JP2011210674A - 発光装置 - Google Patents

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好伸 末広
Toru Terajima
徹 寺嶋
Koji Takaku
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Abstract

【課題】発光効率を損なうことなく、光源を導光板の穴部に収容させることのできる発光装置を提供する。
【解決手段】素子実装基板33にフリップチップ接続により実装されたLED素子32と、素子実装基板33上でLED素子32を封止する封止部34と、を有する光源3と、光源3が収容される穴部21を有する導光板2と、を備えた発光装置1において、穴部21を導光板2の他面22側にて塞ぎ、光源3から発せられる光の少なくとも一部を反射する反射面26aを有する。
【選択図】図2

Description

本発明は、フリップチップ接続により実装されたLED素子を有する光源の光を導光板へ入射させる発光装置に関する。
導光板を用いた発光装置として、導光板の少なくとも1側面部近傍の裏面部に側面部と平行に円柱の穴状または凹状の入射部を複数列設したものが知られている(例えば、特許文献1参照)。この発光装置は、入射部が導光板の厚さ方向に形成されており、側方へ光を放射する平面放射型の光源を用いている。具体的に、光源は、上部に同心の傾斜面部を内側面と外側面に有し、内側面の傾斜面部で半導体発光素子からの光を全反射し、外側面の傾斜面部で臨界角を破り、四方に放射状に出射している。
さらに、導光板を用いた発光装置として、回路基板上に配置された複数のLED光源と、LED光源からの光を入射面から入射し照明光として出射面に導く導光板とを有する照明装置において、導光板は上部導光板と下部導光板により構成され、下部導光板は各LED光源からの出射光を導光板内部に導くための凹部を有し、LED光源が凹部の開口面近傍に配置されたものが知られている(例えば、特許文献2参照)。また、導光板を用いずに、LED光源を収容する偏光素子を用いる発光装置も知られている(例えば、特許文献3参照)。
特開2005−276491号公報 特開2007−165064号公報 特開2005−44661号公報
しかしながら、特許文献1に記載の発光装置では、光源として平面的に光を出射するものを選択する必要があり、光源のサイズが大きくなる。また、光源のサイズに対応した貫通孔を導光板に形成すると、導光板内での伝搬光に悪影響を及ぼすおそれがある。さらに、光源のサイズが大きいため部材使用量が多く、コスト高な光源となる。
また、特許文献2に記載の発光装置では、導光板に凹部を形成することが開示されているが、単に凹部に光源を収容するのみでは、光源の光を高効率で導光板の伝搬光とすることができない。さらに、特許文献3に記載の発光装置では、導光板を用いていないので、複数の光源からの光を広く分散できないし、各光源の明るさや色度ばらつきの影響が生じるため、均一な輝度特性を得にくい。
本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、発光効率を損なうことなく、光源を導光板の穴部に収容させることのできる発光装置を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明では、素子実装基板と、前記素子実装基板にフリップチップ接続により実装されたLED素子と、前記素子実装基板上で前記LED素子を封止する封止部と、を有する光源と、前記光源が収容される穴部を有し、前記穴部の側方の内面が入射面となる導光板と、を備え、前記穴部は、前記導光板の一面から他面側へ延び、前記入射面が前記導光板の厚さ方向に対して略平行であり、前記穴部を前記導光板の他面側にて光学的に塞ぎ、前記光源から発せられる光の少なくとも一部を反射する反射面を有する発光装置が提供される。
また、上記発光装置において、前記導光板の前記一面に対する前記穴部の前記内面の角度をαとし、前記導光板の屈折率をnとしたとき、
90°−Sin−1[{sin(90°−α)}/n]+α≧Sin−1(1/n)
の式を満たすことが好ましい。
また、上記発光装置において、前記導光板の前記他面に対する前記貫通孔の前記内面の角度をαとし、前記導光板の屈折率をnとしたとき、
α≦90°−2×Sin−1[sin{(90°−α)/n}]
の式を満たすことが好ましい。
また、上記発光装置において、前記導光板の他面に配置される導光部材を備え、前記反射面は、前記導光部材に形成されてもよい。
また、上記発光装置において、前記穴部は、前記導光板の一面から、前記導光板の厚さ方向の途中まで形成されていてもよい。
また、上記発光装置において、前記導光部材は、透明板あるいは透明シートであってもよい。
また、上記発光装置において、前記穴部は、前記導光板を厚さ方向に貫通していてもよい。
本発明によれば、発光効率を損なうことなく、光源を導光板の穴部に収容させることができる。
図1は本発明の第1の実施形態を示し、(a)は発光装置の平面図、(b)は発光装置の断面図である。 図2は発光装置の一部断面図である。 図3において、(a)はLED素子の平面図、(b)はLED素子の模式断面図を示す。 図4は光源の製造時の説明図である。 図5は光源の製造時の説明図である。 図6は光源が連結された中間体の平面図である。 図7は仮に光源のLED素子をワイヤボンディング接続とした場合の説明図である。 図8は変形例を示す発光装置の一部断面図である。 図9は変形例を示す発光装置の一部断面図である。 図10は変形例を示す発光装置の平面図である。 図11は変形例を示す発光装置の平面図である。 図12は変形例を示す発光装置の平面図である。 図13は導光板の屈折率nごとに、式(1)及び式(2)を満たすαを示した表である。 図14は本発明の第2の実施形態を示す発光装置の一部断面図である。 図15は発光装置の平面図である。 図16は変形例を示す発光装置の一部断面図である。 図17は変形例を示す発光装置の一部断面図である。 図18は変形例を示す発光装置の一部断面図である。 図19は変形例を示す発光装置の一部断面図である。 図20は本発明の第3の実施形態を示し、(a)は発光装置の平面図、(b)は発光装置の横断面図である。 図21は発光装置の縦断面図である。 図22は変形例を示す発光装置の縦断面図であって、(a)は導光板が分離形成されたもの、(b)は導光板が一体形成されたものを示す。 図23は変形例を示す発光装置の縦断面図であって、(a)は閉塞部の反射面が平面状のもの、(b)は閉塞部の反射面が曲面状のものを示す。 図24は変形例を示す発光装置の一部平面図である。 図25は変形例を示す発光装置の縦断面図である。
図1から図6は本発明の第1の実施形態を示し、図1(a)は発光装置の平面図、(b)は発光装置の断面図である。
図1(a)に示すように、この発光装置1は、導光板2と、導光板2に形成される複数の穴部21と、穴部21に収容される光源3と、光源3と電気的に接続される搭載基板4と、を備えている。導光板2は、光源3から発せられる光に対して透明な材料からなり、穴部21内の光源3から発せられた光が入射する。本実施形態においては、導光板2は、全体にわたって厚さが一定な平板状に形成される。導光板2の材質は、光源3の光に対して透明であれば任意であるが、例えばアクリル樹脂とすることができる。ここで、本明細書においては、導光板2の一面を下面23とし、他面を上面22として説明する。下面23には、白色塗料や表面の粗面化、プリズム形成などによって、散乱面を形成してある。
穴部21は、内面24のうち光源3から光が入射する範囲となる導光板2の入射面につき、導光板2の下面23に対する角度α(図2参照)が90°未満であり、内面24が下面23に対して傾斜しているものの、厚さ方向に対して略平行となっている。本実施形態においては、穴部21は、平面視にて円形状を呈し、下方へ向かって僅かに拡開している。後述するように、光源3からは上方及び側方へ光が出射され、穴部21の内面24の全範囲に光源3の光が入射する。本実施形態においては、複数の穴部21が、導光板1に平面視にて規則的に形成されている。具体的に、各穴部21は、縦方向及び横方向に等間隔で面状発光装置1の全面に格子点状に並んでいる。
図2は、発光装置の一部断面図である。
図2に示すように、穴部21は下面23から上面22へ向かって、導光板2の厚さ方向の途中まで形成されている。光源3の上方に位置する穴部21の閉塞面25は、導光板2の上面22及び下面23と平行であり、平坦に形成される。閉塞面25の表面には、光源3から発せられる光を反射するための白色反射層26が形成される。白色反射層26の光源3側の表面が、穴部21内の光を反射する平面状の第1反射面26aをなす。また、白色反射層26の上面22側の表面が、導光板2内を伝搬する光を反射する第2反射面26bをなす。
本実施形態においては、第1反射層26と光源3との距離Shは、光源3の光軸3a及び第1反射面26aの交点と、内面24における光源3の上端高さ位置と、を結ぶ線分について、第1反射面26aで散乱反射した光のうち、立体角において半分以上の方向が直接内面24へ至る方向となるように、光軸3aとなす角βが60°以内となるよう設定されている。また、距離Shは、光軸3a及び光源3の上面の交点と、内面24における第1反射面26aの高さ位置と、を結ぶ線分について、光軸3aとなす角γも60°以内となるよう設定されている。
図2に示すように、光源3は、フリップチップ型のGaN系半導体材料からなるLED素子32と、LED素子32を搭載する素子実装基板33と、LED素子32を封止するとともに素子実装基板33と接着される無機封止部としてのガラス封止部34とを有する。また、素子実装基板33には、LED素子32と搭載基板4とを電気的に接続する回路パターン35が形成される。回路パターン35は、素子実装基板33の表面に形成される表面パターンと、素子実装基板33の裏面に形成される裏面パターンと、表面パターン及び裏面パターンを接続するビアパターンと、を有している。素子実装基板33は、アルミナ(Al)の多結晶焼結材料からなり、厚さ250μmで1000μm角に形成されている。また、LED素子32は、厚さ100μmで346μm角に形成されている。すなわち、LED素子32の側端からガラス封止部34の側面34bまでの距離は327μm、LED素子32の上端からガラス封止部34の上面34aまでの距離は500μmとなっている。
図3において、(a)はLED素子の平面図、(b)はLED素子の模式断面図を示す。
発光素子としてのLED素子32は、図3(a)に示すように、サファイア(Al)からなる支持基板60の表面に、III族窒化物系半導体をエピタキシャル成長させることにより、バッファ層61と、n型層62と、MQW層63と、p型層64とがこの順で形成されている。このLED素子32は、700℃以上でエピタキシャル成長され、その耐熱温度は600℃以上であり、後述する低融点のガラスを用いた封止加工における加工温度に対して安定である。また、LED素子32は、p型層64の表面に設けられるp側電極65と、p側電極65上に形成されるp側パッド電極66と、を有するとともに、p型層64からn型層62にわたって一部をエッチングすることにより露出したn型層62に形成されるn側電極67を有する。
p側電極65は、例えばITO(Indium Tin Oxide )などの透明導電性の酸化物からなり、発光層としてのMQW層63から発せられる光を支持基板60の方向に反射する光反射層として機能する。また、n側電極67は、例えばNi/Au、Al等の金属からなり、平面視にてLED素子32における1つの隅部に形成される。本実施形態においては、図3(b)に示すように、p側電極65は、n側電極67の形成領域を除いて、平面視にて、LED素子32のほぼ全面に形成されている。また、p側パッド電極66は、例えばNi/Auからなり、平面視にてLED素子32におけるn側電極67と対向する隅部に形成される。n側電極67及びp側パッド電極66は、平面視にて円形に形成される。
ガラス封止部34は、LED素子32とともに素子実装基板33におけるLED素子32の搭載面側を覆い、厚さが0.6mmとなっている。素子実装基板33と平行な上面34aと、上面34aの外縁から下方へ延び素子実装基板3と垂直な側面34bと、を有している。ガラス封止部34は、例えばZnO−B−SiO系のガラスとすることができ、この場合の屈折率は1.7である。また、このガラスは、加熱によって素子実装基板33に融着された熱融着ガラスであり、ゾルゲル反応を利用して形成されたガラスと異なっている。尚、ガラスの組成及び屈折率はこれらに限定されるものではない。
また、ガラス封止部34には、LED素子32から発せられる光の波長を変換する蛍光体39が含まれている。蛍光体39として、例えば、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)蛍光体、珪酸塩蛍光体等を用いることができ、本実施形態では青色のLED素子32と黄色の蛍光体39から白色光を得ている。尚、青色光を発するLED素子と、緑色蛍光体、赤色蛍光体の組合せにより白色光を得るようにしてもよい。また、ガラス封止部34に蛍光体39を含有させずに、ガラス封止部34の表面に蛍光体39を塗布したものであってもよいし、蛍光体39を用いなくともよい。
光源3は、LED素子32に電圧が印加されると、LED素子32から青色光が発せられる。LED素子32から発せられた青色光は、一部が蛍光体39により黄色に変換された後、ガラス封止部34の上面34a又は側面34bを通じて外部へ放射される。ここで、LED素子32の側端からガラス封止部34の側面34bまでの距離と、LED素子32の上端からガラス封止部34の上面34aまでの距離が異なっているので、上面34aから放射される光と側面34bから放射される光とでは色度が異なることとなる。この光源3は、素子実装基板33に垂直で、上面34aの中央を通る軸が光軸3aとなっている。この光源3では、光軸上の光強度が最大とはならず、光軸に対しておよそ30°〜45°傾斜した方向で光強度が最大となる配光特性となる。この光源3は、以下の工程を経て製造される。
まず、ガラス成分の酸化物粉末及び蛍光体粉末を1200℃に加熱し、溶融状態で撹拌する。そして、ガラスを固化した後、ガラス封止部34の厚さに対応するようスライスして封止前ガラス34cを板状に加工する。
一方、平板状の素子実装基板33に回路パターンを形成する。例えば、回路パターン35は、金属ペーストをスクリーン印刷し、素子実装基板33を所定温度(例えば1000℃以上)で熱処理することにより当該金属を素子実装基板33に焼き付けた後、当該金属に他の金属のめっきを施すことにより形成することができる。この後、複数のLED素子32を縦及び横について等間隔で素子実装基板33にフリップチップ接続で実装する。尚、素子実装基板33の回路パターンは、金属ペーストの熱処理で形成したもののみでもよいし、金属スパッタの後に金属めっきを施したものなど、他の方法で形成することもできる。
そして、図4に示すように、各LED素子32が搭載された素子実装基板33を下金型91にセットし、上金型92を素子実装基板33の搭載面と対向して配置し、素子実装基板33と上金型92の間に各LED素子32の搭載領域が覆われるように封止前ガラス34cを配置する。この後、図5に示すように、下金型91及び上金型92を加圧し、窒素雰囲気中で加熱によって軟化したガラス材のホットプレス加工を行う。このときの加工条件は、ガラスの温度、圧力等に応じて任意に変更することができるが、一例を挙げるとすれば、例えば、ガラスの温度を600℃とし、ガラスの圧力を25kgf/cmとすることができる。
以上の工程で、複数の発光装置1が縦方向及び横方向に連結された状態の図6に示すような中間体36が作製される。この後、ガラス封止部34と一体化された素子実装基板33をダイシング装置にセットして、ダイシングブレードによって、ガラス封止部34及び素子実装基板33を各LED素子32ごとに分割するようダイシングして光源3が完成する。
図2に示すように、搭載基板4は、アルミニウムをベースとし、導光体2の下面23に沿って全面に設けられる。本実施形態においては、搭載基板4は、各穴部21を塞ぐように設けられている。搭載基板4は、アルミニウムからなる基板本体41と、基板本体41上に設けられた絶縁層42と、絶縁層42上に設けられた回路パターン43と、回路パターン43上に設けられた白色レジスト層44と、を有する。
これによって、光源3が発した熱は搭載基板4によって基板全体に拡がり、熱の局在を防いで外部への放熱を促進することができる。そしてこの際、導光板2に沿った搭載基板4が放熱機能を持ちながら、面状の発光装置1のデザイン性を損なう程度に厚くなる等のような、形状の影響が生じないようにすることができる。また、特許文献1に記載のように、導光板の少なくとも1側面部近傍の裏面部に側面部と平行に円柱の穴状または凹状の入射部を複数列設すると、光源が局在することとなり、十分な放熱対策を行わない場合に、熱の局在により導光板が撓むという問題点がある。これに対し、本実施形態の発光装置1では、光源3が分散配置されていることと、各光源3の熱を面状の搭載基板4に分散し、大きな面積から外部放熱が可能となるので、熱による導光板2の撓みを抑制することができる。
また、高さが0.85mmの光源3は、はんだ31を介して搭載基板4に搭載されている。これにより、上下長さが3mmである穴部21の下端から、0.85mmの高さで光源3が配置されている。すなわち、光源3の素子実装基板33側の端部(本実施形態では、素子実装基板33の裏面)と、導光板2の下面23とは、導光板2の厚さ方向について同じ高さ位置となっている。これにより、光源3の発光面となるガラス封止部34の表面は、はんだ31と素子実装基板33の分だけ導光板2の下面23よりも高い位置となるため、蛍光体39を含有した光源3のガラス封止部34から散乱放射される場合であっても多くの光が穴部21の内面24へ直接入射するようになる。
また、導光板2の下面23に対する穴部21の内面24の角度をαとし、導光板2の屈折率をnとしたとき、
90°−Sin−1[{sin(90°−α)}/n]+α≧Sin−1(1/n)…(1)
の式を満たすようにすると、導光板2の厚さ方向へ進む光につき、内面24から導光板2内へ入射した全ての光が導光板2内の伝搬光となる。本実施形態においては、α=90°でありn=1.5であることから、上記式(1)の条件を満たす。
光源3や反射面26aからの導光板2の入射面としての内面24への入射角は、内面24の垂直方向に対し、60°以上の角度の光も多く含む。特に内面24と近接する光源3の側面34bからの光は、内面24の垂直方向に対して、比較的大きな角度の光が多くなる。そして、式(1)の条件を満たせば、(90°−α)の角度以下で入射する光を伝搬光とすることができる。
これに加え、
α≦90°−2×Sin−1[sin{(90°−α)/n}]…(2)
の式を満たすようにすると、導光板2の内面24に沿って進む光につき、内面24から導光板2内へ入射した全ての光が導光板2内の伝搬光となる。本実施形態においては、α=90°でありn=1.5であることから、上記式(2)の条件を満たす。
また、光源3や反射面26aからだけでなく、搭載基板4の白色レジスト層44などのからの内面24の垂直方向に対し、略90°となる光も存在する。式(2)の条件を満たせば、この光も伝搬光とすることができる。
また、穴部21の内面24の、光源3の上面34aの中心部に対する穴部21の内面24の立体角は、上側半球の2πsteradianに対して約50%(πsteradian)となっている。そして、側面34bの中心部に対する穴部21の内面24の立体角の割合(側面の半球の上側のπsteradianが対象)は、上面34aよりも大きくなるので、光源3全体としてみれば、立体角の割合は少なくとも50%以上であるといえる。また、光源3の上面34aの中心部に対する第1反射面26aの立体角は、上側半球の2πsteradianに対して約50%(πsteradian)となっている。そして、第1反射面26aの中心部に対する穴部21の内面24の立体角は、下側半球の2πsteradianに対して約50%(πsteradian)となっている。
以上のように構成された発光装置1によれば、上記(1)及び(2)の式を満たすように、導光板2の他面23に対する穴部21の内面24の角度αと、導光板2の屈折率nが設定されているので、穴部21の内面24から入射した光の殆どが伝搬光となる。これにより、光源3の光軸3aが導光板2の厚さ方向となっているにもかかわらず、光源3から上方へ発せられた光を導光板2の面内方向となるよう制御する特殊な光学的制御部を光源3にも導光板2に用いることなく、導光板2内に的確に光を入射し導光板2の伝搬光とすることができるという、技術常識に反した作用効果を得ることができる。従って、光学的制御部を省略して部品点数を削減することができるし、発光装置1を簡単容易に製造することができる。また、光源3から発せられる光の少なくとも約75%以上は、導光板2の内面24へ入射するので、光源3から発せられる光を無駄なく利用することができる。
このように、光源3から発せられた光の大半は直接的に内面24から導光板2内へ入射する。これに加え、穴部21が白色反射層26の第1反射面26aで塞がれているので、光源3から第1反射面26aへ入射した光についても散乱反射させ、間接的に内面24へ入射させることができ、光源3からの光取り出し効率が良い。
さらに、導光板2内を伝搬する光のうち、白色反射層26の第2反射面26bへ到達したものは、第2反射面26bにて散乱反射する。これにより、導光板2における穴部21の上方だけ外部へ放射される光量が低下することがなく、また、光源3からの直接光が穴部21から外部放射されて穴部21の正面輝度が著しく高いものとなることはない。従って、穴部21の形状が比較的小さくそもそも目立ちにくいことと相俟って、穴部21を形成したにもかかわらず均一な面状発光を実現することができる。
このように、小型で使用する部材量が少なくて済み、複数のLED素子32を一括封止した後、分割するため生産性が良い。ここで、光軸3aに沿った複数の平面状の側面34bでLED素子32が囲まれ、直方体形状となっている光源3を用い、光源3の光軸3aまわりを導光板2の入射面が取り囲み、かつ、取り囲んだ入射面の光源3の実装側でない側が反射面26aによって光学的に塞がれている。そして、導光板2にこの構成の複数の穴部21を所定の2方向について規則的に形成して、各穴部21に光源3を配置するという極めて簡単な構成により、導光板2を全体的に白色で発光させることができる。このとき、各光源3が導光板2の全体にわたって均一に配置されることにより、導光板2の均一な発光状態を実現することができる。従って、製造コストを低減しつつ、発光装置1の薄型化及び小型化を図ることができる。また、導光板2の端部のみに光源3を並べるよりも、多くの光源3を用いることができ、熱の局在課題も生じることはなく、必要に応じて、より高輝度の面状の発光装置1とすることができる。
尚、必ずしも光源3の上面34aの中心部に対する穴部21の内面24における立体角の割合を、上側半球の2πsteradianに対して50%以上とする必要はないが、光学的効率を優先した設計をする場合には、光源3の光強度が最大となる方向に穴部21の内面24が存在するよう70%以上とすることが望ましい。一方、発光装置1の薄さを重視する場合や、白色反射層26に光源3からの光で励起する蛍光体を設け、この蛍光体の励起割合を比較的大きくする場合には、光源3と白色反射層26とが近接するものとしてもよい。
また、例えば、25℃から85℃となることで発光効率が5%以上低下するような、温度上昇による効率低下が比較的大きい蛍光体を使用する場合は、蛍光体を光源3側でなく、光源3と離れた導光板2側に設けることで、蛍光体の温度上昇を抑え、発光効率の向上を図ることができる。このような場合でも、導光板2内で混光されるので、色むらが生じるようなことはない。
また、本実施形態によれば、光源3のLED32に対して側面方向へ放射方向を制御する光学面を省き、さらに、LED素子32をフリップチップ接続により実装したので、光源3の平面視の大きさを小さくすることができ、穴部21の直径も小さくすることができる。例えば、図7に示すように、LED素子32がワイヤボンディング接続により実装されている場合、LED素子32の外側に、ワイヤループのための第1距離aと、素子実装基板33とワイヤ69との接続のための第2距離bとが余計に必要となる。第1距離aは例えば0.3〜0.5mmであり、第2距離bは例えば0.2〜0.5mmであることから、ワイヤボンディングの場合は、素子実装基板33を前記実施形態の1.0mm角よりも大きいLED素子32の3倍以上にする必要がある。さらに、側面方向へ放射方向を制御する光学面を設ける場合には、素子実装基板33をLED素子32の10倍以上とする必要がある。
例えば、素子実装基板33の対角の長さに対し、穴部21として対角長さより0.5mm長い直径とする場合は、素子実装基板33の大きさが1.0mm角のときは、穴部21の直径が1.9mmで面積が2.8mmの円とすることができるのに対し、2.5mm角となると、穴部21の直径は4.0mm、面積は12.6mmのように大きくする必要がある。尚、フリップチップ接続してワイヤボンディングを不要とすることで対角長さを1.5mm短くできるが、穴部21は、目立たないように、短くなった対角長さに対してプラス1.5mmの直径の円の面積以下とすることが望ましい。そして、仮にこのような大きさで発光装置1を作製すると、搭載するLED素子32が同じであっても、光源3と穴部21とが目立つものとなる。また、光源3の高さが変わらず、平面視の寸法が小さくなると、横方向への配光が相対的に増大する。尚、蛍光体が封止材料に分散されている場合、封止材の高さより平面方向の寸法が小さくなると、上方向と横方向の光の色度の差が顕著となり易いが、仮に色度の差が生じたとしても、導光板2内で混光させることができる。
また、本実施形態によれば、光源3の上面34a及び側面34bに光学的な加工を施す必要がないので光源3の作製も簡単容易である。この発光装置1の場合、むしろ光軸上に最大の光強度が存在しない配光の光源3が好ましく、立方体形状の光源3に加工を施すことなく、しかも単純な穴部21を形成すればよいので、実用に際して極めて有利である。
尚、前記実施形態においては、LED素子32をガラスにより封止した光源3を示したが、LED素子32が素子実装基板33に対してフリップチップ接続であり、平面視にて封止材の枠部分が存在しない光源3であれば、封止材を変更しても差し支えない。
また、搭載基板4は、アルミニウムをベースとしたものに限らず、マグネシウムや銅など他の金属をベースとしたものであってもよい。また、これらの金属上に絶縁層を設け、その上に回路パターンを形成したものに限らず、回路パターンがポリイミドや液晶ポリマー上に形成されたフレキシブル基板を金属板の上に備えたものであってもよい。
尚、導光板2から光源3の実装面側に漏れる光を防ぐための反射面としては、搭載基板4の白色レジスト層44のように、搭載基板4上に形成されたものに限らず、別体の白色反射シートなどとしてもよい。但し、導光板2と当該反射面との間には、導光板2の全反射伝搬を妨げないための空気層が必要である。
熱融着ガラス封止LEDは、高さ方向の形成が容易で、素子実装基板と熱膨張率が同等、かつ、両部材の接合力が大きいので、封止材と素子実装基板の接合面積を小さくすることができる。そして、側面放射面を含む直方体形状としてあるので、側面の合計面積を上面に対して2倍(すなわち半球状の縦横比)以上、好ましくは4倍(すなわち側面が上面面積)以上とすることによって、横方向の配光を広くすることができ望ましい。また、上面を凸形状にして、ガラスから外部への光取り出し効率向上を図ってもよい。尚、例えば、図8に示すように、LED素子32をシリコン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂封止部37で封止してもよい。図8の光源3では、樹脂封止部37は、素子搭載基板33上で半球状に形成されている。
また、例えば、図9に示すように、LED素子32を所定厚さの無機ペースト38で封止してもよい。無機ペースト38としては、例えば、SiO系、Al系、TiO系等の材料を用いることができる。
また、光源3は、面状の発光装置1に格子点状に配列されているものに限らず、中央部に密にあるいは疎に配列されたものであってもよい。例えば図10に示すように、光源3が四角形状の導光板2の四隅に配置されたものであってもよい。また、例えば図11に示すように、光源3が四角形状の導光板2の外縁側に並んで配置されたものであってもよい。図11においては、導光板2の一対の長辺の外縁側に光源3が並んでいる。さらに、例えば図12に示すように、導光板2の中央に光源3を配置してもよい。図12においては、導光板2は円形に形成されている。このように、導光板2の形状や、光源3の配置状態は適宜変更することができる。
ここで、図13を参照して、導光板の一面に対する穴部の内面の角度αについて詳述する。
導光板2を射出成形で形成する場合、図2に示すように、穴部21にテーパー(傾斜)を形成する方が好ましい場合がある。ここで、図13に、内面24が90°よりもどれだけ小さくなれば、上記式(1)及び上記(2)の伝搬の条件を満たすのかを、導光板2の屈折率nごとに示す。図13に示すように、nが1.45以下では式(1)(2)とも2.8°以下であればよい。nが1.50以下では、式(1)については6.7°以下であれば伝搬の条件を満たし、式(2)については6.4°以下であれば伝搬の条件を満たす。nが1.55以下では、式(1)については10.4°以下であれば伝搬の条件を満たし、式(2)については9.6°以下であれば伝搬の条件を満たす。また、nが1.60以下では、式(1)については13.9°以下であれば伝搬の条件を満たし、式(2)については12.6°以下であれば伝搬の条件を満たす。さらに、nが1.65以下では、式(1)については17.3°以下であれば伝搬の条件を満たし、式(2)については15.4°以下であれば伝搬の条件を満たす。但し、導光板2表面の平坦性や、導光板2内部の屈折率が厳密に一定ではないことを考慮すると、基本的には内面24を垂直面として、傾斜角は5°未満とすることが望ましい。
尚、テーパは、下方向に拡がっているものに限らず、上方向に拡がっているものでも、伝搬の条件は同じである。但し、反射面のサイズを小さくするためには、下方向に拡がっているものの方が望ましい。
図14及び図15は本発明の第2の実施形態を示し、図14は発光装置の一部断面図である。第1の実施形態においては、光源3が1つのLED素子32を有するものを示したが、第2の実施形態においては、光源が複数の発光素子を有している。
図14に示すように、この発光装置101は、穴部121が導光板2を貫通しており、導光板2の上面22が透明シート150により全面的に被覆されている。透明シート150には、各穴部121に対応して半透過塗装部126が形成されている。すなわち、穴部121は、半透過塗装部126の光源3側の表面である平面状の反射層126aにより塞がれている。半透過塗装部126は、例えばアルミニウム、銀等の金属等の蒸着により形成することができる。
穴部121は、内面124が導光板2の厚さ方向に対して平行に形成される。すなわち、内面124の導光板2の下面22に対する角度αは90°である。この発光装置101においても、上記式(1)及び(2)を満たすようαが設定されているといえる。
この発光装置101は、長方形状の素子実装基板133に、一列に整列した複数のLED素子32が搭載された光源103を有する。光源103の素子搭載基板133は、裏面側の中央に放熱パターン136を有しており、裏面側の放熱パターン136の外側には回路パターン135が配置される。また、この光源103においても、ガラス封止部134は、素子実装基板133と平行な上面134aと、上面134aの外縁から下方へ延び素子実装基板133と垂直な側面134bと、を有している。
放熱パターン136を備えた光源103は、金属をベースとした搭載基板4に実装されるが、放熱パターン136に対応した位置の絶縁層42を省略し、放熱パターン136と金属からなる基板本体41とを直接あるいは共晶材等による金属接合を行うことにより、接合部分の熱抵抗を小さくして熱を搭載基板4全体に伝え易くし、放熱効率を格段に向上させることができる。
図15は発光装置の平面図である。
図15に示すように、貫通孔121は長尺な光源103に対応して長孔状に形成される。本実施形態においては、貫通孔121は、両端の半円部と中央側の直線部とにより構成され、光源103が貫通孔121の中心に配置されている。これにより、円形の孔よりも、穴部121の大きさを格段に小さくすることができる。
また、この発光装置101によれば、上記(1)及び(2)の式を満たすように、導光板102の下面22に対する穴部21の内面24の角度αと、導光板102の屈折率nが設定されているので、穴部121の内面24から入射した光の殆どが伝搬光となる。従って、光学的制御部を省略して部品点数を削減することができるし、発光装置101を簡単容易に製造することができる。
これに加え、穴部121が半透過塗装部126の反射面126aで塞がれているので、光源103から反射面126aへ入射した光の一部を散乱反射させ、間接的に内面24へ入射させることができ、光源103からの光取り出し効率が良い。さらに、光の一部は半透過塗装部126を透過し、また、透明シート150内で伝搬されている光について半透過塗装部126の反射面126aで散乱反射して一部が外部放射する。これにより、導光板102における穴部121の上方だけ外部へ放射される光量が低下することがなく、また、一方で半透過塗装部126がない場合のように正面輝度が高すぎることもない。この結果、穴部121を形成したにもかかわらず小サイズで目立たず、仮にわずかな輝度差があってとしても均一な面状発光を実現することができる。
尚、第2の実施形態においては、透明シート150の光源103側に半透過塗装部126を形成したものを示したが、例えば図16に示すように、光源103と反対側に半透過塗装部126を形成してもよい。この場合、半導体塗装部126の反射面126aは、厳密には透明シート150の厚さの分だけ穴部121と離隔をしているものの、実質的には穴部121の上端を光学的に塞いでいるといえる。また、例えば図17に示すように、半透過塗装部126に代えて白色粒子層226を透明シート150に形成したものであってもよい。透光部材としての透明シート150は、粘着性を有しており、粘着力により白色粒子が層状に透明シート150に貼り付けられている。白色粒子層226の反射面226aは、粒子による凹凸が形成されているものの、マクロ的には平面状に形成されているといえる。また、例えば図18に示すように、穴部121を塞ぐように、上面22側に透光部材としての反射シール326を貼り付けるようにしてもよい。この場合、反射シール326の穴部121側の表面が反射面326aをなす。また、面状の発光装置に高さ方向に間隔をおいて拡散板を配置する場合、あるいは厚い拡散板を用いる場合など、反射面が比較的小サイズで目立たないよう使用する場合は、半透過でなく不透過の反射面としてもよいことは勿論である。
また、例えば図19に示すように、導光板2の上面22側に全面的に透明板450を設けることもできる。透光部材としての透明板450は、導光板2と接触する部分は平面的に形成され、穴部121を塞ぐ部分は下方へ凸となる湾曲部451が形成されている。湾曲部451の下面には湾曲形状に沿って半透過塗装部426が形成され、穴部121は半透過塗装部426の光源3側の表面である曲面状の反射層426aにより塞がれている。この場合、光源3から発せられた光は、光源3へ向かって凸の曲面状の反射層426aにて反射されるため、単に平面状に形成された場合よりも、穴部121の内面124へ向かう光量が多くなる。
また、例えば、前記実施形態の発光装置1を1つの発光ユニットとし、複数の発光ユニットから発光装置を構成することもできる。この場合、例えば、各発光ユニットを、平面状に間隔をおいて配置し、各発光ユニットの導光板の端面間に空気層を形成することができる。そして、この空気層に白色反射板を配置することにより、各発光ユニットごとに導光板の面内の輝度の均一化が図ることができる。このとき、各光源間の縦方向及び横方向の距離は、空気層及び白色反射板を跨ぐ場合であっても、跨がない場合と同じよう設定することが好ましい。
以上のように構成すると、各発光ユニットごとに発光のオン及びオフや、発光の強度を制御することができる。また、導光板の端面に白色反射剤を直接設けずに、空気層に白色反射板を設けることにより、導光板の端面付近の光量が増大することを抑制することができる。すなわち、導光板の端面に直接白色塗装を行った場合、端面で散乱反射が生じる。これにより、導光板から光が外部放射されるため、導光板の端部周辺の輝度が高くなる。一方、導光板の端面と白色反射板との間に空気層がある場合、白色反射板で散乱反射した光は、導光板に再入射する際、導光板の伝搬光となる角度に屈折するので、導光板の端部周辺の輝度が高くなることを防ぐことができる。尚、これは、複数の発光ユニットの場合だけでなく、単一の発光装置1等であっても同様である。
また、白色反射板は、隣接する発光ユニットへ光を至らせず、発光ユニット毎の独立点灯を行うためにも効果がある。尚、白色反射板を全ての発光ユニット間には備えず、複数の発光ユニットからなるグループの端部だけに設けるものとしてもよい。この場合、グループ内では隣接する発光ユニットの導光板へも光が伝わるため、グループ内の各発光ユニット全体での輝度の均一化を図ることができる。
図20及び図21は本発明の第3の実施形態を示し、図20(a)は発光装置の平面図、図20(b)は発光装置の横断面図である。第1及び第2の実施形態においては、複数の穴部21、121が各光源3,103ごとに形成されたものを示したが、第3の実施形態においては、1つの穴部を複数の光源で共用している。
図20(a)に示すように、この発光装置501は、平板状の導光板502と、導光板502に形成され直線状の穴部521と、穴部521に収容される複数の光源103と、導光板502の外枠部505と、を備えている。各光源103は、第2の実施形態と同様であるので、ここでは詳述しない。各光源103は、長尺方向に一列に並べられている。
図20(b)に示すように、発光装置501は、導光板502に穴部521を塞ぐ反射シール526を備えている。尚、図20(a)については、説明のために反射シール526を省略して図示している。本実施形態においては、反射シール526の穴部521側の表面が反射面526aをなしている。
図21は、発光装置の縦断面図である。
図21に示すように、穴部521は,導光板502の厚さ方向にわたって形成されている。すなわち、本実施形態においては、導光板502は、光源103を挟んで分離して設けられている。また、穴部521の内面524と導光板502の上面522及び下面523とは垂直に形成され、上記式(1)及び(2)を満たすように設定されている。
また、外枠部505は、導光板502を下方及び側方から覆うよう形成される。外枠部505と導光板502の間には、光源103を搭載する搭載基板4が設けられている。
以上のように構成された発光装置501によれば、上記(1)及び(2)の式を満たすように、導光板502の下面522に対する穴部521の内面524の角度αと、導光板502の屈折率nが設定されているので、穴部521の内面524から入射した光の殆どが伝搬光となる。従って、光学的制御部を省略して部品点数を削減することができるし、発光装置501を簡単容易に製造することができる。また、導光板502を各光源103を挟んで分離して穴部521が形成されるようにしたので、導光板502に穴部521のための加工を施す必要がなく、導光板502の作製が極めて容易である。
これに加え、穴部521が反射シール526の反射面526aで塞がれているので、光源103から反射面526aへ入射した光の一部を散乱反射させ、間接的に内面524へ入射させることができ、光源103からの光取り出し効率が良い。
尚、第3の実施形態においては、穴部521が導光板502の上下にわたって形成されたものを示したが、例えば図22に示すように、穴部621が導光板602の下面623側から上面622まで至らず、厚さ方向の途中まで形成される発光装置601としてもよい。図22(a)には、導光板602a,602bが分離して形成され、穴部621の直上に各導光板602a,602bの当接部602cが設けられたものを示している。穴部621の平坦な上面には、反射層626が形成され、その表面が反射面626aをなしている。穴部621の内面624は、導光板602a,602bの厚さ方向に対して傾斜しているが、上記式(1)及び(2)を満たすように設定されている。尚、図22(b)に示すように、導光板602dを一体に形成してもよいことは勿論である。
さらに、図23に示すように、透明樹脂からなる導光板702a,702bと、導光板702a,702bの穴部721を塞ぐ閉塞部726と、を二色成形により一体的に形成してもよい。尚、導光板702a,702bと閉塞部726とを、個別に成形してもよいことは勿論である。図23の発光装置701においては、閉塞部726は白色の樹脂からなり、穴部721に露出した表面が反射面726aをなしている。図23(a)においては、反射面726aが平面状であり、図23(b)においては、反射面726bは光源103に対して凸の曲面状に形成されている。
また、図24及び図25に示すように、材料の異なる導光板802a,802bを組み合わせてもよい。図24の発光装置801では、穴部821が形成される第1導光板802aと、第1導光板802aの外側に配置される第2導光板802bと、が別個に形成される。尚、穴部821は、各光源103ごとに別個に形成されている。図25に示すように、穴部821における光源3の真上には、反射面826aを有する反射層826が形成されている。
この発光装置801では、第1導光板802aが射出成形により形成され、第2導光板802bが圧延成形により形成される。これにより、穴部821の内面824形状など、比較的精度が要求される穴部821周りを射出成形の部材とし、平板部分を安価で大量生産が可能な圧延成形とすることにより、導光板802a,802bの製造コストを低減することができる。
また、穴部821における光源3の真上の反射面826aは、光学特性を優先する場合には、第1及び第2の実施形態のように穴部のみに対応した反射面の形状とすることが望ましいが、隣接する穴部821の間を含むように複数の穴部821に対応した連続的な形状とすることで、反射面826aの形成を容易なものとして、製造コストを低減することができる。また、導光板802aの光源3実装面側に反射面826aを備える場合には、光学特性の低下もわずかである。
尚、前記各実施形態においては、LED素子32のp側電極65がITOからなるものを示したが、例えば、p側電極65をAg合金により構成してもよい。この場合、素子搭載基板33へ漏れる光を減じて光源3の光取り出し効率を高めることができる。
さらには、LED素子32のp側電極65を、ITOからなるコンタクト電極と、Alからなる表面反射層から形成することもできる。この場合も、素子搭載基板33へ漏れる光を減じて光源3の光取り出し効率を高めることができる。
さらにまた、支持基板60をサファイアとしたものを示したが、例えば、SiCやGaNのように導電性基板として電流を拡散するようにしてもよい。また、支持基板60がMQW層63と同じ屈折率で、屈折率が1.7以上のガラスと組み合わせることにより、LED素子32からの光取り出し効率を向上させることができる。
また、前記各実施形態においては、導光板の両面に特に加工を施していないが、必要に応じて任意の加工を施してもよいことは勿論であり、例えば、導光板の少なくとも一方の面に反射加工を施すこともできる。
また、前記実施形態においては、発光素子としてLED素子を用いた発光装置を説明したが、発光素子はLED素子に限定されるものではないし、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
1 発光装置
2 導光板
3 光源
4 搭載基板
21 穴部
22 上面
23 下面
24 内面
26 白色反射層
26a 第1反射面
26b 第2反射面
32 LED素子
33 素子実装基板
34 ガラス封止部
34a 上面
34b 側面
39 蛍光体
101 発光装置
103 光源
121 穴部
126 半透過塗装部
126a 反射層
133 素子実装基板
134 ガラス封止部
134a 上面
134b 側面
226 白色粒子層
226a 反射面
326 反射シール
326a 反射面
426 半透過塗装部
426a 反射層
501 発光装置
502 導光板
521 穴部
522 上面
523 下面
524 内面
526 反射シール
526a 反射面
601 発光装置
602a 導光板
602b 導光板
602d 導光板
621 穴部
622 上面
623 下面
624 内面
626 反射層
626a 反射面
701 発光装置
702a 導光板
702b 導光板
721 穴部
724 内面
726 閉塞部
726a 反射面
726b 反射面
801 発光装置
802a 第1導光板
802b 第2導光板
821 穴部
824 内面
826 反射層
826a 反射面

Claims (7)

  1. 素子実装基板と、前記素子実装基板にフリップチップ接続により実装されたLED素子と、前記素子実装基板上で前記LED素子を封止する封止部と、を有する光源と、
    前記光源が収容される穴部を有し、前記穴部の側方の内面が入射面となる導光板と、を備え、
    前記穴部は、前記導光板の一面から他面側へ延び、前記入射面が前記導光板の厚さ方向に対して略平行であり、
    前記穴部を前記導光板の他面側にて光学的に塞ぎ、前記光源から発せられる光の少なくとも一部を反射する反射面を有する発光装置。
  2. 前記導光板の前記一面に対する前記穴部の前記内面の角度をαとし、前記導光板の屈折率をnとしたとき、
    90°−Sin−1[{sin(90°−α)}/n]+α≧Sin−1(1/n)
    の式を満たす請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記導光板の前記他面に対する前記貫通孔の前記内面の角度をαとし、前記導光板の屈折率をnとしたとき、
    α≦90°−2×Sin−1[sin{(90°−α)/n}]
    の式を満たす請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記導光板の他面に配置される導光部材を備え、
    前記反射面は、前記導光部材に形成される請求項2または3に記載の発光装置。
  5. 前記穴部は、前記導光板の一面から、前記導光板の厚さ方向の途中まで形成されている請求項2または3に記載の発光装置。
  6. 前記導光部材は、透明板あるいは透明シートである請求項4に記載の発光装置。
  7. 前記穴部は、前記導光板を厚さ方向に貫通している請求項2から4のいずれか1項に記載の発光装置。
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Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014007293A1 (ja) * 2012-07-04 2014-01-09 シャープ株式会社 エッジライト型面光源装置
JP2018106804A (ja) * 2016-12-22 2018-07-05 ニッタン株式会社 防災用表示灯
JP2018137061A (ja) * 2017-02-20 2018-08-30 ニッタン株式会社 防災用表示灯
JP2019513288A (ja) * 2016-04-01 2019-05-23 イノテク・コーポレイションInnotec, Corp. バックライトを供給する照明アセンブリ
WO2019221304A1 (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 富士フイルム株式会社 面状照明装置および液晶表示装置
US10775669B2 (en) 2018-03-26 2020-09-15 Nichia Corporation Light emitting module
US10845527B2 (en) 2018-12-28 2020-11-24 Nichia Corporation Light emitting module
US10910534B2 (en) 2018-06-04 2021-02-02 Nichia Corporation Light-emitting device and surface-emitting light source
US10930624B2 (en) 2018-08-03 2021-02-23 Nichia Corporation Light-emitting module
CN112558213A (zh) * 2019-09-26 2021-03-26 夏普株式会社 照明装置以及显示装置
JP2021057562A (ja) * 2019-09-30 2021-04-08 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
JP2021061246A (ja) * 2020-12-17 2021-04-15 日亜化学工業株式会社 面光源装置、表示装置及び電子機器
WO2021131252A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 ミネベアミツミ株式会社 面状照明装置
US11056615B2 (en) 2018-09-28 2021-07-06 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting module with concave surface light guide plate
US11073725B2 (en) 2018-03-26 2021-07-27 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting module, and light emitting module
US11073654B2 (en) 2018-12-28 2021-07-27 Nichia Corporation Light emitting module with recesses in light guide plate
US11106077B2 (en) 2018-08-03 2021-08-31 Nichia Corporation Light emitting module and method of manufacturing the same
JP2021141051A (ja) * 2020-03-02 2021-09-16 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
US11150508B2 (en) 2018-08-21 2021-10-19 Nichia Corporation Light emitting device
US11221519B2 (en) 2018-03-26 2022-01-11 Nichia Corporation Light emitting module
JP2022031318A (ja) * 2019-12-11 2022-02-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置を用いた面発光装置
US11300722B2 (en) 2016-12-09 2022-04-12 Nichia Corporation Light guide plate, planar light source apparatus, display apparatus, and electronic device
US11342314B2 (en) 2018-08-03 2022-05-24 Nichia Corporation Light-emitting module
US11353645B2 (en) 2020-03-02 2022-06-07 Nichia Corporation Light-emitting module including first hole portion
JP2022086470A (ja) * 2020-11-30 2022-06-09 日亜化学工業株式会社 面状光源
JP2022087322A (ja) * 2020-01-31 2022-06-09 日亜化学工業株式会社 面状光源
US11415741B2 (en) 2020-09-07 2022-08-16 Nichia Corporation Surface light source
US11450795B2 (en) 2019-05-31 2022-09-20 Nichia Corporation Light-emitting module and surface-emitting light source including a plurality of wiring formations between two terminals
US11450707B2 (en) 2019-08-02 2022-09-20 Nichia Corporation Light emission device
US11499684B2 (en) 2020-04-13 2022-11-15 Nichia Corporation Planar light source and the method of manufacturing the same
US11681090B2 (en) 2019-05-30 2023-06-20 Nichia Corporation Light emitting module and method of manufacturing same

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231037A (ja) * 2001-01-20 2002-08-16 Koninkl Philips Electronics Nv 点状光源を具える照明装置
JP2007207598A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Fujifilm Corp 面状照明装置
JP2007227286A (ja) * 2006-02-27 2007-09-06 Seiko Instruments Inc 照明装置、及びこれを用いた表示装置
JP2008059786A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Seiko Instruments Inc 照明装置およびこれを備える表示装置
JP2009175702A (ja) * 2007-11-19 2009-08-06 Honeywell Internatl Inc 液晶ディスプレイのためのバックライトシステム
JP2009252898A (ja) * 2008-04-03 2009-10-29 Toyoda Gosei Co Ltd 光源装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231037A (ja) * 2001-01-20 2002-08-16 Koninkl Philips Electronics Nv 点状光源を具える照明装置
JP2007207598A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Fujifilm Corp 面状照明装置
JP2007227286A (ja) * 2006-02-27 2007-09-06 Seiko Instruments Inc 照明装置、及びこれを用いた表示装置
JP2008059786A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Seiko Instruments Inc 照明装置およびこれを備える表示装置
JP2009175702A (ja) * 2007-11-19 2009-08-06 Honeywell Internatl Inc 液晶ディスプレイのためのバックライトシステム
JP2009252898A (ja) * 2008-04-03 2009-10-29 Toyoda Gosei Co Ltd 光源装置

Cited By (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9244213B2 (en) 2012-07-04 2016-01-26 Sharp Kabushiki Kaisha Edge-light type planar light source device
JP5851608B2 (ja) * 2012-07-04 2016-02-03 シャープ株式会社 エッジライト型面光源装置
WO2014007293A1 (ja) * 2012-07-04 2014-01-09 シャープ株式会社 エッジライト型面光源装置
JP2019513288A (ja) * 2016-04-01 2019-05-23 イノテク・コーポレイションInnotec, Corp. バックライトを供給する照明アセンブリ
US11300722B2 (en) 2016-12-09 2022-04-12 Nichia Corporation Light guide plate, planar light source apparatus, display apparatus, and electronic device
JP2018106804A (ja) * 2016-12-22 2018-07-05 ニッタン株式会社 防災用表示灯
JP2018137061A (ja) * 2017-02-20 2018-08-30 ニッタン株式会社 防災用表示灯
US10775669B2 (en) 2018-03-26 2020-09-15 Nichia Corporation Light emitting module
US11886078B2 (en) 2018-03-26 2024-01-30 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting module, and light emitting module
US11221519B2 (en) 2018-03-26 2022-01-11 Nichia Corporation Light emitting module
US11073725B2 (en) 2018-03-26 2021-07-27 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting module, and light emitting module
WO2019221304A1 (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 富士フイルム株式会社 面状照明装置および液晶表示装置
US10910534B2 (en) 2018-06-04 2021-02-02 Nichia Corporation Light-emitting device and surface-emitting light source
US11973171B2 (en) 2018-06-04 2024-04-30 Nichia Corporation Light-emitting device and surface-emitting light source
US10930624B2 (en) 2018-08-03 2021-02-23 Nichia Corporation Light-emitting module
US11342314B2 (en) 2018-08-03 2022-05-24 Nichia Corporation Light-emitting module
US11106077B2 (en) 2018-08-03 2021-08-31 Nichia Corporation Light emitting module and method of manufacturing the same
US11150508B2 (en) 2018-08-21 2021-10-19 Nichia Corporation Light emitting device
US11899306B2 (en) 2018-08-21 2024-02-13 Nichia Corporation Light emitting device
US11056615B2 (en) 2018-09-28 2021-07-06 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting module with concave surface light guide plate
US11616169B2 (en) 2018-09-28 2023-03-28 Nichia Corporation Light emitting module with concave surface light guide plate
US11187842B2 (en) 2018-12-28 2021-11-30 Nichia Corporation Light emitting module
US11073654B2 (en) 2018-12-28 2021-07-27 Nichia Corporation Light emitting module with recesses in light guide plate
US10845527B2 (en) 2018-12-28 2020-11-24 Nichia Corporation Light emitting module
US11681090B2 (en) 2019-05-30 2023-06-20 Nichia Corporation Light emitting module and method of manufacturing same
US11450795B2 (en) 2019-05-31 2022-09-20 Nichia Corporation Light-emitting module and surface-emitting light source including a plurality of wiring formations between two terminals
US11450707B2 (en) 2019-08-02 2022-09-20 Nichia Corporation Light emission device
US11929387B2 (en) 2019-08-02 2024-03-12 Nichia Corporation Light emission device
CN112558213A (zh) * 2019-09-26 2021-03-26 夏普株式会社 照明装置以及显示装置
JP2021057562A (ja) * 2019-09-30 2021-04-08 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
JP7213454B2 (ja) 2019-09-30 2023-01-27 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
JP2022031318A (ja) * 2019-12-11 2022-02-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置を用いた面発光装置
JP7440780B2 (ja) 2019-12-11 2024-02-29 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置を用いた面発光装置
JP7019881B2 (ja) 2019-12-26 2022-02-15 ミネベアミツミ株式会社 面状照明装置
WO2021131252A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 ミネベアミツミ株式会社 面状照明装置
JPWO2021131252A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01
JP2022087322A (ja) * 2020-01-31 2022-06-09 日亜化学工業株式会社 面状光源
JP7256427B2 (ja) 2020-01-31 2023-04-12 日亜化学工業株式会社 面状光源
US11353645B2 (en) 2020-03-02 2022-06-07 Nichia Corporation Light-emitting module including first hole portion
JP7206507B2 (ja) 2020-03-02 2023-01-18 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
JP2021141051A (ja) * 2020-03-02 2021-09-16 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
US11499684B2 (en) 2020-04-13 2022-11-15 Nichia Corporation Planar light source and the method of manufacturing the same
US11650365B2 (en) 2020-09-07 2023-05-16 Nichia Corporation Surface light source
US11415741B2 (en) 2020-09-07 2022-08-16 Nichia Corporation Surface light source
JP7295438B2 (ja) 2020-11-30 2023-06-21 日亜化学工業株式会社 面状光源
JP2022086470A (ja) * 2020-11-30 2022-06-09 日亜化学工業株式会社 面状光源
US11624499B2 (en) 2020-11-30 2023-04-11 Nichia Corporation Planar light source
JP7093039B2 (ja) 2020-12-17 2022-06-29 日亜化学工業株式会社 面光源装置、表示装置及び電子機器
JP2021061246A (ja) * 2020-12-17 2021-04-15 日亜化学工業株式会社 面光源装置、表示装置及び電子機器

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