JP2012028314A - 光電変換モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】光電変換モジュールを提供する。
【解決手段】相互対向して配された第１基板及び第２基板と、第１基板と第２基板との間に配され、光電変換を行う複数の光電セルを定義するシーリング部材と、光電セルのうち相互隣接する光電セルを点接続させるアイランド型接続部材と、を備える光電変換モジュールである。
【選択図】図１

Description

本発明は、アイランド型接続部材を含む光電変換モジュールに関する。

最近、化石燃料に代わるエネルギー源として、光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換素子について多様な研究が進められており、太陽光を利用する太陽電池が大きく注目されている。

多様な駆動原理を有する太陽電池についての研究が進められているが、その中で半導体のｐ−ｎ接合を利用するウェーハ状のシリコンまたは結晶質太陽電池が最も多く普及している。しかし、高純度の半導体材料を形成し、かつ取扱うという工程の特性上、製造コストが高いという問題がある。

シリコン太陽電池とは異なり、色素増感太陽電池は、可視光線の波長を有する光が入射すると、これを受けて、励起電子を生成できる感光性色素と、励起された電子を受容できる半導体物質及び外部回路から戻る電子と反応する電解質を主な構成とし、従来の太陽電池に比べて、飛躍的に高い光電変換効率を有しているので、次世代太陽電池として期待されている。

このような色素増感太陽電池の直列連結構造として、Ｚ型、Ｗ型、Ｍｏｎｏｌｉｔｈ式及びｉｎ−ｐｌａｎｅ型がある。このうち、Ｚ型構造では、隣接したセル間の連結のために、伝導構造体が必要であるので、受光部の損失が発生し、抵抗が高まるという短所がある。

本発明が解決しようとする課題は、光電セルを点接続させるアイランド型接続部材を利用して、開口率が向上し、かつ光電変換効率が向上した光電変換モジュールを提供することである。

前記課題を達成するために、本発明の一実施形態は、相互対向して配された第１基板及び第２基板と、第１基板と第２基板との間に配され、光電変換を行う複数の光電セルを定義するシーリング部材と、光電セルのうち相互隣接する光電セルを点接続させるアイランド型接続部材と、を備える光電変換モジュールを提供する。

本発明の一面によれば、光電セルは、異なる極性の第１電極及び第２電極を含み、アイランド型接続部材は、相互隣接する光電セルのうちいずれか一つである光電セルの第１電極、及び他の一つである光電セルの第２電極と接触するように延びうる。

本発明の他の一面によれば、第１電極及び第２電極のうち少なくともいずれか一つは、ストライプパターンの金属電極をさらに含みうる。

本発明のさらに他の一面によれば、金属電極のパターンの幅は、５ｍｍないし１５ｍｍでありうる。

本発明のさらに他の一面によれば、シーリング部材は、光電セルを区画するセル区画部、及びアイランド型接続部材を収容するための収容ホールを備えうる。

本発明のさらに他の一面によれば、収容ホールは、セル区画部の一部領域を貫通するように形成されうる。

本発明のさらに他の一面によれば、セル区画部のうち収容ホールが形成されていない部分の厚さは、収容ホールが形成された部分の全体厚さより薄く形成されうる。

本発明のさらに他の一面によれば、アイランド接続部材は、相互隣接する光電セルの間に配されうる。

本発明のさらに他の一面によれば、アイランド型接続部材は、複数であり、相互離隔して配されうる。

本発明のさらに他の一面によれば、アイランド型接続部材は、金属または導電性樹脂を含みうる。

本発明のさらに他の一面によれば、光電セルは、第１基板及び第２基板の一辺に沿って延び、相互平行に配されうる。

本発明のさらに他の実施形態によれば、相互対向して配された第１基板と第２基板との間で光電変換を行う複数の光電セルと、光電セルのうち相互隣接する光電セルの間に配されて隣接する光電セルを点接続させる少なくとも一つのアイランド型接続部材と、を備える光電変換モジュールを提供する。

本発明の一面によれば、光電セルは、第１基板及び第２基板にそれぞれ形成された第１電極及び第２電極と、第１電極に形成された半導体層と、半導体層と第２電極との間に備えられた電解質と、を含みうる。

本発明のさらに他の一面によれば、アイランド型接続部材は、隣接する光電セルのうちいずれか一つである光電セルの第１電極、及び他の一つである光電セルの第２電極と接触するように延びうる。

本発明のさらに他の一面によれば、第１電極及び前記第２電極のうち少なくともいずれか一つは、ストライプパターンの金属電極をさらに含みうる。

本発明のさらに他の一面によれば、金属電極のパターンの幅は、５ｍｍないし１５ｍｍでありうる。

本発明のさらに他の一面によれば、光電セルは、第１基板と第２基板との間に介在され、一方向に延びて、相互平行に配されるセル区画部を備えたシーリング部材によって定義されうる。

本発明のさらに他の一面によれば、セル区画部には、前記セル区画部の一部領域を貫通する収容ホールが形成され、収容ホールにアイランド型接続部材が収容されうる。

本発明のさらに他の一面によれば、セル区画部のうち収容ホールが形成されていない部分の厚さは、収容ホールが形成された部分の全体厚さより薄く形成されうる。

本発明のさらに他の一面によれば、アイランド型接続部材は、金属または導電性樹脂を含みうる。

本発明の一実施形態によれば、アイランド型接続部材を利用して光電セルを点接続させることによって、開口率を極大化し、光電変換効率を向上させうる。

また、アイランド型接続部材を利用して光電セルを点接続させて簡単な構造を採用することによって、製造コストの低減及び量産性を確保できる。

本発明の一実施形態による光電変換モジュールを上部から見た平面構造を示す図面である。 図１の分解斜視図である。 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切り取った断面図である。 図１のＩＶ−ＩＶ線に沿って切り取った断面図である。 本発明の他の実施形態による光電変換モジュールを概略的に示す分解斜視図である。 図５の第１電極と金属電極、及び第２電極と金属電極がアイランド型接続部材を通じて連結される構造を一部抜粋して示す斜視図である。

本発明の利点及び特徴、そして、それらを達成する方法は、添付した図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すれば、明確になる。しかし、本発明は、後述する実施形態に限定されず、異なる多様な形態に具現され、但し、本実施形態は、本発明の開示を完全にし、当業者に本発明の範囲を完全に知らせるために提供され、本発明は、特許請求の範囲によって定義される。一方、本明細書で使われた用語は、実施形態を説明するためのものであり、本発明を制限しようとするものではない。本明細書で、単数型は、文言で特別に言及しない限り、複数型も含む。明細書で使われる“含む(ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ)”及び/または“含んでいる(ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ)”は、述べられた構成要素、ステップ、動作及び/または素子は一つ以上の他の構成要素、ステップ、動作及び/または素子の存在または追加を排除しない。第１、第２などの用語は、多様な構成要素の説明に使われうるが、構成要素は、用語によって限定されてはならない。用語は、一つの構成要素を他の構成要素と区別する目的のみで使われる。

図１は、本発明による光電変換モジュールの平面構造を示し、図２は、光電変換モジュールの分解斜視図である。

光電変換モジュール１００は、少なくとも一つ以上の光電セルＳ（図３）を含み、複数の光電セルＳが含まれる場合には、シーリング部材１３０を通じて光電セルＳが区画される。複数の光電セルＳは、一方向に相互平行に配され、光電セルＳは、第１基板１１０と第２基板１２０との間で物理的に支持されることによってモジュール化されうる。

光電セルＳの内部には、電解質１５０が充填されている。電解質１５０は、光電セルＳを全体的に取り囲む一方、隣接する光電セルＳの間に沿って配されるシーリング部材１３０によって密封される。すなわち、シーリング部材１３０は、電解質１５０を取り囲むように電解質１５０の周囲に配され、電解質１５０が外部に漏れることを防止する。

一方、シーリング部材１３０は、光電セルＳを収容するための空間を少なくとも一つ以上含む。光電セルＳが複数個備えられる場合には、光電セルＳを収容するための空間が、光電セルＳの間に沿って配されるセル区画部１３１によって定義される。例えば、光電セルＳが一方向に相互平行に配される場合には、複数のセル区画部１３１も、所定間隔離隔されて相互平行に配される。

シーリング部材１３０は、アイランド型接続部材１４０を収容するための空間を少なくとも一つ以上含む。アイランド型接続部材１４０を収容するための空間は、セル区画部１３１の一部領域を貫通するように形成された収容ホール１３２によって定義される。例えば、複数のアイランド型接続部材１４０が備えられる場合には、収容ホール１３２が所定間隔離隔されて形成される。

収容ホール１３２に配されるアイランド型接続部材１４０は、相互隣接する光電セルＳを点接続させ、光電セルＳは、アイランド型接続部材１４０を通じて電気的に連結される。例えば、アイランド型接続部材１４０は、当該セル区画部１３１を基準に両側に置かれた光電セルＳを電気的に接続させる。

一方、セル区画部１３１は、アイランド型接続部材１４０の周辺を取り囲んでいるので、アイランド型接続部材１４０は、光電セルＳに含まれた電解質１５０から保護される。したがって、セル区画部１３１のうち収容ホール１３２が形成された部分の厚さは、収容ホール１３２が形成されていない部分の厚さに比べて、厚く形成され、図１及び図２に示したように、収容ホール１３２が形成された部分は、セル区画部１３１から突出しうる。図２には、収容ホール１３２の内部が中空である円柱形状である場合を示したが、本発明は、これに限定されない。例えば、収容ホール１３２の形状は、多角柱のように、多様な形状になることができる。

図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切り取った断面図であり、図４は、図１のＩＶ−ＩＶ線に沿って切り取った断面図である。本発明による光電変換モジュール１００は、アイランド型接続部材１４０を通じて光電セルＳが点接続されるので、図３のように、アイランド型接続部材１４０が備えられる領域と、図４のように、アイランド型接続部材１４０が備えられていない領域とが共存する。

図面を参照すれば、光電変換モジュール１００は、相互対向して配された第１基板１１０及び第２基板１２０を備え、両基板１１０,１２０の間に配されるシーリング部材１３０を備える。また、シーリング部材１３０によって区画される少なくとも一つ以上の光電セルＳを含む。第１基板１１０及び第２基板１２０には、光電変換を行うための機能層１１５,１２５が形成されている。第１基板１１０の機能層１１５は、光電極１１１と半導体層１１３とを備え、第２基板１２０の機能層１２５は、相対電極１２１と触媒層１２３とを備える。

第１基板１１０と第２基板１２０とは、ほぼ四角長方形に形成されうる。第１基板１１０は、上部に配され、第２基板１２０は、下部に配される。

第１基板１１０は、受光面基板であって、透明素材として高い透光率を有する素材で形成されうる。第１基板１１０は、例えば、ガラス素材のガラス基板または樹脂フィルムで形成されうる。樹脂フィルムは、可撓性を有するため、特に、柔軟性が要求される場合に有用である。

第２基板１２０は、相対基板であって、受光面基板である第１基板１１０に対向して配される。相対基板は、特別に透明性が要求されないが、光電変換の効率を高めるために、両側から光ＶＬを受けられるように、透明な素材で形成され、受光面基板と同じ素材で形成されうる。例えば、光電変換モジュール１００が窓枠のような構造物に設置されるＢＩＰＶ(Ｂｕｉｌｄｉｎｇ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐｈｏｔｏ Ｖｏｌｔａｉｃ)用途に活用される場合には、室内に流入される光ＶＬを遮断しないように、第１基板１１０と第２基板１２０とをいずれも透明な素材で形成することが望ましい。

第１基板１１０と第２基板１２０とは、シーリング部材１３０が介在されうる所定の間隙を介して合着される。第１基板１１０及び第２基板１２０上には、それぞれ光電極１１１と相対電極１２１とが形成され、光電極１１１上には、光ＶＬによって励起される感光性色素を吸着した半導体層１１３が形成され、半導体層１１３と相対電極１２１との間には、電解質１５０が介在される。

光電極１１１は、光電変換モジュール１００の負極として機能し、光電変換作用によって生成された電子を受け取って電流パス(Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐａｔｈ)を提供する。光電極１１１を通じて入射された光ＶＬは、半導体層１１３に吸着された感光性色素の励起源として作用する。光電極１１１は、導電性及び光透明性を有するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＦＴＯ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）など、ＴＣＯ(Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｏｘｉｄｅ)で形成されうる。

半導体層１１３は、従来の光電変換モジュールに使われた半導体素材を利用して形成可能である。または、金属酸化物で形成されうる。金属酸化物は、カドミウム(Ｃｄ)、亜鉛(Ｚｎ)、インジウム(Ｉｎ)、鉛(Ｐｂ)、モリブデン(Ｍｏ)、タングステン(Ｗ)、アンチモン(Ｓｂ)、チタン(Ｔｉ)、銀（Ａｇ)、マンガン(Ｍｎ)、スズ(Ｓｎ)、ジルコニウム(Ｚｒ)、ストロンチウム(Ｓｒ)、ガリウム(Ｇａ)、ケイ素(Ｓｉ)、クロム(Ｃｒ)などの金属酸化物が利用されうる。半導体層１１３は、感光性色素を吸着することによって、光電変換効率を向上させうる。例えば、５ｎｍ〜１０００ｎｍ粒径の半導体粒子を噴射させたペーストを、電極が形成された第１基板１１０に塗布した後、所定の熱あるいは圧力を適用して形成しうる。

半導体層１１３に吸着された感光性色素は、第１基板１１０を透過して入射された光ＶＬを吸収し、感光性色素の電子は、基底状態から励起状態に励起される。励起された電子は、感光性色素と半導体層１１３との電気的結合を通じて、半導体層１１３の伝導帯に遷移され、遷移された後には、半導体層１１３を通過して光電極１１１に達し、光電極１１１を通じて外部に引き出されることによって、外部回路(図示せず)を駆動する駆動電流を形成する。

感光性色素は、可視光帯域で吸収され、光励起状態から速かに半導体層１１３に電子を移動させる分子で構成可能である。感光性色素は、液状、半固体のゲル状、固体状のうちいずれか一つでありうる。例えば、感光性色素としては、ルテニウム系の感光性色素が使われうる。

光電セルＳに充填される電解質１５０としては、一対の酸化体及び還元体を含むレドックス(Ｒｅｄｏｘ)電解質１５０が適用されうる。電解質１５０は、固体状電解質、ゲル状電解質、液状の電解質がいずれも使用可能である。

相対電極１２１は、光電変換モジュール１００の正極として機能する。半導体層１１３に吸着された感光性色素は、光ＶＬを吸収して励起され、励起された電子は、光電極１１１を通じて外部に引き出される。一方、電子を失った感光性色素は、電解質１５０の酸化によって提供される電子を受け取って再び還元される。酸化した電解質１５０は、外部回路を経て相対電極１２１に達した電子によって還元され、光電変換の動作が完成される。相対電極１２１も、光電極１１１と同様に、導電性及び光透明性を有するＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯなど、ＴＣＯで形成されうる。

相対電極１２１上には、触媒層１２３が形成されうる。触媒層１２３は、電子を提供する還元触媒機能を有する素材で形成されうる。触媒層１２３は、例えば、白金(Ｐｔ)、金(Ａｕ)、銀(Ａｇ)、アルミニウム(Ａｌ)などの金属や酸化スズのような金属酸化物、あるいはグラファイトなどのカーボン系物質で形成されうる。

複数の光電セルＳは、一つ以上の接続点を通じて直列接続される。アイランド型接続部材１４０が、セル区画部１３１に形成された収容ホール１３２に配されて接続点を形成する。アイランド型接続部材１４０は、接続部材の上下に配された光電極１１１及び相対電極１２１と接触するように延び、光電極１１１と相対電極１２１とを直列接続させる。導電性物質としては、導電性に優れた銀(Ａｇ)、ニッケル(Ｎｉ)のような金属素材または導電性樹脂を使用しうる。例えば、導電性樹脂は、常温硬化性導電性樹脂でありうる。一方、アイランド型接続部材１４０は、セル区画部１３１に形成された収容ホール１３２内に配されるので、電解質１５０から保護される。アイランド型接続部材１４０の数は、光電変換モジュール１００のサイズとそれによる効率とを考慮して決定されうる。

光電セルＳがアイランド型接続部材１４０を通じて点接続されるので、セル区画部１３１には、接続部材を収容する収容ホール１３２が形成された部分とそうでない部分とが存在する。これらのうち、セル区画部１３１のうち収容ホール１３２が形成された部分は、接続部材を電解質１５０から保護するために、セル区画部１３１が接続部材の周囲を取り囲むため、収容ホール１３２が形成されていない部分に比べて、相対的に厚い。一方、セル区画部１３１のうち収容ホール１３２が形成されていない部分は、相互隣接する光電セルＳのみを区画すればよいので、セル区画部１３１の厚さが薄くてもよい。セル区画部１３１の厚さが薄いため、光ＶＬを吸収できないデッド領域（ｄｅａｄ ａｒｅａ）が減少し、相対的に光ＶＬを吸収できるアクティブ領域が増大して、電流量が増加しつつ、光電変換モジュールの出力が増大する。

図５は、本発明のさらに他の実施形態であって、光電変換モジュールを概略的に示した分解斜視図であり、図６は、図５の光電変換モジュールの光電セルが接続点を形成するアイランド型接続部材によって直列連結される状態を抜粋して示した斜視図である。

図５を参照すれば、本実施形態による光電変換モジュールも、相互対向して配される第１基板１１０及び第２基板１２０を備え、両基板１１０,１２０の間に配されるシーリング部材１３０を備える。また、シーリング部材１３０によって区画される少なくとも一つ以上の光電セルＳを含む。第１基板１１０と第２基板１２０とには、光電変換を行うための機能層が形成されている。第１基板１１０の機能層１１５は、光電極１１１と半導体層１１３とを備え、第２基板１２０の機能層１２５は、相対電極１２１と触媒層１２３とを備える。

但し、光電極１１１と相対電極１２１それぞれに、金属電極１１２,１２２が形成された点で、差がある。金属電極１１２,１２２は、導電性に優れた金(Ａｇ)、銀(Ａｕ)、アルミニウム(Ａｌ)などの素材で形成されうる。このような金属電極１１２,１２２は、光電極１１１及び相対電極１２１の電気抵抗を低めるためのものであり、ストライプパターンに形成されるか、またはメッシュパターンに形成されうる。図５及び図６は、ストライプパターンに形成された場合を示す。

光電極１１１と相対電極１２１、及びこれらに形成された金属電極１１２,１２２は、アイランド型接続部材１４０を通じて電気的に連結される。図６は、第１基板１１０に形成された光電極１１１及び金属電極１１２が、アイランド型接続部材１４０を通じて第２基板１２０に形成された金属電極１２２及び相対電極１２１と連結される状態を示す。この場合、金属電極１１２,１２２のパターンの幅ｗが過度に稠密であれば、電気抵抗を低めうるが、デッド領域が増大して出力が低下し、パターンの幅が過度に広ければ、電気抵抗が増加して出力が低下する。このような点を考慮して、金属電極１１２,１２２のパターンの幅ｗは、約５ｍｍ〜１５ｍｍ、望ましくは、約１０ｍｍとなるように形成されうる。

金属電極１１２,１２２は、保護膜(図示せず)で覆われて、光電セルＳに収容された電解質から保護されうる。保護膜は、ガラスフリット系または樹脂系のような絶縁性素材でありうる。

本実施形態による光電変換モジュール１００も、アイランド型接続部材１４０を形成することによって、光ＶＬを吸収できるアクティブ領域が増大して、光電変換モジュール１００の出力を増加させうる。それだけでなく、グリッド間隔が約５ｍｍ〜１５ｍｍである金属電極１１２,１２２をさらに含むことによって、光電変換モジュール１００の出力がさらに増加する。

アイランド型接続部材１４０の数は、光電変換モジュール１００のサイズを考慮して決定しうる。本発明の非制限的な実施形態によれば、光電変換モジュールの長さが約７５ｍｍである場合に、それぞれの光電セルＳ間に配されるアイランド型接続部材１００は、約１〜１０個、望ましくは、約６個が配されうる。

たとえ、本発明が前述した望ましい実施形態と関連して説明されたとしても、発明の要旨及び範囲から逸脱せずに多様な修正や変形が可能である。したがって、特許請求の範囲には、本発明の要旨に属する限り、このような修正や変形を含む。

本発明は、太陽電池関連の技術分野に好適に適用可能である。

１００ 光電変換モジュール
１１０ 第１基板
１１１ 光電極
１１２,１２２ 金属電極
１１３ 半導体層
１１５,１２５ 機能層
１２０ 第２基板
１２１ 相対電極
１２３ 触媒層
１３０ シーリング部材
１３１ セル区画部
１３２ 収容ホール
１４０ アイランド型接続部材
１５０ 電解質

Claims (20)

1. 相互対向して配された第１基板及び第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に配され、光電変換を行う複数の光電セルを定義するシーリング部材と、
   前記光電セルのうち相互隣接する光電セルを点接続させるアイランド型接続部材と、を備える光電変換モジュール。
2. 前記光電セルは、異なる極性の第１電極及び第２電極を含み、
   前記アイランド型接続部材は、
   前記相互隣接する光電セルのうちいずれか一つである光電セルの第１電極、及び他の一つである光電セルの第２電極と接触するように延びたことを特徴とする請求項１に記載の光電変換モジュール。
3. 前記第１電極及び前記第２電極のうち少なくともいずれか一つは、ストライプパターンの金属電極をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の光電変換モジュール。
4. 前記金属電極のパターンの幅は、５ｍｍないし１５ｍｍであることを特徴とする請求項３に記載の光電変換モジュール。
5. 前記シーリング部材は、
   前記光電セルを区画するセル区画部と、
   前記アイランド型接続部材を収容するための収容ホールと、を備えることを特徴とする請求項１に記載の光電変換モジュール。
6. 前記収容ホールは、前記セル区画部の一部領域を貫通するように形成されたことを特徴とする請求項５に記載の光電変換モジュール。
7. 前記セル区画部のうち、前記収容ホールが形成されていない部分の厚さは、前記収容ホールが形成された部分の全体厚さより薄いことを特徴とする請求項６に記載の光電変換モジュール。
8. 前記アイランド接続部材は、前記相互隣接する光電セルの間に配されることを特徴とする請求項１に記載の光電変換モジュール。
9. 前記アイランド型接続部材は、複数であり、相互離隔して配されることを特徴とする請求項８に記載の光電変換モジュール。
10. 前記アイランド型接続部材は、金属または導電性樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載の光電変換モジュール。
11. 前記光電セルは、
    前記第１基板及び前記第２基板の一辺に沿って延び、相互平行に配されることを特徴とする請求項１に記載の光電変換モジュール。
12. 相互対向して配された第１基板と第２基板との間で光電変換を行う複数の光電セルと、
    前記光電セルのうち、相互隣接する光電セルの間に配され、前記隣接する光電セルを点接続させる少なくとも一つのアイランド型接続部材と、を含む光電変換モジュール。
13. 前記光電セルは、
    前記第１基板及び前記第２基板にそれぞれ形成された第１電極及び第２電極と、
    前記第１電極に形成された半導体層と、
    前記半導体層と前記第２電極との間に備えられた電解質と、を備えることを特徴とする請求項１２に記載の光電変換モジュール。
14. 前記アイランド型接続部材は、
    前記隣接する光電セルのうちいずれか一つである光電セルの第１電極、及び他の一つである光電セルの第２電極と接触するように延びたことを特徴とする請求項１３に記載の光電変換モジュール。
15. 前記第１電極及び前記第２電極のうち少なくともいずれか一つは、ストライプパターンの金属電極をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の光電変換モジュール。
16. 前記金属電極のパターンの幅は、５ｍｍないし１５ｍｍであることを特徴とする請求項１５に記載の光電変換モジュール。
17. 前記光電セルは、
    前記第１基板と前記第２基板との間に介在され、一方向に延びて相互平行に配されるセル区画部を備えたシーリング部材によって定義されることを特徴とする請求項１２に記載の光電変換モジュール。
18. 前記セル区画部には、前記セル区画部の一部領域を貫通する収容ホールが形成され、前記収容ホールに前記アイランド型接続部材が収容されたことを特徴とする請求項１７に記載の光電変換モジュール。
19. 前記セル区画部のうち、前記収容ホールが形成されていない部分の厚さは、前記収容ホールが形成された部分の全体厚さより薄いことを特徴とする請求項１８に記載の光電変換モジュール。
20. 前記アイランド型接続部材は、金属または導電性樹脂を含むことを特徴とする請求項１２に記載の光電変換モジュール。

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