JP2012023028A - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】画素定義膜や平坦化膜におけるガス排出を防止できる有機発光表示装置及びこれを製造する方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に配される素子回路部と、素子回路部と電気的に連結される画素電極と、画素電極を露出させる画素定義膜と、画素電極上に配されて光を放出する中間層と、画素定義膜上に形成される第１イオン注入層と、を備える有機発光表示装置。
【選択図】図３

Description

本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に係り、より詳細には、中間層への透湿を防止できる有機発光表示装置及びその製造方法に関する。

通例的に、平板表示装置は発光型と受光型とに大別できる。発光型には、平板陰極線管、プラズマディスプレイパネル、電界発光素子及び発光ダイオードなどがある。受光型には、液晶ディスプレイを挙げることができる。このうち、電界発光素子は視野角が広くコントラストが優秀なだけではなく、応答速度が速いという長所を持っており次世代表示素子として注目されている。これらの電界発光素子は、発光層を形成する物質によって無機電界発光素子と有機電界発光素子とに区分される。

このうち、有機電界発光素子は、蛍光性有機化合物を電気的に励起させて発光させる自発光型ディスプレイであって、低い電圧で駆動でき、かつ薄膜化が容易であり、広視野角、速い応答速度など、液晶ディスプレイにおける問題点を解決できる次世代ディスプレイとして注目されている。

有機電界発光素子は、アノード電極とカソード電極との間に有機物からなる発光層を備えている。有機電界発光素子は、これら電極に正極及び負極電圧がそれぞれ印加されることによって、アノード電極から注入された正孔が正孔輸送層を経由して発光層に移動し、電子は、カソード電極から電子輸送層を経由して発光層に移動して、発光層で電子と正孔とが再結合して励起子を生成する。

この励起子が励起状態から基底状態に変化することで、発光層の蛍光性分子が発光することによって画像を形成する。フルカラー型有機電界発光素子の場合には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三色を発光する画素を備えるようにしてフルカラーを具現する。

このような有機電界発光素子で、アノード電極の両端部には画素定義膜が形成される。そして、この画素定義膜に所定の開口を形成した後、開口が形成されて外部に露出されたアノード電極の上部に発光層及びカソード電極が順に形成される。

本発明の主な目的は、外部または有機膜からの有機発光層へのガス排出を防止できる有機発光表示装置及びその製造方法を提供することである。

本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、基板と、前記基板上に配される素子回路部と、前記素子回路部と電気的に連結される画素電極と、前記画素電極を露出させる画素定義膜と、前記画素電極上に配されて光を放出する中間層と、前記画素定義膜上に形成される第１イオン注入層と、を備える。

本発明において、前記第１イオン注入層は、前記画素定義膜にイオンを注入して形成される。

本発明において、前記イオンは、ＢＨｘ＋またはＰＨ＋である。

本発明において、前記第１イオン注入層は、前記画素定義膜を２００℃に硬化させ、前記イオンを前記画素定義膜に注入する。

本発明において、前記第１イオン注入層は、その厚さが２０００ないし３０００Åである。

本発明において、前記画素定義膜は有機物からなり、前記第１イオン注入層は、前記画素定義膜からのガス排出を防止する。

本発明において、前記画素電極と前記画素回路部との間に配され、前記画素回路部を覆う平坦化防止膜をさらに備える。

本発明において、前記平坦化防止膜は、前記画素電極と前記画素回路部とが連結されるようにコンタクトホールを備える。

本発明において、前記平坦化膜上には第２イオン注入層が配される。

本発明において、前記第２イオン注入層は、前記平坦化膜上にイオンを注入して形成される。

本発明において、前記イオンは、ＢＨｘ＋またはＰＨ＋である。

本発明において、前記第２イオン注入層は前記画素定義膜を２００℃に硬化させ、前記イオンを前記平坦化膜に注入する。

本発明において、前記第２イオン注入層は、その厚さが２０００ないし３０００Åである。

本発明において、前記第２イオン注入層は、前記平坦化膜からのガス排出を防止する。

本発明において、前記素子回路部は薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）である。

本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、基板上に素子回路部を形成する段階と、前記素子回路部上にパッシベーション膜を形成する段階と、前記パッシベーション膜上に平坦化膜を形成する段階と、前記平坦化膜上に画素電極を形成する段階と、前記画素電極を露出させるように前記平坦化膜上に画素定義膜を形成する段階と、前記画素定義膜上に第１イオン注入層を形成する段階と、を含む。

本発明において、前記第１イオン注入層を形成する段階は、前記画素定義膜を加熱する段階と、前記画素定義膜にイオンを注入する段階と、からなる。

本発明において、前記イオンは、ＢＨｘ＋またはＰＨ＋である。

本発明において、前記イオン注入段階は、前記イオンを前記画素定義膜の表面に注入して前記第１イオン注入層を形成する。

本発明において、前記第１イオン注入層の厚さは、２０００ないし３０００Åである。

本発明において、前記画素定義膜を加熱する段階は、前記画素定義膜を約２００℃に硬化させる。

本発明において、前記平坦化膜形成後に、前記平坦化膜上に第２イオン注入層を形成する段階をさらに含む。

本発明において、前記第２イオン注入層を形成する段階は、前記平坦化膜を加熱する段階と、前記平坦化膜にイオンを注入する段階と、からなる。

本発明において、前記イオンは、ＢＨｘ＋またはＰＨ＋である。

本発明において、前記イオン注入段階は、前記イオンを前記平坦化膜の表面に注入して前記第２イオン注入層を形成する。

本発明において、前記第２イオン注入層の厚さは２０００ないし３０００Åである。

本発明において、前記平坦化膜を加熱する段階は、前記画素定義膜を約２００℃に硬化させる。

本発明の一実施形態によれば、外部から有機発光層へのガスの流れ込み、または画素定義膜などの有機膜の内部からのガス排出を遮断できる。

本発明の一実施形態に関する画素回路部を示す断面図である。 本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の平面図である。 図２の有機発光表示装置中の一つの副画素を示す断面図である。 本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置を示す断面図である。

以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態についてさらに詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施形態に関する画素回路部を示す断面図である。

図１を参照すれば、本発明の一実施形態による画素回路部は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）でありうる。薄膜トランジスタは、基板２０上に備えられうる。基板２０は、ガラス材の基板またはプラスチック材の基板が使われうる。

基板２０上にはバッファ層２１が形成され、バッファ層２１上には半導体素材で形成された活性層２２が備えられ、この活性層２２を覆うようにゲート絶縁膜２３が形成される。ゲート絶縁膜２３の上部にはゲート電極２４が形成され、ゲート電極２４を覆うように層間絶縁膜２５が形成され、層間絶縁膜２５の上部にソース／ドレイン電極２６、２７が形成される。ソース／ドレイン電極２６、２７は、ゲート絶縁膜２３及び層間絶縁膜２５に形成されたコンタクトホールにより、活性層２２のソース／ドレイン領域２２ｂ、２２ｃにそれぞれ接触される。

基板２０上に備えられる活性層２２は、無機半導体または有機半導体から選択されて形成うるものであって、ソース／ドレイン領域２２ｂ、２２ｃにｎ型またはｐ型不純物がドーピングされており、これらソース領域とドレイン領域とを連結するチャンネル領域２２ａを備える。

活性層２２を形成する無機半導体は、ＣｄＳ、ＧａＳ、ＺｎＳ、ＣｄＳｅ、ＣａＳｅ、ＺｎＳｅ、ＣｄＴｅ、ＳｉＣ、及びＳｉを含むものでありうる。

そして、活性層２２を形成する有機半導体には、高分子として、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリチオフェンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン−ヘテロ環芳香族共重合体及びその誘導体を含むことができ、低分子として、ペンタセン、テトラセン、ナフタレンのオリゴアセン及びこれらの誘導体、α−６−チオフェン、α−５−チオフェンのオリゴチオフェン及びこれらの誘導体、金属を含有または含有しないフタロシアニン及びこれらの誘導体、ピロメリット酸無水物またはピロメリット酸ジイミド及びこれらの誘導体、ペリレンテトラカルボン酸無水物またはペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びこれらの誘導体を含むことができる。

活性層２２はゲート絶縁膜２３で覆われ、ゲート絶縁膜２３の上部にゲート電極２４が形成される。ゲート電極２４は、ＭｏＷ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｌ／Ｃｕなどの導電性金属膜で形成できるが、必ずしもこれに限定されるものではなく、導電性ポリマーなどの多様な導電性物質がゲート電極２４として使われうる。ゲート電極２４は、活性層２２のチャンネル領域に対応する領域をカバーするように形成される。

図２は、本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の平面図である。

図２を参照すれば、画素領域３０と、画素領域３０のエッジにある回路領域４０とで構成される。画素領域３０は複数の画素を備え、各画素は、所定の画像を具現できるように発光する発光部を備える。

本発明の一実施形態によれば、発光部は、有機電界発光素子をそれぞれ備える複数の副画素で形成されている。フルカラー有機発光表示装置の場合には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の副画素がライン状、モザイク状、格子状など多様なパターンで配列されて画素を構成し、フルカラー平板表示装置ではないモノカラー平板表示装置でもよい。

そして、回路領域４０は、画素領域３０に入力される画像信号などを制御する。

かかる有機発光表示装置において、画素領域３０と回路領域４０とには、それぞれ少なくとも一つ以上のＴＦＴが設けられうる。

画素領域３０に設けられるＴＦＴとしては、ゲートラインの信号によって発光素子にデータ信号を伝達し、その動作を制御するスイッチング用ＴＦＴと、データ信号によって有機電界発光素子に所定の電流が流れるように駆動させる駆動用ＴＦＴなどの画素部ＴＦＴとがある。そして、回路領域４０に設けられるＴＦＴとしては、所定の回路を具現するように備えられた回路部ＴＦＴがある。

もちろん、これらのＴＦＴの数と配置は、ディスプレイの特性及び駆動方法などによって多様な数が存在でき、その配置方法も多様に存在できるということはいうまでもない。

図３は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置１００を概略的に示す断面図である。

図３を参照すれば、ガラス材またはプラスチック材の基板５０上にバッファ層５１が形成されており、この上に素子回路部であるＴＦＴと、有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）とが形成されうる。

基板５０のバッファ層５１上に所定パターンの活性層５２が備えられる。活性層５２の上部にはゲート絶縁膜５３が備えられ、ゲート絶縁膜５３の上部の所定領域にはゲート電極５４が形成される。ゲート電極５４は、ＴＦＴのオン／オフ信号を印加するゲートライン（図示せず）と連結されている。ゲート電極５４の上部には層間絶縁膜５５が形成され、コンタクトホールを通じてソース／ドレイン電極５６、５７が、それぞれ活性層５２のソース／ドレイン領域５２ｂ、５２ｃに接するように形成される。ソース／ドレイン電極５６、５７の上部には、ＳｉＯ_２、ＳｉＮｘなどからなるパッシベーション膜５８が形成され、パッシベーション膜５８の上部にはアクリル、ポリイミド、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）などの有機物質で平坦化膜５９が形成されうる。

そして、平坦化膜５９の上部に有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）のアノード電極になる画素電極１６１が形成され、これを覆うように有機物で画素定義膜１６０が形成される。画素定義膜１６０は有機物からなりうる。

画素定義膜１６０に所定の開口を形成した後、画素定義膜１６０の上部及び開口が形成されて外部に露出された画素電極１６１の上部に中間層１６２を形成する。ここで、中間層１６２は発光層を含む。本発明は必ずしもこのような構造で限定されるものではなく、多様な有機発光表示装置の構造がそのまま適用できるということはいうまでもない。

画素定義膜１６０上には第１イオン注入層１７１が形成される。第１イオン注入層１７１は、有機物である画素定義膜１６０の表面にイオンを注入することで形成される。画素定義膜１６０の表面に注入されるイオンは、ＢＨｘ＋またはＰＨ＋でありうる。第１イオン注入層１７１は、前記イオンが画素定義膜１６０の表面から２０００ないし３０００Å深さに注入されて形成される。したがって、第１イオン注入層１７１の厚さは、２０００ないし３０００Åでありうる。

第１イオン注入層１７１は、有機物である画素定義膜１６０を約２００℃に加熱して硬化させた後、イオン注入装置を用いて画素定義膜１６０の表面にＢＨｘ＋またはＰＨ＋を注入して形成する。第１イオン注入層１７１は、画素定義膜１６０上でＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ ｌｉｋｅ ｃａｒｂｏｎ）構造を持つことができる。

第１イオン注入層１７１は、画素定義膜１６０からのガス排出を防止できる。すなわち、画素定義膜１６０は有機物からなり、画素定義膜１６０内に存在するガスや水分などが有機発光表示装置の製造工程中や製造後に画素定義膜１６０から放出され、画素定義膜１６０から放出されたガスや水分は、発光層を含む中間層１６２と反応して有機発光表示装置の寿命を短縮させる。第１イオン注入層１７１は、画素定義膜１６０上に形成されて画素定義膜１６０内のガスやイオンの外部への放出を防止することができる。これにより、第１イオン注入層１７１は、画素定義膜１６０におけるガス排出による有機発光表示装置の寿命短縮を防止できる。

有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）は、電流のフローによって赤色、緑色、青色の光を発光して所定の画像情報を表示するものであって、ＴＦＴのドレイン電極５６に連結されて、これよりプラス電源を供給される画素電極１６１と、全体画素を覆うように備えられてマイナス電源を供給する対向電極１６３、及びこれら画素電極１６１と対向電極１６３との間に配されて発光する中間層１６２で構成される。

画素電極１６１と対向電極１６３とは、中間層１６２により互いに絶縁されており、中間層１６２に相異なる極性の電圧を加えて中間層１６２で発光がなされるようにする。

ここで、中間層１６２としては、低分子または高分子有機層が使われうるが、低分子有機層を使用する場合、ホール注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）などが単一あるいは複合の構造で積層されて形成でき、使用可能な有機材料も銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめとして多様に適用できる。これら低分子有機層は真空蒸着の方法で形成される。

高分子有機層の場合には、通常ホール輸送層（ＨＴＬ）及び発光層（ＥＭＬ）で備えられた構造を持つことができ、この時、ホール輸送層としてＰＥＤＯＴを使用し、発光層としてポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系及びポリフルオレン系などの高分子有機物質を使用し、これをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法などで形成できる。

このような中間層は必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な実施形態が適用できるということはいうまでもない。

中間層１６２は、スピンコーティング方法で形成できる。さらに詳細には、画素電極１６１と画素定義膜１６０とを覆うように有機物質を塗布する。次いで、基板５０を回転させる。基板５０の回転量によって画素定義膜１６０上に塗布された有機物質は除去され、画素電極１６１上に塗布された有機物質のみ残る。次いで、画素電極１６１上に塗布された有機物質を焼成させて中間層１６２を形成できる。

画素電極１６１はアノード電極の機能を行い、対向電極１６３はカソード電極の機能を行うが、もちろん、これら画素電極１６１と対向電極１６３との極性は逆になってもよい。

画素電極１６１は、透明電極または反射型電極で備えられうるが、透明電極として使われる時には、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３で備えられ、反射型電極として使われる時には、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びこれらの化合物などで反射膜を形成した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３を形成できる。

一方、対向電極１６３も透明電極または反射型電極で備えられうるが、透明電極として使われる時には、対向電極６３がカソード電極として使われるので、仕事関数の小さな金属、すなわち、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びこれらの化合物が中間層１６２の方に向かうように蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３などの透明電極形成用物質で補助電極層やバス電極ラインを形成できる。そして、反射型電極として使われる時には、前記のＬｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びこれらの化合物を全面蒸着して形成する。

図４は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置２００を概略的に示す断面図である。

図４に図示された有機発光表示装置２００は、平坦化膜５９上に第２イオン注入層１７２が形成されるという点で、図３に図示された有機発光表示装置１００と差がある。

さらに詳細には、平坦化膜５９上には第２イオン注入層１７２が形成されうる。第２イオン注入層１７２は、有機物である平坦化膜５９の表面にイオンを注入することで形成される。平坦化膜５９の表面に注入されるイオンは、ＢＨｘ＋またはＰＨ＋でありうる。第２イオン注入層１７２は、前記イオンが平坦化膜５９の表面から２０００ないし３０００Å深さに注入されて形成される。したがって、第２イオン注入層１７２の厚さは、２０００ないし３０００Åでありうる。

第２イオン注入層１７２は、有機物である平坦化膜５９を約２００℃に加熱して硬化させた後、イオン注入装置を用いて平坦化膜５９の表面にＢＨｘ＋またはＰＨ＋を注入して形成する。第２イオン注入層１７２は、平坦化膜５９上でＤＬＣ構造を持つことができる。

第２イオン注入層１７２は、平坦化膜５９からのガス排出を防止することができる。すなわち、平坦化膜５９は有機物からなり、平坦化膜５９内に存在するガスや水分などが、有機発光表示装置の製造工程中や製造後に平坦化膜５９から放出され、平坦化膜５９から放出されたガスや水分は発光層を含む中間層１６２と反応して、有機発光表示装置の寿命を短縮させる。第２イオン注入層１７２は、平坦化膜５９上に形成されて平坦化膜５９内のガスやイオンの外部への放出を防止することができる。これにより、第２イオン注入層１７２は、平坦化膜５９におけるガス排出による有機発光表示装置の寿命短縮を防止できる。

本発明は図面に図示された実施形態を参考として説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想によって定められねばならない。

本発明は、有機発光表示装置関連の技術分野に好適に用いられる。

１００ 有機発光表示装置
２０、５０ 基板
２１、５１ バッファ層
２２、５２ 活性層
２３、５３ ゲート絶縁膜
２４、５４ ゲート電極
２５、５５ 層間絶縁膜
２６、５６ ソース電極
２７、５７ ドレイン電極
５８ パッシベーション膜
５９ 平坦化膜
６０、１６０ 画素定義膜
６１、１６１ 画素電極
６２、１６２ 中間層
６３、１６３ 対向電極

Claims (27)

1. 基板と、
   前記基板上に配される素子回路部と、
   前記素子回路部と電気的に連結される画素電極と、
   前記画素電極を露出させる画素定義膜と、
   前記画素電極上に配されて光を放出する中間層と、
   前記画素定義膜上に形成される第１イオン注入層と、を備えることを特徴とする有機発光表示装置。
2. 前記第１イオン注入層は、前記画素定義膜にイオンを注入して形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
3. 前記イオンは、ＢＨｘ＋またはＰＨ＋であることを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
4. 前記第１イオン注入層は、前記画素定義膜を２００℃に硬化させ、前記イオンを前記画素定義膜に注入することを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
5. 前記第１イオン注入層は、その厚さが２０００ないし３０００Åであることを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
6. 前記画素定義膜は有機物からなり、
   前記第１イオン注入層は、前記画素定義膜からのガス排出を防止することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
7. 前記画素電極と前記画素回路部との間に配され、前記画素回路部を覆う平坦化防止膜をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
8. 前記平坦化防止膜は、前記画素電極と前記画素回路部とが連結されるようにコンタクトホールを備えることを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
9. 前記平坦化膜上には第２イオン注入層が配されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
10. 前記第２イオン注入層は、前記平坦化膜上にイオンを注入して形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
11. 前記イオンは、ＢＨｘ＋またはＰＨ＋であることを特徴とする請求項１０に記載の有機発光表示装置。
12. 前記第２イオン注入層は前記画素定義膜を２００℃に硬化させ、前記イオンを前記平坦化膜に注入することを特徴とする請求項１０に記載の有機発光表示装置。
13. 前記第２イオン注入層は、その厚さが２０００ないし３０００Åであることを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
14. 前記第２イオン注入層は、前記平坦化膜からのガス排出を防止することを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
15. 前記素子回路部は薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
16. 基板上に素子回路部を形成する段階と、
    前記素子回路部上にパッシベーション膜を形成する段階と、
    前記パッシベーション膜上に平坦化膜を形成する段階と、
    前記平坦化膜上に画素電極を形成する段階と、
    前記画素電極を露出させるように前記平坦化膜上に画素定義膜を形成する段階と、
    前記画素定義膜上に第１イオン注入層を形成する段階と、を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
17. 前記第１イオン注入層を形成する段階は、
    前記画素定義膜を加熱する段階と、
    前記画素定義膜にイオンを注入する段階と、からなることを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
18. 前記イオンは、ＢＨｘ＋またはＰＨ＋であることを特徴とする請求項１７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
19. 前記イオン注入段階は、前記イオンを前記画素定義膜の表面に注入して前記第１イオン注入層を形成することを特徴とする請求項１８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
20. 前記第１イオン注入層の厚さは、２０００ないし３０００Åであることを特徴とする請求項１９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
21. 前記画素定義膜を加熱する段階は、前記画素定義膜を約２００℃に硬化させることを特徴とする請求項１７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
22. 前記平坦化膜形成後に、前記平坦化膜上に第２イオン注入層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
23. 前記第２イオン注入層を形成する段階は、
    前記平坦化膜を加熱する段階と、
    前記平坦化膜にイオンを注入する段階と、からなることを特徴とする請求項２２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
24. 前記イオンは、ＢＨｘ＋またはＰＨ＋であることを特徴とする請求項２３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
25. 前記イオン注入段階は、前記イオンを前記平坦化膜の表面に注入して前記第２イオン注入層を形成することを特徴とする請求項２３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
26. 前記第２イオン注入層の厚さは２０００ないし３０００Åであることを特徴とする請求項２２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
27. 前記平坦化膜を加熱する段階は、前記画素定義膜を約２００℃に硬化させることを特徴とする請求項２３に記載の有機発光表示装置の製造方法。

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