JP2011198667A - Ion implantation device and ion implantation method - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、複数本のリボン状のイオンビームを用いて、ガラス基板上での各イオンビームによる照射領域を重ね合わせ、ガラス基板全面に対して所望のイオン注入を行うイオン注入装置およびその方法に関する。 The present invention relates to an ion implantation apparatus and method for performing desired ion implantation on the entire surface of a glass substrate by superimposing irradiation areas of the respective ion beams on a glass substrate using a plurality of ribbon-like ion beams. .
近年、液晶テレビに代表される液晶製品の大型化が著しい。半導体製造工程においては、１つの処理工程でより多くの液晶パネルを処理する為に、ガラス基板の寸法を大きくし、大型のガラス基板から液晶パネルを多面取りしようという試みがなされている。半導体製造装置のイオン注入装置についても、このような大型のガラス基板への対応が求められている。 In recent years, the size of liquid crystal products typified by liquid crystal televisions has increased significantly. In the semiconductor manufacturing process, in order to process more liquid crystal panels in one processing process, an attempt is made to increase the size of the glass substrate and to take multiple liquid crystal panels from a large glass substrate. The ion implantation apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus is also required to cope with such a large glass substrate.
このような要望に対応すべく、これまでに特許文献１に記載のイオン注入装置が開発されてきた。 In order to meet such a demand, an ion implantation apparatus described in Patent Document 1 has been developed so far.
特許文献１には、イオン源から一平面で発散するイオンビームを引出して、引出されたイオンビームを４重極デバイスを用いて、当該平面内でガラス基板の一辺よりも大きな寸法を有する略平行なリボン状のイオンビームとなるように平行調整し、平行調整されたイオンビームの長辺方向と略直交する方向にガラス基板を搬送させることで、ガラス基板の全面に対してのイオン注入を実現するイオン注入装置が開示されている。 In Patent Document 1, an ion beam that diverges in one plane is extracted from an ion source, and the extracted ion beam is substantially parallel having a dimension larger than one side of the glass substrate in the plane using a quadrupole device. Ion implantation is performed on the entire surface of the glass substrate by adjusting the parallel so that it becomes a ribbon-like ion beam and transporting the glass substrate in a direction substantially orthogonal to the long side direction of the ion beam that has been adjusted in parallel An ion implanter is disclosed.
このイオン注入装置では、ガラス基板の大型化に対応すべく、イオンビームを略平行にする為の４重極デバイスがイオンビームの進行方向に沿って、移動可能となるように構成されている。 In this ion implantation apparatus, a quadrupole device for making the ion beam substantially parallel can be moved along the traveling direction of the ion beam in order to cope with the enlargement of the glass substrate.
具体的には、ガラス基板の寸法が大きくなった場合、特許文献１に記載のイオン注入装置では、４重極デバイスをガラス基板側に移動させ、ガラス基板に照射されるイオンビームの寸法を大きくすることが出来る。 Specifically, when the size of the glass substrate increases, in the ion implantation apparatus described in Patent Document 1, the quadrupole device is moved to the glass substrate side to increase the size of the ion beam irradiated on the glass substrate. I can do it.
一方で、特許文献１の技術から発展して、４重極デバイスは移動可能な構成でなくても良いことが考えられる。つまり、４重極デバイスは固定されていても良い。イオン源から引き出されたイオンビームを、イオン源からガラス基板までの間のどの位置で平行化するのかで、最終的にガラス基板へ照射されるイオンビームの寸法が決定されるので、ガラス基板の寸法に応じて、適宜、４重極デバイスの固定位置を調整することで、ガラス基板の寸法が大きくなったとしてもその全面にイオンビームを照射することが可能となる。 On the other hand, it is conceivable that the quadrupole device does not have to have a movable configuration, developed from the technique of Patent Document 1. That is, the quadrupole device may be fixed. Since the ion beam extracted from the ion source is collimated at which position between the ion source and the glass substrate, the size of the ion beam finally irradiated to the glass substrate is determined. By appropriately adjusting the fixed position of the quadrupole device according to the size, even if the size of the glass substrate increases, the entire surface can be irradiated with the ion beam.
しかしながら、これらの従来技術を用いて大型のガラス基板へのイオン注入が実現出来たとしても、ガラス基板上への半導体素子の製造に関する生産性を考えた場合、このようなイオン注入装置ではガラス基板の大型化に十分に対応出来ているとは言えない。 However, even if ion implantation into a large glass substrate can be realized using these conventional techniques, when considering the productivity related to the production of semiconductor elements on the glass substrate, such an ion implantation apparatus uses a glass substrate. It cannot be said that it is fully able to cope with the increase in size.
ガラス基板に注入されるドーズ量（イオンの注入量）はガラス基板上に製造される半導体素子の特性に依存している。つまり、ある素子を製造する場合は低いドーズ量が要求されるが、別の素子を製造する場合には高いドーズ量が要求される場合がある。その為、低いドーズ量から高いドーズ量に至るまでのイオン注入が１台のイオン注入装置で実現されなければならない。 The dose amount (ion implantation amount) implanted into the glass substrate depends on the characteristics of the semiconductor element manufactured on the glass substrate. That is, when a certain element is manufactured, a low dose is required, but when a different element is manufactured, a high dose may be required. Therefore, ion implantation from a low dose amount to a high dose amount must be realized by a single ion implantation apparatus.
特許文献１に記載の従来用いられてきたイオン注入装置では、ガラス基板が大型になった場合、それに応じてイオンビームの寸法が大きくなる。イオンビームの電流密度を考えた場合、イオンビームの寸法が大きくなった分、ガラス基板に照射されるイオンビームの電流密度は低くなってしまう。 In the conventionally used ion implantation apparatus described in Patent Document 1, when the glass substrate becomes large, the size of the ion beam increases accordingly. When the current density of the ion beam is considered, the current density of the ion beam irradiated to the glass substrate is lowered by the amount of the size of the ion beam.
ガラス基板に注入されるドーズ量に着目した場合、ガラス基板の全面に対して所定のドーズ量を達成させるには、イオンビームの電流密度が低くなってしまった分、イオンビームをガラス基板が横切る回数を増やさなければならない。その分、イオン注入に係る処理時間が余計にかかってしまうことになる。 When focusing on the dose amount injected into the glass substrate, in order to achieve a predetermined dose amount over the entire surface of the glass substrate, the ion beam crosses the ion beam as much as the current density of the ion beam has decreased. The number of times must be increased. Accordingly, the processing time related to ion implantation takes extra time.
特に、注入されるべきドーズ量が高い場合、ガラス基板の全面に所定のドーズ量が達成されるまでにかなりの時間を要することになる。 In particular, when the dose to be injected is high, it takes a considerable time to achieve a predetermined dose on the entire surface of the glass substrate.
このような理由から、特許文献１に記載のイオン注入装置では、大型のガラス基板に対するイオン注入処理が実現出来るものの、イオン注入処理に時間を要することになるので、ガラス基板上への半導体素子の製造に関する生産性の低下を招いてしまうといった問題があった。 For these reasons, the ion implantation apparatus described in Patent Document 1 can realize ion implantation processing for a large glass substrate, but requires time for the ion implantation processing. There has been a problem in that the productivity of manufacturing is reduced.
そこで本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、ガラス基板上への半導体素子の製造に関する生産性を低下させずに、大型のガラス基板全面へのイオン注入処理を実現することを主たる所期課題とする。 Therefore, the present invention has been made to solve the above-described problems, and realizes an ion implantation process over the entire surface of a large glass substrate without deteriorating the productivity related to the manufacture of semiconductor elements on the glass substrate. This is the main desired issue.
すなわち本発明に係るイオン注入装置は、イオン注入処理がなされる処理室内で、ガラス基板の搬送方向と略直交する方向にて、前記ガラス基板よりも大きな寸法を有するリボン状のイオンビームを発生させる複数のイオンビーム供給装置と、前記ガラス基板へのイオン注入量に応じて、前記複数のイオンビーム供給装置の運転状態を切り替える制御装置と、を備えていることを特徴としている。 That is, the ion implantation apparatus according to the present invention generates a ribbon-like ion beam having a size larger than that of the glass substrate in a direction substantially orthogonal to the glass substrate transport direction in a processing chamber in which ion implantation processing is performed. It is characterized by comprising a plurality of ion beam supply devices and a control device for switching the operating state of the plurality of ion beam supply devices in accordance with the amount of ion implantation into the glass substrate.
このようなものであれば、ガラス基板上への半導体素子の製造に関する生産性を低下させずに、大型のガラス基板全面へのイオン注入処理を実現することが可能となる。 If it is such, it will become possible to implement | achieve the ion implantation process to the large sized glass substrate whole surface, without reducing the productivity regarding manufacture of the semiconductor element on a glass substrate.
また、前記処理室内には、各イオンビーム供給装置によるイオンビーム照射領域を仕切る為の仕切り部材が設けられていることが望ましい。 Moreover, it is desirable that a partition member for partitioning an ion beam irradiation region by each ion beam supply device is provided in the processing chamber.
このような構成にすれば、イオンビームが照射されることによってガラス基板から放出されるガスに対して、イオンビーム供給装置毎に対策することが出来るので、複数のイオンビーム供給装置を有するイオン注入装置の設計自由度が向上する。 With such a configuration, each ion beam supply device can take measures against the gas emitted from the glass substrate by being irradiated with the ion beam, so that ion implantation having a plurality of ion beam supply devices is possible. The degree of freedom in designing the device is improved.
さらに、前記イオンビーム供給装置は２台であって、各装置に設けられたイオンビームの輸送経路は各装置の境界面に関して、面対称となるような関係であることが望ましい。 Further, it is desirable that there are two ion beam supply devices, and the ion beam transport paths provided in each device have a relationship that is plane-symmetric with respect to the boundary surface of each device.
このような構成にすれば、各イオンビーム供給装置から射出されるイオンビーム間の距離を短くすることが出来る。イオンビーム間の距離を短くすることが出来れば、イオン注入処理に係るガラス基板の搬送距離が短くて済む。その為、ガラス基板全面にイオン注入されるまでの注入時間が短くて済む。 With this configuration, the distance between the ion beams emitted from each ion beam supply device can be shortened. If the distance between the ion beams can be shortened, the transport distance of the glass substrate related to the ion implantation process can be shortened. Therefore, the implantation time until ion implantation is performed on the entire surface of the glass substrate can be shortened.
そのうえ、本発明に係るイオン注入方法は、イオン注入処理がなされる処理室内で、ガラス基板の搬送方向と略直交する方向にて、前記ガラス基板よりも大きな寸法を有するリボン状のイオンビームを発生させる複数のイオンビーム供給装置を用いて、前記ガラス基板全面へのイオン注入を実施するイオン注入方法において、前記ガラス基板へのイオン注入量に応じて、前記複数のイオンビーム供給装置の運転状態を切り替えることを特徴としている。 Moreover, the ion implantation method according to the present invention generates a ribbon-like ion beam having a size larger than that of the glass substrate in a direction substantially orthogonal to the glass substrate transport direction in a processing chamber in which the ion implantation process is performed. In the ion implantation method for performing ion implantation on the entire surface of the glass substrate using the plurality of ion beam supply devices, the operating state of the plurality of ion beam supply devices is changed according to the amount of ion implantation into the glass substrate. It is characterized by switching.
このように構成した本発明によれば、ガラス基板上への半導体素子の製造に関する生産性を低下させずに、大型のガラス基板全面へのイオン注入処理を実現することが可能となる。 According to the present invention configured as described above, it is possible to realize an ion implantation process on the entire surface of a large glass substrate without deteriorating the productivity related to the production of a semiconductor element on the glass substrate.
図１には本発明で用いられるイオン注入装置の一実施例が、図２には図１をＺ方向から見た場合の平面図が示されている。これらの図を元に、本発明で用いられるイオン注入装置の一実施例を説明する。 FIG. 1 shows an embodiment of an ion implantation apparatus used in the present invention, and FIG. 2 shows a plan view when FIG. 1 is viewed from the Z direction. Based on these drawings, an embodiment of an ion implantation apparatus used in the present invention will be described.
なお、本発明を通して各図面に示されるＸ、Ｙ、Ｚの方向は共通しており、Ｘ方向はガラス基板に照射されるリボン状のイオンビームの進行方向を、Ｙ方向はリボン状のイオンビームの長辺方向を、Ｚ方向はＸ方向とＹ方向とに直交する方向を、それぞれ示している。また、本発明にいうリボン状のイオンビームとは、イオンビームの進行方向に直交する平面内において、その断面が略長方形状を成すイオンビームのことを言う。 The X, Y, and Z directions shown in the drawings throughout the present invention are common, the X direction is the traveling direction of the ribbon-like ion beam irradiated on the glass substrate, and the Y-direction is the ribbon-like ion beam. The Z direction indicates the direction perpendicular to the X direction and the Y direction. The ribbon-like ion beam referred to in the present invention refers to an ion beam having a substantially rectangular cross section in a plane perpendicular to the traveling direction of the ion beam.
図１に示されるイオン注入装置ＩＭ１は破線で描かれた２つのイオンビーム供給装置１、１１を含んでいる。これらのイオンビーム供給装置１、１１を構成するイオン源等の部材は同一のものを用いてもいいし、異ならせてもよい。なお、この実施例では、説明を簡略化させる為、両イオンビーム供給装置１、１１を構成する部材は同一のものとしている。 The ion implantation apparatus IM1 shown in FIG. 1 includes two ion beam supply apparatuses 1 and 11 drawn by broken lines. Members such as ion sources constituting these ion beam supply apparatuses 1 and 11 may be the same or different. In this embodiment, in order to simplify the explanation, the members constituting both ion beam supply apparatuses 1 and 11 are the same.
イオンビーム供給装置１では、イオン源２より図示されない引出し電極を介してイオンビーム３が引出される。このイオンビーム３は図２から理解できるようにＸＹ平面において発散している。引出されたリボン状のイオンビーム３は質量分析マグネット４に入射する。 In the ion beam supply apparatus 1, the ion beam 3 is extracted from the ion source 2 through an extraction electrode (not shown). As can be understood from FIG. 2, the ion beam 3 diverges in the XY plane. The drawn ribbon-shaped ion beam 3 enters the mass analysis magnet 4.
質量分析マグネット４はイオン源２から引出されたリボン状のイオンビーム３に含まれる様々なイオンのうち、所定のイオンのみをガラス基板２５に照射させる為に用いられている。具体的には、イオン毎の質量数の違いを利用して、質量分析マグネット４によって偏向されるイオンの偏向角度に違いをもたせている。 The mass analysis magnet 4 is used to irradiate the glass substrate 25 with only predetermined ions among various ions included in the ribbon-shaped ion beam 3 drawn from the ion source 2. Specifically, the difference in the deflection angle of the ions deflected by the mass analysis magnet 4 is made using the difference in mass number for each ion.
そして、所定のイオンのみが質量分析マグネット４の下流に設けられた分析スリット５を通過できるように、質量分析マグネット４で発生する磁場の調整が行われている。 The magnetic field generated by the mass analysis magnet 4 is adjusted so that only predetermined ions can pass through the analysis slit 5 provided downstream of the mass analysis magnet 4.
分析スリット５を通過したリボン状のイオンビーム３はビーム平行化器６に入射する。このビーム平行化器６は少なくとも一平面で発散するリボン状のイオンビーム３をその平面内で平行に整形する機能を有している。図２を参酌するとその様子が見て取れる。つまり、ビーム平行化器によって、ＸＹ平面内で発散しているリボン状のイオンビーム３がＸ方向に対して略平行となるように整形される。ここで言う略平行とは、完全にＸ方向に平行とするのではない。ガラス基板上に製造される半導体素子の特性にもよるが、３〜５°程度、Ｘ方向からずれていても構わないという意味である。なお、このビーム平行化器６の例としては、従来から用いられているような磁場や電場を利用したものを用いれば良い。あるいは、イオンビームを平行に整形するだけでなく、イオンビームの長辺方向におけるビーム電流密度分布を均一に調整できるような機能を有するようなものを用いても良い。 The ribbon-like ion beam 3 that has passed through the analysis slit 5 enters the beam collimator 6. The beam collimator 6 has a function of shaping the ribbon-like ion beam 3 diverging in at least one plane in parallel in the plane. The situation can be seen by referring to FIG. That is, the beam collimator shapes the ribbon-like ion beam 3 diverging in the XY plane so as to be substantially parallel to the X direction. The term “substantially parallel” as used herein does not mean that it is completely parallel to the X direction. Although it depends on the characteristics of the semiconductor element manufactured on the glass substrate, it means that it may be displaced from the X direction by about 3 to 5 °. As an example of the beam collimator 6, a beam collimator 6 that uses a magnetic field or an electric field as conventionally used may be used. Alternatively, not only the ion beam may be shaped in parallel, but also having a function capable of uniformly adjusting the beam current density distribution in the long side direction of the ion beam may be used.
ビーム平行化器６を通過したイオンビーム３は、処理室２１内へ導入される。この際、図２を参酌すると理解できるように、処理室２１内へ導入されたイオンビーム３の長辺方向（Ｙ方向）における寸法は、ガラス基板２５の寸法よりも大きな寸法を有している。なお、処理室２１は真空雰囲気に保たれている。この図１では、処理室２１のイオンビーム供給装置側の壁は、イオンビーム供給装置１、１１の壁面との関係で、見え易くする為に省略されているが、処理室２１のイオンビーム供給装置側の壁は、実際には設けられている。さらに、当然ながらこれらの壁面には、リボン状のイオンビーム３や後述するリボン状のイオンビーム１３が通過出来るように開口が設けられている。 The ion beam 3 that has passed through the beam collimator 6 is introduced into the processing chamber 21. At this time, as can be understood by referring to FIG. 2, the dimension of the ion beam 3 introduced into the processing chamber 21 in the long side direction (Y direction) is larger than the dimension of the glass substrate 25. . Note that the processing chamber 21 is maintained in a vacuum atmosphere. In FIG. 1, the wall on the ion beam supply device side of the processing chamber 21 is omitted for the sake of clarity because of the relationship with the wall surfaces of the ion beam supply devices 1 and 11. The device side wall is actually provided. Further, of course, openings are provided in these wall surfaces so that a ribbon-like ion beam 3 and a ribbon-like ion beam 13 described later can pass through.
一方、イオンビーム供給装置１１でもイオンビーム供給装置１と同様に、イオン源１２から引出されたリボン状のイオンビーム１３は、質量分析マグネット１４と分析スリット１５により所定イオンの抽出がなされ、ビーム平行化器１６によりリボン状のイオンビームが発散する一平面内で平行調整されて、処理室２１に導入される。 On the other hand, in the ion beam supply device 11, as in the ion beam supply device 1, the ribbon-like ion beam 13 drawn from the ion source 12 is extracted with predetermined ions by the mass analysis magnet 14 and the analysis slit 15, and is parallel to the beam. In parallel with one plane where the ribbon-like ion beam diverges, the generator 16 introduces the ion beam into the processing chamber 21.
ガラス基板２５は大気側から入口側真空予備室２２に搬入される。この搬入に関しては、従来用いられてきたような搬送ロボットを用いても構わないし、人手により搬入するようにしても良い。より詳述すると、まず、入口側真空予備室２２の大気側に設けられたゲートバルブ２４を開いておく。この時、入口側真空予備室２２の処理室２１側に設けられたゲートバルブ２４は閉まっている。このタイミングで大気側から入口側真空予備室２２内にガラス基板２５の搬入が行われる。 The glass substrate 25 is carried into the inlet side vacuum preliminary chamber 22 from the atmosphere side. For this carry-in, a conventional transfer robot may be used, or it may be carried in manually. More specifically, first, the gate valve 24 provided on the atmosphere side of the inlet side vacuum preliminary chamber 22 is opened. At this time, the gate valve 24 provided on the processing chamber 21 side of the inlet side vacuum preliminary chamber 22 is closed. At this timing, the glass substrate 25 is carried into the entrance side vacuum preliminary chamber 22 from the atmosphere side.
ガラス基板２５の入口側真空予備室２２内への搬入が終了すると、入口側真空予備室２２の大気側に設けられたゲートバルブ２４が閉められる。この搬入と同時にあるいは搬入後に、ガラス基板２５はそれを保持するホルダー２６上に支持される。その後、入口側真空予備室２２内部を密閉状態にした上で、図示されないポンプにより室内を真空状態とする為に真空引きが行われる。 When the carry-in of the glass substrate 25 into the inlet side vacuum preliminary chamber 22 is completed, the gate valve 24 provided on the atmosphere side of the inlet side vacuum preliminary chamber 22 is closed. Simultaneously with or after the loading, the glass substrate 25 is supported on a holder 26 that holds it. Thereafter, the inside of the inlet-side vacuum preliminary chamber 22 is hermetically sealed, and evacuation is performed by a pump (not shown) to make the chamber in a vacuum state.
入口側真空予備室２１内が真空引きされて処理室２１と同程度の真空度となった後、入口側真空予備室２１の処理室２１側に設けられたゲートバルブ２４が開けられる。そして、ガラス基板２５はホルダー２６により支持された状態で、図示されない搬送機構によりＺ方向沿って処理室２１内に搬送される。 After the inside of the inlet side vacuum preliminary chamber 21 is evacuated to a degree of vacuum similar to that of the processing chamber 21, the gate valve 24 provided on the processing chamber 21 side of the inlet side vacuum preliminary chamber 21 is opened. Then, the glass substrate 25 is transported into the processing chamber 21 along the Z direction by a transport mechanism (not shown) while being supported by the holder 26.
処理室２１内に搬送されたガラス基板２５は、処理室２１内をＺ方向に沿って、イオンビーム供給装置１、１１からのリボン状のイオンビーム３、１３を横切るように搬送される。 The glass substrate 25 transported into the processing chamber 21 is transported in the processing chamber 21 so as to cross the ribbon-shaped ion beams 3 and 13 from the ion beam supply devices 1 and 11 along the Z direction.
その後、出口側真空予備室２３の処理室２１側に設けられたゲートバルブ２４を介して、出口側真空予備室２３内へ搬入される。この際、出口側真空予備室２３での真空度は予め処理室２１と同程度の真空度となるように図示されないポンプによって真空引きされている。この場合、出口側真空予備室２３の処理室２１側に設けられたゲートバルブ２４はガラス基板２５の搬入に備え、予め開けられている。 After that, it is carried into the outlet side vacuum preliminary chamber 23 via the gate valve 24 provided on the processing chamber 21 side of the outlet side vacuum preliminary chamber 23. At this time, the degree of vacuum in the outlet side vacuum preliminary chamber 23 is previously evacuated by a pump (not shown) so that the degree of vacuum is the same as that of the processing chamber 21. In this case, the gate valve 24 provided on the processing chamber 21 side of the outlet side vacuum preliminary chamber 23 is opened in advance in preparation for carrying in the glass substrate 25.
出口側真空予備室２３内へのガラス基板２５の搬入が終了した後、出口側真空予備室２３の処理室２１側に設けられたゲートバルブ２４が閉じられて、出口側真空予備室２３の室内が図示しないポンプによって大気中の雰囲気となるように排気される。 After the carry-in of the glass substrate 25 into the outlet side vacuum preliminary chamber 23 is completed, the gate valve 24 provided on the processing chamber 21 side of the outlet side vacuum preliminary chamber 23 is closed, and the interior of the outlet side vacuum preliminary chamber 23 is closed. Is exhausted to an atmospheric atmosphere by a pump (not shown).
排気が終了した後、出口側真空予備室２３の大気側に設けられたゲートバルブ２４が開けられて、そこを介してガラス基板２５が大気側に搬送される。このようにして、ガラス基板２５へのイオン注入処理が施される。 After the exhaust is completed, the gate valve 24 provided on the atmosphere side of the outlet side vacuum preliminary chamber 23 is opened, and the glass substrate 25 is conveyed to the atmosphere side through the gate valve 24. Thus, the ion implantation process to the glass substrate 25 is performed.
なお、上記したイオン注入処理において、入口側真空予備室２２と出口側真空予備室２３との間で、複数回、Ｚ方向に沿って往復搬送させた後に、出口側真空予備室２３側へ搬送させるような構成にしても良い。 In the above-described ion implantation process, a plurality of reciprocating conveyances are performed along the Z direction between the inlet-side vacuum preliminary chamber 22 and the outlet-side vacuum preliminary chamber 23, and then transferred to the outlet-side vacuum preliminary chamber 23 side. You may make it the structure to make.
次に、複数のイオンビーム供給装置１、１１の具体的な使用方法についての例を説明する。 Next, an example of a specific method for using the plurality of ion beam supply apparatuses 1 and 11 will be described.
まず、図１に示されるユーザーインターフェース３３を介して、イオン注入装置に注入条件が設定される。この注入条件には、ドーズ量が含まれている。設定された注入条件は図示されない電気通信回線等を通して制御装置３２へ送信される。 First, implantation conditions are set in the ion implantation apparatus via the user interface 33 shown in FIG. This implantation condition includes a dose amount. The set injection conditions are transmitted to the control device 32 through a telecommunication line (not shown).
その後、制御装置３２は、イオンビーム供給装置１の運転を制御する制御装置３０とイオンビーム供給装置１１の運転を制御する制御装置３１とに、注入条件で設定されたドーズ量に応じて指令信号を送信する。 Thereafter, the control device 32 sends a command signal to the control device 30 that controls the operation of the ion beam supply device 1 and the control device 31 that controls the operation of the ion beam supply device 11 according to the dose amount set in the implantation conditions. Send.
例えば、イオンビーム供給装置１、１１で注入可能なドーズ量の上限値が２×１０１５ions／cm２であったとする。そして、注入条件としてユーザーインターフェース３３に入力されたドーズ量が３×１０１５ions／cm２である場合には、各イオンビーム供給装置に対して１．５×１０１５ions／cm２での注入を行うように制御装置３２から制御装置３０、３１へ指令信号が送られる。 For example, it is assumed that the upper limit value of the dose amount that can be implanted by the ion beam supply apparatuses 1 and 11 is 2 × 10 15 ions / cm 2 . When the dose amount input to the user interface 33 as an implantation condition is 3 × 10 15 ions / cm 2 are implanted at 1.5 × 10 15 ions / cm 2 for each ion beam delivery system A command signal is sent from the control device 32 to the control devices 30 and 31 so that
一方、ユーザーインターフェース３３に入力されたドーズ量が１×１０１５ions／cm２である場合には、１台のイオンビーム供給装置で処理できる注入量である為、いずれかのイオンビーム供給装置にてイオン注入を実施するように制御装置３２が制御装置３０あるいは制御装置３１に対して指令を出す。 On the other hand, when the dose amount input to the user interface 33 is 1 × 10 15 ions / cm 2 , the dose amount can be processed by one ion beam supply device. Then, the control device 32 issues a command to the control device 30 or the control device 31 so as to perform ion implantation.
いずれのイオンビーム供給装置を選択するかは、次のような基準を用いて選択するようにしても良い。例えば、イオン注入装置を構成するイオンビーム供給装置を、交互にあるいは順番に、使用する。また、各ビーム供給装置のメンテナンスサイクルを考慮し、前回のメンテナンス時から時間の経過が最も少ない供給装置を優先的に使用するようにする。 Which ion beam supply device is selected may be selected using the following criteria. For example, ion beam supply devices constituting the ion implantation apparatus are used alternately or sequentially. In consideration of the maintenance cycle of each beam supply device, the supply device with the least amount of time since the previous maintenance is preferentially used.
このような使い分けをすることで、複数のイオンビーム供給装置の内、一部装置が偏って使用されてしまうことを避けることが出来る。換言すれば、各供給装置の使用頻度を平均化させることが出来るので、各供給装置のメンテナンスサイクルをおおよそ同じタイミングに揃えることが出来うる。メンテナンスサイクルがおおよそ統一されると、複数台の供給装置を用いたイオン注入処理中に、その内の一部の供給装置がメンテナンスに入ってしまうことでイオン注入装置としての注入処理が出来なくなるといった問題が発生しにくくなる。 By appropriately using such a method, it is possible to avoid the partial use of some of the plurality of ion beam supply devices. In other words, since the usage frequency of each supply device can be averaged, the maintenance cycle of each supply device can be aligned at approximately the same timing. If the maintenance cycle is roughly unified, during the ion implantation process using multiple supply devices, some of the supply devices will enter maintenance, making it impossible to perform the implantation process as an ion implantation device. Problems are less likely to occur.
また、設定ドーズ量が１台のイオンビーム供給装置で対応できる装置スペック内であったとしても、複数台のイオンビーム供給装置を用いてガラス基板へのイオン注入を行うようにしても良い。 Further, even if the set dose is within the apparatus specifications that can be handled by one ion beam supply apparatus, ion implantation may be performed on the glass substrate using a plurality of ion beam supply apparatuses.
例えば、１台の供給装置から供給されるイオンビームで注入可能な設定ドーズ量であっても、供給装置の装置スペックの上限値に対して設定ドーズ量が８割〜９割に相当する場合には複数台に分けた方が良い。イオンビーム供給装置が何らかの原因で装置スペックを下回ると、１台の供給装置での注入が不可能となるからである。その為、安全を考慮し、設定ドーズ量が装置スペックの８割〜９割に相当する場合には、複数台の供給装置でイオン注入を行うようにしておく。このような構成にすれば、注入不良を未然に防止することが出来る。 For example, even if the set dose amount can be implanted with an ion beam supplied from one supply device, the set dose amount corresponds to 80% to 90% of the upper limit value of the device specification of the supply device. Should be divided into multiple units. This is because if the ion beam supply device falls below the device specifications for some reason, it is impossible to perform implantation with a single supply device. Therefore, in consideration of safety, when the set dose amount corresponds to 80% to 90% of the apparatus specification, ion implantation is performed with a plurality of supply apparatuses. With such a configuration, an injection failure can be prevented in advance.
なお、図１には制御装置３０〜３２として個別の制御装置が挙げられているが、これらの制御装置を１台の制御装置としてまとめておいても良い。 In FIG. 1, individual control devices are listed as the control devices 30 to 32, but these control devices may be combined as one control device.
ここではイオンビーム供給装置１、１１で注入可能なドーズ量の上限値を同じにして説明したが、これらの値は異なる値であっても構わない。上限値に差がある場合には、複数のイオンビーム供給装置の中でもっとも低い上限値とユーザーインターフェース３３で設定された設定ドーズ量とを比較すれば良い。そして、比較以降の処理は、先の例（注入可能なドーズ量の上限値が同じ供給装置を複数設けた場合）と同様の処理を行えば良い。 Here, the upper limit value of the dose amount that can be implanted by the ion beam supply apparatuses 1 and 11 has been described as being the same, but these values may be different values. If there is a difference between the upper limit values, the lowest upper limit value among the plurality of ion beam supply devices may be compared with the set dose amount set by the user interface 33. And the process after a comparison should just perform the process similar to the previous example (when multiple supply apparatuses with the same upper limit of the dose amount which can be inject | poured are provided).
また、ユーザーフェース３５と制御装置３２との間、各制御装置間ならびに制御装置とイオンビーム供給装置を構成する部材との間での通信は、有線でも無線でもいずれを用いても構わない。 Further, communication between the user face 35 and the control device 32, between each control device, and between the control device and the members constituting the ion beam supply device may be either wired or wireless.
さらに、図１の例ではイオンビーム供給装置の台数は２台であるが、これよりも多い場合であっても、装置台数が増えるだけで設定ドーズ量に対する各装置の使用方法には何ら変わりはないので、本発明を適用するにあたり何ら問題は発生しないことは言うまでもない。 Further, in the example of FIG. 1, the number of ion beam supply devices is two, but even if there are more than this, there is no change in the usage method of each device with respect to the set dose only by increasing the number of devices. Needless to say, there is no problem in applying the present invention.
一方、処理室２１内には、図１に記載されるような仕切り部材３４を設けておいても良い。この仕切り部材３４は、処理室２１内での各イオンビーム供給装置１、１１から供給されるイオンビーム３、１３の照射領域を隔てる役割を果たす。この仕切り部材３４は必須ではないが、これを設けておくと、処理室２１内部をおおよそ２つに分けることが出来るので、イオン注入処理に係る各部の設計上の制約事項を緩和することが期待出来る。 On the other hand, a partition member 34 as shown in FIG. 1 may be provided in the processing chamber 21. The partition member 34 serves to separate the irradiation regions of the ion beams 3 and 13 supplied from the ion beam supply apparatuses 1 and 11 in the processing chamber 21. Although the partition member 34 is not essential, if the partition member 34 is provided, the interior of the processing chamber 21 can be roughly divided into two parts, so that it is expected that the restriction on the design of each part related to the ion implantation process will be eased. I can do it.
例えば、図１に示されるようにイオンビーム供給装置１からのイオンビーム３によるガラス基板２５への照射スペースと、イオンビーム供給装置１１からのイオンビーム１３によるガラス基板２５への照射スペースとを、この仕切り部材３４を用いて仕切っておく。 For example, as shown in FIG. 1, the irradiation space to the glass substrate 25 by the ion beam 3 from the ion beam supply device 1 and the irradiation space to the glass substrate 25 by the ion beam 13 from the ion beam supply device 11 are as follows. The partition member 34 is used for partitioning.
一般に、イオンビームがガラス基板に照射されると、ガラス基板からガスが放出される。大型のガラス基板の一辺よりも大きなイオンビームを取り扱う場合、イオンビーム供給装置内部に設けられたイオンビームの輸送経路（ビームライン）も大型となる。ガラス基板からのガスはこのような大型のビームラインを通じて、イオンビーム供給装置側に流入する危険性がある。 In general, when an ion beam is irradiated onto a glass substrate, gas is released from the glass substrate. When an ion beam larger than one side of a large glass substrate is handled, the ion beam transport path (beam line) provided inside the ion beam supply apparatus is also large. There is a risk that the gas from the glass substrate flows into the ion beam supply apparatus through such a large beam line.
流入したガスがイオンビームと衝突すると、イオンビームが電離して中性粒子となってしまう。中性粒子となった場合、中性粒子には磁場や電場による作用が働かないので、これを偏向させることは出来ない。 When the inflowing gas collides with the ion beam, the ion beam is ionized and becomes neutral particles. In the case of neutral particles, neutral particles are not affected by a magnetic field or electric field, and cannot be deflected.
図１に開示のイオン注入装置の場合、まずイオンビーム供給装置１によりガラス基板２５にイオンビーム３が照射される。この際、ガラス基板２５からガスが放出されることになるが、放出されたガスがビーム平行化器６へ到達するよりも早く、ガラス基板２５がイオンビーム３を横切ようにしておけば、イオンビーム供給装置１によるガラス基板２５へのイオンビーム照射は問題なく出来るかもしれない。 In the case of the ion implantation apparatus disclosed in FIG. 1, first, the ion beam 3 is irradiated onto the glass substrate 25 by the ion beam supply apparatus 1. At this time, gas is emitted from the glass substrate 25. If the glass substrate 25 crosses the ion beam 3 earlier than the emitted gas reaches the beam collimator 6, The ion beam irradiation to the glass substrate 25 by the ion beam supply apparatus 1 may be possible without any problem.
しかしながら、単にガラス基板の搬送速度を増加させれば問題を解決できるのかというと、そうではない。例えば、次に示す（Ａ）〜（Ｅ）に示す様々な問題を考慮し、ガラス基板の搬送速度やビーム平行化器の設置場所、真空ポンプの排気能力およびその設置場所を適切に設計しなければならない。 However, it is not the case whether the problem can be solved simply by increasing the conveyance speed of the glass substrate. For example, in consideration of the following problems (A) to (E), the glass substrate transfer speed, the installation location of the beam collimator, the exhaust capacity of the vacuum pump, and the installation location must be appropriately designed. I must.
（Ａ）ガラス基板２５がホルダー２６から脱落する。ガラス基板２５の搬送速度を増加させると、ガラス基板２５の保持が不安定となり、ホルダー２６から脱落する危険性が生じる。 (A) The glass substrate 25 falls off the holder 26. When the conveyance speed of the glass substrate 25 is increased, the holding of the glass substrate 25 becomes unstable, and there is a risk of dropping from the holder 26.
（Ｂ）ガラス基板全面に所定のドーズ量のイオン注入を行うまでに時間を要する。ガラス基板２５の搬送速度を増加させると、イオンビーム供給装置によるガラス基板への注入量が減少してしまう。こうなると、イオンビーム供給装置からのイオンビームをガラス基板が何度も横切るように、入口側真空予備室と出口側搬送予備室との間を何往復もさせなければならない。その結果、所定のドーズ量に達するまでに時間を要してしまい、イオン注入装置処理能力の低下を招いてしまう。さらに、ガラス基板２５を何度も往復搬送している間に、ガラス基板２５から放出されたガスがビーム平行化器６、１６に到達してしまう。 (B) It takes time until ion implantation of a predetermined dose amount is performed on the entire surface of the glass substrate. When the conveyance speed of the glass substrate 25 is increased, the amount of implantation into the glass substrate by the ion beam supply device decreases. In this case, it is necessary to make many reciprocations between the inlet side vacuum preliminary chamber and the outlet side transport preliminary chamber so that the glass substrate crosses the ion beam from the ion beam supply device many times. As a result, it takes time to reach a predetermined dose, and the processing capability of the ion implantation apparatus is reduced. Furthermore, the gas emitted from the glass substrate 25 reaches the beam collimators 6 and 16 while the glass substrate 25 is being reciprocated many times.
（Ｃ）イオンビームの寸法が小さくなる。ガラス基板の搬送速度を増加させる代わりに、ビーム平行化器６へのガスの到達時間を遅らせる為に、ビーム平行化器６を出来るだけ処理室２１から遠ざけて配置することが考えられるが、イオンビームを平行化する位置が処理室２１よりも離れた位置にすると、ガラス基板２５に照射されるリボン状のイオンビームの長辺方向における寸法が小さくなり、大型のガラス基板への対応が出来なくなるといった不具合が生じる。 (C) The size of the ion beam is reduced. In order to delay the arrival time of the gas to the beam collimator 6 instead of increasing the conveyance speed of the glass substrate, it is conceivable to arrange the beam collimator 6 as far away from the processing chamber 21 as possible. If the beam collimation position is far from the processing chamber 21, the dimension in the long side direction of the ribbon-like ion beam irradiated to the glass substrate 25 becomes small, and it becomes impossible to cope with a large glass substrate. Such a problem occurs.
（Ｄ）装置の大型化を招く。（Ｃ）の問題を解決する為に、大きなイオンビームの寸法を確保し、かつ、ビーム平行化器６を処理室２１から遠ざけることが考えられる。具体的には、イオンビーム供給装置１全体を処理室２１から遠ざけること考えられるが、このような構成にすると、イオン注入装置全体の大型化を招いてしまう。クリーンルーム内での装置設置面積には限りがある。イオン注入装置以外の半導体製造装置も配置されているので、イオン注入装置が大型になると、他の装置との兼ね合いからクリーンルーム内への設置が出来ないといった問題が発生してしまう。更に、装置が大型化になると、装置の搬入、搬出に手間がかかることや大型になった分だけ装置価格が高騰する可能性もある。 (D) The apparatus is increased in size. In order to solve the problem (C), it is conceivable to secure a large ion beam size and to move the beam collimator 6 away from the processing chamber 21. Specifically, it is conceivable to move the entire ion beam supply apparatus 1 away from the processing chamber 21, but such a configuration leads to an increase in the size of the entire ion implantation apparatus. There is a limit to the equipment installation area in a clean room. Since a semiconductor manufacturing apparatus other than the ion implantation apparatus is also arranged, when the ion implantation apparatus becomes large, there arises a problem that it cannot be installed in a clean room due to the balance with other apparatuses. Furthermore, when the apparatus becomes larger, it may take time to carry in and out the apparatus, and the price of the apparatus may increase as much as the apparatus becomes larger.
（Ｅ）真空ポンプの排気能力およびその設置場所に係る制約。ガラス基板２５から放出された処理室２１内のガスを排出する為に、真空ポンプを設けることが考えられる。この際、イオンビーム供給装置１、１１内へのガスの流入を防止する為には、ガスの発生源であるガラス基板２５のイオンビームが照射される面側で、かつ、イオンビーム供給装置１、１１から処理室２１内へ供給されるイオンビームの供給口近傍に真空ポンプを設けておくことが考えられる。しかしながら、イオンビーム供給装置１、１１の装置構成によっては、真空ポンプを配置出来るスペースが限られる。一方、真空ポンプの能力にしてもガラス基板へのイオン注入中に各イオンビーム供給装置へのガスの流入を防止させるだけの排気能力が必要となる。 (E) Restrictions related to the exhaust capacity of the vacuum pump and its installation location. In order to discharge the gas in the processing chamber 21 released from the glass substrate 25, it is conceivable to provide a vacuum pump. At this time, in order to prevent the gas from flowing into the ion beam supply apparatuses 1 and 11, the ion beam supply apparatus 1 is provided on the surface of the glass substrate 25, which is a gas generation source, on which the ion beam is irradiated. , 11 may be provided with a vacuum pump in the vicinity of the supply port of the ion beam supplied into the processing chamber 21. However, the space in which the vacuum pump can be arranged is limited depending on the device configuration of the ion beam supply devices 1 and 11. On the other hand, even with the capability of the vacuum pump, it is necessary to have an exhaust capability capable of preventing the gas from flowing into each ion beam supply device during ion implantation into the glass substrate.
上記した様々な問題を考慮した上で、イオンビーム供給装置１によるガラス基板２５へのイオンビーム照射時に、イオンビーム供給装置１に設けられたビーム平行化器６にガラス基板２５からのガスが到達しないように、設計上、適切なガラス基板の搬送速度やビーム平行化器の設置場所等が決定されている。 In consideration of the various problems described above, the gas from the glass substrate 25 reaches the beam collimator 6 provided in the ion beam supply device 1 when the ion beam supply device 1 irradiates the glass substrate 25 with the ion beam. In order to avoid such a situation, an appropriate glass substrate transport speed, a beam collimator installation location, and the like are determined by design.
仮に、仕切り部材３４がない場合、前述した（Ａ）〜（Ｅ）までの問題を複数のイオンビーム供給装置の構成を考慮して総合的に解決しなければならない為、設計上の制約事項が厳しいものとなる。端的に言えば、装置設計が難しい。しかしながら、仕切り部材３４を設けることによって、イオンビーム供給装置毎にガラス基板から放出されるガスの問題を取り扱うことができるので、複数のイオンビーム供給装置を有するイオン注入装置を設計する上での設計自由度が向上する。 If the partition member 34 is not provided, the above-described problems (A) to (E) must be comprehensively solved in consideration of the configuration of a plurality of ion beam supply apparatuses. It will be tough. In short, device design is difficult. However, by providing the partition member 34, it is possible to handle the problem of gas emitted from the glass substrate for each ion beam supply device, and therefore, a design for designing an ion implantation device having a plurality of ion beam supply devices. The degree of freedom is improved.
仕切り部材３４にはイオン注入処理中にガラス基板２５を通過させる為の開口３５が設けられている。図３にはこの仕切り部材３４と、ガラス基板２５を搬送する為の搬送機構の一例が示されている。なお、図３は、図１のイオン注入装置ＩＭ１を構成するイオンビーム供給装置１に対応する処理室２１内の領域にガラス基板２５を配置した時の様子を描いた斜視図であって、図面の簡略化の為、処理室２１の天井壁（Ｙ方向反対側に位置する壁）と処理室２１と入口側真空予備室２２との間に配置されるゲートバルブ２４を省略している。 The partition member 34 is provided with an opening 35 for allowing the glass substrate 25 to pass through during the ion implantation process. FIG. 3 shows an example of the partition member 34 and a transport mechanism for transporting the glass substrate 25. FIG. 3 is a perspective view illustrating a state in which the glass substrate 25 is disposed in a region in the processing chamber 21 corresponding to the ion beam supply apparatus 1 constituting the ion implantation apparatus IM1 of FIG. For simplification, the gate valve 24 disposed between the ceiling wall of the processing chamber 21 (a wall located on the opposite side in the Y direction) and the processing chamber 21 and the inlet side vacuum preliminary chamber 22 is omitted.
なお、図３では仕切り部材３４は処理室２１やイオンビーム供給装置１、１１から独立した部材として設けられているが、例えば、処理室２１の一部をその内側領域に延設させるように加工することで、処理室２１内の一部が仕切り部材３４を兼ねるように構成しても良い。 In FIG. 3, the partition member 34 is provided as a member independent of the processing chamber 21 and the ion beam supply apparatuses 1 and 11. For example, the partition member 34 is processed so as to extend a part of the processing chamber 21 to the inner region. By doing so, you may comprise so that a part in process chamber 21 may serve as the partition member 34. FIG.
ガラス基板２５を保持するホルダー２６の下面には、図示されない車輪が取り付けられている。一方、レール２９はガラス基板２５の搬送方向であるＺ方向沿って処理室２１および各真空予備室内に延設されている。そして、このレール２９上に図示されない車輪が位置している。 A wheel (not shown) is attached to the lower surface of the holder 26 that holds the glass substrate 25. On the other hand, the rail 29 is extended in the processing chamber 21 and each vacuum preparatory chamber along the Z direction which is the conveyance direction of the glass substrate 25. A wheel (not shown) is located on the rail 29.
ホルダー２６は、大気側に設けられた複数のモーター２８からの動力を利用して、レール２９上でガラス基板２５の搬送を行っている。具体的には、処理室２１の床面（Ｙ方向に位置する壁面）を通して、モーター３０に連結されたシャフトが処理室２１内へ挿通されている。そして、シャフトの先端（モーター２８と連結している側と反対側）にはローラー２７が取り付けられており、このローラー２７が回転することにより、ホルダー２６のレール２９上での移動が実現される。 The holder 26 conveys the glass substrate 25 on the rail 29 using power from a plurality of motors 28 provided on the atmosphere side. Specifically, a shaft connected to the motor 30 is inserted into the processing chamber 21 through the floor surface (wall surface located in the Y direction) of the processing chamber 21. A roller 27 is attached to the tip of the shaft (the side opposite to the side connected to the motor 28). The rotation of the roller 27 realizes movement of the holder 26 on the rail 29. .
処理室２１や各真空予備室での基板搬送については図示しないが、ここで述べた搬送機構と同様のものを各部屋に延設されたレール２９に沿って設けておけば良い。なお、シャフトと処理室２１との床面との間には、図示されてない真空シールがあり、真空と大気とを隔てるとともに、シャフトを回転自在に位置させる役割を果たしている。 Although the substrate transfer in the processing chamber 21 and each vacuum preparatory chamber is not shown in the drawing, the same transfer mechanism as described here may be provided along the rail 29 extending to each chamber. In addition, there is a vacuum seal (not shown) between the shaft and the floor surface of the processing chamber 21, which serves to separate the vacuum from the atmosphere and to position the shaft rotatably.
図４には本発明のイオン注入装置に係る他の実施形態が示されている。このイオン注入装置ＩＭ２と図１に示されたイオン注入装置ＩＭ１とでは、各イオンビーム供給装置を構成するイオン源等の光学部材の向きが異なる。 FIG. 4 shows another embodiment of the ion implantation apparatus of the present invention. In this ion implantation apparatus IM2 and the ion implantation apparatus IM1 shown in FIG. 1, the directions of optical members such as ion sources constituting each ion beam supply apparatus are different.
具体的には、図４に示されるイオン注入装置ＩＭ２では、各イオンビーム供給装置ビームラインが、各装置の境界に位置するＸＹ平面に関して面対称となるような関係になっている。 Specifically, in the ion implantation apparatus IM2 shown in FIG. 4, each ion beam supply apparatus beam line is in a relationship that is plane-symmetric with respect to the XY plane located at the boundary of each apparatus.
このような配置を採用した場合、ガラス基板２５へのイオン注入処理を行うにあたって矢印Ａの方向へガラス基板２５を搬送した場合、ガラス基板２５が両供給装置からのビームを横切るのに基板を搬送させる距離（Ｌ）を短くすることが出来る。搬送距離が短くなると、イオン注入処理にかかる時間の短縮ができるので、単位時間当たりに注入処理されるガラス基板の枚数を増やすことが出来る。 When such an arrangement is adopted, when the glass substrate 25 is transported in the direction of the arrow A in performing the ion implantation process to the glass substrate 25, the glass substrate 25 transports the substrate to cross the beams from both supply devices. The distance (L) to be made can be shortened. When the transport distance is shortened, the time required for the ion implantation process can be shortened, so that the number of glass substrates to be implanted per unit time can be increased.
なお、これまでに説明してきた図１〜４に示す実施例ではガラス基板２５の搬送方向をＺ方向としているが、この搬送方向はＺ方向と寸分たがわず同じである必要はない。例えば、装置構成にもよるが、Ｚ方向から３〜５°程度ずれていても構わない。さらに、ガラス基板２５の姿勢について、イオンビームの進行方向と直交するようにガラス基板２５の面がホルダー２６上に支持されているが、ガラス基板２５はＺ軸周りにある角度をもってホルダー２６に支持されていても構わない。 In addition, although the conveyance direction of the glass substrate 25 is made into the Z direction in the Example shown to FIGS. 1-4 demonstrated so far, this conveyance direction does not need to be the same, although it is exactly the same as the Z direction. For example, although it depends on the device configuration, it may be shifted by about 3 to 5 ° from the Z direction. Further, with respect to the attitude of the glass substrate 25, the surface of the glass substrate 25 is supported on the holder 26 so as to be orthogonal to the traveling direction of the ion beam, but the glass substrate 25 is supported by the holder 26 at an angle around the Z axis. It does not matter.
以上、本発明のイオン注入装置に係る実施例を述べてきたが、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行っても良いのはもちろんである。 As mentioned above, although the Example which concerns on the ion implantation apparatus of this invention has been described, it cannot be overemphasized that various improvement and change may be performed in the range which does not deviate from the summary of this invention.
１．第１のイオンビーム供給装置
１１．第２のイオンビーム供給装置
２１．処理室
２５．ガラス基板
３４．仕切り部材
３５．開口
ＩＭ１．イオン注入装置
1. First ion beam supply device
11. Second ion beam supply device 21. Processing chamber 25. Glass substrate 34. Partition member 35. Opening
IM1. Ion implanter
Claims (4)
前記ガラス基板へのイオン注入量に応じて、前記複数のイオンビーム供給装置の運転状態を切り替える制御装置と、を備えていることを特徴とするイオン注入装置。 A plurality of ion beam supply devices for generating a ribbon-shaped ion beam having a size larger than that of the glass substrate in a direction substantially orthogonal to the glass substrate transport direction in a processing chamber in which ion implantation processing is performed;
And a control device that switches operation states of the plurality of ion beam supply devices in accordance with an ion implantation amount into the glass substrate.
前記ガラス基板へのイオン注入量に応じて、前記複数のイオンビーム供給装置の運転状態を切り替えることを特徴とするイオン注入方法。
Using a plurality of ion beam supply devices that generate a ribbon-shaped ion beam having a size larger than that of the glass substrate in a direction substantially orthogonal to the transport direction of the glass substrate in a processing chamber where ion implantation processing is performed, In an ion implantation method for performing ion implantation on the entire surface of the glass substrate,
An ion implantation method, wherein operation states of the plurality of ion beam supply devices are switched in accordance with an ion implantation amount into the glass substrate.
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