JP2012043869A - Etching gas and etching method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は，基板上のシリコン酸化膜をプラズマによりエッチングするためのエッチングガスと，そのエッチングガスを用いたエッチング方法に関する。 The present invention relates to an etching gas for etching a silicon oxide film on a substrate by plasma and an etching method using the etching gas.
半導体デバイスの製造工程においては、フォトレジスト等の有機膜層をマスクとしてシリコン含有誘電層（例えば、ＳｉＯ２膜、ＳｉＯＣ膜等）をプラズマエッチングし、コンタクトホール等を形成することが知られている。このようなプラズマエッチングに使用される処理ガスとしては、例えば、Ｃ５Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２等の混合ガスを使用することが一般的である。 In a semiconductor device manufacturing process, it is known that a silicon-containing dielectric layer (for example, a SiO 2 film, a SiOC film, etc.) is plasma etched using an organic film layer such as a photoresist as a mask to form a contact hole or the like. . As a processing gas used for such plasma etching, for example, a mixed gas such as C 5 F 8 / Ar / O 2 is generally used.
また、フォトレジストに対して選択的にＳｉＯ２をプラズマエッチングする際の処理ガスとして、少なくとも４の炭素原子及び２より少ないＦ／Ｃ比を有するフルオロカーボンガスと、アルゴン又はキセノンガスと、Ｏ２ガスからなる処理ガスを使用することが提案されている。 Further, as a processing gas when selectively etching SiO 2 with respect to the photoresist, a fluorocarbon gas having at least 4 carbon atoms and an F / C ratio of less than 2, argon or xenon gas, and O 2 gas It has been proposed to use a process gas consisting of:
さらに、高い選択性と高いエッチングレートとを両立させることのできるプラズマエッチング方法として、不飽和型である第１のフルオロカーボンガスと、直鎖飽和型であってＣｍＦ２ｍ＋２（ｍ＝５又は６）で表される第２のフルオロカーボンガスと酸素ガスとを含む処理ガスから前記プラズマを生成することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。 Furthermore, as a plasma etching method capable of achieving both high selectivity and high etching rate, the first fluorocarbon gas that is unsaturated and the linear saturated type that is C m F 2m + 2 (m = 5 or 6 It has been proposed to generate the plasma from a processing gas containing a second fluorocarbon gas and an oxygen gas (see, for example, Patent Document 1).
フォトレジスト等の有機膜層をマスクとして、高アスペクト比のコンタクトホール等を形成する場合、マスクに対するエッチング対象層の高い選択比が必要とされる。微細プロセスで使用されるＡｒＦレジストにおいては、このような要求はマスク層薄膜化のためにより強くなっている上に、プラズマエッチングによるフォトレジスト表面の粗度上昇が重大な問題となっており、その抑制への要求も高まっている。また、このような高い選択比や粗度上昇の抑制を維持しながら、生産性を上げるため、高いエッチングレートを達成することへの要求も高くなっている。 When a contact hole having a high aspect ratio is formed using an organic film layer such as a photoresist as a mask, a high selection ratio of the etching target layer to the mask is required. In an ArF resist used in a fine process, such a requirement is becoming stronger for making the mask layer thinner, and the increase in the roughness of the photoresist surface due to plasma etching is a serious problem. The demand for suppression is also increasing. In addition, in order to increase productivity while maintaining such a high selection ratio and suppression of increase in roughness, there is a high demand for achieving a high etching rate.
一方で、半導体デバイスの製造工程に使用される材料に対しては、近年の環境問題の深刻化から、環境負荷が低いことが要求されている。特にプラズマエッチング工程では、ＧＷＰの大きな飽和型フルオロカーボンガスを使用しないことが、環境負荷の低減になると考えられている。このため、これらの要求を達成させることのできるエッチングガスおよびエッチング方法の開発が求められていた。 On the other hand, materials used in the manufacturing process of semiconductor devices are required to have a low environmental load due to recent serious environmental problems. In particular, in the plasma etching process, it is considered that not using a saturated fluorocarbon gas having a large GWP reduces the environmental load. For this reason, development of the etching gas and the etching method which can achieve these requirements was calculated | required.
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、フォトレジストに対する高い選択性、表面粗度上昇の抑制と、シリコン酸化膜の高いエッチングレートを達成させることのできるエッチングガスおよびそれを用いたエッチング方法を、環境負荷の低い材料により提供することを目的とする。 The present invention has been made in response to the above-described conventional circumstances, and provides an etching gas capable of achieving high selectivity to a photoresist, suppression of an increase in surface roughness, and a high etching rate of a silicon oxide film, and the same. An object of the present invention is to provide an etching method using a material having a low environmental load.
本発明のエッチングガスは、シリコン酸化膜をプラズマによりエッチングするためのエッチングガスであって、少なくとも、一般式（１）で表される不飽和結合を持つフルオロカーボンガスと一般式（２）で表される不飽和結合を持つフルオロカーボンガスとを含んでなる。
一般式（１）：Ｃｘ１Ｈｙ１Ｆｚ１ （ｘ１＝４〜６、ｚ１−ｙ１≦２ｘ１−２）
一般式（２）：Ｃｘ２Ｈｙ２ＯｗＦｚ２ （ｘ２＝５〜７、２（ｘ２−ｗ）−２＜ｚ２−ｙ２≦２ｘ２、ｗ≧０）
The etching gas of the present invention is an etching gas for etching a silicon oxide film with plasma, and is represented by at least a fluorocarbon gas having an unsaturated bond represented by the general formula (1) and the general formula (2). And a fluorocarbon gas having an unsaturated bond.
Formula (1): Cx 1 Hy 1 Fz 1 (x 1 = 4~6, z 1 -y 1 ≦ 2x 1 -2)
Formula (2): Cx 2 Hy 2 OwFz 2 (x 2 = 5~7,2 (x 2 -w) -2 <z 2 -y 2 ≦ 2x 2, w ≧ 0)
本発明のエッチングガスは、前記一般式（２）で表されるガスが、末端ＣＦ３−基を２つ以上含むガスであることが好ましい。
本発明のエッチングガスは、前記一般式（２）で表されるガスが、末端ＣＦ３−基を３つ以上含むガスであることが好ましい。
In the etching gas of the present invention, the gas represented by the general formula (2) is preferably a gas containing two or more terminal CF 3 — groups.
In the etching gas of the present invention, the gas represented by the general formula (2) is preferably a gas containing three or more terminal CF 3 — groups.
本発明のエッチングガスは、前記一般式（２）において、ｘ２＝５〜７、ｚ２−ｙ２＝１０〜１４であることを特徴とする。
本発明のエッチングガスは、前記一般式（２）において、ｘ２＝５又は６、ｚ２−ｙ２＝１０〜１２であることが好ましい。
本発明のエッチングガスは、前記一般式（２）で表されるガスが、Ｃ５Ｆ１０およびＣ６Ｆ１２のいずれかであることが好ましい。
The etching gas of the present invention is characterized in that, in the general formula (2), x 2 = 5 to 7 and z 2 −y 2 = 10 to 14.
Etching gas of the invention, in the general formula (2) is preferably x 2 = 5 or 6, z 2 -y 2 = 10~12 .
Etching gas of the invention, a gas represented by the general formula (2) is preferably either a C 5 F 10 and C 6 F 12.
本発明のエッチングガスは、前記一般式（１）で表されるガスが、ｘ１＝４〜６、ｚ１−ｙ１＝４〜８であることが好ましい。
本発明のエッチングガスは、前記一般式（１）で表されるガスがＣ６Ｆ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ５Ｆ８、Ｃ５ＨＦ７およびＣ４ＨＦ５のいずれかであることが好ましい。
Etching gas of the invention, a gas represented by the general formula (1) is, x 1 = 4 to 6, it is preferred that z 1 -y 1 = 4 to 8.
In the etching gas of the present invention, the gas represented by the general formula (1) is any one of C 6 F 6 , C 4 F 6 , C 5 F 8 , C 5 HF 7 and C 4 HF 5. preferable.
本発明のエッチングガスは、さらに、希ガスを含むことが好ましい。
本発明のエッチングガスは、前記希ガスが、ヘリウムガス、ネオンガス、又はアルゴンガスであることが好ましい。
本発明のエッチングガスは、前記希ガスがアルゴンガスであることがより好ましい。
本発明のエッチングガスは、さらに、酸素ガスを含むことが好ましい。
The etching gas of the present invention preferably further contains a rare gas.
In the etching gas of the present invention, the rare gas is preferably helium gas, neon gas, or argon gas.
In the etching gas of the present invention, the rare gas is more preferably argon gas.
The etching gas of the present invention preferably further contains oxygen gas.
本発明のシリコン酸化膜をプラズマによりエッチングする方法は、本発明のエッチングガスを用いることを特徴とする。 The method of etching a silicon oxide film of the present invention by plasma uses the etching gas of the present invention.
本発明のエッチングガスおよびエッチング方法によれば、シリコン酸化膜をプラズマによりエッチングする際に、高い選択性、表面粗度上昇の抑制と高いエッチングレートを達成させることができる。
また、本発明のフルオロカーボンガスは不飽和結合が導入されているため、環境負荷が小さいと考えられる。特に温暖化係数（ＧＷＰ）が低いと考えられる。
According to the etching gas and the etching method of the present invention, when the silicon oxide film is etched by plasma, high selectivity, suppression of increase in surface roughness, and high etching rate can be achieved.
Moreover, since the unsaturated bond is introduce | transduced in the fluorocarbon gas of this invention, it is thought that environmental impact is small. In particular, the global warming potential (GWP) is considered low.
本発明のシリコン酸化膜をプラズマによりエッチングするためのエッチングガスは、少なくとも、前記一般式（１）で表される不飽和結合の持つフルオロカーボンガスと前記一般式（２）で表されるフルオロカーボンガスとを含んでなる。 The etching gas for etching the silicon oxide film of the present invention with plasma is at least a fluorocarbon gas having an unsaturated bond represented by the general formula (1) and a fluorocarbon gas represented by the general formula (2). Comprising.
前記一般式（１）で表されるガスにおいて、ｘ１、ｙ１およびｚ１はいずれも整数であり、それらはｘ１＝４〜６、ｚ１−ｙ１≦２ｘ１−２で定義される。
好ましくはｘ１＝４〜６、ｚ１−ｙ１＝６〜８であり、より好ましい例として、具体的にはパーフルオロベンゼン（Ｃ６Ｆ６）、ＣＦ２＝ＣＦ−ＣＦ＝ＣＦ２（Ｃ４Ｆ６）、ｃ−Ｃ５Ｆ８（下記［化１］に示す）、ｃ−Ｃ５ＨＦ７（下記［化２］に示す）、ＣＦ２＝ＣＦ−ＣＨ＝ＣＦ２（Ｃ４ＨＦ５）、およびｃ−Ｃ４ＨＦ５（下記［化３］に示す）などが挙げられる。
In the gas represented by the general formula (1), x 1 , y 1 and z 1 are all integers, which are defined by x 1 = 4 to 6 and z 1 −y 1 ≦ 2x 1 −2. The
Preferably, x 1 = 4 to 6, z 1 -y 1 = 6 to 8, and more preferable examples include perfluorobenzene (C 6 F 6 ), CF 2 = CF—CF═CF 2 ( C 4 F 6 ), c-C 5 F 8 (shown in the following [Chemical Formula 1]), c-C 5 HF 7 (shown in the following [Chemical Formula 2]), CF 2 ═CF—CH═CF 2 (C 4 HF 5 ), and c-C 4 HF 5 (shown in [Chemical Formula 3] below).
前記一般式（２）で表されるガスは、ｘ２、ｙ２、ｚ２およびｗはいずれも整数であり、それらはｘ２＝５〜７、２（ｘ２−ｗ）−２＜ｚ２−ｙ２≦２ｘ２、ｗ≧０で定義される。
好ましくは、ｘ２＝５〜７、ｚ２−ｙ２＝１０〜１４であり、より好ましくは、ｘ２＝５又は６、ｚ２−ｙ２＝１０〜１２である。
In the gas represented by the general formula (2), x 2 , y 2 , z 2 and w are all integers, and x 2 = 5 to 7, 2 (x 2 −w) −2 <z 2− y 2 ≦ 2x 2 and w ≧ 0.
Preferably, x 2 = 5 to 7, a z 2 -y 2 = 10~14, more preferably x 2 = 5 or 6, z 2 -y 2 = 10~12 .
また前記一般式（２）で表されるガスは、好ましくは末端ＣＦ３−基を２つ以上含み、より好ましくは、３つ以上含む。 The gas represented by the general formula (2) preferably contains two or more terminal CF 3 — groups, more preferably three or more.
好ましい一般式（２）のガスとしては、具体的には、ＣＦ３−ＣＦ＝Ｃ（ＣＦ３）２、ＣＦ３−ＣＦ２−ＣＦ＝Ｃ（ＣＦ３）２、ＣＦ３−ＣＦ＝ＣＦ−ＣＦ（ＣＦ３）２、ＣＦ３−ＣＦ＝Ｃ（ＣＦ３）−ＣＦ２−ＣＦ３、（ＣＦ３）２ＣＦ−Ｃ（ＣＦ３）＝ＣＦ２、（ＣＦ３）２Ｃ＝Ｃ（ＣＦ３）２、オクタフルオロシクロペンタノン、ＣＦ3−ＣＦ2−ＣＦ2−Ｏ−ＣＦ＝ＣＦ２などが挙げられる。 Preferable examples of the gas of the general formula (2) include CF 3 —CF═C (CF 3 ) 2 , CF 3 —CF 2 —CF═C (CF 3 ) 2 , and CF 3 —CF═CF—. CF (CF 3) 2, CF 3 -CF = C (CF 3) -CF 2 -CF 3, (CF 3) 2 CF-C (CF 3) = CF 2, (CF 3) 2 C = C (CF 3) 2, octafluoro cyclopentanone, etc. CF 3 -CF 2 -CF 2 -O- CF = CF 2 and the like.
さらに、本発明のエッチングガスは、上記一般式（１）で表される不飽和結合を持つフルオロカーボンガスと上記一般式（２）で表される不飽和結合をもつフルオロカーボンガスのほかに、希ガスを含んでよい。
好ましい上記希ガスとしては、具体的にはヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガスが挙げられる。より好ましくはアルゴンガスである。
またさらに、本発明のエッチングガスは、上記一般式（１）で表される不飽和結合を持つフルオロカーボンガスと上記一般式（２）で表される不飽和結合をもつフルオロカーボンガスのほかに、酸素ガスを含んでよい。
In addition to the fluorocarbon gas having an unsaturated bond represented by the above general formula (1) and the fluorocarbon gas having an unsaturated bond represented by the above general formula (2), the etching gas of the present invention includes a rare gas. May be included.
Preferable examples of the rare gas include helium gas, neon gas, and argon gas. More preferred is argon gas.
Furthermore, the etching gas of the present invention includes oxygen gas in addition to the fluorocarbon gas having an unsaturated bond represented by the general formula (1) and the fluorocarbon gas having an unsaturated bond represented by the general formula (2). Gas may be included.
本発明のエッチング方法は、上記本発明のエッチングガスを用いて行われる。エッチングガスのプラズマエッチング装置への導入速度は、各成分の使用割合に比例させ、例えば、一般式（１）で表される不飽和結合を持つフルオロカーボンガスと一般式（２）で表される不飽和結合を持つフルオロカーボンガスは、それぞれ５〜３０ｓｃｃｍ、酸素ガスは１０〜５０ｓｃｃｍ、希ガスは１００〜５００ｓｃｃｍ等とすればよい。
処理ガスが導入されたプラズマエッチング装置内の圧力は、通常０.００１３〜１３００Ｐａ、好ましくは０.１３〜５Ｐａである。
プラズマエッチング装置としては、ヘリコン波方式、高周波誘導方式、平行平板タイプ、マグネトロン方式及びマイクロ波方式等の装置が挙げられるが、高密度領域のプラズマ発生が容易なことから、平行平板タイプ、高周波誘導方式及びマイクロ波方式の装置が好適に使用される。
プラズマ密度は、特に限定はないが、本発明の効果をより良好に発現させる観点から、プラズマ密度が、好ましくは１０１２イオン／ｃｍ３以上、より好ましくは１０１２〜１０１３イオン／ｃｍ３の高密度プラズマ雰囲気下でエッチングを行うのが望ましい。
エッチング時における被処理基板の到達温度は、特に限定されるものではないが、好ましくは−５０〜３００℃、より好ましくは−２０〜２００℃、さらに好ましくは−１０〜１００℃の範囲である。基板の温度は冷却等により制御しても、制御しなくてもよい。
本発明のエッチング方法でエッチングを行う際のエッチング対象物は、シリコン酸化膜である。
本発明のエッチング方法でエッチングを行う際のエッチングマスクは特に限定されない。例として有機膜層としてフォトレジスト膜やアモルファスカーボン層、窒素含有層としてＳｉ３Ｎ４層、また多結晶Ｓｉ層やアモルファスＳｉ層といったシリコン層をマスクとしてよい。フォトレジスト層の例としてはＫｒＦレジスト、ＡｒＦレジスト、Ｘ線レジスト等が挙げられる。
本発明のエッチング方法でエッチングを行う際のエッチング装置は好ましくはプラズマエッチング装置である。より好ましくは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置である。
The etching method of the present invention is performed using the etching gas of the present invention. The rate at which the etching gas is introduced into the plasma etching apparatus is proportional to the proportion of each component used. For example, the fluorocarbon gas having an unsaturated bond represented by the general formula (1) and the non-representation represented by the general formula (2) are used. The fluorocarbon gas having a saturated bond may be 5 to 30 sccm, the oxygen gas may be 10 to 50 sccm, the rare gas may be 100 to 500 sccm, or the like.
The pressure in the plasma etching apparatus into which the processing gas has been introduced is usually 0.0001 to 1300 Pa, preferably 0.13 to 5 Pa.
Examples of plasma etching apparatuses include helicon wave type, high frequency induction type, parallel plate type, magnetron type and microwave type, but parallel plate type, high frequency induction because plasma generation in high density region is easy. The apparatus of a system and a microwave system is used suitably.
The plasma density is not particularly limited, but the plasma density is preferably 10 12 ions / cm 3 or more, more preferably 10 12 to 10 13 ions / cm 3 from the viewpoint of better expressing the effects of the present invention. It is desirable to perform etching in a high-density plasma atmosphere.
Although the ultimate temperature of the to-be-processed substrate at the time of an etching is not specifically limited, Preferably it is -50-300 degreeC, More preferably, it is -20-200 degreeC, More preferably, it is the range of -10-100 degreeC. The temperature of the substrate may or may not be controlled by cooling or the like.
An object to be etched when etching is performed by the etching method of the present invention is a silicon oxide film.
The etching mask for performing etching by the etching method of the present invention is not particularly limited. For example, a photoresist film or an amorphous carbon layer as the organic film layer, a Si 3 N 4 layer as the nitrogen-containing layer, or a silicon layer such as a polycrystalline Si layer or an amorphous Si layer may be used as a mask. Examples of the photoresist layer include KrF resist, ArF resist, and X-ray resist.
The etching apparatus for performing etching by the etching method of the present invention is preferably a plasma etching apparatus. More preferred is a reactive ion etching (RIE) apparatus.
（実施例１）
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置を使用し、半導体ウエハに、上記したプラズマエッチング工程を、シリコン酸化膜、ＡｒＦレジスト膜に対して、以下に示すようなレシピにより実施した。
Example 1
A reactive ion etching (RIE) apparatus was used, and the above-described plasma etching process was performed on a silicon oxide film and an ArF resist film on a semiconductor wafer according to the following recipe.
エッチングガスには、一般式（１）のガスとしてｃ−Ｃ５Ｆ８（下記［化４］に示す）を、一般式（２）の化合物としてＣＦ３−ＣＦ＝ＣＦ−ＣＦ（ＣＦ３）２（下記［化５］に示す、また以下Ｃ６Ｆ１２（Ａ）と表す）を用いてエッチングを行った。 As the etching gas, c-C 5 F 8 (shown in the following [Chemical Formula 4]) is used as the gas of the general formula (1), and CF 3 —CF═CF—CF (CF 3 ) is used as the compound of the general formula (2). Etching was performed using 2 (shown in the following [Chemical Formula 5] and hereinafter referred to as C 6 F 12 (A)).
エッチングガス：ｃ−Ｃ５Ｆ８／Ｃ６Ｆ１２（Ａ）／Ａｒ／Ｏ２＝１０／５／２００／３０ｓｃｃｍ
圧力：２．０Ｐａ（１５ｍＴｏｒｒ）
電力（上部電極／下部電極）：１３００Ｗ（６０ＭＨｚ）／４００Ｗ（２ＭＨｚ）
電極間間隔：３５ｍｍ
温度（上部電極／側壁部／下部電極）：６０／６０／０℃
エッチング時間：６０秒
Etching gas: c-C 5 F 8 / C 6 F 12 (A) / Ar / O 2 = 10/5/200 / 30sccm
Pressure: 2.0 Pa (15 mTorr)
Power (upper electrode / lower electrode): 1300W (60MHz) / 400W (2MHz)
Spacing between electrodes: 35 mm
Temperature (upper electrode / side wall / lower electrode): 60/60/0 ° C.
Etching time: 60 seconds
上記プラズマエッチング工程におけるシリコン酸化膜のエッチングレートは、Ｃ６Ｆ１２（Ａ）を加えない場合の１．２倍、シリコン酸化膜のＡｒＦレジストに対する選択比（シリコン酸化膜のエッチングレート／ＡｒＦレジストのエッチングレート）も１．２倍であった。また、ＡｒＦレジスト表面は平滑であった。 The etching rate of the silicon oxide film in the plasma etching step is 1.2 times that in the case where C 6 F 12 (A) is not added, and the selection ratio of the silicon oxide film to the ArF resist (the etching rate of the silicon oxide film / the ArF resist The etching rate was also 1.2 times. The ArF resist surface was smooth.
（実施例２）
実施例１のエッチングガス中の、一般式（２）のフルオロカーボンガスであるＣ６Ｆ１２（Ａ）を、ＣＦ３−ＣＦ２−ＣＦ＝Ｃ（ＣＦ３）２（下記［化６］に示す、また以下Ｃ６Ｆ１２（Ｂ）と表す）に換えて、ｃ−Ｃ５Ｆ８／Ｃ６Ｆ１２（Ｂ）／Ａｒ／Ｏ２＝１０／５／２００／３０ｓｃｃｍに変更した以外は、上記実施例１と同じ条件でプラズマエッチング工程を実施した。この結果、シリコン酸化膜のエッチングレートは、Ｃ６Ｆ１２（Ｂ）を加えない場合の１．１倍、シリコン酸化膜のＡｒＦレジストに対する選択比も１．１倍であった。また、ＡｒＦレジスト表面は平滑であった。すなわち、この実施例２においても、実施例１と同様に高い選択性、表面粗度上昇の抑制、高いエッチングレートが達成された。
(Example 2)
C 6 F 12 (A), which is the fluorocarbon gas of the general formula (2), in the etching gas of Example 1 is represented by CF 3 —CF 2 —CF═C (CF 3 ) 2 (shown below in [Chemical Formula 6]). In addition, in place of C 6 F 12 (B)), c-C 5 F 8 / C 6 F 12 (B) / Ar / O 2 = 10/5/200/30 sccm The plasma etching process was performed under the same conditions as in Example 1 above. As a result, the etching rate of the silicon oxide film was 1.1 times that when C 6 F 12 (B) was not added, and the selectivity ratio of the silicon oxide film to the ArF resist was 1.1 times. The ArF resist surface was smooth. That is, also in Example 2, high selectivity, suppression of increase in surface roughness, and high etching rate were achieved as in Example 1.
（比較例１）
実施例１のエッチングガス中の、一般式（２）のフルオロカーボンガスであるＣ６Ｆ１２（Ａ）を、ｃ−Ｃ４Ｆ８（下記［化７］に示す）に換えて、ｃ−Ｃ５Ｆ８／ｃ−Ｃ４Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２＝１０／５／２００／３０ｓｃｃｍに変更した以外は、上記実施例１と同じ条件でプラズマエッチング工程を実施した。この結果、シリコン酸化膜のエッチングレートは、ｃ−Ｃ４Ｆ８を加えない場合の１．０倍、シリコン酸化膜のＡｒＦレジストに対する選択比は１．１倍であった。また、ＡｒＦレジスト表面は粗度が大きく上昇していた。
(Comparative Example 1)
In the etching gas of Example 1, C 6 F 12 (A), which is a fluorocarbon gas of the general formula (2), is replaced with c-C 4 F 8 (shown in [Chemical Formula 7] below), and c-C 5 F 8 / c-C 4 was changed to F 8 / Ar / O 2 = 10/5/200 / 30sccm conducted a plasma etching process under the same conditions as in example 1. As a result, the etching rate of the silicon oxide film was 1.0 times when c-C 4 F 8 was not added, and the selection ratio of the silicon oxide film to the ArF resist was 1.1 times. Further, the roughness of the ArF resist surface was greatly increased.
上記の結果を表１に示す。この表１に示されるように、実施例１および２では、一般式（２）のフルオロカーボンガスを加えない場合に対して、高い選択比、表面粗度上昇の抑制と高いエッチングレートを達成させた。 The results are shown in Table 1. As shown in Table 1, in Examples 1 and 2, a high selectivity, suppression of surface roughness increase, and a high etching rate were achieved compared to the case where the fluorocarbon gas of the general formula (2) was not added. .
Claims (12)
一般式（１）：Ｃｘ１Ｈｙ１Ｆｚ１ （ｘ１＝４〜６、ｚ１−ｙ１≦２ｘ１−２、ｘ１、ｙ１およびｚ１はいずれも整数）
一般式（２）：Ｃｘ２Ｈｙ２ＯｗＦｚ２ （ｘ２＝５〜７、２（ｘ２−ｗ）−２＜ｚ２−ｙ２≦２ｘ２、ｗ≧０、ｘ２、ｙ２、ｚ２およびｗはいずれも整数） In order to etch a silicon oxide film comprising at least a fluorocarbon gas having an unsaturated bond represented by the general formula (1) and a fluorocarbon gas having an unsaturated bond represented by the general formula (2) by plasma. Etching gas.
General formula (1): Cx 1 Hy 1 Fz 1 (x 1 = 4 to 6, z 1 −y 1 ≦ 2x 1 −2, x 1 , y 1 and z 1 are all integers)
Formula (2): Cx 2 Hy 2 OwFz 2 (x 2 = 5~7,2 (x 2 -w) -2 <z 2 -y 2 ≦ 2x 2, w ≧ 0, x 2, y 2, z 2 and w are both integers)
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2010
- 2010-08-17 JP JP2010181996A patent/JP2012043869A/en active Pending
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