JP2012022836A - Organic el display device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the adverse effect to picture quality and restrict the rise of consumption electric power in an organic EL display with a plurality of luminous layers being laminated.SOLUTION: A first subpixel P1 has a first organic compound layer 31 including a first luminous layer held between electrodes 21 and 22 opposite to each other, and a second subpixel P2 has a third organic compound layer 33 including a third luminous layer held between the electrodes 21 and 22 opposite to each other. A second organic compound layer 32 including a second luminous layer is laminated over the first subpixel P1 and second subpixel P2, while the second organic compound layer 32 is disposed on a light extraction side relative to the first organic compound layer 31 in the first subpixel P1, and out of the electrodes 22 and 23 opposite to each other holding the second organic compound layer 32, the electrode 23 on the light extraction side is formed in only the second subpixel P2.

Description

本発明は、電極間に発光層を含む有機化合物層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を複数備えた有機ＥＬ表示装置に関する。   The present invention relates to an organic EL display device including a plurality of organic electroluminescence elements (organic EL elements) each having an organic compound layer including a light emitting layer between electrodes.

近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型のデバイスである有機ＥＬ表示装置が注目され、活発に開発されている。   In recent years, organic EL display devices, which are self-luminous devices, have attracted attention and are actively developed as flat panel displays.

この種の有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子を積層することで実質的な発光面積を増加させると共に、輝度を落として、素子寿命を向上させる技術がある。例えば、１画素を並列配置した複数のサブピクセルで構成し、各サブピクセルは異なる色に発光する有機化合物層を複数積層して構成される構造が提案されている（特許文献１参照）。   In this type of organic EL display device, there is a technique for increasing the element life by decreasing the luminance while increasing the substantial light emitting area by stacking organic EL elements. For example, a structure in which one pixel is configured by a plurality of subpixels arranged in parallel and each subpixel is configured by stacking a plurality of organic compound layers that emit light of different colors has been proposed (see Patent Document 1).

具体的には、１画素が第１サブピクセルと第２サブピクセルとで構成され、第１サブピクセルに下部電極及び第１発光層を含む第１有機化合物層を、第２サブピクセルに下部電極及び第３発光層を含む第３有機化合物層を形成している。さらに、これらの上に中間電極を介して第２発光層を含む第２有機化合物層を共通に形成し、その上に上部電極を形成している。   Specifically, one pixel includes a first subpixel and a second subpixel, the first subpixel includes a first organic compound layer including a lower electrode and a first light emitting layer, and the second subpixel includes a lower electrode. And the 3rd organic compound layer containing the 3rd light emitting layer is formed. Further, a second organic compound layer including a second light emitting layer is formed in common on these via an intermediate electrode, and an upper electrode is formed thereon.

特開２００５−１７４６３９号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2005-174639

ところで、特許文献１の有機ＥＬ表示装置では、２つのサブピクセルについて同一色の発光層を含む有機化合物層を共通に形成している。有機ＥＬ素子からの発光光の波長と素子の膜厚とが同等の大きさであるため光の干渉効果を強く受け、所望の発光効率や色度を出すには、適切な光学干渉条件を満たすことが必要である。   By the way, in the organic EL display device of Patent Document 1, an organic compound layer including a light emitting layer of the same color is formed in common for two subpixels. Since the wavelength of the light emitted from the organic EL element and the film thickness of the element are the same size, the light interference effect is strongly received, and an appropriate optical interference condition is satisfied in order to obtain a desired light emission efficiency and chromaticity. It is necessary.

しかしながら、特許文献１の有機ＥＬ表示装置では、２つのサブピクセルにおいて並列配置されている第１有機化合物層と第３有機化合物層との発光色が異なるため、干渉効果を最適化するには有機化合物層の膜厚も異なる。その結果、２つのサブピクセルに亘って共通に形成する第２有機化合物層は、第１有機化合物層に積層されている部分と、第３有機化合物層に積層されている部分とで干渉効果が異なることになる。そのため、第２有機化合物層を発光させると、第１有機化合物層の上に積層されている部分と、第３有機化合物層の上に積層されている部分とで色度が異なり、画質に悪影響を与えるという問題がある。   However, in the organic EL display device of Patent Document 1, since the emission colors of the first organic compound layer and the third organic compound layer arranged in parallel in the two sub-pixels are different, it is organic to optimize the interference effect. The film thickness of the compound layer is also different. As a result, the second organic compound layer formed in common over the two subpixels has an interference effect between the portion laminated on the first organic compound layer and the portion laminated on the third organic compound layer. Will be different. Therefore, when the second organic compound layer emits light, the chromaticity differs between the portion laminated on the first organic compound layer and the portion laminated on the third organic compound layer, which adversely affects the image quality. There is a problem of giving.

また、各サブピクセルについて２つの有機ＥＬ素子を積層しているので、上側の有機ＥＬ素子の光取り出し電極に金属電極を用いた場合、当該電極での反射光による干渉効果が下側の有機ＥＬ素子からの発光光に重畳する。また、上側の有機ＥＬ素子の光取り出し電極に非金属の透明導電膜を用いた場合、空気層と当該電極の界面での反射光による干渉効果が下側の有機ＥＬ素子からの発光光に重畳する。したがって、ＲＧＢの３つのサブピクセルを並列配置して１画素を構成する場合に比べて、発光効率が低下し、消費電力が上昇するという問題がある。   In addition, since two organic EL elements are stacked for each sub-pixel, when a metal electrode is used as the light extraction electrode of the upper organic EL element, the interference effect due to the reflected light from the electrode is lower than the lower organic EL element. It is superimposed on the light emitted from the element. In addition, when a non-metallic transparent conductive film is used for the light extraction electrode of the upper organic EL element, the interference effect due to the reflected light at the interface between the air layer and the electrode is superimposed on the light emitted from the lower organic EL element. To do. Therefore, there is a problem in that the light emission efficiency is reduced and the power consumption is increased as compared to the case where three pixels of RGB are arranged in parallel to constitute one pixel.

そこで本発明の目的は、複数の発光層が積層された有機ＥＬ表示装置において、画質への悪影響を低減でき、消費電力の上昇を抑制できる有機ＥＬ表示装置を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an organic EL display device in which an adverse effect on image quality can be reduced and an increase in power consumption can be suppressed in an organic EL display device in which a plurality of light emitting layers are stacked.

上記の目的を達成すべく成された本発明の構成は以下の通りである。   The configuration of the present invention made to achieve the above object is as follows.

即ち、本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、表示領域に複数の画素を備え、各画素に第１サブピクセルと第２サブピクセルとが並列配置された有機ＥＬ表示装置であって、
上記第１サブピクセルは、対向する電極の間に挟持された第１発光層を含む第１有機化合物層を有し、
上記第２サブピクセルは、対向する電極の間に挟持された第３発光層を含む第３有機化合物層を有し、
上記第１サブピクセル及び第２サブピクセルに亘って、第２発光層を含む第２有機化合物層が積層されると共に、該第２有機化合物層は、上記第１サブピクセルにおいて上記第１有機化合物層よりも光取り出し側に配置され、
上記第２有機化合物層は対向する電極の間に挟持され、前記第２有機化合物層を挟持する対向する電極のうち、光取り出し側の電極は、上記第２サブピクセルのみに形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。 That is, the organic EL display device according to the present invention is an organic EL display device having a plurality of pixels in a display region, and a first subpixel and a second subpixel arranged in parallel in each pixel,
The first subpixel includes a first organic compound layer including a first light emitting layer sandwiched between opposing electrodes,
The second subpixel includes a third organic compound layer including a third light emitting layer sandwiched between opposing electrodes,
A second organic compound layer including a second light emitting layer is stacked over the first subpixel and the second subpixel, and the second organic compound layer is formed of the first organic compound in the first subpixel. Placed on the light extraction side of the layer,
The second organic compound layer is sandwiched between opposing electrodes, and among the opposing electrodes sandwiching the second organic compound layer, the light extraction side electrode is formed only in the second subpixel. An organic EL display device characterized by the above.

本発明によれば、第２有機化合物層を挟持する対向する２つの電極のうち、光取り出し側の電極を第２サブピクセルのみに形成している。したがって、第２有機化合物層を並列配置された第１サブピクセル及び第２サブピクセルに共通に積層する場合に、色度の異なる発光光が混ざって画質が悪化するのを低減できる。   According to the present invention, of the two opposing electrodes sandwiching the second organic compound layer, the light extraction side electrode is formed only in the second subpixel. Therefore, when the second organic compound layer is stacked in common on the first subpixel and the second subpixel arranged in parallel, it is possible to reduce deterioration in image quality due to mixing of emitted light having different chromaticities.

第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の１画素（ピクセル）領域における積層構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the laminated structure in 1 pixel (pixel) area | region of the organic electroluminescence display of 1st Embodiment. 有機ＥＬ表示装置の概略を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of an organic electroluminescence display. 第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置における各発光層の発光領域と反射電極との間の光路長を示す概略図である。It is the schematic which shows the optical path length between the light emission area | region of each light emitting layer, and a reflective electrode in the organic electroluminescence display of 1st Embodiment. 本実施形態の比較形態となる有機ＥＬ表示装置の積層構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the laminated structure of the organic electroluminescence display used as the comparison form of this embodiment. 本実施形態の有機ＥＬ表示装置の各画素の等価回路を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the equivalent circuit of each pixel of the organic electroluminescence display of this embodiment. 本実施形態の有機ＥＬ表示装置の駆動波形の一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the drive waveform of the organic electroluminescence display of this embodiment. 第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の１画素領域における積層構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the laminated structure in 1 pixel area | region of the organic electroluminescence display of 2nd Embodiment. 第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の各画素の等価回路を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the equivalent circuit of each pixel of the organic electroluminescence display of 2nd Embodiment. 第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の１画素領域における積層構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the laminated structure in 1 pixel area | region of the organic electroluminescence display of 3rd Embodiment. 第４の実施形態の有機ＥＬ表示装置の１画素領域における積層構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the laminated structure in 1 pixel area | region of the organic electroluminescence display of 4th Embodiment. 第４の実施形態における素子保護層と光学干渉条件を説明する図である。It is a figure explaining the element protective layer and optical interference condition in 4th Embodiment. 第５の実施形態の有機ＥＬ表示装置の１画素領域における積層構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the laminated structure in 1 pixel area | region of the organic electroluminescence display of 5th Embodiment. 第６の実施形態の有機ＥＬ表示装置の１画素領域における積層構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the laminated structure in 1 pixel area | region of the organic electroluminescence display of 6th Embodiment.

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されない。なお、図面では、説明の都合上から、各層を認識可能な大きさで表しており、図面の縮尺は実際とは異なっている。また、本明細書で特に図示または記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知または公知技術を適用する。
以下の説明において、陽極、有機化合物層、陰極からなる構造体を有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子と称する。また、複数の有機ＥＬ素子、平坦化層等の下地構造、駆動回路や配線構造の回路素子部、及び封止構造等からなる構造体を有機ＥＬ表示装置と称する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited to these embodiments. In the drawings, for convenience of explanation, each layer is shown in a recognizable size, and the scale of the drawings is different from the actual scale. In addition, well-known or publicly known techniques in the technical field are applied to portions that are not particularly illustrated or described in the present specification.
In the following description, a structure including an anode, an organic compound layer, and a cathode is referred to as an organic electroluminescence (EL) element. A structure including a plurality of organic EL elements, a base structure such as a planarization layer, a circuit element portion of a drive circuit or a wiring structure, a sealing structure, and the like is referred to as an organic EL display device.

＜第１の実施形態＞
図１及び図２を参照して、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の一実施形態を構成する有機ＥＬ素子の積層構造について説明する。本実施形態で例示する有機ＥＬ表示装置は、基板側とは反対側（透明電極側）から有機ＥＬ素子の光を取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置であり、表示装置の利用者は光取り出し側から観察することになる。図１は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の１画素（ピクセル）領域における積層構造を示す模式図である。図２は有機ＥＬ表示装置の概略を示す斜視図であり、画素がマトリクス状に複数配置されて有機ＥＬ表示装置の表示領域が構成される。 <First Embodiment>
With reference to FIG.1 and FIG.2, the laminated structure of the organic EL element which comprises one Embodiment of the organic electroluminescence display which concerns on this invention is demonstrated. The organic EL display device exemplified in this embodiment is a so-called top emission type organic EL display device that takes out light of the organic EL element from the side opposite to the substrate side (transparent electrode side). It will be observed from the light extraction side. FIG. 1 is a schematic diagram showing a laminated structure in one pixel (pixel) region of the organic EL display device of the first embodiment. FIG. 2 is a perspective view schematically showing the organic EL display device, in which a plurality of pixels are arranged in a matrix to form a display area of the organic EL display device.

図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の基板１０上には、回路素子部１１が形成されている。回路素子部１１には、スイッチング用薄膜トランジスタ（図示せず）、駆動用薄膜トランジスタ１１ａと走査信号線、情報信号線、電源線の配線構造（図示せず）が形成されている。回路素子部１１上には、平坦化層１２が形成されている。平坦化層１２には、平坦化層上部に形成される電極と、駆動用薄膜トランジスタ１１ａとの導通をとるためのコンタクトホール１３ａ、１３ｂが形成されている。   As shown in FIG. 1, a circuit element unit 11 is formed on a substrate 10 of the organic EL display device 1 of the present embodiment. In the circuit element portion 11, a switching thin film transistor (not shown), a driving thin film transistor 11a, and a wiring structure (not shown) of a scanning signal line, an information signal line, and a power supply line are formed. A planarizing layer 12 is formed on the circuit element portion 11. In the planarization layer 12, contact holes 13a and 13b are formed for electrical connection between the electrode formed on the planarization layer and the driving thin film transistor 11a.

そして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、各画素（１画素領域）に２個の副画素（以下、「第１サブピクセルＰ１、第２サブピクセルＰ２」と呼称する）が並列配置されている。図示していないが、第１サブピクセルＰ１と第２サブピクセルＰ２との間に素子分離膜を形成してもよい。   In the organic EL display device of this embodiment, two subpixels (hereinafter referred to as “first subpixel P1 and second subpixel P2”) are arranged in parallel in each pixel (one pixel region). Yes. Although not shown, an element isolation film may be formed between the first subpixel P1 and the second subpixel P2.

各サブピクセルＰ１，Ｐ２のそれぞれにおいて、平坦化層１２の上層側に、発光層を含む有機化合物層が各々対向する電極で挟持されて積層されている。各有機化合物層は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等を含んでいてもよい。   In each of the subpixels P1 and P2, an organic compound layer including a light emitting layer is sandwiched and stacked on the upper layer side of the planarizing layer 12 by electrodes facing each other. Each organic compound layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like in addition to the light emitting layer.

以下、有機化合物層及び電極の構成を製造方法の手順に従って説明する。   Hereafter, the structure of an organic compound layer and an electrode is demonstrated according to the procedure of a manufacturing method.

平坦化層１２上には、第１電極２１ａ，２１ｂが形成されている。第１電極２１ａ，２１ｂは、光反射性の部材であることが好ましく、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の材料を用いることができる。第１電極２１ａ，２１ｂに光反射性の部材を用いることで、光取り出し効率を向上させることができる。また、第１電極２１ａ，２１ｂには、反射機能を光反射性部材によって確保し、電極としての機能を光反射性部材上に形成したＩＴＯ膜（インジウム錫酸化膜）等の透明導電膜によって確保するような構成も含まれる。この場合の第１電極２１ａ，２１ｂの反射面は上記光反射性部材の表面となる。第１電極２１ａ，２１ｂの成膜手法としては、公知の手法を適用することができる。   On the planarizing layer 12, first electrodes 21a and 21b are formed. The first electrodes 21a and 21b are preferably light-reflective members. For example, materials such as Cr, Al, Ag, Au, and Pt can be used. By using a light reflective member for the first electrodes 21a and 21b, the light extraction efficiency can be improved. Further, the first electrodes 21a and 21b have a reflective function secured by a light reflective member, and a function as an electrode secured by a transparent conductive film such as an ITO film (indium tin oxide film) formed on the light reflective member. Such a configuration is also included. In this case, the reflecting surfaces of the first electrodes 21a and 21b are the surfaces of the light reflecting member. As a film forming technique for the first electrodes 21a and 21b, a known technique can be applied.

第１電極２１ａ，２１ｂ上には、第１サブピクセルＰ１に第１発光層を含む第１有機化合物層３１が、第２サブピクセルＰ２に第３発光層を含む第３有機化合物層３３がそれぞれ形成されている。第１有機化合物層３１及び第３有機化合物層３３の各層は、例えば、シャドーマスクを用いた蒸着法などの公知の手法で形成される。発光層を含む各有機化合物層には、公知の材料を用いることができる。第１有機化合物層３１及び第３有機化合物層３３を形成後、これらの有機化合物層３１，３３にコンタクトホール１４ａ，１４ｂを形成する。コンタクトホール１４ａ，１４ｂの形成方法としては、例えばレーザー加工が好ましく、ＹＡＧレーザー（ＳＨＧ、ＴＨＧ含む）、エキシマレーザーなど一般に薄膜加工に使用する公知の手法を用いることができる。これらのレーザー光を数μｍに絞って走査したり、面状光源にしてコンタクトホール部分を透過するマスクを介したりして、第１有機化合物層３１及び第３有機化合物層３３上に所定のパターンで照射することにより所望の位置にコンタクトホール１４ａ，１４ｂを形成することができる。コンタクトホール１４ａ，１４ｂの径は、２μｍ〜１５μｍ程度が好ましい。   On the first electrodes 21a and 21b, a first organic compound layer 31 including a first light emitting layer in the first subpixel P1, and a third organic compound layer 33 including a third light emitting layer in the second subpixel P2, respectively. Is formed. Each layer of the first organic compound layer 31 and the third organic compound layer 33 is formed by a known method such as an evaporation method using a shadow mask, for example. A known material can be used for each organic compound layer including the light emitting layer. After forming the first organic compound layer 31 and the third organic compound layer 33, contact holes 14 a and 14 b are formed in these organic compound layers 31 and 33. As a method for forming the contact holes 14a and 14b, for example, laser processing is preferable, and known methods generally used for thin film processing such as YAG laser (including SHG and THG) and excimer laser can be used. A predetermined pattern is formed on the first organic compound layer 31 and the third organic compound layer 33 by scanning with these laser beams reduced to several μm, or by using a planar light source through a mask that passes through the contact hole portion. The contact holes 14a and 14b can be formed at desired positions by irradiating with. The diameters of the contact holes 14a and 14b are preferably about 2 μm to 15 μm.

第１有機化合物層３１及び第３有機化合物層３３上には、第２電極２２ａ，２２ｂがそれぞれパターン形成されている。第２電極２２ａ，２２ｂは、コンタクトホール１４ａ及び１３ａ、コンタクトホール１４ｂ及び１３ａを介して、それぞれ駆動用薄膜トランジスタ１１ａに接続されている。第２電極２２ａ，２２ｂには、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩｎＺｎＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの透明導電膜や、Ａｇ、Ａｌなどの金属材料を１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の膜厚で形成した半透過膜を用いることができる。第２電極２２ａ，２２ｂのパターン形成方法としては、例えば、表示領域の全領域に電極材料を成膜した後にレーザー加工で行ってもよいし、シャドーマスクを用いた蒸着法により選択的に形成するようにしてもよい。また、電極材料が形成された基板を基板１と対向させてレーザーアブレーションにより選択的に転写形成してもよい。   On the first organic compound layer 31 and the third organic compound layer 33, the second electrodes 22a and 22b are respectively patterned. The second electrodes 22a and 22b are connected to the driving thin film transistor 11a through the contact holes 14a and 13a and the contact holes 14b and 13a, respectively. For the second electrodes 22a and 22b, for example, a transparent conductive film such as ITO (indium tin oxide) or InZnO (indium zinc oxide) or a metal material such as Ag or Al is formed to a thickness of about 10 nm to 30 nm. A semi-permeable membrane can be used. As a pattern formation method of the second electrodes 22a and 22b, for example, an electrode material may be formed on the entire display region, and then laser processing may be performed, or selective formation may be performed by vapor deposition using a shadow mask. You may do it. Alternatively, the substrate on which the electrode material is formed may be selectively transferred by laser ablation while facing the substrate 1.

第２電極２２ａ，２２ｂ上には、第２発光層を含む第２有機化合物層３２が第１サブピクセルＰ１及び第２サブピクセルＰ２に亘って共通に形成されている。第２有機化合物層３２の各層は、例えば、シャドーマスクを用いた蒸着法などの公知の手法で形成される。また、第２発光層を含む第２有機化合物層３２には、公知の材料を用いることができる。   On the second electrodes 22a and 22b, a second organic compound layer 32 including a second light emitting layer is formed in common over the first subpixel P1 and the second subpixel P2. Each layer of the second organic compound layer 32 is formed by a known method such as a vapor deposition method using a shadow mask, for example. Moreover, a well-known material can be used for the 2nd organic compound layer 32 containing a 2nd light emitting layer.

第２有機化合物層３２上には、第３電極２３が第２サブピクセルＰ２のみに形成されている。図示していないが、第１電極２１ａ，２１ｂと第３電極２３は、電気的に接続されている。接続の形態は、表示領域内で画素ごとに接続されていてもよいし、表示領域外で接続されていてもよい。また、第１電極２１ａ，２１ｂ、及び第３電極２３は、平坦下層１２のコンタクトホール（不図示）、有機化合物層３１、３２、３３のコンタクトホール（不図示）を介して回路素子部と電気的に接続されている。接続の形態は、表示領域内で接続されていてもよいし、表示領域外で接続されていてもよい。   On the second organic compound layer 32, the third electrode 23 is formed only in the second subpixel P2. Although not shown, the first electrodes 21a and 21b and the third electrode 23 are electrically connected. The connection form may be connected for each pixel within the display area, or may be connected outside the display area. The first electrodes 21a and 21b and the third electrode 23 are electrically connected to the circuit element portion via the contact holes (not shown) of the flat lower layer 12 and the contact holes (not shown) of the organic compound layers 31, 32 and 33. Connected. The connection form may be connected within the display area or may be connected outside the display area.

第３電極２３は、第２電極と同様に、例えばＩＴＯ、ＩｎＺｎＯなどの透明導電膜、ＡｇやＡｌなどの金属材料を１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の膜厚で形成した半透過膜を用いることができる。第３電極２３のパターン形成の方法としては、例えば、表示領域の全領域に電極材料を成膜した後にレーザー加工で行ってもよいし、シャドーマスクを用いた蒸着法により選択的に形成するようにしてもよい。また、電極材料が形成された基板を基板１と対向させてレーザーアブレーションにより選択的に転写形成してもよい。   Similar to the second electrode, the third electrode 23 can be, for example, a transparent conductive film such as ITO or InZnO, or a semi-transmissive film formed of a metal material such as Ag or Al with a thickness of about 10 nm to 30 nm. As a pattern formation method of the third electrode 23, for example, an electrode material may be formed on the entire display region and then laser processing may be performed, or alternatively, the third electrode 23 may be selectively formed by vapor deposition using a shadow mask. It may be. Alternatively, the substrate on which the electrode material is formed may be selectively transferred by laser ablation while facing the substrate 1.

また、第１サブピクセルＰ１の第２有機化合物層３２上には、第３電極２３を形成する際に同時に形成された導電膜２４が存在している。導電層２４は、上述のパターニングによって、第３電極２３と電気的に絶縁されている。   In addition, the conductive film 24 formed simultaneously with the formation of the third electrode 23 exists on the second organic compound layer 32 of the first subpixel P1. The conductive layer 24 is electrically insulated from the third electrode 23 by the above patterning.

なお、第２電極２２ａ，２２ｂのように、異なる有機化合物層の間に位置する電極は、導電層／絶縁層／導電層のように二つ以上の導電層の間に絶縁層を有する構成とし、異なる有機化合物層を独立駆動できるよう構成されていてもよい。   It should be noted that the electrodes located between different organic compound layers, such as the second electrodes 22a and 22b, have an insulating layer between two or more conductive layers such as conductive layer / insulating layer / conductive layer. Alternatively, different organic compound layers may be configured to be driven independently.

また、図示していないが、有機ＥＬ表示装置の第２有機化合物層３２及び第３電極２３の上部に、有機ＥＬ表示装置と酸素や水分等との接触を防止する目的で、例えば、ガラス基板や封止缶等からなる封止部材を配設してもよい。   Although not shown, for example, a glass substrate is used for the purpose of preventing contact between the organic EL display device and oxygen or moisture on the second organic compound layer 32 and the third electrode 23 of the organic EL display device. Alternatively, a sealing member made of a sealing can or the like may be provided.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、カラーディスプレイとして機能できるように、例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）に発光する有機化合物層を含んでいる。本実施形態では、例えば第１有機化合物層は緑色発光、第２有機化合物層は赤色発光、第３有機化合物層は青色発光とする。   The organic EL display device of this embodiment includes an organic compound layer that emits red (R), green (G), and blue (B), for example, so that it can function as a color display. In the present embodiment, for example, the first organic compound layer emits green light, the second organic compound layer emits red light, and the third organic compound layer emits blue light.

次に、図３を参照して、本実施形態の有機ＥＬ表示装置における光干渉の条件式について説明する。図３は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置における各発光層の発光領域と第１電極との間の光路長を示す概略図である。なお、光路長とは、実際の長さに材料の屈折率を乗じたものである。   Next, a conditional expression for optical interference in the organic EL display device of the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic view showing the optical path length between the light emitting region of each light emitting layer and the first electrode in the organic EL display device of the first embodiment. The optical path length is the actual length multiplied by the refractive index of the material.

各発光層で発光が生じた場合、その光は構成する各層の屈折率及び吸収係数の違いにより、反射、屈折、透過、吸収等を繰り返して外部に取り出されることになる。その取り出される光量は様々な経路を通ってきた光が互いに干渉し、強め合うことで増大する。干渉の影響を考えた場合には、第１電極の反射率が最も高いため、発光位置から直接光取り出し方向へ向かう光と、第１電極の反射面で反射して取り出し方向へ向かう光との干渉効果が最も大きくなる。   When light emission occurs in each light emitting layer, the light is extracted outside by repeating reflection, refraction, transmission, absorption, and the like due to the difference in refractive index and absorption coefficient of each layer constituting the light emitting layer. The amount of light extracted increases as the light passing through various paths interfere with each other and strengthen each other. When the influence of interference is considered, since the reflectance of the first electrode is the highest, the light that goes directly from the light emitting position in the light extraction direction and the light that reflects on the reflection surface of the first electrode and goes in the extraction direction Interference effect is greatest.

このとき、２Ｌ／λ＋δ／２π＝ｍの関係式（１）を満たすことで、干渉による光取り出し効率の向上が見込まれることになる。なお、上記関係式（１）中、Ｌは発光層の発光領域と第１電極の反射面との間の光路長、δは第１電極における位相シフト量δ、ｍは自然数である。   At this time, by satisfying the relational expression (1) of 2L / λ + δ / 2π = m, an improvement in light extraction efficiency due to interference is expected. In the relational expression (1), L is the optical path length between the light emitting region of the light emitting layer and the reflecting surface of the first electrode, δ is the phase shift amount δ at the first electrode, and m is a natural number.

上記関係式（１）は、文献Ｄｅｐｐｅ Ｊ．Ｍｏｄｅｒｎ．Ｏｐｔｉｃｓ Ｖｏｌ４１，Ｎｏ２，ｐ３２５（１９９４）において、共振構造でのＥＬ発光スペクトルの干渉強め合いの条件より導出されている。   The above relational expression (1) is obtained from the document Deppe J. Modern. In Optics Vol 41, No. 2, p325 (1994), it is derived from the interference enhancement conditions of the EL emission spectrum in the resonance structure.

上記関係式（１）により、ｍ＝２の場合の第１有機化合物層３１からのＧ発光、第２有機化合物層からのＲ発光、及び第３有機化合物層３３からのＢ発光に関して、最適な光路長を求めたものが表１である。ここで、反射金属膜での位相シフト量は略πラジアンと考えてよいため、δはπとして計算している。   According to the relational expression (1), the optimum G emission from the first organic compound layer 31, R emission from the second organic compound layer, and B emission from the third organic compound layer 33 when m = 2. Table 1 shows the optical path length. Here, since the phase shift amount in the reflective metal film may be considered to be approximately π radians, δ is calculated as π.

Figure 2012022836
Figure 2012022836

λ１は第１有機化合物層３１からの発光に関して強めたい波長であり、Ｌ１は第１有機化合物層３１における発光領域から第１電極２１ａの反射面との間の光路長である。λ２は第２有機化合物層３２からの発光に関して強めたい波長であり、Ｌ２は第２有機化合物層３２における発光領域から第１電極２１ｂの反射面との間の光路長である。λ３は第３有機化合物層３３からの発光に関して強めたい波長であり、Ｌ３は第３有機化合物層３３における発光領域から第１電極２１ｂの反射面との間の光路長である。   λ1 is a wavelength to be strengthened with respect to light emission from the first organic compound layer 31, and L1 is an optical path length between the light emitting region in the first organic compound layer 31 and the reflecting surface of the first electrode 21a. λ2 is a wavelength to be enhanced with respect to light emission from the second organic compound layer 32, and L2 is an optical path length between the light emitting region in the second organic compound layer 32 and the reflecting surface of the first electrode 21b. λ3 is a wavelength desired to be enhanced with respect to light emission from the third organic compound layer 33, and L3 is an optical path length between the light emitting region in the third organic compound layer 33 and the reflecting surface of the first electrode 21b.

本実施形態では、λ１は５３０ｎｍ、λ２は６２０ｎｍ、λ３は４５０ｎｍとした。表１から分かる通り、強めたい発光波長が異なると適切な光路長も異なる。同一の次数ｍとする場合は、波長が長い光を発する有機化合物層の膜厚をより厚くなることになる。   In this embodiment, λ1 is 530 nm, λ2 is 620 nm, and λ3 is 450 nm. As can be seen from Table 1, the appropriate optical path length varies depending on the emission wavelength to be enhanced. In the case of the same order m, the film thickness of the organic compound layer that emits light having a long wavelength is increased.

本実施形態では、第１有機化合物層３１は緑色発光、第２有機化合物層３２は赤色発光、第３有機化合物層３３は青色発光とする場合を例示したが、本発明は各有機化合物層３１，３２，３３の発光色については限定されない。   In the present embodiment, the case where the first organic compound layer 31 emits green light, the second organic compound layer 32 emits red light, and the third organic compound layer 33 emits blue light is exemplified. , 32 and 33 are not limited.

ただし、より好適には、本実施形態の有機化合物層の構成と発光色の組み合わせで構成するのが望ましい。その理由を、以下に説明する。光干渉の関係式（１）の次数ｍが大きくなると視野角特性が悪くなるため、次数ｍはできるだけ小さい値にすることが望ましい。このため、第２サブピクセルＰ２において、上層側の第２有機化合物層３２は、最も波長の長い赤色発光とするのが望ましい。上層側の第２有機化合物層３２は、下層側の第１有機化合物層３１があることによって、発光領域と第１電極との光路長が長くなっているからである。また、下層側の第１有機化合物層３１は、上層側の第２有機化合物層３２の発光領域と第１電極との光路長を短くできるよう、最も波長の短い青色発光とするのが望ましい。   However, it is more preferable to configure the combination of the configuration of the organic compound layer of the present embodiment and the emission color. The reason will be described below. When the order m of the relational expression (1) for optical interference is increased, the viewing angle characteristic is deteriorated. Therefore, the order m is preferably as small as possible. For this reason, in the second subpixel P2, it is desirable that the second organic compound layer 32 on the upper layer side emits red light having the longest wavelength. This is because the second organic compound layer 32 on the upper layer side has a long optical path length between the light emitting region and the first electrode due to the presence of the first organic compound layer 31 on the lower layer side. The first organic compound layer 31 on the lower layer side preferably emits blue light with the shortest wavelength so that the optical path length between the light emitting region of the second organic compound layer 32 on the upper layer side and the first electrode can be shortened.

図４は、本実施形態の比較形態となる有機ＥＬ表示装置１ａの積層構造を示す模式図である。図４に示すように、この有機ＥＬ表示装置１ａは、第３電極２３が第１サブピクセルＰ１及び第２サブピクセルＰ２に形成されている点以外は、図１の本実施形態の有機ＥＬ表示装置１と同じである。比較形態の有機ＥＬ表示装置１ａでは、第２有機化合物層３２は第１サブピクセルＰ１及び第２サブピクセルＰ２に共通に形成されている。そのため、第２有機化合物層３２の発光領域から第１電極の反射面との間の光路長は、第１有機化合物層３１に積層されている箇所と、第３有機化合物層３３に積層されている箇所とで異なる。したがって、第３有機化合物層３３からの発光は、第１有機化合物層３１に積層されている箇所と、第３有機化合物層３３に積層されている箇所とで色度が異なる。   FIG. 4 is a schematic diagram showing a laminated structure of an organic EL display device 1a which is a comparative example of the present embodiment. As shown in FIG. 4, this organic EL display device 1a has the organic EL display of the present embodiment shown in FIG. 1 except that the third electrode 23 is formed on the first subpixel P1 and the second subpixel P2. Same as device 1. In the comparative organic EL display device 1a, the second organic compound layer 32 is formed in common to the first subpixel P1 and the second subpixel P2. Therefore, the optical path length between the light emitting region of the second organic compound layer 32 and the reflecting surface of the first electrode is determined by being stacked on the portion stacked on the first organic compound layer 31 and on the third organic compound layer 33. It differs depending on where it is. Therefore, the light emitted from the third organic compound layer 33 has different chromaticity between the portion laminated on the first organic compound layer 31 and the portion laminated on the third organic compound layer 33.

これに対し、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、第３電極２３をパターン形成して第２サブピクセルＰ２のみに形成していることにより、第１サブピクセルＰ１における第２有機化合物層３２を非発光としている。これにより、第２有機化合物層３２からの発光色に関し、第２サブピクセルＰ２の第２有機化合物層３２からの発光光と色度の異なる発光光が混ざることを防止している。このように本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、第２有機化合物層３２を２つのサブピクセルに共通に形成する場合に発生する色度の異なる発光が混ざることによる画質の悪化を低減している。   On the other hand, in the organic EL display device 1 of the present embodiment, the third electrode 23 is patterned and formed only on the second subpixel P2, so that the second organic compound layer 32 in the first subpixel P1 is formed. Is not emitting light. Thereby, with respect to the emission color from the second organic compound layer 32, the emission light from the second organic compound layer 32 of the second subpixel P2 and the emission light having different chromaticity are prevented from being mixed. As described above, the organic EL display device 1 according to the present embodiment reduces deterioration in image quality caused by mixing light emissions having different chromaticities that are generated when the second organic compound layer 32 is commonly formed in two subpixels. Yes.

次に、図５（ａ）（ｂ）を参照して、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の具体的な駆動方法について説明する。図５（ａ）は本実施形態の有機ＥＬ表示装置の各画素の等価回路を示す説明図、図５（ｂ）は有機ＥＬ表示装置の駆動波形の一例を示す説明図である。   Next, a specific driving method of the organic EL display device 1 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 5A is an explanatory diagram showing an equivalent circuit of each pixel of the organic EL display device of the present embodiment, and FIG. 5B is an explanatory diagram showing an example of a drive waveform of the organic EL display device.

図５（ａ）に示すように、各画素は、スイッチング用ＴＦＴ６１ａ，６１ｂと駆動用ＴＦＴ６２ａ，６２ｂと積層された有機ＥＬ素子とコンデンサ６３ａ，６３ｂで構成されている。ここで、スイッチング用ＴＦＴ６１ａ，６１ｂのゲート電極は、ゲート信号線５１に接続されている。また、スイッチング用ＴＦＴ６１ａ，６１ｂのソース領域はソース信号線５２ａ，５２ｂに、ドレイン領域は駆動用ＴＦＴ６２ａ，６２ｂのゲート電極に接続されている。また、駆動用ＴＦＴ６２ａのソース領域は電源供給線５３に、ドレイン領域は有機ＥＬ素子の第２電極２２ａに接続されている。また、駆動用ＴＦＴ６２ｂのソース領域は電源供給線５３に、ドレイン領域は有機ＥＬ素子の第２電極２２ｂに接続されている。   As shown in FIG. 5A, each pixel is composed of an organic EL element laminated with switching TFTs 61a and 61b and driving TFTs 62a and 62b, and capacitors 63a and 63b. Here, the gate electrodes of the switching TFTs 61 a and 61 b are connected to the gate signal line 51. The source regions of the switching TFTs 61a and 61b are connected to the source signal lines 52a and 52b, and the drain regions are connected to the gate electrodes of the driving TFTs 62a and 62b. The source region of the driving TFT 62a is connected to the power supply line 53, and the drain region is connected to the second electrode 22a of the organic EL element. The source region of the driving TFT 62b is connected to the power supply line 53, and the drain region is connected to the second electrode 22b of the organic EL element.

またコンデンサ６３ａ，６３ｂは電極のそれぞれが、駆動用ＴＦＴ６２ａ，６２ｂのゲート電極とＧＮＤ（接地）とに接続されるように形成されている。このように、駆動用ＴＦＴ６２ａ，６２ｂと有機ＥＬ素子が直列に接続されており、有機ＥＬ素子に流れる電流をソース信号線５２ａ，５２ｂから供給されるデータ信号に応じて駆動用ＴＦＴ６２ａ，６２ｂで制御することにより発光制御される。   The capacitors 63a and 63b are formed so that the electrodes are connected to the gate electrodes of the driving TFTs 62a and 62b and GND (ground). Thus, the driving TFTs 62a and 62b and the organic EL element are connected in series, and the current flowing through the organic EL element is controlled by the driving TFTs 62a and 62b in accordance with the data signal supplied from the source signal lines 52a and 52b. By doing so, light emission is controlled.

さらに図５（ａ）及び図５（ｂ）を参照して、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の駆動動作を説明する。まず時間ｔ１において、ゲート信号線５１の電位をＶｇに設定すると、スイッチングＴＦＴ６１ａ，６１ｂがオン状態となる。第１有機化合物層を発光するソース信号線５２ａの電位Ｖｓｉｇ＿ａ１、第３有機化合物層を発光するソース信号線５２ｂの電位Ｖｓｉｇ＿ｂ１がＴＦＴ６１ａ，６１ｂを介してコンデンサ６３ａ，６３ｂ及び駆動ＴＦＴ６２ａ，６２ｂのゲート容量に充電される。   Furthermore, with reference to FIG. 5A and FIG. 5B, the driving operation of the organic EL display device 1 of the present embodiment will be described. First, at time t1, when the potential of the gate signal line 51 is set to Vg, the switching TFTs 61a and 61b are turned on. The potential Vsig_a1 of the source signal line 52a that emits light from the first organic compound layer and the potential Vsig_b1 of the source signal line 52b that emits light from the third organic compound layer are connected to the capacitors 63a and 63b and the gate capacitances of the driving TFTs 62a and 62b via the TFTs 61a and 61b. Is charged.

時間ｔ２において、ゲート信号線５１の電位が０Ｖに設定され、スイッチングＴＦＴ６１ａ，６１ｂがオフ状態となり、コンデンサ６３ａ，６３ｂに充電された電圧が保持される。   At time t2, the potential of the gate signal line 51 is set to 0V, the switching TFTs 61a and 61b are turned off, and the voltages charged in the capacitors 63a and 63b are held.

時間ｔ３において、第１電極２１ａ，２１ｂ及び第３電極２３の電位がＶｃに設定される。このとき、電源供給線５３は０Ｖのままなので、有機化合物層及び駆動用ＴＦＴ６２ａ，６２ｂのソースドレイン間に電位差が生じる。これにより、第１有機化合物層３１に第１電極２１ａから正孔が注入されると共に、第２電極２２ａから電子が注入される。また、第３有機化合物層３３に第１電極２１ｂから正孔が、第２電極２２ｂから電子が注入される。これにより、第１有機化合物層３１及び第３有機化合物層３３が発光する。なお、このとき第２有機化合物層３２には逆方向電圧が印加されるため発光しない。有機発光層に流れる電流は駆動用ＴＦＴ６２ａ，６２ｂで制御され、コンデンサ６３ａ，６３ｂに充電された電圧に応じて、駆動用ＴＦＴ６２ａ，６２ｂのソースドレイン間に電流Ｉ＿ａ１、Ｉ＿ｂ１が流れる。この状態は、時間ｔ４まで維持される。   At time t3, the potentials of the first electrodes 21a and 21b and the third electrode 23 are set to Vc. At this time, since the power supply line 53 remains at 0 V, a potential difference is generated between the source and drain of the organic compound layer and the driving TFTs 62a and 62b. Thereby, holes are injected into the first organic compound layer 31 from the first electrode 21a and electrons are injected from the second electrode 22a. In addition, holes are injected from the first electrode 21 b and electrons are injected from the second electrode 22 b into the third organic compound layer 33. Thereby, the first organic compound layer 31 and the third organic compound layer 33 emit light. At this time, no light is emitted because a reverse voltage is applied to the second organic compound layer 32. The current flowing in the organic light emitting layer is controlled by the driving TFTs 62a and 62b, and the currents I_a1 and I_b1 flow between the sources and drains of the driving TFTs 62a and 62b in accordance with the voltages charged in the capacitors 63a and 63b. This state is maintained until time t4.

時間ｔ４において、第１電極２１ａ，２１ｂ及び第３電極２３の電位が０Ｖに設定される。すると、有機発光層及び駆動用ＴＦＴ６２ａ，６２ｂのソースドレイン間に電位差が無くなるので、第１有機化合物層３１及び第３有機化合物層３３は発光しなくなる。続いて、第２有機化合物層を発光させるための信号Ｖｓｉｇ＿ｂ２がソース信号線５２ｂに設定される。また、信号Ｖｓｉｇ＿ａ２がソース信号線５２ａに設定される。   At time t4, the potentials of the first electrodes 21a and 21b and the third electrode 23 are set to 0V. Then, since there is no potential difference between the source and drain of the organic light emitting layer and the driving TFTs 62a and 62b, the first organic compound layer 31 and the third organic compound layer 33 do not emit light. Subsequently, a signal Vsig_b2 for causing the second organic compound layer to emit light is set to the source signal line 52b. Further, the signal Vsig_a2 is set to the source signal line 52a.

時間ｔ５において、ゲート信号線５１の電位をＶｇに設定すると、スイッチングＴＦＴ６１ａ，６１ｂがオン状態となる。それにより、ソース信号線５２ａ，５２ｂの電位Ｖｓｉｇ＿ａ２，Ｖｓｉｇ＿ｂ２がスイッチングＴＦＴ６１ａ，６１ｂを介してコンデンサ６３ａ，６３ｂ及び駆動用ＴＦＴ６２ａ，６２ｂのゲート容量に充電される。   At time t5, when the potential of the gate signal line 51 is set to Vg, the switching TFTs 61a and 61b are turned on. Accordingly, the potentials Vsig_a2 and Vsig_b2 of the source signal lines 52a and 52b are charged to the gate capacitors of the capacitors 63a and 63b and the driving TFTs 62a and 62b via the switching TFTs 61a and 61b.

時間ｔ６において、ゲート信号線５１の電位が０Ｖに設定され、スイッチングＴＦＴ６１ａ，６１ｂがオフ状態となり、コンデンサ６３ａ，６３ｂに充電された電圧が保持される。   At time t6, the potential of the gate signal line 51 is set to 0V, the switching TFTs 61a and 61b are turned off, and the voltages charged in the capacitors 63a and 63b are held.

時間ｔ７において、電源供給線５３の電位がＶｃに設定される。このとき、第１電極２１ａ，２１ｂ及び第３電極２３の電位が０Ｖなので、有機発光層及び駆動用ＴＦＴ６２ａ，６２ｂのソースドレイン間に電位差が生じる。これにより、第２有機化合物層３２に第２電極２２ｂから正孔が注入されると共に、第３電極２３から電子が注入され発光が得られる。なお、このとき、第１有機化合物層３１、第３有機化合物層３３には逆方向電圧が印加されるため発光しない。発光層に流れる電流は駆動用ＴＦＴ６２ｂで制御され、コンデンサ６３ｂに充電された電圧に応じて、駆動用ＴＦＴ６２ｂのソースドレイン間に電流Ｉ＿ｂ２が流れる。この状態は、時間ｔ８まで維持される。   At time t7, the potential of the power supply line 53 is set to Vc. At this time, since the potentials of the first electrodes 21a and 21b and the third electrode 23 are 0 V, a potential difference is generated between the organic light emitting layer and the source and drain of the driving TFTs 62a and 62b. Thereby, holes are injected from the second electrode 22b into the second organic compound layer 32, and electrons are injected from the third electrode 23 to obtain light emission. At this time, no light is emitted because a reverse voltage is applied to the first organic compound layer 31 and the third organic compound layer 33. The current flowing in the light emitting layer is controlled by the driving TFT 62b, and a current I_b2 flows between the source and drain of the driving TFT 62b in accordance with the voltage charged in the capacitor 63b. This state is maintained until time t8.

時間ｔ８において、電源供給線５３の電位が０Ｖに設定される。すると、有機発光層及び駆動用ＴＦＴ６２ａ，６２ｂのソースドレイン間に電位差が無くなるので、第２有機化合物層３２は発光しなくなる。   At time t8, the potential of the power supply line 53 is set to 0V. Then, since there is no potential difference between the source and drain of the organic light emitting layer and the driving TFTs 62a and 62b, the second organic compound layer 32 does not emit light.

上述の動作を繰り返すことで、第１有機化合物層３１、第２有機化合物層３２、第３有機化合物層３３を時分割で発光させることができる。具体的には、人間が識別できない程度、例えば６０Ｈｚ程度あるいはそれ以上高い周期で駆動することにより、第１有機化合物層３１、第３有機化合物層３３の発光色と、第２有機化合物層３２の発光色との任意の混合色の光を表現することができる。   By repeating the above operation, the first organic compound layer 31, the second organic compound layer 32, and the third organic compound layer 33 can emit light in a time-sharing manner. Specifically, by driving with a period that cannot be identified by humans, for example, about 60 Hz or higher, the emission colors of the first organic compound layer 31 and the third organic compound layer 33 and the second organic compound layer 32 Light of any mixed color with the emission color can be expressed.

以上説明したように、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１によれば、第２有機化合物層を挟持する第２電極２２ａ，２２ｂ及び第３電極２３のうち、光取り出し側の第３電極２３を第２サブピクセルＰ２のみに形成している。したがって、第２有機化合物層を第１サブピクセルＰ１及び第２サブピクセルＰ２に共通に形成する場合に、色度の異なる発光光が混ざって画質が悪化するのを低減できる。   As described above, according to the organic EL display device 1 of the first embodiment, of the second electrodes 22a and 22b and the third electrode 23 sandwiching the second organic compound layer, the third electrode on the light extraction side. 23 is formed only in the second sub-pixel P2. Therefore, when the second organic compound layer is formed in common for the first subpixel P1 and the second subpixel P2, it is possible to reduce deterioration in image quality due to mixing of emitted light having different chromaticities.

＜第２の実施形態＞
第１の実施形態では、図１の構成の有機ＥＬ表示装置１を時分割駆動する場合について説明した。第２の実施形態では、図１と同様の有機化合物層及び電極の構成であり、各有機ＥＬ素子を独立駆動する形態について説明する。第１の実施形態との違いは、各電極の駆動トランジスタとの配線接続形態や、各電極同士の電気的接続形態だけである。 <Second Embodiment>
In the first embodiment, the case where the organic EL display device 1 having the configuration shown in FIG. In the second embodiment, a configuration of an organic compound layer and electrodes similar to those in FIG. 1 and a mode in which each organic EL element is independently driven will be described. The only difference from the first embodiment is the wiring connection form of each electrode with the drive transistor and the electrical connection form of each electrode.

図６は、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置２の１画素領域における積層構造を示す模式図である。図６に示すように、平坦化層には、平坦化層上部に形成される電極と、駆動用薄膜トランジスタ１１ａとの導通をとるためのコンタクトホール１３ａ，１３ｂ，１３ｃが形成されている。   FIG. 6 is a schematic diagram showing a stacked structure in one pixel region of the organic EL display device 2 of the second embodiment. As shown in FIG. 6, in the planarization layer, contact holes 13a, 13b, and 13c are formed for electrical connection between the electrode formed on the planarization layer and the driving thin film transistor 11a.

第１電極２１ａ，２１ｂは、コンタクトホール１３ａ、コンタクトホール１３ｂを介してそれぞれ駆動用薄膜トランジスタ１１ａに接続されている。第１電極２１ａ，２１ｂ上には、第１の実施形態と同様に、第１サブピクセルＰ１に第１発光層を含む第１有機化合物層３１が、第２サブピクセルＰ２に第３発光層を含む第３有機化合物層３３がそれぞれ形成されている。第１有機化合物層３１及び第３有機化合物層３３の各層は、例えば、シャドーマスクを用いた蒸着法などの公知の手法で形成される。発光層を含む各有機化合物層には、公知の材料を用いることができる。   The first electrodes 21a and 21b are connected to the driving thin film transistor 11a through the contact hole 13a and the contact hole 13b, respectively. On the first electrodes 21a and 21b, as in the first embodiment, the first organic compound layer 31 including the first light emitting layer in the first subpixel P1 and the third light emitting layer in the second subpixel P2. Including third organic compound layers 33 are formed. Each layer of the first organic compound layer 31 and the third organic compound layer 33 is formed by a known method such as an evaporation method using a shadow mask, for example. A known material can be used for each organic compound layer including the light emitting layer.

第１有機化合物層３１及び第３有機化合物層３３上には、第２電極２２ａ，２２ｂがそれぞれパターン形成されている。第２電極２２ａ，２２ｂのパターン形成の方法としては、例えば、表示領域の全領域に電極材料を成膜した後にレーザー加工で行ってもよいし、シャドーマスクを用いた蒸着法により選択的に形成するようにしてもよい。また、電極材料が形成された基板を基板１０と対向させてレーザーアブレーションにより選択的に転写形成してもよい。   On the first organic compound layer 31 and the third organic compound layer 33, the second electrodes 22a and 22b are respectively patterned. As a pattern formation method of the second electrodes 22a and 22b, for example, an electrode material may be formed on the entire display region and then laser processing may be performed, or selective formation may be performed by vapor deposition using a shadow mask. You may make it do. Alternatively, the substrate on which the electrode material is formed may be selectively transferred by laser ablation while facing the substrate 10.

図示していないが、第２電極２２ａと第２電極２２ｂは電気的に接続されている。接続の形態は、表示領域内で画素ごとに接続されていてもよいし、表示領域外で接続されていてもよい。また図６では、第２電極２２ａ，２２ｂがパターン形成された構成を図示しているが、第１サブピクセルＰ１及び第２サブピクセルＰ２に共通に形成してもよい。また、第２電極２２ａ，２２ｂは、平坦下層１２のコンタクトホール（不図示）と有機化合物層３１または３２のコンタクトホール（不図示）を介して、回路素子部と電気的に接続されている。接続の形態は、表示領域内で接続されていてもよいし、表示領域外で接続されていてもよい。   Although not shown, the second electrode 22a and the second electrode 22b are electrically connected. The connection form may be connected for each pixel within the display area, or may be connected outside the display area. Further, FIG. 6 shows a configuration in which the second electrodes 22a and 22b are patterned, but they may be formed in common for the first subpixel P1 and the second subpixel P2. The second electrodes 22a and 22b are electrically connected to the circuit element portion via a contact hole (not shown) in the flat lower layer 12 and a contact hole (not shown) in the organic compound layer 31 or 32. The connection form may be connected within the display area or may be connected outside the display area.

第３有機化合物層３３の形成及び第２電極２２ｂの形成後、第３有機化合物層３３にコンタクトホール１４ｃを形成する。コンタクトホール１４ｃの形成方法は、例えば、レーザー加工が好ましく、ＹＡＧレーザー（ＳＨＧ、ＴＨＧ含む）、エキシマレーザーなど一般に薄膜加工に使用する公知の手法を用いることができる。これらのレーザー光を数μｍに絞って走査したり、面状光源にしてコンタクトホール部分を透過するマスクを介したりして、第１有機化合物層３１及び第３有機化合物層３３上に所定のパターンで照射する。これにより、所望の位置にコンタクトホールを形成できる。コンタクトホール１４ｃの径としては、例えば２μｍ〜１５μｍが好ましい。   After the formation of the third organic compound layer 33 and the formation of the second electrode 22b, a contact hole 14c is formed in the third organic compound layer 33. As a method for forming the contact hole 14c, for example, laser processing is preferable, and a known method generally used for thin film processing such as YAG laser (including SHG and THG), excimer laser, and the like can be used. A predetermined pattern is formed on the first organic compound layer 31 and the third organic compound layer 33 by scanning with these laser beams reduced to several μm, or by using a planar light source through a mask that passes through the contact hole portion. Irradiate with. Thereby, a contact hole can be formed in a desired position. The diameter of the contact hole 14c is preferably 2 μm to 15 μm, for example.

第２電極２２ａ，２２ｂ上には、第１の実施形態と同様に、第２発光層を含む第２有機化合物層３２が第１サブピクセルＰ１及び第２サブピクセルＰ２に共通に形成されている。第２有機化合物層３２の各層は、例えば、シャドーマスクを用いた蒸着法などの公知の手法で形成される。また、発光層を含む第２有機化合物層３２には、公知の材料を用いることができる。   Similar to the first embodiment, the second organic compound layer 32 including the second light emitting layer is formed on the second electrodes 22a and 22b in common to the first subpixel P1 and the second subpixel P2. . Each layer of the second organic compound layer 32 is formed by a known method such as a vapor deposition method using a shadow mask, for example. Moreover, a well-known material can be used for the 2nd organic compound layer 32 containing a light emitting layer.

また、第２有機化合物層３２の形成後、第２有機化合物層３２にコンタクトホール１４ｄを形成する。コンタクトホール１４ｄの形成方法は、上述したコンタクトホール１４ｃの形成方法と同様である。例えば、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザーなどのレーザー光を数μｍに絞って走査したり、面状光源にしてコンタクトホール部分を透過するマスクを介したりして、第２有機化合物層３２上に所定のパターンで照射し、コンタクトホール１４ｄを形成する。コンタクトホール１４ｄの径としては、例えば、２μｍ〜１５μｍが好ましい。   Further, after the formation of the second organic compound layer 32, a contact hole 14 d is formed in the second organic compound layer 32. The method for forming the contact hole 14d is the same as the method for forming the contact hole 14c described above. For example, a predetermined pattern is formed on the second organic compound layer 32 by scanning with a laser beam such as a YAG laser or an excimer laser down to several μm, or by using a mask that transmits a contact hole portion as a planar light source. To form a contact hole 14d. The diameter of the contact hole 14d is preferably 2 μm to 15 μm, for example.

有機化合物層の形成とコンタクトホールの形成の順序は、上述の様に、第３有機化合物層の形成及び第２電極２２ｂの形成後にコンタクトホール１４ｃを形成し、第２有機化合物層を形成し、コンタクトホール１４ｄを形成してもよいし、次のようにしてもよい。即ち、第３有機化合物層の形成及び第２電極２２ｂの形成後、第２有機化合物層を形成し、その後にコンタクトホール１４ｃと１４ｄを一括に形成してもよい。   As described above, the formation of the organic compound layer and the contact hole are performed by forming the contact hole 14c after forming the third organic compound layer and the second electrode 22b, forming the second organic compound layer, The contact hole 14d may be formed or may be as follows. That is, after the formation of the third organic compound layer and the formation of the second electrode 22b, the second organic compound layer may be formed, and then the contact holes 14c and 14d may be formed in a lump.

第２有機化合物層３２の形成及びコンタクトホール１４ｄの形成後、第２サブピクセルＰ２における第２有機化合物層３２上には、第３電極２３が形成される。第３電極２３は、コンタクトホール１４ｄ及び１４ｃ、コンタクトホール１３ｃを介して駆動用薄膜トランジスタ１１ａに接続されている。第３電極２３のパターン形成の方法としては、例えば、表示領域の全領域に電極材料を成膜した後にレーザー加工で行ってもよいし、シャドーマスクを用いた蒸着法により選択的に形成するようにしてもよい。また、電極材料が形成された基板を基板１０と対向させてレーザーアブレーションにより選択的に転写形成してもよい。   After the formation of the second organic compound layer 32 and the formation of the contact hole 14d, the third electrode 23 is formed on the second organic compound layer 32 in the second subpixel P2. The third electrode 23 is connected to the driving thin film transistor 11a through the contact holes 14d and 14c and the contact hole 13c. As a pattern formation method of the third electrode 23, for example, an electrode material may be formed on the entire display region and then laser processing may be performed, or alternatively, the third electrode 23 may be selectively formed by vapor deposition using a shadow mask. It may be. Alternatively, the substrate on which the electrode material is formed may be selectively transferred by laser ablation while facing the substrate 10.

また、第１サブピクセルＰ１の第２有機化合物層３２上には、第３電極２３を形成する際に同時に形成された導電膜２４が存在している。導電層２４は、上述のパターニングによって、第３電極２３と電気的に絶縁されている。   In addition, the conductive film 24 formed simultaneously with the formation of the third electrode 23 exists on the second organic compound layer 32 of the first subpixel P1. The conductive layer 24 is electrically insulated from the third electrode 23 by the above patterning.

なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置では、第２有機化合物層３２の極性が、第１有機化合物層３１及び第３有機化合物層３３と逆になるよう形成されている。   In the organic EL display device of this embodiment, the second organic compound layer 32 is formed so that the polarity of the second organic compound layer 32 is opposite to that of the first organic compound layer 31 and the third organic compound layer 33.

次に図７は、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の各画素の等価回路を示す説明図である。上述の電極構成の違いに伴う配線構造と、第２有機化合物層３２の極性のみが、第１の実施形態と異なる。   Next, FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating an equivalent circuit of each pixel of the organic EL display device according to the second embodiment. Only the wiring structure accompanying the difference in the electrode configuration described above and the polarity of the second organic compound layer 32 are different from those of the first embodiment.

図７に示すように、各画素は、スイッチング用ＴＦＴ６１ａ，６１ｂ、６１ｃと駆動用ＴＦＴ６２ａ，６２ｂ，６２ｃと積層された有機ＥＬ素子とコンデンサ６３ａ，６３ｂ、６３ｃで構成されている。ここで、スイッチング用ＴＦＴ６１ａ，６１ｂ，６１ｃのゲート電極は、ゲート信号線５１に接続されている。また、スイッチング用ＴＦＴ６１ａ，６１ｂ，６１ｃのソース領域はソース信号線５２ａ，５２ｂ、５２ｃに、ドレイン領域は駆動用ＴＦＴ６２ａ，６２ｂ、６２ｃのゲート電極に接続されている。さらに、駆動用ＴＦＴ６２ａのソース領域は電源供給線５３に、ドレイン領域は有機ＥＬ素子の第１電極２１ａに接続されている。そして、駆動用ＴＦＴ６２ｂのソース領域は電源供給線５３に、ドレイン領域は有機ＥＬ素子の第１電極２１ｂに接続されている。駆動用ＴＦＴ６２ｃのソース領域は電源供給線５３に、ドレイン領域は有機ＥＬ素子の第３電極２３に接続されている。また、コンデンサ６３ａ，６３ｂ，６３ｃは電極のそれぞれが、駆動用ＴＦＴ６２ａ，６２ｂ，６２ｃのゲート電極とＧＮＤ（接地）とに接続されるように形成されている。   As shown in FIG. 7, each pixel includes an organic EL element in which switching TFTs 61a, 61b, and 61c and driving TFTs 62a, 62b, and 62c are stacked, and capacitors 63a, 63b, and 63c. Here, the gate electrodes of the switching TFTs 61 a, 61 b and 61 c are connected to the gate signal line 51. The source regions of the switching TFTs 61a, 61b, 61c are connected to the source signal lines 52a, 52b, 52c, and the drain regions are connected to the gate electrodes of the driving TFTs 62a, 62b, 62c. Furthermore, the source region of the driving TFT 62a is connected to the power supply line 53, and the drain region is connected to the first electrode 21a of the organic EL element. The source region of the driving TFT 62b is connected to the power supply line 53, and the drain region is connected to the first electrode 21b of the organic EL element. The source region of the driving TFT 62c is connected to the power supply line 53, and the drain region is connected to the third electrode 23 of the organic EL element. The capacitors 63a, 63b, and 63c are formed so that the electrodes are connected to the gate electrodes of the driving TFTs 62a, 62b, and 62c and GND (ground).

このように駆動用ＴＦＴ６２ａ，６２ｂ，６２ｃと有機ＥＬ素子が直列に接続されており、有機ＥＬ素子に流れる電流をソース信号線５２ａ，５２ｂ，５２ｃから供給されるデータ信号に応じて駆動用ＴＦＴ６２ａ，６２ｂ，６２ｃで制御することにより発光制御される。   In this way, the driving TFTs 62a, 62b, 62c and the organic EL elements are connected in series, and the currents flowing through the organic EL elements are changed according to the data signals supplied from the source signal lines 52a, 52b, 52c. Light emission is controlled by controlling at 62b and 62c.

以上のように構成とすることで、第１有機化合物層３１、第２有機化合物層３２、第３有機化合物層３３を独立に駆動することができる。   With the configuration as described above, the first organic compound layer 31, the second organic compound layer 32, and the third organic compound layer 33 can be driven independently.

第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置２は、第１の実施形態との違いが各電極の駆動トランジスタとの配線接続形態や、各電極同士の電気的接続形態だけであるので、基本的に第１の実施形態と同様の作用効果を奏する。   The organic EL display device 2 of the second embodiment is basically different from the first embodiment only in the wiring connection form of each electrode with the driving transistor and the electrical connection form of each electrode. The same effects as those of the first embodiment are achieved.

＜第３の実施形態＞
第１の実施形態では、第２有機化合物層３２の形成後、第２サブピクセルＰ２に第３電極２３をパターン形成し、第１サブピクセルＰ１においては、第２有機化合物層３２上に、第３電極２３と電気的に絶縁された導電膜２４が存在する形態を示した。 <Third Embodiment>
In the first embodiment, after the formation of the second organic compound layer 32, the third electrode 23 is patterned on the second subpixel P2, and the first subpixel P1 includes a second electrode on the second organic compound layer 32. In this embodiment, the conductive film 24 electrically insulated from the three electrodes 23 is present.

第３の実施形態では、第２有機化合物層３２の形成後、第２サブピクセルＰ２に第３電極２３をパターン形成する。さらに、第１サブピクセルＰ１において、第２有機化合物層３２上に、金属材料からなる導電層や、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの屈折率が第２有機化合物層３２以上である非金属導電膜層を配置しない形態を説明する。   In the third embodiment, after the second organic compound layer 32 is formed, the third electrode 23 is pattern-formed on the second subpixel P2. Further, in the first sub-pixel P1, a conductive layer made of a metal material and a non-metallic conductive layer having a refractive index of ITO, IZO or the like that is greater than or equal to the second organic compound layer 32 are disposed on the second organic compound layer 32. The form which does not do is demonstrated.

以下、第１の実施形態と相違のある点を中心に説明する。図８は、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置３の１画素領域における積層構造を示す模式図である。   Hereinafter, a description will be given centering on differences from the first embodiment. FIG. 8 is a schematic diagram showing a laminated structure in one pixel region of the organic EL display device 3 of the third embodiment.

第２有機化合物層３２の形成までは、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１と同様である。図８に示すように、第２有機化合物層３２の形成後、第２サブピクセルＰ２における第２有機化合物層３２上には、第３電極２３が形成される。図示していないが、第１電極２１ａ，２１ｂと第３電極２３は、電気的に接続されている。接続の形態は、表示領域内で画素ごとに接続されていてもよいし、表示領域外で接続されていてもよい。また、第１電極２１ａ，２１ｂ、及び第３電極２３は、平坦下層１２のコンタクトホール（不図示）、有機化合物層３１、３２、３３のコンタクトホール（不図示）を介して回路素子部と電気的に接続されている。接続の形態は、表示領域内で接続されていてもよいし、表示領域外で接続されていてもよい。   The processes up to the formation of the second organic compound layer 32 are the same as those of the organic EL display device 1 of the first embodiment. As shown in FIG. 8, after the formation of the second organic compound layer 32, the third electrode 23 is formed on the second organic compound layer 32 in the second subpixel P2. Although not shown, the first electrodes 21a and 21b and the third electrode 23 are electrically connected. The connection form may be connected for each pixel within the display area, or may be connected outside the display area. The first electrodes 21a and 21b and the third electrode 23 are electrically connected to the circuit element portion via the contact holes (not shown) of the flat lower layer 12 and the contact holes (not shown) of the organic compound layers 31, 32 and 33. Connected. The connection form may be connected within the display area or may be connected outside the display area.

第３電極２３には、第２電極と同様に、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電膜、ＡｇやＡｌなどの金属材料を１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の膜厚で形成した半透過膜を用いることができる。第３電極２３のパターン形成方法としては、例えば、表示領域の全領域に電極材料を成膜した後にレーザー加工で行ってもよいし、シャドーマスクを用いた蒸着法により選択的に形成するようにしてもよい。また、電極材料が形成された基板を基板１０と対向させてレーザーアブレーションにより選択的に転写形成してもよい。   As the second electrode, for example, a transparent conductive film such as ITO or IZO or a semi-transmissive film formed of a metal material such as Ag or Al with a film thickness of about 10 nm to 30 nm is used for the third electrode 23. it can. As a pattern formation method of the third electrode 23, for example, an electrode material may be formed on the entire display region and then laser processing may be performed, or alternatively, the third electrode 23 may be selectively formed by vapor deposition using a shadow mask. May be. Alternatively, the substrate on which the electrode material is formed may be selectively transferred by laser ablation while facing the substrate 10.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置３と、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１との相違は、第１サブピクセルＰ１において、第２有機化合物層３２上に、金属材料からなる導電層や、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの屈折率が第２有機化合物層３２以上である非金属導電膜層を配置していない点である。   The difference between the organic EL display device 3 of the present embodiment and the organic EL display device 1 of the first embodiment is that, in the first subpixel P1, a conductive layer made of a metal material or the like is formed on the second organic compound layer 32. The non-metallic conductive film layer having a refractive index of not less than the second organic compound layer 32 such as ITO, IZO or the like is not disposed.

第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置３では、第２サブピクセルＰ２のみに第３電極２３をパターン形成する。さらに、第１サブピクセルＰ１において、第２有機化合物層３２上に、金属材料からなる導電層や、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの屈折率が第２有機化合物層層３２以上である非金属導電膜層を配置しない構成としている。これにより、図４に示した比較形態の有機ＥＬ表示装置１ａに対し、発光効率の低下を抑制している。その理由を以下に説明する。   In the organic EL display device 3 of the third embodiment, the third electrode 23 is pattern-formed only on the second subpixel P2. Further, in the first sub-pixel P1, a conductive layer made of a metal material or a non-metallic conductive film layer having a refractive index of ITO, IZO or the like that is equal to or higher than the second organic compound layer layer 32 is formed on the second organic compound layer 32. The configuration is not arranged. Thereby, the fall of luminous efficiency is suppressed with respect to the organic electroluminescent display apparatus 1a of the comparative form shown in FIG. The reason will be described below.

第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置３と比較形態の有機ＥＬ表示装置１ａの構成上の相違である第１サブピクセルＰ１に注目する。比較形態の有機ＥＬ表示装置１ａの構成では、第２有機化合物層３２上に第３電極２３が形成されている。第３電極２３には、例えば、ＡｇやＡｌ等の金属材料を１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の膜厚で形成した半透過膜や、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明性を有する非金属の導電膜が用いることが考えられる。   Attention is paid to the first subpixel P1, which is the difference in configuration between the organic EL display device 3 of the third embodiment and the organic EL display device 1a of the comparative embodiment. In the configuration of the comparative organic EL display device 1 a, the third electrode 23 is formed on the second organic compound layer 32. For the third electrode 23, for example, a semi-transmissive film formed of a metal material such as Ag or Al with a film thickness of about 10 nm to 30 nm, or a non-metallic conductive film having transparency such as ITO or IZO is used. Conceivable.

このとき、第３電極２３に金属電極を用いた場合、一部の光は有機ＥＬ素子側に反射される。また、非金属の透明導電膜を用いた場合、非金属膜と空気層の界面において、Ｒ＝（ｎ１−ｎ２）2／（ｎ１＋ｎ２）2の関係式（２）から算出される割合のエネルギーの光が反射される。なお、関係式（２）中、Ｒはエネルギー反射率、ｎ１は非金属層の屈折率、ｎ２は空気層の屈折率である。 At this time, when a metal electrode is used for the third electrode 23, a part of the light is reflected to the organic EL element side. When a non-metallic transparent conductive film is used, the ratio of energy calculated from the relational expression (2) of R = (n1−n2) 2 / (n1 + n2) 2 at the interface between the nonmetallic film and the air layer. Light is reflected. In relational expression (2), R is the energy reflectance, n1 is the refractive index of the nonmetallic layer, and n2 is the refractive index of the air layer.

この関係式（２）は、透明体に対して垂直入射する場合のフレネルの関係式である。このような空気層との界面での反射光が、発光層の発光領域と第１電極の反射面との間の光路長が関係式（１）を満足することにより強めあった発光と干渉してしまうと、取り出し光の効率が低下する。   This relational expression (2) is a Fresnel relational expression when perpendicularly incident on the transparent body. The reflected light at the interface with the air layer interferes with the light emission that is strengthened when the optical path length between the light emitting region of the light emitting layer and the reflecting surface of the first electrode satisfies the relational expression (1). If this happens, the efficiency of the extracted light decreases.

比較形態の有機ＥＬ表示装置１ａにおいて、例えば第３電極２３にＩＺＯを用いた場合、電極と空気層の界面での反射光の割合は、ＩＺＯの屈折率が約２．１、空気層の屈折率が１であることから、関係式（２）により１２．６％程度となる。これに対し、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３の第１サブピクセルＰ１では、空気層との界面を形成するのは第２有機化合物層３２である。この場合の空気層との界面での反射光の割合は、一般に有機化合物層の屈折率が１．７程度と考えられることから、関係式（２）により６．７％程度となる。   In the organic EL display device 1a of the comparative form, for example, when IZO is used for the third electrode 23, the ratio of reflected light at the interface between the electrode and the air layer is approximately 2.1 for the refractive index of IZO and the refraction of the air layer. Since the rate is 1, it is about 12.6% according to the relational expression (2). On the other hand, in the first subpixel P1 of the organic EL display device 3 of the present embodiment, the second organic compound layer 32 forms an interface with the air layer. In this case, the ratio of the reflected light at the interface with the air layer is generally about 6.7% according to the relational expression (2) since the refractive index of the organic compound layer is generally considered to be about 1.7.

したがって、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３では、第１有機化合物層３１からの発光光のうち、空気層との界面で反射し干渉に寄与する光の割合が比較形態の有機ＥＬ表示装置１ａに比して低減しており、発光効率の低下を抑制し、消費電力の上昇を抑制している。   Therefore, in the organic EL display device 3 of the present embodiment, the proportion of the light reflected from the interface with the air layer and contributing to the interference out of the emitted light from the first organic compound layer 31 is the organic EL display device 1a of the comparative form. Compared to the above, the decrease in luminous efficiency is suppressed, and the increase in power consumption is suppressed.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置３では、第２サブピクセルＰ２のみに第３電極２３をパターン形成し、第１サブピクセルＰ１に金属材料からなる導電層や、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの屈折率が第２有機化合物層３２以上である非金属導電膜層を配置していない。これにより、空気層との界面で反射し干渉に寄与する光の割合を比較形態の有機ＥＬ表示装置１ａに比して低減している。   In the organic EL display device 3 of the present embodiment, the third electrode 23 is patterned only on the second subpixel P2, and the first subpixel P1 has a conductive layer made of a metal material and a refractive index of ITO, IZO, or the like. 2 The non-metallic conductive layer which is the organic compound layer 32 or more is not disposed. Thereby, the ratio of the light reflected at the interface with the air layer and contributing to interference is reduced as compared with the organic EL display device 1a of the comparative form.

即ち、第１サブピクセルＰ１において、第１電極の反射面からの光路長が第１の有機ＥＬ素子からの発光光の可干渉距離以下である領域の中で最も光取出し側にある反射界面が、第２有機化合物層３２の光取り出し側の表面となっている。   That is, in the first subpixel P1, the reflective interface that is closest to the light extraction side in the region where the optical path length from the reflective surface of the first electrode is equal to or shorter than the coherence distance of the emitted light from the first organic EL element. The surface of the second organic compound layer 32 on the light extraction side.

本実施形態では、第１サブピクセルＰ１において、空気層との界面を形成する層が第２有機化合物層３２である場合を示した。これに限らず、第２有機化合物層３２の上に、非金属で透明性を有し、屈折率が空気層の屈折率以上で、第２有機化合物層３２の屈折率以下である物質からなる層が形成されていてもよい。このような構成とすることで、上述した発光効率の低下をさらに抑制することができる。   In the present embodiment, the case where the layer forming the interface with the air layer is the second organic compound layer 32 in the first sub-pixel P1 is shown. Not limited to this, the second organic compound layer 32 is made of a non-metallic, transparent material having a refractive index equal to or higher than the refractive index of the air layer and equal to or lower than the refractive index of the second organic compound layer 32. A layer may be formed. By setting it as such a structure, the fall of the luminous efficiency mentioned above can further be suppressed.

例えば、第２有機化合物層３２の上に、屈折率１．５の有機樹脂層が形成されている場合を考える。有機樹脂層は、非金属で透明性を有し、屈折率が空気層の屈折率以上で、一般に有機層の屈折率が１．７程度と考えられることから第２有機化合物層３２の屈折率以下である。この場合、第１サブピクセルＰ１では、空気層との界面を形成するのは有機樹脂層である。この場合の空気層との界面での反射光の割合は、関係式（２）により４％程度となる。このように、空気層との界面を形成するのが第２有機化合物層３２である場合よりも、空気層界面での反射の割合を低減することができ、発光効率の低下をさらに抑制することができる。   For example, consider a case where an organic resin layer having a refractive index of 1.5 is formed on the second organic compound layer 32. Since the organic resin layer is non-metallic and transparent, the refractive index is equal to or higher than the refractive index of the air layer, and the refractive index of the organic layer is generally considered to be about 1.7, the refractive index of the second organic compound layer 32 It is as follows. In this case, in the first subpixel P1, it is the organic resin layer that forms the interface with the air layer. In this case, the ratio of the reflected light at the interface with the air layer is about 4% according to the relational expression (2). Thus, compared with the case where the second organic compound layer 32 forms the interface with the air layer, the ratio of reflection at the air layer interface can be reduced, and the reduction in luminous efficiency can be further suppressed. Can do.

即ち、第１サブピクセルにおいて、第２有機化合物層の光取り出し側の表面と、第１電極の反射面からの光路長が第１の有機ＥＬ素子からの発光の可干渉距離以下である領域の中で最も光取出し側にある反射界面との間に、所定の物質からなる層を配置している。所定の物質からなる層とは、非金属で透明性を有し、屈折率が第１サブピクセルＰ１の最も光取り出し側にある有機化合物層の屈折率と、可干渉距離以下である領域の直上の層である物質の屈折率との間の値をもつ物質からなる層である。この場合、屈折率が第１サブピクセルＰ１の最も光取り出し側にある有機化合物層とは第２有機化合物層であり、第１電極の反射面からの光路長が第１の有機ＥＬ素子からの発光光の可干渉距離以下である領域の直上の層は空気層である。   That is, in the first subpixel, a region in which the optical path length from the light extraction side surface of the second organic compound layer and the reflection surface of the first electrode is less than or equal to the coherence distance of light emission from the first organic EL element. Among them, a layer made of a predetermined substance is disposed between the reflective interface on the most light extraction side. The layer made of the predetermined substance is non-metallic and transparent, and the refractive index is directly above the region where the refractive index of the organic compound layer closest to the light extraction side of the first subpixel P1 is equal to or less than the coherence distance. It is a layer made of a material having a value between the refractive index of the material that is the layer of the material. In this case, the organic compound layer having the refractive index closest to the light extraction side of the first subpixel P1 is the second organic compound layer, and the optical path length from the reflection surface of the first electrode is from the first organic EL element. The layer immediately above the region that is less than or equal to the coherence distance of the emitted light is an air layer.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置３の駆動方法については、第１の実施形態と同様に時分割駆動をしてもよいし、第２の実施形態と同様の電極構成及びコンタクトホール構成として独立駆動をしてもよい。   As for the driving method of the organic EL display device 3 of the present embodiment, time-division driving may be performed as in the first embodiment, or independent driving is performed as an electrode configuration and contact hole configuration similar to those in the second embodiment. You may do.

第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置３は、基本的に第１の実施形態と同様の作用効果を奏する。特に第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置３では、第１サブピクセルＰ１において、第２有機化合物層３２上に導電層や非金属導電膜層を配置しないことで、第１有機化合物層３１からの発光光のうち、空気層との界面で反射し干渉に寄与する光の割合を比較形態の有機ＥＬ表示装置１ａに比して低減しており、発光効率の低下を抑制し、消費電力の上昇を抑制している。   The organic EL display device 3 of the third embodiment has basically the same effects as the first embodiment. In particular, in the organic EL display device 3 according to the third embodiment, in the first subpixel P1, the conductive layer and the non-metallic conductive layer are not arranged on the second organic compound layer 32, so that the first organic compound layer 31 The ratio of the light that is reflected at the interface with the air layer and contributes to the interference is reduced compared to the organic EL display device 1a of the comparative form, and the reduction of the light emission efficiency is suppressed and the power consumption is reduced. The rise is suppressed.

＜第４の実施形態＞
第４の実施形態では、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置３の第２有機化合物層３２の上部に、素子保護層９を設ける形態を説明する。第３の実施形態との相違は、素子保護層９の有無のみであり、有機化合物層の構成、電極構成等は第３の実施形態と同様である。以下、第３の実施形態と相違のある点を中心に説明する。 <Fourth Embodiment>
In the fourth embodiment, a mode in which the element protection layer 9 is provided on the second organic compound layer 32 of the organic EL display device 3 of the third embodiment will be described. The difference from the third embodiment is only the presence or absence of the element protective layer 9, and the configuration of the organic compound layer, the electrode configuration, and the like are the same as those of the third embodiment. The following description will focus on the differences from the third embodiment.

図９は、第４の実施形態の有機ＥＬ表示装置４の１画素領域における積層構造を示す模式図である。図４に示すように、それぞれのサブピクセルＰ１，Ｐ２の最も光取り出し側に、第１サブピクセルＰ１及び第２サブピクセルＰ２に共通に素子保護層９が形成されている。具体的には、第１サブピクセルＰ１における第２有機化合物層３２の上部、及び第２サブピクセルＰ２における第３電極２３の上部に、第１サブピクセルＰ１及び第２サブピクセルＰ２に共通に素子保護層９が形成されている。これにより、本実施形態の有機ＥＬ表示装置４と酸素や水分等との接触を防止することができる。   FIG. 9 is a schematic diagram showing a stacked structure in one pixel region of the organic EL display device 4 of the fourth embodiment. As shown in FIG. 4, the element protection layer 9 is formed on the most light extraction side of each of the subpixels P1 and P2 in common to the first subpixel P1 and the second subpixel P2. Specifically, an element common to the first subpixel P1 and the second subpixel P2 is formed above the second organic compound layer 32 in the first subpixel P1 and above the third electrode 23 in the second subpixel P2. A protective layer 9 is formed. Thereby, the contact between the organic EL display device 4 of this embodiment and oxygen, moisture, or the like can be prevented.

素子保護層９としては、非金属である物質から構成されるのが望ましく、例えば有機樹脂を１０〜２０μｍ程度堆積し、最上部にガラス部材を設けた構造や、有機樹脂と窒化酸化シリコン等の無機物質を共に含む構造とすることができる。   The element protective layer 9 is preferably made of a non-metallic substance. For example, a structure in which an organic resin is deposited to a thickness of about 10 to 20 μm and a glass member is provided on the top, or an organic resin and silicon nitride oxide are used. A structure including both inorganic substances can be employed.

第４の実施形態の有機ＥＬ表示装置４は、第１電極２１ａ，２１ｂの反射面と、素子外部の空気層との反射界面である素子保護層９の最上面との間の光路長が、第１有機化合物層３１からの発光光の可干渉距離以上となっている。このような構成にすることで、第１有機化合物層３１からの発光光で、屈折率差の大きい空気層との界面での反射光による干渉効果が、取り出し光に重畳することを防止できる。   In the organic EL display device 4 of the fourth embodiment, the optical path length between the reflective surfaces of the first electrodes 21a and 21b and the uppermost surface of the element protective layer 9 which is a reflective interface with the air layer outside the element is The coherence distance of the emitted light from the first organic compound layer 31 is longer than the coherence distance. With such a configuration, it is possible to prevent the interference effect caused by the reflected light at the interface with the air layer having a large refractive index difference from being emitted from the first organic compound layer 31 from being superimposed on the extracted light.

具体的には、光路長が２μｍ以上で光学干渉が起こり難くなるという条件から、第１電極２１ａ，２１ｂの反射面と、素子外部の空気層との反射界面である素子保護層９の最上面との間の光路長を２μｍ以上としている。このような構成では、第１電極２１ａ，２１ｂの反射面からの光学的距離が第１有機化合物層３１からの発光光の可干渉距離以下の領域内にある反射界面についてのみ、反射光による干渉効果を考えればよい。   Specifically, the uppermost surface of the element protection layer 9 that is a reflection interface between the reflection surface of the first electrodes 21a and 21b and the air layer outside the element, under the condition that optical interference hardly occurs when the optical path length is 2 μm or more. The optical path length between the two is 2 μm or more. In such a configuration, the interference due to the reflected light is applied only to the reflective interface in the region where the optical distance from the reflective surface of the first electrodes 21a and 21b is equal to or less than the coherence distance of the emitted light from the first organic compound layer 31. Just think about the effect.

図１０は、第４の実施形態における素子保護層と光学干渉条件を説明する図である。図１０において、（ａ）は素子保護層９として、有機樹脂と窒化酸化シリコン等の無機物質を共に含む構造とした有機ＥＬ表示装置４ａを示している。   FIG. 10 is a diagram for explaining an element protective layer and optical interference conditions in the fourth embodiment. 10A shows an organic EL display device 4a having a structure containing both an organic resin and an inorganic substance such as silicon nitride oxide as the element protective layer 9. FIG.

図１０（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置４ａは、第１サブピクセルＰ１では第２有機化合物層３２上に、第２サブピクセルＰ２では第３電極２３上に、無機化合物層９１が堆積されている。そして無機化合物層９１上に、有機樹脂層９２、無機化合物層９３が堆積されている。   As shown in FIG. 10A, in the organic EL display device 4a, the inorganic compound layer 91 is formed on the second organic compound layer 32 in the first subpixel P1 and on the third electrode 23 in the second subpixel P2. Has been deposited. An organic resin layer 92 and an inorganic compound layer 93 are deposited on the inorganic compound layer 91.

無機化合物層９１の構成材料として、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2等が挙げられるが、耐水性、耐熱性に優れた材料であればよく、これに限定されない。無機化合物層９１の膜厚は、１００〜２００ｎｍ程度が望ましい。これにより、発光素子部と酸素や水分等との接触を防止することができる。 Examples of the constituent material of the inorganic compound layer 91 include SiN, SiO 2, and the like. However, the material is not limited to this as long as it is a material excellent in water resistance and heat resistance. The film thickness of the inorganic compound layer 91 is desirably about 100 to 200 nm. Thereby, contact with a light emitting element part and oxygen, a water | moisture content, etc. can be prevented.

なお、第２有機化合物層３２上または第２電極２３上に、無機化合物層９１の膜厚と同程度以上の大きさの異物が存在する場合、無機化合物層９１だけでは発光素子部を被覆しきれないことがある。本実施形態の有機ＥＬ表示装置４ａでは、無機化合物層９１上に、有機樹脂層９２が異物の大きさよりも十分大きいと考えられる膜厚で堆積されている。具体的には、例えば１０μｍ程度の膜厚とするのが好ましい。そして、有機樹脂層９２上に無機化合物層９３が堆積されている。無機化合物層９３の構成材料としては、例えばＳｉＮ、ＳｉＯ2等が挙げられるが、耐水性、耐熱性に優れた材料であればよく、これに限定されない。無機化合物層９３の膜厚は、例えば１００〜２００ｎｍ程度が望ましい。このように、無機化合物層９１の上に、厚膜の有機樹脂層９２、無機化合物層９３をさらに堆積する。これにより、第２有機化合物層３２上または第３電極２３上に、無機化合物層９１の膜厚と同程度以上の大きさの異物が存在する場合でも、有機樹脂層９２及び無機化合物層９３によって発光素子部を被覆することができる。したがって、発光素子部と酸素や水分等との接触を防止することができる。 In addition, when a foreign substance having a size equal to or larger than the film thickness of the inorganic compound layer 91 is present on the second organic compound layer 32 or the second electrode 23, the inorganic compound layer 91 alone covers the light emitting element portion. There are times when I can't. In the organic EL display device 4a of this embodiment, the organic resin layer 92 is deposited on the inorganic compound layer 91 with a thickness that is considered to be sufficiently larger than the size of the foreign matter. Specifically, for example, the film thickness is preferably about 10 μm. An inorganic compound layer 93 is deposited on the organic resin layer 92. Examples of the constituent material of the inorganic compound layer 93 include SiN, SiO 2, and the like, but any material having excellent water resistance and heat resistance may be used, and the material is not limited thereto. The film thickness of the inorganic compound layer 93 is preferably about 100 to 200 nm, for example. Thus, the thick organic resin layer 92 and the inorganic compound layer 93 are further deposited on the inorganic compound layer 91. Thereby, even when a foreign substance having a size equal to or larger than the film thickness of the inorganic compound layer 91 is present on the second organic compound layer 32 or the third electrode 23, the organic resin layer 92 and the inorganic compound layer 93 The light emitting element portion can be covered. Therefore, contact between the light emitting element portion and oxygen, moisture, or the like can be prevented.

次に図１０（ｂ）を参照して、本実施形態の有機ＥＬ表示装置４ａにおける光学干渉関係について説明する。図１０（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置４ａの第１サブピクセルＰ１について、第１電極２１ａの反射面と、素子外部の空気層との反射界面である素子保護層９の最上面との間の光路長Ｌｔを示している。本実施形態の有機ＥＬ表示装置４ａでは、この光路長Ｌｔが第１有機化合物層３１からの発光光の可干渉距離以上となっている。なお、光路長とは、前述の通り、実際の長さに材料の屈折率を乗じたものである。   Next, an optical interference relationship in the organic EL display device 4a of the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 10B shows, for the first subpixel P1 of the organic EL display device 4a, between the reflective surface of the first electrode 21a and the uppermost surface of the element protective layer 9 which is a reflective interface between the air layer outside the element. The optical path length Lt is shown. In the organic EL display device 4a of this embodiment, the optical path length Lt is equal to or longer than the coherence distance of the emitted light from the first organic compound layer 31. As described above, the optical path length is obtained by multiplying the actual length by the refractive index of the material.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置４ａにおいて、無機化合物層９１にＳｉＮを用いた場合における第１サブピクセルＰ１での各界面での反射の割合を考える。ＳｉＮの屈折率は１．８程度、有機樹脂の屈折率は１．５程度と考えられる。したがって、以下では第２有機化合物層３２の屈折率を１．７、無機化合物層９１の屈折率を１．８、有機樹脂層９２の屈折率を１．５とし、関係式（２）に則して各界面の反射の割合を算出する。   In the organic EL display device 4a of the present embodiment, the ratio of reflection at each interface in the first subpixel P1 when SiN is used for the inorganic compound layer 91 is considered. It is considered that the refractive index of SiN is about 1.8 and the refractive index of organic resin is about 1.5. Therefore, in the following, the refractive index of the second organic compound layer 32 is 1.7, the refractive index of the inorganic compound layer 91 is 1.8, the refractive index of the organic resin layer 92 is 1.5, and the relational expression (2) is satisfied. Then, the ratio of reflection at each interface is calculated.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置４ａでは、有機樹脂層９２が１０μｍ程度堆積されていることから、第１電極２１ａ，２１ｂの反射面からの光路長が第１有機化合物層３１からの発光光の可干渉距離以下である領域は、有機樹脂層９２より下層側の領域である。この領域内にある反射界面として、第２有機化合物層３２と無機化合物層９１との界面、及び無機化合物層９１と有機樹脂層９２との界面での反射の割合は、関係式（２）により、それぞれ約０．０８％、約２．３％である。したがって、第２有機化合物層３２を透過した第１有機化合物層３１からの発光で、第２有機化合物層３２より上部にある反射界面からの反射光の割合は、（１−０．０００８）×０．０２３≒０．０２３で、略２．３％である。   In the organic EL display device 4a of the present embodiment, since the organic resin layer 92 is deposited to about 10 μm, the optical path length from the reflection surfaces of the first electrodes 21a and 21b is the light emission light from the first organic compound layer 31. The region that is equal to or shorter than the coherence distance is a region on the lower layer side from the organic resin layer 92. As the reflective interface in this region, the ratio of reflection at the interface between the second organic compound layer 32 and the inorganic compound layer 91 and at the interface between the inorganic compound layer 91 and the organic resin layer 92 is expressed by the relational expression (2). , About 0.08% and about 2.3%, respectively. Therefore, the ratio of the reflected light from the reflective interface above the second organic compound layer 32 in the light emission from the first organic compound layer 31 that has passed through the second organic compound layer 32 is (1-0.0008) × 0.023≈0.023, which is approximately 2.3%.

これに対し、比較形態の有機ＥＬ表示装置１ａ及び第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置３では、第２有機化合物層３２より上部にある反射界面からの反射光の割合は、前述の通り、それぞれ約１２．６％、約６．７％であった。従って、第４の実施形態の有機ＥＬ表示装置４では、第１有機化合物層３１からの発光のうち、干渉に寄与する光の割合が比較形態の有機ＥＬ表示装置１ａ及び第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置３に比して低減しており、発光効率の低下をさらに抑制でき、消費電力の上昇を抑制できる。   On the other hand, in the organic EL display device 1a of the comparative form and the organic EL display device 3 of the third embodiment, the ratio of the reflected light from the reflective interface above the second organic compound layer 32 is as described above. They were about 12.6% and about 6.7%, respectively. Therefore, in the organic EL display device 4 of the fourth embodiment, the proportion of light that contributes to interference out of the light emission from the first organic compound layer 31 is the same as that of the organic EL display device 1a of the comparative embodiment and the third embodiment. Compared to the organic EL display device 3, the reduction in luminous efficiency can be further suppressed, and an increase in power consumption can be suppressed.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置４ａでは、素子保護層９を形成する各層での反射界面での屈折率差が、第２有機化合物層と空気層との屈折率差以下である。このような場合、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置３に比して、干渉に寄与する光の割合が低減する。   In the organic EL display device 4a of this embodiment, the refractive index difference at the reflective interface in each layer forming the element protective layer 9 is equal to or smaller than the refractive index difference between the second organic compound layer and the air layer. In such a case, the proportion of light contributing to interference is reduced as compared with the organic EL display device 3 of the third embodiment.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置４ａでは、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置３に対し、素子保護層９を設けることで、第１電極２１ａの反射面と、素子外部の空気層との反射界面との光路長を第１有機化合物層からの発光光の可干渉距離以上とした。これにより、屈折率差の大きい空気層との反射界面での反射光の影響をなくすことにより、発光効率の低下を抑制した。   In the organic EL display device 4a of the present embodiment, the element protective layer 9 is provided on the organic EL display device 3 of the third embodiment, so that the reflection surface of the first electrode 21a and the air layer outside the device are separated. The optical path length with the reflective interface was set to be longer than the coherence distance of the emitted light from the first organic compound layer. As a result, the influence of the reflected light at the reflective interface with the air layer having a large refractive index difference was eliminated, thereby suppressing a decrease in light emission efficiency.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置４ａにおいて無機化合物層９１にＳｉＮを用いた場合は、各層の屈折率の大小関係が次のようになっている。即ち、第１電極２１ａの反射面からの光路長が第１有機化合物層からの発光の可干渉距離以下である領域の直上の層である有機樹脂層９２と、第２有機化合物層との間に、屈折率が第２有機化合物層の１．７よりも大きい１．８であるＳｉＮ（９１）がある。これに対し、有機樹脂層９２と第２有機化合物層３２との間に物質がない、もしくは屈折率が有機樹脂層９２の屈折率と第２有機化合物層３２の屈折率の間の値をとる物質のみが存在する構成とすることで、発光効率の低下をさらに抑制できる。この例を、図１０（ｃ）に示す。   When SiN is used for the inorganic compound layer 91 in the organic EL display device 4a of the present embodiment, the magnitude relationship of the refractive index of each layer is as follows. That is, between the second organic compound layer and the organic resin layer 92 which is a layer immediately above the region where the optical path length from the reflection surface of the first electrode 21a is equal to or shorter than the coherence distance of light emission from the first organic compound layer. In addition, there is SiN (91) whose refractive index is 1.8 which is larger than 1.7 of the second organic compound layer. In contrast, there is no substance between the organic resin layer 92 and the second organic compound layer 32, or the refractive index takes a value between the refractive index of the organic resin layer 92 and the refractive index of the second organic compound layer 32. By adopting a configuration in which only a substance exists, it is possible to further suppress a decrease in luminous efficiency. An example of this is shown in FIG.

図１０（ｃ）では、素子保護層９として、第１サブピクセルＰ１では第２有機化合物層３２上に、第２サブピクセルＰ２では第３電極２３上に、有機樹脂層９４を１０〜２０μｍ程度堆積している。そして、最上部にガラス部材９５を設けた構造とした有機ＥＬ表示装置４を示している。   In FIG. 10C, as the element protection layer 9, an organic resin layer 94 is formed on the second organic compound layer 32 in the first subpixel P1 and on the third electrode 23 in the second subpixel P2, and is about 10 to 20 μm. It is accumulating. And the organic electroluminescence display 4 made into the structure which provided the glass member 95 in the uppermost part is shown.

図１０（ｄ）を参照して、本実施形態の有機ＥＬ表示装置４ｂにおける光学干渉関係について説明する。図１０（ｄ）には、本実施形態の有機ＥＬ表示装置４ｂのサブピクセルＰ１について、第１電極２１ａの反射面と、素子外部の空気層との反射界面である素子保護層９の最上面との間の光路長Ｌｔを示している。本実施形態の有機ＥＬ表示装置４ｂでは、この光路長Ｌｔが第１有機化合物層３１からの発光光の可干渉距離以上となっている。なお、光路長とは、前述の通り、実際の長さに材料の屈折率を乗じたものである。   With reference to FIG.10 (d), the optical interference relationship in the organic electroluminescence display 4b of this embodiment is demonstrated. FIG. 10D shows the uppermost surface of the element protection layer 9 which is a reflection interface between the reflection surface of the first electrode 21a and the air layer outside the element for the subpixel P1 of the organic EL display device 4b of the present embodiment. The optical path length Lt between is shown. In the organic EL display device 4b of this embodiment, the optical path length Lt is equal to or longer than the coherence distance of the emitted light from the first organic compound layer 31. As described above, the optical path length is obtained by multiplying the actual length by the refractive index of the material.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置４ｂにおいて、第１サブピクセルＰ１での各界面での反射の割合を考える。有機樹脂の屈折率は１．５程度と考えられることから、以下では第２有機化合物層３２の屈折率を１．７、有機樹脂層９２の屈折率を１．５とし、関係式（２）に則して各界面の反射の割合を算出する。   In the organic EL display device 4b of the present embodiment, the ratio of reflection at each interface in the first subpixel P1 is considered. Since the refractive index of the organic resin is considered to be about 1.5, in the following, the refractive index of the second organic compound layer 32 is 1.7, the refractive index of the organic resin layer 92 is 1.5, and the relational expression (2) In accordance with the above, the ratio of reflection at each interface is calculated.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置４ｂでは、有機樹脂層９４が１０〜２０μｍ程度堆積されていることから、第１電極２１ａの反射面からの光路長が第１有機化合物層３１からの発光光の可干渉距離以下である領域は、有機樹脂層９４より下層側の領域である。この領域内にある反射界面として、第２有機化合物層３２と有機樹脂層９４の界面での反射の割合は、関係式（２）により、約０．４％である。   In the organic EL display device 4b of the present embodiment, since the organic resin layer 94 is deposited by about 10 to 20 μm, the optical path length from the reflection surface of the first electrode 21a is the light emission light from the first organic compound layer 31. The region that is equal to or shorter than the coherence distance is a region on the lower layer side from the organic resin layer 94. As a reflection interface in this region, the ratio of reflection at the interface between the second organic compound layer 32 and the organic resin layer 94 is about 0.4% according to the relational expression (2).

したがって、本実施形態の有機ＥＬ表示装置４ｂでは、第１有機化合物層３１からの発光のうち、干渉に寄与する光の割合が有機ＥＬ表示装置４ａに対して低減しており、発光効率の低下をさらに抑制でき、消費電力の上昇を抑制できる。   Therefore, in the organic EL display device 4b of the present embodiment, the proportion of light that contributes to interference among the light emission from the first organic compound layer 31 is reduced with respect to the organic EL display device 4a, and the light emission efficiency decreases. Can be further suppressed, and an increase in power consumption can be suppressed.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置４ｂでは、上記の有機ＥＬ表示装置４ａと同様に、素子保護層９を形成する各層での反射界面での屈折率差が、第２有機化合物層と空気層との屈折率差以下である。このような場合、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置３に比して、干渉に寄与する光の割合が低減する。   In the organic EL display device 4b of the present embodiment, similar to the organic EL display device 4a described above, the refractive index difference at the reflection interface in each layer forming the element protection layer 9 is different from that of the second organic compound layer and the air layer. Or less than the difference in refractive index. In such a case, the proportion of light contributing to interference is reduced as compared with the organic EL display device 3 of the third embodiment.

また、有機ＥＬ表示装置４ｂは、即ち、第１サブピクセルにおいて、第１電極２１ａの反射面からの光路長が第１有機化合物層からの発光光の可干渉距離以下である領域の中で最も光取出し側にある反射界面が、第２有機化合物層の光取り出し側の表面となっている。この場合、第１電極２１ａの反射面からの光路長が第１有機化合物層からの発光光の可干渉距離以下である領域の直上の層は有機樹脂層９４である。   The organic EL display device 4b is the most in the region where the optical path length from the reflecting surface of the first electrode 21a is less than or equal to the coherence distance of the emitted light from the first organic compound layer in the first subpixel. The reflective interface on the light extraction side is the surface of the second organic compound layer on the light extraction side. In this case, the layer immediately above the region where the optical path length from the reflecting surface of the first electrode 21 a is equal to or shorter than the coherence distance of the emitted light from the first organic compound layer is the organic resin layer 94.

第４の実施形態の有機ＥＬ表示装置の駆動方法については、第１の実施形態と同様に時分割駆動をしてもよいし、第２の実施形態と同様の電極構成及びコンタクトホール構成として独立駆動をしてもよい。   As for the driving method of the organic EL display device of the fourth embodiment, time-division driving may be performed as in the first embodiment, or the electrode configuration and contact hole configuration similar to those in the second embodiment are independent. You may drive.

第４の実施形態の有機ＥＬ表示装置４ａ、４ｂは、基本的に第１の実施形態と同様の作用効果を奏する。特に第４の実施形態の有機ＥＬ表示装置４ａ、４ｂでは、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置３に対し、素子保護層９を設けることで、屈折率差の大きい空気層との反射界面での反射光の影響をなくすことにより、発光効率の低下を抑制でき、消費電力の上昇を抑制できるという特有の効果を奏する。   The organic EL display devices 4a and 4b according to the fourth embodiment basically have the same functions and effects as those of the first embodiment. Particularly in the organic EL display devices 4a and 4b according to the fourth embodiment, the element protective layer 9 is provided on the organic EL display device 3 according to the third embodiment, so that the reflective interface with the air layer having a large refractive index difference. By eliminating the influence of the reflected light at, it is possible to suppress a decrease in light emission efficiency and to achieve a specific effect that an increase in power consumption can be suppressed.

＜第５の実施形態＞
第１の実施形態では、第２有機化合物層３２が、第１有機化合物層３１と第３有機化合物層３３の上部に、第１サブピクセルＰ１及び第２サブピクセルＰ２に亘って共通に形成される形態を示した。第５の実施形態は、第２有機化合物層３２が双方のサブピクセルＰ１，Ｐ２に共通形成され、第１サブピクセルＰ１に形成された第１有機化合物層３１の上部に形成されている。さらに、第２サブピクセルＰ２において、この第２有機化合物層３２の上部に、第３有機化合物層３３が形成される形態である。以下、第１の実施形態と相違のある点を中心に説明する。 <Fifth Embodiment>
In the first embodiment, the second organic compound layer 32 is formed in common over the first subpixel P1 and the second subpixel P2 on the first organic compound layer 31 and the third organic compound layer 33. Showed the form. In the fifth embodiment, the second organic compound layer 32 is formed in common to both the subpixels P1 and P2, and is formed on the first organic compound layer 31 formed in the first subpixel P1. Further, in the second subpixel P2, the third organic compound layer 33 is formed on the second organic compound layer 32. Hereinafter, a description will be given centering on differences from the first embodiment.

図１１は、第５の実施形態の有機ＥＬ表示装置６の１画素領域における積層構造を示す模式図である。図１１に示すように、平坦化層には、平坦化層上部に形成される電極と、駆動用薄膜トランジスタ１１ａとの導通をとるためのコンタクトホール１３ａ，１３ｂが形成されている。   FIG. 11 is a schematic diagram showing a stacked structure in one pixel region of the organic EL display device 6 of the fifth embodiment. As shown in FIG. 11, contact holes 13 a and 13 b are formed in the planarization layer for electrical connection between the electrode formed on the planarization layer and the driving thin film transistor 11 a.

第１電極２１ａ，２１ｂの形成後、第１サブピクセルＰ１に第１発光層を含む第１有機化合物層３１が形成される。第１有機化合物層３１の各層は、例えば、シャドーマスクを用いた蒸着法などの公知の手法で形成される。発光層を含む各有機化合物層には、公知の材料を用いることができる。第１有機化合物層３１の形成後、これらの有機化合物層に、コンタクトホール１４ａを形成する。コンタクトホール１４ａの形成方法は、例えば、レーザー加工が好ましく、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザーなど一般に薄膜加工に使用する公知の手法を用いることができる。これらのレーザー光を数μｍに絞って走査したり、面状光源にしてコンタクトホール部分を透過するマスクを介したりして、第１有機化合物層３１上に所定のパターンで照射することにより所望の位置にコンタクトホール１４ａを形成できる。コンタクトホール１４ａの径は、例えば２μｍ〜１５μｍ程度が好ましい。   After the formation of the first electrodes 21a and 21b, the first organic compound layer 31 including the first light emitting layer is formed in the first subpixel P1. Each layer of the first organic compound layer 31 is formed by a known method such as a vapor deposition method using a shadow mask, for example. A known material can be used for each organic compound layer including the light emitting layer. After the formation of the first organic compound layer 31, contact holes 14a are formed in these organic compound layers. For example, laser processing is preferable as a method for forming the contact hole 14a, and a known method generally used for thin film processing such as YAG laser or excimer laser can be used. By irradiating these laser beams to a few μm or by irradiating the first organic compound layer 31 with a predetermined pattern through a mask that transmits a contact hole portion as a planar light source, a desired pattern is obtained. The contact hole 14a can be formed at the position. The diameter of the contact hole 14a is preferably about 2 μm to 15 μm, for example.

続いて、第１有機化合物層３１上に、第２電極２２ａがパターン形成される。第２電極２２ａは、コンタクトホール１４ａ及び１３ａを介して駆動用薄膜トランジスタ１１ａに接続されている。第２電極２２ａのパターン形成方法としては、例えば、表示領域の全領域に電極材料を成膜した後にレーザー加工で行ってもよいし、シャドーマスクを用いた蒸着法により選択的に形成するようにしてもよい。また、電極材料が形成された基板を基板１０と対向させてレーザーアブレーションにより選択的に転写形成してもよい。   Subsequently, the second electrode 22 a is patterned on the first organic compound layer 31. The second electrode 22a is connected to the driving thin film transistor 11a through the contact holes 14a and 13a. As a pattern formation method of the second electrode 22a, for example, an electrode material may be formed on the entire display region and then laser processing may be performed, or alternatively, the second electrode 22a may be selectively formed by vapor deposition using a shadow mask. May be. Alternatively, the substrate on which the electrode material is formed may be selectively transferred by laser ablation while facing the substrate 10.

第２電極２２ａ上には、第２発光層を含む第２有機化合物層３２が第１サブピクセルＰ１及び第２サブピクセルＰ２に亘って共通に形成されている。第２有機化合物層３２の各層は、例えば、シャドーマスクを用いた蒸着法などの公知の手法で形成される。また、発光層を含む第２有機化合物層３２には、公知の材料を用いることができる。   On the second electrode 22a, the second organic compound layer 32 including the second light emitting layer is formed in common over the first subpixel P1 and the second subpixel P2. Each layer of the second organic compound layer 32 is formed by a known method such as a vapor deposition method using a shadow mask, for example. Moreover, a well-known material can be used for the 2nd organic compound layer 32 containing a light emitting layer.

第２有機化合物層３２の形成後、これらの有機化合物層の第２サブピクセルＰ２の領域に、コンタクトホール１４ｂを形成する。コンタクトホール１４ｂの形成方法は、上述したコンタクトホール１４ａの形成方法と同様である。即ち、例えばＹＡＧレーザー、エキシマレーザーなどのレーザー光を数μｍに絞って走査したり、面状光源にしてコンタクトホール部分を透過するマスクを介したりして、第２有機化合物層３２上に所定のパターンで照射し、コンタクトホール１４ｂを形成する。コンタクトホール１４ｂの径は、例えば２μｍ〜１５μｍ程度が好ましい。   After the formation of the second organic compound layer 32, a contact hole 14b is formed in the region of the second subpixel P2 of these organic compound layers. The method for forming the contact hole 14b is the same as the method for forming the contact hole 14a described above. That is, for example, by scanning a laser beam such as a YAG laser or an excimer laser to a few μm, or by using a planar light source through a mask that passes through the contact hole portion, a predetermined amount is formed on the second organic compound layer 32. Irradiation with a pattern forms contact holes 14b. The diameter of the contact hole 14b is preferably about 2 μm to 15 μm, for example.

第２有機化合物層３２の形成及びコンタクトホール１４ｂの形成後、第２有機化合物層３２上には、第２サブピクセルＰ２に第２電極２２ｂが形成される。第２電極２２ｂは、コンタクトホール１４ｂ及び１３ｂを介して駆動用薄膜トランジスタに接続されている。第２電極２２ｂのパターン形成方法は、第２電極２２ａと同様である。   After the formation of the second organic compound layer 32 and the formation of the contact hole 14b, the second electrode 22b is formed on the second organic compound layer 32 in the second subpixel P2. The second electrode 22b is connected to the driving thin film transistor through the contact holes 14b and 13b. The pattern formation method of the second electrode 22b is the same as that of the second electrode 22a.

第２電極２２ｂ形成後、第２電極２２ｂ上には、第２サブピクセルＰ２に第３発光層を含む第３有機化合物層３３が形成される。第３有機化合物層３３の各層は、例えば、シャドーマスクを用いた蒸着法などの公知の手法で形成される。発光層を含む各有機化合物層には、公知の材料を用いることができる。   After the formation of the second electrode 22b, a third organic compound layer 33 including a third light emitting layer is formed on the second subpixel P2 on the second electrode 22b. Each layer of the third organic compound layer 33 is formed by a known method such as an evaporation method using a shadow mask, for example. A known material can be used for each organic compound layer including the light emitting layer.

第３有機化合物層３３上には、第２サブピクセルＰ２のみに第３電極２３が形成される。図示していないが、第１電極２１ａ，２１ｂと第３電極２３は、電気的に接続されている。接続の形態は、例えば、表示領域内で画素ごとに接続されていてもよいし、表示領域外で接続されていてもよい。第３電極２３のパターン形成方法は、第２電極２２ａ，２２ｂと同様である。また、第１電極２１ａ，２１ｂ、及び第３電極２３は、平坦下層１２のコンタクトホール（不図示）、有機化合物層３１、３２、３３のコンタクトホール（不図示）を介して回路素子部と電気的に接続されている。接続の形態は、表示領域内で接続されていてもよいし、表示領域外で接続されていてもよい。   On the third organic compound layer 33, the third electrode 23 is formed only in the second subpixel P2. Although not shown, the first electrodes 21a and 21b and the third electrode 23 are electrically connected. The connection form may be, for example, connected for each pixel within the display area, or may be connected outside the display area. The pattern forming method of the third electrode 23 is the same as that of the second electrodes 22a and 22b. The first electrodes 21a and 21b and the third electrode 23 are electrically connected to the circuit element portion via the contact holes (not shown) of the flat lower layer 12 and the contact holes (not shown) of the organic compound layers 31, 32 and 33. Connected. The connection form may be connected within the display area or may be connected outside the display area.

また、第１サブピクセルＰ１の第２有機化合物層３２上には、第３電極２３を形成する際に同時に形成された導電膜２４が存在している。導電層２４は、上述のパターニングによって、第３電極２３と電気的に絶縁されている。   In addition, the conductive film 24 formed simultaneously with the formation of the third electrode 23 exists on the second organic compound layer 32 of the first subpixel P1. The conductive layer 24 is electrically insulated from the third electrode 23 by the above patterning.

第５の実施形態の有機ＥＬ表示装置５は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１と同様に、第２サブピクセルＰ２のみに第３電極２３をパターン形成していることにより、第１サブピクセルＰ１における第２有機化合物層３２を非発光としている。これにより、第２有機化合物層３２からの発光色に関し、第２サブピクセルＰ２の第２有機化合物層３２からの発光と色度の異なる発光光が混ざることを防止している。   Similar to the organic EL display device 1 of the first embodiment, the organic EL display device 5 of the fifth embodiment forms the first electrode 23 by patterning only on the second subpixel P2. The second organic compound layer 32 in the subpixel P1 does not emit light. Thereby, with respect to the emission color from the second organic compound layer 32, emission light having different chromaticity from emission from the second organic compound layer 32 of the second subpixel P2 is prevented from being mixed.

さらに、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５は、中間電極である第２電極２２ａと２２ｂの間に、第１サブピクセルＰ１及び第２サブピクセルＰ２に亘って共通に第２有機化合物層３２が形成されている。これにより、次のようにサブピクセル間で第２電極２２ａと第２電極２２ｂが短絡する確率を下げることができ、有機ＥＬ表示装置の製造歩留まりを向上できる。   Further, in the organic EL display device 5 of the present embodiment, the second organic compound layer 32 is commonly provided between the second electrodes 22a and 22b, which are intermediate electrodes, over the first subpixel P1 and the second subpixel P2. Is formed. Thereby, the probability that the second electrode 22a and the second electrode 22b are short-circuited between the sub-pixels as described below can be reduced, and the manufacturing yield of the organic EL display device can be improved.

第２電極２２ａ，２２ｂのパターン形成方法として、例えば、シャドーマスクを用いた蒸着法により選択的に形成する場合を考える。第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１のように、第２電極２２ａと２２ｂの間に、第１サブピクセルＰ１及び第２サブピクセルＰ２に共通に形成された層がない構成では、一定の確率で第２電極２２ａと２２ｂが接触して形成されてしまう不良が起こり得る。これは、次に述べる理由による。   As a pattern forming method of the second electrodes 22a and 22b, a case where the second electrodes 22a and 22b are selectively formed by, for example, an evaporation method using a shadow mask is considered. As in the case of the organic EL display device 1 of the first embodiment, in a configuration in which there is no layer formed in common between the first subpixel P1 and the second subpixel P2 between the second electrodes 22a and 22b, the constant is constant. There may be a defect that the second electrodes 22a and 22b are formed in contact with each other with a probability. This is for the following reason.

シャドーマスクの設計上、第２電極２２ａと２２ｂが分離して形成されるように、マスクのアライメント精度や蒸着ずれを考慮して、マスク開口が形成される。しかし、一定の確率で発生するマスクの大きな歪みや熱による膨張等で、電極の蒸着位置がずれ、上述の不良が発生する。   Due to the design of the shadow mask, the mask opening is formed in consideration of mask alignment accuracy and vapor deposition deviation so that the second electrodes 22a and 22b are formed separately. However, the deposition position of the electrode shifts due to large distortion of the mask generated with a certain probability or expansion due to heat, and the above-described defect occurs.

このような不良が発生しないように、シャドーマスクの開口をさらに離すよう設計してもよい。しかし、マスク開口を離せば、電極が形成される面積が減少し、この電極が挟持する有機ＥＬ素子の発光面積が減少してしまう。   In order to prevent such a defect from occurring, the shadow mask opening may be further separated. However, if the mask opening is separated, the area where the electrode is formed is reduced, and the light emitting area of the organic EL element sandwiched between the electrodes is reduced.

これに対し、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５では、第２電極２２ａ，２２ｂの蒸着位置がずれても、第２電極２２ａと２２ｂの間に第２有機化合物層３２が形成されているため、第２電極２２ａと２２ｂが短絡することがない。このようにして、第５の実施形態の有機ＥＬ表示装置５では、有機ＥＬ素子の発光面積を必要以上に減少させることなく、サブピクセル間で第２電極２２ａと第２電極２２ｂが短絡する確率を低減できる。   On the other hand, in the organic EL display device 5 of the present embodiment, the second organic compound layer 32 is formed between the second electrodes 22a and 22b even if the deposition positions of the second electrodes 22a and 22b are shifted. The second electrodes 22a and 22b are not short-circuited. Thus, in the organic EL display device 5 of the fifth embodiment, the probability that the second electrode 22a and the second electrode 22b are short-circuited between the sub-pixels without reducing the light emitting area of the organic EL element more than necessary. Can be reduced.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置５は、各有機化合物層の構成と発光色の組み合わせについては限定されない。ただし、より好適な構成としては、第１の実施形態で述べた理由から、第１有機化合物層３１は緑色発光、第２有機化合物層３２は青色発光、第３有機化合物層３３は赤色発光とするのが望ましい。   In the organic EL display device 5 of the present embodiment, the combination of the configuration of each organic compound layer and the emission color is not limited. However, as a more preferable configuration, for the reason described in the first embodiment, the first organic compound layer 31 emits green light, the second organic compound layer 32 emits blue light, and the third organic compound layer 33 emits red light. It is desirable to do.

また、第５の実施形態の有機ＥＬ表示装置５の駆動方法については、第１の実施形態と同様に時分割駆動をしてもよいし、第２の実施形態と同様の電極構成及びコンタクトホール構成として独立駆動をしてもよい。   As for the driving method of the organic EL display device 5 of the fifth embodiment, time-division driving may be performed as in the first embodiment, or the electrode configuration and contact hole similar to those in the second embodiment. You may drive independently as a structure.

さらに、第５の実施形態の有機ＥＬ表示装置５に対し、第３の実施形態のように、第１サブピクセルＰ１において、第２有機化合物層３２上に、金属材料からなる導電層や、屈折率が第２有機化合物層以上である非金属導電膜層を配置しない構成としてもよい。このようにすることで、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置３と同様に、発光効率の低下を抑制でき、消費電力の上昇を抑制できる。   Further, in contrast to the organic EL display device 5 of the fifth embodiment, as in the third embodiment, in the first subpixel P1, a conductive layer made of a metal material or a refractive material is formed on the second organic compound layer 32. It is good also as a structure which does not arrange | position the nonmetallic electrically conductive film layer whose rate is more than a 2nd organic compound layer. By doing in this way, the fall of luminous efficiency can be suppressed similarly to the organic EL display device 3 of 3rd Embodiment, and the raise of power consumption can be suppressed.

そして、第５の実施形態の有機ＥＬ表示装置５に対し、第４の実施形態のように素子保護層９を設けてもよい。このようにすることで、第４の実施形態の有機ＥＬ表示装置４ａ、４ｂと同様に、屈折率差の大きい空気層との反射界面での反射光の影響をなくすことができ、発光効率の低下を抑制し、消費電力の上昇を抑制できる。   Then, an element protective layer 9 may be provided for the organic EL display device 5 of the fifth embodiment as in the fourth embodiment. By doing so, similarly to the organic EL display devices 4a and 4b of the fourth embodiment, it is possible to eliminate the influence of the reflected light at the reflective interface with the air layer having a large refractive index difference, and to improve the luminous efficiency. Reduction can be suppressed, and increase in power consumption can be suppressed.

＜第６の実施形態＞
第５の実施形態では、第２有機化合物層３２が第１サブピクセルＰ１及び第２サブピクセルＰ２に亘って共通に形成され、第１サブピクセルＰ１に形成された第１有機化合物層３１の上部にされている。そして、第２のサブピクセルＰ２において、第３有機化合物層３３が第２有機化合物層３２の上部に形成される形態を示した。第６の実施形態では、第３有機化合物層３３も、第１サブピクセルＰ１及び第２サブピクセルＰ２に亘って共通に形成され、第２有機化合物層３２の上部に形成される形態である。以下、第５の実施形態と相違のある点を中心に説明する。 <Sixth Embodiment>
In the fifth embodiment, the second organic compound layer 32 is commonly formed over the first subpixel P1 and the second subpixel P2, and the upper portion of the first organic compound layer 31 formed in the first subpixel P1. Has been. In the second subpixel P2, the third organic compound layer 33 is formed on the second organic compound layer 32. In the sixth embodiment, the third organic compound layer 33 is also formed in common over the first subpixel P <b> 1 and the second subpixel P <b> 2 and is formed on the second organic compound layer 32. Hereinafter, a description will be given centering on differences from the fifth embodiment.

図１２は、第６の実施形態の有機ＥＬ表示装置６の１画素領域における積層構造を示す模式図である。第２電極２２ｂ形成までは、第５の実施形態の有機ＥＬ表示装置５と同様である。図１２に示すように、第２電極２２ｂの形成後、第２電極２２ｂ上には、第３発光層を含む第３有機化合物層３３が第１サブピクセルＰ１及び第２サブピクセルＰ２に亘って共通に形成される。第３有機化合物層３３の各層は、例えば、シャドーマスクを用いた蒸着法などの公知の手法で形成される。   FIG. 12 is a schematic diagram showing a stacked structure in one pixel region of the organic EL display device 6 of the sixth embodiment. The process up to the formation of the second electrode 22b is the same as that of the organic EL display device 5 of the fifth embodiment. As shown in FIG. 12, after the second electrode 22b is formed, a third organic compound layer 33 including a third light emitting layer is formed on the second electrode 22b across the first subpixel P1 and the second subpixel P2. Commonly formed. Each layer of the third organic compound layer 33 is formed by a known method such as an evaporation method using a shadow mask, for example.

第３有機化合物層３３上には、第２サブピクセルＰ２のみに第３電極２３が形成されている。図示していないが、第１電極２１ａ，２１ｂと第３電極２３は、電気的に接続されている。接続の形態は、例えば、表示領域内で画素ごとに接続されていてもよいし、表示領域外で接続されていてもよい。また、第１電極２１ａ，２１ｂ、及び第３電極２３は、平坦下層１２のコンタクトホール（不図示）、有機化合物層３１、３２、３３のコンタクトホール（不図示）を介して回路素子部と電気的に接続されている。接続の形態は、表示領域内で接続されていてもよいし、表示領域外で接続されていてもよい。   On the third organic compound layer 33, the third electrode 23 is formed only in the second subpixel P2. Although not shown, the first electrodes 21a and 21b and the third electrode 23 are electrically connected. The connection form may be, for example, connected for each pixel within the display area, or may be connected outside the display area. The first electrodes 21a and 21b and the third electrode 23 are electrically connected to the circuit element portion via the contact holes (not shown) of the flat lower layer 12 and the contact holes (not shown) of the organic compound layers 31, 32 and 33. Connected. The connection form may be connected within the display area or may be connected outside the display area.

第３電極２３のパターン形成方法は、第２電極２２ａ，２２ｂと同様である。また、第１サブピクセルＰ１の第２有機化合物層３２上には、第３電極２３を形成する際に同時に形成された導電膜２４が存在している。導電層２４は、前述のパターニングによって、第３電極２３と電気的に絶縁されている。   The pattern forming method of the third electrode 23 is the same as that of the second electrodes 22a and 22b. In addition, the conductive film 24 formed simultaneously with the formation of the third electrode 23 exists on the second organic compound layer 32 of the first subpixel P1. The conductive layer 24 is electrically insulated from the third electrode 23 by the patterning described above.

第６の実施形態の有機ＥＬ表示装置６では、第２有機化合物層３２と第３有機化合物層３３を、双方のサブピクセルに共通に形成して、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１や第５の実施形態の有機ＥＬ表示装置５に対し、プロセス工程を簡便化している。   In the organic EL display device 6 of the sixth embodiment, the second organic compound layer 32 and the third organic compound layer 33 are formed in common to both subpixels, and the organic EL display device 1 of the first embodiment. Further, the process steps are simplified with respect to the organic EL display device 5 of the fifth embodiment.

第６の実施形態の有機ＥＬ表示装置６は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１や第５の実施形態の有機ＥＬ表示装置５と同様に、第２サブピクセルＰ２のみに第３電極２３をパターン形成している。これにより、第１サブピクセルＰ１における第２有機化合物層３２及び第３有機化合物層３３を非発光としている。そして、第２有機化合物層及び第３有機化合物層からの発光色に関し、第２サブピクセルＰ２の第２有機化合物層及び第３有機化合物層からの発光と色度の異なる発光光が混ざることを防止している。   Similarly to the organic EL display device 1 of the first embodiment and the organic EL display device 5 of the fifth embodiment, the organic EL display device 6 of the sixth embodiment has a third electrode only on the second subpixel P2. The pattern 23 is formed. As a result, the second organic compound layer 32 and the third organic compound layer 33 in the first subpixel P1 do not emit light. Then, regarding the emission colors from the second organic compound layer and the third organic compound layer, the emission light having different chromaticity is mixed with the emission from the second organic compound layer and the third organic compound layer of the second subpixel P2. It is preventing.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置６は、各有機化合物層の構成と発光色の組み合わせについては限定されない。ただし、より好適な構成としては、第１の実施形態で述べた理由から、第５の実施形態と同様に第１有機化合物層３１は緑色発光、第２有機化合物層３２は青色発光、第３有機化合物層３３は赤色発光とするのが望ましい。   In the organic EL display device 6 of the present embodiment, the combination of the configuration of each organic compound layer and the emission color is not limited. However, as a more preferable configuration, for the reason described in the first embodiment, the first organic compound layer 31 emits green light, the second organic compound layer 32 emits blue light, and the third light emission is the same as in the fifth embodiment. The organic compound layer 33 desirably emits red light.

また、第６の実施形態の有機ＥＬ表示装置６の駆動方法については、第１の実施形態と同様に時分割駆動をしてもよいし、第２の実施形態と同様の電極構成及びコンタクトホール構成として独立駆動をしてもよい。   In addition, as to the driving method of the organic EL display device 6 of the sixth embodiment, time-division driving may be performed as in the first embodiment, or the electrode configuration and contact hole similar to those in the second embodiment. You may drive independently as a structure.

さらに、第６の実施形態の有機ＥＬ表示装置６に対し、第３の実施形態のように、第１サブピクセルＰ１において、第２有機化合物層３２上に、金属材料からなる導電層や、屈折率が第２有機化合物層以上である非金属導電膜層を配置しない構成としてもよい。このようにすることで、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置３と同様に、発光効率の低下を抑制でき、消費電力の上昇を抑制できる。   Furthermore, with respect to the organic EL display device 6 of the sixth embodiment, as in the third embodiment, in the first subpixel P1, a conductive layer made of a metal material or a refractive material is formed on the second organic compound layer 32. It is good also as a structure which does not arrange | position the nonmetallic electrically conductive film layer whose rate is more than a 2nd organic compound layer. By doing in this way, the fall of luminous efficiency can be suppressed similarly to the organic EL display device 3 of 3rd Embodiment, and the raise of power consumption can be suppressed.

そして、第６の実施形態の有機ＥＬ表示装置６に対し、第４の実施形態のように素子保護層９を設けてもよい。このようにすることで、第４の実施形態の有機ＥＬ表示装置４ａ、４ｂと同様に、屈折率差の大きい空気層との反射界面での反射光の影響をなくすことができ、発光効率の低下を抑制し、消費電力の上昇を抑制できる。   Then, an element protective layer 9 may be provided for the organic EL display device 6 of the sixth embodiment as in the fourth embodiment. By doing so, similarly to the organic EL display devices 4a and 4b of the fourth embodiment, it is possible to eliminate the influence of the reflected light at the reflective interface with the air layer having a large refractive index difference, and to improve the luminous efficiency. Reduction can be suppressed, and increase in power consumption can be suppressed.

本実施形態の有機ＥＬ表示装置６は、第３有機化合層が、第１の有機ＥＬ素子よりも光取り出し側に、第１サブピクセルＰ１及び第２サブピクセルＰ２に亘って共通に形成されているので、プロセス工程を簡便化することができる。   In the organic EL display device 6 of the present embodiment, the third organic compound layer is formed in common over the first subpixel P1 and the second subpixel P2 on the light extraction side with respect to the first organic EL element. As a result, the process steps can be simplified.

以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、これは本発明の説明のための例示であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、上記実施形態とは異なる種々の態様で実施することができる。   The preferred embodiment of the present invention has been described above. However, this is merely an example for explaining the present invention, and various embodiments different from the above-described embodiment may be implemented without departing from the gist of the present invention. Can do.

上記の実施形態では、本発明を基板側とは反対側（透明電極側）から有機ＥＬ素子の光を取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置に適用したが、第２の実施形態は、基板側から光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置に適用することもできる。   In the above embodiment, the present invention is applied to a so-called top emission type organic EL display device in which the light of the organic EL element is extracted from the side opposite to the substrate side (transparent electrode side). In the second embodiment, The present invention can also be applied to a bottom emission type organic EL display device that extracts light from the substrate side.

１、２、３、４、４ａ、４ｂ、５、６ 有機ＥＬ表示装置、１０ 基板、２１ａ，２１ｂ 第１電極、２２ａ，２２ｂ 第２電極、２３ 第３電極、２４ 導電膜、３１ 第１有機化合物層、３２ 第２有機化合物層、３３ 第３有機化合物層、９ 素子保護層、９１ 無機化合物層、９２ 有機樹脂層、９３ 無機化合物層、９４ 有機樹脂層、９５ ガラス部材 1, 2, 3, 4, 4a, 4b, 5, 6 Organic EL display device, 10 substrate, 21a, 21b first electrode, 22a, 22b second electrode, 23 third electrode, 24 conductive film, 31 first organic Compound layer, 32 Second organic compound layer, 33 Third organic compound layer, 9 Element protective layer, 91 Inorganic compound layer, 92 Organic resin layer, 93 Inorganic compound layer, 94 Organic resin layer, 95 Glass member

Claims (7)

表示領域に複数の画素を備え、各画素に第１サブピクセルと第２サブピクセルとが並列配置された有機ＥＬ表示装置であって、
前記第１サブピクセルは、対向する電極の間に挟持された第１発光層を含む第１有機化合物層を有し、
前記第２サブピクセルは、対向する電極の間に挟持された第３発光層を含む第３有機化合物層を有し、
前記第１サブピクセル及び第２サブピクセルに亘って、第２発光層を含む第２有機化合物層が積層されると共に、該第２有機化合物層は、前記第１サブピクセルにおいて前記第１有機化合物層よりも光取り出し側に配置され、
前記第２有機化合物層は対向する電極の間に挟持され、前記第２有機化合物層を挟持する対向する電極のうち、光取り出し側の電極は、前記第２サブピクセルのみに形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 An organic EL display device comprising a plurality of pixels in a display area, wherein each pixel has a first subpixel and a second subpixel arranged in parallel.
The first subpixel includes a first organic compound layer including a first light emitting layer sandwiched between opposing electrodes,
The second subpixel includes a third organic compound layer including a third light emitting layer sandwiched between opposing electrodes,
A second organic compound layer including a second light emitting layer is stacked over the first subpixel and the second subpixel, and the second organic compound layer includes the first organic compound in the first subpixel. Placed on the light extraction side of the layer,
The second organic compound layer is sandwiched between opposing electrodes, and among the opposing electrodes sandwiching the second organic compound layer, the light extraction side electrode is formed only in the second subpixel. An organic EL display device. 前記第１サブピクセルにおいて、
前記第１有機化合物層を挟んで対向する電極のうち光取り出し側とは反対側に配置される電極の反射面からの光路長が前記第１有機化合物層の第１発光層からの発光光の可干渉距離以下である領域の中で、
最も光取出し側にある反射界面が、前記第２有機化合物層の光取り出し側の表面であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。 In the first subpixel,
Of the electrodes facing each other with the first organic compound layer in between, the optical path length from the reflection surface of the electrode disposed on the opposite side to the light extraction side is the light emission length of the first light emitting layer of the first organic compound layer. In the region that is less than the coherence distance,
2. The organic EL display device according to claim 1, wherein the reflective interface closest to the light extraction side is the surface of the second organic compound layer on the light extraction side. 前記第１サブピクセルにおいて、
光取り出し側に存在する有機化合物層上に、前記第２サブピクセルのみに形成された電極と電気的に絶縁された導電膜が存在することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。 In the first subpixel,
2. The organic EL display device according to claim 1, wherein a conductive film electrically insulated from an electrode formed only in the second subpixel is present on the organic compound layer existing on the light extraction side. . 前記第１サブピクセルにおいて、
前記第２有機化合物層の光取り出し側の表面と、前記第１有機化合物層を挟んで対向する電極のうち光取り出し側とは反対側に配置される電極の反射面からの光路長が前記第１有機化合物層の第１発光層からの発光光の可干渉距離以下である領域の中で、最も光取出し側にある反射界面との間に、
非金属で透明性を有し、屈折率が前記第１サブピクセルの最も光取り出し側にある有機化合物層の屈折率と、前記可干渉距離以下である領域の直上の層である物質の屈折率との間の値をもつ物質からなる層のみが存在することを特徴とする請求項１または請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。 In the first subpixel,
The optical path length from the reflection surface of the electrode disposed on the opposite side of the light extraction side of the electrode facing the first organic compound layer with the surface on the light extraction side of the second organic compound layer being the first In a region that is less than or equal to the coherence distance of emitted light from the first light emitting layer of one organic compound layer, between the reflective interface closest to the light extraction side,
The refractive index of the organic compound layer which is non-metallic and transparent and has a refractive index closest to the light extraction side of the first sub-pixel, and a material which is a layer immediately above the region having the coherence distance or less. 4. The organic EL display device according to claim 1, wherein only a layer made of a material having a value between is present. それぞれのサブピクセルの最も光取り出し側に、第１サブピクセル及び第２サブピクセルに共通に素子保護層が形成され、
前記素子保護層は非金属であり、前記第１サブピクセルの最も光取り出し側にある有機化合物層の屈折率との差が、該有機化合物層の屈折率と空気層の屈折率との差以下である屈折率をもつ層であって、
前記第１サブピクセルにおいて、前記第１有機化合物層を挟んで対向する電極のうち光取り出し側とは反対側に配置される電極の反射面と、素子外部の空気層との反射界面である前記素子保護層の表面との間の光路長が、前記第１有機化合物層の第１発光層からの発光光の可干渉距離以上であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。 An element protection layer is formed on the most light extraction side of each subpixel in common with the first subpixel and the second subpixel,
The element protective layer is non-metallic, and the difference between the refractive index of the organic compound layer closest to the light extraction side of the first subpixel is less than the difference between the refractive index of the organic compound layer and the refractive index of the air layer. A layer having a refractive index of
The first subpixel is a reflective interface between a reflective surface of an electrode disposed on a side opposite to a light extraction side of electrodes opposed to each other with the first organic compound layer interposed therebetween and an air layer outside the element. 5. The optical path length between the surface of the element protective layer and the coherence distance of the emitted light from the first light emitting layer of the first organic compound layer is equal to or greater than the coherence distance of the first organic compound layer. The organic EL display device described in 1. 前記第３有機化合物層は、前記第２サブピクセルにおいて前記第２有機化合物層よりも光取り出し側に積層されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。   6. The organic EL according to claim 1, wherein the third organic compound layer is stacked on the light extraction side of the second sub-pixel with respect to the second organic compound layer. 7. Display device. 前記第３有機化合物層は、前記第１サブピクセル及び前記第２サブピクセルに亘って積層され、
前記第１サブピクセルにおいて、前記第１有機化合物層及び前記第２有機化合物層よりも光取り出し側に形成され、
前記第３有機化合物層を挟持する前記対向する電極のうち、光取り出し側の電極は、前記第２サブピクセルのみに形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。 The third organic compound layer is stacked over the first subpixel and the second subpixel.
In the first sub-pixel, formed on the light extraction side from the first organic compound layer and the second organic compound layer,
7. The light-extraction-side electrode among the opposing electrodes sandwiching the third organic compound layer is formed only in the second subpixel. 8. The organic EL display device described.
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