JP2011222828A - Method for handling semiconductor wafer - Google Patents

Method for handling semiconductor wafer Download PDF

Info

Publication number
JP2011222828A
JP2011222828A JP2010091531A JP2010091531A JP2011222828A JP 2011222828 A JP2011222828 A JP 2011222828A JP 2010091531 A JP2010091531 A JP 2010091531A JP 2010091531 A JP2010091531 A JP 2010091531A JP 2011222828 A JP2011222828 A JP 2011222828A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
semiconductor
support plate
adhesive
adhesive sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010091531A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Odajima
智 小田嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Polymer Co Ltd
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Polymer Co Ltd
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Polymer Co Ltd, Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Polymer Co Ltd
Priority to JP2010091531A priority Critical patent/JP2011222828A/en
Publication of JP2011222828A publication Critical patent/JP2011222828A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for handling a semiconductor wafer which can prevent a semiconductor wafer from having a crack when peeling an adhesive tape adhering to an adhesion layer.SOLUTION: A method for handling a semiconductor wafer 1 comprises: an adhesive sheet 11 with slight adhesiveness which adheres to a sheet support plate 10; the semiconductor wafer 1 which is bonded to a semiconductor support plate via an adhesion layer 3 and which has multiple chips 5 in the regions except a circumference 4. The multiple chips 5 of the semiconductor wafer 1 are adhered to the adhesive sheet 11 facing each other, the semiconductor support plate is peeled from the semiconductor wafer 1, and an adhesive tape 12 is adhered to the adhesion layer 3 which remains on the semiconductor wafer 1, in order to remove the adhesion layer 3 from the semiconductor wafer 1. A spacer 20 positioned at a peeling start position 13 in the circumference of the adhesive tape 12 is put and adhered firmly between the adhesive sheet 11 and the circumference 4 of the semiconductor wafer 1, which face each other, and then the adhesive tape 12 is gradually peeled from the peeling start position 13.

Description

本発明は、粘着シートに移し替えられてハンダリフロー装置にセットされる半導体ウェーハの取り扱い方法に関するものである。   The present invention relates to a method for handling a semiconductor wafer which is transferred to an adhesive sheet and set in a solder reflow apparatus.

半導体ウェーハには様々な種類があるが、近年、半導体の三次元積層化技術に資するチップオンウェーハが注目されている。この種の半導体ウェーハ１は、図４や図５に示すように、半導体サポート板２に接着層３で接着されて強度や剛性が確保され、周縁部（周縁から半径内方向に２．５〜３ｍｍ程度の部分）４以外の領域に複数のチップ５が並べて実装される。複数のチップ５が並べて実装されたら、フラックスが印刷され、複数のハンダボールが搭載されてハンダリフロー装置に供されるが、製造作業の便宜を図る観点から、フラックスの印刷前に保持具である粘着シート１１に移し替えられる（特許文献１、２参照）。   There are various types of semiconductor wafers, but in recent years, chip-on-wafers that contribute to semiconductor three-dimensional stacking technology have attracted attention. As shown in FIGS. 4 and 5, this type of semiconductor wafer 1 is bonded to a semiconductor support plate 2 with an adhesive layer 3 to ensure strength and rigidity. A plurality of chips 5 are mounted side by side in a region other than 4 (part of about 3 mm). When a plurality of chips 5 are mounted side by side, a flux is printed, and a plurality of solder balls are mounted and used for a solder reflow device. From the viewpoint of convenience of manufacturing work, it is a holder before the flux is printed. It is transferred to the adhesive sheet 11 (see Patent Documents 1 and 2).

この場合の取り扱い作業は、先ず、シート用支持板１０に粘着した粘着シート１１上に薄い半導体ウェーハ１の複数のチップ５を対向させて粘着（図６参照）し、半導体ウェーハ１から半導体サポート板２を剥離する。この際、半導体ウェーハ１は、粘着シート１１に複数のチップ５が粘着するものの、粘着シート１１に不要な周縁部４が隙間をおいて対向する。また、接着層３は、半導体サポート板２の剥離にかかわらず、少なくともその大部分が半導体ウェーハ１に残留する。   The handling operation in this case is as follows. First, a plurality of chips 5 of a thin semiconductor wafer 1 are adhered to an adhesive sheet 11 adhered to a sheet support plate 10 so as to face each other (see FIG. 6). 2 is peeled off. At this time, in the semiconductor wafer 1, although the plurality of chips 5 adhere to the adhesive sheet 11, the unnecessary peripheral edge 4 faces the adhesive sheet 11 with a gap. The adhesive layer 3 remains on the semiconductor wafer 1 at least most of the adhesive layer 3 regardless of the peeling of the semiconductor support plate 2.

半導体ウェーハ１から半導体サポート板２を剥離した後、半導体ウェーハ１の残留した接着層３上に半導体ウェーハ１に略対応する大きさの粘着テープ１２を粘着（図７参照）し、この粘着テープ１２をその周縁の端部、すなわち図８に示す剥離開始箇所１３から引き上げて剥離することにより、半導体ウェーハ１に残留した接着層３を粘着テープ１２と共に除去する。   After the semiconductor support plate 2 is peeled from the semiconductor wafer 1, an adhesive tape 12 having a size substantially corresponding to the semiconductor wafer 1 is adhered onto the remaining adhesive layer 3 of the semiconductor wafer 1 (see FIG. 7). Is removed from the edge of the periphery, that is, from the peeling start point 13 shown in FIG. 8, and the adhesive layer 3 remaining on the semiconductor wafer 1 is removed together with the adhesive tape 12.

特開２００６‐３２４８８号公報JP 2006-32488 A 特開２００２‐３２４７６７号公報JP 2002-324767 A

従来における半導体ウェーハ１の取り扱いは、以上のようになされ、粘着シート１１に薄い半導体ウェーハ１の不要な周縁部４が隙間をおいて単に対向し、粘着しない非粘着の浮いたままの状態なので、接着層３に粘着した粘着テープ１２を引き上げて剥離しようとすると、粘着テープ１２の剥離開始箇所１３における半導体ウェーハ１の周縁部４も共に引き上げられ、その結果、薄い半導体ウェーハ１にストレスが作用して図８に示すクラック６が生じ、後の製造工程に重大な支障を来たすという問題がある。   The conventional handling of the semiconductor wafer 1 is as described above, and the unnecessary peripheral edge 4 of the thin semiconductor wafer 1 is simply opposed to the adhesive sheet 11 with a gap, and is in a non-adhesive floating state that does not adhere. When the pressure-sensitive adhesive tape 12 adhered to the adhesive layer 3 is pulled up and peeled off, the peripheral edge 4 of the semiconductor wafer 1 at the peeling start point 13 of the pressure-sensitive adhesive tape 12 is also lifted, and as a result, stress acts on the thin semiconductor wafer 1. As a result, the crack 6 shown in FIG. 8 occurs, which causes a serious problem in the subsequent manufacturing process.

本発明は上記に鑑みなされたもので、接着層に粘着した粘着テープを剥離する場合に半導体ウェーハにクラックが生じるのを防ぐことのできる半導体ウェーハの取り扱い方法を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a method of handling a semiconductor wafer that can prevent cracks in the semiconductor wafer when the adhesive tape adhered to the adhesive layer is peeled off.

本発明においては上記課題を解決するため、微粘着性の粘着シートと、半導体サポート板に接着層を介して接着され、周縁部以外の領域に凹凸を備えた半導体ウェーハとを含み、粘着シートに半導体ウェーハの凹凸を対向させて粘着し、半導体ウェーハから半導体サポート板を取り外し、半導体ウェーハに残留した接着層に粘着テープを粘着して剥離することにより、半導体ウェーハから残留した接着層を除去する半導体ウェーハの取り扱い方法であって、
対向する粘着シートと半導体ウェーハの周縁部との間に、少なくとも粘着テープの剥離開始箇所に位置するスペーサを介在して固定し、その後、粘着テープを剥離開始箇所から剥離することを特徴としている。 In order to solve the above-mentioned problems in the present invention, a pressure-sensitive adhesive sheet and a semiconductor wafer that is bonded to a semiconductor support plate via an adhesive layer and has unevenness in a region other than the peripheral edge, Semiconductor that removes the adhesive layer remaining from the semiconductor wafer by sticking the unevenness of the semiconductor wafer facing each other, removing the semiconductor support plate from the semiconductor wafer, and sticking and peeling the adhesive tape to the adhesive layer remaining on the semiconductor wafer A wafer handling method,
The adhesive sheet and the peripheral edge of the semiconductor wafer that are opposed to each other are fixed by interposing a spacer located at least at the peeling start position of the adhesive tape, and then the adhesive tape is peeled off from the peeling start position.

なお、粘着シートをシリコーンゴムにより形成してシート用支持板に粘着し、スペーサをシリコーンゴムにより形成することができる。
また、半導体ウェーハから半導体サポート板をレーザ照射により取り外すことができる。 The pressure-sensitive adhesive sheet can be formed of silicone rubber and adhered to the sheet support plate, and the spacer can be formed of silicone rubber.
Further, the semiconductor support plate can be removed from the semiconductor wafer by laser irradiation.

ここで、特許請求の範囲における半導体サポート板やシート用支持板は、ガラス製、樹脂製、金属製を特に問うものではない。半導体ウェーハには、少なくともφ１００、１５０、２００、３００、４５０ｍｍのチップオンウェーハが含まれる。さらに、スペーサは、弾性を有する各種のエラストマーにより適宜形成することができる。   Here, the semiconductor support plate and the sheet support plate in the claims do not particularly need to be made of glass, resin, or metal. The semiconductor wafer includes at least φ100, 150, 200, 300, and 450 mm chip-on-wafers. Furthermore, the spacer can be appropriately formed of various elastic elastomers.

本発明によれば、粘着シートと粘着テープの剥離開始箇所に位置する半導体ウェーハの周縁部とをスペーサにより接着して一体化するので、剥離開始箇所を起点として接着層に粘着した粘着テープを剥離する場合に、少なくとも粘着テープの剥離開始箇所における半導体ウェーハの周縁部が揺れ動いたり、反るのを防ぐことができる。   According to the present invention, the adhesive sheet and the peripheral portion of the semiconductor wafer located at the peeling start location of the adhesive tape are integrated by bonding with the spacer, so that the adhesive tape adhered to the adhesive layer is peeled off from the peeling start location. In this case, it is possible to prevent the peripheral portion of the semiconductor wafer from shaking or warping at least at the peeling start point of the adhesive tape.

本発明によれば、接着層に粘着した粘着テープを剥離する場合に、粘着テープの剥離開始箇所における半導体ウェーハの周縁部が引き上げられ、半導体ウェーハにクラックが生じるのを有効に防ぐことができるという効果がある。   According to the present invention, when peeling the pressure-sensitive adhesive tape adhered to the adhesive layer, the peripheral edge of the semiconductor wafer at the peeling start point of the pressure-sensitive adhesive tape is pulled up, and it is possible to effectively prevent the semiconductor wafer from cracking. effective.

また、粘着シートをシリコーンゴムにより形成すれば、粘着シートに優れた耐熱性、耐候性、難燃性等を付与することができる。また、粘着シートをシート用支持板に粘着すれば、粘着シートの撓み等を防いで移し替え作業の便宜を図ることができる。さらに、スペーサをシリコーンゴムにより形成すれば、優れたゴム弾性、圧縮復元性、難燃性等を容易に得ることが可能となる。   Moreover, if the adhesive sheet is formed of silicone rubber, excellent heat resistance, weather resistance, flame retardancy, and the like can be imparted to the adhesive sheet. Further, if the adhesive sheet is adhered to the sheet support plate, it is possible to prevent the adhesive sheet from being bent or the like and facilitate the transfer operation. Furthermore, if the spacer is formed of silicone rubber, it is possible to easily obtain excellent rubber elasticity, compression recovery, flame retardancy, and the like.

本発明に係る半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態を模式的に示す部分断面説明図である。It is a fragmentary sectional view showing typically an embodiment of a semiconductor wafer handling method according to the present invention. 本発明に係る半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態における半導体ウェーハとスペーサとの関係を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the relationship between the semiconductor wafer and spacer in embodiment of the handling method of the semiconductor wafer which concerns on this invention. 本発明に係る半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態における粘着シートとスペーサとの関係を模式的に示す斜視説明図である。It is a perspective explanatory view showing typically the relation between an adhesive sheet and a spacer in an embodiment of a semiconductor wafer handling method according to the present invention. 半導体ウェーハとその複数のチップを模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a semiconductor wafer and its several chip | tip typically. 半導体ウェーハが半導体サポート板に接着された状態を模式的に示す部分断面説明図である。It is a partial cross section explanatory view showing typically the state where the semiconductor wafer was bonded to the semiconductor support board. 粘着シートに半導体ウェーハの複数のチップを粘着した状態を模式的に示す部分断面説明図である。It is a partial section explanatory view showing typically the state where a plurality of chips of a semiconductor wafer were stuck to an adhesive sheet. 半導体ウェーハの接着層に粘着テープを粘着した状態を模式的に示す部分断面説明図である。It is a partial section explanatory view showing typically the state where the adhesive tape was stuck to the adhesion layer of the semiconductor wafer. 半導体ウェーハにクラックが生じた状態を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the state which the crack produced in the semiconductor wafer.

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明すると、本実施形態における半導体ウェーハの取り扱い方法は、図１ないし図３に示すように、剛性を有するシート用支持板１０に粘着された薄い弾性の粘着シート１１と、半導体サポート板２に接着層３を介して接着され、複数のチップ５を備えた半導体ウェーハ１とを含み、複数のチップ５を有する半導体ウェーハ１を半導体サポート板２から粘着シート１１に移し替える場合に、粘着シート１１と半導体ウェーハ１との間に、粘着テープ１２の剥離開始箇所１３に位置する弾性のスペーサ２０を介在して固定するようにしている。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. A method for handling a semiconductor wafer in the present embodiment is a thin sticking to a sheet support plate 10 having rigidity as shown in FIGS. An elastic adhesive sheet 11 and a semiconductor wafer 1 that is bonded to the semiconductor support plate 2 via an adhesive layer 3 and includes a plurality of chips 5. The semiconductor wafer 1 having the plurality of chips 5 is removed from the semiconductor support plate 2. When transferring to the adhesive sheet 11, an elastic spacer 20 located at the peeling start location 13 of the adhesive tape 12 is interposed and fixed between the adhesive sheet 11 and the semiconductor wafer 1.

シート用支持板１０と粘着シート１１とは、少なくとも半導体ウェーハ１の大きさ以上の大きさに形成される。シート用支持板１０は、例えば表裏両面がそれぞれ平坦な平面円形のガラス板からなり、表面に粘着シート１１が着脱自在に粘着される。
粘着シート１１は、例えば、耐熱性、耐候性、難燃性等を有する単層のシリコーンゴムにより屈曲可能な平面円形に形成され、表裏両面がそれぞれ平坦に形成されて微粘着性が付与される。 The sheet support plate 10 and the pressure-sensitive adhesive sheet 11 are formed in a size at least larger than the size of the semiconductor wafer 1. The sheet support plate 10 is made of, for example, a flat circular glass plate whose front and back surfaces are flat, and an adhesive sheet 11 is detachably adhered to the surface.
The pressure-sensitive adhesive sheet 11 is formed into a flat circular shape that can be bent by, for example, a single-layer silicone rubber having heat resistance, weather resistance, flame retardancy, and the like, and both front and back surfaces are formed flat to impart a slight adhesive property. .

半導体サポート板２は、例えば表裏両面が平坦な平面円形のガラス板からなり、表裏いずれかの片面に接着剤の塗布により薄い接着層３が積層形成されており、この接着層３に薄い半導体ウェーハ１が接着される。
半導体ウェーハ１は、例えば薄く撓みやすいφ２００ｍｍ、厚さ１００μｍ以下のシリコンウェーハからなり、半導体サポート板２の接着層３に接着されて強度や剛性が確保された後、不要な周縁部４を除く領域に複数のチップ５が縦横に並べて実装されることにより、チップオンウェーハとされる。 The semiconductor support plate 2 is made of, for example, a flat circular glass plate whose both front and back surfaces are flat, and a thin adhesive layer 3 is laminated on either one of the front and back surfaces by applying an adhesive, and a thin semiconductor wafer is formed on the adhesive layer 3. 1 is bonded.
The semiconductor wafer 1 is made of a silicon wafer having a diameter of 200 mm and a thickness of 100 μm or less, for example, which is thin and flexible, and is bonded to the adhesive layer 3 of the semiconductor support plate 2 to ensure strength and rigidity, and then excludes an unnecessary peripheral edge 4. A plurality of chips 5 are mounted side by side in the vertical and horizontal directions to form a chip-on-wafer.

スペーサ２０は、特に限定されるものではないが、例えばゴム弾性、圧縮復元性、難燃性等に優れるシリコーンゴム製のシートを適宜カットして薄い小型の板片形に形成され、半導体ウェーハ１の周縁部４に対向して沿うよう粘着シート１１の表面周縁部に粘着される。このスペーサ２０は、半導体ウェーハ１の周縁部４の幅やチップ５の厚さ等を考慮して大きさ、形状が整えられ、粘着に際しては、シリコーン系の接着剤や両面粘着シート等が適宜使用される。   The spacer 20 is not particularly limited. For example, a sheet made of silicone rubber having excellent rubber elasticity, compression recovery property, flame retardancy, and the like is appropriately cut to form a thin small plate, and the semiconductor wafer 1 It adheres to the surface peripheral part of the adhesive sheet 11 so as to face the peripheral part 4. The spacer 20 is sized and shaped in consideration of the width of the peripheral edge 4 of the semiconductor wafer 1 and the thickness of the chip 5. For adhesion, a silicone-based adhesive or a double-sided adhesive sheet is appropriately used. Is done.

上記において、複数のチップ５が実装された半導体ウェーハ１を半導体サポート板２から粘着シート１１に移し替える場合には、先ず、用意した定形のスペーサ２０の平坦な表面両面に両面粘着シートをそれぞれ粘着し、シート用支持板１０に粘着した粘着シート１１の表面周縁部にスペーサ２０を粘着する（図３参照）。この際、スペーサ２０は、後に使用する粘着テープ１２の剥離開始箇所１３に位置するよう位置決め粘着される（図２参照）。   In the above, when the semiconductor wafer 1 on which the plurality of chips 5 are mounted is transferred from the semiconductor support plate 2 to the adhesive sheet 11, first, the double-sided adhesive sheet is adhered to both flat surfaces of the prepared regular spacer 20, respectively. And the spacer 20 is adhere | attached on the surface peripheral part of the adhesive sheet 11 adhere | attached on the support plate 10 for sheets (refer FIG. 3). At this time, the spacer 20 is positioned and adhered so as to be positioned at the peeling start point 13 of the adhesive tape 12 to be used later (see FIG. 2).

スペーサ２０を粘着したら、粘着シート１１の表面に上方から半導体ウェーハ１の複数のチップ５を対向させて粘着するとともに、スペーサ２０表面の両面粘着シートに半導体ウェーハ１の周縁部４を粘着固定してその自由な動きを予め規制し、半導体ウェーハ１から半導体サポート板２を剥離する。この半導体サポート板２の剥離方法は、特に限定されるものではないが、例えばレーザ照射法を採用すれば、半導体サポート板２を適切、かつ簡単に剥離することができる。   When the spacer 20 is adhered, the plurality of chips 5 of the semiconductor wafer 1 are adhered to the surface of the adhesive sheet 11 from above, and the peripheral edge 4 of the semiconductor wafer 1 is adhered and fixed to the double-sided adhesive sheet on the surface of the spacer 20. The free movement is regulated in advance, and the semiconductor support plate 2 is peeled from the semiconductor wafer 1. The method for peeling the semiconductor support plate 2 is not particularly limited. For example, if a laser irradiation method is employed, the semiconductor support plate 2 can be peeled appropriately and easily.

次いで、半導体ウェーハ１に残留した接着層３の表面に、半導体ウェーハ１のサイズ以上、好ましくは半導体ウェーハ１のサイズよりもやや大きい粘着テープ１２を隙間なく粘着して積層（図１参照）し、その後、粘着テープ１２を剥離開始箇所１３から徐々に引き上げて剥離すれば、半導体ウェーハ１に残留した接着層３を粘着テープ１２と共に適切に除去することができる。   Next, on the surface of the adhesive layer 3 remaining on the semiconductor wafer 1, an adhesive tape 12 that is not smaller than the size of the semiconductor wafer 1, preferably slightly larger than the size of the semiconductor wafer 1 is adhered without any gaps (see FIG. 1). Thereafter, if the pressure-sensitive adhesive tape 12 is gradually pulled up and peeled off from the peeling start point 13, the adhesive layer 3 remaining on the semiconductor wafer 1 can be appropriately removed together with the pressure-sensitive adhesive tape 12.

粘着テープ１２としては、例えばポリエチレンテレフタレート、セロファン、塩化ビニル樹脂等からなるフィルムの片面にアクリル系、ウレタン系、シリコーン系、合成ゴム系、天然ゴム系、あるいはこれらの混合系の粘着剤が積層された市販のタイプを使用することができるが、残留した接着層３の素材に応じて選択すれば良い。接着層３の除去された半導体ウェーハ１は、その後、フラックスが印刷され、複数のハンダボールが搭載されてハンダリフロー装置に供される。   As the adhesive tape 12, for example, an acrylic, urethane, silicone, synthetic rubber, natural rubber, or mixed adhesive is laminated on one side of a film made of polyethylene terephthalate, cellophane, vinyl chloride resin or the like. A commercially available type can be used, but it may be selected according to the material of the adhesive layer 3 remaining. The semiconductor wafer 1 from which the adhesive layer 3 has been removed is then printed with a flux and loaded with a plurality of solder balls for use in a solder reflow apparatus.

上記によれば、粘着シート１１と粘着テープ１２の周縁の剥離開始箇所１３に該当する半導体ウェーハ１の周縁部４とをスペーサ２０により一体化し、部分的に固定するので、粘着テープ１２を引き上げて剥離する際、粘着テープ１２の剥離開始箇所１３における半導体ウェーハ１の周縁部４が共に引き上げられることがない。したがって、薄い半導体ウェーハ１にストレスが作用してクラック６が生じ、後の製造工程に重大な支障を来たすのを有効に抑制防止することができる。   According to the above, the adhesive sheet 11 and the peripheral edge portion 4 of the semiconductor wafer 1 corresponding to the peeling start point 13 on the peripheral edge of the adhesive tape 12 are integrated and partially fixed by the spacer 20, so the adhesive tape 12 is pulled up. When peeling, the peripheral edge 4 of the semiconductor wafer 1 at the peeling start point 13 of the adhesive tape 12 is not lifted together. Accordingly, it is possible to effectively suppress and prevent the stress 6 from acting on the thin semiconductor wafer 1 to cause the crack 6 and seriously hinder the subsequent manufacturing process.

また、スペーサ２０がペースト状の接着剤等ではなく、シリコーンゴムにより当初から取り扱いの容易な定形に形成されるので、粘着シート１１や半導体ウェーハ１に対するスペーサ２０の粘着作業が実に簡易となり、しかも、スペーサ２０の形状が崩れることにより、半導体ウェーハ１の周縁部４との間に隙間が生じて離れたり、半導体ウェーハ１が傾いて姿勢が悪化するのを有効に防止することができる。   In addition, since the spacer 20 is formed in a fixed shape that is easy to handle from the beginning with silicone rubber instead of a paste-like adhesive or the like, the adhesion work of the spacer 20 to the adhesive sheet 11 or the semiconductor wafer 1 becomes really simple, By breaking the shape of the spacer 20, it is possible to effectively prevent a gap from being generated and separated from the peripheral edge 4 of the semiconductor wafer 1, and the posture of the semiconductor wafer 1 from being inclined to be deteriorated.

なお、上記実施形態の半導体サポート板２やシート用支持板１０は、平面円形でも良いが、何らこれに限定されるものではなく、平面矩形や多角形等としても良い。また、半導体サポート板２は、半導体ウェーハ１とは別のシリコンウェーハ製の板としても良い。また、上記実施形態ではスペーサ２０を粘着シート１１に粘着した後、半導体ウェーハ１に粘着固定したが、スペーサ２０を半導体ウェーハ１の周縁部４に粘着した後、粘着シート１１の表面周縁部に粘着しても良いし、粘着シート１１の表面に半導体ウェーハ１の複数のチップ５を粘着後、粘着シート１１と半導体ウェーハ１の周縁部４との間にスペーサ２０を横方向から圧入して固定しても良い。   The semiconductor support plate 2 and the sheet support plate 10 of the above embodiment may be planar circles, but are not limited thereto, and may be planar rectangles, polygons, or the like. The semiconductor support plate 2 may be a silicon wafer plate different from the semiconductor wafer 1. In the above embodiment, the spacer 20 is adhered to the adhesive sheet 11 and then adhered and fixed to the semiconductor wafer 1. However, after the spacer 20 is adhered to the peripheral edge 4 of the semiconductor wafer 1, the spacer 20 is adhered to the surface peripheral edge of the adhesive sheet 11. Alternatively, after adhering the plurality of chips 5 of the semiconductor wafer 1 to the surface of the adhesive sheet 11, the spacer 20 is press-fitted from the lateral direction between the adhesive sheet 11 and the peripheral edge 4 of the semiconductor wafer 1 and fixed. May be.

また、剥離開始箇所１３以外の箇所で半導体ウェーハ１に損傷が予想されるのであれば、粘着テープ１２の剥離開始箇所１３以外の該当箇所に位置するスペーサ２０を介在して接着することもできる。さらに、スペーサ２０の材質は、何ら限定されるものではなく、例えば各種のエラストマー、具体的には自己粘着性のフッ素ゴム等により形成することもできる。   Further, if damage to the semiconductor wafer 1 is expected at a place other than the peeling start point 13, it can be bonded via a spacer 20 located at a corresponding place other than the peeling start point 13 of the adhesive tape 12. Furthermore, the material of the spacer 20 is not limited at all, and may be formed of, for example, various elastomers, specifically, self-adhesive fluororubber.

１ 半導体ウェーハ
２ 半導体サポート板
３ 接着層
４ 周縁部
５ チップ（凹凸）
６ クラック
１０ シート用支持板
１１ 粘着シート
１２ 粘着テープ
１３ 剥離開始箇所
２０ スペーサ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor wafer 2 Semiconductor support board 3 Adhesive layer 4 Peripheral part 5 Chip (unevenness)
6 Crack 10 Sheet support plate 11 Adhesive sheet 12 Adhesive tape 13 Separation start point 20 Spacer

Claims (2)

微粘着性の粘着シートと、半導体サポート板に接着層を介して接着され、周縁部以外の領域に凹凸を備えた半導体ウェーハとを含み、粘着シートに半導体ウェーハの凹凸を対向させて粘着し、半導体ウェーハから半導体サポート板を取り外し、半導体ウェーハに残留した接着層に粘着テープを粘着して剥離することにより、半導体ウェーハから残留した接着層を除去する半導体ウェーハの取り扱い方法であって、
対向する粘着シートと半導体ウェーハの周縁部との間に、少なくとも粘着テープの剥離開始箇所に位置するスペーサを介在して固定し、その後、粘着テープを剥離開始箇所から剥離することを特徴とする半導体ウェーハの取り扱い方法。 It includes a slightly sticky pressure-sensitive adhesive sheet and a semiconductor wafer that is bonded to the semiconductor support plate via an adhesive layer and has unevenness in a region other than the peripheral portion, and is adhered to the pressure-sensitive adhesive sheet by facing the unevenness of the semiconductor wafer, A semiconductor wafer handling method for removing a residual adhesive layer from a semiconductor wafer by removing the semiconductor support plate from the semiconductor wafer and adhering and peeling the adhesive tape to the adhesive layer remaining on the semiconductor wafer,
A semiconductor characterized in that it is fixed between a facing adhesive sheet and a peripheral edge of a semiconductor wafer with a spacer located at least at a peeling start position of the adhesive tape, and then the adhesive tape is peeled off from the peeling start position. Wafer handling method. 粘着シートをシリコーンゴムにより形成してシート用支持板に粘着し、スペーサをシリコーンゴムにより形成した請求項１記載の半導体ウェーハの取り扱い方法。   The method of handling a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the adhesive sheet is formed of silicone rubber and adhered to the sheet support plate, and the spacer is formed of silicone rubber.
JP2010091531A 2010-04-12 2010-04-12 Method for handling semiconductor wafer Pending JP2011222828A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010091531A JP2011222828A (en) 2010-04-12 2010-04-12 Method for handling semiconductor wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010091531A JP2011222828A (en) 2010-04-12 2010-04-12 Method for handling semiconductor wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011222828A true JP2011222828A (en) 2011-11-04

Family

ID=45039398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010091531A Pending JP2011222828A (en) 2010-04-12 2010-04-12 Method for handling semiconductor wafer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011222828A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016006058A1 (en) * 2014-07-09 2016-01-14 信越ポリマー株式会社 Thin-plate holding jig

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016006058A1 (en) * 2014-07-09 2016-01-14 信越ポリマー株式会社 Thin-plate holding jig
JPWO2016006058A1 (en) * 2014-07-09 2017-04-27 信越ポリマー株式会社 Thin plate holding jig

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5196838B2 (en) Manufacturing method of chip with adhesive
JP4746003B2 (en) Transfer device and transfer method
JP2008103494A (en) Fixed jig, and method and apparatus for picking up chip
JP2007109927A (en) Method and device for peeling surface protection film
JP2012033737A (en) Method for handling semiconductor wafer
TW202034412A (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2010283097A (en) Double sided adhesive sheet
JP2010286664A (en) Film sticking method and film sticking device
JP2010222021A (en) Adhesive holding tray
JP2011238815A (en) Adhesive sheet and semiconductor wafer handling method
JP5328422B2 (en) Electronic component holder
JP2011258625A (en) Method for handling semiconductor wafer
JP2011222828A (en) Method for handling semiconductor wafer
JP2013247136A (en) Tape and method for processing plate-like object using the tape
JP6170678B2 (en) Semiconductor wafer processing sheet and method for manufacturing the same
JP5294077B2 (en) Substrate laminate and method for separating the substrate laminate
JP6176883B2 (en) Thin plate holding jig
JP2011222588A (en) Method for handling semiconductor wafer
JP2006241332A (en) Pressure sensitive adhesive and pressure adhesive tape
JP2010258136A (en) Adhesive tape, and method of dividing wafer
JP2013236098A (en) Wafer processing sheet
JP2011233611A (en) Method of handling semiconductor wafer
JP5551457B2 (en) Support medium and support frame for adhesive sheet
JP2011238727A (en) Semiconductor wafer handling method
JP2014135336A (en) Semiconductor wafer processing sheet and manufacturing method of the same