JP2011211039A - Memory device, and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、記憶装置及びその製造方法に関し、特に、上下に配列された複数本の配線が共通接続された記憶装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a storage device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a storage device in which a plurality of wirings arranged vertically are connected and a manufacturing method thereof.
近年、特定の金属酸化物系の材料に電圧を印加すると、電圧印加前の抵抗率と印加した電圧の大きさによって、この材料が低抵抗状態と高抵抗状態の2つの状態をもつ現象が発見され、その現象を利用した新たな記憶装置が注目を集めている。この記憶装置をReRAM(Resistance Random Access Memory)という。ReRAMの実デバイス構造に関しては、高集積化の観点から、WL(ワードライン)とBL(ビットライン)の交点にメモリセルを配置する3次元クロスポイント構造が提案されている。 In recent years, when a voltage is applied to a specific metal oxide material, a phenomenon has been discovered in which the material has two states, a low resistance state and a high resistance state, depending on the resistivity before the voltage is applied and the magnitude of the applied voltage. Therefore, a new storage device using the phenomenon has been attracting attention. This storage device is called ReRAM (Resistance Random Access Memory). Regarding the real device structure of ReRAM, a three-dimensional cross-point structure in which memory cells are arranged at the intersections of WL (word lines) and BL (bit lines) has been proposed from the viewpoint of high integration.
特許文献1には、このようなクロスポイント型の記憶装置において、上下方向に配列された複数本のビット線又はワード線を1本のコンタクトによって共通接続する技術が提案されている。このコンタクトのコンタクトホールは一度のエッチングによって形成できるため、各層毎にコンタクトホールを形成する場合と比較して、工程数を減らして製造コストを低減することができる。特許文献1に記載の技術においては、上層の配線と下層の配線とを相互に少しずらして配置し、コンタクトの中間部分を上層の配線に引っかけて、下端を下層の配線に到達させている。この場合、コンタクトホールを形成するためのエッチングにおいて、配線をストッパとして使用する。すなわち、エッチングの先端がある配線に到達した後は、この配線がマスクとなる。
しかしながら、この技術においては、コンタクトホールの形成に際して、上層の配線は下層の配線よりもエッチングガスに曝される時間が長くなる。このため、上層の配線は下層の配線と比較してエッチングが進行し、コンタクトホール内に進入している部分の長さが短くなると共に、厚さが薄くなり、コンタクトとの間の接触抵抗が増加してしまう。これを補償するために、上層の配線については、コンタクトホール内に進入する部分の当初の長さを予め長く設定しておく必要があり、その分、コンタクトホールの直径を大きくする必要がある。これにより、チップ面積が増大してしまい、製品コストが増大してしまう。 However, in this technique, when the contact hole is formed, the upper layer wiring is exposed to the etching gas longer than the lower layer wiring. For this reason, etching of the upper layer wiring progresses as compared with the lower layer wiring, the length of the portion entering the contact hole is shortened, the thickness is reduced, and the contact resistance with the contact is reduced. It will increase. In order to compensate for this, for the upper layer wiring, it is necessary to set the initial length of the portion entering the contact hole long in advance, and it is necessary to increase the diameter of the contact hole accordingly. This increases the chip area and increases the product cost.
本発明の目的は、チップ面積を低減できる記憶装置及びその製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a memory device that can reduce the chip area and a manufacturing method thereof.
本発明の一態様によれば、それぞれが第1の方向に延びる複数本の第1配線を含む複数の第1配線層と、それぞれが前記第1の方向に対して交差する第2の方向に延びる複数本の第2配線を含み、前記第1配線層と1層ずつ交互に積層された複数の第2配線層と、前記第1配線と前記第2配線との間に設けられた第1の金属酸化膜と、相互に異なる前記第1配線層に属する2本以上の前記第1配線の側面に接した貫通ビアと、前記2本以上の第1配線のそれぞれの直上域の一部に設けられ、前記貫通ビアの側面に接した第2の金属酸化膜と、前記第1配線、前記第2配線及び前記貫通ビアの相互間に設けられ、金属酸化物を含有していない層間絶縁膜と、を備え、前記第1の金属酸化膜の組成は、前記第2の金属酸化膜の組成と同じであることを特徴とする記憶装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, a plurality of first wiring layers including a plurality of first wirings each extending in a first direction, and a second direction each intersecting the first direction. A plurality of second wiring layers including a plurality of second wirings extending and alternately stacked one by one with the first wiring layer, and a first provided between the first wiring and the second wiring. Metal oxide films, through vias in contact with side surfaces of two or more first wirings belonging to different first wiring layers, and a part of a region directly above each of the two or more first wirings A second metal oxide film provided in contact with a side surface of the through via and an interlayer insulating film provided between the first wiring, the second wiring, and the through via and not including a metal oxide And the composition of the first metal oxide film is the same as the composition of the second metal oxide film. Storage device is provided, wherein.
本発明の他の一態様によれば、それぞれが第1の方向に延びる複数本の第1配線を含む複数の第1配線層、及び、それぞれが前記第1の方向に対して交差する第2の方向に延びる複数本の第2配線を含む複数の第2配線層が1層ずつ交互に積層され、前記第1配線と前記第2配線との間に第1の金属酸化膜が設けられ、2本以上の前記第1配線のそれぞれの直上域の一部に組成が前記第1の金属酸化膜の組成と同じである第2の金属酸化膜が設けられ、前記第1配線及び前記第2配線の相互間が金属酸化物を含有していない層間絶縁膜によって埋め込まれた積層体を形成する工程と、前記積層体に対して、上方から見て前記第2の金属酸化膜の端縁を含む領域に、前記第2の金属酸化膜をストッパとしてエッチングを施すことにより、前記積層体に貫通ビアホールを形成する工程と、前記貫通ビアホール内に導電性材料を埋め込む工程と、を備えたことを特徴とする記憶装置の製造方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, a plurality of first wiring layers including a plurality of first wirings each extending in a first direction, and a second crossing each of the first directions with respect to the first direction. A plurality of second wiring layers including a plurality of second wirings extending in the direction are alternately stacked one by one, and a first metal oxide film is provided between the first wiring and the second wiring, A second metal oxide film whose composition is the same as the composition of the first metal oxide film is provided in a part of the region directly above each of the two or more first wirings, and the first wiring and the second wiring A step of forming a laminated body in which wirings are embedded with an interlayer insulating film not containing a metal oxide, and an edge of the second metal oxide film is formed on the laminated body as viewed from above The product is etched by etching the region including the second metal oxide film as a stopper. Forming a via hole in the body, the manufacturing method of the memory device characterized by comprising a burying a conductive material in the via hole is provided.
本発明によれば、チップ面積を低減できる記憶装置及びその製造方法を実現することができる。 According to the present invention, it is possible to realize a memory device that can reduce the chip area and a manufacturing method thereof.
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係る記憶装置を例示する平面図であり、
図2は、本実施形態に係る記憶装置を例示する斜視図であり、
図3は、本実施形態に係る記憶装置を例示する断面図である。
本実施形態に係る記憶装置はReRAMである。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
First, a first embodiment of the present invention will be described.
FIG. 1 is a plan view illustrating a storage device according to this embodiment.
FIG. 2 is a perspective view illustrating the storage device according to this embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the memory device according to this embodiment.
The storage device according to this embodiment is a ReRAM.
図1及び図2に示すように、本実施形態に係る記憶装置1においては、シリコン基板11が設けられており、シリコン基板11の上層部分及び上面上には、記憶装置1の駆動回路(図示せず)が形成されている。シリコン基板11上には、駆動回路を埋め込むように、例えばシリコン酸化物からなる層間絶縁膜12が設けられており、層間絶縁膜12上にはメモリセル部13が設けられている。メモリセル部13は複数設けられており、シリコン基板11の上面に平行な2方向に沿ってマトリクス状に配列されている。メモリセル部13の周囲及び相互間は、ビア領域19となっている。
As shown in FIGS. 1 and 2, in the
図2に示すように、メモリセル部13においては、シリコン基板11の上面に平行な一方向(以下、「ワード線方向」という)に延びる複数本のワード線WLからなるワード線配線層14と、シリコン基板11の上面に平行な方向であって、ワード線方向に対して交差、例えば直交する方向(以下、「ビット線方向」という)に延びる複数本のビット線BLからなるビット線配線層15とが、絶縁層を介して1層ずつ交互に積層されている。これにより、層間絶縁膜12上に、積層体20(図3参照)が形成されている。また、ワード線WL同士、ビット線BL同士、ワード線WLとビット線BLとは、相互に接していない。以下、ワード線WL及びビット線BLを総称して、単に「配線」ともいう。なお、ワード線方向及びビット線方向は、メモリセル部13間で異なっていてもよい。
As shown in FIG. 2, in the
そして、各ワード線WLと各ビット線BLとの最近接点には、シリコン基板11の上面に対して垂直な方向(以下、「上下方向」という)に延びるピラー16が設けられている。ピラー16は、ワード線WLとビット線BLとの間に形成されている。ワード線WL上に設けられたピラー16は、ワード線WLの上面及びビット線BLの下面に接しており、ビット線BL上に設けられたピラー16は、ビット線BLの上面及びワード線WLの下面に接している。
A
各ピラー16においては、下層側から順に、シリコンダイオード膜34、抵抗変化膜35及び電極膜36が積層されている。シリコンダイオード膜34は整流素子であり、抵抗変化膜35は記憶素子であり、金属酸化膜によって形成されている。また、1本のピラー16により、1つのメモリセルが構成されている。すなわち、記憶装置1は、ワード線WLとビット線BLとの最近接点毎にメモリセルが配置されたクロスポイント型の装置である。ワード線WL、ビット線BL及びピラー16の相互間は、層間絶縁膜17(図3参照)によって埋め込まれている。層間絶縁膜17は金属酸化物を含有していない絶縁材料によって形成されており、例えばシリコン酸化物によって形成されている。
In each
また、図3に示すように、ワード線WL及びビット線BLは、メモリセル部13からビア領域19まで引き出されており、ビア領域19において、その側面の一部及び上面の一部が貫通ビアZに接している。本実施形態においては、上下方向に配列され、上方から見て同じ位置にある複数本のワード線WLの側面の一部及び上面の一部が、1本の貫通ビアZに接している。これにより、これらのワード線WLは、貫通ビアZに接続されている。また、上下方向に配列され、上方から見て同じ位置にある複数本のビット線BLの側面及び上面も、1本の貫通ビア(図示せず)に接している。これにより、これらのビット線BLは、この1本の貫通ビアに接続されている。貫通ビアZは、上下方向に延び、積層体20及び層間絶縁膜12を貫通し、シリコン基板11に到達している。貫通ビアZの下端は、シリコン基板11の上面に形成された駆動回路における所定の部分、例えば、駆動回路の配線、ゲート電極、ソース層又はドレイン層に接続されている。なお、図3においては、積層体20が4層の配線層と3層のピラー層からなる例を示しているが、各層の数はこれに限定されない。
As shown in FIG. 3, the word line WL and the bit line BL are drawn from the
ワード線WLにおける貫通ビアZに接している部分に隣接する部分の直上域には、ダミーピラー18が設けられている。ダミーピラー18の層構造はピラー16の層構造と同一である。すなわち、各ダミーピラー18においては、下層側から順に、シリコンダイオード膜34、抵抗変化膜35及び電極膜36が設けられている。このダミーピラー18は、1本のワード線WLの上面及びこのワード線WLが接続された貫通ビアZの側面に接しているが、ビット線BLには接していない。このため、ダミーピラー18はメモリセルとしては機能しない。同様に、ビット線BLにおける貫通ビア(図示せず)に接している部分に隣接する部分の直上域にも、ダミーピラー(図示せず)が設けられている。このダミーピラーは、1本のビット線BLの上面及びこのビット線BLが接続された貫通ビアの側面に接しているが、ワード線WLには接していない。ダミーピラー18に設けられた抵抗変化膜35(第2の金属酸化膜)の組成及び膜厚は、それぞれ、ピラー16に設けられた抵抗変化膜35(第1の金属酸化膜)の組成及び膜厚と同じである。
A
以下、各部の材料の一例を説明する。
ワード線WL及びビット線BLにおいては、それぞれ、配線本体33が設けられており、配線本体33の側面上及び下面上にバリアメタル層32が設けられている。また、貫通ビアZにおいては、ビア本体46が設けられており、ビア本体46の側面上及び下面上にバリアメタル層45が設けられている。配線本体33及びビア本体46は、例えば、タングステン(W)によって形成されている。バリアメタル層32及び45は、例えば、チタン層とチタン窒化層からなる2層膜によって構成されている。
Hereinafter, an example of the material of each part will be described.
In each of the word line WL and the bit line BL, a
また、シリコンダイオード膜34は、例えば、p形シリコン層及びn形シリコン層が積層されて形成されている。又は、p形シリコン層、i形シリコン層、n形シリコン層が積層されて形成されている。抵抗変化膜35は金属酸化膜であり、例えば、AlOx、TiOx、NiOx、HfOx、MnOx、TaOx、ZrOx、CoOx若しくはIrOx等の2元系の金属酸化物、これらに添加元素を加えた3元系の金属酸化物、又はこれらが複合された多元系金属酸化物(Metal1−Metal2−Ox)により形成されている。電極膜36は、例えば、タングステン(W)、タングステン窒化物(WN)、タングステンアルミニウム(WAl)、タングステンシリサイド(WSi)等の導電性材料によって形成されている。
The
次に、本実施形態に係る記憶装置の製造方法について説明する。
図4〜図12は、本実施形態に係る記憶装置の製造方法を例示する図であり、各図の(a)は工程平面図であり、(b)は(a)に示すA−A’による工程断面図である。
先ず、図2及び図3に示すように、シリコン基板11の上面に、メモリセル部13を駆動するための駆動回路を形成する。次に、シリコン基板11上に、例えばシリコン酸化物(SiO2)を堆積させて、層間絶縁膜12を形成する。
Next, a method for manufacturing the storage device according to the present embodiment will be described.
4 to 12 are diagrams illustrating the method for manufacturing the memory device according to this embodiment. FIG. 4A is a process plan view, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line AA ′ shown in FIG. It is process sectional drawing by.
First, as shown in FIGS. 2 and 3, a drive circuit for driving the
次に、図4(a)及び(b)に示すように、ダマシン法により、最下層の配線を形成する。すなわち、リソグラフィ及びドライエッチングにより、層間絶縁膜12の上面にワード線WLを形成するための溝31を形成する。各メモリセル部13においては、複数本の溝31を相互に平行に且つ等間隔で形成する。また、このメモリセル部13から見て、ワード線方向両側に位置するビア領域19に、溝31を交互に引き出す。
Next, as shown in FIGS. 4A and 4B, the lowermost layer wiring is formed by the damascene method. That is, the
次に、PVD(Physical Vapor Deposition:物理気相成長)法により、チタン(Ti)とチタン窒化物(TiN)を堆積させて、チタン層及びチタン窒化層からなる2層膜を形成する。次に、CVD(chemical vapor deposition:化学気相成長)法により、タングステン(W)を堆積させて、タングステン層を形成する。その後、CMP(chemical mechanical polishing:化学的機械研磨)により、溝31の外側に堆積されたタングステン層、チタン窒化層及びチタン層を除去する。これにより、溝31の内面上に残留したチタン層及びチタン窒化層からなる2層膜がバリアメタル層32となり、溝31内に残留したタングステン層が配線本体33となる。バリアメタル層32及び配線本体33により、ワード線WLが形成される。
Next, titanium (Ti) and titanium nitride (TiN) are deposited by PVD (Physical Vapor Deposition) to form a two-layer film composed of a titanium layer and a titanium nitride layer. Next, tungsten (W) is deposited by CVD (chemical vapor deposition) to form a tungsten layer. Thereafter, the tungsten layer, the titanium nitride layer, and the titanium layer deposited on the outside of the
次に、図5(a)及び(b)に示すように、最下層の配線上に、メモリセル構造を実現するための複数の膜を順に積層する。すなわち、先ず、シリコンダイオード膜34を成膜する。シリコンダイオード膜34は、p形シリコン層及びn形シリコン層が積層されたpn形のシリコン積層膜、又は、p形シリコン層、i形シリコン層、n形シリコン層が積層されたpin形のシリコン積層膜とする。次に、抵抗変化膜35を成膜する。抵抗変化膜35は、AlOx、TiOx、NiOx、HfOx、MnOx、TaOx、ZrOx、CoOx若しくはIrOx等の金属酸化物、これらに添加元素を加えた3元系の金属酸化物、又はこれらが複合された多元系金属酸化物(Metal1−Metal2−Ox)により形成する。次に、電極膜36を形成する。電極膜36は、例えば、タングステン(W)、タングステン窒化物(WN)、タングステンアルミニウム(WAl)、タングステンシリサイド(WSi)等の高融点の導電性材料によって形成し、例えば、タングステン(W)によって形成する。電極膜36は、ピラー16の上部電極であると共に、製造時のマスク及びストッパとしても機能する膜である。以上の工程により、層間絶縁膜12及びワード線WL上に、シリコンダイオード膜34、抵抗変化膜35及び電極膜36を積層する。なお、これらの膜の他に、コンタクト層及びバリアメタル層等のデバイスの特性上又はプロセス上必要となる層を適宜形成してもよい。
Next, as shown in FIGS. 5A and 5B, a plurality of films for realizing the memory cell structure are sequentially stacked on the lowermost wiring. That is, first, the
次に、図6(a)及び(b)に示すように、リソグラフィにより、電極膜36上にレジストパターン37を形成する。レジストパターン37は、パターン37a及び37bによって構成する。パターン37aは、ピラー16(図3参照)を形成する予定の領域に形成する。すなわち、複数個のパターン37aをワード線WLの直上域にマトリクス状に形成する。一方、パターン37bは、ダミーピラー18(図3参照)を形成する予定の領域に形成する。すなわち、パターン37bは、ワード線WLにおけるビア領域19に引き出された端部の直上域に形成する。
Next, as shown in FIGS. 6A and 6B, a resist
次に、図7(a)及び(b)に示すように、レジストパターン37をマスクとして、ドライエッチングを施す。これにより、電極膜36、抵抗変化膜35及びシリコンダイオード膜34が選択的に除去されて、パターン37aの直下域にピラー16が形成されると共に、パターン37bの直下域にダミーピラー18が形成される。ピラー16及びダミーピラー18の層構造は相互に同一であり、シリコンダイオード膜34、抵抗変化膜35及び電極膜36がこの順に積層されている。ピラー16においては、シリコンダイオード膜34が整流素子として機能し、抵抗変化膜35が記憶素子として機能し、電極膜36が上部電極として機能することにより、ピラー16全体としてメモリセルとして機能する。一方、ダミーピラー18は、メモリセルとしては機能せず、ビアホールを加工する際にワード線WLの保護膜として機能する。
Next, as shown in FIGS. 7A and 7B, dry etching is performed using the resist
次に、図8(a)及び(b)に示すように、絶縁材料、例えば、シリコン酸化物を堆積させて、ピラー16及びダミーピラー18の相互間を埋め込み、絶縁膜38を形成する。次に、ピラー16及びダミーピラー18の電極膜36をストッパとして、絶縁膜38の上面に対してCMPを施す。これにより、絶縁膜38の上面を平坦化すると共に、ピラー16の上面及びダミーピラー18の上面を露出させる。
Next, as shown in FIGS. 8A and 8B, an insulating material, for example, silicon oxide is deposited to fill the space between the
次に、図9(a)及び(b)に示すように、絶縁膜38上に、例えばシリコン酸化物を堆積させて、絶縁膜39を形成する。次に、例えばダマシン法により、絶縁膜39内に2層目の配線として、ビット線BLを形成する。すなわち、絶縁膜39の上面にビット線BLを形成するための溝40を形成し、例えばPVD法により、チタン層及びチタン窒化層からなる2層膜を形成し、例えばCVD法によりタングステン層を形成する。そして、CMPを施して絶縁膜39の上面上からタングステン層、チタン窒化層及びチタン層を除去することにより、溝40の内部にビット線BLを形成する。ビット線BLも、ワード線WLと同様に、例えばタングステンからなる配線本体33と、配線本体33の下面及び側面を覆うバリアメタル層32とによって形成されている。ビット線BLはピラー16の直上域を繋ぐように配置され、ピラー16の上端部に接続されるが、ダミーピラー18の直上域には配置されず、ダミーピラー18には接続されない。
Next, as shown in FIGS. 9A and 9B, an insulating
次に、図10(a)及び(b)に示すように、上述の図6及び図7で説明した工程と同様な工程により、ビット線BL上にピラー16及びダミーピラー18を形成する。このとき、ダミーピラー18はビット線BLにおけるビア領域19に引き出された端部の直上域に形成されるが、図示されていない。以後、同様にして、ワード線WLを形成する工程、ピラー16及びダミーピラー18を形成する工程、ビット線BLを形成する工程、ピラー16及びダミーピラー18を形成する工程を繰り返す。このとき、後の工程において、貫通ビアZに接続する配線については、上層の配線ほど、引出部分の長さを短くして、配線の先端位置を階段状にずらす。これにより、上方から見て、下層の配線の引出端部が、それより上層の配線によって覆われなくなる。また、ダミーピラー18は、複数本のワード線WLのそれぞれの直上域に形成される。このようにして、積層体20が形成される。上述の絶縁膜38及び39(図9参照)並びにその後の工程において形成された同様の絶縁膜により、層間絶縁膜17が形成される。但し、この時点では、積層体20の最上層の配線はまだ形成されていない。
Next, as shown in FIGS. 10A and 10B, the
次に、図11(a)及び(b)に示すように、リソグラフィにより、積層体20上にレジストパターン41を成膜する。レジストパターン41においては、貫通ビアZ(図3参照)を形成する予定の領域に、開口部41aを形成する。上方から見て、開口部41aの形状は矩形又は長円形とする。また、開口部41aは、上方から見てダミーピラー18の端縁を含む領域に形成する。より具体的には、開口部41aは、レジストパターン41をマスクとして積層体20に対してエッチングを施したときに、開口部41aの直下域に形成される貫通ビアホール42の内部に、各段のダミーピラー18における配線の先端側の部分が介在すると共に、貫通ビアホール42がダミーピラー18における配線の先端側の側方を通過して、より下方まで形成されるような領域に形成する。
Next, as shown in FIGS. 11A and 11B, a resist
次に、レジストパターン41をマスクとして、積層体20に対してドライエッチングを施す。このドライエッチングは、金属酸化物からなる抵抗変化膜35に対するエッチングレートよりも、シリコン酸化物からなる層間絶縁膜17に対するエッチングレートの方が著しく大きくなるような条件で行う。これにより、抵抗変化膜35をエッチングストッパとして使用する。
Next, dry etching is performed on the
この結果、積層体20に貫通ビアホール42が形成される。貫通ビアホール42の下端はシリコン基板11の上面に形成された駆動回路の配線、ゲート電極、ソース領域又はドレイン領域等に到達する。このとき、貫通ビアホール42には、各段のダミーピラー18における配線の先端側の部分が介在する。すなわち、エッチングの進行に伴って、形成途中の貫通ビアホール42の下面がある段の抵抗変化膜35と同じ高さになったときに、貫通ビアホール42の下面の一部はダミーピラー18の抵抗変化膜35における配線の先端側の領域に到達し、そこでエッチングの進行が終了するため、その直下域はエッチングされない。一方、貫通ビアホール42の下面の残部は抵抗変化膜35から見て配線の先端側の領域に到達し、この領域には層間絶縁膜17が存在しているため、抵抗変化膜35を迂回して更にエッチングが進行する。これにより、貫通ビアホール42の形状は、ダミーピラー18の抵抗変化膜35が介在している部分においては、下方に向かうにつれて不連続的に細くなり、抵抗変化膜35が介在していない部分においては、下方に向かうにつれて連続的に細くなるような形状となる。
As a result, a through via
次に、図12(a)及び(b)に示すように、条件を変えてエッチングを行い、各段のダミーピラー18の抵抗変化膜35における貫通ビアホール42内に露出した露出部分を除去する。次いで、ダミーピラー18における上記露出部分の直下域に配置された部分、すなわち、シリコンダイオード膜34の一部を除去する。これにより、配線の上面におけるシリコンダイオード膜34に覆われていた領域が貫通ビアホール42内に露出する。その後、レジストパターン41(図11参照)を除去する。
Next, as shown in FIGS. 12A and 12B, etching is performed under different conditions to remove the exposed portion exposed in the through via
次に、図3に示すように、層間絶縁膜17の上面に、最上層配線用の溝44を形成する。次に、PVD法により、チタン(Ti)とチタン窒化物(TiN)を堆積させて、チタン層及びチタン窒化層からなる2層膜を形成する。次に、CVD法により、タングステン(W)を堆積させて、タングステン層を形成する。その後、CMPにより、貫通ビアホール42及び溝44の外側に堆積されたタングステン層、チタン窒化層及びチタン層を除去する。これにより、貫通ビアホール42の内面上に残留したチタン層及びチタン窒化層からなる2層膜がバリアメタル層45となり、貫通ビアホール42内に残留したタングステン層がビア本体46となる。バリアメタル層45及びビア本体46により、貫通ビアZが形成される。このように、貫通ビアホール42内に導電性材料を埋め込むことにより、貫通ビアホールZが形成される。一方、溝44の内面上に残留したチタン層及びチタン窒化層からなる2層膜がバリアメタル層32となり、溝44内に残留したタングステン層が配線本体33となる。バリアメタル層32及び配線本体33により、最上層のビット線BLが形成される。このようにして、本実施形態に係る記憶装置1が製造される。
Next, as shown in FIG. 3, a
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態においては、図6に示す工程において、レジストパターン27にパターン27bを設けることにより、図7に示す工程において、貫通ビアホール42が形成される予定の領域に介在するように、ダミーピラー18を形成している。そして、図11(a)及び(b)に示す工程において、貫通ビアホール42を形成するためのエッチングに際して、ダミーピラー18の抵抗変化膜35をエッチングストッパとして用いている。抵抗変化膜35は金属酸化物によって形成されているため、極めてエッチングされにくく、エッチング中に消失してしまうことがない。このため、抵抗変化膜35の直下域に配置された配線は、ほとんどエッチングされずに残留する。この結果、貫通ビアホール42を形成するためのエッチングにおいて、配線がエッチングされて短くなることを考慮して、貫通ビアホール42内に配線を進入させる長さを予め長めに設定しておく必要がなく、その分、貫通ビアホール42を大きめに形成しておく必要がない。この結果、貫通ビアホール42を小さく形成して、チップ面積を低減することができ、記憶装置1の高集積化及び低コスト化を図ることができる。
Next, the effect of this embodiment will be described.
In the present embodiment, by providing the pattern 27b in the resist pattern 27 in the step shown in FIG. 6, the
また、配線がほとんどエッチングされないため、上層の配線と下層の配線とでエッチングガスに曝される時間が異なっても、上層の配線と下層の配線とでその形状が異なることがほとんどなく、エッチング終了時において、上層の配線の形状と下層の配線の形状とをほぼ同じにすることができる。すなわち、ワード線WL及びビット線BLにおける貫通ビアホール42内に進入している部分の長さ及び厚さを、各段で均一にすることができる。これにより、形成された貫通ビアホール42内に導電性材料を埋め込んで貫通ビアZを形成したときに、貫通ビアZと配線との接触面積が均一になり、接触抵抗が均一になる。この結果、記憶装置1の動作が安定し、性能が向上する。
In addition, since the wiring is hardly etched, even if the time of exposure to the etching gas differs between the upper layer wiring and the lower layer wiring, the shape of the upper layer wiring and the lower layer wiring are hardly different, and the etching is completed. At times, the shape of the upper layer wiring and the shape of the lower layer wiring can be made substantially the same. In other words, the length and thickness of the portion of the word line WL and the bit line BL entering the through via
更に、このようなエッチングを行うためには、エッチング条件を、金属酸化物からなる抵抗変化膜35に対するエッチングレートよりも、シリコン酸化物からなる層間絶縁膜17に対するエッチングレートの方が著しく大きくなるような条件とする必要がある。しかし、本来、金属酸化膜はシリコン酸化物及びシリコン等と比較して極めてエッチングされにくいため、このような条件を選択することは容易である。
Furthermore, in order to perform such etching, the etching condition is such that the etching rate for the
更にまた、本実施形態においては、図6に示す工程において、ピラー16加工用のパターン27aと同時にダミーピラー18加工用のパターン27bを形成している。また、図7に示す工程において、ピラー16と同時にダミーピラー18を形成している。このため、ダミーピラー18を形成するためには、レジストパターン27を形成するためのマスクパターンを変更するだけでよく、専用の工程を設ける必要がない。これにより、ダミーピラー18の形成に伴って製造コストが増加することがない。
Furthermore, in the present embodiment, in the process shown in FIG. 6, the
更にまた、本実施形態によれば、図12に示す工程において、抵抗変化膜35における貫通ビアホール42内に露出した部分及びダミーピラー18におけるその直下域に配置された部分を除去している。これにより、配線の上面の一部が貫通ビアホール42内に露出し、この上面の一部が、貫通ビアZを形成したときに貫通ビアZに接触する。この結果、貫通ビアZと配線との間の接触抵抗を小さくすることができる。
Furthermore, according to the present embodiment, in the step shown in FIG. 12, a portion exposed in the through via
次に、本実施形態の比較例について説明する。
図13〜図15は、本比較例に係る記憶装置の製造方法を例示する図であり、各図の(a)は工程平面図であり、(b)は(a)に示すA−A’による工程断面図である。
本比較例においては、前述の図4及び図5に示す工程を実施した後、図13(a)及び(b)に示すように、電極膜36上にレジストパターン137を形成する。レジストパターン137においては、前述の第1の実施形態(図6参照)と同様に、ピラー16を形成する予定の領域にパターン37aを形成するが、第1の実施形態とは異なり、パターン37b(図6参照)は形成しない。
Next, a comparative example of this embodiment will be described.
FIGS. 13 to 15 are diagrams illustrating a method for manufacturing a memory device according to this comparative example, in which (a) of each figure is a process plan view, and (b) is an AA ′ shown in (a). It is process sectional drawing by.
In this comparative example, after the steps shown in FIGS. 4 and 5 are performed, a resist
次に、図14(a)及び(b)に示すように、レジストパターン137をマスクとして、電極膜36、抵抗変化膜35及びシリコンダイオード膜34をエッチングする。これにより、パターン37aの直下域にピラー16が形成される。しかし、レジストパターン137にはパターン37b(図6参照)は設けられていないため、ダミーピラー18(図7参照)は形成されない。次に、図8〜図10に示す工程を実施して、積層体120を形成する。
Next, as shown in FIGS. 14A and 14B, the
次に、図15(a)及び(b)に示すように、リソグラフィ及びドライエッチングにより、積層体120に貫通ビアホール142を形成する。このとき、積層体120にはダミーピラーが設けられていないため、このドライエッチングにおいては、貫通ビアに接続される配線自体がエッチングストッパとなる。しかしながら、配線を形成する導電性材料、例えばタングステンは、層間絶縁膜17を形成するシリコン酸化物に対して、それほど大きなエッチング選択比はとれないため、層間絶縁膜17をエッチングしている間に、配線も少しずつエッチングされる。そして、上層に配置された配線の方が、下層に配置された配線よりも長い時間エッチングガスに曝されるため、より多くエッチングされる。
Next, as shown in FIGS. 15A and 15B, through via
この結果、上層に配置された配線の露出部分は、下層に配置された配線の露出部分と比較して、厚さが薄くなると共に側面が後退し、また、角部が丸まってしまう。すなわち、各段で配線の膜減りと肩落ちの程度が異なってしまう。これにより、貫通ビアホール142内に導電性材料を埋め込んで貫通ビアを形成したときに、配線と貫通ビアとの間の接触抵抗がばらついてしまう。この接触抵抗のばらつきを補償するためには、配線が貫通ビアホール内に進入する部分の長さを長くし、貫通ビアホールを大きくする必要がある。この結果、記憶装置のチップ面積が増大し、メモリセルの集積度が低下すると共に、コストが増加する。
As a result, the exposed portion of the wiring arranged in the upper layer becomes thinner and the side surface recedes and the corner portion is rounded compared to the exposed portion of the wiring arranged in the lower layer. In other words, the degree of wiring loss and shoulder drop differs at each stage. Thereby, when the through via is formed by embedding a conductive material in the through via
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図16は、本実施形態に係る記憶装置を例示する断面図である。
図16に示すように、本実施形態においては、前述の第1の実施形態と比較して、図12(a)及び(b)に示す抵抗変化膜35及びシリコンダイオード膜34のエッチング工程を省略している。これにより、本実施形態に係る記憶装置2においては、ダミーピラー18において、抵抗変化膜35の全体及びシリコンダイオード膜34の全体が残留する。本実施形態によれば、前述の第1の実施形態と比較して、抵抗変化膜35及びシリコンダイオード膜34のエッチング工程を省略しているため、製造コストを低減することができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating a memory device according to this embodiment.
As shown in FIG. 16, in this embodiment, the etching process of the
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
図17は、本実施形態に係る記憶装置を例示する断面図である。
図17に示すように、本実施形態においては、前述の第1の実施形態と比較して、図12(a)及び(b)に示す抵抗変化膜35及びシリコンダイオード膜34のエッチング工程を、途中まで実施している。すなわち、抵抗変化膜35における貫通ビアホール42内に進出している進出部分は除去しているが、その直下のシリコンダイオード膜34については、上部のみ除去している。これにより、本実施形態に係る記憶装置3においては、ダミーピラー18において、貫通ビアホール42の内部にシリコンダイオード膜34の下部が残留する。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 17 is a cross-sectional view illustrating a memory device according to this embodiment.
As shown in FIG. 17, in the present embodiment, the etching process of the
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。
図18は、本実施形態に係る記憶装置を例示する断面図である。
図18に示すように、本実施形態においては、前述の第1の実施形態と比較して、ピラー16及びダミーピラー18におけるシリコンダイオード膜34と抵抗変化膜35との積層順序が逆になっている。すなわち、本実施形態に係る記憶装置4においては、各ピラー16及び各ダミーピラー18において、下層側から順に、抵抗変化膜35、シリコン題意オード膜34及び電極膜36が積層されている。これによっても、前述の第1の実施形態と同様な効果を得ることができる。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 18 is a cross-sectional view illustrating a memory device according to this embodiment.
As shown in FIG. 18, in this embodiment, the stacking order of the
また、本実施形態においては、あるメモリセル部13のワード線WLが共通接続された貫通ビアZに、隣のメモリセル13の最上層のビット線BLが接続されている。このような記憶装置を製造する場合は、最上層のビット線BLを埋め込むための溝44を、貫通ビアホール42に連通するように形成しておけばよい。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
Further, in the present embodiment, the uppermost bit line BL of the
以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。また、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。 While the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited to these embodiments. The above-described embodiments can be implemented in combination with each other. In addition, the above-described embodiments include those in which those skilled in the art appropriately added, deleted, or changed the design, or added, omitted, or changed conditions as appropriate to the above-described embodiments. As long as it is provided, it is included in the scope of the present invention.
例えば、前述の各実施形態においては、整流素子としてpn形又はpin形のシリコンダイオード膜34を設ける例を示したが、本発明はこれに限定されず、整流素子として、例えば、MIM型ダイオード、MIS型ダイオード、又はSIS型トンネル接合ダイオードを設けてもよい。また、抵抗変化膜35及び電極膜36は、それぞれ、異種材料からなる複数の層が積層された構造としてもよい。
For example, in each of the above-described embodiments, an example in which a pn-type or pin-type
また、前述の各実施形態においては、上下方向に配列された複数本のワード線WLを1本の貫通ビアZに接続し、上下方向に配列された複数本のビット線BLを他の1本の貫通ビアに接続する例を示したが、本発明はこれに限定されず、配線の接続関係は任意である。 In each of the above-described embodiments, a plurality of word lines WL arranged in the vertical direction are connected to one through via Z, and a plurality of bit lines BL arranged in the vertical direction are connected to the other one. Although an example of connection to the through via is shown, the present invention is not limited to this, and the connection relation of the wiring is arbitrary.
更に、前述の各実施形態においては、ピラー16及びダミーピラー18をシリコン酸化物からなる絶縁膜38によって埋め込む際に、絶縁膜38をピラー16及びダミーピラー18に直接接触させて、ピラー16及びダミーピラー18の相互間を絶縁膜38のみによって絶縁する例を示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、図7(a)及び(b)に示す工程において、ピラー16及びダミーピラー18を形成した後、シリコン窒化物を薄く堆積させて、ピラー16及びダミーピラー18の側面上にシリコン窒化物からなる側壁を形成し、その後、図8(a)及び(b)に示すように、シリコン酸化物を堆積させて絶縁膜38を形成してもよい。これにより、シリコン酸化物を堆積させる際に、抵抗変化膜35及び電極膜36を保護し、これらの膜がダメージを受けることを防止できる。また、側壁となるシリコン窒化物を堆積させ、絶縁膜38となるシリコン酸化物を堆積させた後、ピラー16及びダミーピラー18をストッパとしてCMPを施すことにより、ピラー16及びダミーピラー18の上面上からシリコン酸化物及びシリコン窒化物を除去する。これにより、ピラー16とその上に形成される配線との間の導通を確保することができる。このようにして製造された記憶装置においては、ピラー16及びダミーピラー18の側面上のみにシリコン窒化物からなる側壁が残留する。
Furthermore, in each of the above-described embodiments, when the
更にまた、前述の各実施形態においては、ワード線WL及びビット線BLをダマシン法により形成し、ワード線配線層14、ビット線配線層15及びそれらの間のピラー層を1層ずつ形成する例を示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、金属膜を分断することによって複数本のワード線WLを形成すると共に、その下の抵抗変化膜35等もライン状に分断し、他の金属膜を分断することによって複数本のビット線BLを形成すると共に、その下の抵抗変化膜35等もライン状に分断して、ドット状のピラー16を形成してもよい。また、複数層のピラー層をまとめて加工してもよい。
Furthermore, in each of the above-described embodiments, the word line WL and the bit line BL are formed by the damascene method, and the word
1、2、3、4 記憶装置、11 シリコン基板、12 層間絶縁膜、13 メモリセル部、14 ワード線配線層、15 ビット線配線層、16 ピラー、17 層間絶縁膜、18 ダミーピラー、19 ビア領域、20 積層体、31 溝、32 バリアメタル層、33 配線本体、34 シリコンダイオード膜、35 抵抗変化膜、36 電極膜、37 レジストパターン、37a、37b パターン、38 絶縁膜、39 絶縁膜、40 溝、41 レジストパターン、41a 開口部、42 貫通ビアホール、44 溝、45 バリアメタル層、46 ビア本体、120 積層体、137 レジストパターン、142 貫通ビアホール、BL ビット線、WL ワード線、Z 貫通ビア
1, 2, 3, 4 Memory device, 11 Silicon substrate, 12 Interlayer insulating film, 13 Memory cell part, 14 Word line wiring layer, 15 Bit line wiring layer, 16 pillar, 17 Interlayer insulating film, 18 Dummy pillar, 19 Via region , 20 laminate, 31 groove, 32 barrier metal layer, 33 wiring body, 34 silicon diode film, 35 resistance change film, 36 electrode film, 37 resist pattern, 37a, 37b pattern, 38 insulating film, 39 insulating film, 40
Claims (8)
それぞれが前記第1の方向に対して交差する第2の方向に延びる複数本の第2配線を含み、前記第1配線層と1層ずつ交互に積層された複数の第2配線層と、
前記第1配線と前記第2配線との間に設けられた第1の金属酸化膜と、
相互に異なる前記第1配線層に属する2本以上の前記第1配線の側面に接した貫通ビアと、
前記2本以上の第1配線のそれぞれの直上域の一部に設けられ、前記貫通ビアの側面に接した第2の金属酸化膜と、
前記第1配線、前記第2配線及び前記貫通ビアの相互間に設けられ、金属酸化物を含有していない層間絶縁膜と、
を備え、
前記第1の金属酸化膜の組成は、前記第2の金属酸化膜の組成と同じであることを特徴とする記憶装置。 A plurality of first wiring layers each including a plurality of first wirings each extending in a first direction;
A plurality of second wiring layers each including a plurality of second wirings extending in a second direction intersecting the first direction, the first wiring layers being alternately stacked one by one;
A first metal oxide film provided between the first wiring and the second wiring;
Through vias in contact with side surfaces of two or more first wirings belonging to the first wiring layers different from each other;
A second metal oxide film provided in a part of a region directly above each of the two or more first wirings and in contact with a side surface of the through via;
An interlayer insulating film which is provided between the first wiring, the second wiring, and the through via and does not contain a metal oxide;
With
2. The memory device according to claim 1, wherein the composition of the first metal oxide film is the same as the composition of the second metal oxide film.
内部に前記第2の金属酸化膜が設けられ、前記第1配線の上面及び前記貫通ビアの側面に接し、前記第2配線には接していないダミーピラーと、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の記憶装置。 A pillar that is provided with the first metal oxide film therein and is in contact with the upper surface of the first wiring and the lower surface of the second wiring;
A dummy pillar provided therein with the second metal oxide film, in contact with an upper surface of the first wiring and a side surface of the through via, and not in contact with the second wiring;
The storage device according to claim 1, further comprising:
前記側壁はシリコン窒化物によって形成されており、前記層間絶縁膜はシリコン酸化物によって形成されていることを特徴とする請求項2記載の記憶装置。 A side wall provided on a side surface of the pillar and a side surface of the dummy pillar;
3. The memory device according to claim 2, wherein the side wall is made of silicon nitride, and the interlayer insulating film is made of silicon oxide.
前記積層体に対して、上方から見て前記第2の金属酸化膜の端縁を含む領域に、前記第2の金属酸化膜をストッパとしてエッチングを施すことにより、前記積層体に貫通ビアホールを形成する工程と、
前記貫通ビアホール内に導電性材料を埋め込む工程と、
を備えたことを特徴とする記憶装置の製造方法。 A plurality of first wiring layers each including a plurality of first wirings extending in a first direction; and a plurality of second wirings extending in a second direction each intersecting the first direction. A plurality of second wiring layers including the first wiring layer and the second wiring layer are alternately stacked, and a first metal oxide film is provided between the first wiring and the second wiring, and each of the two or more first wirings is provided. A second metal oxide film having the same composition as that of the first metal oxide film is provided in a part of the region directly above, and a metal oxide is contained between the first wiring and the second wiring. Forming a laminate embedded with a non-interlayer insulating film;
A through-via hole is formed in the multilayer body by etching the area including the edge of the second metal oxide film as viewed from above with the second metal oxide film as a stopper. And a process of
Embedding a conductive material in the through via hole;
A method for manufacturing a storage device, comprising:
前記第2の金属酸化膜を、前記第1配線の上面及び前記貫通ビアの側面に接し、前記第2配線には接していないダミーピラーの内部に設け、
前記第2の金属酸化膜における前記貫通ビアホール内に進出した進出部分及び前記ダミーピラーにおける前記進出部分の直下域に配置された部分を除去する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項6記載の記憶装置の製造方法。 Providing the first metal oxide film inside the pillar in contact with the upper surface of the first wiring and the lower surface of the second wiring;
The second metal oxide film is provided inside a dummy pillar that is in contact with the upper surface of the first wiring and the side surface of the through via, and is not in contact with the second wiring,
7. The method according to claim 6, further comprising a step of removing an advancing portion that has advanced into the through via hole in the second metal oxide film and a portion that is disposed immediately below the advancing portion in the dummy pillar. A method for manufacturing a storage device.
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