JP2012060417A - Surface acoustic wave device, electronic apparatus and sensor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、弾性表面波（surface acoustic wave:ＳＡＷ）を利用した共振子、発振器等の弾性表面波デバイス、ＳＡＷデバイスを備えた電子機器及びセンサー装置に関する。 The present invention relates to a surface acoustic wave device such as a resonator and an oscillator using a surface acoustic wave (SAW), an electronic apparatus including the SAW device, and a sensor device.
ＳＡＷデバイスは、例えば携帯電話、ハードディスク、パーソナルコンピューター、ＢＳ及びＣＳ放送の受信チューナー、同軸ケーブルまたは光ケーブル中を伝播する高周波信号や光信号の処理機器、広い温度範囲で高周波・高精度クロック（低ジッタ、低位相雑音）を必要とするサーバー・ネットワーク機器、無線通信用機器等の電子機器や、圧力センサー、加速度センサー、回転速度センサー等の各種センサー装置に広く利用されている。これらの機器・装置は、特に最近の情報通信の高速化によるリファレンスクロックの高周波化や装置筐体の小型化に伴い、装置内部での発熱の影響が大きくなっている。そのため、装置内部に搭載される電子デバイスは、動作温度範囲の拡大や高精度化が要求され、例えば屋外に設置される無線基地局のように低温から高温まで温度変化の激しい環境下で長期に亘って安定した動作が必要となっている。 SAW devices include, for example, mobile phones, hard disks, personal computers, BS and CS broadcast reception tuners, coaxial cables or optical signal processing equipment that propagates in optical cables, and high-frequency, high-precision clocks (low jitter over a wide temperature range). , Low phase noise) is widely used in electronic devices such as server / network equipment, wireless communication equipment, and various sensor devices such as pressure sensors, acceleration sensors, and rotational speed sensors. In these devices and apparatuses, the influence of heat generation inside the apparatus is increasing with the recent increase in the frequency of the reference clock and the downsizing of the apparatus housing due to the speeding up of information communication. For this reason, electronic devices mounted inside the device are required to have a wide operating temperature range and high accuracy.For example, wireless base stations installed outdoors can be used for long periods of time in environments where temperature changes from low to high. Therefore, stable operation is required.
一般にＳＡＷ共振子等のＳＡＷデバイスにおいて、周波数温度特性の変化には、ＳＡＷのストップバンドや使用する水晶基板のカット角、基板上に形成されるＩＤＴ（interdigital transducer:すだれ状トランスデューサ）の形態等が大きい影響を及ぼす。例えば、ＳＡＷの１波長当たり３本の電極指で構成される単位区間を圧電基板上に繰り返し配列したＩＤＴを有し、ＳＡＷのストップバンドの上端モード、下端モードのそれぞれを励起させる反射反転型ＳＡＷ変換器が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。この反射反転型ＳＡＷ変換器によりＳＡＷフィルタを構成すれば、通過帯域近傍の高域側阻止域において高減衰量が実現できるとされている。 In general, in a SAW device such as a SAW resonator, changes in frequency temperature characteristics include the SAW stop band, the cut angle of the quartz substrate used, and the form of the IDT (interdigital transducer) formed on the substrate. It has a big impact. For example, a reflection inversion SAW having an IDT in which unit sections composed of three electrode fingers per wavelength of SAW are repeatedly arranged on a piezoelectric substrate, and exciting each of the upper end mode and the lower end mode of the SAW stop band. A converter has been proposed (see, for example, Patent Document 1). If a SAW filter is constituted by this reflection inversion type SAW converter, it is said that a high attenuation can be realized in the high band side stop band near the pass band.
また、オイラー角（φ，θ，ψ）＝（０°、１２３°、０°）の所謂ＳＴカット水晶基板を用いた反射反転型ＳＡＷ変換器が知られている（例えば、特許文献２を参照）。同特許文献には、ストップバンドの上端の共振を励振させることができ、ストップバンドの下端の共振を用いる場合よりも周波数温度特性が向上すると記載されている。更に、ＳＡＷにおけるストップバンドの上端モードの方が、ストップバンドの下端モードよりも周波数温度特性が良好であると報告されている（例えば、特許文献３〜６を参照）。
Further, a reflection inversion SAW converter using a so-called ST-cut quartz substrate with Euler angles (φ, θ, ψ) = (0 °, 123 °, 0 °) is known (see, for example, Patent Document 2). ). The patent document describes that the resonance at the upper end of the stop band can be excited and the frequency temperature characteristic is improved as compared with the case of using the resonance at the lower end of the stop band. Furthermore, it has been reported that the upper end mode of the stop band in SAW has better frequency temperature characteristics than the lower end mode of the stop band (see, for example,
特に特許文献３、４には、レイリー波を利用したＳＡＷ装置において良好な周波数温度特性を得るために、水晶基板のカット角を調整すると共に、ＩＤＴ電極の基準化膜厚（Ｈ／λ）を０．１程度まで厚くすることが記載されている。特許文献３に記載のＳＡＷ共振子は、オイラー角（φ，θ，ψ）＝（φ＝０°、０°≦θ≦１８０°、０°＜｜ψ｜＜９０°）の水晶基板上に、ＳＡＷの１波長当たり２本の電極指で構成される単位区間を繰り返し配列したシングル型ＩＤＴ電極を有する。これにより、レイリー波をストップバンドの上限モードで励振させ、それを利用してＳＡＷ共振子の高周波化と良好な周波数温度特性を実現することができる。
In particular, in
特許文献４には、前記シングル型ＩＤＴ電極を有するＳＡＷ装置において、水晶基板をオイラー角（φ，θ，ψ）＝（φ＝０°、１１０°≦θ≦１４０°、３８°≦｜ψ｜≦４４°）に設定し、ＩＤＴ電極の厚みＨ、ＩＤＴ電極における電極指の幅ｄ、ＩＤＴ電極における電極指間のピッチＰ、及びＳＡＷの波長λにより規定される基準化電極膜厚（Ｈ／λ）と基準化電極幅η（＝ｄ／Ｐ）との関係を、
Ｈ／λ≧０．１７９６η３−０．４３０３η２＋０．２０７１η＋０．０６８２
に設定することが開示されている。これによって、レイリー波をストップバンドの上限モードで強く励振させることができる。
In
H / λ ≧ 0.1796η 3 −0.4303η 2 + 0.2071η + 0.0682
Is disclosed. As a result, the Rayleigh wave can be strongly excited in the upper limit mode of the stop band.
特許文献５には、オイラー角（φ，θ，ψ）＝（０°，θ，９°＜｜ψ｜＜４６°）、好ましくは（０°，９５°＜θ＜１５５°，３３°＜｜ψ｜＜４６°）の水晶基板上にシングル型ＩＤＴ電極を配置し、基準化電極膜厚（Ｈ／λ）を０．０４５≦Ｈ／λ≦０．０８５としたＳＡＷ素子が開示されている。これによって、レイリー波をストップバンドの上限モードで励振させ、良好な周波数温度特性を実現することができる。
In
特許文献６には、オイラー角（φ，θ，ψ）＝（０°１２３°，４３．２°）の面内回転ＳＴカット水晶基板上に前記シングル型ＩＤＴ電極を配置し、その基準化電極膜厚（Ｈ／λ）をＨ／λ＝０．０６、所謂６％λとすることによって、レイリー波をストップバンドの上限モードで励振させるＳＡＷ素子が開示されている。更にこのＳＡＷ素子は、ＩＤＴ電極の電極指幅Ｌｔと電極指ピッチＰｔとにより規定される標準化電極幅η（＝Ｌｔ／Ｐｔ）を、０．５≦η≦０．７に設定することによって、常温（２５℃）において最大８３０ｐｐｍの周波数偏差を実現することができる。
In
他方、ＩＤＴを構成する電極指間及び反射器を構成する導体ストリップ間の水晶基板表面にグルーブ即ち溝を形成したＳＡＷ共振器が知られている（例えば、特許文献７及び非特許文献１を参照）。特許文献７には、ＳＴカットＸ伝搬水晶基板にＩＤＴ及び反射器をアルミ電極で構成し、かつ水晶基板表面のＩＤＴを構成する電極指間及び反射器を構成する導体ストリップ（電極指）間に対応する領域に溝を形成することにより、Ｑ値が高く容量比が低くなり、共振抵抗の低いＳＡＷ共振器を実現できることが開示されている。更に同特許文献には、ＩＤＴの溝と反射器の溝とを同じ深さにした構造、及び反射器の溝をＩＤＴの溝より深くした構造が記載されている。 On the other hand, a SAW resonator is known in which grooves or grooves are formed on the surface of a quartz substrate between electrode fingers constituting an IDT and between conductor strips constituting a reflector (see, for example, Patent Document 7 and Non-Patent Document 1). ). In Patent Document 7, an IDT and a reflector are formed of aluminum electrodes on an ST cut X propagation quartz substrate, and between electrode fingers constituting an IDT on the surface of the quartz substrate and between conductor strips (electrode fingers) constituting a reflector. It is disclosed that a SAW resonator having a high Q value and a low capacitance ratio and having a low resonance resistance can be realized by forming a groove in a corresponding region. Furthermore, the patent document describes a structure in which the groove of the IDT and the groove of the reflector are made the same depth, and a structure in which the groove of the reflector is deeper than the groove of the IDT.
非特許文献１には、ＳＴカット水晶基板を用いたグループ型ＳＡＷ共振器の特性が記載されている。その周波数温度特性は、ＳＡＷ伝搬基板の電極で覆われていない水晶面に形成した溝の深さにより変化すること、及び、溝が深くなるに従って、上向き凸の２次曲線の頂点温度Ｔｐが低くなっていくことが報告されている。
Non-Patent
このように水晶等の圧電基板に溝を形成して実効膜厚を調整することによって周波数を調整する方法は、当業者によく知られている（例えば、特許文献８乃至１１を参照）。特許文献８記載のＳＡＷデバイスは、ＩＤＴを形成した圧電基板の表面を、該圧電基板のエッチングレートがＩＤＴのエッチングレートより大きくなる条件でエッチングし、その周波数を下降させるように微調整する。特許文献９乃至１１においても、同様に圧電基板の表面をその上に形成したＩＤＴをマスクとしてドライエッチングすることにより、ＳＡＷデバイスの周波数を低域側へシフトさせている。
A method of adjusting the frequency by adjusting the effective film thickness by forming a groove in a piezoelectric substrate such as quartz is well known to those skilled in the art (see, for example,
更に、トランスバーサル型ＳＡＷフィルタにおいて、ＩＤＴ電極の電極指間の圧電基板表面をエッチング加工して溝を形成することにより見かけ上伝搬速度を小さくすることが知られている（例えば、特許文献１２を参照）。これによって、ＳＡＷフィルタの基本設計を変更せずに、ＩＤＴ電極の電極指ピッチを小さくでき、チップの小型化を実現することができる。 Furthermore, in a transversal SAW filter, it is known that the propagation speed is apparently reduced by etching a piezoelectric substrate surface between electrode fingers of an IDT electrode to form a groove (for example, see Patent Document 12). reference). As a result, the electrode finger pitch of the IDT electrode can be reduced without changing the basic design of the SAW filter, and the chip can be downsized.
また、ＳＳＢＷ（Surface Skimming Bulk Wave）と呼ばれるすべり波を励振するＳＡＷ共振器において、回転Ｙカット、カットアングル−４３°乃至−５２°、すべり波伝搬方向をＺ’軸方向（オイラー角（φ，θ，ψ）＝（０°，３８≦θ≦４７，９０°））の水晶基板に、基準化電極膜厚（Ｈ／λ）が２．０≦Ｈ／λ≦４．０％のＩＤＴ電極をアルミで形成することにより、三次曲線の周波数温度特性を実現し得ることが知られている（例えば、特許文献１３を参照）。すべり波（ＳＨ波）はその振動エネルギーを電極直下に閉じ込めて圧電基板の表面直下を伝搬するので、ＳＡＷが基板表面に沿って伝搬するＳＴカット水晶ＳＡＷデバイスと比較して、反射器によるＳＡＷの反射効率が悪く、小型化及び高いＱ値を実現し難いという問題がある。 Further, in a SAW resonator that excites a slip wave called SSBW (Surface Skimming Bulk Wave), the rotation Y-cut, the cut angle of −43 ° to −52 °, and the slip wave propagation direction in the Z′-axis direction (Eulerian angle (φ, θT, ψ) = (0 °, 38 ≦ θ ≦ 47, 90 °)) and an IDT electrode having a normalized electrode film thickness (H / λ) of 2.0 ≦ H / λ ≦ 4.0% It is known that the frequency temperature characteristic of a cubic curve can be realized by forming aluminum with aluminum (see, for example, Patent Document 13). A slip wave (SH wave) confines its vibration energy directly under the electrode and propagates directly under the surface of the piezoelectric substrate. Therefore, compared with an ST-cut quartz SAW device in which SAW propagates along the substrate surface, There is a problem in that the reflection efficiency is poor and it is difficult to achieve miniaturization and a high Q value.
この問題を解決するために、オイラー角（φ，θ，ψ）＝（０°，−６４°＜θ＜−４９．３°，８５°≦ψ≦９５°）の回転Ｙカット水晶基板の表面にＩＤＴとグレーティング反射器とを形成し、ＳＨ波を励振するＳＡＷデバイスが提案されている（例えば、特許文献１４を参照）。このＳＡＷデバイスは、ＳＡＷの波長λで基準化される電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定することによって、小型化、高いＱ値及び優れた周波数安定性を実現している。 In order to solve this problem, the surface of a rotated Y-cut quartz substrate with Euler angles (φ, θ, ψ) = (0 °, −64 ° <θ <−49.3 °, 85 ° ≦ ψ ≦ 95 °) A SAW device that forms an IDT and a grating reflector and excites SH waves has been proposed (for example, see Patent Document 14). This SAW device is small in size, high Q value and excellent frequency stability by setting the electrode film thickness H / λ normalized by the SAW wavelength λ to 0.04 <H / λ <0.12. Is realized.
更に、かかるＳＡＷデバイスにおいて、電極膜厚が厚いことに起因して発生するストレスマイグレーションが原因となってＱ値や周波数安定性が劣化するという問題を解決するために、ＩＤＴの電極指間の水晶基板に溝を形成することが提案されている（例えば、特許文献１５を参照）。この溝の深さをＨｐ、ＩＤＴの金属膜の膜厚をＨｍとしたとき、ＳＡＷの波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２（ただし、Ｈ＝Ｈｐ＋Ｈｍ）の範囲と設定することにより、金属膜の見掛け上の膜厚を薄くできるので、通電時のストレスマイグレーションによる周波数変動を抑圧し、Ｑ値が高く、周波数安定性の優れたＳＡＷデバイスを実現できる。 Furthermore, in such a SAW device, in order to solve the problem that the Q value and the frequency stability are deteriorated due to the stress migration caused by the thick electrode film thickness, the crystal between the electrode fingers of the IDT is solved. It has been proposed to form a groove in a substrate (see, for example, Patent Document 15). When the depth of the groove is Hp and the film thickness of the IDT metal film is Hm, the electrode film thickness H / λ normalized by the SAW wavelength λ is 0.04 <H / λ <0.12. Since the apparent film thickness of the metal film can be reduced by setting the range of H = Hp + Hm), the SAW device suppresses frequency fluctuation due to stress migration during energization, has a high Q value, and has excellent frequency stability. Can be realized.
ＳＡＷデバイスの量産過程では、水晶基板の表面にエッチングでＩＤＴの電極指を形成する際に、電極指の膜厚が厚いと、それに起因したサイドエッチングによりＩＤＴのライン占有率（ラインスペース比）ηにばらつきを生じ易い。その結果、ＳＡＷデバイスの温度変化による周波数の変動量にばらつきが生じると、製品の信頼性、品質が損なわれる。この問題を解消するために、オイラー角（φ，θ，ψ）＝（０°、９５°≦θ≦１５５°、３３°≦｜ψ｜≦４６°）の面内回転ＳＴカット水晶基板を採用し、ＳＡＷのストップバンドの上限モードを励振させ、ＩＤＴの電極指間の水晶基板表面に電極指間溝を形成したＳＡＷデバイスが知られている（例えば、特許文献１６を参照）。 In the mass production process of SAW devices, when the electrode finger of the IDT is formed on the surface of the quartz substrate by etching, if the electrode finger is thick, the line occupancy (line space ratio) η of the IDT is caused by side etching resulting from the etching. Variations are likely to occur. As a result, if the fluctuation amount of the frequency due to the temperature change of the SAW device occurs, the reliability and quality of the product are impaired. In order to solve this problem, an in-plane rotation ST-cut quartz substrate with Euler angles (φ, θ, ψ) = (0 °, 95 ° ≦ θ ≦ 155 °, 33 ° ≦ | ψ | ≦ 46 °) is employed. In addition, a SAW device is known in which a SAW stopband upper limit mode is excited to form a groove between electrode fingers on the surface of a quartz substrate between IDT electrode fingers (see, for example, Patent Document 16).
また、ＳＡＷデバイスの周波数温度特性が動作温度範囲において二次曲線の場合、周波数変動幅の極小化や変曲点を実現することは困難である。そこで、三次曲線の周波数温度特性を得るために、ＬＳＴカットの水晶基板に空隙層と誘電体膜とを介してＩＤＴ電極を形成し、漏洩型ＳＡＷを励振させるようにしたＳＡＷ装置が提案されている（例えば、特許文献１７を参照）。同特許文献には、レイリー波を用いたＳＡＷ装置において、三次曲線で示されるような周波数温度特性を実現するカット角の水晶基板は発見できなかったことが記載されている。 Further, when the frequency temperature characteristic of the SAW device is a quadratic curve in the operating temperature range, it is difficult to minimize the frequency fluctuation range and to realize the inflection point. Therefore, in order to obtain a frequency temperature characteristic of a cubic curve, a SAW device has been proposed in which an IDT electrode is formed on an LST-cut quartz crystal substrate via a gap layer and a dielectric film to excite a leaky SAW. (For example, see Patent Document 17). The patent document describes that in a SAW device using Rayleigh waves, a quartz substrate having a cut angle that realizes frequency temperature characteristics as indicated by a cubic curve could not be found.
更に、ＳＴカット水晶ＳＡＷ共振子等において、その優れた周波数温度特性を劣化させることなくＱ値を高くするために、水晶基板の表面にＩＤＴと反射器とをＳＡＷの位相速度の方向に対してパワーフロー角ＰＦＡ±３°傾斜させた方向に沿って配置した傾斜型ＩＤＴが知られている（例えば、特許文献１８，１９を参照）。この傾斜型ＩＤＴからなるＳＡＷデバイスは、ＳＡＷの位相の進行方向とその振動エネルギーの進行方向とをカバーするようにＩＤＴ及び反射器を配置することによって、ＳＡＷを反射器で効率良く反射できるので、エネルギーの閉じ込めを効率良く行い、Ｑ値をより高めることができる。 Furthermore, in an ST-cut quartz SAW resonator or the like, an IDT and a reflector are placed on the surface of the quartz substrate with respect to the direction of the SAW phase velocity in order to increase the Q value without deteriorating the excellent frequency temperature characteristics. Inclined IDTs are known that are arranged along the direction of power flow angle PFA ± 3 ° (see, for example, Patent Documents 18 and 19). Since the SAW device composed of this tilted IDT can efficiently reflect the SAW with the reflector by arranging the IDT and the reflector so as to cover the traveling direction of the SAW phase and the traveling direction of the vibration energy, It is possible to efficiently confine energy and further increase the Q value.
上述したように、ＳＡＷデバイスの周波数温度特性には多くの要素が関係しており、その改善を図るために様々な工夫が行われている。特に、レイリー波を用いたＳＡＷデバイスは、ＩＤＴを構成する電極指の膜厚を厚くすることが周波数温度特性の向上に寄与すると考えられている。単にＩＤＴの電極膜厚を厚くするだけでは、通電時のストレスマイグレーションや、ＩＤＴ形成時のサイドエッチングに起因したライン占有率の変動による周波数安定性の劣化等の問題が生じる。その対応策としては、水晶基板表面のＩＤＴの電極指間に溝を形成することにより、電極膜厚を薄くしながらその実効膜厚を大きくして周波数の変動を抑制することが有効である。 As described above, many factors are related to the frequency temperature characteristics of the SAW device, and various devices have been devised to improve the frequency temperature characteristics. In particular, in a SAW device using Rayleigh waves, it is considered that increasing the film thickness of the electrode fingers constituting the IDT contributes to the improvement of frequency temperature characteristics. Simply increasing the electrode film thickness of the IDT causes problems such as stress migration during energization and frequency stability degradation due to line occupancy fluctuations due to side etching during IDT formation. As a countermeasure, it is effective to form a groove between IDT electrode fingers on the surface of the quartz substrate so as to reduce the frequency variation by increasing the effective film thickness while reducing the electrode film thickness.
しかしながら、上述したＳＡＷデバイスは、漏洩型ＳＡＷを励振させる特許文献１３のＳＡＷ装置を除いて、いずれも動作温度範囲における周波数温度特性が二次曲線で示されるので、周波数変動幅を十分に小さくしたり変曲点を実現し得るまでは至っていない。そのため、最近のＳＡＷデバイスに対する動作温度範囲の拡大や高精度化、温度変化の激しい環境下における長期の動作安定性等の要求に十分に対応することができない。 However, all of the above-described SAW devices, except for the SAW device of Patent Document 13 that excites a leaky SAW, show the frequency temperature characteristics in the operating temperature range as a quadratic curve, so the frequency fluctuation range is made sufficiently small. The inflection point has not been realized. For this reason, it is not possible to sufficiently meet the demands such as expansion of the operating temperature range and high accuracy for recent SAW devices and long-term operation stability in an environment where temperature changes are severe.
そこで本発明は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、動作温度範囲において周波数変動量が極めて小さい優れた周波数温度特性を発揮し、温度が大きく変動するような環境下でも安定して動作する優れた耐環境特性を有し、高いＱ値を実現し得る、共振子、発振器等のＳＡＷデバイスを提供することにある。 Accordingly, the present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and its purpose is to exhibit excellent frequency-temperature characteristics in which the amount of frequency fluctuation is extremely small in the operating temperature range, so that the temperature fluctuates greatly. An object of the present invention is to provide a SAW device such as a resonator or an oscillator having excellent environmental resistance characteristics that stably operate even under an environment and capable of realizing a high Q value.
本願発明者は、上記目的を達成するために、面内回転ＳＴカット水晶基板を採用し、その表面にストップバンドの上端モードでＳＡＷを励振するＩＤＴを形成し、かつＩＤＴを構成する電極指間の水晶基板表面を凹設して溝を形成したＳＡＷ共振子において、ＳＡＷの波長λ、溝の深さＧ、ＩＤＴの電極膜厚Ｈ、その電極指のライン占有率η等のパラメーターと周波数温度特性との関係を検証した。その結果、動作温度範囲において、周波数変動幅の極小化及び変曲点を実現し得る新規なＳＡＷ共振子を案出した。 In order to achieve the above object, the inventor of the present application employs an in-plane rotated ST-cut quartz substrate, forms an IDT for exciting SAW in the upper end mode of the stop band on the surface, and between the electrode fingers constituting the IDT In the SAW resonator in which the surface of the quartz substrate is recessed to form grooves, parameters such as SAW wavelength λ, groove depth G, IDT electrode film thickness H, line occupancy η of the electrode fingers, and frequency temperature The relationship with characteristics was verified. As a result, a novel SAW resonator has been devised that can achieve a minimum frequency fluctuation range and an inflection point in the operating temperature range.
この新規な実施形態のＳＡＷ共振子（以下、本実施形態のＳＡＷ共振子という）は、その第１の態様において、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板上に設けられ、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴと、該ＩＤＴを構成する電極指間に位置する水晶基板を窪ませた電極指間溝を有し、
ＳＡＷの波長をλ、電極指間溝の深さをＧとした場合に、０．０１λ≦Ｇの関係を満たし、
かつ、ＩＤＴのライン占有率をηとした場合に、電極指間溝の深さＧとライン占有率ηとが
の関係を満たすことを特徴とする。
The SAW resonator according to the novel embodiment (hereinafter referred to as the SAW resonator according to the present embodiment) has a Euler angle (−1.5 ° ≦ φ ≦ 1.5 °, 117 ° ≦ θ) in the first mode. ≦ 142 °, 42.79 ° ≦ | ψ | ≦ 49.57 °), and a quartz crystal positioned between the electrode fingers constituting the IDT and exciting the SAW in the stop band upper end mode. It has a groove between electrode fingers with a recessed substrate,
When the wavelength of the SAW is λ and the depth of the inter-electrode finger groove is G, the relationship of 0.01λ ≦ G is satisfied,
When the IDT line occupancy is η, the inter-electrode finger groove depth G and the line occupancy η
It is characterized by satisfying the relationship.
本実施形態のＳＡＷ共振子は、第２の態様において、前記第１の態様に加えて、電極指間溝の深さＧが、０．０１λ≦Ｇ≦０．０６９５λの関係を満たすことを特徴とする。電極指間溝の深さＧをこの範囲に設定することによって、動作温度範囲内（例えば、−４０℃〜＋８５℃）における周波数変動量を小さく抑制でき、かつ電極指間溝の深さに製造上のばらつきが生じても、個々のＳＡＷ共振子間における共振周波数のシフト量を補正可能な範囲に抑えることができる。 The SAW resonator according to this embodiment is characterized in that, in the second mode, in addition to the first mode, the depth G of the inter-electrode finger groove satisfies a relationship of 0.01λ ≦ G ≦ 0.0695λ. And By setting the depth G of the inter-electrode finger groove within this range, the amount of frequency fluctuation within the operating temperature range (for example, −40 ° C. to + 85 ° C.) can be suppressed to be small, and the depth between the inter-electrode fingers is manufactured. Even if the above variation occurs, the shift amount of the resonance frequency between the individual SAW resonators can be suppressed within a correctable range.
更に本実施形態のＳＡＷ共振子は、第３の態様において、前記第１又は第２の態様に加えて、ＩＤＴの電極膜厚をＨとした場合に、０＜Ｈ≦０．０３５λの関係を満たすことを特徴とする。これにより、動作温度範囲内で良好な周波数温度特性が実現され、電極膜厚を大きくしたときに生じ得る耐環境特性の劣化が予め防止される。 Furthermore, the SAW resonator of the present embodiment has a relationship of 0 <H ≦ 0.035λ in the third aspect, in addition to the first or second aspect, where the electrode film thickness of the IDT is H. It is characterized by satisfying. As a result, good frequency temperature characteristics are realized within the operating temperature range, and deterioration of environmental resistance characteristics that can occur when the electrode film thickness is increased is prevented in advance.
また、本実施形態のＳＡＷ共振子は、第４の態様において、前記第３の態様に加えて、ライン占有率ηが、
の関係を満たすことを特徴とする。これにより、周波数温度特性の二次温度係数を小さく抑制することができる。
Further, the SAW resonator of the present embodiment has a line occupation ratio η in the fourth aspect, in addition to the third aspect,
It is characterized by satisfying the relationship. Thereby, the secondary temperature coefficient of a frequency temperature characteristic can be suppressed small.
更にまた、本実施形態のＳＡＷ共振子は、第５の態様において、前記第３又は第４の態様に加えて、電極指間溝の深さＧと電極膜厚Ｈとの和が、０．０４０７λ≦Ｇ＋Ｈの関係を満たすことを特徴とする。これにより、電極指間に溝を設けずにストップバンドの下端モードの共振を用いた従来の場合よりも高いＱ値が得られる。 Furthermore, in the fifth aspect, the SAW resonator according to the present embodiment has a sum of the inter-electrode finger groove depth G and the electrode film thickness H of 0. 5 in addition to the third or fourth aspect. 0407λ ≦ G + H is satisfied. Thereby, a Q value higher than the conventional case using resonance in the lower end mode of the stop band without providing a groove between the electrode fingers can be obtained.
図１は、本実施形態のＳＡＷ共振子の典型例を示している。図１（Ａ）に示すように、本実施形態のＳＡＷ共振子１は、矩形の水晶基板２と、該水晶基板の主面にそれぞれ形成されたＩＤＴ３と１対の反射器４，４とを有する。
FIG. 1 shows a typical example of the SAW resonator of this embodiment. As shown in FIG. 1A, a
水晶基板２には、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）で表される面内回転ＳＴカット水晶基板を使用する。ここで、オイラー角について説明する。オイラー角（０°，０°，０°）で表される基板は、Ｚ軸に垂直な主面を有するＺカット基板となる。ここで、オイラー角（φ，θ，ψ）のφはＺカット基板の第１の回転に関するものであり、Ｚ軸を回転軸とし、＋Ｘ軸から＋Ｙ軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第１回転角度である。オイラー角のθはＺカット基板の第１の回転後に行う第２の回転に関するものであり、第１の回転後のＸ軸を回転軸とし、第１の回転後の＋Ｙ軸から＋Ｚ軸へ回転する方向を正の回転角度とした第２の回転角度である。圧電基板のカット面は、第１回転角度φと第２回転角度θとで決定される。オイラー角のψはＺカット基板の第２の回転後に行う第３の回転に関するものであり、第２の回転後のＺ軸を回転軸とし、第２の回転後の+Ｘ軸から第２の回転後の+Ｙ軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第３回転角度である。ＳＡＷの伝搬方向は、第２の回転後のＸ軸に対する第３回転角度ψで表される。
The
面内回転ＳＴカット水晶基板は、図２に示すように、水晶の直交する３つの結晶軸、即ち電気軸、機械軸及び光学軸をそれぞれＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸で表したとき、Ｙ軸に垂直なＸＺ面５ａを、Ｘ軸を回転軸として＋Ｚ軸から−Ｙ軸方向に角度θ´（°）回転させた、座標軸（Ｘ，Ｙ´，Ｚ´）のＹ´軸に垂直なＸＺ´面を有するウエーハ５から切り出される。水晶基板２は、更にＹ´軸を回転軸として＋Ｘ軸から＋Ｚ´軸方向を正として角度＋ψ（又は−ψ）（°）回転させた新たな座標軸（Ｘ´，Ｙ´，Ｚ”）に沿ってウエーハ５から切り出して個片化される。このとき、水晶基板２はその長辺（又は短辺）をＸ´軸方向又はＺ”軸方向のいずれに沿って配置してもよい。尚、角度θ´とオイラー角におけるθとは、θ´＝θ−９０°の関係にある。
As shown in FIG. 2, the in-plane rotation ST-cut quartz substrate has three crystal axes that are orthogonal to each other, that is, an electric axis, a mechanical axis, and an optical axis expressed by an X axis, a Y axis, and a Z axis, respectively. The
ＩＤＴ３は、それぞれ複数の電極指６ａ、６ｂからなり、かつそれらの基端部をバスバー７ａ，７ｂで接続した１対の櫛歯状電極３ａ，３ｂを有する。各電極指６ａ、６ｂは、その延長方向が前記ＩＤＴにより励振されるＳＡＷの伝搬方向Ｘ´と直交する向きに配置されている。一方の櫛歯状電極３ａの電極指６ａと他方の櫛歯状電極３ｂの電極指６ｂとは、交互にかつ所定の間隔を開けて一定のピッチで配列されている。図１（Ｂ）に示すように、電極指６ａ、６ｂ間に露出する水晶基板２の表面には、該表面をエッチング等で削除することによって、それぞれ一定深さの電極指間溝８が凹設されている。
The
１対の反射器４，４は、ＳＡＷの伝搬方向Ｘ´に沿ってＩＤＴ３の外側に該ＩＤＴを両側から挟むように配置されている。各反射器４は、それぞれＳＡＷの伝搬方向Ｘ´に一定のピッチで配列された複数の導体ストリップ４ａ，４ａを有する。前記各導体ストリップは、ＩＤＴ３の前記各電極指と同様に、その延長方向がＳＡＷの伝搬方向Ｘ´と直交する向きに配置されている。図１（Ｂ）に示すように、導体ストリップ４ａ，４ａ間に露出する水晶基板２の表面には、該表面をエッチング等で削除することによって、それぞれ一定深さの導体ストリップ間溝９が凹設されている。
The pair of
本実施形態において、電極指６ａ、６ｂ及び導体ストリップ４ａ，４ａは、例えばＡｌやＡｌを主体とする合金を用いた金属膜で同じ膜厚Ｈに形成される。電極指間溝８と導体ストリップ間溝９とは、同じ深さＧに形成される。ＩＤＴ３の最も外側の電極指６ａ（又は６ｂ）とそれに隣り合う反射器４，４の前記導体ストリップとの間も、同様に水晶基板表面を削除して、前記導体ストリップ間溝と同じ深さの溝が凹設されている。
In the present embodiment, the
このように構成したＳＡＷ共振子１は、水晶基板２のＸ´軸方向及びＹ´軸方向の両方に振動変位成分を有するＲａｙｌｅｉｇｈ型（レイリー型）のＳＡＷを励起する。上述したオイラー角の水晶基板２は、ＳＡＷの伝播方向が水晶の結晶軸であるＸ軸からずれているので、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励起することが可能である。
The
尚、上述した水晶基板２のオイラー角（φ，θ，ψ）は、次のようにして選択した。一般にＳＡＷ共振子の周波数温度特性は、次式で表される。
Δｆ＝α×（Ｔ−Ｔ0）＋β×（Ｔ−Ｔ0）２
ここで、Δｆは温度Ｔと頂点温度Ｔ0間の周波数変化量（ｐｐｍ）、αは１次温度係数（ｐｐｍ／℃）、βは２次温度係数（ｐｐｍ／℃２）、Ｔは温度、Ｔ0は周波数が最大となる温度（頂点温度）である。２次温度係数βの絶対値を最小に、好ましくは０．０１（ｐｐｍ／℃２）以下に、より好ましくは略零になるように設定して、周波数温度特性が三次曲線を示すようにすれば、広い動作温度範囲でも周波数変動量を小さくして高い周波数安定性が得られる。
The Euler angles (φ, θ, ψ) of the
Δf = α × (T−T0) + β × (T−T0) 2
Where Δf is the amount of frequency change (ppm) between temperature T and apex temperature T0, α is the primary temperature coefficient (ppm / ° C.), β is the secondary temperature coefficient (ppm / ° C. 2), T is the temperature,
先ず、水晶基板２のオイラー角を（０°，１２３°，ψ）とし、β＝±０．０１（ｐｐｍ／℃２）となるライン占有率ηが得られるときのオイラー角ψと電極指間溝の深さＧとの関係をシミュレーションした。ここで、オイラー角ψは、二次温度係数βの絶対値が０．０１（ｐｐｍ／℃２）となるように適宜選択した。その結果、上記条件下で二次温度係数βを−０．０１≦β≦＋０．０１にし得るオイラー角ψの範囲を４３°＜ψ＜４５°と定めることができた。
First, the Euler angles of the
尚、ＩＤＴ３のライン占有率ηは、図１（Ｃ）に示すように、電極指幅Ｌを電極指ピッチλ／２（＝Ｌ＋Ｓ）で除した値である。また、図１（Ｄ）は、ＩＤＴ３の電極指６ａ、６ｂ及び電極指間溝８をフォトリソグラフィ技法とエッチング技法とにより製造したときに形成されるであろう台形状の断面において、ＩＤＴ３のライン占有率ηを特定する方法を説明するためのものである。この場合、ライン占有率ηは、電極指間溝８の底部から該電極指間溝の深さＧと電極膜厚Ｈとの合計値（Ｇ＋Ｈ）の１／２となる高さにおいて測定した電極指幅Ｌと電極指間溝幅Ｓとに基づいて算出する。
The line occupation ratio η of
次に、水晶基板２をカット角及びＳＡＷ伝搬方向をオイラー角表示で（０，θ，ψ）とし、電極指間溝の深さＧを０．０４λ、電極指の膜厚Ｈを０．０２λ、ライン占有率ηを上記（３）式に従って０．６３８３として、オイラー角θに関する二次温度係数βの変化をシミュレーションした。ここで、オイラー角ψは上述した４３°＜ψ＜４５°の範囲内で、角度θの設定角度に基づいて二次温度係数βの絶対値を最小とするように適宜選択した。その結果、オイラー角θが１１７°≦θ≦１４２°の範囲内にあれば、電極指の膜厚Ｈ、電極指間溝の深さＧ、及びライン占有率ηを変化させても、二次温度係数βの絶対値が０．０１（ｐｐｍ／℃２）の範囲内にあることを確認した。
Next, the
次に、水晶基板２をオイラー角表示で（φ，１２３°，４３．７７°）とし、電極指間溝の深さＧを０．０４λ、電極指の膜厚Ｈを０．０２λ、ライン占有率ηを０．６５として、オイラー角φに関する二次温度係数βの変化をシミュレーションした。その結果、オイラー角φが−１．５°≦φ≦＋１．５°の範囲内にあれば、二次温度係数βの絶対値が０．０１（ｐｐｍ／℃２）の範囲内にあることを確認した。
Next, the
更に、動作温度範囲（−４０℃〜＋８５℃）における周波数変動量が最小となる非常に望ましいオイラー角θとψとの関係をシミュレーションにより求めた。この場合も、電極指間溝の深さＧ及び電極指の膜厚Ｈは、それぞれＧ＝０．０４λ、Ｈ＝０．０２λとした。その結果、オイラー角ψは、上述したオイラー角θの範囲でその増加と共に三次曲線を描くように増加した。この関係は、次式で近似することができる。
これにより、オイラー角ψは、オイラー角θの下限値θ＝１１７°においてψ＝４２．７９°となり、上限値θ＝１４２°においてψ＝４９．５７°となる。従って、オイラー角ψは、１１７°≦θ≦１４２°の範囲で、４２．７９°≦ψ≦４９．５７°に設定することができる。 Thus, the Euler angle ψ becomes ψ = 42.79 ° when the lower limit value θ = 117 ° of the Euler angle θ, and becomes ψ = 49.57 ° when the upper limit value θ = 142 °. Therefore, the Euler angle ψ can be set to 42.79 ° ≦ ψ ≦ 49.57 ° within a range of 117 ° ≦ θ ≦ 142 °.
このように水晶基板２のオイラー角を設定することによって、本実施形態のＳＡＷ共振子１は、２次温度係数βの絶対値が０．０１（ｐｐｍ／℃２）以下の優れた周波数温度特性を実現することができる。
By setting the Euler angle of the
本実施形態のＳＡＷ共振子１について、以下の条件で周波数温度特性をシミュレーションした。
−本実施形態のＳＡＷ共振子１の基本データ
Ｈ：０．０２λ
Ｇ：変化
ＩＤＴライン占有率η：０．６
反射器ライン占有率ηr：０．８
オイラー角：（０°，１２３°，４３．５°）
ＩＤＴ対数：１２０
電極指交差幅：４０λ（λ＝１０μｍ）
反射器本数（片側あたり）：６０
電極指の傾斜角度：なし
For the
-Basic data H of the
G: Change IDT line occupancy η: 0.6
Reflector line occupancy ηr: 0.8
Euler angles: (0 °, 123 °, 43.5 °)
IDT logarithm: 120
Electrode finger crossing width: 40λ (λ = 10 μm)
Number of reflectors (per one side): 60
Electrode finger tilt angle: None
このシミュレーション結果を図３に示す。同図から分かるように、周波数温度特性は動作温度範囲（−４０〜＋８５℃）において略３次曲線を示しており、周波数変動幅を２０ｐｐｍ以内という極めて小さな変動量に抑圧することできた。 The simulation result is shown in FIG. As can be seen from the figure, the frequency-temperature characteristic shows a substantially cubic curve in the operating temperature range (−40 to + 85 ° C.), and the frequency fluctuation range can be suppressed to an extremely small fluctuation amount of 20 ppm or less.
図３の周波数温度特性を示すＳＡＷ共振子１について、周波数、等価回路定数、及び静特性をまとめると、以下の表１になる。
ＳＡＷ共振子１は、ＩＤＴ３のストップバンド上端の周波数ｆt2と、反射器４のストップバンド下端の周波数ｆr1及びストップバンド上端の周波数ｆr2とが、ｆr1＜ｆt2＜ｆr2の関係を満たすように設定するのが好ましい。図４は、周波数に関するＩＤＴ３及び反射器４のＳＡＷ反射特性を示している。同図のように、周波数ｆt2を周波数ｆr1と周波数ｆr2との間に設定すると、周波数ｆt2において反射器４の反射係数がＩＤＴ３の反射係数よりも大きくなる。その結果、ＩＤＴ３から励振されたストップバンド上端モードのＳＡＷは、反射器４からＩＤＴ３側により高い反射係数で反射されることになる。従って、ＳＡＷの振動エネルギーを効率良く閉じ込めることができ、低損失なＳＡＷ共振子１を実現できる。
The
また、ＳＡＷ共振子１のＱ値について、電極指６ａ、６ｂの高さ即ち膜厚Ｈと電極指間溝８の深さＧとにより形成される段差の大きさ（Ｇ＋Ｈ）との関係をシミュレーションにより検証した。比較のため、電極指間に溝を設けずかつストップバンド上端モードの共振を用いる従来のＳＡＷ共振子について、以下の条件でＱ値と電極指の高さ即ち膜厚との関係をシミュレーションした。
In addition, regarding the Q value of the
−従来のＳＡＷ共振子の基本データ
Ｈ：変化
Ｇ：ゼロ（無し）
ＩＤＴライン占有率η：０．４
反射器ライン占有率ηr：０．３
オイラー角（０°，１２３°，４３．５°）
ＩＤＴ対数：１２０
電極指交差幅：４０λ（λ＝１０μｍ）
反射器本数（片側あたり）：６０
電極指の傾斜角度：なし
-Basic data H of conventional SAW resonator H: Change G: Zero (none)
IDT line occupancy η: 0.4
Reflector line occupancy ηr: 0.3
Euler angles (0 °, 123 °, 43.5 °)
IDT logarithm: 120
Electrode finger crossing width: 40λ (λ = 10 μm)
Number of reflectors (per one side): 60
Electrode finger tilt angle: None
このシミュレーション結果を図５に示す。同図において、太線は本実施形態のＳＡＷ共振子１を、細線は従来のＳＡＷ共振子を示している。同図から分かるように、本実施形態のＳＡＷ共振子１は、段差（Ｇ＋Ｈ）が０．０４０７λ（４．０７％λ）以上の領域において、従来のＳＡＷ共振子よりも高いＱ値を得ることができる。
The simulation result is shown in FIG. In the figure, a thick line indicates the
ところが、上述したように電極指間溝を設けたＩＤＴ構造のＳＡＷ共振子は、電極指間溝を設けないＩＤＴ構造のＳＡＷ共振子に比して、電気機械結合係数ｋ２が劣化する虞がある。図１のＳＡＷ共振子１は、図６（Ａ）に示すように隣り合う電極指６ａ，６ｂ間に発生する電界Ｅが、ＩＤＴ３に印加する電圧をＶとしたとき、Ｅ＝Ｖ／（２Ｇ＋Ｓ）で表される。これに対し、図６（Ｂ）に示すように、電極指間溝を設けないＩＤＴ構造のＳＡＷ共振子１'の場合、隣り合う電極指６ａ'，６ｂ'間に発生する電界Ｅ'は、Ｅ'＝Ｖ／Ｓで表される。電界Ｅは、ＩＤＴに同じ電圧Ｖを印加したとき、隣り合う電極指６ａ，６ｂ間の距離が電極指間溝８の深さＧの２倍分長くなるので、それだけ電界Ｅ'よりも小さくなる。
However, as described above, the SAW resonator having the IDT structure provided with the inter-electrode finger groove may deteriorate the electromechanical coupling coefficient k 2 as compared with the IDT structure SAW resonator not provided with the inter-electrode finger groove. is there. As shown in FIG. 6A, the
電極指間に発生する電界が小さくなると、印加した電気エネルギーから表面波エネルギーへの変換効率、即ち電気機械結合係数ｋ２が劣化する。電気機械結合係数ｋ２は、容量比γ、等価直列抵抗（ＣＩ値）との間に次の関係がある。
ｋ２ ∝ １／γ ∝ １／ＣＩ
電気機械結合係数ｋ２の劣化は、ＳＡＷ共振子の容量比γとＣＩ値とを上昇させるから、これを電圧制御型ＳＡＷ発振器（ＶＣＳＯ）に適用した場合には、周波数の可変幅が狭くなったり、安定しかつ優れた発振性を得られなくなるような虞がある。
When an electric field generated between the electrode fingers decreases, the applied conversion efficiency from electrical energy to the surface wave energy, that is, the electromechanical coupling coefficient k 2 deteriorates. Electromechanical coupling coefficient k 2, the capacitance ratio gamma, the following relationship between the equivalent series resistance (CI value).
k 2 ∝ 1 / γ ∝ 1 / CI
Degradation of the electromechanical coupling coefficient k 2, since increasing the capacitance ratio γ and the CI value of the SAW resonator, if this is applied to a voltage controlled SAW oscillator (VCSO), variable width of frequency narrows There is a risk that stable and excellent oscillation characteristics cannot be obtained.
従って、電極指間溝を設けたＩＤＴ構造のＳＡＷデバイスにおいて、動作温度範囲で優れた周波数温度特性を維持しつつ、発振器に使用した場合に安定しかつ優れた発振性を発揮し得るように、電気機械結合係数ｋ２を改善することが望ましい。特にＶＣＳＯ等の発振器として実用的な使用条件を考えると、例えば−４０〜８５℃の温度範囲で、周波数変動量Δｆを２０ｐｐｍ以下に抑制しつつ、０．０５２％以上の電気機械結合係数ｋ２を実現することが望ましい。 Therefore, in an SAW device with an IDT structure provided with an inter-electrode finger groove, while maintaining excellent frequency temperature characteristics in the operating temperature range, when used in an oscillator, it can exhibit stable and excellent oscillation characteristics. it is desirable to improve the electromechanical coupling coefficient k 2. Considering practical use conditions as an oscillator such as VCSO in particular, an electromechanical coupling coefficient k 2 of 0.052% or more while suppressing the frequency fluctuation amount Δf to 20 ppm or less in a temperature range of −40 to 85 ° C., for example. It is desirable to realize.
そこで、本願発明者らは、図１に示す本実施形態のＳＡＷ共振子１について、電極指間溝８の深さＧ、ＩＤＴ３の電極膜厚Ｈ及びライン占有率η、水晶基板２のオイラー角をパラメーターとして、電気機械結合係数ｋ２との関係を検証した。その結果、水晶基板２のオイラー角、電極指間溝の深さＧ、及びＩＤＴの電極膜厚Ｈを適当に設定することによって、優れた周波数温度特性と電気機械結合係数ｋ２の向上とを同時に実現できることを見出した。
Therefore, the inventors of the present invention, with respect to the
更に、発振器の実用的な使用条件として、上述した周波数変動量Δｆ≦２０ｐｐｍ、及び電気機械結合係数ｋ２≧０．０５２％を目標値に設定して、検証を進めた。特に、本実施形態のＳＡＷ共振子１について、水晶基板２のオイラー角φ及びθをそれぞれ周波数温度特性に優れたφ＝０°，θ＝１２３°に固定して、前記各パラメーターと電気機械結合係数ｋ２との関係を検証した。その結果、電極指間溝の深さＧ及びＩＤＴの電極膜厚Ｈに加えて、オイラー角ψ及びＩＤＴのライン占有率ηを適当に設定することによって、前記目標値を達成し得ることを見出した。本願発明者らは、これらの知見に基づいて本発明を想到したものである。
Further, as practical use conditions of the oscillator, the above-described frequency fluctuation amount Δf ≦ 20 ppm and the electromechanical coupling coefficient k 2 ≧ 0.052% were set as target values, and the verification was advanced. In particular, with respect to the
本発明のＳＡＷデバイスは、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１２２°≦θ≦１２６°，ψ）の水晶基板と、
該水晶基板の主面に設けられた複数の電極指からなり、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するＩＤＴと、
該ＩＤＴの隣り合う電極指間の水晶基板の表面に凹設した複数の電極指間溝とを有し、
電極指間溝の深さＧ及び電極指の膜厚Ｈが、ＳＡＷの波長をλとしたとき、１％≦Ｇ／λ≦４％、及び１％≦Ｈ／λ≦４％の関係をそれぞれ満足することを特徴とする。
The SAW device of the present invention comprises a quartz substrate with Euler angles (−1.5 ° ≦ φ ≦ 1.5 °, 122 ° ≦ θ ≦ 126 °, ψ),
An IDT comprising a plurality of electrode fingers provided on the principal surface of the quartz substrate and exciting a surface acoustic wave in a stop band upper end mode;
A plurality of inter-electrode finger grooves recessed in the surface of the quartz substrate between adjacent electrode fingers of the IDT;
When the SAW wavelength is λ, the inter-electrode finger groove depth G and the electrode finger film thickness H are 1% ≦ G / λ ≦ 4% and 1% ≦ H / λ ≦ 4%, respectively. It is characterized by satisfaction.
このように、使用する水晶基板のオイラー角、ＩＤＴの電極指間溝の深さＧ及び電極指の膜厚Ｈを設定することによって、使用温度範囲において優れた周波数温度特性を維持しつつ、電気機械結合係数を従来よりも向上させ、容量比及びＣＩ値を抑制して、発振安定性に優れたＳＡＷデバイスを実現することができる。更に、このＳＡＷデバイスを適用することによって、ＶＣＳＯの周波数可変幅を従来より広げることができる。 In this way, by setting the Euler angle of the quartz substrate to be used, the depth G of the interelectrode finger groove of the IDT, and the film thickness H of the electrode finger, while maintaining excellent frequency temperature characteristics in the operating temperature range, It is possible to realize a SAW device having an excellent oscillation stability by improving the mechanical coupling coefficient as compared with the prior art and suppressing the capacitance ratio and the CI value. Furthermore, by applying this SAW device, the frequency variable width of the VCSO can be expanded as compared with the conventional case.
或る実施例では、ＩＤＴのライン占有率ηを、動作温度範囲内で電気機械結合係数が０．０５２％以上となるように決定することができ、それによって実用的に容量比及びＣＩ値を低く抑制できるので、より優れた発振安定性が得られる。 In some embodiments, the line occupancy η of the IDT can be determined such that the electromechanical coupling factor is 0.052% or more within the operating temperature range, thereby practically reducing the capacitance ratio and CI value. Since it can be suppressed low, more excellent oscillation stability can be obtained.
更に或る実施例では、ＩＤＴのライン占有率ηが、該ライン占有率η（％）を縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標において、
電極指膜厚Ｈが１．０〜１．５％λのとき、各点（１．０，０．７５７）、（２．０，０．７０３）、（３．０，０．６７９）、（４．０，０．６５０）、（４．０，０．６４２）、（３．０，０．６５９）、（２．０，０．６８６）、（１．０，０．７５４）、（１．０，０．７５７）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
電極指膜厚Ｈが１．５〜２．０％λのとき、各点（１．０，０．７４９）、（２．０，０．６９０）、（３．０，０．６７６）、（４．０，０．６５０）、（４．０，０．６３７）、（３．０，０．６５７）、（２．０，０．６８４）、（１．０，０．７４８）、（１．０，０．７４９）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
電極指膜厚Ｈが２．０〜２．５％λのとき、各点（１．０，０．７３２）、（２．０，０．６９１）、（３．０，０．６７０）、（４．０，０．６４１）、（４．０，０．６２９）、（３．０，０．６５１）、（２．０，０．６８０）、（１．０，０．７３０）、（１．０，０．７３２）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
電極指膜厚Ｈが２．５〜３．０％λのとき、各点（１．０，０．７３２）、（２．０，０．６６９）、（３．０，０．６５８）、（３．０，０．６４２）、（２．０，０．６６７）、（１．０，０．７１０）、（１．０，０．７３２）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
電極指膜厚Ｈが３．０〜３．５％λのとき、各点（１．０，０．６９２）、（２．０，０．６６９）、（３．０，０．６４０）、（３．０，０．６２９）、（２．０，０．６５５）、（１．０，０．６９０）、（１．０，０．６９２）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
電極指膜厚Ｈが３．５〜４．０％λのとき、各点（１．０，０．６７９）、（２．０，０．６６３）、（３．０，０．６２０）、（３．０，０．６１５）、（２．０，０．６４２）、（１．０，０．６７２）、（１．０，０．６７９）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、かつ、
水晶基板のオイラー角ψが、該オイラー角ψ（°）を縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標において、
電極指膜厚Ｈが１．０〜１．５％λのとき、各点（１．０，４３．６３）、（２．０，４３．６８）、（３．０，４３．７２）、（４．０，４３．７８）、（４．０，４３．７１）、（３．０，４３．６７）、（２．０，４３．６６）、（１．０，４３．６２）、（１．０，４３．６３）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
電極指膜厚Ｈが１．５〜２．０％λのとき、各点（１．０，４３．５８）、（２．０，４３．６２）、（３．０，４３．６９）、（４．０，４３．７８）、（４．０，４３．７２）、（３．０，４３．６４）、（２．０，４３．６０）、（１．０，４３．５７）、（１．０，４３．５８）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
電極指膜厚Ｈが２．０〜２．５％λのとき、各点（１．０，４３．５６）、（２．０，４３．６０）、（３．０，４３．６８）、（４．０，４３．７８）、（４．０，４３．７６）、（３．０，４３．６４）、（２．０，４３．５７）、（１．０，４３．５４）、（１．０，４３．５６）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
電極指膜厚Ｈが２．５〜３．０％λのとき、各点（１．０，４３．５０）、（２．０，４３．５８）、（３．０，４３．６８）、（３．０，４３．６６）、（２．０，４３．５５）、（１．０，４３．４９）、（１．０，４３．５０）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
電極指膜厚Ｈが３．０〜３．５％λのとき、各点（１．０，４３．４９）、（２．０，４３．５８）、（３．０，４３．７０）、（３．０，４３．６９）、（２．０，４３．５４）、（１．０，４３．４５）、（１．０，４３．４９）を結ぶ多角形で表される範囲内にあり、
電極指膜厚Ｈが３．５〜４．０％λのとき、各点（１．０，４３．４２）、（２．０，４３．５５）、（３．０，４３．７３）、（３．０，４３．７２）、（２．０，４３．５５）、（１．０，４３．４２）、（１．０，４３．４９）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあることを特徴とする。
Furthermore, in one embodiment, the line occupancy η of the IDT is in an orthogonal coordinate with the line occupancy η (%) as the vertical axis and the electrode finger groove depth G (% λ) as the horizontal axis.
When the electrode finger film thickness H is 1.0 to 1.5% λ, each point (1.0, 0.757), (2.0, 0.703), (3.0, 0.679), (4.0, 0.650), (4.0, 0.642), (3.0, 0.659), (2.0, 0.686), (1.0, 0.754), (1.0, 0.757) within the range enclosed by the polygon,
When the electrode finger film thickness H is 1.5 to 2.0% λ, each point (1.0, 0.749), (2.0, 0.690), (3.0, 0.676), (4.0, 0.650), (4.0, 0.637), (3.0, 0.657), (2.0, 0.684), (1.0, 0.748), (1.0, 0.749) is within the range surrounded by the polygon connecting,
When the electrode finger film thickness H is 2.0 to 2.5% λ, each point (1.0, 0.732), (2.0, 0.691), (3.0, 0.670), (4.0, 0.641), (4.0, 0.629), (3.0, 0.651), (2.0, 0.680), (1.0, 0.730), (1.0, 0.732) is within the range enclosed by the polygon,
When the electrode finger film thickness H is 2.5 to 3.0% λ, each point (1.0, 0.732), (2.0, 0.669), (3.0, 0.658), It is within the range surrounded by the polygon connecting (3.0, 0.642), (2.0, 0.667), (1.0, 0.710), (1.0, 0.732) ,
When the electrode finger film thickness H is 3.0 to 3.5% λ, each point (1.0, 0.692), (2.0, 0.669), (3.0, 0.640), It is within the range surrounded by the polygon connecting (3.0, 0.629), (2.0, 0.655), (1.0, 0.690), (1.0, 0.692) ,
When the electrode finger film thickness H is 3.5 to 4.0% λ, each point (1.0, 0.679), (2.0, 0.663), (3.0, 0.620), It is within the range surrounded by the polygon connecting (3.0, 0.615), (2.0, 0.642), (1.0, 0.672), (1.0, 0.679) ,And,
The Euler angle ψ of the quartz substrate is an orthogonal coordinate having the Euler angle ψ (°) as the vertical axis and the electrode finger groove depth G (% λ) as the horizontal axis.
When the electrode finger film thickness H is 1.0 to 1.5% λ, each point (1.0, 43.63), (2.0, 43.68), (3.0, 43.72), (4.0, 43.78), (4.0, 43.71), (3.0, 43.67), (2.0, 43.66), (1.0, 43.62), (1.0, 43.63) is within the range enclosed by the polygon,
When the electrode finger film thickness H is 1.5 to 2.0% λ, each point (1.0, 43.58), (2.0, 43.62), (3.0, 43.69), (4.0, 43.78), (4.0, 43.72), (3.0, 43.64), (2.0, 43.60), (1.0, 43.57), (1.0, 43.58) is within a range surrounded by a polygon connecting,
When the electrode finger film thickness H is 2.0 to 2.5% λ, each point (1.0, 43.56), (2.0, 43.60), (3.0, 43.68), (4.0, 43.78), (4.0, 43.76), (3.0, 43.64), (2.0, 43.57), (1.0, 43.54), (1.0, 43.56) is within the range surrounded by the polygon connecting,
When the electrode finger film thickness H is 2.5 to 3.0% λ, each point (1.0, 43.50), (2.0, 43.58), (3.0, 43.68), It is within the range surrounded by the polygon connecting (3.0, 43.66), (2.0, 43.55), (1.0, 43.49), (1.0, 43.50) ,
When the electrode finger film thickness H is 3.0 to 3.5% λ, each point (1.0, 43.49), (2.0, 43.58), (3.0, 43.70), Within the range represented by the polygon connecting (3.0, 43.69), (2.0, 43.54), (1.0, 43.45), (1.0, 43.49) Yes,
When the electrode finger film thickness H is 3.5 to 4.0% λ, each point (1.0, 43.42), (2.0, 43.55), (3.0, 43.73), It is within the range surrounded by the polygon connecting (3.0, 43.72), (2.0, 43.55), (1.0, 43.42), (1.0, 43.49). It is characterized by that.
このようにＩＤＴのライン占有率ηと水晶基板のオイラー角ψとを特定することによって、周波数変動量Δｆ≦２０ｐｐｍ、及び電気機械結合係数ｋ２≧０．０５２％を達成することができ、実用的に容量比及びＣＩ値を十分に抑制し、優れた発振安定性を発揮し得るＳＡＷデバイスが得られる。 Thus, by specifying the IDT line occupancy η and the Euler angle ψ of the quartz substrate, the frequency variation Δf ≦ 20 ppm and the electromechanical coupling coefficient k 2 ≧ 0.052% can be achieved. Thus, a SAW device capable of sufficiently suppressing the capacitance ratio and the CI value and exhibiting excellent oscillation stability can be obtained.
別の実施例では、ＩＤＴのライン占有率ηが、
また別の実施例では、電極指間溝の深さＧと電極指の膜厚Ｈとの和が、０．０４０７λ≦Ｇ＋Ｈを満足することが好ましい。これにより、ストップバンド上端モードの共振を用いる本発明は、ＩＤＴの電極指間に溝を設けずにストップバンド下端モードの共振を用いる従来のＳＡＷ共振子よりも高いＱ値が得られる。 In another embodiment, it is preferable that the sum of the inter-electrode finger groove depth G and the electrode finger film thickness H satisfies 0.0407λ ≦ G + H. Thereby, the present invention using the resonance in the stop band upper end mode can obtain a higher Q value than the conventional SAW resonator using the resonance in the stop band lower end mode without providing a groove between the electrode fingers of the IDT.
更に別の実施例では、電極指及び導体ストリップに直交する第１の方向と水晶基板の電機軸とのなす角度が水晶基板のオイラー角ψであり、ＩＤＴ及び反射器の少なくとも一部が、第１の方向と角度δをもって交差する第２の方向に配置され、角度δが水晶基板のパワーフロー角±１°の範囲内であることにより、更にＱ値の向上を図ることができる。
In still another embodiment, the angle formed between the first direction orthogonal to the electrode fingers and the conductor strip and the electric axis of the quartz substrate is the Euler angle ψ of the quartz substrate, and at least a part of the IDT and the reflector is The Q value can be further improved by arranging in the second direction that intersects the
また、別の実施例では、ＩＤＴを駆動するための発振回路を更に有することにより、広い動作温度範囲で周波数変動量が極めて小さく、ＣＩ値が低く、かつ発振安定性に優れたＳＡＷ発振器を得ることができる。 In another embodiment, by further including an oscillation circuit for driving the IDT, a SAW oscillator having an extremely small frequency variation, a low CI value and excellent oscillation stability in a wide operating temperature range is obtained. be able to.
以下に、添付図面を参照しつつ、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。尚、添付図面において、同一又は類似の構成要素には同一又は類似の参照符号を付して示す。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the accompanying drawings, the same or similar components are denoted by the same or similar reference numerals.
本発明によるＳＡＷ共振子の第１実施例は、その基本的な構成が図１に示すＳＡＷ共振子１と同一であるので、同図を用いて説明する。即ち、第１実施例のＳＡＷ共振子１は、矩形の水晶基板２と、該水晶基板の主面にそれぞれ形成したＩＤＴ３と１対の反射器４，４とを有する。水晶基板２は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１２２°≦θ≦１２６°，ψ）の水晶基板を使用する。
Since the basic configuration of the first embodiment of the SAW resonator according to the present invention is the same as that of the
ＩＤＴ３は、それぞれ複数の電極指６ａ、６ｂからなり、かつそれらの基端部をバスバー７ａ，７ｂで接続した１対の櫛歯状電極３ａ，３ｂを有する。各電極指６ａ、６ｂは、その延長方向が前記ＩＤＴにより励振されるＳＡＷの伝搬方向と直交する向きに配置されている。一方の櫛歯状電極３ａの電極指６ａと他方の櫛歯状電極３ｂの電極指６ｂとは、交互にかつ所定の間隔を開けて一定のピッチで配列されている。電極指６ａ、６ｂ間に露出する水晶基板２の表面には、該表面をエッチング等で削除することによって、それぞれ一定深さの電極指間溝８が凹設されている。
The
１対の反射器４，４は、ＳＡＷの伝搬方向に沿ってＩＤＴ３の外側に該ＩＤＴを両側から挟むように配置されている。各反射器４は、それぞれＳＡＷの伝搬方向に一定のピッチで配列された複数の導体ストリップ（電極指）４ａ，４ａを有する。前記各導体ストリップは、その延長方向がＳＡＷの伝搬方向と直交する向きに配置されている。導体ストリップ４ａ，４ａ間に露出する水晶基板２の表面には、該表面をエッチング等で削除することにより一定深さの導体ストリップ間溝９が凹設されている。
The pair of
前記電極指及び導体ストリップは、例えばＡｌやＡｌを主体とする合金を用いた金属膜で同じ膜厚Ｈに形成される。前記電極指間溝及び導体ストリップ間溝は、同じ深さＧに形成される。各反射器４，４の最も内側の前記導体ストリップとそれに隣り合うＩＤＴ３の最も外側の電極指６ａ（又は６ｂ）との間も、同様に水晶基板表面を削除して、前記電極指間溝と同じ深さの溝が凹設されている。
The electrode fingers and the conductor strips are formed with the same film thickness H, for example, using a metal film made of Al or an alloy mainly composed of Al. The electrode finger grooves and the conductor strip grooves are formed at the same depth G. Similarly, between the innermost conductor strip of each of the
このように構成することによって、ＳＡＷ共振子１は、水晶基板２のＸ´軸方向及びＹ´軸方向の両方に振動変位成分を有するＲａｙｌｅｉｇｈ型（レイリー型）のＳＡＷを励起する。上述したオイラー角の水晶基板２を用いることによって、ＳＡＷの伝播方向が水晶の結晶軸であるＸ軸からずれているので、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励起することができる。
By configuring in this way, the
本実施例では、電極指間溝８の深さＧ及び電極指６ａ、６ｂの膜厚Ｈが、ＩＤＴ３により励振されるＳＡＷの波長をλとしたとき、次の関係式
１％≦Ｇ／λ≦４％、かつ、１％≦Ｈ／λ≦４％ …（４）
をそれぞれ満足するように設定する。このＨ／λの設定範囲内で、Ｇ／λをその設定範囲内で変化させ、本実施例のＳＡＷ共振子１の電気機械結合係数をシュミュレーションにより算出した。尚、本実施例において、水晶基板２のオイラー角φ，θはφ＝０°，θ＝１２３°に固定した。
In this embodiment, when the depth G of the
Are set to satisfy each. Within this setting range of H / λ, G / λ was changed within the setting range, and the electromechanical coupling coefficient of the
図７は、電極指膜厚をＨ／λ＝１％〜４％の範囲で０．５％毎に７つの膜厚条件を設定し、各膜厚条件について電極指間溝の深さをＧ／λ＝１％〜４％の範囲で１．０％毎に変化させて、電気機械結合係数ｋ２をシミュレーションにより算出した結果を示している。同図から分かるように、全ての前記膜厚条件において、電気機械結合係数ｋ２は、Ｇ／λの設定範囲内で上向き凸の曲線で表される。 In FIG. 7, seven film thickness conditions are set for every 0.5% of the electrode finger film thickness in the range of H / λ = 1% to 4%, and the depth of the inter-electrode finger groove G is set for each film thickness condition. / λ = 1% ~4% of varied for each 1.0% range, shows the result of calculating the electromechanical coupling coefficient k 2 by simulation. As can be seen from the figure, in all of the film thickness conditions, the electromechanical coupling coefficient k 2 is represented by the curve of the convex upward within the setting range of G / lambda.
これは、上述した条件式（４）を満足する場合に、電気機械結合係数ｋ２が、Ｇ／λの設定範囲内で極大値を有すること、及び、該極大値の前後に電気機械結合係数ｋ２の高い範囲が存在することを示している。特に、ＶＣＳＯ等の発振器として適用した場合に、実用的に安定した発振性を発揮することから好ましいとされる、０．０５２％以上の電気機械結合係数ｋ２を実現し得ることが分かる。 This is because, when the above-described conditional expression (4) is satisfied, the electromechanical coupling coefficient k 2 has a maximum value within the set range of G / λ, and the electromechanical coupling coefficient before and after the maximum value. It shows that the range of high k 2 is present. In particular, when applied as an oscillator for VCSO such, practically are preferred to exhibit stable oscillation properties, it can be seen that can realize the electromechanical coupling coefficient k 2 of more than 0.052%.
図８は、上述した条件式（４）を満足する場合における、ＩＤＴ３のライン占有率ηに関する電気機械結合係数ｋ２の変化を示している。同図から分かるように、実用的に好ましい０．０５２％以上の高い電気機械結合係数ｋ２の範囲が存在し、その範囲では、電気機械結合係数ｋ２は、概ね上向き凸の緩やかな曲線で表されている。
8, in the case of satisfying the above-mentioned conditional expression (4) shows the change in electromechanical coupling coefficient k 2 relates η line occupying ratio of the
次に、上述した条件式（４）を満足する本実施例のＳＡＷ共振子１について、動作温度範囲を−４０℃〜＋８５℃に設定し、周波数温度特性をシミュレーションにより算出した。その結果を図９−１（Ａ）、（Ｂ）及び図９−２（Ｃ）、（Ｄ）に示す。図９−１（Ａ）は、電極指間溝の深さをＧ／λ＝１％とした場合に、電極指膜厚をＨ／λ＝１％〜４％の範囲で０．５％毎に変化させた７つの膜厚条件について、周波数偏差（周波数変動量）ΔＦをシミュレーションにより算出した結果を示している。図９−１（Ｂ）及び図９−２（Ｃ）、（Ｄ）は、それぞれ電極指間溝の深さをＧ／λ＝２％、３％、４％に設定した場合に、図９−１（Ａ）の同様に、Ｈ／λの７つの膜厚条件について周波数偏差（周波数変動量）ΔＦをシミュレーションにより算出した結果を示している。これら測定結果から分かるように、いずれの場合も、周波数変動量ΔＦは２０ｐｐｍの小さい範囲内に抑制され、本実施例のＳＡＷ共振子１が優れた周波数温度特性を維持している。
Next, for the
そこで、ＶＣＳＯ等の発振器として適用した場合に実用的に好ましい使用条件として、電気機械結合係数ｋ２≧０．０５２％、かつ周波数変動量ΔＦ≦２０ｐｐｍを設定した。本実施例のＳＡＷ共振子１について、この使用条件を満足するような水晶基板２のオイラー角ψと、ＩＤＴ３のライン占有率の範囲を評価した。
Therefore, as a practically preferable use condition when applied as an oscillator such as a VCSO, an electromechanical coupling coefficient k 2 ≧ 0.052% and a frequency variation ΔF ≦ 20 ppm are set. For the
先ず、Ｈ／λ＝１．０％、１．５％の場合に、Ｇ／λ及び角度ψがｋ２＝０．０５２％かつΔＦ＝２０ｐｐｍとなる電極指間溝８の深さ（Ｇ／λ（％））とオイラー角ψ（°）、ＩＤＴのライン占有率η（％）とを算出した。この計算結果は、次の表２の通りである。
図１０（Ａ）は、オイラー角ψ（°）を縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標に表２の各点をそれぞれプロットしたものである。図１０（Ａ）の直交座標系においてプロットした各点（１．０，４３．６３）、（２．０，４３．６８）、（３．０，４３．７２）、（４．０，４３．７８）、（４．０，４３．７１）、（３．０，４３．６７）、（２．０，４３．６６）、（１．０，４３．６２）、（１．０，４３．６３）を順に結ぶ多角形で囲まれる範囲が、前記使用条件のｋ２≧０．０５２％かつΔＦ≦２０ｐｐｍを満足する。 FIG. 10A is a plot of each point in Table 2 on orthogonal coordinates with the Euler angle ψ (°) as the vertical axis and the inter-electrode finger groove depth G (% λ) as the horizontal axis. Each point (1.0, 43.63), (2.0, 43.68), (3.0, 43.72), (4.0, 43) plotted in the orthogonal coordinate system of FIG. .78), (4.0, 43.71), (3.0, 43.67), (2.0, 43.66), (1.0, 43.62), (1.0, 43 .63) in the order of polygons connecting in order satisfies the above-mentioned use conditions of k 2 ≧ 0.052% and ΔF ≦ 20 ppm.
図１０（Ｂ）は、ライン占有率η（％）を縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標に表２の各点をそれぞれプロットしたものである。図１０（Ｂ）の直交座標系においてプロットした各点（１．０，０．７５７）、（２．０，０．７０３）、（３．０，０．６７９）、（４．０，０．６５０）、（４．０，０．６４２）、（３．０，０．６５９）、（２．０，０．６８６）、（１．０，０．７５４）、（１．０，０．７５７）を順に結ぶ多角形で囲まれる範囲が、前記使用条件を満足する。従って、本実施例のＳＡＷ共振子１は、電極指膜厚Ｈ／λ＝１．０〜１．５％の場合に、図１０（Ａ）及び（Ｂ）にそれぞれ示す多角形で画定される範囲内にオイラー角ψ及びＩＤＴのライン占有率ηを設定することによって、常に前記使用条件のｋ２≧０．０５２％かつΔＦ≦２０ｐｐｍを満足する。
FIG. 10B is a plot of each point in Table 2 on orthogonal coordinates with the line occupancy η (%) as the vertical axis and the inter-electrode finger groove depth G (% λ) as the horizontal axis. . Each point (1.0, 0.757), (2.0, 0.703), (3.0, 0.679), (4.0, 0) plotted in the orthogonal coordinate system of FIG. .650), (4.0, 0.642), (3.0, 0.659), (2.0, 0.686), (1.0, 0.754), (1.0, 0 .757) in the order of the polygons connected in order satisfies the use condition. Accordingly, the
次に、Ｈ／λ＝１．５％、２．０％の場合に、Ｇ／λ及び角度ψがｋ２＝０．０５２％かつΔＦ＝２０ｐｐｍとなる電極指間溝８の深さ（Ｇ／λ（％））とオイラー角ψ（°）、ＩＤＴのライン占有率η（％）とを算出した。この計算結果は、次の表３の通りである。
図１１（Ａ）は、同様にオイラー角ψ（°）を縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標に表３の各点をそれぞれプロットしたものである。図１１（Ａ）の直交座標系においてプロットした各点（１．０，４３．５８）、（２．０，４３．６２）、（３．０，４３．６９）、（４．０，４３．７８）、（４．０，４３．７２）、（３．０，４３．６４）、（２．０，４３．６０）、（１．０，４３．５７）、（１．０，４３．５８）を順に結ぶ多角形で囲まれる範囲が、前記使用条件のｋ２≧０．０５２％かつΔＦ≦２０ｐｐｍを満足する。 FIG. 11A is a graph in which each point of Table 3 is plotted on orthogonal coordinates with the Euler angle ψ (°) as the vertical axis and the inter-electrode finger groove depth G (% λ) as the horizontal axis. is there. Each point (1.0, 43.58), (2.0, 43.62), (3.0, 43.69), (4.0, 43) plotted in the orthogonal coordinate system of FIG. .78), (4.0, 43.72), (3.0, 43.64), (2.0, 43.60), (1.0, 43.57), (1.0, 43 .58) in the order of the polygons connecting in order satisfies k 2 ≧ 0.052% and ΔF ≦ 20 ppm of the use conditions.
図１１（Ｂ）は、ライン占有率η（％）を縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標に表３の各点をそれぞれプロットしたものである。図１１（Ｂ）の直交座標系においてプロットした各点（１．０，０．７４９）、（２．０，０．６９０）、（３．０，０．６７６）、（４．０，０．６５０）、（４．０，０．６３７）、（３．０，０．６５７）、（２．０，０．６８４）、（１．０，０．７４８）、（１．０，０．７４９）を順に結ぶ多角形で囲まれる範囲が、前記使用条件を満足する。従って、本実施例のＳＡＷ共振子１は、電極指膜厚Ｈ／λ＝１．５〜２．０％の場合に、図１１（Ａ）及び（Ｂ）にそれぞれ示す多角形で画定される範囲内にオイラー角ψ及びＩＤＴのライン占有率ηを設定することによって、常に前記使用条件のｋ２≧０．０５２％かつΔＦ≦２０ｐｐｍを満足する。
FIG. 11B is a plot of each point in Table 3 on orthogonal coordinates with the line occupancy η (%) as the vertical axis and the inter-electrode finger groove depth G (% λ) as the horizontal axis. . Each point (1.0, 0.749), (2.0, 0.690), (3.0, 0.676), (4.0, 0) plotted in the orthogonal coordinate system of FIG. .650), (4.0, 0.637), (3.0, 0.657), (2.0, 0.684), (1.0, 0.748), (1.0, 0 .749) in the order of the polygons connecting in order satisfies the use conditions. Therefore, the
Ｈ／λ＝２．０％、２．５％の場合に、Ｇ／λ及び角度ψがｋ２＝０．０５２％かつΔＦ＝２０ｐｐｍとなる電極指間溝８の深さ（Ｇ／λ（％））とオイラー角ψ（°）、ＩＤＴのライン占有率η（％）とを算出した。この計算結果は、次の表４の通りである。
図１２（Ａ）は、同様にオイラー角ψ（°）を縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標に表４の各点をそれぞれプロットしたものである。図１２（Ａ）の直交座標系においてプロットした各点（１．０，４３．５６）、（２．０，４３．６０）、（３．０，４３．６８）、（４．０，４３．７８）、（４．０，４３．７６）、（３．０，４３．６４）、（２．０，４３．５７）、（１．０，４３．５４）、（１．０，４３．５６）を順に結ぶ多角形で囲まれる範囲が、前記使用条件のｋ２≧０．０５２％かつΔＦ≦２０ｐｐｍを満足する。 Similarly, FIG. 12A plots the points in Table 4 on orthogonal coordinates with the Euler angle ψ (°) as the vertical axis and the inter-electrode finger groove depth G (% λ) as the horizontal axis. is there. Each point (1.0, 43.56), (2.0, 43.60), (3.0, 43.68), (4.0, 43) plotted in the orthogonal coordinate system of FIG. .78), (4.0, 43.76), (3.0, 43.64), (2.0, 43.57), (1.0, 43.54), (1.0, 43 .56) in the order of polygons connecting in order satisfies the above-mentioned use conditions of k 2 ≧ 0.052% and ΔF ≦ 20 ppm.
図１２（Ｂ）は、ライン占有率η（％）を縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標に表４の各点をそれぞれプロットしたものである。図１２（Ｂ）の直交座標系においてプロットした各点（１．０，０．７３２）、（２．０，０．６９１）、（３．０，０．６７０）、（４．０，０．６４１）、（４．０，０．６２９）、（３．０，０．６５１）、（２．０，０．６８０）、（１．０，０．７３０）、（１．０，０．７３２）を順に結ぶ多角形で囲まれる範囲が、前記使用条件を満足する。従って、本実施例のＳＡＷ共振子１は、電極指膜厚Ｈ／λ＝２．０〜２．５％の場合に、図１２（Ａ）及び（Ｂ）にそれぞれ示す多角形で画定される範囲内にオイラー角ψ及びＩＤＴのライン占有率ηを設定することによって、常に前記使用条件のｋ２≧０．０５２％かつΔＦ≦２０ｐｐｍを満足する。
FIG. 12B is a plot of each point in Table 4 on orthogonal coordinates with the line occupancy η (%) on the vertical axis and the inter-electrode finger groove depth G (% λ) on the horizontal axis. . Each point (1.0, 0.732), (2.0, 0.691), (3.0, 0.670), (4.0, 0) plotted in the orthogonal coordinate system of FIG. .641), (4.0, 0.629), (3.0, 0.651), (2.0, 0.680), (1.0, 0.730), (1.0, 0 .732) in the order of the polygons connected in order satisfies the use condition. Therefore, the
Ｈ／λ＝２．５％、３．０％の場合に、Ｇ／λ及び角度ψがｋ２＝０．０５２％かつΔＦ＝２０ｐｐｍとなる電極指間溝８の深さ（Ｇ／λ（％））とオイラー角ψ（°）、ＩＤＴのライン占有率η（％）とを算出した。この計算結果は、次の表５の通りである。
図１３（Ａ）は、同様にオイラー角ψ（°）を縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標に表５の各点をそれぞれプロットしたものである。図１３（Ａ）の直交座標系においてプロットした各点（１．０，４３．５０）、（２．０，４３．５８）、（３．０，４３．６８）、（３．０，４３．６６）、（２．０，４３．５５）、（１．０，４３．４９）、（１．０，４３．５０）を順に結ぶ多角形で囲まれる範囲が、前記使用条件のｋ２≧０．０５２％かつΔＦ≦２０ｐｐｍを満足する。 FIG. 13A is a graph in which each point in Table 5 is plotted on orthogonal coordinates with the Euler angle ψ (°) as the vertical axis and the inter-electrode finger groove depth G (% λ) as the horizontal axis. is there. Each point (1.0, 43.50), (2.0, 43.58), (3.0, 43.68), (3.0, 43) plotted in the orthogonal coordinate system of FIG. .66), (2.0, 43.55), (1.0, 43.49), and (1.0, 43.50), the range surrounded by the polygon in order is k 2 of the use condition. ≧ 0.052% and ΔF ≦ 20 ppm are satisfied.
図１３（Ｂ）は、ライン占有率η（％）を縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標に表５の各点をそれぞれプロットしたものである。図１３（Ｂ）の直交座標系においてプロットした各点（１．０，０．７３２）、（２．０，０．６６９）、（３．０，０．６５８）、（３．０，０．６４２）、（２．０，０．６６７）、（１．０，０．７１０）、（１．０，０．７３２）を順に結ぶ多角形で囲まれる範囲が、前記使用条件を満足する。従って、本実施例のＳＡＷ共振子１は、電極指膜厚Ｈ／λ＝２．５〜３．０％の場合に、図１３（Ａ）及び（Ｂ）にそれぞれ示す多角形で画定される範囲内にオイラー角ψ及びＩＤＴのライン占有率ηを設定することによって、常に前記使用条件のｋ２≧０．０５２％かつΔＦ≦２０ｐｐｍを満足する。
FIG. 13B is a plot of each point in Table 5 on orthogonal coordinates with the line occupancy η (%) on the vertical axis and the inter-electrode finger groove depth G (% λ) on the horizontal axis. . Each point (1.0, 0.732), (2.0, 0.669), (3.0, 0.658), (3.0, 0) plotted in the orthogonal coordinate system of FIG. .642), (2.0, 0.667), (1.0, 0.710), and (1.0, 0.732) in a range enclosed by a polygon satisfy the use conditions. . Therefore, the
Ｈ／λ＝３．０％、３．５％の場合に、Ｇ／λ及び角度ψがｋ２＝０．０５２％かつΔＦ＝２０ｐｐｍとなる電極指間溝８の深さ（Ｇ／λ（％））とオイラー角ψ（°）、ＩＤＴのライン占有率η（％）とを算出した。この計算結果は、次の表６の通りである。
図１４（Ａ）は、同様にオイラー角ψ（°）を縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標に表６の各点をそれぞれプロットしたものである。図１４（Ａ）の直交座標系においてプロットした各点（１．０，４３．４９）、（２．０，４３．５８）、（３．０，４３．７０）、（３．０，４３．６９）、（２．０，４３．５４）、（１．０，４３．４５）、（１．０，４３．４９）を順に結ぶ多角形で囲まれる範囲は、前記使用条件のｋ２≧０．０５２％かつΔＦ≦２０ｐｐｍを満足する。 FIG. 14A is a graph in which the points in Table 6 are plotted on orthogonal coordinates with the Euler angle ψ (°) as the vertical axis and the inter-electrode finger groove depth G (% λ) as the horizontal axis. is there. Each point (1.0, 43.49), (2.0, 43.58), (3.0, 43.70), (3.0, 43) plotted in the orthogonal coordinate system of FIG. .69), (2.0,43.54), (1.0,43.45), area surrounded by a polygon connecting sequentially the (1.0,43.49) is of the use conditions k 2 ≧ 0.052% and ΔF ≦ 20 ppm are satisfied.
図１４（Ｂ）は、ライン占有率η（％）を縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標に表６の各点をそれぞれプロットしたものである。図１４（Ｂ）の直交座標系においてプロットした各点（１．０，０．６９２）、（２．０，０．６６９）、（３．０，０．６４０）、（３．０，０．６２９）、（２．０，０．６５５）、（１．０，０．６９０）、（１．０，０．６９２）を順に結ぶ多角形で囲まれる範囲は、前記使用条件を満足する。従って、本実施例のＳＡＷ共振子１は、電極指膜厚Ｈ／λ＝３．０〜３．５％の場合に、図１４（Ａ）及び（Ｂ）にそれぞれ示す多角形で画定される範囲内にオイラー角ψ及びＩＤＴのライン占有率ηを設定することによって、常に前記使用条件のｋ２≧０．０５２％かつΔＦ≦２０ｐｐｍを満足する。
FIG. 14B is a plot of each point in Table 6 on orthogonal coordinates with the line occupancy η (%) on the vertical axis and the inter-electrode finger groove depth G (% λ) on the horizontal axis. . Each point (1.0, 0.692), (2.0, 0.669), (3.0, 0.640), (3.0, 0) plotted in the orthogonal coordinate system of FIG. .629), (2.0, 0.655), (1.0, 0.690), and a range surrounded by a polygon connecting (1.0, 0.692) in order, satisfies the use condition. . Therefore, the
更に、Ｈ／λ＝３．５％、４．０％の場合に、Ｇ／λ及び角度ψがｋ２＝０．０５２％かつΔＦ＝２０ｐｐｍとなる電極指間溝８の深さ（Ｇ／λ（％））とオイラー角ψ（°）、ＩＤＴのライン占有率η（％）とを算出した。この計算結果は、次の表７の通りである。
図１５（Ａ）は、同様にオイラー角ψ（°）を縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標に表７の各点をそれぞれプロットしたものである。図１５（Ａ）の直交座標系においてプロットした各点（１．０，４３．４２）、（２．０，４３．５５）、（３．０，４３．７２）、（３．０，４３．７３）、（２．０，４３．５９）、（１．０，４３．４９）、（１．０，４３．４２）を順に結ぶ多角形で囲まれる範囲は、前記使用条件のｋ２≧０．０５２％かつΔＦ≦２０ｐｐｍを満足する。 FIG. 15A is a graph in which each point in Table 7 is plotted on orthogonal coordinates with the Euler angle ψ (°) as the vertical axis and the inter-electrode finger groove depth G (% λ) as the horizontal axis. is there. Each point (1.0, 43.42), (2.0, 43.55), (3.0, 43.72), (3.0, 43) plotted in the orthogonal coordinate system of FIG. .73), (2.0,43.59), (1.0,43.49), area surrounded by a polygon connecting sequentially the (1.0,43.42) is of the use conditions k 2 ≧ 0.052% and ΔF ≦ 20 ppm are satisfied.
図１５（Ｂ）は、ライン占有率η（％）を縦軸、電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標に表７の各点をそれぞれプロットしたものである。図１５（Ｂ）の直交座標系においてプロットした各点（１．０，０．６７９）、（２．０，０．６６３）、（３．０，０．６２０）、（３．０，０．６１５）、（２．０，０．６４２）、（１．０，０．６７２）、（１．０，０．６７９）を順に結ぶ多角形で囲まれる範囲は、前記使用条件を満足する。従って、本実施例のＳＡＷ共振子１は、電極指膜厚Ｈ／λ＝３．５〜４．０％の場合に、図１５（Ａ）及び（Ｂ）にそれぞれ示す多角形で画定される範囲内にオイラー角ψ及びＩＤＴのライン占有率ηを設定することによって、常に前記使用条件のｋ２≧０．０５２％かつΔＦ≦２０ｐｐｍを満足する。
FIG. 15B is a graph in which each point in Table 7 is plotted on orthogonal coordinates with the line occupancy η (%) as the vertical axis and the inter-electrode finger groove depth G (% λ) as the horizontal axis. . Each point (1.0, 0.679), (2.0, 0.663), (3.0, 0.620), (3.0, 0) plotted in the orthogonal coordinate system of FIG. .615), (2.0, 0.642), (1.0, 0.672), and (1.0, 0.679) in a range surrounded by a polygon satisfying the use condition. . Accordingly, the
このように、オイラー角φ＝０°，θ＝１２３°及び条件式（４）の範囲において、ＩＤＴのライン占有率ηと水晶基板のオイラー角ψとを特定することによって、周波数変動量ΔＦ≦２０ｐｐｍ、及び電気機械結合係数ｋ２≧０．０５２％の使用条件を達成することができる。従って、発振器に適用した場合でも、実用的に容量比及びＣＩ値を十分に抑制し、優れた発振安定性を発揮し得るＳＡＷデバイスが得られる。特にＶＣＳＯに使用した場合には、周波数可変幅を従来よりも広げることができる。 As described above, by specifying the line occupancy η of the IDT and the Euler angle ψ of the quartz substrate within the range of the Euler angles φ = 0 °, θ = 123 ° and the conditional expression (4), the frequency variation ΔF ≦ Use conditions of 20 ppm and an electromechanical coupling coefficient k 2 ≧ 0.052% can be achieved. Therefore, even when applied to an oscillator, it is possible to obtain a SAW device that can sufficiently suppress the capacitance ratio and the CI value and exhibit excellent oscillation stability. In particular, when used in a VCSO, the frequency variable width can be expanded as compared with the conventional case.
本実施例のＳＡＷ共振子についても、本実施形態のＳＡＷ共振子と同様に、ＩＤＴ３のライン占有率ηが更に、
更に本願発明者は、電極指膜厚Ｈ、電極指間溝の深さＧ、及びオイラー角θをパラメーターとして、周波数変動量が少ない三次曲線の優れた周波数温度特性と、周波数変動量ΔF≦２０ｐｐｍかつ電気機械結合係数ｋ2≧０．０５２％の使用条件とを実現し得るＩＤＴライン占有率ηとオイラー角ψ、その場合に得られるｋ2値及びΔF値をシミュレーションにより算出した。その計算結果を次の表８に示す。 Furthermore, the inventor of the present application uses the electrode finger film thickness H, the electrode finger groove depth G, and the Euler angle θ as parameters, and has excellent frequency temperature characteristics of a cubic curve with a small amount of frequency variation and a frequency variation amount ΔF ≦ 20 ppm. The IDT line occupancy η and the Euler angle ψ that can realize the use condition of the electromechanical coupling coefficient k 2 ≧ 0.052%, and the k 2 value and ΔF value obtained in that case were calculated by simulation. The calculation results are shown in Table 8 below.
一般に電気機械結合係数ｋ2は、ＳＡＷエネルギーの閉じ込め効果により略決定される。言い換えれば、ｋ2値は、反射器の反射効率即ち反射器の構造（反射器本数、実効膜厚、導体ストリップ線幅、密度等）によって決定される。従って、水晶基板のカット角、例えばオイラー角θが多少変化しても、ｋ2値はほとんど影響を受けないはずである。 In general, the electromechanical coupling coefficient k 2 is substantially determined by the confinement effect of SAW energy. In other words, the k 2 value is determined by the reflection efficiency of the reflector, that is, the reflector structure (number of reflectors, effective film thickness, conductor strip line width, density, etc.). Therefore, even if the cut angle of the quartz substrate, for example, the Euler angle θ, changes slightly, the k 2 value should be hardly affected.
上記表８では、オイラー角θを、上述したように優れた周波数温度特性が得られる角度範囲内で１２１°、１２２°、１２６°、１２７°に変化させた。同表から、前記角度範囲の境界条件、即ちオイラー角θ＝１２１°（θ＜１２２°を含む）、及びθ＝１２７°（θ＞１２６°を含む）を超えない範囲である１２２°≦θ≦１２６°の角度範囲において、全ての場合に、周波数変動量ΔF≦２０ｐｐｍかつ電気機械結合係数ｋ2≧０．０５２％であることが分かる。これにより、オイラー角θの変化がｋ2値及びΔF値に及ぼす影響は小さいことを確認できた。 In Table 8 above, the Euler angle θ was changed to 121 °, 122 °, 126 °, and 127 ° within an angle range in which excellent frequency temperature characteristics were obtained as described above. From the table, the boundary condition of the angle range, that is, Euler angle θ = 121 ° (including θ <122 °) and θ = 127 ° (including θ> 126 °) is not exceeded 122 ° ≦ θ In the angle range of ≦ 126 °, it can be seen that the frequency variation ΔF ≦ 20 ppm and the electromechanical coupling coefficient k 2 ≧ 0.052% in all cases. Accordingly, it was confirmed that the influence of the change of the Euler angle θ on the k 2 value and the ΔF value was small.
更に、上記表８のシミュレーションにおいて、電極指膜厚Ｈ＝１％λ、及び電極指間溝の深さＧ＝２％λに固定し、オイラー角θ（＝１２１°〜１２７°）をパラメーターとして、同様に周波数変動量が少ない三次曲線の優れた周波数温度特性と、周波数変動量ΔF≦２０ｐｐｍかつ電気機械結合係数ｋ2≧０．０５２％の使用条件とを実現し得るＩＤＴライン占有率ηとオイラー角ψ、その場合に得られるｋ2値及びΔF値を算出した。その計算結果を次の表９に示す。 Further, in the simulation of Table 8 above, the electrode finger film thickness H = 1% λ and the electrode finger groove depth G = 2% λ are fixed, and the Euler angle θ (= 121 ° to 127 °) is used as a parameter. Similarly, an IDT line occupancy η capable of realizing an excellent frequency temperature characteristic of a cubic curve with a small amount of frequency fluctuation and a use condition of a frequency fluctuation ΔF ≦ 20 ppm and an electromechanical coupling coefficient k 2 ≧ 0.052% Euler angle ψ, k 2 value and ΔF value obtained in that case were calculated. The calculation results are shown in Table 9 below.
図１６（Ａ）、（Ｂ）は、表９の結果に基づいて、オイラー角θに関する周波数変動量ΔF及び電気機械結合係数ｋ2の変化をそれぞれ示している。同図及び表９から、オイラー角θ１２２°≦θ≦１２６°の範囲において、全ての場合に、ΔF≦２０ｐｐｍかつｋ2≧０．０５２％の使用条件を満足することを確認できた。 FIGS. 16A and 16B show changes in the frequency fluctuation amount ΔF and the electromechanical coupling coefficient k 2 with respect to the Euler angle θ based on the results in Table 9, respectively. From the figure and Table 9, it was confirmed that the use conditions of ΔF ≦ 20 ppm and k 2 ≧ 0.052% were satisfied in all cases in the range of Euler angles θ122 ° ≦ θ ≦ 126 °.
また、一般に反射器の反射効率を決定する要因の一つが、反射器の密度である。本実施例のＳＡＷ共振子のように反射器が導体ストリップ間溝を有する構造の場合、反射器の密度は、導体ストリップ間溝により形成される段差即ち実効膜厚を構成する水晶部分の厚さ（Ｇ）と導体ストリップ（電極指）の膜厚（Ｈ）との比率が大きく影響する。本実施例では、電極材料のアルミニウムと水晶との比重の差が小さいので、実効膜厚の比率が変化しても、反射効率への影響は少ないと考えられる。表９は、電気機械結合係数ｋ2が実効膜厚（Ｇ：Ｈ）の比率によって変動していないことから、この考えが正しいことをも示している。 In general, one of the factors determining the reflection efficiency of the reflector is the density of the reflector. In the case where the reflector has a groove between conductor strips as in the SAW resonator of the present embodiment, the density of the reflector is determined by the step formed by the groove between conductor strips, that is, the thickness of the crystal portion constituting the effective film thickness. The ratio between (G) and the film thickness (H) of the conductor strip (electrode finger) is greatly affected. In this example, the difference in specific gravity between the electrode material aluminum and quartz is small, so even if the ratio of the effective film thickness changes, it is considered that the influence on the reflection efficiency is small. Table 9 also shows that this idea is correct because the electromechanical coupling coefficient k 2 does not vary with the effective film thickness (G: H) ratio.
このように、本発明のＳＡＷデバイスは、電極指膜厚Ｈ、電極指間溝の深さＧ、及びオイラー角θが、１％≦Ｇ／λ≦４％、１％≦Ｈ／λ≦４％、及び１２２°≦θ≦１２６°をそれぞれ満足するように設定することによって、ＩＤＴライン占有率η以外の諸条件の影響をほとんど受けることなく、ｋ2値を飛躍的に改善できることが裏付けられた。更に、オイラー角φが−１．５°≦φ≦＋１．５°の範囲内にあれば、周波数変動量ΔF≦２０ｐｐｍ、及び電気機械結合係数ｋ2≧０．０５２％を満足し得ることも確認された。 Thus, in the SAW device of the present invention, the electrode finger film thickness H, the electrode finger groove depth G, and the Euler angle θ are 1% ≦ G / λ ≦ 4%, 1% ≦ H / λ ≦ 4. % And 122 ° ≦ θ ≦ 126 ° are satisfied, so that it is possible to dramatically improve the k 2 value without being affected by various conditions other than the IDT line occupation ratio η. It was. Further, if the Euler angle φ is in the range of −1.5 ° ≦ φ ≦ + 1.5 °, the frequency fluctuation amount ΔF ≦ 20 ppm and the electromechanical coupling coefficient k 2 ≧ 0.052% may be satisfied. confirmed.
本実施例のＳＡＷ共振子は更に、同じく本実施形態のＳＡＷ共振子と同様に、電極指間溝８の深さＧと電極指６ａ，６ｂの膜厚Ｈとの和が、０．０４０７λ≦Ｇ＋Ｈを満足するように設定することが好ましい。これにより、ストップバンド上端モードの共振を用いる本実施例では、ＩＤＴの電極指間に溝を設けずにストップバンド下端モードの共振を用いる従来のＳＡＷ共振子よりも高いＱ値が得られる。
Further, in the SAW resonator of the present example, similarly to the SAW resonator of the present embodiment, the sum of the depth G of the
図１７（Ａ）、（Ｂ）は、傾斜型ＩＤＴを有する本発明によるＳＡＷ共振子の第２実施例をそれぞれ示している。図１７（Ａ）のＳＡＷ共振子２１１は、第１実施例と同様にオイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１２２°≦θ≦１２６°，４３．４９°≦｜ψ｜≦４３．７８°）で表される水晶基板２２１の主面に、傾斜型ＩＤＴ２３１と１対の反射器２４１，２４１とを有する。水晶基板２２１は、その長手方向が、ＩＤＴ２３１により励振されるＳＡＷの位相速度の伝搬方向であるＸ’軸に対してエネルギーの伝搬方向であるパワーフロー角（ＰＦＡ）δ°だけ傾けた向きに沿って配向されている。 FIGS. 17A and 17B show a second embodiment of the SAW resonator according to the present invention having a tilted IDT, respectively. SAW resonator 21 1 in FIG. 17 (A) similarly to the first embodiment Euler angles (-1.5 ° ≦ φ ≦ 1.5 ° , 122 ° ≦ θ ≦ 126 °, 43.49 ° ≦ | An inclined IDT 23 1 and a pair of reflectors 24 1 and 24 1 are provided on the main surface of the quartz substrate 22 1 represented by ψ | ≦ 43.78 °. Quartz substrate 22 1 has its longitudinal direction, inclined by the power flow angle (PFA) δ ° is the direction of propagation of energy to the X 'axis is the propagation direction of the phase velocity of the SAW excited by the IDT 23 1 orientation Is oriented along.
ＩＤＴ２３１は、それぞれ複数の電極指２５ａ１，２５ｂ１からなりかつそれらの基端部をバスバー２６ａ１，２６ｂ１で接続した１対の櫛歯状電極２３ａ１，２３ｂ１を有する。１対の反射器２４１，２４１は、ＳＡＷの伝搬方向に沿ってＩＤＴ２３１の両側に該ＩＤＴを挟むように配置され、それぞれＳＡＷの伝搬方向に配列された複数の導体ストリップ２４ａ１，２４ａ１を有する。電極指２５ａ１、２５ｂ１及び導体ストリップ２４ａ１は、その延長方向がパワーフロー角（ＰＦＡ）δ°だけ傾いたＸ’軸に直交する向きに配置されている。
The IDT 23 1 includes a pair of comb-like electrodes 23a 1 and 23b 1 each composed of a plurality of electrode fingers 25a 1 and 25b 1 and having their base ends connected by bus bars 26a 1 and 26b 1 .
水晶基板２２１の電極指２５ａ１、２５ｂ１間に露出する表面には、第１実施例と同様に電極指間溝が凹設されている。導体ストリップ２４ａ１，２４ａ１間の水晶基板２２１の表面にも、同様に導体ストリップ間溝が凹設されている。 The surface exposed between the quartz crystal substrate 22 first electrode fingers 25a 1, 25b 1, the inter-electrode-finger groove as in the first embodiment are recessed. Also quartz substrate 22 first surface between conductor strips 24a 1, 24a 1, likewise between the conductive strip grooves are recessed.
このようにＩＤＴ及び反射器の少なくとも一部が、Ｘ’軸方向とパワーフロー角δをもって交差する方向に配置されることによって、ＳＡＷデバイス２１１は第１実施例と同様の作用効果を奏すると共に、Ｑ値を更に高めることができる。これにより、より低損失なＳＡＷ共振子が実現される。 Thus the IDT and the reflectors of at least a part, by being arranged in a direction intersecting with a X 'axis direction and the power flow angle [delta], with the SAW device 21 1 the same effects as the first embodiment The Q value can be further increased. As a result, a SAW resonator with lower loss is realized.
図１７（Ｂ）のＳＡＷ共振子２１２は、図１７（Ａ）とは異なる構成の傾斜型ＩＤＴ２３２と１対の反射器２４２，２４２とを水晶基板２２２の主面に有する。水晶基板２２２は、その長手方向が、ＩＤＴ２３２により励振されるＳＡＷの位相速度の伝搬方向であるＸ’軸に沿って配向されている。
SAW resonator 21 2 shown in FIG. 17 (B) has the main surface of the quartz crystal substrate 22 2 and
ＩＤＴ２３２は、それぞれ複数の電極指２５ａ２，２５ｂ２からなりかつそれらの基端部をバスバー２６ａ２，２６ｂ２で接続した１対の櫛歯状電極２３ａ２，２３ｂ２を有する。１対の反射器２４２，２４２は、ＳＡＷの伝搬方向に沿ってＩＤＴ２３２の両側に該ＩＤＴを挟むように配置され、それぞれＳＡＷの伝搬方向に配列された複数の導体ストリップ２４ａ２，２４ａ２を有する。電極指２５ａ２、２５ｂ２及び導体ストリップ２４ａ２は、その延長方向がＸ’軸に直交する向きに配置されると共に、バスバー２６ａ２，２６ｂ２が、Ｘ’軸からパワーフロー角（ＰＦＡ）δ°だけ傾けた向きに配向されている。
IDT 23 2 has a plurality of
水晶基板２２２の電極指２５ａ２、２５ｂ２間に露出する表面には、第１実施例と同様に電極指間溝が凹設されている。導体ストリップ２４ａ２，２４ａ２間の水晶基板２２２の表面にも、同様に導体ストリップ間溝が凹設されている。
The surface exposed to the quartz crystal substrate 22 and second electrode fingers 25a 2, 25b between 2, the inter-electrode-finger groove as in the first embodiment are recessed. Also quartz substrate 22 second surface between the
本実施例のＳＡＷ共振子２１２も、このようにＩＤＴ及び反射器の少なくとも一部が、Ｘ’軸方向とパワーフロー角δをもって交差する方向に配置されることによって、良好な周波数温度特性及び高いＱ値を実現する作用効果を奏すると共に、Ｑ値を更に高めることができる。これにより、より低損失なＳＡＷ共振子が実現される。 SAW resonator 21 2 of the present embodiment also, thus the IDT and the reflectors of at least a part, by being arranged in a direction intersecting with a X 'axis direction and the power flow angle [delta], and good frequency temperature characteristic While exhibiting the effect of realizing a high Q value, the Q value can be further increased. As a result, a SAW resonator with lower loss is realized.
図１８（Ａ）、（Ｂ）は、本発明によるＳＡＷ発振器の構成を示している。本実施例のＳＡＷ発振器３１は、本発明によるＳＡＷ共振子３２と、該ＳＡＷ共振子を駆動制御するＩＣ（integrated circuit）３３と、これらを収容するパッケージ３４とを備える。ＳＡＷ共振子３２及びＩＣ３３は、パッケージ３４の底板３４ａ上に表面実装されている。
18A and 18B show the configuration of the SAW oscillator according to the present invention. The
ＳＡＷ共振子３２は、第１実施例のＳＡＷ共振子１１と同様の構成を有し、第１実施例と同じオイラー角で表示される水晶基板３５と、その表面に形成された１対の櫛歯状電極３６ａ，３６ｂからなるＩＤＴと１対の反射器３７，３７とを有する。ＩＣ３３の上面には、電極パッド３８ａ〜３８ｆが設けられている。パッケージ３４の底板３４ａ上には、電極パターン３９ａ〜３９ｇが形成されている。ＳＡＷ共振子３２の櫛歯状電極３６ａ，３６ｂ及びＩＣ３３の電極パッド３８ａ〜３８ｆは、それぞれボンディングワイヤ４０，４１により対応する電極パターン３９ａ〜３９ｇと電気的に接続されている。このようにＳＡＷ共振子３２及びＩＣ３３を搭載したパッケージ３４は、その上部に接合されたリッド４２により気密に封止されている。
The
本実施例のＳＡＷ発振器３１は、本発明のＳＡＷ共振子を備えることによって、広い動作温度範囲で周波数変動量が極めて小さい優れた周波数温度特性を有すると共に、電気機械結合係数を従来よりも向上させ、容量比及びＣＩ値を抑制するので、安定した発振動作が可能であり、更に低インピーダンス化による消費電力の低減を実現することができる。その結果、近年の情報通信の高速化に基づく高周波化及び高精度化の要求に対応し、低温から高温まで温度が大きく変動するような環境下でも長期に安定して動作する優れた耐環境特性を備えたＳＡＷ発振器が得られる。
By providing the SAW resonator of the present invention, the
本発明は、上記実施例に限定されるものでなく、その技術的範囲内で様々な変形又は変更を加えて実施することができる。例えば、本発明は、上述したＳＡＷ共振子、ＳＡＷ発振器以外のＳＡＷデバイスにも適用することができる。また、第１実施例のＳＡＷ共振子は、ＩＤＴの両側に反射器を有する構成としたが、本発明は、反射器を有しない構成のＳＡＷデバイスについても同様に適用することができる。ＩＤＴの電極構造についても、上記実施例以外に、公知の様々な構成を採用することができる。 The present invention is not limited to the above embodiments, and can be implemented with various modifications or changes within the technical scope thereof. For example, the present invention can also be applied to SAW devices other than the above-described SAW resonator and SAW oscillator. In addition, the SAW resonator of the first embodiment has a configuration having reflectors on both sides of the IDT, but the present invention can be similarly applied to a SAW device having a configuration having no reflector. Regarding the electrode structure of the IDT, various known configurations can be adopted in addition to the above-described embodiments.
更に、本発明のＳＡＷデバイスは、例えば携帯電話、ハードディスク、パーソナルコンピューター、ＢＳ及びＣＳ放送用の受信チューナー、同軸ケーブルや光ケーブル中を伝搬する高周波信号や光信号用の各種処理装置、広い温度範囲で高周波・高精度クロック（低ジッタ、低伍相雑音）を必要とするサーバー・ネットワーク機器、無線通信用機器等の様々な電子機器、各種モジュール装置や、圧力センサー、加速度センサー、回転速度センサー等の各種センサー装置にも広く適用することができる。 Further, the SAW device of the present invention includes, for example, a mobile phone, a hard disk, a personal computer, a reception tuner for BS and CS broadcasting, various processing devices for high-frequency signals and optical signals propagating in coaxial cables and optical cables, and a wide temperature range. Various electronic devices such as server / network equipment and wireless communication equipment that require high frequency and high precision clocks (low jitter and low phase noise), various module devices, pressure sensors, acceleration sensors, rotational speed sensors, etc. It can be widely applied to various sensor devices.
１，２１１，２１２，３２…ＳＡＷ共振子、２，２２１，２２２，３５…水晶基板、３，２３１，２３２…ＩＤＴ、３ａ，３ｂ，２３ａ１，２３ｂ１，２３ａ２，２３ｂ２，３６ａ，３６ｂ…櫛歯状電極、４，２４１，２４２，３７…反射器、４ａ，４ａ，２４ａ１，２４ａ２…導体ストリップ、５…ウエーハ、５ａ…面、６ａ，６ｂ，２５ａ１，２５ｂ１，２５ａ２，２５ｂ２…電極指、７ａ，７ｂ，２６ａ１，２６ｂ１，２６ａ２，２６ｂ２…バスバー、８…電極指間溝、９…導体ストリップ間溝、３１…ＳＡＷ発振器、３３…ＩＣ、３４…パッケージ、３４ａ…底板、３８ａ〜３８ｆ…電極パッド、３９ａ〜３９ｇ…電極パターン、４０，４１…ボンディングワイヤ、４２…リッド。
1, 21 1, 21 2, 32 ...
Claims (7)
前記水晶基板の主面に設けられた複数の電極指からなり、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するＩＤＴと、
前記ＩＤＴの隣接する前記電極指間の前記水晶基板の表面に凹設した複数の電極指間溝とを有し、
前記電極指間溝の深さＧ及び前記電極指の膜厚Ｈが、前記弾性表面波の波長をλとしたとき、１％≦Ｇ／λ≦４％、及び１％≦Ｈ／λ≦４％の関係をそれぞれ満足することを特徴とする弾性表面波デバイス。 A quartz substrate with Euler angles (−1.5 ° ≦ φ ≦ 1.5 °, θ = 123 °, ψ),
An IDT comprising a plurality of electrode fingers provided on the principal surface of the quartz substrate and exciting a surface acoustic wave in a stop band upper end mode;
A plurality of inter-electrode finger grooves recessed in the surface of the quartz substrate between the electrode fingers adjacent to the IDT;
The depth G between the electrode fingers and the thickness H of the electrode fingers are 1% ≦ G / λ ≦ 4% and 1% ≦ H / λ ≦ 4, where λ is the wavelength of the surface acoustic wave. % Surface acoustic wave device satisfying each of the following relationships:
前記電極指膜厚Ｈが１．０〜１．５％λのとき、各点（１．０，０．７５７）、（２．０，０．７０３）、（３．０，０．６７９）、（４．０，０．６５０）、（４．０，０．６４２）、（３．０，０．６５９）、（２．０，０．６８６）、（１．０，０．７５４）、（１．０，０．７５７）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指膜厚Ｈが１．５〜２．０％λのとき、各点（１．０，０．７４９）、（２．０，０．６９０）、（３．０，０．６７６）、（４．０，０．６５０）、（４．０，０．６３７）、（３．０，０．６５７）、（２．０，０．６８４）、（１．０，０．７４８）、（１．０，０．７４９）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指膜厚Ｈが２．０〜２．５％λのとき、各点（１．０，０．７３２）、（２．０，０．６９１）、（３．０，０．６７０）、（４．０，０．６４１）、（４．０，０．６２９）、（３．０，０．６５１）、（２．０，０．６８０）、（１．０，０．７３０）、（１．０，０．７３２）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指膜厚Ｈが２．５〜３．０％λのとき、各点（１．０，０．７３２）、（２．０，０．６６９）、（３．０，０．６５８）、（３．０，０．６４２）、（２．０，０．６６７）、（１．０，０．７１０）、（１．０，０．７３２）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指膜厚Ｈが３．０〜３．５％λのとき、各点（１．０，０．６９２）、（２．０，０．６６９）、（３．０，０．６４０）、（３．０，０．６２９）、（２．０，０．６５５）、（１．０，０．６９０）、（１．０，０．６９２）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指膜厚Ｈが３．５〜４．０％λのとき、各点（１．０，０．６７９）、（２．０，０．６６３）、（３．０，０．６２０）、（３．０，０．６１５）、（２．０，０．６４２）、（１．０，０．６７２）、（１．０，０．６７９）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、かつ、
前記水晶基板のオイラー角ψが、該オイラー角ψ（°）を縦軸、前記電極指間溝の深さＧ（％λ）を横軸とした直交座標において、
前記電極指膜厚Ｈが１．０〜１．５％λのとき、各点（１．０，４３．６３）、（２．０，４３．６８）、（３．０，４３．７２）、（４．０，４３．７８）、（４．０，４３．７１）、（３．０，４３．６７）、（２．０，４３．６６）、（１．０，４３．６２）、（１．０，４３．６３）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指膜厚Ｈが１．５〜２．０％λのとき、各点（１．０，４３．５８）、（２．０，４３．６２）、（３．０，４３．６９）、（４．０，４３．７８）、（４．０，４３．７２）、（３．０，４３．６４）、（２．０，４３．６０）、（１．０，４３．５７）、（１．０，４３．５８）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指膜厚Ｈが２．０〜２．５％λのとき、各点（１．０，４３．５６）、（２．０，４３．６０）、（３．０，４３．６８）、（４．０，４３．７８）、（４．０，４３．７６）、（３．０，４３．６４）、（２．０，４３．５７）、（１．０，４３．５４）、（１．０，４３．５６）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指膜厚Ｈが２．５〜３．０％λのとき、各点（１．０，４３．５０）、（２．０，４３．５８）、（３．０，４３．６８）、（３．０，４３．６６）、（２．０，４３．５５）、（１．０，４３．４９）、（１．０，４３．５０）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあり、
前記電極指膜厚Ｈが３．０〜３．５％λのとき、各点（１．０，４３．４９）、（２．０，４３．５８）、（３．０，４３．７０）、（３．０，４３．６９）、（２．０，４３．５４）、（１．０，４３．４５）、（１．０，４３．４９）を結ぶ多角形で表される範囲内にあり、
前記電極指膜厚Ｈが３．５〜４．０％λのとき、各点（１．０，４３．４２）、（２．０，４３．５５）、（３．０，４３．７２）、（３．０，４３．７３）、（２．０，４３．５９）、（１．０，４３．４９）、（１．０，４３．４２）を結ぶ多角形で囲まれる範囲内にあることを特徴とする請求項１又は２記載の弾性表面波デバイス。 The line occupancy η of the IDT is an orthogonal coordinate having the line occupancy η (%) as a vertical axis and the electrode finger groove depth G (% λ) as a horizontal axis.
When the electrode finger film thickness H is 1.0 to 1.5% λ, each point (1.0, 0.757), (2.0, 0.703), (3.0, 0.679) , (4.0, 0.650), (4.0, 0.642), (3.0, 0.659), (2.0, 0.686), (1.0, 0.754) , (1.0, 0.757) within a range surrounded by a polygon,
When the electrode finger film thickness H is 1.5 to 2.0% λ, each point (1.0, 0.749), (2.0, 0.690), (3.0, 0.676) , (4.0, 0.650), (4.0, 0.637), (3.0, 0.657), (2.0, 0.684), (1.0, 0.748) , (1.0, 0.749) within a range surrounded by a polygon,
When the electrode finger film thickness H is 2.0 to 2.5% λ, each point (1.0, 0.732), (2.0, 0.691), (3.0, 0.670) , (4.0, 0.641), (4.0, 0.629), (3.0, 0.651), (2.0, 0.680), (1.0, 0.730) , (1.0, 0.732) within the range surrounded by the polygon,
When the electrode finger film thickness H is 2.5 to 3.0% λ, each point (1.0, 0.732), (2.0, 0.669), (3.0, 0.658) , (3.0, 0.642), (2.0, 0.667), (1.0, 0.710), (1.0, 0.732) Yes,
When the electrode finger film thickness H is 3.0 to 3.5% λ, each point (1.0, 0.692), (2.0, 0.669), (3.0, 0.640) , (3.0, 0.629), (2.0, 0.655), (1.0, 0.690), (1.0, 0.692). Yes,
When the electrode finger film thickness H is 3.5 to 4.0% λ, each point (1.0, 0.679), (2.0, 0.663), (3.0, 0.620) , (3.0, 0.615), (2.0, 0.642), (1.0, 0.672), (1.0, 0.679). Yes, and
The Euler angle ψ of the quartz substrate is an orthogonal coordinate having the Euler angle ψ (°) as the vertical axis and the inter-electrode finger groove depth G (% λ) as the horizontal axis,
When the electrode finger film thickness H is 1.0 to 1.5% λ, each point (1.0, 43.63), (2.0, 43.68), (3.0, 43.72) , (4.0, 43.78), (4.0, 43.71), (3.0, 43.67), (2.0, 43.66), (1.0, 43.62) , (1.0, 43.63) is within the range surrounded by the polygon,
When the electrode finger film thickness H is 1.5 to 2.0% λ, each point (1.0, 43.58), (2.0, 43.62), (3.0, 43.69) , (4.0, 43.78), (4.0, 43.72), (3.0, 43.64), (2.0, 43.60), (1.0, 43.57) , (1.0, 43.58) are within the range enclosed by the polygon,
When the electrode finger film thickness H is 2.0 to 2.5% λ, each point (1.0, 43.56), (2.0, 43.60), (3.0, 43.68) , (4.0, 43.78), (4.0, 43.76), (3.0, 43.64), (2.0, 43.57), (1.0, 43.54) , (1.0, 43.56) within a range surrounded by a polygon connecting,
When the electrode finger film thickness H is 2.5 to 3.0% λ, each point (1.0, 43.50), (2.0, 43.58), (3.0, 43.68) , (3.0, 43.66), (2.0, 43.55), (1.0, 43.49), (1.0, 43.50). Yes,
When the electrode finger film thickness H is 3.0 to 3.5% λ, each point (1.0, 43.49), (2.0, 43.58), (3.0, 43.70) , (3.0, 43.69), (2.0, 43.54), (1.0, 43.45), within a range represented by a polygon connecting (1.0, 43.49) And
When the electrode finger film thickness H is 3.5 to 4.0% λ, each point (1.0, 43.42), (2.0, 43.55), (3.0, 43.72) , (3.0, 43.73), (2.0, 43.59), (1.0, 43.49), (1.0, 43.42). The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the surface acoustic wave device is provided.
前記ＩＤＴ及び反射器の少なくとも一部が、前記第１の方向と角度δをもって交差する第２の方向に配置され、
前記角度δが前記水晶基板のパワーフロー角±１°の範囲内であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の弾性表面波デバイス。 The angle formed by the first direction perpendicular to the electrode fingers and the conductor strip and the electrical axis of the quartz substrate is the Euler angle ψ.
At least a portion of the IDT and reflector is disposed in a second direction that intersects the first direction at an angle δ;
6. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the angle δ is within a range of a power flow angle ± 1 ° of the quartz substrate.
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