JP2011141487A - 液晶表示素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第一基板1上に、各画素電極3が互いに隣り合う部分にそれぞれ対応させて、画素電極の形成面よりも第二基板2側に突出する絶縁層を設け、画素電極3を、所定の側の第一縁部3aを該第一縁部側の絶縁層16の下に入り込ませ、第一縁部3aとは反対側の第二縁部3bを該第二縁部側の絶縁層16の上に重ねて形成する。そして、画素電極3及び絶縁層16を覆って形成された第一配向膜17を、画素電極3の第一縁部3aから第二縁部3bに向かう方向にラビングする。
【選択図】図2
Description
薄膜トランジスタを介してデータ信号を供給される画素電極が複数配列させて形成された第一基板と、
前記各画素電極と対向する共通電極が形成された第二基板と、
前記第一基板と第二基板との間に封入された液晶とにより構成され、
前記画素電極と前記共通電極との間への電圧の印加により液晶分子の配向状態を変化させて表示する液晶表示素子において、
前記第一基板上に、前記各画素電極が互いに隣り合う部分にそれぞれ対応させて、前記各画素電極の形成面よりも前記第二基板側に突出する絶縁層が設けられ、
前記各画素電極がそれぞれ、所定の側の第一縁部を該第一縁部側の前記絶縁層の下に入り込ませ、前記第一縁部とは反対側の第二縁部を該第二縁部側の前記絶縁層の上に重ねて形成され、
さらに、前記第一基板に前記各画素電極及び前記絶縁層を覆って形成された第一配向膜と前記第二基板に前記共通電極を覆って形成された第二配向膜のうちの前記第一配向膜が、前記画素電極の前記第一縁部から前記第二縁部に向かう方向にラビングされていることを特徴とする。
この発明の液晶表示素子は、薄膜トランジスタ(以下、TFTと記す)をスイッチング素子としたアクティブマトリックス液晶表示素子であり、図1及び図2のように、TFT4を介してデータ信号を供給される画素電極3が行方向(図1において左右方向)及び列方向(図1において上下方向)に複数配列させて形成された第一基板1と、前記各画素電極3と対向する共通電極20が形成された第二基板2と、前記第一基板1と第二基板2との間に封入された液晶22とにより構成されている。
図7及び図8に示した第二実施例の液晶表示素子は、前記画素電極3の第二縁部3bの絶縁層16上に重なった部分を、前記絶縁層16の幅方向中心部よりも隣り合う画素電極3側に張り出す幅に形成したものであり、他の構成は上記第一実施例と同じである。
図10及び図11に示した第三実施例の液晶表示素子は、前記絶縁層16を、画素電極3の第二縁部3b以外の部分と共通電極20との間の間隙よりも小さく、前記間隙の1/2を越える高さに形成したものであり、他の構成は上記第一実施例と同じである。
図13に示した第四実施例は、前記絶縁層16を上記第三実施例と同じ高さに形成すると共に、画素電極3の第二縁部3bの絶縁層16上に重なった部分を、上記第二実施例と同様に、前記絶縁層16の幅方向中心部よりも隣り合う画素電極3側に張り出す幅に形成したものであり、他の構成は上記第一実施例と同じである。この第四実施例によれば、上記第二実施例と第三実施例の相乗効果を得ることができる。
図14に示した第五実施例は、画素電極3の第二縁部3b以外の部分を、前記絶縁層16の形成前に形成された第一の透明導電膜により形成し、前記第二縁部3bを、前記絶縁層16の形成後に前記第二縁部3b側の絶縁層16及び前記第一の透明導電膜の前記第二縁部3b側の部分に重ねて形成された第二の透明導電膜により形成したものである。
なお、上記各実施例では、画素電極3の第二縁部3b側に、オーバーコート絶縁膜14を介して容量電極13と対向する補償容量形成部3cを、絶縁層16の下に入り込ませて形成しているが、前記補償容量形成部3cは省略してもよい。
なお、上記各実施例では、各画素電極3を覆って形成された第一配向膜17を、前記画素電極3の第一縁部3a及び第二縁部3bに対して略直交する方向にラビングしているが、前記第一配向膜17のラビング方向17rは、前記画素電極3の第一縁部3a及び第二縁部3bに対して斜めに交差する方向でもよい。
Claims (12)
- 薄膜トランジスタを介してデータ信号を供給される画素電極が複数配列させて形成された第一基板と、
前記各画素電極と対向する共通電極が形成された第二基板と、
前記第一基板と第二基板との間に封入された液晶とにより構成され、
前記画素電極と前記共通電極との間への電圧の印加により液晶分子の配向状態を変化させて表示する液晶表示素子において、
前記第一基板上に、前記各画素電極が互いに隣り合う部分にそれぞれ対応させて、前記各画素電極の形成面よりも前記第二基板側に突出する絶縁層が設けられ、
前記各画素電極がそれぞれ、所定の側の第一縁部を該第一縁部側の前記絶縁層の下に入り込ませ、前記第一縁部とは反対側の第二縁部を該第二縁部側の前記絶縁層の上に重ねて形成され、
さらに、前記第一基板に前記各画素電極及び前記絶縁層を覆って形成された第一配向膜と前記第二基板に前記共通電極を覆って形成された第二配向膜のうちの前記第一配向膜が、前記画素電極の前記第一縁部から前記第二縁部に向かう方向にラビングされていることを特徴とする液晶表示素子。 - 前記画素電極の第二縁部の前記絶縁層上に重なった部分は、前記絶縁層の中心部よりも隣り合う画素電極側に張り出す幅に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。
- 前記第一基板上に、前記各画素電極の形成位置にそれぞれ対応させて前記薄膜トランジスタが形成されると共に、前記薄膜トランジスタに接続された走査信号線及びデータ信号線が設けられ、
その上に形成された層間絶縁膜上に、前記各画素電極との間に補償容量を形成する容量電極が設けられ、
前記容量電極を覆って形成されたオーバーコート絶縁膜の上に、前記絶縁層と前記各画素電極が形成され、
前記各画素電極がそれぞれ、前記オーバーコート絶縁膜及び前記層間絶縁膜に設けられたコンタクト孔において前記画素電極に対応する前記薄膜トランジスタに接続されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示素子。 - 前記絶縁層は、前記データ信号線と交差する方向に配列された各画素電極が互いに隣り合う部分にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示素子。
- 前記容量電極は前記データ信号線上の部分を覆って形成され、前記絶縁層は前記容量電極上の部分に形成されていることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示素子。
- 前記絶縁層は、前記走査信号線と交差する方向に配列された各画素電極が互いに隣り合う部分にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示素子。
- 前記画素電極の前記第二縁部側に、前記オーバーコート絶縁膜を介して前記容量電極と対向する補償容量形成部が、前記絶縁層の下に入り込ませて形成されていることを特徴とする請求項1から6の何れかに記載の液晶表示素子。
- 前記画素電極の前記第一縁部及び前記補償容量形成部が、前記絶縁層の形成前に前記第一縁部側の絶縁層及び前記第二縁部側の絶縁層の下からその外側に張出す形状に形成された第一の透明導電膜からなり、前記第一縁部と前記補償容量形成部との間の部分及び前記第二縁部が、前記絶縁層の形成後に前記絶縁層及び前記第一の透明導電膜の張出し部に重ねて形成された第二の透明導電膜からなっていることを特徴とする請求項7に記載の液晶表示素子。
- 前記画素電極の前記第二縁部以外の部分が、前記絶縁層の形成前に形成された第一の透明導電膜からなり、前記第二縁部が、前記絶縁層の形成後に前記第二縁部側の絶縁層及び前記第一の透明導電膜の前記第二縁部側の部分に重ねて形成された第二の透明導電膜からなっていることを特徴とする請求項7に記載の液晶表示素子。
- 前記第二配向膜は、前記第一配向膜のラビング方向に対して逆方向にラビングされており、前記液晶は、正の誘電異方性を有するネマティック液晶からなり、その液晶分子が、分子長軸を前記第一配向膜及び前記第二配向膜のラビング方向に揃えてホモジニアス配向していることを特徴とする請求項1から9の何れかに記載の液晶表示素子。
- 前記絶縁層は、前記画素電極の前記第二縁部以外の部分と前記共通電極との間の間隙の1/2以下の高さに形成されていることを特徴とする請求項1から10の何れかに記載の液晶表示素子。
- 前記絶縁層は、前記画素電極の前記第二縁部以外の部分と前記共通電極との間の間隙よりも小さく、前記間隙の1/2を越える高さに形成されていることを特徴とする請求項1から10の何れかに記載の液晶表示素子。
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