JP2011201737A - 多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴット - Google Patents
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 111
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims abstract description 79
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims abstract description 79
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 71
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 56
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 39
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 21
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 16
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 11
- 238000001887 electron backscatter diffraction Methods 0.000 claims description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 5
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 6
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012921 fluorescence analysis Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000013211 curve analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D27/00—Treating the metal in the mould while it is molten or ductile ; Pressure or vacuum casting
- B22D27/04—Influencing the temperature of the metal, e.g. by heating or cooling the mould
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/003—Heating or cooling of the melt or the crystallised material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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Abstract
【解決手段】シリコン融液を底面から上方に向けて一方向凝固させる多結晶シリコンインゴットの製造方法であって、ルツボ20の底面にはシリカ多層コーティング層27が配設されており、前記ルツボ20内における凝固過程を、前記ルツボ20の底面を基準として、0mmから高さX(10mm≦X<30mm)までの第1領域A1と、高さXから高さY(30mm≦Y<100mm)までの第2領域A2と、高さY以上の第3領域A3と、に区分けし、前記第1領域A1における凝固速度V1が、10mm/h≦V1≦20mm/hの範囲内に設定され、前記第2領域A2における凝固速度V2が、1mm/h≦V2≦5mm/hの範囲内に設定される。
【選択図】図5
Description
特に、多結晶シリコンに含有される酸素や不純物が多いと、太陽電池の変換効率が大幅に低下するため、太陽電池用基板となる多結晶シリコン中の酸素量や不純物量を低減する必要がある。
詳述すると、ルツボ内でシリコン融液を上方に向けて一方向凝固させた場合、固相から液相に向けて不純物が排出されることから、固相部分の不純物量が低くなり、凝固終了部分である頂部において不純物量が非常に高くなる。
また、多結晶シリコンインゴットを一方向凝固させる場合、非特許文献1に記載されているように、例えば0.2mm/min(12mm/h)といった一定の凝固速度に設定し、生産効率の向上を図っていた。
一方、核発生を起り易くするために、Si3N4コーティング層を形成していないルツボを使用した場合には、酸素の混入を抑えることができず、多結晶シリコンインゴット内の酸素量が増加し、やはり、太陽電池の変換効率を向上させることができなかった。
このように、従来の多結晶シリコンインゴットの製造方法においては、酸素量の低減と、結晶方位の調整とを両立することができなかったのである。
ここで、従来の多結晶シリコンインゴットでは、Si3N4コーティング層を形成したルツボを用いてもシリコン融液内への酸素の混入を完全に防ぐことはできず、やはり、前述のように、凝固開始部である底部側の酸素濃度が高くなる。ここで、製品としての多結晶シリコンにおける酸素量の上限値を低く設定した場合、多結晶シリコンインゴットにおいて底部側を大きく切断除去する必要がある。このため多結晶シリコンインゴットから製品される多結晶シリコンが少なくなり、多結晶シリコンの生産効率が大幅に低減してしまうといった問題があった。
そして、第1領域及び第2領域の高さYが30mm≦Y<100mmとされているので、酸素量が高い部分の長さ、及び、結晶がランダムな方位を向いている部分の長さ、を短くでき、製品となる多結晶シリコンの生産歩留まりを大幅に向上させることができる。
このため、前記第1領域における凝固速度V1を10mm/h≦V1≦20mm/hの範囲内に設定している。
また、凝固速度V2が1mm/h未満であると固相が再溶融してしまうおそれがある。また、凝固速度V2が5mm/hを超えると、結晶の選択成長および酸素の放出を十分に行うことができなくなる。このため、前記第2領域における凝固速度V2を1mm/h≦V2≦5mm/hの範囲内に設定している。
この場合、前記第2領域の高さY−Xが、Y−X≧10mmとされているので、結晶の選択成長を行う時間及びシリコン融液内の酸素を外部へと放出する時間が確保され、優先成長方位の結晶を選択して成長させることができるとともに、多結晶シリコンインゴット内の酸素量を確実に低減することができる。一方、前記第2領域の高さY−Xが、Y−X≦40mmとされているので、酸素量が高い部分及び結晶がランダムな方位を向いている部分の長さを確実に短くすることができる。
この場合、前記第3領域における凝固速度V3が、V3≧5mm/hとされているので、多結晶シリコンインゴットの生産効率を確保することができる。一方、前記第3領域における凝固速度V3が、V3≦30mm/hとされているので、一方向凝固を円滑に実施することができる。
この場合、ルツボの底面に、シリカを含むスラリーを塗布したスラリー層と、シリカ粒子をスタッコ(まぶす)したスタッコ層とが積層されたシリカ多層コーリング層が形成されているので、多結晶シリコンインゴットの底部割れを抑制することができる。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、このスラリー層とスタッコ層は、合計で3層以上4層以下とすることが好ましい。
この構成の多結晶シリコンインゴットにおいては、前記ルツボの底面に接触していた底部から高さ30mmの部分の断面中心部における酸素濃度が4×1017atm/cm3以下とされていることから、底部から高さ30mmの部分を十分に製品化することが可能となる。
本実施形態である多結晶シリコンインゴット1は、太陽電池用基板として使用される多結晶シリコンウエハの素材となるものである。
ここで、この多結晶シリコンインゴット1の底部側部分S1は酸素濃度が高く、多結晶シリコンインゴット1の頂部側部分S2は不純物濃度が高いことから、これら底部側部分S1及び頂部側部分S2は切断除去され、製品部S3のみが多結晶シリコンウェハとして製品化されることになる。
この多結晶シリコンインゴット製造装置10は、シリコン融液Lが貯留されるルツボ20と、このルツボ20が載置されるチルプレート12と、このチルプレート12を下方から支持する床下ヒータ13と、ルツボ20の上方に配設された天井ヒータ14と、を備えている。また、ルツボ20の周囲には、断熱材15が設けられている。
チルプレート12は、中空構造とされており、供給パイプ16を介して内部にArガスが供給される構成とされている。
このルツボ20は、図4に示すように、シリカからなるルツボ本体21と、このルツボ本体21の側壁内側に設けられたSi3N4コーティング層22と、ルツボ本体21の底面20aに設けられたシリカ多層コーティング層27と、を備えている。
次に、床下ヒータ13への通電を停止し、チルプレート12の内部に供給パイプ16を介してArガスを供給する。これにより、ルツボ20の底部を冷却する。さらに、天井ヒータ14への通電を徐々に減少させることにより、ルツボ20内のシリコン融液Lは、ルツボ20の底部から冷却され、底部から上方に向けて一方向凝固することになる。
そして、本実施形態では、ルツボ20内のシリコン融液Lの凝固過程を3つの領域に区分けし、それぞれの領域毎に凝固速度を設定している。
本実施形態では、X=20mm、Y=40mmとし、第2領域A2の高さY−Xを20mmとしている。
より具体的には、図6に示すように、底部から20mmまでの第1領域A1における凝固速度V1が15mm/h、20mmから40mmまでの第2領域A2における凝固速度V2が3mm/h、40mmから300mmまでの第3領域A3における凝固速度V3が5.8mm/hに設定されているのである。そして、多結晶シリコンインゴット1全体の平均凝固速度は、6.5mm/hとされている。
また、凝固速度V2が1mm/h未満であると固相が再溶融してしまうおそれがある。また、凝固速度V2が5mm/hを超えると、結晶の選択成長および酸素の放出を十分に行うことができなくなる。このため、第2領域A2における凝固速度V2を1mm/h≦V2≦5mm/hの範囲内に設定している。
例えば、図2に示す多結晶シリコンインゴット製造装置によって、多結晶シリコンインゴットを鋳造するものとして説明したが、これに限定されることはなく、他の構造の多結晶シリコンインゴット製造装置によって多結晶シリコンインゴットを鋳造してもよい。
また、多結晶シリコンインゴットの大きさや形状は、本実施形態に限定されることはなく、適宜設計変更してもよい。
本発明例として、図4に示すように、側壁内面にSi3N4コーティング層を形成し、底面にシリカ多層コーティング層を形成したルツボを用いて、前述の実施形態に記載したパターンで凝固速度を変化させて多結晶シリコンインゴットを鋳造した。すなわち、図6に示すように、底部から20mmまでの第1領域A1における凝固速度V1を15mm/h、20mmから40mmまでの第2領域A2における凝固速度V2を3mm/h、40mmから300mmまでの第3領域A3における凝固速度V3を5.8mm/hに設定した。なお、多結晶シリコンインゴット1全体の平均凝固速度は6.5mm/hとなり、凝固に要した時間は52.7hであった。
さらに、従来例として、側壁内面及び底面(すなわち、内面全体)にSi3N4コーティング層を形成したルツボを使用し、凝固速度を5.1mm/hで一定として多結晶シリコンインゴットを鋳造した。なお、凝固に要した時間は59hであった。
以上のことから、本発明によれば、優先成長方位である(001)、(111)方位を向く結晶が多く存在し、かつ、底部における酸素濃度が高い部分を少なくした多結晶シリコンインゴットを鋳造することが可能であることが確認された。
20 ルツボ
22 Si3N4コーティング層
27 シリカ多層コーティング層
Claims (6)
- ルツボ内において溶融シリコンを、その底面から上方に向けて一方向凝固させる多結晶シリコンインゴットの製造方法であって、
前記ルツボは、シリカで構成され、その側壁内面には窒化珪素コーティング層が形成され、その底面にはシリカが配設されており、
前記ルツボ内における凝固過程を、前記ルツボの底面を基準として、0mmから高さXまでの第1領域と、高さXから高さYまでの第2領域と、高さY以上の第3領域と、に区分けし、この高さXが10mm≦X<30mm、高さYが30mm≦Y<100mmとされており、
前記第1領域における凝固速度V1が、10mm/h≦V1≦20mm/hの範囲内に設定され、前記第2領域における凝固速度V2が、1mm/h≦V2≦5mm/hの範囲内に設定されていることを特徴とする多結晶シリコンインゴットの製造方法。 - 前記第2領域の高さY−Xが、10mm≦Y−X≦40mmの範囲内に設定されていることを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコンインゴットの製造方法。
- 前記第3領域における凝固速度V3が、5mm/h≦V3≦30mm/hの範囲内に設定されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多結晶シリコンインゴットの製造方法。
- 前記ルツボの底面には、スラリー層とスタッコ層とが積層されたシリカ多層コーティング層が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の多結晶シリコンインゴットの製造方法。
- 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の多結晶シリコンインゴットの製造方法によって製造された多結晶シリコンインゴットであって、
前記ルツボの底面に接触していた底部から高さ40mmの部分の水平断面において、結晶の成長方位をEBSD法で測定し、(100)、(101)、(111)を頂点とするステレオ三角形内の方位分布を求め、このステレオ三角形を、各辺の二等分点と前記ステレオ三角形の重心とを結ぶ線によって(100)側領域、(101)側領域、(111)側領域に3分割し、これらの各領域に占める結晶方位分布を電子線回折パターンの相対強度比率で示した結果、(101)側領域に分布する割合が10%以下とされていることを特徴とする多結晶シリコンインゴット。 - 前記ルツボの底面に接触していた底部から高さ30mmの部分の断面中心部における酸素濃度が4×1017atm/cm3以下とされていることを特徴とする請求項5に記載の多結晶シリコンインゴット。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010071700A JP5676900B2 (ja) | 2010-03-26 | 2010-03-26 | 多結晶シリコンインゴットの製造方法 |
KR1020127025111A KR101431360B1 (ko) | 2010-03-26 | 2011-03-25 | 다결정 실리콘 잉곳의 제조 방법 및 다결정 실리콘 잉곳 |
US13/637,054 US9388507B2 (en) | 2010-03-26 | 2011-03-25 | Method for manufacturing polycrystalline silicon ingot, and polycrystalline silicon ingot |
CN201180015881.9A CN102834354B (zh) | 2010-03-26 | 2011-03-25 | 多晶硅锭的制造方法及多晶硅锭 |
PCT/JP2011/057361 WO2011118773A1 (ja) | 2010-03-26 | 2011-03-25 | 多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010071700A JP5676900B2 (ja) | 2010-03-26 | 2010-03-26 | 多結晶シリコンインゴットの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011201737A true JP2011201737A (ja) | 2011-10-13 |
JP5676900B2 JP5676900B2 (ja) | 2015-02-25 |
Family
ID=44673313
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010071700A Active JP5676900B2 (ja) | 2010-03-26 | 2010-03-26 | 多結晶シリコンインゴットの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9388507B2 (ja) |
JP (1) | JP5676900B2 (ja) |
KR (1) | KR101431360B1 (ja) |
CN (1) | CN102834354B (ja) |
WO (1) | WO2011118773A1 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103088403A (zh) * | 2011-11-28 | 2013-05-08 | 昆山中辰矽晶有限公司 | 硅晶铸锭的制造方法 |
CN103088420A (zh) * | 2011-11-28 | 2013-05-08 | 昆山中辰矽晶有限公司 | 硅晶铸锭及从其制成的硅晶圆 |
WO2013094245A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | シャープ株式会社 | 多結晶シリコンインゴットとその製造方法およびその用途 |
CN104294355A (zh) * | 2014-09-04 | 2015-01-21 | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 | 一种多晶硅制备工艺 |
CN105019020A (zh) * | 2014-04-29 | 2015-11-04 | 中美矽晶制品股份有限公司 | 多晶硅晶棒及来自其的硅晶片 |
JP2016037447A (ja) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | 友達晶材股▲ふん▼有限公司AUOCrystal Corporation | 多結晶シリコンインゴッドの製造方法 |
KR101779267B1 (ko) | 2012-10-10 | 2017-09-18 | 저지앙 위후이 쏠라 에너지 소스 컴퍼니 리미티드 | 다결정 실리콘 잉곳, 다결정 실리콘 잉곳을 제조하는 방법, 및 도가니 |
US10087080B2 (en) | 2011-11-28 | 2018-10-02 | Sino-American Silicon Products Inc. | Methods of fabricating a poly-crystalline silcon ingot from a nucleation promotion layer comprised of chips and chunks of silicon-containing particles |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103014834B (zh) * | 2013-01-10 | 2015-11-18 | 韩华新能源科技有限公司 | 一种提高铸造多晶硅锭质量的方法 |
TWI557281B (zh) * | 2015-07-17 | 2016-11-11 | Sino American Silicon Prod Inc | 多晶矽晶鑄錠、多晶矽晶棒及多晶矽晶片 |
US10825940B2 (en) * | 2015-08-26 | 2020-11-03 | Sino-American Silicon Products Inc. | Polycrystalline silicon column and polycrystalline silicon wafer |
GB2550415A (en) * | 2016-05-18 | 2017-11-22 | Rec Solar Pte Ltd | Silicon ingot growth crucible with patterned protrusion structured layer |
TW201816200A (zh) | 2016-08-03 | 2018-05-01 | 法商維蘇威法國公司 | 用於熔融矽結晶之坩鍋、其製造方法及其用途 |
KR102366166B1 (ko) * | 2021-08-18 | 2022-02-23 | 주식회사 린텍 | 단결정 및 다결정 로드에 의해 도가니 내부에 산소 배출 통로를 형성하는 다결정 실리콘 잉곳 제조방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004196577A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Jfe Steel Kk | 多結晶シリコンの製造方法 |
JP2006526751A (ja) * | 2003-04-17 | 2006-11-24 | アポロン、ソーラー | 結晶質塊生成装置用るつぼおよびその生成方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10245216A (ja) | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Kawasaki Steel Corp | 太陽電池用シリコンの製造方法 |
JP3931322B2 (ja) * | 2000-01-11 | 2007-06-13 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコンインゴット鋳造用鋳型およびその製造方法 |
JP2006273628A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Kyocera Corp | 多結晶シリコンインゴットの製造方法 |
EP1739209A1 (en) * | 2005-07-01 | 2007-01-03 | Vesuvius Crucible Company | Crucible for the crystallization of silicon |
WO2008026728A1 (fr) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Mitsubishi Materials Corporation | Silicium métallique et son procédé de fabrication |
-
2010
- 2010-03-26 JP JP2010071700A patent/JP5676900B2/ja active Active
-
2011
- 2011-03-25 KR KR1020127025111A patent/KR101431360B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-25 CN CN201180015881.9A patent/CN102834354B/zh active Active
- 2011-03-25 US US13/637,054 patent/US9388507B2/en active Active
- 2011-03-25 WO PCT/JP2011/057361 patent/WO2011118773A1/ja active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004196577A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Jfe Steel Kk | 多結晶シリコンの製造方法 |
JP2006526751A (ja) * | 2003-04-17 | 2006-11-24 | アポロン、ソーラー | 結晶質塊生成装置用るつぼおよびその生成方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6008034829; Nagashio K. et al: Acta Materialia vol.53, 20050601, p.3021-3029, Elsevier * |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101738077B1 (ko) * | 2011-11-28 | 2017-05-19 | 시노-아메리칸 실리콘 프로덕츠 인코포레이티드. | 폴리결정질 실리콘 잉곳, 이에 의해 제조된 실리콘 웨이퍼 및 폴리결정질 실리콘 잉곳의 제조방법 |
KR101815620B1 (ko) * | 2011-11-28 | 2018-01-05 | 시노-아메리칸 실리콘 프로덕츠 인코포레이티드 | 폴리결정질 실리콘 잉곳, 이에 의해 제조된 실리콘 웨이퍼 및 폴리결정질 실리콘 잉곳의 제조방법 |
KR20130059272A (ko) * | 2011-11-28 | 2013-06-05 | 시노-아메리칸 실리콘 프로덕츠 인코포레이티드. | 결정질 실리콘 잉곳 및 이의 제조방법 |
JP2013112603A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Sino-American Silicon Products Inc | 結晶シリコンインゴットの製造方法 |
US10087080B2 (en) | 2011-11-28 | 2018-10-02 | Sino-American Silicon Products Inc. | Methods of fabricating a poly-crystalline silcon ingot from a nucleation promotion layer comprised of chips and chunks of silicon-containing particles |
CN103088420A (zh) * | 2011-11-28 | 2013-05-08 | 昆山中辰矽晶有限公司 | 硅晶铸锭及从其制成的硅晶圆 |
KR101594474B1 (ko) * | 2011-11-28 | 2016-02-16 | 시노-아메리칸 실리콘 프로덕츠 인코포레이티드. | 폴리결정질 실리콘 잉곳, 이에 의해 제조된 실리콘 웨이퍼 및 폴리결정질 실리콘 잉곳의 제조방법 |
CN103088403A (zh) * | 2011-11-28 | 2013-05-08 | 昆山中辰矽晶有限公司 | 硅晶铸锭的制造方法 |
WO2013094245A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | シャープ株式会社 | 多結晶シリコンインゴットとその製造方法およびその用途 |
KR101779267B1 (ko) | 2012-10-10 | 2017-09-18 | 저지앙 위후이 쏠라 에너지 소스 컴퍼니 리미티드 | 다결정 실리콘 잉곳, 다결정 실리콘 잉곳을 제조하는 방법, 및 도가니 |
CN105019020A (zh) * | 2014-04-29 | 2015-11-04 | 中美矽晶制品股份有限公司 | 多晶硅晶棒及来自其的硅晶片 |
US10029919B2 (en) | 2014-04-29 | 2018-07-24 | Sino-American Silicon Products Inc. | Multicrystalline silicon brick and silicon wafer therefrom |
JP2016037447A (ja) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | 友達晶材股▲ふん▼有限公司AUOCrystal Corporation | 多結晶シリコンインゴッドの製造方法 |
CN104294355A (zh) * | 2014-09-04 | 2015-01-21 | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 | 一种多晶硅制备工艺 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011118773A1 (ja) | 2011-09-29 |
CN102834354A (zh) | 2012-12-19 |
JP5676900B2 (ja) | 2015-02-25 |
CN102834354B (zh) | 2015-03-11 |
KR20120135284A (ko) | 2012-12-12 |
KR101431360B1 (ko) | 2014-08-19 |
US20130008371A1 (en) | 2013-01-10 |
US9388507B2 (en) | 2016-07-12 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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