JP2011504652A - 有機半導体材料分子を用いた薄膜形成方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】ステップa)薄膜形成の為に、一定量のOSCM分子を融解状態でキャリア表面に供給するステップ、及び
b)薄膜を凝固する為に、一定の温度プロファイルに基づいて冷却を行うステップ
からなり、
ステップa)を実施の際、キャリア表面の温度はOSCM分子の融点と一致するか、あるいは融点より高いことを特徴とし、
またステップb)は、以下の第1のパートと第2のパートからなる温度プロファイルに基づいて実施されることを特徴とするOSCM分子を用いた薄膜の形成方法。
−OSCM分子が冷却されて再結晶温度に近い温度となり、該OSCM分子における冷却速度は、融解状態の薄膜中に1つの種結晶のみが出現するのに十分な程度遅く設定される、OSCM分子の徐冷制御に対応する第1のパート、及び
−前記1つの種結晶を発端として少なくとも1つの単結晶領域が成長し、最終的には単結晶薄膜が得られる、OSCM分子の冷却制御に対応する第2のパート。
【選択図】 図1
Description
semiconductor material)分子を用いて薄膜を形成する方法に関し、該膜は電子工学あるいは光電子工学分野に適用されるデバイスに搭載されることを目的とする。したがって前記適用を促進する為に、前記有機半導体材料は構造組織、すなわちアモルファス(非晶質)と結晶との中間状態を有するのが好ましい。
diodes)を例とするダイオード、有機電界効果トランジスタ(OFETS;organic field effect transistors)、ポリマー有機電界効果トランジスタ(PFETS;polymer organic field effect transistors)や有機半導体からなる単結晶を活性層として利用する有機電界効果トランジスタ(SCOFETS;single
crystal organic field effect transistors)を例とする電界効果トランジスタ、あるいは有機太陽電池や有機レーザーのような多様な電子部品の製造に用いられる活性層として使用されてきた。
rubrene hypereutectics” (N. Stingelin-Stutzmann et al, in Nature Materials,
Vol. 4, August 2005) の記載内容から、多結晶OSCMからなる薄膜の形成方法が理解出来る。該形成方法とは、まずOSCMを含む組織を融解させ、その後該液化した組織を冷却することにより薄膜材料を多結晶体として凝固させることである。
a)薄膜形成の為に、一定量のOSCM分子を融解(融点([Mp];melting point)
よりも高い温度にある)状態でキャリア表面に供給するステップ。
b)薄膜を凝固する為に、一定の温度プロファイルに基づいて冷却を行うステップ。
−OSCM分子における徐冷制御に対応する第1のパート。該パートによりOSCM分子は冷却されて(後記種結晶が生成される)再結晶温度に近い温度となり、該OSCM分子における冷却速度は、OSCM分子が融解状態にある薄液膜中に1つの種結晶のみが出現するのに十分な程度遅く設定される。
−OSCM分子における冷却制御に対応する第2のパート。該パートにより前記1つの種結晶を発端として少なくとも1つの単結晶領域が成長し、最終的には単結晶薄膜が得られる。
−本方法は不活性雰囲気下で実施される。
−本方法はステップa)の前に、前記OSCM分子を固形状態で提供し、融点より高い温度まで加熱する工程を含む。
−ステップb)は、キャリア表面上に融解状態のOSCM分子が薄液膜状態で分布するように、好ましくは該OSCM分子の表面に加圧する工程を含む。
−ステップa)は以下の工程を含む。
・前記キャリアを加熱炉の受容装置内に形成する。
・融解状態のOSCM分子をキャリア上に拡散させる。
・キャリア表面上に均一厚で薄液膜が分布するように、融解状態のOSCM分子の表面に圧力を加える。
−ステップb)の実施中、薄液膜に直接接触し、炉温調節システムによってサーボ制御される温度制御手段によって、冷却が制御される。
−第1の群は化合物(3)、(4)、(5)及び(6)から構成される。
Mwは分子量を表し、nは好ましくは2〜20の間の整数である。
・(3)及び(4)に示す第1のパターンにおいて、X1=X2=X3=X4=Cであり、あるいは(3)においてはCをCHで置換してもよい。該パターンは例としてビフェニル(n=2)、テルフェニル(n=3)、クオターフェニル(n=4)、キンクフェニル(n=5)あるいはセキシフェニル(n=6)を定義する。
・(5)及び(6)に示す第2のパターンにおいて、Y1=S、Y2=Y3=Cであり、あるいは(5)においてはCをCHで置換してもよい。該パターンは例としてα−ビチエニル(n=2)、α−テルチエニル(n=3)、α−クオターチエニル(n=4)、α−キンクチエニル(n=5)あるいはα−セキシチエニル(n=6)を定義する。
上記第1の群において、R1、R2、R3及びR4は好ましくは水素原子、フェニルあるいはベンジル等のアラルキルのうちいずれか1のラジカルであり、1〜6の炭素原子を有する飽和あるいは不飽和結合を含む直鎖あるいは分岐鎖のラジカルとして定義される。
nは好ましくは2〜20の間の整数である。
・(9)、(10)、(13)、(14)に示す第1のパターンにおいて、X1=X2=X3=X4=Cであり、あるいは(9)及び(13)においてはCをCHで置換してもよい。該パターンは繰り返し単位nに応じて、例としてオリゴ(1,4−フェニレンビニレン)あるいはオリゴ(1,4−フェニレンエチニレン)を定義する。
・(11)、(12)、(15)、(16)に示す第2のパターンにおいて、Y1=S、Y2=Y3=Cであり、あるいは(11)及び(15)においてはCをCHで置換してもよい。該パターンは例としてオリゴ(2,5−チエニレンビニレン)あるいはオリゴ(2,5−チエニレンエチニレン)を定義する。
上記第2の群において、R1、R2、R3及びR4は好ましくは水素原子、フェニルあるいはベンジル等のアラルキルのうちいずれか1のラジカルであり、1〜6の炭素原子を有する飽和あるいは不飽和結合を含む直鎖あるいは分岐鎖のラジカルとして定義される。
nは好ましくは0〜20の間の整数である。
・(17)に示す第1のパターンは、例としてナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセンあるいはヘキサセンを定義する。
・(18)に示す第2のパターンにおいて、R5=R10=フェニル基であり、繰り返し単位nに応じて、例えば9,10−ジフェニルアントラセン、5,12−ジフェニルナフタセンあるいはルブレンとも呼ばれる5,6,11,12−テトラフェニルナフタセンが定義される。
・(19)に示す第3のパターンは、ピレン、1,3,6,8−テトラフェニルピレン、1,3,6,8−テトラチエニルピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、あるいはC60、C70、C76、C78、C84フラーレンを定義する。
・(20)に示す第4のパターンは、ナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド、アントラセン−2,3,6,7−テトラカルボン酸ジイミド及びペリレン−3,4,9,10−テトラカルボン酸ジイミドを定義する。
上記第3の群において、R1〜R10は好ましくは水素原子、フェニルあるいはベンジル等のアラルキルのうちいずれか1のラジカルであり、1〜6の炭素原子を有する飽和あるいは不飽和結合を含む直鎖あるいは分岐鎖のラジカルとして定義される。
・後述の基礎パターンM1を有するアリール基。該M1パターンにおいては、X1=X2=X3=X4=Cである。
・基礎パターンM1を有するヘテロアリール基。該M1パターンにおいて、X1、X2、X3及びX4にはC、O、S、N、P及びBのうちいずれか1以上が選択されるが、その際好ましくはC、NあるいはPのいずれか1以上が、特に好ましくはCあるいはNのいずれかが選択される。
・後述の基礎パターンM2を有するヘテロ環式基。該M2パターンにおいて、Y1=O、S、N、PあるいはBのいずれか1であるが、その際好ましくはO、SあるいはNのいずれか1以上が、特に好ましくはSが選択される。さらにY2およびY3にはC、O、S、N、P及びBのうちいずれか1以上が選択されるが、その際好ましくはC、NあるいはPのいずれか1以上が、特に好ましくはCあるいはNのいずれかが選択される。
a)前もってパターニングしたプレパターン基板を供給するステップ。該プレパターン基板はゲート誘電体、ソース電極及びドレイン電極をそなえる。
b)本発明に従って単結晶性OSCM分子から薄膜を形成するステップ。該ステップにおいて前記プレパターン基板は前記キャリアとなり、また前記薄膜はトランジスタの活性層となる。
さらに前記小規模分子の特性として、好ましくは融点にて一致融解を示す。
また、高分子構造(n>20)を有する有機半導体ポリマー(OSCPs;organic
Semiconductor Polymers)、高分子構造(n>20)を有する有機半導体共重合体(OSCCs;organic Semiconductor Copolymers)及びメソ構造有機半導体材料(MOSCMs;Mesomorphous organic Semiconductor Materials)は本発明の範囲から除外する。
好ましくはX1、X2、X3及びX4にはC、NあるいはPの中から、特に好ましくはCあるいはNのいずれかが選択される。
同様にY2及びY3にも、好ましくはC、NあるいはPの中から、特に好ましくはCあるいはNのいずれかが選択される。
nは好ましくは2〜20の間の整数である。
nは好ましくは2〜20の間の整数である。
nは好ましくは0〜20の間の整数である。R1〜R10の定義は後述する通りである。
上記の置換基からはX1及び/あるいはX2及び/あるいはX3及び/あるいはX4=Oの場合、さらにY2及び/あるいはY3=Oの場合が除外される。
シアノ、アミノ、フルオロ、クロロ、ブロモ、ヨード、ニトロ、フェニル、ヒドロキシ、スルホ、C1−20アルキル、C2−20アルケニル、C2−20アルキニル、エステル(例:−CO2−Ra:Raは非置換のC1−20アルキル、アルケニル、アルキニル及び本明細書で定義したアラルキルのいずれか)、アルキルエステル(例:−Rb1−CO2−Ra1:Ra1はRaと同じ定義であり、Rb1はC1−20アルキル、C2−20アルケニル、C2−20アルキニル及び本明細書で定義したアラルキルのいずれか)、C1−20アルコキシ、アミド(例:−CONRbRc:Rb及びRcは夫々水素原子、非置換のC1−20アルキル、C2−20アルケニル、C2−20アルキニル及び本明細書で定義したアラルキルのいずれかを独立して選択)、アルキニルアリール(例:−CC−aryl−Rc1:Rc1は水素原子、非置換のC1−20アルキル、C2−20アルケニル、C2−20アルキニル及び本明細書で定義したアラルキルのいずれか)。
さらに、該化合物は前記環内に窒素、硫黄、酸素などの少なくとも1つのヘテロ原子、あるいは該ヘテロ原子の組み合わせを含んでヘテロ環を形成し、該ヘテロ環のうち少なくとも1つは芳香性を有する。
前記ヘテロ原子を含む少なくとも1つの環は3、4、5、6、7または8員環の場合もある。
ここで用いられるヘテロアリールとは芳香環に加えて、部分的または完全な飽和環を有する化合物を含むことを意図している。
ヘテロ原子は部分的または完全な飽和環の中に、あるいは芳香環の中に位置することができる。
シアノ、アミノ、フルオロ、クロロ、ブロモ、ヨード、ニトロ、フェニル、ヒドロキシ、スルホ、チオール、エステル(例:−CO2−Rd:Rdは非置換のC1−6アルキル、アルケニル、アルキニル及び本明細書で定義したアラルキルのいずれか)、アミド(例:−CONReRf:Re及びRfは夫々水素原子、非置換のC1−6アルキル、C1−6アルケニル、C1−6アルキニル及び本明細書で定義したC1−6アラルキルのいずれかを独立して選択)。
直鎖アルキルは、例としてメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシルを含む。
分岐鎖アルキルは、例としてイソプロピル、イソブチル、ターシャルブチルを含む。
シクロアルキルは、例としてシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルを含む。
アルキル基がメチルの場合、オルト位あるいはメタ位をアリールあるいはヘテロアリール基で置換するのが好ましい。またアルキル基形成の為には、3以上の炭素原子を含み、分岐鎖構造の異性体であることが好ましい。
シアノ、アミノ、フルオロ、クロロ、ブロモ、ヨード、ニトロ、ヒドロキシ、スルホ、チオール、エステル(例:−CO2−Rg:RgはC1−6アルキル、C1−6アルケニル、非置換のC1−6アルキニル、及びいずれも本明細書で定義したアラルキル及びアリールのいずれか)、C1−6アルコキシ、アミド(例:−CONRhRi:Rh及びRiは夫々水素原子、C1−6アルキル、C1−6アルケニル、非置換のC1−6アルキニル、及びいずれも本明細書で定義したアラルキル及びアリールのいずれかを独立して選択)。
アルキル基はアルキル鎖で置換可能であり、該アルキル鎖は1以上のヘテロ原子を含み、該ヘテロ原子はO、S及びNから1以上選択される。
カルボニル基、テトラカルボン酸ジイミド(例:ナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド)及びアントラセンテトラカルボン酸ジイミド(例:アントラセン−2,3,6,7−テトラカルボン酸ジイミド)等のカルボキシル基、C60、C70、C76、C78及びC84のうちいずれかの構造を有するフラーレン、カーボンナノチューブ(例:シングルウォールナノチューブ(SWNTs;Single-Walled Carbon Nanotubes))及び縮合多環式化合物。
前記ポリアセン誘導体は、ポリアセンの炭素原子をN、S及びO原子のいずれか1以上で置換したものでもよい。
尚、前記縮合多環式化合物のさらなる例については特開平11−195790号公報(特許第3387832号公報)に詳しい記述がある。
アリール、アルキニルアリール、C1−20アルキル、C2−20アルケニル、C2−20アルキニル、C1−20アラルキル、C1−20アルコキシ、−CCh−Ri。
尚、Riは非置換のC1−20アルキル、非置換のC2−20アルケニル、非置換のC2−20アルキニル、アラルキル、前記1以上のアリール、及び/あるいは前記1以上のアルキニルアリール及び/あるいは前記1以上のアラルキルのいずれかである。
また該Riの芳香環上に置換される基としては、以下に挙げる基からいずれか1以上を任意的に選択可能である。
フェニル、C1−20アルキル、C2−20アルケニル、C1−20アラルキル、C1−20アルコキシ、−CO2−Rk。
尚、Rkは非置換のC1−20アルキルで置換したC1−20アルケニル及び非置換のC1−20アルキルで置換したC2−20アルキニルのいずれかである。
シアノ、アミノ、フルオロ、クロロ、ブロモ、ヨード、ニトロ、ヒドロキシ、スルホ、チオール、アミド(例:−CONRlRm:Rl及びRmは夫々水素原子、非置換のC1−6アルキルで置換したアルケニル、非置換のC1−6アルキルで置換したアルキニル、及びアリール、アラルキルのいずれかを独立して選択)。
nは好ましくは0〜20の間の整数であり、好ましくは1〜6である。
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及びR10には以下に挙げる物質からなる基のうちいずれかを独立して選択する。
水素原子、アリール、アルキニルアリール、C1−20アルキル、非置換のアルキルで置換したC1−20アルケニル、非置換のアルキルで置換したC2−20アルケニル、C2−20アルキニル、C1−20アラルキル、C1−20アルコキシ、−CO2−RO。
尚、ROは非置換のアルキルで置換したC1−20アルケニル、あるいは非置換のアルキルで置換したC2−20アルケニル、非置換のアルキルで置換したC2−20アルキニル、非置換のアルキルで置換したC1−20アラルキル、非置換のアルキルで置換したC1−20アルコキシのいずれかである。
さらに、前記アリールはフェニルであるのが好ましい。
さらに好ましくは、R5及びR10はアリール及び/あるいはC2−4アルキニルアリールである。
さらに詳しくは、前記アリールはフェニルであるのが好ましい。
1以上のC1−20アルキルで(好ましくは非縮合芳香環上のいずれかの位を)任意的に置換したジフェニルアントラセン、1以上のC1−20アルキルで(好ましくは非縮合芳香環上のいずれかの位を)任意的に置換したヘキサフェニルナフタセン、1以上のC1−20アルキルで(好ましくは非縮合芳香環上のいずれかの位を)任意的に置換したテトラフェニルナフタセン、1以上のC1−20アルキルで(好ましくは非縮合芳香環上のいずれかの位を)任意的に置換したビス(フェニルエチニル)ナフタセン、1以上のC1−20アルキルで(好ましくは非縮合芳香環上のいずれかの位を)任意的に置換したヘキサフェニルペンタセン、1以上のC1−20アルキルで(好ましくは非縮合芳香環上のいずれかの位を)任意的に置換したジフェニルナフタセン。
好ましい一実施形態では、アルキルはC4−12型である。
あるいは、化合物(21)はF.H. Allen and L. Gilman (J. Am. Chem. Soc. 58 (1936) 937) に記載の方法で合成することも可能である。F.H. Allen and L. Gilmanに記載の合成方法を修正することで、先に挙げた誘導体の生成が可能であり、その場合例えば非置換アリール化合物ではなく、代わりに好適な置換アリール化合物が用いられる。
R1a、R2a、R3a、R4a、R5a、及びR6aはそれぞれ水素原子及びC1−20アルキルのいずれかから独立して選択される。該アルキルは好ましくはC2−15アルキル、さらに好ましくはC4−12アルキルである。
−第1の段階における、有限数の、あるいは単一の種結晶の出現。
−その後の第2の段階における、前記有限数の種結晶を発端とする単結晶領域の累進的な成長。結晶化の制御は特にOSCM分子の化学構造及び冷却プロトコルと関連している。
−好適な冷却プロファイルを用いた、前記レシーバ表面と単結晶OSCM分子からなるアセンブリにおける周辺温度への復帰。
加圧手段としては、射出あるいは押出し成形に用いられるようなシングルあるいはツインスクリューが適用可能である。
この方法を用いる場合、好ましくは加熱炉の温度を融点と同等に調節しておくことにより、基板10も同温度に維持される。その結果、OSCM分子融体が基板への到達時に熱ショックを経験し、その後高品質な構造の形成に至らないという事態を防ぐことが出来る。
該成膜方法における一例を適用すると、OSCM分子の質量制御が他の例と比較してより容易になる。
発明者によると、図2B及び図2Cを分析すると単結晶領域が最初に確認されるのは図2Cである為、345.3℃から333.9℃の間で出現する種結晶は1つのみであると推論される。
図2Mは303℃における薄膜20の状態を示す。単結晶領域は透明状態ではっきりと確認可能であり、薄膜の厚みにより暗色線によって画定されている。
Diffraction)及び原子間力顕微鏡法(AFM;Atomic
Force Microscopy)による特性評価によって補足される。該測定法によると以下の作業が可能となる。
−領域における単結晶特性の、メゾスコピックあるいはマクロスコピックな確認(XRDによる測定)。
−基板の種類に依存する、結晶における配向型の測定(AFM及びXRDによる測定)。
図4はPOTMによるOFET装置の撮像画像であり、該OFET装置はソース17とドレイン18の間にギャップ16をそなえる。該ギャップは幅30μm、長さ1000μmであり、厚さ100nmのゲート酸化物で被膜されている。該ゲート酸化物はさらに単結晶領域(直線部21)で部分的に被膜されている。該単結晶領域は夫々ほぼ同方向に配向するルブレンの薄膜からなり、本発明による単結晶領域の初期成長の間に形成される。
構成部品 15
OSCM分子(粉体) 20
薄板 30
OSCM分子(融体) 20´
OSCM分子(結晶体) 20´´
Claims (11)
- 電子工学あるいは光電子工学分野に適用されるデバイスへの搭載を目的とした薄膜を有機半導体材料(OSCM)分子を用いて形成する方法において、
該形成方法は以下のステップ
a)薄膜形成の為に、一定量のOSCM分子を融解状態でキャリア表面に供給するステップ、及び
b)薄膜を凝固する為に、一定の温度プロファイルに基づいて冷却を行うステップ
からなり、
ステップa)を実施の際、キャリア表面の温度はOSCM分子の融点と一致するか、あるいは融点より高いことを特徴とし、
またステップb)は、以下の第1のパートと第2のパートからなる温度プロファイルに基づいて実施されることを特徴とするOSCM分子を用いた薄膜の形成方法。
−OSCM分子が冷却されて再結晶温度に近い温度となり、該OSCM分子における冷却速度は、融解状態の薄膜中に1つの種結晶のみが出現するのに十分な程度遅く設定される、OSCM分子の徐冷制御に対応する第1のパート、及び
−前記1つの種結晶を発端として少なくとも1つの単結晶領域が成長し、最終的には単結晶薄膜が得られる、OSCM分子の冷却制御に対応する第2のパート。 - 不活性雰囲気下で実施されることを特徴とする請求項1に記載のOSCM分子を用いた薄膜の形成方法。
- 前記ステップa)の前に、前記OSCM分子を固形状態で提供し、融点より高い温度まで加熱する工程を含むことを特徴とする請求項1または2のいずれか1に記載のOSCM分子を用いた薄膜の形成方法。
- 前記ステップb)は、キャリア表面上に融解状態のOSCM分子が薄膜状に分布するように、該融解状態のOSCM分子の表面に加圧する工程を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1に記載のOSCM分子を用いた薄膜の形成方法。
- 前記ステップa)は以下の工程を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1に記載のOSCM分子を用いた薄膜の形成方法。
−前記キャリアを加熱炉の受容装置内に形成する。
−融解状態のOSCM分子をキャリア上に拡散させる。
−キャリア表面上において均一厚の薄膜状態で分布するように、融解状態のOSCM分子の表面に圧力を加える。 - 前記ステップb)の実施中、薄膜に直接接触し、炉温調節システムによってサーボ制御される温度制御手段によって冷却が制御されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1に記載のOSCM分子を用いた薄膜の形成方法。
- 前記OSCM分子は以下の分子群から選択可能であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1に記載のOSCM分子を用いた薄膜の形成方法。
・第1のパターンを(3)及び(4)に示す。該パターンにおいてX1=X2=X3=X4=Cであり、例としてビフェニル(n=2)、テルフェニル(n=3)、クオターフェニル(n=4)、キンクフェニル(n=5)あるいはセキシフェニル(n=6)が定義される。
・第2のパターンを(5)及び(6)に示す。該パターンにおいてY1=S、Y2=Y3=Cであり、例としてα−ビチエニル(n=2)、α−テルチエニル(n=3)、α−クオターチエニル(n=4)、α−キンクチエニル(n=5)あるいはα−セキシチエニル(n=6)が定義される。 - 前記OSCM分子は以下の分子群から選択可能であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1に記載のOSCM分子を用いた薄膜の形成方法。
・第1のパターンを(17)に示す。該パターンは例としてナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセンあるいはヘキサセンを定義する。
・第2のパターンを(18)に示す。該パターンにおいてR5=R10=フェニル基であり、繰り返し単位nに応じて、例として9,10−ジフェニルアントラセン、5,12−ジフェニルナフタセンあるいはルブレンとも呼ばれる5,6,11,12−テトラフェニルナフタセンが定義される。
・第3のパターンを(19)に示す。該パターンはピレン、1,3,6,8−テトラフェニルピレン、1,3,6,8−テトラチエニルピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、あるいはC60、C70、C76、C78、C84フラーレンを定義する。
・第4のパターンを(20)に示す。該パターンはナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド、アントラセン−2,3,6,7−テトラカルボン酸ジイミド及びペリレン−3,4,9,10−テトラカルボン酸ジイミドを定義する。 - 前記OSCM分子は以下の置換基のうち1以上から構成可能であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1に記載のOSCM分子を用いた薄膜の形成方法。
・基礎パターンM1を有するアリール基。該M1パターンにおいては、X1=X2=X3=X4=Cである。
・基礎パターンM1を有するヘテロアリール基。該M1パターンにおいて、X1、X2、X3及びX4にはC、O、S、N、P及びBのいずれか1以上が選択される。
・基礎パターンM2を有するヘテロ環式基。該M2パターンにおいて、Y1=O、S、N、PあるいはBのうちいずれか1であるが、その際好ましくはO、SあるいはNのいずれか1が選択される。さらにY2およびY3にはC、O、S、N、P及びBのいずれか1以上が選択される。
- 以下のステップからなることを特徴とするOFETを例とする有機電界効果トランジスタの形成方法。
a)ゲート誘電体、ソース電極及びドレイン電極をそなえたプレパターン基板を供給するステップ。
b)請求項1乃至10のいずれか1に記載のOSCM分子を用いた薄膜の形成方法を用いてOSCM分子からなる単結晶薄膜を形成するステップ。該ステップにおいて前記プレパターン基板は前記キャリアとなり、また前記薄膜はトランジスタの活性層となる。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR07/07452 | 2007-10-24 | ||
FR0707452A FR2923083B1 (fr) | 2007-10-24 | 2007-10-24 | Realisation d'une couche mince en materiau semiconducteur organique moleculaire. |
PCT/EP2008/064476 WO2009053473A1 (fr) | 2007-10-24 | 2008-10-24 | Realisation d'une couche mince en materiau semiconducteur organique moleculaire |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011504652A true JP2011504652A (ja) | 2011-02-10 |
JP5635407B2 JP5635407B2 (ja) | 2014-12-03 |
Family
ID=39433727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010530475A Active JP5635407B2 (ja) | 2007-10-24 | 2008-10-24 | 有機半導体材料分子を用いた薄膜形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8758508B2 (ja) |
EP (1) | EP2212934B1 (ja) |
JP (1) | JP5635407B2 (ja) |
FR (1) | FR2923083B1 (ja) |
WO (1) | WO2009053473A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160108734A (ko) * | 2015-03-06 | 2016-09-20 | 인천대학교 산학협력단 | 냉각속도 조절을 통한 폴리사이오펜 박막의 열처리 방법 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103930951B (zh) * | 2011-06-24 | 2017-04-19 | 布鲁尔科技公司 | 具有增强导电率的高度可溶碳纳米管 |
KR102254200B1 (ko) | 2017-03-17 | 2021-05-18 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
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JP2006173444A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Konica Minolta Holdings Inc | 半導体層の形成方法および有機薄膜トランジスタの製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6608205B1 (en) * | 1995-09-08 | 2003-08-19 | University Of Puerto Rico | Organic crystalline films for optical applications and related methods of fabrication |
US6949403B2 (en) * | 2003-07-22 | 2005-09-27 | Organic Vision Inc. | Non-vacuum methods for the fabrication of organic semiconductor devices |
JP2006005041A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Toshiba Corp | 有機半導体素子とその製造方法 |
JP4996846B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2012-08-08 | 株式会社日立製作所 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP5397921B2 (ja) * | 2009-10-02 | 2014-01-22 | 国立大学法人大阪大学 | 有機半導体膜の製造方法 |
-
2007
- 2007-10-24 FR FR0707452A patent/FR2923083B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-10-24 WO PCT/EP2008/064476 patent/WO2009053473A1/fr active Application Filing
- 2008-10-24 US US12/739,378 patent/US8758508B2/en active Active
- 2008-10-24 EP EP08841919.7A patent/EP2212934B1/fr not_active Not-in-force
- 2008-10-24 JP JP2010530475A patent/JP5635407B2/ja active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101664664B1 (ko) | 2015-03-06 | 2016-10-11 | 인천대학교 산학협력단 | 냉각속도 조절을 통한 폴리사이오펜 박막의 열처리 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2212934A1 (fr) | 2010-08-04 |
FR2923083A1 (fr) | 2009-05-01 |
JP5635407B2 (ja) | 2014-12-03 |
EP2212934B1 (fr) | 2019-09-04 |
WO2009053473A1 (fr) | 2009-04-30 |
FR2923083B1 (fr) | 2015-04-17 |
US8758508B2 (en) | 2014-06-24 |
US20110139063A1 (en) | 2011-06-16 |
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