JP2011187779A - モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は親基板へ実装時にはんだ付け状態を確認できる高周波モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、この課題を解決するために電子部品３で形成された回路に接続された接続端子１３と、電子部品３を覆う樹脂部４と、少なくともプリント基板１２の側面の一部と樹脂部４の表面上とに形成されたシールド金属膜１５と、プリント基板側面でシールド金属膜１５と接続されたグランドパターン１２ｃとを備え、接続端子１３はプリント基板１２の側面においてシールド金属膜１５の下方に配置され、シールド金属膜１５と接続端子１３との間には、接続端子１３とシールド金属膜１５との間を分離する段付部１６を設け、接続端子１３には、段付部１６の側面における下側周縁部に形成された凹部１７と、この凹部１７内に設けられた導電膜１８とを有したものである。これにより、プリント基板１２の側面にはんだのフィレットが形成できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品が樹脂に埋設され、その樹脂の天面と側面とがシールド金属膜で覆われたモジュールに関するものである。

以下、従来の高周波モジュール１について図面を用いて説明する。図１６は、従来の高周波モジュールの断面図である。図１６において、プリント基板２の上面には配線パターン２ａが形成され、下面には高周波モジュール１を親基板へ装着するための接続端子２ｂが形成されている。なおプリント基板２は多層基板であり、内層にはグランドパターン２ｃと信号パターン２ｄとが形成されている。そしてこのようなプリント基板２の配線パターン２ａ上に電子部品３が装着されることによって、プリント基板２上に高周波回路が形成される。ここで、接続端子２ｂは接続導体２ｆを介して高周波回路へと接続されている。

樹脂部４は、プリント基板２上に電子部品３を覆うように形成されている。ここで樹脂部４の側面と、プリント基板２の側面とは一直線（同一平面）となっている。そしてこの樹脂部４の全周と、プリント基板２の側面２ｅ全体を覆うようにシールド金属膜５が形成される。このシールド金属膜５は、プリント基板２の側面２ｅにおいてグランドパターン２ｃと接続されている。

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。

特開２００９−２１８２５８号公報

このような従来の高周波モジュール１では、高周波回路で発生する高周波信号をシールドするために、樹脂部４の全周とプリント基板２の側面２ｅの全面とがシールド金属膜５によって覆われる構成を有していた。

しかしながら従来の高周波モジュール１では、接続端子２ｂがプリント基板２の下面に形成されるので、この高周波モジュール１を親基板へはんだ付けした場合に、接続状態などを容易に検査できないという課題を有していた。

そこで本発明は、この問題を解決したもので、高周波回路で発生する高周波信号をシールドしつつ、高周波モジュールと親基板との間の接続状態を容易に確認できる高周波モジュールを提供することを目的としたものである。

この目的を達成するためにプリント基板の上面に装着された電子部品が樹脂部で覆われ、前記樹脂部の表面全体がシールド金属膜で覆われ、このシールド金属膜とグランドパターンとが接続されたモジュールにおいて、前記シールド金属膜は前記プリント基板の側面の一部を覆うとともに、この側面において前記シールド金属膜と前記グランドパターンとが接続され、接続端子は前記シールド金属の下方に配置され、前記シールド金属膜と前記接続端子との間には、前記接続端子と前記シールド金属膜との間を分離する段付部を設け、前記接続端子には、前記段付部の側面における下側周縁部に形成された凹部と、この凹部内に設けられた導電性部材とを設けたものである。これにより所期の目的を達成することができる。

以上のように本発明によれば、樹脂基材であるとともに多層のプリント基板と、このプリント基板の上面に装着された複数の電子部品と、これら電子部品によって形成された回路と、この回路に接続された接続端子と、前記プリント基板の上面において前記電子部品を覆う樹脂部と、少なくとも前記プリント基板の側面の一部と前記樹脂部の表面上とに形成されたシールド金属膜と、前記側面において前記シールド金属膜と接続されたグランドパターンとを備え、前記接続端子は前記シールド金属の下方に配置され、前記シールド金属膜と前記接続端子との間には、前記接続端子と前記シールド金属膜との間を分離する段付部を設け、前記接続端子には、前記段付部の側面における下側周縁部に形成された凹部と、この凹部内に設けられた導電性部材とを有したモジュールであり、これにより回路のシールド性を損なうことなく、接続端子のはんだ付け状態を容易に検査することができる高周波モジュールを実現できる。

（ａ）実施の形態１における高周波モジュールの断面図、（ｂ）同、側面図 同、要部拡大断面図 同、接続端子の拡大図 同、他の例におけるシールド用端子の要部拡大断面図 同、高周波モジュールの製造フローチャート 同、プリント基板の断面図 （ａ）実施の形態１における樹脂部形成工程での高周波モジュールの断面図、（ｂ）同、凹状スリット形成工程での高周波モジュールの断面図、（ｃ）同、切断工程での高周波モジュールの断面図、（ｄ）同、金属膜形成工程での高周波モジュールの断面図、（ｅ）同、露出部形成工程での高周波モジュールの断面図 同、高周波モジュールにおける第２の例の製造フローチャート （ａ）同、第２の例における金属膜形成工程での高周波モジュールの断面図、（ｂ）同、切断工程での高周波モジュールの断面図 （ａ）実施の形態２における高周波モジュールの断面図、（ｂ）同、側面図 同、高周波モジュールの製造フローチャート （ａ）同、切断工程での高周波モジュールの断面図、（ｂ）同、金属膜形成工程での高周波モジュールの断面図、（ｃ）同、露出部形成工程での高周波モジュールの断面図 （ａ）実施の形態３における高周波モジュールの側面図、（ｂ）同、下面図 （ａ）同、凹状スリット形成工程での高周波モジュールの上面図、（ｂ）同、断面図 （ａ）同、第３の例の高周波モジュールの側面図、（ｂ）同、下面図 従来の高周波モジュールの断面図

（実施の形態１）
以下、本実施の形態における高周波モジュール１１について図面を用いて説明する。図１（ａ）実施の形態１における高周波モジュールの断面図、（ｂ）同、側面図であり、図２は、同、要部拡大断面図である。なお、これら図１、図２において、従来の高周波モジュール１（図１６）と同じものには同じ番号を用い、その説明は簡略化している。

図１から図２において、プリント基板１２は、樹脂基材の多層基板であり、本実施の形態では４層基板を用いている。このプリント基板１２の上面には、配線パターン１２ａが形成され、下面には裏面グランド１２ｂが形成され、上から数えて第２番目の層にはグランドパターン１２ｃ、第３番目の層目には信号パターン１２ｄが形成されている。なお、本実施の形態におけるプリント基板１２は、４層基板であるが、これはさらに多層の基板を用いてもかまわない。

このプリント基板１２の上面には複数の電子部品３が装着され、これらの電子部品３によってプリント基板１２上にはたとえば電子チューナ（高周波回路の一例として用いた）などが形成される。具体的には、電子部品３は配線パターン１２ａ上にはんだ（図示せず）などの接続部材によって装着されることによって、チューナ回路（高周波回路）が構成される。

プリント基板１２の側面における下端部には複数個の接続端子１３とシールド用端子１４が形成されている。なおシールド用端子１４は親基板のグランドへと接続される。プリント基板１２の下面における周縁部には、これらの接続端子１３とプリント基板１２上に形成された回路（グランドも含む）との間を接続する接続パターン１３ａや、シールド用端子１４とグランドパターン１２ｃとの間を接続する接続パターン１４ａが形成される。そしてこれらの接続パターン１３ａや接続パターン１４ａは、内部導体１２ｅを介して、それぞれ高周波回路やグランドパターン１２ｃへと接続される。

本実施の形態において接続端子１３には、信号用端子１９の端子郡と、グランド端子２０、さらに電子チューナを動作させるために各回路へ電源を供給するための電源供給端子２１などを含んでいる。そして信号用端子１９には、アンテナで受信した高周波信号を電子チューナへ入力する信号入力端子、電子チューナでＩＦ信号へと変換された信号を出力する信号出力端子、電子チューナで希望のチャンネルの信号を受信するために電子チューナへＰＬＬデータを与えるためのＰＬＬ制御端子などが含まれる。これらの接続端子１３は接続パターン１３ａを介して電子チューナの各回路（高周波回路）へ接続されている。

一方、シールド用端子１４は、接続パターン１４ａを介してグランドパターン１２ｃへと接続されている。ここで、接続パターン１３ａや接続パターン１４ａは、プリント基板１２の内部に設けられた導体を介して、高周波回路（あるいは高周波回路のグランドなど）やグランドパターン１２ｃへとそれぞれに接続されている。

樹脂部４は、プリント基板１２の上面において、電子部品３を覆うように形成されている。この樹脂部４の全表面（上面と側面）は、シールド金属膜１５によって完全に覆われている。なお、本実施の形態では、シールド金属膜１５として、スパッタリングによる銅の薄膜が形成されている。このようにスパッタリングによって金属膜を形成しているので、非常に緻密な金属膜を形成できる。したがって、しっかりと電子チューナをシールドでき、電子チューナで発生する高周波ノイズが外部へ漏洩しにくくなる。また逆に外部のノイズが電子チューナの回路へ飛び込むことを防止できるので、妨害に強い電子チューナを実現できる。なお、本実施の形態では、スパッタリングによる薄膜を用いたが、これはめっきや蒸着、導体ペーストなどによる他の金属膜であっても構わない。

段付部１６は、プリント基板１２の側面に形成されている。本実施の形態において段付部１６は、プリント基板１２の側面より突出して形成されており、この段付部１６は、グランドパターン１２ｃの層と信号パターン１２ｄの層との間の高さの位置で突出する。これにより、プリント基板１２の側面において、段付部１６の上方には段付部１６の不形成部１２ｆが設けられ、下方には接続端子１３やシールド用端子１４が形成されることとなる。

ここでシールド金属膜１５は、不形成部１２ｆと段付部１６の上面とにも形成される。この構成により、接続端子１３（あるいはシールド用端子１４）は、プリント基板１２の側面において、シールド金属膜１５の下方に配置されることとなる。従って段付部１６は、接続端子１３（あるいはシールド用端子１４）とシールド金属膜との間に形成されることとなる。そして段付部１６の側面にプリント基板１２の基材が露出した露出部が形成されることによって、段付部１６は接続端子１３（あるいはシールド用端子１４）とシールド金属膜１５との間を分離することとなる。なお、本実施の形態において、段付部１６の不形成部１２ｆと樹脂部４の側面とは同一平面上（一直線）に並ぶように形成されている。

この構成によって、段付部１６はグランドパターン１２ｃよりも低い位置に形成されることとなる。そしてグランドパターン１２ｃは、プリント基板１２の側面端まで敷設されている。従って、不形成部１２ｆにおいて、グランドパターン１２ｃとシールド金属膜１５とは接続されることとなる。

次に接続端子１３、シールド用端子１４について詳細に説明する。接続端子１３、シールド用端子１４は、プリント基板１２の側面下側の周縁部に形成された凹部１７を有し、この凹部１７内には導電膜１８（導電性部材の一例として用いた）が形成されている。なお、本実施の形態における導電膜１８は、銅めっきによって膜を形成しているが、はんだ付けが可能な導体ペーストなどを凹部１７へ埋め込んでも構わない。また、これらの金属には、銅に限らずはんだ付けが可能な材料であれば他の金属であっても構わない。

以上のような構成により、接続端子１３、シールド用端子１４は高周波モジュール１１の側面の下端部に形成されることとなる。したがって、この高周波モジュール１１を親基板へ接続部材（たとえば、はんだなど）によって実装（はんだ付け）したとき、高周波モジュール１１の側面に接続部材（はんだ）のフィレットを形成させることが可能となる。したがって、このフィレットの形状や大きさなどにより、高周波モジュール１１と親基板との間の接続状態を容易に確認することができる。つまり、高周波モジュール１１と親基板との間の接続状態の確認が可能であるので、高周波モジュール１１と親基板との間は確実に接続できる。

また、高周波モジュール１１の側面にはんだなどのフィレットを形成させることができるので、高周波モジュール１１と親基板との間の接続強度を大きくできる。したがって、たとえ大きな振動や温度変化などに対し、さらにはそれらが長期間わたったとしても高周波モジュール１１と親基板との間の接続を長期間安定して維持することができる。

さらにグランドパターン１２ｃは内層に形成され、シールド用端子１４はグランドパターン１２ｃを介してシールド金属膜１５へと接続される。これによって、高周波回路は、シールド金属膜１５とグランドパターン１２ｃとに囲まれた構成となる。本実施の形態では、電子チューナ（高周波回路）が、プリント基板１２の表層に実装された電子部品３によってプリント基板１２上に形成される。そして樹脂部４の外周ならびにプリント基板１２の側面の不形成部１２ｆに形成されたシールド金属膜１５と、プリント基板１２の内層に設けられたグランドパターン１２ｃとが、この電子チューナの回路を囲む構成となる。そしてこのように構成された高周波モジュール１１を親基板（図示せず）へ搭載するとき、シールド用端子１４を親基板のグランドへと接続すれば、電子チューナの回路はグランド内に囲まれ、しっかりとシールドされることとなる。したがって、電子チューナへ入力される高周波信号や、各回路で発生、あるいは各回路を通過する高周波信号さらには各回路で発生する高周波ノイズ（発振器などの高調波など）は、高周波モジュール１１内で閉じ込められることとなり、それらが外部へ漏洩しにくくなる。また、逆に外部で生じた高周波ノイズ（例えばＣＰＵなどのクロックノイズなど）も高周波モジュール１１内部へ飛び込みにくくなり、妨害に対して強い高周波モジュール１１を実現できる。

ここで、プリント基板１２の下面に接続端子１３、シールド用端子１４を形成する必要がない。そこで本実施の形態では、プリント基板１２の下面中央部には、裏面グランド１２ｂを形成し、この裏面グランド１２ｂを接続端子１３と接続し、電子チューナ（高周波回路）のグランド（グランド端子）として用いている。この裏面グランド１２ｂはプリント基板１２の下面において周縁部を除く領域に広く形成することができるので、プリント基板１２の上面でのグランドからスールホールなどを介し最短距離でグランドへと接続させることができる（図示せず）。したがって、プリント基板１２表面のグランドと裏面グランド１２ｂとの間での不要なインダクタンス成分を小さくできるので、プリント基板１２の上面のグランドと裏面グランド１２ｂ（さらには親基板のグランド）との間での電位の差を小さくできるので、確実にグランドを取ることができる。

また、裏面グランド１２ｂが親基板と信号パターン１２ｄ間に挿入されるので、信号パターン１２ｄ（あるいは配線パターン１２ａ）と親基板との間で生じる浮遊容量も小さくでき、高周波信号の損失を小さくできる。さらに、このような高周波モジュール１１を親基板への装着した場合、信号パターン１２ｄ（あるいは配線パターン１２ａ）と親基板間での浮遊容量の変化は小さくなる。つまり、この浮遊容量の値は、高周波モジュール１１の下方での親基板の配線パターンの引き回しなどの影響を受けにくくなることとなる。したがって、高周波モジュール１１の下方での親基板の配線パターンの引き回しなどにかかわらず、親基板への装着の前後で、高周波モジュール１１の特性の変化を小さくできる。

なお、この裏面グランド１２ｂは、グランドパターン１２ｃ（シールド金属膜１５）と接続しても良い。この場合、信号パターン１２ｄがグランドパターン１２ｃと裏面グランド１２ｂとの間に囲まれた構造（いわゆるトリプレート構造）となる。したがって、高周波信号の損失をさらに小さくできるとともに、高周波信号やノイズの漏洩や外部からのノイズの飛び込みもさらに小さな高周波モジュール１１を得ることができる。またこの場合も、親基板との間での浮遊容量の値や浮遊容量の変化も小さくできる。

さらに、本実施の形態では、高周波回路のグランド端子２０とシールド用端子１４とは電気的に分離している。これは、シールド金属膜１５と高周波回路のグランドとが接続されると、外部で発生した高周波ノイズなどがシールド金属膜１５へ飛び込み、高周波回路のグランドを介して高周波回路へと侵入するためである。そこで、グランド端子２０とシールド用端子１４とを電気的に分離することにより、外部からの妨害が生じにくい電子チューナを実現できる。

図３は、本実施の形態における接続端子１３（あるいはシールド用端子１４）の拡大下面図である。図３において接続パターン１３ａ、接続パターン１４ａは、露出しており、親基板へ装着されたときに、接続端子１３（あるいはシールド用端子１４）と接続パターン１３ａ（あるいは接続パターン１４ａ）とにはんだが付着するので、親基板への接続強度をさらに大きくできる。なお、本実施の形態における接続パターン１３ａ（接続パターン１４ａ）には、プリント基板１２の周縁部に、接続パターン１３ａ（接続パターン１４ａ）のパターン不形成部２３が形成されている。これにより、プリント基板１２の外周端部での金属バリを発生しにくくできる。

さらに本実施の形態において凹部１７は、プリント基板１２の下面からプリント基板１２の上から第３番目の層（信号パターン１２ｄと同じ層）までを貫通するように設けられている。そして、接続端子１３やシールド用端子１４は、凹部１７内において、導電膜１８の下側が接続パターン１３ａ、接続パターン１４ａへとそれぞれに接続され、上側がプリント基板１２の第３層目における外周端に設けられた導体パターン２２へと接続されて形成される。これにより、プリント基板１２に熱収縮などが生じても、導電膜１８に亀裂などが生じにくくできる。

なお、本実施の形態では、４層基板であるので、凹部１７は上から第３層目までとしている。これは、グランドパターン１２ｃはプリント基板１２の側面においてシールド金属膜１５と接続するため、導体パターン２２はグランドパターン１２ｃよりも下方に位置された層であることが必要となるためである。つまり、さらに多層のプリント基板１２である場合でも、導体パターン２２はグランドパターン１２ｃよりも下方に配置される層であれば、いずれの層に形成されても良いこととなる。

図４は、本実施の形態における高周波モジュールの他の例におけるシールド用端子の要部拡大断面図である。なお、図４において、図１から図３と同じものには同じ番号を用い、その説明は簡略化している。図４において、シールド用端子１４の凹部１７は、グランドパターン１２ｃの層にまで到達させている。このとき導電膜１８の上側は、第３層目ではなく、グランドパターン１２ｃへと接続されることとなる。これにより、シールド用端子１４は、シールド金属膜１５へ直接に接続されることとなるので、たとえ不要な高周波ノイズがシールド金属膜１５へ飛び込んでも、それがプリント基板１２の内部を通過することなくシールド用端子１４へと流れる。したがって、さらに外来のノイズによる妨害の発生しにくい高周波モジュール１１を実現できる。

図５は、本実施の形態における高周波モジュールの製造フローチャートである。本実施の形態における高周波モジュール１１の製造方法について図５の順序に従い、図面を用いて説明する。図６は本実施の形態における高周波モジュールのプリント基板の断面図であり、図７（ａ）は同、樹脂部形成工程での高周波モジュールの断面図、（ｂ）は同、凹状スリット形成工程での高周波モジュールの断面図、（ｃ）は同、切断工程での高周波モジュールの断面図、（ｄ）は同、金属膜形成工程での高周波モジュールの断面図、（ｅ）は同、露出部形成工程での高周波モジュールの断面図である。なお、図５から図７（ｅ）において、図１から図３と同じものには同じ番号を用い、その説明は簡略化している。

図５、図６において、連結基板製造工程３１は、複数個のプリント基板１２が連結された連結基板３２を作成する工程である。この工程では銅箔、プリプレグ、コア基板などの材料３３などを準備し、これらを銅箔、プリプレグ、コア基板、プリプレグ、銅箔の順に積層し、熱圧着を行うことによって４層基板が作成される。なおこのとき各プリプレグにはビア孔が形成され、このビア孔内に導電性材料が埋め込まれることにより内部導体１２ｅが形成され、各層間が電気的に導通する。また、熱圧着によって一体化された連結基板３２表裏面の銅箔をエッチングして、所定の形状の配線パターンが形成される。

さらに、本実施の形態におけるプリント基板１２では、連結基板製造工程３１において、プリント基板１２の下面から第３番目の層のまでの深さのビア孔４１を形成し、導体パターン２２の一部を露出させる。そしてその状態で、無電解めっきなどを行うことによりビア孔４１内に導電膜１８が形成され、接続パターン１３ａや接続パターン１４ａと導体パターン２２との間が、導電膜１８によって接続されたプリント基板１２が完成する。

図５、図７（ａ）において実装工程３４では、連結基板３２（プリント基板１２）の配線パターン１２ａ上にクリーム状のはんだ３５（接続部材の一例）を塗布し、電子部品３を装着して、加熱することにより、プリント基板１２上に電子チューナの高周波回路を形成する。樹脂部形成工程３６は、実装工程３４の後で連結基板３２の上面に樹脂４ａを塗布し、電子部品３を覆うように樹脂部４を形成する工程である。なお、本実施の形態における樹脂部形成工程３６での樹脂４ａは、コンプレッションモールドによって塗布しているが、これはメタルマスクによる印刷工法などのような他の方法でもかまわない。

図５、図７（ｂ）において、凹状スリット形成工程３７は、樹脂部形成工程３６の後で樹脂部４の所定の位置に凹状のスリット５１を形成する工程である。このスリット５１は、プリント基板１２同士が連結された位置に加工される。このとき、スリット５１は、このスリット５１の底がグランドパターン１２ｃと導体パターン２２との間の高さとなるように加工される。これにより、グランドパターン１２ｃが樹脂部４の側面から露出することとなる。そしてこの凹状スリット形成工程３７によって、樹脂部４の側面と段付部１６の不形成部１２ｆと段付部１６の上面とが加工されるわけである。つまり、スリット５１の内側面が樹脂部４の側面と段付部１６の不形成部１２ｆをなし、スリット５１の底部が段付部１６の上面をなすこととなる。

図５、図７（ｃ）において切断工程３８は、凹状スリット形成工程３７の後でスリット５１とは異なる幅のダイシング歯などを用いて、連結基板３２からそれぞれのプリント基板１２を分離する。本実施の形態においては、スリット５１のスリット幅５２よりも狭い幅の切断しろ５３で加工する。これによって、プリント基板１２の下端部に段付部１６が形成されるとともに、ビア孔４１が分割され凹部１７（接続端子１３、シールド用端子１４）が形成されることとなる。

図５、図７（ｄ）において、金属膜形成工程３９は、切断工程３８の後で樹脂部４の全周囲（天面と４側面）とプリント基板１２側面とに銅による金属膜５４を形成する工程である。本実施の形態における金属膜形成工程３９はスパッタリングであり、金属膜５４としてスパッタ薄膜が形成される。なお、本実施の形態における金属膜形成工程３９では、スパッタによって金属膜５４を形成したが、これはめっきや蒸着などのような他の方法によって形成しても良い。

このとき、金属膜５４は、段付部１６の側面をも覆うこととなるので、この状態では接続端子１３とシールド金属膜１５とが短絡している。そこで、露出部形成工程４０において、段付部１６の側面を研磨して研磨面を形成し、段付部１６側面の金属膜５４を除去する。これによって、プリント基板１２の基材の露出部が形成された段付部１６が形成され、この段付部１６によって接続端子１３とシールド金属膜１５とが分離された高周波モジュール１１が完成する。

なお、このとき段付部１６は、シールド金属膜１５の側面側外面より突出させておくことが重要である。これは、露出部形成工程４０における研磨でシールド金属膜１５までを研磨しないようにするためである。これにより、露出部形成工程４０においてシールド金属膜１５が欠損することがなく、しっかりと高周波回路をシールドできる。

図８は、本実施の形態の高周波モジュール１１における製造フローチャートの他の例を示し、図９（ａ）は、第２の例における金属膜形成工程での高周波モジュールの断面図であり、図９（ｂ）は同、第２の例における切断工程での高周波モジュールの断面図である。なお、図８から図９（ｂ）において、図５から図７（ｅ）と同じものには同じ番号を用い、その説明は簡略化している。

図８に示すように、第２の例における製造方法において、連結基板製造工程３１から凹状スリット形成工程３７までの間の製造工程は、第１の例における製造方法と同じである。

図８において、この第２の例では、凹状スリット形成工程３７の後で、まず先に金属膜形成工程３９が行われる。このとき、図９（ａ）に示したように、第２の例における製造方法における金属膜形成工程３９では、スパッタリングによって樹脂部４の上面とスリット５１の内面とに金属膜５４が形成される。なおこの第２の例における金属膜形成工程３９では、プリント基板１２が連結状態のままであるので、金属膜５４と接続端子１３とが接続されることはない。

そして第２の例における製造方法では、図８に示すように、金属膜形成工程３９の後で切断工程３８が行われる。この切断工程３８によって、樹脂部４の周囲と段付部１６の上面とにシールド金属膜１５が残ることとなり、プリント基板１２の側面には切断面が形成される。これにより段付部１６の側面にはプリント基板１２の基材の露出部が形成され、この段付部１６によって接続端子１３とシールド金属膜１５とが分離された高周波モジュール１１が完成する。第２の例における製造方法では、プリント基板１２が連結された状態で生産されるので、非常に生産性の良好な高周波モジュール１１を実現できる。

（実施の形態２）
以下、本実施の形態における高周波モジュール６１について図面を用いて説明する。図１０（ａ）は、実施の形態２における高周波モジュールの断面図であり、図１０（ｂ）は同、側面図である。なお、図１０（ａ）、図１０（ｂ）において、図１（ａ）から図３と同じものには同じ番号を用いており、その説明は簡略化している。

図１０（ａ）、図１０（ｂ）において、本実施の形態における高周波モジュール６１は、実施の形態１における高周波モジュール１１に対し、段付部６２が樹脂部４の側面より凹んで形成された点が異なる。つまり凹部１７は、樹脂部４から凹んだ段付部６２の下端部に形成されることとなる。したがって、段付部６２においてプリント基板１２の基材の露出部が形成され、シールド金属膜１５と接続端子１３（あるいはシールド用端子１４）とが分離される。これにより、実施の形態１と同じく、高周波モジュール６１を親基板へはんだ付けしたときのはんだ付けの状態を容易に確認できる。

さらに、接続端子１３やシールド用端子１４は、プリント基板１２の側面より内方となる位置に配置されることとなる。したがって、高周波モジュール６１と親基板との間の接続は、高周波モジュール６１の外周より突出するはんだの寸法を小さくできる。これにより、高周波モジュール６１に近接して他の部品の実装などが可能となる。

また、本実施の形態においても、プリント基板１２の側面において段付部６２の上方には段付部６２の不形成部１２ｆが形成される。したがって、プリント基板１２の不形成部１２ｆはシールド金属膜１５で覆われることとなる。これにより実施の形態１と同じく、電子チューナの高周波回路は、グランドパターン１２ｃ、シールド金属膜１５によって囲まれるので、しっかりとシールドできる。これにより、高周波信号や高周波ノイズが外部へ漏洩しにくく、かつ外部より飛び込みしにくい高周波モジュール６１を実現できる。

図１１は、本実施の形態における高周波モジュールの製造フローチャートであり、図１２（ａ）は、本実施の形態における切断工程での高周波モジュールの断面図であり、図１２（ｂ）は同、金属膜形成工程での高周波モジュールの断面図であり、図１２（ｃ）は同、露出部形成工程での高周波モジュールの断面図である。これらの図において、図５から図７（ｅ）と同じものに関しては同じ番号を用い、その説明は簡略化している。

図１１に示すように、本実施の形態における高周波モジュール６１の製造方法は、連結基板製造工程３１から樹脂部形成工程３６までの間の製造工程は、実施の形態における各製造工程と同じである。図１１、図１２（ａ）において切断工程７１は、樹脂部形成工程３６の後で、樹脂部４と連結基板３２とを所定の位置で切断し、樹脂部４とプリント基板１２の側面が形成される。

図１１、図１２（ｂ）において本実施の形態における金属膜形成工程３９では、切断工程７１の後で樹脂部４の全周面とプリント基板１２側面とに金属膜５４を形成する。この状態では、金属膜５４によってシールド金属膜１５と接続端子１３（あるいはシールド用端子１４）とが接続されている。そこで切削工程７２では、図１１、図１２（ｃ）に示すように、金属膜形成工程３９の後で、不形成部１２ｆを残し、プリント基板１２の側面下端部を切削する。これにより、プリント基板１２の側面には、段付部１６の側面の金属膜５４が除去され、切削面が形成されることとなる。したがって、段付部１６の側面にはプリント基板１２の基材の露出部が形成され、この段付部１６によって接続端子１３とシールド金属膜１５とが分離された高周波モジュール１１が完成する。なお、この切削には、平面研削盤などによる研削やダイシング歯などによるダイシングなどを用いて加工される。

なお、本実施の形態では、樹脂部形成工程３６の後で切断工程７１を設けたが、これは実施の形態の第２の製造方法の例のように、凹状スリット形成工程３７を設け、その後に金属膜形成工程３９、切削工程７２の順で製造してもよい。なお、この場合切削工程７２では、スリット５１の幅よりも大きな幅で切削を行うことによって、凹部１７を加工すると同時に連結基板３２を分割する。そしてこの場合、プリント基板１２が連結された状態で生産されるので、非常に生産性の良好な高周波モジュール６１を実現できる。

（実施の形態３）
以下、本実施の形態における高周波モジュール８１について図面を用いて説明する。図１３（ａ）は、本実施の形態における高周波モジュールの側面図であり、図１３（ｂ）は同、下面図である。なお、これら図１３（ａ）、図１３（ｂ）において、図１から図３と同じものには、同じ番号を用いており、その説明は簡略化している。

実施の形態１や２における高周波モジュール１１、高周波モジュール６１では、プリント基板１２の側面の幅いっぱい（端から端まで）に段付部６２が形成されていた。しかし本実施の形態における高周波モジュール８１において、段付部８２はプリント基板１２の側面において下端部の一部だけに形成される。つまり、段付部８２の不形成部１２ｆは、段付部８２の上方だけでなく、段付部８２の横方向にも形成されることとなる。これにより、段付部８２の横方向における不形成部１２ｆでは、シールド金属膜１５がプリント基板１２の側面の下端まで延在して形成されることとなる。したがって、さらにしっかりとシールドができる。なお、この段付部８２は、段付部１６と同様にプリント基板１２側面（シールド金属膜１５の表面）から突出して形成されている。

そしてこのような構成とした場合、段付部８２の横方向の不形成部１２ｆにもシールド用端子１４を形成できる。具体的には、段付部８２の横方向の不形成部１２ｆにおいて、プリント基板１２の側面の下端部にも凹部１７が形成され、この凹部１７内に導電膜１８が形成されてシールド用端子１４が形成される。この場合、シールド用端子１４は、シールド金属膜１５と直接接続されるので、さらにシールド性の良好な高周波モジュール８１を実現できる。もちろん、シールド用端子１４はプリント基板１２側面の下端部に形成されるので、本高周波モジュール８１を親基板へ実装したときに、そのシールド用端子１４と親基板とのはんだ付けの状態を容易に検査できる。

また、プリント基板１２の側面の幅全体を不形成部１２ｆ｛図１３（ｂ）における縦側面｝とすることもできる。そしてこの場合に、プリント基板１２は幅全体でシールドできるので、さらにシールド性の良好な高周波モジュール８１を実現できる。

次に、本実施の形態における高周波モジュール８１の製造方法について、図面を用いて説明する。図１４（ａ）は、本実施の形態における凹状スリット形成工程での高周波モジュールの上面図であり、図１４（ｂ）は同、断面図である。図１４（ａ）、図１４（ｂ）において、図７と同じものについては、同じ番号を用い、その説明は簡略化している。

そして本実施の形態における高周波モジュール８１の製造方法は、実施の形態１における各製造方法（図５または図８）と基本的に同じ方法によって製造が可能である。ただし、本実施の形態では図１４（ａ）、図１４（ｂ）に示すように、凹状スリット形成工程３７において、段付部１６を形成する箇所８３には凹状のスリット５１を形成し、シールド金属膜１５をプリント基板１２側面の下端部まで形成させる箇所８４に関しては、樹脂部４から連結基板３２までを貫通する貫通スリット８５が形成される。

このような連結基板３２を用いて金属膜形成工程３９を行えば、貫通スリット８５の箇所８４に対しては、シールド金属膜１５がプリント基板１２の下端部にまで形成されることとなる。そしてこれによれば、実施の形態１の段付部１６と同様の効果を有する段付部８２が形成された高周波モジュール８１を得ることができる。

なお、本実施の形態においてシールド用端子１４は、プリント基板１２の側面において、段付部８２の横方向に形成された不形成部１２ｆや、段付部８２が形成されない側面に設けた。しかし、シールド用端子１４を段付部８２に設けてもかまわない。

図１５（ａ）は本実施の形態における第２の例の高周波モジュールの側面図であり、図１５（ｂ）は同、下面図である。この例の高周波モジュール９１における段付部９２は、第１の例と同じく、プリント基板１２の側面において下端部の一部だけに形成され、段付部８２の不形成部１２ｆは段付部８２の上方だけでなく、段付部８２の横方向にも形成されることとなる。さらに段付部９２は、実施の形態２における段付部６２と同様に、プリント基板１２側面（樹脂部４の側面）から凹んで形成されたものである。

この構成により、段付部９２においてプリント基板１２の基材の露出部が形成され、シールド金属膜１５と接続端子１３とが分離される。これにより、他の実施の形態と同じく、高周波モジュール９１を親基板へはんだ付けしたときのはんだ付けの状態を容易に確認できる。

また、接続端子１３は、プリント基板１２の側面より内方となる位置に配置されることとなる。したがって、高周波モジュール９１と親基板との間の接続は、高周波モジュール９１の外周より突出するはんだの寸法を小さくできる。これにより、高周波モジュール９１に近接して他の部品の実装などが可能となる。

そしてこの第２の例における高周波モジュール９１の製造方法は、実施の形態２における各製造方法と基本的に同じ工程によって製造が可能である。つまり、実施の形態２における第１の例の製造方法のように、プリント基板１２ごとに切断した後に、金属膜５４を形成し、その後で段付部８２を切削によって形成してもよい。また、本実施の形態における第１の例と同じく（図１４（ａ）、図１４（ｂ）に示す）、凹状スリット形成工程３７において、段付部９２を形成する箇所８３には凹状のスリット５１を形成し、シールド金属膜１５をプリント基板１２側面の下端部まで形成させる箇所８４に関しては、樹脂部４から連結基板３２までを貫通する貫通スリット８５が形成し、実施の形態２の第２の例のように凹状スリット形成工程３７の後で金属膜５４を形成し、その後に切削により段付部９２を形成する。

そしてこのような構成とした場合、段付部９２の横方向の不形成部１２ｆにもシールド用端子１４を形成できる。具体的には、段付部９２の横方向の不形成部１２ｆにおいて、プリント基板１２の側面の下端部にも凹部１７が形成され、この凹部１７内に導電膜１８が形成されてシールド用端子１４が形成される。この場合、シールド用端子１４は、シールド金属膜１５と直接接続されるので、さらにシールド性の良好な高周波モジュール９１を実現できる。もちろん、シールド用端子１４はプリント基板１２側面の下端部に形成されるので、本高周波モジュール９１を親基板へ実装したときに、そのシールド用端子１４と親基板とのはんだ付けの状態を容易に検査できる。

また、プリント基板１２の側面の幅全体を不形成部１２ｆ｛図１５（ｂ）における縦側面｝とすることもできる。そしてこの場合に、プリント基板１２は幅全体でシールドできるので、さらにシールド性の良好な高周波モジュール９１を実現できる。

なお、本実施の形態においてシールド用端子１４は、プリント基板１２の側面において、段付部９２の横方向に形成された不形成部１２ｆや、段付部９２が形成されない側面に設けた。しかし、シールド用端子１４を段付部９２に設けてもかまわない。

本発明にかかるモジュールは、親基板との接続状態を確認できるという効果を有し、特に接続信頼性を要求される車載用途の高周波モジュール等に用いると有用である。

３ 電子部品
４ 樹脂部
１２ プリント基板
１２ｃ グランドパターン
１３ 接続端子
１５ シールド金属膜
１６ 段付部
１７ 凹部
１８ 導電膜

Claims (10)

1. 樹脂基材であるとともに多層のプリント基板と、このプリント基板の上面に装着された複数の電子部品と、これら電子部品によって形成された回路と、この回路に接続された接続端子と、前記プリント基板の上面において前記電子部品を覆う樹脂部と、少なくとも前記プリント基板の側面の一部と前記樹脂部の表面上とに形成されたシールド金属膜と、前記側面において前記シールド金属膜と接続されたグランドパターンとを備え、前記接続端子は前記プリント基板の側面において前記シールド金属膜の下方に配置され、前記シールド金属膜と前記接続端子との間には、前記接続端子と前記シールド金属膜との間を分離する段付部を設け、前記接続端子には、前記段付部の側面における下側周縁部に形成された凹部と、この凹部内に設けられた導電性部材とを有したモジュール。
2. 段付部の側面には、プリント基板の基材が露出した露出部が形成された請求項１に記載のモジュール。
3. 段付部は、シールド金属膜の側面側外面より突出して形成された請求項２に記載のモジュール。
4. 段付部は、樹脂部の側面より凹んで形成された請求項２に記載のモジュール。
5. 露出部は、研磨、切断もしくは切削加工によって形成された請求項３または４に記載のモジュール。
6. シールド金属膜は、スパッタリング薄膜とした請求項５に記載のモジュール。
7. 段付部の側面には複数個の接続端子が形成され、前記接続端子には、回路の信号が供給された信号端子と、シールド金属膜と接続されたシールド用端子とを有した請求項６に記載のモジュール。
8. 接続端子には、前記回路のグランドに接続されたグランド端子を有し、前記シールド用端子と前記グランド端子とは電気的に分離された請求項７に記載の高周波モジュール。
9. 段付部はプリント基板の側面の一部に設けられ、前記段付部の横方向では前記段付部の不形成部が、プリント基板の側面の下端まで延在して形成され、前記不形成部にはシールド金属膜が形成された請求項６に記載のモジュール。
10. 不形成部の下端部には、シールド金属膜と接続されたシールド用端子を有し、前記グランド端子はプリント基板の側面に形成された凹部と、この凹部内に設けられた導電性部材とを有した請求項９に記載のモジュール。

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