JP2011222828A - Method for handling semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、粘着シートに移し替えられてハンダリフロー装置にセットされる半導体ウェーハの取り扱い方法に関するものである。 The present invention relates to a method for handling a semiconductor wafer which is transferred to an adhesive sheet and set in a solder reflow apparatus.
半導体ウェーハには様々な種類があるが、近年、半導体の三次元積層化技術に資するチップオンウェーハが注目されている。この種の半導体ウェーハ1は、図4や図5に示すように、半導体サポート板2に接着層3で接着されて強度や剛性が確保され、周縁部(周縁から半径内方向に2.5〜3mm程度の部分)4以外の領域に複数のチップ5が並べて実装される。複数のチップ5が並べて実装されたら、フラックスが印刷され、複数のハンダボールが搭載されてハンダリフロー装置に供されるが、製造作業の便宜を図る観点から、フラックスの印刷前に保持具である粘着シート11に移し替えられる(特許文献1、2参照)。
There are various types of semiconductor wafers, but in recent years, chip-on-wafers that contribute to semiconductor three-dimensional stacking technology have attracted attention. As shown in FIGS. 4 and 5, this type of
この場合の取り扱い作業は、先ず、シート用支持板10に粘着した粘着シート11上に薄い半導体ウェーハ1の複数のチップ5を対向させて粘着(図6参照)し、半導体ウェーハ1から半導体サポート板2を剥離する。この際、半導体ウェーハ1は、粘着シート11に複数のチップ5が粘着するものの、粘着シート11に不要な周縁部4が隙間をおいて対向する。また、接着層3は、半導体サポート板2の剥離にかかわらず、少なくともその大部分が半導体ウェーハ1に残留する。
The handling operation in this case is as follows. First, a plurality of
半導体ウェーハ1から半導体サポート板2を剥離した後、半導体ウェーハ1の残留した接着層3上に半導体ウェーハ1に略対応する大きさの粘着テープ12を粘着(図7参照)し、この粘着テープ12をその周縁の端部、すなわち図8に示す剥離開始箇所13から引き上げて剥離することにより、半導体ウェーハ1に残留した接着層3を粘着テープ12と共に除去する。
After the
従来における半導体ウェーハ1の取り扱いは、以上のようになされ、粘着シート11に薄い半導体ウェーハ1の不要な周縁部4が隙間をおいて単に対向し、粘着しない非粘着の浮いたままの状態なので、接着層3に粘着した粘着テープ12を引き上げて剥離しようとすると、粘着テープ12の剥離開始箇所13における半導体ウェーハ1の周縁部4も共に引き上げられ、その結果、薄い半導体ウェーハ1にストレスが作用して図8に示すクラック6が生じ、後の製造工程に重大な支障を来たすという問題がある。
The conventional handling of the
本発明は上記に鑑みなされたもので、接着層に粘着した粘着テープを剥離する場合に半導体ウェーハにクラックが生じるのを防ぐことのできる半導体ウェーハの取り扱い方法を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a method of handling a semiconductor wafer that can prevent cracks in the semiconductor wafer when the adhesive tape adhered to the adhesive layer is peeled off.
本発明においては上記課題を解決するため、微粘着性の粘着シートと、半導体サポート板に接着層を介して接着され、周縁部以外の領域に凹凸を備えた半導体ウェーハとを含み、粘着シートに半導体ウェーハの凹凸を対向させて粘着し、半導体ウェーハから半導体サポート板を取り外し、半導体ウェーハに残留した接着層に粘着テープを粘着して剥離することにより、半導体ウェーハから残留した接着層を除去する半導体ウェーハの取り扱い方法であって、
対向する粘着シートと半導体ウェーハの周縁部との間に、少なくとも粘着テープの剥離開始箇所に位置するスペーサを介在して固定し、その後、粘着テープを剥離開始箇所から剥離することを特徴としている。
In order to solve the above-mentioned problems in the present invention, a pressure-sensitive adhesive sheet and a semiconductor wafer that is bonded to a semiconductor support plate via an adhesive layer and has unevenness in a region other than the peripheral edge, Semiconductor that removes the adhesive layer remaining from the semiconductor wafer by sticking the unevenness of the semiconductor wafer facing each other, removing the semiconductor support plate from the semiconductor wafer, and sticking and peeling the adhesive tape to the adhesive layer remaining on the semiconductor wafer A wafer handling method,
The adhesive sheet and the peripheral edge of the semiconductor wafer that are opposed to each other are fixed by interposing a spacer located at least at the peeling start position of the adhesive tape, and then the adhesive tape is peeled off from the peeling start position.
なお、粘着シートをシリコーンゴムにより形成してシート用支持板に粘着し、スペーサをシリコーンゴムにより形成することができる。
また、半導体ウェーハから半導体サポート板をレーザ照射により取り外すことができる。
The pressure-sensitive adhesive sheet can be formed of silicone rubber and adhered to the sheet support plate, and the spacer can be formed of silicone rubber.
Further, the semiconductor support plate can be removed from the semiconductor wafer by laser irradiation.
ここで、特許請求の範囲における半導体サポート板やシート用支持板は、ガラス製、樹脂製、金属製を特に問うものではない。半導体ウェーハには、少なくともφ100、150、200、300、450mmのチップオンウェーハが含まれる。さらに、スペーサは、弾性を有する各種のエラストマーにより適宜形成することができる。 Here, the semiconductor support plate and the sheet support plate in the claims do not particularly need to be made of glass, resin, or metal. The semiconductor wafer includes at least φ100, 150, 200, 300, and 450 mm chip-on-wafers. Furthermore, the spacer can be appropriately formed of various elastic elastomers.
本発明によれば、粘着シートと粘着テープの剥離開始箇所に位置する半導体ウェーハの周縁部とをスペーサにより接着して一体化するので、剥離開始箇所を起点として接着層に粘着した粘着テープを剥離する場合に、少なくとも粘着テープの剥離開始箇所における半導体ウェーハの周縁部が揺れ動いたり、反るのを防ぐことができる。 According to the present invention, the adhesive sheet and the peripheral portion of the semiconductor wafer located at the peeling start location of the adhesive tape are integrated by bonding with the spacer, so that the adhesive tape adhered to the adhesive layer is peeled off from the peeling start location. In this case, it is possible to prevent the peripheral portion of the semiconductor wafer from shaking or warping at least at the peeling start point of the adhesive tape.
本発明によれば、接着層に粘着した粘着テープを剥離する場合に、粘着テープの剥離開始箇所における半導体ウェーハの周縁部が引き上げられ、半導体ウェーハにクラックが生じるのを有効に防ぐことができるという効果がある。 According to the present invention, when peeling the pressure-sensitive adhesive tape adhered to the adhesive layer, the peripheral edge of the semiconductor wafer at the peeling start point of the pressure-sensitive adhesive tape is pulled up, and it is possible to effectively prevent the semiconductor wafer from cracking. effective.
また、粘着シートをシリコーンゴムにより形成すれば、粘着シートに優れた耐熱性、耐候性、難燃性等を付与することができる。また、粘着シートをシート用支持板に粘着すれば、粘着シートの撓み等を防いで移し替え作業の便宜を図ることができる。さらに、スペーサをシリコーンゴムにより形成すれば、優れたゴム弾性、圧縮復元性、難燃性等を容易に得ることが可能となる。 Moreover, if the adhesive sheet is formed of silicone rubber, excellent heat resistance, weather resistance, flame retardancy, and the like can be imparted to the adhesive sheet. Further, if the adhesive sheet is adhered to the sheet support plate, it is possible to prevent the adhesive sheet from being bent or the like and facilitate the transfer operation. Furthermore, if the spacer is formed of silicone rubber, it is possible to easily obtain excellent rubber elasticity, compression recovery, flame retardancy, and the like.
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明すると、本実施形態における半導体ウェーハの取り扱い方法は、図1ないし図3に示すように、剛性を有するシート用支持板10に粘着された薄い弾性の粘着シート11と、半導体サポート板2に接着層3を介して接着され、複数のチップ5を備えた半導体ウェーハ1とを含み、複数のチップ5を有する半導体ウェーハ1を半導体サポート板2から粘着シート11に移し替える場合に、粘着シート11と半導体ウェーハ1との間に、粘着テープ12の剥離開始箇所13に位置する弾性のスペーサ20を介在して固定するようにしている。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. A method for handling a semiconductor wafer in the present embodiment is a thin sticking to a
シート用支持板10と粘着シート11とは、少なくとも半導体ウェーハ1の大きさ以上の大きさに形成される。シート用支持板10は、例えば表裏両面がそれぞれ平坦な平面円形のガラス板からなり、表面に粘着シート11が着脱自在に粘着される。
粘着シート11は、例えば、耐熱性、耐候性、難燃性等を有する単層のシリコーンゴムにより屈曲可能な平面円形に形成され、表裏両面がそれぞれ平坦に形成されて微粘着性が付与される。
The
The pressure-sensitive
半導体サポート板2は、例えば表裏両面が平坦な平面円形のガラス板からなり、表裏いずれかの片面に接着剤の塗布により薄い接着層3が積層形成されており、この接着層3に薄い半導体ウェーハ1が接着される。
半導体ウェーハ1は、例えば薄く撓みやすいφ200mm、厚さ100μm以下のシリコンウェーハからなり、半導体サポート板2の接着層3に接着されて強度や剛性が確保された後、不要な周縁部4を除く領域に複数のチップ5が縦横に並べて実装されることにより、チップオンウェーハとされる。
The
The
スペーサ20は、特に限定されるものではないが、例えばゴム弾性、圧縮復元性、難燃性等に優れるシリコーンゴム製のシートを適宜カットして薄い小型の板片形に形成され、半導体ウェーハ1の周縁部4に対向して沿うよう粘着シート11の表面周縁部に粘着される。このスペーサ20は、半導体ウェーハ1の周縁部4の幅やチップ5の厚さ等を考慮して大きさ、形状が整えられ、粘着に際しては、シリコーン系の接着剤や両面粘着シート等が適宜使用される。
The
上記において、複数のチップ5が実装された半導体ウェーハ1を半導体サポート板2から粘着シート11に移し替える場合には、先ず、用意した定形のスペーサ20の平坦な表面両面に両面粘着シートをそれぞれ粘着し、シート用支持板10に粘着した粘着シート11の表面周縁部にスペーサ20を粘着する(図3参照)。この際、スペーサ20は、後に使用する粘着テープ12の剥離開始箇所13に位置するよう位置決め粘着される(図2参照)。
In the above, when the semiconductor wafer 1 on which the plurality of
スペーサ20を粘着したら、粘着シート11の表面に上方から半導体ウェーハ1の複数のチップ5を対向させて粘着するとともに、スペーサ20表面の両面粘着シートに半導体ウェーハ1の周縁部4を粘着固定してその自由な動きを予め規制し、半導体ウェーハ1から半導体サポート板2を剥離する。この半導体サポート板2の剥離方法は、特に限定されるものではないが、例えばレーザ照射法を採用すれば、半導体サポート板2を適切、かつ簡単に剥離することができる。
When the
次いで、半導体ウェーハ1に残留した接着層3の表面に、半導体ウェーハ1のサイズ以上、好ましくは半導体ウェーハ1のサイズよりもやや大きい粘着テープ12を隙間なく粘着して積層(図1参照)し、その後、粘着テープ12を剥離開始箇所13から徐々に引き上げて剥離すれば、半導体ウェーハ1に残留した接着層3を粘着テープ12と共に適切に除去することができる。
Next, on the surface of the
粘着テープ12としては、例えばポリエチレンテレフタレート、セロファン、塩化ビニル樹脂等からなるフィルムの片面にアクリル系、ウレタン系、シリコーン系、合成ゴム系、天然ゴム系、あるいはこれらの混合系の粘着剤が積層された市販のタイプを使用することができるが、残留した接着層3の素材に応じて選択すれば良い。接着層3の除去された半導体ウェーハ1は、その後、フラックスが印刷され、複数のハンダボールが搭載されてハンダリフロー装置に供される。
As the
上記によれば、粘着シート11と粘着テープ12の周縁の剥離開始箇所13に該当する半導体ウェーハ1の周縁部4とをスペーサ20により一体化し、部分的に固定するので、粘着テープ12を引き上げて剥離する際、粘着テープ12の剥離開始箇所13における半導体ウェーハ1の周縁部4が共に引き上げられることがない。したがって、薄い半導体ウェーハ1にストレスが作用してクラック6が生じ、後の製造工程に重大な支障を来たすのを有効に抑制防止することができる。
According to the above, the
また、スペーサ20がペースト状の接着剤等ではなく、シリコーンゴムにより当初から取り扱いの容易な定形に形成されるので、粘着シート11や半導体ウェーハ1に対するスペーサ20の粘着作業が実に簡易となり、しかも、スペーサ20の形状が崩れることにより、半導体ウェーハ1の周縁部4との間に隙間が生じて離れたり、半導体ウェーハ1が傾いて姿勢が悪化するのを有効に防止することができる。
In addition, since the
なお、上記実施形態の半導体サポート板2やシート用支持板10は、平面円形でも良いが、何らこれに限定されるものではなく、平面矩形や多角形等としても良い。また、半導体サポート板2は、半導体ウェーハ1とは別のシリコンウェーハ製の板としても良い。また、上記実施形態ではスペーサ20を粘着シート11に粘着した後、半導体ウェーハ1に粘着固定したが、スペーサ20を半導体ウェーハ1の周縁部4に粘着した後、粘着シート11の表面周縁部に粘着しても良いし、粘着シート11の表面に半導体ウェーハ1の複数のチップ5を粘着後、粘着シート11と半導体ウェーハ1の周縁部4との間にスペーサ20を横方向から圧入して固定しても良い。
The
また、剥離開始箇所13以外の箇所で半導体ウェーハ1に損傷が予想されるのであれば、粘着テープ12の剥離開始箇所13以外の該当箇所に位置するスペーサ20を介在して接着することもできる。さらに、スペーサ20の材質は、何ら限定されるものではなく、例えば各種のエラストマー、具体的には自己粘着性のフッ素ゴム等により形成することもできる。
Further, if damage to the
1 半導体ウェーハ
2 半導体サポート板
3 接着層
4 周縁部
5 チップ(凹凸)
6 クラック
10 シート用支持板
11 粘着シート
12 粘着テープ
13 剥離開始箇所
20 スペーサ
DESCRIPTION OF
6 Crack 10
Claims (2)
対向する粘着シートと半導体ウェーハの周縁部との間に、少なくとも粘着テープの剥離開始箇所に位置するスペーサを介在して固定し、その後、粘着テープを剥離開始箇所から剥離することを特徴とする半導体ウェーハの取り扱い方法。 It includes a slightly sticky pressure-sensitive adhesive sheet and a semiconductor wafer that is bonded to the semiconductor support plate via an adhesive layer and has unevenness in a region other than the peripheral portion, and is adhered to the pressure-sensitive adhesive sheet by facing the unevenness of the semiconductor wafer, A semiconductor wafer handling method for removing a residual adhesive layer from a semiconductor wafer by removing the semiconductor support plate from the semiconductor wafer and adhering and peeling the adhesive tape to the adhesive layer remaining on the semiconductor wafer,
A semiconductor characterized in that it is fixed between a facing adhesive sheet and a peripheral edge of a semiconductor wafer with a spacer located at least at a peeling start position of the adhesive tape, and then the adhesive tape is peeled off from the peeling start position. Wafer handling method.
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WO2016006058A1 (en) * | 2014-07-09 | 2016-01-14 | 信越ポリマー株式会社 | Thin-plate holding jig |
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