JP2011529256A - 誘電体スラブのエッジ部の誘電加熱 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は誘電性の、非鉄材料から形成したスラブのエッジ部の誘電加熱に関する。
f=2×106(ρ・gc/τ2・ds)
ここで、ρはΩ・mでのストリップの電気抵抗値、gcは各コイルセクション間のメートル単位の間隙(開口)、τは誘導コイルのメートル単位の極間隔(ステップ)、dsはストリップのメートル単位の厚さとする。
誘導加熱に関し、ストリップは、材料の誘導渦電流の標準侵入深さが当該材料の肉厚未満であるプロセスにより誘導加熱されるシート材として定義し得る。逆にスラブは、材料の誘導渦電流の標準侵入深さが材料の肉厚以上であるプロセスにより誘導加熱されるシート材として定義し得る。シート材のエッジ部の誘導加熱技法は材料がストリップであるかスラブであるかにより相違し得る。
式:fslab>0.5・107・(ρslab/d2 slab)
ここで、ρslabはスラブの電気抵抗測定値、dslabはスラブ厚とする。
エッジ補償装置領域内には導伝性補償装置を配置する。
スラブ91は、当該スラブの各側面の上下に各配置されて横断磁束インダクタ(誘導コイル)12を構成するところの横断磁束コイルセクション(以下、コイルセクションとも称する)12a及び12bの横断方向コイルセグメント(以下、コイルセグメントとも称する)12a1及び12b1間でX軸方向に移動する。2つのコイルセクションはZ方向において相互に平行であることが好ましい。銅配合物等の高導伝材から形成した導電性補償装置20を、以下に説明する如くエッジ補償装置領域内でスラブの各エッジ部の隣に配置する。コイルセクション12a及び12bは、瞬時電流が矢印で表す方向に流れるよう、例えば図4(b)に示す如く単一の電源92に接続するのが好ましい。図4(b)では電源は前記2つのコイルセクションの各コイルの一端に接続されるが、本発明の他の実施例ではその他好適な電源接続ポイントを使用できる。例えば、電源をコイルセグメントの各コイルセクションに接続し得る。電源は、各コイルセクション用に個別化するよりはむしろ、上下の各コイルセクション間の磁束対称化が容易化され得るよう単一であるのが好ましい。
fslab>0.5・107・(ρslab/d2 slab)--------------(式1)
ここで、ρslabはスラブのΩ・mでの電気抵抗測定値、dslabはメートルでのスラブ厚とする。
スラブの横断方向幅の範囲は、補償装置をY軸(横)方向に移動させてスラブの幅変化を収受させる手段96(図3)を設けることを前提として本発明の1構成により収受され得る。例えば、補償装置用の移動装置は、当該補償装置に構造上連結し且つ1つ以上の線形アクチュエータ(または代替法としての手動操作)の出力部に装着した直線レールまたは直線ロッドであり得る。
横断磁束コイルセクションの伸張端部間で磁束補償装置を(空気に代えて)使用することでコイルのインピーダンスが著しく低下し、かくしてスラブエッジ部の誘導加熱に十分な電力が電源から提供され得る。
横断磁束コイルセクションの横断方向コイルセグメントを通して移動する各スラブは任意長さを有し得る。
上述した各例では単一巻きコイルセクションを持つ横断磁束インダクタを使用するが、本発明の他の例では多重巻きコイルセクションが使用される。本発明の上述した各例のスラブエッジ部誘導加熱装置及び方法の各実施例はスラブの横断方向の両エッジ部を加熱するが、他の例ではスラブの横断方向の一方のエッジ部のみが誘導加熱される。
以上、本発明を実施例を参照して説明したが、本発明の内で種々の変更をなし得ることを理解されたい。
12a、12b コイルセクション
20 導電性補償装置
91 スラブ
92 電源
94 磁気分路
96 手段
98、99 磁束配分
Claims (8)
- 導伝性材料のスラブの横断方向エッジ部の少なくとも1つを誘導加熱するためのスラブエッジ部誘導加熱装置であって、
一対の横断磁束コイルセクションにして、各横断磁束コイルセクションが一対の横断方向コイルセグメントを有し、前記一対の横断磁束コイルセクションの一方における一対の横断方向コイルセグメントが、他方の前記横断磁束コイルセクションの一対の横断方向コイルセグメントから離間され、かくしてスラブがその長手方向を前記一対の横断磁束コイルセクションの各一対の横断方向コイルセグメントと実質的に直交する状態下に通過するところのスラブ誘導加熱領域が形成され、前記一対の横断磁束コイルセクションの各々における前記横断方向コイルセグメントがコイルピッチ距離において同一平面内で相互離間され、前記一対の横断磁束コイルセクションの各々における前記横断方向コイルセグメントが、前記スラブ誘導加熱領域内でスラブの少なくとも1つのエッジ部を超えて横断方向に伸延する横断方向伸張端を有し、前記一対の横断磁束コイルセクションの各横断方向コイルセグメントの前記横断方向伸張端が、前記スラブ誘導加熱領域内でスラブの長手方向と実質的に平行配向した別個の長手方向コイルセグメントにより相互連結され、前記横断方向伸張端と前記長手方向コイルセグメントとが、前記横断方向伸張端と前記一対の横断磁束コイルセクションの各前記長手方向コイルセグメントとの間にエッジ補償装置領域を形成する前記一対の横断磁束コイルセクションを含み、
少なくとも1つの前記磁束集中化装置が、前記一対の横断磁束コイルセクションの少なくとも1つの横断方向コイルセグメントを、前記スラブ誘導加熱領域とは逆向きの実質的に全ての方向において包囲し、
少なくとも1つの交流電源が前記一対の横断磁束コイルセクションに接続され、かくして瞬時電流が前記一対の横断磁束コイルセクションの各々を通して同一方向に流れ、各前記少なくとも1つの交流電源が、ρslabをスラブの電気抵抗測定値、dslabをスラブ厚とする式:fslab>0.5・107・(ρslab/d2 slab)
に従い決定する出力周波数fslabを有し、前記エッジ部補償装置領域内に導伝性の磁束補償装置が配置されるスラブエッジ部誘導加熱装置。 - 磁束補償装置が全体に矩形形状を有し、その長さが極ピッチ距離以上であり、その高さが、前記一対の横断磁束コイルセクションの長手方向コイルセグメントの各前記横断方向伸張端間の距離に実質的に等しく、他方、前記一対の横断磁束コイルセクション間の電気的絶縁性を維持する高さであり、前記磁束補償装置の高さがスラブ肉厚以上である請求項1のスラブエッジ部誘導加熱装置。
- 前記少なくとも1つの横断方向エッジ部がスラブの横幅の内側65%部分における温度の少なくとも10倍もの高さの温度に誘導加熱される請求項1のスラブエッジ部誘導加熱装置。
- 誘導渦電流侵入深さに対するスラブ肉厚の比が3以上である請求項1のスラブエッジ部誘導加熱装置。
- スラブ誘導加熱領域内におけるスラブの横幅の変化に応じて導伝性補償装置を移動させる装置を更に含む請求項1のスラブエッジ部誘導加熱装置。
- 導伝性のスラブの少なくとも一方の横断方向エッジ部を誘導加熱する方法であって、
各々が一対の横断方向コイルセグメントを有する一対の横断磁束コイルセクション間に導電性のスラブを通過させること、
前記一対の横断磁束コイルセクションに交流電流を印加し、かくして瞬時電流を前記一対の横断磁束コイルセクションの各々を通して同一方向に流すこと、
前記交流電流の周波数を、ρslabをスラブの電気抵抗測定値、dslabをスラブ厚とする式:fslab>0.5・107・(ρslab/d2 slab)
に従い決定するスラブエッジ部加熱周波数fslabに設定すること、及び、
前記エッジ部補償装置領域内に導伝性の磁束補償装置を配置すること、
を含み、
前記一対の横断磁束コイルセクションの一方における一対の横断方向コイルセグメントが、他方の前記横断磁束コイルセクションの一対の横断方向コイルセグメントから離間され、かくしてスラブがその長手方向を前記一対の横断磁束コイルセクションの各一対の横断方向コイルセグメントと実質的に直交する状態下に通過するところのスラブ誘導加熱領域が形成され、前記一対の横断磁束コイルセクションの各々における前記横断方向コイルセグメントがコイルピッチ距離において相互に同一平面内で離間され、前記一対の横断磁束コイルセクションの各々における前記横断方向コイルセグメントが、前記スラブ誘導加熱領域内でスラブの少なくとも1つのエッジ部を超えて横断方向に伸延する横断方向伸張端を有し、前記一対の横断磁束コイルセクションの各横断方向コイルセグメントの前記横断方向伸張端が、前記スラブ誘導加熱領域内でスラブの長手方向に実質的に平行に配向した別個の長手方向コイルセグメントにより相互連結され、前記横断方向伸張端と前記長手方向コイルセグメントとが、前記横断方向伸張端と前記一対の横断磁束コイルセクションの各々の前記長手方向コイルセグメントとの間にエッジ補償装置領域を形成し、少なくとも1つの前記磁束集中化装置が、前記一対の横断磁束コイルセクションの少なくとも1つの横断方向コイルセグメントを、前記スラブ誘導加熱領域とは逆向きの実質的に全ての方向において包囲する前記方法。 - 導電性のスラブの少なくとも1つの横断方向エッジ部を、該スラブの横幅の内側65%部分の温度の少なくとも10倍もの高さに誘導加熱することを更に含む請求項6の方法。
- 前記スラブ誘導加熱領域内のスラブ横幅の変化に応じて前記導電性補償装置を移動させることを更に含む請求項6の方法。
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