JP2011232682A - Wiring structure and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、配線構造体、およびその製造方法に関する。詳しくは、基体上に微細な配線が形成された配線構造体、およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a wiring structure and a manufacturing method thereof. Specifically, the present invention relates to a wiring structure in which fine wiring is formed on a substrate and a manufacturing method thereof.
従来、ガラスやプラスチックなどからなる絶縁性基材上に所定の回路パターンの導電層を形成する方法としては、フォトリソグラフィーを利用した回路パターン形成方法が広く用いられている。この回路パターンの形成方法では、ステップ＆リピート方式、またはそれに近い方式が一般的に用いられている。具体的には、この形成方法では、「金属層コーティング」→「レジスト塗布」→「露光」→「現像」→「エッチング」→「レジスト剥離」の工程を経て、回路パターンが形成される。このため、フォトリソグラフィーを利用した回路パターンの形成方法は、低スループットとなる。特にエッチング工程にてドライエッチングを用いた場合には、スループットの低下が著しい。このようにスループットの低下が著しいドライエッチング工程は、ロール・ツー・ロールによる製造方法には不向きである。 Conventionally, a circuit pattern forming method using photolithography has been widely used as a method for forming a conductive layer having a predetermined circuit pattern on an insulating substrate made of glass or plastic. In this circuit pattern forming method, a step & repeat method or a method close thereto is generally used. Specifically, in this forming method, a circuit pattern is formed through steps of “metal layer coating” → “resist application” → “exposure” → “development” → “etching” → “resist stripping”. For this reason, the circuit pattern forming method using photolithography has a low throughput. In particular, when dry etching is used in the etching process, the throughput is significantly reduced. Thus, the dry etching process in which the throughput is remarkably lowered is not suitable for a roll-to-roll manufacturing method.
そこで、スループットの向上を実現すべく、スクリーン印刷による回路パターン形成方法が提案されている。このスクリーン印刷による回路パターン形成方法は、絶縁性基材上に金属ペーストなどをマスクを介してスキージで塗布し、その後焼成して所定の回路パターンの導電層を形成する方法である。スクリーン印刷による回路パターン形成方法はスループットに優れるため、種々のデバイスにて応用が検討されている。例えば特許文献１には、スクリーン印刷を用いてタッチパネルの電極を形成する方法が開示されている。また、特許文献２には、スクリーン印刷を用いて画像表示装置の電極を形成する方法が開示されている。
Thus, a circuit pattern forming method by screen printing has been proposed in order to improve the throughput. This circuit pattern forming method by screen printing is a method in which a metal paste or the like is applied on an insulating substrate with a squeegee through a mask and then baked to form a conductive layer having a predetermined circuit pattern. Since the circuit pattern forming method by screen printing is excellent in throughput, application to various devices is being studied. For example,
しかしながら、スクリーン印刷はマスクが高価であること、マスクを精度良く位置合わせするのが煩雑であること、マスクの穴が目詰まりし易いことなどの問題がある。このため、スクリーン印刷以外にも、優れたスループットを実現できる回路パターンの形成方法が望まれている。 However, screen printing has problems that the mask is expensive, that it is complicated to align the mask with high accuracy, and that the holes in the mask are easily clogged. Therefore, in addition to screen printing, a circuit pattern forming method capable of realizing excellent throughput is desired.
したがって、本発明の目的は、優れたスループットを実現できる配線構造体、およびその製造方法を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a wiring structure capable of realizing excellent throughput and a method for manufacturing the same.
上述の課題を解決するために、第１の発明は、
微細ピッチで構造体が多数形成された第１の領域と、平面状に形成された第２の領域とを有する基体と、
第１の領域、および第２の領域共に同一材料の導電材料が成膜されており、第１の領域、および第２の領域のうち該第２の領域に導電材料が連続的に形成されて、配線パターンをなす導電層と
を備える配線構造体である。
In order to solve the above-mentioned problem, the first invention
A base having a first region where a large number of structures are formed at a fine pitch, and a second region formed in a planar shape;
A conductive material of the same material is formed in both the first region and the second region, and the conductive material is continuously formed in the second region of the first region and the second region. And a conductive layer comprising a wiring pattern.
第２の発明は、
微細ピッチで第１の構造体が多数形成された第１の領域と、微細ピッチで第２の構造体が多数形成された第２の領域とを有する基体と、
第１の領域、および第２の領域共に同一材料の導電材料が成膜されており、第１の領域、および第２の領域のうち該第２の領域に導電材料が連続的に形成されて、配線パターンをなす導電層と
を備え、
第１の構造体のアスペクト比は、第２の構造体のアスペクト比に比して大きい配線構造体である。
The second invention is
A substrate having a first region in which a large number of first structures are formed at a fine pitch and a second region in which a large number of second structures are formed at a fine pitch;
A conductive material of the same material is formed in both the first region and the second region, and the conductive material is continuously formed in the second region of the first region and the second region. And a conductive layer forming a wiring pattern,
The aspect ratio of the first structure is a wiring structure that is larger than the aspect ratio of the second structure.
第３の発明は、
微細ピッチで第１の構造体が多数形成された第１の領域と、平面状に形成された第２の領域とを基体表面に形成する工程と、
基体表面に導電層を形成する工程と
を備え、
導電層の形成工程では、
第１の領域および第２の領域の構造体の有無を利用して、第１の領域に導電材料を不連続的に形成するのに対して、第２の領域に導電材料を連続的に形成することにより、導電層からなる配線パターンを第２の領域に形成する配線構造体の製造方法である。
The third invention is
Forming a first region where a large number of first structures are formed at a fine pitch and a second region formed in a planar shape on the surface of the substrate;
Forming a conductive layer on the surface of the substrate,
In the process of forming the conductive layer,
Using the presence or absence of structures in the first region and the second region, the conductive material is discontinuously formed in the first region, whereas the conductive material is continuously formed in the second region. By doing so, the wiring structure manufacturing method for forming a wiring pattern made of a conductive layer in the second region.
第４の発明は、
微細ピッチで第１の構造体が多数形成された第１の領域と、微細ピッチで第２の構造体が多数形成された第２の領域とを基体表面に形成する工程と、
基体表面に導電層を成膜する工程と
を備え、
第１の領域および第２の領域の構造体のアスペクト比の違いを利用して、第１の領域に導電材料を不連続的に形成するのに対して、第２の領域に導電材料を連続的に形成することにより、導電層からなる配線パターンを第２の領域に形成する配線構造体の製造方法である。
The fourth invention is:
Forming a first region where a large number of first structures are formed at a fine pitch and a second region where a large number of second structures are formed at a fine pitch on the substrate surface;
And a step of forming a conductive layer on the surface of the substrate.
Utilizing the difference in aspect ratio between the structures of the first region and the second region, the conductive material is discontinuously formed in the first region, whereas the conductive material is continuously formed in the second region. This is a method for manufacturing a wiring structure in which a wiring pattern made of a conductive layer is formed in a second region by forming it electrically.
第１および第３の発明では、第１の領域および第２の領域の構造体の有無を利用して、第１の領域に導電材料を不連続的に形成するのに対して、第２の領域に導電材料を連続的に形成することができる。したがって、第１の領域および第２の領域のうち、第２の領域上に選択的に配線を形成することができる。 In the first and third inventions, the conductive material is discontinuously formed in the first region by utilizing the presence or absence of the structures in the first region and the second region. A conductive material can be continuously formed in the region. Therefore, a wiring can be selectively formed on the second region of the first region and the second region.
第２および第４の発明では、第１の領域および第２の領域の構造体のアスペクト比の違いを利用して、第１の領域に導電材料を不連続的に形成するのに対して、第２の領域に導電材料を連続的に形成することができる。したがって、第１の領域および第２の領域のうち、第２の領域上に選択的に配線を形成することができる。 In the second and fourth inventions, the conductive material is discontinuously formed in the first region by utilizing the difference in aspect ratio between the structures of the first region and the second region. A conductive material can be continuously formed in the second region. Therefore, a wiring can be selectively formed on the second region of the first region and the second region.
以上説明したように、本発明によれば、構造体の有無、または構造体のアスペクト比の違いを利用して、配線を基体表面に形成することができる。したがって、優れたスループットを実現できる。 As described above, according to the present invention, the wiring can be formed on the surface of the base body by utilizing the presence or absence of the structure or the difference in the aspect ratio of the structure. Therefore, excellent throughput can be realized.
本発明者らは、従来技術が有する上述の課題を解決すべく、鋭意検討を行った。その結果、構造体を基体表面の面内で変調させ、その上に導電層を形成すると、構造体変調に応じて金属層が導通部分と非導通部分とに分かれる現象を見出し、この現象を利用することで基体表面に配線を形成できることを見出すに至った。 The present inventors have intensively studied to solve the above-described problems of the prior art. As a result, when the structure is modulated in the plane of the substrate surface and a conductive layer is formed on it, the phenomenon that the metal layer is divided into a conductive part and a non-conductive part according to the modulation of the structure is found. As a result, it has been found that wiring can be formed on the surface of the substrate.
以下の本発の概要について具体的に説明する。
高アスペクトな構造体上に導電層を形成した場合と、平面上または低アスペクト構造体上に導電層を形成した場合とでは、導電層の表面積が異なる。このため、高アスペクトな構造体上に導電層を形成した場合には、導電層の厚さよっては構造体上の導電層は導通をとることが困難となる。これは導電層の成長が表面積に依存して島状に成長する、または実質的に導電性を示さない程の厚さに導電層が成長するためである。これに対して、平面上または低アスペクト構造体上に導電層を形成した場合、比較的容易に連続した導電層が成長する、または導電性を示す程の厚さでかつ連続的に導電層が成長するため、電気的な導通をとりやすい。
The following outline of the present invention will be specifically described.
The surface area of the conductive layer is different between the case where the conductive layer is formed on the high aspect structure and the case where the conductive layer is formed on the plane or the low aspect structure. For this reason, when a conductive layer is formed on a high-aspect structure, it is difficult to conduct the conductive layer on the structure depending on the thickness of the conductive layer. This is because the conductive layer grows in an island shape depending on the surface area, or the conductive layer grows to a thickness that does not substantially exhibit conductivity. On the other hand, when a conductive layer is formed on a flat surface or a low aspect structure, a continuous conductive layer grows relatively easily, or the conductive layer is continuously thick and thick enough to exhibit conductivity. Because it grows, it is easy to take electrical conduction.
本発明では、上記現象を利用し、面内で構造体形状を変調させ、その上に導電層を形成することで配線を形成する。具体的には、非導通部分となる第１の領域には高アスペクト構造体の連続体を形成するのに対して、導通部分となる第２の領域には平面または低アスペクト構造体の集合体を形成する。そして、それらの両領域上に導電層を形成すると、表面積の違いにより、膜の成長が面内で選択的に変化する。これにより、第１の領域および第２の領域のうち、第２の領域に選択的に配線を形成できる。 In the present invention, by utilizing the above phenomenon, the shape of the structure is modulated in-plane, and a conductive layer is formed thereon to form a wiring. Specifically, a high-aspect structure continuum is formed in the first region to be a non-conductive portion, whereas a planar or low-aspect structure aggregate is formed in the second region to be a conductive portion. Form. When a conductive layer is formed on both of these regions, the growth of the film selectively changes in the plane due to the difference in surface area. Thereby, a wiring can be selectively formed in the second region of the first region and the second region.
本発明の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（構造体の有無を利用して基体表面に配線を形成した例：図１Ａ参照）
２．第２の実施形態（四方格子状に構造体を配置した例：図１７Ａ参照）
３．第３の実施形態（アスペクト比の違いを利用して基体表面に配線を形成した例：図２０Ａ参照）
４．第４の実施形態（配線を基体の両面に形成した例：図２２Ａ、図２２Ｂ参照）
５．第５の実施形態（ディスク状原盤の作製例：図２３Ａ、図２３Ｂ参照）
６．第６の実施形態（構造体を凹状とした例：図２５Ａ、図２５Ｂ参照）
７．第７の実施形態（表示装置に対する適用例：図２６参照）
８．第８の実施形態（タッチパネルに対する適用例：図２８Ａ、図２９Ａ参照）
Embodiments of the present invention will be described in the following order with reference to the drawings.
1. First Embodiment (Example in which wiring is formed on the surface of a base using the presence or absence of a structure: see FIG. 1A)
2. Second Embodiment (Example in which structures are arranged in a tetragonal lattice pattern: see FIG. 17A)
3. Third Embodiment (Example in which wiring is formed on a substrate surface using a difference in aspect ratio: see FIG. 20A)
4). Fourth Embodiment (Example in which wiring is formed on both surfaces of a substrate: see FIGS. 22A and 22B)
5). Fifth Embodiment (Example of manufacturing a disk-shaped master: see FIGS. 23A and 23B)
6). Sixth embodiment (example in which the structure is concave: see FIGS. 25A and 25B)
7). Seventh Embodiment (Application Example for Display Device: See FIG. 26)
8). Eighth embodiment (application example for touch panel: see FIGS. 28A and 29A)
＜１．第１の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る配線構造体の一構成例を示す平面図である。図１Ｂは、本発明の第１の実施形態に係る配線構造体の一構成例を示す断面図である。図１Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る配線構造体の第２の領域の層構成を示す断面図である。以下では、配線構造体１の回路形成面の面内で互いに直交する２方向をＸ軸方向、およびＹ軸方向とし、その回路形成面に垂直な方向をＺ軸方向と称する。
<1. First Embodiment>
[Configuration of conductive optical element]
FIG. 1A is a plan view showing a configuration example of a wiring structure according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1B is a cross-sectional view showing a configuration example of the wiring structure according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1C is a cross-sectional view showing a layer configuration of a second region of the wiring structure according to the first embodiment of the present invention. Hereinafter, two directions orthogonal to each other in the plane of the circuit formation surface of the
第１の実施形態に係る配線構造体１は、いわゆる導電性素子であり、第１の領域Ｒ1と第２の領域Ｒ2とを有する基体２と、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2のうち、第２の領域Ｒ2に配線パターンをなすように連続的に形成された導電層４とを備える。また、表面抵抗の低減の観点から、図１Ｃに示すように、第２の領域Ｒ2の基体表面に金属層５をさらに備えることが好ましい。この配線構造体１は、例えば、プリント基板、画像表示素子などである。プリント基板としては、例えば、リジッド基板、フレキシブル基板、リジッドフレキシブル基板などが挙げられる。画像表示素子としては、例えば、液晶表示素子、エルクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子（例えば有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）などである。
第１の領域Ｒ1には、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体３が多数形成され、導電層４が不連続的に島状などに形成されている。また、第１の領域Ｒ1に形成される導電層４の厚さが、導通を示さない程に第２の領域Ｒ2に形成される導電層４の厚さよりも薄く形成されるようにしてもよい。これに対して、第２の領域Ｒ2には、構造体３が形成されず平坦面とされ、導電層４が連続的に形成されている。したがって、第１の領域Ｒ1は、隣接する第２の領域Ｒ2に形成された導電層４の間を絶縁するための絶縁領域として機能する。これに対して、第２の領域Ｒ2に連続的に形成された導電層４は、第２の領域Ｒ2の延在方向に向かって導電性を有し、配線として機能する。なお、図１Ａでは、第２の領域Ｒ2に連続的に形成された導電層４、すなわち配線が、直線状の形状を有している例が示されているが、配線の形状はこれに限定されるものではなく、回路設計などに応じて所望の形状とすることが可能である。また、第１の領域Ｒ1に不連続的にまたは薄く形成された導電層４は、配線としては機能しないため、図示を省略している。
In the first region R 1 , for example, a large number of
以下、配線構造体１を構成する基体２、構造体３、導電層４、および金属層５について順次説明する。
Hereinafter, the
（基体）
基体２は、例えば、透明性または不透明性を有する基体である。基体２の材料としては、例えば、プラスチック材料などの有機材料、ガラスなどの無機材料を用いることができる。
(Substrate)
The
ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、P.I-537、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性などの諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（CR-39）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）などが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。 Examples of the glass include soda lime glass, lead glass, hard glass, quartz glass, and liquid crystallized glass (see “Chemical Handbook”, Basic Edition, P.I-537, The Chemical Society of Japan). Plastic materials include polymethyl methacrylate, methyl methacrylate and other alkyls (from the viewpoint of optical properties such as transparency, refractive index, and dispersion, as well as various properties such as impact resistance, heat resistance, and durability. (Meth) acrylic resins such as copolymers with vinyl monomers such as (meth) acrylate and styrene; polycarbonate resins such as polycarbonate and diethylene glycol bisallyl carbonate (CR-39); (brominated) bisphenol A type di ( Thermosetting (meth) acrylic resins such as homopolymers or copolymers of (meth) acrylates, polymers and copolymers of urethane-modified monomers of (brominated) bisphenol A mono (meth) acrylate; polyesters, especially polyethylene terephthalate , Polyethylene naphtha Over preparative and unsaturated polyesters, acrylonitrile - styrene copolymers, polyvinyl chloride, polyurethane, epoxy resins, polyarylate, polyether sulfone, polyether ketone, cycloolefin polymer (trade name: ARTON, ZEONOR) and the like are preferable. In addition, an aramid resin considering heat resistance can be used.
基体２としてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体２の表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理を行うようにしてもよい。
When a plastic material is used as the
基体２がプラスチックフィルムである場合には、基体２は、例えば、上述の樹脂を伸延、あるいは溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。また、基体２の厚さは、例えば２５μｍ〜５００μｍ程度である。
In the case where the
基体２の形状としては、例えば、フィルム状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、フィルムにはシートが含まれるものと定義する。
Examples of the shape of the
（構造体）
図２Ａは、図１Ａに示した第１の領域の一部を拡大して表す平面図である。図２Ｂは、図２ＡのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２Ｃは、図１ＡのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図２Ｄは、図２ＡのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図２Ｅは、図２ＡのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図３、図５〜図７は、図１Ａに示した第１の領域の一部を拡大して表す斜視図である。図４Ａは、図２Ａに示した第１の領域のトラック延在方向の断面図である。図４Ｂは、図２Ａに示した第１の領域のθ方向の断面図である。
(Structure)
FIG. 2A is an enlarged plan view showing a part of the first region shown in FIG. 1A. 2B is a cross-sectional view taken along tracks T1, T3,... In FIG. 2C is a cross-sectional view taken along tracks T2, T4,... Of FIG. 2D is a schematic diagram illustrating a modulation waveform of laser light used for forming a latent image corresponding to the tracks T1, T3,... In FIG. 2E is a schematic diagram showing a modulation waveform of a laser beam used for forming a latent image corresponding to the tracks T2, T4,... In FIG. 3 and 5 to 7 are enlarged perspective views showing a part of the first region shown in FIG. 1A. FIG. 4A is a cross-sectional view of the first region shown in FIG. 2A in the track extending direction. FIG. 4B is a cross-sectional view of the first region shown in FIG. 2A in the θ direction.
基体２の表面には、凸部である構造体３が多数配列されている。この構造体３は、回路構造体表面における光の反射を低減する観点からすると、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下の短い配置ピッチ、例えば可視光以下の配置ピッチで周期的に２次元配置されていることが好ましい。ここで、配置ピッチとは、平均配置ピッチＰを意味する。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ以上３６０ｎｍ以下の波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ以上１ｍｍ以下の波長帯域をいう。具体的には、構造体３の平均配置ピッチは、好ましくは１８０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下範囲内である。配置ピッチが１８０ｎｍ未満であると、構造体３の作製が困難となる傾向がある。一方、配置ピッチが３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。
A large number of
配線構造体１の各構造体３は、基体２の表面において複数列のトラックＴ１、Ｔ２、Ｔ３、・・・（以下総称して「トラックＴ」ともいう。）をなすような配置形態を有する。本発明において、トラックとは、構造体３が列をなして直線状または曲線状に連なった部分のことをいう。また、列方向とは、基体２の成形面において、トラックの延在方向（例えばＸ軸方向）に直交する方向）のことをいう。
Each
構造体３は、隣接する２つのトラックＴ間において、半ピッチずれた位置に配置されている。具体的には、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された構造体３の中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の構造体３が配置されている。その結果、図２Ａに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体３の中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている。本実施形態において、六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンのことをいう。また、準六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンとは異なり、トラックの延在方向（例えばＸ軸方向）に引き伸ばされ歪んだ六方格子パターンのことをいう。
The
構造体３が準六方格子パターンを形成するように配置されている場合には、図２Ａに示すように、同一トラック（例えばＴ１）内における構造体３の配置ピッチＰ１（ａ１〜ａ２間距離）は、隣接する２つのトラック（例えばＴ１およびＴ２）間における構造体３の配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向に対して±θ方向における構造体３の配置ピッチＰ２（例えばａ１〜ａ７、ａ２〜ａ７間距離）よりも長くなっていることが好ましい。このように構造体３を配置することで、構造体３の充填密度の更なる向上を図れるようになる。なお、構造体３の配列は規則的な配列に限定されるものではなく、ランダムな配列としてもよい。
When the
構造体３が、成形の容易さの観点から、軸対象な錐体形状、またはトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。隣接する構造体同士が接合されている場合には、構造体３が、隣接する構造体３に接合されている下部を除いて軸対称な錐体形状、またはトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。錐体形状としては、例えば、円錐形状、円錐台形状、楕円錐形状、楕円錐台形状などを挙げることができる。ここで、錐体形状とは、上述のように、円錐形状および円錐台形状以外にも、楕円錐形状、楕円錐台形状を含む概念である。また、円錐台形状とは、円錐形状の頂部を切り落とした形状をいい、楕円錐台形状とは、楕円錐の頂部を切り落とした形状のことをいう。
From the viewpoint of ease of forming, the
構造体３は、トラックの延在方向の幅がこの延在方向とは直交する列方向の幅よりも大きい底面を有する錐体形状であることが好ましい。具体的には、構造体３は、図３および図５に示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が曲面である楕円錐形状であることが好ましい。また、図６に示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が平坦である楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすると、列方向の充填率を向上させることができるからである。
The
反射特性の向上の観点からすると、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状（図５参照）が好ましい。また、反射特性および透過特性の向上の観点からすると、中央部の傾きが底部および頂部より急峻な錐形形状（図３参照）、または、頂部が平坦な錐体形状（図６参照）であることが好ましい。構造体３が楕円錐形状または楕円錐台形状を有する場合、その底面の長軸方向が、トラックの延在方向と平行となることが好ましい。図３などでは、各構造体３は、それぞれ同一の形状を有しているが、構造体３の形状はこれに限定されるものではなく、基体表面に２種以上の形状の構造体３が形成されていてもよい。また、構造体３は、基体２と一体成形されていてもよい。
From the viewpoint of improving the reflection characteristics, a cone shape (see FIG. 5) having a gentle slope at the top and a gradually steep slope from the center to the bottom is preferable. Further, from the viewpoint of improving reflection characteristics and transmission characteristics, it is a cone shape (see FIG. 3) in which the inclination of the central portion is steeper than the bottom portion and the top portion (see FIG. 3) or a cone shape in which the top portion is flat (see FIG. 6). It is preferable. When the
また、図３、図５〜図７に示すように、構造体３の周囲の一部または全部に突出部６を設けることが好ましい。このようにすると、構造体３の充填率が低い場合でも、反射率を低く抑えることができるからである。具体的には例えば、突出部６は、図３、図５、および図６に示すように、隣り合う構造体３の間に設けられる。また、細長い突出部６が、図７に示すように、構造体３の周囲の全体またはその一部に設けられるようにしてもよい。この細長い突出部６は、例えば、構造体３の頂部から下部の方向に向かって延びている。突出部６の形状としては、断面三角形状および断面四角形状などを挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではなく、成形の容易さなどを考慮して選択することができる。また、構造体３の周囲の一部または全部の表面を荒らし、微細の凹凸を形成するようにしてもよい。具体的には例えば、隣り合う構造体３の間の表面を荒らし、微細な凹凸を形成するようにしてもよい。また、構造体３の表面、例えば頂部に微小な穴を形成するようにしてもよい。
Moreover, as shown in FIGS. 3 and 5 to 7, it is preferable to provide a protruding
トラックの延在方向における構造体３の高さＨ１は、列方向における構造体３の高さＨ２よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体３の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＜Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。Ｈ１≧Ｈ２の関係を満たすように構造体３を配列すると、トラックの延在方向の配置ピッチＰ１を長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における構造体３の充填率が低下するためである。このように充填率が低下すると、電気的絶縁特性の低下を招くことになる。
The height H1 of the
構造体３のアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は、好ましくは０．３以上、より好ましくは０．３以上１．８以下、さらに好ましくは０．４以上１．８以下である。ここで、高さＨは、上述の高さＨ１および高さＨ２のうちの大きい方の高さである。例えば、上述のようにＨ１＜Ｈ２の関係を満たす場合には、高さＨはＨ２となる。０．３未満であると、導電層４が連続膜となり電気的に絶縁がとれなくなる、または導電層４の膜厚が厚くなり電気的に絶縁がとれなくなる傾向がある。０．３を超えると、導電層４が不連続膜となり電気的に絶縁がとれる、または導電層４が薄くなり電気的に絶縁がとれる傾向がある。１．８を超えると、後述する転写工程において構造体３の転写性が低下する傾向がある。更に、各構造体３のアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は全て同一である場合に限らず、各構造体３が一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。
The aspect ratio (H / P) of the
なお、アスペクト比は、以下の式（１）により定義される。
アスペクト比＝Ｈ／Ｐ・・・（１）
但し、Ｈ：構造体の高さ、Ｐ：平均配置ピッチ（平均周期）
ここで、平均配置ピッチＰは以下の式（２）により定義される。
平均配置ピッチＰ＝（Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ２）／３ ・・・（２）
但し、Ｐ１：トラックの延在方向の配置ピッチ（トラック延在方向周期）、Ｐ２：トラックの延在方向に対して±θ方向（但し、θ＝６０°−δ、ここで、δは、好ましくは０°＜δ≦１１°、より好ましくは３°≦δ≦６°）の配置ピッチ（θ方向周期）
The aspect ratio is defined by the following formula (1).
Aspect ratio = H / P (1)
Where H: height of the structure, P: average arrangement pitch (average period)
Here, the average arrangement pitch P is defined by the following equation (2).
Average arrangement pitch P = (P1 + P2 + P2) / 3 (2)
Where P1: arrangement pitch in the track extending direction (track extending direction period), P2: ± θ direction with respect to the track extending direction (where θ = 60 ° −δ, where δ is preferably Is 0 ° <δ ≦ 11 °, more preferably 3 ° ≦ δ ≦ 6 °) (pitch in θ direction)
なお、構造体３のアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各構造体３が一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。高さ分布を有する構造体３を設けることで、反射特性の波長依存性を低減することができる。したがって、優れた反射防止特性を有する配線構造体１を実現することができる。
The aspect ratios of the
ここで、高さ分布とは、２種以上の高さ（深さ）を有する構造体３が基体２の表面に設けられていることを意味する。すなわち、基準となる高さを有する構造体３と、この構造体３とは異なる高さを有する構造体３とが基体２の表面に設けられていることを意味する。基準とは異なる高さを有する構造体３は、例えば基体２の表面に周期的または非周期的（ランダム）に設けられている。その周期性の方向としては、例えばトラックの延在方向、列方向などが挙げられる。
Here, the height distribution means that the
構造体３の周縁部に裾部３ａを設けることが好ましい。導電性光学素子の製造工程において構造体３を金型などから容易に剥離することが可能になるからである。ここで、裾部３ａとは、構造体３の底部の周縁部に設けられた突出部を意味する。この裾部３ａは、上記剥離特性の観点からすると、構造体３の頂部から下部の方向に向かって、なだらかに高さが低下する曲面を有することが好ましい。なお、裾部３ａは、構造体３の周縁部の一部にのみ設けてもよいが、上記剥離特性の向上の観点からすると、構造体３の周縁部の全体に設けることが好ましい。また、構造体３が凹部である場合には、裾部は、構造体３である凹部の開口周縁に設けられた曲面となる。
It is preferable to provide a
六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている場合には、構造体３の高さＨは、構造体３の列方向の高さとする。構造体３のトラック延在方向（Ｘ方向）の高さは、列方向（Ｙ方向）の高さよりも小さく、また、構造体３のトラック延在方向以外の部分における高さは列方向の高さとほぼ同一であるため、サブ波長構造体の高さを列方向の高さで代表する。但し、構造体３が凹部である場合、上記式（１）における構造体の高さＨは、構造体の深さＨとする。
When the
同一トラック内における構造体３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、好ましくは１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．２、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．２、より好ましくは１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たしている。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、電気的絶縁特性を向上することができる。
When the arrangement pitch of the
基体表面における構造体３の充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、優れた電気的絶縁特性を向上することができる。充填率を向上させるためには、隣接する構造体３の下部同士を接合する、または、構造体底面の楕円率を調整などして構造体３に歪みを付与することが好ましい。
The filling rate of the
ここで、構造体３の充填率（平均充填率）は以下のようにして求めた値である。
まず、配線構造体１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図１Ｂ参照）。また、その単位格子Ｕｃの中央に位置する構造体３の底面の面積Ｓを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓを用いて、以下の式（３）より充填率を求める。
充填率＝（Ｓ（hex.）／Ｓ（unit））×１００ ・・・（３）
単位格子面積：Ｓ（unit）＝Ｐ１×２Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（hex.）＝２Ｓ
Here, the filling rate (average filling rate) of the
First, the surface of the
Filling rate = (S (hex.) / S (unit)) × 100 (3)
Unit lattice area: S (unit) = P1 × 2 Tp
Area of bottom surface of structure existing in unit cell: S (hex.) = 2S
上述した充填率算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子について行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して充填率の平均率を求め、これを基体表面における構造体３の充填率とする。
The above-described filling rate calculation processing is performed on 10 unit cells randomly selected from the taken SEM photographs. Then, the measured values are simply averaged (arithmetic average) to obtain an average filling rate, which is used as the filling rate of the
構造体３が重なっているときや、構造体３の間に突出部６などの副構造体があるときの充填率は、構造体３の高さに対して５％の高さに対応する部分を閾値として面積比を判定する方法で充填率を求めることができる。
The filling rate when the
図７は、構造体３の境界が不明瞭な場合の充填率の算出方法について説明するための図である。構造体３の境界が不明瞭な場合には、断面ＳＥＭ観察により、図７に示すように、構造体３の高さhの５％（＝（ｄ／ｈ）×１００）に相当する部分を閾値とし、その高さｄで構造体３の径を換算し充填率を求めるようにする。構造体３の底面が楕円である場合には、長軸および短軸で同様の処理を行う。
FIG. 7 is a diagram for explaining a method of calculating the filling rate when the boundaries of the
図８は、構造体３の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。図８Ａ〜図８Ｄに示す楕円の楕円率はそれぞれ、１００％、１１０％、１２０％、１４１％である。このように楕円率を変化させることで、基体表面における構造体３の充填率を変化させることができる。構造体３が準六方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１００％＜ｅ＜１５０％以下であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、優れた電気的絶縁特性を得ることができるからである。
FIG. 8 is a diagram illustrating a bottom surface shape when the ellipticity of the bottom surface of the
ここで、楕円率ｅは、構造体底面のトラック方向（Ｘ方向）の径をａ、それとは直交する列方向（Ｙ方向）の径をｂとしたときに、（ａ／ｂ）×１００で定義される。なお、構造体３の径ａ、ｂは以下のようにして求めた値である。配線構造体１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ Ｖｉｅｗで撮影し、撮影したＳＥＭ写真から無作為に構造体３を１０個抽出する。次に、抽出した構造体３それぞれの底面の径ａ、ｂを測定する。そして、測定値ａ、ｂそれぞれを単純に平均（算術平均）して径ａ、ｂの平均値を求め、これを構造体３の径ａ、ｂとする。
Here, the ellipticity e is (a / b) × 100, where a is the diameter of the bottom surface of the structure in the track direction (X direction), and b is the diameter in the column direction (Y direction) perpendicular to the track direction. Defined. The diameters a and b of the
図９Ａは、円錐形状または円錐台形状を有する構造体３の配置の一例を示す。図９Ｂは、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体３の配置の一例を示す。図９Ａおよび図９Ｂに示すように、構造体３が、その下部同士を重ね合うようにして接合されていていることが好ましい。具体的には、構造体３の下部が、隣接関係にある構造体３の一部または全部の下部と接合されていることが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、またはそれら両方向において、構造体３の下部同士を接合することが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、またはそれら両方向において、構造体３の下部同士を接合することが好ましい。図９Ａ、図９Ｂでは、隣接関係にある構造体３の全部の下部を接合する例が示されている。このように構造体３を接合することで、構造体３の充填率を向上することができる。これにより、優れた電気的絶縁特性を得ることができる。
FIG. 9A shows an example of the arrangement of the
図９Ｂに示すように、同一トラック内において隣接する構造体３の下部同士が重ね合わされて第１の接合部ａが形成されるとともに、隣接するトラック間において隣接する構造体３の下部同士が重ね合わされて第２の接合部２が形成される。第１の接合部ａと第２の接合部ｂとの交点に交点部ｃが形成される。交点部ｃの位置は、例えば、第１の接合部ａ、および第２の接合部ｂの位置よりも低くなっている。楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体３の下部同士を接合した場合には、例えば、接合部ａ、接合部ｂ、交点部ｃの順序でそれらの高さが低くなる。
As shown in FIG. 9B, the lower portions of the
配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、８５％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上である。このような範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が大きくなり、構造体３の重なりが大きくなりすぎると反射防止特性が低減する傾向にある。したがって、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で構造体同士が接合されるように、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）の上限値を設定することが好ましい。ここで、配置ピッチＰ１は、構造体３のトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。
The ratio of the diameter 2r to the arrangement pitch P1 ((2r / P1) × 100) is 85% or more, preferably 90% or more, more preferably 95% or more. It is because the filling rate of the
（導電層）
導電層４は、例えば、金属層、または透明導電層などである。金属層を構成する材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、およびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。透明導電層を構成する材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ））、ＳＺＯ、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、およびインジウム錫酸化物（ＩＺＯ（Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯ））から選ばれる少なくとも１種を用いることができるが、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、ＩＴＯが好ましい。導電層４を構成する材料は、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。
(Conductive layer)
The
導電層４の膜厚は、２５ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。２５ｎｍを超えると、絶縁部分を狙う構造体Aspectを高くしても電気絶縁性を確保できなくなる傾向がある。本明細書において導電層４の膜厚は、構造体３の頂部における導電層４の膜厚である。具体的には、導電層４の膜厚は以下のようにして求められたものである。まず、配線構造体１を構造体３の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）にて撮影し、撮影したＴＥＭ写真から、構造体３における頂部における導電層４の膜厚を測定する。
The film thickness of the
（金属層）
導電層４として透明導電層を用いる場合、基体表面に金属層５をさらに備えることが好ましい。抵抗率を低減でき、透明導電層を薄くすることができる、または透明導電層だけでは導電率が十分な値に達しない場合に、導電率を補うことができるからである。金属層５は、例えば、基体表面と導電層４との間の界面、導電層４の表面、およびそれらの両方に形成される。また、金属層５を介して導電層４を積層する積層構造を採用するようにしてもよい。金属層５の膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば数ｎｍ程度に選ばれる。金属層５は導電率が高いため、数ｎｍの膜厚で十分な表面抵抗を得ることができる。また、数ｎｍ程度であれば、金属層５による吸収や反射などの光学的な影響がほとんどない。金属層５を構成する材料としては、導電性が高い金属系の材料を用いることが好ましい。このような材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、およびＮｂからなる群より選ばれた少なくとも１種を用いることができる。
(Metal layer)
When a transparent conductive layer is used as the
［ロール原盤の構成］
図１１Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一構成例を示す斜視図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。ロール原盤１１は、上述した基体表面に構造体３を成形するための原盤である。ロール原盤１１は、例えば、円柱状または円筒状の形状を有し、その円柱面または円筒面には多数の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に設定されている。図１１Ａおよび図１１Ｂでは、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が周方向に向かって、リング状に形成されている場合が示されているが、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2の形状はこの例に限定されるものではなく、所望とする配線の形状、すなわち第２の領域に形成する導電層４の形状に応じて適宜選択される。ロール原盤１１の材料は、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。
[Composition of roll master]
FIG. 11A is a perspective view showing a configuration example of a roll master for producing a base. FIG. 11B is an enlarged perspective view showing a part of the roll master shown in FIG. 11A. The
図１２Ａは、図１１Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。図１２Ｂは、図１１Ａに示した第１の領域の一部を拡大して示す平面図である。ロール原盤１１の第１の領域Ｒ1には、例えば、凹部である構造体１２が可視光の波長以下のピッチで多数配置され、第２の領域Ｒ2には、例えば、凹部である構造体１２が形成されず平面状とされている。第１の領域Ｒ1の多数の構造体３は、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体３の中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように配置されている。このような六方格子パターンまたは準六方格子パターンは、後述するロール原盤露光装置を用い、２次元パターンが空間的にリンクし、１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、角速度一定（ＣＡＶ：Constant Angular Velocity）で適切な送りピッチでパターニングすることにより記録することができる。極性反転フォマッター信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンを形成することが可能である。
12A is an enlarged cross-sectional view of a part of the roll master shown in FIG. 11A. FIG. 12B is an enlarged plan view showing a part of the first region shown in FIG. 11A. In the first region R 1 of the
［露光装置の構成］
図１３は、ロール原盤露光装置の一構成例を示す概略図である。以下、図１３を参照して、ロール原盤露光装置の構成について説明する。なお、このロール原盤露光装置は、例えば、光学ディスク記録装置をベースとして構成することが可能である。
[Configuration of exposure apparatus]
FIG. 13 is a schematic diagram showing one configuration example of the roll master exposure apparatus. The configuration of the roll master exposure apparatus will be described below with reference to FIG. The roll master exposure apparatus can be configured based on, for example, an optical disk recording apparatus.
レーザー光源２１は、記録媒体としての原盤１１の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光１４を発振するものである。レーザー光源２１から出射されたレーザー光１４は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）２２へ入射する。電気光学素子２２を透過したレーザー光１４は、ミラー２３で反射され、変調光学系２５に導かれる。
The
ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２を制御してレーザー光１４の位相変調を行う。
The
変調光学系２５において、レーザー光１４は、集光レンズ２６により、ガラス（ＳｉＯ2）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Acoust-Optic Modulator）２７に集光される。レーザー光１４は、音響光学素子２７により強度変調され発散した後、レンズ２８によって平行ビーム化される。変調光学系２５から出射されたレーザー光１４は、ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。
In the modulation
移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１４は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ３４を介して、原盤１１上のレジスト層へ照射される。原盤１１は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル３６の上に載置されている。そして、原盤１１を回転させるとともに、レーザー光１４を原盤１１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光１４を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１４の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。
The moving optical table 32 includes a
露光装置は、図２Ａに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォマッター２９とドライバ３０とを備える。フォマッター２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１４の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。
The exposure apparatus includes a
このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、音響光学素子２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子または準六方格子パターンを記録することができる。例えば、円周方向の周期を３１５ｎｍ、円周方向に対して約６０度方向（約−６０度方向）の周期を３００ｎｍにするには、送りピッチを２５１ｎｍにすればよい（ピタゴラスの法則）。極性反転フォマッター信号の周波数はロールの回転数（例えば１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍ）により変化させる。例えば、ロールの回転数１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍそれぞれに対向する極性反転フォマッター信号の周波数は、３７．７０ＭＨｚ、１８．８５ＭＨｚ、９．３４ＭＨｚ、４、７１ＭＨｚとなる。所望の記録領域に空間周波数（円周３１５ｎｍ周期、円周方向約６０度方向（約−６０度方向）３００ｎｍ周期）が一様な準六方格子パターンは、遠紫外線レーザー光を移動光学テーブル３２上のビームエキスパンダ（ＢＥＸ）３３により５倍のビーム径に拡大し、開口数（ＮＡ）０．９の対物レンズ３４を介して原盤１１上のレジスト層に照射し、微細な潜像を形成することにより得られる。
In this roll master exposure apparatus, a signal is generated by synchronizing the polarity inversion formatter signal and the rotation controller of the recording apparatus for each track so that the two-dimensional pattern is spatially linked, and the intensity is modulated by the
［配線構造体の製造方法］
以下、図１３〜図１６を参照しながら、本発明の第１の実施形態に係る配線構造体１の製造方法の一例について説明する。なお、この製造方法において転写工程以降の一部または全部のプロセスは、生産性を考慮して、ロール・ツー・ロールにより行うことが好ましい。
[Method for manufacturing wiring structure]
Hereinafter, an example of a method for manufacturing the
（レジスト成膜工程）
まず、図１４Ａに示すように、円柱状または円筒状のロール原盤１１を準備する。このロール原盤１１は、例えばガラス原盤である。次に、図１４Ｂに示すように、ロール原盤１１の表面にレジスト層１３を形成する。レジスト層１３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、遷移金属を１種または２種以上含む金属化合物を用いることができる。
(Resist film formation process)
First, as shown in FIG. 14A, a columnar or
（露光工程）
次に、図１４Ｃに示すように、上述したロール原盤露光装置を用いて、ロール原盤１１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）１５をレジスト層１３に照射する。このとき、レーザー光１４をロール原盤１１の高さ方向（円柱状または円筒状のロール原盤１１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光１４を照射する。この際、配線パターン間の絶縁領域に対応する第１の領域Ｒ1のみに潜像を形成し露光部とするのに対して、配線パターンに対応する第２の領域Ｒ2は露光せず、非露光部とする。レーザー光１４の軌跡に応じた潜像１５は、例えば、可視光の波長以下のピッチで形成される。
(Exposure process)
Next, as shown in FIG. 14C, the
潜像１５は、例えば、ロール原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成する。潜像１５は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。
For example, the
（現像工程）
次に、例えば、ロール原盤１１を回転させながら、レジスト層１３上に現像液を滴下して、図１５Ａに示すように、レジスト層１３を現像処理する。図示するように、レジスト層１３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光１４で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、潜像（露光部）１６に応じたパターンがレジスト層１３に形成される。これにより、第１の領域Ｒ1のレジスト層１３には、六方格子パターン、または準六方格子パターンなどの開口部が形成されるのに対して、第２の領域Ｒ2のレジスト層１３には、開口部が形成されず、第２の領域Ｒ2全体はレジスト層１３に覆われた状態が維持される。すなわち、第１の領域Ｒ1のみに開口パターンを有するマスクがロール原盤表面に形成される。
(Development process)
Next, for example, while rotating the
（エッチング工程）
次に、ロール原盤１１の上に形成されたレジスト層１３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤１１の表面をエッチング処理する。これにより、ロール原盤表面のうち第１の領域Ｒ1では、開口部を介してエッチングが進行し、図１５Ｂに示すように、第１の領域の領域Ｒ1には、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状などの構造体（凹部）１２が形成される。一方、ロール原盤表面のうち第２の領域Ｒ2では、この領域全体がレジスト層１３に覆われているため、エッチングは施されず、平面状のロール原盤表面が維持される。エッチング方法としては、例えばドライエッチングを用いることができる。このとき、エッチング処理とアッシング処理を交互に行うことにより、例えば、錐体状の構造体１２のパターンを形成することができる。また、レジスト層１３の３倍以上の深さ（選択比３以上）のガラスマスターを作製でき、構造体３の高アスペクト比化を図ることができる。
以上により、目的とするロール原盤１１が得られる。
(Etching process)
Next, the surface of the
As a result, the intended
（転写工程）
次に、例えば、図１５Ｃに示すように、ロール原盤１１と転写材料１５を塗布したフィルムなどの基体２を密着させ、紫外線などを照射して転写材料１５を硬化させた後、硬化した転写材料１５と一体となった基体２を剥離する。これにより、図１６Ａに示すように、基体表面の第１の領域Ｒ1には、凸部である構造体３が多数形成されるのに対して、基体表面の第２の領域Ｒ2には、構造体３は転写されず、平面状とされる。
(Transfer process)
Next, for example, as shown in FIG. 15C, after the
転写材料は、例えば、紫外線硬化材料と、開始剤とからなり、必要に応じてフィラーや機能性添加剤などを含んでいる。 The transfer material includes, for example, an ultraviolet curable material and an initiator, and includes a filler, a functional additive, and the like as necessary.
紫外線硬化材料は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどからなり、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。
単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピル アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。
The ultraviolet curable material is composed of, for example, a monofunctional monomer, a bifunctional monomer, a polyfunctional monomer, or the like, and specifically, a material shown below is used singly or in combination.
Monofunctional monomers include, for example, carboxylic acids (acrylic acid), hydroxys (2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate), alkyl, alicyclics (isobutyl acrylate, t-butyl acrylate) , Isooctyl acrylate, lauryl acrylate, stearyl acrylate, isobornyl acrylate, cyclohexyl acrylate), other functional monomers (2-methoxyethyl acrylate, methoxyethylene crycol acrylate, 2-ethoxyethyl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, benzyl acrylate, Ethyl carbitol acrylate, phenoxyethyl acrylate, N, N-dimethylaminoethyl acrylate, N, N- Methylaminopropylacrylamide, N, N-dimethylacrylamide, acryloylmorpholine, N-isopropylacrylamide, N, N-diethylacrylamide, N-vinylpyrrolidone, 2- (perfluorooctyl) ethyl acrylate, 3-perfluorohexyl-2- Hydroxypropyl acrylate, 3-perfluorooctyl-2-hydroxypropyl acrylate, 2- (perfluorodecyl) ethyl acrylate, 2- (perfluoro-3-methylbutyl) ethyl acrylate), 2,4,6-tribromophenol acrylate, 2 , 4,6-tribromophenol methacrylate, 2- (2,4,6-tribromophenoxy) ethyl acrylate), 2-ethylhexyl acrylate, etc. That.
二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。 Examples of the bifunctional monomer include tri (propylene glycol) diacrylate, trimethylolpropane diallyl ether, urethane acrylate, and the like.
多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。 Examples of the polyfunctional monomer include trimethylolpropane triacrylate, dipentaerythritol penta and hexaacrylate, and ditrimethylolpropane tetraacrylate.
開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。 Examples of the initiator include 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 1-hydroxy-cyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, and the like. Can be mentioned.
フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。 As the filler, for example, both inorganic fine particles and organic fine particles can be used. Examples of the inorganic fine particles include metal oxide fine particles such as SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , SnO 2 , and Al 2 O 3 .
機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。基体２の材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、ガラスなどが挙げられる。
Examples of the functional additive include a leveling agent, a surface conditioner, and an antifoaming agent. Examples of the material of the
基体２の成形方法は特に限定されず、例えば射出成形法、押し出し成形法、キャスト成形法などを用いることができる。必要に応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。
The molding method of the
（金属層成膜工程）
次に、必要に応じて、構造体３が形成された基体２の凹凸面上に、金属層５を形成する。この際、第１の領域Ｒ１では、例えば、金属層５が島状などに不連続的に形成される。これに対して、第２の領域Ｒ2では、例えば、金属層５が連続的にまたは島状などに不連続的に形成される。金属層５の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。
(Metal layer deposition process)
Next, the metal layer 5 is formed on the uneven surface of the
（導電層の成膜工程）
次に、図１６Ｂに示すように、構造体３が形成された基体２の凹凸面上に、導電層４を成膜する。この際、第１の領域Ｒ1では、導電層４は島状などに不連続的に形成されるのに対して、第２の領域Ｒ2では、導電層４は連続的に形成される。したがって、第２の領域Ｒ2に形成された導電層４は配線として機能するのに対して、第１の領域Ｒ1は上記配線間の絶縁領域として機能する。導電層４の成膜方法としては、例えば、上述の金属層の成膜方法と同様の方法を用いることができる。次に、必要に応じて、導電層４に対してアニール処理を施す。これにより、導電層４が、例えばアモルファスと多結晶との混合状態となる。
以上により、目的とする配線構造体１が得られる。
(Conductive layer deposition process)
Next, as shown in FIG. 16B, the
Thus, the intended
上述したように、第１の実施形態によれば、ナノインプリント法と薄膜作製法との組み合わせだけで、回路や表示素子などの配線を基体表面に形成できるため、スループットを容易に向上することができる。また、配線の形成にナノインプリント法を採用しているため、回路などの配線の高密度化、および高精細化が可能となる。また、転写工程（インプリント工程）では、レジスト材料、およびエッチング材料を使用しないため、原材料費を低く抑え、デバイスの低廉化を実現できる。 As described above, according to the first embodiment, wiring such as a circuit and a display element can be formed on the substrate surface only by a combination of the nanoimprint method and the thin film manufacturing method, so that throughput can be easily improved. . In addition, since the nanoimprint method is employed for the formation of the wiring, it is possible to increase the density and the definition of the wiring such as a circuit. In addition, since a resist material and an etching material are not used in the transfer process (imprint process), the cost of raw materials can be suppressed and the device can be made inexpensive.
従来の配線形成方法（例えばフレキシブル基板（ＦＰＣ）、パッシブマトリックスタイプのディスプレイの配線などの形成方法）では、ウエットエッチングを採用しているため、材料の選択性、およびプロセスの選択性が限られてくる。これに対して、第１の実施形態に係る配線の形成方法では、基本的にエッチングを使わないで配線が形成できるため、種々の材料を幅広く使える。よって、透明導電層からなる配線、ならびに金属層および透明導電層のハイブリッド構成の配線も可能である。したがって、低抵抗化、および薄膜化が可能となり、回路構造体１のフレキシブル性を向上できる。
Conventional wiring forming methods (for example, forming methods for flexible substrate (FPC), passive matrix type display wiring, etc.) employ wet etching, so that material selectivity and process selectivity are limited. come. On the other hand, in the wiring forming method according to the first embodiment, the wiring can be basically formed without using etching, so that various materials can be widely used. Therefore, wiring composed of a transparent conductive layer and wiring having a hybrid configuration of a metal layer and a transparent conductive layer are also possible. Accordingly, the resistance and the thickness can be reduced, and the flexibility of the
また、面内で構造体を変調させたロール原盤（面内構造体変調原盤）を作製し、このロール原盤を用いてナノインプリント法で原盤の表面形状を基体表面に転写する。この形状転写の工程はロール・ツー・ロールで行うことが好ましい。その後、スパッタリングや蒸着法など薄膜作製法で導電層（例えば、金属層または透明導電層）を基体の形状転写面に形成する。これにより、基体表面に回路などの配線を形成することができる。すなわち、高スループット、低廉な回路デバイスなどを提供できる。また、構造体はナノレベルで変調できるため高密度回路なども実現が可能となる。 Also, a roll master (in-plane structure modulation master) in which the structure is modulated in-plane is manufactured, and the surface shape of the master is transferred to the substrate surface by nanoimprinting using this roll master. This shape transfer step is preferably performed by roll-to-roll. Thereafter, a conductive layer (for example, a metal layer or a transparent conductive layer) is formed on the shape transfer surface of the substrate by a thin film manufacturing method such as sputtering or vapor deposition. Thereby, wiring, such as a circuit, can be formed on the surface of the substrate. That is, a high-throughput, inexpensive circuit device or the like can be provided. Further, since the structure can be modulated at the nano level, a high-density circuit or the like can be realized.
＜２．第２の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
図１７Ａは、本発明の第２の実施形態に係る配線構造体の第１の領域の一部を拡大して表す平面図である。図１７Ｂは、本発明の第２の実施形態に係る配線構造体の第１の領域のトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１７Ｃは、図１７ＡのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１７Ｄは、図１７ＡのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１７Ｅは、図１７ＡのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。
<2. Second Embodiment>
[Configuration of conductive optical element]
FIG. 17A is an enlarged plan view illustrating a part of the first region of the wiring structure according to the second embodiment of the present invention. FIG. 17B is a cross-sectional view taken along tracks T1, T3,... In the first region of the wiring structure according to the second embodiment of the present invention. 17C is a cross-sectional view taken along tracks T2, T4,... In FIG. 17D is a schematic diagram showing a modulation waveform of laser light used for forming a latent image corresponding to the tracks T1, T3,... In FIG. FIG. 17E is a schematic diagram illustrating a modulation waveform of laser light used for forming a latent image corresponding to the tracks T2, T4,...
第２の実施形態に係る配線構造体１は、第１の領域Ｒ1に形成された多数の構造体３が、隣接する３列のトラック間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。本実施形態において、準四方格子パターンとは、正四方格子パターンと異なり、トラックの延在方向（Ｘ方向）に引き伸ばされ歪んだ四方格子パターンを意味する。
In the
構造体３のアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は、電気的絶縁を優先するエリアの場合、好ましくは０．３以上、より好ましくは０．３以上１．８以下、さらにより好ましくは０．４以上１．８以下である。ここで、高さＨは、後述する高さＨ１および高さＨ２のうちの大きい方の高さである。例えば、後述するようにＨ１＞Ｈ２の関係を満たす場合には、高さＨはＨ１となる。０．３未満であると、導電層４が連続膜となり電気的絶縁がとれなくなる、または導電層４の膜厚が厚くなり、電気的絶縁がとれなくなる傾向がある。１．８を超えると、構造体３の転写性が低下する傾向がある。更に、各構造体３のアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は全て同一である場合に限らず、各構造体３が一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。
The aspect ratio (H / P) of the
なお、構造体のアスペクト比は、以下の式（４）により定義される。
アスペクト比＝Ｈ／Ｐ・・・（４）
但し、Ｈ：構造体の高さ、Ｐ：平均配置ピッチ（平均周期）
ここで、平均配置ピッチＰは以下の式（５）により定義される。
平均配置ピッチＰ＝（Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ２）／３ ・・・（５）
但し、Ｐ１：トラックの延在方向の配置ピッチ（トラック延在方向周期）、Ｐ２：トラックの延在方向に対して±θ方向（但し、θ＝４５°−δ、ここで、δは、好ましくは０°＜δ≦１１°、より好ましくは３°≦δ≦６°）の配置ピッチ（θ方向周期）
The aspect ratio of the structure is defined by the following formula (4).
Aspect ratio = H / P (4)
Where H: height of the structure, P: average arrangement pitch (average period)
Here, the average arrangement pitch P is defined by the following equation (5).
Average arrangement pitch P = (P1 + P2 + P2) / 3 (5)
However, P1: Arrangement pitch in the track extending direction (period in the track extending direction), P2: ± θ direction with respect to the track extending direction (where θ = 45 ° −δ, where δ is preferably Is 0 ° <δ ≦ 11 °, more preferably 3 ° ≦ δ ≦ 6 °) (pitch in θ direction)
同一トラック内における構造体３の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。また、同一トラック内における構造体３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチをＰ２としたとき、Ｐ１／Ｐ２が１．４＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、電気的絶縁特性を向上することができる。
The arrangement pitch P1 of the
トラックの延在方向に対して±θ方向における構造体３の高さＨ２は、トラックの延在方向における構造体３の高さＨ１よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体３の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＞Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。四方格子パターン、または準四方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている場合には、構造体３の高さＨは、構造体３の延在方向（トラック方向）の高さとする。
The height H2 of the
図１８は、構造体３の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。楕円３1、３2、３3の楕円率はそれぞれ、１００％、１６３．３％、１４１％である。このように楕円率を変化させることで、基体表面における構造体３の充填率を変化させることができる。構造体３が四方格子または準四方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１５０％≦ｅ≦１８０％であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、優れた絶縁特性を得ることができるからである。
FIG. 18 is a diagram illustrating a bottom surface shape when the ellipticity of the bottom surface of the
基体表面における構造体３の充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、優れた絶縁特性を向上することができる。
The filling rate of the
ここで、構造体３の充填率（平均充填率）は以下のようにして求めた値である。
まず、配線構造体１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図１７Ａ参照）。また、その単位格子Ｕｃに含まれる４つの構造体３のいずれかの底面の面積Ｓを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓを用いて、以下の式（６）より充填率を求める。
充填率＝（Ｓ（tetra）／Ｓ（unit））×１００ ・・・（６）
単位格子面積：Ｓ（unit）＝２×（（Ｐ１×Ｔｐ）×（１／２））＝Ｐ１×Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（tetra）＝Ｓ
Here, the filling rate (average filling rate) of the
First, the surface of the
Filling rate = (S (tetra) / S (unit)) × 100 (6)
Unit lattice area: S (unit) = 2 × ((P1 × Tp) × (1/2)) = P1 × Tp
Area of the bottom surface of the structure existing in the unit cell: S (tetra) = S
上述した充填率算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子について行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して充填率の平均率を求め、これを基体表面における構造体３の充填率とする。
The above-described filling rate calculation processing is performed on 10 unit cells randomly selected from the taken SEM photographs. Then, the measured values are simply averaged (arithmetic average) to obtain an average filling rate, which is used as the filling rate of the
配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、６４％以上、好ましくは６９％以上、より好ましくは７３％以上である。このような範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。ここで、配置ピッチＰ１は、構造体３のトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。
The ratio of the diameter 2r to the arrangement pitch P1 ((2r / P1) × 100) is 64% or more, preferably 69% or more, more preferably 73% or more. It is because the filling rate of the
［ロール原盤の構成］
図１９Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。図１９Ｂは、図１９Ａに示した第１の領域を拡大して表す平面図である。このロール原盤は、第１の領域Ｒ1の多数の構造体３が、隣接する３列のトラック（例えばＴ１〜Ｔ３）間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成するように配置されている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。
[Composition of roll master]
FIG. 19A is an enlarged perspective view showing a part of a roll master for producing a base. FIG. 19B is an enlarged plan view showing the first region shown in FIG. 19A. In this roll master, a large number of
このような四方格子パターン、または準四方格子パターンは、ロール原盤露光装置を用い、２次元パターンが空間的にリンクし、１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、角速度一定（ＣＡＶ）で適切な送りピッチでパターニングすることにより記録することができる。極性反転フォマッター信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンをレーザー光の照射によりロール原盤１１上のレジスト層に形成することが可能である。
Such a tetragonal lattice pattern or quasi-tetragonal lattice pattern uses a roll master exposure apparatus to spatially link two-dimensional patterns and synchronizes the polarity inversion formatter signal and the rotary controller of the recording apparatus for each track. Can be recorded by patterning at an appropriate feed pitch at a constant angular velocity (CAV). By appropriately setting the frequency of the polarity inversion formatter signal and the rotation speed of the roll, a lattice pattern having a uniform spatial frequency can be formed in a desired recording area on the resist layer on the
第２の実施形態では、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。 In the second embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
＜３．第３の実施形態＞
［配線構造体の構成］
図２０Ａは、本発明の第３の実施形態に係る配線構造体の一構成例を示す平面図である。図２０Ｂは、本発明の第３の実施形態に係る配線構造体の一構成例を示す断面図である。図２０Ｃは、本発明の第３の実施形態に係る配線構造体の第２の領域の層構成を示す断面図である。第３の実施形態に係る配線構造体１は、第１の領域Ｒ1に形成された第１の構造体３1と、第２の構造体３2に形成された第２の構造体３2とのアスペクト比の違いを利用して、基体表面に配線を形成している点において、第１の実施形態とは異なっている。
<3. Third Embodiment>
[Configuration of wiring structure]
FIG. 20A is a plan view showing a configuration example of a wiring structure according to the third embodiment of the present invention. FIG. 20B is a cross-sectional view showing a configuration example of a wiring structure according to the third embodiment of the present invention. FIG. 20C is a cross-sectional view showing the layer configuration of the second region of the wiring structure according to the third embodiment of the present invention. The
第１の領域Ｒ1には、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで第１の構造体３1が多数形成され、導電層４が不連続的に島状などに形成されている。また、第１の領域Ｒ1に形成される導電層４の厚さが、導通を示さない程に第２の領域Ｒ2に形成される導電層４の厚さよりも薄く形成されるようにしてもよい。これに対して、第２の領域Ｒ2には、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで第２の構造体３2が多数形成され、導電層４が連続的に形成されている。したがって、第１の領域Ｒ1は、隣接する第２の領域Ｒ2に形成された導電層４の間を絶縁するための絶縁領域として機能する。一方、第２の領域Ｒ2に連続的に形成された導電層４は、第２の領域Ｒ2の延在方向に向かって導電性を有する配線として機能する。また、表面抵抗の低減の観点から、図２０Ｃに示すように、基体表面に金属層５をさらに備えることが好ましい。
In the first region R 1 , for example, a large number of first
導電層４は、第２の領域Ｒ2において構造体３2による反射防止効果を阻害しないように、構造体３2の表面形状に倣って形成され、構造体３2と導電層４との表面形状がほぼ相似形状であることが好ましい。導電層４の形成による屈折率プロファイルの変化を抑制し、優れた反射防止特性および／または透過特性を維持できるからである。導電層４を構成する材料は、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。構造体３2の高さを低くした場合にも、構造体３2の反射防止効果を阻害しないような膜厚で導電層４を形成することができるからである。すなわち、導電層４が構造体３2の形状に倣った形状を維持することができるからである。
第１の構造体３1のアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は、第２の構造体３2のアスペクト比（Ｈ／Ｐ）に比して大きい。第１の構造体３1のアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は、好ましくは０．３以上、より好ましくは０．３以上１．８以下、さらに好ましくは０．４以上１．８以下である。第１の構造体３1のアスペクト比が０．３未満であると、導電層４が連続膜となり電気的絶縁がとれなくなる、または導電層４の膜厚が厚くなり、電気的絶縁がとれなくなる傾向がある。第２の構造体３2のアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は、０．３未満であることが好ましい。第２の構造体３2のアスペクト比（Ｈ／Ｐ）が０．３以上であると、導電層４が不連続膜となり電気的導通がとれなくなる、または導電層４の膜厚が厚くなり電気的導通がとれなくなる傾向がある。
The
第２の領域Ｒ2の第２の構造体３2は、例えば、第１の領域Ｒ1の第１の構造体１２1と同様に、隣接する３列のトラック間において六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように配置されている。なお、第１の領域Ｒ1の第１の構造体３1と第２の領域Ｒ2の第２の構造体３2の配置パターンは同一である必要はなく、両領域の構造体３1および構造体３2が異なる配置パターンをとるようにしてもよい。
The
［ロール原盤の構成］
図２１Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。図２１Ｂは、基体を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。第３の実施形態に係るロール原盤１１は、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2の両領域にそれぞれ、凹状の構造体１２1および構造体１２2を備える点において、第１の実施形態のものとは異なっている。
[Composition of roll master]
FIG. 21A is an enlarged perspective view showing a part of a roll master for producing a base. FIG. 21B is an enlarged cross-sectional view of a part of a roll master for producing a base.
ロール原盤１１の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2はそれぞれ、基体２の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2に対応している。すなわち、ロール原盤１１の第１の領域Ｒ1に形成された凹状の構造体１２1は、基体２の第１の領域Ｒ1に形成された凸状の構造体３1を形成するためのものである。ロール原盤１１の第２の領域Ｒ2に形成された凹状の構造体１２2は、基体２の第２の領域Ｒ2に形成された凸状の構造体３2を形成するためのものである。第１の構造体１２1のアスペクト比は、第２の構造体１２2のアスペクト比に比して大きい。
Each of the first region R 1 and the second region R 2 of the
第３の実施形態では、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2の両領域に構造体３1および構造体３2を形成しているので、配線構造体１の反射防止特性を向上することができる。このような構成とする場合、配線として機能する第２の領域Ｒ2の導電層４は、第２の領域Ｒ2に形成された構造体３2の形状に倣った形状とすることが好ましい。これにより、反射防止特性および／または透過特性の効果の低下を抑制することができるからである。
In the third embodiment, since the
＜４．第４の実施形態＞
図２２Ａは、本発明の第４の実施形態に係る配線構造体の一構成例を示す断面図である。第４の実施形態に係る配線構造体１は、基体２の両主面に第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2を設定し、両領域のうち第２の領域Ｒ2にのみ連続的に導電層４を形成することで、基体両面に配線を形成している点において、第１の実施形態とは異なっている。また、図２２Ｂに示すように、基体２に第２の領域Ｒ2にスルーホール（貫通孔）を形成し、このスルーホールに導体インクなどの導電材料を埋め込み、基体２の両面に形成された回路などの配線を電気的に接続するようにしてもよい。
<4. Fourth Embodiment>
FIG. 22A is a cross-sectional view showing a configuration example of a wiring structure according to the fourth embodiment of the present invention. The
第４の実施形態では、基体２の両面に配線を形成しているので、第１の実施形態よりも多くの回路を配線構造体１に搭載することが可能となる。
In the fourth embodiment, since the wiring is formed on both surfaces of the
＜５．第５の実施形態＞
［ディスク状原盤の構成］
図２３Ａは、本発明の第５の実施形態に係るディスク状原盤の一構成例を示す平面図である。図２３Ｂは、図２３Ａに示したディスク状原盤の一部を拡大して表す平面図である。
第５の実施形態は、ディスク状原盤４１の表面に第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2を設定し、第１の領域Ｒ1に凹状の構造体１２を多数形成している点において第１の実施形態とは異なっている。なお、図２３Ａおよび図２３Ｂでは、円環状を有する第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2を交互に形成する例が示されているが、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2の形状はこれに限定されるものではなく、所望とする配線の形状に応じて種々の形状に設定可能である。
<5. Fifth Embodiment>
[Configuration of disc-shaped master]
FIG. 23A is a plan view showing a configuration example of a disk-shaped master according to the fifth embodiment of the present invention. FIG. 23B is an enlarged plan view showing a part of the disk-shaped master shown in FIG. 23A.
In the fifth embodiment, the first region R 1 and the second region R 2 are set on the surface of the disc-shaped
［露光装置の構成］
まず、図２４を参照して、上述した構成を有するディスク状原盤４１を作製するための露光装置について説明する。
[Configuration of exposure apparatus]
First, an exposure apparatus for producing the disk-shaped
移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、ミラー３８および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１４は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、ミラー３８および対物レンズ３４を介して、ディスク状原盤４１上のレジスト層へ照射される。原盤４１は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル（図示を省略する。）の上に載置されている。そして、原盤４１を回転させるとともに、レーザー光１４を原盤４１の回転半径方向に移動させながら、原盤４１上のレジスト層へレーザー光を照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１４の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。
The moving optical table 32 includes a
図２４に示した露光装置においては、レジスト層に対して六方格子または準六方格子の２次元パターンからなる潜像を形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォマッター２９とドライバ３０とを備える。フォマッター２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１４の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。
The exposure apparatus shown in FIG. 24 includes a
制御機構３７は、潜像の２次元パターンが空間的にリンクするように、１トラック毎に、ＡＯＭ２７によるレーザー光１４の強度変調と、スピンドルモータ３５の駆動回転速度と、移動光学テーブル３２の移動速度とをそれぞれ同期させる。原盤４１は、角速度一定（ＣＡＶ）で回転制御される。そして、スピンドルモータ３５による原盤４１の適切な回転数と、ＡＯＭ２７によるレーザー強度の適切な周波数変調と、移動光学テーブル３２によるレーザー光１４の適切な送りピッチとでパターニングを行う。これにより、レジスト層に対して六方格子パターン、または準六方格子パターンの潜像が形成される。
The
更に、極性反転部の制御信号を、空間周波数（潜像のパターン密度）が一様になるように徐々に変化させる。より具体的には、レジスト層に対するレーザー光１４の照射周期を１トラック毎に変化させながら露光を行い、各トラックＴにおいて配置ピッチＰ１が所定値（例えば３３０ｎｍ、３１５ｎｍ、または３００ｎｍ）となるように制御機構３７においてレーザー光１４の周波数変調を行う。即ち、トラック位置がディスク状原盤４１の中心から遠ざかるに従い、レーザー光の照射周期が短くなるように変調制御する。これにより、基板全面において空間周波数が一様なナノパターンを形成することが可能となる。
Further, the control signal of the polarity inversion unit is gradually changed so that the spatial frequency (latent image pattern density) becomes uniform. More specifically, the resist layer is exposed while changing the irradiation period of the
［配線構造体の製造方法］
上述した構成を有する露光装置を用いて、ディスク状原盤４１上に形成されたレジスト層を露光する以外は、第１の実施形態と同様にして配線構造体１を作製することができる。
[Method for manufacturing wiring structure]
The
この第５の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。 According to the fifth embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
＜６．第６の実施形態＞
図２５Ａは、本発明の第６の実施形態に係る配線構造体の一構成例を示す平面図である。図２５Ｂは、本発明の第６の実施形態に係る配線構造体の第１の領域の一部を拡大して表す斜視図である。第６の実施形態に係る回路構造体１は、凹部である構造体３が基体表面の第１の領域Ｒ1に多数配列されている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。この構造体３の形状は、第１の実施形態における構造体３の凸形状を反転して凹形状としたものである。なお、上述のように構造体３を凹部とした場合、凹部である構造体３の開口部（凹部の入り口部分）を下部、基体２の深さ方向の最下部（凹部の最も深い部分）を頂部と定義する。すなわち、非実体的な空間である構造体３により頂部、および下部を定義する。また、第６の実施形態では、構造体３が凹部であるため、式（１）などにおける構造体３の高さＨは、構造体３の深さＨとなる。
この第６の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。
<6. Sixth Embodiment>
FIG. 25A is a plan view showing a configuration example of a wiring structure according to the sixth embodiment of the present invention. FIG. 25B is an enlarged perspective view showing a part of the first region of the wiring structure according to the sixth embodiment of the present invention. The
The sixth embodiment is the same as the first embodiment except for the above.
この第６の実施形態では、第１の実施形態における凸形状の構造体３の形状を反転して凹形状としているので、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
In the sixth embodiment, since the shape of the
＜７．第７の実施形態＞
図２６は、本発明の第７の実施形態に係る液晶表示素子の一構成例を示す斜視図である。図２６に示すように、液晶表示素子は、パッシブマトリックス駆動方式（単純マトリックス駆動方式ともいう。）の表示素子であり、所定間隔を離して対向配置された第１の基材１０１および第２の基材１１１と、第１の基材１０１および第２の基材１１１の間に配置された液晶層１２１とを備える。
<7. Seventh Embodiment>
FIG. 26 is a perspective view showing a configuration example of a liquid crystal display element according to the seventh embodiment of the present invention. As shown in FIG. 26, the liquid crystal display element is a display element of a passive matrix driving method (also referred to as a simple matrix driving method), and includes a
第１の基材１０１の両主面のうち、第２の基材１１１に対向する一主面には、直線状の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ1には、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成され、透明導電層が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ2には、構造体が形成されず平面状とされ、透明導電層が連続的に形成されている。したがって、第１の基材１０１の両主面のうち、第２の基材１１１に対向する一主面には、連続的に形成された透明導電層からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）１０２がストライプ状に形成されている。
Of the two main surfaces of the
第２の基材１１１の両主面のうち、第１の基材１０１に対向する一主面には、直線状の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ1には、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成され、透明導電層が不連続的に島状などに形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ2には、構造体が形成されず平坦面とされ、透明導電層が連続的に形成されている。したがって、第２の基材１１１の両主面のうち、第１の基材１０１に対向する一主面には、連続的に形成された透明導電層からなる縦（Ｙ）電極（第２の電極）１１２がストライプ状に多数形成されている。
A linear first region R 1 and a second region R 2 are alternately and repeatedly set on one main surface opposite to the
第１の基材１０１および第２の基材１１１の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2は、互いに直交する関係にある。すなわち、第１の基材１０１の横電極１０２と第２の基材１１１の縦電極１１２とは互いに直交する関係にある。
The first region R 1 and the second region R 2 of the
第７の実施形態では、構造体の有無を利用して液晶表示素子の電極を作製することができる。また、構造体の配置ピッチを可視光の波長以下とした場合には、液晶表示素子の反射防止特性および／または透過特性を向上することができる。 In the seventh embodiment, an electrode of a liquid crystal display element can be produced using the presence or absence of a structure. Further, when the arrangement pitch of the structures is set to be equal to or smaller than the wavelength of visible light, the antireflection characteristic and / or transmission characteristic of the liquid crystal display element can be improved.
また、上述の第３の実施形態のように、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2のそれぞれにアスペクト比の異なる構造体を形成するようにしてもよい。これにより、液晶表示素子の反射防止特性および／または透過特性をさらに向上することができる。このような構成とする場合、横電極１０２および縦電極１１２として機能する第２の領域Ｒ2の透明導電層は、第２の領域Ｒ2に形成された構造体の形状に倣った形状とすることが好ましい。これにより、構造体による反射防止および／または透過特性の効果の低下を抑制することができるからである。
Further, as in the above-described third embodiment, structures having different aspect ratios may be formed in each of the first region R 1 and the second region R 2 . Thereby, the antireflection characteristic and / or transmission characteristic of the liquid crystal display element can be further improved. If such a configuration, the second region transparent conductive layer of R 2 which functions as a
＜８．第８の実施形態＞
図２７は、本発明の第８の実施形態に係るタッチパネルを備える表示装置の一構成例を示す斜視図である。図２７に示すように、表示装置２０２上にタッチパネル（情報入力装置）２０１が設けられている。表示装置２０２とタッチパネル２０１とは、例えば粘着剤を介して貼り合わされている。また、タッチパネル２０１の表面にフロントパネル（表面部材）２０３をさらに備えるようにしてもよい。タッチパネル２０１とフロントパネル（表面部材）２０３とは、例えば粘着剤により貼り合わされる。
<8. Eighth Embodiment>
FIG. 27 is a perspective view showing a configuration example of a display device including a touch panel according to the eighth embodiment of the present invention. As illustrated in FIG. 27, a touch panel (information input device) 201 is provided on the
表示装置２０１としては、例えば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置を用いることができる。タッチパネル３０２は、例えば、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルである。抵抗膜方式のタッチパネルとしては、例えば、マトリックス抵抗膜方式のタッチパネルが挙げられる。静電容量方式のタッチパネルとしては、例えば、Ｗｉｒｅ Ｓｅｎｓｏｒ方式またはＩＴＯ Ｇｒｉｄ方式の投射型静電容量方式タッチパネルが挙げられる。
Examples of the
図２８Ａは、本発明の第８の実施形態に係るタッチパネルの第１の構成例を示す斜視図である。このタッチパネル２０１は、マトリックス抵抗膜方式のタッチパネルであり、ドットスペーサ（図示省略）を介して所定間隔を離して対向配置された第１の基材２１１と第２の基材２２１とを備える。
FIG. 28A is a perspective view illustrating a first configuration example of a touch panel according to an eighth embodiment of the present invention. The
図２８Ｂは、第１の基材の一構成例を示す分解斜視図である。なお、第２の基材２２１は第１の基材２１１とほぼ同様の構成を有するので、分解斜視図の記載を省略する。第１の基材２１１の両主面のうち、第２の基材２２１に対向する一主面には、矩形状の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ1には、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成され、透明導電層が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ2には、構造体が形成されず平面状とされ、透明導電層が連続的に形成されている。したがって、第１の基材２１１の両主面のうち、第２の基材２２１に対向する一主面には、連続的に形成された透明導電層からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）２１２がストライプ状に形成されている。
FIG. 28B is an exploded perspective view showing a configuration example of the first base material. Note that the
第２の基材２２１の両主面のうち、第１の基材２１１に対向する一主面には、矩形状の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ1には、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成され、透明導電層が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ2には、構造体が形成されず平面状とされ、透明導電層が連続的に形成されている。したがって、第２の基材２２１の両主面のうち、第１の基材２１１に対向する一主面には、連続的に形成された透明導電層からなる縦（Ｙ）電極（第２の電極）２２２がストライプ状に多数形成されている。
Of the two main surfaces of the
第１の基材２１１および第２の基材２２１の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2は、互いに直交する関係にある。すなわち、第１の基材２１１の横電極２１２と第２の基材２２１１の縦電極２２１とは互いに直交する関係にある。
The first region R 1 and the second region R 2 of the
図２９Ａは、本発明の第８の実施形態に係るタッチパネルの第２の構成例を示す斜視図である。このタッチパネルは、ＩＴＯ Ｇｒｉｄ方式の投射型静電容量方式タッチパネルであり、重ね合わされた第１の基材２３１と第２の基材２４１とを備える。
FIG. 29A is a perspective view showing a second configuration example of the touch panel according to the eighth embodiment of the present invention. This touch panel is an ITO grid type projection capacitive touch panel, and includes a
図２９Ｂは、第１の基材の一構成例を示す分解斜視図である。なお、第２の基材２４１は第１の基材２３１とほぼ同様の構成を有するので、分解斜視図の記載を省略する。第１の基材２３１の両主面のうち、第２の基材２４１に対向する一主面には、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に繰り返し設定され、隣り合う第１の領域Ｒ1の間は第２の領域Ｒ2により隔てられている。第２の基材２４１の両主面のうち、第２の基材２３１に対向する一主面には、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に繰り返し設定され、隣り合う第１の領域Ｒ1の間は第２の領域Ｒ2により隔てられている。
FIG. 29B is an exploded perspective view showing a configuration example of the first base material. Note that the
第１の基材２３１の第１の領域Ｒ1は、所定形状の単位領域Ｃ1をＸ軸方向に繰り返し連結してなり、第２の領域Ｒ2は、所定形状の単位領域Ｃ2をＸ軸方向に繰り返し連結してなる。第２の基材２４１の第１の領域Ｒ1は、所定形状の単位領域Ｃ1をＹ軸方向に繰り返し連結してなり、第２の領域Ｒ2は、所定形状の単位領域Ｃ2をＹ軸方向に繰り返し連結してなる。単位領域Ｃ1および単位領域Ｃ2の形状としては、例えばダイヤモンド形状（菱形形状）、三角形状、四角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。
The first region R 1 of the
第１の領域Ｒ1には、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成され、透明導電層が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ2には、構造体が形成されず平面状とされ、透明導電層が連続的に形成されている。したがって、第１の基材２３１の両主面のうち、第２の基材２４１に対向する一主面には、透明導電層からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）２３２が配列されている。また、第２の基材２４１の両主面のうち、第１の基材２３１に対向する一主面には、透明導電層からなる複数の縦（Ｙ）電極（第２の電極）２４２が配列されている。横電極２３２および縦電極２４２は、第２の領域Ｒ2と同様の形状を有する。
In the first region R 1 , for example, a large number of structures are formed at an arrangement pitch equal to or smaller than the wavelength of visible light, and the transparent conductive layer is discontinuously formed in an island shape or the like. On the other hand, in the second region R 2 , the structure is not formed and is planar, and the transparent conductive layer is continuously formed. Therefore, a plurality of lateral (X) electrodes (first electrodes) 232 made of a transparent conductive layer are formed on one main surface opposite to the
第１の基材２３１の横電極２３２と第２の基材２４１の縦電極２４２とは互いに直交する関係にある。第１の基材２３１と第２の基材２４１とを重ね合わせた状態において、第１の基材２３１の第１の領域Ｒ1と、第２の基材２４１の第２の領域Ｒ2とが重ね合わされ、第１の基材２３１の第２の領域Ｒ2と、第２の基材２４１の第１の領域Ｒ1とが重ね合わされる。
The
第８の実施形態では、構造体の有無を利用してタッチパネル２０１の電極を作製することができる。また、構造体の配置ピッチを可視光の波長以下とした場合には、タッチパネル２０１の反射防止特性および／または透過特性を向上することができる。
In the eighth embodiment, the electrode of the
また、上述の第３の実施形態のように、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2のそれぞれにアスペクト比の異なる構造体を形成するようにしてもよい。これにより、タッチパネル２０１の反射防止特性および／または透過特性をさらに向上することができる。このような構成とする場合、電極として機能する第２の領域Ｒ2の透明導電層は、第２の領域Ｒ2に形成された構造体の形状に倣った形状とすることが好ましい。これにより、構造体による反射防止効果および／または透過特性向上の効果の低下を抑制することができるからである。
Further, as in the above-described third embodiment, structures having different aspect ratios may be formed in each of the first region R 1 and the second region R 2 . Thereby, the antireflection characteristic and / or the transmission characteristic of the
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited only to these Examples.
（構造体の高さ、配置ピッチおよびアスペクト比）
以下の試験例および実施例において、構造体の高さＨ、配置ピッチＰ、およびアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は以下のようにして求めた。
まず、フィルムの表面形状を、導電層（Ａｇ層）を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により撮影した。そして、撮影したＡＦＭ像、およびその断面プロファイルから、構造体の配置ピッチＰ１、配置ピッチＰ２、高さＨを求めた。次に、これらの配置ピッチＰ１、配置ピッチＰ２、および高さＨを用いて、アスペクト比（＝高さＨ／平均配置ピッチＰ）を求めた。ここで、平均配置ピッチＰ＝（Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ２）／３である。
(Structure height, arrangement pitch and aspect ratio)
In the following test examples and examples, the height H, the arrangement pitch P, and the aspect ratio (H / P) of the structures were obtained as follows.
First, the surface shape of the film was photographed with an atomic force microscope (AFM) in a state where a conductive layer (Ag layer) was not formed. Then, the arrangement pitch P1, the arrangement pitch P2, and the height H of the structures were obtained from the photographed AFM image and its cross-sectional profile. Next, the aspect ratio (= height H / average arrangement pitch P) was determined using these arrangement pitch P1, arrangement pitch P2, and height H. Here, the average arrangement pitch P = (P1 + P2 + P2) / 3.
（導電層の膜厚）
以下の試験例および実施例において、平滑面上の導電層の膜厚、および凹凸面上の導電層の膜厚は以下のようにして求めた。
(Thickness of conductive layer)
In the following test examples and examples, the thickness of the conductive layer on the smooth surface and the thickness of the conductive layer on the uneven surface were determined as follows.
（平滑面上の導電層の膜厚）
まず、導電層を成膜したフィルムを切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）にて撮影し、撮影したＴＥＭ写真から、導電層の膜厚を測定した。
(Thickness of conductive layer on smooth surface)
First, the film on which the conductive layer was formed was cut, the cross section was photographed with a transmission electron microscope (TEM), and the film thickness of the conductive layer was measured from the photographed TEM photograph.
（凹凸面上の導電層の膜厚）
まず、導電層を成膜したフィルムを構造体の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）にて撮影し、撮影したＴＥＭ写真から、構造体における頂部における導電層の膜厚を測定した。
(Thickness of conductive layer on uneven surface)
First, the film on which the conductive layer is formed is cut so as to include the top of the structure, the cross section is photographed with a transmission electron microscope (TEM), and the top of the structure is taken from the photographed TEM photograph. The thickness of the conductive layer was measured.
（試験例１−１）
平滑な表面を有するＰＭＭＡ（ポリメチルメタアクリレート）フィルムをＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリング装置に搬送し、Ａｒガスをスパッタリング装置に投入しながら、０．１Ｐａ程度の雰囲気でＡｇ層を成膜した。Ａｇ層の膜厚は１０ｎｍとした。
(Test Example 1-1)
A PMMA (polymethyl methacrylate) film having a smooth surface was conveyed to a DC (direct current) magnetron sputtering apparatus, and an Ag layer was formed in an atmosphere of about 0.1 Pa while introducing Ar gas into the sputtering apparatus. The film thickness of the Ag layer was 10 nm.
（試験例１−２）
Ａｇ層の膜厚を２０ｎｍとする以外は試験例１−１と同様にして、サンプルを得た。
(Test Example 1-2)
A sample was obtained in the same manner as in Test Example 1-1 except that the thickness of the Ag layer was 20 nm.
（試験例１−３）
Ａｇ層の膜厚を３０ｎｍとする以外は試験例１−１と同様にして、サンプルを得た。
(Test Example 1-3)
A sample was obtained in the same manner as in Test Example 1-1 except that the thickness of the Ag layer was 30 nm.
（試験例２−１）
まず、ディスク状原盤を準備し、この原盤の表面に無機レジスト層を形成した。次に、記録媒体としての原盤を、図２４に示した原盤露光装置に搬送し、レジスト層を露光し、隣接する３列のトラック間において六方格子パターンをなす潜像をレジスト層全体に形成した。レーザ光の波長は２６６ｎｍ、レーザパワーは０．５０ｍＷ／ｍとした。
(Test Example 2-1)
First, a disk-shaped master was prepared, and an inorganic resist layer was formed on the surface of the master. Next, the master as a recording medium was transported to the master exposure apparatus shown in FIG. 24, and the resist layer was exposed to form a latent image having a hexagonal lattice pattern between three adjacent tracks on the entire resist layer. . The wavelength of the laser beam was 266 nm, and the laser power was 0.50 mW / m.
次に、原盤を現像機に搬送し、原盤上のレジスト層に対して現像処理を施して、露光した部分のレジスト層を溶解させて現像を行った。具体的には、現像機のターンテーブル上に未現像の原盤を載置し、原盤を回転させつつ原盤の表面に現像液を滴下して、その表面のレジスト層を現像した。これにより、レジスト層の全体に、六方格子パターンの開口部が形成された。 Next, the master was transported to a developing machine, and the resist layer on the master was subjected to development treatment, and the exposed resist layer was dissolved and developed. Specifically, an undeveloped master was placed on a turntable of a developing machine, and a developing solution was dropped on the surface of the master while rotating the master to develop the resist layer on the surface. Thereby, the opening part of the hexagonal lattice pattern was formed in the whole resist layer.
次に、原盤をエッチング装置に搬送し、ＣＨＦ3ガス雰囲気中でのプラズマエッチングを行った。これにより、原盤表面において、レジスト層から露出している六方格子パターンの部分のみエッチングが進行し、その他の部分ではレジスト層がマスクとなりエッチングはされず、楕円錐形状の凹部が原盤表面に形成された。この際、エッチング量（深さ）は、エッチング時間によって調整した。最後に、Ｏ2アッシングにより完全にレジスト層を除去することにより、凹形状の六方格子パターンを有するディスク状原盤が得られた。なお、この原盤では、列方向における凹部の深さは、トラックの延在方向における凹部の深さより深かった。 Next, the master was transported to an etching apparatus, and plasma etching was performed in a CHF 3 gas atmosphere. As a result, on the surface of the master, only the hexagonal lattice pattern exposed from the resist layer is etched, and in other portions, the resist layer is used as a mask and is not etched, and an elliptical conical recess is formed on the surface of the master. It was. At this time, the etching amount (depth) was adjusted by the etching time. Finally, the resist layer was completely removed by O 2 ashing to obtain a disk-shaped master having a concave hexagonal lattice pattern. In this master, the depth of the recesses in the row direction was deeper than the depth of the recesses in the track extending direction.
次に、作製したディスク状原盤上に紫外線硬化樹脂を塗布した後、ＰＭＭＡフィルムを紫外線硬化樹脂上に密着させた。次に、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射し硬化させた後、ＰＭＭＡフィルムと一体となった紫外線硬化樹脂を原盤から剥離した。これにより、六方格子状に構造体が多数配列されたＰＭＭＡフィルムが得られた。このＰＭＭＡフィルムの構造体の配置ピッチＰは２７０ｎｍ、高さＨは１６０ｎｍ、アスペクト比は０．５９であった。また、構造体の形状は、頂部に曲率を有する楕円錐形状であった。 Next, after applying an ultraviolet curable resin on the disk-shaped master disc produced, a PMMA film was brought into close contact with the ultraviolet curable resin. Next, the ultraviolet curable resin was irradiated and cured with ultraviolet rays, and then the ultraviolet curable resin integrated with the PMMA film was peeled off from the master. Thereby, a PMMA film in which a large number of structures were arranged in a hexagonal lattice shape was obtained. The arrangement pitch P of the PMMA film structure was 270 nm, the height H was 160 nm, and the aspect ratio was 0.59. Moreover, the shape of the structure was an elliptical cone shape having a curvature at the top.
次に、ＰＭＭＡフィルムをＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリング装置に搬送し、Ａｒガスをスパッタリング装置に投入しながら、０．１Ｐａ程度の雰囲気でＡｇ層を成膜した。Ａｇ層の膜厚は１０ｎｍとした。
以上により、目的とするサンプルを得た。
Next, the PMMA film was conveyed to a DC (direct current) magnetron sputtering apparatus, and an Ag layer was formed in an atmosphere of about 0.1 Pa while introducing Ar gas into the sputtering apparatus. The film thickness of the Ag layer was 10 nm.
Thus, a target sample was obtained.
（試験例２−２）
Ａｇ層の膜厚を２０ｎｍとする以外は試験例２−１と同様にして、サンプルを得た。
(Test Example 2-2)
A sample was obtained in the same manner as in Test Example 2-1, except that the thickness of the Ag layer was 20 nm.
（試験例２−３）
Ａｇ層の膜厚を３０ｎｍとする以外は試験例２−１と同様にして、サンプルを得た。
(Test Example 2-3)
A sample was obtained in the same manner as in Test Example 2-1, except that the thickness of the Ag layer was 30 nm.
（試験例３−１）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の配置ピッチＰを２４０ｎｍ、高さＨを１８０ｎｍ、アスペクト比を０．７５とする以外は、試験例１−１と同様にして
サンプルを得た。
(Test Example 3-1)
A sample was obtained in the same manner as in Test Example 1-1 except that the conditions of the exposure process and the etching process were adjusted, and the arrangement pitch P of the structures was 240 nm, the height H was 180 nm, and the aspect ratio was 0.75. It was.
（試験例３−２）
Ａｇ層の膜厚を２０ｎｍとする以外は試験例３−１と同様にして、サンプルを得た。
(Test Example 3-2)
A sample was obtained in the same manner as in Test Example 3-1, except that the thickness of the Ag layer was 20 nm.
（試験例３−３）
Ａｇ層の膜厚を３０ｎｍとする以外は試験例３−１と同様にして、サンプルを得た。
(Test Example 3-3)
A sample was obtained in the same manner as in Test Example 3-1, except that the thickness of the Ag layer was 30 nm.
（試験例４−１）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の配置ピッチＰを２３０ｎｍ、高さＨを２８０ｎｍ、アスペクト比を１．２２とする以外は、試験例１−１と同様にして
サンプルを得た。
(Test Example 4-1)
A sample was obtained in the same manner as in Test Example 1-1 except that the conditions of the exposure process and the etching process were adjusted, and the arrangement pitch P of the structures was 230 nm, the height H was 280 nm, and the aspect ratio was 1.22. It was.
（試験例４−２）
Ａｇ層の膜厚を２０ｎｍとする以外は試験例４−１と同様にして、サンプルを得た。
(Test Example 4-2)
A sample was obtained in the same manner as in Test Example 4-1, except that the thickness of the Ag layer was 20 nm.
（試験例４−３）
Ａｇ層の膜厚を３０ｎｍとする以外は試験例４−１と同様にして、サンプルを得た。
(Test Example 4-3)
A sample was obtained in the same manner as in Test Example 4-1, except that the thickness of the Ag layer was 30 nm.
（表面抵抗の評価）
上述のようにして得られた試験例１−１〜４−３のサンプルの表面抵抗を以下のようにして評価した。サンプルを５ｃｍ角に切り出し４端子法にて表面抵抗を測定した。その結果を表１に示す。
(Evaluation of surface resistance)
The surface resistance of the samples of Test Examples 1-1 to 4-3 obtained as described above was evaluated as follows. Samples were cut into 5 cm squares and surface resistance was measured by the 4-terminal method. The results are shown in Table 1.
表１から以下のことがわかる。
アスペクト比を大きくするに従って、表面抵抗が増加する傾向がある。Ａｇ層の膜厚を厚くするに従って、表面抵抗が低下する傾向がある。
平滑面にＡｇ層を成膜した場合には、膜厚１０ｎｍからＡｇ層がフィルム面内方向で導通する。これに対して、構造体からなる凹凸面にＡｇ層を成膜した場合には、Ａｇ層の膜厚が１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、かつ、アスペクト比が０．７５以上１．２２以下であると、Ａｇ層はフィルム面内方向で導通しない。すなわち、フィルム表面の構造体の有無を利用して、フィルム表面に配線を形成することができる。
Ａｇ層の膜厚が２０ｎｍである場合には、アスペクト比が０．５９であると、Ａｇ層はフィルム面内方向で導通するのに対して、アスペクト比が０．７５、１．２２であると、Ａｇ層はフィルム面内方向で導通しない。すなわち、フィルム表面の構造体のアスペクト比の違いを利用して、フィルム表面に配線を形成することができる。
なお、上記試験例では、Ａｇを導電層の材料とする場合を示したが、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃｕなどを導電層の材料とした場合にも、上記と同様の傾向が得られると推測される。
Table 1 shows the following.
As the aspect ratio is increased, the surface resistance tends to increase. As the thickness of the Ag layer is increased, the surface resistance tends to decrease.
When an Ag layer is formed on a smooth surface, the Ag layer conducts in a film in-plane direction from a film thickness of 10 nm. On the other hand, when the Ag layer is formed on the uneven surface made of the structure, the thickness of the Ag layer is 10 nm or more and 20 nm or less, and the aspect ratio is 0.75 or more and 1.22 or less. And Ag layer does not conduct | electrically_connect in a film in-plane direction. That is, wiring can be formed on the film surface using the presence or absence of a structure on the film surface.
When the film thickness of the Ag layer is 20 nm and the aspect ratio is 0.59, the Ag layer is conductive in the in-plane direction of the film, whereas the aspect ratio is 0.75 and 1.22. And Ag layer does not conduct | electrically_connect in a film in-plane direction. That is, the wiring can be formed on the film surface by utilizing the difference in the aspect ratio of the structure on the film surface.
In the above test example, the case where Ag is used as the material of the conductive layer is shown. However, the case where Al, Au, Pt, Pd, Ni, Cr, Nb, Cu, etc. are used as the material of the conductive layer is It is estimated that the same tendency can be obtained.
（実施例１−１）
まず、ディスク状原盤を準備し、この原盤の表面に無機レジスト層を形成した。次に、記録媒体としての原盤を、図２４に示した原盤露光装置に搬送し、レジスト層を露光し、円環状の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2を交互に形成した（図２３Ａ、図２３Ｂ参照）。この際、第１の領域Ｒ1には、隣接する３列のトラック間において六方格子状をなる露光パターンを形成した。これに対して、第２の領域Ｒ2には、露光パターンを形成せず、第２の領域Ｒ2を非露光部とした。レーザ光１３の波長は２６６ｎｍ、レーザパワーは０．５０ｍＷ／ｍとした。
(Example 1-1)
First, a disk-shaped master was prepared, and an inorganic resist layer was formed on the surface of the master. Next, the master as a recording medium is conveyed to the master exposure apparatus shown in FIG. 24, and the resist layer is exposed to alternately form first and second regions R 1 and R 2 in an annular shape ( FIG. 23A and FIG. 23B). At this time, in the first region R 1 , an exposure pattern having a hexagonal lattice shape was formed between adjacent three rows of tracks. In contrast, in the second region R 2, without forming the exposure pattern, and the second region R 2 and the non-exposed portion. The wavelength of the
次に、原盤を現像機に搬送し、原盤上のレジスト層に対して現像処理を施して、露光した部分のレジスト層を溶解させて現像を行った。具体的には、現像機のターンテーブル上に未現像の原盤を載置し、原盤を回転させつつ原盤の表面に現像液を滴下して、その表面のレジスト層を現像した。これにより、レジスト層の第１の領域Ｒ1に、六方格子パターンの開口部が形成された。現像液としては、無機アルカリ性現像液（東京応化社製）を用いた。 Next, the master was transported to a developing machine, and the resist layer on the master was subjected to development treatment, and the exposed resist layer was dissolved and developed. Specifically, an undeveloped master was placed on a turntable of a developing machine, and a developing solution was dropped on the surface of the master while rotating the master to develop the resist layer on the surface. As a result, an opening of a hexagonal lattice pattern was formed in the first region R 1 of the resist layer. An inorganic alkaline developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was used as the developer.
次に、原盤をエッチング装置に搬送し、ＣＨＦ3ガス雰囲気中でのプラズマエッチングを行った。これにより、原盤表面において、レジスト層から露出している第１の領域Ｒ1の六方格子パターンの部分のみエッチングが進行し、その他の部分ではレジスト層がマスクとなりエッチングはされず、楕円錐形状の凹部が原盤表面の第１の領域Ｒ1にのみ形成された。この際、エッチング量（深さ）は、エッチング時間によって調整した。最後に、Ｏ2アッシングにより完全にレジスト層を除去することにより、凹形状の六方格子パターンを有するディスク状原盤が得られた。なお、この原盤では、列方向における凹部の深さは、トラックの延在方向における凹部の深さより深かった。 Next, the master was transported to an etching apparatus, and plasma etching was performed in a CHF 3 gas atmosphere. As a result, the etching proceeds only on the hexagonal lattice pattern portion of the first region R 1 exposed from the resist layer on the surface of the master, and the resist layer serves as a mask in the other portions and is not etched. A recess was formed only in the first region R 1 on the surface of the master. At this time, the etching amount (depth) was adjusted by the etching time. Finally, the resist layer was completely removed by O 2 ashing to obtain a disk-shaped master having a concave hexagonal lattice pattern. In this master, the depth of the recesses in the row direction was deeper than the depth of the recesses in the track extending direction.
次に、上記ディスク状原盤と、紫外線硬化樹脂を塗布したＰＭＭＡフィルムを密着させ、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射し硬化させた後、ＰＭＭＡフィルムと一体となった紫外線硬化樹脂を剥離した。これにより、六方格子状に構造体が多数配列された第１の領域と、平坦な第２の領域とが表面に交互に形成されたＰＭＭＡフィルムが得られた。このフィルムの第１の領域Ｒ1における構造体の配置ピッチＰは２５０ｎｍ、高さＨは２００ｎｍ、アスペクト比は０．８であった。また、構造体の形状は、頂部に曲率を有する楕円錐形状であった。 Next, after the disk-shaped master and the PMMA film coated with the ultraviolet curable resin were brought into close contact with each other, the ultraviolet curable resin was irradiated with the ultraviolet light and cured, and then the ultraviolet curable resin integrated with the PMMA film was peeled off. As a result, a PMMA film in which a first region in which a large number of structures are arranged in a hexagonal lattice and a flat second region are alternately formed on the surface was obtained. The arrangement pitch P of the structures in the first region R 1 of this film was 250 nm, the height H was 200 nm, and the aspect ratio was 0.8. Moreover, the shape of the structure was an elliptical cone shape having a curvature at the top.
次に、ＰＭＭＡフィルムをＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリング装置に搬送し、Ａｒガスをスパッタリング装置に投入しながら、０．１Ｐａ程度の雰囲気でＡｇ層を成膜した。なお、Ａｇ層の膜厚は、上記の試験例の評価結果を考量して、２０ｎｍとした。
以上により、目的とするフレキシブル基板が得られた。
Next, the PMMA film was conveyed to a DC (direct current) magnetron sputtering apparatus, and an Ag layer was formed in an atmosphere of about 0.1 Pa while introducing Ar gas into the sputtering apparatus. The film thickness of the Ag layer was set to 20 nm taking into consideration the evaluation results of the above test examples.
Thus, the intended flexible substrate was obtained.
（配線評価）
上述のようにして得られたフレキシブル基板の配線を以下のようにして評価した。
まず、円環状の配線の２点にテスターのプローブをあてて、周方向の抵抗を測定した。次に、径方向（円環状の配線と直交する方向）の２点にテスターのプローブをあてて、径方向の抵抗を測定した。その結果、円環状の配線上では１００Ω程度の導通が確認されたのに対して、径方向では絶縁されていることが確認された。この結果より、構造体の有無、または構造体のアスペクト比の違いを利用して、配線を形成できることがわかった。
(Wiring evaluation)
The wiring of the flexible substrate obtained as described above was evaluated as follows.
First, a tester probe was applied to two points of the annular wiring, and the resistance in the circumferential direction was measured. Next, the resistance of the radial direction was measured by applying a tester probe to two points in the radial direction (direction orthogonal to the annular wiring). As a result, conduction of about 100Ω was confirmed on the annular wiring, whereas insulation was confirmed in the radial direction. From this result, it was found that the wiring can be formed by utilizing the presence or absence of the structure or the difference in the aspect ratio of the structure.
上述の試験例、および実施例では、構造体のアスペクト比が１程度である場合について示したが、アスペクト比を大きくし、かつ、構造体の斜面を急峻にすれば、さらに面内の電気的変調の選択幅が広がり、それに伴い金属層の厚さも厚くできると考えられる。
また、金属層単体ではなくＩＴＯ層と金属層との複合層なども同様の結果が得られると推測され、電子ペーパーなどの配線にも本発明は適用可能と考えられる。
In the above-described test examples and examples, the case where the aspect ratio of the structure is about 1 has been shown. However, if the aspect ratio is increased and the slope of the structure is made steep, the electrical in-plane is further increased. It is considered that the selection range of modulation is widened and the thickness of the metal layer can be increased accordingly.
In addition, it is presumed that the same result can be obtained for a composite layer of an ITO layer and a metal layer instead of a single metal layer, and the present invention is considered to be applicable to wiring such as electronic paper.
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described concretely, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, Various deformation | transformation based on the technical idea of this invention is possible.
例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、形状、材料および数値などを用いてもよい。 For example, the configurations, methods, shapes, materials, numerical values, and the like given in the above-described embodiments are merely examples, and different configurations, methods, shapes, materials, numerical values, and the like may be used as necessary.
また、上述の実施形態の各構成は、本発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。 The configurations of the above-described embodiments can be combined with each other without departing from the gist of the present invention.
また、上述の実施形態では、片面または両面に配線が形成された単層の配線構造体に対して本発明を適用した例を説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、多層の配線構造体に対しても適用可能である。 In the above-described embodiment, an example in which the present invention is applied to a single-layer wiring structure in which wiring is formed on one side or both sides has been described, but the present invention is not limited to this example. The present invention can also be applied to a multilayer wiring structure.
また、上述の実施形態では、平面状の基体表面に配線を形成する場合を例として説明したが、配線を形成する面は平面に限定されるものではなく、曲面状の基体表面に配線を形成するようにしてもよい。 In the above-described embodiment, the case where the wiring is formed on the flat substrate surface has been described as an example. However, the surface on which the wiring is formed is not limited to the flat surface, and the wiring is formed on the curved substrate surface. You may make it do.
また、上述の実施形態では、液晶表示素子に対して本発明を適用した例を説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、パッシブマトリックス駆動方式の種々の表示素子（例えばＥＬ素子など）に対しても適用可能である。 In the above-described embodiment, an example in which the present invention is applied to a liquid crystal display element has been described. However, the present invention is not limited to this example, and various display elements (for example, EL elements) of a passive matrix driving system are used. It can also be applied to an element).
また、上述の実施形態では、２つの基材を重ね合わせる構成を有する投射型静電容量方式タッチパネルに対して本発明を適用した例について説明したが、本発明はこの例に限定されるものではない。例えば、１つの基材の両面に電極を形成した構成を有する投射型静電容量方式タッチパネルに対しても本発明は適用可能である。 Moreover, although the above-mentioned embodiment demonstrated the example which applied this invention with respect to the projection capacitive touch panel which has the structure which overlaps two base materials, this invention is not limited to this example. Absent. For example, the present invention can also be applied to a projection capacitive touch panel having a configuration in which electrodes are formed on both surfaces of a single substrate.
１ 配線構造体
２ 基体
３ 構造体
４ 透明導電層
５ 金属層
１１ ロール原盤
１２ 構造体
１３ レジスト層
４１ ディスク状原盤
DESCRIPTION OF
Claims (10)
上記第１の領域、および上記第２の領域共に同一材料の導電材料が成膜されており、上記第１の領域、および上記第２の領域のうち該第２の領域に上記導電材料が連続的に形成されて、配線パターンをなす導電層と
を備える配線構造体。 A base having a first region where a large number of structures are formed at a fine pitch, and a second region formed in a planar shape;
A conductive material of the same material is formed in both the first region and the second region, and the conductive material is continuous with the second region of the first region and the second region. A wiring structure comprising a conductive layer that is formed in a conductive pattern and forms a wiring pattern.
上記第１の領域、および上記第２の領域共に同一材料の導電材料が成膜されており、上記第１の領域、および上記第２の領域のうち該第２の領域に上記導電材料が連続的に形成されて、配線パターンをなす導電層と
を備え、
上記第１の構造体のアスペクト比は、上記第２の構造体のアスペクト比に比して大きい配線構造体。 A substrate having a first region in which a large number of first structures are formed at a fine pitch and a second region in which a large number of second structures are formed at a fine pitch;
A conductive material of the same material is formed in both the first region and the second region, and the conductive material is continuous with the second region of the first region and the second region. And a conductive layer forming a wiring pattern,
A wiring structure in which the aspect ratio of the first structure is larger than the aspect ratio of the second structure.
上記第２の構造体のアスペクト比が、０．３未満である請求項１０記載の配線構造体。 The aspect ratio of the first structure is 0.3 or more;
The wiring structure according to claim 10, wherein an aspect ratio of the second structure is less than 0.3.
上記基体表面に導電層を形成する工程と
を備え、
上記導電層の形成工程では、
上記第１の領域および上記第２の領域の構造体の有無を利用して、上記第１の領域に導電材料を不連続的に形成するのに対して、上記第２の領域に導電材料を連続的に形成することにより、上記導電層からなる配線パターンを上記第２の領域に形成する配線構造体の製造方法。 Forming a first region where a large number of first structures are formed at a fine pitch and a second region formed in a planar shape on the surface of the substrate;
Forming a conductive layer on the surface of the substrate,
In the step of forming the conductive layer,
The conductive material is discontinuously formed in the first region by utilizing the presence / absence of structures in the first region and the second region, whereas the conductive material is formed in the second region. A method for manufacturing a wiring structure, wherein a wiring pattern made of the conductive layer is formed in the second region by continuously forming the wiring pattern.
上記基体表面に導電層を成膜する工程と
を備え、
上記第１の領域および上記第２の領域の構造体のアスペクト比の違いを利用して、上記第１の領域に導電材料を不連続的に形成するのに対して、上記第２の領域に導電材料を連続的に形成することにより、上記導電層からなる配線パターンを上記第２の領域に形成する配線構造体の製造方法。 Forming a first region where a large number of first structures are formed at a fine pitch and a second region where a large number of second structures are formed at a fine pitch on the substrate surface;
And a step of forming a conductive layer on the surface of the substrate.
Using the difference in the aspect ratio of the structure of the first region and the second region, a conductive material is discontinuously formed in the first region, whereas in the second region, A method for manufacturing a wiring structure, wherein a conductive pattern is continuously formed to form a wiring pattern made of the conductive layer in the second region.
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