JP2011502275A5

JP2011502275A5 -

Info

Publication number: JP2011502275A5
Application number: JP2010530304A
Authority: JP
Filing date: 2008-10-11
Publication date: 2011-11-24
Anticipated expiration: 2028-10-11

Claims

物体平面（５）の物体視野（４）を像平面（９）の像視野（８）内に結像する複数のミラー（Ｍ１からＭ６）を有する結像光学系（７）であって、
ミラー（Ｍ１からＭ６）の全ての反射面上への結像光（３）の最大入射角と、
結像光学系（７）の像側開口数と、
の比率が３３．８°よりも小さいこと、
を特徴とする結像光学系（７）。 An imaging optical system (7) having a plurality of mirrors (M1 to M6) for imaging the object field (4) of the object plane (5) into the image field (8) of the image plane (9),
The maximum incident angle of the imaging light (3) on all the reflecting surfaces of the mirrors (M1 to M6);
The image-side numerical aperture of the imaging optical system (7);
The ratio is less than 33.8 °,
An imaging optical system (7) characterized by the above.

結像光（１５）が通過するための貫通開口部（２０）を有する少なくとも１つの掩蔽ミラー（Ｍ３からＭ６）を含むことを特徴とする請求項１に記載の結像光学系。 2. Imaging optical system according to claim 1, comprising at least one obscuration mirror (M3 to M6) having a through-opening (20) for the imaging light (15) to pass through.

少なくとも３つのミラー、好ましくはちょうど４つのミラー（Ｍ３からＭ６）が掩蔽された６つのミラー（Ｍ１からＭ６）を含むことを特徴とする請求項２に記載の結像光学系。 Imaging optics according to claim 2, characterized in that it comprises six mirrors (M1 to M6) in which at least three mirrors, preferably just four mirrors (M3 to M6) are obscured.

物体平面（５）の物体視野（４）を像平面（９）の像視野（８）内に結像する複数のミラー（Ｍ１からＭ６）を有する結像光学系（７）であって、
ミラー（Ｍ１からＭ６）の各々が、１０ｎｍよりも短い波長を有する結像光（３）に対する反射コーティング（８０）を担持し、
結像光（１５）が通過するための貫通開口部（２０）を有する少なくとも１つの掩蔽ミラー（Ｍ３からＭ６）、
を含むことを特徴とする結像光学系（７）。 An imaging optical system (7) having a plurality of mirrors (M1 to M6) for imaging the object field (4) of the object plane (5) into the image field (8) of the image plane (9),
Each of the mirrors (M1 to M6) carries a reflective coating (80) for imaging light (3) having a wavelength shorter than 10 nm,
At least one obscuration mirror (M3 to M6) having a through-opening (20) for the imaging light (15) to pass through;
An imaging optical system (7) characterized by comprising:

物体平面（５）の物体視野（４）を像平面（９）の像視野（８）内に結像する複数のミラー（Ｍ１からＭ６）を有する結像光学系（７）であって、
ミラー（Ｍ１からＭ６）の各々が、１０ｎｍよりも短い波長を有する結像光（３）に対する反射コーティング（８０）を担持し、該ミラー（Ｍ１からＭ６）は、５０％よりも大きい平均反射率を有する、
ことを特徴とする結像光学系（７）。 An imaging optical system (7) having a plurality of mirrors (M1 to M6) for imaging the object field (4) of the object plane (5) into the image field (8) of the image plane (9),
Each of the mirrors (M1 to M6) carries a reflective coating (80) for imaging light (3) having a wavelength shorter than 10 nm, the mirrors (M1 to M6) having an average reflectivity greater than 50% Having
An imaging optical system (7) characterized by the above.

前記ミラー（Ｍ１からＭ６）の各々は、該ミラー（Ｍ１からＭ６）が６．９ｎｍの波長を有する結像光（３）に対して５８％よりも大きい平均反射率を有するように反射コーティング（８０）を担持することを特徴とする請求項５に記載の結像光学系。 Each of the mirrors (M1 to M6) is provided with a reflective coating such that the mirror (M1 to M6) has an average reflectivity greater than 58% for imaging light (3) having a wavelength of 6.9 nm. 80. The imaging optical system according to claim 5, wherein the imaging optical system carries 80).

１０ｎｍよりも短い波長を有する結像光（３）と共に使用するための結像光学系であって、
２０ｎｍよりも良好な、好ましくは１６ｎｍよりも良好な、より好ましくは１１ｎｍよりも良好な、更に好ましくは８ｎｍよりも良好な、更に好ましくは６ｎｍよりも良好な解像力、
を特徴とする結像光学系。 An imaging optical system for use with imaging light (3) having a wavelength shorter than 10 nm,
A resolution of better than 20 nm, preferably better than 16 nm, more preferred better than 11 nm, still more preferred better than 8 nm, still more preferred better than 6 nm,
An imaging optical system characterized by the above.

高々０．５である像側開口数を有する結像光学系であって、
１６ｎｍよりも良好な、好ましくは１１ｎｍよりも良好な、更に好ましくは８ｎｍよりも良好な、更に好ましくは６ｎｍよりも良好な解像力、
を特徴とする結像光学系。 An imaging optical system having an image-side numerical aperture of at most 0.5,
A resolution of better than 16 nm, preferably better than 11 nm, more preferably better than 8 nm, still more preferred better than 6 nm,
An imaging optical system characterized by the above.

マイクロリソグラフィのための投影露光装置であって、
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の結像光学系（７）を含み、
光源（２）を含み、かつ
照明光（３）を前記結像光学系（７）の物体視野（４）へ誘導するための照明光学系（６）を含む、
ことを特徴とする装置。 A projection exposure apparatus for microlithography,
The imaging optical system (7) according to any one of claims 1 to 8,
A light source (2), and an illumination optical system (6) for guiding the illumination light (3) to the object field (4) of the imaging optical system (7),
A device characterized by that.

照明光（３）を生成するための前記光源（２）は、１０ｎｍよりも短い波長を用いて構成されることを特徴とする請求項９に記載の投影露光装置。 The projection exposure apparatus according to claim 9, wherein the light source (2) for generating the illumination light (3) is configured using a wavelength shorter than 10 nm.

微細構造構成要素を生成する方法であって、
レチクル（１０）及びウェーハ（１１）を準備する段階と、
請求項９又は請求項１０のいずれか１項に記載の投影露光装置を用いて、前記レチクル（１０）上の構造を前記ウェーハ（１１）の感光層上に投影する段階と、
前記ウェーハ（１１）上に微細構造（Ｂ、Ｃ）を生成する段階と、
を有することを特徴とする方法。 A method for producing a microstructured component, comprising:
Providing a reticle (10) and a wafer (11);
Projecting the structure on the reticle (10) onto the photosensitive layer of the wafer (11) using the projection exposure apparatus of any one of claims 9 or 10;
Generating microstructures (B, C) on the wafer (11);
A method characterized by comprising:

請求項１１に記載の方法によって生成された微細構造構成要素。 A microstructure component produced by the method of claim 11.