JP2011166146A - Light-emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光ダイオードチップ及びその製造方法に関し、より詳細には、分布ブラッグ反射器を有する発光ダイオードチップ及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a light emitting diode chip and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a light emitting diode chip having a distributed Bragg reflector and a manufacturing method thereof.
青色波長の光または紫外線を発する窒化ガリウム系列の発光ダイオードチップは様々なものに応用されており、特に、バックライトユニットまたは一般照明器具などに求められる白色光などの混色された光を出射する多様な発光ダイオードパッケージが市販されている。 Gallium nitride series light emitting diode chips that emit blue wavelength light or ultraviolet light have been applied to various types, especially those that emit mixed light such as white light required for backlight units or general lighting fixtures. Various light emitting diode packages are commercially available.
発光ダイオードパッケージから出射される光は主に発光ダイオードチップの発光効率（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）に依存するため、発光ダイオードチップの発光効率を改善しようとする研究が続けられている。特に、発光ダイオードチップの光抽出効率（ｌｉｇｈｔ ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）を改善しようとする研究が続けられており、このような研究の一つとして、サファイアのような透明基板の下部面に金属反射器または分布ブラッグ反射器（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）を形成する技術が広く研究されている。 Since the light emitted from the light emitting diode package mainly depends on the light emission efficiency of the light emitting diode chip, research for improving the light emitting efficiency of the light emitting diode chip is continued. In particular, research for improving the light extraction efficiency of the light emitting diode chip has been continued. As one of such researches, a metal reflector or a distribution on a lower surface of a transparent substrate such as sapphire is used. A technique for forming a Bragg reflector is widely studied.
図１は従来のサファイア基板の下部面にアルミニウム層を形成して測定した反射率を示す。図１において、グラフ１０２はアルミニウム層が形成されていないサファイア基板の反射率を示し、グラフ１０４はアルミニウム層が下部面に形成されているサファイア基板の反射率を示す。 FIG. 1 shows the reflectance measured by forming an aluminum layer on the lower surface of a conventional sapphire substrate. In FIG. 1, a graph 102 shows the reflectance of a sapphire substrate on which an aluminum layer is not formed, and a graph 104 shows the reflectance of a sapphire substrate on which an aluminum layer is formed on the lower surface.
図１を参照すると、可視光領域の波長において、アルミニウム層を形成していないサファイア基板の場合は約２０％の反射率を示すが、アルミニウム層を形成した場合、約８０％の反射率を示すことが分かる。 Referring to FIG. 1, a sapphire substrate not formed with an aluminum layer shows a reflectance of about 20% at a wavelength in the visible light region, but shows a reflectance of about 80% when an aluminum layer is formed. I understand that.
図２は、従来のサファイア基板の下部面にＴｉＯ２／ＳｉＯ２を周期的に積層した分布ブラッグ反射器を形成して測定した反射率を示す。 FIG. 2 shows reflectivity measured by forming a distributed Bragg reflector in which TiO 2 / SiO 2 is periodically laminated on the lower surface of a conventional sapphire substrate.
アルミニウム層の代わりに、発光ダイオードチップから出射される例えば４６０ｎｍのピーク波長の光を反射する分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を設けた場合、図２に図示されるように、４００〜５００ｎｍの青色波長領域で反射率がほぼ１００％に至ることが分かる。 When a distributed Bragg reflector (DBR) that reflects light having a peak wavelength of, for example, 460 nm emitted from the light emitting diode chip is provided instead of the aluminum layer, a blue wavelength of 400 to 500 nm as illustrated in FIG. It can be seen that the reflectance reaches almost 100% in the region.
しかし、前記ＤＢＲは可視光線領域のうち一部の領域に対して反射率を高めることができるだけで、その他の領域での反射率は４００〜５００ｎｍの波長領域に比べて非常に低い。即ち、図２に示されるように、約５２０ｎｍ以上の波長に対しては反射率が急激に減少し、５５０ｎｍ以上では殆ど反射率が５０％未満となる。 However, the DBR can only increase the reflectance for some of the visible light region, and the reflectance in other regions is very low compared to the wavelength region of 400 to 500 nm. That is, as shown in FIG. 2, the reflectivity sharply decreases for wavelengths of about 520 nm or more, and the reflectivity is almost less than 50% at 550 nm or more.
従って、白色光を発するための発光ダイオードパッケージに、前記ＤＢＲを備えた発光ダイオードチップを実装する場合、発光ダイオードチップから出射された青色波長領域の光に対して前記ＤＢＲは高い反射率を示すが、緑色及び／または赤色波長領域の光に対しては前記ＤＢＲは効果的な反射特性を示さない。そのため、パッケージでの発光効率の改善に限界がある。 Accordingly, when a light emitting diode chip having the DBR is mounted on a light emitting diode package for emitting white light, the DBR exhibits high reflectance with respect to light in the blue wavelength region emitted from the light emitting diode chip. The DBR does not exhibit effective reflection characteristics for light in the green and / or red wavelength region. For this reason, there is a limit to improving the light emission efficiency in the package.
本発明は、白色光などの混色された光を発する発光ダイオードパッケージの発光効率を向上させる発光ダイオードチップ及びその製造方法を提供する。 The present invention provides a light emitting diode chip that improves the light emission efficiency of a light emitting diode package that emits mixed color light such as white light, and a method of manufacturing the same.
また、本発明は、広い波長領域に亘って高い反射率を有する分布ブラッグ反射器、及びそれを備えた発光ダイオードチップを提供することである。 Moreover, this invention is providing the distributed Bragg reflector which has a high reflectance over a wide wavelength range, and a light emitting diode chip provided with the same.
本発明の一実施形態によると、分布ブラッグ反射器を有する発光ダイオードチップが開示される。該発光ダイオードチップは、前面及び裏面を有する基板と、前記基板の前面上部に位置し第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間にはさまれた活性層を含む発光構造体と、前記基板の裏面上に位置し前記発光構造体から出射された光を反射する分布ブラッグ反射器（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）と、前記分布ブラッグ反射器の下部に位置する金属層とを含む。また、前記分布ブラッグ反射器は、青色波長領域の第１波長の光、緑色波長領域の第２波長の光及び赤色波長領域の第３波長の光に対して、９０％以上の反射率を有する。 According to one embodiment of the present invention, a light emitting diode chip having a distributed Bragg reflector is disclosed. The light-emitting diode chip includes a substrate having a front surface and a back surface, and a light-emitting structure including an active layer located between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer located on the front surface of the substrate. And a distributed Bragg reflector that is disposed on the back surface of the substrate and reflects the light emitted from the light emitting structure, and a metal layer located under the distributed Bragg reflector. Further, the distributed Bragg reflector has a reflectance of 90% or more with respect to the first wavelength light in the blue wavelength region, the second wavelength light in the green wavelength region, and the third wavelength light in the red wavelength region. .
前記金属層は反射金属層または保護層であってもよい。前記反射金属層または保護層は、前記発光ダイオードチップをパッケージに実装する際、前記分布ブラッグ反射器を保護する。さらに、前記反射金属層は、前記分布ブラッグ反射器を透過した光を反射させてもよく、特に、パッケージレベルで発光効率を向上させる。 The metal layer may be a reflective metal layer or a protective layer. The reflective metal layer or the protective layer protects the distributed Bragg reflector when the light emitting diode chip is mounted on a package. Further, the reflective metal layer may reflect the light transmitted through the distributed Bragg reflector, and in particular, improves the light emission efficiency at the package level.
さらに、前記基板の裏面は、表面粗さが３ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ以下、さらに好ましくは１ｎｍ以下のＲＭＳ値を有してもよい。前記表面粗さが減少するにつれて前記分布ブラッグ反射器の反射率が向上する。 Furthermore, the back surface of the substrate may have an RMS value with a surface roughness of 3 nm or less, preferably 2 nm or less, more preferably 1 nm or less. As the surface roughness decreases, the reflectivity of the distributed Bragg reflector improves.
また、前記分布ブラッグ反射器を前記発光ダイオードチップに備えることにより、例えば、白色光のような混色された光、青色光、緑色光及び赤色光を效果的に反射させることができ、発光ダイオードパッケージの発光効率を向上させることができる。 Further, by providing the light emitting diode chip with the distributed Bragg reflector, it is possible to effectively reflect mixed light such as white light, blue light, green light, and red light, and the light emitting diode package. The luminous efficiency of can be improved.
前記分布ブラッグ反射器は、前記基板の裏面に形成され、前記基板の裏面と接触させてもよい。 The distributed Bragg reflector may be formed on the back surface of the substrate and contact the back surface of the substrate.
また、前記基板は、その前面に所定のパターンを含んでもよい。例えば、前記基板は、パターニングされたサファイア基板であってもよい。 The substrate may include a predetermined pattern on the front surface. For example, the substrate may be a patterned sapphire substrate.
一方、前記基板は、その面積が９０，０００μｍ２以上であってもよい。例えば、前記基板面積は、３００×３００μｍ２以上、または１×１ｍｍ２以上であってもよい。比較的大きい面積を有する発光ダイオードチップにおいて分布ブラッグ反射器を広範囲にわたって形成することにより、本発明は効果的となる。 Meanwhile, the substrate may have an area of 90,000 μm 2 or more. For example, the substrate area may be 300 × 300 μm 2 or more, or 1 × 1 mm 2 or more. By forming a distributed Bragg reflector over a wide area in a light emitting diode chip having a relatively large area, the present invention is effective.
また、前記発光ダイオードチップは、前記基板の前面上部に複数の発光セルを含んでもよい。さらに、前記発光ダイオードチップは、前記複数の発光セルが直列に接続された少なくとも一つの発光セルアレイを含んでもよい。さらに、前記発光ダイオードチップは、互いに隣接する発光セルを直列に接続する配線をさらに含んでもよい。本発明の実施形態において、前記複数の発光セルは、傾斜した側面を有し、前記配線は、互いに隣接する発光セルのうち一つの発光セルの第１導電型半導体層の側面に接続してもよい。 The light emitting diode chip may include a plurality of light emitting cells on an upper front surface of the substrate. Furthermore, the light emitting diode chip may include at least one light emitting cell array in which the plurality of light emitting cells are connected in series. Further, the light emitting diode chip may further include a wiring for connecting adjacent light emitting cells in series. In an embodiment of the present invention, the plurality of light emitting cells have inclined side surfaces, and the wiring is connected to a side surface of the first conductive type semiconductor layer of one light emitting cell among the light emitting cells adjacent to each other. Good.
本発明の実施形態において、前記分布ブラッグ反射器は、第１分布ブラッグ反射器と、第２分布ブラッグ反射器とを含んでもよい。例えば、前記第１分布ブラッグ反射器は、青色波長領域の光に比べて緑色波長領域または赤色波長領域の光に対する反射率が高く、前記第２分布ブラッグ反射器は、緑色波長領域または赤色波長領域の光に比べて青色波長領域の光に対する反射率が高くてもよい。 In an embodiment of the present invention, the distributed Bragg reflector may include a first distributed Bragg reflector and a second distributed Bragg reflector. For example, the first distributed Bragg reflector has a higher reflectance with respect to light in the green wavelength region or the red wavelength region than light in the blue wavelength region, and the second distributed Bragg reflector has the green wavelength region or the red wavelength region. The reflectance with respect to light in the blue wavelength region may be higher than that of light.
また、前記第１分布ブラッグ反射器が前記第２分布ブラッグ反射器よりも前記基板の近くに位置してもよい。 The first distributed Bragg reflector may be positioned closer to the substrate than the second distributed Bragg reflector.
本発明の実施形態において、前記分布ブラッグ反射器は、第１光学的膜厚（ｏｐｔｉｃａｌ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）を有する第１材料層と第２光学的膜厚を有する第２材料層との対を複数個と、第３光学的膜厚を有する第３材料層と第４光学的膜厚を有する第４材料層との対を複数個含んでもよい。ここで、前記第１材料層の屈折率は、前記第２材料層の屈折率と異なっており、前記第３材料層の屈折率は、前記第４材料層の屈折率と異なっている。 In an embodiment of the present invention, the distributed Bragg reflector includes a plurality of pairs of a first material layer having a first optical thickness and a second material layer having a second optical thickness. A plurality of pairs of a third material layer having a third optical thickness and a fourth material layer having a fourth optical thickness may be included. Here, the refractive index of the first material layer is different from the refractive index of the second material layer, and the refractive index of the third material layer is different from the refractive index of the fourth material layer.
また、前記第１材料層及び第２材料層の複数個の対が前記第３材料層及び第４材料層の複数個の対に比べて前記発光構造体のより近くに位置してもよい。さらに、前記第１材料層と第２材料層とは、それぞれ前記第３材料層と第４材料層と同一の屈折率を有してもよい。また、前記第１光学的膜厚は、前記第３光学的膜厚に比べてより厚く、前記第２光学的膜厚は、前記第４光学的膜厚に比べてより厚くてもよい。 A plurality of pairs of the first material layer and the second material layer may be positioned closer to the light emitting structure than a plurality of pairs of the third material layer and the fourth material layer. Furthermore, the first material layer and the second material layer may have the same refractive index as the third material layer and the fourth material layer, respectively. The first optical film thickness may be thicker than the third optical film thickness, and the second optical film thickness may be thicker than the fourth optical film thickness.
本発明の実施形態において、前記第１材料層及び第２材料層の複数個の対と、前記第３材料層及び第４材料層の複数個の対とが、互いに混在してもよい。 In an embodiment of the present invention, a plurality of pairs of the first material layer and the second material layer and a plurality of pairs of the third material layer and the fourth material layer may be mixed with each other.
一方、前記第１光学的膜厚と前記第２光学的膜厚とは、整数倍の関係を満たしていてもよく、また、前記第３光学的膜厚と前記第４光学的膜厚とは整数倍の関係を満たしていてもよい。特に、前記第１光学的膜厚と第２光学的膜厚とは同一であり、前記第３光学的膜厚と第４光学的膜厚とは同一であってもよい。これとは異なって、前記分布ブラッグ反射器の各層は、広範囲の波長に対して相対的に高い反射率を有するように個別的に調節されることができるため、各層の厚さは異なっていてもよい。 On the other hand, the first optical film thickness and the second optical film thickness may satisfy an integer multiple relationship, and the third optical film thickness and the fourth optical film thickness are An integer multiple relationship may be satisfied. In particular, the first optical film thickness and the second optical film thickness may be the same, and the third optical film thickness and the fourth optical film thickness may be the same. Unlike this, each layer of the distributed Bragg reflector can be individually adjusted to have a relatively high reflectivity for a wide range of wavelengths, so the thickness of each layer is different. Also good.
本発明の他の実施形態によると、分布ブラッグ反射器を有する発光ダイオードチップの製造方法が提供される。この方法は、基板の前面上部に、第１導電型半導体層と、第２導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間にはさまれた活性層とを含む発光構造体を形成し、前記基板の裏面をグラインディングして前記基板の一部を除去し、前記基板をラッピングして前記基板裏面の表面粗さを減少させ、前記基板の裏面上に分布ブラッグ反射器を形成することを含む。 According to another embodiment of the present invention, a method of manufacturing a light emitting diode chip having a distributed Bragg reflector is provided. In this method, a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer, and an active layer sandwiched between the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer are disposed on the front surface of the substrate. A light emitting structure including: a back surface of the substrate is ground to remove a part of the substrate; and the substrate is lapped to reduce a surface roughness of the back surface of the substrate; Forming a distributed Bragg reflector.
一方、前記分布ブラッグ反射器上に反射金属層または保護層を形成してもよい。前記反射金属層または保護層は、前記発光ダイオードチップを発光ダイオードパッケージに実装する際、分布ブラッグ反射器を保護する。 Meanwhile, a reflective metal layer or a protective layer may be formed on the distributed Bragg reflector. The reflective metal layer or the protective layer protects the distributed Bragg reflector when the light emitting diode chip is mounted on the light emitting diode package.
一方、前記分布ブラッグ反射器を形成する前に、前記基板裏面の表面粗さは３ｎｍ以下のＲＭＳ値を有していてもよい。また、前記分布ブラッグ反射器は、青色波長領域の第１波長の光、緑色波長領域の第２波長の光及び赤色波長領域の第３波長の光に対して９０％以上の反射率を有する。 On the other hand, before forming the distributed Bragg reflector, the surface roughness of the back surface of the substrate may have an RMS value of 3 nm or less. In addition, the distributed Bragg reflector has a reflectance of 90% or more with respect to the first wavelength light in the blue wavelength region, the second wavelength light in the green wavelength region, and the third wavelength light in the red wavelength region.
好ましくは、前記分布ブラッグ反射器を形成する前に、前記基板裏面の表面粗さは１ｎｍ以下のＲＭＳ値を有していてもよい。また、前記方法は、前記ラッピングを行った後、前記基板裏面をＣＭＰプロセスによって研磨する工程をさらに含んでもよい。前記ＣＭＰプロセスによって、前記基板裏面の表面粗さは１ｎｍ以下のＲＭＳ値を有するように研磨されることができる。 Preferably, before forming the distributed Bragg reflector, the surface roughness of the back surface of the substrate may have an RMS value of 1 nm or less. The method may further include a step of polishing the back surface of the substrate by a CMP process after the lapping. By the CMP process, the surface roughness of the back surface of the substrate can be polished to have an RMS value of 1 nm or less.
本発明の実施形態において、前記分布ブラッグ反射器は、例えばイオンアシスト蒸着（ｉｏｎ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）技術を用いて形成してもよい。 In an embodiment of the present invention, the distributed Bragg reflector may be formed using, for example, an ion assisted deposition technique.
本発明の実施形態によると、可視光領域の広範囲に亘って反射率の高い分布ブラッグ反射器が提供される。これによって、白色光などの混合された光を発する発光ダイオードパッケージの発光効率を向上させることができる。さらに、分布ブラッグ反射器が形成される基板裏面の表面粗さを制御することにより、分布ブラッグ反射器の反射率の信頼性を確保することができる。 According to an embodiment of the present invention, a distributed Bragg reflector having a high reflectance over a wide range of the visible light region is provided. Accordingly, the light emission efficiency of the light emitting diode package that emits mixed light such as white light can be improved. Furthermore, the reliability of the reflectance of the distributed Bragg reflector can be ensured by controlling the surface roughness of the back surface of the substrate on which the distributed Bragg reflector is formed.
以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。以下に詳述る実施形態は、当業者に本発明の思想が十分に伝達されるようにするために例として提供されるものである。従って、本発明は以下説明される実施形態に限定されず、他の形態に具体化されることもできる。図面において、構成要素の幅、長さ、厚さなどは便宜のために誇張し表現する場合がある。明細書全体に亘って同一の参照番号は、基本的に、同一の構成要素を示す。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments described in detail below are provided as examples in order to fully convey the concept of the present invention to those skilled in the art. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, and may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, and the like of components may be exaggerated for convenience. Throughout the specification, the same reference numbers basically indicate the same components.
図３は本発明の一実施形態による分布ブラッグ反射器４５を有する発光ダイオードチップ２０を説明するための断面図であり、図４は図３の分布ブラッグ反射器４５を拡大して示した断面図である。 3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode chip 20 having a distributed Bragg reflector 45 according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of the distributed Bragg reflector 45 of FIG. It is.
図３を参照すると、発光ダイオードチップ２０は、基板２１と、発光構造体３０、分布ブラッグ反射器４５とを含む。また、発光ダイオードチップ２０は、バッファ層２３と、透明電極３１と、ｐ−電極パッド３３と、ｎ−電極パッド３５と、反射金属層５１と、保護層５３とを含んでもよい。 Referring to FIG. 3, the light emitting diode chip 20 includes a substrate 21, a light emitting structure 30, and a distributed Bragg reflector 45. The light emitting diode chip 20 may include a buffer layer 23, a transparent electrode 31, a p-electrode pad 33, an n-electrode pad 35, a reflective metal layer 51, and a protective layer 53.
基板２１は透明基板であれば特に限定されず、例えば、サファイアまたはＳｉＣ基板であってもよい。基板２１はまた、上部面、即ち前面に、パターニングされたサファイア基板（ＰＳＳ）のように、所定パターンを有してもよい。一方、基板２１の面積はチップの全体面積を決める。本発明の実施形態において、発光ダイオードチップの面積が相対的に大きいほど、反射効果が増加する。従って、基板２１は９０，０００μｍ２以上であることが好ましく、さらに好ましくは１ｍｍ２以上であってもよい。 The substrate 21 is not particularly limited as long as it is a transparent substrate, and may be, for example, a sapphire or SiC substrate. The substrate 21 may also have a predetermined pattern on the upper surface, that is, the front surface, like a patterned sapphire substrate (PSS). On the other hand, the area of the substrate 21 determines the entire area of the chip. In the embodiment of the present invention, the reflective effect increases as the area of the light emitting diode chip is relatively large. Accordingly, the substrate 21 is preferably 90,000 μm 2 or more, and more preferably 1 mm 2 or more.
基板２１の上部に発光構造体３０が位置する。発光構造体３０は、第１導電型半導体層２５と、第２導電型半導体層２９と、第１及び第２導電型半導体層２５、２９の間に配置された活性層２７とを含む。ここで、第１導電型半導体層２５と第２導電型半導体層２９とは互いに反対の導電型を有し、第１導電型がｎ型であってもよく、第２導電型がｐ型であってもよく、またはその反対であってもよい。 The light emitting structure 30 is located on the substrate 21. The light emitting structure 30 includes a first conductivity type semiconductor layer 25, a second conductivity type semiconductor layer 29, and an active layer 27 disposed between the first and second conductivity type semiconductor layers 25 and 29. Here, the first conductivity type semiconductor layer 25 and the second conductivity type semiconductor layer 29 have opposite conductivity types, the first conductivity type may be n-type, and the second conductivity type is p-type. There may be, or vice versa.
第１導電型半導体層２５、活性層２７及び第２導電型半導体層２９は、窒化ガリウム系列の化合物半導体物質、即ち、（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎで形成されてもよい。活性層２７は、求められる波長の光、例えば、紫外線または青色光を出射するように組成元素及び組成比が決められる。第１導電型半導体層２５及び／または第２導電型半導体層２９は、図示したように、単一層に形成されてもよいが、多層構造で形成することもできる。また、活性層２７は、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造に形成してもよい。また、基板２１と第１導電型半導体層２５との間にバッファ層２３を配置してもよい。 The first conductive semiconductor layer 25, the active layer 27, and the second conductive semiconductor layer 29 may be formed of a gallium nitride-based compound semiconductor material, that is, (Al, In, Ga) N. The active layer 27 has a composition element and a composition ratio so as to emit light having a desired wavelength, for example, ultraviolet light or blue light. The first conductive type semiconductor layer 25 and / or the second conductive type semiconductor layer 29 may be formed as a single layer as shown in the figure, but may be formed in a multilayer structure. The active layer 27 may be formed in a single quantum well structure or a multiple quantum well structure. Further, the buffer layer 23 may be disposed between the substrate 21 and the first conductivity type semiconductor layer 25.
半導体層２５、２７、２９は、ＭＯＣＶＤ（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＭＢＥ（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ）技術を用いて形成してもよく、フォトリソグラフィ及びエッチング工程を用いて第１導電型半導体層２５の一部領域が露出するようにパターニングしてもよい。 The semiconductor layers 25, 27, and 29 may be formed using MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) or MBE (Molecular Beam Epitaxy) technology, and the first conductivity type semiconductor layer 25 using photolithography and etching processes. Patterning may be performed so that a part of the region is exposed.
一方、透明電極層３１は、第２導電型半導体層２９上に、例えば、ＩＴＯまたはＮｉ／Ａｕで形成されてもよい。透明電極層３１は、第２導電型半導体層２９に比べて比抵抗が低いため、電流を分散させる役割をする。透明電極層３１上にｐ−電極パッド３３が形成され、第１導電型半導体層２５上にｎ−電極パッド３５が形成される。ｐ−電極パッド３３は、図示するように、透明電極層３１を介して第２導電型半導体層２９に電気的に接続してもよい。 On the other hand, the transparent electrode layer 31 may be formed of, for example, ITO or Ni / Au on the second conductivity type semiconductor layer 29. The transparent electrode layer 31 has a specific resistance lower than that of the second conductivity type semiconductor layer 29 and thus serves to disperse current. A p-electrode pad 33 is formed on the transparent electrode layer 31, and an n-electrode pad 35 is formed on the first conductivity type semiconductor layer 25. The p-electrode pad 33 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 29 through the transparent electrode layer 31 as illustrated.
一方、基板２１の下部、即ち、裏面には分布ブラッグ反射器４５が位置する。分布ブラッグ反射器４５は、第１分布ブラッグ反射器４０と第２分布ブラッグ反射器５０とを含んでもよい。 On the other hand, a distributed Bragg reflector 45 is located below the substrate 21, that is, on the back surface. The distributed Bragg reflector 45 may include a first distributed Bragg reflector 40 and a second distributed Bragg reflector 50.
図４を参照すると、第１分布ブラッグ反射器４０は、第１材料層４０ａと第２材料層４０ｂとの対が複数、繰り返して形成され、第２分布ブラッグ反射器５０は、第３材料層５０ａと第４材料層５０ｂとの対が複数、繰り返して形成される。第１材料層４０ａと第２材料層４０ｂとの複数個の対は、青色波長領域の光に比べて赤色波長領域の光、例えば５５０ｎｍまたは６３０ｎｍの光に対する反射率が相対的に高く、第２分布ブラッグ反射器５０は赤色または緑色波長領域の光に比べて青色波長領域の光、例えば４６０ｎｍの光に対する反射率を相対的に高くしてもよい。この際、第１分布ブラッグ反射器４０内の材料層４０ａ、４０ｂの光学的膜厚は、第２分布ブラッグ反射器５０内の材料層５０ａ、５０ｂの光学的膜厚より厚いが、これに限定されず、その反対としてもよい。 Referring to FIG. 4, the first distributed Bragg reflector 40 includes a plurality of pairs of a first material layer 40a and a second material layer 40b, and the second distributed Bragg reflector 50 includes a third material layer. A plurality of pairs of 50a and the fourth material layer 50b are repeatedly formed. The plurality of pairs of the first material layer 40a and the second material layer 40b have a relatively high reflectance with respect to light in the red wavelength region, for example, light at 550 nm or 630 nm, compared to light in the blue wavelength region. The distributed Bragg reflector 50 may have a relatively high reflectance with respect to light in the blue wavelength region, for example, light at 460 nm, compared to light in the red or green wavelength region. At this time, the optical film thickness of the material layers 40a and 40b in the first distributed Bragg reflector 40 is thicker than the optical film thickness of the material layers 50a and 50b in the second distributed Bragg reflector 50, but the present invention is not limited thereto. The opposite is also possible.
第１材料層４０ａは、第３材料層５０ａと同一の材料、即ち同一の屈折率を有してもよく、第２材料層４０ｂは、第４材料層５０ｂと同一の材料、即ち同一の屈折率を有してもよい。例えば、第１材料層４０ａ及び第３材料層５０ａはＴｉＯ２（ｎ：約２．５）で形成されてもよく、第２材料層４０ｂ及び第４材料層５０ｂはＳｉＯ２（ｎ：約１．５）で形成されてもよい。 The first material layer 40a may have the same material as the third material layer 50a, that is, the same refractive index, and the second material layer 40b may be the same material as the fourth material layer 50b, that is, the same refraction. You may have a rate. For example, the first material layer 40a and the third material layer 50a may be formed of TiO 2 (n: about 2.5), and the second material layer 40b and the fourth material layer 50b are made of SiO 2 (n: about 1). .5).
一方、第１材料層４０ａの光学的膜厚（屈折率×厚さ）は、第２材料層４０ｂの光学的膜厚と実質的に整数倍の関係を有し、好ましくは、これらの光学的膜厚は実質的に同一としてもよい。また、第３材料層５０ａの光学的膜厚は、第４材料層５０ｂの光学的膜厚と実質的に整数倍の関係を有し、好ましくは、これらの光学的膜厚は実質的に同一としてもよい。 On the other hand, the optical film thickness (refractive index × thickness) of the first material layer 40a has a substantially integral multiple relationship with the optical film thickness of the second material layer 40b. The film thickness may be substantially the same. Further, the optical film thickness of the third material layer 50a has a substantially integral relationship with the optical film thickness of the fourth material layer 50b. Preferably, these optical film thicknesses are substantially the same. It is good.
また、第１材料層４０ａの光学的膜厚を第３材料層５０ａの光学的膜厚より厚くし、第２材料層４０ｂの光学的膜厚を第４材料層５０ｂの光学的膜厚より厚くしてもよい。第１乃至第４材料層４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂの光学的膜厚は、各材料層の屈折率及び／または実際の厚さを調節して制御することができる。 Further, the optical film thickness of the first material layer 40a is made thicker than the optical film thickness of the third material layer 50a, and the optical film thickness of the second material layer 40b is made thicker than the optical film thickness of the fourth material layer 50b. May be. The optical film thickness of the first to fourth material layers 40a, 40b, 50a, 50b can be controlled by adjusting the refractive index and / or the actual thickness of each material layer.
図３をさらに参照すると、分布ブラッグ反射器４５の下部には、Ａｌ、ＡｇまたはＲｈなどの反射金属層５１と、分布ブラッグ反射器４５を保護するための保護層５３とが形成されてもよい。保護層５３は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ及びＡｕから選択された何れか一つの金属層またはこれらの合金で形成してもよい。反射金属層５１または保護層５３は、分布ブラッグ反射器４５を外部の衝撃や汚染から保護することができる。例えば、反射金属層５１または保護層５３は、発光ダイオードチップを発光ダイオードパッケージに実装する際に、接着剤のような物質によって分布ブラッグ反射器４５が変形することを防止することができる。また、反射金属層５１は、分布ブラッグ反射器４５を透過する光を反射することができるため、分布ブラッグ反射器４５の厚さを相対的に減少させることができる。分布ブラッグ反射器４５は、相対的に高い反射率を示すが、入射角が大きい光に対しては長波長領域の可視光を透過させることがある。従って、反射金属層５１を分布ブラッグ反射器４５の下部に配置することにより、分布ブラッグ反射器４５を透過した光を反射することができるため、発光効率が向上する。 Further referring to FIG. 3, a reflective metal layer 51 such as Al, Ag, or Rh and a protective layer 53 for protecting the distributed Bragg reflector 45 may be formed below the distributed Bragg reflector 45. . The protective layer 53 may be formed of, for example, any one metal layer selected from Ti, Cr, Ni, Pt, Ta, and Au, or an alloy thereof. The reflective metal layer 51 or the protective layer 53 can protect the distributed Bragg reflector 45 from external impact and contamination. For example, the reflective metal layer 51 or the protective layer 53 can prevent the distributed Bragg reflector 45 from being deformed by a material such as an adhesive when the light emitting diode chip is mounted on the light emitting diode package. Further, since the reflective metal layer 51 can reflect the light transmitted through the distributed Bragg reflector 45, the thickness of the distributed Bragg reflector 45 can be relatively reduced. The distributed Bragg reflector 45 exhibits a relatively high reflectance, but may transmit visible light in a long wavelength region for light having a large incident angle. Therefore, by disposing the reflective metal layer 51 below the distributed Bragg reflector 45, the light transmitted through the distributed Bragg reflector 45 can be reflected, so that the light emission efficiency is improved.
本実施形態によると、相対的に長波長の可視光線に対して反射率が高い第１分布ブラッグ反射器４０と、相対的に短波長の可視光線に対して反射率が高い第２分布ブラッグ反射器５０とが積層された構造の分布ブラッグ反射器４５が提供される。分布ブラッグ反射器４５は、この第１分布ブラッグ反射器４０と第２分布ブラッグ反射器５０との組み合わせにより、可視光線領域の殆どの領域に亘って光に対する反射率を高めることができる。 According to the present embodiment, the first distributed Bragg reflector 40 having a relatively high reflectance for visible light having a relatively long wavelength and the second distributed Bragg reflection having a relatively high reflectance for visible light having a relatively short wavelength. A distributed Bragg reflector 45 having a structure in which the reflector 50 is stacked is provided. With the combination of the first distributed Bragg reflector 40 and the second distributed Bragg reflector 50, the distributed Bragg reflector 45 can increase the reflectance with respect to light over most of the visible light region.
従来技術による分布ブラッグ反射器は、特定波長範囲の光に対する反射率は高いが、他の波長範囲の光に対する反射率が相対的に低いため、白色光を出射する発光ダイオードパッケージでの発光効率の向上には限界がある。しかし、本実施形態によると、分布ブラッグ反射器４５は、青色波長領域の光だけでなく、緑色波長領域の光及び赤色波長領域の光に対しても高い反射率を有するため、発光ダイオードパッケージの発光効率を改善することができる。 The distributed Bragg reflector according to the prior art has a high reflectance with respect to light in a specific wavelength range, but has a relatively low reflectance with respect to light in other wavelength ranges, so that the luminous efficiency of a light emitting diode package that emits white light is low. There are limits to improvement. However, according to the present embodiment, the distributed Bragg reflector 45 has a high reflectance not only for light in the blue wavelength region but also for light in the green wavelength region and light in the red wavelength region. Luminous efficiency can be improved.
さらに、第１分布ブラッグ反射器４０を第２分布ブラッグ反射器５０よりも基板２１の近くに配置することにより、その逆に配置する場合に比べて、分布ブラッグ反射器４５内での光損失を減少させることができる。 Furthermore, by arranging the first distributed Bragg reflector 40 closer to the substrate 21 than the second distributed Bragg reflector 50, the optical loss in the distributed Bragg reflector 45 can be reduced as compared to the case where the first distributed Bragg reflector 40 is arranged in reverse. Can be reduced.
本実施形態においては、第１分布ブラッグ反射器４０及び第２分布ブラッグ反射器５０の二つの反射器について説明をしたが、より多い数の反射器を用いてもよい。この場合、相対的に長波長に対して反射率が高い反射器が発光構造体３０に相対的に近く位置することが好ましい。 In the present embodiment, the two reflectors of the first distributed Bragg reflector 40 and the second distributed Bragg reflector 50 have been described, but a larger number of reflectors may be used. In this case, it is preferable that a reflector having a relatively high reflectance with respect to a long wavelength is positioned relatively close to the light emitting structure 30.
また、本実施形態において、第１分布ブラッグ反射器４０内の第１材料層４０ａの厚さは、互いに異なっていてもよい。また、第２材料層４０ｂの厚さも互いに異なっていてもよい。また、第２分布ブラッグ反射器５０内の第３材料層５０ａの厚さは、互いに異なっていてもよい。また、第４材料層５０ｂの厚さも互いに異なっていてもよい。 Moreover, in this embodiment, the thickness of the 1st material layer 40a in the 1st distributed Bragg reflector 40 may mutually differ. Further, the thicknesses of the second material layers 40b may be different from each other. Further, the thickness of the third material layer 50a in the second distributed Bragg reflector 50 may be different from each other. Further, the thickness of the fourth material layer 50b may be different from each other.
本実施形態において、材料層４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂがＳｉＯ２またはＴｉＯ２で形成されると説明をしたが、これに限定されず、他の材料層、例えばＳｉ３Ｎ４、化合物半導体などで形成してもよい。但し、第１材料層４０ａと第２材料層４０ｂとの屈折率の差及び第３材料層５０ａと第４材料層５０ｂとの屈折率の差は、夫々０．５より大きいことが好ましい。 In the present embodiment, it has been described that the material layers 40a, 40b, 50a, and 50b are formed of SiO 2 or TiO 2. However, the present invention is not limited to this, and other material layers such as Si 3 N 4 , compound semiconductors, etc. May be formed. However, the difference in refractive index between the first material layer 40a and the second material layer 40b and the difference in refractive index between the third material layer 50a and the fourth material layer 50b are preferably larger than 0.5.
また、第１分布ブラッグ反射器４０内の第１材料層と第２材料層との対の数及び第２分布ブラッグ反射器５０内の第３材料層と第４材料層との対の数は多いほど反射率が増加する。これら対の総数は２０以上であってもよい。 The number of pairs of the first material layer and the second material layer in the first distributed Bragg reflector 40 and the number of pairs of the third material layer and the fourth material layer in the second distributed Bragg reflector 50 are as follows. The greater the number, the higher the reflectance. The total number of these pairs may be 20 or more.
分布ブラッグ反射器４５を形成する前に、基板２１の裏面の表面粗さが制御する必要がある。基板２１の裏面の表面粗さが相対的に大きい場合、分布ブラッグ反射器４５によって広い波長範囲に亘って高い反射率を得ることが困難となる。また、分布ブラッグ反射器４５と基板２１との間の界面が不良である場合、分布ブラッグ反射器４５が変形しやすくなる可能性がある。このような変形は、例えば、発光ダイオードパッケージに発光ダイオードチップを実装する場合に、例え僅かな熱工程であっても適用されると、分布ブラッグ反射器４５の反射率が減少するという問題を引き起こす可能性がある。基板２１の裏面は、表面粗さが３ｎｍ以下のＲＭＳ（ｒｏｏｔ−ｍｅａｎ−ｓｑｕａｒｅ）値を有するように制御される。好ましくは、基板２１の裏面は、表面粗さが２ｎｍ以下、さらに好ましくは１ｎｍ以下のＲＭＳ値としてもよい。 Before the distributed Bragg reflector 45 is formed, the surface roughness of the back surface of the substrate 21 needs to be controlled. When the surface roughness of the back surface of the substrate 21 is relatively large, it becomes difficult for the distributed Bragg reflector 45 to obtain a high reflectance over a wide wavelength range. Moreover, when the interface between the distributed Bragg reflector 45 and the substrate 21 is defective, the distributed Bragg reflector 45 may be easily deformed. For example, when the light emitting diode chip is mounted on the light emitting diode package, the deformation causes a problem that the reflectance of the distributed Bragg reflector 45 is reduced even if it is applied even in a slight thermal process. there is a possibility. The back surface of the substrate 21 is controlled so that the surface roughness has an RMS (root-mean-square) value of 3 nm or less. Preferably, the back surface of the substrate 21 may have an RMS value with a surface roughness of 2 nm or less, more preferably 1 nm or less.
以下、分布ブラッグ反射器４５及び発光ダイオードチップの製造方法について説明する。 Hereinafter, a method for manufacturing the distributed Bragg reflector 45 and the light emitting diode chip will be described.
まず、分布ブラッグ反射器４５を形成する前に、基板２１の表面粗さを制御する。例えば、最初に、発光構造体が形成された基板２１の裏面をグラインディング（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）することにより、基板２１の一部を除去する。この際、基板２１の裏面はグラインディングによってスクラッチが発生し、相対的に非常に粗い表面となる。その後、基板２１の表面を小さい粒子のスラリーを用いてラッピングする（ｌａｐｐｉｎｇ）。ラッピング工程において、基板２１の表面内のスクラッチなどの溝の深さが減少し、表面粗さが減少する。この際、ラッピング工程で用いられる定盤及びダイヤモンドスラリー粒子のサイズを調節することにより、基板２１の裏面の表面粗さが３μｍ以下となるように制御してもよい。しかし、一般的に、定盤及びスラリー粒子を用いたラッピング工程のみでは表面粗さを調節することに限界があるため、ラッピング工程で表面粗さを減少させた後、化学機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程を行って基板２１の裏面を研磨してもよい。ＣＭＰ工程により、基板２１の裏面の表面粗さを１ｎｍ以下に制御することができる。 First, before the distributed Bragg reflector 45 is formed, the surface roughness of the substrate 21 is controlled. For example, first, a part of the substrate 21 is removed by grinding the back surface of the substrate 21 on which the light emitting structure is formed. At this time, the back surface of the substrate 21 is scratched by grinding and becomes a relatively very rough surface. Thereafter, the surface of the substrate 21 is lapped with a slurry of small particles. In the lapping process, the depth of grooves such as scratches in the surface of the substrate 21 is reduced, and the surface roughness is reduced. At this time, the surface roughness of the back surface of the substrate 21 may be controlled to be 3 μm or less by adjusting the size of the surface plate and diamond slurry particles used in the lapping step. However, in general, there is a limit to adjusting the surface roughness only by the lapping process using the surface plate and the slurry particles, and therefore chemical mechanical polishing (CMP) is performed after reducing the surface roughness in the lapping process. A back surface of the substrate 21 may be polished by performing a Chemical Mechanical Polishing process. By the CMP process, the surface roughness of the back surface of the substrate 21 can be controlled to 1 nm or less.
次に、基板２１の表面にＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４などの屈折率が相違する材料層を繰り返して形成する。材料層の形成は、スパッタリング、電子ビーム蒸着、プラズマ強化化学気相蒸着などの公知の多様な方法が用いられてもよく、特にイオンアシスト蒸着法（ｉｏｎ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いてもよい。イオンアシスト蒸着法は、基板２１に蒸着する材料層の反射度を測定して適切な厚さの材料層を形成するため、分布ブラッグ反射器の材料層の形成において特に適する。 Next, material layers having different refractive indexes, such as TiO 2 , SiO 2 , and Si 3 N 4, are repeatedly formed on the surface of the substrate 21. For the formation of the material layer, various known methods such as sputtering, electron beam vapor deposition, plasma enhanced chemical vapor deposition, and the like may be used. In particular, ion assisted deposition may be used. The ion-assisted vapor deposition method is particularly suitable for forming the material layer of the distributed Bragg reflector because the reflectivity of the material layer deposited on the substrate 21 is measured to form a material layer having an appropriate thickness.
分布ブラッグ反射器が形成された後、分布ブラッグ反射器上に金属層を形成してもよい。その後、基板２１をダイシングして個別発光ダイオードチップが完成する。 After the distributed Bragg reflector is formed, a metal layer may be formed on the distributed Bragg reflector. Thereafter, the substrate 21 is diced to complete an individual light emitting diode chip.
図５は本発明の他の実施形態による分布ブラッグ反射器５５を説明するための断面図である。本実施形態による発光ダイオードチップは、図３及び図４を参照して説明した発光ダイオードチップと殆ど同様である。但し、図３及び図４では、分布ブラッグ反射器４５が第１分布ブラッグ反射器４０と第２分布ブラッグ反射器５０との積層構造が図示及び説明されていることに対して、本実施形態による分布ブラッグ反射器５５では、第１材料層４０ａと第２材料層４０ｂとの複数個の対と第３材料層５０ａと第４材料層５０ｂとの複数個の対とが互いに混在している。即ち、第３材料層５０ａと第４材料層５０ｂとの少なくとも一対が第１材料層４０ａと第２材料層４０ｂとの複数個の対の間に位置し、また、第１材料層４０ａと第２材料層４０ｂとの少なくとも一対が第３材料層５０ａと第４材料層５０ｂとの複数個の対の間に位置している。ここで、第１乃至第４材料層４０ａ、４０ｂ、５０ａ、５０ｂの光学的膜厚は、可視光線領域の広い範囲に亘って光に対する高い反射率を有するように制御される。従って、分布ブラッグ反射器５５を構成する各材料層の光学的膜厚は、互いに異なっていてもよい。 FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a distributed Bragg reflector 55 according to another embodiment of the present invention. The light emitting diode chip according to the present embodiment is almost the same as the light emitting diode chip described with reference to FIGS. However, in FIGS. 3 and 4, the distributed Bragg reflector 45 is illustrated and described with respect to the laminated structure of the first distributed Bragg reflector 40 and the second distributed Bragg reflector 50. In the distributed Bragg reflector 55, a plurality of pairs of the first material layer 40a and the second material layer 40b and a plurality of pairs of the third material layer 50a and the fourth material layer 50b are mixed together. That is, at least a pair of the third material layer 50a and the fourth material layer 50b is located between a plurality of pairs of the first material layer 40a and the second material layer 40b, and the first material layer 40a and the second material layer 40b At least a pair of the two material layers 40b is located between a plurality of pairs of the third material layer 50a and the fourth material layer 50b. Here, the optical film thicknesses of the first to fourth material layers 40a, 40b, 50a, and 50b are controlled so as to have a high reflectance with respect to light over a wide range of the visible light region. Therefore, the optical film thickness of each material layer constituting the distributed Bragg reflector 55 may be different from each other.
図６は本発明のさらに他の実施形態による複数の発光セルを有する発光ダイオードチップ２０ａを説明するための断面図である。 FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode chip 20a having a plurality of light emitting cells according to another embodiment of the present invention.
図６を参照すると、発光ダイオードチップ２０ａは、基板２１上に形成される複数の発光セル３０と、分布ブラッグ反射器４５と、金属層５１及び/または５３とを含んでもよい。 Referring to FIG. 6, the light emitting diode chip 20 a may include a plurality of light emitting cells 30 formed on the substrate 21, a distributed Bragg reflector 45, and metal layers 51 and / or 53.
基板２１及び分布ブラッグ反射器４５は、図３、図４、及び図５を参照して説明した分布ブラッグ反射器と同様であり、その詳細な説明は省略する。但し、基板２１は、複数の発光セルを電気的に絶縁するために絶縁体であることが好ましく、例えばパターニングされたサファイア基板であってもよい。 The substrate 21 and the distributed Bragg reflector 45 are the same as the distributed Bragg reflector described with reference to FIGS. 3, 4, and 5, and detailed description thereof is omitted. However, the substrate 21 is preferably an insulator in order to electrically insulate a plurality of light emitting cells, and may be a patterned sapphire substrate, for example.
一方、複数の発光セル３０は互いに離隔されて位置する。複数の発光セル３０は、夫々図３を参照して説明した発光構造体３０と同様であるため、詳細な説明は省略する。また、発光セル３０と基板２１との間にバッファ層２３を配置してもよく、バッファ層２３も互いに離隔されることが好ましい。 Meanwhile, the plurality of light emitting cells 30 are spaced apart from each other. Since the plurality of light emitting cells 30 are the same as the light emitting structure 30 described with reference to FIG. 3, detailed description thereof is omitted. In addition, a buffer layer 23 may be disposed between the light emitting cell 30 and the substrate 21, and the buffer layers 23 are preferably spaced apart from each other.
第１絶縁層３７が発光セル３０の前面を覆って、第１導電型半導体層２５上及び第２導電型半導体層２９上に開口部を有する。また、発光セル３０の側壁は第１絶縁層３７によって覆われ、また、第１絶縁層３７は発光セル３０同士の間の領域内において基板２１を覆う。第１絶縁層３７は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）またはシリコン窒化膜で形成されてもよく、プラズマ化学気相成長（プラズマＣＶＤ）を用いて２００〜３００℃の温度範囲で形成された層であってもよい。この際、第１絶縁層３７は４５０ｎｍ〜１μｍの厚さに形成されることが好ましい。４５０ｎｍより薄く形成されると、発光セルの下方で段差被覆（ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ）特性によって相対的に薄い厚さの第１絶縁層が形成され、第１絶縁層上に形成される配線と発光セルとの間に電気的短絡が発生する可能性がある。一方、第１絶縁層は厚いほど電気的短絡を防止することができるが、光透過率を低下させて発光効率を減少させるため、１μｍの厚さを超えないことが好ましい。 The first insulating layer 37 covers the front surface of the light emitting cell 30 and has openings on the first conductive semiconductor layer 25 and the second conductive semiconductor layer 29. Further, the side wall of the light emitting cell 30 is covered by the first insulating layer 37, and the first insulating layer 37 covers the substrate 21 in a region between the light emitting cells 30. The first insulating layer 37 may be formed of a silicon oxide film (SiO 2 ) or a silicon nitride film, and is a layer formed in a temperature range of 200 to 300 ° C. using plasma chemical vapor deposition (plasma CVD). There may be. At this time, the first insulating layer 37 is preferably formed to a thickness of 450 nm to 1 μm. If the first insulating layer is formed thinner than 450 nm, a first insulating layer having a relatively thin thickness is formed below the light emitting cell due to a step coverage characteristic. An electrical short circuit may occur during On the other hand, as the first insulating layer is thicker, an electrical short circuit can be prevented. However, in order to reduce the light transmittance and reduce the light emission efficiency, it is preferable not to exceed a thickness of 1 μm.
一方、配線３９は、第１絶縁層３７上に形成される。配線３９は、開口部によって、第１導電型半導体層２５及び第２導電型半導体層２９に電気的に接続される。第２導電型半導体層２９上に透明電極層３１が位置してもよく、配線は透明電極層３１に接続されてもよい。また、配線３９は、隣接しあう発光セル３０の第１導電型半導体層２５と第２導電型半導体層２９とを夫々電気的に接続し、発光セル３０の直列アレイを形成してもよい。このようなアレイが複数形成されてもよく、複数のアレイが互いに逆並列（ａｎｔｉ ｐａｒａｌｌｅｌ）に接続され、交流電源に接続されて駆動されてもよい。また、発光セルの直列アレイに接続されたブリッジ整流器（図示せず）を形成してもよく、このブリッジ整流器によって発光セルが交流電源下で駆動されてもよい。ブリッジ整流器は、発光セル３０と同一の構造の発光セルを、配線３９を用いることにより形成することができる。 On the other hand, the wiring 39 is formed on the first insulating layer 37. The wiring 39 is electrically connected to the first conductive semiconductor layer 25 and the second conductive semiconductor layer 29 through the opening. The transparent electrode layer 31 may be positioned on the second conductivity type semiconductor layer 29, and the wiring may be connected to the transparent electrode layer 31. Further, the wiring 39 may electrically connect the first conductive type semiconductor layer 25 and the second conductive type semiconductor layer 29 of the adjacent light emitting cells 30 to form a series array of the light emitting cells 30. A plurality of such arrays may be formed, and the plurality of arrays may be connected to each other in anti-parallel and connected to an AC power source to be driven. Further, a bridge rectifier (not shown) connected to the series array of light emitting cells may be formed, and the light emitting cells may be driven under an AC power source by the bridge rectifier. The bridge rectifier can form a light emitting cell having the same structure as the light emitting cell 30 by using the wiring 39.
これとは異なり、配線３９は、隣接しあう発光セルの第１導電型半導体層２５を互いに接続してもよく、第２導電型半導体層２９を互いに接続してもよい。これにより、直列及び並列接続された複数の発光セル３０を提供することができる。 In contrast, the wiring 39 may connect the first conductive semiconductor layers 25 of the adjacent light emitting cells to each other, and may connect the second conductive semiconductor layers 29 to each other. Thereby, a plurality of light emitting cells 30 connected in series and in parallel can be provided.
配線３９は、導電物質、例えば、ドーピングされた半導体物質（例えば、多結晶シリコン）または金属で形成されてもよい。特に、配線３９は、多層構造で形成されてもよく、例えば、ＣｒまたはＴｉの下部層と、ＣｒまたはＴｉの上部層とを含んでもよい。また、Ａｕ、Ａｕ／ＮｉまたはＡｕ／Ａｌの金属層が下部層と上部層との間に配置されてもよい。 The wiring 39 may be formed of a conductive material, for example, a doped semiconductor material (for example, polycrystalline silicon) or a metal. In particular, the wiring 39 may be formed in a multilayer structure, and may include, for example, a lower layer of Cr or Ti and an upper layer of Cr or Ti. Further, a metal layer of Au, Au / Ni or Au / Al may be disposed between the lower layer and the upper layer.
第２絶縁層４１は、配線３９及び第１絶縁層３７を覆ってもよい。第２絶縁層４１は、配線３９が湿気などによって汚染されることを防止し、外部衝撃によって配線３９及び発光セル３０が損傷することを防止する。 The second insulating layer 41 may cover the wiring 39 and the first insulating layer 37. The second insulating layer 41 prevents the wiring 39 from being contaminated by moisture or the like, and prevents the wiring 39 and the light emitting cell 30 from being damaged by an external impact.
第２絶縁層４１は、第１絶縁層３７と同一の材質で、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）またはシリコン窒化膜で形成されてもよい。第２絶縁層４１は、第１絶縁層と同様に、プラズマ化学気相成長を用いて２００℃〜３００℃の温度範囲で形成された層であってもよい。さらに、第１絶縁層３７がプラズマ化学気相成長を用いて形成された層である場合、第２絶縁層４１は、第１絶縁層３７の形成温度に対して±２０％以内の温度範囲内で形成された層であることが好ましく、さらに好ましくは同一の形成温度で警醒された層であることが好ましい。 The second insulating layer 41 may be made of the same material as the first insulating layer 37 and may be formed of a silicon oxide film (SiO 2 ) or a silicon nitride film. Similarly to the first insulating layer, the second insulating layer 41 may be a layer formed in a temperature range of 200 ° C. to 300 ° C. using plasma chemical vapor deposition. Further, when the first insulating layer 37 is a layer formed by plasma chemical vapor deposition, the second insulating layer 41 is within a temperature range within ± 20% with respect to the formation temperature of the first insulating layer 37. It is preferable that it is a layer formed at the same formation temperature, and it is more preferable that the layer is awakened at the same formation temperature.
一方、第２絶縁層４１は、第１絶縁層３７に比べて相対的に薄くてもよく、５０ｎｍ以上の厚さを有することが好ましい。第２絶縁層４１が第１絶縁層３７に比べて相対的に薄いため、第２絶縁層４１が第１絶縁層３７から剥離されることを防止することができる。また、第２絶縁層４１が２５０ｎｍより薄い場合、外部衝撃または湿気の浸透から配線及び発光セルを保護することが困難となる。 On the other hand, the second insulating layer 41 may be relatively thinner than the first insulating layer 37, and preferably has a thickness of 50 nm or more. Since the second insulating layer 41 is relatively thin compared to the first insulating layer 37, the second insulating layer 41 can be prevented from being peeled off from the first insulating layer 37. Further, when the second insulating layer 41 is thinner than 250 nm, it is difficult to protect the wiring and the light emitting cell from external impact or moisture penetration.
一方、蛍光体層４３が発光ダイオードチップ２０ａ上に位置してもよい。蛍光体層４３は、樹脂に蛍光体が分散された層または電気泳動法によって形成された層であってもよい。蛍光体層４３は、第２絶縁層４１を覆って発光セル３０から放出された光を波長変換する。 On the other hand, the phosphor layer 43 may be positioned on the light emitting diode chip 20a. The phosphor layer 43 may be a layer in which a phosphor is dispersed in a resin or a layer formed by electrophoresis. The phosphor layer 43 covers the second insulating layer 41 and converts the wavelength of light emitted from the light emitting cell 30.
図７は本発明のさらに他の実施形態による複数の発光セルを有する発光ダイオードチップ２０ｂを説明するための断面図である。 FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode chip 20b having a plurality of light emitting cells according to another embodiment of the present invention.
図７を参照すると、本実施形態による発光ダイオードチップ２０ｂは、前述した発光ダイオードチップ２０ａと殆ど同様であるが、発光セル３０の形状が異なり、これにより、配線３９が接続する第１導電型半導体層２５の部分が異なる。 Referring to FIG. 7, the light-emitting diode chip 20b according to the present embodiment is almost the same as the light-emitting diode chip 20a described above, but the shape of the light-emitting cell 30 is different, whereby the first conductive type semiconductor to which the wiring 39 is connected. The part of the layer 25 is different.
即ち、発光ダイオードチップ２０ａの発光セル３０は、第１導電型半導体層２５の上部面が露出しており、配線３９は第１導電型半導体層２５の上部面に接続することができる。これとは異なって、本実施形態による発光ダイオードチップ２０ｂの発光セル３０は、傾斜した側面を有するように形成され、第１導電型半導体層２５の傾斜した側面が露出し、配線３９は第１導電型半導体層２５の傾斜した側面に接続する。 That is, in the light emitting cell 30 of the light emitting diode chip 20a, the upper surface of the first conductive semiconductor layer 25 is exposed, and the wiring 39 can be connected to the upper surface of the first conductive semiconductor layer 25. Unlike this, the light emitting cell 30 of the light emitting diode chip 20b according to the present embodiment is formed to have an inclined side surface, the inclined side surface of the first conductive type semiconductor layer 25 is exposed, and the wiring 39 is the first. The conductive semiconductor layer 25 is connected to the inclined side surface.
従って、本実施形態によると、発光セルを分離する工程の他に、第１導電型半導体層２５の上部面を露出させるための工程を別に実行する必要がないため、工程を単純化することができる。さらに、第１導電型半導体層２５の上部面を露出させる必要がないため、活性層２７の面積減少を防止することができる。また、配線３９が第１導電型半導体層２５の傾斜面に沿って接続するため、発光セル３０の電流分散性能を改善することができ、これによって順方向電圧及び信頼性が改善される。 Therefore, according to the present embodiment, it is not necessary to separately perform a process for exposing the upper surface of the first conductive type semiconductor layer 25 in addition to the process of isolating the light emitting cells, so that the process can be simplified. it can. Furthermore, since it is not necessary to expose the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 25, the area of the active layer 27 can be prevented from decreasing. In addition, since the wiring 39 is connected along the inclined surface of the first conductive type semiconductor layer 25, the current distribution performance of the light emitting cell 30 can be improved, thereby improving the forward voltage and reliability.
（実験例）
図８は、分布ブラッグ反射器の入射角に応じた反射率の変化を示すシミュレーショングラフである。ここで、分布ブラッグ反射器は、ガラス基板上にＳｉＯ２とＴｉＯ２とを交互に４０層積層したものであり、各層の厚さは、０度の入射角で４００ｎｍ〜７００ｎｍの全領域に亘って９９％以上の反射率を有するように個々的に調節した。これにより、分布ブラッグ反射器全体の厚さは２．９０８μｍであった。一方、実際に用いられる発光ダイオードチップの場合、サファイア基板（ｎ：約１．７８）とＳｉＯ２（ｎ：約１．４８）と間の屈折率差によって約６０度以上の入射角で入射する光は全反射されるため、６０度以上の入射角についてのシミュレーションは省略した。一方、図８のグラフにおいて、反射率１００％部分に可視領域全体を表示した（図９のグラフにも同様に表示する）。
(Experimental example)
FIG. 8 is a simulation graph showing a change in reflectance according to the incident angle of the distributed Bragg reflector. Here, the distributed Bragg reflector is obtained by alternately laminating 40 layers of SiO 2 and TiO 2 on a glass substrate, and the thickness of each layer covers the entire region of 400 nm to 700 nm at an incident angle of 0 degree. And individually adjusted to have a reflectance of 99% or more. Thereby, the thickness of the whole distributed Bragg reflector was 2.908 μm. On the other hand, in the case of a light-emitting diode chip that is actually used, it is incident at an incident angle of about 60 degrees or more due to a difference in refractive index between the sapphire substrate (n: about 1.78) and SiO 2 (n: about 1.48). Since light is totally reflected, a simulation for an incident angle of 60 degrees or more is omitted. On the other hand, in the graph of FIG. 8, the entire visible region is displayed at the reflectance of 100% (also displayed in the graph of FIG. 9).
図８のグラフから分かるように、４０層の分布ブラッグ反射器は、可視光領域全体で０度の入射角に対して９９％以上の極めて高い反射率を示した。しかし、分布ブラッグ反射器に入射する光の入射角が大きくなるほど、長波長の可視光に対する反射率が低下することが分かる。入射角が３０度を超えると、７００ｎｍ波長の光に対する反射率は９９％以下に減少する。 As can be seen from the graph in FIG. 8, the 40-layer distributed Bragg reflector showed an extremely high reflectance of 99% or more with respect to an incident angle of 0 degree in the entire visible light region. However, it can be seen that the greater the incident angle of light incident on the distributed Bragg reflector, the lower the reflectivity for long-wavelength visible light. When the incident angle exceeds 30 degrees, the reflectance for light having a wavelength of 700 nm decreases to 99% or less.
図９Ａ及び図９Ｂは、分布ブラッグ反射器の層数を増加させることにより、入射角５０度及び６０度での長波長の入射光に対する反射率を向上させた例を示す。 FIGS. 9A and 9B show an example in which the reflectance for long-wavelength incident light at incident angles of 50 degrees and 60 degrees is improved by increasing the number of layers of the distributed Bragg reflector.
図９Ａ及び図９Ｂを参照すると、図８で説明したように、２．９０８μｍの基準分布ブラッグ反射器４０Ｌの場合、長波長の可視光領域で０度の入射角に対する反射率（４０Ｌ−０度）に比べて、５０度の入射角に対する反射率（４０Ｌ−５０度）及び６０度の入射角に対する反射率（４０Ｌ−６０度）が非常に減少することが分かる。さらに、可視領域の中間領域、例えば５１０ｎｍ〜５２０ｎｍ付近で反射率の低下する部分が発生している。 Referring to FIGS. 9A and 9B, as described with reference to FIG. 8, in the case of the 2.908 μm reference distributed Bragg reflector 40L, the reflectance (40L-0 degrees) with respect to an incident angle of 0 degrees in the long wavelength visible light region. It can be seen that the reflectivity for an incident angle of 50 degrees (40L-50 degrees) and the reflectivity for an incident angle of 60 degrees (40L-60 degrees) are greatly reduced. Furthermore, a portion where the reflectance is reduced is generated in an intermediate region of the visible region, for example, in the vicinity of 510 nm to 520 nm.
これに対して、分布ブラッグ反射器の層数を４８層（全体厚さ：３．８２９μｍ）または５２層（全体厚さ：４．３６７μｍ）に増加させる場合、入射角が大きい場合にも広い波長領域に亘って高い反射率が殆ど均一に得られる。 On the other hand, when the number of layers of the distributed Bragg reflector is increased to 48 layers (total thickness: 3.829 μm) or 52 layers (total thickness: 4.367 μm), a wide wavelength even when the incident angle is large. High reflectivity can be obtained almost uniformly over the region.
従って、分布ブラッグ反射器の積層される層数を増加させることにより反射率を向上させることができ、また、大きな入射角で入射する光に対しても高い反射率を維持することができる。しかし、分布ブラッグ反射器の積層数の増加は、工程時間を増加させ、分布ブラッグ反射器のクラックを発生させる可能性がある。 Therefore, the reflectance can be improved by increasing the number of layers in which the distributed Bragg reflector is laminated, and a high reflectance can be maintained even for light incident at a large incident angle. However, an increase in the number of stacked distributed Bragg reflectors may increase process time and cause cracks in the distributed Bragg reflector.
図１０（ａ）及び（ｂ）は夫々ダイシング工程が行われた後の分布ブラッグ反射器を示した平面図である。ここで、図１０（ａ）は４０層の分布ブラッグ反射器をイオンアシスト蒸着法で積層したもの、図１０（ｂ）は４８層の分布ブラッグ反射器をイオンアシスト蒸着法で積層したものである。 FIGS. 10A and 10B are plan views showing the distributed Bragg reflector after the dicing process is performed. Here, FIG. 10A shows a 40-layer distributed Bragg reflector laminated by ion-assisted deposition, and FIG. 10B shows a 48-layer distributed Bragg reflector laminated by ion-assisted deposition. .
４０層を積層した場合（図１０（ａ））は分布ブラッグ反射器にクラックが発生しなかったが、４８層を積層した場合（図１０（ｂ））は分布ブラッグ反射器にクラックが発生した。５２層を積層した場合も、同様にクラックが発生することを観察した。 When 40 layers were stacked (FIG. 10 (a)), no cracks occurred in the distributed Bragg reflector, but when 48 layers were stacked (FIG. 10 (b)), cracks occurred in the distributed Bragg reflector. . When 52 layers were laminated, it was observed that cracks were similarly generated.
分布ブラッグ反射器にクラックが発生する理由は明確ではないが、イオンアシスト蒸着法によると予想される。即ち、イオンを衝突させて高密度の層を形成するため、分布ブラッグ反射器にストレスが蓄積され、その結果、基板をダイシングする際に分布ブラッグ反射器にクラックが発生した可能性がある。従って、単純に積層数を増加させることだけでは量産性を有する発光ダイオードチップの提供に適さない。 The reason why cracks occur in the distributed Bragg reflector is not clear, but is expected to be due to ion-assisted deposition. That is, since ions are collided to form a high-density layer, stress is accumulated in the distributed Bragg reflector, and as a result, cracks may occur in the distributed Bragg reflector when the substrate is diced. Therefore, simply increasing the number of stacked layers is not suitable for providing a light-emitting diode chip having mass productivity.
これに当たって、図３で説明したように、分布ブラッグ反射器に反射金属層を形成することにより、入射角が大きい光に対しても相対的に高い反射率を維持することができる。 In this case, as described with reference to FIG. 3, by forming a reflective metal layer on the distributed Bragg reflector, a relatively high reflectance can be maintained even for light having a large incident angle.
表１は、分布ブラッグ反射器の層数、エポキシ樹脂の種類、及びＡｌ反射金属層の適用有無による白色発光ダイオードパッケージ状態での相対発光効率を示す。各実験例において、分布ブラッグ反射器、反射金属層、エポキシ樹脂の種類を除き、他の条件、例えば、発光ダイオードチップの種類及びパッケージの種類は全て同じであり、分布ブラッグ反射器の層数を４０層にして、Ａｌ反射金属層を適用しない発光ダイオードチップのパッケージ（サンプル番号１）の発光効率に対する相対発光効率を％で示した。 Table 1 shows the relative luminous efficiency in the white light emitting diode package state depending on the number of layers of the distributed Bragg reflector, the type of the epoxy resin, and whether or not the Al reflective metal layer is applied. In each experimental example, except for the types of the distributed Bragg reflector, the reflective metal layer, and the epoxy resin, the other conditions, for example, the type of the light emitting diode chip and the type of the package are all the same, and the number of layers of the distributed Bragg reflector is The relative luminous efficiency with respect to the luminous efficiency of the light emitting diode chip package (sample number 1) to which 40 layers are not applied and the Al reflective metal layer is not applied is shown in%.
サンプル１と２、そしてサンプル５と６を対比すると、Ａｌ反射金属層を適用しない場合、接着剤として用いられるエポキシ樹脂の種類によって発光効率に差が示されることが分かる。即ち、透明エポキシを用いたサンプルが銀エポキシを用いた場合より発光効率が高く示される。これは、Ａｌ反射金属層がない場合、分布ブラッグ反射器の反射率が接着剤によって影響を受けるということを示す。 Comparing Samples 1 and 2 and Samples 5 and 6, it can be seen that when the Al reflective metal layer is not applied, a difference in luminous efficiency is shown depending on the type of epoxy resin used as the adhesive. That is, the sample using transparent epoxy shows higher luminous efficiency than the case using silver epoxy. This indicates that in the absence of the Al reflective metal layer, the reflectivity of the distributed Bragg reflector is affected by the adhesive.
一方、同一の種類の接着剤を用いた場合、Ａｌ反射金属層を適用したサンプルが、そうでないサンプルに比べて発光効率が高く示される。例えば、サンプル１と３、サンプル２と４、サンプル５と７を対比すると、Ａｌ反射金属層を適用した場合に発光効率が改善されることが分かる。 On the other hand, when the same type of adhesive is used, the sample to which the Al reflective metal layer is applied exhibits higher luminous efficiency than the sample that does not. For example, comparing Samples 1 and 3, Samples 2 and 4, and Samples 5 and 7, it can be seen that the luminous efficiency is improved when an Al reflective metal layer is applied.
一方、同一の接着剤を用いて、Ａｌ反射金属層を適用しないサンプル１と５、そしてサンプル２と６を対比すると、積層数が増加するにつれて発光効率が改善することが分かる。これは、分布ブラッグ反射器の積層数が増加するにつれて広い入射角範囲で分布ブラッグ反射器の反射率が向上するためであると考えられる。 On the other hand, when samples 1 and 5 and samples 2 and 6 to which the Al reflective metal layer is not applied are compared using the same adhesive, it can be seen that the luminous efficiency improves as the number of layers increases. This is considered to be because the reflectance of the distributed Bragg reflector is improved in a wide incident angle range as the number of stacked layers of the distributed Bragg reflector is increased.
しかし、Ａｌ反射金属層及び銀エポキシを適用したサンプル３とサンプル７を対比すると、積層数の増加にも関わらず、発光効率には差がなかった。これは、Ａｌ反射金属層により、入射角が大きな長波長の可視光に対しても相対的に高い反射率を維持するためであると考えられる。従って、分布ブラッグ反射器とともに反射金属層を適用する場合、分布ブラッグ反射器の積層数を減らしながらもパッケージレベルで良好な発光効率を達成することができることが分かる。さらに、分布ブラッグ反射器の積層数の減少は、分布ブラッグ反射器に発生するクラックを防止することができる。 However, when Sample 3 and Sample 7 to which an Al reflective metal layer and silver epoxy were applied were compared, there was no difference in luminous efficiency despite an increase in the number of layers. This is presumably because the Al reflective metal layer maintains a relatively high reflectivity even for visible light having a long incident angle and a long wavelength. Therefore, it can be seen that when the reflective metal layer is applied together with the distributed Bragg reflector, good luminous efficiency can be achieved at the package level while reducing the number of stacked distributed Bragg reflectors. Furthermore, a reduction in the number of stacked distributed Bragg reflectors can prevent cracks occurring in the distributed Bragg reflector.
一方、分布ブラッグ反射器にＡｌ反射金属層を適用する場合、チップレベルで分布ブラッグ反射器の反射率が減少することが観察され、このような現象は基板の表面粗さと密接な関連があると考えられる。以下、基板の表面粗さがチップレベルで分布ブラッグ反射器の反射率に与える影響について説明する。 On the other hand, when the Al reflective metal layer is applied to the distributed Bragg reflector, it is observed that the reflectance of the distributed Bragg reflector decreases at the chip level, and this phenomenon is closely related to the surface roughness of the substrate. Conceivable. Hereinafter, the influence of the surface roughness of the substrate on the reflectance of the distributed Bragg reflector at the chip level will be described.
図１１は、銅定盤によるサファイア基板のラッピング工程後におけるＣＭＰ（化学機械的研磨）の有無による分布ブラッグ反射器の反射率を示すグラフである。 FIG. 11 is a graph showing the reflectivity of the distributed Bragg reflector according to the presence or absence of CMP (chemical mechanical polishing) after the lapping process of the sapphire substrate with the copper surface plate.
まず、サファイア基板の裏面をグラインディングした後、３μｍ粒子のダイヤモンドスラリーを用いて銅定盤によってラッピング工程を実行した。銅定盤によるラッピング工程後のサファイア基板の裏面の表面粗さは、５μｍ×５μｍの面積で約５．１２ｎｍのＲＭＳ値を示した。 First, after grinding the back surface of the sapphire substrate, a lapping process was performed with a copper surface plate using a diamond slurry of 3 μm particles. The surface roughness of the back surface of the sapphire substrate after the lapping process using the copper surface plate showed an RMS value of about 5.12 nm in an area of 5 μm × 5 μm.
次に、サファイア基板の裏面に化学機械的研磨（ＣＭＰ）工程を実施した後、ＴｉＯ２及びＳｉＯ２の厚さを制御して、上述した第１分布ブラッグ反射器及び第２分布ブラッグ反射器を形成してサンプルを製作した（実施例１）。これに対する比較例として、化学機械的研磨工程を実行せず、実施例１と同一に分布ブラッグ反射器を形成してサンプルを製作した。化学機械的研磨工程は２０Ｋｇの荷重でＳｉＯ２スラリーを用いて実行され、化学機械的研磨工程後のサファイア基板の表面粗さは５μｍ×５μｍの面積で約０．２５ｎｍのＲＭＳ値を示した。 Next, after performing a chemical mechanical polishing (CMP) process on the back surface of the sapphire substrate, the thicknesses of TiO 2 and SiO 2 are controlled, and the first distributed Bragg reflector and the second distributed Bragg reflector described above are performed. A sample was formed (Example 1). As a comparative example for this, a sample was manufactured by forming a distributed Bragg reflector in the same manner as in Example 1 without performing the chemical mechanical polishing step. The chemical mechanical polishing process was performed using SiO 2 slurry at a load of 20 kg, and the surface roughness of the sapphire substrate after the chemical mechanical polishing process showed an RMS value of about 0.25 nm in an area of 5 μm × 5 μm.
比較例の場合、分布ブラッグ反射器の反射率は図１１に図示されたように、可視光線領域で略９０％以上の反射率を示すが、反射率が波長によって不規則であり、また５５０ｎｍ付近では９０％以下の値を示した。これに反し、実施例１の場合、分布ブラッグ反射器の反射率は可視光線の広い波長範囲に亘って殆ど１００％に近い値を示した。 In the case of the comparative example, as shown in FIG. 11, the reflectance of the distributed Bragg reflector shows a reflectance of approximately 90% or more in the visible light region, but the reflectance is irregular depending on the wavelength, and is around 550 nm. Shows a value of 90% or less. On the contrary, in the case of Example 1, the reflectance of the distributed Bragg reflector showed a value close to 100% over a wide wavelength range of visible light.
図１２は、図１１の実施例及び比較例と同様に製作したサンプルに約５００ｎｍのＡｌ層を形成した後の反射率を示すグラフである。 FIG. 12 is a graph showing the reflectance after an Al layer of about 500 nm is formed on a sample manufactured in the same manner as the example and comparative example of FIG.
比較例の場合、Ａｌ層形成後の反射率が非常に減少することが確認された。イ一方、実施例の場合、Ａｌ層形成後でも反射率が減少せず、高い反射率を維持した。 In the case of the comparative example, it was confirmed that the reflectance after the formation of the Al layer was greatly reduced. On the other hand, in the case of the example, the reflectance did not decrease even after the Al layer was formed, and a high reflectance was maintained.
比較例でＡｌ層を形成した後の反射率の減少は、Ａｌを電子ビーム蒸着技術を用いて蒸着する間、表面が粗いサファイア基板に形成された比較例の分布ブラッグ反射器が界面不良によって変形したために示された現象であると考えられる。実施例１の場合はサファイア基板の表面粗さが良好であるため、Ａｌを蒸着する間に分布ブラッグ反射器の変形が発生せず、反射率が維持されると考えられる。 The decrease in reflectivity after the Al layer is formed in the comparative example is that the distributed Bragg reflector of the comparative example formed on the sapphire substrate with a rough surface is deformed due to the interface failure while Al is deposited using the electron beam deposition technique. Therefore, it is thought that this phenomenon is shown. In the case of Example 1, since the surface roughness of the sapphire substrate is good, it is considered that the distributed Bragg reflector is not deformed during the deposition of Al, and the reflectance is maintained.
図１３乃至図１５は、スズ定盤を用いたラッピング工程でのスラリー粒子のサイズに応じた分布ブラッグ反射器の反射率を示すグラフである。 FIGS. 13 to 15 are graphs showing the reflectance of the distributed Bragg reflector according to the size of the slurry particles in the lapping process using a tin surface plate.
ここで、スラリーはダイヤモンド粒子を含み、ダイヤモンド粒子のサイズは夫々３μｍ、４μｍ及び６μｍのものを用いた。スズ定盤を用いたラッピング工程後のサファイア基板の表面粗さはダイヤモンド粒子のサイズに応じて、約２．４０ｎｍ、３．３５ｎｍ及び４．１８ｎｍのＲＭＳ値を示した。 Here, the slurry contains diamond particles, and diamond particles having a size of 3 μm, 4 μm and 6 μm were used. The surface roughness of the sapphire substrate after the lapping process using a tin surface plate exhibited RMS values of about 2.40 nm, 3.35 nm and 4.18 nm depending on the size of the diamond particles.
スズ定盤によってラッピング工程を実施した後、実施例１と同一の分布ブラッグ反射器を形成し、追加的に図１１の例のように約５００ｎｍのＡｌ層を形成した。 After performing the lapping process using a tin surface plate, the same distributed Bragg reflector as in Example 1 was formed, and an Al layer of about 500 nm was additionally formed as in the example of FIG.
図面から分かるように、３μｍスラリーとスズ定盤によるラッピング工程後の分布ブラッグ反射器の反射率は、可視光線領域の広い波長範囲に亘って９０％以上であった。但し、Ａｌ層を形成した後、反射率が５５０ｎｍ付近で少し減少した。 As can be seen from the drawing, the reflectivity of the distributed Bragg reflector after the lapping process using a 3 μm slurry and a tin surface plate was 90% or more over a wide wavelength range in the visible light region. However, after the formation of the Al layer, the reflectance slightly decreased near 550 nm.
しかし、４μｍスラリー及び６μｍスラリーとスズ定盤によるラッピング工程後の分布ブラッグ反射器の反射率は、５５０ｎｍ付近で９０％に及ぶことができず、Ａｌを形成した後の反射率は８０％以下に減少した。 However, the reflectivity of the distributed Bragg reflector after the lapping process with 4 μm slurry and 6 μm slurry and a tin surface plate cannot reach 90% near 550 nm, and the reflectivity after forming Al is less than 80%. Diminished.
以上の実験例から分かるように、分布ブラッグ反射器を形成する前のサファイア基板の表面粗さが分布ブラッグ反射器の反射率に影響を与えることが分かる。また、サファイア基板の表面粗さを３ｎｍ以下のＲＭＳ値以下に制御する必要がある。また、サファイア基板の表面粗さが１ｎｍ以下の場合、Ａｌ層形成後にも反射率が減少されないと予想される。 As can be seen from the above experimental examples, it can be seen that the surface roughness of the sapphire substrate before forming the distributed Bragg reflector affects the reflectance of the distributed Bragg reflector. Moreover, it is necessary to control the surface roughness of the sapphire substrate to an RMS value of 3 nm or less. Further, when the surface roughness of the sapphire substrate is 1 nm or less, it is expected that the reflectance is not reduced even after the Al layer is formed.
Claims (12)
前記基板の前記前面上部に位置し、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に配置された活性層を含む発光構造体と、
前記基板の前記裏面上に位置し、前記発光構造体から出射された光を反射する分布ブラッグ反射器と、
前記分布ブラッグ反射器の下部に位置する金属層と、を含み、
前記分布ブラッグ反射器は、青色波長領域の第１波長の光、緑色波長領域の第２波長の光、及び赤色波長領域の第３波長の光に対して、９０％以上の反射率を有することを特徴とする発光ダイオードチップ。 A substrate having a front surface and a back surface;
A light emitting structure including an active layer positioned on the front upper portion of the substrate and disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer;
A distributed Bragg reflector that is located on the back surface of the substrate and reflects light emitted from the light emitting structure;
A metal layer located under the distributed Bragg reflector,
The distributed Bragg reflector has a reflectance of 90% or more with respect to light having a first wavelength in a blue wavelength region, light having a second wavelength in a green wavelength region, and light having a third wavelength in a red wavelength region. Light emitting diode chip characterized by.
前記複数の発光セルは傾斜した側面を有し、
前記配線は前記互いに隣接する発光セルのうち一つの発光セルの第１導電型半導体層の側面に接続されることを特徴とする請求項６に記載の発光ダイオードチップ。 The wiring further includes connecting the light emitting cells adjacent to each other in series,
The plurality of light emitting cells have inclined side surfaces;
The light emitting diode chip of claim 6, wherein the wiring is connected to a side surface of the first conductive semiconductor layer of one light emitting cell among the light emitting cells adjacent to each other.
前記青色波長領域の光に比べて前記緑色波長領域または前記赤色波長領域の光に対する反射率が高い第１分布ブラッグ反射器と、
前記緑色波長領域または前記赤色波長領域の光に比べて前記青色波長領域の光に対する反射率が高い第２分布ブラッグ反射器と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードチップ。 The distributed Bragg reflector is
A first distributed Bragg reflector having a higher reflectivity with respect to light in the green wavelength region or the red wavelength region than light in the blue wavelength region;
2. The light emitting diode chip according to claim 1, further comprising: a second distributed Bragg reflector having a higher reflectance with respect to light in the blue wavelength region than light in the green wavelength region or the red wavelength region.
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013051243A (en) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Kyocera Corp | Optical element and optical element array |
| JP2014524674A (en) * | 2011-09-01 | 2014-09-22 | 株式会社東芝 | Light emitting diode device |
| JP2015185655A (en) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | 豊田合成株式会社 | Light emitting element and manufacturing method of the same |
| JP2016129229A (en) * | 2015-01-05 | 2016-07-14 | シチズン電子株式会社 | LED light-emitting device |
| US9705044B2 (en) | 2013-02-07 | 2017-07-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| JP2017135164A (en) * | 2016-01-25 | 2017-08-03 | 日亜化学工業株式会社 | Semiconductor element and manufacturing method of the same |
| JP2018088535A (en) * | 2015-10-23 | 2018-06-07 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | Light-emitting diode chip with distributed Bragg reflector |
| CN109427936A (en) * | 2017-08-24 | 2019-03-05 | 首尔伟傲世有限公司 | Light emitting diode with distributed Bragg reflector |
| JP2022543941A (en) * | 2020-06-15 | 2022-10-17 | 泉州三安半▲導▼体科技有限公司 | light emitting diode |
Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03107104A (en) * | 1989-09-20 | 1991-05-07 | Ise Shinku Kogaku Kk | Heat ray absorptive reflecting mirror |
| JPH11126763A (en) * | 1997-02-03 | 1999-05-11 | Toshiba Corp | Method for separating semiconductor devices |
| JP2003528421A (en) * | 1999-06-02 | 2003-09-24 | セイコーエプソン株式会社 | Multi-wavelength light emitting device, electronic device and interference mirror |
| JP2004184703A (en) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Minolta Co Ltd | Reflection mirror |
| JP2005266211A (en) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Sibason Co Ltd | Multilayer film reflecting mirror |
| US20070120129A1 (en) * | 1999-11-19 | 2007-05-31 | Cree, Inc. | Rare earth doped layer or substrate for light conversion |
| WO2007105626A1 (en) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Light-emitting device |
| JP2007273975A (en) * | 2006-03-10 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Works Ltd | Light-emitting device |
| JP2008130721A (en) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light-emitting device, semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing semiconductor light-emitting element |
| JP2008182138A (en) * | 2007-01-26 | 2008-08-07 | Ulvac Japan Ltd | Light-emitting diode element and method of manufacturing the same |
| JP2008544540A (en) * | 2005-06-22 | 2008-12-04 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US20090057702A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Huga Optotech Inc. | Semiconductor light-emitting device |
| WO2009057551A1 (en) * | 2007-11-02 | 2009-05-07 | Konica Minolta Opto, Inc. | Optical element |
| JP2009130360A (en) * | 2007-11-19 | 2009-06-11 | Iljin Semiconductor Co Ltd | White light-emitting diode chip and method of manufacturing the same |
| JP2009132618A (en) * | 2009-03-17 | 2009-06-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Nitride crystal substrate, nitride crystal substrate with epitaxial layer and semiconductor device |
| US20090236619A1 (en) * | 2008-03-19 | 2009-09-24 | Arpan Chakroborty | Light Emitting Diodes with Light Filters |
| JP2009238932A (en) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Semiconductor light emitting device and lighting device using the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3822545B2 (en) * | 2002-04-12 | 2006-09-20 | 士郎 酒井 | Light emitting device |
-
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Patent Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03107104A (en) * | 1989-09-20 | 1991-05-07 | Ise Shinku Kogaku Kk | Heat ray absorptive reflecting mirror |
| JPH11126763A (en) * | 1997-02-03 | 1999-05-11 | Toshiba Corp | Method for separating semiconductor devices |
| JP2003528421A (en) * | 1999-06-02 | 2003-09-24 | セイコーエプソン株式会社 | Multi-wavelength light emitting device, electronic device and interference mirror |
| US20070120129A1 (en) * | 1999-11-19 | 2007-05-31 | Cree, Inc. | Rare earth doped layer or substrate for light conversion |
| JP2004184703A (en) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Minolta Co Ltd | Reflection mirror |
| JP2005266211A (en) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Sibason Co Ltd | Multilayer film reflecting mirror |
| JP2008544540A (en) * | 2005-06-22 | 2008-12-04 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| WO2007105626A1 (en) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Light-emitting device |
| JP2007273975A (en) * | 2006-03-10 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Works Ltd | Light-emitting device |
| JP2008130721A (en) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light-emitting device, semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing semiconductor light-emitting element |
| JP2008182138A (en) * | 2007-01-26 | 2008-08-07 | Ulvac Japan Ltd | Light-emitting diode element and method of manufacturing the same |
| US20090057702A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Huga Optotech Inc. | Semiconductor light-emitting device |
| US7956374B2 (en) * | 2007-08-31 | 2011-06-07 | Huga Optotech Inc. | Semiconductor light-emitting device |
| WO2009057551A1 (en) * | 2007-11-02 | 2009-05-07 | Konica Minolta Opto, Inc. | Optical element |
| JP2009130360A (en) * | 2007-11-19 | 2009-06-11 | Iljin Semiconductor Co Ltd | White light-emitting diode chip and method of manufacturing the same |
| US20090236619A1 (en) * | 2008-03-19 | 2009-09-24 | Arpan Chakroborty | Light Emitting Diodes with Light Filters |
| JP2009238932A (en) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Semiconductor light emitting device and lighting device using the same |
| JP2009132618A (en) * | 2009-03-17 | 2009-06-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Nitride crystal substrate, nitride crystal substrate with epitaxial layer and semiconductor device |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013051243A (en) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Kyocera Corp | Optical element and optical element array |
| JP2014524674A (en) * | 2011-09-01 | 2014-09-22 | 株式会社東芝 | Light emitting diode device |
| US8981410B1 (en) | 2011-09-01 | 2015-03-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED |
| JP2016001740A (en) * | 2011-09-01 | 2016-01-07 | 株式会社東芝 | Manufacturing method of light-emitting diode device and manufacturing method of light emission diode assembly |
| US9705044B2 (en) | 2013-02-07 | 2017-07-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| JP2015185655A (en) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | 豊田合成株式会社 | Light emitting element and manufacturing method of the same |
| JP2016129229A (en) * | 2015-01-05 | 2016-07-14 | シチズン電子株式会社 | LED light-emitting device |
| JP2018088535A (en) * | 2015-10-23 | 2018-06-07 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | Light-emitting diode chip with distributed Bragg reflector |
| JP2017135164A (en) * | 2016-01-25 | 2017-08-03 | 日亜化学工業株式会社 | Semiconductor element and manufacturing method of the same |
| CN109427936A (en) * | 2017-08-24 | 2019-03-05 | 首尔伟傲世有限公司 | Light emitting diode with distributed Bragg reflector |
| JP2022543941A (en) * | 2020-06-15 | 2022-10-17 | 泉州三安半▲導▼体科技有限公司 | light emitting diode |
| JP7354261B2 (en) | 2020-06-15 | 2023-10-02 | 泉州三安半▲導▼体科技有限公司 | light emitting diode |
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