JP2012028760A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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- 基板上に複数の島状の剥離層と、前記複数の島状の剥離層の端面を覆う被剥離層を有する第１の半導体基板を作製し、
前記被剥離層は前記複数の島状の剥離層上にそれぞれ半導体回路を備え、
前記第１の半導体基板の前記基板と前記被剥離層とが接する領域に第１の分断処理を施し、基板上に一つの島状の剥離層と、前記剥離層を覆う被剥離層とを備える第２の半導体基板を作製し、
前記第２の半導体基板の前記被剥離層上に支持材料を設け、
前記第２の半導体基板の前記剥離層と前記被剥離層とが積層された領域において、前記基板に対して第２の分断処理を施して前記第２の半導体基板の端面に前記剥離層を露出し、
前記被剥離層から前記基板を剥離し、
前記被剥離層の前記基板を分離した面に接着材料を介してベース基材を設け、
前記支持材料を剥離する半導体装置の作製方法。 - 基板上に複数の島状の剥離層と、前記複数の島状の剥離層の端面を覆う被剥離層を有する第１の半導体基板を作製し、
前記被剥離層は前記複数の島状の剥離層上にそれぞれ半導体回路を備え、
前記第１の半導体基板の前記基板と前記被剥離層とが接する領域に第１の分断処理を施し、基板上に一つの島状の剥離層と、前記剥離層を覆う被剥離層とを備える第２の半導体基板を作製し、
前記第２の半導体基板の前記被剥離層上に支持材料を設け、
前記第２の半導体基板の前記剥離層と前記被剥離層とが積層された領域において、前記基板に対して第２の分断処理を施して前記第２の半導体基板の端面に前記剥離層を露出し、
前記第２の半導体基板の前記被剥離層が形成されていない面に接着材料を介して剥離補助基板を設置し、
前記被剥離層から前記基板を剥離し、
前記被剥離層の前記基板を分離した面に接着材料を介してベース基材を設け、前記支持材料を剥離する半導体装置の作製方法。 - 請求項１および２において、
前記支持材料として、ＵＶ照射、熱付加または通電により粘着性が低下する材料を使用することを特徴とする、半導体装置の作製方法。 - 請求項１および２において、
前記支持材料として、前記支持材料と前記被剥離層との粘着力が、前記被剥離層から前記基板を分離するのに必要な力よりも大きく、かつ、前記接着材料と前記被剥離層の接着力よりも小さい材料を使用することを特徴とする、半導体装置の作製方法。 - 請求項１および２において、
前記支持材料として、溶媒に浸すことにより溶解する材料を使用することを特徴とする、半導体装置の作製方法。
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