JP2012006233A - Method for manufacturing mold - Google Patents
Method for manufacturing mold Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012006233A JP2012006233A JP2010143720A JP2010143720A JP2012006233A JP 2012006233 A JP2012006233 A JP 2012006233A JP 2010143720 A JP2010143720 A JP 2010143720A JP 2010143720 A JP2010143720 A JP 2010143720A JP 2012006233 A JP2012006233 A JP 2012006233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- spin
- glass
- transfer pattern
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、微細な転写パターンが形成されている型の製造方法に係り、特に、マスター型を用いてインプリント用の型を製造するものに関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a mold in which a fine transfer pattern is formed, and more particularly to a method for manufacturing a mold for imprinting using a master mold.
近年、電子線描画法などで石英基板等に微細な転写パターンを形成して型（モールド）を作製し、被成型品に前記型を所定の圧力で押圧して、当該型に形成された転写パターンを転写するナノインプリント技術が研究開発されている（たとえば、非特許文献１参照）。 In recent years, a mold (mold) is produced by forming a fine transfer pattern on a quartz substrate or the like by an electron beam drawing method, etc., and the mold is pressed against a molding object with a predetermined pressure, and the transfer formed on the mold is performed. A nanoimprint technique for transferring a pattern has been researched and developed (for example, see Non-Patent Document 1).
ナノオーダーの微細な転写パターンを低コストで成型する方法としてリソグラフィ技術を用いたインプリント法が考案されている。インプリント法は大別して熱インプリント法とＵＶインプリント法とに分類される。 An imprint method using a lithography technique has been devised as a method for forming a nano-order fine transfer pattern at a low cost. Imprint methods are roughly classified into thermal imprint methods and UV imprint methods.
図６を参照するに、熱インプリント法（熱転写法）では、たとえばニッケル等の金属で構成され微細な転写パターンＭ２１が形成されている平板状の型Ｍ２０で平板状の基板Ｗ２０を押圧する。この押圧をするときに、熱可塑性ポリマからなる樹脂（熱可塑性樹脂）で形成されている基板Ｗ２０が十分に流動可能となる温度になるまで、基板Ｗ２０を加熱して、型Ｍ２０の微細な転写パターンＭ２１に樹脂を流入させる。 Referring to FIG. 6, in the thermal imprint method (thermal transfer method), a flat substrate W20 is pressed by a flat plate mold M20 made of a metal such as nickel and having a fine transfer pattern M21 formed thereon. When this pressing is performed, the substrate W20 is heated to a temperature at which the substrate W20 formed of a resin made of a thermoplastic polymer (thermoplastic resin) can sufficiently flow, and the fine transfer of the mold M20 is performed. Resin is allowed to flow into the pattern M21.
続いて、型Ｍ２０と基板Ｗ２０を転移温度以下になるまで冷却し、基板Ｗ２０に転写された微細な転写パターンＷ２１（基板Ｗ２０）を固化したのち、型Ｍ２０を基板Ｗ２０から引き離す。 Subsequently, the mold M20 and the substrate W20 are cooled to a temperature equal to or lower than the transition temperature, the fine transfer pattern W21 (substrate W20) transferred to the substrate W20 is solidified, and then the mold M20 is separated from the substrate W20.
これにより、図６（ｃ）で示すように、微細な転写パターンＷ２１が形成された基板（被成型品）Ｗ２０を得ることができる。 As a result, as shown in FIG. 6C, a substrate (molded product) W20 on which a fine transfer pattern W21 is formed can be obtained.
図５参照するに、ＵＶインプリント法（ＵＶ転写法）では、ガラス等で形成されている平板状の基板Ｗ３０に硬化前の液体状の紫外線硬化樹脂Ｗ３１を薄膜状に設ける（図５（ａ）参照）。薄膜状の紫外線硬化樹脂Ｗ３１が設けられた基板Ｗ３０を、微細な転写パターンＭ３１が形成されている平板状の型Ｍ３０で押圧する（図５（ｂ）参照）。 Referring to FIG. 5, in the UV imprint method (UV transfer method), a liquid ultraviolet curable resin W31 before curing is provided in a thin film on a flat substrate W30 formed of glass or the like (FIG. 5A )reference). The substrate W30 provided with the thin film UV curable resin W31 is pressed by a flat plate mold M30 on which a fine transfer pattern M31 is formed (see FIG. 5B).
この押圧をしている状態で、紫外線硬化樹脂Ｗ３１に紫外線を照射する。このとき、紫外線は、たとえば、石英ガラスで構成されている型Ｍ３０を通過して紫外線硬化樹脂Ｗ３１まで届く。紫外線の照射によって紫外線硬化樹脂Ｗ３１が硬化した後、型Ｍ３０を基板Ｗ３０から引き離す。 In this pressed state, the ultraviolet curable resin W31 is irradiated with ultraviolet rays. At this time, the ultraviolet ray passes through the mold M30 made of, for example, quartz glass and reaches the ultraviolet curable resin W31. After the ultraviolet curable resin W31 is cured by the ultraviolet irradiation, the mold M30 is separated from the substrate W30.
これにより、図５（ｃ）で示すように、微細な転写パターンＷ３２が形成された紫外線硬化樹脂Ｗ３１とこの紫外線硬化樹脂Ｗ３１と一体になっている基板Ｗ３０とを得ることができる。 Thereby, as shown in FIG. 5C, it is possible to obtain the ultraviolet curable resin W31 on which the fine transfer pattern W32 is formed and the substrate W30 integrated with the ultraviolet curable resin W31.
図５（ｃ）で示す紫外線硬化樹脂Ｗ３１の微細な転写パターンＷ３２の底部には、ごく僅かな厚さの残膜Ｗ３３が形成されている。この残膜Ｗ３３をＯ２アッシング等のアッシングによって除去すると、図５（ｄ）で示すように、底部で基板Ｗ３０が露出している微細な転写パターンＷ３４が紫外線硬化樹脂Ｗ３１で形成される。 A very thin residual film W33 is formed on the bottom of the fine transfer pattern W32 of the ultraviolet curable resin W31 shown in FIG. When the remaining film W33 is removed by ashing such as O 2 ashing, as shown in FIG. 5D, a fine transfer pattern W34 in which the substrate W30 is exposed at the bottom is formed with the ultraviolet curable resin W31.
微細な転写パターンＷ３４をマスキング部材としてエッチングをすることにより、図５（ｅ）で示すように、微細な凹部Ｗ３６が多数形成された基板Ｗ３０を得ることができる。続いて、硬化した紫外線硬化樹脂Ｗ３１（微細な転写パターンＷ３４）を溶剤等で除去して取り除くことにより、図５（ｆ）で示すように、微細な転写パターンＷ３６が形成された基板（被成型品）Ｗ３７を得ることができる。 Etching using the fine transfer pattern W34 as a masking member makes it possible to obtain a substrate W30 on which a large number of fine concave portions W36 are formed, as shown in FIG. Subsequently, the cured ultraviolet curable resin W31 (fine transfer pattern W34) is removed by removal with a solvent or the like, thereby removing the substrate on which the fine transfer pattern W36 is formed as shown in FIG. Product) W37 can be obtained.
なお、ハードディスクやＣＤ、ＤＶＤなど回転式の記憶装置では、最近、高密度のデータをディスクに形成するための記憶媒体（記録媒体）を成型する手段として、こうしたナノインプリント技術を活用する方法への関心が高くなってきている。 Recently, in rotating storage devices such as hard disks, CDs, and DVDs, interest in methods of utilizing such nanoimprint technology as a means for forming a storage medium (recording medium) for forming high-density data on a disk has been recently developed. Is getting higher.
ところで、電子線描画法で微細な転写パターンが形成された型を用い、図５や図６で示すようにして、大量（大多数）被成型品を効率良く得ることは難しい。なぜならば、電子線描画法で微細な転写パターンを形成するには、長い時間と多くの費用を要する。したがって、電子線描画法では、通常１つだけ型が製作される。そして、１つの型のみを用いて転写を行うと、多くの被成型品を得るのに長時間を要してしまうからである。 By the way, it is difficult to efficiently obtain a large quantity (the majority) of molded articles as shown in FIGS. 5 and 6 using a mold on which a fine transfer pattern is formed by an electron beam drawing method. This is because it takes a long time and a lot of cost to form a fine transfer pattern by the electron beam drawing method. Therefore, in the electron beam drawing method, usually only one mold is manufactured. This is because if transfer is performed using only one mold, it takes a long time to obtain many molded products.
そこで、たとえば、図５で示すようにして得られた被成型品（図５（ｆ）で示す被成型品）Ｗ３７をインプリント用の型として用いる方式を考えることができる。この方式を採用すれば、多数の被成型品（インプリント用型）を得ることができるので、大量（大多数）被成型品を効率良く得ることができる。 Therefore, for example, a method of using a molded product (molded product shown in FIG. 5 (f)) W37 obtained as shown in FIG. 5 as an imprint mold can be considered. By adopting this method, a large number of molded products (imprint molds) can be obtained, so that a large number (large majority) of molded products can be obtained efficiently.
すなわち、図５で示すようにして、たとえば１０個の被成型品Ｗ３７を得てこれらの被成型品Ｗ３７をインプリント用型として使用すれば、電子線描画法で形成された１つの型をインプリント用型として使用し被成型品を得る場合に比べて、約１０倍の早さで、被成型品（製品、もしくは、半製品）を得ることができる。 That is, as shown in FIG. 5, if, for example, 10 molded articles W37 are obtained and these molded articles W37 are used as imprint molds, one mold formed by the electron beam drawing method is imprinted. A molded product (product or semi-finished product) can be obtained at a speed about 10 times faster than the case where the molded product is obtained by using it as a printing mold.
しかし、型Ｍ３０は、石英ガラスやシリコン等のもろい材料で構成されている。図５等で示す態様では、微細な転写パターンを形成すべく紫外線硬化樹脂Ｗ３１が設けられた基板Ｗ３０を型Ｍ３０で押圧し、紫外線硬化樹脂Ｗ３１の硬化後に、紫外線硬化樹脂Ｗ３１から型Ｍ３０を分離するときに、型Ｍ３０が傷付き破損するおそれが大きい。したがって、多数の被成型品（インプリント用型）Ｗ３７を得ることが難しいという問題がある。 However, the mold M30 is made of a fragile material such as quartz glass or silicon. 5 and the like, the substrate W30 provided with the ultraviolet curable resin W31 is pressed with a mold M30 to form a fine transfer pattern, and after the ultraviolet curable resin W31 is cured, the mold M30 is separated from the ultraviolet curable resin W31. When doing so, there is a high risk that the mold M30 will be damaged and damaged. Therefore, there is a problem that it is difficult to obtain a large number of molded articles (imprint molds) W37.
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、多数のインプリント用型を容易に得ることができる型の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a mold manufacturing method capable of easily obtaining a large number of imprint molds.
請求項１に記載の発明は、微細な転写パターンが形成されたマスター型を用い、微細な転写パターンが形成されている一次型を、靭性を備えた材料で生成する一次型生成工程と、基材にインプリント用素材を設けてインプリント用素材設置済基材を生成するインプリント用基材生成工程と、前記インプリント用素材設置済基材のインプリント用素材にエネルギーを授受することなく、前記インプリント用素材設置済基材を前記一次型で押圧をして、前記インプリント用素材設置済基材に設けられているインプリント用素材に、前記一次型に形成されている微細な転写パターンを転写するインプリント用素材転写工程と、前記微細な転写パターンが転写されたインプリント用素材設置済基材を用い、微細な転写パターンが形成されている二次型を生成する二次型生成工程とを有する型の製造方法である。 The invention described in claim 1 includes a primary mold generating step of generating a primary mold on which a fine transfer pattern is formed with a material having toughness using a master mold on which a fine transfer pattern is formed; An imprint base material generating step for generating an imprint material installed base material by providing an imprint material on the material, and without transferring energy to the imprint material of the imprint material installed base material The imprint material installed substrate is pressed with the primary mold, and the imprint material provided on the imprint material installed substrate is finely formed on the primary mold. A secondary mold in which a fine transfer pattern is formed using an imprint material transfer process for transferring a transfer pattern, and an imprint material-installed base material on which the fine transfer pattern is transferred. A type method for producing and a resulting second-order generating step.
請求項２に記載の発明は、微細な転写パターンが形成されたマスター型を用い、微細な転写パターンが形成されている一次型を金属で生成する一次型生成工程と、基材にスピンオンガラスを設けてスピンオンガラス設置済基材を生成するスピンオンガラス基材生成工程と、前記スピンオンガラス設置済基材を、前記一次型で押圧して、前記スピンオンガラス設置済基材に設けられているスピンオンガラスに、前記一次型に形成されている微細な転写パターンを転写するスピンオンガラス転写工程と、微細な転写パターンが転写されたスピンオンガラス設置済基材を用い、微細な転写パターンが形成されている二次型を生成する二次型生成工程とを有する型の製造方法である。
The invention described in
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の型の製造方法において、前記スピンオンガラスは導電性を備えており、前記二次型生成工程は、電鋳により前記二次型を生成する工程であるか、または、前記二次型生成工程は、前記基材の微細な転写パターンが転写されたスピンオンガラスに導電性を備えたシード層を設け、電鋳により、前記二次型を生成する工程である型の製造方法である。 According to a third aspect of the present invention, in the mold manufacturing method according to the second aspect, the spin-on glass has electrical conductivity, and the secondary mold generation step generates the secondary mold by electroforming. In the secondary mold generation process, a seed layer having conductivity is provided on a spin-on glass onto which a fine transfer pattern of the substrate is transferred, and the secondary mold is generated by electroforming. It is the manufacturing method of the type | mold which is a process to do.
請求項４に記載の発明は、微細な転写パターンが形成されたマスター型を用い、微細な転写パターンが形成されている一次型を、靭性を備えた材料で生成する一次型生成工程と、前記一次型よりも大きい基材にインプリント用素材を設けてインプリント用素材設置済基材を生成するインプリント用基材生成工程と、前記インプリント用素材設置済基材のインプリント用素材にエネルギーを授受することなく、前記インプリント用素材設置済基材を前記一次型で押圧する動作を複数回繰り返して行い、前記インプリント用素材設置済基材に設けられているインプリント用素材の複数箇所に、前記一次型に形成されている微細な転写パターンを転写するインプリント用素材転写工程と、前記微細な転写パターンが複数箇所に転写されたインプリント用素材設置済基材を用い、微細な転写パターンが複数箇所に形成されている二次型を生成する二次型生成工程とを有する型の製造方法である。 The invention according to claim 4 uses a master mold in which a fine transfer pattern is formed, and a primary mold generation process in which a primary mold in which a fine transfer pattern is formed is generated from a material having toughness, and An imprint base material generation step for generating an imprint material installed base material by providing an imprint material on a base material larger than the primary type, and the imprint material installed base material imprint material Without transferring energy, the operation of pressing the imprint material-installed base material with the primary mold is repeated a plurality of times, and the imprint material is provided on the imprint material-installed base material. An imprint material transfer process for transferring a fine transfer pattern formed on the primary mold to a plurality of locations, and an imprint in which the fine transfer pattern is transferred to a plurality of locations. With use material installed already substrates, a type method for producing and a second-order generation step of generating a second-order fine transfer pattern is formed at a plurality of locations.
請求項５に記載の発明は、微細な転写パターンが形成されたマスター型を用い、微細な転写パターンが形成されている一次型を金属で生成する一次型生成工程と、前記一次型よりも大きい基材にスピンオンガラスを設けてスピンオンガラス設置済基材を生成するスピンオンガラス基材生成工程と、前記スピンオンガラス設置済基材を、前記一次型で押圧する動作を複数回繰り返して行い、前記スピンオンガラス設置済基材に設けられているスピンオンガラスの複数箇所に、前記一次型に形成されている微細な転写パターンを転写するスピンオンガラス転写工程と、前記微細な転写パターンが複数箇所に転写されたスピンオンガラス設置済基材を用い、微細な転写パターンが複数箇所に形成されている二次型を生成する二次型生成工程とを有する型の製造方法である。
The invention according to
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の型の製造方法において、前記スピンオンガラスは導電性を備えており、前記二次型生成工程は、電鋳により前記二次型を生成する工程であるか、または、前記二次型生成工程は、前記基材の微細な転写パターンが転写されたスピンオンガラスに導電性を備えたシード層を設け、電鋳により、前記二次型を生成する工程である型の製造方法である。 According to a sixth aspect of the present invention, in the mold manufacturing method according to the fifth aspect, the spin-on glass has electrical conductivity, and the secondary mold generation step generates the secondary mold by electroforming. In the secondary mold generation process, a seed layer having conductivity is provided on a spin-on glass onto which a fine transfer pattern of the substrate is transferred, and the secondary mold is generated by electroforming. It is the manufacturing method of the type | mold which is a process to do.
本発明によれば、多数のインプリント用型を容易に得ることができるという効果を奏する。 According to the present invention, it is possible to easily obtain a large number of imprint molds.
［第１の実施形態］
図１〜図４を参照して、本発明の第１の実施形態に係る型（二次型；インプリント用型）Ｍ２の製造方法を説明する。
[First Embodiment]
With reference to FIGS. 1-4, the manufacturing method of the type | mold (secondary type | mold; imprint type | mold) M2 which concerns on the 1st Embodiment of this invention is demonstrated.
二次型Ｍ２は、一次型生成工程Ｓ１とスピンオンガラス基材生成工程Ｓ３とスピンオンガラス転写工程Ｓ５と二次型生成工程Ｓ７とを経て製造される。 The secondary mold M2 is manufactured through a primary mold generation process S1, a spin-on glass substrate generation process S3, a spin-on glass transfer process S5, and a secondary mold generation process S7.
まず、一次型生成工程Ｓ１について詳しく説明する。 First, the primary type generation step S1 will be described in detail.
一次型生成工程Ｓ１では、微細な転写パターンＭＡが形成されたマスター型Ｍ０を用いて、微細な転写パターンＭＢが形成されている一次型（一次モールド）Ｍ１を生成する（図１参照）。マスター型Ｍ０の微細な転写パターンＭＡは、電子線描画法などによって形成されたものであり、ピッチや高さがたとえば可視光や赤外線や紫外線の波長と同程度である微細な凹凸で形成されている。 In the primary mold generation step S1, a primary mold (primary mold) M1 in which a fine transfer pattern MB is formed is generated using a master mold M0 in which a fine transfer pattern MA is formed (see FIG. 1). The fine transfer pattern MA of the master mold M0 is formed by an electron beam drawing method or the like, and is formed by fine irregularities having a pitch and height that are about the same as the wavelength of visible light, infrared light, or ultraviolet light, for example. Yes.
一次型Ｍ１に形成された微細な転写パターンＭＢは、マスター型Ｍ０に形成されている微細な転写パターンＭＡに対して反転している微細な転写パターンである。一次型Ｍ１は、たとえばニッケル等の金属で構成されている。 The fine transfer pattern MB formed on the primary mold M1 is a fine transfer pattern reversed with respect to the fine transfer pattern MA formed on the master mold M0. Primary mold M1 is made of a metal such as nickel, for example.
マスター型Ｍ０が電気を通しやすい導電性の材料で構成されている場合、マスター型Ｍ０に通電して、電鋳により一次型Ｍ１を生成する（図１（ｂ）参照）。 When the master mold M0 is made of a conductive material that easily conducts electricity, the master mold M0 is energized to generate the primary mold M1 by electroforming (see FIG. 1B).
一方、マスター型Ｍ０が石英ガラスやシリコン等の電気が流れにくい材料で形成されている場合には、マスター型Ｍ０の、少なくとも微細な転写パターンＭＡの部位に、導電性を備えたシード層１を形成する（図７（ａ）参照）。シード層１の形成は、マスター型Ｍ０への通電を必要としない無電解ニッケルメッキ等によってなされる。なお、シード層１の形成を真空蒸着等の他の方法によって行ってもよい。続いて、シード層１に通電することによって、一次型Ｍ１を電鋳により生成する（図７（ｂ）参照）。 On the other hand, when the master mold M0 is formed of a material that does not easily flow electricity, such as quartz glass or silicon, the seed layer 1 having conductivity is provided at least on the portion of the fine transfer pattern MA of the master mold M0. It forms (refer Fig.7 (a)). The seed layer 1 is formed by electroless nickel plating that does not require energization of the master mold M0. The seed layer 1 may be formed by other methods such as vacuum deposition. Subsequently, by energizing the seed layer 1, the primary mold M1 is generated by electroforming (see FIG. 7B).
一次型Ｍ１が生成された後、一次型Ｍ１をマスター型Ｍ０から分離する（図１（ｃ）、図７（ｃ）参照）。分離は、一次型Ｍ１とマスター型Ｍ０とに力を加えて、マスター型Ｍ０を一次型Ｍ１から分離する。この分離の際、マスター型Ｍ０が損傷を受けなければ、マスター型Ｍ０を再使用してもよい。また、マスター型Ｍ０をたとえば溶剤で溶かすことにより、一次型Ｍ１を得るようにしてもよい。マスター型Ｍ０にシード層１を設けた場合、このシード層１は、一次型Ｍ１の一部になる。 After the primary type M1 is generated, the primary type M1 is separated from the master type M0 (see FIGS. 1C and 7C). In the separation, the master mold M0 is separated from the primary mold M1 by applying a force to the primary mold M1 and the master mold M0. During the separation, if the master mold M0 is not damaged, the master mold M0 may be reused. Further, the primary mold M1 may be obtained by dissolving the master mold M0 with a solvent, for example. When the seed layer 1 is provided in the master mold M0, the seed layer 1 becomes a part of the primary mold M1.
マスター型Ｍ０は、たとえば、平板状に形成されており、微細な転写パターンＭＡは、マスター型Ｍ０の厚さ方向の一方の面の全面もしくは中央部とこの周辺等の一部に形成されている。一次型生成工程Ｓ１で生成された一次型Ｍ１も、たとえば、マスター型Ｍ０とほぼ同じ大きさで平板状に形成されており、微細な転写パターンＭＢは、一次型Ｍ１の厚さ方向の一方の面の全面もしくは中央部とこの周辺等の一部に形成されている（図１参照）。 The master mold M0 is formed, for example, in a flat plate shape, and the fine transfer pattern MA is formed on the entire surface or the central portion of one surface in the thickness direction of the master mold M0 and a part of the periphery thereof. . The primary mold M1 generated in the primary mold generation step S1 is also formed in a flat plate shape having substantially the same size as the master mold M0, for example, and the fine transfer pattern MB is one of the primary mold M1 in the thickness direction. It is formed on the entire surface or the central portion of the surface and a part of the periphery thereof (see FIG. 1).
なお、上記説明では、シード層１を設けるにしろ設けないにしろ、一次型生成工程Ｓ１で、マスター型Ｍ０から一次型Ｍ１を直接生成しているが、マスター型Ｍ０から一次型Ｍ１を直接生成するのではなく、一次型Ｍ１を間接的に生成してもよい。すなわち、マスター型Ｍ０から反応型（図５（ｃ）参照）Ｍ３を生成し、反応型Ｍ３をマスター型Ｍ０の代わりに用いて、一次型Ｍ１を電鋳等によって生成してもよい。 In the above description, whether or not the seed layer 1 is provided, the primary type M1 is directly generated from the master type M0 in the primary type generation step S1, but the primary type M1 is directly generated from the master type M0. Instead, the primary type M1 may be generated indirectly. That is, a reaction type (see FIG. 5C) M3 may be generated from the master mold M0, and the primary mold M1 may be generated by electroforming or the like using the reaction type M3 instead of the master mold M0.
すなわち、たとえば、マスター型Ｍ０を用いたＵＶインプリント法によって反応型Ｍ３を生成する（図５（ａ）〜（ｃ）参照）。反応型Ｍ３を生成するときに、反応型Ｍ３とマスター型Ｍ０との分離を容易にするために、マスター型Ｍ０に分離層（図示せず）を予め設けてあることが望ましい。また、上記分離を容易にするために、マスター型Ｍ０に離型剤を塗っておいてもよい。 That is, for example, the reactive type M3 is generated by the UV imprint method using the master type M0 (see FIGS. 5A to 5C). When generating the reaction type M3, it is desirable that a separation layer (not shown) is provided in advance in the master type M0 in order to facilitate separation of the reaction type M3 and the master type M0. In order to facilitate the separation, a release agent may be applied to the master mold M0.
図５（ｃ）で示す反応型Ｍ３の紫外線硬化樹脂Ｗ３１が電流を通しにくい材料である場合には、この反応型Ｍ３の少なくとも微細な転写パターンＷ３２の部位に、導電性を備えたシード層（図５では図示せず）を形成する。そして、シード層に通電することによって、一次型Ｍ１を生成する。 In the case where the reactive type M3 ultraviolet curable resin W31 shown in FIG. 5C is a material that is difficult to pass an electric current, a conductive seed layer (at least in the region of the fine transfer pattern W32 of the reactive type M3) ( (Not shown in FIG. 5). Then, the primary type M1 is generated by energizing the seed layer.
一方、図５（ｃ）で示す反応型Ｍ３の紫外線硬化樹脂Ｗ３１が電流を通しやすい材料である場合には、シード層を形成することなく、紫外線硬化樹脂Ｗ３１に電流を流して一次型Ｍ１を生成する。 On the other hand, when the UV curable resin W31 of the reaction type M3 shown in FIG. 5C is a material that easily allows electric current to pass therethrough, the primary mold M1 is made to flow through the UV curable resin W31 without forming a seed layer. Generate.
なお、一次型生成工程Ｓ１で反応型Ｍ３を用いて一次型Ｍ１を生成する場合には、マスター型Ｍ０の微細な転写パターンを反転させておく（一次型Ｍ１の微細な転写パターンとマスター型Ｍ０の微細な転写パターンとを同じ形態の微細な転写パターンにしておく）必要がある。 When the primary mold M1 is generated using the reaction type M3 in the primary mold generation step S1, the fine transfer pattern of the master mold M0 is inverted (the fine transfer pattern of the primary mold M1 and the master mold M0). And a fine transfer pattern of the same form).
次に、スピンオンガラス基材生成工程Ｓ３について詳しく説明する。 Next, the spin-on glass substrate generation step S3 will be described in detail.
スピンオンガラス基材生成工程Ｓ３では、基材３にスピンオンガラス（ＳＯＧ；Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｒａｓｓ）５をたとえば薄膜状に設けてスピンオンガラス設置済基材７を生成する（図２（ａ）参照）。 In the spin-on-glass base material production step S3, a spin-on glass (SOG; Spin-On-Grass) 5 is provided on the base material 3 in a thin film shape, for example, to generate the spin-on glass-installed base material 7 (see FIG. 2A). .
基材３は、たとえば、ガラスもしくは金属もしくは合成樹脂等で平板状に構成され、一次型Ｍ１とほぼ同じ形状で同じ大きさに形成されている。スピンオンガラス５は、平板状の基材３の厚さ方向の一方の面の全面に設けられている。
The base material 3 is configured in a flat plate shape, for example, of glass, metal, synthetic resin, or the like, and is formed in the same shape and size as the primary mold M1. The spin-on
スピンオンガラス５として、無機系のスピンオンガラスを採用してよいし常温インプリント用樹脂等有機系のスピンオンガラスを採用してもよい。なお、スピンオンガラス５は、常温（３０℃±１５℃）で粘度が高く、導電性を備えているものとする。
As the spin-on
次に、スピンオンガラス転写工程Ｓ５について詳しく説明する。 Next, the spin-on glass transfer step S5 will be described in detail.
スピンオンガラス転写工程Ｓ５では、スピンオンガラス設置済基材７（基材３に設置されたスピンオンガラス５）を、一次型Ｍ１で押圧する。そして、スピンオンガラス設置済基材７に設けられているスピンオンガラス５に、一次型Ｍ１に形成されている微細な転写パターンＭＢを転写する（図２（ｂ）、（ｃ）参照）。
In the spin-on glass transfer step S5, the
スピンオンガラス転写工程Ｓ５での押圧は、一次型Ｍ１の厚さ方向の一方の面であって微細な転写パターンＭＢが形成されている面の全面と、基材３の厚さ方向の一方の面であってスピンオンガラス５が設けられている面の全面とがお互いに平行になって対向するようにしてなされる。
The press in the spin-on-glass transfer step S5 is performed by pressing the entire surface of the primary mold M1 in the thickness direction on which the fine transfer pattern MB is formed and the one surface of the substrate 3 in the thickness direction. In this case, the entire surface on which the spin-on
なお、スピンオンガラス転写工程Ｓ５では、スピンオンガラス５を加熱したり冷却したりすることなく、また、スピンオンガラス５に紫外線等の電磁波を照射することもない。すなわち、スピンオンガラス５の性質（たとえば粘度や組成等）が変化してしまうようなエネルギーの授受をスピンオンガラス５に対してすることはない。
In the spin-on glass transfer step S5, the spin-on
ただし、一次型Ｍ１の微細な転写パターンＭＢにスピンオンガラス５が隙間無く入り込んで、スピンオンガラス５に正確な形状の微細な転写パターン９が転写されるようにするために、一次型Ｍ１で押圧をするときに、転写の補助として、スピンオンガラス５に超音波を照射する場合がある。超音波の照射は、スピンオンガラス５に直接なされてもよいし、一次型Ｍ１、スピンオンガラス設置済基材７の少なくともいずれかを超音波の周波数で振動することでなされてもよい。
However, in order for the spin-on
スピンオンガラス転写工程Ｓ５によってスピンオンガラス５に転写された微細な転写パターン９は、一次型Ｍ１に形成されている微細な転写パターンＭＢに対して反転している微細な転写パターンである。
The
一次型Ｍ１でスピンオンガラス設置済基材７を所定の時間押圧した後、一次型Ｍ１をスピンオンガラス設置済基材７から分離する（図２（ｃ））。この分離をするときにも、スピンオンガラス５に超音波を照射し分離しやすくしてもよい。
After the spin-on glass-installed
なお、スピンオンガラス５は、一次型Ｍ１による転写終了後（図２（ｃ）で示すような分離終了後）、二次型生成工程Ｓ７で二次型Ｍ２を生成し終えるまで、一次型Ｍ１から転写された微細な転写パターン９の形状を維持することができる程度の粘度になっている。
The spin-on
また、スピンオンガラス５が、一次型Ｍ１で所定の押圧力で所定の時間押圧されることにより、硬化する材料で構成されていてもよい。
Further, the spin-on
次に、二次型生成工程Ｓ７について詳しく説明する。 Next, the secondary type generation step S7 will be described in detail.
二次型生成工程Ｓ７では、微細な転写パターン９が転写で形成されたスピンオンガラス設置済基材７を用い、微細な転写パターンＭＣが形成されている二次型Ｍ２をたとえば電鋳により生成する（図３参照）。二次型Ｍ２は、たとえばニッケル等の金属で構成されている。
In the secondary mold generation step S7, the secondary mold M2 on which the fine transfer pattern MC is formed is generated by, for example, electroforming, using the spin-on-glass-installed
二次型Ｍ２が生成された後、二次型Ｍ２をスピンオンガラス設置済基材７から分離する（図３（ｂ）参照）。この分離をするときに、二次型Ｍ２の微細な転写パターンＭＣにスピンオンガラス５が付着する場合があるが、この付着がある場合、付着しているスピンオンガラス５を溶剤等で溶かして除去する。
After the secondary mold M2 is generated, the secondary mold M2 is separated from the
二次型生成工程Ｓ７によって二次型Ｍ２に形成された微細な転写パターンＭＣは、スピンオンガラス５に形成されている微細な転写パターン９に対して反転している微細な転写パターンである。
The fine transfer pattern MC formed on the secondary mold M2 by the secondary mold generation step S7 is a fine transfer pattern that is reversed with respect to the
二次型生成工程Ｓ７で生成された二次型Ｍ２は、量産される製品もしくは半製品に対して使用される型である。すなわち、二次型Ｍ２は、量産される製品もしくは半製品に、微細な転写パターンを転写して形成するときに使用されるインプリント用型である。 The secondary mold M2 generated in the secondary mold generation step S7 is a mold used for mass-produced products or semi-finished products. That is, the secondary mold M2 is an imprint mold used when a fine transfer pattern is transferred and formed on a mass-produced product or a semi-finished product.
ここで、複数の二次型Ｍ２の生成工程を説明する。まず、一次型生成工程Ｓ１でマスター型Ｍ０から１つの一次型Ｍ１を生成し、スピンオンガラス設置済基材生成工程Ｓ３でスピンオンガラス設置済基材７を複数個生成する。そして、１つの一次型Ｍ１を繰り返して使用することにより、スピンオンガラス転写工程Ｓ５でスピンオンガラス設置済基材７のそれぞれに、微細な転写パターン９を転写して形成する。
Here, the production | generation process of several secondary type | mold M2 is demonstrated. First, one primary mold M1 is generated from the master mold M0 in the primary mold generation step S1, and a plurality of spin-on glass-installed
続いて、微細な転写パターン９が形成された複数のスピンオンガラス設置済基材７のそれぞれを用いて、二次型生成工程Ｓ７で複数の二次型Ｍ２を生成する。これにより、スピンオンガラス設置済基材７の数量と同じ数量の二次型Ｍ２を得ることができる。
Subsequently, a plurality of secondary molds M2 are generated in the secondary mold generation step S7 using each of the plurality of spin-on-glass-installed
そして、これらの二次型Ｍ２のそれぞれが、製品もしくは半製品への微細な転写パターンの転写に使用される。二次型Ｍ２を用いた製品もしくは半製品への微細な転写パターンの転写は、熱インプリント法やＵＶインプリント法でなされる（図５、図６参照）。製品もしくは半製品に転写で形成された微細な転写パターンは、二次型に形成されている微細な転写パターンに対して反転している微細な転写パターンである。 Each of these secondary molds M2 is used for transferring a fine transfer pattern to a product or a semi-finished product. A fine transfer pattern is transferred to a product or semi-finished product using the secondary mold M2 by a thermal imprint method or a UV imprint method (see FIGS. 5 and 6). A fine transfer pattern formed by transfer on a product or a semi-finished product is a fine transfer pattern that is reversed with respect to the fine transfer pattern formed on the secondary mold.
なお、二次型Ｍ２に加えて一次型Ｍ１を二次型として使用し、製品もしくは半製品への転写をしてもよい。 In addition to the secondary mold M2, the primary mold M1 may be used as a secondary mold and transferred to a product or a semi-finished product.
ここで、図２や図３で示すスピンオンガラス５が導電性を備えていない場合について説明する。
Here, the case where the spin-on
スピンオンガラス５が導電性を備えていない場合、二次型生成工程Ｓ７では、基材３（スピンオンガラス設置済基材７）の微細な転写パターン９が転写されたスピンオンガラス５に導電性を備えたシード層１１を設け（図８（ａ）参照）、電鋳により、二次型Ｍ２を生成する（図８（ｂ）、（ｃ）参照）。
When the spin-on
すなわち、スピンオンガラス５が電気を通す材料で構成されている場合、スピンオンガラス５に電流を流すことにより二次型Ｍ２が電鋳で生成されるが、スピンオンガラス５が電気をほとんど通さない材料で構成されている場合、スピンオンガラス５の微細な転写パターン９の全面を、金属等で構成された薄い導電性の膜（シード層）１１で覆う。そして、導電性の薄膜（シード層）１１に電流を流すことにより二次型Ｍ２が電鋳で生成される。
That is, when the spin-on
この後、スピンオンガラス設置済基材７から二次型Ｍ２を分離する（図８（ｃ）参照）。導電性のシード層１１は、二次型Ｍ２の一部になる。
Thereafter, the secondary mold M2 is separated from the
シード層１１は、スパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、物理蒸着（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等により設けられる。
The
ところで、一次型Ｍ１を電鋳で生成することに代えて、樹脂等で生成してもよい。すなわち、マスター型Ｍ０を用いて、ＵＶインプリント法や熱インプリント法で得られた被成型品（図５（ｃ）、図５（ｆ）、図６（ｃ）で示す、微細な転写パターンが形成されている被成型品）を、一次型Ｍ１として採用してもよい。 By the way, instead of producing the primary mold M1 by electroforming, it may be produced by resin or the like. That is, a fine transfer pattern shown in FIG. 5C, FIG. 5F, and FIG. 6C obtained by a UV imprint method or a thermal imprint method using the master mold M0. May be adopted as the primary mold M1.
二次型Ｍ２の製造方法によれば、金属等の硬く靭性を備えた材料で構成されている一次型Ｍ１をマスター型Ｍ０から生成し、一次型Ｍ１の微細な転写パターンＭＢをスピンオンガラス５に転写し、微細な転写パターン９が形成されたスピンオンガラス５を用いて二次型Ｍ２を生成しているので、多数個の二次型Ｍ２を容易に生成することができる。
According to the manufacturing method of the secondary mold M2, the primary mold M1 made of a hard and tough material such as metal is generated from the master mold M0, and the fine transfer pattern MB of the primary mold M1 is formed on the spin-on
すなわち、１つのマスター型Ｍ０から１つの一次型Ｍ１しか得られないとしても、この１つの一次型Ｍ１は金属等の硬く靭性を備えた材料で形成されているので破損等しにくい。したがって、一次型Ｍ１の取り扱いが容易になり、１つの一次型Ｍ１から多数の二次型Ｍ２を得ることが容易になる。 That is, even if only one primary mold M1 can be obtained from one master mold M0, the one primary mold M1 is made of a hard and tough material such as metal, so that it is not easily damaged. Therefore, it becomes easy to handle the primary mold M1, and it becomes easy to obtain a large number of secondary molds M2 from one primary mold M1.
そして、多数個の二次型Ｍ２のそれぞれをインプリント用型として使用し、被成型品（製品もしくは半製品）を得るようにすれば、大量の製品もしくは半製品を効率良く生成することができる。 If each of the many secondary molds M2 is used as an imprint mold to obtain a molded product (product or semi-finished product), a large amount of product or semi-finished product can be efficiently generated. .
また、スピンオンガラス５を用いて一次型Ｍ１から二次型Ｍ２を生成しているので、熱可塑性樹脂を使用した場合に比べて、より微細な転写パターンの形成に対応することができ、また、紫外線硬化樹脂を用いる場合に比べて、二次型Ｍ２の微細な転写パターンＭＣに樹脂のカスが残ってしまうという弊害を防止することができる。
Further, since the secondary mold M2 is generated from the primary mold M1 using the spin-on
また、スピンオンガラス５に導電性を持たせることで、スピンオンガラス５に形成された微細な転写パターン９にシード層を設ける必要がなくなり、二次型Ｍ２の製造工程を簡素化することができる。
Further, by providing conductivity to the spin-on
上述した二次型Ｍ２の製造方法は、微細な転写パターンが形成されたマスター型を用い、微細な転写パターンが形成されている一次型を、靭性を備えた材料で生成する一次型生成工程Ｓ１と、基材にインプリント用素材５を設けてインプリント用素材設置済基材を生成するインプリント用基材生成工程Ｓ３と、前記インプリント用素材設置済基材のインプリント用素材にエネルギーを授受することなく、前記インプリント用素材設置済基材を前記一次型で押圧をして（たとえば、一次型による押圧のみをして）、前記インプリント用素材設置済基材に設けられているインプリント用素材に、前記一次型に形成されている微細な転写パターンを転写するインプリント用素材転写工程Ｓ５と、前記微細な転写パターンが転写されたインプリント用素材設置済基材を用い、微細な転写パターンが形成されている二次型を生成する二次型生成工程Ｓ７とを有する型の製造方法の例である。
The manufacturing method of the secondary mold M2 described above uses a master mold on which a fine transfer pattern is formed, and generates a primary mold on which a fine transfer pattern is formed with a material having toughness. And an imprint base material generation step S3 in which the base material is provided with an
なお、インプリント用素材転写工程Ｓ５での上述したエネルギーの授受として、インプリント用素材への紫外線の照射、インプリント用素材の加熱、インプリント用素材の冷却等、インプリント用素材の性質（たとえば粘度や組成等）が変化してしまうものを掲げることができる。上記押圧は、インプリント用素材の形態を変化させるだけであって性質を変化させるものではないので、上述したエネルギーの授受には該当しないものとする。 In addition, as the above-described energy transfer in the imprint material transfer step S5, the properties of the imprint material (such as irradiation of the imprint material with ultraviolet rays, heating of the imprint material, and cooling of the imprint material) ( For example, the viscosity or composition may change. Since the pressing only changes the form of the imprint material and does not change the properties, it does not correspond to the transfer of energy described above.
［第２の実施形態］
第２の実施形態に係る型Ｍ２ａの製造方法は、一次型Ｍ１の微細な転写パターンＭＢを、一次型Ｍ１よりも大きなスピンオンガラス設置済基材７ａの複数箇所に転写し、このスピンオンガラス設置済基材７ａを用いて二次型（スピンオンガラス設置済基材７ａとほぼ同じ大きさで微細な転写パターンＭＣが複数箇所に形成されている二次型）Ｍ２ａを生成す点が、第１の実施形態に係る型の製造方法と異なり、その他の点は、第１の実施形態に係る型の製造方法とほぼ同様にしてなされ、同様の変形が可能である（図９参照）。
[Second Embodiment]
In the manufacturing method of the mold M2a according to the second embodiment, the fine transfer pattern MB of the primary mold M1 is transferred to a plurality of locations on the spin-on glass-installed
詳しく説明すると、二次型Ｍ２ａの製造は、一次型生成工程Ｓ１とスピンオンガラス基材生成工程Ｓ３とスピンオンガラス転写工程Ｓ５と二次型生成工程Ｓ７とを経てさなれる。 More specifically, the secondary mold M2a is manufactured through a primary mold generation process S1, a spin-on glass substrate generation process S3, a spin-on glass transfer process S5, and a secondary mold generation process S7.
一次型生成工程Ｓ１では、微細な転写パターンＭＡが形成されたマスター型Ｍ０を用い、微細な転写パターンＭＢが形成されている一次型Ｍ１を生成する。 In the primary mold generation step S1, a master mold M0 on which a fine transfer pattern MA is formed is used to generate a primary mold M1 on which a fine transfer pattern MB is formed.
スピンオンガラス基材生成工程Ｓ３では、一次型Ｍ１よりも大きい（基材３ａの全面）にスピンオンガラス５ａを設けてスピンオンガラス設置済基材７ａを生成する（図９（ａ）参照）。
In the spin-on-glass base material generation step S3, the spin-on
平板状の基材３ａの厚さ方向の一方の面（スピンオンガラス５が設置された面）の面積は、平板状の一次型Ｍ１の厚さ方向の一方の面（微細な転写パターンＭＢが形成されている面）の面積より大きくなっている。たとえば、一次型Ｍ１や基材３ａが矩形な平板状に形成されている場合、基材３ａの面の縦方向の寸法と一次型Ｍ１の面の縦方向の寸法とがお互いにほぼ等しくなっているとともに、基材３ａの面の横方向の寸法が、一次型Ｍ１の面の横方向の寸法の２倍よりも大きくなっている。また、たとえば、基材３ａの面の縦方向の寸法が、一次型Ｍ１の面の縦方向の寸法の２倍よりも大きくなっているとともに、基材３ａの面の横方向の寸法が、一次型Ｍ１の面の横方向の寸法の２倍よりも大きくなっている。
The area of one surface in the thickness direction of the
スピンオンガラス転写工程Ｓ５では、スピンオンガラス設置済基材７ａを、一次型Ｍ１で押圧する動作を複数回繰り返して行い、スピンオンガラス設置済基材７ａに設けられているスピンオンガラス５の複数箇所に、一次型Ｍ１に形成されている微細な転写パターンＭＢを転写する（図９（ａ）参照）。
In the spin-on glass transfer step S5, the operation of pressing the spin-on glass installed
すなわち、スピンオンガラス転写工程Ｓ５では、微細な転写パターンＭＢが形成されている一次型Ｍ１の平面状部位よりも広いスピンオンガラス設置面に設けられているスピンオンガラス５ａの複数箇所に、一次型Ｍ１に形成されている微細な転写パターンＭＢをステップ・アンド・リピートで転写している。なお、スピンオンガラス５ａに転写された各微細なパターン（一次型Ｍ１の微細な転写パターンＭＢに対応する各微細なパターン）９は、お互いが僅かに離れている。
That is, in the spin-on glass transfer step S5, the primary mold M1 is formed at a plurality of locations on the spin-on
二次型生成工程Ｓ７では、微細な転写パターン９が複数箇所に転写で形成されたスピンオンガラス設置済基材７ａを用い、微細な転写パターンＭＣが複数箇所に形成されている二次型Ｍ２ａを生成する（図９（ｂ）、（ｃ）参照）。それぞれの微細な転写パターンＭＣは、お互いが所定の距離だけ離れている。
In the secondary mold generation step S7, the secondary mold M2a in which the fine transfer pattern MC is formed in a plurality of locations is used by using the spin-on-glass-installed
なお、二次型Ｍ２ａは、そのままで、もしくは、１つの（１群の）転写パターンＭＣが形成されている部位ごとに分割されて、インプリント用型として使用される。 Note that the secondary mold M2a is used as an imprint mold as it is or after being divided into portions where one (group) transfer pattern MC is formed.
二次型Ｍ２ａの製造方法によれば、二次型Ｍ２ａに形成された各微細転写パターンＭＣのピッチ（スピンオンガラス５ａに形成された微細な転写パターン９のピッチｐ１）を小さくすることができる。
According to the manufacturing method of the secondary mold M2a, the pitch of each fine transfer pattern MC formed on the secondary mold M2a (the pitch p1 of the
すなわち、たとえば、図９で示すスピンオンガラス５ａの代わりに、紫外線硬化樹脂を使用すると、１回目の微細な転写パターンを形成するときに使用する紫外線が、２回目の微細な転写パターン（１回目の微細な転写パターンに隣接している微細な転写パターン）が形成される紫外線硬化樹脂側にもれてしまう。このような紫外線のもれが問題にならないようにするには、図９（ａ）で示すピッチｐ１を大きめにする必要がある。図９で示すスピンオンガラス５ａの代わりに、熱可塑性樹脂を使用する場合も、同様にして、図９（ａ）で示すピッチｐ１を大きめにする必要がある。
That is, for example, when an ultraviolet curable resin is used instead of the spin-on
しかし、スピンオンガラス５ａに微細な転写パターンＭＢを一次型Ｍ１から転写しても、この転写の部位のみでスピンオンガラス５ａの形状が変化するだけであり、転写の部位から少しでも離れていれば、スピンオンガラス５ａは何ら影響を受けない。したがって、二次型Ｍ２ａに形成された微細な転写パターンＭＣのピッチｐ１を小さくすることができる。
However, even if the fine transfer pattern MB is transferred from the primary mold M1 to the spin-on
なお、上述した二次型Ｍ２ａの製造方法は、微細な転写パターンが形成されたマスター型を用い、微細な転写パターンが形成されている一次型を靭性を備えた材料で生成する一次型生成工程と、前記一次型よりも大きい基材にインプリント用素材５ａを設けてインプリント用素材設置済基材を生成するインプリント用基材生成工程と、前記インプリント用素材設置済基材のインプリント用素材にエネルギーを授受することなく、前記インプリント用素材設置済基材を前記一次型で押圧する動作を複数回繰り返して行い、前記インプリント用素材設置済基材に設けられているインプリント用素材の複数箇所に、前記一次型に形成されている微細な転写パターンを転写するインプリント用素材転写工程と、前記微細な転写パターンが複数箇所に転写されたインプリント用素材設置済基材を用い、微細な転写パターンが複数箇所に形成されている二次型を生成する二次型生成工程とを有する型の製造方法の例である。
In addition, the manufacturing method of the secondary mold M2a described above uses a master mold on which a fine transfer pattern is formed, and generates a primary mold on which a fine transfer pattern is formed with a material having toughness. And an imprint base material generation step of generating an imprint material set base material by providing the
３、３ａ 基材
５、５ａ インプリント用素材（スピンオンガラス）
７、７ａ インプリント用素材設置済基材（スピンオンガラス設置済基材）
１１ シード層
Ｍ０ マスター型
Ｍ１ 一次型
Ｍ２、Ｍ２ａ 二次型
ＭＡ、ＭＢ、ＭＣ 微細な転写パターン
Ｓ１ 一次型生成工程
Ｓ３ インプリント用基材生成工程（スピンオンガラス基材生成工程）
Ｓ５ インプリント用素材転写工程（スピンオンガラス転写工程）
Ｓ７ 二次型生成工程
3,
7, 7a Imprint material installed base material (spin-on glass installed base material)
11 Seed layer M0 Master type M1 Primary type M2, M2a Secondary type MA, MB, MC Fine transfer pattern S1 Primary type generation process S3 Imprint base material generation process (spin-on-glass base material generation process)
S5 Imprint material transfer process (spin-on-glass transfer process)
S7 Secondary generation process
Claims (6)
基材にインプリント用素材を設けてインプリント用素材設置済基材を生成するインプリント用基材生成工程と、
前記インプリント用素材設置済基材のインプリント用素材にエネルギーを授受することなく、前記インプリント用素材設置済基材を前記一次型で押圧をして、前記インプリント用素材設置済基材に設けられているインプリント用素材に、前記一次型に形成されている微細な転写パターンを転写するインプリント用素材転写工程と、
前記微細な転写パターンが転写されたインプリント用素材設置済基材を用い、微細な転写パターンが形成されている二次型を生成する二次型生成工程と、
を有することを特徴とする型の製造方法。 A primary mold generating step of generating a primary mold on which a fine transfer pattern is formed with a material having toughness using a master mold on which a fine transfer pattern is formed;
An imprint base material generating step for generating an imprint material installed base material by providing an imprint material on the base material;
The imprint material installed base material is pressed by the primary mold without transferring energy to the imprint material of the imprint material installed base material, and the imprint material installed base material. Imprint material transfer step of transferring a fine transfer pattern formed on the primary mold to the imprint material provided in
A secondary mold generating step for generating a secondary mold in which a fine transfer pattern is formed using the imprint material installed base material to which the fine transfer pattern is transferred,
A mold manufacturing method characterized by comprising:
基材にスピンオンガラスを設けてスピンオンガラス設置済基材を生成するスピンオンガラス基材生成工程と、
前記スピンオンガラス設置済基材を、前記一次型で押圧して、前記スピンオンガラス設置済基材に設けられているスピンオンガラスに、前記一次型に形成されている微細な転写パターンを転写するスピンオンガラス転写工程と、
微細な転写パターンが転写されたスピンオンガラス設置済基材を用い、微細な転写パターンが形成されている二次型を生成する二次型生成工程と、
を有することを特徴とする型の製造方法。 Using a master mold on which a fine transfer pattern is formed, a primary mold generating process for generating a primary mold on which a fine transfer pattern is formed with metal,
A spin-on-glass base material generating step of providing a spin-on glass on a base material to generate a spin-on glass-installed base material;
The spin-on glass that presses the base material on which the spin-on glass is installed with the primary mold and transfers the fine transfer pattern formed on the primary mold onto the spin-on glass provided on the base material on which the spin-on glass is installed. A transfer process;
A secondary mold generating step for generating a secondary mold in which a fine transfer pattern is formed, using a spin-on-glass-installed base material on which a fine transfer pattern is transferred;
A mold manufacturing method characterized by comprising:
前記スピンオンガラスは導電性を備えており、前記二次型生成工程は、電鋳により前記二次型を生成する工程であるか、
または、前記二次型生成工程は、前記基材の微細な転写パターンが転写されたスピンオンガラスに導電性を備えたシード層を設け、電鋳により、前記二次型を生成する工程であることを特徴とする型の製造方法。 In the manufacturing method of the type | mold of Claim 2,
The spin-on glass has conductivity, and the secondary mold generation step is a step of generating the secondary mold by electroforming,
Alternatively, the secondary mold generation step is a step of generating a secondary mold by electroforming by providing a seed layer having conductivity on a spin-on glass onto which a fine transfer pattern of the substrate is transferred. A mold manufacturing method characterized by the above.
前記一次型よりも大きい基材にインプリント用素材を設けてインプリント用素材設置済基材を生成するインプリント用基材生成工程と、
前記インプリント用素材設置済基材のインプリント用素材にエネルギーを授受することなく、前記インプリント用素材設置済基材を前記一次型で押圧する動作を複数回繰り返して行い、前記インプリント用素材設置済基材に設けられているインプリント用素材の複数箇所に、前記一次型に形成されている微細な転写パターンを転写するインプリント用素材転写工程と、
前記微細な転写パターンが複数箇所に転写されたインプリント用素材設置済基材を用い、微細な転写パターンが複数箇所に形成されている二次型を生成する二次型生成工程と、
を有することを特徴とする型の製造方法。 A primary mold generating step of generating a primary mold on which a fine transfer pattern is formed with a material having toughness using a master mold on which a fine transfer pattern is formed;
An imprint base material generating step of generating an imprint material installed base material by providing an imprint material on a base material larger than the primary type;
Without impressing energy to the imprint material of the imprint material-installed base material, the operation of pressing the imprint material-installed base material with the primary mold is repeated a plurality of times, for the imprint Imprint material transfer step of transferring the fine transfer pattern formed in the primary mold to a plurality of locations of the imprint material provided on the material-installed base material,
A secondary mold generating step for generating a secondary mold in which the fine transfer pattern is formed at a plurality of locations using the imprint material installed base material on which the fine transfer pattern is transferred at a plurality of locations;
A mold manufacturing method characterized by comprising:
前記一次型よりも大きい基材にスピンオンガラスを設けてスピンオンガラス設置済基材を生成するスピンオンガラス基材生成工程と、
前記スピンオンガラス設置済基材を、前記一次型で押圧する動作を複数回繰り返して行い、前記スピンオンガラス設置済基材に設けられているスピンオンガラスの複数箇所に、前記一次型に形成されている微細な転写パターンを転写するスピンオンガラス転写工程と、
前記微細な転写パターンが複数箇所に転写されたスピンオンガラス設置済基材を用い、微細な転写パターンが複数箇所に形成されている二次型を生成する二次型生成工程と、
を有することを特徴とする型の製造方法。 Using a master mold on which a fine transfer pattern is formed, a primary mold generating process for generating a primary mold on which a fine transfer pattern is formed with metal,
A spin-on glass base material producing step for producing a spin-on glass-installed base material by providing spin-on glass on a base material larger than the primary type;
An operation of pressing the spin-on glass-installed base material with the primary mold is repeated a plurality of times, and the primary mold is formed at a plurality of locations of the spin-on glass provided on the spin-on glass-installed base material. A spin-on-glass transfer process for transferring a fine transfer pattern;
A secondary mold generating step for generating a secondary mold in which a fine transfer pattern is formed at a plurality of locations using a spin-on glass-installed base material on which the fine transfer pattern is transferred at a plurality of locations;
A mold manufacturing method characterized by comprising:
前記スピンオンガラスは導電性を備えており、前記二次型生成工程は、電鋳により前記二次型を生成する工程であるか、
または、前記二次型生成工程は、前記基材の微細な転写パターンが転写されたスピンオンガラスに導電性を備えたシード層を設け、電鋳により、前記二次型を生成する工程であることを特徴とする型の製造方法。 In the manufacturing method of the type | mold of Claim 5,
The spin-on glass has conductivity, and the secondary mold generation step is a step of generating the secondary mold by electroforming,
Alternatively, the secondary mold generation step is a step of generating a secondary mold by electroforming by providing a seed layer having conductivity on a spin-on glass onto which a fine transfer pattern of the substrate is transferred. A mold manufacturing method characterized by the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010143720A JP2012006233A (en) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | Method for manufacturing mold |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010143720A JP2012006233A (en) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | Method for manufacturing mold |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012006233A true JP2012006233A (en) | 2012-01-12 |
Family
ID=45537369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010143720A Pending JP2012006233A (en) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | Method for manufacturing mold |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2012006233A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018181808A (en) * | 2017-04-21 | 2018-11-15 | 大日本印刷株式会社 | Manufacturing method of mass-production mask original plate, manufacturing method of display device-forming substrate and manufacturing method of display device |
| WO2020009145A1 (en) * | 2018-07-06 | 2020-01-09 | 株式会社フジクラ | Method for producing high-frequency passive component |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5749530A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of replica |
| JPH03157923A (en) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPH0924557A (en) * | 1995-05-11 | 1997-01-28 | Kuraray Co Ltd | Manufacture of optical component |
| JP2007030212A (en) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Ricoh Co Ltd | Manufacturing method of stamper for molding plastic |
| JP2007103924A (en) * | 2005-09-06 | 2007-04-19 | Canon Inc | Mold, imprint apparatus, and method for producing structure |
| JP2008247022A (en) * | 2007-03-08 | 2008-10-16 | Toshiba Mach Co Ltd | Method of forming micropattern, mold formed by this method of forming micropattern, transfer method and micropattern forming method using this mold |
| JP2011083993A (en) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Toshiba Mach Co Ltd | Manufacturing method of mold |
-
2010
- 2010-06-24 JP JP2010143720A patent/JP2012006233A/en active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5749530A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of replica |
| JPH03157923A (en) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPH0924557A (en) * | 1995-05-11 | 1997-01-28 | Kuraray Co Ltd | Manufacture of optical component |
| JP2007030212A (en) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Ricoh Co Ltd | Manufacturing method of stamper for molding plastic |
| JP2007103924A (en) * | 2005-09-06 | 2007-04-19 | Canon Inc | Mold, imprint apparatus, and method for producing structure |
| JP2008247022A (en) * | 2007-03-08 | 2008-10-16 | Toshiba Mach Co Ltd | Method of forming micropattern, mold formed by this method of forming micropattern, transfer method and micropattern forming method using this mold |
| JP2011083993A (en) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Toshiba Mach Co Ltd | Manufacturing method of mold |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018181808A (en) * | 2017-04-21 | 2018-11-15 | 大日本印刷株式会社 | Manufacturing method of mass-production mask original plate, manufacturing method of display device-forming substrate and manufacturing method of display device |
| WO2020009145A1 (en) * | 2018-07-06 | 2020-01-09 | 株式会社フジクラ | Method for producing high-frequency passive component |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101198903B (en) | Pattern replication with intermediate stamp | |
| KR100674157B1 (en) | Nanoimprint lithograph for fabricating nanoadhesive | |
| CN102540707B (en) | Imprint lithography | |
| Lan et al. | Nanoimprint lithography | |
| JP4679585B2 (en) | Method for forming nanodisks used in imprint lithography | |
| JP2006253677A (en) | Imprint lithography | |
| JP2005286222A (en) | Imprinting stamper, manufacturing method of the imprinting stamper, imprint method, and disassembling method of the imprinting stamper | |
| JPWO2005057634A1 (en) | Pattern formation method using nanoimprint and apparatus for executing the method | |
| US20120297856A1 (en) | Method and process for metallic stamp replication for large area nanopatterns | |
| US8277717B2 (en) | Nano imprinting method and apparatus | |
| JP5433370B2 (en) | Mold manufacturing method | |
| Kwak et al. | Large‐area dual‐scale metal transfer by adhesive force | |
| JP2012006233A (en) | Method for manufacturing mold | |
| Peng et al. | Continuous roller nanoimprinting: next generation lithography | |
| KR100934239B1 (en) | How to make a large area stamp for imprint | |
| KR100930925B1 (en) | Composite Imprint Stamp and Manufacturing Method | |
| US20110076451A1 (en) | Imprinting method and device utilizing ultrasonic vibrations | |
| JP2004221465A (en) | Method and mold for forming resist pattern | |
| KR101049218B1 (en) | Micro pattern formation method using applied pressure elimination | |
| JP6668714B2 (en) | Injection mold release test method | |
| JP2009277267A (en) | Pattern transfer method | |
| JP5752889B2 (en) | Transfer method | |
| JP6634721B2 (en) | Imprint mold and release processing method thereof | |
| TWI522229B (en) | Method and process for metallic stamp replication for large area nanopatterns | |
| JP5790798B2 (en) | Imprint mold and pattern forming method using the mold |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130509 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140217 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140304 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140414 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141111 |