JP2012022784A - Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus - Google Patents

Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2012022784A
JP2012022784A JP2010157628A JP2010157628A JP2012022784A JP 2012022784 A JP2012022784 A JP 2012022784A JP 2010157628 A JP2010157628 A JP 2010157628A JP 2010157628 A JP2010157628 A JP 2010157628A JP 2012022784 A JP2012022784 A JP 2012022784A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
partition wall
electro
optical device
opening hole
bank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2010157628A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masatsugu Goto
正嗣 後藤
Shotaro Watanabe
昭太朗 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2010157628A priority Critical patent/JP2012022784A/en
Publication of JP2012022784A publication Critical patent/JP2012022784A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electro-optical device with variations in a thickness of a functional film restrained, a method of manufacturing the electro-optical device, and an electronic apparatus.SOLUTION: An organic EL device 11 as an electro-optical device, includes: a functional layer 26 containing a luminous layer 64 arranged between an anode 24 as a first electrode and a cathode 25 as a second electrode both of which are on a substrate 31; and banks (a first bank 61, a second bank 62) as barrier ribs for partitioning the functional layer 26 into a luminous region 42. In the second bank 62 as a second barrier rib, there is provided an opening hole 65 which surrounds the luminous region 42. A peripheral portion 62a of the second bank 62 which is on a peripheral of the opening hole 65 is formed to be higher than other portions of the second bank 62 relative to the substrate 31 and is provided with a liquid-repellent material 66 which has a liquid-repellent feature.

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。   The present invention relates to an electro-optical device, a method for manufacturing the electro-optical device, and an electronic apparatus.

上記電気光学装置の一つとして、例えば、陽極と陰極との間に発光層などの有機膜が挟持された構造の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置がある。前記有機ＥＬ装置の製造方法としては、基板上に設けられた陽極を囲むようにバンク（隔壁）を形成する。次に、バンクで囲まれた開口穴（発光領域）の中に、インクジェット法などを用いて有機膜形成材料を含む機能液を塗布して固化することにより前記有機膜を形成する液相法が知られている。このような液相法では、開口穴に機能液を塗布したときに開口穴から外部に機能液が溢れてしまう場合がある。   As one of the electro-optical devices, for example, there is an organic EL (electroluminescence) device having a structure in which an organic film such as a light emitting layer is sandwiched between an anode and a cathode. As a method for manufacturing the organic EL device, banks (partition walls) are formed so as to surround an anode provided on a substrate. Next, a liquid phase method for forming the organic film by applying and solidifying a functional liquid containing an organic film forming material into the opening hole (light emitting region) surrounded by the bank using an inkjet method or the like. Are known. In such a liquid phase method, when the functional liquid is applied to the opening hole, the functional liquid may overflow from the opening hole to the outside.

そこで、例えば、特許文献１に記載のように、バンクの表面にＣＦ4などのフッ素系処理ガスによるプラズマ処理を施して、バンクの表面を機能液に対して撥液性にする方法が開示されている。これにより、バンクに対する機能液の接触角がプラズマ処理前に比べて大きくなり、開口穴から機能液が溢れ難くなる。しかし、バンクで囲まれた開口穴の中に形成されている陽極の表面も撥液性になることから、陽極上に機能液が濡れ広がらず、機能液の充填不良が発生する。これにより、形成された有機膜に欠陥が生じたり、有機膜上に陰極を形成すると、陽極と陰極とが前記欠陥部分において電気的にショート（短絡）するなどの不具合が発生する。 Therefore, for example, as disclosed in Patent Document 1, a method is disclosed in which plasma treatment with a fluorine-based treatment gas such as CF 4 is performed on the surface of the bank to make the surface of the bank liquid repellent with respect to the functional liquid. ing. As a result, the contact angle of the functional liquid with respect to the bank becomes larger than before the plasma treatment, and the functional liquid does not easily overflow from the opening hole. However, since the surface of the anode formed in the opening hole surrounded by the bank is also liquid repellent, the functional liquid does not wet and spread on the anode, resulting in poor filling of the functional liquid. As a result, when the formed organic film has a defect or a cathode is formed on the organic film, problems such as an electrical short (short circuit) between the anode and the cathode at the defective portion occur.

そこで、特許文献２及び特許文献３に記載のように、基板上に設けられたバンクに撥液材を転写して、バンクの上面のみを撥液化する方法が開示されている。   Therefore, as described in Patent Document 2 and Patent Document 3, a method is disclosed in which a liquid repellent material is transferred to a bank provided on a substrate, and only the upper surface of the bank is made liquid repellent.

特開２００２−３３４７８２号公報JP 2002-334882 A 特開２００２−３０５０７７号公報JP 2002-305077 A 特許第３８７９４２５号公報Japanese Patent No. 3879425

しかしながら、上記特許文献２，３に示された撥液化の方法では、バンクが形成される基板上の凹凸に起因して、機能液が留まってほしいバンクの開口穴の周縁部よりも、バンクの他の領域の高さが高くなり、その部分に撥液材が転写されることがあった。これにより、開口穴の周縁部が撥液化されず、開口穴から機能液が溢れるという課題があった。   However, in the liquid repellency methods disclosed in Patent Documents 2 and 3 above, due to unevenness on the substrate on which the bank is formed, the bank is located more than the peripheral edge of the opening hole of the bank where the functional liquid is desired to stay. In other cases, the height of the other region becomes high, and the liquid repellent material may be transferred to that portion. Thereby, the peripheral part of the opening hole was not made liquid-repellent, but the subject that a functional liquid overflowed from the opening hole occurred.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板上において第１電極と第２電極との間に配置された発光層を含む機能層と、前記機能層を発光領域に区画する隔壁部と、を備えた電気光学装置であって、前記隔壁部には、前記発光領域を囲む開口穴が設けられており、前記隔壁部における前記開口穴の周縁部は、前記隔壁部の他の領域と比較して前記基板上における高さが高く形成されていると共に、撥液性を有することを特徴とする。   Application Example 1 An electro-optical device according to this application example includes a functional layer including a light emitting layer disposed between a first electrode and a second electrode on a substrate, and a partition that partitions the functional layer into a light emitting region. An opening hole that surrounds the light emitting region, and a peripheral portion of the opening hole in the partition wall is the other part of the partition wall. The height on the substrate is higher than that of the region, and liquid repellency is provided.

この構成によれば、隔壁部における他の領域の高さと比較して高く形成されている開口穴の周縁部に撥液性が付与されているので、開口穴の中に機能材料を塗布した際、開口穴から外部に機能材料が溢れ出ることを抑えることができる。また、撥液性が付与されている部分が開口穴の周縁部なので、開口穴の中に機能材料を濡れ広げることが可能となり十分な量の機能材料を充填することができる。その結果、発光領域において膜厚のばらつきが抑えられた機能層を得ることができる。つまり、発光ムラが少ない電気光学装置を提供できる。   According to this configuration, since the liquid repellency is imparted to the peripheral portion of the opening hole formed higher than the height of other regions in the partition wall portion, when the functional material is applied in the opening hole The functional material can be prevented from overflowing from the opening hole to the outside. Further, since the portion to which the liquid repellency is imparted is the peripheral portion of the opening hole, the functional material can be spread and spread in the opening hole, and a sufficient amount of the functional material can be filled. As a result, a functional layer in which variations in film thickness are suppressed in the light emitting region can be obtained. That is, it is possible to provide an electro-optical device with less light emission unevenness.

［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記基板上には、配線及び駆動回路のうち少なくとも一方が設けられており、前記隔壁部は、前記第１電極側に配置された第１隔壁部と、少なくとも一部が前記第１隔壁部上に配置された第２隔壁部と、を有し、前記第１隔壁部の高さは、前記配線及び前記駆動回路の高さと比較して高く形成されていることが好ましい。   Application Example 2 In the electro-optical device according to the application example described above, at least one of a wiring and a drive circuit is provided on the substrate, and the partition wall portion is disposed on the first electrode side. 1 partition wall portion and a second partition wall portion at least partially disposed on the first partition wall portion, the height of the first partition wall portion being compared with the height of the wiring and the drive circuit. It is preferable that the height is high.

この構成によれば、第１隔壁部の高さが配線や駆動回路の高さと比較して高く形成されているので、第１隔壁部の上に第２隔壁部を設けた際、開口穴の周縁部の高さを他の領域の高さと比較して高くすることができる。   According to this configuration, since the height of the first partition wall portion is higher than the height of the wiring and the drive circuit, when the second partition wall portion is provided on the first partition wall portion, The height of the peripheral edge can be made higher than the height of other regions.

［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記隔壁部において、前記開口穴の周縁部は平面視で直線部分と円弧部分とを含み、前記直線部分の高さを前記円弧部分の高さと比較して高くすることが好ましい。   Application Example 3 In the electro-optical device according to the application example described above, in the partition portion, the peripheral portion of the opening hole includes a straight portion and an arc portion in plan view, and the height of the straight portion is set to the height of the arc portion. It is preferable to make it higher than the height.

この構成によれば、液体が円弧部分より溢れやすい直線部分の隔壁部の高さを高くするので、開口穴の中に機能材料を十分に充填させることができる。   According to this configuration, the height of the partition wall portion of the straight line portion where the liquid easily overflows from the arc portion is increased, so that the functional material can be sufficiently filled in the opening hole.

［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１隔壁部は、隣接する前記発光領域に亘り周縁部の一部分に沿って連続して設けられていることが好ましい。   Application Example 4 In the electro-optical device according to the application example described above, it is preferable that the first partition wall portion is continuously provided along a part of the peripheral edge portion over the adjacent light emitting region.

この構成によれば、例えば、第１隔壁部が隣接する同種の機能層が設けられる発光領域に亘り周縁部の一部分に沿って連続して設けられていることにより、共通の隔壁部として利用することができる。これにより、隣接する発光領域に機能材料を塗布することが可能となり、隣接する発光領域において機能層の厚みを均一にすることができる。   According to this configuration, for example, the first partition wall portion is continuously provided along a part of the peripheral portion over the light emitting region where the adjacent functional layer of the same type is provided, so that it is used as a common partition wall portion. be able to. Thereby, it becomes possible to apply the functional material to the adjacent light emitting region, and the thickness of the functional layer can be made uniform in the adjacent light emitting region.

［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１隔壁部は、無機材料からなると共に、前記第１隔壁部の前記開口穴の端部が前記第２隔壁部の前記開口穴の端部より前記開口穴の内側に出るように設けられていることが好ましい。   Application Example 5 In the electro-optical device according to the application example, the first partition wall portion is made of an inorganic material, and an end portion of the opening hole of the first partition wall portion is the opening hole of the second partition wall portion. It is preferable that it is provided so that it may come out from the edge part inside the said opening hole.

この構成によれば、第１隔壁部が無機材料からなるので、開口穴の中の濡れ性を確保することができる。また、第１隔壁部の端部が第２隔壁部の端部より開口穴の内側に出るように設けられているので、発光層の膜厚が開口穴の中央部分よりも変動し易い開口穴の周縁部分を隠すことが可能となり、発光領域における発光ムラを抑えることができる。   According to this configuration, since the first partition wall portion is made of an inorganic material, wettability in the opening hole can be ensured. In addition, since the end portion of the first partition wall portion is provided so as to protrude inside the opening hole from the end portion of the second partition wall portion, the opening hole in which the film thickness of the light emitting layer is more likely to fluctuate than the central portion of the opening hole. It is possible to hide the peripheral portion of the light emission, and to suppress the light emission unevenness in the light emitting region.

［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２隔壁部は、有機材料からなることが好ましい。   Application Example 6 In the electro-optical device according to the application example, it is preferable that the second partition wall portion is made of an organic material.

この構成によれば、第２隔壁部に有機材料を用いるので、コーティング法などにより比較的簡単に第１隔壁部上に第２隔壁部を形成することができる。   According to this configuration, since the organic material is used for the second partition wall, the second partition wall can be formed on the first partition wall relatively easily by a coating method or the like.

［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置において、前記開口穴の周縁部は、転写法を用いて撥液化されていることが好ましい。   Application Example 7 In the electro-optical device according to the application example described above, it is preferable that the peripheral portion of the opening hole is made liquid-repellent using a transfer method.

この構成によれば、隔壁部の高い部分に転写するので、第１電極の表面の濡れ性を低下させることなく、開口穴の周縁部のみを撥液化させることができる。   According to this configuration, since the transfer is performed on a high portion of the partition wall, only the peripheral portion of the opening hole can be made liquid repellent without reducing the wettability of the surface of the first electrode.

［適用例８］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、基板上において第１電極と第２電極との間に配置された発光層を含む機能層と、前記機能層を発光領域に区画する隔壁部と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に前記発光領域を囲むように開口穴を形成すると共に、前記開口穴の周縁部の高さを他の領域の高さと比較して高くなるように前記隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、転写法を用いて前記隔壁部に撥液材を転写する転写工程と、前記開口穴の中に機能材料を塗布する塗布工程と、を有することを特徴とする。   Application Example 8 A method for manufacturing an electro-optical device according to this application example includes a functional layer including a light emitting layer disposed between a first electrode and a second electrode on a substrate, and the functional layer as a light emitting region. And a partition wall section for partitioning, wherein an opening hole is formed on the substrate so as to surround the light emitting region, and a height of a peripheral edge portion of the opening hole is set to another region. A partition wall forming step for forming the partition wall to be higher than the height of the substrate, a transfer step for transferring the liquid repellent material to the partition wall using a transfer method, and a functional material in the opening hole. And an application step of applying.

この方法によれば、開口穴の周縁部における隔壁部の高さを、隔壁部の他の領域と比較して高く形成するので、転写法を用いて撥液化する際、隔壁部における開口穴の周縁部に撥液材をより選択的に転写することができる。よって、開口穴の中に機能材料を塗布した際、開口穴の中から外部に機能材料が溢れ出ることを抑えることができる。また、撥液性（撥液材）が付与されている部分が開口穴の周縁部なので、開口穴の中に機能材料を濡れ広げることが可能となり十分な量の機能材料を充填することができる。その結果、膜厚ムラが少ない機能層を形成でき、発光ムラが少ない電気光学装置を歩留まりよく製造することができる。   According to this method, the height of the partition wall at the peripheral edge of the opening hole is formed higher than that of the other regions of the partition wall. The liquid repellent material can be more selectively transferred to the peripheral portion. Therefore, when the functional material is applied in the opening hole, the functional material can be prevented from overflowing from the opening hole to the outside. Further, since the portion to which liquid repellency (liquid repellent material) is imparted is the peripheral portion of the opening hole, it is possible to spread the functional material into the opening hole, and a sufficient amount of the functional material can be filled. . As a result, a functional layer with less film thickness unevenness can be formed, and an electro-optical device with less light emission unevenness can be manufactured with high yield.

［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記基板上に配線及び駆動回路のうち少なくとも一方を形成する配線回路形成工程を有し、前記隔壁部形成工程は、前記第１電極側に第１隔壁部を形成する第１隔壁部形成工程と、前記第１隔壁部上に少なくとも一部が積層するように第２隔壁部を形成する第２隔壁部形成工程と、を含み、前記第１隔壁部形成工程は、前記第１隔壁部の高さを、前記配線及び前記駆動回路の高さと比較して高く形成することが好ましい。   Application Example 9 In the method of manufacturing the electro-optical device according to the application example, the method includes a wiring circuit forming step of forming at least one of a wiring and a drive circuit on the substrate, and the partition wall forming step includes A first partition wall forming step of forming a first partition wall on one electrode side, and a second partition wall forming step of forming a second partition wall so as to be at least partially laminated on the first partition wall. Preferably, in the first partition wall forming step, the height of the first partition wall is formed higher than the height of the wiring and the drive circuit.

この方法によれば、第１隔壁部の高さを配線や駆動回路の高さと比較して高く形成するので、第１隔壁部の上に第２隔壁部を形成した際、開口穴の周縁部の高さを他の領域の高さと比較して高くすることができる。よって、周縁部に撥液材を容易に転写することができる。   According to this method, since the height of the first partition wall is formed higher than the height of the wiring and the drive circuit, the peripheral portion of the opening hole is formed when the second partition wall is formed on the first partition wall. Can be made higher than the height of other regions. Therefore, the liquid repellent material can be easily transferred to the peripheral portion.

［適用例１０］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記開口穴の周縁部は平面視で直線部分と円弧部分とを含み、前記隔壁部形成工程は、前記開口穴の前記直線部分の高さが前記円弧部分の高さと比較して高くなるように前記隔壁部を形成することが好ましい。   Application Example 10 In the method of manufacturing the electro-optical device according to the application example, the peripheral portion of the opening hole includes a straight portion and an arc portion in plan view, and the partition wall forming step includes the straight line of the opening hole. It is preferable to form the partition wall so that the height of the portion is higher than the height of the arc portion.

この方法によれば、液体が円弧部分より溢れやすい直線部分の隔壁部の高さを高くするので、開口穴の中に機能材料を十分に充填させることができる。   According to this method, the height of the partition wall portion of the straight portion where the liquid is likely to overflow from the arc portion is increased, so that the functional material can be sufficiently filled in the opening hole.

［適用例１１］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１隔壁部形成工程は、隣接する前記発光領域に亘り周縁部の一部分に沿って連続して前記第１隔壁部を形成することが好ましい。   Application Example 11 In the method of manufacturing an electro-optical device according to the application example, the first partition wall forming step includes continuously forming the first partition wall portion along a part of a peripheral edge over the adjacent light emitting regions. It is preferable to form.

この方法によれば、例えば、第１隔壁部を、隣接する同種の機能層が設けられる発光領域に亘り周縁部の一部分に沿って連続して形成することにより、共通の隔壁部として利用することができる。これにより、隣接する発光領域に機能材料を塗布することが可能となり、隣接する発光領域において機能層の厚みを均一にすることができる。   According to this method, for example, the first partition wall portion can be used as a common partition wall portion by continuously forming the first partition wall portion along a part of the peripheral edge portion over the light emitting region where the adjacent same type of functional layer is provided. Can do. Thereby, it becomes possible to apply the functional material to the adjacent light emitting region, and the thickness of the functional layer can be made uniform in the adjacent light emitting region.

［適用例１２］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１隔壁部形成工程は、前記第１隔壁部を無機材料から形成すると共に、前記第１隔壁部の前記開口穴の端部が前記第２隔壁部の前記開口穴の端部より前記開口穴の内側に出るように形成することが好ましい。   Application Example 12 In the method of manufacturing the electro-optical device according to the application example, the first partition wall forming step includes forming the first partition wall from an inorganic material and forming the opening hole of the first partition wall. It is preferable that the end portion is formed so as to protrude from the end portion of the opening hole of the second partition wall portion to the inside of the opening hole.

この方法によれば、無機材料から第１隔壁部を形成することにより開口穴の中の濡れ性を確保することができる。また、第１隔壁部の端部が第２隔壁部の端部より開口穴の内側に出るように形成するので、発光層の膜厚が開口穴の中央部分に比べて変動し易い開口穴の周縁部分を隠すことが可能となり、発光領域における発光ムラを抑えることができる。   According to this method, the wettability in the opening hole can be ensured by forming the first partition wall portion from the inorganic material. Further, since the end portion of the first partition wall portion is formed so as to protrude from the end portion of the second partition wall portion to the inside of the opening hole, the thickness of the light emitting layer is easily changed compared to the central portion of the opening hole. It is possible to hide the peripheral portion, and light emission unevenness in the light emitting region can be suppressed.

［適用例１３］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第２隔壁部形成工程は、前記第２隔壁部を有機材料から形成することが好ましい。   Application Example 13 In the method of manufacturing the electro-optical device according to the application example, it is preferable that the second partition wall forming step is formed of an organic material.

この方法によれば、有機材料から第２隔壁部を形成するので、コーティング法などにより比較的簡単に第１隔壁部上に第２隔壁部を形成することができる。   According to this method, since the second partition wall is formed from an organic material, the second partition wall can be formed on the first partition wall relatively easily by a coating method or the like.

［適用例１４］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。   Application Example 14 An electronic apparatus according to this application example includes the electro-optical device described above.

この構成によれば、発光領域において均一な膜厚の機能材料が得られ、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。   According to this configuration, a functional material having a uniform film thickness can be obtained in the light emitting region, and an electronic device capable of improving display quality can be provided.

第１実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating an electrical configuration of the organic EL device as the electro-optical device of the first embodiment. 有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the structure of an organic electroluminescent apparatus. （ａ）は有機ＥＬ装置を構成する画素の構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。(A) is a schematic plan view which shows the structure of the pixel which comprises an organic EL apparatus, (b) is a schematic cross section along the AA 'line | wire of the organic EL apparatus shown to (a). 有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus. 有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。The schematic cross section which shows a one part process among the manufacturing methods of an organic electroluminescent apparatus. 有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。The schematic cross section which shows a one part process among the manufacturing methods of an organic electroluminescent apparatus. 有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。The schematic cross section which shows a one part process among the manufacturing methods of an organic electroluminescent apparatus. 有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例としてテレビを示す模式斜視図。The model perspective view which shows a television as an example of the electronic device provided with the organic EL apparatus. （ａ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置を構成する画素の構造を示す模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図。(A) is a schematic plan view which shows the structure of the pixel which comprises the organic EL apparatus of 2nd Embodiment, (b) is a schematic cross section along the BB 'line | wire of the organic EL apparatus shown to (a). 第３実施形態の有機ＥＬ装置を構成する画素の構造を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the structure of the pixel which comprises the organic electroluminescent apparatus of 3rd Embodiment. 図１０に示す有機ＥＬ装置のＣ−Ｃ'線に沿う模式断面図。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view taken along the line CC ′ of the organic EL device shown in FIG. 10.

（第１実施形態）
＜電気光学装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１を参照しながら説明する。なお、以下参照する各図面において構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、本実施形態の有機ＥＬ装置は、トップエミッション構造でもよいし、ボトムエミッション構造でも適用可能である。 (First embodiment)
<Configuration of electro-optical device>
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram showing an electrical configuration of an organic EL device as an electro-optical device. Hereinafter, the configuration of the organic EL device will be described with reference to FIG. In addition, in order to show the configuration in an easy-to-understand manner in each drawing referred to below, the layer thickness, dimensional ratio, angle and the like of each component are appropriately changed. Further, the organic EL device of the present embodiment may have a top emission structure or a bottom emission structure.

図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とを備えている。そして、走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線１３は、信号線駆動回路１５に接続されている。また、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。   As shown in FIG. 1, the organic EL device 11 includes a plurality of scanning lines 12, a plurality of signal lines 13 extending in a direction intersecting the scanning lines 12, and a plurality of power supply lines 14 extending in parallel to the signal lines 13. And. An area partitioned by the scanning line 12 and the signal line 13 is configured as a pixel area. The signal line 13 is connected to the signal line drive circuit 15. The scanning line 12 is connected to the scanning line driving circuit 16.

各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３とが設けられている。更に、各画素領域には、駆動用ＴＦＴ２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む第１電極としての陽極２４と、第２電極としての陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された機能層２６とが設けられている。   Each pixel region holds a switching TFT (Thin Film Transistor) 21 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 12 and a pixel signal supplied from the signal line 13 via the switching TFT 21. A storage capacitor 22 is provided, and a driving TFT 23 to which a pixel signal held by the storage capacitor 22 is supplied to the gate electrode is provided. Further, in each pixel region, when electrically connected to the power supply line 14 via the driving TFT 23, an anode 24 as a first electrode into which a drive current flows from the power supply line 14, and a cathode 25 as a second electrode. And a functional layer 26 sandwiched between the anode 24 and the cathode 25.

有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５と機能層２６とにより構成される発光素子２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。   The organic EL device 11 includes a plurality of light emitting elements 27 including an anode 24, a cathode 25, and a functional layer 26. In addition, the organic EL device 11 includes a display area composed of a plurality of light emitting elements 27.

この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。   According to this configuration, when the scanning line 12 is driven and the switching TFT 21 is turned on, the potential of the signal line 13 at that time is held in the holding capacitor 22, and the driving TFT 23 depends on the state of the holding capacitor 22. ON / OFF state is determined. A current flows from the power supply line 14 to the anode 24 through the channel of the driving TFT 23, and further a current flows to the cathode 25 through the functional layer 26. The functional layer 26 emits light with a luminance corresponding to the amount of current flowing therethrough.

図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。   FIG. 2 is a schematic plan view showing the configuration of the organic EL device. Hereinafter, the configuration of the organic EL device will be described with reference to FIG.

図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、ガラス等からなる基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。   As shown in FIG. 2, the organic EL device 11 includes a display region 32 (a region inside a one-dot chain line in the drawing) and a non-display region 33 (a region outside a one-dot chain line) on a substrate 31 made of glass or the like. It has become. The display area 32 is provided with an actual display area 32a (area inside the two-dot chain line) and a dummy area 32b (area outside the two-dot chain line in the figure).

実表示領域３２ａ内には、光が射出されるサブ画素３４（発光領域）がマトリクス状に配列されている。この、サブ画素３４の各々は、スイッチング用ＴＦＴ２１及び駆動用ＴＦＴ２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色を発光する構成となっている。   In the actual display area 32a, sub-pixels 34 (light emitting areas) from which light is emitted are arranged in a matrix. Each of the sub-pixels 34 emits light of R (red), G (green), and B (blue) in accordance with the operation of the switching TFT 21 and the driving TFT 23 (see FIG. 1). .

ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。   In the dummy area 32b, a circuit for mainly causing each sub-pixel 34 to emit light is provided. For example, the scanning line driving circuit 16 is disposed along the left side and the right side of the actual display region 32a in the drawing, and the inspection circuit 35 is disposed along the upper side of the actual display region 32a in the drawing.

基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。   A flexible substrate 36 is provided on the lower side of the substrate 31. The flexible substrate 36 is provided with a driving IC 37 connected to each wiring.

図３（ａ）は、有機ＥＬ装置のサブ画素の構造を示す模式平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ'線に沿うサブ画素の模式断面図である。以下、画素を備える有機ＥＬ装置の構成を、図３を参照しながら説明する。なお、図３（ａ）は、機能層２６、後述する第２隔壁部としての第２バンク６２、陰極２５などの図示を省略している。   FIG. 3A is a schematic plan view showing the structure of a sub-pixel of the organic EL device. FIG. 3B is a schematic cross-sectional view of the sub-pixel along the line AA ′ in FIG. Hereinafter, the configuration of an organic EL device including pixels will be described with reference to FIG. In FIG. 3A, illustration of the functional layer 26, a second bank 62 as a second partition wall described later, the cathode 25, and the like is omitted.

図３（ａ）に示すように、有機ＥＬ装置１１は、走査線１２と、信号線１３と、電源線１４とによって平面的に囲まれた発光領域（サブ画素３４）において発光が行われるものであり、スイッチング用ＴＦＴ２１と、保持容量２２と、駆動用ＴＦＴ２３と、陽極２４と、を有して構成されている。   As shown in FIG. 3A, the organic EL device 11 emits light in a light emitting region (subpixel 34) that is planarly surrounded by the scanning line 12, the signal line 13, and the power supply line 14. And includes a switching TFT 21, a storage capacitor 22, a driving TFT 23, and an anode 24.

具体的には、有機ＥＬ装置１１は、図３（ｂ）に示すように、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と、回路素子層４３上に形成された発光素子層４４とを有する。基板３１としては、例えば、透光性を有するガラス基板が挙げられる。   Specifically, as illustrated in FIG. 3B, the organic EL device 11 includes a substrate 31, a circuit element layer 43 formed on the substrate 31, and a light emitting element layer formed on the circuit element layer 43. 44. Examples of the substrate 31 include a glass substrate having translucency.

回路素子層４３には、基板３１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜４５が形成され、下地保護膜４５上に駆動用ＴＦＴ２３が形成されている。詳しくは、下地保護膜４５上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜４６が形成されている。半導体膜４６には、ソース領域４７及びドレイン領域４８が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５１となっている。 In the circuit element layer 43, a base protective film 45 made of a silicon oxide film (SiO 2 ) is formed on the substrate 31, and a driving TFT 23 is formed on the base protective film 45. Specifically, an island-shaped semiconductor film 46 made of a polysilicon film is formed on the base protective film 45. A source region 47 and a drain region 48 are formed in the semiconductor film 46 by introducing impurities. A portion where no impurity is introduced is a channel region 51.

更に、回路素子層４３には、下地保護膜４５及び半導体膜４６を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜５２が形成されている。ゲート絶縁膜５２上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などの低抵抗金属配線材料からなるゲート電極５３（走査線）が形成されている。   Further, a transparent gate insulating film 52 made of a silicon oxide film or the like that covers the base protective film 45 and the semiconductor film 46 is formed in the circuit element layer 43. On the gate insulating film 52, a gate electrode 53 (scanning line) made of a low resistance metal wiring material such as aluminum (Al), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), titanium (Ti), tungsten (W) is formed. Has been.

ゲート絶縁膜５２及びゲート電極５３上には、透明な第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５が形成されている。第１層間絶縁膜５４及び第２層間絶縁膜５５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）などから構成されている。ゲート電極５３は、半導体膜４６のチャネル領域５１に対応する位置に設けられている。 A transparent first interlayer insulating film 54 and a second interlayer insulating film 55 are formed on the gate insulating film 52 and the gate electrode 53. The first interlayer insulating film 54 and the second interlayer insulating film 55 are composed of, for example, a silicon oxide film (SiO 2 ), a titanium oxide film (TiO 2 ), or the like. The gate electrode 53 is provided at a position corresponding to the channel region 51 of the semiconductor film 46.

半導体膜４６のソース領域４７は、ゲート絶縁膜５２及び第１層間絶縁膜５４を貫通して設けられたコンタクトホール５６を介して、第１層間絶縁膜５４上に形成された電源線１４と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域４８は、ゲート絶縁膜５２、第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５を貫通して設けられたコンタクトホール５７を介して、第２層間絶縁膜５５上に形成された陽極２４と電気的に接続されている。   The source region 47 of the semiconductor film 46 is electrically connected to the power supply line 14 formed on the first interlayer insulating film 54 through a contact hole 56 provided through the gate insulating film 52 and the first interlayer insulating film 54. Connected. On the other hand, the drain region 48 is formed on the second interlayer insulating film 55 through a contact hole 57 provided through the gate insulating film 52, the first interlayer insulating film 54, and the second interlayer insulating film 55. It is electrically connected to the anode 24.

陽極２４は、例えば、発光領域４２ごとに形成されている。また、陽極２４は、透明なＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなり、例えば、平面的に直線部分と円弧部分とを有するトラック形状に形成されている（図３（ａ）参照）。なお、回路素子層４３には、保持容量２２及びスイッチング用ＴＦＴ２１（図３（ａ）参照）が形成されている。また、上記したように、回路素子層４３には、各陽極２４に接続された駆動用のトランジスター（駆動用ＴＦＴ２３）が形成されている。   The anode 24 is formed for each light emitting region 42, for example. The anode 24 is made of a transparent ITO (Indium Tin Oxide) film, and is formed in a track shape having a straight line portion and an arc portion in plan view (see FIG. 3A). In the circuit element layer 43, the storage capacitor 22 and the switching TFT 21 (see FIG. 3A) are formed. Further, as described above, in the circuit element layer 43, driving transistors (driving TFTs 23) connected to the respective anodes 24 are formed.

発光素子層４４は、マトリクス状に配置された発光素子２７（図１参照）を具備して基板３１上に形成されている。詳述すると、発光素子層４４は、陽極２４上に形成された機能層２６と、機能層２６を区画する第１隔壁部としての第１バンク６１及び第２バンク６２とを主体として構成されている。機能層２６は、例えば、正孔注入層６３と、発光層６４などから構成されている。   The light emitting element layer 44 includes the light emitting elements 27 (see FIG. 1) arranged in a matrix and is formed on the substrate 31. More specifically, the light emitting element layer 44 is mainly composed of a functional layer 26 formed on the anode 24, and a first bank 61 and a second bank 62 as first partition walls that partition the functional layer 26. Yes. The functional layer 26 includes, for example, a hole injection layer 63, a light emitting layer 64, and the like.

第１バンク６１は、陽極２４上の発光領域４２となる領域を囲むように、例えば、平面的に直線部分と円弧部分とを有するトラック形状に形成されている（図３（ａ）参照）。第１バンク６１の材料としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）などの無機材料である。第１バンク６１は、第２バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａの高さを、その周囲の高さと比較して高くするために設けられている。つまり、周縁部６２ａの高さを高く形成し、その部分に撥液材６６を転写させるために設けられている。 The first bank 61 is formed, for example, in a track shape having a straight line portion and an arc portion in plan so as to surround a region to be the light emitting region 42 on the anode 24 (see FIG. 3A). The material of the first bank 61 is, for example, an inorganic material such as a silicon oxide film (SiO 2 ) or a silicon nitride film (SiN). The first bank 61 is provided in order to increase the height of the peripheral edge portion 62a of the opening hole 65 in the second bank 62 as compared with the surrounding height. That is, the peripheral edge 62a is formed to have a high height, and the liquid repellent material 66 is transferred to that portion.

第１バンク６１の周辺にある配線（走査線１２、信号線１３、電源線１４など）の厚みは、例えば、０．４μｍである。また、駆動用ＴＦＴ２３の厚みは、例えば、０．４μｍである。また、第１バンク６１が無機材料から形成されるので、開口穴６５の中の濡れ性を確保することができる。また、第１バンク６１の開口穴の端部が第２バンク６２の開口穴６５の端部より開口穴６５の内側に出るように設けられているので、発光層６４の膜厚が開口穴６５の中央部分に比べて変動し易い開口穴６５の周縁部分を隠すことが可能となり、発光領域４２における発光ムラを抑えることができる。   The thickness of the wiring (scanning line 12, signal line 13, power supply line 14, etc.) around the first bank 61 is, for example, 0.4 μm. The thickness of the driving TFT 23 is, for example, 0.4 μm. Further, since the first bank 61 is formed from an inorganic material, the wettability in the opening hole 65 can be ensured. Further, since the end of the opening hole of the first bank 61 is provided so as to protrude from the end of the opening hole 65 of the second bank 62 to the inside of the opening hole 65, the film thickness of the light emitting layer 64 is set to the opening hole 65. It is possible to hide the peripheral portion of the opening hole 65 that is more likely to change than the central portion of the light emitting region, and light emission unevenness in the light emitting region 42 can be suppressed.

第２バンク６２は、発光領域４２を除く基板３１上の全体に設けられている。第２バンク６２の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料である。   The second bank 62 is provided on the entire substrate 31 except for the light emitting region 42. The material of the second bank 62 is, for example, an organic material such as an acrylic resin or a polyimide resin.

第２バンク６２は、例えば、断面に見て傾斜面を有する略台形状であり、発光領域４２（発光素子２７）を囲むように形成されている。つまり、第２バンク６２によって囲まれた領域が開口穴６５となる。   The second bank 62 has, for example, a substantially trapezoidal shape having an inclined surface when viewed in cross section, and is formed so as to surround the light emitting region 42 (light emitting element 27). That is, the region surrounded by the second bank 62 becomes the opening hole 65.

また、第２バンク６２は、発光領域４２の周縁に第１バンク６１が設けられていることにより、開口穴６５の周縁部６２ａの高さが、他の領域の高さと比較して、高くなっている。   In addition, since the second bank 62 is provided with the first bank 61 at the periphery of the light emitting region 42, the height of the peripheral portion 62a of the opening hole 65 is higher than the height of other regions. ing.

第２バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａには、機能層２６となる機能材料としての機能液が開口穴６５から溢れないようにするための撥液材６６が設けられている。具体的には、撥液材６６を転写法を用いて設けることにより、他の領域に比較して高い位置にある開口穴６５の周縁部６２ａに撥液性を付与することができる。これにより、開口穴６５の中に塗布された機能液を開口穴６５の中に留めておくことが可能となり、隣りの開口穴６５に機能液が流れ出ることを防ぐことができる。撥液材６６としては、例えば、フッ素系の樹脂である。   A liquid repellent material 66 is provided at the peripheral edge 62 a of the opening hole 65 in the second bank 62 so that the functional liquid as a functional material for the functional layer 26 does not overflow from the opening hole 65. Specifically, by providing the liquid repellent material 66 using a transfer method, liquid repellency can be imparted to the peripheral edge portion 62a of the opening hole 65 located at a higher position than other regions. As a result, the functional liquid applied in the opening hole 65 can be retained in the opening hole 65, and the functional liquid can be prevented from flowing out to the adjacent opening hole 65. The liquid repellent material 66 is, for example, a fluorine resin.

ここで、「撥液性が高い」とは、液体（機能液）との接触角が相対的に大きいことを指す。つまり、撥液性が高くなった開口穴６５の周縁部６２ａから、外部に液体が溢れにくくなったと言える。一方、「撥液性が低い」とは、液体との接触角が相対的に小さいことを指す。つまり、液体（機能液）が塗布される開口穴６５の周縁部６２ａに撥液性が付与されているので、開口穴６５から液体（機能液）が溢れ難く、開口穴６５の中に液体（機能液）が充填しやすくなったと言える。   Here, “high liquid repellency” refers to a relatively large contact angle with a liquid (functional liquid). In other words, it can be said that the liquid is less likely to overflow to the outside from the peripheral edge 62a of the opening hole 65 having improved liquid repellency. On the other hand, “low liquid repellency” means that the contact angle with the liquid is relatively small. That is, since the liquid repellency is imparted to the peripheral edge 62a of the opening hole 65 to which the liquid (functional liquid) is applied, the liquid (functional liquid) is unlikely to overflow from the opening hole 65, and the liquid ( It can be said that the functional liquid is easier to fill.

機能層２６は、上記したように、正孔注入層６３と発光層６４とを有して構成されており、第１バンク６１及び第２バンク６２に囲まれた領域、すなわち開口穴６５の中に、インクジェット法を用いて順に形成される。   As described above, the functional layer 26 is configured to include the hole injection layer 63 and the light emitting layer 64, and is in a region surrounded by the first bank 61 and the second bank 62, that is, in the opening hole 65. In addition, the layers are sequentially formed using an inkjet method.

正孔注入層６３は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層６３は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などから構成することができる。   The hole injection layer 63 is composed of a conductive polymer layer containing a dopant in a conductive polymer material. Such a hole injection layer 63 can be composed of, for example, 3,4-polyethylenedioxythiophene (PEDOT-PSS) containing polystyrene sulfonic acid as a dopant.

発光層６４は、正孔注入層６３の上に形成されており、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。機能層２６上及び第２バンク６２上を含む基板３１上の全体には、陰極２５が全面成膜（ベタ成膜）されている。   The light emitting layer 64 is formed on the hole injection layer 63 and is a layer of an organic light emitting material that exhibits an electroluminescence phenomenon. The cathode 25 is formed on the entire surface of the substrate 31 including the functional layer 26 and the second bank 62 (solid film formation).

陰極２５は、例えば、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層体である。陰極２５の上には、水や酸素の侵入を防ぐための、無機材料や有機樹脂などからなる封止部材（図示せず）が積層されている。   The cathode 25 is, for example, a laminate of calcium (Ca) and aluminum (Al). On the cathode 25, a sealing member (not shown) made of an inorganic material, an organic resin, or the like for preventing intrusion of water or oxygen is laminated.

上述した発光層６４は、陽極２４と陰極２５との間に電圧を印加することによって、発光層６４には、正孔注入層６３から正孔が、また、陰極２５から電子が注入される。発光層６４において、これらが結合したときに光を発する。以下、インクジェット法を用いて、有機ＥＬ装置１１を形成する方法について説明する。   In the light emitting layer 64 described above, a voltage is applied between the anode 24 and the cathode 25, whereby holes are injected from the hole injection layer 63 and electrons are injected from the cathode 25 into the light emitting layer 64. The light emitting layer 64 emits light when they are combined. Hereinafter, a method for forming the organic EL device 11 using the inkjet method will be described.

＜電気光学装置の製造方法＞
図４は、電気光学装置の製造方法としての有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図である。図５〜図７は、有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図４〜図７を参照しながら説明する。なお、図５〜図７は、回路素子層４３などの図示を省略している。 <Method of manufacturing electro-optical device>
FIG. 4 is a process diagram showing a method for manufacturing an organic EL device as a method for manufacturing an electro-optical device. 5 to 7 are schematic cross-sectional views illustrating some steps in the method of manufacturing the organic EL device. Hereinafter, a method for manufacturing the organic EL device will be described with reference to FIGS. 5-7, illustration of the circuit element layer 43 etc. is abbreviate | omitted.

まず、ステップＳ１１（配線回路形成工程）では、基板３１上に公知の成膜技術を用いて回路素子層４３を形成する。具体的には、基板３１上に駆動用ＴＦＴ２３や走査線１２や信号線１３などを形成する。第２層間絶縁膜５５の表面は、駆動用ＴＦＴ２３や配線（１２，１３，１４）の厚みに影響を受けて凹凸状になっている（図３（ｂ）参照）。   First, in step S11 (wiring circuit forming step), the circuit element layer 43 is formed on the substrate 31 using a known film forming technique. Specifically, the driving TFT 23, the scanning line 12, the signal line 13, and the like are formed on the substrate 31. The surface of the second interlayer insulating film 55 is uneven due to the influence of the thickness of the driving TFT 23 and the wiring (12, 13, 14) (see FIG. 3B).

ステップＳ１２では、第２層間絶縁膜５５上における発光領域４２周辺に、ＩＴＯからなる陽極２４を形成する。   In step S <b> 12, the anode 24 made of ITO is formed around the light emitting region 42 on the second interlayer insulating film 55.

ステップＳ１３（隔壁部形成工程、第１隔壁部形成工程）では、陽極２４の周縁部に第１バンク６１を形成する。具体的には、例えば、第１バンク６１の材料である酸化シリコン（ＳｉＯ2）を含む絶縁層を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、基板３１上を覆うように形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁層のうち陽極２４の周縁部を除く部分を除去する。これにより、第１バンク６１が完成する。なお、第１バンク６１の厚みは、例えば、０．５μｍである。 In step S <b> 13 (partition wall forming process, first partition part forming process), the first bank 61 is formed on the peripheral edge of the anode 24. Specifically, for example, an insulating layer containing silicon oxide (SiO 2 ) that is a material of the first bank 61 is formed so as to cover the substrate 31 by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like. Next, a portion of the insulating layer excluding the peripheral portion of the anode 24 is removed using a photolithography technique and an etching technique. Thereby, the first bank 61 is completed. The thickness of the first bank 61 is, for example, 0.5 μm.

ステップＳ１４（隔壁部形成工程、第２隔壁部形成工程）では、図５に示すように、基板３１上における発光領域４２を除く領域に第２バンク６２を形成する。第２バンク６２の形成方法としては、まず、基板３１上にポリイミドやアクリルなどの有機材料を塗布する。次に、有機材料を乾燥させて有機層を形成する。次に、有機層における発光領域４２の部分を除去する。これにより第２バンク６２が完成する。   In step S14 (partition wall forming step, second partition portion forming step), as shown in FIG. 5, the second bank 62 is formed in a region on the substrate 31 excluding the light emitting region. As a method for forming the second bank 62, first, an organic material such as polyimide or acrylic is applied on the substrate 31. Next, the organic material is dried to form an organic layer. Next, the portion of the light emitting region 42 in the organic layer is removed. Thereby, the second bank 62 is completed.

第２バンク６２の開口穴６５の周縁部６２ａは、図５に示すように、下層に第１バンク６１が形成されているので、他の領域の高さと比較して高くなっている。なお、第２バンク６２の厚みは、例えば、２μｍである。上述した有機材料を用いて第２バンク６２を形成するので、第１バンク６１に比べて厚い（高さがある）第２バンク６２を比較的容易に形成できる。   As shown in FIG. 5, the peripheral edge 62a of the opening hole 65 of the second bank 62 is higher than the height of other regions because the first bank 61 is formed in the lower layer. For example, the thickness of the second bank 62 is 2 μm. Since the second bank 62 is formed using the organic material described above, the second bank 62 that is thicker (has a height) than the first bank 61 can be formed relatively easily.

ステップＳ１５（転写工程）では、転写法を用いて第２バンク６２に撥液材６６を転写する。具体的には、第２バンク６２の上面の高い部分、つまり、開口穴６５の周縁部６２ａに確実に撥液材６６を転写することができる。   In step S15 (transfer process), the liquid repellent material 66 is transferred to the second bank 62 using a transfer method. Specifically, the liquid repellent material 66 can be reliably transferred to the high portion of the upper surface of the second bank 62, that is, the peripheral edge 62 a of the opening hole 65.

転写法は、例えば、図６に示す転写装置７１によって行われる。転写装置７１は、有機ＥＬ装置１１となる前の段階の基板１１ａを搬送する搬送ベルト７２及び搬送ローラー７３と、撥液材６６が塗布された撥液材付フィルム７４を搬送する供給ローラー７５と、テンションローラー７６と、転写ローラー７７と、圧着ローラー７８とを備えている。   The transfer method is performed, for example, by a transfer device 71 shown in FIG. The transfer device 71 includes a transport belt 72 and a transport roller 73 for transporting the substrate 11a at a stage before becoming the organic EL device 11, and a supply roller 75 for transporting the film 74 with a liquid repellent material coated with the liquid repellent material 66. A tension roller 76, a transfer roller 77, and a pressure roller 78 are provided.

撥液材付フィルム７４は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）のフィルムにフッ素系の樹脂（撥液材）がコーティングされたものである。   The film 74 with a liquid repellent material is, for example, a film of PET (polyethylene terephthalate) coated with a fluorine-based resin (liquid repellent material).

基板１１ａは、搬送ベルト７２に載置されており、複数の搬送ローラー７３と圧着ローラー７８とによって、所定の方向に搬送される。撥液材付フィルム７４は、供給ローラー７５から供給され、テンションローラー７６によって搬送方向が規定される。撥液材付フィルム７４の撥液材６６は、転写ローラー７７が圧着ローラー７８側に可動することにより、撥液材付フィルム７４と基板１１ａとを圧着（例えば、熱圧着）し、接触した部分の撥液材６６が基板１１ａ転写される。   The substrate 11 a is placed on the transport belt 72 and is transported in a predetermined direction by a plurality of transport rollers 73 and a pressure roller 78. The film 74 with liquid repellent material is supplied from a supply roller 75, and the conveying direction is defined by a tension roller 76. The liquid repellent material 66 of the film 74 with liquid repellent material is a portion where the transfer roller 77 is moved to the pressure roller 78 side so that the film 74 with liquid repellent material and the substrate 11a are pressure-bonded (for example, thermocompression bonding). The liquid repellent material 66 is transferred to the substrate 11a.

なお、第２バンク６２において、撥液材６６を設けたい部分（開口穴６５の周縁部６２ａ）の高さと、それ以外の部分（配線１３，１４や駆動用ＴＦＴ２３などの上）の高さとの関係は、必ずしも周縁部６２ａが高くならなくてもよい。具体的には、転写ローラー７７と圧着ローラー７８との圧着により転写可能な段差の範囲であればよい。例えば、第２バンク６２において、周縁部６２ａとそれ以外の部分の高さの段差が、±０．１μｍ以内であれば、第２バンク６２の上面全体に亘って撥液材６６を転写することも可能である。   In the second bank 62, the height of the portion where the liquid repellent material 66 is to be provided (peripheral portion 62a of the opening hole 65) and the height of other portions (above the wirings 13, 14 and the driving TFT 23). As for the relationship, the peripheral edge 62a does not necessarily have to be high. Specifically, it may be in a range of steps that can be transferred by pressure bonding between the transfer roller 77 and the pressure roller 78. For example, in the second bank 62, the liquid repellent material 66 is transferred over the entire upper surface of the second bank 62 if the height difference between the peripheral edge 62 a and the other portion is within ± 0.1 μm. Is also possible.

これによれば、図７（ａ）に示すように、第２バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａに確実に撥液材６６を転写することができる。   According to this, as shown in FIG. 7A, the liquid repellent material 66 can be reliably transferred to the peripheral edge 62 a of the opening hole 65 in the second bank 62.

ステップＳ１６（塗布工程）では、図７（ｂ）に示すように、第２バンク６２の開口穴６５に機能液２６ａを吐出する。具体的には、機能液２６ａの液滴を、液滴吐出法（例えば、インクジェット法）を用いて、陽極２４を底部とし第１バンク６１及び第２バンク６２を側壁とする凹部に向けて吐出する。機能液としては、正孔注入層６３の材料を含んだ機能液や、発光層６４の材料を含んだ機能液２６ａなどである。以下、発光層６４を例に説明する。   In step S <b> 16 (application process), as shown in FIG. 7B, the functional liquid 26 a is discharged into the opening hole 65 of the second bank 62. Specifically, the droplet of the functional liquid 26a is discharged toward a recess having the anode 24 as a bottom and the first bank 61 and the second bank 62 as a sidewall using a droplet discharge method (for example, an ink jet method). To do. Examples of the functional liquid include a functional liquid containing a material for the hole injection layer 63 and a functional liquid 26 a containing a material for the light emitting layer 64. Hereinafter, the light emitting layer 64 will be described as an example.

ステップＳ１７では、図７（ｃ）に示すように、機能液２６ａを乾燥させて発光層６４を形成する。詳しくは、機能液２６ａを高温環境下又は減圧下で乾燥して溶媒を蒸発させて固形化する。これにより、開口穴６５の中に発光層６４が形成される。   In step S17, as shown in FIG.7 (c), the functional liquid 26a is dried and the light emitting layer 64 is formed. Specifically, the functional liquid 26a is dried in a high-temperature environment or under reduced pressure to evaporate the solvent and solidify. Thereby, the light emitting layer 64 is formed in the opening hole 65.

上述したように、第２バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａに撥液性が確実に付与されているので、機能液２６ａが開口穴６５の外側に溢れることを抑えることができる。   As described above, since the liquid repellency is reliably imparted to the peripheral edge portion 62 a of the opening hole 65 in the second bank 62, it is possible to prevent the functional liquid 26 a from overflowing to the outside of the opening hole 65.

ステップＳ１８では、発光層６４が形成された基板３１上の略全体に、カルシウム膜及びアルミニウム膜をこの順に、例えば蒸着法によって積層させることにより、陰極２５（図３（ｂ）参照）を形成する。   In step S18, the cathode 25 (see FIG. 3B) is formed by laminating a calcium film and an aluminum film in this order, for example, by vapor deposition on substantially the entire surface of the substrate 31 on which the light emitting layer 64 is formed. .

ステップＳ１９では、陰極２５上に、例えば、接着剤及びガラス基板を用いて封止を行うことにより有機ＥＬ装置１１が完成する。   In step S19, the organic EL device 11 is completed by sealing on the cathode 25 using, for example, an adhesive and a glass substrate.

＜電子機器の構成＞
図８は、上記した有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例としてテレビを示す模式斜視図である。以下、有機ＥＬ装置を備えたテレビの構成を、図８を参照しながら説明する。 <Configuration of electronic equipment>
FIG. 8 is a schematic perspective view showing a television as an example of an electronic apparatus provided with the above-described organic EL device. Hereinafter, the configuration of a television provided with an organic EL device will be described with reference to FIG.

図８に示すように、テレビ８１は、表示部８２と、枠部８３と、脚部８４と、リモコン８５とを有する。表示部８２は、内部に組み込まれた有機ＥＬ装置１１によって、均一に発光することができる等、高品位な表示を行うことができる。なお、上記した有機ＥＬ装置１１は、上記テレビの他、ディスプレイ、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器、照明機器、光プリンターの光源などの各種電子機器に用いることができる。   As shown in FIG. 8, the television 81 includes a display unit 82, a frame unit 83, a leg unit 84, and a remote controller 85. The display unit 82 can perform high-quality display such that the organic EL device 11 incorporated therein can emit light uniformly. The above-described organic EL device 11 can be used for various electronic devices such as a display, a mobile computer, a digital camera, a digital video camera, an in-vehicle device, an audio device, a lighting device, and a light source of an optical printer, in addition to the television. .

以上詳述したように、第１実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the first embodiment, the following effects can be obtained.

（１）第１実施形態の有機ＥＬ装置１１およびその製造方法は、陽極２４の周囲に形成された第１バンク６１の高さが配線１３，１４や駆動用ＴＦＴ２３の高さと比較して高くなるように形成すると共に、第１バンク６１の上に第２バンク６２を形成するので、開口穴６５の周縁部６２ａの高さを第２バンク６２の他の領域の高さと比較して高くすることができる。よって、転写法を用いて周縁部６２ａに選択的に撥液材６６を転写することが可能となり、開口穴６５の中に機能液２６ａを塗布した際、開口穴６５の中から外部に機能液２６ａが溢れ出ることを抑えることができる。これにより、混色を防ぐことができる。また、撥液材６６が転写されている部分が開口穴６５の周縁部６２ａなので、陽極２４の表面の濡れ性を低下させることがなく、開口穴６５の中に機能液２６ａを濡れ広げることが可能となり十分な量の機能液２６ａを充填することができる。その結果、膜厚ムラが少ない機能層２６を形成でき、発光ムラを少なくすることができる。   (1) In the organic EL device 11 and the manufacturing method thereof according to the first embodiment, the height of the first bank 61 formed around the anode 24 is higher than the heights of the wirings 13 and 14 and the driving TFT 23. Since the second bank 62 is formed on the first bank 61, the height of the peripheral edge 62a of the opening 65 is made higher than the height of other regions of the second bank 62. Can do. Therefore, the liquid repellent material 66 can be selectively transferred to the peripheral edge portion 62a by using the transfer method, and when the functional liquid 26a is applied into the opening hole 65, the functional liquid is transferred from the opening hole 65 to the outside. 26a can be prevented from overflowing. Thereby, color mixing can be prevented. In addition, since the portion to which the liquid repellent material 66 is transferred is the peripheral edge 62a of the opening hole 65, the functional liquid 26a can be spread and spread into the opening hole 65 without reducing the wettability of the surface of the anode 24. It becomes possible and can be filled with a sufficient amount of the functional liquid 26a. As a result, the functional layer 26 with little film thickness unevenness can be formed, and light emission unevenness can be reduced.

（２）第１実施形態の電子機器は、上記した有機ＥＬ装置１１を備えているので、発光領域４２において均一な膜厚の機能層２６が得られ、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。   (2) Since the electronic apparatus of the first embodiment includes the organic EL device 11 described above, the electronic device capable of improving the display quality by obtaining the functional layer 26 having a uniform thickness in the light emitting region 42. Equipment can be provided.

（第２実施形態）
＜電気光学装置の構造＞
図９（ａ）は、第２実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置を構成するサブ画素の構造を示す模式平面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）のＢ−Ｂ'線に沿うサブ画素の模式断面図である。以下、画素を備えた有機ＥＬ装置の構成を、図９（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。 (Second Embodiment)
<Structure of electro-optical device>
FIG. 9A is a schematic plan view showing the structure of a sub-pixel constituting the organic EL device as the electro-optical device of the second embodiment. FIG. 9B is a schematic cross-sectional view of the sub-pixel along the line BB ′ in FIG. Hereinafter, the configuration of an organic EL device including pixels will be described with reference to FIGS. 9 (a) and 9 (b).

なお、図９（ａ）及び（ｂ）に示す有機ＥＬ装置１１１は、第１実施形態と同様に、上記した機能層２６及び陰極２５等の図示を省略している。また、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１は、第２バンク１６２における開口穴６５の周縁部１６２ａ，１６２ｂのうち直線の周縁部１６２ａの高さが、円弧の周縁部１６２ｂの高さと比較して高くなるように設けられている点が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。   In the organic EL device 111 shown in FIGS. 9A and 9B, the functional layer 26, the cathode 25, and the like are not shown in the same manner as in the first embodiment. Further, in the organic EL device 111 of the second embodiment, the height of the straight peripheral edge 162a out of the peripheral edges 162a and 162b of the opening hole 65 in the second bank 162 is compared with the height of the arc peripheral edge 162b. The point provided so that it may become high differs from 1st Embodiment. Hereinafter, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted or simplified here.

図９（ａ）に示すように、有機ＥＬ装置１１１は、第１実施形態と同様に、信号線１３と、走査線１２と、電源線１４とによって平面的に囲まれた発光領域４２（画素１３４）において発光が行われるものであり、スイッチング用ＴＦＴ２１と、保持容量２２と、駆動用ＴＦＴ２３と、陽極２４と、を有して構成されている。   As shown in FIG. 9A, the organic EL device 111 includes a light emitting region 42 (pixel) that is planarly surrounded by the signal line 13, the scanning line 12, and the power supply line 14, as in the first embodiment. 134), light emission is performed, and includes a switching TFT 21, a storage capacitor 22, a driving TFT 23, and an anode 24.

詳述すると、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１は、図９に示すように、開口穴６５における直線部分の領域に相当する第１バンク１６１ａの高さが、円弧部分の領域に相当する第１バンクの高さと比較して高くなるように設けられている。これにより、第１バンク１６１上に設けられた第２バンク１６２において、開口穴６５の周縁部１６２ａ，１６２ｂのうち直線部分の周縁部１６２ａの高さが円弧部分の高さより高くなっている。   More specifically, in the organic EL device 111 of the second embodiment, as shown in FIG. 9, the height of the first bank 161a corresponding to the region of the straight portion in the opening hole 65 corresponds to the region of the arc portion. It is provided to be higher than the height of one bank. As a result, in the second bank 162 provided on the first bank 161, the height of the peripheral edge portion 162a of the straight line portion of the peripheral edge portions 162a and 162b of the opening hole 65 is higher than the height of the arc portion.

更に、第２バンク１６２の開口穴６５の周縁部１６２ａ，１６２ｂに撥液材６６が設けられている。このように、開口穴６５における円弧の部分に比べて機能液２６ａ（図７（ｂ）参照）が溢れやすい直線部分の領域の高さが高いので、開口穴６５の中に正孔注入層６３や発光層６４などの機能液（２６ａ）を吐出した際、開口穴６５から機能液２６ａが外部に溢れ出すことを抑えることができる。以下、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１を形成する方法について説明する。なお、第１実施形態の有機ＥＬ装置１１の製造方法と比較して異なる部分を主体に説明する。   Further, a liquid repellent material 66 is provided on the peripheral edge portions 162 a and 162 b of the opening hole 65 of the second bank 162. As described above, since the height of the region of the straight line portion where the functional liquid 26a (see FIG. 7B) easily overflows is higher than the arc portion of the opening hole 65, the hole injection layer 63 is placed in the opening hole 65. When the functional liquid (26a) such as the light emitting layer 64 is discharged, the functional liquid 26a can be prevented from overflowing from the opening hole 65 to the outside. Hereinafter, a method for forming the organic EL device 111 of the second embodiment will be described. In addition, a description will be mainly given of different portions as compared with the manufacturing method of the organic EL device 11 of the first embodiment.

＜電気光学装置の製造方法＞
第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１の製造方法は、図４に示した第１実施形態の有機ＥＬ装置１１の製造方法と基本的に同様であって、以下、第１実施形態と異なる部分について説明する。 <Method of manufacturing electro-optical device>
The manufacturing method of the organic EL device 111 of the second embodiment is basically the same as the manufacturing method of the organic EL device 11 of the first embodiment shown in FIG. explain.

ステップＳ１３では、図９（ｂ）に示すように、第２層間絶縁膜５５上に第１バンク１６１を形成する。詳述すると、駆動用ＴＦＴ２３や配線１２，１３などが形成されている領域の第２層間絶縁膜５５の高さより、陽極２４の周縁部分が高くなるように、陽極２４の周縁部分に第１バンク１６１を形成する。   In step S13, as shown in FIG. 9B, the first bank 161 is formed on the second interlayer insulating film 55. More specifically, the first bank is provided in the peripheral portion of the anode 24 so that the peripheral portion of the anode 24 is higher than the height of the second interlayer insulating film 55 in the region where the driving TFT 23 and the wirings 12 and 13 are formed. 161 is formed.

第１バンク１６１の形成方法としては、例えば、第２層間絶縁膜５５上に一つ目のマスクを用いて陽極２４の周縁部の全周に一層目の第１バンク１６１を成膜する。次に、二つ目のマスクを用いて陽極２４の周縁部のうち直線部分のみに二層目の第１バンク１６１を成膜する。これにより、第１バンク１６１（１６１ａ）の高さが駆動用ＴＦＴ２３や配線１２，１３などが形成された領域の高さより高くなると共に、第１バンク１６１における円弧の領域の第１バンク１６１の高さより直線部分の領域の第１バンク１６１ａの高さを高くすることができる。   As a method of forming the first bank 161, for example, the first bank 161 is formed on the entire periphery of the peripheral portion of the anode 24 on the second interlayer insulating film 55 using the first mask. Next, a second layer of the first bank 161 is formed only on the straight line portion of the peripheral edge of the anode 24 using the second mask. As a result, the height of the first bank 161 (161a) becomes higher than the height of the region where the driving TFT 23, the wirings 12, 13 and the like are formed, and the height of the first bank 161 in the arc region of the first bank 161 is increased. Thus, the height of the first bank 161a in the region of the straight line portion can be increased.

次に、ステップＳ１４では、基板３１上における発光領域４２を除く領域に第２バンク１６２を形成する。第２バンク１６２の形成方法は、第１実施形態と同様である。ステップＳ１３において第１バンク１６１を形成したので、第１バンク１６１が形成された領域の第２バンク１６２の高さは、他の領域の第２バンク１６２の高さと比べて高くなっている。   Next, in step S <b> 14, the second bank 162 is formed in a region excluding the light emitting region 42 on the substrate 31. The method for forming the second bank 162 is the same as in the first embodiment. Since the first bank 161 is formed in step S13, the height of the second bank 162 in the region where the first bank 161 is formed is higher than the height of the second bank 162 in the other region.

更に、発光領域４２（開口穴６５）の周縁領域において、円弧部分の第２バンク１６２の高さに比べて、直線部分の第２バンク１６２の高さが高くなっている。   Further, in the peripheral region of the light emitting region 42 (opening hole 65), the height of the second bank 162 in the straight line portion is higher than the height of the second bank 162 in the arc portion.

ステップＳ１５では、第２バンク１６２に撥液材６６を転写する。具体的には、第２バンク１６２の表面における高い部分、つまり、第２バンク１６２における開口穴６５の周縁部１６２ａ，１６２ｂに撥液材６６が転写される。   In step S <b> 15, the liquid repellent material 66 is transferred to the second bank 162. Specifically, the liquid repellent material 66 is transferred to a high portion on the surface of the second bank 162, that is, to the peripheral portions 162 a and 162 b of the opening hole 65 in the second bank 162.

これによれば、図９に示すように、第２バンク１６２の表面の中で高さの高い領域（１６２ａ，１６２ｂ）に撥液材６６を転写することができ、開口穴６５の周縁部のうち直線部分の高さを、円弧部分の高さと比較して高くすることができる。なお、開口穴６５のうち円弧部分では、液体が溢れにくいので、撥液材６６は円弧部分において必ずしも転写されなくてもよい。   According to this, as shown in FIG. 9, the liquid repellent material 66 can be transferred to the high areas (162 a, 162 b) on the surface of the second bank 162, and the peripheral portion of the opening hole 65 can be transferred. Of these, the height of the straight line portion can be made higher than the height of the arc portion. In addition, since the liquid is unlikely to overflow in the arc portion of the opening hole 65, the liquid repellent material 66 does not necessarily have to be transferred in the arc portion.

ステップＳ１６では、第１バンク１６１及び第２バンク１６２で囲まれた開口穴６５の中に機能液２６ａを吐出する。なお、機能液２６ａの吐出方法は、第１実施形態と同様である。開口穴６５の周縁部において円弧部分より液体が溢れやすい直線部分の高さが高いので、機能液２６ａが開口穴６５から外部に溢れ出ることを抑えることができる。以下、第１実施形態と同様に、ステップＳ１７からステップＳ１９まで実施することにより、有機ＥＬ装置１１１が完成する。   In step S <b> 16, the functional liquid 26 a is discharged into the opening hole 65 surrounded by the first bank 161 and the second bank 162. The method for discharging the functional liquid 26a is the same as that in the first embodiment. Since the height of the straight line portion where the liquid tends to overflow from the arc portion at the peripheral edge of the opening hole 65 is higher, the functional liquid 26a can be prevented from overflowing from the opening hole 65 to the outside. Thereafter, similarly to the first embodiment, the organic EL device 111 is completed by performing steps S17 to S19.

以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）、（２）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the second embodiment, in addition to the effects (1) and (2) of the first embodiment described above, the following effects can be obtained.

（３）第２実施形態によれば、第２バンク１６２の開口穴６５の周縁部１６２ａ，１６２ｂにおいて、直線部分の周縁部１６２ａの高さが円弧部分の周縁部１６２ｂの高さより高くなるように第１バンク１６１ａを用いて形成するので、開口穴６５の中に機能液２６ａを塗布した際、機能液２６ａが直線部分の領域の周縁部１６２ａから外部に溢れることを抑えることができる。よって、開口穴６５の中に機能液２６ａを十分に充填することができる。   (3) According to the second embodiment, in the peripheral portions 162a and 162b of the opening hole 65 of the second bank 162, the height of the peripheral portion 162a of the linear portion is higher than the height of the peripheral portion 162b of the arc portion. Since it forms using the 1st bank 161a, when apply | coating the functional liquid 26a in the opening hole 65, it can suppress that the functional liquid 26a overflows outside from the peripheral part 162a of the area | region of a linear part. Therefore, the functional liquid 26 a can be sufficiently filled in the opening hole 65.

（第３実施形態）
＜電気光学装置の構造＞
図１０は、第３実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置を構成する画素の構造を示す模式平面図である。図１１は、図１０に示す有機ＥＬ装置のＣ−Ｃ'線に沿う模式断面図である。以下、画素を備えた有機ＥＬ装置の構成を、図１０及び図１１を参照しながら説明する。 (Third embodiment)
<Structure of electro-optical device>
FIG. 10 is a schematic plan view showing the structure of a pixel constituting the organic EL device as the electro-optical device of the third embodiment. FIG. 11 is a schematic cross-sectional view taken along the line CC ′ of the organic EL device shown in FIG. Hereinafter, the configuration of an organic EL device including pixels will be described with reference to FIGS.

なお、図１０及び図１１に示す有機ＥＬ装置２１１は、第１実施形態と同様に、上記した機能層２６及び陰極２５等の図示を省略している。また、第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１は、開口穴６５の直線領域に相当する領域に第１バンク２６１ａ，２６１ｂが設けられていると共に、第１バンク２６１ａ，２６１ｂが隣接する画素２３４（発光領域４２）に跨って設けられている部分が、第２実施形態と異なっている。以下、第２実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。   Note that the organic EL device 211 shown in FIGS. 10 and 11 does not show the functional layer 26, the cathode 25, and the like, as in the first embodiment. In the organic EL device 211 of the third embodiment, the first banks 261a and 261b are provided in a region corresponding to the linear region of the opening hole 65, and the pixels 234 (light emission) adjacent to the first banks 261a and 261b are provided. The portion provided across the region 42) is different from the second embodiment. Hereinafter, the same components as those of the second embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted or simplified here.

図１０に示すように、第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１は、第１実施形態及び第２実施形態と同様に、信号線１３と、走査線１２と、電源線１４とによって平面的に囲まれた発光領域４２（画素２３４）において発光が行われるものであり、スイッチング用ＴＦＴ２１と、保持容量２２と、駆動用ＴＦＴ２３と、陽極２４と、を有して構成されている。   As shown in FIG. 10, the organic EL device 211 according to the third embodiment is planarly surrounded by the signal line 13, the scanning line 12, and the power supply line 14, as in the first and second embodiments. The light emitting region 42 (pixel 234) emits light, and includes a switching TFT 21, a storage capacitor 22, a driving TFT 23, and an anode 24.

詳述すると、第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１は、ＲＧＢ配置がストライプ配置であり、図１０に示すように、開口穴６５における直線部分に相当する領域に第１バンク２６１ａ，２６１ｂが設けられていると共に、第１バンク２６１ａ，２６１ｂが隣接する画素２３４（発光領域４２）に亘って連続して設けられている。言い換えれば、共通バンクとして用いることができる。このように、発光領域４２を区画することは、一つの発光領域４２を区画するだけでなく、複数の発光領域４２を区画することも含む。これにより、第１バンク２６１ａ，２６１ｂ上に設けられる第２バンク２６２の高さを高くすることができ、撥液材６６を転写することができる。   More specifically, in the organic EL device 211 of the third embodiment, the RGB arrangement is a stripe arrangement, and the first banks 261a and 261b are provided in a region corresponding to the straight line portion in the opening hole 65 as shown in FIG. In addition, the first banks 261a and 261b are continuously provided over the adjacent pixels 234 (light emitting region 42). In other words, it can be used as a common bank. In this manner, partitioning the light emitting region 42 includes not only partitioning one light emitting region 42 but also partitioning a plurality of light emitting regions 42. Accordingly, the height of the second bank 262 provided on the first banks 261a and 261b can be increased, and the liquid repellent material 66 can be transferred.

このように、第１バンク２６１ａ，２６１ｂ上の第２バンク２６２の上に撥液材６６が設けられているので、開口穴６５の中に正孔注入層６３や発光層６４を形成するための機能材料を含む機能液を吐出した際、開口穴６５から機能液が外部に溢れ出すことを抑えることができる。また、共通化された領域では、機能液の量を均一にすることが可能となり、正孔注入層６３や発光層６４などの膜厚が発光領域内でばらつくことを抑えることができる。以下、第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１を形成する方法について説明する。なお、第１実施形態及び第２実施形態の有機ＥＬ装置１１，１１１の製造方法と比較して異なる部分を主体に説明する。   As described above, since the liquid repellent material 66 is provided on the second bank 262 on the first banks 261a and 261b, the hole injection layer 63 and the light emitting layer 64 are formed in the opening hole 65. When the functional liquid containing the functional material is discharged, the functional liquid can be prevented from overflowing from the opening hole 65 to the outside. In the common area, the amount of the functional liquid can be made uniform, and variations in the film thickness of the hole injection layer 63, the light emitting layer 64, and the like in the light emitting area can be suppressed. Hereinafter, a method for forming the organic EL device 211 of the third embodiment will be described. In addition, a description will be mainly given of different portions compared to the manufacturing method of the organic EL devices 11 and 111 of the first embodiment and the second embodiment.

＜電気光学装置の製造方法＞
第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１の製造方法は、図４に示すステップＳ１１からステップＳ１２までは、第１実施形態と同様に形成する。ステップＳ１３以降の製造方法について説明する。 <Method of manufacturing electro-optical device>
The manufacturing method of the organic EL device 211 of the third embodiment is formed in the same manner as in the first embodiment from step S11 to step S12 shown in FIG. The manufacturing method after step S13 will be described.

ステップＳ１３では、図１１に示すように、第２層間絶縁膜５５上に第１バンク２６１ａ，２６１ｂを形成する。詳述すると、駆動用ＴＦＴ２３（図３（ｂ）参照）や配線１２，１３，１４などが形成されている領域の第２層間絶縁膜５５の高さより、陽極２４の直線部分に相当する第１バンク２６１ａ，２６１ｂが高くなるように、更に、隣接する画素２３４に亘って繋がるように、第２層間絶縁膜５５上に第１バンク２６１ａ，２６１ｂを形成する。   In step S13, first banks 261a and 261b are formed on the second interlayer insulating film 55 as shown in FIG. More specifically, the first portion corresponding to the straight line portion of the anode 24 is determined from the height of the second interlayer insulating film 55 in the region where the driving TFT 23 (see FIG. 3B), the wirings 12, 13, 14 and the like are formed. First banks 261a and 261b are formed on the second interlayer insulating film 55 so that the banks 261a and 261b become higher and are connected across adjacent pixels 234.

第１バンク２６１ａ，２６１ｂの形成方法としては、例えば、マスクを用いて、第２層間絶縁膜５５上に第１バンク２６１ａ，２６１ｂを形成する。第１バンク２６１ａ，２６１ｂは、隣接する画素２３４に亘って陽極２４の直線部分に相当する領域が繋がったレール状に形成される。   As a method of forming the first banks 261a and 261b, for example, the first banks 261a and 261b are formed on the second interlayer insulating film 55 using a mask. The first banks 261a and 261b are formed in a rail shape in which regions corresponding to the linear portions of the anode 24 are connected across adjacent pixels 234.

次に、ステップＳ１４では、基板３１上における発光領域４２を除く領域に第２バンク２６２を形成する。第２バンク２６２の形成方法は、第１実施形態と同様である。ステップＳ１３において第１バンク２６１ａ，２６１ｂを形成したので、第１バンク２６１ａ，２６１ｂが形成された領域の第２バンク２６２の周縁部２６２ａの高さは、他の領域の第２バンク２６２の高さと比べて高くなっている。   Next, in step S <b> 14, the second bank 262 is formed in a region excluding the light emitting region 42 on the substrate 31. The method for forming the second bank 262 is the same as in the first embodiment. Since the first banks 261a and 261b are formed in step S13, the height of the peripheral portion 262a of the second bank 262 in the region where the first banks 261a and 261b are formed is equal to the height of the second bank 262 in the other region. It is higher than that.

ステップＳ１５では、第２バンク２６２に撥液材６６を転写する。具体的には、第２バンク２６２の表面において高さの高い部分、つまり、第１バンク２６１ａ，２６１ｂ上の第２バンク２６２の上に撥液材６６が転写される。   In step S <b> 15, the liquid repellent material 66 is transferred to the second bank 262. Specifically, the liquid repellent material 66 is transferred onto a portion having a high height on the surface of the second bank 262, that is, the second bank 262 on the first banks 261a and 261b.

ステップＳ１６では、第２バンク２６２の開口穴６５に機能液２６ａを吐出する。なお、機能液２６ａの吐出方法は、第１実施形態と同様である。第１バンク２６１ａ，２６１ｂ上の第２バンク２６２の上に撥液材６６が転写されているので、機能液２６ａが開口穴６５から外部に溢れ出ることを抑えることができる。以下、第１実施形態と同様に、ステップＳ１７からステップＳ１９まで実施することにより、有機ＥＬ装置２１１が完成する。   In step S <b> 16, the functional liquid 26 a is discharged into the opening hole 65 of the second bank 262. The method for discharging the functional liquid 26a is the same as that in the first embodiment. Since the liquid repellent material 66 is transferred onto the second bank 262 on the first banks 261a and 261b, the functional liquid 26a can be prevented from overflowing from the opening hole 65 to the outside. Thereafter, similarly to the first embodiment, the organic EL device 211 is completed by performing steps S17 to S19.

以上詳述したように、第３実施形態によれば、上記した第１実施形態及び第２実施形態の（１）〜（３）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the third embodiment, in addition to the effects (1) to (3) of the first embodiment and the second embodiment described above, the following effects can be obtained.

（４）第３実施形態によれば、第１バンク２６１ａ，２６１ｂを、隣接する発光領域４２の直線部分を繋ぐように連続して形成し、その上に第２バンク２６２を形成するので、隣接する発光領域４２に亘ってつながる共通バンクとして利用することができる。これにより、隣接する発光領域４２に機能液２６ａを塗布することが可能となり、隣接する発光領域４２において機能層２６の厚みを均一にすることができる。   (4) According to the third embodiment, the first banks 261a and 261b are continuously formed so as to connect the linear portions of the adjacent light emitting regions 42, and the second bank 262 is formed on the first banks 261a and 261b. It can be used as a common bank connected across the light emitting region 42. Thereby, the functional liquid 26 a can be applied to the adjacent light emitting region 42, and the thickness of the functional layer 26 can be made uniform in the adjacent light emitting region 42.

なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。   In addition, embodiment is not limited above, It can also implement with the following forms.

（変形例１）
上記したように、第２バンク６２の開口穴６５の下層に第１バンク６１を形成することにより、第２バンク６２の開口穴６５の周縁部６２ａを高くして、その部分に撥液材６６が転写できるようにしていることに代えて、第１バンク６１を設けることなく、第２バンク６２を形成し、高くしたい領域以外をエッチングで除去し、周縁部６２ａが高くなるようにしてもよい。つまり、第２バンク６２の表面の高さ関係は、上記した実施形態と略同一に形成することができる。これによれば、第１バンク６１を形成することなく、１層のバンク（第２バンク６２）で対応することができる。 (Modification 1)
As described above, by forming the first bank 61 below the opening hole 65 of the second bank 62, the peripheral edge 62a of the opening hole 65 of the second bank 62 is raised, and the liquid repellent material 66 is formed in that portion. Instead of being able to transfer, the second bank 62 may be formed without providing the first bank 61, and the region other than the region to be increased may be removed by etching so that the peripheral edge 62a becomes higher. . That is, the height relationship of the surface of the second bank 62 can be formed substantially the same as in the above-described embodiment. According to this, it is possible to cope with one layer bank (second bank 62) without forming the first bank 61.

また、第２バンク６２における低くしたい領域をエッチングによって除去することに代えて、第２バンク６２における高くしたい領域（周縁部６２ａ）のみに膜を積層して厚くするようにしてもよい。これによれば、上記と同様に、第１バンク６１を予め形成しなくてもよい。   Further, instead of removing the region to be lowered in the second bank 62 by etching, a film may be laminated and thickened only in the region (peripheral portion 62a) to be raised in the second bank 62. According to this, similarly to the above, the first bank 61 may not be formed in advance.

（変形例２）
上記したように、発光領域４２（開口穴６５）の平面視の形状は、トラック形状であることに限定されず、例えば、四角形状、丸形状、多角形状であってもよい。この場合、機能液２６ａが溢れやすい部分を考慮して、その部分の第２バンク６２が高くなるように形成することが好ましい。 (Modification 2)
As described above, the shape of the light emitting region 42 (opening hole 65) in plan view is not limited to the track shape, and may be, for example, a square shape, a round shape, or a polygonal shape. In this case, in consideration of a portion where the functional liquid 26a easily overflows, it is preferable to form the portion so that the second bank 62 becomes higher.

（変形例３）
上記したように、陽極２４の周囲に第１バンク６１が平面視で重なるように形成することに限定されず、第２バンク６２の開口穴６５の周縁部６２ａが高くなればよく、例えば、陽極２４と平面視で重ならない陽極２４の周囲に第１バンク６１を形成するようにしてもよい。 (Modification 3)
As described above, the first bank 61 is not limited to be formed so as to overlap with the periphery of the anode 24 in plan view, and the peripheral edge 62a of the opening hole 65 of the second bank 62 may be increased. The first bank 61 may be formed around the anode 24 that does not overlap with 24 in plan view.

（変形例４）
上記したように、有機ＥＬ装置１１は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光が得られる発光素子２７を有するものに限定されない。例えば、白色などの単色発光が可能な照明装置に適用してもよい。また、発光素子２７を白色発光するトップエミッション構造として、発光素子２７の上方にカラーフィルターを備える構成としてもよい。 (Modification 4)
As described above, the organic EL device 11 is not limited to the one having the light emitting element 27 capable of emitting red (R), green (G), and blue (B) light. For example, the present invention may be applied to a lighting device capable of emitting monochromatic light such as white. Alternatively, the light emitting element 27 may have a top emission structure that emits white light and may include a color filter above the light emitting element 27.

（変形例５）
上記した実施形態では、有機ＥＬ装置１１における第２バンク６２の構造を例に説明したが、これに限定されず、液晶装置などのカラーフィルターを区画するバンクの構造に適用するようにしてもよい。 (Modification 5)
In the above-described embodiment, the structure of the second bank 62 in the organic EL device 11 has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and may be applied to a bank structure that partitions color filters such as a liquid crystal device. .

１１，１１１，２１１…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…信号線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…駆動用ＴＦＴ、２４…第１電極としての陽極、２５…第２電極としての陰極、２６…機能層、２６ａ…機能材料としての機能液、２７…発光素子、３１…基板、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４２…発光領域、４３…回路素子層、４４…発光素子層、４５…下地保護膜、４６…半導体膜、４７…ソース領域、４８…ドレイン領域、５１…チャネル領域、５２…ゲート絶縁膜、５３…ゲート電極、５４…第１層間絶縁膜、５５…第２層間絶縁膜、５６…コンタクトホール、５７…コンタクトホール、６１，１６１ａ，２６１ａ，２６１ｂ…第１隔壁部としての第１バンク、６２，１６２，２６２…第２隔壁部としての第２バンク、６２ａ，１６２ａ，１６２ｂ…周縁部、６３…正孔注入層、６４…発光層、６５…開口穴、６６…撥液材、７１…転写装置、７２…搬送ベルト、７３…搬送ローラー、７４…撥液材付フィルム、７５…供給ローラー、７６…テンションローラー、７７…転写ローラー、７８…圧着ローラー、８１…テレビ、８２…表示部、８３…枠部、８４…脚部、８５…リモコン。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 11, 111, 211 ... Organic electroluminescent apparatus as an electro-optical device, 12 ... Scanning line, 13 ... Signal line, 14 ... Power supply line, 15 ... Signal line drive circuit, 16 ... Scanning line drive circuit, 21 ... Switching TFT, DESCRIPTION OF SYMBOLS 22 ... Retention capacity, 23 ... Driving TFT, 24 ... Anode as 1st electrode, 25 ... Cathode as 2nd electrode, 26 ... Functional layer, 26a ... Functional liquid as functional material, 27 ... Light emitting element, 31 ... Substrate, 32 ... display area, 32a ... actual display area, 32b ... dummy area, 33 ... non-display area, 34 ... sub-pixel, 35 ... inspection circuit, 36 ... flexible substrate, 37 ... driving IC, 42 ... light emitting area, DESCRIPTION OF SYMBOLS 43 ... Circuit element layer, 44 ... Light emitting element layer, 45 ... Underlayer protective film, 46 ... Semiconductor film, 47 ... Source region, 48 ... Drain region, 51 ... Channel region, 52 ... Gate insulating film, 53 ... Gate electrode, 4 ... 1st interlayer insulation film, 55 ... 2nd interlayer insulation film, 56 ... Contact hole, 57 ... Contact hole, 61, 161a, 261a, 261b ... 1st bank as a 1st partition part, 62, 162, 262 ... Second bank as second partition wall, 62a, 162a, 162b ... peripheral edge, 63 ... hole injection layer, 64 ... light emitting layer, 65 ... opening hole, 66 ... liquid repellent material, 71 ... transfer device, 72 ... transport Belt, 73 ... Conveying roller, 74 ... Film with liquid repellent material, 75 ... Supply roller, 76 ... Tension roller, 77 ... Transfer roller, 78 ... Pressure roller, 81 ... TV, 82 ... Display part, 83 ... Frame part, 84 ... legs, 85 ... remote control.

Claims (14)

基板上において第１電極と第２電極との間に配置された発光層を含む機能層と、前記機能層を発光領域に区画する隔壁部と、を備えた電気光学装置であって、
前記隔壁部には、前記発光領域を囲む開口穴が設けられており、
前記隔壁部における前記開口穴の周縁部は、前記隔壁部の他の領域と比較して前記基板上における高さが高く形成されていると共に、撥液性を有することを特徴とする電気光学装置。 An electro-optical device comprising: a functional layer including a light emitting layer disposed between a first electrode and a second electrode on a substrate; and a partition wall partitioning the functional layer into a light emitting region,
The partition wall is provided with an opening hole surrounding the light emitting region,
The peripheral portion of the opening hole in the partition wall portion is formed to have a higher height on the substrate than other regions of the partition wall portion and has liquid repellency. . 請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記基板上には、配線及び駆動回路のうち少なくとも一方が設けられており、
前記隔壁部は、前記第１電極側に配置された第１隔壁部と、少なくとも一部が前記第１隔壁部上に配置された第２隔壁部と、を有し、
前記第１隔壁部の高さは、前記配線及び前記駆動回路の高さと比較して高く形成されていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1,
On the substrate, at least one of a wiring and a drive circuit is provided,
The partition wall portion includes a first partition wall portion disposed on the first electrode side, and a second partition wall portion at least partially disposed on the first partition wall portion,
The electro-optical device, wherein the height of the first partition wall portion is higher than the height of the wiring and the drive circuit. 請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記隔壁部において、前記開口穴の周縁部は平面視で直線部分と円弧部分とを含み、前記直線部分の高さを前記円弧部分の高さと比較して高くすることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1 or 2,
The electro-optical device characterized in that, in the partition wall, the peripheral portion of the opening hole includes a straight portion and an arc portion in plan view, and the height of the straight portion is higher than the height of the arc portion. . 請求項２又は請求項３に記載の電気光学装置であって、
前記第１隔壁部は、隣接する前記発光領域に亘り周縁部の一部分に沿って連続して設けられていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 2 or 3,
The electro-optical device, wherein the first partition wall portion is continuously provided along a part of a peripheral edge portion across the adjacent light emitting regions. 請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記第１隔壁部は、無機材料からなると共に、前記第１隔壁部の前記開口穴の端部が前記第２隔壁部の前記開口穴の端部より前記開口穴の内側に出るように設けられていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to any one of claims 2 to 4,
The first partition wall portion is made of an inorganic material, and is provided such that an end portion of the opening hole of the first partition wall portion protrudes inside the opening hole from an end portion of the opening hole of the second partition wall portion. An electro-optical device. 請求項２乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記第２隔壁部は、有機材料からなることを特徴とする電気光学装置。 An electro-optical device according to any one of claims 2 to 5,
The electro-optical device, wherein the second partition wall portion is made of an organic material. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記開口穴の周縁部は、転写法を用いて撥液化されていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to any one of claims 1 to 6,
An electro-optical device, wherein a peripheral portion of the opening hole is made liquid-repellent using a transfer method. 基板上において第１電極と第２電極との間に配置された発光層を含む機能層と、前記機能層を発光領域に区画する隔壁部と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に前記発光領域を囲むように開口穴を形成すると共に、前記開口穴の周縁部の高さを他の領域の高さと比較して高くなるように前記隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、
転写法を用いて前記隔壁部に撥液材を転写する転写工程と、
前記開口穴の中に機能材料を塗布する塗布工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 A method for manufacturing an electro-optical device, comprising: a functional layer including a light emitting layer disposed between a first electrode and a second electrode on a substrate; and a partition wall partitioning the functional layer into a light emitting region. ,
Forming an opening hole on the substrate so as to surround the light emitting region, and forming the partition wall portion so that a height of a peripheral portion of the opening hole is higher than a height of another region Process,
A transfer step of transferring a liquid repellent material to the partition using a transfer method;
An application step of applying a functional material into the opening hole;
A method for manufacturing an electro-optical device. 請求項８に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に配線及び駆動回路のうち少なくとも一方を形成する配線回路形成工程を有し、
前記隔壁部形成工程は、前記第１電極側に第１隔壁部を形成する第１隔壁部形成工程と、前記第１隔壁部上に少なくとも一部が積層するように第２隔壁部を形成する第２隔壁部形成工程と、を含み、
前記第１隔壁部形成工程は、前記第１隔壁部の高さを、前記配線及び前記駆動回路の高さと比較して高く形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 A method for manufacturing an electro-optical device according to claim 8,
A wiring circuit forming step of forming at least one of a wiring and a driving circuit on the substrate;
In the partition wall forming step, a first partition wall forming step for forming the first partition wall on the first electrode side, and a second partition wall portion are formed so as to be at least partially stacked on the first partition wall. A second partition wall forming step,
In the first partition wall forming step, the height of the first partition wall is formed higher than the height of the wiring and the drive circuit. 請求項８又は請求項９に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記開口穴の周縁部は平面視で直線部分と円弧部分とを含み、
前記隔壁部形成工程は、前記開口穴の前記直線部分の高さが前記円弧部分の高さと比較して高くなるように前記隔壁部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 A method of manufacturing the electro-optical device according to claim 8 or 9,
The peripheral portion of the opening hole includes a straight portion and an arc portion in plan view,
In the partition wall forming step, the partition wall is formed so that the height of the linear portion of the opening hole is higher than the height of the arc portion. 請求項９又は請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第１隔壁部形成工程は、隣接する前記発光領域に亘り周縁部の一部分に沿って連続して前記第１隔壁部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 A method of manufacturing the electro-optical device according to claim 9 or 10,
The method of manufacturing an electro-optical device, wherein the first partition wall forming step includes forming the first partition wall continuously along a part of a peripheral edge over the adjacent light emitting regions. 請求項９乃至請求項１１のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第１隔壁部形成工程は、前記第１隔壁部を無機材料から形成すると共に、前記第１隔壁部の前記開口穴の端部が前記第２隔壁部の前記開口穴の端部より前記開口穴の内側に出るように形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 A method for manufacturing an electro-optical device according to any one of claims 9 to 11,
In the first partition part forming step, the first partition part is formed of an inorganic material, and the end of the opening hole of the first partition part is opened from the end of the opening hole of the second partition part. A method for manufacturing an electro-optical device, wherein the method is formed so as to protrude inside a hole. 請求項９乃至請求項１２のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第２隔壁部形成工程は、前記第２隔壁部を有機材料から形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 A method of manufacturing an electro-optical device according to any one of claims 9 to 12,
In the second partition wall forming step, the second partition wall is formed of an organic material. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
JP2010157628A 2010-07-12 2010-07-12 Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus Withdrawn JP2012022784A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010157628A JP2012022784A (en) 2010-07-12 2010-07-12 Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010157628A JP2012022784A (en) 2010-07-12 2010-07-12 Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012022784A true JP2012022784A (en) 2012-02-02

Family

ID=45776917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010157628A Withdrawn JP2012022784A (en) 2010-07-12 2010-07-12 Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012022784A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022248971A1 (en) * 2021-05-27 2022-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device and method for producing display device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022248971A1 (en) * 2021-05-27 2022-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device and method for producing display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5644677B2 (en) Organic EL device
US9461100B2 (en) Display device
CN101543134B (en) Organic EL device and display apparatus
US9614021B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and manufacturing method thereof
KR102015846B1 (en) Organic electro-luminescent device
US8691603B2 (en) Organic el device manufacturing method, organic el device, and electronic apparatus having a luminescent layer disposed over another luminescent layer
JP6509964B2 (en) Organic light emitting diode display
US7615923B2 (en) Dual-plate organic electro-luminescent device and method for manufacturing the same
US10256285B2 (en) Organic electroluminescence display device with improved brightness evenness and manufacturing method thereof
JP2009026669A (en) Electro-optical device and electronic equipment
KR102392708B1 (en) Display device having an auxiliary electrode
JP6223070B2 (en) Organic EL display device and method of manufacturing organic EL display device
US9853244B2 (en) Electroluminescence display device
JP2009176495A (en) Organic el device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
JP2012022785A (en) Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2012022787A (en) Organic el device, method for manufacturing organic el device, and electronic apparatus
JP2012198991A (en) Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof
JP2009026671A (en) Electro-optical device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
JP2010176938A (en) Electrooptical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2012022784A (en) Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2012022786A (en) Electrooptical device, method for producing electrooptical device, and electronic apparatus
JP2006164864A (en) Electro-optical device and electronic apparatus
KR20120134043A (en) Organic el device
JP5761392B2 (en) Method for manufacturing organic EL device and electronic device
US20230217772A1 (en) Display Apparatus Having Color Filters

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20131001