充填タンク414a内の温度を、TiCl4ガスの熱分解温度よりも低い温度とすることで、第1充填タンク414a内に充填されるN2ガスがTiCl4ガスと混合することによるTiCl4ガスの熱分解を抑制することができる。
Note that the thermal decomposition of the TiCl 4 gas can be suppressed by setting the temperature in the
(c)本実施形態によれば、第1の工程(S31a)と第3の工程(S31c)との間に、第2の工程(S31b)を実施する。すなわち、第1の工程(S31a)の工程が完了した後、原料ガス供給系の各バルブの開閉状態を図5(c)に示すような状態として全て閉じてから、第3の工程(S31c)を実施する。その結果、第2充填タンク417a内に充填されたTiCl4ガスを第1充填タンク414a内に充填されたN2ガスにより確実に圧送することができる。すなわち、バルブ開閉のタイミングがずれることにより、第1充填タンク414a内から第2のガス供給管410b内にN2ガスが逆流してしまったり、第2充填タンク417a内や第2のガス供給管410b内から第1充填タンク414a内にTiCl4ガスが逆流してしまったりすることを抑制できる。
(C) According to the present embodiment, the second step (S31b) is performed between the first step (S31a) and the third step (S31c). That is, after the first step (S31a) is completed, the open / close states of the valves of the source gas supply system are all closed as shown in FIG. 5C, and then the third step (S31c). To implement. As a result, the TiCl 4 gas filled in the
(d)本実施形態にかかる第3の工程(S31c)では、第2バルブ415a、第3バルブ416a及び第4バルブ418aを開く際に、第1バルブ413a及び第5バルブ415cを閉じたままの状態としている。これにより、加圧されたN2ガスが第2のガス供給管410c内に逆流してしまうことを抑制できる。
(D) In the third step (S31c) according to the present embodiment, the
(e)本実施形態にかかる第3の工程(S31c)では、第2バルブ415a、第3バルブ416a及び第4バルブ418aを同時に開くか、或いは第4バルブ418a、第3バルブ416a、第2バルブ415aの順番で開くようにする。これにより、第2充填タンク417a内の圧力が一時的にTiCl4ガスの蒸気圧を超えてしまうことを回避でき、TiCl4ガスの液化を防ぐことが出来る。
(E) In the third step (S31c) according to the present embodiment, the
(f)本実施形態にかかる第4の工程(S31d)では、第2充填タンク417a内の残留ガス、すなわちTiCl4ガス及びN2ガスを除去する。第2充填タンク417a内の残留ガス(特に不活性ガス)を除去することで、次のALDサイクルで第1の工程(S3
1a)を実施した際における第2充填タンク417a内へのTiCl4ガスの充填量をさらに増大させることができる。
(F) In the fourth step (S31d) according to the present embodiment, residual gases in the
It is possible to further increase the filling amount of the TiCl 4 gas into the
<本発明の他の実施形態>
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
<Other Embodiments of the Present Invention>
As mentioned above, although embodiment of this invention was described concretely, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, It can change variously in the range which does not deviate from the summary.
例えば、上述の実施形態では、複数枚の基板を同時に処理する縦型の基板処理装置に本発明を適用した場合について説明したが、本発明は係る実施形態に限定されない。例えば1枚ずつ基板を処理する枚葉式の基板処理装置に対しても、本発明は好適に適用可能である。なお、枚葉式の基板処理措置では、処理する基板の枚数が少なく処理室の大きさも小さいので、1サイクルに要する時間が短く、したがって1サイクルにて供給するガスの供給量は、縦型の基板処理装置よりも少量となる。これに対し、処理枚数の多い縦型の基板処理装置は、処理室の容量が大きいため、1サイクルにて供給するガスの供給量は比較的大きくなる。従って、本発明は縦型に基板処理装置に適用したほうがより有効である。 For example, in the above-described embodiment, the case where the present invention is applied to a vertical substrate processing apparatus that processes a plurality of substrates simultaneously has been described. However, the present invention is not limited to the embodiment. For example, the present invention can be suitably applied to a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one. In the single-wafer type substrate processing measure, since the number of substrates to be processed is small and the size of the processing chamber is small, the time required for one cycle is short. Therefore, the amount of gas supplied in one cycle is vertical. The amount is smaller than that of the substrate processing apparatus. On the other hand, a vertical substrate processing apparatus with a large number of processed sheets has a large processing chamber capacity, so that the amount of gas supplied in one cycle is relatively large. Therefore, the present invention is more effective when applied to a vertical substrate processing apparatus.
また例えば、上述の実施形態では原料ガスとしてTiCl4ガスを供給する場合について説明したが、本発明は係る形態に限定されない。例えば、原料ガスとして、TDMAT(Ti[N(CH3)4])、TDMAH(Hf[N(CH3)4])、TMA((CH3)3Al)、TEMAH(Hf[N(C2H5)CH3]4)、TEMAZ(Zr[(C2H5)CH3]4)、3DMAS(SiH[N(CH3)]3)、PET(Ta(OC2H5)5))等のいずれかを気化させた蒸気圧の比較的低いガスを用いる場合にも好適に適用可能である。 For example, in the above-described embodiment, the case where the TiCl 4 gas is supplied as the source gas has been described, but the present invention is not limited to such a form. For example, as source gases, TDMAT (Ti [N (CH 3 ) 4 ]), TDMAH (Hf [N (CH 3 ) 4 ]), TMA ((CH 3 ) 3 Al), TEMAH (Hf [N (C 2 H 5) CH 3] 4) , TEMAZ (Zr [(C 2 H 5) CH 3] 4), 3DMAS (SiH [N (CH 3)] 3), PET (Ta (OC 2 H 5) 5)) The present invention can also be suitably applied to the case of using a gas having a relatively low vapor pressure obtained by vaporizing any of the above.
特に、原料ガスとして、例えば加熱されたときの蒸気圧が100torr以下であるようなガスを用いる場合にも好適に適用可能である。 In particular, the present invention can be suitably applied to the case where a gas having a vapor pressure of 100 torr or less when heated, for example, is used as the source gas.
また例えば、上述の実施形態ではウエハ200上にTiN膜を形成する場合について説明したが、本発明は係る形態に限定されない。例えば、ウエハ200上にハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、アルミニウム(Al)、タンタル(Ta)、プラチナ(Pt)、ニッケル(Ni)等の金属元素を含む金属酸化膜或いは金属窒化膜を形成する場合にも適用することが出来る。
For example, in the above-described embodiment, the case where the TiN film is formed on the
さらに、酸化ジルコニウム膜(ZrO膜)、酸化ハフニウム膜(HfO膜)、酸化アルミニウム膜(AlO膜)等の酸化物と、それを主体に元素添加を行った金属化合物を積層した構造となるキャパシタ電極、及びトランジスタゲート構造に関する改質処理にも適用することができる。例えば、ジルコニウムアルミニウム酸化膜(ZrAlO膜)、ハフニウムアルミニウム酸化膜(HfAlO膜)、ジルコニウムシリケート膜(ZrSiO膜)、ハフニウムシリケート膜(HfSiO膜)、或いは上記膜の積層膜等にも適用することが出来る。 Further, a capacitor electrode having a structure in which an oxide such as a zirconium oxide film (ZrO film), a hafnium oxide film (HfO film), an aluminum oxide film (AlO film), and a metal compound to which an element is mainly added are laminated. The present invention can also be applied to a modification process relating to a transistor gate structure. For example, it can be applied to a zirconium aluminum oxide film (ZrAlO film), a hafnium aluminum oxide film (HfAlO film), a zirconium silicate film (ZrSiO film), a hafnium silicate film (HfSiO film), or a laminated film of the above films. .
また、上述の実施形態では、導電性膜の上に絶縁膜が位置する積層膜の例について説明したが、本発明は、導電性膜で絶縁膜をサンドイッチした形態の積層膜や、絶縁膜の上に導電性膜が位置する積層膜等にも適用することができる。 In the above-described embodiment, the example of the laminated film in which the insulating film is located on the conductive film has been described. However, the present invention is not limited to the laminated film in the form of sandwiching the insulating film with the conductive film or the insulating film. The present invention can also be applied to a laminated film on which a conductive film is positioned.
<本発明の好ましい態様>
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
<Preferred embodiment of the present invention>
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be additionally described.
(付記1)
本発明の一態様によれば、
処理室に接続されるガス供給管に設けられた第1のガス溜め部内に不活性ガスを充填しつつ、前記第1のガス溜め部よりも下流側の前記ガス供給管に設けられた第2のガス溜め部内に原料ガスを充填する工程と、
前記第1のガス溜め部と前記第2のガス溜め部との間の前記ガス供給管に設けられた開閉弁、及び前記第2のガス溜め部と前記処理室との間の前記ガス供給管に設けられた開閉弁をそれぞれ開いて、前記第1のガス溜め部内に充填された不活性ガスにより、前記第2のガス溜め部内に充填された原料ガスを前記処理室内に圧送する工程と、を有する
半導体装置の製造方法が提供される。
(Appendix 1)
According to one aspect of the invention,
A first gas reservoir provided in a gas supply pipe connected to the processing chamber is filled with an inert gas, and a second gas provided in the gas supply pipe downstream of the first gas reservoir is provided. Filling the raw material gas into the gas reservoir of
An on-off valve provided in the gas supply pipe between the first gas reservoir and the second gas reservoir, and the gas supply pipe between the second gas reservoir and the processing chamber Opening the on-off valves provided in the first gas reservoir, and pumping the source gas filled in the second gas reservoir with the inert gas filled in the first gas reservoir, and A method of manufacturing a semiconductor device having the above is provided.
(付記2)
好ましくは、
原料ガスを前記処理室内に圧送した後、前記第1のガス溜め部と前記第2のガス溜め部との間の前記ガス供給管に設けられた開閉弁を閉じた状態で、前記第2のガス溜め部内の残留ガスを除去する工程を有する。
(Appendix 2)
Preferably,
After the source gas is pumped into the processing chamber, the second on-off valve provided in the gas supply pipe between the first gas reservoir and the second gas reservoir is closed. A step of removing residual gas in the gas reservoir.
(付記3)
本発明の他の態様によれば、
処理室内に基板を搬送する工程と、
前記処理室に接続されるガス供給管に設けられた第1の開閉弁を開くと共に第2の開閉弁を閉じ、前記第1の開閉弁と前記第2の開閉弁との間の前記ガス供給管に設けられた第1のガス溜め部内に不活性ガスを充填しつつ、前記第2の開閉弁よりも下流側の前記ガス供給管に設けられた第3の開閉弁を開くと共に第4の開閉弁を閉じ、前記第3の開閉弁と前記第4の開閉弁との間の前記ガス供給管に設けられた第2のガス溜め部内に原料ガスを充填する第1の工程と、
前記第2の開閉弁及び前記第4の開閉弁をそれぞれ閉じた状態で、前記第1の開閉弁及び前記第3の開閉弁をそれぞれ閉じる第2の工程と、
前記第2の開閉弁、前記第3の開閉弁及び前記第4の開閉弁をそれぞれ開き、前記第2のガス溜め部内に充填された原料ガスを、前記第1のガス溜め部内に充填された不活性ガスにより前記処理室内に圧送する第3の工程と、
前記第4の開閉弁を開いた状態で前記第3の開閉弁を閉じ、前記第2のガス溜め部内の残留ガスを除去する第4の工程と、
前記処理室内から基板を搬送する工程と、を有し、
前記第1の工程から前記第4の工程を所定回数実施することで前記基板上に薄膜を形成する
半導体装置の製造方法が提供される。
(Appendix 3)
According to another aspect of the invention,
A step of transporting the substrate into the processing chamber;
The first on-off valve provided in the gas supply pipe connected to the processing chamber is opened and the second on-off valve is closed to supply the gas between the first on-off valve and the second on-off valve. While filling the first gas reservoir provided in the pipe with the inert gas, the third on-off valve provided in the gas supply pipe on the downstream side of the second on-off valve is opened and the fourth A first step of closing an on-off valve and filling a source gas into a second gas reservoir provided in the gas supply pipe between the third on-off valve and the fourth on-off valve;
A second step of closing each of the first on-off valve and the third on-off valve in a state in which the second on-off valve and the fourth on-off valve are closed; and
The second on-off valve, the third on-off valve, and the fourth on-off valve are opened, and the source gas filled in the second gas reservoir is filled in the first gas reservoir. A third step of pumping into the processing chamber with an inert gas;
A fourth step of closing the third on-off valve with the fourth on-off valve open to remove residual gas in the second gas reservoir;
Transporting the substrate from the processing chamber,
A method of manufacturing a semiconductor device is provided in which a thin film is formed on the substrate by performing the first to fourth steps a predetermined number of times.
(付記4)
本発明の更に他の態様によれば、
処理室内に基板を搬送する工程と、
前記処理室内に原料ガスを供給する工程及び前記処理室内に反応ガスを供給する工程を交互に所定回数実施することで、前記基板上に薄膜を形成する工程と、
前記処理室内から基板を搬送する工程と、を有し、
前記処理室内に原料ガスを供給する工程は、
前記処理室に接続されるガス供給管に設けられた第1の開閉弁を開くと共に第2の開閉弁を閉じ、前記第1の開閉弁と前記第2の開閉弁との間の前記ガス供給管に設けられた第1のガス溜め部内に不活性ガスを充填しつつ、前記第2の開閉弁よりも下流側の前記ガス供給管に設けられた第3の開閉弁を開くと共に第4の開閉弁を閉じ、前記第3の開閉弁と前記第4の開閉弁との間の前記ガス供給管に設けられた第2のガス溜め部内に原料ガスを充填する第1の工程と、
前記第2の開閉弁及び前記第4の開閉弁をそれぞれ閉じた状態で、前記第1の開閉弁及
び前記第3の開閉弁をそれぞれ閉じる第2の工程と、
前記第2の開閉弁、前記第3の開閉弁及び前記第4の開閉弁をそれぞれ開き、前記第2のガス溜め部内に充填された原料ガスを、前記第1のガス溜め部内に充填された不活性ガスにより前記処理室内に圧送する第3の工程と、
前記第4の開閉弁を開いた状態で前記第3の開閉弁を閉じ、前記第2のガス溜め部内の残留ガスを除去する第4の工程と、を有する
半導体装置の製造方法が提供される。
(Appendix 4)
According to yet another aspect of the invention,
A step of transporting the substrate into the processing chamber;
Forming a thin film on the substrate by alternately performing a step of supplying a source gas into the processing chamber and a step of supplying a reaction gas into the processing chamber a predetermined number of times;
Transporting the substrate from the processing chamber,
The step of supplying the source gas into the processing chamber includes:
The first on-off valve provided in the gas supply pipe connected to the processing chamber is opened and the second on-off valve is closed to supply the gas between the first on-off valve and the second on-off valve. While filling the first gas reservoir provided in the pipe with the inert gas, the third on-off valve provided in the gas supply pipe on the downstream side of the second on-off valve is opened and the fourth A first step of closing an on-off valve and filling a source gas into a second gas reservoir provided in the gas supply pipe between the third on-off valve and the fourth on-off valve;
A second step of closing each of the first on-off valve and the third on-off valve in a state in which the second on-off valve and the fourth on-off valve are closed; and
The second on-off valve, the third on-off valve, and the fourth on-off valve are opened, and the source gas filled in the second gas reservoir is filled in the first gas reservoir. A third step of pumping into the processing chamber with an inert gas;
A fourth step of closing the third on-off valve with the fourth on-off valve open to remove residual gas in the second gas reservoir, and a method for manufacturing a semiconductor device. .
(付記5)
好ましくは、
前記原料ガスは、TiCl4、TDMAT、TMA、TEMAH、TEMAZ、3DMAS、PETのいずれかを気化させたガスである。
(Appendix 5)
Preferably,
The source gas is a gas obtained by vaporizing any of TiCl 4 , TDMAT, TMA, TEMAH, TEMAZ, 3DMAS, and PET.
(付記6)
また好ましくは、
前記原料ガスは、加熱された時の蒸気圧が100torr以下のガスである。
(Appendix 6)
Also preferably,
The source gas is a gas having a vapor pressure of 100 torr or less when heated.
(付記7)
また好ましくは、
前記第1のガス溜め部内及び前記第2のガス溜め部内をそれぞれ加熱する。
(Appendix 7)
Also preferably,
The inside of the first gas reservoir and the inside of the second gas reservoir are heated.
(付記8)
本発明の他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
不活性ガス及び原料ガスを前記処理室内へ供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、
前記ガス供給系及び前記排気系を制御する制御部と、を有し、
前記ガス供給系は、前記処理室に接続される第1のガス供給管を有し、
前記第1のガス供給管には、上流側から順に、不活性ガス供給源、第1の開閉弁、第1のガス溜め部、第2の開閉弁、第3の開閉弁、第2のガス溜め部及び第4の開閉弁が設けられ、
前記第2の開閉弁と前記第3の開閉弁との間の前記第1のガス供給管には、第2のガス供給管が接続され、
前記第2のガス供給管には、上流側から順に、原料ガス供給源及び第5の開閉弁が設けられている基板処理装置が提供される。
(Appendix 8)
According to another aspect of the invention,
A processing chamber for accommodating the substrate;
A raw material gas supply system for supplying an inert gas and a raw material gas into the processing chamber;
An exhaust system for exhausting the atmosphere in the processing chamber;
A control unit for controlling the gas supply system and the exhaust system,
The gas supply system has a first gas supply pipe connected to the processing chamber,
The first gas supply pipe includes an inert gas supply source, a first on-off valve, a first gas reservoir, a second on-off valve, a third on-off valve, and a second gas in order from the upstream side. A reservoir and a fourth on-off valve are provided;
A second gas supply pipe is connected to the first gas supply pipe between the second on-off valve and the third on-off valve,
The second gas supply pipe is provided with a substrate processing apparatus provided with a source gas supply source and a fifth on-off valve in order from the upstream side.
(付記9)
また好ましくは、
前記制御部は、
第1の開閉弁を開くと共に第2の開閉弁を閉じ、前記第1のガス溜め部内に不活性ガスを充填しつつ、前記第3の開閉弁及び前記第5の開閉弁を開くと共に前記第4の開閉弁を閉じ、前記第2のガス溜め部内に原料ガスを充填した後、
前記第2の開閉弁、前記第3の開閉弁及び前記第4の開閉弁をそれぞれ開き、前記第1のガス溜め部内に充填された不活性ガスにより、前記第2のガス溜め部内に充填された原料ガスを前記処理室内に圧送させるように、前記原料ガス供給系及び前記排気系を制御する。
(Appendix 9)
Also preferably,
The controller is
The first on-off valve is opened and the second on-off valve is closed, and the first on-off valve is opened while the third on-off valve and the fifth on-off valve are opened while the first gas reservoir is filled with an inert gas. 4 after closing the on-off valve and filling the source gas into the second gas reservoir,
The second on-off valve, the third on-off valve, and the fourth on-off valve are opened, and the second gas reservoir is filled with the inert gas filled in the first gas reservoir. The raw material gas supply system and the exhaust system are controlled so that the raw material gas is pumped into the processing chamber.
(付記10)
また好ましくは、
前記制御部は、
前記第1のガス溜め部内への不活性ガスの充填及び前記第2のガス溜め部内への原料ガスの充填が完了した後、不活性ガスによる原料ガスの圧送を開始させる前に、前記第1の開閉弁、前記第2の開閉弁、前記第3の開閉弁、前記第4の開閉弁及び前記第5の開閉弁を所定時間だけ閉じるように、前記原料ガス供給系及び前記排気系を制御する。
(Appendix 10)
Also preferably,
The controller is
After the filling of the inert gas into the first gas reservoir and the filling of the source gas into the second gas reservoir are completed, the first gas reservoir is started before the feed of the source gas by the inert gas is started. The source gas supply system and the exhaust system are controlled so that the on-off valve, the second on-off valve, the third on-off valve, the fourth on-off valve, and the fifth on-off valve are closed for a predetermined time. To do.
(付記11)
また好ましくは、
前記制御部は、
不活性ガスによる原料ガスの圧送が完了した後、前記第4の開閉弁を開いた状態で前記第3の開閉弁及び前記第5の開閉弁を閉じ、前記第2のガス溜め部内の残留ガスを除去するように、前記原料ガス供給系及び前記排気系を制御する。
(Appendix 11)
Also preferably,
The controller is
After the feed of the source gas by the inert gas is completed, the third on-off valve and the fifth on-off valve are closed with the fourth on-off valve opened, and the residual gas in the second gas reservoir The source gas supply system and the exhaust system are controlled so as to remove the gas.
(付記12)
また好ましくは、
前記処理室内は、複数枚の基板が積層された状態で搬送されるように構成されている。
(Appendix 12)
Also preferably,
The processing chamber is configured to be transported in a state where a plurality of substrates are stacked.
101 基板処理装置
200 ウエハ(基板)
201 処理室
202 処理炉
101
201
Claims (5)
前記第1のガス溜め部と前記第2のガス溜め部との間の前記ガス供給管に設けられた開閉弁、及び前記第2のガス溜め部と前記処理室との間の前記ガス供給管に設けられた開閉弁をそれぞれ開いて、前記第1のガス溜め部内に充填された不活性ガスにより、前記第2のガス溜め部内に充填された原料ガスを前記処理室内に圧送する工程と、を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A first gas reservoir provided in a gas supply pipe connected to the processing chamber is filled with an inert gas, and a second gas provided in the gas supply pipe downstream of the first gas reservoir is provided. Filling the raw material gas into the gas reservoir of
An on-off valve provided in the gas supply pipe between the first gas reservoir and the second gas reservoir, and the gas supply pipe between the second gas reservoir and the processing chamber Opening the on-off valves provided in the first gas reservoir, and pumping the source gas filled in the second gas reservoir with the inert gas filled in the first gas reservoir, and A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
前記処理室に接続されるガス供給管に設けられた第1の開閉弁を開くと共に第2の開閉弁を閉じ、前記第1の開閉弁と前記第2の開閉弁との間の前記ガス供給管に設けられた第1のガス溜め部内に不活性ガスを充填しつつ、前記第2の開閉弁よりも下流側の前記ガス供給管に設けられた第3の開閉弁を開くと共に第4の開閉弁を閉じ、前記第3の開閉弁と前記第4の開閉弁との間の前記ガス供給管に設けられた第2のガス溜め部内に原料ガスを充填する第1の工程と、
前記第2の開閉弁及び前記第4の開閉弁をそれぞれ閉じた状態で、前記第1の開閉弁及び前記第3の開閉弁をそれぞれ閉じる第2の工程と、
前記第2の開閉弁、前記第3の開閉弁及び前記第4の開閉弁をそれぞれ開き、前記第2のガス溜め部内に充填された原料ガスを、前記第1のガス溜め部内に充填された不活性ガスにより前記処理室内に圧送する第3の工程と、
前記第4の開閉弁を開いた状態で前記第3の開閉弁を閉じ、前記第2のガス溜め部内の残留ガスを除去する第4の工程と、
前記処理室内から基板を搬送する工程と、を有し、
前記第1の工程から前記第4の工程を所定回数実施することで前記基板上に薄膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A step of transporting the substrate into the processing chamber;
The first on-off valve provided in the gas supply pipe connected to the processing chamber is opened and the second on-off valve is closed to supply the gas between the first on-off valve and the second on-off valve. While filling the first gas reservoir provided in the pipe with the inert gas, the third on-off valve provided in the gas supply pipe on the downstream side of the second on-off valve is opened and the fourth A first step of closing an on-off valve and filling a source gas into a second gas reservoir provided in the gas supply pipe between the third on-off valve and the fourth on-off valve;
A second step of closing each of the first on-off valve and the third on-off valve in a state in which the second on-off valve and the fourth on-off valve are closed; and
The second on-off valve, the third on-off valve, and the fourth on-off valve are opened, and the source gas filled in the second gas reservoir is filled in the first gas reservoir. A third step of pumping into the processing chamber with an inert gas;
A fourth step of closing the third on-off valve with the fourth on-off valve open to remove residual gas in the second gas reservoir;
Transporting the substrate from the processing chamber,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein a thin film is formed on the substrate by performing the first to fourth steps a predetermined number of times.
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。 3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the source gas is a gas obtained by vaporizing any one of TiCl 4 , TDMAT, TMA, TEMAH, and TEMAZ.
不活性ガス及び原料ガスを前記処理室内へ供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、
前記原料ガス供給系及び前記排気系を制御する制御部と、を有し、
前記原料ガス供給系は、前記処理室に接続される第1のガス供給管を有し、
前記第1のガス供給管には、上流側から順に、不活性ガス供給源、第1の開閉弁、第1のガス溜め部、第2の開閉弁、第3の開閉弁、第2のガス溜め部及び第4の開閉弁が設けられ、
前記第2の開閉弁と前記第3の開閉弁との間の前記第1のガス供給管には、第2のガス供給管が接続され、
前記第2のガス供給管には、上流側から順に、原料ガス供給源及び第5の開閉弁が設けられている
ことを特徴とする基板処理装置。 A processing chamber for accommodating the substrate;
A raw material gas supply system for supplying an inert gas and a raw material gas into the processing chamber;
An exhaust system for exhausting the atmosphere in the processing chamber;
A control unit for controlling the source gas supply system and the exhaust system,
The source gas supply system has a first gas supply pipe connected to the processing chamber,
The first gas supply pipe includes an inert gas supply source, a first on-off valve, a first gas reservoir, a second on-off valve, a third on-off valve, and a second gas in order from the upstream side. A reservoir and a fourth on-off valve are provided;
A second gas supply pipe is connected to the first gas supply pipe between the second on-off valve and the third on-off valve,
The substrate processing apparatus, wherein the second gas supply pipe is provided with a source gas supply source and a fifth on-off valve in order from the upstream side.
第1の開閉弁を開くと共に第2の開閉弁を閉じ、前記第1のガス溜め部内に不活性ガス
を充填しつつ、前記第3の開閉弁及び前記第5の開閉弁を開くと共に前記第4の開閉弁を閉じ、前記第2のガス溜め部内に原料ガスを充填した後、
前記第2の開閉弁、前記第3の開閉弁及び前記第4の開閉弁をそれぞれ開き、前記第1のガス溜め部内に充填された不活性ガスにより、前記第2のガス溜め部内に充填された原料ガスを前記処理室内に圧送させるように、前記ガス供給系及び前記排気系を制御する
ことを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。 The controller is
The first on-off valve is opened and the second on-off valve is closed, and the first on-off valve is opened while the third on-off valve and the fifth on-off valve are opened while the first gas reservoir is filled with an inert gas. 4 after closing the on-off valve and filling the source gas into the second gas reservoir,
The second on-off valve, the third on-off valve, and the fourth on-off valve are opened, and the second gas reservoir is filled with the inert gas filled in the first gas reservoir. 5. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the gas supply system and the exhaust system are controlled so that the raw material gas is pumped into the processing chamber.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010210590A JP5524785B2 (en) | 2010-09-21 | 2010-09-21 | Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010210590A JP5524785B2 (en) | 2010-09-21 | 2010-09-21 | Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012067328A true JP2012067328A (en) | 2012-04-05 |
JP5524785B2 JP5524785B2 (en) | 2014-06-18 |
Family
ID=46164935
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010210590A Active JP5524785B2 (en) | 2010-09-21 | 2010-09-21 | Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5524785B2 (en) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130135762A (en) | 2012-06-02 | 2013-12-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Film forming method and film forming apparatus |
JP2015073020A (en) * | 2013-10-03 | 2015-04-16 | 三井造船株式会社 | Atomic layer deposition device and atomic layer deposition method |
WO2016157401A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 株式会社日立国際電気 | Method for manufacturing semiconductor device, substrate treatment device, and recording medium |
KR20190049334A (en) * | 2017-03-28 | 2019-05-09 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Method of manufacturing semiconductor device, non-transitory computer-readable recording medium and substrate processing apparatus |
KR20190100381A (en) | 2017-03-31 | 2019-08-28 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Method for manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and recording medium |
KR20200132757A (en) * | 2019-05-17 | 2020-11-25 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and program |
CN113518836A (en) * | 2019-03-06 | 2021-10-19 | 株式会社国际电气 | Method for manufacturing semiconductor device, program, and substrate processing apparatus |
US11453942B2 (en) | 2017-02-23 | 2022-09-27 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
KR20240002187A (en) | 2022-06-28 | 2024-01-04 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and program |
JP7507065B2 (en) | 2020-11-09 | 2024-06-27 | 東京エレクトロン株式会社 | Processing device and processing method |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102504958B1 (en) * | 2018-04-02 | 2023-03-03 | 삼성전자주식회사 | Layer deposition method and layer deposition apparatus |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60207333A (en) * | 1984-03-31 | 1985-10-18 | Sanyo Electric Co Ltd | Method for recovery of higher-order silane gas |
JPH02203518A (en) * | 1989-02-01 | 1990-08-13 | Nec Corp | Method and apparatus for vapor growth of compound semiconductor |
-
2010
- 2010-09-21 JP JP2010210590A patent/JP5524785B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60207333A (en) * | 1984-03-31 | 1985-10-18 | Sanyo Electric Co Ltd | Method for recovery of higher-order silane gas |
JPH02203518A (en) * | 1989-02-01 | 1990-08-13 | Nec Corp | Method and apparatus for vapor growth of compound semiconductor |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130135762A (en) | 2012-06-02 | 2013-12-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Film forming method and film forming apparatus |
JP2014007378A (en) * | 2012-06-02 | 2014-01-16 | Tokyo Electron Ltd | Film forming method and film forming apparatus |
US9076649B2 (en) | 2012-06-02 | 2015-07-07 | Tokyo Electron Limited | Film forming method and apparatus |
KR101645775B1 (en) * | 2012-06-02 | 2016-08-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Film forming method and film forming apparatus |
JP2015073020A (en) * | 2013-10-03 | 2015-04-16 | 三井造船株式会社 | Atomic layer deposition device and atomic layer deposition method |
WO2016157401A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 株式会社日立国際電気 | Method for manufacturing semiconductor device, substrate treatment device, and recording medium |
US11859280B2 (en) | 2017-02-23 | 2024-01-02 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
US11453942B2 (en) | 2017-02-23 | 2022-09-27 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
KR102019955B1 (en) | 2017-03-28 | 2019-09-09 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Method of manufacturing semiconductor device, non-transitory computer-readable recording medium and substrate processing apparatus |
KR20190049334A (en) * | 2017-03-28 | 2019-05-09 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Method of manufacturing semiconductor device, non-transitory computer-readable recording medium and substrate processing apparatus |
US11152215B2 (en) | 2017-03-31 | 2021-10-19 | Kokusai Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium |
KR20190100381A (en) | 2017-03-31 | 2019-08-28 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Method for manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and recording medium |
CN113518836A (en) * | 2019-03-06 | 2021-10-19 | 株式会社国际电气 | Method for manufacturing semiconductor device, program, and substrate processing apparatus |
CN113518836B (en) * | 2019-03-06 | 2023-11-24 | 株式会社国际电气 | Method for manufacturing semiconductor device, recording medium, substrate processing apparatus, and substrate processing method |
KR20200132757A (en) * | 2019-05-17 | 2020-11-25 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and program |
KR102415238B1 (en) | 2019-05-17 | 2022-07-01 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method, substrate processing apparatus, and program |
JP7507065B2 (en) | 2020-11-09 | 2024-06-27 | 東京エレクトロン株式会社 | Processing device and processing method |
KR20240002187A (en) | 2022-06-28 | 2024-01-04 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and program |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5524785B2 (en) | 2014-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5524785B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus | |
JP6095825B2 (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
US9496134B2 (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device | |
JP5247528B2 (en) | Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, and gas introducing means | |
JP5284182B2 (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
JP5222652B2 (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
JP5097554B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, and substrate processing apparatus | |
TWI415190B (en) | A method of manufacturing a semiconductor device and substrate processing apparatus | |
JP5385002B2 (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
JP4694209B2 (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
JP2011006782A (en) | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus | |
JP2011238832A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2010141076A (en) | Wafer processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2012134311A (en) | Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus | |
JP5457287B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and semiconductor device manufacturing method | |
JP6021977B2 (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
JP2009123950A (en) | Substrate treating device | |
JP2012138530A (en) | Substrate manufacturing method, semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus | |
JP5204809B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and semiconductor device manufacturing method | |
JP2013089911A (en) | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device | |
JP2009200298A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP4509697B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2016122691A (en) | Substrate processing apparatus, gas supply nozzle and manufacturing method of semiconductor device | |
WO2012077680A1 (en) | Method for producing substrate, method for producing semiconductor device, and substrate treatment device | |
JP2012124255A (en) | Manufacturing method for substrate, manufacturing method for semiconductor device, and substrate processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130911 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140328 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140408 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140410 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5524785 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |