JP2011151080A

JP2011151080A - Semiconductor laser device

Info

Publication number: JP2011151080A
Application number: JP2010009340A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Fujitani; 哲也藤谷
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2010-01-19
Filing date: 2010-01-19
Publication date: 2011-08-04

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser device such that components are inexpensive, a semiconductor laser chip is easily mounted, and heat dissipation is enhanced. <P>SOLUTION: The semiconductor laser device 101 is equipped with: the semiconductor chip 111; a stem 112 thermally connected to the semiconductor laser chip 111; and a cap 113 covering the semiconductor chip 111. The stem 112 has: a reverse surface 121 fitted to a heat dissipation member 102; a mounting surface 117 corresponding to a part of the reverse surface 121; and a fitting surface 118 extending obliquely to the reverse surface 121 and mounting surface 117. The mounting surface 117 has the semiconductor laser chip 111 mounted therein through a substrate 114, and is substantially parallel with the reverse surface 121. The fitting surface 118 has a portion positioned on both sides of the mounting surface 117, and opens a space right above the mounting surface 117. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は半導体レーザ装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor laser device.

従来、半導体レーザ装置としては、特許文献１（特開平７−１７００２４号公報）に開示されているＣＡＮ（缶）パッケージを用いたものがある。図６に示すように、この半導体レーザ装置６０１は、半導体レーザチップ６１１と、この半導体レーザチップ６１１を搭載するステム６１２と、半導体レーザチップ６１１を覆うキャップ６１３とを備える。 Conventionally, as a semiconductor laser device, there is one using a CAN (can) package disclosed in Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 7-170024). As shown in FIG. 6, the semiconductor laser device 601 includes a semiconductor laser chip 611, a stem 612 on which the semiconductor laser chip 611 is mounted, and a cap 613 that covers the semiconductor laser chip 611.

上記ステム６１２は、縦部６１２ａと、この縦部６１２ａの中間から横方向に突出する横部６１２ｂとからなって略Ｔ字を倒したような断面形状をしている。この横部６１２ｂの上面が搭載面６１７であって、この搭載面６１７上にサブストレート６１４を介して半導体レーザチップ６１１を搭載している。より詳しくは、上記サブストレート６１４の上面に半導体レーザチップ６１１をダイボンド接合すると共に、ステム６１２の横部６１２ｂの搭載面６１７にサブストレート６１４をダイボンド接合している。また、上記半導体レーザチップ６１１には図示しない金属ワイヤがワイヤボンディングされている。 The stem 612 includes a vertical portion 612a and a horizontal portion 612b that protrudes in the horizontal direction from the middle of the vertical portion 612a and has a cross-sectional shape that is substantially T-shaped. The upper surface of the horizontal portion 612b is a mounting surface 617, and a semiconductor laser chip 611 is mounted on the mounting surface 617 via a substrate 614. More specifically, the semiconductor laser chip 611 is die-bonded to the upper surface of the substrate 614, and the substrate 614 is die-bonded to the mounting surface 617 of the lateral portion 612b of the stem 612. The semiconductor laser chip 611 is wire-bonded with a metal wire (not shown).

一方、上記ステム６１２の縦部６１２ａの側面である取付面６１８に、キャップ６１３を電気溶接して、レーザチップ６１１をキャップ６１３内に気密封止している。また、縦部６１２ａの下面つまりステム６１２の裏面は放熱部材６０２に接触している。 On the other hand, the cap 613 is electrically welded to the mounting surface 618 which is the side surface of the vertical portion 612 a of the stem 612, and the laser chip 611 is hermetically sealed in the cap 613. Further, the lower surface of the vertical portion 612a, that is, the back surface of the stem 612 is in contact with the heat dissipation member 602.

上記キャップ６１３は、半導体レーザチップ６１１から出射されたレーザ光が通過する開口６２５を有している。このキャップ６１３には内側から開口６２５を塞ぐように窓ガラス６２６が取り付けられている。 The cap 613 has an opening 625 through which the laser light emitted from the semiconductor laser chip 611 passes. A window glass 626 is attached to the cap 613 so as to close the opening 625 from the inside.

この従来の半導体レーザ装置６０１では、ステム６１２は略Ｔ字を倒したような断面形状であって比較的な単純な形状であるから、安価である。また、上記半導体レーザチップ６１１をサブストレート６１４を介して搭載する搭載面６１７の上方が開放しているため、組立性が良くて量産性に優れている。 In this conventional semiconductor laser device 601, the stem 612 has a cross-sectional shape that is substantially T-shaped and has a comparatively simple shape, and is inexpensive. Also, since the upper surface of the mounting surface 617 on which the semiconductor laser chip 611 is mounted via the substrate 614 is open, the assemblability is good and the mass productivity is excellent.

しかしながら、上記従来の半導体レーザ装置６０１では、ステム６１２が略Ｔ字を倒したような断面形状になっているため、半導体レーザチップ６１１から放出された熱は、サブストレート６１４を介して、矢印６０３で示されるように、狭い横部６１２ｂおよび縦部６１２ａを通して放熱されて、放熱経路が細長いため、放熱性が悪いという問題がある。 However, since the conventional semiconductor laser device 601 has a cross-sectional shape in which the stem 612 is substantially T-shaped, the heat released from the semiconductor laser chip 611 passes through the substrate 614 and the arrow 603. As shown, the heat is dissipated through the narrow horizontal portion 612b and the vertical portion 612a, and the heat dissipation path is elongated, resulting in a problem of poor heat dissipation.

放熱性を改善するための半導体レーザ装置としては、図７に示すようなバタフライパッケージの半導体レーザ装置７０１が考えられる。この半導体レーザ装置７０１は、本発明の理解を容易にするための参考例であって従来例ではない。 As a semiconductor laser device for improving the heat dissipation, a semiconductor laser device 701 in a butterfly package as shown in FIG. 7 is conceivable. This semiconductor laser device 701 is a reference example for facilitating understanding of the present invention and is not a conventional example.

上記半導体レーザ装置７０１は、半導体レーザチップ７１１と、この半導体レーザチップ７１１が入るケース７１２と、このケース７１２の上端の開口を塞ぐ蓋７４０とを備える。 The semiconductor laser device 701 includes a semiconductor laser chip 711, a case 712 in which the semiconductor laser chip 711 is inserted, and a lid 740 that closes an opening at the upper end of the case 712.

上記ケース７１２は、底部７１２ａと、この底部７１２ａの縁部に立設された側部７１２ｂ，７１２ｃと、底部７１２ａの中央部から上方に突出する突出部７１２ｄとを有して、断面が略Ｕ字形状となっている。その底部７１２ａの下面つまりケース７１２の裏面７２１は放熱部材７０２に接触している。また、上記突出部７１２ｄの上面が搭載面７１７であって、この搭載面７１７上にサブストレート７１４を介して半導体レーザチップ７１１を搭載している。より詳しくは、上記サブストレート７１４の上面に半導体レーザチップ７１１をダイボンド接合すると共に、ケース７１２の突出部７１２ｄの搭載面７１７にサブストレート７１４をダイボンド接合している。また、上記半導体レーザチップ７１１には図示しない金属ワイヤがワイヤボンディングされている。 The case 712 has a bottom portion 712a, side portions 712b and 712c erected on the edge of the bottom portion 712a, and a protruding portion 712d that protrudes upward from the center portion of the bottom portion 712a, and has a substantially U-shaped cross section. It has a letter shape. The bottom surface of the bottom portion 712 a, that is, the back surface 721 of the case 712 is in contact with the heat radiating member 702. The upper surface of the protrusion 712d is a mounting surface 717, and a semiconductor laser chip 711 is mounted on the mounting surface 717 via a substrate 714. More specifically, the semiconductor laser chip 711 is die-bonded to the upper surface of the substrate 714, and the substrate 714 is die-bonded to the mounting surface 717 of the protrusion 712 d of the case 712. The semiconductor laser chip 711 is wire-bonded with a metal wire (not shown).

一方、上記ケース７１２の側部７１２ｂ，７１２ｃの上端面である取付面７１４に、蓋７４０をシーム溶接して、レーザチップ７１１をキャップ７１３内に気密封止している。そして、上記ケース７１２の側部７１２ｂには、半導体レーザチップ７１１から出射されたレーザ光が通過する開口７２５を設けている。また、上記ケース７１２の側部７１２ｂには内側から開口７２５を塞ぐように窓ガラス７２６が取り付けられている。 On the other hand, the lid 740 is seam welded to the mounting surface 714 which is the upper end surface of the side portions 712b and 712c of the case 712, and the laser chip 711 is hermetically sealed in the cap 713. An opening 725 through which the laser light emitted from the semiconductor laser chip 711 passes is provided in the side portion 712b of the case 712. Further, a window glass 726 is attached to the side portion 712b of the case 712 so as to close the opening 725 from the inside.

この参考例の半導体レーザ装置７０１では、半導体レーザチップ７１１から放出された熱は、サブストレート７１４を介して、矢印７０３で示されるように、広い突出部７１２ｄを通して放熱されて、放熱経路が太く短いため、放熱性は比較的良い。また、上記半導体レーザチップ７１１をサブストレート７１４を介して搭載する搭載面７１７の上方が開放しているため、半導体レーザチップ７１１の搭載は容易である。 In the semiconductor laser device 701 of this reference example, the heat emitted from the semiconductor laser chip 711 is dissipated through the wide protrusion 712d through the substrate 714 as indicated by the arrow 703, and the heat dissipation path is thick and short. Therefore, heat dissipation is relatively good. Further, since the upper side of the mounting surface 717 on which the semiconductor laser chip 711 is mounted via the substrate 714 is open, the mounting of the semiconductor laser chip 711 is easy.

しかしながら、上記参考例の半導体レーザ装置７０１では、ケース７１２は、底部７１２ａと、この底部７１２の縁部に立設された側部７１２ｂ，７１２ｃと、底部７１２ａの中央部から上方に突出する突出部７１２ｄとを有して、断面が略Ｕ字形状となって、形状が複雑であるから、高価となる問題がある。 However, in the semiconductor laser device 701 of the reference example, the case 712 includes a bottom portion 712a, side portions 712b and 712c erected on the edge of the bottom portion 712, and a protruding portion that protrudes upward from the center portion of the bottom portion 712a. 712d, the cross section is substantially U-shaped, and the shape is complicated.

また、上記参考例の半導体レーザ装置７０１では、半導体レーザチップ７１１の搭載は容易であるが、蓋７４０のシーム溶接に時間がかかるため、量産性が悪いという問題もある。 In the semiconductor laser device 701 of the reference example, the semiconductor laser chip 711 can be easily mounted. However, since seam welding of the lid 740 takes time, there is a problem that mass productivity is poor.

また、放熱性を改善するための他の半導体レーザ装置としては、図８に示すようなパッケージの半導体レーザ装置８０１が考えられる。この半導体レーザ装置８０１は、本発明の理解を容易にするための参考例であって従来例ではない。 As another semiconductor laser device for improving heat dissipation, a semiconductor laser device 801 having a package as shown in FIG. 8 can be considered. This semiconductor laser device 801 is a reference example for facilitating understanding of the present invention and is not a conventional example.

上記半導体レーザ装置８０１は、半導体レーザチップ８１１と、この半導体レーザチップ８１１が入る凹部８４３を有するステム８１２と、半導体レーザチップ８１１を覆うキャップ８１３とを備えて、ステム８１２の下面である裏面８２１が放熱部材８０２に接触している。 The semiconductor laser device 801 includes a semiconductor laser chip 811, a stem 812 having a recess 843 for receiving the semiconductor laser chip 811, and a cap 813 that covers the semiconductor laser chip 811, and a back surface 821 that is the lower surface of the stem 812 is provided. It is in contact with the heat dissipating member 802.

上記ステム８１２は略Ｕ字を倒したような断面形状をしている。また、上記凹部８４３はステム８１２の側面である取付面８１８に設けられている。この凹部８４３の底面が搭載面８１７であって、この搭載面８１７上にサブストレート８１４を介して半導体レーザチップ８１１を搭載している。 The stem 812 has a cross-sectional shape that is substantially U-shaped. The recess 843 is provided on the mounting surface 818 which is the side surface of the stem 812. The bottom surface of the recess 843 is a mounting surface 817, and the semiconductor laser chip 811 is mounted on the mounting surface 817 via the substrate 814.

また、上記ステム８１２の取付面８１８にはキャップ８１３を電気溶接して、レーザチップ８１１を凹部８４３内に気密封止している。 A cap 813 is electrically welded to the mounting surface 818 of the stem 812 to hermetically seal the laser chip 811 in the recess 843.

上記キャップ８１３には、半導体レーザチップ８１１から出射されたレーザ光が通過する開口８２５が設けられている。このキャップ８１３には内側から開口８２５を塞ぐように窓ガラス８２６を取り付けている。 The cap 813 is provided with an opening 825 through which the laser light emitted from the semiconductor laser chip 811 passes. A window glass 826 is attached to the cap 813 so as to close the opening 825 from the inside.

この参考例の半導体レーザ装置８０１では、ステム８１２は側面である取付面８１８に凹部８４３を設けて、略Ｕ字を倒したような断面形状であって、比較的な単純な形状であるから、安価である。また、半導体レーザチップ８１１から放出された熱は、サブストレート８１４を介して、矢印８０３で示されるように、ステム８１２の広い部分を通して放熱されて、放熱経路が太く短いため、放熱性は比較的良い。 In the semiconductor laser device 801 of this reference example, the stem 812 is provided with a concave portion 843 on the mounting surface 818 that is a side surface, and has a cross-sectional shape that is substantially U-shaped, and is a comparatively simple shape. Inexpensive. Further, the heat released from the semiconductor laser chip 811 is radiated through the wide portion of the stem 812 through the substrate 814 as indicated by an arrow 803, and the heat radiation path is thick and short. good.

しかしながら、上記参考例の半導体レーザ装置８０１では、半導体レーザチップ８１１をサブストレート８１４を介して搭載する搭載面８１７の上方が開放しておらず、凹部８４３の側方の開口から凹部８４３内に半導体レーザチップ８１１を入れるが、凹部８４３内に半導体レーザチップ８１１を入れる作業性は非常に悪く、量産性が非常に悪いという問題がある。 However, in the semiconductor laser device 801 of the reference example, the upper portion of the mounting surface 817 on which the semiconductor laser chip 811 is mounted via the substrate 814 is not open, and the semiconductor is inserted into the recess 843 from the opening on the side of the recess 843. Although the laser chip 811 is inserted, there is a problem that workability of inserting the semiconductor laser chip 811 into the recess 843 is very poor and mass productivity is very poor.

特開平７−１７００２４号公報Japanese Patent Laid-Open No. 7-170024

そこで、本発明の課題は、部品を安価にでき、且つ、半導体レーザチップを容易に実装でき、且つ、放熱性を高くすることができる半導体レーザ装置を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor laser device in which parts can be made inexpensive, a semiconductor laser chip can be easily mounted, and heat dissipation can be enhanced.

上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザ装置は、
半導体レーザチップと、
上記半導体レーザチップに熱的に接続されたステムと、
上記半導体レーザチップを覆うキャップと
を備え、
上記ステムは、
放熱部材に取り付けられる裏面と、
上記裏面の一部に対応すると共に、上記半導体レーザチップを直接または間接に搭載する搭載面と、
上記裏面および上記搭載面に対して斜め方向に延びると共に、上記搭載面の両側に位置する部分を有して、上記搭載面の直上を開放している取付面と
を有し、
上記キャップは、上記取付面に取り付けられていることを特徴としている。 In order to solve the above problems, a semiconductor laser device of the present invention is
A semiconductor laser chip;
A stem thermally connected to the semiconductor laser chip;
A cap that covers the semiconductor laser chip,
The stem is
A back surface attached to a heat dissipation member;
A mounting surface corresponding to a part of the back surface and mounting the semiconductor laser chip directly or indirectly;
An attachment surface that extends in an oblique direction with respect to the back surface and the mounting surface, has portions located on both sides of the mounting surface, and opens a position directly above the mounting surface;
The cap is attached to the attachment surface.

上記構成によれば、上記ステムの裏面は放熱部材に取り付けられる。また、上記ステムの搭載面は、ステムの裏面の一部に対応すると共に、半導体レーザチップを直接または間接に搭載する。また、上記ステムの取付面は、ステムの裏面および搭載面に対して斜め方向に延びると共に、ステムの搭載面の両側に位置する部分を有して、ステムの搭載面の直上を開放している。したがって、上記ステムは形状が単純であることによって、ステムを安価に製造することできる。その結果、本発明の半導体レーザ装置は安価に製造することができる。 According to the said structure, the back surface of the said stem is attached to a heat radiating member. The mounting surface of the stem corresponds to a part of the back surface of the stem, and the semiconductor laser chip is mounted directly or indirectly. Further, the mounting surface of the stem extends obliquely with respect to the back surface and the mounting surface of the stem and has portions located on both sides of the mounting surface of the stem so as to open directly above the mounting surface of the stem. . Therefore, the stem can be manufactured at low cost due to its simple shape. As a result, the semiconductor laser device of the present invention can be manufactured at low cost.

また、上記取付面は、裏面および搭載面に対して斜め方向に延びると共に、搭載面の両側に位置する部分を有して、搭載面の直上を開放しているので、搭載面に半導体レーザチップを容易に実装することができる。 In addition, the mounting surface extends obliquely with respect to the back surface and the mounting surface, and has portions located on both sides of the mounting surface and opens directly above the mounting surface, so the semiconductor laser chip on the mounting surface Can be easily implemented.

また、上記搭載面および取付面をステムが有することによって、半導体レーザチップの熱が搭載面から裏面に向かって放射状に広がるように伝わるので、ステムの放熱性を極めて高くすることができる。 Further, since the stem has the mounting surface and the mounting surface, the heat of the semiconductor laser chip is transmitted so as to spread radially from the mounting surface to the back surface, so that the heat dissipation of the stem can be made extremely high.

したがって、本発明によれば、部品を安価にでき、且つ、半導体レーザチップを容易に実装でき、且つ、放熱性を極めて高くすることができる半導体レーザ装置を提供することができる。 Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a semiconductor laser device in which components can be made inexpensive, a semiconductor laser chip can be easily mounted, and heat dissipation can be made extremely high.

一実施形態の半導体レーザ装置は、
上記キャップは、
上記半導体レーザチップの上記キャップに面する前端面から出射されたレーザ光が通過する開口と、
上記開口を塞ぎ、且つ、上記レーザ光に対して透明な透明部材と
を有し、
上記透明部材の面は上記前端面からの上記レーザ光の光軸に対して略垂直である。 The semiconductor laser device of one embodiment
The cap is
An opening through which laser light emitted from a front end surface facing the cap of the semiconductor laser chip passes,
A transparent member that closes the opening and is transparent to the laser beam;
The surface of the transparent member is substantially perpendicular to the optical axis of the laser beam from the front end surface.

上記実施形態によれば、上記透明部材の表面は半導体レーザチップのキャップに面する前端面からのレーザ光の光軸に略垂直であるので、その光軸に沿った一方向のレーザ光の光路長と、光軸に沿った他方向のレーザ光の光路長とを揃えることができる。 According to the embodiment, since the surface of the transparent member is substantially perpendicular to the optical axis of the laser light from the front end surface facing the cap of the semiconductor laser chip, the optical path of the laser light in one direction along the optical axis The length and the optical path length of the laser beam in the other direction along the optical axis can be made uniform.

一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記半導体レーザチップの上記キャップに面する前端面とは反対側の後端面から出射されたレーザ光が当たる面は、上記後端面に対して傾斜している。 In the semiconductor laser device of one embodiment,
The surface to which the laser beam emitted from the rear end surface opposite to the front end surface facing the cap of the semiconductor laser chip is inclined with respect to the rear end surface.

上記実施形態によれば、上記半導体レーザチップのキャップに面する前端面とは反対側の後端面から出射されたレーザ光が当たる面は、その後端面に対して傾斜しているので、そのレーザ光が後端面に戻るのを防ぐことができる。 According to the above embodiment, the surface on which the laser beam emitted from the rear end surface opposite to the front end surface facing the cap of the semiconductor laser chip is inclined with respect to the rear end surface. Can be prevented from returning to the rear end face.

一実施形態の半導体レーザ装置は、
上記半導体レーザチップの上記後端面から出射されたレーザ光が当たる面は、上記ステムに取り付けられた受光素子の表面である。 The semiconductor laser device of one embodiment
The surface on which the laser beam emitted from the rear end surface of the semiconductor laser chip hits is the surface of the light receiving element attached to the stem.

上記実施形態によれば、上記半導体レーザチップの後端面から出射されたレーザ光が当たる面は、ステムに取り付けられた受光素子の表面であるので、そのレーザ光の光量を受光素子で検出できる。したがって、上記受光素子が検出した光量に基づいて、半導体レーザチップの出力をモニターすることができる。 According to the above embodiment, the surface on which the laser beam emitted from the rear end surface of the semiconductor laser chip hits is the surface of the light receiving element attached to the stem, so that the light amount of the laser light can be detected by the light receiving element. Therefore, the output of the semiconductor laser chip can be monitored based on the light amount detected by the light receiving element.

一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記半導体レーザチップは、受光部を有するサブストレートを介して上記搭載面に搭載されている。 In the semiconductor laser device of one embodiment,
The semiconductor laser chip is mounted on the mounting surface via a substrate having a light receiving portion.

上記実施形態によれば、上記半導体レーザチップは、受光部を有するサブストレートを介して実装面に実装されているので、部品点数の削減できる。また、上記部品点数の削減によるコスト削減効果もある。 According to the embodiment, since the semiconductor laser chip is mounted on the mounting surface via the substrate having the light receiving portion, the number of components can be reduced. In addition, there is a cost reduction effect by reducing the number of parts.

一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記キャップには光学素子が取り付けられ、
上記半導体レーザチップの上記キャップに面する前端面から出射されたレーザ光が上記光学素子を通過する。 In the semiconductor laser device of one embodiment,
An optical element is attached to the cap,
Laser light emitted from a front end surface facing the cap of the semiconductor laser chip passes through the optical element.

ここで、上記光学素子とは光学的な機能を有する素子を意味し、光学素子の一例としてはコリメートレンズやホログラム素子などが挙げられる。 Here, the optical element means an element having an optical function, and examples of the optical element include a collimator lens and a hologram element.

上記実施形態によれば、上記半導体レーザチップのキャップに面する前端面から出射されたレーザ光が、キャップに取り付けられた光学素子を通過するので、レーザ光を平行光にしたり、レーザ光を回折させたりすることができる。 According to the embodiment, since the laser light emitted from the front end surface facing the cap of the semiconductor laser chip passes through the optical element attached to the cap, the laser light is converted into parallel light or diffracted by the laser light. You can make it.

一実施形態の半導体レーザ装置は、
上記ステムの上記搭載面とこの搭載面の上方の上記取付面の一部との間の上記ステムの部分を貫通すると共に、上記キャップ内に位置する一端部が上記半導体レーザチップに電気接続されたリードを備える。 The semiconductor laser device of one embodiment
The stem portion between the mounting surface of the stem and a part of the mounting surface above the mounting surface is penetrated, and one end located in the cap is electrically connected to the semiconductor laser chip. Provide leads.

上記実施形態によれば、上記リードは、ステムの搭載面とこの搭載面の上方の取付面の一部との間にあるステムの部分を貫通すると共に、キャップ内に位置する一端部が半導体レーザチップに電気接続されるので、半導体レーザチップの外部への電気接続をリードで容易に行うことができる。 According to the embodiment, the lead penetrates a portion of the stem between the mounting surface of the stem and a part of the mounting surface above the mounting surface, and one end portion located in the cap is a semiconductor laser. Since it is electrically connected to the chip, electrical connection to the outside of the semiconductor laser chip can be easily performed with leads.

一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記リードの他端部は屈曲して上記放熱部材上の配線パターンに電気接続されている。 In the semiconductor laser device of one embodiment,
The other end of the lead is bent and electrically connected to the wiring pattern on the heat dissipation member.

上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記リードの他端部は屈曲して放熱部材上の配線パターンに電気接続されているので、リードの一端部と配線パターンとの間に高低差があっても、リードの他端部を配線パターンに直接電気接続できる。したがって、上記リードの他端部と配線パターンとの間に例えば配線を介在させなくてもよいので、製造コストを低減することができる。 According to the semiconductor laser device having the above configuration, since the other end portion of the lead is bent and electrically connected to the wiring pattern on the heat dissipation member, there is a difference in height between the one end portion of the lead and the wiring pattern. In addition, the other end of the lead can be directly electrically connected to the wiring pattern. Therefore, it is not necessary to interpose, for example, wiring between the other end portion of the lead and the wiring pattern, so that the manufacturing cost can be reduced.

本発明の半導体レーザ装置によれば、ステムは、放熱部材に取り付けられる裏面と、この裏面の一部に対応すると共に、上記半導体レーザチップを直接または間接に搭載する搭載面と、その裏面および搭載面に対して斜め方向に延びると共に、搭載面の両側に位置する部分を有して、搭載面の直上を開放している取付面とを有することによって、ステムの形状が単純になるので、安価に製造することができる。 According to the semiconductor laser device of the present invention, the stem corresponds to a back surface attached to the heat dissipation member, a part of the back surface, a mounting surface on which the semiconductor laser chip is mounted directly or indirectly, and the back surface and mounting. Since the shape of the stem becomes simple by having a mounting surface that extends obliquely with respect to the surface and has portions located on both sides of the mounting surface and opens directly above the mounting surface, it is inexpensive. Can be manufactured.

また、本発明によれば、上記搭載面の直上が開放されているので、搭載面に半導体レーザチップを容易に実装することができる。 In addition, according to the present invention, since the portion directly above the mounting surface is open, the semiconductor laser chip can be easily mounted on the mounting surface.

また、本発明によれば、上記半導体レーザチップの搭載面が、放熱部材に取り付けられる裏面の一部に対応し、且つ、その搭載面の両側に位置する部分を有する取付面が、搭載面の直上を開放するように、裏面および搭載面に対して斜め方向に延びることによって、半導体レーザチップの熱が搭載面から裏面に向かって放射状に広がるように伝わるので、ステムの放熱性を極めて高くすることができる。 According to the present invention, the mounting surface of the semiconductor laser chip corresponds to a part of the back surface attached to the heat dissipation member, and the mounting surface having portions located on both sides of the mounting surface is the mounting surface. By extending in an oblique direction with respect to the back surface and the mounting surface so as to open directly above, the heat of the semiconductor laser chip is transmitted so as to spread radially from the mounting surface to the back surface, so that the heat dissipation of the stem is extremely increased. be able to.

図１は本発明の第１実施形態の半導体レーザ装置の概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention. 図２は上記第１実施形態の半導体レーザ装置の変形例の概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a modification of the semiconductor laser device of the first embodiment. 図３は本発明の第２実施形態の半導体レーザ装置の概略断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view of a semiconductor laser device according to the second embodiment of the present invention. 図４は上記第２実施形態の半導体レーザ装置の変形例の概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a modification of the semiconductor laser device of the second embodiment. 図５は上記第２実施形態の半導体レーザ装置の変形例の概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a modification of the semiconductor laser device of the second embodiment. 図６は従来の半導体レーザチップの概略断面図である。FIG. 6 is a schematic sectional view of a conventional semiconductor laser chip. 図７は参考例の半導体レーザチップの概略断面図である。FIG. 7 is a schematic sectional view of a semiconductor laser chip of a reference example. 図８は参考例の半導体レーザチップの概略断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor laser chip of a reference example.

以下、本発明の半導体レーザ装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。 The semiconductor laser device of the present invention will be described in detail below with reference to the illustrated embodiments.

〔第１実施形態〕
図１は本発明の第１実施形態の半導体レーザ装置１０１の概略断面図である。 [First Embodiment]
FIG. 1 is a schematic sectional view of a semiconductor laser device 101 according to a first embodiment of the present invention.

上記半導体レーザ装置１０１は、半導体レーザチップ１１１と、この半導体レーザチップ１１１に熱的に接続されたステム１１２と、半導体レーザチップ１１１を覆うキャップ１１３とを備え、金属からなる放熱部材１０２上に配置される。 The semiconductor laser device 101 includes a semiconductor laser chip 111, a stem 112 thermally connected to the semiconductor laser chip 111, and a cap 113 covering the semiconductor laser chip 111, and is disposed on a heat dissipation member 102 made of metal. Is done.

上記半導体レーザチップ１１１は、サブストレート１１４を介してステム１１２にダイボンド実装された後、ワイヤボンディングが行われる。この半導体レーザチップ１１１は、レーザ共振器を構成する前端面および後端面としての第１，第２共振器端面１１５，１１６を有している。この第１共振器端面１１５はキャップ１２３に面し、レーザ光Ｌ１を出射する。また、半導体レーザチップ１１１は、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＧａＡｓまたはＡｌＧａＩｎＮなどを用いて製造される。そして、半導体レーザチップ１１１は、上面側にｐ側電極を有する一方、下面側にｎ側電極を有している。このｎ側電極がサブストレート１１４側に位置するように、サブストレート１１４の上面に半導体レーザチップ１１１をＡｕＳｎ半田ペーストでダイボンドする。上記第１共振器端面１１５が、半導体レーザチップのキャップに面する前端面であり、第２共振器端面１１６が、半導体レーザチップのキャップに面する前端面とは反対側の後端面である。 The semiconductor laser chip 111 is die-bonded to the stem 112 via the substrate 114, and then wire bonding is performed. The semiconductor laser chip 111 has first and second resonator end surfaces 115 and 116 as front end surfaces and rear end surfaces constituting a laser resonator. The first resonator end face 115 faces the cap 123 and emits laser light L1. The semiconductor laser chip 111 is manufactured using AlGaAs, GaA, InGaAlP, GaAs, AlGaInN, or the like. The semiconductor laser chip 111 has a p-side electrode on the upper surface side and an n-side electrode on the lower surface side. The semiconductor laser chip 111 is die-bonded to the upper surface of the substrate 114 with AuSn solder paste so that the n-side electrode is positioned on the substrate 114 side. The first resonator end face 115 is a front end face facing the cap of the semiconductor laser chip, and the second resonator end face 116 is a rear end face opposite to the front end face facing the cap of the semiconductor laser chip.

上記ステム１１２は、放熱部材１０２に取り付けられる裏面１２１と、裏面１２１の一部に対応する搭載面１１７と、裏面１２１および搭載面１１７に対して斜め方向に延びる取付面１１８とを有する。この裏面１２１は、搭載面１１７の面積より大きい面積を有するように設けられている。また、上記搭載面１１７は、サブストレート１１４を介して半導体レーザチップ１１１を搭載し、裏面１２１に対して略平行になっている。また、上記取付面１１８は、搭載面１１７の両側に位置する部分を有する。より詳しくは、取付面１１８は、搭載面１１７を取り囲むように設けられて、搭載面１１７の直上を開放している。また、上記搭載面１１７が形成されている凹部には、半導体レーザチップ１１１の第２共振器端面１１６に対して傾斜する傾斜面１１９も形成されている。そして、この傾斜面１１９には受光素子１２０が取り付けられており、傾斜面１１９と同様に、受光素子１２０の受光面も半導体レーザチップ１１１の第２共振器端面１１６に対して傾斜している。また、受光素子１２０の受光面には、第２共振器端面１１６からのレーザ光Ｌ２が入射するようになっている。 The stem 112 has a back surface 121 attached to the heat dissipation member 102, a mounting surface 117 corresponding to a part of the back surface 121, and a mounting surface 118 extending in an oblique direction with respect to the back surface 121 and the mounting surface 117. The back surface 121 is provided to have an area larger than the area of the mounting surface 117. The mounting surface 117 mounts the semiconductor laser chip 111 via the substrate 114 and is substantially parallel to the back surface 121. The mounting surface 118 has portions located on both sides of the mounting surface 117. More specifically, the mounting surface 118 is provided so as to surround the mounting surface 117 and opens right above the mounting surface 117. In addition, an inclined surface 119 that is inclined with respect to the second resonator end surface 116 of the semiconductor laser chip 111 is also formed in the recess where the mounting surface 117 is formed. A light receiving element 120 is attached to the inclined surface 119, and similarly to the inclined surface 119, the light receiving surface of the light receiving element 120 is also inclined with respect to the second resonator end surface 116 of the semiconductor laser chip 111. Further, the laser beam L2 from the second resonator end face 116 is incident on the light receiving surface of the light receiving element 120.

上記キャップ１１３は、コバール、４５アロイまたは鉄などの金属材料からなる金属板をプレス加工することによって形成されて、取付面１１８に取り付けられている。そして、キャップ１１３は、円筒状の側壁部１２２と、この側壁部１２２の一端に連なる頂部１２３と、側壁部１２２の他端に連なるフランジ部１２４とを有している。このフランジ部１２４は、半導体レーザチップ１１１および受光素子１２０のワイヤボンディングを行った後、ステム１１２の取付面１１８に電気溶接される。また、キャップ１１３の表面には、ニッケルメッキなどのメッキ処理が施されている。また、キャップ１１３の頂部１２３には、半導体レーザチップ１１１の第１共振器端面１１５から出射されたレーザ光Ｌ１を外部に取り出すための開口１２５が設けられている。この開口１２５は、レーザ光Ｌ１の光軸方向から見た形状が円形状となるように形成されており、頂部１２３の略中央部に配置されている。また、開口１２５は、半導体レーザチップ１１１を気密封止するために、レーザ光Ｌ１を透過することが可能な窓ガラス１２６によって塞がれている。より詳しくは、キャップ１１３の頂部１２３に内側から窓ガラス１２６を低融点ガラスで封着することによって、頂部１２３の開口１２５が窓ガラス１２６で塞がれる。なお、窓ガラス１２６が透明部材の一例である。 The cap 113 is formed by pressing a metal plate made of a metal material such as Kovar, 45 alloy, or iron, and is attached to the attachment surface 118. The cap 113 includes a cylindrical side wall portion 122, a top portion 123 that is continuous with one end of the side wall portion 122, and a flange portion 124 that is continuous with the other end of the side wall portion 122. The flange portion 124 is electrically welded to the mounting surface 118 of the stem 112 after wire bonding of the semiconductor laser chip 111 and the light receiving element 120. Further, the surface of the cap 113 is subjected to a plating process such as nickel plating. Further, the top portion 123 of the cap 113 is provided with an opening 125 for taking out the laser light L1 emitted from the first resonator end face 115 of the semiconductor laser chip 111 to the outside. The opening 125 is formed so that the shape seen from the optical axis direction of the laser beam L1 is a circular shape, and is disposed at a substantially central portion of the top portion 123. Further, the opening 125 is closed by a window glass 126 that can transmit the laser light L1 in order to hermetically seal the semiconductor laser chip 111. More specifically, by sealing the window glass 126 to the top 123 of the cap 113 from the inside with the low melting point glass, the opening 125 of the top 123 is closed with the window glass 126. The window glass 126 is an example of a transparent member.

上記サブストレート１１４は、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ、または、ダイヤモンドなどから構成される絶縁性の本体部と、この本体部の上面および下面のそれぞれに形成された金属膜とを含んでいる。この金属膜は、本体部側から順次積層されたＴｉ（チタン）層、Ｐｔ（白金）層およびＡｕ（金）層から構成されている。また、サブストレート１１４は、ステム１１２の搭載面１１７にＡｕＳｎ半田ペーストでダイボンドされている。このサブストレート１１４は、半導体レーザチップ１１１で発生した熱を放熱する機能を有する。 The substrate 114 includes an insulating main body made of SiC, AlN, Si, diamond, or the like, and a metal film formed on each of the upper and lower surfaces of the main body. The metal film is composed of a Ti (titanium) layer, a Pt (platinum) layer, and an Au (gold) layer that are sequentially stacked from the main body side. The substrate 114 is die-bonded to the mounting surface 117 of the stem 112 with AuSn solder paste. The substrate 114 has a function of radiating heat generated in the semiconductor laser chip 111.

また、上記半導体レーザ装置１０１は、ステム１１２を貫通する３本の金属製のリード１２７（図１では１本のリード１２７のみが図示されている）を備えている。この３本のリード１２７は、それぞれ、搭載面１１７とこの搭載面１１７の上方の取付面１１８の一部との間のステム１１２の部分を貫通する。より詳しくは、３本のリード１２７は、それぞれ、ステム１１２の貫通孔（図示せず）に挿通され、各貫通孔の壁面と各リード１２７の外周面との間には低融点ガラスが充填されている。これにより、ステム１１２に対する各リード１２７の絶縁性が確保されると共に、キャップ１１３内の気密性が確保されている。 The semiconductor laser device 101 also includes three metal leads 127 (only one lead 127 is shown in FIG. 1) that penetrates the stem 112. Each of the three leads 127 penetrates a portion of the stem 112 between the mounting surface 117 and a part of the mounting surface 118 above the mounting surface 117. More specifically, each of the three leads 127 is inserted into a through hole (not shown) of the stem 112, and a low melting point glass is filled between the wall surface of each through hole and the outer peripheral surface of each lead 127. ing. Thereby, the insulation of each lead 127 with respect to the stem 112 is secured, and the airtightness in the cap 113 is secured.

上記リード１２７、および、図示されていない２本のリードは、それぞれ、略一直線状に延びると共に、半導体レーザチップ１１１側の端部がキャップ１１３内に位置する。リード１２７の半導体レーザチップ１１１側の端部は、ワイヤ１２８によって、半導体レーザチップ１１１の上面側のｐ側電極に電気的に接続されている。また、図示されていない２本のリードの一方の半導体レーザチップ１１１側の端部は、図示しないワイヤと、サブストレート１１４の上面の金属膜とによって、半導体レーザチップ１１１の下面側のｎ側電極に電気的に接続されている。また、図示されていない２本のリードの他方の半導体レーザチップ１１１側の端部は、図示しないワイヤによって、受光素子１２０に電気的に接続されている。 The lead 127 and two leads (not shown) each extend substantially in a straight line, and the end on the semiconductor laser chip 111 side is located in the cap 113. An end of the lead 127 on the semiconductor laser chip 111 side is electrically connected to a p-side electrode on the upper surface side of the semiconductor laser chip 111 by a wire 128. Further, the end of one of the two leads (not shown) on the side of the semiconductor laser chip 111 is formed by an n-side electrode on the lower surface side of the semiconductor laser chip 111 by a wire (not shown) and a metal film on the upper surface of the substrate 114. Is electrically connected. Further, the other end of the two leads (not shown) on the other semiconductor laser chip 111 side is electrically connected to the light receiving element 120 by a wire (not shown).

上記構成の半導体レーザ装置１０１によれば、ステム１１２は、放熱部材１０２に取り付けられる裏面１２１と、この裏面１２１の一部に対応すると共に、半導体レーザチップ１１１をサブストレート１１４を介して搭載する搭載面１１７と、その裏面１２１および搭載面１１７に対して斜め方向に延びると共に、搭載面１１７の両側に位置する部分を有して、搭載面１１７の直上を開放している取付面１１８とを有することによって、ステム１１２の形状が単純になるので、ステム１１２を安価に製造することができる。 According to the semiconductor laser device 101 configured as described above, the stem 112 corresponds to the back surface 121 attached to the heat radiating member 102 and a part of the back surface 121, and the semiconductor laser chip 111 is mounted via the substrate 114. And a mounting surface 118 that extends in an oblique direction with respect to the back surface 121 and the mounting surface 117 and has portions located on both sides of the mounting surface 117 and opens right above the mounting surface 117. As a result, the shape of the stem 112 becomes simple, and the stem 112 can be manufactured at low cost.

また、上記搭載面１１７の直上が開放されているので、搭載面１１７に半導体レーザチップ１１１を容易に実装することができる。 Further, since the portion directly above the mounting surface 117 is open, the semiconductor laser chip 111 can be easily mounted on the mounting surface 117.

また、上記半導体レーザチップ１１１の搭載面１１７が、放熱部材１０２に取り付けられる裏面１２１の一部に対応し、且つ、その搭載面１１７の両側に位置する部分を有する取付面１１８が、搭載面１１７の直上を開放するように、裏面１２１および搭載面１１７に対して斜め方向に延びることによって、半導体レーザチップ１１１の熱が、矢印１０３Ａ，１０３Ｂ，１０３Ｃで示すように、搭載面１１７から裏面１２１に向かって末広がりに放射状に広がるように伝わるので、ステム１１２の放熱性を極めて高くすることができる。 In addition, the mounting surface 117 of the semiconductor laser chip 111 corresponds to a part of the back surface 121 attached to the heat dissipation member 102, and the mounting surface 118 having portions located on both sides of the mounting surface 117 is the mounting surface 117. By extending in an oblique direction with respect to the back surface 121 and the mounting surface 117 so as to open directly above, heat of the semiconductor laser chip 111 moves from the mounting surface 117 to the back surface 121 as indicated by arrows 103A, 103B, and 103C. Since it is transmitted so as to spread radially toward the end, the heat dissipation of the stem 112 can be made extremely high.

また、上記取付面１１８において半導体レーザチップ１１１よりも前側の部分は半導体レーザチップ１１１の下面よりも低いので、レーザ光Ｌ１は取付面１１８に邪魔されず、搭載面１１７と平行な方向へ進むことができる。 Further, since the portion of the mounting surface 118 that is in front of the semiconductor laser chip 111 is lower than the lower surface of the semiconductor laser chip 111, the laser light L1 does not interfere with the mounting surface 118 and travels in a direction parallel to the mounting surface 117. Can do.

また、上記半導体レーザチップ１１１の第２共振器端面１１６から出射されたレーザ光Ｌ２が第２共振器端面１１６に戻ると、半導体レーザチップ１１１のノイズ特性などが悪化するが、半導体レーザチップ１１１の第２共振器端面１１６の後方（レーザ光Ｌ２が進む方向）に位置する傾斜面１１９は半導体レーザ装置１０１の第２共振器端面１１６に対して傾斜しているので、半導体レーザチップ１１１の第２共振器端面１１６にレーザ光Ｌ２が戻るのを防ぐことができ、ノイズ特性の悪化を防止できる。 Further, when the laser beam L2 emitted from the second resonator end surface 116 of the semiconductor laser chip 111 returns to the second resonator end surface 116, the noise characteristics of the semiconductor laser chip 111 deteriorate, but the semiconductor laser chip 111 Since the inclined surface 119 located behind the second resonator end surface 116 (the direction in which the laser beam L2 travels) is inclined with respect to the second resonator end surface 116 of the semiconductor laser device 101, the second surface of the semiconductor laser chip 111 is second. It is possible to prevent the laser beam L2 from returning to the resonator end face 116, and to prevent deterioration of noise characteristics.

また、上記傾斜面１１９に取り付けられた受光素子１２０の受光面も半導体レーザチップ１１１の第２共振器端面１１６に対して傾斜しているので、レーザ光Ｌ２が受光素子１２０の受光面で反射されて半導体レーザチップ１１１の第２共振器端面１１６に戻るのを防ぐことができ、ノイズ特性の悪化を防止できる。 Further, since the light receiving surface of the light receiving element 120 attached to the inclined surface 119 is also inclined with respect to the second resonator end surface 116 of the semiconductor laser chip 111, the laser light L2 is reflected by the light receiving surface of the light receiving element 120. Thus, it is possible to prevent the semiconductor laser chip 111 from returning to the second resonator end face 116 and to prevent noise characteristics from deteriorating.

また、上記レーザ光Ｌ２が受光素子１２０の受光面に入射するので、レーザ光Ｌ２の光量を受光素子１２０で検出できる。したがって、上記受光素子１２０が検出した光量に基づいて、半導体レーザチップ１１１の出力をモニターすることができる。このようなモニターを行う場合、例えば、受光素子１２０の受光量を示す信号を外部の制御装置に送ってもよい。 Further, since the laser beam L2 is incident on the light receiving surface of the light receiving element 120, the light amount of the laser light L2 can be detected by the light receiving element 120. Therefore, the output of the semiconductor laser chip 111 can be monitored based on the amount of light detected by the light receiving element 120. When performing such monitoring, for example, a signal indicating the amount of light received by the light receiving element 120 may be sent to an external control device.

また、上記リード１２７は、ステム１１２を貫通すると共に、半導体レーザチップ１１１側の端部がキャップ１１３内に位置するので、半導体レーザチップ１１１の外部への電気接続をリード１２７で容易に行うことができる。 In addition, since the lead 127 penetrates the stem 112 and the end portion on the semiconductor laser chip 111 side is located in the cap 113, electrical connection to the outside of the semiconductor laser chip 111 can be easily performed by the lead 127. it can.

上記第１実施形態では、キャップ１１３の開口１２５は、ガラスからなる窓ガラス１２６で塞いでいたが、レーザ光Ｌ１を透過可能であれば、例えばプラスチックからなる窓プラスチックで塞いでもよい。なお、上記窓プラスチックは透明部材の一例である。 In the first embodiment, the opening 125 of the cap 113 is closed by the window glass 126 made of glass. However, as long as the laser light L1 can be transmitted, the opening 125 may be closed by window plastic made of plastic, for example. The window plastic is an example of a transparent member.

上記第１実施形態では、半導体レーザチップ１１１と搭載面１１７との間にサブストレート１１４を介在させていたが、半導体レーザチップ１１１と搭載面１１７との間にサブストレート１１４を介在させないようにしてもよい。つまり、搭載面１１７に半導体レーザチップ１１１を例えばＡｕＳｎ半田ペーストで直接ダイボンドしてもよい。 In the first embodiment, the substrate 114 is interposed between the semiconductor laser chip 111 and the mounting surface 117. However, the substrate 114 is not interposed between the semiconductor laser chip 111 and the mounting surface 117. Also good. That is, the semiconductor laser chip 111 may be directly die-bonded to the mounting surface 117 with, for example, AuSn solder paste.

上記第１実施形態では、受光素子１２０を有さないサブストレート１１４を用いたが、図２に示すように、受光部１５５を有するサブストレート１５４を用いてもよい。この場合、図１の受光素子１２０は不要となるので、部品点数を少なくとも１つは減らせる。また、部品点数の削減によるコスト低減も可能である。受光部１５５は、受光素子１２０と同様に、第２共振器端面１１６からのレーザ光Ｌ２の光量を検出できるものであれば、どのような構造であってもよい。 In the first embodiment, the substrate 114 without the light receiving element 120 is used. However, as shown in FIG. 2, a substrate 154 having a light receiving portion 155 may be used. In this case, the light receiving element 120 of FIG. In addition, the cost can be reduced by reducing the number of parts. Similarly to the light receiving element 120, the light receiving unit 155 may have any structure as long as it can detect the light amount of the laser light L2 from the second resonator end face 116.

なお、図２において、図１に示した構成部と同一構成部は、図１における構成部と同一参照番号を付して、説明を省略する。 In FIG. 2, the same components as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as those in FIG.

〔第２実施形態〕
図３は本発明の第２実施形態の半導体レーザ装置２０１の概略断面図である。 [Second Embodiment]
FIG. 3 is a schematic sectional view of a semiconductor laser device 201 according to the second embodiment of the present invention.

上記半導体レーザ装置２０１は、半導体レーザチップ２１１と、この半導体レーザチップ２１１に熱的に接続されたステム２１２と、半導体レーザチップ２１１を覆うキャップ２１３とを備え、例えば金属からなる放熱部材２０２上に配置される。 The semiconductor laser device 201 includes a semiconductor laser chip 211, a stem 212 that is thermally connected to the semiconductor laser chip 211, and a cap 213 that covers the semiconductor laser chip 211. Be placed.

上記半導体レーザチップ２１１は、サブストレート２１４を介してステム２１２にダイボンド実装された後、ワイヤボンディングが行われる。この半導体レーザチップ２１１は、レーザ共振器を構成する前端面および後端面としての第１，第２共振器端面２１５，２１６を有している。この第１共振器端面２１５はキャップ２２３に面し、レーザ光Ｌ２１を出射する。また、半導体レーザチップ２１１は、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＧａＡｓまたはＡｌＧａＩｎＮなどを用いて製造される。そして、半導体レーザチップ２１１は、上面側にｐ側電極を有する一方、下面側にｎ側電極を有している。このｎ側電極がサブストレート２１４側に位置するように、サブストレート２１４の上面に半導体レーザチップ２１１をＡｕＳｎ半田ペーストでダイボンドする。また、上記第１共振器端面２１５が、半導体レーザチップのキャップに面する前端面であり、第２共振器端面２１６が、半導体レーザチップのキャップに面する前端面とは反対側の後端面である。 The semiconductor laser chip 211 is wire-bonded after being die-bonded to the stem 212 via the substrate 214. The semiconductor laser chip 211 has first and second resonator end surfaces 215 and 216 as front end surfaces and rear end surfaces constituting a laser resonator. The first resonator end face 215 faces the cap 223 and emits a laser beam L21. The semiconductor laser chip 211 is manufactured using AlGaAs, GaA, InGaAlP, GaAs, AlGaInN, or the like. The semiconductor laser chip 211 has a p-side electrode on the upper surface side and an n-side electrode on the lower surface side. The semiconductor laser chip 211 is die-bonded to the upper surface of the substrate 214 with AuSn solder paste so that the n-side electrode is positioned on the substrate 214 side. The first resonator end surface 215 is a front end surface facing the cap of the semiconductor laser chip, and the second resonator end surface 216 is a rear end surface opposite to the front end surface facing the cap of the semiconductor laser chip. is there.

上記ステム２１２は、放熱部材２０２に取り付けられる裏面２２１と、裏面２２１の一部に対応する搭載面２１７と、裏面２２１および搭載面２１７に対して斜め方向に延びる取付面２１８とを有する。この裏面２２１は、搭載面２１７の面積より大きい面積を有するように設けられている。また、上記搭載面２１７は、サブストレート２１４を介して半導体レーザチップ１１１を搭載し、裏面２２１に対して略平行になっている。また、上記取付面２１８は、搭載面２１７の両側に位置する部分を有する。より詳しくは、取付面２１８は、搭載面２１７を取り囲むように設けられて、搭載面２１７の直上を開放している。 The stem 212 has a back surface 221 attached to the heat dissipation member 202, a mounting surface 217 corresponding to a part of the back surface 221, and a mounting surface 218 extending in an oblique direction with respect to the back surface 221 and the mounting surface 217. The back surface 221 is provided so as to have an area larger than the area of the mounting surface 217. The mounting surface 217 mounts the semiconductor laser chip 111 via the substrate 214 and is substantially parallel to the back surface 221. The mounting surface 218 has portions located on both sides of the mounting surface 217. More specifically, the mounting surface 218 is provided so as to surround the mounting surface 217 and opens directly above the mounting surface 217.

また、上記ステム２１２は、搭載面２１７に対して略垂直な第１，第２垂直面２５１，２５２も有している。この第１垂直面２５１は搭載面２１７の窓ガラス２２６側の端に連なる一方、第２垂直面２５２は搭載面２１７の窓ガラス２２６側とは反対側の端に連なる。より詳しくは、搭載面２１７は、第１垂直面２５１を介して、取付面２１８の図３中下側の部分に連なる一方、第２垂直面２５２を介して、取付面２１８の図３中上側の部分に連なる。 The stem 212 also has first and second vertical surfaces 251 and 252 that are substantially perpendicular to the mounting surface 217. The first vertical surface 251 is continuous with the end of the mounting surface 217 on the window glass 226 side, while the second vertical surface 252 is continuous with the end of the mounting surface 217 opposite to the window glass 226 side. More specifically, the mounting surface 217 is connected to a lower portion of the mounting surface 218 in FIG. 3 through the first vertical surface 251, while the upper surface of the mounting surface 218 in FIG. 3 through the second vertical surface 252. It continues to the part.

上記キャップ２１３は、コバール、４５アロイまたは鉄などの金属材料からなる金属板をプレス加工することによって形成されて、取付面２１８に取り付けられている。そして、キャップ２１３は、円筒状の側壁部２２２と、この側壁部２２２の一端に連なる頂部２２３と、側壁部２２２の他端に連なるフランジ部２２４とを有している。このフランジ部２２４は、半導体レーザチップ２１１のワイヤボンディングが行われた後、ステム２１２の取付面２１８に電気溶接される。また、キャップ２１３の表面には、ニッケルメッキなどのメッキ処理が施されている。また、キャップ２１３の頂部２２３には、半導体レーザチップ２１１の第１共振器端面２１５から出射されたレーザ光Ｌ２１を外部に取り出すための開口２２５が設けられている。この開口２２５は、レーザ光Ｌ２１の光軸方向から見た形状が円形状となるように形成されている。また、頂部２２３において開口２２５が形成されている部分は、側壁部２２２に対して傾斜している。また、開口２２５は、半導体レーザチップ２１１を気密封止するために、レーザ光Ｌ２１を透過することが可能な窓ガラス２２６によって塞がれている。より詳しくは、キャップ２１３の頂部２２３に内側から窓ガラス２２６を低融点ガラスで封着することによって、頂部２２３の開口２２５が窓ガラス２２６で塞がれる。なお、窓ガラス２２６は透明部材の一例である。 The cap 213 is formed by pressing a metal plate made of a metal material such as Kovar, 45 alloy, or iron, and is attached to the attachment surface 218. The cap 213 includes a cylindrical side wall portion 222, a top portion 223 that is continuous with one end of the side wall portion 222, and a flange portion 224 that is continuous with the other end of the side wall portion 222. The flange portion 224 is electrically welded to the mounting surface 218 of the stem 212 after wire bonding of the semiconductor laser chip 211 is performed. The surface of the cap 213 is subjected to a plating process such as nickel plating. The top 223 of the cap 213 is provided with an opening 225 for taking out the laser light L21 emitted from the first resonator end face 215 of the semiconductor laser chip 211 to the outside. The opening 225 is formed so that the shape viewed from the optical axis direction of the laser beam L21 is circular. In addition, the portion where the opening 225 is formed in the top portion 223 is inclined with respect to the side wall portion 222. The opening 225 is closed by a window glass 226 that can transmit the laser light L21 in order to hermetically seal the semiconductor laser chip 211. More specifically, the window glass 226 is sealed from the inside to the top portion 223 of the cap 213 with the low melting point glass, whereby the opening 225 of the top portion 223 is closed with the window glass 226. The window glass 226 is an example of a transparent member.

上記窓ガラス２２６は、キャップ２１３の開口２２５の周縁部の内面に取り付けられている。そして、窓ガラス２２６において、半導体レーザチップ２１１に面する面、および、コリメートレンズ２５３に面する面は、半導体レーザチップ２１１の第１共振器端面２１５から出射されたレーザ光Ｌ２１の光軸に対して略垂直になっている。すなわち、窓ガラス２２６の内面および外面はレーザ光Ｌ２１の光軸に対して略垂直になっている。 The window glass 226 is attached to the inner surface of the peripheral edge of the opening 225 of the cap 213. In the window glass 226, the surface facing the semiconductor laser chip 211 and the surface facing the collimator lens 253 are relative to the optical axis of the laser beam L 21 emitted from the first resonator end surface 215 of the semiconductor laser chip 211. It is almost vertical. That is, the inner and outer surfaces of the window glass 226 are substantially perpendicular to the optical axis of the laser beam L21.

上記サブストレート２１４は、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ、または、ダイヤモンドなどから構成される絶縁性の本体部と、この本体部の上面および下面のそれぞれに形成された金属膜とを含んでいる。この金属膜は、本体部側から順次積層されたＴｉ（チタン）層、Ｐｔ（白金）層およびＡｕ（金）層から構成されている。また、サブストレート２１４は、ステム２１２の搭載面２１７にＡｕＳｎ半田ペーストでダイボンドされている。このサブストレート２１４は、半導体レーザチップ２１１で発生した熱を放熱する機能を有する。 The substrate 214 includes an insulating main body made of SiC, AlN, Si, diamond, or the like, and a metal film formed on each of the upper and lower surfaces of the main body. The metal film is composed of a Ti (titanium) layer, a Pt (platinum) layer, and an Au (gold) layer that are sequentially stacked from the main body side. The substrate 214 is die-bonded to the mounting surface 217 of the stem 212 with AuSn solder paste. The substrate 214 has a function of radiating heat generated in the semiconductor laser chip 211.

また、上記半導体レーザ装置２０１は、ステム２１２を貫通する２本の金属製のリード２２７（図３では１本のリード２２７のみが図示されている）を備えている。この２本のリード２２７は、それぞれ、搭載面２１７とこの搭載面２１７の上方の取付面２１８の一部との間のステム２１２の部分を貫通する。より詳しくは、２本のリード２２７は、それぞれ、ステム２１２の貫通孔（図示せず）に挿通され、各貫通孔の壁面と各リード２２７の外周面との間には低融点ガラスが充填されている。これにより、ステム２１２に対する各リード２２７の絶縁性が確保されると共に、キャップ２１３内の気密性が確保されている。 The semiconductor laser device 201 includes two metal leads 227 (only one lead 227 is shown in FIG. 3) that penetrates the stem 212. Each of the two leads 227 penetrates a portion of the stem 212 between the mounting surface 217 and a part of the mounting surface 218 above the mounting surface 217. More specifically, each of the two leads 227 is inserted into a through hole (not shown) of the stem 212, and a low melting point glass is filled between the wall surface of each through hole and the outer peripheral surface of each lead 227. ing. Thereby, the insulation of each lead 227 with respect to the stem 212 is secured, and the airtightness in the cap 213 is secured.

また、図示されている１本のリード２２７、および、図示されていない１本のリードは、それぞれ、半導体レーザチップ２１１側の端部がキャップ２１３内に位置する。リード２２７の半導体レーザチップ２１１側の端部は、ワイヤ２２８によって、半導体レーザチップ２１１の上面側のｐ側電極に電気的に接続されている。また、図示されていない１本のリードの半導体レーザチップ２１１側の端部は、図示しないワイヤと、サブストレート２１４の上面の金属膜とによって、半導体レーザチップ２１１の下面側のｎ側電極に電気的に接続されている。 Further, the end of the lead 227 shown in the drawing and the lead not shown in the drawing on the side of the semiconductor laser chip 211 are located in the cap 213. The end of the lead 227 on the semiconductor laser chip 211 side is electrically connected to the p-side electrode on the upper surface side of the semiconductor laser chip 211 by a wire 228. Further, the end of one lead (not shown) on the semiconductor laser chip 211 side is electrically connected to the n-side electrode on the lower surface side of the semiconductor laser chip 211 by a wire (not shown) and a metal film on the upper surface of the substrate 214. Connected.

一方、図示されている１本のリード２２７、および、図示されていない１本のリード２２７は、それぞれ、半導体レーザチップ２１１側とは反対側の端部がリードフォーミングで屈曲しており、放熱部材２０２上の配線パターン２０４に直接接続されている。 On the other hand, the one lead 227 shown and the one lead 227 not shown are bent at the end opposite to the semiconductor laser chip 211 side by lead forming, respectively, It is directly connected to the wiring pattern 204 on 202.

また、上記半導体レーザ装置２０１は、キャップ２１３に開口２２５を塞ぐように取り付けられたコリメートレンズ２５３を備えている。このコリメートレンズ２５３は、キャップ２１３の開口２２５の周縁部の外面に取り付けられている。なお、コリメートレンズ２５３が光学素子の一例である。 The semiconductor laser device 201 includes a collimator lens 253 attached to the cap 213 so as to close the opening 225. The collimating lens 253 is attached to the outer surface of the peripheral edge portion of the opening 225 of the cap 213. The collimating lens 253 is an example of an optical element.

上記構成の半導体レーザ装置２０１によれば、ステム２１２は、放熱部材２０２に取り付けられる裏面２２１と、この裏面２２１の一部に対応すると共に、半導体レーザチップ２１１をサブストレート２１４を介して搭載する搭載面２１７と、その裏面２２１および搭載面２１７に対して斜め方向に延びると共に、搭載面２１７の両側に位置する部分を有して、搭載面２１７の直上を開放している取付面２１８とを有することによって、ステム２１２の形状が単純になるので、ステム２１２を安価に製造することができる。 According to the semiconductor laser device 201 configured as described above, the stem 212 corresponds to the back surface 221 attached to the heat radiating member 202 and a part of the back surface 221, and the semiconductor laser chip 211 is mounted via the substrate 214. And a mounting surface 218 that extends in an oblique direction with respect to the back surface 221 and the mounting surface 217 and has portions located on both sides of the mounting surface 217 and opens right above the mounting surface 217. As a result, the shape of the stem 212 becomes simple, and the stem 212 can be manufactured at low cost.

また、上記搭載面２１７の直上が開放されているので、搭載面２１７に半導体レーザチップ２１１を容易に実装することができる。 Further, since the portion directly above the mounting surface 217 is open, the semiconductor laser chip 211 can be easily mounted on the mounting surface 217.

また、上記半導体レーザチップ２１１の搭載面２１７が、放熱部材２０２に取り付けられる裏面２２１の一部に対応し、且つ、その搭載面２１７の両側に位置する部分を有する取付面２１８が、搭載面２１７の直上を開放するように、裏面２２１および搭載面２１７に対して斜め方向に延びることによって、半導体レーザチップ２１１の熱が、矢印２０３Ａ，２０３Ｂ，２０３Ｃ，２０３Ｄで示すように、搭載面２１７から裏面２２１に向かって末広がりに放射状に広がるように伝わるので、ステム２１２の放熱性を極めて高くすることができる。 The mounting surface 217 of the semiconductor laser chip 211 corresponds to a part of the back surface 221 attached to the heat radiation member 202 and the mounting surface 218 having portions located on both sides of the mounting surface 217 is the mounting surface 217. By extending in an oblique direction with respect to the back surface 221 and the mounting surface 217 so as to open directly above, heat of the semiconductor laser chip 211 is transferred from the mounting surface 217 to the back surface as indicated by arrows 203A, 203B, 203C, 203D. Since it is transmitted so as to spread radially toward the end toward 221, the heat dissipation of the stem 212 can be made extremely high.

また、上記取付面２１８において半導体レーザチップ２１１よりも前側の部分は半導体レーザチップ２１１の下面よりも低いので、レーザ光Ｌ２１は取付面２１８に邪魔されず、搭載面２１７と平行な方向へ進むことができる。 Further, since the portion of the mounting surface 218 in front of the semiconductor laser chip 211 is lower than the lower surface of the semiconductor laser chip 211, the laser light L21 does not get in the way of the mounting surface 218 and travels in a direction parallel to the mounting surface 217. Can do.

また、上記搭載面２１７は、第１垂直面２５１を介して、取付面２１８の窓ガラス２２６側の部分に連なるので、取付面２１８の窓ガラス２２６側の部分よりも搭載面２１７を高くすることができる。したがって、上記搭載面２１７上の半導体レーザチップ２１１の位置を高くすることができるので、第１共振器端面２１５からのレーザ光Ｌ２１の一部がキャップ２１３の開口２２５の周縁部にかからないようにするのが容易である。 Further, since the mounting surface 217 is continuous with the portion of the mounting surface 218 on the window glass 226 side through the first vertical surface 251, the mounting surface 217 is made higher than the portion of the mounting surface 218 on the window glass 226 side. Can do. Therefore, since the position of the semiconductor laser chip 211 on the mounting surface 217 can be increased, a part of the laser light L21 from the first resonator end surface 215 is prevented from being applied to the peripheral portion of the opening 225 of the cap 213. Easy to do.

また、上記窓ガラス２２６の内面および外面はレーザ光Ｌ２１の光軸に対して略垂直になっているので、その光軸に沿った一方向のレーザ光Ｌ２１の光路長と、上記光軸に沿った他方向のレーザ光Ｌ２１の光路長とを略同じにすることができる。 Further, since the inner surface and the outer surface of the window glass 226 are substantially perpendicular to the optical axis of the laser light L21, the optical path length of the laser light L21 in one direction along the optical axis and the optical axis. In addition, the optical path length of the laser beam L21 in the other direction can be made substantially the same.

また、上記キャップ２１３に開口２２５を塞ぐようにコリメートレンズ２５３を取り付けているので、第１共振器端面２１５からのレーザ光Ｌ２１を平行光にすることができる。 Further, since the collimator lens 253 is attached to the cap 213 so as to close the opening 225, the laser light L21 from the first resonator end face 215 can be converted into parallel light.

また、上記リード２２７は、ステム２１２を貫通すると共に、半導体レーザチップ２１１側の端部がキャップ２１３内に位置するので、半導体レーザチップ２１１の外部への電気接続をリード２２７で容易に行うことができる。 Further, since the lead 227 penetrates the stem 212 and the end portion on the semiconductor laser chip 211 side is located in the cap 213, electrical connection to the outside of the semiconductor laser chip 211 can be easily performed by the lead 227. it can.

また、上記リード２２７の半導体レーザチップ２１１側とは反対側の端部は屈曲しているので、放熱部材２０２上に絶縁体（図示せず）を介して形成された配線パターン２０４に直接電気接続することができる。 Further, since the end of the lead 227 opposite to the semiconductor laser chip 211 side is bent, the lead 227 is directly electrically connected to the wiring pattern 204 formed on the heat dissipation member 202 via an insulator (not shown). can do.

仮に、上記リード２２７に換えて、図４に示すように、略一直線状に延びるリード２６７を用いたなら、リード２６７の半導体レーザチップ２１１側とは反対側の端部を配線２６８を介して放熱部材２０２上の配線パターン２０４に電気接続しなければならない。 If a lead 267 extending substantially in a straight line is used instead of the lead 227 as shown in FIG. 4, the end of the lead 267 opposite to the semiconductor laser chip 211 side is dissipated through the wiring 268. It must be electrically connected to the wiring pattern 204 on the member 202.

したがって、上記配線パターン２０４を表面に有する放熱部材２０２を用いる場合は、リード２６７よりもリード２２７の方が製造コストを低減できるので好ましい。 Therefore, when using the heat dissipating member 202 having the wiring pattern 204 on the surface, the lead 227 is preferable to the lead 267 because the manufacturing cost can be reduced.

なお、図４において、図３に示した構成部と同一構成部は、図３における構成部と同一参照番号を付して、説明を省略する。 4, the same components as those shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 3, and the description thereof is omitted.

上記第２実施形態では、キャップ２１３の開口２２５は、ガラスからなる窓ガラス１２６で塞いでいたが、レーザ光Ｌ２１を透過可能であれば、例えばプラスチックからなる窓プラスチックで塞いでもよい。そして、上記窓プラスチックにおいてもレーザ光Ｌ２１が入射する面は、そのレーザ光Ｌ２１の光軸に対して略垂直にしてもよい。なお、上記窓プラスチックは透明部材の一例である。 In the second embodiment, the opening 225 of the cap 213 is closed with the window glass 126 made of glass. However, as long as the laser light L21 can be transmitted, the opening 225 of the cap 213 may be closed with window plastic made of plastic, for example. In the window plastic, the surface on which the laser beam L21 is incident may be substantially perpendicular to the optical axis of the laser beam L21. The window plastic is an example of a transparent member.

上記第２実施形態では、半導体レーザチップ２１１と搭載面２１７との間にサブストレート２１４を介在させていたが、半導体レーザチップ２１１と搭載面２１７との間にサブストレート２１４を介在させないようにしてもよい。つまり、搭載面２１７に半導体レーザチップ２１１を例えばＡｕＳｎ半田ペーストで直接ダイボンドしてもよい。 In the second embodiment, the substrate 214 is interposed between the semiconductor laser chip 211 and the mounting surface 217. However, the substrate 214 is not interposed between the semiconductor laser chip 211 and the mounting surface 217. Also good. That is, the semiconductor laser chip 211 may be directly die-bonded to the mounting surface 217 using, for example, AuSn solder paste.

上記第２実施形態では、キャップ２１３に、開口２２５を塞ぐようにコリメートレンズ２５３を外側から取り付けていたが、図５に示すように、キャップ２１３に、開口２２５を塞ぐようにホログラム素子２６３を取り付けてもよい。なお、ホログラム素子２６３は光学素子の一例である。 In the second embodiment, the collimator lens 253 is attached to the cap 213 from the outside so as to close the opening 225. However, as shown in FIG. 5, the hologram element 263 is attached to the cap 213 so as to close the opening 225. May be. The hologram element 263 is an example of an optical element.

なお、図５において、図３に示した構成部と同一構成部は、図３における構成部と同一参照番号を付して、説明を省略する。 5, the same components as those shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 3, and the description thereof is omitted.

上記第２実施形態において、第２共振器端面２１６からのレーザ光の光量を検出するたに、第２垂直面２５２に受光素子を取り付けてもよい。この第２垂直面２５２に受光素子を取り付けた場合、その受光素子の受光量に基づいて、半導体レーザチップ２１１の出力をモニターできる。この場合、例えば、受光素子の受光量を示す信号を外部の制御装置に送ってもよい。 In the second embodiment, a light receiving element may be attached to the second vertical surface 252 in order to detect the amount of laser light from the second resonator end surface 216. When a light receiving element is attached to the second vertical surface 252, the output of the semiconductor laser chip 211 can be monitored based on the amount of light received by the light receiving element. In this case, for example, a signal indicating the amount of light received by the light receiving element may be sent to an external control device.

上記第２実施形態において、第２垂直面２５２を、第１実施形態の傾斜面のような傾斜面に換えてもよい。また、上記傾斜面には、半導体レーザチップの出力をモニターするための受光素子を取り付けてもよいし、取り付けなくてもよい。 In the second embodiment, the second vertical surface 252 may be replaced with an inclined surface such as the inclined surface of the first embodiment. Further, a light receiving element for monitoring the output of the semiconductor laser chip may or may not be attached to the inclined surface.

上記第１実施形態の記載と上記第２実施形態の記載とを適宜組み合わせて、本発明の一実施形態としてもよい。例えば、上記第２実施形態の第２垂直面を、上記第１実施形態の傾斜面１１９のような傾斜面に換えてもよい。また、上記第２実施形態において、図２のサブストレート１５４を用いてもよい。 The description of the first embodiment and the description of the second embodiment may be combined as appropriate to form an embodiment of the present invention. For example, the second vertical surface of the second embodiment may be replaced with an inclined surface such as the inclined surface 119 of the first embodiment. In the second embodiment, the substrate 154 of FIG. 2 may be used.

本発明の具体的な実施形態について説明したが、本発明は上記第１，第２実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々変更して実施することができる。 Although specific embodiments of the present invention have been described, the present invention is not limited to the first and second embodiments, and can be implemented with various modifications within the scope of the present invention.

１０１，２０１…半導体レーザ装置
１０２，２０２…放熱部材
１１１，２１１…半導体レーザチップ
１１２，２１２…ステム
１１３，２１３…キャップ
１１４，１５４，２１４…サブストレート
１１５，２１５…第１共振器端面
１１６，２１６…第２共振器端面
１１７，２１７…搭載面
１１８，２１８…取付面
１１９…傾斜面
１２０…受光素子
１２５，２２５…開口
１２６，２２６…窓ガラス
１２７，２２７，２６７…リード
１２１，２２１…裏面
２５３…コリメートレンズ
２６３…ホログラム素子
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ２１…レーザ光 DESCRIPTION OF SYMBOLS 101,201 ... Semiconductor laser apparatus 102,202 ... Heat dissipation member 111,211 ... Semiconductor laser chip 112,212 ... Stem 113,213 ... Cap 114,154,214 ... Substrate 115,215 ... First resonator end surface 116,216 ... second resonator end face 117,217 ... mounting face 118,218 ... mounting face 119 ... tilted face 120 ... light receiving element 125,225 ... opening 126,226 ... window glass 127,227,267 ... lead 121,221 ... back face 253 ... Collimating lens 263 ... Hologram element L1, L2, L21 ... Laser light

Claims

半導体レーザチップと、
上記半導体レーザチップに熱的に接続されたステムと、
上記半導体レーザチップを覆うキャップと
を備え、
上記ステムは、
放熱部材に取り付けられる裏面と、
上記裏面の一部に対応すると共に、上記半導体レーザチップを直接または間接に搭載する搭載面と、
上記裏面および上記搭載面に対して斜め方向に延びると共に、上記搭載面の両側に位置する部分を有して、上記搭載面の直上を開放している取付面と
を有し、
上記キャップは、上記取付面に取り付けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。 A semiconductor laser chip;
A stem thermally connected to the semiconductor laser chip;
A cap that covers the semiconductor laser chip,
The stem is
A back surface attached to a heat dissipation member;
A mounting surface corresponding to a part of the back surface and mounting the semiconductor laser chip directly or indirectly;
An attachment surface that extends in an oblique direction with respect to the back surface and the mounting surface, has portions located on both sides of the mounting surface, and opens a position directly above the mounting surface;
The semiconductor laser device, wherein the cap is attached to the attachment surface.

請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記キャップは、
上記半導体レーザチップの上記キャップに面する前端面から出射されたレーザ光が通過する開口と、
上記開口を塞ぎ、且つ、上記レーザ光に対して透明な透明部材と
を有し、
上記透明部材の面は上記前端面からの上記レーザ光の光軸に対して略垂直であることを特徴とする半導体レーザ装置。 The semiconductor laser device according to claim 1,
The cap is
An opening through which laser light emitted from a front end surface facing the cap of the semiconductor laser chip passes,
A transparent member that closes the opening and is transparent to the laser beam;
The surface of the transparent member is substantially perpendicular to the optical axis of the laser light from the front end surface.

請求項１または２に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザチップの上記キャップに面する前端面とは反対側の後端面から出射されたレーザ光が当たる面は、上記後端面に対して傾斜していることを特徴とする半導体レーザ装置。 The semiconductor laser device according to claim 1 or 2,
A semiconductor laser device, wherein a surface to which a laser beam emitted from a rear end surface opposite to a front end surface facing the cap of the semiconductor laser chip is inclined with respect to the rear end surface.

請求項３に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザチップの上記後端面から出射されたレーザ光が当たる面は、上記ステムに取り付けられた受光素子の表面であることを特徴とする半導体レーザ装置。 The semiconductor laser device according to claim 3,
2. A semiconductor laser device according to claim 1, wherein a surface to which the laser light emitted from the rear end surface of the semiconductor laser chip hits is a surface of a light receiving element attached to the stem.

請求項１から３までのいずれか一項に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザチップは、受光部を有するサブストレートを介して上記搭載面に搭載されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 In the semiconductor laser device according to any one of claims 1 to 3,
The semiconductor laser device is mounted on the mounting surface via a substrate having a light receiving portion.

請求項１から５までのいずれか一項に記載の半導体レーザ装置において、
上記キャップには光学素子が取り付けられ、
上記半導体レーザチップの上記キャップに面する前端面から出射されたレーザ光が上記光学素子を通過することを特徴とする半導体レーザ装置。 In the semiconductor laser device according to any one of claims 1 to 5,
An optical element is attached to the cap,
A semiconductor laser device, wherein a laser beam emitted from a front end surface facing the cap of the semiconductor laser chip passes through the optical element.

請求項１から６までのいずれか一項に記載の半導体レーザ装置において、
上記ステムの上記搭載面とこの搭載面の上方の上記取付面の一部との間の上記ステムの部分を貫通すると共に、上記キャップ内に位置する一端部が上記半導体レーザチップに電気接続されたリードを備えることを特徴とする半導体レーザ装置。 In the semiconductor laser device according to any one of claims 1 to 6,
The stem portion between the mounting surface of the stem and a part of the mounting surface above the mounting surface is penetrated, and one end located in the cap is electrically connected to the semiconductor laser chip. A semiconductor laser device comprising a lead.

請求項７に記載の半導体レーザ装置において、
上記リードの他端部は屈曲して上記放熱部材上の配線パターンに電気接続されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 The semiconductor laser device according to claim 7, wherein
2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the other end of the lead is bent and electrically connected to the wiring pattern on the heat dissipation member.