JP2011188200A - Solid-state imaging device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光電変換部を有し、所定領域の全画素で蓄積時間を同一とする固体撮像装置に関する。 The present invention relates to a solid-state imaging device having a photoelectric conversion unit and having the same accumulation time for all pixels in a predetermined region.
近年、パーソナルコンピューターの急速な普及により、画像入力機器としての電子スチルカメラの需要が拡大している。電子スチルカメラの画質を決定する要素は幾つかあるが、その中でも撮像素子の画素数は撮影像の解像度を決定する大きな要素である。そのため、最近は1000万画素以上の多くの画素数を持った電子スチルカメラも商品化されている。このような高解像度の撮像素子を利用した撮像系では、撮像素子から信号を読み出す速度がボトルネックとなるので、構図決定時等に使用するファインダ用の信号を得るには適していない。このため、精密撮像モードと高速撮像モードを有し、精密撮像モード時には光信号とノイズ信号を読み出し、両者の差分をとることでS/Nの高い画像信号を取り出し、高速撮像モードでは光信号のみを読み出すことにより高速でリアルタイムなビデオ信号を取り出すことを可能にした撮像装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 In recent years, with the rapid spread of personal computers, the demand for electronic still cameras as image input devices is increasing. There are several factors that determine the image quality of an electronic still camera. Among them, the number of pixels of the image sensor is a large factor that determines the resolution of a captured image. For this reason, electronic still cameras having a large number of pixels of 10 million pixels or more have recently been commercialized. In such an image pickup system using a high-resolution image pickup device, the speed at which a signal is read from the image pickup device becomes a bottleneck, so that it is not suitable for obtaining a finder signal used at the time of composition determination or the like. For this reason, it has a precision imaging mode and a high-speed imaging mode. In the precision imaging mode, an optical signal and a noise signal are read out, and by taking the difference between them, an image signal with a high S / N is taken out. There has been proposed an imaging device that can extract a video signal at high speed by reading out (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、上記従来例では、高速撮像モード時、全画素一括で光電変換素子をリセットし、蓄積時間が経過した後、全画素一括で光電変換素子から蓄積部(以後FDと呼ぶ)へ信号電荷を転送し、信号電荷に応じた信号を順次読み出すので、読み出しが後の方の画素ではFDに信号を保持する時間が長く、この時間中にFDの欠陥によって発生するリーク電流(以後FDリークと呼ぶ)、FDに光が当たることによって発生する電荷(以後FD外光と呼ぶ)により所望の電位を保てず、画像にシェーディングが発生していた。 However, in the above conventional example, in the high-speed imaging mode, the photoelectric conversion elements are reset for all the pixels at once, and after the accumulation time has elapsed, the signal charges are transferred from the photoelectric conversion elements to the storage unit (hereinafter referred to as FD) for all the pixels. Since the signals corresponding to the signal charges are transferred and sequentially read out, the pixel that is read later has a long time to hold the signal in the FD, and a leak current (hereinafter referred to as FD leak) generated by a defect in the FD during this time. ), A desired potential cannot be maintained due to the charge generated by the light hitting the FD (hereinafter referred to as FD outside light), and shading has occurred in the image.
このため、シェーディングの補正を行う以下の撮像装置が提案されている(例えば、特許文献2参照)。この撮像装置は、高速撮像モード時、全画素一括で光電変換素子をリセットし、さらに全画素一括でリセットを解除した後、蓄積を開始し、蓄積時間が経過した後、隣接する第一の行群と第二の行群の内、第一の行群のみ光電変換素子からFDへ信号電荷を一括転送する。そして、順次信号を読み出す動作において、隣接する第一の行群と第二の行群の信号を減算して1行分の信号を得る。 For this reason, the following imaging device which corrects shading has been proposed (see, for example, Patent Document 2). In the high-speed imaging mode, this imaging device resets the photoelectric conversion elements for all the pixels at the same time, cancels the reset for all the pixels at once, starts accumulation, and after the accumulation time has elapsed, the adjacent first row Of the group and the second row group, the signal charges are collectively transferred from the photoelectric conversion element to the FD only in the first row group. Then, in the operation of sequentially reading the signals, the signals of the first row group and the second row group adjacent to each other are subtracted to obtain a signal for one row.
このように、FDにおける保持時間のほぼ等しい、隣接する第一の行と第二の行の信号の差分をとることで、保持時間中にFDの欠陥によって発生するリーク電流(以後FDリークと呼ぶ)、FDに光が当たることによって発生する電荷(以後FD外光と呼ぶ)がキャンセルされ、高速撮像モードではシェーディングが補正された信号を取り出すことが可能となる。 In this way, by taking the difference between the signals of the adjacent first row and second row having substantially the same holding time in the FD, a leakage current generated by a defect in the FD during the holding time (hereinafter referred to as FD leak). ), The charge generated by the light hitting the FD (hereinafter referred to as FD outside light) is canceled, and in the high-speed imaging mode, it is possible to take out a signal whose shading is corrected.
しかしながら、シェーディングの補正を行う上記従来例では、蓄積時間中および順次信号を読み出している期間中に第一および第二の行群の光電変換素子に光が当たることによって発生する電荷がFDにまわりこむことによって発生する電荷(以後PD外光と呼ぶ)により所望の電位を保てず、出力変動が発生していた。また、画素固有のオフセットバラつきによる固定パターン雑音や、FDをリセットすることによって発生するKTC雑音が信号に重畳され、S/Nの高い信号を得ることができなかった。 However, in the above-described conventional example in which shading correction is performed, the charges generated by the light hitting the photoelectric conversion elements in the first and second row groups during the accumulation time and during the period in which the signals are sequentially read out travel around the FD. The electric potential (hereinafter referred to as PD external light) generated by the engraving could not maintain a desired potential, and output fluctuation occurred. In addition, fixed pattern noise due to pixel-specific offset variations and KTC noise generated by resetting the FD are superimposed on the signal, and a signal with a high S / N cannot be obtained.
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであって、FDリーク、FD外光、PD外光の影響をキャンセルしシェーディングを無くすとともに、ノイズ(雑音)成分を低減したS/Nの高い画像信号を得ることができる固体撮像装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and cancels the influence of FD leakage, FD outside light, and PD outside light, eliminates shading, and has a high S / N with reduced noise components. An object of the present invention is to provide a solid-state imaging device capable of obtaining an image signal.
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷を蓄積する蓄積部と、前記光電変換部から前記蓄積部へ電荷を転送する転送部と、前記光電変換部をリセットする第1のリセット部と、前記蓄積部をリセットする第2のリセット部と、前記蓄積部の電位を画素信号として出力する出力部と、前記画素信号を出力する前記出力部を選択する選択部とを有する画素が行方向および列方向に二次元的に配列されているとともに、前記画素が行単位で第1の行群または第2の行群に属する画素部と、前記蓄積部がリセットされたときの前記画素信号を行毎に順次読み出す第1の読み出し動作において、前記第1の行群と前記第2の行群の前記光電変換部をリセットさせ、前記光電変換部がリセットされた後、前記光電変換部に電荷を蓄積する蓄積時間中、前記第1の行群のみ前記光電変換部をリセットさせ、前記第1の行群と前記第2の行群の前記光電変換部に蓄積された電荷を一括して前記蓄積部に転送する転送動作において、前記第1の行群と前記第2の行群の前記光電変換部のリセット動作を一時的に停止し、前記転送動作により前記蓄積部に転送された電荷に基づく前記画素信号を行毎に順次読み出す第2の読み出し動作において、前記第1の行群と前記第2の行群の前記光電変換部をリセットさせる制御を行う制御部と、前記第1の読み出し動作および前記第2の読み出し動作のそれぞれにおいて、前記第1の行群に属する行から得られた前記画素信号と前記第2の行群に属する行から得られた前記画素信号とを用いて差分処理を行い、一行分の信号を得る第1の差分処理部と、前記第1の読み出し動作において前記第1の差分処理部で得られた信号と、前記第2の読み出し動作において前記第1の差分処理部で得られた信号とを用いて差分処理を行い、1フレーム分の画像信号を得る第2の差分処理部と、を有することを特徴とする固体撮像装置である。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and includes a photoelectric conversion unit, a storage unit that accumulates charges generated in the photoelectric conversion unit, and transfers charges from the photoelectric conversion unit to the storage unit. A transfer unit, a first reset unit that resets the photoelectric conversion unit, a second reset unit that resets the storage unit, an output unit that outputs the potential of the storage unit as a pixel signal, and the pixel signal Pixels having a selection unit for selecting the output unit to be output are two-dimensionally arranged in a row direction and a column direction, and the pixels belong to the first row group or the second row group in units of rows. In the first reading operation of sequentially reading out the pixel signals for each row when the pixel unit and the storage unit are reset, the photoelectric conversion units in the first row group and the second row group are reset. The photoelectric converter is reset. Then, during the accumulation time for accumulating charges in the photoelectric conversion unit, the photoelectric conversion unit is reset only in the first row group, and the photoelectric conversion units in the first row group and the second row group are reset. In the transfer operation for transferring the charges stored in the storage unit to the storage unit in a lump, the reset operation of the photoelectric conversion units in the first row group and the second row group is temporarily stopped, and the transfer operation In the second readout operation for sequentially reading out the pixel signals based on the charges transferred to the storage unit for each row, control for resetting the photoelectric conversion units in the first row group and the second row group is performed. Obtained from the pixel signal obtained from the row belonging to the first row group and the row belonging to the second row group in each of the control unit to perform and the first readout operation and the second readout operation. Difference using the pixel signal obtained A first difference processing unit for obtaining a signal for one row, a signal obtained by the first difference processing unit in the first read operation, and the first difference in the second read operation. A solid-state imaging device comprising: a second difference processing unit that performs difference processing using a signal obtained by the difference processing unit and obtains an image signal for one frame.
また、本発明の固体撮像装置は、前記画素部において、前記第1の行群に属する1または複数の行と、前記第2の行群に属する1または複数の行とが交互に配列されていることを特徴とする。 In the solid-state imaging device of the present invention, in the pixel portion, one or more rows belonging to the first row group and one or more rows belonging to the second row group are alternately arranged. It is characterized by being.
また、本発明の固体撮像装置は、前記蓄積時間内に発光装置を発光させることにより前記第2の差分処理部で得られた1フレーム分の画像と、前記蓄積時間内に前記発光装置の発光を停止することにより前記第2の差分処理部で得られた1フレーム分の画像信号とを用いて差分処理を行い、差分画像信号を得る第3の差分処理部をさらに有することを特徴とする。 In addition, the solid-state imaging device according to the present invention includes an image for one frame obtained by the second difference processing unit by causing the light emitting device to emit light within the accumulation time, and light emission of the light emitting device within the accumulation time. And a third difference processing unit that obtains a difference image signal by performing difference processing using the image signal for one frame obtained by the second difference processing unit by stopping .
また、本発明の固体撮像装置において、前記画素の配列はベイヤー配列であり、前記第1の行群と前記第2の行群のカラーフィルタの配列が同一であることを特徴とする。 In the solid-state imaging device of the present invention, the pixel array is a Bayer array, and the color filter arrays of the first row group and the second row group are the same.
本発明によれば、第1の差分処理部による差分処理と、第2の差分処理部による差分処理とによって、FDリーク、FD外光、PD外光の影響をキャンセルしシェーディングを無くすとともに、ノイズ(雑音)成分を低減したS/Nの高い画像信号を得ることができる。 According to the present invention, the difference processing by the first difference processing unit and the difference processing by the second difference processing unit cancel the influence of FD leak, FD outside light, and PD outside light, eliminate shading, and reduce noise. An image signal having a high S / N with a reduced (noise) component can be obtained.
以下、図面を参照し、本発明の実施形態を説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(第1の実施形態)
まず、本発明の第1の実施形態を説明する。図1は、本実施形態による固体撮像装置の構成を示している。図1に示す固体撮像装置は、画素部200、負荷電流源7、光信号転送ゲート8a、ノイズ信号転送ゲート8b、垂直走査回路10、ラインメモリ11、水平走査回路12、差動アンプ13、AD変換回路14、フレームメモリ15、および差分処理回路16を有する。
(First embodiment)
First, a first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 shows the configuration of the solid-state imaging device according to the present embodiment. 1 includes a
画素部200は複数の画素100を有する。画素100は行方向および列方向に二次元的に配列されている。また、それぞれの画素100は行単位で第1の行群または第2の行群に属している。本実施形態では、一例として、第1の行群は奇数行(以下、ノイズ信号読み出し行とする)の画素100で構成され、第2の行群は偶数行(以下、光信号読み出し行とする)の画素100で構成されている。
The
各画素100は、フォトダイオード1、FD(蓄積部)、転送スイッチ2、FDリセットスイッチ3、画素アンプ4、選択スイッチ5、およびPDリセットスイッチ9を有する。フォトダイオード1は、入射した光を光電変換により信号電荷に変換する。フォトダイオード1に信号電荷を蓄積する時間が蓄積時間である。FDは、蓄積時間中にフォトダイオード1で発生した信号電荷を蓄積する。転送スイッチ2は転送パルスφTXによって駆動され、フォトダイオード1からFDへ信号電荷を転送する。FDリセットスイッチ3はFDリセットパルスφRESによって駆動され、FDをリセットする。画素アンプ4は、FDの電位を入力とし、画素信号を出力する。選択スイッチ5は行選択パルスφSELによって駆動され、画素信号を出力する画素アンプ4を選択する。PDリセットスイッチ9はPDリセットパルスφPRによって駆動され、フォトダイオード1をリセットする。
Each
負荷電流源7と画素アンプ4はソースフォロワ回路を構成する。選択スイッチ5によって選択された行の画素信号は、信号出力線6(垂直信号線)に出力される。各画素100からは、蓄積時間中にフォトダイオード1に蓄積され、蓄積時間後にFDに保持された信号電荷に基づく光信号と、FDがリセットされたときのリセット信号と、蓄積時間中にフォトダイオード1がリセットされ、蓄積時間後にFDに保持されたリセット信号であるノイズ信号とが読み出される。光信号転送ゲート8aは、光信号読み出し行の画素100から信号出力線6に出力された画素信号をラインメモリ11へ出力する。ノイズ信号転送ゲート8bは、ノイズ信号読み出し行の画素100から信号出力線6に出力された画素信号をラインメモリ11へ出力する。ラインメモリ11は画素信号を一時記憶する。
The load current source 7 and the
水平走査回路12は、ラインメモリ11に一時記憶された画素信号を制御パルスφHによって読み出す。差動アンプ13は、水平走査回路12によって読み出された2行分の画素信号の差分をとった信号(差分信号)を出力する。AD変換回路14は、差動アンプ13から出力された差分信号をデジタル信号に変換(AD変換)する。フレームメモリ15は、AD変換回路14から出力された各行の差分信号を1フレーム分まとめて一時記憶する。差分処理回路16は、先行する第1のフレームにおいてフレームメモリ15に記憶された差分信号と、第1のフレームに続く第2のフレームにおいてAD変換回路14から出力された差分信号との差分をとった1フレーム分の画像信号を出力する。
The
垂直走査回路10は、各種駆動パルスを画素100へ出力することによって、画素100における画素信号の読み出しを制御する。また、垂直走査回路10は、フォトダイオード1のリセット動作に関して、以下の制御を行う。
The
垂直走査回路10は、FDがリセットされたときの画素信号を行毎に順次読み出す第1の読み出し動作において、ノイズ信号読み出し行と光信号読み出し行の画素100のフォトダイオード1を一括してリセットさせ、続いて、蓄積時間中、ノイズ信号読み出し行の画素100についてのみフォトダイオード1をリセットさせる。また、垂直走査回路10は、ノイズ信号読み出し行と光信号読み出し行の画素100のフォトダイオード1に蓄積された信号電荷を一括してFDに転送する転送動作において、ノイズ信号読み出し行と光信号読み出し行の画素100におけるフォトダイオード1のリセット動作を一時的に停止する。
The
また、垂直走査回路10は、転送動作によりFDに転送された信号電荷に基づく画素信号を行毎に順次読み出す第2の読み出し動作において、ノイズ信号読み出し行と光信号読み出し行の画素100のフォトダイオード1を一括してリセットさせる。フォトダイオード1のリセットに係る上記の制御の詳細については、固体撮像装置の動作と共に説明する。
Further, the
次に、固体撮像装置の動作を説明する。図2は、垂直走査回路10が出力する駆動パルスの波形を示している。以下では、固体撮像装置が有するストロボの発光量を調整するためのストロボ調光用信号を得る場合を例に説明する。
Next, the operation of the solid-state imaging device will be described. FIG. 2 shows the waveform of the drive pulse output from the
以下では、リセットフレームの読み出し動作、蓄積動作、ビデオフレームの読み出し動作に分けて動作を説明する。リセットフレームの読み出し動作では、FDがリセットされたときのリセット信号がノイズ信号読み出し行および光信号読み出し行の画素100から読み出される。ビデオフレームの読み出し動作では、蓄積時間中にフォトダイオード1に蓄積され、蓄積時間後にFDに保持された信号電荷に基づく光信号が光信号読み出し行の画素100から読み出され、蓄積時間中にフォトダイオード1がリセットされ、蓄積時間後にFDに保持されたリセット信号であるノイズ信号がノイズ信号読み出し行の画素100から読み出される。
In the following, the operation will be described by dividing it into a reset frame read operation, a storage operation, and a video frame read operation. In the reset frame readout operation, a reset signal when the FD is reset is read out from the
まず、全ての偶数行(光信号読み出し行)のPDリセットパルスφPR(一括PDリセットパルスφALL_PR(even)とする)と、全ての奇数行(ノイズ信号読み出し行)のPDリセットパルスφPR(一括PDリセットパルスφALL_PR(odd)とする)との両方をHighにすることにより、全画素100のフォトダイオード1が一括でリセットされる。同時に、時系列的に1行目から順次FDリセットパルスφRES(図示せず)をHighにすることにより、FDのリセットが行われ、行選択パルスφSEL(図示せず)により選択された行の画素信号が信号出力線6に出力される。
First, PD reset pulses φPR (collectively PD reset pulse φALL_PR (even)) for all even rows (optical signal readout rows) and PD reset pulses φPR (collective PD reset for all odd rows (noise signal readout rows)). By setting both the pulse φALL_PR (odd) and the pulse φALL_PR (odd) to High, the
ノイズ信号読み出し行の画素100から信号出力線6に出力された画素信号(VN(1)、VN(3)、・・・)は、ノイズ信号転送ゲート8bを介してラインメモリ11に書き込まれる。VN(2n−1)は、2n−1(n=1,2,・・・)行目の画素100から信号出力線6に出力された画素信号である。また、光信号読み出し行の画素100から信号出力線6に出力された画素信号(VS(2)、VS(4)、・・・)は、光信号転送ゲート8aを介して、ノイズ読み出し行の画素信号が書き込まれた領域とは別の領域のラインメモリ11に書き込まれる。VS(2n)は、2n(n=1,2,・・・)行目の画素100から信号出力線6に出力された画素信号である。
Pixel signals (VN (1), VN (3),...) Output from the
続いて、水平走査回路12は、光信号読み出し行とノイズ信号読み出し行のそれぞれの画素信号をラインメモリ11から読み出す。差動アンプ13は、光信号読み出し行の画素信号とノイズ信号読み出し行の画素信号との差分をとった差分信号(VS(2)−VN(1)、VS(4)−VN(3)、・・・)を出力する。この差分信号は、行毎にAD変換回路14によりデジタル信号に変換され、フレームメモリ15に記憶される。全行の画素信号がラインメモリ11から読み出され、差分信号が生成されると、リセットフレームの読み出し動作が終了する。
Subsequently, the
続いて、光信号読み出し行の一括PDリセットパルスφALL_PR(even)をLowにすることにより、信号の蓄積時間が開始される。ノイズ信号読み出し行の一括PDリセットパルスφALL_PR(odd)はHighのままである。所定の時間が経過した後、ノイズ信号読み出し行の一括PDリセットパルスφALL_PR(odd)をLowにすることにより、蓄積時間が終了する。蓄積時間中にはストロボ調光用の発光が行われる。 Subsequently, the signal accumulation time is started by setting the collective PD reset pulse φALL_PR (even) in the optical signal readout row to Low. The collective PD reset pulse φALL_PR (odd) in the noise signal read-out row remains High. After a predetermined time has elapsed, the accumulation time is ended by setting the collective PD reset pulse φALL_PR (odd) of the noise signal readout row to Low. During the accumulation time, strobe light emission is performed.
続いて、全行の転送パルス(φALL_TXとする)をHighにすることにより、光信号読み出し行およびノイズ信号読み出し行のフォトダイオード1の信号電荷がFDへ一括で転送される。FDへの信号電荷の転送が終了した後、光信号読み出し行の一括PDリセットパルスφALL_PR(even)およびノイズ信号読み出し行の一括PDリセットパルスφALL_PR(odd)をHighにすることにより、PDのリセットが行われる。
Subsequently, by setting the transfer pulses (φALL_TX) of all the rows to High, the signal charges of the
さらに、時系列的に1行目から、行選択パルスφSEL(図示せず)により選択された行の画素信号が信号出力線6に出力される。ノイズ信号読み出し行の画素100から信号出力線6に出力された画素信号(VN’(1)、VN’(3)、・・・)は、ノイズ信号転送ゲート8bを介してラインメモリ11に書き込まれる。また、光信号読み出し行の画素100から信号出力線6に出力された画素信号(VS’(2)、VS’(4)、・・・)は、光信号転送ゲート8aを介して、ノイズ読み出し行の画素信号が書き込まれた領域とは別の領域のラインメモリ11に書き込まれる。
Further, the pixel signal of the row selected by the row selection pulse φSEL (not shown) is output to the signal output line 6 from the first row in time series. Pixel signals (VN ′ (1), VN ′ (3),...) Output from the
続いて、水平走査回路12は、光信号読み出し行とノイズ信号読み出し行のそれぞれの画素信号をラインメモリ11から読み出す。差動アンプ13は、光信号読み出し行の画素信号とノイズ信号読み出し行の画素信号との差分をとった差分信号(VS’(2)−VN’(1)、VS’(4)−VN’(3)、・・・)を出力する。この差分信号は、AD変換回路14によりデジタル信号に変換される。また、リセットフレームの読み出し動作時にフレームメモリ15に記憶された差分信号がフレームメモリ15から読み出される。
Subsequently, the
続いて、差分処理回路16は、AD変換回路14から出力された差分信号(VS’(2)−VN’(1)、VS’(4)−VN’(3)、・・・)と、フレームメモリ15から読み出された差分信号(VS(2)−VN(1)、VS(4)−VN(3)、・・・)との差分をとり、1フレーム分の画像信号を出力する。1フレーム分の画像信号が生成されると、ビデオフレームの読み出し動作が終了する。
Subsequently, the
このような動作により、ビデオフレームの読み出し動作時に光信号読み出し行の画素100から読み出される画素信号(VS’(even))には、以下の信号が含まれる。
・蓄積時間中にフォトダイオード1で発生した信号電荷に基づく光信号(この説明ではVPとする)
・ノイズ信号であるFDリーク(この説明ではVSFDリークとする)
・FDに光が当たることにより発生する信号(この説明ではVS外光とする)
・画素毎のオフセットばらつき成分である画素固定パターン雑音(この説明ではVSFPNとする)
・FDをリセットすることにより発生するKTC雑音(この説明ではVSKTCとする)
With such an operation, the pixel signal (VS ′ (even)) read from the
An optical signal based on signal charges generated in the
FD leak that is a noise signal (in this description, it is referred to as VSFD leak)
A signal generated when light hits the FD (in this description, it is VS outside light)
Pixel fixed pattern noise that is an offset variation component for each pixel (in this description, VSFPN)
-KTC noise generated by resetting FD (in this description, VSKTC)
同様に、ビデオフレームの読み出し動作時にノイズ信号読み出し行の画素100から読み出される画素信号(VN’(odd))には、以下の信号が含まれる。
・ノイズ信号であるFDリーク(この説明ではVNFDリークとする)
・FDに光が当たることにより発生する信号(この説明ではVN外光とする)
・画素毎のオフセットばらつき成分である画素固定パターン雑音(この説明ではVNFPNとする)
・FDをリセットすることにより発生するKTC雑音(この説明ではVNKTCとする)
Similarly, the pixel signal (VN ′ (odd)) read from the
FD leak that is a noise signal (in this description, it is referred to as VNFD leak)
A signal generated when light hits the FD (in this description, it is assumed to be VN outside light)
Pixel fixed pattern noise that is an offset variation component for each pixel (in this description, VNFPN)
-KTC noise generated by resetting FD (in this description, VNKTC)
一方、リセットフレームの読み出し動作時に光信号読み出し行の画素100から読み出される画素信号(VS’(even))には、以下の信号が含まれる。
・画素毎のオフセットばらつき成分である画素固定パターン雑音(この説明ではVSFPNとする)
・FDをリセットすることにより発生するKTC雑音(この説明ではVSKTCとする)
On the other hand, the pixel signal (VS ′ (even)) read from the
Pixel fixed pattern noise that is an offset variation component for each pixel (in this description, VSFPN)
-KTC noise generated by resetting FD (in this description, VSKTC)
同様に、リセットフレームの読み出し動作時にノイズ信号読み出し行の画素100から読み出される画素信号(VN’(odd))には、以下の信号が含まれる。
・画素毎のオフセットばらつき成分である画素固定パターン雑音(この説明ではVNFPNとする)
・FDをリセットすることにより発生するKTC雑音(この説明ではVNKTCとする)
Similarly, the pixel signal (VN ′ (odd)) read from the
Pixel fixed pattern noise that is an offset variation component for each pixel (in this description, VNFPN)
-KTC noise generated by resetting FD (in this description, VNKTC)
よって、ビデオフレームの読み出し動作時に光信号読み出し行の画素100から読み出される画素信号をVS’(even)として文字式で表すと、(1)式となる。
VS’(even)=VP+VSFDリーク+VS外光+VSFPN+VSKTC ・・・(1)
Therefore, when the pixel signal read from the
VS ′ (even) = VP + VSFD leak + VS outside light + VSFPN + VSKTC (1)
また、ビデオフレームの読み出し動作時にノイズ信号読み出し行の画素100から読み出される画素信号をVN’(odd)として文字式で表すと、(2)式となる。
VN’(odd)=VNFDリーク+VN外光+VNFPN+VNKTC ・・・(2)
Further, when the pixel signal read from the
VN ′ (odd) = VNFD leak + VN external light + VNFPN + VNKTC (2)
また、リセットフレームの読み出し動作時に光信号読み出し行の画素100から読み出される画素信号をVS(even)として文字式で表すと、(3)式となる。
VS(even)=VSFPN+VSKTC ・・・(3)
Further, when the pixel signal read from the
VS (even) = VSPFN + VSKTC (3)
また、リセットフレームの読み出し動作時にノイズ信号読み出し行の画素100から読み出される画素信号をVN(odd)として文字式で表すと、(4)式となる。
VN(odd)=VNFPN+VNKTC ・・・(4)
Further, when the pixel signal read from the
VN (odd) = VNFPN + VNKTC (4)
図3は、画素信号の差分をとる概念を示している。図3では、差動アンプ13により行われる差分処理が差分処理300,301で表され、差分処理回路16により行われる差分処理が差分処理302で表されている。
FIG. 3 shows the concept of taking the difference between pixel signals. In FIG. 3, the difference processing performed by the
リセットフレームの読み出し動作時に光信号読み出し行の画素100から読み出される画素信号VS(even)と、ノイズ信号読み出し行の画素100から読み出される画素信号VN(odd)との差分を文字式で表すと、(5)式となる。
VS(even)−VN(odd)
=VSFPN+VSKTC−(VNFPN+VNKTC)
=VSFPN+VSKTC−VNFPN−VNKTC ・・・(5)
When the difference between the pixel signal VS (even) read from the
VS (even)-VN (odd)
= VSPFN + VSKTC- (VNFPN + VNKTC)
= VSPFN + VSKTC-VNFPN-VNKTC (5)
また、ビデオフレームの読み出し動作時に光信号読み出し行の画素100から読み出される画素信号VS’(even)と、ノイズ信号読み出し行の画素100から読み出される画素信号VN’(odd)との差分を文字式で表すと、(6)式となる。
VS’(even)−VN’(odd)
=VP+VSFDリーク+VS外光+VSFPN+VSKTC−(VNFDリーク+VN外光+VNFPN+VNKTC)
=VP+VSFDリーク+VS外光+VSFPN+VSKTC−VNFDリーク−VN外光−VNFPN−VNKTC ・・・(6)
Further, the difference between the pixel signal VS ′ (even) read from the
VS ′ (even) −VN ′ (odd)
= VP + VSFD leak + VS outside light + VSFPN + VSKTC- (VNFD leak + VN outside light + VNFPN + VNKTC)
= VP + VSFD leak + VS external light + VSFPN + VSKTC-VNFD leak-VN external light-VNFPN-VNKTC (6)
さらに、差分処理回路16により行われる差分処理の結果を文字式で表すと、(7)式となる。
VS’(even)−VN’(odd)−(VS(even)−VN(odd))
=VP+VSFDリーク+VS外光+VSFPN+VSKTC−VNFDリーク−VN外光−VNFPN−VNKTC−(VSFPN+VSKTC−VNFPN−VNKTC)
=VP+VSFDリーク+VS外光+VSFPN+VSKTC−VNFDリーク−VN外光−VNFPN−VNKTC−VSFPN−VSKTC+VNFPN+VNKTC
=VP+VSFDリーク+VS外光−VNFDリーク−VN外光 ・・・(7)
Furthermore, when the result of the difference processing performed by the
VS ′ (even) −VN ′ (odd) − (VS (even) −VN (odd))
= VP + VSFD leak + VS outside light + VSFPN + VSKTC−VNFD leak−VN outside light−VNFPN−VNKTC− (VSFPN + VSKTC−VNFPN−VNKTC)
= VP + VSFD leak + VS external light + VSFPN + VSKTC−VNFD leak−VN external light−VNFPN−VNKTC−VSFPN−VSKTC + VNFPN + VNKTC
= VP + VSFD leak + VS external light−VNFD leak−VN external light (7)
本実施形態では、光信号読み出し行とノイズ信号読み出し行は偶数行と奇数行であり、隣接している。これにより、FDに光が当たることによって発生する電荷はほぼ等しいと考えられることから、VS外光≒VN外光となる。 In this embodiment, the optical signal readout row and the noise signal readout row are an even row and an odd row and are adjacent to each other. As a result, it is considered that the charges generated by the light hitting the FD are substantially equal, so that VS outside light≈VN outside light.
一方、FDの暗電流成分であるFDリークについては、以下のようになる。画素信号の読み出しは、1行目から最終行目に向かって順次行われ、隣接している2つの行ではFDの保持時間がほぼ等しいため、FDリークはある程度等しいと考えられることから、VSFDリーク≒VNFDリークとなる。 On the other hand, the FD leakage that is the dark current component of the FD is as follows. Since pixel signals are read out sequentially from the first row to the last row and the FD retention time is approximately equal in two adjacent rows, the FD leak is considered to be somewhat equal. ≒ VNFD leak.
よって、(7)式のように差分をとることで、(8)式のようになり、良好な信号を得ることができる。ここではFDリークの差分をVFDリークばらつきと定義する。
VS’(even)−VN’(odd)−(VS(even)−VN(odd))
=VP+VSFDリーク+VS外光−VNFDリーク−VN外光
=VP+(VFDリークばらつき) ・・・(8)
Therefore, by taking the difference as shown in equation (7), it becomes as shown in equation (8), and a good signal can be obtained. Here, the difference in FD leak is defined as VFD leak variation.
VS ′ (even) −VN ′ (odd) − (VS (even) −VN (odd))
= VP + VSFD leak + VS external light−VNFD leak−VN external light = VP + (VFD leak variation) (8)
なお、図2において、蓄積時間の経過後、ノイズ信号読み出し行において一括PDリセットパルスφALL_PR(odd)がLowとなり、フォトダイオード1のリセットが解除されている。この理由は、フォトダイオード1をリセットしたままだと、転送パルスφALL_TXがHighになったときにノイズ信号読み出し行のFDが、転送スイッチ2およびPDリセットスイッチ9を介してリセットされ、光信号読み出し行とノイズ信号読み出し行との間でVS外光、KTCノイズ、FDリークが異なるものになってしまうからである。
In FIG. 2, after the accumulation time has elapsed, the collective PD reset pulse φALL_PR (odd) becomes Low in the noise signal readout row, and the reset of the
上述したように、本実施形態によれば、蓄積時間中のノイズ信号読み出し行およびビデオフレーム読み出し期間中の全ての行のフォトダイオード1が常時リセット状態となっているため、フォトダイオード1に光が当たることによって発生する電荷がFDにまわりこむことによって発生する電荷(PD外光)が発生しない。また、高速撮像時においてもビデオフレームとリセットフレームの差分処理を行うことで、画素毎のばらつき成分である固定パターン雑音や、FDをリセットすることによって発生するKTC雑音がキャンセルされる。さらに、隣接するノイズ信号読み出し行と光信号読み出し行におけるFD外光およびFDリークがほぼ等しいことから、ビデオフレームとリセットフレームの差分処理を行うことで、FD外光およびFDリークが低減される。
As described above, according to the present embodiment, since the
したがって、FDリーク、FD外光、PD外光の影響をキャンセルしシェーディングを無くすとともに、ノイズ(雑音)成分を低減したS/Nの高い画像信号を得ることができる。また、より高精度なストロボ調光を行うことができる。より効果を高めるためには、第1の行群に属する1または複数の行と、第2の行群に属する1または複数の行とを交互に配列し、行毎のFDのリセットおよび画素信号の読み出しが、所定領域を構成する第1の行から第2の行に向かって一方向に順次行われることが望ましい。 Accordingly, it is possible to obtain an image signal having a high S / N with a reduced noise component while canceling the influence of FD leakage, FD outside light, and PD outside light, eliminating shading. In addition, more accurate strobe light control can be performed. In order to enhance the effect, one or more rows belonging to the first row group and one or more rows belonging to the second row group are alternately arranged, and FD reset and pixel signal for each row Is preferably sequentially performed in one direction from the first row to the second row constituting the predetermined area.
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態を説明する。図4は、本実施形態による固体撮像装置の構成を示している。図4に示す構成のうち図1に示した構成と同一の構成については同一の符号を付与し、説明を省略する。図4に示す固体撮像装置は、図1に示した固体撮像装置に対して、フレームメモリ17と差分処理回路18を加えたものである。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 shows the configuration of the solid-state imaging device according to the present embodiment. 4 that are the same as those shown in FIG. 1 are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted. The solid-state imaging device shown in FIG. 4 is obtained by adding a
フレームメモリ17は、差分処理回路16から出力されたフレームの画像信号を一時記憶する。フレームメモリ17はフレームメモリ15と同一でもよい。差分処理回路18は、フレームメモリ17に記憶された画像信号と、差分処理回路16から出力された画像信号との差分をとった1フレーム分の差分画像信号を出力する。
The
次に、本実施形態による固体撮像装置の動作を説明する。図5は、垂直走査回路10が出力する駆動パルスの波形を示している。図5に示す動作において、図2に示す動作との相違点は、第1のリセットフレームの読み出し動作と第2のリセットフレームの読み出し動作との2回のリセットフレームの読み出し動作を行っている点、第1のビデオフレームの読み出し動作と第2のビデオフレームの読み出し動作との2回のビデオフレームの読み出し動作を行っている点、第1のリセットフレームと第1のビデオフレームとの間にストロボを発光させ、第2のリセットフレームと第2のビデオフレームとの間にはストロボを発光させていない点、第1のビデオフレームと第1のリセットフレームとの差分による画像信号と、第2のビデオフレームと第2のリセットフレームとの差分による画像信号との差分処理を行っている点である。ここで、第1のビデオフレームの蓄積時間と、第2のビデオフレームの蓄積時間は等しいものとする。
Next, the operation of the solid-state imaging device according to the present embodiment will be described. FIG. 5 shows the waveform of the drive pulse output from the
まず、全画素100のフォトダイオード1が一括でリセットされ、さらに時系列的に1行目から順次FDのリセットが行われ、行選択パルスφSEL(図示せず)により選択された行の画素信号が信号出力線6に出力される。ノイズ信号読み出し行の画素100から信号出力線6に出力された画素信号(VN1(1)、VN1(3)、・・・)は、ノイズ信号転送ゲート8bを介してラインメモリ11に書き込まれる。また、光信号読み出し行の画素100から信号出力線6に出力された画素信号(VS1(2)、VS1(4)、・・・)は、光信号転送ゲート8aを介して、ノイズ読み出し行の画素信号が書き込まれた領域とは別の領域のラインメモリ11に書き込まれる。
First, the
続いて、水平走査回路12によって、光信号読み出し行とノイズ信号読み出し行のそれぞれの画素信号がラインメモリ11から読み出され、差動アンプ13によって、光信号読み出し行の画素信号とノイズ信号読み出し行の画素信号との差分をとった差分信号(VS1(2)−VN1(1)、VS1(4)−VN1(3)、・・・)が生成される。この差分信号は、行毎にAD変換回路14によりデジタル信号に変換され、フレームメモリ15に記憶される。全行の画素信号がラインメモリ11から読み出され、差分信号が生成されると、第1のリセットフレームの読み出し動作が終了する。
Subsequently, the
続いて、信号の蓄積時間が開始され、蓄積時間中にストロボによる発光が行われる。蓄積時間が終了した後、光信号読み出し行およびノイズ信号読み出し行のフォトダイオード1の信号電荷がFDへ一括で転送される。さらに、行選択パルスφSEL(図示せず)により選択された行の画素信号が信号出力線6に出力される。ノイズ信号読み出し行の画素100から信号出力線6に出力された画素信号(VN1’(1)、VN1’(3)、・・・)は、ノイズ信号転送ゲート8bを介してラインメモリ11に書き込まれる。また、光信号読み出し行の画素100から信号出力線6に出力された画素信号(VS1’(2)、VS1’(4)、・・・)は、光信号転送ゲート8aを介して、ノイズ読み出し行の画素信号が書き込まれた領域とは別の領域のラインメモリ11に書き込まれる。
Subsequently, a signal accumulation time is started, and light emission by a strobe is performed during the accumulation time. After the accumulation time is over, the signal charges of the
続いて、水平走査回路12によって、光信号読み出し行とノイズ信号読み出し行のそれぞれの画素信号がラインメモリ11から読み出され、差動アンプ13によって、光信号読み出し行の画素信号とノイズ信号読み出し行の画素信号との差分をとった差分信号(VS1’(2)−VN1’(1)、VS1’(4)−VN1’(3)、・・・)が生成される。この差分信号は、AD変換回路14によりデジタル信号に変換される。また、第1のリセットフレームの読み出し動作時にフレームメモリ15に記憶された差分信号がフレームメモリ15から読み出される。
Subsequently, the
続いて、差分処理回路16は、AD変換回路14から出力された差分信号(VS1’(2)−VN1’(1)、VS1’(4)−VN1’(3)、・・・)と、フレームメモリ15から読み出された差分信号(VS1(2)−VN1(1)、VS1(4)−VN1(3)、・・・)との差分をとり、1フレーム分の画像信号を出力する。この画像信号はフレームメモリ17に書き込まれる。1フレーム分の画像信号が生成されると、第1のビデオフレームの読み出し動作が終了する。
Subsequently, the
続いて、第2のリセットフレームの読み出し動作が行われ、第1のリセットフレームの読み出し動作と同様に、ノイズ信号読み出し行の画素100から信号出力線6に出力された画素信号(VN2(1)、VN2(3)、・・・)と、光信号読み出し行の画素100から信号出力線6に出力された画素信号(VS2(2)、VS2(4)、・・・)とがラインメモリ11に書き込まれる。
Subsequently, the readout operation of the second reset frame is performed, and the pixel signal (VN2 (1)) output from the
続いて、信号の蓄積時間が開始される。この蓄積時間中にストロボによる発光は行われない。 Subsequently, a signal accumulation time is started. During this accumulation time, no flash is emitted.
続いて、第2のビデオフレームの読み出し動作が行われ、第1のビデオフレームの読み出し動作と同様に、ノイズ信号読み出し行の画素100から信号出力線6に出力された画素信号(VN2’(1)、VN2’(3)、・・・)と、光信号読み出し行の画素100から信号出力線6に出力された画素信号(VS2’(2)、VS2’(4)、・・・)とがラインメモリ11に書き込まれる。
Subsequently, a read operation of the second video frame is performed, and similarly to the read operation of the first video frame, the pixel signal (VN2 ′ (1) output from the
続いて、水平走査回路12によって、光信号読み出し行とノイズ信号読み出し行のそれぞれの画素信号がラインメモリ11から読み出され、差動アンプ13によって、光信号読み出し行の画素信号とノイズ信号読み出し行の画素信号との差分をとった差分信号(VS1’(2)−VN1’(1)、VS1’(4)−VN1’(3)、・・・)が生成される。この差分信号は、AD変換回路14によりデジタル信号に変換される。また、第2のリセットフレームの読み出し動作時にフレームメモリ15に記憶された差分信号がフレームメモリ15から読み出される。
Subsequently, the
続いて、差分処理回路16は、AD変換回路14から出力された差分信号(VS2’(2)−VN2’(1)、VS2’(4)−VN2’(3)、・・・)と、フレームメモリ15から読み出された差分信号(VS2(2)−VN2(1)、VS2(4)−VN2(3)、・・・)との差分をとり、1フレーム分の画像信号を出力する。また、第1のビデオフレームの読み出し動作時にフレームメモリ17に記憶された画像信号がフレームメモリ17から読み出される。差分処理回路18は、差分処理回路16から出力された画像信号と、フレームメモリ17から読み出された画像信号との差分をとり、差分画像信号を出力する。
Subsequently, the
図6は、画素信号の差分をとる概念を示している。図6では、差動アンプ13により行われる差分処理が差分処理600,601,602,603で表され、差分処理回路16により行われる差分処理が差分処理604,605で表され、差分処理回路18により行われる差分処理が差分処理606で表されている。
FIG. 6 shows a concept of taking a difference between pixel signals. In FIG. 6, the difference processing performed by the
第1の実施形態と同様に、第1のビデオフレームの読み出し動作で得られた差分信号と第1のリセットフレームの読み出し動作で得られた差分信号との差分処理を文字式で表すと、(9)式となる。
VS1’(even)−VN1’(odd)−(VS1(even)−VN1(odd))
=VP1+VSFDリーク1+VS外光1+VSFPN1+VSKTC1−VNFDリーク1−VN外光1−VNFPN1−VNKTC1−(VSFPN1+VSKTC1−VNFPN1−VNKTC1)
=VP1+VSFDリーク1+VS外光1+VSFPN1+VSKTC1−VNFDリーク1−VN外光1−VNFPN1−VNKTC1−VSFPN1−VSKTC1+VNFPN1+VNKTC1
=VP1+VSFDリーク1+VS外光1−VNFDリーク1−VN外光1 ・・・(9)
Similarly to the first embodiment, when the difference processing between the difference signal obtained by the first video frame reading operation and the difference signal obtained by the first reset frame reading operation is represented by a character expression, ( 9).
VS1 ′ (even) −VN1 ′ (odd) − (VS1 (even) −VN1 (odd))
= VP1 +
= VP1 +
= VP1 +
また、第2のビデオフレームの読み出し動作で得られた差分信号と第2のリセットフレームの読み出し動作で得られた差分信号との差分処理を文字式で表すと、(10)式となる。
VS2’(even)−VN2’(odd)−(VS2(even)−VN2(odd))
=VP2+VSFDリーク2+VS外光2+VSFPN2+VSKTC2−VNFDリーク2−VN外光2−VNFPN2−VNKTC2−(VSFPN2+VSKTC2−VNFPN2−VNKTC2)
=VP2+VSFDリーク2+VS外光2+VSFPN2+VSKTC2−VNFDリーク2−VN外光2−VNFPN2−VNKTC2−VSFPN2−VSKTC2+VNFPN2+VNKTC2
=VP2+VSFDリーク2+VS外光2−VNFDリーク2−VN外光2 ・・・(10)
Further, when the difference process between the difference signal obtained by the second video frame reading operation and the difference signal obtained by the second reset frame reading operation is represented by a character expression, the expression (10) is obtained.
VS2 ′ (even) −VN2 ′ (odd) − (VS2 (even) −VN2 (odd))
= VP2 +
= VP2 +
= VP2 +
よって、(9)式と(10)式の差分をとることで得られる出力は(11)式となる。
出力
=VS2’(even)−VN2’(odd)−(VS2(even)−VN2(odd))−VS1’(even)−VN1’(odd)−(VS1(even)−VN1(odd))
=VP1+VSFDリーク1+VS外光1−VNFDリーク1−VN外光1−(VP2+VSFDリーク2+VS外光2−VNFDリーク2−VN外光2)
=VP1+VSFDリーク1+VS外光1−VNFDリーク1−VN外光1−VP2−VSFDリーク2−VS外光2+VNFDリーク2+VN外光2 ・・・(11)
Therefore, the output obtained by taking the difference between Equation (9) and Equation (10) is Equation (11).
Output = VS2 ′ (even) −VN2 ′ (odd) − (VS2 (even) −VN2 (odd)) − VS1 ′ (even) −VN1 ′ (odd) − (VS1 (even) −VN1 (odd))
= VP1 +
= VP1 +
第1の実施形態と同様に、光信号読み出し行とノイズ信号読み出し行は偶数行と奇数行であり、隣接している。これにより、FDに光が当たることによって発生する電荷はほぼ等しいと考えられることから、VS外光1≒VN外光1、VS外光2≒VN外光2となる。
As in the first embodiment, the optical signal readout row and the noise signal readout row are an even row and an odd row, and are adjacent to each other. Accordingly, it is considered that the electric charges generated by the light hitting the FD are substantially equal, so that VS outside
また、第1のビデオフレームの蓄積時間と第2のビデオフレームの蓄積時間は等しく、第1のビデオフレームの読み出し期間と、第2のビデオフレームの読み出し期間は等しい。よって、VSFDリーク1=VSFDリーク2、VNFDリーク1=VNFDリーク2となる。
In addition, the accumulation time of the first video frame is equal to the accumulation time of the second video frame, and the reading period of the first video frame is equal to the reading period of the second video frame. Therefore,
また、第1のビデオフレームの蓄積時間中にフォトダイオード1で発生した信号電荷に基づく光信号であるVP1には、ストロボ光による信号成分(以後VPSと呼ぶ)と、外光による信号成分(以後VE1と呼ぶ)とが含まれる。また、第2のビデオフレームの蓄積時間中にフォトダイオード1で発生した信号電荷に基づく光信号であるVP2には、第1のビデオフレームの蓄積時間と同一の蓄積時間の外光による信号成分(以後VE2と呼ぶ)が含まれる。よって、(11)式の出力は、(12)式となる。
出力=VPS+VE1−VE2 ・・・(12)
In addition, a signal component due to strobe light (hereinafter referred to as VPS) and a signal component due to external light (hereinafter referred to as VPS) are included in VP1, which is an optical signal based on the signal charge generated in the
Output = VPS + VE1-VE2 (12)
ここで、第1のビデオフレームと第2のビデオフレームの蓄積時間は等しいことから、VE1≒VE2となる。よって、最終出力は、出力=VPSとなり、良好な信号を得ることができる。 Here, since the accumulation times of the first video frame and the second video frame are equal, VE1≈VE2. Therefore, the final output is output = VPS, and a good signal can be obtained.
上述したように、本実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、上記のように差分信号同士の差分をとることで、FDの暗電流成分であるFDリークをキャンセルできるとともに、ストロボ光以外の外光の影響をキャンセルできる。これにより、さらに高精度なストロボ調光を行うことができる。 As described above, according to this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Furthermore, by taking the difference between the differential signals as described above, it is possible to cancel the FD leak, which is the dark current component of the FD, and to cancel the influence of external light other than the strobe light. Thereby, it is possible to perform strobe light control with higher accuracy.
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態を説明する。本実施形態による固体撮像装置の構成は、図1または図4に示した構成と同様である。ただし、画素部200における画素100の配列は以下のようになっている。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described. The configuration of the solid-state imaging device according to the present embodiment is the same as the configuration shown in FIG. 1 or FIG. However, the arrangement of the
図7は、画素部200における画素100の配列の様子を示している。画素100の前面にはカラーフィルタが配列されており、図7はカラーフィルタの配列に着目して画素100の配列を示している。ある行に着目すると、Gr(Green)、R(Red)、Gr(Green)、R(Red)・・・と画素が交互に配列されており、隣接する行に着目すると、B(Blue)、Gb(Green)、B(Blue)、Gb(Green)・・・と画素が交互に配列されている。そして、2行周期でこの配列が繰り返される、所謂ベイヤー配列が構成されている。
FIG. 7 shows the arrangement of the
このような配列の場合、光信号読み出し行、ノイズ信号読み出し行を、偶数行、奇数行としてしまうと、差分処理の際に異なる色情報の信号を減算してしまうことになる。この場合、適切な画像処理が行えなくなってしまうため、本実施形態においては、2行毎に光信号読み出し行VS、ノイズ信号読み出し行VNを設定し、2行とばしで減算を行う。 In such an arrangement, if the optical signal readout row and the noise signal readout row are even rows and odd rows, signals of different color information are subtracted during the difference processing. In this case, since appropriate image processing cannot be performed, in this embodiment, an optical signal readout row VS and a noise signal readout row VN are set every two rows, and subtraction is performed every two rows.
具体的には、光信号読み出し行VS1から得られた画素信号とノイズ信号読み出し行VN1から得られた画素信号との減算を行い、光信号読み出し行VS2から得られた画素信号とノイズ信号読み出し行VN2から得られた画素信号との減算を行う。光信号読み出し行VS3,VS4およびノイズ信号読み出し行VN3,VN4についても同様に、同一の画素配列の行毎に画素信号の減算を行う。 Specifically, the pixel signal obtained from the optical signal readout row VS1 and the pixel signal obtained from the noise signal readout row VN1 are subtracted to obtain the pixel signal obtained from the optical signal readout row VS2 and the noise signal readout row. Subtraction with the pixel signal obtained from VN2. Similarly, for the optical signal readout rows VS3 and VS4 and the noise signal readout rows VN3 and VN4, pixel signals are subtracted for each row of the same pixel array.
以上のように構成することで、一般的なベイヤー配列を有する固体撮像装置においても、第1の実施形態および第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。 With the configuration described above, even in a solid-state imaging device having a general Bayer arrangement, the same effects as those in the first embodiment and the second embodiment can be obtained.
以上、図面を参照して本発明の実施形態について詳述してきたが、具体的な構成は上記の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。例えば、上記の各実施形態においては、光信号読み出し行から得られた画素信号と、ノイズ信号読み出し行から得られた画素信号との差分処理を、ラインメモリおよび後段の差動アンプを用いて行ったが、本発明の効果が得られるのであればこの構成である必要はない。また、列毎にA/D変換器を設ける所謂カラムパラレルADC方式を用いても同等の効果が得られるのはいうまでもない。 As described above, the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the drawings. However, the specific configuration is not limited to the above-described embodiments, and includes design changes and the like without departing from the gist of the present invention. . For example, in each of the above embodiments, the differential processing between the pixel signal obtained from the optical signal readout row and the pixel signal obtained from the noise signal readout row is performed using a line memory and a subsequent differential amplifier. However, this configuration is not necessary if the effects of the present invention can be obtained. Needless to say, the same effect can be obtained even by using a so-called column parallel ADC system in which an A / D converter is provided for each column.
1・・・フォトダイオード(光電変換部)、2・・・転送スイッチ(転送部)、3・・・FDリセットスイッチ(第2のリセット部)、4・・・画素アンプ(出力部)、5・・・選択スイッチ(選択部)、6・・・信号出力線、7・・・負荷電流源、8a・・・光信号転送ゲート、8b・・・ノイズ信号転送ゲート、9・・・PDリセットスイッチ(第1のリセット部)、10・・・垂直走査回路(制御部)、11・・・ラインメモリ、12・・・水平走査回路、13・・・差動アンプ(第1の差分処理部)、14・・・AD変換回路、15,17・・・フレームメモリ、16,18・・・差分処理回路(第2の差分処理部、第3の差分処理部)、100・・・画素、200・・・画素部
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記蓄積部がリセットされたときの前記画素信号を行毎に順次読み出す第1の読み出し動作において、前記第1の行群と前記第2の行群の前記光電変換部をリセットさせ、
前記光電変換部がリセットされた後、前記光電変換部に電荷を蓄積する蓄積時間中、前記第1の行群のみ前記光電変換部をリセットさせ、
前記第1の行群と前記第2の行群の前記光電変換部に蓄積された電荷を一括して前記蓄積部に転送する転送動作において、前記第1の行群と前記第2の行群の前記光電変換部のリセット動作を一時的に停止し、
前記転送動作により前記蓄積部に転送された電荷に基づく前記画素信号を行毎に順次読み出す第2の読み出し動作において、前記第1の行群と前記第2の行群の前記光電変換部をリセットさせる制御を行う制御部と、
前記第1の読み出し動作および前記第2の読み出し動作のそれぞれにおいて、前記第1の行群に属する行から得られた前記画素信号と前記第2の行群に属する行から得られた前記画素信号とを用いて差分処理を行い、一行分の信号を得る第1の差分処理部と、
前記第1の読み出し動作において前記第1の差分処理部で得られた信号と、前記第2の読み出し動作において前記第1の差分処理部で得られた信号とを用いて差分処理を行い、1フレーム分の画像信号を得る第2の差分処理部と、
を有することを特徴とする固体撮像装置。 A photoelectric conversion unit, a storage unit that stores charges generated in the photoelectric conversion unit, a transfer unit that transfers charges from the photoelectric conversion unit to the storage unit, and a first reset unit that resets the photoelectric conversion unit; A pixel having a second reset unit that resets the storage unit, an output unit that outputs the potential of the storage unit as a pixel signal, and a selection unit that selects the output unit that outputs the pixel signal. And a pixel portion that is two-dimensionally arranged in the column direction and in which the pixels belong to the first row group or the second row group in a row unit,
In the first readout operation of sequentially reading out the pixel signals for each row when the storage unit is reset, the photoelectric conversion units in the first row group and the second row group are reset,
After the photoelectric conversion unit is reset, during the accumulation time for accumulating charges in the photoelectric conversion unit, only the first row group is reset the photoelectric conversion unit,
In the transfer operation in which charges accumulated in the photoelectric conversion units of the first row group and the second row group are collectively transferred to the storage unit, the first row group and the second row group The reset operation of the photoelectric conversion unit is temporarily stopped,
In the second readout operation in which the pixel signals based on the charges transferred to the storage unit by the transfer operation are sequentially read out for each row, the photoelectric conversion units in the first row group and the second row group are reset. A control unit for performing control, and
In each of the first readout operation and the second readout operation, the pixel signal obtained from a row belonging to the first row group and the pixel signal obtained from a row belonging to the second row group A first difference processing unit that performs difference processing using and to obtain a signal for one row;
Difference processing is performed using the signal obtained by the first difference processing unit in the first read operation and the signal obtained by the first difference processing unit in the second read operation. A second difference processing unit for obtaining image signals for frames;
A solid-state imaging device.
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