JP2011222475A - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の実施形態にかかる有機発光表示装置は、複数の画素が定義された基板、各画素に位置した薄膜トランジスター、この薄膜トランジスターと連結された負極、この負極上に位置した有機発光層、及びこの有機発光層上に位置する正極を含む。正極は有機発光層上に位置する補助層、この補助層上に位置する導電層、及びこの導電層上に位置する絶縁層を含む。
【選択図】図3
Description
タングステン酸化物を800℃で40nmの厚さで熱蒸着して補助層を形成し、その上に銀を1000℃で12nmの厚さで熱蒸着して導電層を形成し、タングステン酸化物を800℃で40nmの厚さで熱蒸着して絶縁層を形成して正極を製造した。
導電層の厚さを16nmにして形成したこと以外には、実験例1の方法と同様にして正極を製造した。
導電層の厚さを24nmにして形成したこと以外には、実験例1の方法と同様にして正極を製造した。
導電層の厚さを29nmにして形成したこと以外には、実験例1の方法と同様にして正極を製造した。
導電層の厚さを40nmにして形成したこと以外には、実験例1の方法と同様にして正極を製造した。
導電層の厚さを50nmにして形成したこと以外には、実験例1の方法と同様にして正極を製造した。
インジウム・スズ酸化物をスパッタリングして正極を形成した。
101 有機発光表示装置
111 基板
120 バッファー層
131 スイッチング半導体層
132 駆動半導体層
135 チャンネル領域
136 ソース領域
137 ドレイン領域
151 ゲートライン
152 スイッチングゲート電極
155 駆動ゲート電極
158、178 蓄電板
160 層間絶縁膜
171 データライン
172 共通電源ライン
173 スイッチングソース電極
174 スイッチングドレイン電極
176 駆動ソース電極
177 駆動ドレイン電極
180 平坦化膜
190 画素定義膜
20 駆動薄膜トランジスター
70 有機発光素子
710 負極
720 有機発光層
730 正極
732 補助層
734 導電層
736 絶縁層
80 蓄電素子
Claims (16)
- 複数の画素が定義された基板、
前記各画素に位置した薄膜トランジスター、
前記薄膜トランジスターと連結された負極、
前記負極上に位置された有機発光層、及び
前記有機発光層上に位置する補助層、前記補助層上に位置する導電層、及び前記導電層上に位置する絶縁層を含む正極を含むことを特徴とする、有機発光表示装置。 - 前記補助層は、タングステン酸化物、モリブデン酸化物、フラーレン(C60)、銅フタロシアニン(copper phthalocyanine、CuPc)、テトラシアノキノジメタン(tetracyanoquinodimethane、TCNQ)、トリフェニルテトラゾリウムクロライド(triphenyltetrazoliumchloride、TTC)、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(naphthalenetetracarboxylic dianhydride、NTCDA)、ペリレンテトラカルボン酸二無水物(perylenetetracarboxylicdianhydride、PTCDA)及びフッ素化銅フタロシアニン(copperhexadecafluorophtalocyanine、F16CuPc)で構成される群より選択される物質を少なくとも1つ含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記導電層は、銀、アルミニウム、クロム、サマリウム及びこれらの合金で構成される群より選択される物質を少なくとも1つ含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記絶縁層は、シリコン酸化物、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、有機物及び無機物で構成される群より選択される物質を少なくとも1つ含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記補助層はタングステン酸化物を含み、前記導電層は銀を含み、前記絶縁層はタングステン酸化物を含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記補助層は、前記有機発光層を構成する層よりも低いエネルギー準位を有する物質を含むエネルギー準位が低い物質層及び双極子物質を含む双極子物質層が積層されて形成されることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記エネルギー準位が低い物質層はタングステン酸化物を含み、
前記双極子物質層はモリブデン酸化物、フラーレン、銅フタロシアニン、テトラシアノキノジメタン、トリフェニルテトラゾリウムクロライド、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、ペリレンテトラカルボン酸二無水物、フッ素化銅フタロシアニンで構成される群より選択される物質を少なくとも1つ含むことを特徴とする、請求項6に記載の有機発光表示装置。 - 前記導電層の厚さの範囲は8〜24nmであることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記絶縁層の厚さの範囲は30〜80nmであることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記エネルギー準位が低い物質層の厚さの範囲は5〜40nmであり、前記双極子物質層の厚さは10nm以下であることを特徴とする、請求項6に記載の有機発光表示装置。
- 前記補助層、前記導電層及び前記絶縁層は熱蒸着方法によって形成されることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 複数の画素が定義された基板を準備する段階、
前記各画素に薄膜トランジスターを形成する段階、
前記薄膜トランジスターと連結された負極を形成する段階、
前記負極上に有機発光層を形成する段階、及び
前記有機発光層上に正極を形成する段階を含み、
前記正極を形成する段階は、熱蒸着方法によって、補助層、導電層及び絶縁層を順に形成することを特徴とする、有機発光表示装置の製造方法。 - 前記補助層は、タングステン酸化物、モリブデン酸化物、フラーレン(C60)、銅フタロシアニン(copper phthalocyanine、CuPc)、テトラシアノキノジメタン(tetracyanoquinodimethane、TCNQ)、トリフェニルテトラゾリウムクロライド(triphenyltetrazoliumchloride、TTC)、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(naphthalenetetracarboxylic dianhydride、NTCDA)、ペリレンテトラカルボン酸二無水物(perylenetetracarboxylicdianhydride、PTCDA)及びフッ素化銅フタロシアニン(copperhexadecafluorophtalocyanine、F16CuPc)で構成される群より選択される物質を少なくとも1つ含むことを特徴とする、請求項12に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記導電層は、銀、アルミニウム、クロム、サマリウム及びこれらの合金で構成される群より選択される物質を少なくとも1つ含むことを特徴とする、請求項12に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記絶縁層は、シリコン酸化物、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、有機物及び無機物で構成される群より選択される物質を少なくとも1つ含むことを特徴とする、請求項12に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記補助層はタングステン酸化物を含み、前記導電層は銀を含み、前記絶縁層はタングステン酸化物を含むことを特徴とする、請求項12に記載の有機発光表示装置の製造方法。
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