JP2011204850A - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体デバイスの製造方法であって、ダイシングテープに支持されたウエーハの溝中に所定温度に加熱された電熱線を挿入し、溝の底に露出したダイボンディング用粘着フィルムに電熱線を接触させて溶融し、ダイボンディング用粘着フィルムに破断起点を形成する。次いで、環状フレームに装着されたダイシングテープを拡張してダイボンディング用粘着フィルムを分割予定ラインに沿って破断起点から破断する。
【選択図】図12
Description
波長 :355nm(YAGレーザの第3高調波)
出力 :3.0W
繰り返し周波数 :20kHz
集光スポット径 :1.0μm
送り速度 :100mm/秒
6 デバイス
10 切削装置
18 切削ブレード
22 切削溝
24 保護テープ
26 研削装置
36 研削砥石
38 DAF
50 レーザ加工溝
60 ブレーキング装置
62 フレーム保持手段
64 テープ拡張手段
80 冷却手段
86 冷却素子
T ダイシングテープ
F 環状フレーム
Claims (5)
- 裏面にダイボンディング用粘着フィルムが配設された半導体デバイスの製造方法であって、
表面に格子状に設けられた分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスがそれぞれ形成されたウエーハを、該分割予定ラインに沿ってその表面側から該デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成し、
該溝が形成されたウエーハの表面に保護テープを貼着し、
該保護テープが貼着されたウエーハの裏面を該デバイスの仕上がり厚さに研削して、該溝を裏面から露出させて該ウエーハを個々のデバイスに分割し、
個々のデバイスに分割されたウエーハの裏面側にダイボンディング用粘着フィルムを配設し、
外周部が環状フレームに装着された延性のあるダイシングテープに該ダイボンディング用粘着フィルムを貼着し、
ウエーハの表面に貼着された該保護テープを剥離し、
該ダイシングテープに支持されたウエーハの該溝中に所定温度に加熱された該溝に挿入可能な太さの電熱線を挿入し、該溝の底に露出した該ダイボンディング用粘着フィルムに該電熱線を接触させて該ダイボンディング用粘着フィルムの表面付近を溶融して、該ダイボンディング用粘着フィルムに破断起点を形成し、
該環状フレームに装着された該ダイシングテープを拡張して該ダイボンディング用粘着フィルムを該分割予定ラインに沿って該破断起点から破断する、
各工程を具備したことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 前記破断起点を形成する前に、前記溝が前記電熱線の直径より広い幅になるまでウエーハが装着された前記ダイシングテープを拡張する事前拡張工程を更に具備した請求項1記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記ダイボンディング用粘着フィルムを破断起点から破断する工程は、前記ダイボンディング用粘着フィルムが貼着された前記ダイシングテープを冷却しつつ実施する請求項1又は2記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記電熱線を加熱する温度は80℃〜300℃の範囲内である請求項1,2又は3記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成する工程は、パルスレーザビームの照射により実施する請求項1〜4の何れかに記載の半導体デバイスの製造方法。
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