JP2012039005A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】貫通ビアを形成する工程の効率化を図り、製造コストの抑制を図ることのできる半導体記憶装置を提供すること。
【解決手段】実施の形態の半導体装置1は、半導体基板11と、第1絶縁層20と、電極パッド14と、貫通孔21と、支持絶縁層12と、を備える。半導体基板は、配線層が設けられるとともに上下に貫通する貫通溝が形成される。第1絶縁層は、貫通溝に充填される。電極パッドは、配線層に含まれる配線と一体的に形成される。貫通孔は、電極パッドと第1絶縁層の間に設けられて電極パッドを支持する。
【選択図】図1
【解決手段】実施の形態の半導体装置1は、半導体基板11と、第1絶縁層20と、電極パッド14と、貫通孔21と、支持絶縁層12と、を備える。半導体基板は、配線層が設けられるとともに上下に貫通する貫通溝が形成される。第1絶縁層は、貫通溝に充填される。電極パッドは、配線層に含まれる配線と一体的に形成される。貫通孔は、電極パッドと第1絶縁層の間に設けられて電極パッドを支持する。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は半導体装置およびその製造方法に関する。
携帯情報端末やストレージデバイスなどの小型化および高性能化の要求に伴って、半導体チップを高密度実装することが行われている。この半導体チップを高密度実装化する方法として、半導体チップを積層させる方法がある。ここで、半導体チップを積層させる場合、積層数やチップサイズに制約がないなどの利点から、半導体基板に形成された貫通ビアを介して半導体チップ間を電気的に接続する方法がある。
本発明の実施の形態は、製造コストの抑制を図ることのできる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
実施の形態の半導体装置は、半導体基板と、第1絶縁層と、電極パッドと、貫通孔と、支持絶縁層と、を備える。半導体基板は、配線層が設けられるとともに上下に貫通する貫通溝が形成される。第1絶縁層は、貫通溝に充填される。電極パッドは、配線層に含まれる配線と一体的に形成される。貫通孔は、電極パッドと第1絶縁層の間に設けられて電極パッドを支持する。
以下に添付図面を参照して、実施の形態にかかる半導体装置およびその製造方法を詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。
(第1の実施の形態)
まず、第1の実施の形態にかかる半導体装置の概略構成について説明する。
図1は、第1の実施の形態にかかる半導体装置の断面構造を示す部分横断面である。図2は、図1に示すA−A線に沿った半導体装置の部分底面断面図である。半導体装置1は、半導体基板11、樹脂層(第1絶縁層)20、電極パッド14、第2絶縁層(支持絶縁層)12、第3絶縁層(支持絶縁層)22、保護膜(第4絶縁層)17、接着層23を備える。なお、図2では、接着層23を省略して示している。
まず、第1の実施の形態にかかる半導体装置の概略構成について説明する。
図1は、第1の実施の形態にかかる半導体装置の断面構造を示す部分横断面である。図2は、図1に示すA−A線に沿った半導体装置の部分底面断面図である。半導体装置1は、半導体基板11、樹脂層(第1絶縁層)20、電極パッド14、第2絶縁層(支持絶縁層)12、第3絶縁層(支持絶縁層)22、保護膜(第4絶縁層)17、接着層23を備える。なお、図2では、接着層23を省略して示している。
半導体基板11には、上下に貫通する貫通溝11aが形成されている。樹脂層20は、貫通溝11aに合成樹脂が充填されて形成される。電極パッド14は、樹脂層20上に複数配置される。樹脂層20上に設けられた複数の電極パッド14それぞれには開口部15が設けられる。第2絶縁層12は、電極パッド14と樹脂層20との間に設けられるとともに、半導体基板11の第1面11b側を覆う。
第3絶縁層22は、樹脂層20と第2絶縁層12との間、および樹脂層20と半導体基板11との間に設けられる。また、第3絶縁層22は、半導体基板11のうち、第1面11bの裏面である第2面11cを覆う。保護膜17は、半導体基板11の第1面11b側に設けられ、第2絶縁層12と電極パッド14とを覆うように設けられる。
接着層23は、半導体基板11の第2面11c側に設けられ、樹脂層20と半導体基板11とを覆うように設けられる。半導体装置1には、電極パッド14の開口部15を突き抜けるように貫通孔21が形成される。貫通孔21は、接着層23、樹脂層20、第3絶縁層22、第2絶縁層12、保護膜17を貫通するように設けられ、その直径は、電極パッド14の開口部15の直径よりも大きく、半導体基板11の厚さよりも小さい。この構成により、貫通孔21は、電極パッド14に接するように配置されることとなる。
次に、半導体装置1の製造工程について説明する。図3は、半導体装置1の製造手順を説明するためのフローチャートである。図4〜図15は、半導体装置1の製造手順を説明するための図である。
図4および図5において、半導体基板11上に、第2絶縁層12を形成し、第2絶縁層12上には、電極パッド14が一体的に設けられた配線13を形成している(ステップS1)。ここで、電極パッド14には開口部15が形成されている。
また、半導体基板11はウェハ状に構成され、チップ領域ごとに区画されている。ここで、第2絶縁層12下の半導体基板11上には、下層配線層を設けるようにしてもよい。また、半導体基板11には、チップ領域ごとに電界効果トランジスタを形成するようにしてもよいし、フラッシュメモリ、DRAM、マイクロコンピュータ、ロジック回路あるいはイメージセンサなどを形成するようにしてもよい。また、第2絶縁層12としては、酸化シリコン膜または窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を用いることができる。あるいは、酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜が積層された積層構造を用いるようにしてもよい。また、第2絶縁層12と配線13の全体の膜厚は、例えば1〜10μmの範囲に設定することができる。
次に、図6および図7に示すように、CVDなどの方法を用いることにより、配線13および電極パッド14上に保護膜17を形成する(ステップS2)。なお、保護膜17としては、酸化シリコン膜または窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を用いることができる。保護膜17には、貫通孔21の一部に含まれる開口が形成される。
次に、図8に示すように、半導体基板11の第2面11cを研削する際に半導体基板11を支持する仮接着層19aと支持基板19bを保護膜17上に形成する(ステップS3)。なお、仮接着層19aとしては、半導体基板11に一旦貼り付けた後、半導体基板11から剥離することが可能な粘着性樹脂シートを用いることができる。あるいは、半導体基板11に一旦貼り付けた後、半導体基板11からの剥離を容易化するために、紫外線硬化型樹脂などを用いるようにしてもよい。また、支持基板19bには有機物を用いてもよいし、シリコンやガラスなどのウェハを用いてもよい。
次に、図9に示すように、半導体基板11の裏面を研削することにより、半導体基板11を薄膜化する(ステップS4)。なお、薄膜化後の半導体基板11の厚さは、例えば、20μmである。また、半導体基板11を薄膜化する場合、機械研削を行った後、CMPなどにて半導体基板11の裏面を鏡面化することが好ましい。
次に、図10に示すように、フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術を用いることにより、電極パッド14が設けられた領域の半導体基板11を除去する(ステップS5)。電極パッド14が設けられた領域の半導体基板11は、チップ領域内でデバイスとして機能していない場合が多く、電極パッド14が設けられた領域を除去しても、半導体装置1の性能に与える影響が少なくて済む。半導体基板11のうち電極パッド14が設けられた領域が除去されることで、半導体基板11に対して上下に貫通する貫通溝11aが形成される。貫通溝11aが形成されることで、第2絶縁層12の一部および半導体基板11の側面が露出する。
貫通溝11aの溝幅Xは、例えば、40μmである。貫通溝11aの溝幅Xと、半導体基板11の薄膜化後の厚さとの比を示すアスペクト比は、0.5となる。したがって、貫通溝11aの側面の垂直性の悪化は問題になりにくいため、ドライエッチングの速度を早くしてもよく、貫通溝11aを形成する処理の高速度化に寄与することができる。
ここで、貫通溝11aの形成は、薬液を用いたウェットエッチングによって行ってもよい。ウェットエッチングによって貫通溝11aを形成する場合には、複数枚の半導体基板11を同時に処理することが可能となり、生産効率の向上に寄与することができる。
次に、図11に示すように、CVDなどの方法を用いることにより、第2絶縁層12の露出部分、半導体基板11の側面部分を覆う第3絶縁層22を形成する(ステップS6)。なお、第3絶縁層22としては、酸化シリコン膜または窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
次に、図12に示すように、半導体基板11の貫通溝11aを樹脂層20で充填する(ステップS7)。なお、樹脂層20の材料は、例えば、ポリイミド、BCB(ベンゾシクロブテン)、PBO(ポリベンゾオキサゾール)、エポキシ、あるいはフェノールなどの有機材料を用いることができる。また、樹脂層20は、熱可塑性を有するものが好ましい。また、樹脂層20は、感光性を有するものが好ましい。樹脂層20の充填には、例えば印刷法を用いる。
次に、図13に示すように、樹脂層20に貫通孔21を形成する(ステップS8)。ここで、貫通孔21の直径は、電極パッド14の開口部の直径よりも大きく形成され、例えば10μmである。半導体基板11の厚さとの比であるアスペクト比は2となる。このようにアスペクト比が比較的大きい場合であっても、感光性樹脂を樹脂層20に用いていれば、通常の感光および現像を行う方法を用いることができ、生産効率の向上を図りつつ容易に貫通孔21を形成することができる。なお、樹脂層20に感光性がない場合、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いることができる。
次に、図14に示すように、半導体基板11の第2面11c側であって貫通孔21以外の領域に接着層23を形成する(ステップS9)。接着層23には、例えば感光性樹脂を用いる。感光性樹脂を露光させて仮硬化し、半硬化状態とすることで、熱硬化性の接着材として用いることができる。接着層23は、例えば半導体基板11を積層する場合に、半導体基板11同士を接着するためのものであり、接着材として利用できる材料であれば、感光性樹脂以外の様々な材料を用いることができる。
次に、図15に示すように、接着層23をマスクとして、第2絶縁層12と第3絶縁層22とをドライエッチングにより除去する(ステップS10)。接着層23をマスクとしてドライエッチングを行うことで、第2絶縁層12および第3絶縁層22のうち電極パッド14を覆う部分が除去されて、第2絶縁層12および第3絶縁層22が貫通孔21の側壁まで延在する構成となる。また、第2絶縁層12と第3絶縁層22とが除去されることで、半導体基板11の第2面11c側からも電極パッド14が露出する。
次に、仮接着層19aで貼り付けていた支持基板19bを剥離し、ダイシングなどによってチップ領域を個片化することで、図1に示す構造の半導体装置1を得ることができる(ステップS11)。このように構成された半導体装置1は、例えば、図16に示すように実装基板25上に積層された積層型の半導体装置として用いられる。図16では、実装基板25上に複数枚の半導体装置1を積層してから、ディスペンス法やメッキ法などの手法を用いて、貫通孔21内に導電材料26を充填している。貫通孔21内に導電材料26を充填することで、半導体装置1同士が積層方向にビア接続された積層型の半導体装置とすることができる。
以上説明したように、本実施の形態では、貫通溝11aに充填された樹脂層20に、貫通孔21を形成するので、半導体基板11に貫通孔を形成する場合に比べて、容易かつ効率的に貫通孔を形成することができる。
また、貫通溝11aは、貫通孔21に比べてアスペクト比が小さく、貫通溝11aの側面に垂直度に高い精度が要求されずに済むので、ドライエッチングやウェットエッチングなどを用いて、容易かつ効率的に貫通溝11aを形成することができる。特に、ウェットエッチングを用いた場合には、複数枚の半導体基板を同時に処理することで、生産効率の一層の向上に寄与することができる。
上述したように、貫通孔21を形成するために、貫通溝11aの形成や、樹脂層20の充填などの工程が必要になるが、それぞれの工程の容易化、および効率化により、全体として、半導体基板11に貫通孔を直接形成する場合に比べて、半導体装置1の生産効率の向上を図ることができる。
また、本実施の形態では、第2絶縁層12や第3絶縁層22が、貫通孔21の側面まで延在して、電極パッド14と樹脂層20との間に設けられており、第2絶縁層12や第3絶縁層22が電極パッド14を支持する構成となっている。樹脂層20よりも高剛性の第2絶縁層12や第3絶縁層22によって支持されることで、電極パッド14の位置精度が向上する。したがって、貫通孔21同士の間隔を小さくしても、隣接する貫通孔21との間でショートが発生することを抑制できる。このように、第2絶縁層12や第3絶縁層22は、電極パッド14を支持する支持絶縁層として機能する。
また、第2絶縁層12や第3絶縁層22が、貫通孔21の側面まで延在することで、電極パッド14と半導体基板11との間の絶縁信頼性の向上を図ることができる。また、半導体基板11の第2面11c側と貫通溝11aの側面が第3絶縁層22に覆われるので、半導体基板11への不純物の拡散が抑えられ、半導体装置1の信頼性の向上に寄与することができる。
図17は、第1の実施の形態の変形例に係る半導体装置1の断面構造を示す部分横断面図である。本変形例では、半導体装置1を積層する前に、電極パッド14の上部に、めっき法によって半田のバンプ30を形成している。そのため、電極パッド14には、開口部15が設けられていない。貫通孔21は、電極パッド14に接するように、樹脂層20、第3絶縁層22、第2絶縁層12を貫通して形成される。また、貫通孔21内にはめっき法などの手法を用いて導電材料26を充填している。このように構成された半導体装置1も、積層すればバンプ30と導電材料26が導通するので、半導体装置1同士が積層方向に接続された積層型の半導体装置とすることができる。
なお、上記実施形態は例示であり、発明の範囲はそれらに限定されない。
1 半導体装置、11 半導体基板、11a 貫通溝、11b 第1面、11c 第2面、12 第2絶縁層(支持絶縁層)、13 配線、14 電極パッド、15 開口部、17 保護膜(第4絶縁層)、19a 仮接着層、19b 支持基板、20 樹脂層(第1絶縁層)、21 貫通孔、22 第3絶縁層(支持絶縁層)、23 接着層、25 実装基板、26 導電材料、30 バンプ、X 溝幅。
Claims (5)
- 配線層が設けられるとともに上下に貫通する貫通溝が形成された半導体基板と、
前記貫通溝に充填された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に配置され、前記配線層に含まれる配線と一体的に形成された電極パッドと、
前記電極パッドに接するように配置され、前記第1絶縁層を貫通する貫通孔と、
前記電極パッドと前記第1絶縁層の間に設けられて前記電極パッドを支持する支持絶縁層と、を備える半導体装置。 - 前記第1絶縁層は、樹脂材料で構成される請求項1に記載の半導体装置。
- 前記支持絶縁層は、前記半導体基板の前記電極パッドが形成された1面側を覆う第2絶縁層である請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記貫通溝は、前記半導体基板の厚さよりも広い溝幅で形成されている請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 配線層が設けられた半導体基板の1面側を第2絶縁層で覆い、
前記第2絶縁層上に、前記配線層に含まれる配線と一体に電極パッドを形成し、
前記半導体基板の前記電極パッドが設けられた領域に上下に貫通する貫通溝を形成し、
前記貫通溝に第1絶縁層を充填し、
前記電極パッドに接するように、前記第1絶縁層に貫通孔を形成する半導体装置の製造方法。
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