JP2011230430A - テンプレート補修方法、パターン形成方法及びテンプレート補修装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】表面に離型層が形成された母材の欠損部分を補修することができるテンプレート補修方法、パターン形成方法及びテンプレート補修装置を提供する。
【解決手段】実施の形態のテンプレート補修方法は、母材と前記母材のパターン面に形成された第1の離型層とを備えたテンプレートの補修方法であって、前記パターン面に前記母材に対して親和性を有し、かつ、前記離型層に対して非親和性を有する材料を供給する。
【選択図】図3
【解決手段】実施の形態のテンプレート補修方法は、母材と前記母材のパターン面に形成された第1の離型層とを備えたテンプレートの補修方法であって、前記パターン面に前記母材に対して親和性を有し、かつ、前記離型層に対して非親和性を有する材料を供給する。
【選択図】図3
Description
本発明の実施の形態は、テンプレート補修方法、パターン形成方法及びテンプレート補修装置に関する。
ナノインプリント法は、テンプレート(原版、スタンパ又はモールドともいう。)に形成された凹凸パターンをインプリント材料に転写する技術である。テンプレートの表面やインプリント材料の表面に微小パーティクルが存在した状態でインプリントを行うと、微小パーティクルがテンプレートを傷つけ、テンプレートの表面に欠損が生じる。テンプレートの表面に欠損があると、インプリント材料にその欠損も転写されてしまうため、テンプレートには無欠損であることが求められている。
本発明の目的は、表面に離型層が形成された母材の欠損部分を補修することができるテンプレート補修方法、パターン形成方法及びテンプレート補修装置を提供することにある。
実施の形態のテンプレート補修方法は、母材と前記母材のパターン面に形成された第1の離型層とを備えたテンプレートの補修方法であって、前記パターン面に前記母材に対して親和性を有し、かつ、前記離型層に対して非親和性を有する材料を供給する。
(テンプレートの構成)
図1(a)は、テンプレートの一例を示す断面図、図1(b)は、図1(a)に示すテンプレートに欠損が生じた状態を示す断面図である。
図1(a)は、テンプレートの一例を示す断面図、図1(b)は、図1(a)に示すテンプレートに欠損が生じた状態を示す断面図である。
このテンプレート1は、図1(a)に示すように、対向する第1及び第2の主面2a、2bを有し、第1の主面2aに凹部3a及び凸部3bを含む凹凸パターン3が形成された母材2と、凹凸パターン3の表面に形成された離型層(第1の離型層)4とを備える。
母材2の凹凸パターン3は、例えばラインパターンとスペースパターンがピッチ100nm以下で規則的に繰り返されたライン・アンド・スペースパターン(Line and Space Pattern)を含む。母材2は、例えば光透過性を有する石英から形成されている。
離型層4の形成には、インプリント材料に対して離型性を高める材料、例えばヘキサメチルジシラザン等のシランカップリング剤や、フッ化炭化水素等のフッ素系材料等を用いることができる。本実施の形態では、フッ化炭化水素を用いる。離型層4は、例えば1nm程度の膜厚を有する。ここで、「離型性」とは、インプリント材料の硬化後、インプリント材料とテンプレートとを分離(離型)する際の特性をいう。離型性を向上させることにより、硬化したインプリント材料のパターンを損傷なく離型することができる。
(テンプレートの使用)
テンプレート1は、例えば以下のようなナノインプリント法において使用される。すなわち、基板上に形成された被加工膜上に光硬化性樹脂からなるインプリント材料を塗布し、インプリント材料にテンプレート1の第1の主面2aを接触させた状態で第2の主面2b側から紫外線をインプリント材料に照射し、インプリント材料を硬化させる。次に、テンプレート1を硬化したインプリント材料から離型することにより、凹凸パターン3がインプリント材料に転写される。凹凸パターン3が転写されたインプリント材料をマスクとしてRIE(Reactive Ion Etching)法により被加工膜をエッチングする。なお、インプリント材料には、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を用いてもよい。
テンプレート1は、例えば以下のようなナノインプリント法において使用される。すなわち、基板上に形成された被加工膜上に光硬化性樹脂からなるインプリント材料を塗布し、インプリント材料にテンプレート1の第1の主面2aを接触させた状態で第2の主面2b側から紫外線をインプリント材料に照射し、インプリント材料を硬化させる。次に、テンプレート1を硬化したインプリント材料から離型することにより、凹凸パターン3がインプリント材料に転写される。凹凸パターン3が転写されたインプリント材料をマスクとしてRIE(Reactive Ion Etching)法により被加工膜をエッチングする。なお、インプリント材料には、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を用いてもよい。
テンプレート1を繰り返し使用すると、図1(b)に示すように、凹凸パターン3に微細な欠損部分5が生じる場合がある。欠損部分5は、例えば離型層4が削れた欠損部分5aと、母材2が抉れた凹状の欠損部分5bからなる。欠損部分5は、凹部3aの底面や側面、又は凸部3bに形成される。このような欠損部分5は、次に説明するテンプレート補修装置によって補修することが可能である。
[第1の実施の形態]
図2は、第1の実施の形態に係るテンプレート補修装置の概略の構成例を示すブロック図である。
図2は、第1の実施の形態に係るテンプレート補修装置の概略の構成例を示すブロック図である。
このテンプレート補修装置10は、図1(b)に示すような欠損部分5を有するテンプレート1を補修するものである。また、テンプレート補修装置10は、テンプレートカセット部11と、液体ガラス処理部12と、洗浄部13と、ガラス焼成部14と、離型層形成部15と、テンプレート搬送部18、コントローラ19とを備える。
テンプレートカセット部11は、テンプレート1がセットされるテンプレートカセットを備える。
液体ガラス処理部12は、母材2の欠損部分5bを補修するためのガラス溶液を収容するガラス溶液槽を備え、テンプレート1の凹凸パターン3の表面をガラス溶液槽内のガラス溶液に浸漬可能に構成されている。ガラス溶液は、ガラス成分を含有する溶液である。
洗浄部13は、洗浄液を収容する洗浄液槽を備える。テンプレート1の凹凸パターン3の表面を洗浄液槽内の洗浄液に浸漬することで、テンプレート1の欠損部分5以外の離型層4に付着しているガラス溶液が洗浄されて除去される。なお、洗浄部13は、液体ガラス処理部12に備えられていてもよい。
ガラス焼成部14は、テンプレート1の欠損部分5bに付着したガラス溶液を固化する加熱手段を備える。加熱手段は、例えばホットプレートや赤外ランプ等を用いることができる。
離型層形成部15は、離型材を含む溶液を収容する離型材溶液槽を備え、テンプレート1の凹凸パターン3の表面を離型材溶液槽内の溶液に浸漬可能に構成されている。なお、離型層形成部15は、洗浄部13を備えていてもよい。
テンプレート搬送部18は、テンプレート1をテンプレートカセット部11、液体ガラス処理部12、洗浄部13、ガラス焼成部14及び離型層形成部15間で搬送する。
コントローラ19は、CPU190と、図4に示すようなプログラム等を記憶する半導体メモリ等の記憶部191とを備える。CPU190は、記憶部191に記憶されているプログラムに従って動作し、テンプレートカセット部11、液体ガラス処理部12、洗浄部13、ガラス焼成部14、離型層形成部15及びテンプレート搬送部18を制御してテンプレート1の補修を行う。
(第1の実施の形態の動作)
次に、第1の実施の形態に係るテンプレート補修装置10の動作を図1〜4を参照して説明する。図3(a)〜(d)は、第1の実施の形態に係るテンプレートの欠損部分の補修の様子を示す要部断面図である。図4は、第1の実施の形態に係るテンプレートの欠損部分の補修の工程例を示すフローチャートである。
次に、第1の実施の形態に係るテンプレート補修装置10の動作を図1〜4を参照して説明する。図3(a)〜(d)は、第1の実施の形態に係るテンプレートの欠損部分の補修の様子を示す要部断面図である。図4は、第1の実施の形態に係るテンプレートの欠損部分の補修の工程例を示すフローチャートである。
まず、所定のタイミングでテンプレート1をテンプレートカセット部11のテンプレートカセットにセットする。所定のタイミングは、適宜設定することが可能であるが、テンプレート1の凹凸パターン3の表面に欠損部分が発生していると予想されるタイミングとしても良い。例えばテンプレート1でパターンを形成した回数や処理ウェハの枚数等で管理することが考えられ、具体的には数ショット毎、数ウェハ毎または数ロット毎等の設定が可能である。テンプレート1の欠損部分5は、図3(a)に示すように、離型層4が剥がれ、母材2が抉られている。本補修工程では、欠損の有無の検査が不要であるが、欠損の有無を検査し、補修工程の要否を判断してもよい。
(1)ガラス溶液の付着工程
コントローラ19は、テンプレート1をテンプレートカセット部11から取り出して、テンプレート搬送部18により液体ガラス処理部12に搬送させる。
コントローラ19は、テンプレート1をテンプレートカセット部11から取り出して、テンプレート搬送部18により液体ガラス処理部12に搬送させる。
液体ガラス処理部12は、テンプレート1の凹凸パターン3の表面をガラス溶液槽内のガラス溶液6に浸漬する。図3(b)に示すように、ガラス溶液6が母材2の欠損部分5aに入り込み、母材2の材料の石英とガラス溶液6中のガラス成分との反応や、石英とガラス成分の分子間力等により石英にガラス溶液6が付着する(S1)。
ガラス溶液6は、母材2の材料の石英に対して親和性を有し、かつ、離型層4の材料のフッ化炭化水素に対して非親和性を有する。ガラス溶液6には、離型層4の材料のフッ化炭化水素に対して非親和性を有するように、メチル基等の有機基を有していないシロキサン構造のみを有する酸化ケイ素を含む溶液、例えばフッ酸の酸化ケイ素過飽和溶液を用いる。石英にフッ酸の酸化ケイ素過飽和溶液を付着させると、シロキシサン構造が石英が露出している欠損部分に形成されて組織化する。ここで、「非親和性」とは、母材2の材料に対して相対的に親和性が低いことを意味している。親和性を判断する方法としては、例えば、母材2の材料と離型層4の材料のそれぞれに対するガラス溶液6の接触角等によって判断することができる。従って、本実施の形態では、母材2の材料に対するガラス溶液6の接触角が、離型層4の材料に対するガラス溶液6に対して小さくなる。
ガラス溶液6の付着方法は、上記浸漬の他に、ガラス溶液6の塗布や接触、毛細管現象を利用してガラス溶液6を吸着させる等の方法を用いることができる。
ガラス溶液6の付着工程が終了すると、コントローラ19は、テンプレート1をテンプレート搬送部18により洗浄部13に搬送させる。
(2)洗浄工程
洗浄部13は、テンプレート1の凹凸パターン3の表面を洗浄液槽内の洗浄液に浸漬する。欠損部分5以外の離型層4に付着しているガラス溶液6が洗浄液によって洗浄されて除去される(S2)。一方、欠損部分5aに入り込んだガラス溶液6は母材2と組織化しており洗浄液によって除去されないため、テンプレート1の凹凸パターン3の表面に選択的にガラス溶液6を付着させることができる。洗浄液は、例えば、ガラス溶液のシンナー、具体的には希フッ酸を用いる。なお、洗浄は以下に記載するガラス溶液6の焼成工程後に行ってもよい。また、欠損部分5以外の離型層4にガラスが付着していない場合は、洗浄工程を省略してもよい。
洗浄部13は、テンプレート1の凹凸パターン3の表面を洗浄液槽内の洗浄液に浸漬する。欠損部分5以外の離型層4に付着しているガラス溶液6が洗浄液によって洗浄されて除去される(S2)。一方、欠損部分5aに入り込んだガラス溶液6は母材2と組織化しており洗浄液によって除去されないため、テンプレート1の凹凸パターン3の表面に選択的にガラス溶液6を付着させることができる。洗浄液は、例えば、ガラス溶液のシンナー、具体的には希フッ酸を用いる。なお、洗浄は以下に記載するガラス溶液6の焼成工程後に行ってもよい。また、欠損部分5以外の離型層4にガラスが付着していない場合は、洗浄工程を省略してもよい。
洗浄工程が終了すると、コントローラ19は、テンプレート1をテンプレート搬送部18によりガラス焼成部14に搬送させる。
(3)ガラス溶液の焼成工程
ガラス焼成部14は、図3(c)に示すように、テンプレート1の組織化したガラス溶液6を150〜250℃で焼成して固化させると、母材2に強固に固着したガラス体6aが形成される(S3)。この焼成工程でガラス溶液6が収縮して固化した場合、固化したガラス溶液6(ガラス体6a)の表面がテンプレート1の凹凸パターン3の表面に達しない可能性が考えられる。この場合、ガラス溶液6を用いた組織化と焼成工程を繰り返し行ってガラス体6a表面の位置を調整してもよい。
ガラス焼成部14は、図3(c)に示すように、テンプレート1の組織化したガラス溶液6を150〜250℃で焼成して固化させると、母材2に強固に固着したガラス体6aが形成される(S3)。この焼成工程でガラス溶液6が収縮して固化した場合、固化したガラス溶液6(ガラス体6a)の表面がテンプレート1の凹凸パターン3の表面に達しない可能性が考えられる。この場合、ガラス溶液6を用いた組織化と焼成工程を繰り返し行ってガラス体6a表面の位置を調整してもよい。
焼成工程が終了すると、コントローラ19は、テンプレート1をテンプレート搬送部18により離型層形成部15に搬送させる。
(3)離型材の付着工程
離型層形成部15は、図3(d)に示すように、テンプレート1の凹凸パターン3の表面を離型材溶液槽内の溶液に浸漬する。テンプレート1のガラス体6aは、大気に晒されると、空気中の水分子と反応して表面がOH基で覆われる。従って、離型材として、末端にOH基と反応する部位を有するものを用いると、離型材がOH基と反応してガラス体6aと結合し、ガラス体6aの表面に離型層(第2の離型層)7が形成される(S4)。既に離型層4が形成されている領域は、疎水性を有しており、離型材と反応しないため、ガラス体6aの表面に選択的に離型層7を形成することができる。
離型層形成部15は、図3(d)に示すように、テンプレート1の凹凸パターン3の表面を離型材溶液槽内の溶液に浸漬する。テンプレート1のガラス体6aは、大気に晒されると、空気中の水分子と反応して表面がOH基で覆われる。従って、離型材として、末端にOH基と反応する部位を有するものを用いると、離型材がOH基と反応してガラス体6aと結合し、ガラス体6aの表面に離型層(第2の離型層)7が形成される(S4)。既に離型層4が形成されている領域は、疎水性を有しており、離型材と反応しないため、ガラス体6aの表面に選択的に離型層7を形成することができる。
離型材には、例えばヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザンなどのシラザン化合物やフッ素含有シラザン化合物、フロロカーボン等のシランカップリング剤等を用いることができる。ガラス体6aの表面に形成する離型層(第2の離型層)7は、ガラス体6aの表面以外の離型層(第1の離型層)4と異なる材料で形成しても構わない。その場合には、部分的にインプリント材料の離型性(離型力)に差があると、その部位でインプリントパターンのもげ、切断等が生じるため、インプリント材料に対する離型性(離型力)が離型層4と同等の離型性を有する離型材を用いることが望ましい。
離型材の付着方法は、上記浸漬の他に、離型材を含む溶液の塗布や接触、離型材をN2でバブリングし、そのN2ガス中に離型材を含ませたガスやCVD(Chemical Vapor Deposition)法等を用いて気相中で固着面に選択的に反応させて形成する等の方法を用いることができる。
[第2の実施の形態]
図5は、第2の実施の形態に係るテンプレート補修装置の概略の構成例を示すブロック図である。本実施の形態は、第1の実施の形態の離型材の付着工程の代わりに、離型層7を除去し、テンプレート1の凹凸パターン3の表面全面に新たに離型層4を形成するようにしたものである。なお、以下の説明では、第1の実施の形態と同様の機能を有するものには同一の符号を付してその説明を省略する。
図5は、第2の実施の形態に係るテンプレート補修装置の概略の構成例を示すブロック図である。本実施の形態は、第1の実施の形態の離型材の付着工程の代わりに、離型層7を除去し、テンプレート1の凹凸パターン3の表面全面に新たに離型層4を形成するようにしたものである。なお、以下の説明では、第1の実施の形態と同様の機能を有するものには同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施の形態のテンプレート補修装置10は、図2に示すテンプレート補修装置10に対して離型層除去部16を付加したものであり、他は第1の実施の形態と同様に、テンプレートカセット部11、液体ガラス処理部12、洗浄部13、ガラス焼成部14、離型層形成部15、テンプレート搬送部18及びコントローラ19を備える。
テンプレート搬送部18は、テンプレート1をテンプレートカセット部11、液体ガラス処理部12、洗浄部13、ガラス焼成部14、離型層形成部15及び離型層除去部16間で搬送する。
コントローラ19は、CPU190と、図7に示すようなプログラム等を記憶する半導体メモリ等の記憶部191とを備える。CPU190は、作業者から補修開始指示があると、記憶部191に記憶されているプログラムに従って動作し、テンプレートカセット部11、液体ガラス処理部12、洗浄部13、ガラス焼成部14、離型層形成部15、離型層除去部16及びテンプレート搬送部18を制御してテンプレート1の補修を行う。
離型層除去部16は、離型層4を除去する除去機構を備え、テンプレート1の凹凸パターン3の表面に形成された離型層4を除去し、凹凸パターン3の表面の母材2を露出させることができる。離型層除去部16は、例えば、ガスを供給しながら離型層4を除去することができる離型層除去機構や溶解液を供給して離型層4を除去することができる離型層除去機構を有している。離型層4として、例えばフッ素系材料を用いた場合には、溶解液として、例えばフッ酸水溶液、フッ化アンモニウム水溶液やこれらの混合液など、フッ素イオンを含む溶液を用いることができる。また、離型層4がシランを含む材料の場合にはフッ素を含むプラスマで除去することができ、カーボンを含む材料の場合にはO3を供給しながら紫外光を照射することによって除去することができる。
(第2の実施の形態の動作)
次に、第2の実施の形態に係るテンプレート補修装置10の動作を図5〜7を参照して説明する。図6(a)〜(e)は、第2の実施の形態に係るテンプレートの欠損部分の補修の様子を示す要部断面図である。図7は、第3の実施の形態に係るテンプレートの欠損部分の補修の工程例を示すフローチャートである。なお、本実施の形態の動作を第1の実施の形態と相違する点を中心に説明する。
次に、第2の実施の形態に係るテンプレート補修装置10の動作を図5〜7を参照して説明する。図6(a)〜(e)は、第2の実施の形態に係るテンプレートの欠損部分の補修の様子を示す要部断面図である。図7は、第3の実施の形態に係るテンプレートの欠損部分の補修の工程例を示すフローチャートである。なお、本実施の形態の動作を第1の実施の形態と相違する点を中心に説明する。
第1の実施の形態と同様に、テンプレート1の凹凸パターン3の表面をガラス溶液6に浸漬した後(S1)、欠損部分5以外の離型層4に付着しているガラス溶液を洗浄液によって洗浄し(S2)、ガラス溶液6を焼成してガラス体6aを形成する(S3)。
離型層4が劣化している場合や離型層4にガラスが付着し、洗浄ではガラスを除去できない場合がある。このような場合に本実施の形態では、離型層4を次のように除去する(S5)。
焼成工程が終了すると、コントローラ19は、テンプレート1をテンプレート搬送部18により離型層除去部16に搬送させる。
離型層除去部16は、テンプレート1の凹凸パターン3の表面を離型層除去機構に設置して離型層4を除去する(S5)。
離型層の除去工程が終了すると、コントローラ19は、テンプレート1をテンプレート搬送部18により離型層形成部15に搬送させる。
離型層形成部15は、テンプレート1の凹凸パターン3の表面を離型材溶液槽内の溶液に浸漬し、凹凸パターン3の表面に新たに離型層(第2の離型層)7を形成する(S6)。本実施の形態では、一旦全ての離型層4を除去した後、テンプレート1の凹凸パターン3の表面全面に離型層7を形成している。これにより、複数回のインプリント工程を経て劣化した離型層4を除去して再度形成する工程と、テンプレート1の補修工程後の補修部分への離型層形成工程をまとめて行うことが可能となる。また、離型層4の表面にガラス溶液6が付着しても一旦全ての離型層4を除去することにより、離型層4上に付着したガラス溶液6も同時に除去されるため凹凸パターン3の表面の異物を抑制することができる。
[第3の実施の形態]
図8は、第3の実施の形態に係るテンプレート補修装置の概略の構成例を示すブロック図である。第1、第2の実施の形態では、欠損部分5に異物が存在しない場合について説明したが、第3の実施の形態は、欠損部分5に異物が存在する場合に異物除去のための前処理を行うようにしたものである。なお、以下の説明では、第1の実施の形態と同様の機能を有するものには同一の符号を付してその説明を省略する。
図8は、第3の実施の形態に係るテンプレート補修装置の概略の構成例を示すブロック図である。第1、第2の実施の形態では、欠損部分5に異物が存在しない場合について説明したが、第3の実施の形態は、欠損部分5に異物が存在する場合に異物除去のための前処理を行うようにしたものである。なお、以下の説明では、第1の実施の形態と同様の機能を有するものには同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施の形態のテンプレート補修装置10は、図2に示すテンプレート補修装置10に対して異物除去部17を付加したものであり、他は第1の実施の形態と同様に、テンプレートカセット部11、液体ガラス処理部12、洗浄部13、ガラス焼成部14、離型層形成部15、テンプレート搬送部18及びコントローラ19を備える。
テンプレート搬送部18は、テンプレート1をテンプレートカセット部11、液体ガラス処理部12、洗浄部13、ガラス焼成部14、離型層形成部15及び異物除去部17間で搬送する。
コントローラ19は、CPU190と、図10に示すようなプログラム等を記憶する半導体メモリ等の記憶部191とを備える。CPU190は、記憶部191に記憶されているプログラムに従って動作し、テンプレートカセット部11、液体ガラス処理部12、洗浄部13、ガラス焼成部14、離型層形成部15、異物除去部17及びテンプレート搬送部18を制御してテンプレート1の補修を行う。
異物除去部17は、母材2の材料の石英をエッチングするエッチング液(浸食性物質)を収容するエッチング液槽と、エッチング液で処理したテンプレート1の表面を水で洗浄する水洗浄部とを備え、テンプレート1の凹凸パターン3の表面をエッチング液槽内のエッチング液に浸漬可能に構成されている。テンプレート1の凹凸パターン3の表面をエッチング液に浸漬することで、母材2がエッチングされ、欠損部分5に入り込んだ異物を除去することができる。本実施の形態では、エッチング液として、例えばフッ化水素(フッ酸)またはフッ化アンモニウム溶液等を用いる。母材2をエッチングすることにより、欠損部分5に入り込んだ異物を取り除くことができる。
なお、異物のみを除去する処理を行ってもよい。例えば、異物としてインプリント材料のレジスト等が欠損部分5に残留する場合は酸化性の処理、例えばUV(ultraviolet)光を照射しながらのオゾン処理、過酸化水素水と硫酸の混合溶液による処理等を用いることができる。また、異物が金属の場合には、金属を溶解し、かつ、母材2と離型層4にダメージを与えない酸又はアルカリで除去してもよい。
(第3の実施の形態の動作)
次に、第3の実施の形態に係るテンプレート補修装置10の動作を図8〜10を参照して説明する。図9(a)〜(f)は、第3の実施の形態に係るテンプレートの欠損部分の補修の様子を示す要部断面図である。図10は、第3の実施の形態に係るテンプレートの欠損部分の補修の工程例を示すフローチャートである。なお、本実施の形態の動作を第1の実施の形態と相違する点を中心に説明する。また、本実施の形態のテンプレート1の離型層4は、ヘキサメチルジシラザンをカップリングさせてトリメチルシラン層として形成した場合について説明する。
次に、第3の実施の形態に係るテンプレート補修装置10の動作を図8〜10を参照して説明する。図9(a)〜(f)は、第3の実施の形態に係るテンプレートの欠損部分の補修の様子を示す要部断面図である。図10は、第3の実施の形態に係るテンプレートの欠損部分の補修の工程例を示すフローチャートである。なお、本実施の形態の動作を第1の実施の形態と相違する点を中心に説明する。また、本実施の形態のテンプレート1の離型層4は、ヘキサメチルジシラザンをカップリングさせてトリメチルシラン層として形成した場合について説明する。
まず、所定のタイミングでテンプレート1をテンプレートカセット部11のテンプレートカセットにセットする。
(1)異物の除去工程
コントローラ19は、テンプレート1をテンプレートカセット部11から取り出してテンプレート搬送部18により異物除去部17に搬送させる。
コントローラ19は、テンプレート1をテンプレートカセット部11から取り出してテンプレート搬送部18により異物除去部17に搬送させる。
異物除去部17は、テンプレート1の凹凸パターン3の表面をエッチング溶液槽内のエッチング液に浸漬する。異物8のインプリント材料はフッ酸には反応しない。また、離型層4が形成されている部分では、フッ酸の進入を抑制し、母材2の石英が浸食されるのを防ぐ。エッチング液は、図9(b)に示すように、異物8と母材2の間に染込み、母材2の石英を浸食していく。図9(c)に示すように、欠損部分5に埋まっているインプリント材料周辺の石英が溶解した段階で、異物8が石英の欠損部分5から放出される(S10)。
続いて異物除去部17は、テンプレート1を洗浄し、テンプレート1表面に残ったフッ酸を水洗浄部により除去する。
異物除去工程が終了すると、コントローラ19は、テンプレート1をテンプレート搬送部18により液体ガラス処理部12に搬送させる。
(2)ガラス溶液の付着工程
液体ガラス処理部12は、第1の実施の形態と同様に、テンプレート1の凹凸パターン3の表面をガラス溶液槽内のガラス溶液6に浸漬する。図9(d)に示すように、ガラス溶液6が母材2の欠損部分5bに入り込み、母材2の材料の石英とガラス成分との反応や石英とガラス成分の分子間力等により石英にガラス溶液6が付着し、ガラス体6aの表面に離型層(第2の離型層)7が形成される(S11)。既に離型層(第1の離型層)4が形成されている領域は疎水性を有しており、離型材と反応しないため、ガラス体6aの表面に選択的に離型層7を形成することができる。
液体ガラス処理部12は、第1の実施の形態と同様に、テンプレート1の凹凸パターン3の表面をガラス溶液槽内のガラス溶液6に浸漬する。図9(d)に示すように、ガラス溶液6が母材2の欠損部分5bに入り込み、母材2の材料の石英とガラス成分との反応や石英とガラス成分の分子間力等により石英にガラス溶液6が付着し、ガラス体6aの表面に離型層(第2の離型層)7が形成される(S11)。既に離型層(第1の離型層)4が形成されている領域は疎水性を有しており、離型材と反応しないため、ガラス体6aの表面に選択的に離型層7を形成することができる。
ガラス溶液6は、母材2の材料の石英に対して親和性を有し、かつ、離型層4の材料のトリメチルシランに対して非親和性を有する。ガラス溶液6は、離型層4の材料のトリメチルシランに対して非親和性を有するように、メチル基等の有機基を有していないシロキサン構造のみを有する酸化ケイ素を含む溶液、例えばフッ酸の酸化ケイ素過飽和溶液を用いる。石英にフッ酸の酸化ケイ素過飽和溶液を付着させると、シロキシサン構造が石英が露出している欠損部分に形成されて組織化する。
ガラス溶液6の付着工程が終了すると、コントローラ19は、テンプレート1をテンプレート搬送部18により洗浄部13に搬送させる。
(3)洗浄工程
洗浄部13は、テンプレート1の凹凸パターン3の表面を洗浄液槽内の洗浄液に浸漬する。欠損部5以外の離型層4に付着しているガラス溶液が洗浄液によって洗浄されて除去される(S12)。
洗浄部13は、テンプレート1の凹凸パターン3の表面を洗浄液槽内の洗浄液に浸漬する。欠損部5以外の離型層4に付着しているガラス溶液が洗浄液によって洗浄されて除去される(S12)。
洗浄工程が終了すると、コントローラ19は、テンプレート1をテンプレート搬送部18によりガラス焼成部14に搬送させる。
(4)ガラス溶液の焼成工程
ガラス焼成部14は、図9(e)に示すように、テンプレート1の組織化したガラス溶液6を150〜250℃で焼成して固化させると、母材2に強固に固着したガラス体6aが形成される(S13)。
ガラス焼成部14は、図9(e)に示すように、テンプレート1の組織化したガラス溶液6を150〜250℃で焼成して固化させると、母材2に強固に固着したガラス体6aが形成される(S13)。
焼成工程が終了すると、コントローラ19は、テンプレート1をテンプレート搬送部18により離型層形成部15に搬送させる。
(5)離型材の付着
離型層形成部15は、図9(e)に示すように、テンプレート1の凹凸パターン3の表面を離型材を含む溶液に浸漬する。テンプレート1のガラス体6aは、大気に晒されると、空気中の水分子と反応して表面がOH基で覆われる。従って、離型材として、第1の実施の形態と同様に、末端にOH基と反応する部位を有するものを用いると、離型材がOH基と反応してガラス体6aと結合する(S14)。本実施の形態では、欠損部分5に異物が存在する場合であっても、異物を除去してからテンプレート1の補修を行うことができる。
離型層形成部15は、図9(e)に示すように、テンプレート1の凹凸パターン3の表面を離型材を含む溶液に浸漬する。テンプレート1のガラス体6aは、大気に晒されると、空気中の水分子と反応して表面がOH基で覆われる。従って、離型材として、第1の実施の形態と同様に、末端にOH基と反応する部位を有するものを用いると、離型材がOH基と反応してガラス体6aと結合する(S14)。本実施の形態では、欠損部分5に異物が存在する場合であっても、異物を除去してからテンプレート1の補修を行うことができる。
[第4の実施の形態]
図11は、第4の実施の形態に係るテンプレート補修装置の概略の構成例を示すブロック図である。本実施の形態は、第3の実施の形態の離型材の付着工程の代わりに、離型層(第1の離型層)4を除去し、新たに離型層(第2の離型層)7を形成するようにしたものである。なお、以下の説明では、第3の実施の形態と同様の機能を有するものには同一の符号を付してその説明を省略する。
図11は、第4の実施の形態に係るテンプレート補修装置の概略の構成例を示すブロック図である。本実施の形態は、第3の実施の形態の離型材の付着工程の代わりに、離型層(第1の離型層)4を除去し、新たに離型層(第2の離型層)7を形成するようにしたものである。なお、以下の説明では、第3の実施の形態と同様の機能を有するものには同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施の形態のテンプレート補修装置10は、図8に示すテンプレート補修装置10に対して離型層除去部16を付加したものであり、他は第3の実施の形態と同様に、テンプレートカセット部11、液体ガラス処理部12、洗浄部13、ガラス焼成部14、離型層形成部15、異物除去部17、テンプレート搬送部18及びコントローラ19を備える。
テンプレート搬送部18は、テンプレート1をテンプレートカセット部11、液体ガラス処理部12、洗浄部13、ガラス焼成部14、離型層形成部15、離型層除去部16及び異物除去部17間で搬送する。
コントローラ19は、CPU190と、図13に示すようなプログラム等を記憶する半導体メモリ等の記憶部191とを備える。CPU190は、記憶部191に記憶されているプログラムに従って動作し、テンプレートカセット部11、液体ガラス処理部12、洗浄部13、ガラス焼成部14、離型層形成部15、離型層除去部16、異物除去部17及びテンプレート搬送部18を制御してテンプレート1の補修を行う。
(第4の実施の形態の動作)
次に、第4の実施の形態に係るテンプレート補修装置10の動作を図11〜13を参照して説明する。図12(a)〜(g)は、第4の実施の形態に係るテンプレートの欠損部分の補修の様子を示す要部断面図である。図13は、第4の実施の形態に係るテンプレートの欠損部分の補修の工程例を示すフローチャートである。なお、本実施の形態の動作を第3の実施の形態と相違する点を中心に説明する。
次に、第4の実施の形態に係るテンプレート補修装置10の動作を図11〜13を参照して説明する。図12(a)〜(g)は、第4の実施の形態に係るテンプレートの欠損部分の補修の様子を示す要部断面図である。図13は、第4の実施の形態に係るテンプレートの欠損部分の補修の工程例を示すフローチャートである。なお、本実施の形態の動作を第3の実施の形態と相違する点を中心に説明する。
第3の実施の形態と同様に、図12(a)〜(c)に示すように異物8を除去し(S10)、図12(d)に示すように、テンプレート1の凹凸パターン3の表面をガラス溶液6に浸漬した後(S11)、欠損部分5以外の離型層4に付着しているガラス溶液を洗浄液によって洗浄し(S12)、図12(e)に示すように、ガラス溶液6を焼成してガラス体6aを形成する(S13)。
離型層4が劣化している場合や離型層4にガラスが付着し、洗浄ではガラスを除去できない場合がある。このような場合に本実施の形態では、離型層4を次のように除去する(S15)。
焼成工程が終了すると、コントローラ19は、テンプレート1をテンプレート搬送部18により離型層除去部16に搬送させる。
離型層除去部16は、図12(f)に示すように、テンプレート1の凹凸パターン3の表面全面に形成されている離型層4を除去する(S15)。
離型層の除去工程が終了すると、コントローラ19は、テンプレート1をテンプレート搬送部18により離型層形成部15に搬送させる。
離型層形成部15は、テンプレート1の凹凸パターン3の表面を離型材溶液槽内の離型材の溶液に浸漬し、凹凸パターン3の表面に新たに離型層7を形成する(S16)。
[第5の実施の形態]
図14は、第5の実施の形態に係るインプリント装置の概略の構成例を示す図である。
図14は、第5の実施の形態に係るインプリント装置の概略の構成例を示す図である。
このインプリント装置100は、上述した第1、第2、第3又は第4の実施の形態に係るテンプレート補修装置10を含んで構成されている。インプリント装置100は、チャンバ101を有し、このチャンバ101内に、テンプレート1を保持する保持部材102、シリコン等からなる基板110を上昇させてテンプレート1に押し付ける加圧ステージ103、及びテンプレート1を介してUV光を照射する光源104を配置している。
基板110上には、被加工膜111と、被加工膜111上に塗布されたインプリント材料112が形成されている。被加工膜111は、例えば半導体膜、絶縁体膜又は金属膜等からなる。
また、インプリント装置100は、インプリントカウンタ120を介して加圧ステージ103を制御するとともに、光源104を駆動制御するメインコントローラ121と、液晶ディスプレイ等の表示部122とを備える。
インプリントカウンタ120は、メインコントローラ121から加圧ステージ103に対する動作指令信号に基づいて加圧ステージ103の動作回数をカウントし、カウント値をメインコントローラ121に出力する。
加圧ステージ103は、基板110を油圧、空気圧、モータ等により上下動させる機構を有し、メインコントローラ121からの動作指令信号に基づいて、基板110を上下動させる。
メインコントローラ121は、CPU121aと、半導体メモリ等から構成され、プログラムやインプリント回数の基準値等を記憶する記憶部121bとを備える。CPU121aは、記憶部121bに記憶されているプログラムに従い、加圧ステージ110及び光源104を制御してインプリントの制御を行う。また、CPU121aは、インプリントカウンタ120から受け付けたインプリント回数が記憶部121bに記憶されている基準値に達すると、その旨及びインプリント回数を表示部122に表示する。インプリント回数の基準値の設定単位としては、例えばショット回数、処理ウェハ枚数又は処理ロット数等である。
(インプリント装置の動作)
次に、インプリント装置100の概略の動作を説明する。基板110がインプリント装置100に搬送されると、メインコントローラ121は、以下のようにインプリントの制御を行う。
次に、インプリント装置100の概略の動作を説明する。基板110がインプリント装置100に搬送されると、メインコントローラ121は、以下のようにインプリントの制御を行う。
メインコントローラ121は、上昇の動作指令信号をインプリントカウンタ120を介して加圧ステージ103に与える。加圧ステージ103は、上昇の動作指令信号に基づいて基板110を上昇させてテンプレート10にインプリント材料112を押し付ける。テンプレート10の凹凸パターン3内にインプリント材料112が充填される。
次に、メインコントローラ121は、光源104を駆動し、光源104からUV光をテンプレート1を介してインプリント材料112に照射させる。インプリント材料112はUV光の照射を受けて硬化する。
次に、メインコントローラ121は、下降の動作指令信号を加圧ステージ103に与える。加圧ステージ103は、下降の動作指令信号に基づいて基板110を下降させる。基板110の下降によってテンプレート1がインプリント材料112から離れる。
同一のテンプレート1についてインプリント回数が記憶部に記憶されている基準値に達すると、その旨及び回数を表示部122に表示する。
インプリント回数が予め設定しておいた基準値に達すると、テンプレート102はテンプレート補修装置10に搬送され、前記した第1から第4の実施の形態において説明したようにテンプレート1の補修を行う。補修を終えたテンプレート1はインプリント装置100に搬送され、再びインプリントに用いられる。
なお、上記実施の形態では、インプリントカウンタのカウント値(インプリント回数)が基準値に達したとき、テンプレートを補修するようにしたが、処理時間累積カウンタのカウント値(処理時間)がある基準値にしたとき、テンプレートを補修するようにしてもよい。
[第6の実施の形態]
図15は、第6の実施の形態に係るインプリント装置の概略の構成例を示す図である。本実施の形態は、第5の実施の形態のインプリントカウンタの代わりにロードセルを付加したものである。なお、以下の説明では、第5の実施の形態と同様の機能を有するものには同一の符号を付してその説明を省略する。
図15は、第6の実施の形態に係るインプリント装置の概略の構成例を示す図である。本実施の形態は、第5の実施の形態のインプリントカウンタの代わりにロードセルを付加したものである。なお、以下の説明では、第5の実施の形態と同様の機能を有するものには同一の符号を付してその説明を省略する。
このインプリント装置100は、上述した第1、第2、第3又は第4の実施の形態に係るテンプレート補修装置10を含んで構成されている。インプリント装置100は、第5の実施の形態と同様に、チャンバ101、保持部材102、加圧ステージ103、光源104、メインコントローラ121及び表示部122を備え、テンプレート10と保持部材102との間にロードセル105を設けている。
ロードセル105は、加圧ステージ103によって基板110が上昇し、テンプレート10の凹凸パターン3をインプリント材料112に転写する際の圧力を検出し、圧力に応じた検出信号をメインコントローラ121に出力するものである。
メインコントローラ121は、CPU121aと、半導体メモリ等から構成され、プログラムや圧力の許容範囲等を記憶する記憶部121bとを備える。CPU121aは、記憶部121bに記憶されているプログラムに従い、加圧ステージ110及び光源104を制御してインプリントの制御を行う。また、CPU121aは、ロードセル105からの検出信号が示す圧力が記憶部121bに記憶されている圧力の許容範囲から外れた異常圧力になると、その旨及び圧力値を表示部122に表示する。
インプリント時の圧力が異常圧力であると判断されると、テンプレート102はテンプレート補修装置10に搬送され、前記した第1から第4の実施の形態において説明したようにテンプレート1の補修を行う。補修を終えたテンプレート1はインプリント装置100に搬送され、再びインプリントに用いられる。
(実施の形態の効果)
以上説明した実施の形態によれば、母材に対して親和性を有し、かつ、離型層に対して非親和性を有する材料で母材の欠損部分を補修しているので、表面に離型層が形成された母材の欠損部分を選択的に補修することができる。また、上記補修工程は前記した第2及び第4の実施の形態に示したようにテンプレート1の凹凸パターン3の表面全面の離型層を形成しなおす工程と同じタイミングで行っても構わない。また、上記第1乃至第4の実施の形態テンプレートの補修方法では、テンプレートの検査工程で発見出来ない微小な欠損部分に対しても選択的に補修を行うことができる。従って、離型層を形成しなおす工程と同様所定のタイミングで定期的に実施するように設定しておいても構わない。
以上説明した実施の形態によれば、母材に対して親和性を有し、かつ、離型層に対して非親和性を有する材料で母材の欠損部分を補修しているので、表面に離型層が形成された母材の欠損部分を選択的に補修することができる。また、上記補修工程は前記した第2及び第4の実施の形態に示したようにテンプレート1の凹凸パターン3の表面全面の離型層を形成しなおす工程と同じタイミングで行っても構わない。また、上記第1乃至第4の実施の形態テンプレートの補修方法では、テンプレートの検査工程で発見出来ない微小な欠損部分に対しても選択的に補修を行うことができる。従って、離型層を形成しなおす工程と同様所定のタイミングで定期的に実施するように設定しておいても構わない。
(変形例)
上記各実施の形態では、母材が石英のテンプレートについて説明したが、母材は石英に限られず、他の材料でもよい。例えば、母材が酸化物(例えば、ガラス、パイレックスガラス、アルミナ、サファイアや酸化クロム、酸化モリブデン、酸化チタン、酸化ルテニウム、酸化イットリウム等の金属酸化物やこれらの窒化物等)であれば、上記各実施の形態のように、フッ酸の酸化ケイ素過飽和溶液等の液体ガラスを用いた補修が可能である。
上記各実施の形態では、母材が石英のテンプレートについて説明したが、母材は石英に限られず、他の材料でもよい。例えば、母材が酸化物(例えば、ガラス、パイレックスガラス、アルミナ、サファイアや酸化クロム、酸化モリブデン、酸化チタン、酸化ルテニウム、酸化イットリウム等の金属酸化物やこれらの窒化物等)であれば、上記各実施の形態のように、フッ酸の酸化ケイ素過飽和溶液等の液体ガラスを用いた補修が可能である。
また、テンプレートが熱インプリントに用いられ、母材がNi(ニッケル)から形成された場合には、Niの欠損部分にNi電鋳を行うことで欠損部分にNiが堆積する。適当量堆積させた後、欠損部分を埋めたNiに対して離型材を選択的に形成して補修してもよい。なお、離型層表面にもNiが堆積した場合には、Ni電鋳の後、離型層を剥離し、新たに離型層を形成してもよい。
母材の欠損部分を補修する材料は、母材と反応し、かつ、離型層と反応しない物質であって、その補修領域に求められる強度、光透過率等を満たす物質であれば、如何なるものも用いることができる。
離型層の欠損部分を補修する材料は、母材に形成されている離型層と同じである必要は無く、補修後の表面に対して反応性を有し、離型性能が母材に形成されている離型層とほぼ同じであればよい。
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲内で種々に変形実施が可能である。
例えば、本発明の要旨を変更しない範囲内で上記各実施の形態の構成要素を組み合わせることは可能である。また、工程の順序は上記実施の形態に限定されない。
1…テンプレート、2…母材、2a…第1の主面、2b…第2の主面、3…凹凸パターン、3a…凹部、3b…凸部、4…離型層(第1の離型層)、5,5a,5b…欠損部分、6…ガラス溶液、6a…ガラス体、7…離型層(第2の離型層)、8…異物、10…テンプレート補修装置、11…テンプレートカセット部、12…液体ガラス処理部、13…洗浄部、14…ガラス焼成部、15…離型層形成部、16…離型層除去部、17…異物除去部、18…テンプレート搬送部、19…コントローラ、100…インプリント装置、101…チャンバ、102…保持部材、103…加圧ステージ、104…光源、110…基板、111…被加工膜、112…インプリント材料、120…インプリントカウンタ、121…メインコントローラ、121a…CPU、121b…記憶部、122…表示部、190…CPU、191…記憶部
Claims (9)
- 母材と前記母材のパターン面に形成された第1の離型層とを備えたテンプレートの補修方法であって、前記パターン面に前記母材に対して親和性を有し、かつ、前記離型層に対して非親和性を有する材料を供給するテンプレート補修方法。
- 前記母材に対して親和性を有し、かつ、前記第1の離型層に対して非親和性を有する材料を供給した後、前記パターン面に供給した前記材料の表面に第2の離型層を形成する請求項1に記載のテンプレート補修方法。
- 前記母材に対して親和性を有し、かつ、前記第1の離型層に対して非親和性を有する材料を供給した後、前記1の離型層を除去し、前記パターン面及び前記パターン面に供給した前記材料の表面に第2の離型層を形成する請求項2に記載のテンプレート補修方法。
- 前記母材に対して親和性を有し、かつ、前記第1の離型層に対して非親和性を有する材料を供給する前に、前記パターン面に付着した異物を除去する請求項1〜3のいずれか1項に記載のテンプレート補修方法。
- 前記母材に対して親和性を有し、かつ、前記第一の離型層に対して非親和性を有する材料を供給する前に、前記パターン面に前記母材に対して浸食性を有する浸食性物質を供給する請求項1〜3のいずれか1項に記載のテンプレート補修方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項の記載のテンプレート補修方法により補修されたテンプレートを用いて基板上のインプリント材料に対しインプリントを行うパターン形成方法。
- 母材と前記母材のパターン面に形成された第1の離型層とを備えたテンプレートの補修装置であって、前記パターン面に前記母材に対して親和性を有し、かつ、前記離型層に対して非親和性を有する材料を供給する補修部を備えたテンプレート補修装置。
- 前記パターン面に供給した前記材料の表面に第2の離型層を形成する離型層形成部を備えた請求項7に記載のテンプレート補修装置。
- 前記第1の離型層を除去する離型層除去部を備えた請求項6または7に記載のテンプレート補修装置。
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