JP2011233673A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】その上部に層間絶縁膜からなる窪み部19を有するフォトダイオード40とNPNバイポーラトランジスタ30等からなる光電子集積回路が形成された半導体チップ50において、一般的にはフォトダイオード40上の窪み部19領域及びダイシング領域21以外を遮光膜17で被覆する。本発明では、更に窪み部19から該窪み部19の外側に向かって延在する遮光膜17の開口路20を形成することにより課題の解決を図った。
【選択図】 図1
Description
開口路20を形成することにより、図5に示すような半導体チップ50に接着層22を介してガラス基板23を接着し半導体装置60を形成する場合に、半導体チップ50のフォトダイオード40上の窪み部19内に充填される接着層22に気泡が取り込まれることを防止する事ができる。かかる気泡は透明樹脂からなる接着材を半導体基板1上に塗布し該半導体基板1を回転しながら半導体基板1の全面に均一に広げる際に、巻き込まれた空気が元となり発生する。
次に、I層3の表面にP+型アノード電極引き出し層5a及びP+型分離層5bを形成し、併せてNPNバイポーラトランジスタ30の形成領域にN+型埋め込み層4を形成する。次に、N+埋め込み層4等が形成されたI層3の上に高抵抗層からなるI層6を所定のエピタキシャル法で形成する。なお、エピタキシャル層を高抵抗層からなるI層3、I層6とするのはフォトダイオード40をPINダイオードとするためである。
併せて所定の方法により素子分離膜12も形成する。最終的な熱処理によりP+型分離層2b、5bおよび9bは連結され、P+型アノード層9aとP+型アノード引き出し層2a、5aも連結される。
2b,5b,9b P+型分離層 9a P+型アノード層 3,6 I層
4 N+型埋め込み層 7N型コレクタ層 8 N+型コレクタ引き出し層
10 P型ベース層 11a N+型コレクタ層 11b N+型エミッタ層
11c N+型カソード層 12 素子分離膜 13 反射防止層 14 絶縁膜
15a コレクタ電極 15b エミッタ電極 15c ベース電極
15d アノード電極 15e 第2層配線 16a,16b 層間絶縁膜
17 遮光膜 18 パッシベーション膜 19 窪み部 20 開口路
21 ダイシング領域 22 接着層 23 ガラス基板 24 絶縁膜
25 裏面配線電極 26 保護膜 27 導電端子 28 パッド電極
30 NPNバイポーラトランジスタ 40 フォトダイオード
50 半導体チップ 60 半導体装置 101 半導体装置
102 第1のガラス基板 103 第2のガラス基板 104 半導体チップ
105a,105b エポキシ樹脂 106 導電端子 107 第1の配線
108 絶縁膜 110 第2の配線
Claims (6)
- フォトダイオードを内蔵する光電子集積回路が形成された半導体チップにおいて
前記フォトダイオードの受光領域上の絶縁膜をエッチングして形成された所定の深さの窪み部と、
前記窪み部上と前記半導体チップの端部となるダイシング領域が開口され、且つ前記窪み部から該窪み部の外側に向かって延在する開口路を有する遮光膜と、
前記ダイシング領域近傍に前記光電子集積回路と接続されて形成されたパッド電極と、
前記半導体チップの表面に接着層を介して接着された支持基板と、
前記パッド電極に接続される裏面配線電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記開口路が前記遮光膜の除去された領域直下の層間絶縁膜内まで延在することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記フォトダイオードが青色光に対応できることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記支持基板がガラス基板であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体装置。
- フォトダイオードを内蔵する光電子集積回路が形成された半導体チップにおいて
前記フォトダイオードの受光領域上の絶縁膜をエッチングして所定の深さの窪み部を形成する工程と、
前記窪み部上と前記半導体チップの端部となるダイシング領域が開口され、且つ前記窪み部から該窪み部の外側に向かって延在する開口路を有する遮光膜を形成する工程と、
前記ダイシング領域近傍に前記光電子集積回路と接続されたパッド電極を形成する工程と、
前記半導体チップの表面に接着層を介して接着された支持基板を形成する工程と、
前記パッド電極に接続される裏面配線電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記開口路が前記遮光膜の除去された領域直下の層間絶縁膜内まで延在して形成された事を特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
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