JP2011249623A - 光電変換素子とその製造方法、および固体撮像素子とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】光損失の少なく高感度な光電変換素子とその製造方法、および固体撮像素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子の各撮像画素10では、基板100上に、絶縁層101、光電変換機能層111、保護層112、カラーフィルタ層113、およびトップレンズ層114が順に積層形成されている。光電変換機能層111は、有機半導体材料を含む材料から構成されている。各撮像画素10では、絶縁層101上に、画素電極107と対向電極108とが、X軸方向において、互いに対向している。
【選択図】図2
【解決手段】固体撮像素子の各撮像画素10では、基板100上に、絶縁層101、光電変換機能層111、保護層112、カラーフィルタ層113、およびトップレンズ層114が順に積層形成されている。光電変換機能層111は、有機半導体材料を含む材料から構成されている。各撮像画素10では、絶縁層101上に、画素電極107と対向電極108とが、X軸方向において、互いに対向している。
【選択図】図2
Description
本発明は、光電変換素子とその製造方法、および固体撮像素子とその製造方法に関し、特に、有機半導体材料を含む材料を用い形成された光電変換機能層を備える光電変換素子とその製造方法、および固体撮像素子とその製造方法に関する。
ディジタルスチルカメラなどに搭載されている固体撮像素子、例えば、CMOSセンサやCCDセンサは、2次元配置された複数のフォトダイオードを有し構成されている。従来において、各フォトダイオードは、半導体基板中にPN接合を形成することにより構成されている。
ところで、近年において、多画素化に伴って画素サイズが小さくなっており、フォトダイオード領域の面積も小さくなる傾向にある。フォトダイオード領域の面積が小さくなると、開口率の低下、集光効率の低下などによる感度低下など光電変換特性の低下が問題となってきている。また、前述のように、シリコンなどの半導体基板中に光電変換部を形成する場合には、その上方に形成される配線などにより入射光が反射・散乱され、これによる光の損失による感度低下や、隣接する画素のフォトダイオードへの一部の光の入射に伴う混色といった問題も生じる。
このような問題を解決するために、有機半導体材料を含み構成された光電変換機能層を備え、当該光電変換機能層を配線層などよりも上方、即ち、光の入射側に配した固体撮像素子が提案されている(例えば、特許文献1などを参照)。特許文献1で提案されている固体撮像素子の構成について、図20を用い説明する。
図20に示すように、従来技術に係る固体撮像装置901は、複数の画素を備えたn型シリコン基板902とpウェル層903からなる半導体基板に、画素毎にn領域904とn+領域905が形成されている。さらに、n型シリコン基板902の上に絶縁層906が形成され、絶縁膜906の上にはn型シリコン基板902の画素毎に対応した透明電極907が形成されている。この透明電極907とn+領域905とは画素毎に絶縁膜906に埋設されたコンタクト部908によって接続されている。
透明電極907の上には光電変換部909、上部電極910、保護膜911,912が複数の画素にわたって形成されている。保護膜912の上には画素毎にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルタ913とマイクロレンズ914が形成されている。
また、特許文献1の明細書における段落番号[0143]には、透明電極907と上部電極910に所定のバイアス電圧を印加すると、光電変換部909で発生した電荷が透明電極907とコンタクト部908を介してn+領域905に移動し、蓄積されることが記載されている。
しかしながら、上記特許文献1で提案されている固体撮像素子では、光電変換が行われる光電変換部909よりも上方、即ち、光の入射側に上部電極910が配されているので、入射してきた光の一部が上部電極910により遮られてしまう。このため、特許文献1で提案されている固体撮像素子には、更なる感度の向上が求められる。
ここで、上部電極910の構成材料としては、例えば、ITO(酸化インジウム錫)やIZO(酸化インジウム亜鉛)などが用いられるが、その光透過性は、100[%]ではない。このような透明電極膜における光透過性については、例えば、特許文献2などで検討がなされており、少なくとも数[%]、多い場合には数十[%]の光が透過できない。
本発明は、上記のような問題の解決を図るべくなされたものであって、光損失の少ない高感度な光電変換素子とその製造方法、および固体撮像素子とその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、次の構成を採用する。
(1) 本発明に係る光電変換素子は、基板と、当該基板の上方に形成され、有機半導体材料を含み構成された光電変換機能層と、ともに光電変換機能層における界面に対して接する状態で設けられた第1電極および第2電極とを備える。そして、本発明に係る光電変換素子では、第1電極が、光電変換機能層における基板側の界面に対して接しており、且つ、第1電極と第2電極とが、基板の厚み方向に対して交差する方向において、互いに対向していることを特徴とする。
(1) 本発明に係る光電変換素子は、基板と、当該基板の上方に形成され、有機半導体材料を含み構成された光電変換機能層と、ともに光電変換機能層における界面に対して接する状態で設けられた第1電極および第2電極とを備える。そして、本発明に係る光電変換素子では、第1電極が、光電変換機能層における基板側の界面に対して接しており、且つ、第1電極と第2電極とが、基板の厚み方向に対して交差する方向において、互いに対向していることを特徴とする。
(2) 本発明に係る光電変換素子は、上記(1)の構成において、光電変換機能層が、第1電極の上面および側面を覆う状態で形成されており、第2電極が、基板の厚み方向に対して交差する方向において、第1電極の周囲の少なくとも一部を囲む状態で配されていることを特徴とする。
(3) 本発明に係る光電変換素子は、上記(1)の構成において、第1電極が、基板の主面に沿った方向に、互いに間隔をあけて配された複数の電極要素から構成されており、第2電極が、基板の厚み方向に対して交差する方向において、複数の電極要素の少なくとも一部の周囲を囲む状態で配されていることを特徴とする。
(4) 本発明に係る光電変換素子は、上記(2)または(3)の構成において、基板の厚み方向における第1電極の上方が、第2電極で覆われていないことを特徴とする。
(5) 本発明に係る光電変換素子は、上記(1)から(4)の何れかの構成において、光電変換機能層が、光電変換層を含むとともに、電子輸送層および正孔輸送層の少なくとも一方を含む積層構造を以って構成されていることを特徴とする。
(5) 本発明に係る光電変換素子は、上記(1)から(4)の何れかの構成において、光電変換機能層が、光電変換層を含むとともに、電子輸送層および正孔輸送層の少なくとも一方を含む積層構造を以って構成されていることを特徴とする。
(6) 本発明に係る光電変換素子は、上記(1)から(5)の何れかの構成において、第1電極および第2電極の少なくとも一方の電極の表面が光反射面となっていることを特徴とする。
(7) 本発明に係る光電変換素子は、上記(1)から(6)の何れかの構成において、基板の厚み方向における光電変換機能層の上には、当該光電変換機能層を保護するための保護層が積層形成されていることを特徴とする。
(8) 本発明に係る光電変換素子は、上記(1)から(7)の何れかの構成において、基板の厚み方向における光電変換機能層の上方には、有機材料から構成されたカラーフィルタ層が積層形成されていることを特徴とする。
(9) 本発明に係る光電変換素子は、上記(1)から(8)の何れかの構成において、基板の厚み方向における第2電極の層厚が、第1電極の層厚よりも厚いことを特徴とする。
(10) 本発明に係る固体撮像素子は、2次元配列された複数の撮像画素部を有し、複数の撮像画素部の各々が、上記(1)から(9)の何れかの光電変換素子の構成を含み形成されていることを特徴とする。
(11) 本発明に係る光電変換素子の製造方法は、次の工程を備えることを特徴とする。
(i)第1電極と第2電極とを形成する工程: 基板の上方において、当該基板の厚み方向に対して交差する方向に、互いに対向する状態で第1電極と第2電極とを形成する。
(i)第1電極と第2電極とを形成する工程: 基板の上方において、当該基板の厚み方向に対して交差する方向に、互いに対向する状態で第1電極と第2電極とを形成する。
(ii)光電変換機能層を形成する工程: 有機半導体材料を含む材料を用い、第1電極と前記第2電極との双方に対して接する状態で、光電変換機能層を形成する。
(12) 本発明に係る光電変換素子の製造方法は、上記(11)の構成において、第1電極と第2電極とを形成する工程で、基板の厚み方向に対して交差する方向において、第2電極を、第1電極の周囲の少なくとも一部を囲む状態で形成し、光電変換機能層を形成する工程で、第1電極の上面および側面を覆う状態で、光電変換機能層を形成することを特徴とする。
(12) 本発明に係る光電変換素子の製造方法は、上記(11)の構成において、第1電極と第2電極とを形成する工程で、基板の厚み方向に対して交差する方向において、第2電極を、第1電極の周囲の少なくとも一部を囲む状態で形成し、光電変換機能層を形成する工程で、第1電極の上面および側面を覆う状態で、光電変換機能層を形成することを特徴とする。
(13) 本発明に係る光電変換素子の製造方法は、上記(11)の構成において、第1電極と第2電極とを形成する工程で、基板の主面に沿った方向において、互いに間隔をあけた状態の形成した複数の電極要素を以って第1電極を形成し、第1電極における複数の電極要素の少なくとも一部の周囲を囲む状態で、第2電極を形成することを特徴とする。
(14) 本発明に係る光電変換素子の製造方法は、上記(12)または(13)の構成において、第1電極と第2電極とを形成する工程で、基板の厚み方向において、第1電極の上方を覆わないように第2電極を形成することを特徴とする。
(15) 本発明に係る光電変換素子の製造方法は、上記(11)から(14)の何れかの構成において、光電変換機能層を形成する工程で、光電変換層を含むとともに、電子輸送層および正孔輸送層の少なくとも一方を含む積層構造を以って光電変換機能層を形成することを特徴とする。
(16) 本発明に係る光電変換素子の製造方法は、上記(11)から(15)の何れかの構成において、第1電極と第2電極とを形成する工程で、第1電極および第2電極の少なくとも一方を、その表面が光反射面となるように形成することを特徴とする。
(17) 本発明に係る光電変換素子の製造方法は、上記(11)から(16)の何れかの構成において、基板の厚み方向における光電変換機能層の上に、当該光電変換機能層を保護するための保護層を積層形成する工程を備えることを特徴とする。
(18) 本発明に係る光電変換素子の製造方法は、上記(11)から(17)の何れかの構成において、有機材料を用い、基板の厚み方向における光電変換機能層の上方に、カラーフィルタ層を積層形成する工程を備えることを特徴とする。
(19) 本発明に係る光電変換素子の製造方法は、上記(11)から(18)の何れかの構成において、第1電極と第2電極とを形成する工程で、第2電極を、基板の厚み方向におけるその層厚が、第1電極よりも厚くなるように形成することを特徴とする。
(20) 本発明に係る固体撮像素子の製造方法は、2次元配列された複数の撮像画素部を有する固体撮像素子の製造する方法であって、複数の撮像画素部の各々を、上記(11)から(19)の何れかの光電変換素子の製造方法を以って形成することを特徴とする。
本発明によれば、電極による光損失をなくし高い感度を有した光電変換素子及び固体撮像素子およびその製造方法を提供することできる。
上記(1)の構成では、第1電極と第2電極とを、基板の厚み方向に対して交差する方向において、互いに対向させ、光電変換機能層の界面に対して第1および第2の電極の双方が接する。そして、第1電極は、光電変換機能層における基板側の界面で接している。このため、本発明に係る光電変換素子では、光電変換機能層の上を一方の電極で覆われないので、光電変換機能層への入射光の損失がなく、且つ光電変換機能層上への電極形成に伴う工程ダメージもない。
上記(1)の構成では、第1電極と第2電極とを、基板の厚み方向に対して交差する方向において、互いに対向させ、光電変換機能層の界面に対して第1および第2の電極の双方が接する。そして、第1電極は、光電変換機能層における基板側の界面で接している。このため、本発明に係る光電変換素子では、光電変換機能層の上を一方の電極で覆われないので、光電変換機能層への入射光の損失がなく、且つ光電変換機能層上への電極形成に伴う工程ダメージもない。
従って、本発明に係る光電変換素子は、光損失が少なく高感度である。
なお、上記(10)のように、本発明に係る固体撮像素子は、複数の撮像画素部の各々が、本発明に係る光電変換素子の構成を含み形成されているので、上記同様の効果を奏することができる。
なお、上記(10)のように、本発明に係る固体撮像素子は、複数の撮像画素部の各々が、本発明に係る光電変換素子の構成を含み形成されているので、上記同様の効果を奏することができる。
また、上記(2)または(3)の構成では、基板の厚み方向に対して交差する方向において、第1電極の周囲の少なくとも一部を囲む状態に第2電極を形成しているので、光電変換機能層における電界強度が増し、光電変換特性を向上させることができる。
また、上記(5)の構成では、光電変換機能層が、光電変換層の他に、電子輸送層、正孔輸送層などの機能層を有した積層構造を以って構成されているので、電荷移動特性や光電変換特性などを向上させることができる。
また、上記(6)の構成では、第1電極および第2電極の少なくとも一方の電極表面を、光反射面としているので、電極表面で入射光を反射し再び光電変換機能層へ入射させることができ、感度をさらに向上させることができる。
また、上記(7)の構成では、光電変換機能層上に保護層を積層することとしているので、有機半導体材料からなる光電変換機能層を形成した後の工程における水分やガス(酸素)による有機半導体材料の劣化を防ぐことができる。よって、この構成を採用する場合には、光電変換機能層を形成した後、直ぐに保護層を形成するので、その後の工程におけるダメージを防ぐ効果は大きい。
さらには、光電変換素子を完成させた後においても水分やガス(酸素)による有機半導体材料からなる光電変換機能層の経年劣化を防ぐことができる。また、光電変換機能層を保護層で覆うことにより、有機溶媒やプラズマなどからも有機半導体を含み構成された光電変換機能層を保護できるため、カラーフィルタ形成などの後工程が容易となる。
また、上記(8)の構成では、光電変換機能層が可視領域においてブロードな吸収スペクトルを有する場合でも、特に分光特性に優れ、RGBに対応した固体撮像素子を提供できる。
また、上記(9)の構成では、第2電極の層厚を、第1電極の層厚よりも厚くするので、光電変換機能層内において光電変換に寄与する領域を増やし光電変換特性を向上させることができる。
また、本発明に係る光電変換素子の製造方法および固体撮像素子の製造方法は、上記(11)から(20)のように、上記の効果を有する本発明に係る光電変換素子および固体撮像素子を確実に製造することができる。
そして、第1電極および第2電極の何れについても、透明電極とする必要がなく、第1電極と第2電極とを同じ工程で形成することも可能となり、簡易なプロセスでの製造により製造コストを低く抑えることが可能である。
[本発明に係る光電変換素子および固体撮像素子の概要]
光電変換素子は、電磁波吸収/光電変換部位と光電変換により生成した電荷の電荷蓄積/転送/読み出し部位よりなる。
光電変換素子は、電磁波吸収/光電変換部位と光電変換により生成した電荷の電荷蓄積/転送/読み出し部位よりなる。
電磁波吸収/光電変換部位は、少なくとも青、緑、赤の光を各々吸収し光電変換することができる少なくとも1つ以上の有機半導体材料からなる。青光の吸収部位(以下B吸収部)は、少なくとも400[nm]〜500[nm]の光を吸収することができ、好ましくは、その波長域でのピーク波長の吸収率は、50[%]以上である。緑光の吸収部位(以下G吸収部)は、少なくとも500[nm]〜600[nm]の光を吸収することができ、好ましくは、その波長域でのピーク波長の吸収率は、50[%]以上である。赤光の吸収部位(以下R吸収部)は、少なくとも600[nm]〜700[nm]の光を吸収することができ、好ましくは、その波長域でのピーク波長の吸収率は、50[%]以上である。
電磁波吸収/光電変換部位は、B吸収部、G吸収部、R吸収部がそれぞれ層を形成していても良い。あるいは複数の有機半導体材料により1つの層を形成するなどして1つの層の中にB吸収部、G吸収部、R吸収部を有していても良いし、または可視領域においてブロードな吸収スペクトルを有していてもよい。
電荷蓄積/転送/読み出し部位は、好ましくは電極の下に形成され、電極により遮光されているため、光の影響による偽信号(混色)を防ぐことができる。好ましくはシリコンなどの無機の半導体基板内および表面に形成される。
本発明における有機半導体材料を含む材料からなる光電変換層について説明する。
本発明の電磁波吸収/光電変換部位は、一対の電極(第1電極と第2電極)上に形成された有機半導体材料を含む材料からなる層からなる。光電変換機能層は、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位などの積層あるいは混合から形成される。有機半導体層は有機p型化合物(p型半導体層)または有機n型化合物(n型半導体層)を含有することが好ましい。
本発明の電磁波吸収/光電変換部位は、一対の電極(第1電極と第2電極)上に形成された有機半導体材料を含む材料からなる層からなる。光電変換機能層は、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位などの積層あるいは混合から形成される。有機半導体層は有機p型化合物(p型半導体層)または有機n型化合物(n型半導体層)を含有することが好ましい。
有機p型化合物(有機p型半導体)は、ドナー性有機化合物(半導体)であり、主に正孔輸送性有機化合物に代表され、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。
従って、ドナー性有機化合物は、電子供与性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えばフタロシアニン化合物などがある。もちろんこれに限らず、上記したようにn型(アクセプター性)化合物として用いた有機化合物よりもイオン化ポテンシャルの小さい有機化合物であればドナー性有機半導体として用いてもよい。
有機n型化合物(有機n型半導体)は、アクセプター性有機化合物(半導体)であり、主に電子輸送性有機化合物に代表され、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、2つの有機材料を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。
従って、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であれば、何れの有機化合物も使用が可能である。例えば、テトラセン誘導体などがある。勿論、これに限らず、上記したようにドナー性有機化合物として用いた有機化合物よりも電子親和力の大きな有機化合物であればアクセプター性有機半導体として用いてよい。
一対の電極(第1電極と第2の電極)上に、有機p型半導体と有機n型半導体の少なくとも一方を有している。有機p型半導体と有機n型半導体の両方を有する場合、それぞれp型半導体層とn型半導体層を形成していてもよく、あるいはそれらを混合・分散し1つの層としていてもよい。混合・分散させる場合、有機層にバルクへテロ接合構造を含有させることにより、有機層のキャリア拡散長が短いという欠点を補い、光電変換特性を向上させることができる。
従来の積層型の光電変換素子の場合、光の吸収という点においては、有機半導体層の膜厚は厚いほど好ましいが、電子正孔対の分離という点においては、光電変換機能層の膜厚を薄くして電極間に電圧を印加した際の層内の電界強度を強くした方が好ましい。本発明においては、一対の電極(第1電極と第2電極)を平面(基板の厚み方向に対して交差する方向)に形成し、その上に光電変換機能層を形成するため、光電変換機能層内における電界強度は一様にはならず、電極に近い領域ほど電界強度が強く光電変換効率が高い。
また、入射面つまり光電変換機能層の表面(上面)に近い領域ほど光の吸収量が大きく、多くの電荷が発生する。これらを考慮すると、本発明における平面型の光電変換素子および固体撮像素子の場合には、光電変換機能層の膜厚については、より薄いほうが光電変換特性は高くなる。有機半導体の材料や電圧などの条件により、電極上に形成する有機半導体層の膜厚として適した範囲は異なるが、好ましくは、20[nm]以上500[nm]以下、さらに好ましくは、20[nm]以上300[nm]以下、特に好ましくは、20[nm]以上200[nm]以下である。
本発明に係る光電変換機能層は、乾式成膜法あるいは湿式成膜法により成膜される。乾式成膜法の具体的な例としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、MBE法などの物理気相成長法あるいはプラズマ重合などのCVD法が挙げられる。有機p型半導体と有機n型半導体とを混合・分散させて1つの層を形成する場合には、フラッシュ蒸着法などを用いることもできる。湿式成膜法としては、キャスト法、インクジェット法、スピンコート法、ディッピング法、LB法などを用いることができる。
有機化合物として高分子化合物を用いる場合は、蒸着などの乾式成膜法では高分子化合物が分解するおそれがあるため、作成の容易な湿式成膜法により成膜することが好ましい。一方、低分子を用いる場合は、乾式成膜法が好ましく用いられ、特に真空蒸着法が好ましく用いられる。
次に、本発明に係る電極について説明する。
第1電極および第2電極(一方が画素電極であり、他方が対向電極である)の2つ電極からなり、第1電極と第2電極は平面(基板の厚み方向に対して交差する方向)に形成されており、その上に光電変換機能層が形成されている。光電変換機能層で光生成・分離した電子・正孔は、それぞれ第1電極あるいは第2電極に向けて移動する。好ましくは、第1電極(画素電極)に電子が、第2電極(対向電極)に正孔が移動する。
第1電極および第2電極(一方が画素電極であり、他方が対向電極である)の2つ電極からなり、第1電極と第2電極は平面(基板の厚み方向に対して交差する方向)に形成されており、その上に光電変換機能層が形成されている。光電変換機能層で光生成・分離した電子・正孔は、それぞれ第1電極あるいは第2電極に向けて移動する。好ましくは、第1電極(画素電極)に電子が、第2電極(対向電極)に正孔が移動する。
第2電極(対向電極)に正孔が移動する場合には、光電変換機能層から第2電極(対向電極)へと正孔を取り出す。好ましくは、正孔輸送性光電変換層あるいは正孔輸送層から正孔を取り出す。
第1電極(画素電極)に電子が移動する場合には、光電変換機能層から第1電極(画素電極)へと電子を取り出す。好ましくは、電子輸送性光電変換層あるいは電子輸送層から電子を取り出す。
電極の材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができる。好ましくは、アルミニウムなど光の反射率の高い材料である。これにより、電極により入射光を電極表面で反射させ、光を再び光電変換機能層に入射させることで感度を向上させることができる。
電極の膜厚としては、材料により適宜選択可能である。電荷蓄積/転送/読み出し部位を形成するシリコンなどの半導体基板への光の漏れこみを抑制するために、電極の膜厚を厚くし、光の反射・吸収を十分に発生させることが好ましい。通常は、10[nm]以上1[μm]以下であり、好ましくは、200[nm]以上500[nm]以下である。また、第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)との間に光電変換機能層を挿設する場合は、電極の膜厚より光電変換機能層の膜厚の方が厚いことが好ましい。
電極の形成には、材料によって様々な方法が用いられるが、例えば、アルミニウムを用いる場合には、スパッタリング法などによる成膜法を用いることができる。成膜したアルミニウム膜は、通常の無機半導体素子の製造に用いられるフォトリソグラフィ法およびエッチング法により所望の電極形状とすることができる。
また、例えば、銅(Cu)あるいは銅合金を用いる場合には、絶縁膜に形成した凹部に銅(Cu)あるいは銅合金を形成したデュアルダマシン構造を採ることができる。デュアルダマシンに関する詳細は、例えば、特許第3217319号において説明されているので、ここでの詳述は省略する。
また、第1電極(画素電極)および第2電極(対向電極)は、ともに光電変換機能層の下部に形成されるため、ITOなどの透明電極を用いる必要はない。
第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)の膜厚が異なる場合は、以下のようにして各電極を作成することができる。
第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)の膜厚が異なる場合は、以下のようにして各電極を作成することができる。
例えば、第1電極(画素電極)の方が、第2電極(対向電極)より膜厚が薄い場合は、先ず、フォトレジストを所望の第1電極(画素電極)と同一のパターンに形成し、その上から銅(Cu)あるいは銅合金からなる膜を成膜する。第1電極(画素電極)が所望の膜厚になるまでCMPなどで研磨し、さらに、フォトレジストを除去することで第1電極(画素電極)が形成される。
さらに、同様にフォトレジストを所望の第2電極(対向電極)と同一のパターンに形成し、その上から銅(Cu)あるいは銅合金からなる膜を成膜する。第2電極(対向電極)が所望の膜厚になるまでCMPなどで研磨するが、このとき、第1電極(画素電極)にダメージが加わらないように研磨するため、第2電極(対向電極)は、第1電極(画素電極)より層厚を厚くする必要がある。そして、フォトレジストを除去することで第2電極(対向電極)が形成される。
第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)の膜厚差が大きいほど電極を形成しやすく、また、光電変換機能層内でも、第1電極(画素電極)から離れた上方の領域にも第2電極(対向電極)が厚い分だけ強い電界強度が加わり、光電変換特性を向上することができる。
第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)の層厚差については、有機半導体材料や所望される固体撮像素子全体の厚さに合わせて適宜設定することができるが、好ましくは、50[nm]以上200[nm]以下である。
第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)の間は、有機半導体からなる光電変換機能層が介挿されていてもよいし、絶縁層が介挿されていてもよい。光電変換機能層が介挿される場合には、第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)に挟まれた部分の光電変換機能層に最も強い電界強度が加わる(図3を参照)。このため、該当の光電変換機能層においては、高い光電変換効率が得られる。よって、電極上の光電変換機能層の膜厚が薄い場合は、第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)との間には、光電変換機能層を介挿させる構成とした方がよい。
また、第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)との間の部位が、最も電極間距離が短く強い電界が加わるので、電極および電極間にある光電変換機能層を厚くすることが好ましい。
一方、第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)との間に絶縁層が介挿される場合についての光電変換素子における電気力線の概念図を、図5に示す。第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)に挟まれた領域に電界が集中することがなくなり、電極上の光電変換機能層にも強い電界が加わるようになるため、電極上の光電変換機能層の膜厚を厚くすることができる。
第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)との距離は、電極の材料や形成方法により適宜設定することが可能であるが、距離が短いほど一定の電圧を印加した際の電極間の電界強度が強くなる。また、撮像画素内における電極の面積率が増加し入射光の反射あるいは吸収量が大きくなるため、第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)の距離は、好ましくは、50[nm]以上300[nm]以下である。
第1電極(画素電極)とは、電荷蓄積/転送/読み出し部位が形成された基板上方に作成された電極であり、光電変換機能層で光生成された信号電荷は第1電極(画素電極)を介して基板内に形成された電荷蓄積部位に移動させる。1ピクセル(1撮像画素)ごとに電荷蓄積/転送/読み出し部位の回路が基板内および表面に形成されている。第1電極(画素電極)も通常1ピクセルごとに1つ形成されるか、あるいは、1ピクセルにおける第1電極(画素電極)をいくつかの電極要素に分割しそれを1組とする場合においては、1ピクセルごとに1組の第1電極(画素電極)が形成される。
第2電極(対向電極)とは、第1電極(画素電極)が取り込む信号電荷とは逆の極性を持つ電荷を吐き出す機能を有する。この電荷の吐き出しは、各撮像画素間で分割する必要がないため、第2電極(対向電極)は各撮像画素間で共有にすることもできる。
第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)の平面形状としては、第2電極(対向電極)は第1電極(画素電極)を囲むように形成することで、光電変換機能層全体に電界を加えることができる。例えば、図6に示すように、第2電極(対向電極)を格子状に形成し、その中に四角形に形成した第1電極(画素電極)を配置するような形状が考えられる。
なお、第1電極(画素電極)の周囲全体を第2電極(対向電極)で囲む必要は必ずしもなく、電極形成後の洗浄工程などにおける洗浄液などのはけを良くし、しみなどの画像不良を抑制するために、第1電極(画素電極)の周囲の一部のみを第2電極(対向電極)で囲んでもよい。例えば、第2電極(対向電極)は、図7あるいは図8に示すような平面形状とすることもできる。
また、第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)の対向面積を増加させるように、第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)の平面形状を形成してもよく、このようにして対向面積を増加させることで、強い電界強度が印加される領域を増加させ、光電変換効率を増加させることができる。特に、電極の端部でより強い電界が発生するため、第1電極(画素電極)の平面形状を四角とした場合などでは、第1電極(画素電極)の中央では電界強度が弱く光電変換効率が低下してしまうので、例えば、図9に示すように、第1電極(画素電極)の平面形状を凹形にし、第1電極(画素電極)の凹部の間に第2電極(対向電極)の一部が入り込むような平面形状でもよい。この場合も、第1電極(画素電極)の周囲全体を第2電極(対向電極)で囲む必要は必ずしもなく、第1電極(画素電極)の周囲の一部のみを第2電極(対向電極)で囲んでもよい。 例えば、第2電極(対向電極)は、図10あるいは図11に示すような平面形状とすることもできる。
さらには、第1電極(画素電極)を、複数の電極要素から構成されることとし、各電極要素の間に第2電極(対向電極)の一部が入り込む構成とすることで、第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)との対向面積を増加させることもできる。例えば、図12に示すように、4つの電極要素から第1電極(画素電極)を構成し、これらを囲むように第2電極(対向電極)を配置した平面形状とすることができる。この場合も、第1電極(画素電極)の周囲全体を対向電極で囲む必要は必ずしもなく、第1電極(画素電極)の周囲の一部のみを第2電極(対向電極)で囲んでもよい。例えば、第2電極(対向電極)は、図13あるいは図14のような平面形状とすることもできる。
以上は本発明の好ましい形態を示すものであるが、もちろんこれに限定されるものではなく、上述の概念に該当すればどのような平面形状でもよい。
有機半導体を含む材料からなる光電変換機能層に印加する電圧としては、いかなる電圧でも良く、有機半導体材料や膜厚、第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)の距離などにより必要な電圧は適宜変更することが可能である。
有機半導体を含む材料からなる光電変換機能層に印加する電圧としては、いかなる電圧でも良く、有機半導体材料や膜厚、第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)の距離などにより必要な電圧は適宜変更することが可能である。
光電変換効率は、光電変換機能層に加わる電界強度が強いほど向上するが、同じ印加電圧でも、第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)との距離が短いほど電界強度は強くなるため、第1電極(画素電極)と第2電極(対向電極)の距離が短ければ、印加電圧は相対的に小さくても良い。
光電変換機能膜に加わる電界強度としては、好ましくは、10[V/m]以上であり、さらに好ましくは、1×103[V/m]以上であり、さらに好ましくは、1×105[V/m]以上であり、特に好ましくは、1×106[V/m]以上であり、最も好ましくは、1×107[V/m]以上である。特に上限はないが、電界強度を強くしすぎると有機半導体へのダメージが発生し、また、暗所でも電流が流れ好ましくないため、1×1012[V/m]以下が好ましく、さらに、1×109[V/m]以下が好ましい。
電荷蓄積/転送/読み出し部位については、特開昭58−103165号公報、特開昭58−103166号公報、特開2003−332551号公報などを参考にすることができる。半導体基板上にMOSトランジスタが各撮像画素単位に形成された構成や、あるいは素子として、CCDを有する構成を適宜用いることができる。例えば、MOSトランジスタを用いた光電変換素子の場合には、入射光により光電変換機能層内で電荷が光生成し、電極に電圧を印加することにより光電変換機能層内に生じる電界によって電荷が電極まで移動し、さらに半導体基板内の電荷蓄積部まで移動し、電荷が蓄積される。
電荷蓄積部に蓄積された電荷は、MOSトランジスタのスイッチングにより電荷読み出し部に転送し、さらに電気信号として読み出され外部回路に出力される。これにより画像信号が信号処理部を含む固体撮像装置に入力される。
信号の読み出しは、通常のカラー読み出し回路を用いることができる。受光部で光電変換し発生した信号電荷あるいは信号電流・電圧は、受光部そのものもしくは付設されたキャパシタで蓄えられる。蓄えられた電荷は、X−Yアドレス方式を用いたMOS型撮像素子、いわゆるCMOSセンサの手法により、撮像画素位置の選択とともに読み出される。
他には、アドレス選択方式として、1画素ずつ順次マルチプレクサスイッチとデジタルシフトレジスタで選択し、共通の出力信号線に信号電圧(または信号電荷)として読み出す方式が挙げられる。2次元にアレイ化されたX−Yアドレス操作の撮像素子がCMOSセンサとして知られる。これは、X、Yの交点に接続された画素に設けられたスイッチは垂直シフトレジスタに接続され、垂直走査シフトレジスタからの電圧でスイッチがオンすると同じ行に設けられた画素から読み出された信号は、列方向の出力線に読み出される。この信号は、水平走査シフトレジスタにより駆動されるスイッチを通して順番に出力される。出力信号の読み出しには、フローティングディフュージョン検出器や、フローティングゲート検出器を用いることができる。信号処理には、ADC回路によるガンマ補正や、AD変換機によるデジタル化などの信号処理を施すことができる。
電荷転送/読み出し部位には電荷の移動度が高い半導体材料を用いる。その中でも微細化技術が進んでいることと、低コストであることからシリコン半導体が好ましい。電荷転送/読み出しの方式は数多くあるが、いずれの方式でもよく、好ましくはCMOS方式あるいはCCD方式である。さらに、CMOS方式の方が高速読み出し、画素加算、部分読み出し、低消費電力などの点で好ましいことが多い。
光電変換機能層/第1電極(画素電極)と電荷蓄積/転送/読み出し部位を接続する複数のコンタクトホール部位は、何れの金属を用いてもよく、銅、アルミニウム、銀、金、クロム、タングステン、あるいはこれらの合金を用いることが好ましい。例えば、銅を用いて第1電極(画素電極)を形成する場合には、上層のコンタクトホールにおけるコンタクト材は銅、半導体基板と接続する下層のコンタクトホールにおけるコンタクト材はタングステンでもよい。1ピクセルごとに第1電極(画素電極)と電荷蓄積部位との間にコンタクトホールを形成する必要がある。第1電極(画素電極)が、複数の電極要素から構成される場合には、分割構成された電極要素の全てにコンタクトホールを形成する。
保護層としては、光電変換機能層上に、乾式成膜法により真空中で成膜される無機材料からなる保護層が好ましい。保護層は、保護層形成後の工程における加熱・水・有機溶媒・プラズマなどから有機半導体を含む材料からなる光電変換機能層を保護し、また、製造後に水分やガスなどを遮断して経年劣化を抑制する役割がある。
さらに、保護層は、光電変換機能層の上に形成されるため、入射光の損失をできるだけ抑えるために、保護層には高い透明性を有するものが好ましい。
また、保護層を成膜する際の光電変換機能層へのダメージが少ない製造方法が好ましい。例えば、誘導結合型プラズマCVD(ICPCVD)は、常温で高密度のプラズマが生成され、通常のプラズマCVDと比べて常温で極めて良質な保護層が形成できる。常温での形成であるので光電変換機能層の劣化が抑えられ、また、基板から十分に離れた位置にプラズマが生成するのでプラズマによるダメージも抑制できる。
また、保護層を成膜する際の光電変換機能層へのダメージが少ない製造方法が好ましい。例えば、誘導結合型プラズマCVD(ICPCVD)は、常温で高密度のプラズマが生成され、通常のプラズマCVDと比べて常温で極めて良質な保護層が形成できる。常温での形成であるので光電変換機能層の劣化が抑えられ、また、基板から十分に離れた位置にプラズマが生成するのでプラズマによるダメージも抑制できる。
また、例えば、電子サイクロトロン共鳴プラズマCVD(ECRCVD)でも、常温で高密度のプラズマが生成され、通常のプラズマCVDと比べて常温で極めて良質な保護層が形成できる。やはり、常温での形成であるので、光電変換機能層の劣化が抑えられ、また、基板から十分に離れた位置にプラズマが生成するのでプラズマによるダメージも抑制できる。これらの成膜方法により透明性の高い酸化シリコンあるいは窒化シリコンなどの無機材料を保護層として成膜する。
保護層は、その膜厚が厚いほど保護特性が向上するが、逆に透明性は低下する。保護層の膜厚は、好ましくは100[nm]以上500[nm]以下である。
光電変換機能層の光吸収部位が可視領域に対しブロードな吸収を有する場合、カラーフィルタを形成することが好ましい。フルカラーに対応した固体撮像素子を製造する場合は、RGBに対応したカラーフィルタを各撮像画素に配列する。
光電変換機能層の光吸収部位が可視領域に対しブロードな吸収を有する場合、カラーフィルタを形成することが好ましい。フルカラーに対応した固体撮像素子を製造する場合は、RGBに対応したカラーフィルタを各撮像画素に配列する。
カラーフィルタの形成方法については、カラーフィルタとなる材料を成膜する工程と所望する形状に形成する工程からなる。成膜方法としては、光電変換機能層の成膜と同様に、乾式成膜法と湿式成膜法がある。また、光電変換機能層の上に直接カラーフィルタを形成することも可能だが、カラーフィルタ形成時の溶媒などにより有機半導体を含む材料からなる光電変換機能層にダメージが加わるため、好ましくは、光電変換機能層の上に保護層を積層し、保護層の上からカラーフィルタを形成した方が良い。所望する形状に形成する工程としては、公知のフォトリソグラフィ技術によるものなどがある。これらの工程は公知の固体撮像素子におけるカラーフィルタの形成方法により調整できる。
本発明の光電変換素子および固体撮像素子は、公知の半導体集積回路などの製造に用いられているプロセスにより製造することができる。基本的には、フォトリソグラフィおよびエッチングによるパターン形成、イオン注入による拡散層形成、スパッタやCVDによる素子形成材料の配置、非パターン部の材料の除去、熱処理などの反復操作による。さらに、光電変換機能層を形成するプロセス・操作が加わる。
《実施の形態》
以下では、本発明を実施するための形態について、図面を参酌しながら説明する。なお、以下の各実施の形態は、本発明の構成およびそこから奏される作用・効果を分かり易く説明するために用いる一例であって、本発明は、本質的な特徴部分以外に何ら以下の形態に限定を受けるものではない。
《実施の形態》
以下では、本発明を実施するための形態について、図面を参酌しながら説明する。なお、以下の各実施の形態は、本発明の構成およびそこから奏される作用・効果を分かり易く説明するために用いる一例であって、本発明は、本質的な特徴部分以外に何ら以下の形態に限定を受けるものではない。
[実施の形態1]
1.固体撮像素子1の概略構成
図1に示すように、本実施の形態に係る固体撮像素子1は、撮像画素領域1aと周辺回路領域1bとから構成されている。信号は、撮像画素領域1aから周辺回路領域1bに読み出され、出力される。図1の二点鎖線で囲んだ部分に示すように、固体撮像素子1における撮像画素領域1aでは、複数の撮像画素10が2次元配列されている。各撮像画素10には、対応付けられた色のフィルタが設けられている。
1.固体撮像素子1の概略構成
図1に示すように、本実施の形態に係る固体撮像素子1は、撮像画素領域1aと周辺回路領域1bとから構成されている。信号は、撮像画素領域1aから周辺回路領域1bに読み出され、出力される。図1の二点鎖線で囲んだ部分に示すように、固体撮像素子1における撮像画素領域1aでは、複数の撮像画素10が2次元配列されている。各撮像画素10には、対応付けられた色のフィルタが設けられている。
2.固体撮像素子1における各撮像画素10の構成
図2は、図1における撮像画素領域1aの一部(A−A‘)の模式断面図である。
図2に示すように、基板100上には、絶縁層101、光電変換機能層111、保護層112、カラーフィルタ層112およびトップレンズ層114が、Z軸方向下側より順に積層されている。基板100における表層部分には、X軸方向に互いに間隔をあけた状態で、電荷蓄積部102および電荷蓄積部104が形成されている。そして、基板100上であって、電荷蓄積部102と電荷蓄積部104との間に相当する領域には、ゲート電極103が設けられている。ゲート電極103および電荷蓄積部102には、コンタクトホール106を介して、絶縁層101内に設けられた配線層105に接続されている。
図2は、図1における撮像画素領域1aの一部(A−A‘)の模式断面図である。
図2に示すように、基板100上には、絶縁層101、光電変換機能層111、保護層112、カラーフィルタ層112およびトップレンズ層114が、Z軸方向下側より順に積層されている。基板100における表層部分には、X軸方向に互いに間隔をあけた状態で、電荷蓄積部102および電荷蓄積部104が形成されている。そして、基板100上であって、電荷蓄積部102と電荷蓄積部104との間に相当する領域には、ゲート電極103が設けられている。ゲート電極103および電荷蓄積部102には、コンタクトホール106を介して、絶縁層101内に設けられた配線層105に接続されている。
絶縁層101と光電変換機能層111との境界部分には、撮像画素10毎に対応して画素電極107が設けられている。また、隣接する撮像画素10における画素電極107間であって、撮像画素10同士の境界に相当する領域には、対向電極108が設けられている。隣接する画素電極107と対向電極108との間には、光電変換機能層111の一部が介挿されている。即ち、画素電極107と対向電極108とは、X軸方向において、光電変換機能層111の一部を挟み込んでいる。
画素電極107および対向電極108は、それぞれコンタクトホール109,110を介して、絶縁層101内に形成された配線層105に接続されている。
基板100としては、シリコン単結晶の半導体基板が好ましい。ゲート電極103は、信号電荷を読み出すための電圧が印加され、多結晶シリコンを用い形成されるのが好ましい。なお、図2では、基板100とゲート電極103との間の酸化膜は省略している。
基板100としては、シリコン単結晶の半導体基板が好ましい。ゲート電極103は、信号電荷を読み出すための電圧が印加され、多結晶シリコンを用い形成されるのが好ましい。なお、図2では、基板100とゲート電極103との間の酸化膜は省略している。
電荷蓄積部102は、光電変換機能層111で光生成した信号電荷を蓄積するための部位であり、電荷蓄積部104は、ゲート電極103への電圧の印加により、読み出された電荷を蓄積するための部位である。画素電極107から信号電荷として電子を取り出す場合には、砒素のイオン注入などにより電荷蓄積部102を形成する。また、図2では、図示を省略しているが、電荷蓄積部102以外にもウエルなどのp型あるいはn型の層が形成され、さらに読み出された信号電荷(信号電圧)を外部に出力するための回路となるトランジスタ、コンタクトや配線などが形成されている。
配線層105およびコンタクトホール106,109は、画素電極107から電荷蓄積部102への信号電荷の移動や、信号電圧の伝達などの経路としての役割がある。電荷蓄積部102やゲート電極103に接続しているコンタクトホール106のコンタクト材としては、タングステンが好ましく、画素電極107に接続しているコンタクトホール109のコンタクト材としては、アルミニウムが好ましい。
配線層105としては何層でもよく、回路により適宜設定できる。
画素電極107および対向電極108にはアルミニウムを用いるのが好ましく、絶縁層101の上に膜厚400[nm]のアルミニウムをスパッタリング法などを用いて積層し、その上に所望の画素電極および対向電極の平面形状パターンにレジストを形成し、ドライエッチにより所望の画素電極107および対向電極108が形成される。以上のプロセスは従来公知のプロセス、いわゆるCMOSプロセスにより容易に調整できる。
画素電極107および対向電極108にはアルミニウムを用いるのが好ましく、絶縁層101の上に膜厚400[nm]のアルミニウムをスパッタリング法などを用いて積層し、その上に所望の画素電極および対向電極の平面形状パターンにレジストを形成し、ドライエッチにより所望の画素電極107および対向電極108が形成される。以上のプロセスは従来公知のプロセス、いわゆるCMOSプロセスにより容易に調整できる。
画素電極107および対向電極108の上に形成される光電変換機能層111は、フラッシュ蒸着により銅フタロシアニンと可視領域においてブロードな吸収を有するフラーレンの混合層で形成され、カラーフィルタR、G、Bを透過したそれぞれの光を吸収し、光電変換により電荷が生成される。光電変換機能層111の膜厚は、絶縁層101の上面から600[nm]、画素電極107の上面から200[nm]である。
光電変換機能層111の上の保護層112は、乾式成膜法により積層形成した膜厚500[nm]の窒化シリコン膜よりなる。保護層112の上のカラーフィルタ層113は、撮像画素10毎に対応した透過波長を有するフィルタである。
なお、光電変換機能層111は保護層112により保護されているため、カラーフィルタ層113は公知で従来の無機の固体撮像素子におけるカラーフィルタの形成プロセスにより調整できる。
3.光電変換機能層111中における電界強度
図3に示すように、本実施の形態に係る固体撮像素子1では、各撮像画素10毎に、X軸方向において、互いに間隔をあけて配置された画素電極107と対向電極108とを備え、互いの電極107,108間に光電変換機能層111の一部が介挿される構成を採用している。
図3に示すように、本実施の形態に係る固体撮像素子1では、各撮像画素10毎に、X軸方向において、互いに間隔をあけて配置された画素電極107と対向電極108とを備え、互いの電極107,108間に光電変換機能層111の一部が介挿される構成を採用している。
このため、固体撮像素子1では、画素電極107と対向電極108に挟まれた部分の光電変換機能層111に最も強い電界強度が加わる(図3における電気力線E1)。
一方、光電変換機能層111において、画素電極107と対向電極108との間における上方領域には、弧を描くように、相対的に弱い電界強度が加わる(図3における電気力線E2)。
一方、光電変換機能層111において、画素電極107と対向電極108との間における上方領域には、弧を描くように、相対的に弱い電界強度が加わる(図3における電気力線E2)。
このため、光電変換機能層111における画素電極107と対向電極108とにより挟みこまれた部分においては、高い光電変換効率が得られる。よって、画素電極107上の光電変換機能層111の膜厚が薄い場合は、図3に示すように、画素電極107と対向電極108との間に、光電変換機能層111の一部を介挿させる構成とすることが好ましい。
また、画素電極107と対向電極108との間の部位が、最も電極間距離が短く強い電界が加わるので、電極107,108およびその間にある光電変換機能層111を厚くすることが好ましい。
[実施の形態2]
1.各撮像画素11の構成
本実施の形態に係る固体撮像素子の各撮像画素11の構成について、図4を用い説明する。なお、図4では、上記実施の形態1に係る固体撮像素子1と同一構成の部分については、同一符号を付し、以下での説明を省略する。
1.各撮像画素11の構成
本実施の形態に係る固体撮像素子の各撮像画素11の構成について、図4を用い説明する。なお、図4では、上記実施の形態1に係る固体撮像素子1と同一構成の部分については、同一符号を付し、以下での説明を省略する。
図4に示すように、本実施の形態に係る固体撮像素子の各撮像画素11では、絶縁層101上の隣接する画素電極107と対向電極108との間に、絶縁層115が挿設されている。なお、本実施の形態では、画素電極107および対向電極108の構成材料として、銅を用いることが好ましい。
画素電極107と対向電極108の間に挿設される絶縁層115については、絶縁層101と別々に形成する必要は必ずしもなく、同一材料で形成されていてもよい。公知のデュアルダマシン構造での製造方法により、同一材料により絶縁層101および絶縁層115を形成し、所望するコンタクトホール109,110および画素電極107および対向電極108の形状に凹部を形成し、銅のスパッタリングおよび電解メッキ、CMP研磨によりコンタクトホール109,110と画素電極107および対向電極108を形成する。以上のプロセスは従来公知のプロセス、いわゆるCMOSプロセスにより容易に調整できる。
画素電極107および対向電極108の上に形成される光電変換機能層116については、絶縁層115により、画素電極107と対向電極108との間には介挿されないこととなる。
光電変換機能層116については、上記同様に、フラッシュ蒸着により銅フタロシアニンと可視領域においてブロードな吸収を有するフラーレンの混合層で形成され、カラーフィルタR、G、Bを透過したそれぞれの光を吸収し、光電変換により電荷が生成される。
光電変換機能層116の膜厚は、画素電極107の上面から300[nm]である。光電変換機能層116上の保護層112は、上記同様に、乾式成膜法により膜厚500[nm]の窒化シリコン膜を積層することにより形成される。
2.光電変換機能層116中における電界強度
図3に示すように、本実施の形態に係る固体撮像素子1では、各撮像画素10毎に、X軸方向において、互いに間隔をあけて配置された画素電極107と対向電極108とを備え、互いの電極107,108間に絶縁層115が埋め込まれた構成を採用している。
図3に示すように、本実施の形態に係る固体撮像素子1では、各撮像画素10毎に、X軸方向において、互いに間隔をあけて配置された画素電極107と対向電極108とを備え、互いの電極107,108間に絶縁層115が埋め込まれた構成を採用している。
このため、本実施の形態に係る固体撮像素子では、画素電極107と対向電極108に挟まれた領域に電界が集中することがなくなり、画素電極107と対向電極108との間の上方の光電変換機能層116にも強い電界が加わるようになるため(図5における電気力線E11)、電極107,108上の光電変換機能層116の膜厚を厚くすることができる。なお、画素電極107と対向電極108との間の領域のさらに上方には、相対的に弱い電界が加わる(図5における電気力線E12)。
画素電極107と対向電極108との距離については、電極の材料や形成方法により適宜設定することが可能であるが、距離が短いほど一定の電圧を印加した際の電極107,108間の電界強度が強くなる。また、撮像画素11内における電極107,108の面積率が増加し入射光の反射あるいは吸収量が大きくなるため、画素電極107と対向電極108の距離は、好ましくは、50[nm]以上300[nm]以下である。
[変形例1]
変形例1に係る固体撮像素子の撮像画素領域2aの構成中、画素電極207と対向電極208との形状および互いの配置について、図6を用い説明する。
変形例1に係る固体撮像素子の撮像画素領域2aの構成中、画素電極207と対向電極208との形状および互いの配置について、図6を用い説明する。
図6に示すように、変形例1に係る撮像画素領域2aでは、各々が四角形の平面形状をした画素電極207が、X軸方向およびY軸方向の双方において、互い間に間隔をあけて配されている。そして、対向電極208は、全体の平面形状が格子状をしており、画素電極207間に介挿されている。
このように、本変形例1に係る固体撮像素子では、対向電極208が、各撮像画素における画素電極207の周囲の全てを囲むように配されている。対向電極208をこのように配置することで、画素電極207の全方位に電界を発生させることができ、感度の向上を図ることができる。
[変形例2]
変形例2に係る固体撮像素子の撮像画素領域3aの構成中、画素電極307と対向電極308との形状および互いの配置について、図7を用い説明する。
変形例2に係る固体撮像素子の撮像画素領域3aの構成中、画素電極307と対向電極308との形状および互いの配置について、図7を用い説明する。
図7に示すように、変形例2に係る撮像画素領域3aにおいても、各々が四角形の平面形状をした画素電極307が、X軸方向およびY軸方向の双方において、互い間に間隔をあけて配されている。変形例2では、対向電極308が、隣接する画素電極307間にX軸方向に延伸配置される幹部分と、そこからY軸方向に延伸された枝部分308aとを有し構成されている。
このように、本変形例2に係る固体撮像素子では、対向電極308が、各撮像画素における画素電極307の周囲全体を囲むのではなく、周囲の一部を囲んでいる。対向電極308をY軸方向ではここに独立させることで、対向電極308にかける電圧を変えることができ、Y軸方向での感度や消費電力を考慮した電圧にすることができる。また、図示をしていないが、X軸とY軸は撮像画素領域3aの平面方向において、上下方向と左右方向とすることもでき、左右方向と上下方向とすることも可能である。そして、本変形例では、対向電極308が存在しない部分を千鳥位置に配置でき、撮像画素領域3aの上下方向の周辺部分においても、対向電極が不存在によるバラツキを低減することができる。
[変形例3]
変形例3に係る固体撮像素子の撮像画素領域4aの構成中、画素電極407と対向電極408との形状および互いの配置について、図8を用い説明する。
変形例3に係る固体撮像素子の撮像画素領域4aの構成中、画素電極407と対向電極408との形状および互いの配置について、図8を用い説明する。
図8に示すように、変形例3に係る撮像画素領域4aにおいても、各々が四角形の平面形状をした画素電極407が、X軸方向およびY軸方向の双方において、互い間に間隔をあけて配されている。変形例3では、上記変形例2と異なり、対向電極408における枝部分408aが、全ての対向電極408においてY軸方向下向きに延伸形成されている。
本変形例3に係る固体撮像素子においても、上記変形例2に係る固体撮像素子と同様に、対向電極408が、各撮像画素における画素電極407の周囲全体を囲むのではなく、周囲の一部を囲んでいる。対向電極408をY軸方向ではここに独立させることで、対向電極にかける電圧を変えることができ、Y軸方向での感度や消費電力を考慮した最適な電圧にすることができる。また、図示をしていないが、X軸とY軸は撮像画素領域3aの平面方向において、上下方向と左右方向とすることもでき、左右方向と上下方向とすることも可能である。そして、本変形例では、画素電極407の3方向を、一体となった対向電極408で囲むことになり、一つの対向電極408が形成する電界が変形例2よりも支配的になり、対向電極408の電圧変化による効果を大きくすることができる。
[変形例4]
変形例4に係る固体撮像素子の撮像画素領域5aの構成中、画素電極507と対向電極508との形状および互いの配置について、図9を用い説明する。
変形例4に係る固体撮像素子の撮像画素領域5aの構成中、画素電極507と対向電極508との形状および互いの配置について、図9を用い説明する。
図9に示すように、変形例4に係る撮像画素領域5aでは、画素電極507が、平面視においてY軸方向に一部が凹状に入り込んだ部分507aを有し、全体としてコの字状あるいはC字状をしている。対向電極508は、画素電極507における入り込んだ部分507aに対応して、当該部分に入り込む枝部分508aを備える。対向電極508における他の形態は、上記変形例1と同様である。
本変形例4に係る固体撮像素子では、上記変形例1に係る固体撮像素子と同様に、対向電極508が、各撮像画素における画素電極507の周囲全体を囲み、且つ、枝部分508aが画素電極507の凹状に入り込んだ部分507aに入り込んでいるので、画素電極507との対向領域が多くなる。このため、電界を発生させる領域が広がり、変形例1よりも感度を向上させることができる。
[変形例5]
変形例5に係る固体撮像素子の撮像画素領域6aの構成中、画素電極607と対向電極608との形状および互いの配置について、図10を用い説明する。
変形例5に係る固体撮像素子の撮像画素領域6aの構成中、画素電極607と対向電極608との形状および互いの配置について、図10を用い説明する。
図10に示すように、変形例5に係る撮像画素領域6aにおいても、画素電極607が、平面視においてY軸方向に一部が凹状に入り込んだ部分607aを有し、全体としてコの字状あるいはC字状をしている。対向電極608は、画素電極607における入り込んだ部分607aに対応して、当該部分に入り込む枝部分608aを備え、また、隣接する画素電極607間に入り込む枝部分608bを備える。対向電極608における枝部分608a、608bは、Y軸方向において、互いに逆向きに延伸形成されている。
本変形例5に係る固体撮像素子では、上記変形例2,3などと同様に、対向電極608が、画素電極607の周囲全体を囲むのではなく、その一部を囲んでいる。また、画素電極607における凹状に入り込んだ部分607aに、対向電極608の枝部分608aが入り込むことで、互いの対向領域が多くなる。このため、電界を発生させる領域が広がり、変形例2,3よりも感度を向上させることができる。そして、一つの画素電極607に対して、枝部分608aと枝部分608bとは異なる対向電極608に接続されているので、異なる電圧を印加することができ、感度を調節することができる。
[変形例6]
変形例6に係る固体撮像素子の撮像画素領域7aの構成中、画素電極707と対向電極708との形状および互いの配置について、図11を用い説明する。
変形例6に係る固体撮像素子の撮像画素領域7aの構成中、画素電極707と対向電極708との形状および互いの配置について、図11を用い説明する。
図11に示すように、変形例6に係る撮像画素領域7aにおいても、画素電極707が、平面視においてY軸方向に一部が凹状に入り込んだ部分707aを有し、全体としてコの字状あるいはC字状をしている。対向電極708は、上記変形例5と同様に、画素電極707における入り込んだ部分707aに対応して、当該部分に入り込む枝部分708aを備え、また、隣接する画素電極707間に入り込む枝部分708bを備える。本変形例6に係る対向電極708では、上記変形例5と相違するのは、対向電極708における枝部分708a、708bが、Y軸方向において、同一方向に向けて延伸形成されている点にある。
本変形例6に係る固体撮像素子においても、上記変形例5と同様に、対向電極708が、画素電極707の周囲全体を囲むのではなく、その一部を囲んでいる。また、画素電極707における凹状に入り込んだ部分707aに、対向電極708の枝部分708aが入り込むことで、互いの対向領域が多くなる。このため、電界を発生させる領域が広がり、変形例2,3よりも感度を向上させることができる。そして、一つの画素電極707に対して、枝部分708aと枝部分708bとは同じ対向電極708に接続されているので、一つの対向電極708が形成する電界が変形例5よりも支配的になり、対向電極708の電圧変化による効果を大きくすることができる。
[変形例7]
変形例7に係る固体撮像素子の撮像画素領域8aの構成中、画素電極807と対向電極808との形状および互いの配置について、図12を用い説明する。
変形例7に係る固体撮像素子の撮像画素領域8aの構成中、画素電極807と対向電極808との形状および互いの配置について、図12を用い説明する。
図12に示すように、変形例7に係る撮像画素領域8aでは、隣接形成された4つの電極要素8071,8072,8073,8074の組み合わせを以って、1つの撮像画素に対応する画素電極807が構成されている。各電極要素8071,8072,8073,8074は、撮像画素毎に、絶縁層101内で接続されている。
対向電極808は、平面視において、格子状をしており、各画素電極807間、および各画素電極807における電極要素8071,8072,8073,8074間に設けられている。
本変形例7に係る固体撮像素子では、画素電極807が分割された4つの電極要素8071,8072,8073,8074を以って構成され、各電極要素8071,8072,8073,8074間にも対向電極808が介挿されているので、互いの対向領域をさらに多くすることができる。このため、電界を発生させる領域が広がり、さらに感度を向上させることができる。
[変形例8]
変形例8に係る固体撮像素子の撮像画素領域9aの構成中、画素電極907と対向電極908との形状および互いの配置について、図13を用い説明する。
変形例8に係る固体撮像素子の撮像画素領域9aの構成中、画素電極907と対向電極908との形状および互いの配置について、図13を用い説明する。
図13に示すように、変形例8に係る撮像画素領域9aにおいても、隣接形成された4つの電極要素9071,9072,9073,9074の組み合わせを以って、1つの撮像画素に対応する画素電極907が構成されている。本変形例8においても、各電極要素9071,9072,9073,9074は、撮像画素毎に、絶縁層101内で接続されている。
本変形例8が上記変形例7と相違する点は、対向電極908が画素電極907の周囲全体を囲むのではなく、その一部を囲んでいる点にある。なお、対向電極908は、枝部分908aが電極要素9071,9072,9073,9074間に介挿され、枝部分908bが隣接する画素電極907間に介挿されている。そして、対向電極908においては、枝部分908aと枝部分908bとが、Y軸方向において逆向きに延伸形成されている。このため、電界を発生させる領域が広がり、さらに感度を向上させることができる。そして、一つの電極要素に対して、枝部分908aと枝部分908bとは異なる対向電極908に接続されているので、異なる電圧を印加することができ、感度を調節することができる。
[変形例9]
変形例9に係る固体撮像素子の撮像画素領域12aの構成中、画素電極1207と対向電極1208との形状および互いの配置について、図14を用い説明する。
変形例9に係る固体撮像素子の撮像画素領域12aの構成中、画素電極1207と対向電極1208との形状および互いの配置について、図14を用い説明する。
図14に示すように、変形例9に係る撮像画素領域12aにおいても、隣接形成された4つの電極要素12071,12072,12073,12074の組み合わせを以って、1つの撮像画素に対応する画素電極1207が構成されている。本変形例9においても、各電極要素12071,12072,12073,12074は、撮像画素毎に、絶縁層101内で接続されている。
本変形例9に係る固体撮像素子においても、対向電極1208が枝部分1208a,1208bを備えるが、その延伸方向が、互いに同一である点で上記変形例8と相違する。そして、一つの電極要素に対して、枝部分1208aと枝部分1208bとは同じ対向電極1208に接続されているので、一つの電極要素が形成する電界が変形例8よりも支配的になり、対向電極1208の電圧変化による効果を大きくすることができる。
[実施の形態3]
1.各撮像画素13の構成
本実施の形態に係る固体撮像素子の各撮像画素13の構成について、図15を用い説明する。なお、図15では、固体撮像素子の要部となる部分を抜き出して描いている。
1.各撮像画素13の構成
本実施の形態に係る固体撮像素子の各撮像画素13の構成について、図15を用い説明する。なお、図15では、固体撮像素子の要部となる部分を抜き出して描いている。
図15に示すように、本実施の形態に係る固体撮像素子では、画素電極107に比べ対向電極138のZ軸方向における膜厚が厚くなっており、画素電極107と対向電極138との間には、上記実施の形態1に係る固体撮像素子1と同様に、有機半導体材料を含む材料からなる光電変換機能層で131の一部が介挿されている。
2.光電変換機能層131中における電界強度
本実施の形態に係る固体撮像素子の光電変換機能層131中における電界強度分布について、図16を用い説明する。
本実施の形態に係る固体撮像素子の光電変換機能層131中における電界強度分布について、図16を用い説明する。
図16に示すように、本実施の形態に係る固体撮像素子では、画素電極107に対する対向電極138の膜厚が相対的に厚くなっており、これにより、光電変換機能層131内の電極107,138間の部分には、相対的に強い電界が加わるとともに(図16における電気力線E21)、光電変換機能層131における比較的Z軸方向上方まで電界が加わるので(図16における電気力線E22)、光電変換特性を向上させることができる。
3.製造方法
本実施の形態に係る固体撮像素子の製造過程中、特徴となる部分について、図17および図18を用い説明する。なお、図17および図18では、図面の簡略化のため、基板100内および表面にある電荷蓄積部位やゲート電極、画素電極と接続しているコンタクトホール109以外の配線・コンタクトホールなどの図示を省略している。そして、絶縁層101およびコンタクトホール・配線層を形成するまでの製造方法は、上記実施の形態2での説明と同一である。
本実施の形態に係る固体撮像素子の製造過程中、特徴となる部分について、図17および図18を用い説明する。なお、図17および図18では、図面の簡略化のため、基板100内および表面にある電荷蓄積部位やゲート電極、画素電極と接続しているコンタクトホール109以外の配線・コンタクトホールなどの図示を省略している。そして、絶縁層101およびコンタクトホール・配線層を形成するまでの製造方法は、上記実施の形態2での説明と同一である。
図17(a)に示すように、絶縁層101に対し、画素電極107と接続するコンタクトホールを形成しようとする箇所に、コンタクト孔101aを形成する。
図17(b)に示すように、コンタクト孔101aを形成した後、絶縁層101上に、画素電極107を形成しない予定の領域に対して、レジスト膜500を堆積形成する。続いて、コンタクト材および画素電極107の構成材料となる銅を積層し、金属膜1070を形成する。なお、図15などでは、便宜上、画素電極107とその下部のコンタクトホール109のコンタクト材とを別のハッチング種としているが、前述のように、画素電極107の構成材料とコンタクト材とは、同一とする。
図17(b)に示すように、コンタクト孔101aを形成した後、絶縁層101上に、画素電極107を形成しない予定の領域に対して、レジスト膜500を堆積形成する。続いて、コンタクト材および画素電極107の構成材料となる銅を積層し、金属膜1070を形成する。なお、図15などでは、便宜上、画素電極107とその下部のコンタクトホール109のコンタクト材とを別のハッチング種としているが、前述のように、画素電極107の構成材料とコンタクト材とは、同一とする。
また、画素電極107の膜厚を300[nm]とする場合には、金属膜1070の膜厚は、好ましくは300[nm]以上350[nm]以下である。
次に、CMP研磨により、所望する画素電極の膜厚となるように金属膜10702およびレジスト膜500の上部分を研磨・除去する。そして、残ったレジスト膜500を除去することにより、図17(c)に示すように、画素電極107およびコンタクトホール109が形成される。なお、画素電極107の膜厚は、絶縁層101の上面から300[nm]となり、所望する画素電極107の膜厚と同じになる。
次に、CMP研磨により、所望する画素電極の膜厚となるように金属膜10702およびレジスト膜500の上部分を研磨・除去する。そして、残ったレジスト膜500を除去することにより、図17(c)に示すように、画素電極107およびコンタクトホール109が形成される。なお、画素電極107の膜厚は、絶縁層101の上面から300[nm]となり、所望する画素電極107の膜厚と同じになる。
絶縁層101および画素電極107の上に、対向電極138を形成しない予定の領域に合わせてパターン形成されたレジスト膜501を配置する。続いて、対向電極138となる金属膜1380を積層する(図18(a)を参照)。ここで、金属膜1380も銅から形成され、その膜厚は、所望する対向電極138の膜厚以上となる。対向電極138の膜厚を500[nm]と設定する場合には、金属膜1380の膜厚は、好ましくは500[nm]以上600[nm]以下である。
CMP研磨により、所望する対向電極の膜厚となるように金属膜1380およびレジスト膜501の上部分を研磨・除去する。残ったレジスト膜501を除去することにより、図18(b)に示すように、対向電極138が形成される。
なお、対向電極138の膜厚は、図18(b)に段階で、絶縁層101の上面から500[nm]となり、所望する対向電極138の膜厚と同じになる。以上のプロセスは従来公知のプロセス、いわゆるCMOSプロセスにおける技術により調整できる。
この後、図示を省略しているが、有機半導体材料を用い光電変換機能層を131を形成する。光電変換機能層131の形成は、フラッシュ蒸着により銅フタロシアニンと可視領域においてブロードな吸収を有するフラーレンの混合層として積層することによりなされる。
光電変換機能層131の膜厚としては、対向電極138より厚いことが好ましく、700[nm]とする。以上のような製造方法により、実施の形態3に係る固体撮像素子が製造される。
[実施の形態4]
実施の形態4に係る固体撮像素子の構成について、図19を用い説明する。図19は、実施の形態4に係る固体撮像素子の要部を抜き出して示している。
実施の形態4に係る固体撮像素子の構成について、図19を用い説明する。図19は、実施の形態4に係る固体撮像素子の要部を抜き出して示している。
図19に示すように、本実施の形態に係る固体撮像素子では、各撮像画素14において、画素電極107と対向電極148とが、Z軸方向に対して交差する方向に対向した状態で配されている。本実施の形態に係る固体撮像素子では、画素電極107が上記実施の形態1などと同様に、絶縁層101の面上に形成されているのに対して、対向電極148については、絶縁層101の面との間に絶縁層あるいは光電変換機能層141が介挿されている。
このように、対向電極148の位置を、Z軸方向上方にずらして配置することにより、光電変換機能層141のZ軸方向上方部分で多く光生成される電荷を効果的に画素電極107へと読み込むことが可能となり、感度特性をさらに高くすることが可能となる。
本発明は、高い感度を有する固体撮像素子を備えるディジタルスチルカメラやディジタルムービカメラを低コストに実現するのに有用である。
1.固体撮像素子
1a,2a,3a,4a,5a,6a,7a,8a,9a,12a.撮像画素領域
1b.周辺回路領域
10,11,13,14.撮像画素
100.基板
101.絶縁層
102.電荷蓄積部
103.ゲート電極
104.電荷蓄積部
105.配線層
106,109,110.コンタクトホール
107,207,307,407,507,607,707,807,907,1207.画素電極
108,138,148,208,308,408,508,608,708,808,908,1208.対向電極
111,116,131,141.光電変換機能層
112.保護層
113.カラーフィルタ層
114.トップレンズ層
115.絶縁層
500,501.レジスト膜
1070,1380.金属膜
8071,8072,8073,8074,9071,9072,9073,9074,12071,12072,12073,12074.画素電極要素
E1,E2,E11,E12,E21,E22.電気力線
1a,2a,3a,4a,5a,6a,7a,8a,9a,12a.撮像画素領域
1b.周辺回路領域
10,11,13,14.撮像画素
100.基板
101.絶縁層
102.電荷蓄積部
103.ゲート電極
104.電荷蓄積部
105.配線層
106,109,110.コンタクトホール
107,207,307,407,507,607,707,807,907,1207.画素電極
108,138,148,208,308,408,508,608,708,808,908,1208.対向電極
111,116,131,141.光電変換機能層
112.保護層
113.カラーフィルタ層
114.トップレンズ層
115.絶縁層
500,501.レジスト膜
1070,1380.金属膜
8071,8072,8073,8074,9071,9072,9073,9074,12071,12072,12073,12074.画素電極要素
E1,E2,E11,E12,E21,E22.電気力線
Claims (20)
- 基板と、当該基板の上方に形成され、有機半導体材料を含み構成された光電変換機能層と、ともに前記光電変換機能層の界面に対して接する状態で設けられた第1電極および第2電極とを備える光電変換素子であって、
前記第1電極は、前記光電変換機能層における前記基板側の界面に対して接しており、
前記第1電極と前記第2電極とは、前記基板の厚み方向に対して交差する方向において、互いに対向している
ことを特徴とする光電変換素子。 - 前記光電変換機能層は、前記第1電極の上面および側面を覆う状態で形成されており、
前記第2電極は、前記基板の厚み方向に対して交差する方向において、前記第1電極の周囲の少なくとも一部を囲む状態で配されている
ことを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。 - 前記第1電極は、前記基板の主面に沿った方向において、互いに間隔をあけて配された複数の電極要素から構成されており、
前記第2電極は、前記基板の厚み方向に対して交差する方向において、前記複数の電極要素の少なくとも一部の周囲を囲む状態で配されている
ことを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。 - 前記基板の厚み方向において、前記第1電極の上方は、前記第2電極で覆われていない
ことを特徴とする請求項2または請求項3に記載の光電変換素子。 - 前記光電変換機能層は、光電変換層を含むとともに、電子輸送層および正孔輸送層の少なくとも一方を含む積層構造を以って構成されている
ことを特徴とする請求項1から請求項4の何れかに記載の光電変換素子。 - 前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方の電極は、その表面が光反射面となっている
ことを特徴とする請求項1から請求項5の何れかに記載の光電変換素子。 - 前記基板の厚み方向において、前記光電変換機能層の上には、当該光電変換機能層を保護するための保護層が積層形成されている
ことを特徴とする請求項1から請求項6の何れかに記載の光電変換素子。 - 前記基板の厚み方向において、前記光電変換機能層の上方には、有機材料から構成されたカラーフィルタ層が積層形成されている
ことを特徴とする請求項1から請求項7の何れかに記載の光電変換素子。 - 前記基板の厚み方向において、前記第2電極の層厚は、前記第1電極の層厚よりも厚い
ことを特徴とする請求項1から請求項8の何れかに記載の光電変換素子。 - 2次元配列された複数の撮像画素部を有する固体撮像素子であって、
前記複数の撮像画素部の各々は、請求項1から請求項9の何れかの光電変換素子の構成を含み形成されている
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 基板の上方において、当該基板の厚み方向に対して交差する方向に、互いに対向する状態で第1電極と第2電極とを形成する工程と、
有機半導体材料を含む材料を用い、前記第1電極と前記第2電極との双方に対して接する状態で、光電変換機能層を形成する工程と、
を備える
ことを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - 前記第1電極と第2電極とを形成する工程では、前記基板の厚み方向に対して交差する方向において、前記第2電極を、前記第1電極の周囲の少なくとも一部を囲む状態で形成し、
前記光電変換機能層を形成する工程では、前記第1電極の上面および側面を覆う状態で、前記光電変換機能層を形成する
ことを特徴とする請求項11に記載の光電変換素子の製造方法。 - 前記第1電極と第2電極とを形成する工程では、
前記基板の主面に沿った方向において、互いに間隔をあけた状態の形成した複数の電極要素を以って前記第1電極を形成し、
前記第1電極における前記複数の電極要素の少なくとも一部の周囲を囲む状態で、前記第2電極を形成する
ことを特徴とする請求項11に記載の光電変換素子の製造方法。 - 前記第1電極と第2電極とを形成する工程では、前記基板の厚み方向において、前記第1電極の上方を覆わないように前記第2電極を形成する
ことを特徴とする請求項12または請求項13に記載の光電変換素子の製造方法。 - 前記光電変換機能層を形成する工程では、光電変換層を含むとともに、電子輸送層および正孔輸送層の少なくとも一方を含む積層構造を以って前記光電変換機能層を形成する
ことを特徴とする請求項11から請求項14の何れかに記載の光電変換素子の製造方法。 - 前記第1電極と第2電極とを形成する工程では、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方を、その表面が光反射面となるように形成する
ことを特徴とする請求項11から請求項15の何れかに記載の光電変換素子の製造方法。 - 前記基板の厚み方向における前記光電変換機能層の上に、当該光電変換機能層を保護するための保護層を積層形成する工程を備える
ことを特徴とする請求項11から請求項16の何れかに記載の光電変換素子の製造方法。 - 有機材料を用い、前記基板の厚み方向における前記光電変換機能層の上方に、カラーフィルタ層を積層形成する工程を備える
ことを特徴とする請求項11から請求項17の何れかに記載の光電変換素子の製造方法。 - 前記第1電極と第2電極とを形成する工程では、前記第2電極を、前記基板の厚み方向におけるその層厚が、前記第1電極よりも厚くなるように形成する
ことを特徴とする請求項11から請求項18の何れかに記載の光電変換素子の製造方法。 - 2次元配列された複数の撮像画素部を有する固体撮像素子の製造方法であって、
前記複数の撮像画素部の各々を、請求項11から請求項19の何れかの光電変換素子の製造方法を以って形成する
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
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