JP2011204790A - Semiconductor light emitting device - Google Patents

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聡 清水
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light emitting device hardly discolored in lead frames.SOLUTION: The semiconductor light emitting device includes mutually separated first and second lead frames, and a light emitting element disposed above the first and second lead frames, connected with the first lead frame at one terminal, and connected with the second lead frame at the other terminal. Each of the first and second lead frames includes a base material, a silver plated layer formed on at least an upper surface of the base material and having a thickness of at least 2 μm, and a rhodium plated layer formed on the silver plated layer and thinner than the silver plated layer.

Description

本発明は、半導体発光装置に関し、特に、リードフレーム上に発光素子を搭載した半導体発光装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor light emitting device, and more particularly to a semiconductor light emitting device in which a light emitting element is mounted on a lead frame.

従来より、金属製のリードフレーム上にＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）チップ等の発光素子を搭載して透明樹脂で封止した半導体発光装置が開発されている。このような半導体発光装置においては、リードフレームを光反射板として利用し、ＬＥＤチップから下方に出射された光をリードフレームによって上方に向けて反射し、光の利用効率の向上を図っている。このため、リードフレームの表面には、光反射層として銀（Ａｇ）めっき層が形成されている（例えば、特許文献１参照。）。光反射層として銀めっき層を用いている理由は、銀は金属のうち光の反射率が最も高く、可視光領域において９５％程度の全反射率を示すからである。   Conventionally, a semiconductor light emitting device in which a light emitting element such as an LED (Light Emitting Diode) chip is mounted on a metal lead frame and sealed with a transparent resin has been developed. In such a semiconductor light emitting device, a lead frame is used as a light reflecting plate, and light emitted downward from the LED chip is reflected upward by the lead frame to improve light utilization efficiency. For this reason, a silver (Ag) plating layer is formed as a light reflection layer on the surface of the lead frame (see, for example, Patent Document 1). The reason why the silver plating layer is used as the light reflecting layer is that silver has the highest light reflectance among metals and exhibits a total reflectance of about 95% in the visible light region.

しかしながら、銀は耐食性が低いため、長期間使用すると、銀めっき層の表面が酸化又は硫化されて、変色してしまうという問題がある。これにより、リードフレームの光反射率が低下し、半導体発光装置の出力が低下してしまう。また、近年のＬＥＤチップの高出力化に伴い、ＬＥＤチップから放射される光及び熱が増加し、銀めっき層の劣化が進みやすくなっている。   However, since silver has low corrosion resistance, there is a problem that when used for a long period of time, the surface of the silver plating layer is oxidized or sulfided and discolors. As a result, the light reflectivity of the lead frame decreases, and the output of the semiconductor light emitting device decreases. Further, with the recent increase in output of LED chips, the light and heat emitted from the LED chips are increased, and the deterioration of the silver plating layer is likely to proceed.

特開２００６−２６９６６７号公報JP 2006-269667 A

本発明の目的は、リードフレームが変色しにくい半導体発光装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device in which a lead frame is not easily discolored.

本発明の一態様によれば、相互に離隔した第１及び第２のリードフレームと、前記第１及び第２のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第１のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第２のリードフレームに接続された発光素子と、を備え、前記第１及び第２のリードフレームは、それぞれ、基材と、前記基材の少なくとも上面上に形成され、厚さが２μｍ以上である銀めっき層と、前記銀めっき層上に形成され、前記銀めっき層よりも薄いロジウムめっき層と、を有することを特徴とする半導体発光装置が提供される。   According to an aspect of the present invention, the first and second lead frames spaced apart from each other, the first lead frame provided above the first lead frame, and one terminal connected to the first lead frame. A light emitting element having the other terminal connected to the second lead frame, wherein the first and second lead frames are respectively formed on a base material and at least an upper surface of the base material. There is provided a semiconductor light emitting device comprising: a silver plating layer having a thickness of 2 μm or more; and a rhodium plating layer formed on the silver plating layer and thinner than the silver plating layer.

本発明の他の一態様によれば、同一平面上に配置され、相互に離隔した第１及び第２のリードフレームと、前記第１及び第２のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第１のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第２のリードフレームに接続された発光素子と、前記第１及び第２のリードフレームのそれぞれの上面全体、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記発光素子を覆い、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させた樹脂体と、を備え、前記第１及び第２のリードフレームは、それぞれ、基材と、前記基材の少なくとも上面上に形成された銀めっき層と、前記銀めっき層上に形成されたロジウムめっき層と、を有することを特徴とする半導体発光装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, the first and second lead frames arranged on the same plane and spaced apart from each other, and the one terminal provided above the first and second lead frames. Is connected to the first lead frame and the other terminal is connected to the second lead frame, and the entire upper surface, a part of the lower surface and the end surface of each of the first and second lead frames. And a resin body that covers the light emitting element and exposes the remaining portion of the lower surface and the remaining portion of the end surface, and the first and second lead frames each include a base material, There is provided a semiconductor light emitting device comprising: a silver plating layer formed on at least an upper surface of a substrate; and a rhodium plating layer formed on the silver plating layer.

本発明によれば、リードフレームが変色しにくい半導体発光装置を実現することができる。   According to the present invention, it is possible to realize a semiconductor light emitting device in which the lead frame is not easily discolored.

第１の実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図である。1 is a perspective view illustrating a semiconductor light emitting device according to a first embodiment. 第１の実施形態に係る半導体発光装置を例示する断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor light emitting device according to a first embodiment. 第１の実施形態におけるリードフレームを例示する断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating a lead frame in a first embodiment. 第２の実施形態におけるリードフレームを例示する断面図である。It is sectional drawing which illustrates the lead frame in 2nd Embodiment. 第３の実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図である。FIG. 6 is a perspective view illustrating a semiconductor light emitting device according to a third embodiment. 第３の実施形態に係る半導体発光装置を例示する断面図である。It is sectional drawing which illustrates the semiconductor light-emitting device concerning 3rd Embodiment. 第４の実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図である。It is a perspective view which illustrates the semiconductor light-emitting device concerning 4th Embodiment. （ａ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置を例示する断面図であり、（ｂ）は、リードフレームを例示する平面図である。(A) is sectional drawing which illustrates the semiconductor light-emitting device concerning 1st Embodiment, (b) is a top view which illustrates a lead frame. 第４の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するフローチャート図である。It is a flowchart figure which illustrates the manufacturing method of the semiconductor light-emitting device concerning 4th Embodiment. （ａ）〜（ｄ）は、第４の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程断面図である。(A)-(d) is process sectional drawing which illustrates the manufacturing method of the semiconductor light-emitting device which concerns on 4th Embodiment. （ａ）〜（ｃ）は、第４の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程断面図である。(A)-(c) is process sectional drawing which illustrates the manufacturing method of the semiconductor light-emitting device concerning 4th Embodiment. （ａ）及び（ｂ）は、第４の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程断面図である。(A) And (b) is process sectional drawing which illustrates the manufacturing method of the semiconductor light-emitting device concerning 4th Embodiment. （ａ）は、第４の実施形態におけるリードフレームシートを例示する平面図であり、（ｂ）は、このリードフレームシートの素子領域を例示する一部拡大平面図である。(A) is a top view which illustrates the lead frame sheet in 4th Embodiment, (b) is a partially expanded plan view which illustrates the element area | region of this lead frame sheet. （ａ）〜（ｈ）は、第４の実施形態の変形例におけるリードフレームシートの形成方法を例示する工程断面図である。(A)-(h) is process sectional drawing which illustrates the formation method of the lead frame sheet | seat in the modification of 4th Embodiment. 第５の実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図である。FIG. 10 is a perspective view illustrating a semiconductor light emitting device according to a fifth embodiment. 第５の実施形態に係る半導体発光装置を例示する側面図である。FIG. 9 is a side view illustrating a semiconductor light emitting device according to a fifth embodiment. 横軸にタイミングをとり、縦軸に光束値の変動率をとって、ＴＨＯ試験の結果を示すグラフ図である。It is a graph which shows a result of a THO test by taking a timing on the horizontal axis and taking a fluctuation rate of the luminous flux value on the vertical axis. 横軸にタイミングをとり、縦軸に光束値の変動率をとって、ＨＴＯ試験の結果を示すグラフ図である。It is a graph which shows a result of an HTO test, taking a timing on the horizontal axis and taking a fluctuation rate of the luminous flux value on the vertical axis.

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図であり、
図２は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する断面図であり、
図３は、本実施形態におけるリードフレームを例示する断面図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
First, a first embodiment of the present invention will be described.
FIG. 1 is a perspective view illustrating a semiconductor light emitting device according to this embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the semiconductor light emitting device according to this embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a lead frame in this embodiment.

図１及び図２に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置１においては、リードフレーム１１及び１２が、相互に離隔して設けられている。リードフレーム１１及び１２は同一平面上に配置されており、擬似的な１枚の板状部材を構成している。リードフレーム１１の上面の一部にはダイマウント材１３が層状に設けられており、ダイマウント材１３上には発光素子としてＬＥＤチップ１４が搭載されている。ＬＥＤチップ１４は、例えば青色の光を出射するチップである。ＬＥＤチップ１４の上面には２つの端子が設けられており、一方の端子はワイヤ１５を介してリードフレーム１１に接続されており、他方の端子はワイヤ１６を介してリードフレーム１２に接続されている。ワイヤ１５及び１６は、例えば金（Ａｕ）によって形成されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, in the semiconductor light emitting device 1 according to the present embodiment, lead frames 11 and 12 are provided apart from each other. The lead frames 11 and 12 are arranged on the same plane, and constitute one pseudo plate member. A die mount material 13 is provided in a layer on a part of the upper surface of the lead frame 11, and an LED chip 14 is mounted on the die mount material 13 as a light emitting element. The LED chip 14 is a chip that emits blue light, for example. Two terminals are provided on the upper surface of the LED chip 14, one terminal is connected to the lead frame 11 via a wire 15, and the other terminal is connected to the lead frame 12 via a wire 16. Yes. The wires 15 and 16 are made of, for example, gold (Au).

リードフレーム１１及び１２の上方には、例えば白色の熱可塑性樹脂からなる枠状の外囲器２０が設けられている。リードフレーム１１及び１２並びに外囲器２０により、上方に開口した椀状の構造物が形成されており、ＬＥＤチップ１４はこの椀状の構造物の底部に配置されている。そして、この椀状の構造物の内部には、透明樹脂体１７が充填されている。従って、ＬＥＤチップ１４は透明樹脂体１７の内部に埋め込まれており、封止されている。透明樹脂体１７は透明又は半透明の樹脂、例えばシリコーン樹脂からなり、粒状の蛍光体（図示せず）が分散されている。蛍光体は、例えば、青色の光を吸収して緑色の光を発光する緑色蛍光体、及び、青色の光を吸収して赤色の光を発光する赤色蛍光体である。リードフレーム１１の一部及びリードフレーム１２の一部は、外囲器２０の外部に延出しており、それぞれ、外部電極１１ａ及び１２ａとなっている。   Above the lead frames 11 and 12, a frame-shaped envelope 20 made of, for example, white thermoplastic resin is provided. The lead frames 11 and 12 and the envelope 20 form a bowl-shaped structure that opens upward, and the LED chip 14 is disposed at the bottom of the bowl-shaped structure. The inside of the bowl-shaped structure is filled with a transparent resin body 17. Therefore, the LED chip 14 is embedded in the transparent resin body 17 and sealed. The transparent resin body 17 is made of a transparent or translucent resin, for example, a silicone resin, and a granular phosphor (not shown) is dispersed therein. The phosphor is, for example, a green phosphor that absorbs blue light and emits green light, and a red phosphor that absorbs blue light and emits red light. A part of the lead frame 11 and a part of the lead frame 12 extend to the outside of the envelope 20 and become external electrodes 11a and 12a, respectively.

そして、図３に示すように、リードフレーム１１においては、導電性材料、例えば銅（Ｃｕ）からなる基材２１が設けられており、基材２１の上面上には、銀めっき層２２が形成されている。銀めっき層２２は銀（Ａｇ）からなり、その厚さは２μｍ以上であり、例えば３〜８μｍである。銀めっき層２２上には、ロジウムめっき層２３が形成されている。ロジウムめっき層２３はロジウム（Ｒｈ）からなり、その厚さは例えば１０〜７５ｎｍである。リードフレーム１２においても同様に、基材２１の表面上に銀めっき層２２及びロジウムめっき層２３が形成されている。リードフレーム１１に設けられた基材２１、銀めっき層２２及びロジウムめっき層２３の厚さは、それぞれ、リードフレーム１２に設けられた基材２１、銀めっき層２２及びロジウムめっき層２３の厚さと同じである。また、銀めっき層２２及びロジウムめっき層２３は、例えば、水溶液を用いた電解めっき法によって形成されている。   As shown in FIG. 3, the lead frame 11 is provided with a base material 21 made of a conductive material, for example, copper (Cu), and a silver plating layer 22 is formed on the upper surface of the base material 21. Has been. The silver plating layer 22 is made of silver (Ag) and has a thickness of 2 μm or more, for example, 3 to 8 μm. A rhodium plating layer 23 is formed on the silver plating layer 22. The rhodium plating layer 23 is made of rhodium (Rh) and has a thickness of 10 to 75 nm, for example. Similarly, in the lead frame 12, a silver plating layer 22 and a rhodium plating layer 23 are formed on the surface of the substrate 21. The thickness of the base material 21, the silver plating layer 22 and the rhodium plating layer 23 provided on the lead frame 11 is the same as the thickness of the base material 21, the silver plating layer 22 and the rhodium plating layer 23 provided on the lead frame 12, respectively. The same. Further, the silver plating layer 22 and the rhodium plating layer 23 are formed by, for example, an electrolytic plating method using an aqueous solution.

次に、本実施形態の動作について説明する。
半導体発光装置１においては、リードフレーム１１とリードフレーム１２との間に電圧が印加されると、ＬＥＤチップ１４が例えば青色の光を出射する。そして、透明樹脂体１７中に分散された蛍光体が、この青色の光を吸収し、例えば緑色の光及び赤色の光を発光する。この結果、透明樹脂体１７の上面からは、ＬＥＤチップ１４から出射された青色の光、並びに蛍光体から発光された緑色の光及び赤色の光が出射し、半導体発光装置１から出射される光の色調は、全体として白色になる。このとき、概ね、ＬＥＤチップ１４及び蛍光体から上方に向かって出射した光は、そのまま透明樹脂体１７の上面から出射し、側方に向かって出射した光は、外囲器２０の内側面で反射されて透明樹脂体１７の上面から出射し、下方に向かって出射した光は、リードフレーム１１及び１２の上面で反射されて透明樹脂体１７の上面から出射する。なお、外囲器２０の内側面並びにリードフレーム１１及び１２の上面において複数回反射された後、透明樹脂体１７の上面から出射する光もある。このため、リードフレーム１１及び１２の上面における光の反射率が、半導体発光装置１の出力に影響を及ぼす。 Next, the operation of this embodiment will be described.
In the semiconductor light emitting device 1, when a voltage is applied between the lead frame 11 and the lead frame 12, the LED chip 14 emits blue light, for example. The phosphor dispersed in the transparent resin body 17 absorbs the blue light and emits, for example, green light and red light. As a result, blue light emitted from the LED chip 14 and green light and red light emitted from the phosphor are emitted from the upper surface of the transparent resin body 17, and light emitted from the semiconductor light emitting device 1. The color tone becomes white as a whole. At this time, generally, the light emitted upward from the LED chip 14 and the phosphor is directly emitted from the upper surface of the transparent resin body 17, and the light emitted toward the side is emitted from the inner surface of the envelope 20. Light reflected and emitted from the upper surface of the transparent resin body 17 and emitted downward is reflected by the upper surfaces of the lead frames 11 and 12 and emitted from the upper surface of the transparent resin body 17. There is also light emitted from the upper surface of the transparent resin body 17 after being reflected a plurality of times on the inner surface of the envelope 20 and the upper surfaces of the lead frames 11 and 12. For this reason, the reflectance of light on the upper surfaces of the lead frames 11 and 12 affects the output of the semiconductor light emitting device 1.

次に、本実施形態の作用効果について説明する。
半導体発光装置１を長期間使用すると、透明樹脂体１７内に元々存在する酸素及び硫黄等、並びに外部から透明樹脂内に侵入した酸素及び硫黄等が、拡散によってリードフレーム１１及び１２の上面に到達する。このため、仮に、リードフレーム１１及び１２の最表面が銀めっき層によって形成されていると、銀は耐食性が低いため、銀めっき層の表面が酸化又は硫化されて、変色してしまう。この結果、半導体発光装置の出力が低下してしまう。 Next, the effect of this embodiment is demonstrated.
When the semiconductor light emitting device 1 is used for a long period of time, oxygen, sulfur, etc. originally present in the transparent resin body 17 and oxygen, sulfur, etc. that have entered the transparent resin from the outside reach the upper surfaces of the lead frames 11, 12 by diffusion. To do. For this reason, if the outermost surfaces of the lead frames 11 and 12 are formed of a silver plating layer, since the silver has low corrosion resistance, the surface of the silver plating layer is oxidized or sulfided and discolored. As a result, the output of the semiconductor light emitting device is reduced.

これに対して、本実施形態においては、リードフレーム１１及び１２の最表面にロジウムめっき層２３が設けられている。ロジウムは白金族元素であるため、化学的に安定であり、通常の環境下で酸化及び硫化等の反応が生じることがない。このため、半導体発光装置１を長期間使用しても、ロジウムめっき層２３が変色することがなく、従ってリードフレーム１１及び１２の上面における光の反射率が低下することがなく、半導体発光装置１の出力が低下することがない。また、ロジウムは銀に次いで可視光領域の反射率が高く、８０％程度の反射率を示すため、ＬＥＤチップ１４から出射された光、及び蛍光体から発光された光を、効率よく反射することができる。   In contrast, in the present embodiment, the rhodium plating layer 23 is provided on the outermost surfaces of the lead frames 11 and 12. Since rhodium is a platinum group element, it is chemically stable, and reactions such as oxidation and sulfurization do not occur in a normal environment. For this reason, even if the semiconductor light emitting device 1 is used for a long period of time, the rhodium plating layer 23 is not discolored. The output will not decrease. In addition, rhodium has the highest reflectivity in the visible light region after silver and exhibits a reflectivity of about 80%, so that it efficiently reflects the light emitted from the LED chip 14 and the light emitted from the phosphor. Can do.

また、本実施形態においては、リードフレーム１１及び１２において、基材２１とロジウムめっき層２３との間に、銀めっき層２２が設けられている。銀めっき層２２はロジウムめっき層２３よりも軟らかいため、銀めっき層２２を設けることにより、ワイヤ１５及び１６のボンディング性を良好にすることができる。また、銀はロジウムよりも光の反射率が高いため、ロジウムめっき層２３の下地として銀めっき層２２を設けることにより、リードフレーム全体として、光の反射率を向上させることができる。すなわち、可視光領域の反射率は、ロジウムは８０％であるが、銀は９５％であるため、ロジウムめっき層２３の下地として銀めっき層２２を設けることにより、８０％から９５％の間の反射率を実現することができる。更に、銀めっき層２２を設けることにより、ロジウムめっき層２３を薄くすることができる。これにより、ワイヤ１５及び１６のボンディング性を向上させることができると共に、高価なロジウムの使用量を減らすことができるため、半導体発光装置１のコストを低減することができる。   In the present embodiment, a silver plating layer 22 is provided between the base material 21 and the rhodium plating layer 23 in the lead frames 11 and 12. Since the silver plating layer 22 is softer than the rhodium plating layer 23, the bonding properties of the wires 15 and 16 can be improved by providing the silver plating layer 22. Further, since silver has a higher light reflectance than rhodium, providing the silver plating layer 22 as a base of the rhodium plating layer 23 can improve the light reflectance of the entire lead frame. That is, the reflectance in the visible light region is 80% for rhodium, but 95% for silver. Therefore, by providing the silver plating layer 22 as the base of the rhodium plating layer 23, the reflectance is between 80% and 95%. Reflectance can be realized. Furthermore, by providing the silver plating layer 22, the rhodium plating layer 23 can be made thin. Thereby, the bondability of the wires 15 and 16 can be improved, and the amount of expensive rhodium used can be reduced, so that the cost of the semiconductor light emitting device 1 can be reduced.

更に、本実施形態においては、リードフレーム１１及び１２の下面にはロジウムめっき層が形成されていないため、リードフレーム１１及び１２の下面に半田を接合して半導体発光装置１をプリント基板等に実装する際に、リードフレーム１１及び１２の下面における半田の濡れ性が良好である。このため、本実施形態に係る半導体発光装置１は実装性が優れている。   Furthermore, in this embodiment, since the rhodium plating layer is not formed on the lower surfaces of the lead frames 11 and 12, the semiconductor light emitting device 1 is mounted on a printed circuit board or the like by bonding solder to the lower surfaces of the lead frames 11 and 12. In this case, the solder wettability on the lower surfaces of the lead frames 11 and 12 is good. For this reason, the semiconductor light emitting device 1 according to the present embodiment is excellent in mountability.

以下、本実施形態における数値限定理由について説明する。
ロジウムめっき層の厚さの好適範囲：１０〜７５ｎｍ
ロジウムめっき層２３の厚さが１０ｎｍ未満であると、ロジウムめっき層２３のめっき条件によっては、銀めっき層２２を確実に覆うことが困難になり、耐食性が低下する場合がある。この場合、長期間の使用によってリードフレーム１１及び１２が変色し、光の反射率が低下する。また、ロジウムめっき層２３の厚さが１０μｍ未満であると、めっき層の厚さ及びその均一性を測定できる測定機器が存在しないため、ロジウムめっき層の厚さ及び均一性の管理が困難になり、半導体発光装置の安定的な生産が困難になる。一方、ロジウムめっき層２３の厚さが７５ｎｍよりも厚いと、ロジウムはＨｖ硬度が８００〜１０００と極めて高く、硬質であるため、ワイヤボンディング性が低下する。また、ロジウムめっき層２３の厚さが７５ｎｍよりも厚いと、ロジウムめっき層２３における光の透過率が低下するため、銀めっき層２２の高い反射率を利用できなくなり、リードフレーム全体としての光の反射率が低下する。更に、ロジウムは稀少元素であり極めて高価であるため、ロジウムめっき層２３が厚くなると、半導体発光装置のコストが増加する。以上より、ロジウムめっき層２３の厚さは、１０ｎｍ以上、７５ｎｍ以下であることが好ましい。 Hereinafter, the reason for the numerical limitation in this embodiment will be described.
Preferred range of the thickness of the rhodium plating layer: 10 to 75 nm
When the thickness of the rhodium plating layer 23 is less than 10 nm, depending on the plating conditions of the rhodium plating layer 23, it may be difficult to reliably cover the silver plating layer 22, and the corrosion resistance may be reduced. In this case, the lead frames 11 and 12 are discolored by long-term use, and the light reflectance is lowered. In addition, if the thickness of the rhodium plating layer 23 is less than 10 μm, there is no measuring device that can measure the thickness of the plating layer and its uniformity, so it becomes difficult to manage the thickness and uniformity of the rhodium plating layer. Therefore, stable production of the semiconductor light emitting device becomes difficult. On the other hand, when the thickness of the rhodium plating layer 23 is thicker than 75 nm, the rhodium has a very high Hv hardness of 800 to 1000 and is hard, so that the wire bonding property is lowered. Further, if the rhodium plating layer 23 is thicker than 75 nm, the light transmittance in the rhodium plating layer 23 is lowered, so that the high reflectance of the silver plating layer 22 cannot be used, and the light of the lead frame as a whole cannot be used. Reflectivity decreases. Furthermore, since rhodium is a rare element and extremely expensive, when the rhodium plating layer 23 becomes thick, the cost of the semiconductor light emitting device increases. As mentioned above, it is preferable that the thickness of the rhodium plating layer 23 is 10 nm or more and 75 nm or less.

銀めっき層の厚さの好適範囲：２μｍ以上
銀めっき層２２の厚さが２μｍ未満であると、ワイヤを接合する際の緩衝材としての機能が低下し、リードフレームのワイヤボンディング性が低下する。また、銀めっき層２２の厚さが２μｍ未満であると、銀めっき層２２の形成条件によっては、基材２１から銀めっき層２２の上面へのパイルアップが発生する場合がある。これにより、銀めっき層２２の表面が汚染され、反射率が低下する場合がある。一方、銀めっき層２２の厚さが２μｍ以上であれば、厚さをそれよりも厚くしても、ワイヤボンディング性を向上させる効果及びパイルアップ現象を抑制する効果に大きな優位性はなく、また、厚膜化は材料コストを増加させる。このため、銀めっき層２２の厚さは、２μｍ以上であることが好ましい。銀めっき層２２の厚さは、３〜８μｍであることがより好ましい。 Preferred range of the thickness of the silver plating layer: 2 μm or more When the thickness of the silver plating layer 22 is less than 2 μm, the function as a buffer material when bonding wires is reduced, and the wire bondability of the lead frame is reduced. . If the thickness of the silver plating layer 22 is less than 2 μm, depending on the formation conditions of the silver plating layer 22, pile-up from the base material 21 to the upper surface of the silver plating layer 22 may occur. Thereby, the surface of the silver plating layer 22 may be contaminated, and the reflectance may decrease. On the other hand, if the thickness of the silver plating layer 22 is 2 μm or more, there is no great advantage in the effect of improving the wire bonding property and the effect of suppressing the pile-up phenomenon, Thickening increases the material cost. For this reason, it is preferable that the thickness of the silver plating layer 22 is 2 micrometers or more. The thickness of the silver plating layer 22 is more preferably 3 to 8 μm.

また、リードフレームの表面の反射率を高くするためには、相対的に反射率が低いロジウムめっき層は可視光の一部が透過する程度に薄く、相対的に反射率が高い銀めっき層は可視光が透過しない程度に厚いことが好ましい。更に、ワイヤボンディング性を確保するためには、相対的に硬質なロジウムめっき層よりも、相対的に軟質な銀めっき層の方が厚いことが好ましい。このため、ロジウムめっき層は、銀めっき層よりも薄いことが好ましい。   In order to increase the reflectivity of the lead frame surface, the rhodium plating layer having a relatively low reflectance is thin enough to transmit a part of visible light, and the silver plating layer having a relatively high reflectance is It is preferable that the layer is thick enough not to transmit visible light. Furthermore, in order to ensure wire bonding properties, it is preferable that the relatively soft silver plating layer is thicker than the relatively hard rhodium plating layer. For this reason, it is preferable that a rhodium plating layer is thinner than a silver plating layer.

なお、本実施形態においては、基材２１の上面上のみに銀めっき層２２及びロジウムめっき層２３が形成されている例を示したが、本発明はこれに限定されず、銀めっき層２２及びロジウムめっき層２３は、少なくとも基材２１の上面上、すなわち、リードフレームにおけるＬＥＤチップ１４側の面に形成されていればよい。例えば、銀めっき層２２は基材２１の上面上及び下面上に形成されており、ロジウムめっき層２３は基材２１の上面上のみに形成されていてもよい。又は、銀めっき層２２及びロジウムめっき層２３は、基材２１の上面上及び下面上の双方に形成されていてもよく、端面も含めた全表面上に形成されていてもよい。これは、後述する他の実施形態においても同様である。   In addition, in this embodiment, although the example in which the silver plating layer 22 and the rhodium plating layer 23 were formed only on the upper surface of the base material 21 was shown, this invention is not limited to this, The silver plating layer 22 and The rhodium plating layer 23 only needs to be formed on at least the upper surface of the base material 21, that is, the surface of the lead frame on the LED chip 14 side. For example, the silver plating layer 22 may be formed on the upper surface and the lower surface of the substrate 21, and the rhodium plating layer 23 may be formed only on the upper surface of the substrate 21. Alternatively, the silver plating layer 22 and the rhodium plating layer 23 may be formed on both the upper surface and the lower surface of the base material 21, or may be formed on the entire surface including the end surface. The same applies to other embodiments described later.

次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図４は、本実施形態におけるリードフレームを例示する断面図である。
本実施形態は、前述の第１の実施形態と比較して、リードフレームのめっき構造が異なっている。 Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a lead frame in the present embodiment.
The present embodiment is different from the first embodiment in the lead frame plating structure.

すなわち、図４に示すように、本実施形態においては、リードフレーム１１及び１２において、基材２１と銀めっき層２２との間に、中間めっき層２４が設けられている。中間めっき層２４は、銀及びロジウム以外の金属によって形成されている。また、中間めっき層２４は、単層構造であってもよく、複数の層からなる積層構造であってもよい。例えば、中間めっき層２４は、単層のニッケル（Ｎｉ）層であってもよく、基材２１側から順に、銅層及びニッケル層が積層された（Ｃｕ／Ｎｉ）層であってもよく、基材２１側から順に、銅層、ニッケル層、パラジウム層及び金層が積層された（Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ）層であってもよい。本実施形態における上記以外の構成及び動作は、前述の第１の実施形態と同様である。   That is, as shown in FIG. 4, in the present embodiment, an intermediate plating layer 24 is provided between the base material 21 and the silver plating layer 22 in the lead frames 11 and 12. The intermediate plating layer 24 is formed of a metal other than silver and rhodium. Further, the intermediate plating layer 24 may have a single layer structure or a laminated structure including a plurality of layers. For example, the intermediate plating layer 24 may be a single-layer nickel (Ni) layer, or may be a (Cu / Ni) layer in which a copper layer and a nickel layer are laminated in this order from the substrate 21 side. A (Cu / Ni / Pd / Au) layer in which a copper layer, a nickel layer, a palladium layer, and a gold layer are laminated in this order from the substrate 21 side may be used. Other configurations and operations in the present embodiment are the same as those in the first embodiment.

本実施形態においては、リードフレーム１１及び１２に中間めっき層２４が設けられているため、基材２１と銀めっき層２２との間の密着性を向上させることができる。これにより、半導体発光装置の信頼性が向上する。また、中間めっき層２４によって基材２１の表面の平坦性を補い、ロジウムめっき層２３の表面の平坦性を向上させることができる。これにより、リードフレームの上面における光の反射率が向上し、光の利用効率が向上する。更に、基材２１と銀めっき層２２との間に中間めっき層２４を介在させることにより、基材２１からのパイルアップをより効果的に抑制することができる。これにより、長期間にわたって光の反射率を高く維持することができる。このパイルアップを抑制する効果は、中間めっき層２４をニッケルにより形成した場合に特に顕著である。このため、中間めっき層２４をニッケルにより形成した場合は、銀めっき層２２の厚さを１μｍまで薄くしてもよい。本実施形態における上記以外の効果は、前述の第１の実施形態と同様である。   In the present embodiment, since the intermediate plating layer 24 is provided on the lead frames 11 and 12, the adhesion between the base material 21 and the silver plating layer 22 can be improved. Thereby, the reliability of the semiconductor light emitting device is improved. Further, the flatness of the surface of the substrate 21 can be supplemented by the intermediate plating layer 24, and the flatness of the surface of the rhodium plating layer 23 can be improved. Thereby, the reflectance of light on the upper surface of the lead frame is improved, and the light utilization efficiency is improved. Further, by interposing the intermediate plating layer 24 between the base material 21 and the silver plating layer 22, pile-up from the base material 21 can be more effectively suppressed. Thereby, the reflectance of light can be maintained high over a long period of time. The effect of suppressing the pile-up is particularly remarkable when the intermediate plating layer 24 is formed of nickel. For this reason, when the intermediate plating layer 24 is formed of nickel, the thickness of the silver plating layer 22 may be reduced to 1 μm. The effects of the present embodiment other than those described above are the same as those of the first embodiment described above.

次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
図５は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図であり、
図６は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する断面図である。 Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 5 is a perspective view illustrating a semiconductor light emitting device according to this embodiment.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor light emitting device according to this embodiment.

図５及び図６に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置３は、前述の第１の実施形態に係る半導体発光装置１（図１参照）と比較して、パッケージ構造が異なっている。すなわち、半導体発光装置３においては、リードフレーム３１及び３２が設けられている。リードフレーム３１及び３２の形状は、それぞれ、短冊状の板材が２回屈曲してＳ字形とされた形状である。すなわち、リードフレーム３１においては、略正方形の板状のチップ搭載部３１ａと、チップ搭載部３１ａと同じ幅であり、チップ搭載部３１ａから斜め下方に延出した連結部３１ｂと、連結部３１ｂよりも幅が狭く、連結部３１ｂから水平方向に引き出された外部電極部３１ｃとが、一体的に形成されている。チップ搭載部３１ａには、円形の貫通孔３１ｄが形成されている。一方、リードフレーム３２においては、長方形の板状のワイヤ接続部３２ａと、ワイヤ接続部３２ａよりも幅が狭く、ワイヤ接続部３２ａから斜め下方に延出した連結部３２ｂと、連結部３２ｂと同じ幅であり、連結部３２ｂから水平方向に引き出された外部電極部３１ｃとが、一体的に形成されている。リードフレーム３１及び３２のめっき構造は、前述の第１の実施形態におけるリードフレーム１１及び１２のめっき構造（図３参照）と同じである。すなわち、図３に示すように、基材２１の上面上に銀めっき層２２が設けられており、その上にロジウムめっき層２３が設けられている。   As shown in FIGS. 5 and 6, the semiconductor light emitting device 3 according to the present embodiment is different in package structure from the semiconductor light emitting device 1 according to the first embodiment (see FIG. 1). . That is, in the semiconductor light emitting device 3, lead frames 31 and 32 are provided. The shapes of the lead frames 31 and 32 are shapes in which strip-shaped plate materials are bent twice to form an S shape. That is, in the lead frame 31, a substantially square plate-shaped chip mounting portion 31a, the same width as the chip mounting portion 31a, a connecting portion 31b extending obliquely downward from the chip mounting portion 31a, and a connecting portion 31b Also, the external electrode part 31c drawn out in the horizontal direction from the connecting part 31b is integrally formed. A circular through hole 31d is formed in the chip mounting portion 31a. On the other hand, in the lead frame 32, a rectangular plate-like wire connecting portion 32a, a width narrower than the wire connecting portion 32a, and a connecting portion 32b extending obliquely downward from the wire connecting portion 32a are the same as the connecting portion 32b. The external electrode part 31c having a width and extending in the horizontal direction from the connecting part 32b is integrally formed. The plating structures of the lead frames 31 and 32 are the same as the plating structures (see FIG. 3) of the lead frames 11 and 12 in the first embodiment described above. That is, as shown in FIG. 3, the silver plating layer 22 is provided on the upper surface of the base material 21, and the rhodium plating layer 23 is provided thereon.

また、リードフレーム３１のチップ搭載部３１ａ上にはダイマウント材３３が設けられており、その上にはＬＥＤチップ３４が搭載されている。ＬＥＤチップ３４の上面及び下面にはそれぞれ端子が設けられており、下面の端子はダイマウント材３３を介してチップ搭載部３１ａに接続されており、上面の端子はワイヤ３６を介してリードフレーム３２のワイヤ接続部３２ａに接続されている。   A die mount material 33 is provided on the chip mounting portion 31a of the lead frame 31, and the LED chip 34 is mounted thereon. Terminals are provided on the upper surface and the lower surface of the LED chip 34, the terminals on the lower surface are connected to the chip mounting portion 31 a via the die mount material 33, and the terminals on the upper surface are connected to the lead frame 32 via the wires 36. Are connected to the wire connecting portion 32a.

更に、半導体発光装置３には、直方体形状の透明樹脂体３７が設けられている。透明樹脂体３７内には、多数の粒状の蛍光体（図示せず）が分散されている。透明樹脂体３７内には、リードフレーム３１の一部、リードフレーム３２の一部、ダイマウント材３３の全体、ＬＥＤチップ３４の全体及びワイヤ３５の全体が埋め込まれている。より具体的には、リードフレーム３１については、チップ搭載部３１ａの全体、連結部３１ｂの全体、及び外部電極部３１ｃの連結部３１ｂ側の部分は透明樹脂体３７内に埋め込まれており、外部電極部３１ｃの残部は透明樹脂体３７の外部に引き出されている。リードフレーム３２については、ワイヤ接続部３２ａの全体、連結部３２ｂの全体、及び外部電極部３２ｃの連結部３２ｂ側の部分は透明樹脂体３７内に埋め込まれており、外部電極部３２ｃの残部は透明樹脂体３７の外部に引き出されている。   Further, the semiconductor light emitting device 3 is provided with a rectangular parallelepiped transparent resin body 37. A large number of granular phosphors (not shown) are dispersed in the transparent resin body 37. In the transparent resin body 37, a part of the lead frame 31, a part of the lead frame 32, the whole die mount material 33, the whole LED chip 34, and the whole wire 35 are embedded. More specifically, with respect to the lead frame 31, the entire chip mounting portion 31a, the entire connection portion 31b, and the portion on the connection portion 31b side of the external electrode portion 31c are embedded in the transparent resin body 37, The remaining part of the electrode part 31 c is drawn out of the transparent resin body 37. With respect to the lead frame 32, the entire wire connection portion 32a, the entire connection portion 32b, and the portion of the external electrode portion 32c on the connection portion 32b side are embedded in the transparent resin body 37, and the remaining portion of the external electrode portion 32c is It is drawn out of the transparent resin body 37.

そして、半導体発光装置３には、外囲器は設けられておらず、透明樹脂体３７並びにそこから引き出された外部電極部３１ｃ及び３２ｃの先端部が、半導体発光装置３の外形を構成している。本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。なお、リードフレーム３１及び３２のめっき構造は、前述の第２の実施形態と同じであってもよい。   The semiconductor light emitting device 3 is not provided with an envelope, and the transparent resin body 37 and the distal end portions of the external electrode portions 31c and 32c drawn from it constitute the outer shape of the semiconductor light emitting device 3. Yes. Other configurations, operations, and effects of the present embodiment are the same as those of the first embodiment. Note that the plating structures of the lead frames 31 and 32 may be the same as those in the second embodiment described above.

次に、本発明の第４の実施形態について説明する。
図７は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図であり、
図８（ａ）は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する断面図であり、（ｂ）は、リードフレームを例示する平面図である。 Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 7 is a perspective view illustrating a semiconductor light emitting device according to this embodiment.
FIG. 8A is a cross-sectional view illustrating the semiconductor light emitting device according to this embodiment, and FIG. 8B is a plan view illustrating the lead frame.

図７及び図８に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置４においては、一対のリードフレーム４１及び４２が設けられている。リードフレーム４１及び４２の形状は平板状であり、同一平面上に配置されており、相互に離隔している。リードフレーム４１及び４２の上面には、めっき処理が施されているが、そのめっき構造は、前述の第１の実施形態と同様である。すなわち、図３に示すように、銅からなる基材２１の上面上及び下面上に、銀めっき層２２が形成されており、基材２１の上面上に形成された銀めっき層２２の上面上には、ロジウムめっき層２３が形成されている。なお、基材２１の下面上に形成された銀めっき層２２上にはロジウムめっき層２３は形成されていない。また、リードフレーム１１及び１２の端面上には銀めっき層２２及びロジウムめっき層２３は形成されておらず、基材２１が露出している。   As shown in FIGS. 7 and 8, in the semiconductor light emitting device 4 according to the present embodiment, a pair of lead frames 41 and 42 are provided. The lead frames 41 and 42 have a flat plate shape, are arranged on the same plane, and are separated from each other. The upper surfaces of the lead frames 41 and 42 are plated, but the plating structure is the same as in the first embodiment. That is, as shown in FIG. 3, the silver plating layer 22 is formed on the upper surface and the lower surface of the base material 21 made of copper, and on the upper surface of the silver plating layer 22 formed on the upper surface of the base material 21. A rhodium plating layer 23 is formed. In addition, the rhodium plating layer 23 is not formed on the silver plating layer 22 formed on the lower surface of the base material 21. Further, the silver plating layer 22 and the rhodium plating layer 23 are not formed on the end faces of the lead frames 11 and 12, and the base material 21 is exposed.

以下、本実施形態においては、説明の便宜上、ＸＹＺ直交座標系を導入する。リードフレーム４１及び４２の上面に対して平行な方向のうち、リードフレーム４１からリードフレーム４２に向かう方向を＋Ｘ方向とし、リードフレーム４１及び４２の上面に対して垂直な方向のうち、上方、すなわち、リードフレームから見てＬＥＤチップ４４が搭載されている方向を＋Ｚ方向とし、＋Ｘ方向及び＋Ｚ方向の双方に対して直交する方向のうち一方を＋Ｙ方向とする。なお、＋Ｘ方向、＋Ｙ方向及び＋Ｚ方向の反対方向を、それぞれ、−Ｘ方向、−Ｙ方向及び−Ｚ方向とする。また、例えば、「＋Ｘ方向」及び「−Ｘ方向」を総称して、単に「Ｘ方向」ともいう。   Hereinafter, in this embodiment, for convenience of explanation, an XYZ orthogonal coordinate system is introduced. Of the directions parallel to the upper surfaces of the lead frames 41 and 42, the direction from the lead frame 41 to the lead frame 42 is the + X direction, and the upper direction of the directions perpendicular to the upper surfaces of the lead frames 41 and 42, that is, The direction in which the LED chip 44 is mounted as viewed from the lead frame is the + Z direction, and one of the directions orthogonal to both the + X direction and the + Z direction is the + Y direction. Note that the directions opposite to the + X direction, the + Y direction, and the + Z direction are defined as a −X direction, a −Y direction, and a −Z direction, respectively. Further, for example, “+ X direction” and “−X direction” are collectively referred to as “X direction”.

リードフレーム４１においては、Ｚ方向から見て矩形のベース部４１ａが１つ設けられており、このベース部４１ａから４本の吊ピン４１ｂ、４１ｃ、４１ｄ、４１ｅが延出している。吊ピン４１ｂは、ベース部４１ａの＋Ｙ方向に向いた端縁のＸ方向中央部から＋Ｙ方向に向けて延出している。吊ピン４１ｃは、ベース部４１ａの−Ｙ方向に向いた端縁のＸ方向中央部から−Ｙ方向に向けて延出している。このように、吊ピン４１ｂ〜４１ｅは、ベース部４１ａの相互に異なる３辺からそれぞれ延出している。Ｘ方向における吊ピン４１ｂ及び４１ｃの位置は相互に同一である。吊ピン４１ｄ及び４１ｅは、ベース部４１ａの−Ｘ方向に向いた端縁の両端部から−Ｘ方向に向けて延出している。   In the lead frame 41, one rectangular base portion 41a as viewed from the Z direction is provided, and four suspension pins 41b, 41c, 41d, and 41e extend from the base portion 41a. The suspension pin 41b extends in the + Y direction from the X-direction central portion of the edge of the base portion 41a facing in the + Y direction. The suspension pin 41c extends in the −Y direction from the X-direction central portion of the edge of the base portion 41a facing in the −Y direction. In this manner, the extending portions 41b to 41e extend from three different sides of the base portion 41a. The positions of the extending portions 41b and 41c in the X direction are the same. The extending portions 41d and 41e extend in the −X direction from both end portions of the edge of the base portion 41a facing in the −X direction.

リードフレーム４２は、リードフレーム４１と比較して、Ｘ方向の長さが短く、Ｙ方向の長さは同じである。リードフレーム４２においては、Ｚ方向から見て矩形のベース部４２ａが１つ設けられており、このベース部４２ａから４本の吊ピン４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ、４２ｅが延出している。吊ピン４２ｂは、ベース部４２ａの＋Ｙ方向に向いた端縁の−Ｘ方向側の端部から＋Ｙ方向に向けて延出している。吊ピン４２ｃは、ベース部４２ａの−Ｙ方向に向いた端縁の−Ｘ方向側の端部から−Ｙ方向に向けて延出している。吊ピン４２ｄ及び４２ｅは、ベース部４２ａの＋Ｘ方向に向いた端縁の両端部から＋Ｘ方向に向けて延出している。このように、吊ピン４２ｂ〜４２ｅは、ベース部４２ａの相互に異なる３辺からそれぞれ延出している。リードフレーム４１の吊ピン４１ｄ及び４１ｅの幅は、リードフレーム４２における吊ピン４２ｄ及び４２ｅの幅と同一でもよく、異なっていてもよい。但し、吊ピン４１ｄ及び４１ｅの幅と吊ピン４２ｄ及び４２ｅの幅とを異ならせれば、アノードとカソードの判別が容易になる。   The lead frame 42 has a shorter length in the X direction and the same length in the Y direction than the lead frame 41. In the lead frame 42, one rectangular base portion 42a is provided as viewed from the Z direction, and four suspension pins 42b, 42c, 42d, and 42e extend from the base portion 42a. The suspension pin 42b extends in the + Y direction from the end portion on the −X direction side of the end edge of the base portion 42a facing in the + Y direction. The suspension pin 42c extends in the −Y direction from the end portion on the −X direction side of the end edge of the base portion 42a facing in the −Y direction. The suspension pins 42d and 42e extend in the + X direction from both end portions of the edge of the base portion 42a facing in the + X direction. In this manner, the extending portions 42b to 42e extend from three different sides of the base portion 42a. The widths of the suspension pins 41d and 41e of the lead frame 41 may be the same as or different from the widths of the suspension pins 42d and 42e of the lead frame 42. However, if the width of the extending portions 41d and 41e is different from the width of the extending portions 42d and 42e, the anode and the cathode can be easily distinguished.

リードフレーム４１の下面４１ｆにおけるベース部４１ａのＸ方向中央部には、凸部４１ｇが形成されている。このため、リードフレーム４１の厚さは２水準の値をとり、ベース部４１ａのＸ方向中央部、すなわち、凸部４１ｇが形成されている部分は相対的に厚く、ベース部４１ａのＸ方向両端部及び吊ピン４１ｂ〜４１ｅは相対的に薄い。図８（ｂ）においては、ベース部４１ａにおける凸部４１ｇが形成されていない部分を、薄板部４１ｔとして示す。同様に、リードフレーム４２の下面４２ｆにおけるベース部４２ａのＸ方向中央部には、凸部４２ｇが形成されている。これにより、リードフレーム４２の厚さも２水準の値をとり、ベース部４２ａのＸ方向中央部は凸部４２ｇが形成されているため相対的に厚く、ベース部４２ａのＸ方向両端部及び吊ピン４２ｂ〜４２ｅは相対的に薄い。図８（ｂ）においては、ベース部４２ａにおける凸部４２ｇが形成されていない部分を、薄板部４２ｔとして示す。換言すれば、ベース部４１ａ及び４２ａのＸ方向両端部の下面には、それぞれ、ベース部４１ａ及び４２ａの端縁に沿ってＹ方向に延びる切欠が形成されている。なお、図８（ｂ）においては、リードフレーム４１及び４２における相対的に薄い部分、すなわち、各薄板部及び各吊りピンは、破線のハッチングを付して示している。   A convex portion 41g is formed at the center in the X direction of the base portion 41a on the lower surface 41f of the lead frame 41. For this reason, the thickness of the lead frame 41 takes a two-level value, and the central portion of the base portion 41a in the X direction, that is, the portion where the convex portion 41g is formed is relatively thick. The parts and the suspension pins 41b to 41e are relatively thin. In FIG.8 (b), the part in which the convex part 41g in the base part 41a is not formed is shown as the thin-plate part 41t. Similarly, a convex portion 42g is formed at the center in the X direction of the base portion 42a on the lower surface 42f of the lead frame 42. As a result, the thickness of the lead frame 42 also takes a two-level value, and the central portion in the X direction of the base portion 42a is relatively thick because the convex portion 42g is formed. 42b to 42e are relatively thin. In FIG.8 (b), the part in which the convex part 42g in the base part 42a is not formed is shown as the thin-plate part 42t. In other words, notches extending in the Y direction along the edges of the base portions 41a and 42a are formed on the lower surfaces of both ends in the X direction of the base portions 41a and 42a. In FIG. 8B, the relatively thin portions of the lead frames 41 and 42, that is, the thin plate portions and the suspension pins are indicated by broken line hatching.

凸部４１ｇ及び４２ｇは、リードフレーム４１及び４２における相互に対向する端縁から離隔した領域に形成されており、これらの端縁を含む領域は、薄板部４１ｔ及び４２ｔとなっている。リードフレーム４１の上面４１ｈとリードフレーム４２の上面４２ｈは同一平面上にあり、リードフレーム４１の凸部４１ｇの下面とリードフレーム４２の凸部４２ｇの下面は同一平面上にある。Ｚ方向における各吊ピンの上面の位置は、リードフレーム４１及び４２の上面の位置と一致している。従って、各吊ピンは同一のＸＹ平面上に配置されている。   The convex portions 41g and 42g are formed in regions separated from the mutually opposing end edges of the lead frames 41 and 42, and regions including these end edges are thin plate portions 41t and 42t. The upper surface 41h of the lead frame 41 and the upper surface 42h of the lead frame 42 are on the same plane, and the lower surface of the convex portion 41g of the lead frame 41 and the lower surface of the convex portion 42g of the lead frame 42 are on the same plane. The position of the upper surface of each extending pin in the Z direction coincides with the position of the upper surfaces of the lead frames 41 and 42. Therefore, each extending pin is arranged on the same XY plane.

リードフレーム４１の上面４１ｈのうち、ベース部４１ａに相当する領域の一部には、ダイマウント材４３が被着されている。本実施形態においては、ダイマウント材４３は導電性であっても絶縁性であってもよい。ダイマウント材４３が導電性である場合は、ダイマウント材４３は例えば、銀ペースト、半田又は共晶半田等により形成されている。ダイマウント材４３が絶縁性である場合は、ダイマウント材４３は例えば、透明樹脂ペーストにより形成されている。   A die mount material 43 is attached to a part of the upper surface 41h of the lead frame 41 corresponding to the base portion 41a. In the present embodiment, the die mount material 43 may be conductive or insulating. When the die mount material 43 is conductive, the die mount material 43 is formed of, for example, silver paste, solder, eutectic solder, or the like. When the die mount material 43 is insulative, the die mount material 43 is formed of a transparent resin paste, for example.

ダイマウント材４３上には、ＬＥＤチップ４４が設けられている。すなわち、ダイマウント材がＬＥＤチップ４４をリードフレーム４１に固着させることにより、ＬＥＤチップ４４がリードフレーム４１に搭載されている。ＬＥＤチップ４４は、例えば、サファイア基板上に窒化ガリウム（ＧａＮ）等からなる半導体層が積層されたものであり、その形状は例えば直方体であり、その上面に端子４４ａ及び４４ｂが設けられている。ＬＥＤチップ４４は、端子４４ａと端子４４ｂとの間に電圧が供給されることによって、例えば青色の光を出射する。   An LED chip 44 is provided on the die mount material 43. That is, the LED chip 44 is mounted on the lead frame 41 by the die mount material fixing the LED chip 44 to the lead frame 41. The LED chip 44 is, for example, a semiconductor layer made of gallium nitride (GaN) or the like laminated on a sapphire substrate, and has a rectangular parallelepiped shape, for example, and terminals 44a and 44b are provided on the upper surface thereof. The LED chip 44 emits blue light, for example, when a voltage is supplied between the terminals 44a and 44b.

ＬＥＤチップ４４の端子４４ａにはワイヤ４５の一端が接合されている。ワイヤ４５は端子４４ａから＋Ｚ方向（直上方向）に引き出され、−Ｘ方向と−Ｚ方向との間の方向に向けて湾曲し、ワイヤ４５の他端はリードフレーム４１の上面４１ｈに接合されている。これにより、端子４４ａはワイヤ４５を介してリードフレーム４１に接続されている。一方、端子４４ｂにはワイヤ４６の一端が接合されている。ワイヤ４６は端子４４ｂから＋Ｚ方向に引き出され、＋Ｘ方向と−Ｚ方向との間の方向に向けて湾曲し、ワイヤ４６の他端はリードフレーム４２の上面４２ｈに接合されている。これにより、端子４４ｂはワイヤ４６を介してリードフレーム４２に接続されている。ワイヤ４５及び４６は金属、例えば、金又はアルミニウムによって形成されている。   One end of a wire 45 is bonded to the terminal 44 a of the LED chip 44. The wire 45 is pulled out from the terminal 44a in the + Z direction (directly upward direction), is bent in a direction between the −X direction and the −Z direction, and the other end of the wire 45 is bonded to the upper surface 41h of the lead frame 41. Yes. As a result, the terminal 44 a is connected to the lead frame 41 via the wire 45. On the other hand, one end of a wire 46 is joined to the terminal 44b. The wire 46 is pulled out from the terminal 44b in the + Z direction, is bent in a direction between the + X direction and the −Z direction, and the other end of the wire 46 is joined to the upper surface 42h of the lead frame 42. As a result, the terminal 44 b is connected to the lead frame 42 via the wire 46. The wires 45 and 46 are made of metal, such as gold or aluminum.

また、半導体発光装置４には、透明樹脂体４７が設けられている。透明樹脂体４７は透明な樹脂、例えば、シリコーン樹脂によって形成されている。透明樹脂体４７の外形は直方体であり、リードフレーム４１及び４２、ダイマウント材４３、ＬＥＤチップ４４、ワイヤ４５及び４６を埋め込んでおり、透明樹脂体４７の外形が半導体発光装置４の外形となっている。リードフレーム４１の一部及びリードフレーム４２の一部は、透明樹脂体４７の下面及び側面において露出している。   The semiconductor light emitting device 4 is provided with a transparent resin body 47. The transparent resin body 47 is formed of a transparent resin, for example, a silicone resin. The outer shape of the transparent resin body 47 is a rectangular parallelepiped, and the lead frames 41 and 42, the die mount material 43, the LED chip 44, and the wires 45 and 46 are embedded, and the outer shape of the transparent resin body 47 becomes the outer shape of the semiconductor light emitting device 4. ing. A part of the lead frame 41 and a part of the lead frame 42 are exposed on the lower surface and side surfaces of the transparent resin body 47.

より詳細には、リードフレーム４１の下面４１ｆのうち、凸部４１ｇの下面は透明樹脂体４７の下面において露出しており、吊ピン４１ｂ〜４１ｅの先端面は透明樹脂体４７の側面において露出している。一方、リードフレーム４１の上面４１ｈの全体、下面４１ｆのうち凸部４１ｇ以外の領域、凸部４１ｇの側面、ベース部４１ａの端面は、透明樹脂体４７によって覆われている。同様に、リードフレーム４２の凸部４２ｇの下面は透明樹脂体４７の下面において露出しており、吊ピン４２ｂ〜４２ｅの先端面は透明樹脂体４７の側面において露出しており、上面４２ｈの全体、下面４２ｆのうち凸部４２ｇ以外の領域、凸部４２ｇの側面、ベース部４２ａの端面は、透明樹脂体４７によって覆われている。半導体発光装置４においては、透明樹脂体４７の下面において露出した凸部４１ｇ及び４２ｇの下面が、外部電極パッドとなる。   More specifically, of the lower surface 41 f of the lead frame 41, the lower surface of the convex portion 41 g is exposed on the lower surface of the transparent resin body 47, and the tip surfaces of the extending portions 41 b to 41 e are exposed on the side surface of the transparent resin body 47. ing. On the other hand, the entire upper surface 41 h of the lead frame 41, the region of the lower surface 41 f other than the convex portion 41 g, the side surface of the convex portion 41 g, and the end surface of the base portion 41 a are covered with a transparent resin body 47. Similarly, the lower surface of the convex portion 42g of the lead frame 42 is exposed on the lower surface of the transparent resin body 47, and the tip surfaces of the extending portions 42b to 42e are exposed on the side surfaces of the transparent resin body 47, so that the entire upper surface 42h is exposed. A region of the lower surface 42f other than the convex portion 42g, a side surface of the convex portion 42g, and an end surface of the base portion 42a are covered with a transparent resin body 47. In the semiconductor light emitting device 4, the lower surfaces of the convex portions 41 g and 42 g exposed on the lower surface of the transparent resin body 47 serve as external electrode pads.

透明樹脂体４７の内部には、多数の蛍光体４８が分散されている。各蛍光体４８は粒状であり、ＬＥＤチップ４４から出射された光を吸収して、より波長が長い光を発光する。例えば、蛍光体４８は、ＬＥＤチップ４４から出射された青色の光の一部を吸収し、黄色の光を発光する。これにより、半導体発光装置４からは、ＬＥＤチップ４４が出射し、蛍光体４８に吸収されなかった青色の光と、蛍光体４８から発光された黄色の光とが出射され、出射光は全体として白色となる。なお、図示の便宜上、図８（ａ）以外の図においては、蛍光体４８を示していない。また、図８（ａ）においては、蛍光体４８を実際よりも大きく且つ少なく示している。   A large number of phosphors 48 are dispersed inside the transparent resin body 47. Each phosphor 48 is granular and absorbs light emitted from the LED chip 44 to emit light having a longer wavelength. For example, the phosphor 48 absorbs part of the blue light emitted from the LED chip 44 and emits yellow light. Thereby, the LED chip 44 is emitted from the semiconductor light emitting device 4, and blue light that is not absorbed by the phosphor 48 and yellow light that is emitted from the phosphor 48 are emitted, and the emitted light as a whole is emitted. It turns white. For convenience of illustration, the phosphor 48 is not shown in the drawings other than FIG. Moreover, in Fig.8 (a), the fluorescent substance 48 is shown larger and less than actual.

このような蛍光体４８としては、例えば、黄緑色、黄色又はオレンジ色の光を発光するシリケート系の蛍光体を使用することができる。シリケート系の蛍光体は、以下の一般式で表すことができる。
（２−ｘ−ｙ）ＳｒＯ・ｘ（Ｂａｕ，Ｃａｖ）Ｏ・（１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ）ＳｉＯ２・ａＰ２Ｏ５ｂＡｌ２Ｏ３ｃＢ２Ｏ３ｄＧｅＯ２：ｙＥｕ２＋
但し、０＜ｘ、０．００５＜ｙ＜０．５、ｘ＋ｙ≦１．６、０≦ａ、ｂ、ｃ、ｄ＜０．５、０＜ｕ、０＜ｖ、ｕ＋ｖ＝１である。 As such a phosphor 48, for example, a silicate phosphor that emits yellow-green, yellow, or orange light can be used. The silicate phosphor can be represented by the following general formula.
(2-x-y) SrO · x (Ba u, Ca v) O · (1-a-b-c-d) SiO 2 · aP 2 O 5 bAl 2 O 3 cB 2 O 3 dGeO 2: yEu 2+
However, 0 <x, 0.005 <y <0.5, x + y ≦ 1.6, 0 ≦ a, b, c, d <0.5, 0 <u, 0 <v, u + v = 1.

また、黄色蛍光体として、ＹＡＧ系の蛍光体を使用することもできる。ＹＡＧ系の蛍光体は、以下の一般式で表すことができる。
（ＲＥ１−ｘＳｍｘ）３（ＡｌｙＧａ１−ｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ
但し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、ＲＥはＹ及びＧｄから選択される少なくとも１種の元素である。 In addition, a YAG phosphor can be used as the yellow phosphor. A YAG-based phosphor can be represented by the following general formula.
(RE 1-x Sm x) 3 (Al y Ga 1-y) 5 O 12: Ce
However, 0 ≦ x <1, 0 ≦ y ≦ 1, and RE is at least one element selected from Y and Gd.

又は、蛍光体４８として、サイアロン系の赤色蛍光体及び緑色蛍光体を混合して使用することもできる。
サイアロン系の赤色蛍光体は、例えば下記一般式で表すことができる。
（Ｍ１−ｘ，Ｒｘ）ａ１ＡｌＳｉｂ１Ｏｃ１Ｎｄ１
但し、ＭはＳｉ及びＡｌを除く少なくとも１種の金属元素であり、特に、Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方であることが望ましい。Ｒは発光中心元素であり、特にＥｕが望ましい。ｘ、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１は、０＜ｘ≦１、０．６＜ａ１＜０．９５、２＜ｂ１＜３．９、０．２５＜ｃ１＜０．４５、４＜ｄ１＜５．７である。
このようなサイアロン系の赤色蛍光体の具体例を以下に示す。
Ｓｒ２Ｓｉ７Ａｌ７ＯＮ１３：Ｅｕ２＋ Alternatively, a sialon red phosphor and a green phosphor can be mixed and used as the phosphor 48.
The sialon-based red phosphor can be represented by the following general formula, for example.
(M 1-x , R x ) a1 AlSi b1 O c1 N d1
However, M is at least one kind of metal element excluding Si and Al, and is particularly preferably at least one of Ca and Sr. R is a luminescent center element, and Eu is particularly desirable. x, a1, b1, c1, and d1 are 0 <x ≦ 1, 0.6 <a1 <0.95, 2 <b1 <3.9, 0.25 <c1 <0.45, 4 <d1 <5. .7.
Specific examples of such sialon-based red phosphors are shown below.
Sr 2 Si 7 Al 7 ON 13 : Eu 2+

サイアロン系の緑色蛍光体は、例えば下記一般式で表すことができる。
（Ｍ１−ｘ，Ｒｘ）ａ２ＡｌＳｉｂ２Ｏｃ２Ｎｄ２
但し、ＭはＳｉ及びＡｌを除く少なくとも１種の金属元素であり、特にＣａ及びＳｒの少なくとも一方が望ましい。Ｒは発光中心元素であり、特にＥｕが望ましい。ｘ、ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２は、０＜ｘ≦１、０．９３＜ａ２＜１．３、４．０＜ｂ２＜５．８、０．６＜ｃ２＜１、６＜ｄ２＜１１である。
このようなサイアロン系の緑色蛍光体の具体例を以下に示す。
Ｓｒ３Ｓｉ１３Ａｌ３Ｏ２Ｎ２１：Ｅｕ２＋ The sialon-based green phosphor can be represented by the following general formula, for example.
(M 1-x , R x ) a2 AlSi b2 O c2 N d2
However, M is at least one metal element excluding Si and Al, and at least one of Ca and Sr is particularly desirable. R is a luminescent center element, and Eu is particularly desirable. x, a2, b2, c2, and d2 are 0 <x ≦ 1, 0.93 <a2 <1.3, 4.0 <b2 <5.8, 0.6 <c2 <1, 6 <d2 <11 It is.
Specific examples of such sialon-based green phosphors are shown below.
Sr 3 Si 13 Al 3 O 2 N 21 : Eu 2+

次に、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法について説明する。
図９は、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するフローチャート図であり、
図１０（ａ）〜（ｄ）、図１１（ａ）〜（ｃ）、図１２（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程断面図であり、
図１３（ａ）は、本実施形態におけるリードフレームシートを例示する平面図であり、（ｂ）は、このリードフレームシートの素子領域を例示する一部拡大平面図である。 Next, a method for manufacturing the semiconductor light emitting device according to this embodiment will be described.
FIG. 9 is a flowchart illustrating the method for manufacturing the semiconductor light emitting device according to this embodiment.
FIGS. 10A to 10D, 11 </ b> A to 11 </ b> C, 12 </ b> A and 12 </ b> B are process cross-sectional views illustrating the method for manufacturing the semiconductor light emitting device according to this embodiment. ,
FIG. 13A is a plan view illustrating a lead frame sheet in the present embodiment, and FIG. 13B is a partially enlarged plan view illustrating an element region of the lead frame sheet.

先ず、図１０（ａ）に示すように、導電性材料からなる導電シート５１を用意する。この導電シート５１は、例えば、短冊状の銅板５１ａの上下面に銀めっき層５１ｂが形成されており、銅板５１ａの上面上に形成された銀めっき層５１ｂ上にロジウムめっき層５１ｃが形成されたものである。次に、この導電シート５１の上下面上に、マスク５２ａ及び５２ｂを形成する。マスク５２ａ及び５２ｂには、選択的に開口部５２ｃが形成されている。マスク５２ａ及び５２ｂは、例えば印刷法によって形成することができる。   First, as shown in FIG. 10A, a conductive sheet 51 made of a conductive material is prepared. In the conductive sheet 51, for example, a silver plating layer 51b is formed on the upper and lower surfaces of a strip-shaped copper plate 51a, and a rhodium plating layer 51c is formed on the silver plating layer 51b formed on the upper surface of the copper plate 51a. Is. Next, masks 52 a and 52 b are formed on the upper and lower surfaces of the conductive sheet 51. Openings 52c are selectively formed in the masks 52a and 52b. The masks 52a and 52b can be formed by, for example, a printing method.

次に、マスク５２ａ及び５２ｂが被着された導電シート５１をエッチング液に浸漬することにより、導電シート５１をウェットエッチングする。これにより、導電シート５１のうち、開口部５２ｃ内に位置する部分がエッチングされて選択的に除去される。このとき、例えば浸漬時間を調整することによってエッチング量を制御し、導電シート５１の上面側及び下面側からのエッチングがそれぞれ単独で導電シート５１を貫通する前に、エッチングを停止させる。これにより、上下面側からハーフエッチングを施す。但し、上面側及び下面側の双方からエッチングされた部分は、導電シート５１を貫通するようにする。その後、マスク５２ａ及び５２ｂを除去する。   Next, the conductive sheet 51 is wet-etched by immersing the conductive sheet 51 with the masks 52a and 52b attached thereto in an etching solution. Thereby, the part located in the opening part 52c among the conductive sheets 51 is etched and selectively removed. At this time, for example, the etching amount is controlled by adjusting the immersion time, and the etching is stopped before the etching from the upper surface side and the lower surface side of the conductive sheet 51 individually penetrates the conductive sheet 51. Thereby, half etching is performed from the upper and lower surface sides. However, the portion etched from both the upper surface side and the lower surface side is made to penetrate the conductive sheet 51. Thereafter, the masks 52a and 52b are removed.

これにより、図９及び図１０（ｂ）に示すように、導電シート５１から銅板５１ａ、銀めっき層５１ｂ及びロジウムめっき層５１ｃが選択的に除去されて、リードフレームシート５３が形成される。なお、図示の便宜上、図１０（ｂ）以降の図においては、銅板５１ａ、銀めっき層５１ｂ及びロジウムめっき層５１ｃを区別せずに、リードフレームシート５３として一体的に図示する。図１３（ａ）に示すように、リードフレームシート５３においては、例えば３つのブロックＢが設定されており、各ブロックＢには例えば１０００個程度の素子領域Ｐが設定されている。図１３（ｂ）に示すように、素子領域Ｐはマトリクス状に配列されており、素子領域Ｐ間は格子状のダイシング領域Ｄとなっている。各素子領域Ｐにおいては、相互に離隔したリードフレーム４１及び４２を含む基本パターンが形成されている。ダイシング領域Ｄにおいては、導電シート５１を形成していた導電性材料が、隣り合う素子領域Ｐ間をつなぐように残留している。   As a result, as shown in FIGS. 9 and 10B, the copper plate 51a, the silver plating layer 51b, and the rhodium plating layer 51c are selectively removed from the conductive sheet 51, and the lead frame sheet 53 is formed. For convenience of illustration, in the drawings after FIG. 10B, the copper plate 51a, the silver plating layer 51b, and the rhodium plating layer 51c are integrally illustrated as a lead frame sheet 53 without being distinguished. As shown in FIG. 13A, in the lead frame sheet 53, for example, three blocks B are set, and about 1000 element regions P are set in each block B, for example. As shown in FIG. 13B, the element regions P are arranged in a matrix, and a lattice-shaped dicing region D is formed between the element regions P. In each element region P, a basic pattern including lead frames 41 and 42 spaced apart from each other is formed. In the dicing region D, the conductive material that has formed the conductive sheet 51 remains so as to connect the adjacent element regions P.

すなわち、素子領域Ｐ内においては、リードフレーム４１とリードフレーム４２とは相互に離隔しているが、ある素子領域Ｐに属するリードフレーム４１は、この素子領域Ｐから見て−Ｘ方向に位置する隣の素子領域Ｐに属するリードフレーム４２に連結されており、両フレームの間には、＋Ｘ方向に向いた凸字状の開口部５３ａが形成されている。また、Ｙ方向において隣り合う素子領域Ｐに属するリードフレーム４１同士は、ブリッジ５３ｂを介して連結されている。同様に、Ｙ方向において隣り合う素子領域Ｐに属するリードフレーム４２同士は、ブリッジ５３ｃを介して連結されている。これにより、リードフレーム４１及び４２のベース部４１ａ及び４２ａから、３方向に向けて４本の導電部材が延出している。更に、リードフレームシート５３の下面側からのエッチングをハーフエッチングとすることにより、リードフレーム４１及び４２の下面にそれぞれ凸部４１ｇ及び４２ｇ（図８参照）が形成される。   That is, in the element region P, the lead frame 41 and the lead frame 42 are separated from each other, but the lead frame 41 belonging to a certain element region P is positioned in the −X direction when viewed from the element region P. It is connected to a lead frame 42 belonging to the adjacent element region P, and a convex opening 53a facing in the + X direction is formed between both frames. Further, the lead frames 41 belonging to the element regions P adjacent in the Y direction are connected via a bridge 53b. Similarly, the lead frames 42 belonging to the element regions P adjacent in the Y direction are connected via a bridge 53c. As a result, four conductive members extend from the base portions 41a and 42a of the lead frames 41 and 42 in three directions. Further, the etching from the lower surface side of the lead frame sheet 53 is half etching, whereby convex portions 41g and 42g (see FIG. 8) are formed on the lower surfaces of the lead frames 41 and 42, respectively.

次に、図９及び図１０（ｃ）に示すように、リードフレームシート５３の下面に、例えばポリイミドからなる補強テープ５４を貼付する。そして、リードフレームシート５３の各素子領域Ｐに属するリードフレーム４１上に、ダイマウント材４３を被着させる。例えば、ペースト状のダイマウント材４３を、吐出器からリードフレーム４１上に吐出させるか、機械的な手段によりリードフレーム４１上に転写する。次に、ダイマウント材４３上にＬＥＤチップ４４をマウントする。次に、ダイマウント材４３を焼結するための熱処理（マウントキュア）を行う。これにより、リードフレームシート５３の各素子領域Ｐにおいて、リードフレーム４１上にダイマウント材４３を介してＬＥＤチップ４４が搭載される。   Next, as shown in FIGS. 9 and 10C, a reinforcing tape 54 made of polyimide, for example, is attached to the lower surface of the lead frame sheet 53. Then, the die mount material 43 is attached on the lead frame 41 belonging to each element region P of the lead frame sheet 53. For example, the paste-like die mount material 43 is discharged from the discharger onto the lead frame 41 or transferred onto the lead frame 41 by mechanical means. Next, the LED chip 44 is mounted on the die mount material 43. Next, heat treatment (mount cure) for sintering the die mount material 43 is performed. Accordingly, the LED chip 44 is mounted on the lead frame 41 via the die mount material 43 in each element region P of the lead frame sheet 53.

次に、図９及び図１０（ｄ）に示すように、例えば超音波接合により、ワイヤ４５の一端をＬＥＤチップ４４の端子４４ａに接合し、他端をリードフレーム４１の上面に接合する。また、ワイヤ４６の一端をＬＥＤチップ４４の端子４４ｂに接合し、他端をリードフレーム４２の上面４２ｈに接合する。これにより、端子４４ａがワイヤ４５を介してリードフレーム４１に接続され、端子４４ｂがワイヤ４６を介してリードフレーム４２に接続される。   Next, as shown in FIGS. 9 and 10D, one end of the wire 45 is joined to the terminal 44a of the LED chip 44 and the other end is joined to the upper surface of the lead frame 41 by, for example, ultrasonic bonding. One end of the wire 46 is joined to the terminal 44 b of the LED chip 44, and the other end is joined to the upper surface 42 h of the lead frame 42. As a result, the terminal 44 a is connected to the lead frame 41 via the wire 45, and the terminal 44 b is connected to the lead frame 42 via the wire 46.

次に、図９及び図１１（ａ）に示すように、下金型１０１を用意する。下金型１０１は後述する上金型１０２と共に一組の金型を構成するものであり、下金型１０１の上面には、直方体形状の凹部１０１ａが形成されている。一方、シリコーン樹脂等の透明樹脂に蛍光体４８（図８（ａ）参照）を混合し、撹拌することにより、液状又は半液状の蛍光体含有樹脂材料５６を調製する。そして、ディスペンサ１０３により、下金型１０１の凹部１０１ａ内に、蛍光体含有樹脂材料５６を供給する。   Next, as shown in FIGS. 9 and 11A, a lower mold 101 is prepared. The lower mold 101 constitutes a set of molds together with an upper mold 102 described later, and a rectangular parallelepiped concave portion 101 a is formed on the upper surface of the lower mold 101. On the other hand, a phosphor 48 (see FIG. 8A) is mixed with a transparent resin such as a silicone resin, and stirred to prepare a liquid or semi-liquid phosphor-containing resin material 56. Then, the phosphor-containing resin material 56 is supplied into the recess 101 a of the lower mold 101 by the dispenser 103.

次に、図９及び図１１（ｂ）に示すように、上述のＬＥＤチップ４４を搭載したリードフレームシート５３を、ＬＥＤチップ４４が下方に向くように、上金型１０２の下面に装着する。そして、上金型１０２を下金型１０１に押し付け、金型を型締めする。これにより、リードフレームシート５３が蛍光体含有樹脂材料５６に押し付けられる。このとき、蛍光体含有樹脂材料５６はＬＥＤチップ４４、ワイヤ４５及び４６を覆い、リードフレームシート５３におけるエッチングによって除去された部分内にも侵入する。このようにして、蛍光体含有樹脂材料５６がモールドされる。   Next, as shown in FIG. 9 and FIG. 11B, the lead frame sheet 53 on which the LED chip 44 is mounted is mounted on the lower surface of the upper mold 102 so that the LED chip 44 faces downward. Then, the upper mold 102 is pressed against the lower mold 101, and the mold is clamped. Thereby, the lead frame sheet 53 is pressed against the phosphor-containing resin material 56. At this time, the phosphor-containing resin material 56 covers the LED chip 44 and the wires 45 and 46, and also enters the portion removed by etching in the lead frame sheet 53. In this way, the phosphor-containing resin material 56 is molded.

次に、図９及び図１１（ｃ）に示すように、蛍光体含有樹脂材料５６にリードフレームシート５３の上面を押し付けた状態で熱処理（モールドキュア）を行い、蛍光体含有樹脂材料５６を硬化させる。その後、図１２（ａ）に示すように、上金型１０２を下金型１０１から引き離す。これにより、リードフレームシート５３上に、リードフレームシート５３の上面全体及び下面の一部を覆い、ＬＥＤチップ４４等を埋め込む透明樹脂板５９が形成される。透明樹脂板５９には、蛍光体４８（図８（ａ）参照）が分散されている。   Next, as shown in FIG. 9 and FIG. 11C, heat treatment (mold cure) is performed with the upper surface of the lead frame sheet 53 pressed against the phosphor-containing resin material 56 to cure the phosphor-containing resin material 56. Let Thereafter, as shown in FIG. 12A, the upper mold 102 is pulled away from the lower mold 101. Thereby, a transparent resin plate 59 is formed on the lead frame sheet 53 so as to cover the entire upper surface and a part of the lower surface of the lead frame sheet 53 and embed the LED chip 44 and the like. A phosphor 48 (see FIG. 8A) is dispersed in the transparent resin plate 59.

次に、図９及び図１２（ｂ）に示すように、リードフレームシート５３から補強テープ５４を引き剥がす。これにより、透明樹脂板５９の表面においてリードフレーム４１及び４２の凸部４１ｇ及び４２ｇ（図８参照）の下面が露出する。次に、ブレード１０４により、リードフレームシート５３及び透明樹脂板５９からなる結合体を、リードフレームシート５３側からダイシングする。すなわち、−Ｚ方向側から＋Ｚ方向に向けてダイシングする。これにより、リードフレームシート５３及び透明樹脂板５９におけるダイシング領域Ｄに配置された部分が除去される。この結果、リードフレームシート５３及び透明樹脂板５９における素子領域Ｐに配置された部分が個片化され、図７及び図８に示す半導体発光装置４が製造される。   Next, as shown in FIGS. 9 and 12B, the reinforcing tape 54 is peeled off from the lead frame sheet 53. Thereby, the lower surfaces of the convex portions 41g and 42g (see FIG. 8) of the lead frames 41 and 42 are exposed on the surface of the transparent resin plate 59. Next, the combined body composed of the lead frame sheet 53 and the transparent resin plate 59 is diced from the lead frame sheet 53 side by the blade 104. That is, dicing is performed from the −Z direction side toward the + Z direction. Thereby, the part arrange | positioned in the dicing area | region D in the lead frame sheet | seat 53 and the transparent resin board 59 is removed. As a result, the portions of the lead frame sheet 53 and the transparent resin plate 59 that are disposed in the element region P are separated into pieces, and the semiconductor light emitting device 4 shown in FIGS. 7 and 8 is manufactured.

ダイシング後の各半導体発光装置４においては、リードフレームシート５３からリードフレーム４１及び４２が分離される。また、透明樹脂板５９が分断されて、透明樹脂体４７となる。そして、ダイシング領域ＤにおけるＹ方向に延びる部分が、リードフレームシート５３の開口部５３ａを通過することにより、リードフレーム４１及び４２にそれぞれ吊ピン４１ｄ、４１ｅ、４２ｄ、４２ｅが形成される。また、ブリッジ５３ｂが分断されることにより、リードフレーム４１に吊ピン４１ｂ及び４１ｃが形成され、ブリッジ５３ｃが分断されることにより、リードフレーム４２に吊ピン４２ｂ及び４２ｃが形成される。吊ピン４１ｂ〜４１ｅ及び４２ｂ〜４２ｅの先端面は、透明樹脂体４７の側面において露出する。更に、導電シート５１のうち、銅板５１ａがリードフレーム４１及び４２の基材２１となり、銀めっき層５１ｂが銀めっき層２２となり、ロジウムめっき層５１ｃがロジウムめっき層２３となる。   In each semiconductor light emitting device 4 after dicing, the lead frames 41 and 42 are separated from the lead frame sheet 53. Further, the transparent resin plate 59 is divided into a transparent resin body 47. Then, when the portion extending in the Y direction in the dicing region D passes through the opening 53a of the lead frame sheet 53, the suspension pins 41d, 41e, 42d, and 42e are formed on the lead frames 41 and 42, respectively. The bridge 53b is divided to form the suspension pins 41b and 41c on the lead frame 41, and the bridge 53c is divided to form the suspension pins 42b and 42c to the lead frame 42. The front end surfaces of the extending portions 41 b to 41 e and 42 b to 42 e are exposed on the side surface of the transparent resin body 47. Further, in the conductive sheet 51, the copper plate 51 a becomes the base material 21 of the lead frames 41 and 42, the silver plating layer 51 b becomes the silver plating layer 22, and the rhodium plating layer 51 c becomes the rhodium plating layer 23.

次に、図９に示すように、半導体発光装置４について、各種のテストを行う。このとき、吊ピン４１ｂ〜４１ｅ及び４２ｂ〜４２ｅの先端面をテスト用の端子として使用することも可能である。   Next, as shown in FIG. 9, various tests are performed on the semiconductor light emitting device 4. At this time, it is also possible to use the front end surfaces of the extending portions 41b to 41e and 42b to 42e as test terminals.

次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態に係る半導体発光装置４においては、白色樹脂からなる外囲器が設けられていないため、外囲器がＬＥＤチップ４４から生じる光及び熱を吸収して劣化することがない。特に、外囲器がポリアミド系の熱可塑性樹脂によって形成されている場合は劣化が進行しやすいが、本実施形態においてはその虞がない。このため、本実施形態に係る半導体発光装置４は、耐久性が高い。従って、本実施形態に係る半導体発光装置４は寿命が長く、信頼性が高く、幅広い用途に適用可能である。 Next, the effect of this embodiment is demonstrated.
In the semiconductor light emitting device 4 according to this embodiment, since the envelope made of white resin is not provided, the envelope does not deteriorate by absorbing light and heat generated from the LED chip 44. In particular, when the envelope is formed of a polyamide-based thermoplastic resin, the deterioration is likely to proceed, but in this embodiment, there is no such risk. For this reason, the semiconductor light emitting device 4 according to this embodiment has high durability. Therefore, the semiconductor light emitting device 4 according to this embodiment has a long lifetime, high reliability, and can be applied to a wide range of uses.

また、本実施形態に係る半導体発光装置４においては、透明樹脂体４７をシリコーン樹脂によって形成している。シリコーン樹脂は光及び熱に対する耐久性が高いため、これによっても、半導体発光装置４の耐久性が向上する。   In the semiconductor light emitting device 4 according to this embodiment, the transparent resin body 47 is formed of a silicone resin. Since the silicone resin has high durability against light and heat, this also improves the durability of the semiconductor light emitting device 4.

更に、本実施形態に係る半導体発光装置４においては、透明樹脂体４７の側面を覆う外囲器が設けられていないため、広い角度に向けて光が出射される。このため、本実施形態に係る半導体発光装置４は、広い角度で光を出射する必要がある用途、例えば、照明及び液晶テレビのバックライトとして使用する際に有利である。   Furthermore, in the semiconductor light emitting device 4 according to the present embodiment, since no envelope covering the side surface of the transparent resin body 47 is provided, light is emitted toward a wide angle. For this reason, the semiconductor light-emitting device 4 according to the present embodiment is advantageous when it is used as an illumination and a backlight of a liquid crystal television, for example, where light needs to be emitted at a wide angle.

更にまた、本実施形態に係る半導体発光装置４においては、透明樹脂体４７がリードフレーム４１及び４２の下面の一部及び端面の大部分を覆うことにより、リードフレーム４１及び４２の周辺部を保持している。このため、リードフレーム４１及び４２の凸部４１ｇ及び４２ｇの下面を透明樹脂体４７から露出させて外部電極パッドを実現しつつ、リードフレーム４１及び４２の保持性を高めることができる。すなわち、ベース部４１ａ及び４２ａのＸ方向中央部に凸部４１ｇ及び４２ｇを形成することによって、ベース部４１ａ及び４２ａの下面のＸ方向の両端部に切欠を実現する。そして、この切欠内に透明樹脂体４７が回り込むことによって、リードフレーム４１及び４２を強固に保持することができる。これにより、ダイシングの際に、リードフレーム４１及び４２が透明樹脂体４７から剥離しにくくなり、半導体発光装置４の歩留まりを向上させることができる。   Furthermore, in the semiconductor light emitting device 4 according to the present embodiment, the transparent resin body 47 covers a part of the lower surface and most of the end surfaces of the lead frames 41 and 42 to hold the peripheral portions of the lead frames 41 and 42. is doing. For this reason, the retainability of the lead frames 41 and 42 can be enhanced while the lower surfaces of the convex portions 41g and 42g of the lead frames 41 and 42 are exposed from the transparent resin body 47 to realize external electrode pads. That is, by forming the convex portions 41g and 42g at the X-direction center portions of the base portions 41a and 42a, notches are realized at both ends in the X direction on the lower surfaces of the base portions 41a and 42a. The lead frames 41 and 42 can be firmly held by turning the transparent resin body 47 into the notches. Thereby, the lead frames 41 and 42 are less likely to be peeled off from the transparent resin body 47 during dicing, and the yield of the semiconductor light emitting device 4 can be improved.

更にまた、本実施形態に係る半導体発光装置４においては、リードフレーム４１及び４２の上面及び下面に銀めっき層及びロジウムめっき層が形成されている。これにより、前述の第１の実施形態と同様な効果を得ることができる。すなわち、コストを抑え、ワイヤボンディング性を確保しつつ、リードフレームの変色を防止し、長期間にわたって高い反射率を維持することができる。なお、各リードフレームのめっき構造は、前述の第２の実施形態と同じとしてもよい。   Furthermore, in the semiconductor light emitting device 4 according to this embodiment, the silver plating layer and the rhodium plating layer are formed on the upper and lower surfaces of the lead frames 41 and 42. Thereby, an effect similar to that of the first embodiment described above can be obtained. That is, the cost can be reduced, the wire bonding property can be secured, the lead frame can be prevented from being discolored, and the high reflectance can be maintained for a long period. Note that the plating structure of each lead frame may be the same as in the second embodiment.

更にまた、本実施形態においては、１枚の導電性シート５１から、多数、例えば、数千個程度の半導体発光装置４を一括して製造することができる。これにより、半導体発光装置１個当たりの製造コストを低減することができる。また、外囲器が設けられていないため、部品点数及び工程数が少なく、コストが低い。   Furthermore, in the present embodiment, a large number, for example, about several thousand semiconductor light emitting devices 4 can be collectively manufactured from one conductive sheet 51. Thereby, the manufacturing cost per semiconductor light-emitting device can be reduced. Further, since no envelope is provided, the number of parts and the number of processes are small, and the cost is low.

更にまた、本実施形態においては、リードフレームシート５３をウェットエッチングによって形成している。このため、新たなレイアウトの半導体発光装置を製造する際には、マスクの原版のみを用意すればよく、金型によるプレス等の方法によってリードフレームシート５３を形成する場合と比較して、初期コストを低く抑えることができる。   Furthermore, in the present embodiment, the lead frame sheet 53 is formed by wet etching. For this reason, when manufacturing a semiconductor light emitting device with a new layout, it is only necessary to prepare an original mask, and the initial cost compared with the case where the lead frame sheet 53 is formed by a method such as pressing with a mold. Can be kept low.

更にまた、本実施形態に係る半導体発光装置４においては、リードフレーム４１及び４２のベース部４１ａ及び４２ａから、それぞれ吊ピンが延出している。これにより、ベース部自体が透明樹脂体４７の側面において露出することを防止し、リードフレーム４１及び４２の露出面積を低減することができる。この結果、リードフレーム４１及び４２が透明樹脂体４７から剥離することを防止できる。また、リードフレーム４１及び４２の腐食も抑制できる。   Furthermore, in the semiconductor light emitting device 4 according to the present embodiment, the extending portions extend from the base portions 41a and 42a of the lead frames 41 and 42, respectively. Thereby, it is possible to prevent the base portion itself from being exposed on the side surface of the transparent resin body 47 and to reduce the exposed area of the lead frames 41 and 42. As a result, it is possible to prevent the lead frames 41 and 42 from peeling from the transparent resin body 47. Further, corrosion of the lead frames 41 and 42 can be suppressed.

この効果を製造方法の点から見ると、図１０（ｂ）に示すように、リードフレームシート５３において、ダイシング領域Ｄに介在するように、開口部５３ａ、ブリッジ５３ｂ及び５３ｃを設けることにより、ダイシング領域Ｄに介在する金属部分を減らしている。これにより、ダイシングが容易になり、ダイシングブレードの磨耗を抑えることができる。また、本実施形態においては、リードフレーム４１及び４２のそれぞれから、３方向に４本の吊ピンが延出している。これにより、図１０（ｃ）に示すＬＥＤチップ４４のマウント工程において、リードフレーム４１が隣の素子領域Ｐのリードフレーム４１及び４２によって３方向から確実に支持されるため、マウント性が高い。同様に、図１０（ｄ）に示すワイヤボンディング工程においても、ワイヤの接合位置が３方向から確実に支持されるため、例えば超音波接合の際に印加した超音波が逃げることが少なく、ワイヤをリードフレーム及びＬＥＤチップに良好に接合することができる。   In view of the manufacturing method, as shown in FIG. 10B, the lead frame sheet 53 is provided with an opening 53a and bridges 53b and 53c so as to be interposed in the dicing region D, thereby dicing. The metal portion interposed in the region D is reduced. Thereby, dicing becomes easy and wear of the dicing blade can be suppressed. In the present embodiment, four suspension pins extend from each of the lead frames 41 and 42 in three directions. Thereby, in the mounting process of the LED chip 44 shown in FIG. 10C, the lead frame 41 is reliably supported from the three directions by the lead frames 41 and 42 in the adjacent element region P, so that the mountability is high. Similarly, in the wire bonding step shown in FIG. 10 (d), since the bonding position of the wire is reliably supported from three directions, for example, ultrasonic waves applied during ultrasonic bonding are less likely to escape, Good bonding to the lead frame and the LED chip is possible.

更にまた、本実施形態においては、図１２（ｂ）に示すダイシング工程において、リードフレームシート５３側からダイシングを行っている。これにより、リードフレーム４１及び４２の切断端部を形成する金属材料が、透明樹脂体４７の側面上を＋Ｚ方向に延伸する。このため、この金属材料が透明樹脂体４７の側面上を−Ｚ方向に延伸して半導体発光装置４の下面から突出し、バリが発生することがない。従って、半導体発光装置４を実装する際に、バリに起因して実装不良となることがない。   Furthermore, in this embodiment, dicing is performed from the lead frame sheet 53 side in the dicing step shown in FIG. Thereby, the metal material forming the cut ends of the lead frames 41 and 42 extends in the + Z direction on the side surface of the transparent resin body 47. For this reason, the metal material extends in the −Z direction on the side surface of the transparent resin body 47 and protrudes from the lower surface of the semiconductor light emitting device 4, so that no burrs are generated. Therefore, when mounting the semiconductor light emitting device 4, mounting defects do not occur due to burrs.

次に、本実施形態の変形例について説明する。
本変形例は、リードフレームシートの形成方法の変形例である。
すなわち、本変形例においては、図１０（ａ）に示すリードフレームシートの形成方法が、前述の第４の実施形態と異なっている。
図１４（ａ）〜（ｈ）は、本変形例におけるリードフレームシートの形成方法を例示する工程断面図である。 Next, a modification of this embodiment will be described.
This modification is a modification of the lead frame sheet forming method.
That is, in this modification, the lead frame sheet forming method shown in FIG. 10A is different from the above-described fourth embodiment.
14A to 14H are process cross-sectional views illustrating a method for forming a lead frame sheet in this variation.

先ず、図１４（ａ）に示すように、銅板５１ａを用意し、これを洗浄する。次に、図１４（ｂ）に示すように、銅板５１ａの両面に対してレジストコーティングを施し、その後乾燥させて、レジスト膜１１１を形成する。次に、図１４（ｃ）に示すように、レジスト膜１１１上にマスクパターン１１２を配置し、紫外線を照射して露光する。これにより、レジスト膜１１１の露光部分が硬化し、レジストマスク１１１ａが形成される。次に、図１４（ｄ）に示すように、現像を行い、レジスト膜１１１における硬化していない部分を洗い流す。これにより、銅板５１ａの上下面上にレジストパターン１１１ａが残留する。次に、図１４（ｅ）に示すように、レジストパターン１１１ａをマスクとしてエッチングを施し、銅板５１ａにおける露出部分を両面から除去する。このとき、エッチング深さは、銅板５１ａの板厚の半分程度とする。これにより、片面側からのみエッチングされた領域はハーフエッチングされ、両面側からエッチングされた領域は貫通する。次に、図１４（ｆ）に示すように、レジストパターン１１１ａを除去する。   First, as shown to Fig.14 (a), the copper plate 51a is prepared and this is wash | cleaned. Next, as shown in FIG. 14B, a resist coating is applied to both surfaces of the copper plate 51 a and then dried to form a resist film 111. Next, as shown in FIG. 14C, a mask pattern 112 is placed on the resist film 111 and exposed by irradiating with ultraviolet rays. Thereby, the exposed portion of the resist film 111 is cured, and a resist mask 111a is formed. Next, as shown in FIG. 14D, development is performed to wash away uncured portions of the resist film 111. Thereby, the resist pattern 111a remains on the upper and lower surfaces of the copper plate 51a. Next, as shown in FIG. 14E, etching is performed using the resist pattern 111a as a mask to remove the exposed portions of the copper plate 51a from both sides. At this time, the etching depth is about half of the thickness of the copper plate 51a. Thereby, the region etched from only one side is half-etched, and the region etched from both sides penetrates. Next, as shown in FIG. 14F, the resist pattern 111a is removed.

次に、図１４（ｇ）に示すように、銅板５１ａの端部をマスク１１３によって覆う。そして、電解めっき法により、銀めっきを施し、その後、銅板５１ａの下面をマスク（図示せず）によって覆い、電解めっき法により、ロジウムめっきを施す。これにより、銅板５１の端部以外の部分の表面上に、銀めっき層５１ｂ及びロジウムめっき層５１ｃが形成される。このとき、ロジウムめっき層５１ｃは銅板５１ｃの下面上には形成されない。次に、図１４（ｈ）に示すように、洗浄してマスク１１３を除去する。その後、検査を行う。このようにして、リードフレームシート５３が作製される。本変形例における上記以外の構成、製造方法及び作用効果は、前述の第４の実施形態と同様である。   Next, as shown in FIG. 14G, the end of the copper plate 51 a is covered with a mask 113. Then, silver plating is performed by an electrolytic plating method, and thereafter, the lower surface of the copper plate 51a is covered with a mask (not shown), and rhodium plating is performed by an electrolytic plating method. Thereby, on the surface of parts other than the edge part of the copper plate 51, the silver plating layer 51b and the rhodium plating layer 51c are formed. At this time, the rhodium plating layer 51c is not formed on the lower surface of the copper plate 51c. Next, as shown in FIG. 14H, the mask 113 is removed by washing. Thereafter, an inspection is performed. In this way, the lead frame sheet 53 is produced. Configurations, manufacturing methods, and operational effects other than those described above in the present modification are the same as those in the above-described fourth embodiment.

次に、本発明の第５の実施形態について説明する。
図１５は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図であり、
図１６は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する側面図である。 Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 15 is a perspective view illustrating a semiconductor light emitting device according to this embodiment.
FIG. 16 is a side view illustrating the semiconductor light emitting device according to this embodiment.

図１５及び図１６に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置５においては、前述の第４の実施形態に係る半導体発光装置４（図７参照）と比較して、リードフレーム４１（図７参照）がＸ方向において２枚のリードフレーム６１及び６２に分割されている点が異なっている。リードフレーム６１及び６２の上下面には、銀めっき層及びロジウムめっき層が形成されている。リードフレーム６２はリードフレーム６１とリードフレーム４２との間に配置されている。そして、リードフレーム６１には、リードフレーム４１の吊ピン４１ｄ及び４１ｅ（図７参照）に相当する吊ピン６１ｄ及び６１ｅが形成されており、また、ベース部６１ａから＋Ｙ方向及び−Ｙ方向にそれぞれ延出した吊ピン６１ｂ及び６１ｃが形成されている。吊ピン６１ｂ及び６１ｃのＸ方向における位置は、相互に同一である。更に、リードフレーム６１にはワイヤ４５が接合されている。一方、リードフレーム６２には、リードフレーム４１の吊ピン４１ｂ及び４１ｃ（図７参照）に相当する吊ピン６２ｂ及び６２ｃが形成されており、ダイマウント材４３を介してＬＥＤチップ４４が搭載されている。また、リードフレーム４１の凸部４１ｇに相当する凸部は、凸部６１ｇ及び６２ｇとしてリードフレーム６１及び６２に分割して形成されている。   As shown in FIGS. 15 and 16, in the semiconductor light emitting device 5 according to the present embodiment, the lead frame 41 (see FIG. 7) is compared with the semiconductor light emitting device 4 (see FIG. 7) according to the fourth embodiment described above. 7) is divided into two lead frames 61 and 62 in the X direction. A silver plating layer and a rhodium plating layer are formed on the upper and lower surfaces of the lead frames 61 and 62. The lead frame 62 is disposed between the lead frame 61 and the lead frame 42. The lead frame 61 is formed with suspension pins 61d and 61e corresponding to the suspension pins 41d and 41e (see FIG. 7) of the lead frame 41, and from the base portion 61a in the + Y direction and the −Y direction, respectively. Extending extending portions 61b and 61c are formed. The positions of the extending portions 61b and 61c in the X direction are the same. Furthermore, the wire 45 is joined to the lead frame 61. On the other hand, the lead frame 62 is formed with suspension pins 62b and 62c corresponding to the suspension pins 41b and 41c (see FIG. 7) of the lead frame 41, and the LED chip 44 is mounted via the die mount material 43. Yes. Further, the convex portion corresponding to the convex portion 41g of the lead frame 41 is formed by being divided into lead frames 61 and 62 as convex portions 61g and 62g.

本実施形態においては、リードフレーム６１及び４２は外部から電位が印加されることにより、外部電極として機能する。一方、リードフレーム６２には電位を印加する必要はなく、ヒートシンク専用のリードフレームとして使用することができる。これにより、１つのモジュールに複数個の半導体発光装置５を搭載する場合に、リードフレーム６２を共通のヒートシンクに接続することができる。なお、リードフレーム６２には、接地電位を印加してもよく、浮遊状態としてもよい。また、半導体発光装置５をマザーボードに実装する際に、リードフレーム６１、６２及び４２にそれぞれ半田ボールを接合することにより、所謂マンハッタン現象を抑制することができる。マンハッタン現象とは、複数個の半田ボール等を介して基板にデバイス等を実装するときに、リフロー炉における半田ボールの融解のタイミングのずれ及び半田の表面張力に起因して、デバイスが起立してしまう現象をいい、実装不良の原因となる現象である。本実施形態によれば、リードフレームのレイアウトをＸ方向において対称とし、半田ボールをＸ方向において密に配置することにより、マンハッタン現象が生じにくくなる。   In the present embodiment, the lead frames 61 and 42 function as external electrodes when a potential is applied from the outside. On the other hand, it is not necessary to apply a potential to the lead frame 62, and the lead frame 62 can be used as a lead frame dedicated to a heat sink. Thereby, when mounting a plurality of semiconductor light emitting devices 5 in one module, the lead frame 62 can be connected to a common heat sink. The lead frame 62 may be applied with a ground potential or may be in a floating state. Further, when the semiconductor light emitting device 5 is mounted on the mother board, the so-called Manhattan phenomenon can be suppressed by bonding the solder balls to the lead frames 61, 62 and 42, respectively. The Manhattan phenomenon means that when a device or the like is mounted on a substrate via a plurality of solder balls or the like, the device stands up due to misalignment of the solder ball melting timing in the reflow furnace and the surface tension of the solder. It is a phenomenon that causes mounting defects. According to the present embodiment, the Manhattan phenomenon is less likely to occur by making the lead frame layout symmetrical in the X direction and arranging the solder balls densely in the X direction.

また、本実施形態においては、リードフレーム６１が吊ピン６１ｂ〜６１ｅによって３方向から支持されているため、ワイヤ４５のボンディング性が良好である。同様に、リードフレーム４２が吊ピン４２ｂ〜４２ｅによって３方向から支持されているため、ワイヤ４６のボンディング性が良好である。   Moreover, in this embodiment, since the lead frame 61 is supported from three directions by the extending portions 61b to 61e, the bondability of the wire 45 is good. Similarly, since the lead frame 42 is supported from three directions by the extending portions 42b to 42e, the bonding property of the wire 46 is good.

このような半導体発光装置５は、前述の図１０（ａ）に示す工程において、リードフレームシート５３の各素子領域Ｐの基本パターンを変更することにより、前述の第４の実施形態と同様な方法で製造することができる。すなわち、前述の第４の実施形態において説明した製造方法によれば、マスク５２ａ及び５２ｂのパターンを変更するだけで、種々のレイアウトの半導体発光装置を製造することができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び作用効果は、前述の第４の実施形態と同様である。   Such a semiconductor light emitting device 5 is a method similar to that of the fourth embodiment described above by changing the basic pattern of each element region P of the lead frame sheet 53 in the step shown in FIG. Can be manufactured. That is, according to the manufacturing method described in the fourth embodiment, semiconductor light-emitting devices having various layouts can be manufactured only by changing the patterns of the masks 52a and 52b. Configurations, manufacturing methods, and operational effects other than those described above in the present embodiment are the same as those in the fourth embodiment described above.

なお、本実施形態においては、リードフレーム６２のみに、銀めっき層及びロジウムめっき層が形成されていてもよい。すなわち、リードフレーム６１及び４２には、銀めっき層及びロジウムめっき層が形成されていなくても、リードフレーム６２の上面に銀めっき層及びロジウムめっき層が形成されていれば、半導体発光装置５の出力を長期間にわたってある程度向上させることができる。また、各リードフレームのめっき構造は、前述の第２の実施形態と同じであってもよい。   In the present embodiment, a silver plating layer and a rhodium plating layer may be formed only on the lead frame 62. That is, even if the silver plating layer and the rhodium plating layer are not formed on the lead frames 61 and 42, as long as the silver plating layer and the rhodium plating layer are formed on the upper surface of the lead frame 62, the semiconductor light emitting device 5. The output can be improved to some extent over a long period of time. Further, the plating structure of each lead frame may be the same as in the second embodiment described above.

次に、前述の各実施形態の効果を示す試験例について説明する。
先ず、第１の試験例について説明する。
第１の試験例においては、ピールテストを行い、リードフレームに対するワイヤのボンディング性を評価した。 Next, test examples showing the effects of the above-described embodiments will be described.
First, the first test example will be described.
In the first test example, a peel test was performed to evaluate the bondability of the wire to the lead frame.

前述の第４の実施形態において説明した方法により、ロジウムめっき層の厚さが２５ｎｍ、５０ｎｍ、７５ｎｍであるリードフレームシートを作製した。また、銀めっき層のみを形成し、ロジウムめっき層を形成していないリードフレームも作製した。このとき、基材には銅板を使用し、銀めっき層の厚さは３〜８μｍとした。次に、これらのリードフレームに対して、金からなるワイヤを接合した。ワイヤの接合は超音波接合によって行った。すなわち、リードフレームシートとワイヤとの接触部分に対して、熱、加重及び超音波を印加して、ワイヤの先端を溶融させてリードフレームに接合した。このようなボンディング接合部を、各リードフレームシートにおいて１０個形成した。   A lead frame sheet having a rhodium plating layer thickness of 25 nm, 50 nm, and 75 nm was produced by the method described in the fourth embodiment. Further, a lead frame in which only a silver plating layer was formed and no rhodium plating layer was formed was also produced. At this time, a copper plate was used as the base material, and the thickness of the silver plating layer was 3 to 8 μm. Next, a gold wire was bonded to these lead frames. Wire bonding was performed by ultrasonic bonding. That is, heat, weight, and ultrasonic waves were applied to the contact portion between the lead frame sheet and the wire to melt the tip of the wire and bonded to the lead frame. Ten such bonding joints were formed in each lead frame sheet.

次に、これらのボンディング接合部に対してピールテストを行った。すなわち、ピンセットを使用してワイヤを引き剥がす方向に引っ張り、ワイヤをリードフレームシートから引き剥がした。そして、引き剥がした跡を顕微鏡によって上方から観察し、ステッチ部に占める残留しているワイヤ材料の面積率を計測し、ワイヤ材料が多く残留していれば、良好と判定した。   Next, a peel test was performed on these bonding joints. That is, using a tweezers, the wire was pulled in the direction of peeling, and the wire was peeled off from the lead frame sheet. And the trace which peeled off was observed from the upper direction with the microscope, the area ratio of the wire material which occupies for a stitch part was measured, and if many wire materials remained, it was determined that it was favorable.

その結果、ロジウムめっき層の厚さが２５ｎｍ、５０ｎｍ、７５ｎｍのリードフレームシートにおいては、全てのボンディング接合部が良好であった。また、ロジウムめっき層を形成していないリードフレームにおいても、全てのボンディング接合部が良好であった。この試験の結果から、ロジウムめっき層の厚さが２５〜７５ｎｍであれば、ボンディング性が良好であり、ロジウムめっき層を形成していない場合と同等であることがわかる。   As a result, in the lead frame sheet having a rhodium plating layer thickness of 25 nm, 50 nm, and 75 nm, all the bonding joints were good. In addition, all the bonding joints were good even in the lead frame in which the rhodium plating layer was not formed. From the results of this test, it can be seen that when the thickness of the rhodium plating layer is 25 to 75 nm, the bonding property is good and is equivalent to the case where the rhodium plating layer is not formed.

次に、第２の試験例について説明する。
第２の試験例においては、ＴＨＯ（Temperature Humidity Operating：高温高湿動作）試験及びＨＴＯ（High Temperature Operating：高温連続動作）試験を行い、半導体発光装置の信頼性を評価した。
図１７は、横軸にタイミングをとり、縦軸に光束値の変動率をとって、ＴＨＯ試験の結果を示すグラフ図であり、
図１８は、横軸にタイミングをとり、縦軸に光束値の変動率をとって、ＨＴＯ試験の結果を示すグラフ図である。 Next, a second test example will be described.
In the second test example, the THO (Temperature Humidity Operating) test and the HTO (High Temperature Operating) test were performed to evaluate the reliability of the semiconductor light emitting device.
FIG. 17 is a graph showing the result of the THO test, with the horizontal axis representing timing and the vertical axis representing the variation rate of the luminous flux value.
FIG. 18 is a graph showing the results of the HTO test with the horizontal axis representing timing and the vertical axis representing the variation rate of the luminous flux value.

先ず、評価用のサンプルとして、前述の第１の実施形態に係る半導体発光装置を複数個作製した。このとき、装置間でリードフレームのめっき構造を相互に異ならせた。すなわち、第１のサンプルについては、銅製の基材上に銀めっき層のみを形成して、リードフレームを作製した。第２〜第４のサンプルについては、銅製の基材上に銀めっき層を形成し、その上にロジウムめっき層を形成して、リードフレームを作製した。このとき、第２、第３、第４のサンプルについて、ロジウムめっき層の厚さをそれぞれ２５ｎｍ、５０ｎｍ、７５ｎｍとした。そして、これらのサンプルについて、光束値を測定した。このときの測定値をイニシャルの光束値とした。   First, a plurality of semiconductor light emitting devices according to the first embodiment described above were manufactured as evaluation samples. At this time, the lead frame plating structures were different from each other. That is, for the first sample, only a silver plating layer was formed on a copper base material to produce a lead frame. About the 2nd-4th sample, the silver plating layer was formed on the copper-made base material, the rhodium plating layer was formed on it, and the lead frame was produced. At this time, the thickness of the rhodium plating layer was set to 25 nm, 50 nm, and 75 nm for the second, third, and fourth samples, respectively. And about these samples, the light beam value was measured. The measured value at this time was set as the initial luminous flux value.

次に、これらのサンプルに対して、前処理を施した。前処理は、温度が８５℃、湿度が８５％の吸湿雰囲気中において、最高到達温度を２６５℃とするリフロー処理を施す動作を、２回繰り返した。そして、前処理後のサンプルについて光束値を測定し、イニシャルの光束値に対する変動率（Δｌｖ）を算出した。   Next, pretreatment was performed on these samples. In the pretreatment, an operation of performing a reflow treatment for setting the maximum temperature to 265 ° C. in a hygroscopic atmosphere having a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% was repeated twice. Then, the light flux value was measured for the sample after the pretreatment, and the rate of change (Δlv) with respect to the initial light flux value was calculated.

次に、前処理後のサンプルに対して、ＴＨＯ試験及びＨＴＯ試験を行った。ＴＨＯ試験においては、温度が８５℃、湿度が８５％の雰囲気中で、５０ｍＡの電流をサンプルに通電した。一方、ＨＴＯ試験においては、温度が１１０℃の雰囲気中で、４０ｍＡの電流をサンプルに通電した。そして、１６８時間経過後及び３３６時間経過後に、各サンプルの光束値を測定し、イニシャルの光束値に対する変動率（Δｌｖ）を算出した。ＴＨＯ試験の結果を表１及び図１７に示す。また、ＨＴＯ試験の結果を表２及び図１８に示す。なお、表２及び表３においては、上述の第１〜第４のサンプルを、それぞれ、記号「Ａｇ」、「Ｒｈ２５」、「Ｒｈ５０」、「Ｒｈ７５」で示す。   Next, the THO test and the HTO test were performed on the sample after the pretreatment. In the THO test, a current of 50 mA was applied to the sample in an atmosphere having a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85%. On the other hand, in the HTO test, a current of 40 mA was passed through the sample in an atmosphere having a temperature of 110 ° C. After 168 hours and 336 hours, the luminous flux value of each sample was measured, and the variation rate (Δlv) with respect to the initial luminous flux value was calculated. The results of the THO test are shown in Table 1 and FIG. The results of the HTO test are shown in Table 2 and FIG. In Tables 2 and 3, the first to fourth samples described above are indicated by symbols “Ag”, “Rh25”, “Rh50”, and “Rh75”, respectively.

Figure 2011204790
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Figure 2011204790
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表１及び図１７に示すように、ＴＨＯ試験においては、リードフレームにロジウムめっき層を形成していないサンプル（Ａｇ）に対して、ロジウムめっき層を形成したサンプル（Ｒｈ２５、Ｒｈ５０、Ｒｈ７５）は、３３６時間経過後に３〜７％の特性劣化の改善効果が認められた。
また、表２及び図１８に示すように、ＨＴＯ試験においては、リードフレームにロジウムめっき層を形成していないサンプル（Ａｇ）に対して、ロジウムめっき層を形成したサンプル（Ｒｈ２５、Ｒｈ５０、Ｒｈ７５）は、３３６時間経過後に１３〜１７％の特性劣化の改善効果が認められた。 As shown in Table 1 and FIG. 17, in the THO test, the sample (Rh25, Rh50, Rh75) in which the rhodium plating layer was formed with respect to the sample (Ag) in which the rhodium plating layer was not formed on the lead frame, After 336 hours, an effect of improving characteristic deterioration of 3 to 7% was recognized.
Moreover, as shown in Table 2 and FIG. 18, in the HTO test, the sample (Rh25, Rh50, Rh75) in which the rhodium plating layer was formed with respect to the sample (Ag) in which the rhodium plating layer was not formed on the lead frame. After 336 hours, an effect of improving characteristic deterioration of 13 to 17% was recognized.

以上、実施形態及びその変形例を参照して本発明を説明したが、本発明はこれらの実施形態及び変形例に限定されるものではない。前述の各実施形態及びその変形例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。   Although the present invention has been described above with reference to the embodiments and the modifications thereof, the present invention is not limited to these embodiments and modifications. Those in which those skilled in the art have appropriately added, deleted, or changed the design of the above-described embodiments and modifications thereof, or those in which processes have been added, omitted, or changed conditions are also included in the present invention. As long as it has the gist of the above, it is included in the scope of the present invention.

例えば、半導体発光装置におけるパッケージ構成は、前述の各実施形態の例には限定されない。例えば、前述の各実施形態においては、リードフレームの基材２１を銅によって形成する例を示したが、本発明はこれに限定されず、銅以外の導電性材料によって形成してもよい。また、基材は、例えば、ガラスエポキシ基板上に形成された金属配線であってもよく、セラミック基板上に形成された金属配線であってもよい。更に、前述の第４の実施形態及びその変形例においては、リードフレームシート２３をウェットエッチングによって形成する例を示したが、本発明はこれに限定されず、例えばプレス等の機械的な手段によって形成してもよい。   For example, the package configuration in the semiconductor light emitting device is not limited to the above-described embodiments. For example, in each of the above-described embodiments, the example in which the base material 21 of the lead frame is formed of copper has been described. However, the present invention is not limited to this, and may be formed of a conductive material other than copper. The base material may be, for example, a metal wiring formed on a glass epoxy substrate or a metal wiring formed on a ceramic substrate. Furthermore, in the above-described fourth embodiment and the modifications thereof, an example in which the lead frame sheet 23 is formed by wet etching has been shown, but the present invention is not limited to this, and for example, by mechanical means such as a press. It may be formed.

更にまた、リードフレームの上面におけるダイマウント材を形成する予定の領域とワイヤを接合する予定の領域との間に、溝を形成してもよい。又は、リードフレームの上面におけるダイマウント材を形成する予定の領域に凹部を形成してもよい。これにより、ダイマウント材の供給量又は供給位置がばらついても、ダイマウント材がワイヤの接合予定領域まで流出することを防止でき、ワイヤの接合が阻害されることを防止できる。   Furthermore, a groove may be formed between a region where the die mount material is to be formed on the upper surface of the lead frame and a region where the wire is to be bonded. Or you may form a recessed part in the area | region which will form the die mount material in the upper surface of a lead frame. Thereby, even if the supply amount or supply position of the die mount material varies, it is possible to prevent the die mount material from flowing out to the region where the wire is scheduled to be bonded, and to prevent the wire bonding from being hindered.

更にまた、前述の各実施形態及びその変形例においては、ＬＥＤチップを青色の光を出射するチップとし、蛍光体を青色に光を吸収して赤色の光及び緑色の光を発光する蛍光体、又は、黄色の光を発光する蛍光体とする例を示したが、本発明はこれに限定されない。ＬＥＤチップは青色以外の色の可視光を出射するものであってもよく、紫外線又は赤外線を出射するものであってもよい。また、半導体発光装置には、蛍光体が設けられていなくてもよい。この場合は、ＬＥＤチップから出射された光が、そのまま半導体発光装置から出射される。   Furthermore, in each of the above-described embodiments and modifications thereof, the LED chip is a chip that emits blue light, and the phosphor absorbs light in blue and emits red light and green light, Or although the example made into the fluorescent substance which light-emits yellow light was shown, this invention is not limited to this. The LED chip may emit visible light of a color other than blue, or may emit ultraviolet light or infrared light. Further, the phosphor may not be provided in the semiconductor light emitting device. In this case, the light emitted from the LED chip is emitted from the semiconductor light emitting device as it is.

更にまた、前述の各実施形態及びその変形例においては、半導体発光装置に１個のＬＥＤチップが搭載されている例を示したが、半導体発光装置には複数個のＬＥＤチップを搭載してもよい。更にまた、ＬＥＤチップに対して並列に、ツェナーダイオードチップを接続してもよい。更にまた、前述の各実施形態及びその変形例においては、発光素子はＬＥＤチップである例を示したが、本発明はこれに限定されない。更にまた、透明樹脂体上にはレンズが設けられていてもよい。   Furthermore, in each of the above-described embodiments and modifications thereof, an example in which one LED chip is mounted on the semiconductor light emitting device has been described. However, a plurality of LED chips may be mounted on the semiconductor light emitting device. Good. Furthermore, a Zener diode chip may be connected in parallel to the LED chip. Furthermore, in each of the above-described embodiments and modifications thereof, an example in which the light emitting element is an LED chip is shown, but the present invention is not limited to this. Furthermore, a lens may be provided on the transparent resin body.

１、３、４、５ 半導体発光装置、１１ リードフレーム、１１ａ 外部電極、１２ リードフレーム、１２ａ 外部電極、１３ ダイマウント材、１４ ＬＥＤチップ、１５、１６ ワイヤ、１７ 透明樹脂体、２０ 外囲器、２１ 基材、２２ 銀めっき層、２３ ロジウムめっき層、２４ 中間めっき層、３１ リードフレーム、３１ａ チップ搭載部、３１ｂ 連結部、３１ｃ 外部電極部、３１ｄ 貫通孔、３２ リードフレーム、３２ａ ワイヤ接続部、３２ｂ 連結部、３２ｃ 外部電極部、３３ ダイマウント材、３４ ＬＥＤチップ、３６ ワイヤ、３７ 透明樹脂体、４１ リードフレーム、４１ａ ベース部、４１ｂ〜４１ｅ 吊ピン、４１ｆ 下面、４１ｇ 凸部、４１ｈ 上面、４１ｔ 薄板部、４２ リードフレーム、４２ａ ベース部、４２ｂ〜４２ｅ 吊ピン、４２ｆ 下面、４２ｇ 凸部、４２ｈ 上面、４２ｔ 薄板部、４３ ダイマウント材、４４ ＬＥＤチップ、４４ａ、４４ｂ 端子、４５、４６ ワイヤ、４７ 透明樹脂体、４７ａ〜４７ｄ 側面、４８ 蛍光体、５１ 導電シート、５１ａ 銅板、５１ｂ 銀めっき層、５２ａ、５２ｂ マスク、５２ｃ 開口部、５３ リードフレームシート、５３ａ 開口部、５３ｂ、５３ｃ ブリッジ、５４ 補強テープ、５６ 蛍光体含有樹脂材料、５９ 透明樹脂板、６１ リードフレーム、６１ｄ、６１ｅ 吊ピン、６１ｇ 凸部、６２ リードフレーム、６２ｂ、６２ｃ 吊ピン、６２ｇ 凸部、１０１ 下金型、１０１ａ 凹部、１０２ 上金型、１０３ ディスペンサ、１０４ ブレード、１１１ レジスト膜、１１１ａ レジストマスク、１１２ マスクパターン、１１３ マスク、Ｂ ブロック、Ｄ ダイシング領域、Ｐ 素子領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 3, 4, 5 Semiconductor light-emitting device, 11 Lead frame, 11a External electrode, 12 Lead frame, 12a External electrode, 13 Die mount material, 14 LED chip, 15, 16 Wire, 17 Transparent resin body, 20 Envelope , 21 base material, 22 silver plating layer, 23 rhodium plating layer, 24 intermediate plating layer, 31 lead frame, 31a chip mounting portion, 31b connection portion, 31c external electrode portion, 31d through hole, 32 lead frame, 32a wire connection portion , 32b connecting part, 32c external electrode part, 33 die mount material, 34 LED chip, 36 wire, 37 transparent resin body, 41 lead frame, 41a base part, 41b to 41e hanging pin, 41f lower surface, 41g convex part, 41h upper surface , 41t Thin plate part, 42 Lead frame, 42a Base part 42b-42e Hanging pin, 42f Lower surface, 42g Convex portion, 42h Upper surface, 42t Thin plate portion, 43 Die mount material, 44 LED chip, 44a, 44b Terminal, 45, 46 Wire, 47 Transparent resin body, 47a-47d Side surface, 48 Phosphor, 51 conductive sheet, 51a copper plate, 51b silver plating layer, 52a, 52b mask, 52c opening, 53 lead frame sheet, 53a opening, 53b, 53c bridge, 54 reinforcing tape, 56 phosphor-containing resin material, 59 Transparent resin plate, 61 Lead frame, 61d, 61e Suspension pin, 61g Protrusion, 62 Lead frame, 62b, 62c Suspension pin, 62g Convex, 101 Lower mold, 101a Concavity, 102 Upper mold, 103 Dispenser, 104 Blade 111 resist film, 111a resist Mask, 112 mask pattern, 113 mask, B block, D dicing region, P element region

Claims (9)

相互に離隔した第１及び第２のリードフレームと、
前記第１及び第２のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第１のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第２のリードフレームに接続された発光素子と、
を備え、
前記第１及び第２のリードフレームは、それぞれ、
基材と、
前記基材の少なくとも上面上に形成され、厚さが２μｍ以上である銀めっき層と、
前記銀めっき層上に形成され、前記銀めっき層よりも薄いロジウムめっき層と、
を有することを特徴とする半導体発光装置。 First and second lead frames spaced apart from each other;
A light emitting device provided above the first and second lead frames, one terminal connected to the first lead frame, and the other terminal connected to the second lead frame;
With
The first and second lead frames are respectively
A substrate;
A silver plating layer formed on at least the upper surface of the substrate and having a thickness of 2 μm or more;
A rhodium plating layer formed on the silver plating layer and thinner than the silver plating layer;
A semiconductor light emitting device comprising: 前記ロジウムめっき層の厚さは、１０〜７５ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。   2. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the rhodium plating layer has a thickness of 10 to 75 nm. 前記第１及び第２のリードフレームは、それぞれ、金属からなり、前記基材と前記銀めっき層との間に設けられた中間めっき層をさらに有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。   3. The first and second lead frames are each made of metal and further include an intermediate plating layer provided between the base material and the silver plating layer. Semiconductor light emitting device. 前記中間めっき層はニッケルからなることを特徴とする請求項３記載の半導体発光装置。   4. The semiconductor light emitting device according to claim 3, wherein the intermediate plating layer is made of nickel. 同一平面上に配置され、相互に離隔した第１及び第２のリードフレームと、
前記第１及び第２のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第１のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第２のリードフレームに接続された発光素子と、
前記第１及び第２のリードフレームのそれぞれの上面全体、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記発光素子を覆い、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させた樹脂体と、
を備え、
前記第１及び第２のリードフレームは、それぞれ、
基材と、
前記基材の少なくとも上面上に形成された銀めっき層と、
前記銀めっき層上に形成されたロジウムめっき層と、
を有することを特徴とする半導体発光装置。 First and second lead frames disposed on the same plane and spaced apart from each other;
A light emitting device provided above the first and second lead frames, one terminal connected to the first lead frame, and the other terminal connected to the second lead frame;
A resin body that covers the entire upper surface, part of the lower surface and part of the end surface of each of the first and second lead frames, covers the light emitting element, and exposes the remaining part of the lower surface and the remaining part of the end surface;
With
The first and second lead frames are respectively
A substrate;
A silver plating layer formed on at least the upper surface of the substrate;
A rhodium plating layer formed on the silver plating layer;
A semiconductor light emitting device comprising: 前記ロジウムめっき層の厚さは、１０〜７５ｎｍであることを特徴とする請求項５記載の半導体発光装置。   6. The semiconductor light emitting device according to claim 5, wherein the rhodium plating layer has a thickness of 10 to 75 nm. 前記銀めっき層の厚さは、２μｍ以上であることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体発光装置。   The thickness of the said silver plating layer is 2 micrometers or more, The semiconductor light-emitting device of Claim 5 or 6 characterized by the above-mentioned. 前記第１のリードフレームの下面及び前記第２のリードフレームの下面にはそれぞれ凸部が形成されており、
前記凸部の下面は前記樹脂体の下面において露出し、前記凸部の側面は前記樹脂体によって覆われていることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。 Convex portions are formed on the lower surface of the first lead frame and the lower surface of the second lead frame,
The semiconductor light emitting device according to claim 5, wherein a lower surface of the convex portion is exposed on a lower surface of the resin body, and a side surface of the convex portion is covered with the resin body. . 上方から見て、前記樹脂体の形状は矩形であり、
前記第１のリードフレーム及び前記第２のリードフレームのうちの少なくとも一方は、
端面が前記樹脂体によって覆われたベース部と、
前記ベース部から延出し、その下面が前記樹脂体によって覆われ、その先端面が前記樹脂体の相互に異なる３つの側面に露出した複数本の吊ピンと、
を有することを特徴とする請求項５〜８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。 When viewed from above, the shape of the resin body is rectangular,
At least one of the first lead frame and the second lead frame is:
A base portion whose end face is covered with the resin body;
A plurality of suspension pins extending from the base portion, the lower surface of which is covered with the resin body, and the tip surface of which is exposed on three different side surfaces of the resin body;
The semiconductor light-emitting device according to claim 5, comprising:
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