JP2012033776A - Laminated substrate and method of manufacturing the same - Google Patents
Laminated substrate and method of manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012033776A JP2012033776A JP2010172990A JP2010172990A JP2012033776A JP 2012033776 A JP2012033776 A JP 2012033776A JP 2010172990 A JP2010172990 A JP 2010172990A JP 2010172990 A JP2010172990 A JP 2010172990A JP 2012033776 A JP2012033776 A JP 2012033776A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film substrate
- substrate
- alignment mark
- laminated
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、複数の基板を積層した積層基板およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a laminated substrate in which a plurality of substrates are laminated and a method for manufacturing the same.
従来、フィルム基板を積層した積層基板およびその製造方法が知られている。例えば、特許文献1に記載のフレキシブル検知装置では、有機トランジスタを形成した高分子フィルムや、電極を形成した高分子フィルム等を貼り合わせて積層基板を作成している。これによって、可撓性を有するイメージキャプチャ等を製造することができる。
Conventionally, a laminated substrate in which a film substrate is laminated and a manufacturing method thereof are known. For example, in the flexible detection device described in
一般的に、フィルム基板を積層した積層基板は、各フィルム基板を、アライメントマークを基準にして貼り合わせることによって製造される。しかしながら、積層基板を構成する各フィルム基板には、フィルム基板上にデバイス等を形成するために、製造工程において熱が加えられる。この熱によって、フィルム基板は収縮する。この収縮によって、各フィルム基板のアライメントマークの位置にずれが生じる。このため、各フィルム基板を貼り合わせる場合の精度が悪化する場合があるという問題点があった。 Generally, a laminated substrate in which film substrates are laminated is manufactured by bonding each film substrate with reference to an alignment mark. However, heat is applied to each film substrate constituting the laminated substrate in the manufacturing process in order to form a device or the like on the film substrate. This heat causes the film substrate to shrink. Due to this shrinkage, the alignment marks on the film substrates are displaced. For this reason, there existed a problem that the precision at the time of bonding each film board | substrate may deteriorate.
本発明の目的は、各フィルム基板のアライメントマークの位置のずれを抑制し、精度よく各フィルム基板が積層されている積層基板およびその製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a laminated substrate on which each film substrate is accurately laminated, and a method for manufacturing the same, by suppressing the displacement of the alignment mark position of each film substrate.
本発明の第1の態様に係る積層基板の製造方法は、複数のフィルム基板が積層された基板である積層基板の製造方法であって、前記積層基板を構成する前記フィルム基板に含まれる前記フィルム基板である第一フィルム基板にフォトレジストを塗布し、加熱してフォトレジスト層を形成するフォトレジスト形成工程と、前記フォトレジスト形成工程によって前記第一フィルム基板に形成された前記フォトレジスト層に、アライメントマークが形成された他の前記フィルム基板である第二フィルム基板に形成されたアライメントマークをマスクとして用いて露光し、金属を蒸着し、フォトレジストを取り除いて、前記第一フィルム基板にアライメントマークを形成するマーク形成工程と、前記第一フィルム基板に形成された前記アライメントマークと前記第二フィルム基板に形成された前記アライメントマークとの位置を合わせ、前記第一フィルム基板と前記第二フィルム基板とを積層する積層工程とを備えている。 The manufacturing method of the laminated substrate which concerns on the 1st aspect of this invention is a manufacturing method of the laminated substrate which is a board | substrate with which the several film substrate was laminated | stacked, Comprising: The said film contained in the said film substrate which comprises the said laminated substrate Applying a photoresist to the first film substrate, which is a substrate, and forming a photoresist layer by heating, and the photoresist layer formed on the first film substrate by the photoresist forming step, The alignment mark formed on the second film substrate, which is another film substrate on which the alignment mark is formed, is exposed as a mask, metal is deposited, the photoresist is removed, and the alignment mark is formed on the first film substrate. Forming a mark, and the alignment marker formed on the first film substrate. Click and aligned with the alignment mark formed on the second film substrate, and a laminating step of laminating said second film substrate and the first film substrate.
この場合、第一フィルム基板にフォトレジストを塗布し、加熱している。この加熱によって、第一フィルム基板は収縮する。そして、収縮後の第一フィルム基板のフォトレジスト層に、第二フィルム基板のアライメントマークが露光されて、第一フィルム基板にアライメントマークが形成される。言い換えると、第一フィルム基板に第二フィルム基板のアライメントマークが転写される。例えば、収縮後の第一フィルム基板にデバイス等を形成する場合、再度第一フィルム基板に熱が加えられる場合がある。しかし、第一フィルム基板は、すでに一度収縮しているため、再度加熱されても収縮は少ない。このため、各フィルム基板のアライメントマークの位置がずれ難い。よって、積層工程においてフィルム基板を貼り合わせて積層基板を形成する場合に、各フィルム基板のアライメントマークの位置を精度よく合わせることができ、高精度にフィルム基板を積層することができる。 In this case, a photoresist is applied to the first film substrate and heated. By this heating, the first film substrate contracts. And the alignment mark of a 2nd film board | substrate is exposed to the photoresist layer of the 1st film board | substrate after shrinkage | contraction, and an alignment mark is formed in a 1st film board | substrate. In other words, the alignment mark of the second film substrate is transferred to the first film substrate. For example, when a device or the like is formed on the contracted first film substrate, heat may be applied to the first film substrate again. However, since the first film substrate has already contracted once, even if it is heated again, there is little contraction. For this reason, the position of the alignment mark of each film substrate is difficult to shift. Therefore, when a laminated substrate is formed by laminating the film substrates in the laminating step, the alignment marks on the film substrates can be accurately aligned, and the film substrates can be laminated with high accuracy.
前記積層基板の製造方法において、前記第二フィルム基板は、前記積層基板において前記第一フィルム基板より下層に積層される前記フィルム基板であってもよい。この場合、第一フィルム基板より下層のフィルム基板に形成されたアライメントマークを転写することができる。よって、下層のフィルム基板に対し、上層のフィルム基板を精度よく積層することが可能となり、各フィルム基板が精度よく積層された積層基板を製造することができる。 In the method for manufacturing a laminated substrate, the second film substrate may be the film substrate that is laminated below the first film substrate in the laminated substrate. In this case, the alignment mark formed on the film substrate below the first film substrate can be transferred. Therefore, it becomes possible to laminate | stack an upper film substrate with respect to a lower film substrate with a sufficient precision, and can manufacture the laminated substrate by which each film substrate was laminated | stacked with a sufficient precision.
前記積層基板の製造方法において、前記第二フィルム基板は、前記積層基板において前記第一フィルム基板より下層に積層される、アライメントマークが形成された前記フィルム基板が全て積層された基板であってもよい。この場合、第一フィルム基板には、第一フィルム基板より下層に積層される全てのフィルム基板が積層された基板である第二フィルム基板のアライメントマークが転写される。つまり、下層の第二フィルム基板のアライメントマークを、上の層の第一フィルム基板に転写する。そして、アライメントマークを転写した第一フィルム基板を、第二フィルム基板に重ねて新たな第二フィルム基板を形成する。そして、新たな第二フィルム基板を上の層のフィルム基板に転写することを繰り返すことにより、各フィルム基板が精度よく積層された積層基板を製造することができる。 In the method for manufacturing a laminated substrate, the second film substrate may be a substrate in which all the film substrates on which alignment marks are formed are laminated in the laminated substrate below the first film substrate. Good. In this case, the alignment mark of the 2nd film substrate which is a board | substrate with which all the film substrates laminated | stacked on the lower layer rather than the 1st film substrate were laminated | stacked is transferred to a 1st film substrate. That is, the alignment mark of the lower second film substrate is transferred to the upper first film substrate. Then, the first film substrate to which the alignment mark is transferred is overlaid on the second film substrate to form a new second film substrate. Then, by repeating the transfer of the new second film substrate to the upper layer film substrate, a laminated substrate in which the film substrates are laminated with high accuracy can be manufactured.
前記積層基板の製造方法において、前記第二フィルム基板は、前記積層基板の最下層の前記フィルム基板であってもよい。この場合、最下層のフィルム基板のアライメントマークを、他の全ての層のフィルム基板に転写して積層基板を製造することができる。よって、下層のフィルム基板に対し、上層のフィルム基板を精度よく積層することが可能となり、各フィルム基板が精度よく積層された積層基板を製造することができる。 In the method for manufacturing a laminated substrate, the second film substrate may be the film substrate in the lowermost layer of the laminated substrate. In this case, the alignment mark of the lowermost film substrate can be transferred to the film substrates of all other layers to produce a laminated substrate. Therefore, it becomes possible to laminate | stack an upper film substrate with respect to a lower film substrate with a sufficient precision, and can manufacture the laminated substrate by which each film substrate was laminated | stacked with a sufficient precision.
前記積層基板の製造方法において、前記第二フィルム基板は、前記積層基板において前記第一フィルム基板の一つ下に積層される前記フィルム基板であってもよい。この場合、第一フィルム基板に、一つ下の層の第二フィルム基板のアライメントマークを転写する。そして、転写後の第一フィルム基板を、新たな第二フィルム基板とし、新たな第二フィルム基板を上の層の第一フィルム基板に転写することができる。つまり、下層から順番にアライメントマークを転写して、積層基板を製造することができるため、下層のフィルム基板に対し、上層のフィルム基板を精度よく積層することが可能となり、各フィルム基板が精度よく積層された積層基板を製造することができる。 In the method for manufacturing a laminated substrate, the second film substrate may be the film substrate laminated on the laminated substrate below the first film substrate. In this case, the alignment mark of the second film substrate in the lower layer is transferred to the first film substrate. Then, the transferred first film substrate can be used as a new second film substrate, and the new second film substrate can be transferred to the upper first film substrate. In other words, it is possible to manufacture the laminated substrate by transferring the alignment marks in order from the lower layer, so it becomes possible to accurately laminate the upper layer film substrate on the lower layer film substrate, and each film substrate is accurately A laminated substrate can be manufactured.
前記積層基板の製造方法において、前記第一フィルム基板に形成されるアライメントマークの線の太さを、前記第二フィルム基板に形成されたアライメントマークの線の太さよりも細くてもよい。この場合において、フィルム基板を積層する場合、上の層のフィルム基板のアライメントマークの線の太さが、下の層のアライメントマークより細ければ、下の層のアライメントマークの形状と、上の層のアライメントマークの形状とを同時に確認して位置合わせをすることができる。このため、フィルム基板にアライメントマークを転写した順番でフィルム基板を積層する場合に、アライメントマークの位置を上下の層で合わせやすくなる。よって、より高精度にフィルム基板を積層することが可能となり、各フィルム基板が精度よく積層された積層基板を製造することができる。 In the method for manufacturing the laminated substrate, the thickness of the alignment mark formed on the first film substrate may be thinner than the thickness of the alignment mark formed on the second film substrate. In this case, when laminating the film substrate, if the thickness of the alignment mark line of the upper layer film substrate is thinner than the alignment mark of the lower layer, the shape of the alignment mark of the lower layer and the upper The alignment can be confirmed by simultaneously confirming the shape of the alignment mark of the layer. For this reason, when the film substrates are stacked in the order in which the alignment marks are transferred to the film substrate, the alignment marks are easily aligned with the upper and lower layers. Therefore, it becomes possible to laminate | stack a film substrate with higher precision, and the laminated substrate by which each film substrate was laminated | stacked accurately can be manufactured.
前記積層基板の製造方法において、前記マーク形成工程は、前記フォトレジスト形成工程によって前記第一フィルム基板に形成された前記フォトレジスト層に、前記第二フィルム基板に形成されたアライメントマークを露光する場合に、前記第一フィルム基板に形成されるアライメントマークの線の太さが、前記第二フィルム基板に形成されたアライメントマークの線の太さよりも細くなるようにレンズを介して露光し、金属を蒸着し、フォトレジストを取り除いて、前記第一フィルム基板にアライメントマークを形成してもよい。 In the method for manufacturing a laminated substrate, in the mark formation step, the alignment layer formed on the second film substrate is exposed to the photoresist layer formed on the first film substrate by the photoresist formation step. The alignment mark formed on the first film substrate is exposed through a lens so that the thickness of the alignment mark formed on the second film substrate is smaller than the thickness of the alignment mark formed on the second film substrate. The alignment mark may be formed on the first film substrate by vapor deposition and removing the photoresist.
この場合レンズを用いることで、確実に、第一フィルム基板に形成されるアライメントマークの線の太さを、第二フィルム基板に形成されたアライメントマークの線の太さよりも細くすることができるため、フィルム基板にアライメントマークを転写した順番でフィルム基板を積層する場合に、アライメントマークの位置を上下の層で合わせやすくなる。よって、より高精度にフィルム基板を積層することが可能となり、各フィルム基板が精度よく積層された積層基板を製造することができる。 In this case, since the thickness of the line of the alignment mark formed on the first film substrate can be surely made smaller than that of the line of the alignment mark formed on the second film substrate by using the lens. When the film substrates are laminated in the order in which the alignment marks are transferred to the film substrate, the alignment marks are easily aligned with the upper and lower layers. Therefore, it becomes possible to laminate | stack a film substrate with higher precision, and the laminated substrate by which each film substrate was laminated | stacked accurately can be manufactured.
本発明の第2の態様に係る積層基板は、前記積層基板の製造方法によって製造された積層基板である。この場合、各フィルム基板が精度よく積層された積層基板を得ることができる。 The multilayer substrate according to the second aspect of the present invention is a multilayer substrate manufactured by the method for manufacturing the multilayer substrate. In this case, a laminated substrate in which the film substrates are laminated with high accuracy can be obtained.
以下、本発明を具現化した実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、参照する図面は、本発明が採用しうる技術的特徴を説明するために用いられるものであり、記載されている装置構成や製造方法などは、それのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例である。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. The drawings to be referred to are used for explaining the technical features that can be adopted by the present invention, and the device configuration and the manufacturing method described are not intended to limit the present invention, but are merely described. It is an example.
本発明の第一実施形態について、図1〜図16を参照して説明する。第一実施形態では、積層基板によって構成されたイメージスキャナ(以下スキャナ)1を例示して説明する。スキャナ1は、集光レンズ12を最上層側(つまり、対象物との対向側)に配置した密着型スキャナである。
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the first embodiment, an image scanner (hereinafter referred to as a scanner) 1 constituted by a laminated substrate will be described as an example. The
本実施形態に係るスキャナ1の物理的構造について、図1を参照して説明する。図1は、スキャナ1の縦断面図であって、スキャナ1に配設される一画素とアライメントマーク101,201,301,401,501とを部分的に拡大して示している。以下では、図1における上側をスキャナ1の上側、図1における下側をスキャナ1の下側として説明する。
The physical structure of the
図1に示すように、スキャナ1は、機能別に構成された複数の薄型の基板が上下方向に積層されてなり、全体として薄板状の外観を有する。本実施形態のスキャナ1では、集光層10、発光層20、感光層30、信号処理層40、配線電源層50の順に、上側から下側に向けて5つが積層されている。具体的には、各層10、20、30、40、50は100μm厚程度とし、これらが積層されたスキャナ1は500μm厚程度である。なお、以下の説明では、スキャナ1を構成する積層基板を「積層基板94」という場合がある。また、後述するフィルム基板11,21,31,41,51のいずれかを特定しない場合、単に「フィルム基板」という場合がある。
As shown in FIG. 1, the
スキャナ1は、読み取り単位を構成する複数の画素が平面視でマトリクス状に配設された2次元のエリアセンサーとして構成されている。本実施形態のスキャナ1では、画素サイズが250μm程度に設定されており、解像度が100dpi(dot per inch)であるものとする。
The
集光層10は、集光層10の上側に存在する対象物(例えば、原稿)からの反射光を集光する機能を有する層である。集光層10には、フィルム基板11に、集光レンズ12と、コンタクト部13とが、画素ごとに設けられている。フィルム基板11は、集光レンズ12を形成可能な厚みおよび透光性を有し、且つ、可撓性および絶縁性を有する薄型基板(アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネートなど)であればよい。本実施形態のフィルム基板11は、100μm厚の無色透明なアクリル板とする(後述のフィルム基板21も同様)。
The condensing
集光レンズ12は、フィルム基板11の下面に、上側から入射される光を下側に集光するための凹凸パターンが形成された、公知のフレネルレンズである。集光レンズ12の屈折率は、後述の有機フォトダイオード(Organic Photodiode:以下有機PDと記す)33に集光されるように調整されている。集光レンズ12は、後述の有機エレクトロルミネッセンス(Organic Electro−Luminescence:以下有機ELと記す)23の上方に設けられ、より好適には平面視で有機EL23の全体を含んでいる。本実施形態の集光レンズ12は、各画素の中央位置に200μm幅の略正方形状で形成されている。
The condensing
コンタクト部13は、フィルム基板11の下面に形成された、数μm厚程度の薄板円盤状の導体である。コンタクト部13を形成する材料は、樹脂上に形成可能な導体(例えば、銅やアルミ)であればよく、本実施形態では銅メッキとする(後述のコンタクト部27、36も同様)。コンタクト部13は、集光レンズ12を透過する光を遮らないように、平面視で集光レンズ12の形成範囲よりも外側に設けられている。コンタクト部13は、後述するように、有機EL23に接続される層間ライン70に対応する数量が設けられている。本実施形態では、コンタクト部13の形成幅は25μmである(後述のコンタクト部27、36も同様)。
The
発光層20は、集光層10の上側に位置する対象物にスキャン光を照射する機能を有する層である。発光層20には、フィルム基板21に、スルーホール22と、有機EL23と、光透過部24と、ランド部25と、接着シート26と、コンタクト部27とが、画素ごとに設けられている。フィルム基板21は、反射光を透過可能な透光性を有し、且つ、可撓性および絶縁性を有する薄型基板(アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネートなど)であればよいが、本実施形態では100μm厚の無色透明なアクリル板としている。
The
有機EL23は、フィルム基板21の上面に設けられ、上方に向けてスキャン光を照射する面光源である。有機EL23は、数100nm〜数μm厚程度の薄膜状をなす公知の有機ELであって、平面視で略正方形状に発光セグメントが形成されたセグメント構造を有する。また、有機EL23は、発光素子を上下で挟む陰極および陽極が透明電極(ITO)で構成された、非発光時に透明となる透明有機ELである。有機EL23の発光セグメントの内側に形成される透明部位が、透光性の窓部23Aである。本実施形態の有機EL23は、上側に配設される集光レンズ12の形成範囲とほぼ一致するように、各画素の中央位置に200μm幅の略正方形状で形成されている。また、有機EL23の輪郭に沿って略正方形状の発光セグメントが形成されるとともに、有機EL23の中心位置に150μm幅で略正方形の窓部23Aが形成されている。
The
フィルム基板21のうちで窓部23Aを介して反射光が入射する領域が、反射光の受光面として機能する光透過部24である。光透過部24は、後述の有機PD33の上方に設けられ、より好適には平面視で有機PD33の全体を含んでいる。本実施形態では、有機EL23の中央位置に窓部23Aが150μm幅の略正方形状で形成されていることに対応して、光透過部24が各画素の中央位置に150μm幅の略正方形状で形成されている。
A region where the reflected light is incident through the
スルーホール22は、フィルム基板21を貫通する小径の孔部であり、コンタクト部13のほぼ中央に対応する平面位置に形成されている。スルーホール22は、有機EL23に接続される層間ライン70に対応する数量が設けられている。本実施形態では、スルーホール22の形成幅は10μmである(後述のスルーホール32、42も同様)。
The through
ランド部25は、フィルム基板21の上面に設けられて、スルーホール22の上端開口縁を被覆する数μm厚程度の薄板円環状の導体である。ランド部25を形成する材料は、樹脂上に形成可能な導体(例えば、銅やアルミ)であればよく、本実施形態では銅メッキとする(後述のランド部34、44も同様)。ランド部25は、後述の接着シート26および導電性ペースト60を挟んで、コンタクト部13と上下方向に対向しており、且つ、フィルム基板21上で有機EL23と電気的に接続されている。本実施形態では、ランド部25の形成幅は25μmである(後述のランド部34、44も同様)。
The
本実施形態では、有機EL23の陰極および陽極に接続される2つの層間ライン70を構成するために、画素ごとの発光層20に2つのスルーホール22が設けられている(図14参照)。各スルーホール22の上端周囲には、フィルム基板21上で有機EL23の陽極および陰極とそれぞれ電気的に接続された2つのランド部25が設けられている。各ランド部25の上方には、2つのコンタクト部13がそれぞれ対向配置されている。2つの層間ライン70の上端部は、上下に対向するランド部25およびコンタクト部13と接続されている。
In the present embodiment, in order to form two
集光層10と発光層20との間には、高絶縁性の透明接着フィルムである接着シート26が設けられている。接着シート26は、絶縁性かつ透明性に優れた樹脂製接着シート(例えば、ポリエステル、シリコン、ポリイミドなど)であればよく、層間を適正に接着できる程度のシート厚(例えば、5μm〜30μm)を有していればよい(後述の接着シート35、45、54も同様)。詳細には、接着シート26は、コンタクト部13とランド部25との間に介在して、発光層20を集光層10の下側に接着させる。ただし、接着シート26には、スルーホール22を上方に連通させるとともにランド部25を露出させる孔部が形成されている。
An
コンタクト部27は、コンタクト部13と同様の導体であり、フィルム基板21の下面に形成されている。コンタクト部27は、光透過部24を透過する光を遮らないように、平面視で光透過部24の形成範囲よりも外側に設けられている。コンタクト部27は、後述するように、有機PD33に接続される層間ライン70に対応する数量が設けられている。
The
感光層30は、対象物からの反射光を受光して、その光量に応じた電荷を蓄積する層である。感光層30には、フィルム基板31に、スルーホール32と、有機PD33と、ランド部34と、接着シート35と、コンタクト部36とが、画素ごとに設けられている。フィルム基板31は、可撓性および絶縁性を有する薄型基板(アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネートなど)であればよいが、本実施形態のフィルム基板31は、100μm厚の無色透明なアクリル板とする(後述のフィルム基板41、51も同様)。
The
有機PD33は、フィルム基板31の上面に設けられ、上側から入射する光量に応じて電荷を蓄積する感光部である。有機PD33は、数100nm〜数μm厚程度の薄膜状をなし、光吸収用組成物として有機材料を使用した公知の有機PDである。本実施形態の有機PD33は、上側に形成される窓部23A(つまり、光透過部24)の形成範囲とほぼ一致するように、各画素の中央位置に150μm幅の略正方形状で形成されている。
The
スルーホール32は、スルーホール22と同様にフィルム基板31を貫通する孔部であり、コンタクト部27のほぼ中央に対応する平面位置と、スルーホール22とほぼ同一の平面位置とに形成されている。スルーホール32は、感光層30よりも上側に位置する電子部品(つまり、有機EL23)に接続される層間ライン70、および、有機PD33に接続される層間ライン70に対応する数量が設けられている。
Similar to the through
ランド部34は、ランド部25と同様の導体であり、コンタクト部27の下方に位置するスルーホール32(つまり、有機PD33に接続される層間ライン70を形成するスルーホール32)の上端開口縁を被覆する。ランド部34は、後述の導電性ペースト60を挟んでコンタクト部27と上下方向に対向しており、且つ、フィルム基板31上で有機PD33と電気的に接続されている。
The
本実施形態では、有機EL23の陰極および陽極と、有機PD33の陰極および陽極とにそれぞれ接続される4つの層間ライン70を構成するために、画素ごとの感光層30に4つのスルーホール32が設けられている(図12参照)。そのうち、2つのスルーホール32の上端周囲には、有機PD33の陽極および陰極とそれぞれ電気的に接続された2つのランド部34が設けられている。各ランド部34の上方には、2つのコンタクト部27がそれぞれ対向配置されている。4つの層間ライン70のうちで、2つの層間ライン70の上端部は、上下に対向するランド部34およびコンタクト部27と接続されている。
In the present embodiment, four through
発光層20と感光層30との間には、接着シート26と同様に接着シート35が設けられている。詳細には、接着シート35は、フィルム基板21、31の間に介在して、感光層30を発光層20の下側に接着させる。ただし、接着シート35には、有機PD33およびランド部34を露出させる開口部が形成されている。また、スルーホール22の下方に位置するスルーホール32(つまり、有機EL23または有機PD33に接続される層間ライン70を形成するスルーホール32)を、上方のスルーホール22と連通させる孔部が形成されている。
Similar to the
コンタクト部36は、コンタクト部13と同様の導体であり、フィルム基板31の下面に形成されている。コンタクト部36は、後述するように、有機トランジスタ(Organic Thin Film Transistor:以下有機TFTと記す)43に接続される層間ライン70に対応する数量が設けられている。本実施形態のコンタクト部36は、有機PD33のほぼ直下に形成されている。
The
信号処理層40は、感光層30に蓄積された電荷を読み取って信号処理を行う層である。信号処理層40には、フィルム基板41に、スルーホール42と、有機TFT43と、ランド部44と、接着シート45とが、画素ごとに設けられている。
The
有機TFT43は、フィルム基板41の上面に設けられ、有機PD33に蓄積された電荷を読み取って光電流を増幅して出力する光電変換素子である。有機TFT43は、数10nm〜数μm厚程度の薄膜状をなし、有機半導体を使用した公知の有機TFTである。本実施形態では、2つのTFT(第1TFT43A,第2TFT43B)で構成された有機TFT43を例示する(図4、図10等参照)。
The
スルーホール42は、スルーホール22と同様にフィルム基板41を貫通する孔部であり、コンタクト部36のほぼ中央に対応する位置と、スルーホール32とほぼ同一の平面位置とに形成されている。スルーホール42は、信号処理層40よりも上側に位置する電子部品(つまり、有機EL23および有機PD33)に接続される層間ライン70、および、有機TFT43に接続される層間ライン70に対応する数量が設けられている。
Similar to the through
ランド部44は、ランド部25と同様の導体であり、コンタクト部36の下方に位置するスルーホール42(つまり、有機TFT43に接続される層間ライン70を形成するスルーホール42)の上端開口縁を被覆する。ランド部44は、後述の導電性ペースト60を挟んでコンタクト部36と上下方向に対向しており、且つ、フィルム基板41上で有機TFT43と電気的に接続されている。
The
本実施形態では、有機EL23の陰極および陽極と、有機PD33の陰極および陽極と、第1TFT43Aのソース電極、ドレイン電極、ゲート電極と、第2TFT43Bのソース電極、ドレイン電極、ゲート電極と、にそれぞれ接続される10つの層間ライン70を構成するために、画素ごとの信号処理層40に10つのスルーホール42が設けられている(図10参照)。そのうち、6つのスルーホール32の上端周囲には、フィルム基板41上でTFT43A、43Bのソース電極、ドレイン電極、ゲート電極とそれぞれ電気的に接続された6つのランド部44が設けられている。各ランド部44の上方には、6つのコンタクト部36がそれぞれ対向配置されている。10つの層間ライン70のうちで、6つの層間ライン70の上端部は、上下に対向するランド部44およびコンタクト部36と接続されている。
In the present embodiment, the cathode and anode of the
感光層30と信号処理層40との間には、接着シート26と同様に接着シート45が設けられている。詳細には、接着シート45は、フィルム基板31、41の間に介在して、信号処理層40を感光層30の下側に接着させる。ただし、接着シート45には、有機TFT43およびランド部44を露出させる開口部が形成されている。また、スルーホール32の下方に位置するスルーホール42(つまり、有機EL23、有機PD33および有機TFT43のいずれかに接続される層間ライン70を形成するスルーホール42)を、上方のスルーホール32と連通させる孔部が形成されている。
Similar to the
配線電源層50は、各層20、30、40に配設された電子部品(つまり、有機EL23、有機PD33、有機TFT43)に接続される電源ラインおよび配線ラインが形成される層である。配線電源層50には、フィルム基板51に、配線52と、ライン接続部53と、接着シート54とが、画素ごとに設けられている。
The wiring
配線52は、数μm厚程度のアルミ箔で形成された配線であり、電源ラインおよび配線ラインを含む。配線52には、アルミのほか、Cu、Ni、Crなどを用いることができる。ライン接続部53は、配線52上または配線52に隣接して設けられ、導電性ペースト60が形成される部位である。ライン接続部53は、配線電源層50よりも上側に位置する電子部品(つまり、有機EL23、有機PD33、有機TFT43)に接続される層間ライン70に対応する数量が設けられている。本実施形態では、有機EL23、有機PD33、有機TFT43のいずれかに接続される10つの層間ライン70に対応して、配線電源層50に10つのライン接続部53が設けられている(図8参照)。なお、導電性ペースト60は、高導電性および高粘性を有する公知の導電性ペーストであり、ライン接続部53に形成されると配線52と物理的に接触する。本実施形態の導電性ペースト60は、銀ナノ粒子(6wt%、エタノール溶媒、粒子径5nm)のペースト体である。
The
信号処理層40と配線電源層50の間には、接着シート26と同様に接着シート54が設けられている。詳細には、接着シート54は、フィルム基板41、51の間に介在して、配線電源層50を信号処理層40の下側に接着させる。ただし、接着シート54にはライン接続部53を露出させる孔部が形成されている。
Similar to the
コンタクト部13とライン接続部53との間には、スルーホール22、32、42を介して上下方向に延びる小径の連通孔が形成されており、この連通孔に導電性ペースト60が充填された状態で固化している。さらに、上下方向に対向するコンタクト部13およびランド部25で形成される数μm厚程度の間隙に、導電性ペースト60が充填された状態で固化している。つまり、有機EL23は、発光層20にフォイル上配線を形成することなく、ランド部25および層間ライン70を介して配線52と導通する。
A small-diameter communication hole extending in the vertical direction is formed between the
コンタクト部27とライン接続部53との間には、スルーホール32、42を介して上下方向に延びる小径の連通孔が形成されており、この連通孔に導電性ペースト60が充填された状態で固化している。さらに、上下方向に対向するコンタクト部27およびランド部34で形成される数μm厚程度の間隙に、導電性ペースト60が充填された状態で固化している。つまり、有機PD33は、感光層30にフォイル上配線を形成することなく、ランド部34および層間ライン70を介して配線52と導通する。
A small-diameter communication hole extending in the vertical direction is formed between the
コンタクト部36とライン接続部53との間には、スルーホール42を介して上下方向に延びる小径の連通孔が形成されており、この連通孔に導電性ペースト60が充填された状態で固化している。さらに、上下方向に対向するコンタクト部36およびランド部44で形成される数μm厚程度の間隙に、導電性ペースト60が充填された状態で固化している。つまり、有機TFT43は、信号処理層40にフォイル上配線を形成することなく、ランド部44および層間ライン70を介して配線52と導通する。
A small-diameter communication hole extending in the vertical direction is formed between the
上記構成を備えたスキャナ1では、フィルム基板11、21、31、41、51以外の構成部材は数μm以下の厚みである。よって、各層10、20、30、40、50の厚みは、フィルム基板11、21、31、41、51の厚み(100μm厚)にほぼ等しい。また、各層10、20、30、40、50間には接着シート26、35、45、54が介在されているが、各層10、20、30、40、50間の上下幅は、数μm〜10μm程度である。そのため、スキャナ1は、各層10、20、30、40、50が積層されても、全体の厚みは略500μm程度であるため、従来のスキャナと比して極めて薄型軽量である。
In the
さらに、スキャナ1の構成部材は、全て薄板状または薄膜状をなす可撓体であり、特に画素を構成する電子部品(有機EL23、有機PD33、有機TFT43)も、有機材料で構成された薄膜状の可撓体である。そのため、スキャナ1は全体としても薄板状の可撓体であり、且つ、スキャナ1が撓んでも素子構造は破壊されることなく保持される。よって、スキャナ1は撓んだ状態でも、対象物から適切に画像読取を実行可能である。
Further, the constituent members of the
なお、接着シート26、35、45、54は、各層10、20、30、40、50の間隙で導電性ペースト60の流出を防ぐ周壁としてそれぞれ機能する。よって、スルーホール22、32、42の間隙において、導電性ペースト60が流出して電子部品(有機EL23、有機PD33、有機TFT43)に付着するおそれが防止されている。
The
次に、本実施形態に係るスキャナ1の電気的構造および動作態様について、図1〜図3を参照して説明する。
Next, the electrical structure and operation mode of the
図2に示すように、スキャナ1は、スキャナ1の読取動作を制御する外部回路2に、リード線によって接続される。外部回路2は、例えばUSBケーブルによって、ユーザが操作するPC9に接続されている。本実施形態では、ユーザがPC9を操作してスキャナ1に画像読取を指示し、スキャナ1によって読み取られた画像イメージがPC9に出力される場合を例示する。
As shown in FIG. 2, the
図3に示すように、スキャナ1は、発光回路3、受光回路4および信号処理回路5を有する。発光回路3は、有機EL23および有機EL23に層間接続された配線52で形成される回路であって、有機EL23に電圧を印加して発光させる。受光回路4は、有機PD33および有機PD33に層間接続された配線52で形成される回路であって、有機PD33に一定逆電圧(バイアス)を印加することで、受光量に対応して増加する電荷を蓄積させる。信号処理回路5は、有機TFT43および有機TFT43に層間接続された配線52で形成される回路であって、発光回路3および受光回路4を駆動し、有機PD33から読み出される電荷を電圧として読み出して増幅する。
As shown in FIG. 3, the
外部回路2は、制御回路6および電源回路7を有する。制御回路6は、スキャナ1の読取動作を制御する回路である。電源回路7は、スキャナ1に電源を供給する回路である。本実施形態では、スキャナ1の薄型軽量化を図るために外部回路2を装置外に設けているが、スキャナ1が外部回路2を一体に備えていてもよい。
The
以下では、より具体的に、スキャナ1の読取動作について説明する。まず、ユーザは、スキャナ1を読取対象の原稿Tに対して密接させる。このとき、スキャナ1の上面(つまり、集光層10)が原稿Tの読取面に対向するように面接触させる。上記構成を有するスキャナ1は、全体として可撓性の薄型板状をなすため、原稿Tの読取面が湾曲している状態でも、その湾曲形状に合わせてスキャナ1を撓ませて面接触させることができる。
Hereinafter, the reading operation of the
ユーザは、スキャナ1を原稿Tの読取面に密接させた状態で、PC9を操作してスキャナ1に画像読取を指示すると、制御回路6は、信号処理回路5にスキャン信号を入力する。信号処理回路5は、スキャン信号が入力されると、発光回路3を駆動して有機EL23を発光させる。有機EL23は、先述のように平面視で集光レンズ12の形成範囲に含まれる。そのため、有機EL23の発光セグメントから上方に照射されたスキャン光は、有機EL23の上方に位置する集光レンズ12を透過して原稿Tに照射される。
When the user operates the PC 9 and instructs the
原稿Tからの反射光は、集光レンズ12にて画素中心に向けて屈折されて、集光レンズ12の下方に位置する窓部23Aに入射する。先述のように、有機PD33は、平面視で光透過部24の形成範囲に含まれる。そのため、窓部23Aに入射した反射光は、さらに光透過部24を透過して、光透過部24の下方に位置する有機PD33上に集光される。受光回路4の駆動により、有機PD33で光量に応じた電荷が蓄積されて光イメージが結像される。
The reflected light from the document T is refracted toward the center of the pixel by the
信号処理回路5は、発光回路3の駆動制御に合わせて、受光回路4を駆動する。受光回路4の駆動により、有機PD33に蓄積された電荷が有機TFT43に読み出され、その電荷が電圧値として増幅される。各セルごとの電圧値は、信号処理回路5から制御回路6にデータ信号として出力される。制御回路6は、スキャナ1から出力されるデータ信号に基づいて画像イメージを生成し、その画像イメージをPC9に出力する。
The
次に、アライメントマーク101,201,301,401,501について、図1、図4、図5、および図8を参照して説明する。なお、図4および図8はスキャナ1の4画素分について、図5はスキャナ1の1画素分についてそれぞれ図示している。各アライメントマーク101,201,301,401,501は、各層10,20.30.40,50の4つの角部に設けられている。ただし、位置は限定されない。
Next, the alignment marks 101, 201, 301, 401, and 501 will be described with reference to FIG. 1, FIG. 4, FIG. 5, and FIG. 4 and 8 show four pixels of the
アライメントマーク101,201,301,401,501は、それぞれ同様の形状に形成されている。詳細には、図8に示すアライメントマーク501のように、円の中に「+」マークが配置された形状をしている。ただし、形状は限定されない。また、アライメントマーク101,201,301,401,501は、Cu、Ni、Cr、Alなどの金属で形成されている。以下の説明では、アライメントマーク101,201,301,401,501のいずれかを特定しない場合は、単に「アライメントマーク」という場合がある。
The alignment marks 101, 201, 301, 401, 501 are each formed in the same shape. Specifically, like the
図1、図4、および図5に示すように、スキャナ1では、各アライメントマーク101,201,301,401,501が上下方向に一列に並ぶように配置されている。各層10,20.30.40,50に形成されるスルーホール、配線、デバイス等は、アライメントマーク101,201,301,401,501の座標を基準にして精度よく形成される。また、各層10,20.30.40,50を積層する場合、上下の層のアライメントマークの位置が合わせられて接着される。これによって、各層10,20.30.40,50が精度よく積層される。なお、アライメントマークには「+」マークが設けられているため、「+」マークの角度を検出することによって、フィルム基板11,21,31,41,51の角度のずれを検出することができる。これによって、角度のずれを補正して正確にスルーホール、配線、デバイス等の形成や積層を行うことができる。
As shown in FIGS. 1, 4, and 5, in the
次に、本実施形態に係るスキャナ1の製造方法について、図4〜図16を参照して説明する。スキャナ1は、図6に示す工程によって製造される。以下説明する。
Next, a method for manufacturing the
[配線電源層50の作製工程]
図4、図5、および図6〜図8に示すように、配線電源層50の作製工程では、まず、フィルム基板51の4つの角部に、フォトリソグラフィ法やマスク蒸着などによってアライメントマーク501を形成する(S11)。
[Manufacturing Process of Wiring Power Supply Layer 50]
As shown in FIGS. 4, 5, and 6 to 8, in the manufacturing process of the wiring
一例として、フォトリソグラフィ法によってアライメントマーク501を形成する場合について説明する。S11の工程では、フィルム基板51にネガ型のフォトレジストを塗布形成し、ベークを行ってフォトレジスト層502を形成する。ベークの際の温度は、例えば、130℃である。(後述するフォトレジスト層102,202,302,402を形成する場合も同様。)この際、ベークによる加熱によって、フィルム基板51は収縮する。
As an example, the case where the
次いで、フォトレジスト層502の上側に、露光用マスク503を配置し、露光用マスク503の上側から、下方向に向けて露光する(図7参照)。図7では、露光する方向を矢印81で表わしている。露光用マスク503において、アライメントマーク501の形状に対応する部分は光を遮断する遮光部504である。また、露光用マスク503において、遮光部504以外の部分は光を通過させる。このため、フォトレジスト層502において、遮光部504によって光が遮断された部分は、感光されず、硬化しない。一方、遮光部504以外に対応する部分は、感光されて硬化する。
Next, an
次に、エッチングによって、フォトレジスト層502における、硬化していない部分(つまり、アライメントマーク501を形成する部分)のフォトレジストを除去する。次に、フィルム基板51の上側から、Cu、Ni,Cr,Alなどの金属を蒸着する。その後、残ったフォトレジスト層502をアセトン溶液中で超音波洗浄することによって除去する。これによって、フィルム基板51上にアライメントマーク501が形成される(S11)。
Next, the photoresist in the uncured portion (that is, the portion where the
次に、S11の工程において形成したアライメントマーク501を基準にして、配線52等を形成し、配線電源層50を完成させる(S12)。以下、詳細に説明する。まず、フィルム基板51の上面に、配線52を形成する。配線52は、公知のフォトリソグラフィ法、エッチング法、マスク蒸着などによって形成すればよい。より好適には、超微細配線パターンを形成可能な手法(例えば、特開2006−222295号公報等を参照)で配線52を形成するのが望ましい。
Next, the
本実施形態では、図8に示す通り、フィルム基板51上に形成される配線52として、画素ごとのセルがそれぞれ接続される一対のスキャンライン(ロウ配線52C、52D)および一対のデータライン(カラム配線52E、52F)を、マトリクス状に形成する。データラインと平行をなす電源ライン(Vss)52AおよびGNDライン(Vdd)52Bを、隣り合う画素の間に形成する。なお、電源ライン52AとGNDライン52Bとは、隣り合う画素において共有されている。また、電源ライン52AとGNDライン52Bとにそれぞれ接続されるライン接続部53B,53D等も同様に、隣り合う画素において共有されている。データライン(カラム配線52E、52F)は、各カラムのトランジスタ(TFT43A,43B)をアクティブにするための配線である。スキャンライン(ロウ配線52C、52D)は、各ロウのトランジスタ(TFT43A,43B)をセレクトするための配線である。かかる構成のもと、スキャナ1の読取動作時には、所謂2次元スイッチを駆動するロウ・カラム方式の読取制御が行われるが、詳細は後述する。
In the present embodiment, as shown in FIG. 8, as the
さらに、フィルム基板51上における層間ライン70が形成される位置(つまり、ライン接続部53A〜53H、53J、53K)を、次のような接続関係とする。すなわち、電源ライン52A上に、ライン接続部53Bを形成する。GNDライン52B上に、ライン接続部53Dを形成する。ロウ配線52Cに、ライン接続部53Jを配線接続する。ロウ配線52D上に、ライン接続部53Kを形成する。カラム配線52Eに、ライン接続部53Eを配線接続する。カラム配線52Fに、ライン接続部53Gを配線接続する。ライン接続部53Cとライン接続部53Hとを配線接続する。ライン接続部53Aとライン接続部53Fとを配線接続する。なお、図8において、フィルム基板51上で配線52同士が交差する部位は、絶縁被膜が施されている。
Furthermore, the position (namely, line connection part 53A-53H, 53J, 53K) in which the
次に、アライメントマーク501を基準にして、フィルム基板51の上面に、公知のインクジェット技術、スクリーン印刷などによって、ライン接続部53上に導電性ペースト60を吐着形成する。導電性ペースト60は、スルーホール22等の内部を毛細管現象によって上昇するのに必要な密度を有する導電性ペーストであればよい。より好適には、導電性ペースト60は、低温加熱(例えば、140℃以下)によって硬化し、且つ、接着力が高いものが望ましく、本実施形態では銀ナノ粒子(6wt%、エタノール溶媒、粒子径5nm)のペースト体としている。
Next, with the
ライン接続部53に対する導電性ペースト60の吐着量は、そのライン接続部53に形成される層間ライン70によって異なる。例えば、コンタクト部13(つまり、集光層10)まで延びる層間ライン70が形成されるライン接続部53には、3つのスルーホール22、32、42を充填するのに必要な量の導電性ペースト60を吐着する。また、コンタクト部36(つまり、感光層30)まで延びる層間ライン70が形成されるライン接続部53には、1つのスルーホール42を充填するのに必要な量の導電性ペースト60を吐着する。
The amount of the
次に、アライメントマーク501を基準にして、接着シート54を、フィルム基板51の上面側を被覆するように形成する。ただし、ライン接続部53上に形成された導電性ペースト60が露出するように(つまり、導電性ペースト60が被覆されないように)、接着シート54に孔部を形成する。なお、接着シート54に代えて、絶縁層間接着剤を用いてもよい(後述の接着シート26,35,45の場合も同様)。上記S11およびS12の工程によって、配線電源層50が形成される。
Next, the
[信号処理層40の作製工程]
図4、図5、図6、図9、および図10に示すように、信号処理層40の作製工程では、まずフィルム基板41の4つの角部のそれぞれに、アライメントマーク401を形成する(S13)。S13の工程について説明する。S13の工程では、フィルム基板41にネガ型のフォトレジストを塗布形成し、ベークを行って、フォトレジスト層402を形成する。この際、ベークによる加熱によって、フィルム基板41は収縮する。そして、配線電源層50の上方にフィルム基板41を配置し、配線電源層50のアライメントマーク501が設けられた位置の下方から、背面露光によりフォトレジスト層402を感光させる(図9参照)。図9では、露光する方向を矢印80で示している(後述する図11、図13、および図15も同様)。アライメントマーク501によって光が遮断されるため、アライメントマーク501に対応するフォトレジスト層402の部分は感光されず、硬化しない。一方、フォトレジスト層402において、アライメントマーク501に対応する部分以外の部分は、感光されて硬化する。
[Manufacturing Process of Signal Processing Layer 40]
As shown in FIGS. 4, 5, 6, 9, and 10, in the manufacturing process of the
次に、エッチングによって、フォトレジスト層402における、硬化していない部分(つまり、アライメントマーク401が形成される部分)のフォトレジストを除去する。次に、フィルム基板41の上側から、Cu、Ni,Cr,Alなどの金属を蒸着する。その後、残ったフォトレジスト層402をアセトン溶液中で超音波洗浄することによって除去する。これによって、フィルム基板41上にアライメントマーク401が形成される(S13)。言い換えると、フィルム基板51上のアライメントマーク501が、フィルム基板41上に転写される。
Next, the photoresist in the uncured portion (that is, the portion where the
次に、アライメントマーク401を基準にして、スルーホール42等を形成し、信号処理層40を完成させる(S14)。以下、詳細に説明する。まず、アライメントマーク401を基準にして、フィルム基板41に、スルーホール42を画素ごとに形成する。スルーホール42は、導電性ペースト60を毛細管現象によって内部で上昇させる程度の小径(例えば、2〜20μm程度)であり、本実施形態では10μm径としている。スルーホール42が2〜20μmのような小径である場合は、マイクロドリルを使用して形成するのが好適である。後述のスルーホール22、32も同様である。スルーホール42は、公知のパンチング、マイクロドリル、レーザ、または型などを用いて形成されればよい。本実施形態では、ライン接続部53A〜53H、53J、53K(図8参照)と対応する位置に、10つのスルーホール42A〜42H、42J、42Kを形成する。
Next, through
次に、アライメントマーク401を基準にして、フィルム基板41の上面に、スルーホール42の上端開口縁を被覆するランド部44を画素ごとに形成する。ランド部44は、公知のエッチング法、めっき法、スクリーン印刷法などで形成されればよい。ランド部44の形成幅は、コンタクト部36の形成幅と同程度であることが好適であり、本実施形態では25μm幅としている(ランド部25,34も同様)。本実施形態では、スルーホール42E〜42H、42J、42Kの上端開口縁に沿って、6つのランド部44A〜44Fを形成する。
Next, a
次に、アライメントマーク401を基準にして、フィルム基板41の上面に、有機TFT43を画素ごとに形成する。有機TFT43は、公知のフォトリソグラフィ法などによって形成すればよい。本実施形態では、公知の自己整合技術(例えば、特開2005−158774号公報等を参照)を用いて、透明酸化物半導体である有機TFT43を形成する。これによれば、素子特性の高い有機TFT43を正確且つ容易に形成することができる。なお、有機TFT43を、2つのTFT(第1TFT43Aおよび第2TFT43B)で構成する。ランド部44A、44B、44Eに、第1TFT43Aのソース電極、ドレイン電極、ゲート電極をそれぞれ電気的に接続させる。ランド部44C、44D、44Fに、第2TFT43Bのソース電極、ドレイン電極、ゲート電極をそれぞれ電気的に接続させる。
Next, the
最後に、アライメントマーク401を基準にして、接着シート45を、フィルム基板41の上面側を被覆するように形成する。ただし、有機TFT43およびランド部44が露出するように(つまり、有機TFT43およびランド部44が被覆されないように)、接着シート45に開口部を形成する。さらに、ランド部44が形成されていないスルーホール42(本実施形態では、スルーホール42A〜42D)が上方に連通するように、接着シート45に孔部を形成する。上記S13およびS14の工程によって、信号処理層40が形成される。
Finally, the
次に、配線電源層50の上に信号処理層40を重ねて、加熱および加圧して接着する(S15)。このとき、配線電源層50のアライメントマーク501と、信号処理層40のアライメントマーク401との位置が、顕微鏡等によって互いに合わせられる。これによって、正確に配線電源層50と信号処理層40とが接着される。以後の説明では、配線電源層50と信号処理層40とが接着された基板を、積層基板91という。
Next, the
[感光層30の作製工程]
図4、図5、図6、図11および図12に示すように、感光層30の作製工程では、まずフィルム基板31の4つの角部に、アライメントマーク301を形成する(S16)。S16の工程について説明する。S16の工程では、フィルム基板31にネガ型のフォトレジストを塗布形成し、ベークを行って、フォトレジスト層302を形成する。この際、ベークによって、フィルム基板31は収縮する。そして、積層基板91の上方にフィルム基板31を配置し、積層基板91のアライメントマーク401,501が設けられた位置の下方から、背面露光によりフォトレジスト層302を感光させる(図11参照)。アライメントマーク401,501によって光が遮断されるため、アライメントマーク401,501に対応するフォトレジスト層302の部分は感光されず、硬化しない。一方、フォトレジスト層302において、アライメントマーク401,501に対応する部分以外の部分は、感光されて硬化する。
[Production process of photosensitive layer 30]
As shown in FIGS. 4, 5, 6, 11, and 12, in the manufacturing process of the
次に、S13の工程の場合と同様に、エッチング、金属蒸着、超音波洗浄等を行うことによって、フィルム基板31上にアライメントマーク301が形成される(S13)。言い換えると、積層基板91に上下に重ねられたアライメントマーク401,501が、フィルム基板31上に転写される。
Next, as in the case of step S13, an
次に、アライメントマーク301を基準にして、スルーホール32等を形成し、感光層30を完成させる(S17)。以下、詳細に説明する。まず、アライメントマーク301を基準にして、フィルム基板31に、スルーホール32を画素ごとに形成する。本実施形態では、ライン接続部53A〜53D(図8参照)と対応する位置に、4つのスルーホール32A〜32Dを形成する。
Next, through
次に、アライメントマーク301を基準にして、フィルム基板31の下面に、上側に形成される有機PD33のほぼ直下に相当する位置(本実施形態では、画素のほぼ中央位置)に、コンタクト部36を画素ごとに形成する。コンタクト部36は、公知のエッチング法、メッキ法、スクリーン印刷法などで形成されればよい(後述のコンタクト部13,27も同様)。コンタクト部36の形成幅は、少なくともスルーホール42の直径よりも大きい。好適には、スルーホール42の直径の2倍以上(例えば、20μm〜50μmの範囲内)であり、本実施形態では25μm幅としている。後述のコンタクト部13,27も、スルーホール22,32との関係において同様である。本実施形態では、ライン接続部53E〜53H、53J、53K(図8参照)と対応する位置に、6つのコンタクト部36を形成する。
Next, with reference to the
次に、アライメントマーク301を基準にして、フィルム基板31の上面に、スルーホール32の上端開口縁を被覆するランド部34を画素ごとに形成する。本実施形態では、スルーホール32C、32Dの上端開口縁に沿って、2つのランド部34A、34Bを形成する。
Next, a
次に、アライメントマーク301を基準にして、フィルム基板31の上面に、有機PD33を画素ごとに形成する。有機PD33は、公知のフォトリソグラフィ法、スクリーン印刷法、インクジェット法などによって形成すればよい。本実施形態では、公知の自己整合技術(例えば、特開2006−253632号公報等を参照)を用いて有機PD33を形成する。これによれば、有機PD33の高明暗電流比および高感度を実現するとともに、有機PD33を正確且つ容易に形成することができる。図示しないが、フィルム基板31の上面に、有機PD33に並列接続されるコンデンサを、公知の手法により形成する。なお、ランド部34A、34Bに、有機PD33の陽極および陰極をそれぞれ電気的に接続させる。
Next, the
最後に、アライメントマーク301を基準にして、接着シート35を、フィルム基板31の上面側を被覆するように形成する。ただし、有機PD33およびランド部34が露出するように(つまり、有機PD33およびランド部34が被覆されないように)、接着シート35に開口部を形成する。さらに、ランド部34が形成されていないスルーホール32(本実施形態では、スルーホール32A、32B)が上方に連通するように、接着シート35に孔部を形成する。上記S16およびS17の工程によって、感光層30が形成される。
Finally, the
次に、積層基板91の上に感光層30を重ねて接着する(S18)。このとき、積層基板91のアライメントマーク401,501と、感光層30のアライメントマーク301との位置が、顕微鏡等によって合わせられる。これによって、正確に積層基板91と感光層30とが接着される。以後の説明では、積層基板91と感光層30とが接着された基板を、積層基板92という。
Next, the
[発光層20の作製工程]
図4、図5、図6、図13および図14に示すように、発光層20の作製工程では、まず、フィルム基板21の4つの角部のそれぞれに、アライメントマーク201を形成する(S19)。S19の工程について説明する。S19の工程では、フィルム基板21にネガ型のフォトレジストを塗布形成し、ベークを行って、フォトレジスト層202を形成する。この際、ベークによって、フィルム基板21は収縮する。そして、積層基板92の上方にフィルム基板21を配置し、積層基板92のアライメントマーク301,401,501が設けられた位置の下方から、背面露光によりフォトレジスト層202を感光させる(図13参照)。アライメントマーク301,401,501によって光が遮断されるため、アライメントマーク301,401,501に対応するフォトレジスト層202の部分は感光されず、硬化しない。一方、フォトレジスト層202において、アライメントマーク301,401,501に対応する部分以外の部分は、感光されて硬化する。
[Production Process of Light-Emitting Layer 20]
As shown in FIGS. 4, 5, 6, 13, and 14, in the manufacturing process of the
次に、S13の工程の場合と同様に、エッチング、金属蒸着、超音波洗浄等を行うことによって、フィルム基板21上にアライメントマーク201が形成される(S19)。言い換えると、積層基板92に上下に重ねられたアライメントマーク301,401,501が、フィルム基板21上に転写される。
Next, as in the case of step S13, an
次に、アライメントマーク201を基準にして、スルーホール22等を形成し、発光層20を完成させる(S20)。以下、詳細に説明する。まず、アライメントマーク201を基準にして、フィルム基板21に、スルーホール22を画素ごとに形成する。本実施形態では、ライン接続部53A、53B(図8参照)と対応する位置に、2つのスルーホール22A、22Bを形成する。
Next, through
次に、アライメントマーク201を基準にして、フィルム基板21の下面における、平面視で窓部23A(つまり、光透過部24)の形成範囲の外側に、コンタクト部27を画素ごとに形成する。本実施形態では、ライン接続部53C、53D(図8参照)と対応する位置に、2つのコンタクト部27を形成する。
Next, the
次に、アライメントマーク201を基準にして、フィルム基板21の上面に、スルーホール22の上端開口縁を被覆するランド部25を画素ごとに形成する。本実施形態では、スルーホール22A、22Bの上端開口縁に沿って、2つのランド部25A、25Bを形成する。
Next, with reference to the
次に、アライメントマーク201を基準にして、フィルム基板21の上面に、有機EL23を画素ごとに形成する。有機EL23は、公知のフォトリソグラフィ法、スクリーン印刷法、インクジェット法などによって、少なくとも一部に窓部23Aを有するセグメント構造の有機EL23を形成すればよい。有機EL23の発光セグメントおよび窓部23Aは、透明電極(ITO)のパターニング、または、10nm以上の薄層絶縁膜形成によって作り分ければよい。なお、ランド部25A、25Bに、有機EL23の陽極および陰極をそれぞれ電気的に接続させる。
Next, the
最後に、アライメントマーク201を基準にして、接着シート26を、フィルム基板21の上面側を被覆するように形成する。ただし、有機EL23が露出するように(つまり、有機EL23が被覆されないように)、公知のエッチング法などで接着シート26に開口部を形成する。さらに、ランド部25の孔部周り(つまり、スルーホール22の上端開口縁)が露出するように、公知のマイクロドリルなどで接着シート26に孔部を形成する。上記S19およびS20の工程によって、発光層20が形成される。
Finally, the
次に、積層基板92の上に発光層20を重ねて接着する(S21)。このとき、積層基板92のアライメントマーク301,401,501と、発光層20のアライメントマーク201との位置が、顕微鏡等によって合わせられる。これによって、正確に積層基板92と発光層20とが接着される。以後の説明では、積層基板92と発光層20とが接着された基板を、積層基板93という。
Next, the
[集光層10の作製工程]
図4、図5、図6、図15、および図16に示すように、集光層10の作製工程では、まず、フィルム基板11の4つの角部のそれぞれに、アライメントマーク101を形成する(S22)。S22の工程について説明する。S22の工程では、フィルム基板11にネガ型のフォトレジストを塗布形成し、ベークを行って、フォトレジスト層102を形成する。この際、ベークによって、フィルム基板11は収縮する。そして、積層基板93の上方にフィルム基板11を配置し、積層基板93のアライメントマーク201,301,401,501が設けられた位置の下方から、背面露光によりフォトレジスト層102を感光させる(図15参照)。アライメントマーク201,301,401,501によって光が遮断されるため、アライメントマーク201,301,401,501に対応するフォトレジスト層102の部分は感光されず、硬化しない。一方、フォトレジスト層102において、アライメントマーク201,301,401,501に対応する部分以外の部分は、感光されて硬化する。
[Manufacturing Process of Light Condensing Layer 10]
As shown in FIGS. 4, 5, 6, 15, and 16, in the manufacturing process of the
次に、S13の工程の場合と同様に、エッチング、金属蒸着、超音波洗浄等を行うことによって、フィルム基板11上にアライメントマーク101が形成される(S22)。言い換えると、積層基板93に上下に重ねられたアライメントマーク201,301,401,501が、フィルム基板11上に転写される。
Next, as in the case of step S13, the
次に、アライメントマーク101を基準にして、集光レンズ12等を形成し、集光層10を完成させる(S23)。以下、詳細に説明する。まず、アライメントマーク101を基準にして、フィルム基板11の下面に、集光レンズ12を画素ごとに形成する。集光レンズ12は、公知の熱プレス法やキャスティング法などで形成されればよいが、公知のナノインプリントリソグラフィを用いて形成することが好ましい。また、集光レンズ12をフィルム基板11に一体形成されるフレネルレンズとすることで、フィルム基板11の厚みを抑制することができる。なお、集光レンズ12に屈折率差を設けるため、フィルム基板11の材料系として、高屈折率金属酸化物(TiO2、ZrO2等)ナノ粒子ポリマー、低屈折率フッ素系樹脂ポリマー等を用いることが好適である。
Next, using the
次に、アライメントマーク101を基準にして、フィルム基板11の下面において、平面視で各集光レンズ12の形成範囲の外側に、コンタクト部13を画素ごとに形成する。本実施形態では、ライン接続部53A、53B(図8参照)と対応する位置に、2つのコンタクト部13を形成する。上記S22およびS23の工程によって、集光層10が形成される。
Next, the
次に、積層基板93の上に集光層10を重ねて接着する(S24)。このとき、積層基板93のアライメントマーク201,301,401,501と、集光層10のアライメントマーク101との位置が、顕微鏡等によって合わせられる。これによって、正確に積層基板93と集光層10とが接着される。積層基板93と集光層10とが接着されることで、スキャナ1を構成する積層基板94が形成される。
Next, the condensing
以上説明したように、スキャナ1を構成する積層基板94が形成される。S15、S18、S21、およびS24の接着工程において、アライメントマーク101,201,301,401,501を基準にして、各層が積み上げられる。このとき、各コンタクト部13、27、36および各スルーホール22、32、42が、それぞれ対応するライン接続部53の平面位置と略一致する。これにより、コンタクト部13からスルーホール22、32、42を経由してライン接続部53に至る小径の連通孔が形成される。同様に、コンタクト部27からスルーホール32、42を経由してライン接続部53に至る小径の連通孔が形成され、コンタクト部36からスルーホール42を経由してライン接続部53に至る小径の連通孔が形成される(図1参照)。
As described above, the
各層10、20、30、40、50が積層されると、ライン接続部53に形成されている導電性ペースト60が、毛細管現象によってスルーホール42の内周壁に沿って上昇する。スルーホール42の上端開口縁にランド部44が形成されている場合、導電性ペースト60はスルーホール42の上端開口から進出してコンタクト部36に接触する。コンタクト部36に接触した導電性ペースト60は、コンタクト部36の表面に沿って平面方向に広がり、コンタクト部36とランド部44との間隙に進入する。かかる状態で導電性ペースト60が固化すると、有機TFT43を配線52に接続させる層間ライン70が形成される。
When the
スルーホール42が上方のスルーホール32と連通している場合、導電性ペースト60はスルーホール42を経由してスルーホール32に進入し、さらにスルーホール32の内周壁に沿って上昇する。スルーホール32の上端開口縁にランド部34が形成されている場合、導電性ペースト60はコンタクト部27に接触することによって、コンタクト部27とランド部34との間隙に進入する。かかる状態で導電性ペースト60が固化すると、有機PD33を配線52に接続させる層間ライン70が形成される。
When the through
スルーホール32が上方のスルーホール22と連通している場合、導電性ペースト60はさらにスルーホール22の内周壁に沿って上昇する。そして、導電性ペースト60は、スルーホール22の上端開口から進出してコンタクト部13に接触して、コンタクト部13とランド部25との間隙に充填される。かかる状態で導電性ペースト60が固化すると、有機EL23を配線52に接続させる層間ライン70が形成される。
When the through
S15、S18、S21、およびS24の工程では、各層10、20、30、40、50を積層して加熱圧着する。これにより、各層間に配置された接着シート26、35、45、54を加熱溶解して、各層10、20、30、40、50が接着される。また、導電性ペースト60が加熱固化して、上記のように層間ライン70が形成される。この加熱圧着は、接着シート26、35、45、54を加熱溶着する温度で行えばよいが、より好適には画素を構成する電子部品を熱劣化させない温度であることが望ましい。本実施形態では、有機EL23、有機PD33、有機TFT43の全てを熱劣化させないという条件(140℃以下)を満たす80℃で加熱圧着を行うものとする。そのため、接着シート26、35、45、54は80℃で加熱溶着する材料で形成されるとともに、導電性ペースト60も80℃で加熱固化する材料で形成されている。
In the steps S15, S18, S21, and S24, the
これにより、本実施形態のスキャナ1では、有機EL23の陰極は、配線電源層50上で接続されるライン接続部53A、53Fを介して、第1TFT43Aのドレイン電極に結線される。有機EL23の陽極は、ライン接続部53Bが形成された電源ライン52Aに結線される。有機PD33の陽極は、配線電源層50上で接続されるライン接続部53C、53Hを介して、第2TFT43Bのドレイン電極に結線される。有機PD33の陰極は、ライン接続部53Dが形成されたGNDライン52Bに結線される。第1TFT43Aのソース電極は、ライン接続部53Eが接続されたカラム配線52Eに結線され、第2TFT43Bのソース電極は、ライン接続部53Gが接続されたカラム配線52Fに結線される。第1TFT43Aのゲート電極は、ライン接続部53Jが接続されたロウ配線52Cに結線され、第2TFT43Bのゲート電極は、ライン接続部53Kが接続されたロウ配線52Dに結線される。
Thereby, in the
その結果、発光層20の回路構成(図3に示す発光回路3)では、第1TFT43Aのドレイン電極から有機EL23の陰極に入り、有機EL23の陽極が電源ライン52Aに繋がる。感光層30の回路構成(図3に示す受光回路4)では、第1TFT43Aのドレイン電極から有機PD33の陽極に入り、有機PD33の陰極がGNDライン52Bに繋がる。信号処理層40の回路構成(図3に示す信号処理回路5)は、ロウ配線52Cから第1TFT43Aのゲート電極に入り、第1TFT43Aのソース電極を経てカラム配線52Eに繋がる。ロウ配線52Dから第2TFT43Bのゲート電極に入り、第2TFT43Bのソース電極を経てカラム配線52Fに繋がる。
As a result, in the circuit configuration of the light emitting layer 20 (
このような配線パターンによって、各電子部品(有機EL23、有機PD33、有機TFT43)と配線52とが、層間ライン70によって画素ごとに層間接続され、発光回路3、受光回路4、信号処理回路5(図3参照)が画素ごとに形成される。データライン(カラム配線52E、52F)で所定時間アクティブになったカラムのトランジスタ(TFT43A、43B)のうち、スキャンライン(ロウ配線52C、52D)でセレクトされたロウに相当するトランジスタのみ、所定時間ゲート電圧がONになってドレイン電流が流れる。そのため、スキャナ1の読み取り動作時には、スキャンライン(ロウ配線52C、52D)とデータライン(カラム配線52E、52F)とに選択的にデータ入力が行われることで、2次元的に配置された有機EL22が発光され、且つ、2次元的に配置された有機PD33から光起電力分布が得られる。
With such a wiring pattern, each electronic component (
より詳細には、ロウ配線52Cおよびカラム配線52Eにスキャン信号が入力されると、第1TFT43Aのゲート電極に電圧が印加される。この電圧印加によってゲート電極が開き、第1TFT43Aのソース電極からドレイン電極へ電流が流れて、有機EL23が発光する。これにあわせて、ロウ配線52Dおよびカラム配線52Fにスキャン信号が入力されると、第2TFT43Bのゲート電極に電圧が印加される。この電圧印加によってゲート電極が開き、有機PD33が原稿から受光した反射光の光量に応じて、第2TFT43Bのソース電極からドレイン電極に電流が流れる。このときの光起電力がデータ信号として外部回路2(図3参照)に出力され、外部回路2にて原稿からの反射光強度が特定されることで画像イメージが生成される。
More specifically, when a scan signal is input to the row wiring 52C and the
このように、本実施形態のスキャナ1では、光源部(有機EL23)と感光部(有機PD33)とを各画素ごとに備えて、有機EL23の発光制御と有機PD33の受光制御とが各画素ごとに実行される。そのため、従来のスキャナ装置のように、光源部の発光制御と感光部の受光制御とを別々に制御する必要がなく、画像読み取り動作を迅速かつ正確に行うことが可能である。
Thus, in the
以上説明したように、本実施形態のスキャナ1が製造される。本実施形態のスキャナ1は、各画素に画像読取に必要な電子部品(有機EL23、有機PD33、有機TFT43)を一体に備え、全体として薄型軽量且つ可撓性であるという構造的特徴を備える。これにより、スキャナ1を原稿Tの読取面に沿って撓ませることで、湾曲形状をなす原稿Tから画像や文書などが正確に読み取られる。
As described above, the
次に、図17を参照して、第二実施形態について説明する。第一実施形態では、各層のアライメントマークを形成する際に、下層に積層されるフィルム基板が全て積層された基板のアライメントマークが転写されていた。第二実施形態では、最下層の配線電源層50を形成後、配線電源層50のアライメントマーク501を、その他の全てのフィルム基板11,21,31,41に転写して、アライメントマーク101,201,301,401を形成する。第二実施形態で形成されるスキャナ1は、第一実施形態で形成されたスキャナ1と同様である(図1参照)。図17において、第一実施形態における工程(図6参照)と同様の工程は同じ符号で示し、詳細の説明は省略する。
Next, a second embodiment will be described with reference to FIG. In 1st embodiment, when forming the alignment mark of each layer, the alignment mark of the board | substrate with which all the film substrates laminated | stacked on the lower layer were laminated | stacked was transferred. In the second embodiment, after forming the lowermost wiring
なお、以下の第二実施形態において、第一実施形態におけるS13、S16、S19、およびS22の工程(図6参照)のように、フォトレジスト塗布、ベーク、感光、エッチング、金属蒸着、および超音波洗浄等によって、アライメントマークを形成する場合、単に「アライメントマークを転写する」という(後述の第三実施形態も同様)。例えば、S13の工程のように、アライメントマーク501を利用して感光を行って、アライメントマーク401を形成する場合、「アライメントマーク501を転写する」という。
In the second embodiment below, as in the steps S13, S16, S19, and S22 (see FIG. 6) in the first embodiment, photoresist coating, baking, photosensitizing, etching, metal deposition, and ultrasonic waves are performed. When the alignment mark is formed by cleaning or the like, it is simply referred to as “transferring the alignment mark” (the same applies to the third embodiment described later). For example, when the
図17に示すように、第二実施形態では、まず、第一実施形態の場合と同様に、S11およびS12の工程によって配線電源層50を形成する。次に、配線電源層50のアライメントマーク501を、その他のフィルム基板11,21,31,41に転写して、アライメントマーク101,201,301,401を形成する(S31)。なお、S31の工程のうち、露光を行う工程では、例えば、図9に示すアライメントマーク401を形成する場合のように、配線電源層50のアライメントマーク501が利用される。
As shown in FIG. 17, in the second embodiment, first, the wiring
次に、S31の工程において形成されたアライメントマーク101,201,301,401を基準にして、各層10,20,30,40を形成する(S14、S17、S20、およびS23)。S14、S17、S20、およびS23の工程は、第一実施形態と同様である。次に、完成した各層10,20,30,40,50を、アライメントマーク101,201,301,401,501の位置を合わせて順次接着する(S32)。これによって、積層基板94(図1参照)が完成する。
Next, the
次に、図18を参照して、第三実施形態について説明する。第三実施形態では、各層のアライメントマークを形成する際に、一つ下の層のアライメントマークを転写する。以下、説明する。なお、図18において、第一実施形態における工程(図6参照)および第二実施形態における工程(図17参照)と同様の工程は同じ符号で示し、詳細の説明は省略する。 Next, a third embodiment will be described with reference to FIG. In the third embodiment, when forming the alignment mark of each layer, the alignment mark of the next lower layer is transferred. This will be described below. In FIG. 18, the same steps as those in the first embodiment (see FIG. 6) and steps in the second embodiment (see FIG. 17) are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
図18に示すように、第三実施形態では、第一実施形態の場合と同様に、配線電源層50を形成し(S11およびS12)、配線電源層50のアライメントマーク501を、フィルム基板41に転写し(S13)、信号処理層40を完成する(S14)。次に、信号処理層40のアライメントマーク401を、フィルム基板31に転写してアライメントマーク301を形成する(S41)。次に、第一実施形態と同様に、感光層30を完成する(S17)。
As shown in FIG. 18, in the third embodiment, as in the first embodiment, the wiring
次に、感光層30のアライメントマーク301をフィルム基板21に転写して、アライメントマーク201を形成する(S42)。次に、第一実施形態と同様に、発光層20を完成する(S20)。次に、発光層20のアライメントマーク201をフィルム基板11に転写して、アライメントマーク101を形成する(S43)。次に、第一実施形態と同様に、集光層10を完成する(S23)。次いで、第二実施形態と同様に、各層10,20,30,40,50を接着する(S32)。これによって、積層基板94が完成する。
Next, the
上記第一、第二、第三実施形態では、アライメントマーク101,201,301,401,501を形成するフィルム基板11,21,31,41,51にフォトレジストを塗布、ベークを行ってフォトレジスト層102,202,302,402,502を形成している(図6のS13、S16、S19、S22、図17のS31、図18のS13、S41、S42、S43)。つまり、加熱している。この加熱によって、フィルム基板11,21,31,41,51は収縮する。そして、収縮後のフィルム基板11,21,31,41,51にアライメントマーク101,201,301,401,501が形成され、アライメントマーク101,201,301,401,501を基準にして、各デバイス等が形成される。
In the first, second, and third embodiments, a photoresist is applied to the film substrates 11, 21, 31, 41, 51 on which the alignment marks 101, 201, 301, 401, 501 are formed, and baked.
各層10,20,30,40,50のデバイス等を形成する場合、再度フィルム基板が再度加熱される場合がある。しかし、フィルム基板11,21,31,41,51は、フォトレジスト層102,202,302,402,502を形成する際に、既に加熱によって収縮しているため、再度加熱されても収縮は少ない。例えば、フィルム基板の寸法が100cm2の場合、最初の加熱で数十ミクロン〜100ミクロン収縮するが、2回目以降の加熱では、数ミクロン以下である。このため、各フィルム基板11,21,31,41,51におけるアライメントマーク101,201,301,401,501の位置がずれ難い。よって、各フィルム基板11,21,31,41,51を貼り合わせる際に、各フィルム基板11,21,31,41,51のアライメントマーク101,201,301,401,501の位置を精度よく合わせることができる。よって、高精度にフィルム基板11,21,31,41,51を積層することができる。
When forming the device of each
また、第一実施形態では、アライメントマークを新たに形成するフィルム基板より下層に積層される全てのフィルム基板のアライメントマークが転写されている。詳細には、フィルム基板41には、フィルム基板51のアライメントマーク501が転写され、フィルム基板31には、積層基板91のアライメントマーク401,501が転写されている。また、フィルム基板21には、積層基板92のアライメントマーク301,401,501が転写され、フィルム基板11には、積層基板93のアライメントマーク201,301,401が転写されている。このように、第一実施形態では、下層のフィルム基板または積層基板のアライメントマークを、上の層のフィルム基板に転写する。そして、アライメントマークを転写したフィルム基板を、フィルム基板または積層基板に重ねて新たな積層基板を形成する。そして、新たな積層基板を上の層のフィルム基板に転写することを繰り返すことにより、各フィルム基板が精度よく積層された積層基板94を製造することができる。
Moreover, in 1st embodiment, the alignment mark of all the film substrates laminated | stacked on the lower layer from the film substrate which forms an alignment mark newly is transcribe | transferred. Specifically, the
また、第二実施形態では、最下層のフィルム基板51のアライメントマーク501を、他の全ての層のフィルム基板11,21,31,41に転写して、積層基板94を製造することができる。よって、下層のフィルム基板に対し、上層のフィルム基板を精度よく積層することが可能となり、各フィルム基板が精度よく積層された積層基板を製造することができる。
In the second embodiment, the
また、第三実施形態では、各層のフィルム基板にアライメントマークを形成する際に、一つ下の層のフィルム基板のアライメントマークを転写する。つまり、下層から順番にアライメントマークを転写して、積層基板94を製造することができるため、下層のフィルム基板に対し、上層のフィルム基板を精度よく積層することが可能となり、各フィルム基板が精度よく積層された積層基板94を製造することができる。
Moreover, in 3rd embodiment, when forming the alignment mark in the film substrate of each layer, the alignment mark of the film substrate of a lower layer is transcribe | transferred. In other words, since the alignment mark can be transferred in order from the lower layer to manufacture the
また、仮に各フィルム基板が精度よく積層されない場合、積層基板を多層にすると、各種デバイスやスルーホール等の位置がフィルム基板相互間でずれてしまう。このため、積層基板を多層にすることができない。また、スルーホールやデバイス等の実装密度を上げることができない。第一、第二、第三実施形態の場合、上述のように、各フィルム基板が精度よく積層されるので、積層基板をさらに多層にしても、各種デバイスやスルーホール等の位置がフィルム基板相互間でずれることがない。このため、積層基板を多層にすることができる。また、スルーホールやデバイス等の実装密度を上げることができる。 In addition, if the film substrates are not accurately stacked, if the stacked substrates are multi-layered, the positions of various devices and through-holes are shifted between the film substrates. For this reason, a laminated substrate cannot be made into a multilayer. Also, the mounting density of through holes and devices cannot be increased. In the case of the first, second, and third embodiments, as described above, since the film substrates are accurately laminated, even if the laminated substrate is further multilayered, the positions of various devices, through-holes, etc. There is no gap between them. For this reason, a laminated substrate can be made into a multilayer. In addition, the mounting density of through holes and devices can be increased.
また、例えば、図9に示すように、アライメントマーク501を利用して露光する場合、アライメントマーク501によって遮断されなかった光は、フォトレジスト層402を感光する。このとき、遮断されなかった光が漏れこみ、フォトレジスト層402において感光されない部分(すなわち、アライメントマーク401が形成される部分)の線の太さは、アライメントマーク501を構成する線より細くなる。これによって、アライメントマーク401を構成する線は、アライメントマーク501を構成する線よりも細くなる。この関係は、他のアライメントマークを転写する工程(S16等)においても同様である。
For example, as shown in FIG. 9, when exposure is performed using the
つまり、上の層のフィルム基板のアライメントマークの線の太さが、下の層のアライメントマークの線の太さよりも細くなる。基板を相互に接着する場合、上の層のアライメントマークの線の太さが、下の層のアライメントマークの線の太さより細ければ、下の層のアライメントマークの形状と、上の層のアライメントマークの形状とを同時に確認して位置合わせをすることができる。このため、アライメントマークの位置を上下の層で合わせやすくなる。よって、より高精度にフィルム基板を積層することが可能となり、各フィルム基板が精度よく積層された積層基板を製造することができる。 That is, the thickness of the alignment mark line of the upper layer film substrate is smaller than the thickness of the alignment mark line of the lower layer. When bonding the substrates to each other, if the thickness of the alignment mark line in the upper layer is smaller than the line thickness of the alignment mark in the lower layer, the shape of the alignment mark in the lower layer The alignment can be confirmed by simultaneously checking the shape of the alignment mark. For this reason, it becomes easy to align the position of the alignment mark between the upper and lower layers. Therefore, it becomes possible to laminate | stack a film substrate with higher precision, and the laminated substrate by which each film substrate was laminated | stacked accurately can be manufactured.
なお、アライメントマークの線の太さは、レンズを使用して、任意に決定することができる。図19〜図21を参照して説明する。以下の説明では、図9に示す、配線電源層50のアライメントマーク501を利用して、フィルム基板41上に形成されたフォトレジスト層402を露光して、アライメントマーク401を形成する場合(すなわち、S13の工程)を例にして説明する。
The thickness of the alignment mark line can be arbitrarily determined using a lens. This will be described with reference to FIGS. In the following description, the
まず、図19を参照して、正立・等倍結像系のリレーレンズ71について説明する。リレーレンズ71を使用して露光すれば、アライメントマーク501と同じ大きさで、アライメントマーク401を形成することができる。つまり、アライメントマーク501が等倍で転写される。
First, the
図19に示すように、正立・等倍結像系のリレーレンズ71では、2枚のレンズ72,73が、上下に並んで配置されている。詳細には、レンズ73がレンズ72の上側に配置されている。また、レンズ72,73は、配線電源層50とフィルム基板41との間に配置されている。レンズ72,73の焦点距離(以下、「f」と表す)は、同一である。アライメントマーク501とレンズ72との間の距離は、2×f(以下、「2f」と表わす。)である。また、レンズ72とレンズ73との間の距離は、4×fである。レンズ72とレンズ73との間において、結像点74は、レンズ72とレンズ73とからそれぞれ2f離れている。レンズ73とフォトレジスト層402との間の距離は、2fである。
As shown in FIG. 19, in the erecting / equal magnification imaging
上記のように構成した場合、配線電源層50の下側において、矢印80の方向に発せられ、アライメントマーク501によって遮断されなかった光は、レンズ72,73を介して、フォトレジスト層402を露光する。このとき、フォトレジスト層402において露光されない部分は、アライメントマーク501と同じの大きさとなる。そして、上述のS13の工程と同様に、エッチング、金属蒸着、および超音波洗浄等を行い、アライメントマーク401を形成する。これによって、アライメントマーク501とアライメントマーク401とは、同じ大きさに形成される。
When configured as described above, the light emitted in the direction of the
次に、図20を参照して、正立・変倍結像系のリレーレンズ75について説明する。図20に示すように、リレーレンズ75は、図19に示した正立・等倍結像系のリレーレンズ71のレンズ73を、距離Δ(デルタ)分だけ、上方に移動させたリレーレンズである。リレーレンズ75を使用する場合、距離Δを調整することで、アライメントマーク501の大きさを任意の大きさに縮小して、フォトレジスト層402を露光することができる。縮小する倍率をXとすると、倍率Xは、X=f/(f+Δ)と表わされる。これによって、アライメントマーク501より小さいアライメントマーク401を形成することができる。この場合、アライメントマーク401の線は、アライメントマーク501の線より細くなる。
Next, the erecting / magnification imaging
次に、図21を参照して、等倍・一次元アレイ結像系のリレーレンズ76について説明する。リレーレンズ76を使用して露光すれば、アライメントマーク501と同じ大きさでアライメントマーク401を形成することができる。つまり、アライメントマーク501が等倍で転写される。
Next, with reference to FIG. 21, the
図21に示すように、リレーレンズ76は、レンズ対761を3つ備えている。各レンズ対761は、レンズ77,78を備えている。レンズ77,78の焦点距離は、f2であるとする。この場合、図19の場合と同様に、各レンズ対761において、アライメントマーク501とレンズ77との間、レンズ77と結像点79との間、結像点79とレンズ78との間、およびレンズ78とフォトレジスト層402との間の各距離は、2f2となる。また、各レンズ対761は、上下方向に延びる遮光壁762で区切られている。
As shown in FIG. 21, the
上記のように構成した場合、配線電源層50の下側において、矢印80の方向に発せられ、アライメントマーク501によって遮断されなかった光は、各レンズ対761のレンズ77,78を介して、フォトレジスト層402を露光する。このとき、フォトレジスト層402において露光されない部分は、アライメントマーク501と同じの大きさとなる。そして、上述のS13の工程と同様に、エッチング、金属蒸着、および超音波洗浄等を行い、アライメントマーク401を形成する。これによって、アライメントマーク501とアライメントマーク401とは、同じ大きさに形成される。
When configured as described above, the light emitted in the direction of the
上記のように、リレーレンズ71,75,76のレンズを用いることで、アライメントマークの線の太さは、リレーレンズ71,75,76を使用して、任意に決定することができる。このため、アライメントマークを転写する際に、等倍で転写したり、アライメントマークの線が確実に細くなるように転写したりすることができる。このため、フィルム基板にアライメントマークを転写した順番でフィルム基板を積層する場合に、アライメントマークの位置を上下の層で合わせやすくなる。よって、より高精度にフィルム基板を積層することが可能となり、各フィルム基板が精度よく積層された積層基板を製造することができる。
As described above, by using the lenses of the
上記実施形態において、スキャナ1および積層基板94が本発明の「積層基板」に相当し、アライメントマークが形成されていないフィルム基板11,21,31,41,51が本発明の「第一フィルム基板」に相当する。図6のS13、S16、S19、S22、図17のS31、図18のS13、S41、S42、S43の工程において、フォトレジスト層102,202,302,402を形成する工程が、本発明の「フォトレジスト形成工程」に相当する。図6のS13、S16、S19、S22、図17のS31、図18のS13、S41、S42、S43の工程において、転写するアライメントマークを備えたフィルム基板21,31,41,51、積層基板91,92,93が本発明の「第二フィルム基板」に相当する。図6のS13、S16、S19、S22、図17のS31、図18のS13、S41、S42、S43の工程において、露光、金属蒸着、フォトレジストの除去等を行う工程が本発明の「マーク形成工程」に相当する。図6のS15、S18、S21、S24、図17のS32、図18のS32の工程が、本発明の「積層工程」に相当する。
In the above embodiment, the
なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。例えば、アライメントマーク101,201,301,401,501は、各フィルム基板に4個設けられていたが、これに限定されない。例えば、3個でもよい。
In addition, this invention is not limited to said embodiment, A various change is possible. For example, although four
また、第一、第二、第三実施形態では、アライメントマークを新たに形成するフィルム基板より下層に積層されるフィルム基板に形成されているアライメントマークが、転写されていた。しかし、下層のフィルム基板のアライメントマークを転写することに限定されない。例えば、スキャナ1において最も上の層である集光層10のフィルム基板11のアライメントマーク101を最初に形成し、アライメントマーク101を他のフィルム基板21,31,41,51に転写してもよい。
Moreover, in 1st, 2nd, 3rd embodiment, the alignment mark currently formed in the film board | substrate laminated | stacked on the lower layer from the film board | substrate which forms an alignment mark newly was transferred. However, it is not limited to transferring the alignment mark of the lower film substrate. For example, the
また、積層基板の一例としてスキャナ1について説明したが、これに限定されない。他の製品に用いられる積層基板でもよい。
Moreover, although the
1 スキャナ
10 集光層
11,21,31,41,51 フィルム基板
20 発光層
30 感光層
40 信号処理層
50 配線電源層
71,75,76 リレーレンズ
72,73,77,78 レンズ
91,92,93,94 積層基板
101,201,301,401,501 アライメントマーク
102,202,302,402,502 フォトレジスト層
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記積層基板を構成する前記フィルム基板に含まれる前記フィルム基板である第一フィルム基板にフォトレジストを塗布し、加熱してフォトレジスト層を形成するフォトレジスト形成工程と、
前記フォトレジスト形成工程によって前記第一フィルム基板に形成された前記フォトレジスト層に、アライメントマークが形成された他の前記フィルム基板である第二フィルム基板に形成されたアライメントマークをマスクとして用いて露光し、金属を蒸着し、フォトレジストを取り除いて、前記第一フィルム基板にアライメントマークを形成するマーク形成工程と、
前記第一フィルム基板に形成された前記アライメントマークと前記第二フィルム基板に形成された前記アライメントマークとの位置を合わせ、前記第一フィルム基板と前記第二フィルム基板とを積層する積層工程と
を備えたことを特徴とする積層基板の製造方法。 A method of manufacturing a laminated substrate, which is a substrate in which a plurality of film substrates are laminated,
A photoresist forming step of applying a photoresist to the first film substrate, which is the film substrate included in the film substrate constituting the laminated substrate, and forming a photoresist layer by heating;
The photoresist layer formed on the first film substrate by the photoresist forming step is exposed using the alignment mark formed on the second film substrate which is the other film substrate on which the alignment mark is formed as a mask. Mark forming step of depositing metal, removing the photoresist, and forming an alignment mark on the first film substrate;
The alignment step of aligning the alignment mark formed on the first film substrate and the alignment mark formed on the second film substrate, and laminating the first film substrate and the second film substrate; A method for manufacturing a multilayer substrate, comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010172990A JP2012033776A (en) | 2010-07-30 | 2010-07-30 | Laminated substrate and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010172990A JP2012033776A (en) | 2010-07-30 | 2010-07-30 | Laminated substrate and method of manufacturing the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012033776A true JP2012033776A (en) | 2012-02-16 |
Family
ID=45846813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010172990A Pending JP2012033776A (en) | 2010-07-30 | 2010-07-30 | Laminated substrate and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012033776A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103187365A (en) * | 2012-06-25 | 2013-07-03 | 珠海越亚封装基板技术股份有限公司 | Interlayer alignment of multi-layer support structure |
JP2016522930A (en) * | 2013-04-30 | 2016-08-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Multi-level mask circuit manufacturing and multilayer circuit |
KR101953797B1 (en) * | 2017-12-26 | 2019-03-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | Method of fabricating micro led display device |
-
2010
- 2010-07-30 JP JP2010172990A patent/JP2012033776A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103187365A (en) * | 2012-06-25 | 2013-07-03 | 珠海越亚封装基板技术股份有限公司 | Interlayer alignment of multi-layer support structure |
JP2014007367A (en) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrates Solutions Technologies Co Ltd | Alignment between layers of multilayer electronic support structure |
JP2016522930A (en) * | 2013-04-30 | 2016-08-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Multi-level mask circuit manufacturing and multilayer circuit |
KR101953797B1 (en) * | 2017-12-26 | 2019-03-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | Method of fabricating micro led display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8921759B2 (en) | Integrated image sensor package with liquid crystal lens | |
KR102409920B1 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof, display panel, and display device | |
JP6590804B2 (en) | Compact optoelectronic module | |
EP3593342A1 (en) | Image acquisition system | |
US20070254490A1 (en) | Method of Making a Microelectronic and/or Optoelectronic Circuitry Sheet | |
TWI475674B (en) | Camera module and fabrication thereof | |
JP4258532B2 (en) | Thin film device substrate and manufacturing method thereof | |
CN107808887B (en) | Optical device and method for manufacturing the same | |
CN112201682B (en) | Display panel, display device and preparation method of display panel | |
CN112420791B (en) | Fingerprint identification substrate, preparation method thereof and display device | |
CN113707700A (en) | Display module, preparation method and display device | |
JPH05252344A (en) | Image reader/display device | |
WO2010070759A1 (en) | Method for manufacturing optical matrix device | |
JP2012033776A (en) | Laminated substrate and method of manufacturing the same | |
WO2009116177A1 (en) | Optical matrix device | |
US20220285309A1 (en) | Variable stiffness modules | |
JP2018014200A (en) | Method for manufacturing organic electronics device | |
JP5304897B2 (en) | Manufacturing method of optical matrix device | |
WO2020199936A1 (en) | Array substrate and preparation method therefor, and digital microfluidic chip | |
JP2011210945A (en) | Method for manufacturing multilayer printed wiring board | |
JP2011211473A (en) | Contact type image scanner | |
JP4202315B2 (en) | 2D image detector | |
US11194063B2 (en) | X-ray detector having driver micro integrated chips printed on photodiode layer | |
KR100685410B1 (en) | OLED and fabricating method of the same | |
US11737722B2 (en) | X-ray detector having fabrication fault tolerant structure and fabrication method thereof |