JP2011136382A - Chamfering device of silicon ingot - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chamfering device of a prismatic silicon ingot having a short throughput time and compact footprint. <P>SOLUTION: In this chamfering device 1, simultaneous control grinding is performed by performing cylindrical grinding of four corner round parts of the prismatic ingot by a grinding wheel 9g and chamfering four side planes of the prismatic ingot by a pair of rough grinding tools 10g, and subsequently, the chamfering is completed by performing the simultaneous control grinding for the four chamfering surfaces by a pair of precision finishing grinding tools 11g. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、太陽電池（太陽光発電板）の基板として用いられる正方形もしくは長方形基板の原材料の角柱状の多結晶シリコンインゴットや単結晶シリコンインゴットの面取り加工装置に関する。シリコンインゴットをワイヤーカット方法で厚み２００〜２４０μｍにスライスして同時に多くの太陽電池用シリコン基板を得る際に、インゴット切断時のチッピングや割れのない角柱状もしくは円柱状シリコンインゴットを短時間で製造するためにシリコンインゴット表面を２対のカップ型またはリング状型研削砥石と１個の砥石車を用いて均一に１０〜１０，０００μｍ厚みを面取り加工するのに使用される。   The present invention relates to a chamfering apparatus for a prismatic polycrystalline silicon ingot or a single crystal silicon ingot used as a raw material of a square or rectangular substrate used as a substrate of a solar cell (photovoltaic power generation plate). When a silicon ingot is sliced to a thickness of 200 to 240 μm by a wire cutting method to simultaneously obtain a large number of silicon substrates for solar cells, a prismatic or cylindrical silicon ingot without chipping or cracking at the time of cutting the ingot is manufactured in a short time. Therefore, the silicon ingot surface is used for chamfering a uniform thickness of 10 to 10,000 μm using two pairs of cup-shaped or ring-shaped grinding wheels and one grinding wheel.

太陽電池用シリコン基板を製造する工程において、円柱状単結晶シリコンインゴットの円断面４周片をバンドソウで切り取り、４隅部に円弧（Ｒコーナー部）を残した角柱状シリコンインゴット（ワークピース）となし、ついで、横形円筒研削装置の主軸台と心押台よりなるクランプ装置で支架し、カップホイール型砥石で四側面の表面を所望厚み（８〜１０ｍｍ）を面取りし、ついでスライスして厚み２００〜３３０μｍの正方形状シリコン基板を製造することが行われている（例えば、非特許文献１参照）。   In the process of manufacturing a silicon substrate for a solar cell, a prismatic silicon ingot (workpiece) in which a circular single-crystal silicon ingot is cut with a band saw and a circular arc (R corner portion) is left at four corners. None, and then supported by a clamp device comprising a headstock and a tailstock of a horizontal cylindrical grinding device, chamfered to a desired thickness (8 to 10 mm) on the four side surfaces with a cup wheel type grindstone, and then sliced to a thickness of 200 Manufacturing a square silicon substrate having a size of about 330 μm has been performed (see, for example, Non-Patent Document 1).

また、角柱状シリコンインゴットとして、溶解した金属珪素（Ｓ_ｉ）溶湯を角柱状グラファイト容器内に注湯し一方向に凝固させた後、容器内面と接触汚染した下端面と側面を面取りして得られる多結晶シリコンインゴットや、半導体基板の生産が閑散な時期に、半導体基板製造用円柱状シリコンインゴットの四側面を一部Ｒ部分を残してスライサーにより切断し、ついで、両端面を面取り加工し、その後、柱状インゴットのコーナーＲ面取り加工（取り代量は７．５〜８ｍｍ）を行ったのち、四側面平面を面取り加工（取り代量は０．５〜１ｍｍ）して太陽電池用の角柱状単結晶シリコンインゴットとしたものが利用されている。多結晶シリコン基板に比較して単結晶シリコン基板の方が光変換率は高いが、面取り加工は難しいと言われている。 Also, as a prismatic silicon ingot, the molten metal silicon (S _i ) melt is poured into a prismatic graphite container and solidified in one direction, and then the bottom surface and side surfaces contaminated by contact with the container inner surface are chamfered. When the production of a polycrystalline silicon ingot or a semiconductor substrate is quiet, the four sides of a cylindrical silicon ingot for manufacturing a semiconductor substrate are cut with a slicer, leaving part of the R, and then both end faces are chamfered, Then, after corner R chamfering of the columnar ingot (the machining allowance is 7.5 to 8 mm), the four side surfaces are chamfered (the machining allowance is 0.5 to 1 mm) to form a prismatic shape for a solar cell. A single crystal silicon ingot is used. A single crystal silicon substrate has a higher light conversion rate than a polycrystalline silicon substrate, but it is said that chamfering is difficult.

例えば、特開平８−７３２９７号公報（特許文献１）は、ケイ石またはケイ砂を電気炉で還元して得た金属シリコン融液を、耐熱性柱状容器内に流し込み、容器下端から上端に向けて徐々に冷却することによって一方向凝固した角柱状多結晶シリコンインゴット棒とし、容器内面と接触汚染した下端面と側面を５ｍｍ取り代量研削、研磨して面取りし、さらにフッ酸・硝酸混合水溶液でエッチングして多結晶シリコンインゴットを製造する方法を提案する。   For example, JP-A-8-73297 (Patent Document 1) discloses that a metal silicon melt obtained by reducing silica stone or silica sand in an electric furnace is poured into a heat-resistant columnar container and directed from the lower end to the upper end of the container. A rectangular columnar polycrystalline silicon ingot rod solidified in one direction by gradually cooling and grinding the bottom surface and side surface contaminated with the inner surface of the container by 5mm, and chamfering by chamfering, and further hydrofluoric acid / nitric acid mixed aqueous solution We propose a method of manufacturing a polycrystalline silicon ingot by etching at a low temperature.

米国公開特許第２００８／０２２３３５１Ａ１明細書（特許文献２）は、エッチング処理された角柱状多結晶シリコンインゴットを厚み２００〜３３０μｍの太陽電池用シリコン基板とするスライサーとしてワイヤーカットソウを提案する。   US Patent Publication No. 2008 / 0223351A1 (Patent Document 2) proposes a wire-cut saw as a slicer in which an etched prismatic polycrystalline silicon ingot is a silicon substrate for solar cells having a thickness of 200 to 330 μm.

更に、水平方向に０．３ｍ／分で移動する角柱状多結晶シリコンインゴットの隣り合う側面を一対の６３０〜６５０ｒｐｍで回転する粗研磨ブラシで粗面取り加工した後、ついで、水平方向に０〜０．１ｍ／分で移動する粗面取り加工された角柱状多結晶シリコンインゴットの隣り合う側面を一対の回転する仕上げ研磨ブラシで仕上げ面取り加工する方法も提案されている（例えば、特許文献３参照）。また、砥粒含有モノフィラメントブラシ毛を回転基体に植毛した工業用ブラシも知られている（非特許文献２参照）。   Further, the side surfaces adjacent to each other of the prismatic polycrystalline silicon ingot moving at 0.3 m / min in the horizontal direction are subjected to rough chamfering with a pair of coarse polishing brushes rotating at 630 to 650 rpm, and then 0 to 0 in the horizontal direction. There has also been proposed a method of finishing chamfering of adjacent side surfaces of a rough chamfered prismatic polycrystalline silicon ingot moving at 1 m / min with a pair of rotating finishing polishing brushes (see, for example, Patent Document 3). In addition, an industrial brush in which abrasive-containing monofilament brush hairs are planted on a rotating substrate is also known (see Non-Patent Document 2).

特開２００４−６９９７号公報（特許文献４）は、太陽電池用シリコンウエハ製造用の円柱状シリコンブロックをバンドソウで面取りして角柱状シリコンブロックとした後、ロール型ダイヤモンドスポンジ平砥石を用いて側平面を研磨加工し、そののち、スライス加工して角状ウエハを製造する方法を提案する。   Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-6997 (Patent Document 4) discloses that a cylindrical silicon block for manufacturing a silicon wafer for solar cells is chamfered with a band saw to form a prismatic silicon block, and then a roll-type diamond sponge flat grindstone is used. A method of manufacturing a square wafer by polishing a flat surface and then slicing it is proposed.

特開２００９−５５０３９号公報（特許文献５）は、又、円柱状シリコンブロックをバンドソウで面取りして角柱状シリコンブロックとした後、砥粒径が８０〜６０μｍのカップホイール型砥石で側平面を粗研削加工し、ついで、砥粒径が３〜４０μｍのカップホイール型砥石で側平面を仕上げ研削加工し、さらに表面をエッチング処理したのち、スライシング加工して角状ウエハを製造する方法を提案する。   JP-A-2009-55039 (Patent Document 5) also describes that a cylindrical silicon block is chamfered with a band saw to form a prismatic silicon block, and then a side plane is formed with a cup wheel type grindstone having an abrasive grain size of 80 to 60 μm. We propose a method of manufacturing a square wafer by rough grinding, then finish grinding the side surface with a cup wheel grindstone with an abrasive grain size of 3 to 40 μm, etching the surface, and then slicing the surface. .

特開２００９−９９７３４号公報（特許文献６）は、鋳造によって成形されたシリコンインゴットを切断して複数のシリコンブロックとし、次いで該シリコンブロックをスライスして多数のシリコンウエハとするシリコンウエハの製造方法において、鋳造によって成形されたシリコンインゴットを切断して複数のシリコンブロックとするに際して、予めシリコンインゴットの少なくとも一面を平らに研削する研削工程と、シリコンインゴットを、その平らに研削された面を下向きにして基台上に載置し、該シリコンインゴットから複数のシリコンブロックを切り出すシリコンブロック切り出し工程と、を含むシリコンウエハの製造方法を提案する。   Japanese Patent Laying-Open No. 2009-99734 (Patent Document 6) discloses a method of manufacturing a silicon wafer by cutting a silicon ingot formed by casting into a plurality of silicon blocks, and then slicing the silicon blocks into a plurality of silicon wafers. In the process of cutting a silicon ingot formed by casting into a plurality of silicon blocks, a grinding process for flatly grinding at least one surface of the silicon ingot in advance, and the silicon ingot with its flat ground surface facing downward And a silicon block cutting step for cutting a plurality of silicon blocks from the silicon ingot.

特開２００９−２３３７９４号公報（特許文献７）は、シリコンブロックの表面を研削／研磨する際に、シリコンブロックの長手方向の前後を機械的にチャッキング（クランピング）する一対のチャッキング部材（主軸台と心押台）で保持し、この状態でシリコンブロックの側面及びこれらを結ぶ４つの角部（４隅のＲコーナー部）を粗研削砥石と精密仕上げ砥石を用いて研削研磨する方法を提案する。この方法により、シリコンブロックの４つの角部および４側面を非接触でチャッキング部材に宙に浮かせたような状態で保持することができるので、その側面及び角部に傷が付いてしまうことを防止でき、さらにシリコンブロックの側面だけではなく角部も研削研磨して面取りすることができることから、シリコンブロックをスライス加工してシリコンウエハを製造する際、その周縁部が欠けたりすることを回避でき歩留まりを向上することができる。   JP 2009-233794 A (Patent Document 7) discloses a pair of chucking members that mechanically chuck (clamp) the front and rear of the silicon block in the longitudinal direction when the surface of the silicon block is ground / polished. A method of grinding and polishing the side surfaces of the silicon block and the four corners (R corners of the four corners) connecting these with a rough grinding wheel and a precision finishing wheel in this state. suggest. By this method, the four corners and the four side surfaces of the silicon block can be held in a state where they are suspended in the chucking member in a non-contact manner, so that the side surfaces and the corners are damaged. In addition, not only the sides of the silicon block but also the corners can be ground and chamfered, so that when the silicon block is manufactured by slicing the silicon block, the peripheral edge can be prevented from being chipped. Yield can be improved.

一方、特開平４−３２２９６５号公報（特許文献８）、特開平６−１６６６００号公報（特許文献９）および特開平６−２４６６３０号公報（特許文献１０）は、半導体基板用シリコン基板の製造用の円柱状シリコンインゴットの表面を面取り加工する横形の円筒研削装置を提案する。   On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-322965 (Patent Document 8), Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-166600 (Patent Document 9) and Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-246630 (Patent Document 10) are for manufacturing a silicon substrate for a semiconductor substrate. We propose a horizontal cylindrical grinding machine that chamfers the surface of a cylindrical silicon ingot.

これら特許文献８乃至特許文献１０に開示される横形の円筒研削装置は、減速機構を介してサーボモータによりセンター軸を回転させる主軸台と左右方向に移動可能な心押台の一対よりなるクランプ機構と、このクランプ機構の主軸台シンターと心押台センターとによって円柱状シリコンインゴットの軸芯が水平（横）方向に、かつ、回転可能に支持された円柱状インゴットの円周上面部に円板状平砥石の円形平面が向くように砥石軸に軸承した研削ヘッドを昇降させる昇降機構と、前記研削ヘッドを円柱状インゴットの前記軸芯に対し平行に左右直線移動させるリニア移動機構よりなる。   These horizontal cylindrical grinding apparatuses disclosed in Patent Documents 8 to 10 are a clamp mechanism comprising a pair of a headstock that rotates a center shaft by a servo motor via a speed reduction mechanism and a tailstock that is movable in the left-right direction. And a spindle on the circumferential upper surface of the cylindrical ingot supported by the spindle center sinter and the tailstock center of the clamp mechanism in a horizontal (lateral) direction and rotatably. An elevating mechanism for moving up and down a grinding head supported by a grinding wheel shaft so that a circular plane of the flat grinding wheel faces, and a linear moving mechanism for moving the grinding head linearly in a horizontal direction parallel to the axis of the cylindrical ingot.

円柱状シリコンインゴットの円筒研削は、回転する円柱状インゴットの円周上面部高さ位置の面取りする高さ位置に円板状平砥石の底面を昇降機構により下降させ、ついで、リニア移動機構により研削ヘッドを右方向に移動させて研削ヘッドの円板状平砥石を円柱状インゴットの円周上面に回転させながら円柱状インゴット当接させて切り込みを開始し、円板状平砥石が円柱状インゴットの右端位置に到達した後、円板状平砥石を昇降機構により切り込み量の高さ量下降させ、リニア移動機構により円板状平砥石の移動方向を左方向に反転させ、ついで、円板状平砥石が円柱状インゴットの左端位置に到達した後、円板状平砥石を昇降機構により切り込み量の高さ量下降させ、リニア移動機構により研削ヘッドを右方向に移動させ、円板状平砥石が円柱状インゴットの右端位置に到達した後、円板状平砥石を昇降機構により切り込み量の高さ量下降させ、リニア移動機構により円板状平砥石の移動方向を左方向に反転させ、ついで、円板状平砥石が円柱状インゴットの左端位置に到達後、以下同様にして円板状平砥石の下降、反転、面取り、下降、反転、面取りを繰り返し、所望の厚み（１０μｍ〜５ｍｍ）の面取り加工を行う。 Cylindrical grinding of a cylindrical silicon ingot is performed by lowering the bottom surface of the disk-shaped flat grindstone to a chamfering height position at the height of the circumferential upper surface of the rotating cylindrical ingot, and then grinding by a linear movement mechanism. Move the head to the right and rotate the disc-shaped flat grindstone of the grinding head to the upper surface of the circumference of the cylindrical ingot while making contact with the cylindrical ingot to start cutting. After reaching the right end position, the disc-shaped flat grindstone is lowered by the elevation mechanism by the lifting mechanism, the moving direction of the disc-shaped flat grindstone is reversed to the left by the linear moving mechanism, and then the disc-shaped flat grindstone After the grindstone reaches the left end position of the cylindrical ingot, the disc-shaped flat grindstone is lowered by the lifting mechanism and the grinding head is moved to the right by the linear moving mechanism, and the disc-shaped flat After the stone reaches the right end position of the cylindrical ingot, the disk-shaped flat grindstone is lowered by the height of the cut amount by the lifting mechanism, the moving direction of the disk-shaped flat grindstone is reversed to the left by the linear moving mechanism, Then, after the disc-shaped flat grindstone reaches the left end position of the cylindrical ingot, the disc-shaped flat grindstone is repeatedly lowered, reversed, chamfered, lowered, reversed, and chamfered to obtain a desired thickness (10 μm to 5 mm). Chamfering is performed.

本発明者等は、この横形の円筒研削装置を用い、両端が水平に切断された一辺が１５６ｍｍ、長さ２５０ｍｍの角柱状シリコンインゴットをワークローディング装置を用いてワークホルダーから宙吊りし、一対のクランプ装置を構成する主軸台と心押台間に導き、心押台センターを前進させて前記角柱状シリコンインゴットを主軸台センターと主軸台センターとで宙吊りに支架し、角柱状シリコンインゴットの表面の面取り加工を試みたが、円板状平砥石の接触面積が大きく、円周外周面を面取りしても表面粗さが２〜５μｍであり、表面粗さが１μｍ以下の面取り加工が困難であることが判明した。よって、粗研削加工と仕上げ研削加工を施す必要があることが判明した。また、断面円形上のシリコンインゴットを最大限に有効に活かすために残された四隅部のＲコーナー部分についても研削加工を施さないと後工程のワイヤーカットソウでインゴットをスライシングする際にワイヤーカットソウが切断破損したり、インゴット部分にチッピングが生じ、同時にワイヤーカットに供されていた２乃至３本全てのインゴットスライス加工をダメにしてしまい、これら全てのインゴットを再生に廻す必要が生じることが判明した。   The present inventors use this horizontal cylindrical grinding apparatus to suspend a prismatic silicon ingot having a side of 156 mm and a length of 250 mm, both ends of which are horizontally cut, from a work holder using a work loading apparatus, and a pair of clamps. Guided between the headstock and the tailstock constituting the device, the tailstock center is advanced, and the prismatic silicon ingot is suspended between the spindle base and the headstock center, and the surface of the prismatic silicon ingot is chamfered. I tried machining, but the contact area of the disk-shaped flat grindstone is large, and even when chamfering the outer circumferential surface of the circumference, the surface roughness is 2 to 5 μm, and chamfering with a surface roughness of 1 μm or less is difficult There was found. Therefore, it was found that it is necessary to perform rough grinding and finish grinding. Also, in order to make the most of the silicon ingot with a circular cross section, the remaining four corners of the R corner must be ground without cutting the wire cut saw when slicing the ingot with the wire cut saw in the subsequent process. It has been found that breakage occurs, chipping occurs in the ingot portion, and at the same time, all of the ingot slice processing that has been used for wire cutting is lost, and it is necessary to recycle all these ingots.

角柱状シリコンインゴットの一辺の長さが５０ｍｍから１２５ｍｍ、１５６ｍｍ、２００ｍｍ、２４０ｍｍと長くなるに連れて、一辺が１５６ｍｍｍ乃至２４０ｍｍの角柱状シリコンインゴットをワイヤーカットソウで一度にスライスして厚み２００〜３３０μｍの太陽電池用シリコン基板を多量生産する際に前述したように角柱状シリコンインゴットのＲコーナー部分でチッピングが発生することが往々にあり、シリコン基板の生産ロス率を高めていることが基板加工メーカーより指摘されている。このチッピングが生じる現象は、半導体基板用の円筒状シリコンインゴットのワイヤーカットの際でもたびたび生じている。   As the length of one side of a prismatic silicon ingot is increased from 50 mm to 125 mm, 156 mm, 200 mm, and 240 mm, a prismatic silicon ingot having a side of 156 mm to 240 mm is sliced at once with a wire-cut saw and has a thickness of 200 to 330 μm. When mass-producing silicon substrates for solar cells, chipping often occurs at the R corners of prismatic silicon ingots as described above, and the substrate processing manufacturer has increased the production loss rate of silicon substrates. It has been pointed out. This phenomenon of chipping often occurs even when a cylindrical silicon ingot for a semiconductor substrate is wire cut.

一辺が１５６ｍｍ、高さが２５０ｍｍであり四隅にＲコーナー部を残して切断された角柱状単結晶シリコンインゴットの面取り加工に現在では約９５〜１２０分、一辺が１５６ｍｍ、高さが５００ｍｍであり四隅にＲコーナー部を残して切断された角柱状単結晶シリコンインゴットの面取り加工に約１８０〜２１０分要しているのが実情である。この加工時間に、粗研削装置から仕上げ研削装置へのシリコンインゴットの受け渡し時間約１０分が追加される。   Currently, it is about 95-120 minutes for chamfering a prismatic single crystal silicon ingot that is 156mm on one side and 250mm in height and cut off at the four corners, leaving four corners. One side is 156mm and the height is 500mm. In fact, it takes about 180 to 210 minutes to chamfer the prismatic single crystal silicon ingot that has been cut leaving the R corner. In addition to the processing time, a delivery time of about 10 minutes for the silicon ingot from the rough grinding device to the finish grinding device is added.

株式会社ジェイシーエム、“太陽電池製造装置 単結晶 全自動ライン”，〔オンライン〕、平成２１年３月９日検索、インターネット＜URL：http://www.e-jcm.co.jp/SolarCell/Mono/Auto/＞JCM Co., Ltd., “Solar Cell Manufacturing Equipment Single Crystal Fully Automatic Line”, [Online], March 9, 2009 Search, Internet <URL: http://www.e-jcm.co.jp/SolarCell/ Mono / Auto / ＞ 特開平８−７３２９７号公報JP-A-8-73297 米国公開特許第２００８／０２２３３５１Ａ１明細書US Published Patent No. 2008 / 0223351A1 Specification 特許第３４０５４１１号明細書Japanese Patent No. 3405411 昭和工業株式会社、“工業用ブラシのコンサルタント 昭和工業”，〔オンライン〕、平成２１年３月１６日検索、インターネット＜URL：http://www.skbrush.co.jp/＞Showa Industry Co., Ltd., “Industrial Brush Consultant Showa Industry”, [Online], Search on March 16, 2009, Internet <URL: http://www.skbrush.co.jp/> 特開２００４−６９９７号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-6997 特開２００９−５５０３９号公報JP 2009-55039 A 特開２００９−９９７３４号公報JP 2009-99734 A 特開２００９−２３３７９４号公報JP 2009-233794 A 特開平４−３２２９６５号公報JP-A-4-322965 特開平６−１６６６００号公報JP-A-6-166600 特開平６−２４６６３０号公報JP-A-6-246630 特開２００２−１８７１１号公報JP 2002-18711 A

麻生首相のアース・グリーン・インダストリー政策およびオバマ大統領のグリーン・ニューデイル政策の一環から太陽光発電が注目され、太陽電池用シリコン基板加工メーカーは、一辺が１５６〜３３０ｍｍの角柱状シリコンインゴットの表面を面取り加工でき、かつ、機械設置面積が小さい面取り装置の出現を望んでいる。   Solar power generation has attracted attention as part of Prime Minister Aso's Earth Green Industry policy and President Obama's Green Newdale policy, and silicon substrate processing manufacturers for solar cells have used a surface of a prismatic silicon ingot with a side of 156-330 mm. We want the appearance of a chamfering device that can be chamfered and has a small machine installation area.

特許文献７記載の角柱状シリコンインゴットの面取り加工装置は、ワークピースの角柱状シリコンインゴットのクランプ機構へのローディング作業およびこのクランプ機構から研削研磨加工されたワークピースのアンローディング作業をローディング装置を用いて行うので作業者の負担を軽減できる利点を有するが、粗研削砥石と精密仕上げ研削砥石を用いる４隅部の円筒研削加工の２工程と、前記粗研削砥石を用い角柱状シリコンインゴットの９０度回転毎の平面粗研削加工の４工程および、前記精密仕上げ研削砥石を用い角柱状シリコンインゴットの９０度回転毎の平面精密仕上げ研削（研磨）加工の４工程の１０工程が必要とされる。   The chamfering device for a prismatic silicon ingot described in Patent Document 7 uses a loading device for loading a workpiece into a clamping mechanism of the prismatic silicon ingot and unloading a workpiece ground and polished from the clamping mechanism. This is advantageous in that the burden on the operator can be reduced. However, two steps of cylindrical grinding of four corners using a rough grinding wheel and a precision finishing grinding wheel, and 90 degrees of a prismatic silicon ingot using the rough grinding wheel are provided. Ten steps are required: four steps of rough surface grinding for each rotation and four steps of flat surface precision finish grinding (polishing) processing for each 90 ° rotation of the prismatic silicon ingot using the precision finish grinding wheel.

本願発明者等は、ＤＲＡＭのような半導体基板材料の円柱状インゴットでは、外周面の表面粗さ（Ｒａ）は１μｍ以下が要求されるが、太陽電池用シリコンインゴットでは４隅部の表面粗さ（Ｒａ）は２〜４μｍと粗くても後工程のスライシング工程でチッピングは生じないことを太陽電池用シリコン基板製造メーカーより聞き出し、インゴットの４隅部の円筒研削加工は砥石車を用いる研削加工の１工程で充分であり、面取り作業時間が短縮できると予測した。 The inventors of the present invention require that the surface roughness (Ra) of the outer peripheral surface is 1 μm or less in a cylindrical ingot of a semiconductor substrate material such as DRAM, but the surface roughness of four corners in a silicon ingot for solar cells. We heard from the silicon substrate manufacturer for solar cells that chipping does not occur in the subsequent slicing process even if (Ra) is 2 to 4 μm, and cylindrical grinding at the four corners of the ingot is a grinding process using a grinding wheel. It was predicted that one step was sufficient and the chamfering operation time could be shortened.

また、粗研削砥石の一対と精密仕上げ研削砥石の一対を使用して角柱状インゴットの側面前後を同時に面取り加工すれば面取り作業時間が短縮できると予想した。 Moreover, it was expected that the chamfering operation time could be shortened by simultaneously chamfering the front and rear sides of the prismatic ingot using a pair of rough grinding wheels and a pair of precision finishing grinding wheels.

本発明は、シリコンインゴットの面取りを短時間で行うことができるコンパクトな面取り加工装置の提供を目的とする。 An object of this invention is to provide the compact chamfering processing apparatus which can chamfer a silicon ingot in a short time.

本発明の請求項１に記載のシリコンインゴットの面取り加工装置は、
ａ）機枠（ベース）上に左右方向に設けられた案内レール上を左右方向に往復移動できるように設けられたワークテーブル、
ｂ）このワークテーブル上に左右に分離して搭載された主軸台と心押台の一対よりなるクランプ機構、
ｃ）前記クランプ機構に支架されたワーク（角柱状インゴット）を載せた前記ワークテーブルを左右方向に往復移動させる駆動機構、
ｄ）前記ワークテーブルを正面側から直角に見る方向であって、かつ、左側方向より右側方向へ向かって、
ｅ）前後移動可能な砥石軸の一対に軸承されたカップホイール型砥石またはリング状砥石の一対をその砥石面が相対向するようにワークテーブルを挟んでワークテーブル前後に設けられた第一研削ステージ、
ｆ）前記第一研削ステージの右横側に平行に設けた、前後移動可能な砥石軸の一対に軸承されたカップホイール型砥石またはリング状砥石の一対をその砥石面が相対向するようにワークテーブルを挟んでワークテーブル前後に設けられた第二研削ステージ、
ｇ）上記第二研削ステージの右横側であって前記ワークテーブルの前側に位置するハウジング材にワークを前記クランプ機構への移出入を可能とする開口部を備えるロードポート、
および、
ｈ）上記ロードポートに対向する前記ワークテーブルの後側に、砥石車を有する砥石軸をワークテーブルの左右方向に平行であって、この砥石軸をその軸芯が前後方向に移動可能にツールテーブル上に設けたＲコーナー部研削ステージ、
を設けたことを特徴とする面取り加工装置（なお、前記第一研削ステージで使用する砥石および前記第二研削ステージで使用する砥石は、左右の砥石のいずれが粗研削砥石であっても精密仕上げ研削砥石であってもよい）を提供するものである。 The chamfering processing apparatus for a silicon ingot according to claim 1 of the present invention,
a) a work table provided so as to be able to reciprocate in the left-right direction on a guide rail provided in the left-right direction on the machine frame (base);
b) A clamping mechanism comprising a pair of headstock and tailstock mounted separately on the work table on the left and right,
c) A drive mechanism for reciprocating the work table on which a work (rectangular prism-shaped ingot) supported by the clamp mechanism is mounted in a horizontal direction;
d) The work table is viewed from the front side at a right angle, and from the left side to the right side,
e) A first grinding stage provided in front of and behind the work table with a pair of cup wheel type grindstones or ring-shaped grindstones supported by a pair of grindstone shafts movable back and forth, with the grindstone surfaces facing each other. ,
f) A pair of cup wheel type grindstones or ring-shaped grindstones, which are mounted parallel to the right side of the first grinding stage and are supported by a pair of grindstone shafts that can move back and forth, so that their grindstone surfaces face each other. A second grinding stage provided before and after the work table across the table,
g) a load port provided with an opening that allows a workpiece to be transferred to and from the clamp mechanism in a housing material located on the right side of the second grinding stage and on the front side of the work table;
and,
h) On the rear side of the work table facing the load port, a grinding wheel shaft having a grinding wheel is parallel to the horizontal direction of the work table, and the grinding wheel shaft is movable in the front-rear direction. R corner grinding stage provided above,
Chamfering processing apparatus (note that the grindstone used in the first grinding stage and the grindstone used in the second grinding stage are precision finished regardless of whether the left or right grindstone is a rough grinding wheel. It may be a grinding wheel).

本発明の請求項２に記載のシリコンインゴットの面取り加工装置は、前記請求項１記載の面取り加工装置において、前記第一研削ステージで使用する砥石が粗研削砥石であって、この一対の粗研削砥石のカップ砥石直径またはリング砥石直径は異なり、一方の直径が他方の直径よりも５〜２０ｍｍ短いことを特徴とする、請求項１記載の面取り加工装置を提供するものである。 The chamfering device for a silicon ingot according to claim 2 of the present invention is the chamfering device according to claim 1, wherein the grindstone used in the first grinding stage is a rough grindstone, and the pair of rough grindstones 2. A chamfering apparatus according to claim 1, wherein the diameter of the cup grindstone or the diameter of the ring grindstone of the grindstone is different and one diameter is 5 to 20 mm shorter than the other diameter.

本発明の請求項３に記載のシリコンインゴットの面取り加工装置は、前記請求項１記載の面取り加工装置の前記ワークテーブルの前側であって前記ロードポートと前記第二研削ステージとの空間部にｉ）ワークストッカー（インゴット複数本を貯える棚）およびｊ）ワークローディング／アンローディング装置を並設したことを特徴とする、請求項１記載の面取り加工装置を提供するものである。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a silicon ingot chamfering apparatus according to the present invention, wherein the chamfering apparatus according to the first aspect of the present invention has a front side of the work table and a space between the load port and the second grinding stage. 2. A chamfering apparatus according to claim 1, wherein a work stocker (a shelf for storing a plurality of ingots) and j) a work loading / unloading apparatus are provided side by side.

本発明の角柱状シリコンインゴットの面取り加工装置は、角柱状シリコンインゴットを宙吊りしたクランプ機構を左右方向に往復移動させながら、かつ、主軸台のクランプ軸を３６０度回転させながら円筒状砥石車により円筒研削してインゴットの４隅部（Ｒコーナー部）面取り加工を行う。   The prismatic silicon ingot chamfering apparatus of the present invention is a cylindrical grinding wheel with a cylindrical grinding wheel while reciprocating the clamp mechanism in which the prismatic silicon ingot is suspended in the left-right direction and rotating the clamp shaft of the headstock 360 degrees. Grind and chamfer the four corners (R corner) of the ingot.

ついで、一対の粗研削砥石を用いてインゴットの前後面を同時に粗研削加工（面取り）した後、クランプ機構の主軸台のチャック軸を９０度回転することにより支架されているインゴットの未研削加工面を前後位置とし、ついで、この角柱状シリコンインゴットを宙吊りしたクランプ機構を左右方向に往復移動させながら前記一対の粗研削砥石を用いてインゴットの前後面を同時に粗研削加工（平面取り）し、粗研削加工の平面取り加工作業を終了させる。 Next, the front and rear surfaces of the ingot are simultaneously rough ground (chamfered) using a pair of rough grinding wheels, and then the unground surface of the ingot that is supported by rotating the chuck shaft of the headstock of the clamp mechanism by 90 degrees Then, the front and rear surfaces of the ingot are simultaneously roughly ground (chamfered) using the pair of rough grinding wheels while reciprocating the clamp mechanism in which the prismatic silicon ingot is suspended in the left-right direction. Finish the grinding process.

前記粗研削加工の面取り作業が終了した後、一対の精密仕上げ研削砥石を用いてインゴットの前後面を同時に精密仕上げ研削加工（面取り）した後、クランプ機構の主軸台のチャック軸を９０度回転することにより支架されているインゴットの未精密仕上げ研削加工面を前後位置とし、ついで、この角柱状シリコンインゴットを宙吊りしたクランプ機構を左右方向に往復移動させながら前記一対の精密仕上げ研削砥石を用いてインゴットの前後面を同時に精密仕上げ研削加工（平面取り）し、精密仕上げ平面取り加工作業を終了させる。 After the rough grinding chamfering operation is finished, the front and rear surfaces of the ingot are precision finished grinding (chamfering) simultaneously using a pair of precision finishing grinding wheels, and then the chuck shaft of the headstock of the clamp mechanism is rotated 90 degrees. The ingots that are supported by the ingots are set to the front and back positions, and then the ingot using the pair of precision finish grinding wheels while reciprocating the clamp mechanism with the prismatic silicon ingot suspended in the left-right direction. Precision finishing grinding (planar machining) is simultaneously performed on the front and rear surfaces of the steel to finish the precision finishing planar machining.

特許文献７記載のインゴットの面取り加工装置のＲコーナー部面取り２工程、平面粗研削４工程および平面仕上げ研削４工程の合計１０工程に対し、本願発明の面取り加工装置はＲコーナー部面取り１工程、平面粗研削２工程および平面仕上げ研削２工程の合計５工程で面取り作業を行うことができるので、面取り加工時間は約半減弱となる。一辺が１５６ｍｍ、高さが２５０ｍｍであり四隅にＲ部を残してバンドソウで切断された角柱状単結晶シリコンインゴットの面取り加工をスループット加工時間約８２分で生産できる。また、１５６ｍｍ辺、高さ５００ｍｍの角柱状シリコンインゴットの面取り加工のスループット加工時間は、約１７０分で行うことができる。 The chamfering apparatus of the present invention has a R-corner chamfering process of 1 step, with respect to a total of 10 processes of the R-corner chamfering process 2 of the ingot chamfering process described in Patent Document 7 and the surface rough grinding 4 process and the surface finishing grinding 4 process. Since the chamfering operation can be performed in a total of five processes including two rough surface grinding processes and two flat surface finishing grinding processes, the chamfering processing time is reduced to about half. A chamfering process of a prismatic single crystal silicon ingot having a side of 156 mm and a height of 250 mm and cut with a band saw leaving R portions at the four corners can be produced in a throughput processing time of about 82 minutes. The throughput processing time for chamfering a prismatic silicon ingot having a side of 156 mm and a height of 500 mm can be performed in about 170 minutes.

さらに第一研削ステージで使用する砥石が粗研削砥石であって、この一対の粗研削砥石のカップ砥石直径またはリング砥石直径は異なり、一方の直径が他方の直径よりも５〜２０ｍｍ短い粗研削砥石を用いることにより、理由はわからないがワークテーブル右反転時のインゴットのヨーイング幅が同一径の粗研削砥石を用いた場合よりも小さく抑えられ、表面うねりが少ない平滑（表面粗さが１μｍ以下と小さい）な面取り加工表面を有するインゴットが得られる。 Further, the grindstone used in the first grinding stage is a coarse grindstone, and the diameter of the cup grindstone or the ring grindstone diameter of the pair of coarse grindstones is different, and one diameter is 5-20 mm shorter than the other diameter. Although the reason is not understood, the yawing width of the ingot when turning the work table to the right is suppressed to be smaller than when a rough grinding wheel with the same diameter is used, smoothness with less surface waviness (the surface roughness is as small as 1 μm or less) An ingot having a chamfered surface is obtained.

本発明の角柱状シリコンインゴットの面取り加工装置は、ワークストッカーおよびワークローディング／アンローディング装置を並設することにより、クランピング機構へのインゴットの移出入を自動化することができ、作業者が角柱状シリコンインゴットのローディング／アンローディング作業をなす重労働から開放できる。 The prismatic silicon ingot chamfering apparatus of the present invention can automate the transfer of the ingot into and out of the clamping mechanism by arranging the workpiece stocker and the workpiece loading / unloading device in parallel. This frees you from the heavy labor of loading / unloading silicon ingots.

図１は面取り加工装置を正面左側斜め約１５度の角度から見た斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of the chamfering device as viewed from the front left side at an angle of about 15 degrees. 図２は面取り加工装置の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the chamfering apparatus. 図３は面取り加工装置の正面図である。FIG. 3 is a front view of the chamfering apparatus. 図４は面取り加工装置の左側面図である。FIG. 4 is a left side view of the chamfering apparatus. 図５は面取り加工装置の右側面図である。FIG. 5 is a right side view of the chamfering apparatus. 図６は密閉カバー、ワークストッカーおよびワークローディング／アンローディング装置を取り外して見た面取り加工装置の平面図である。FIG. 6 is a plan view of the chamfering apparatus when the sealing cover, work stocker and work loading / unloading apparatus are removed.

本発明の面取り加工装置１は、図１、図２および図６に示されるように、機枠（ベース）２に左右方向に延びて敷設された一対の案内レール３，３上を左右方向に往復移動できるように設けられたワークテーブル４を設けてある。このワークテーブル４の左右往復移動は、サーボモータ５による回転駆動をボールネジ６が受けて回転し、このボールネジに螺合された固定台（図示されていない）が左方向または右方向に前進することにより、この固定台表面にワークテーブル４の裏面が固定されているワークテーブル４が左方向または右方向に前進する。ワークテーブル４の左方向または右方向の前進は、サーボモータ５の回転軸が時計廻り方向か、逆時計廻り方向かに依存する。 As shown in FIGS. 1, 2 and 6, the chamfering apparatus 1 according to the present invention extends in the left-right direction on a pair of guide rails 3, 3 extending in the left-right direction on the machine frame (base) 2. A work table 4 provided so as to be able to reciprocate is provided. When the work table 4 is reciprocated left and right, the ball screw 6 receives rotation driven by the servo motor 5 and rotates, and a fixing base (not shown) screwed to the ball screw advances leftward or rightward. As a result, the work table 4 having the back surface of the work table 4 fixed to the surface of the fixed base advances in the left direction or the right direction. The advancement of the work table 4 in the left direction or the right direction depends on whether the rotation shaft of the servo motor 5 is clockwise or counterclockwise.

このワークテーブル４上に左右に分離して搭載された主軸台７ａと心押台７ｂの一対よりなるクランプ機構７が搭載されている。よって、ワークテーブル４の左方向または右方向の移動に付随してこのクランプ機構７も左方向または右方向に移動し、クランプ機構７の主軸台センター支持軸７ａ_１と心押台センター支持軸７ｂ_１により支架されて宙吊り状態となったワーク(角柱状インゴット)ｗがＲコーナー部研削ステージ９、第一研削ステージ１０、第二研削ステージ１１、またはロードポート８位置へと移動することが可能となっている。 A clamp mechanism 7 comprising a pair of a headstock 7a and a tailstock 7b mounted separately on the work table 4 is mounted. Therefore, the clamping mechanism 7 in association with the movement of the left or right of the work table 4 is also moved to the left or right direction, the headstock center support shaft 7a ₁ and the tailstock center support shaft 7b of the clamping mechanism 7 It is possible that the workpiece (rectangular column shaped ingot) w supported by ₁ and suspended in the air can move to the R corner grinding stage 9, the first grinding stage 10, the second grinding stage 11, or the load port 8 position. It has become.

クランプ機構７は特許文献７に記載されるように公知のチャック機構であり、円筒研削盤でよく使用されている。主軸台７ａは主軸台センター支持軸７ａ_１をサーボモータ７ａ_ｍで回転させることによりワークｗを３６０度あるいは９０度回転させる機能を有する。心押台７ｂは空気シリンダー７ｅ駆動でガイドレール上を左右に移動できる移動台７ｂ_ｔ上に設けられ、ワークをクランプ機構７で支架したのち、レバーを押し下げることにより固定し、ワークテーブル４の移動により心押台７ｂを搭載する移動台７ｂ_ｔが移動するのを防ぐ。 The clamp mechanism 7 is a known chuck mechanism as described in Patent Document 7, and is often used in a cylindrical grinder. Headstock 7a has a function of rotating the workpiece w 360 degrees or 90 degrees by rotating the headstock center support shaft 7a ₁ by the servo motor 7a _m. Tailstock 7b is provided on the movable table 7b _t which can be moved on the guide rails with an air cylinder 7e drive the left and right, after支架the workpiece by the clamp mechanism 7, and fixed by depressing the lever, movement of the work table 4 moving base 7b _t for mounting the tailstock 7b is prevented from moving by.

前記Ｒコーナー部研削ステージ９、第一研削ステージ１０、第二研削ステージ１１、およびロードポート８の位置関係は、前記ワークテーブル４を正面側から直角に見る方向であって、かつ、左側方向より右側方向へ向かって、第一研削ステージ１０、第二研削ステージ１１、ロードポート８を設け、このロードポート８の背面にＲコーナー部研削ステージ９が設けられる。Ｒコーナー部研削ステージ９、第一研削ステージ１０および第二研削ステージ１１は密閉カバー１２で覆われている。また、ロードポート８は片手横スライド扉１２ａにより閉じられる。密閉カバー１２で覆われた各研削ステージ９，１０，１１の空間には排気ダクト１３が接続され、この空間内に浮遊するミストや研削屑を外部へ排出する。 The positional relationship among the R corner portion grinding stage 9, the first grinding stage 10, the second grinding stage 11, and the load port 8 is a direction in which the work table 4 is viewed from a right angle from the front side and from the left side direction. A first grinding stage 10, a second grinding stage 11, and a load port 8 are provided toward the right side, and an R corner portion grinding stage 9 is provided on the back surface of the load port 8. The R corner portion grinding stage 9, the first grinding stage 10 and the second grinding stage 11 are covered with a hermetic cover 12. The load port 8 is closed by a one-hand side sliding door 12a. An exhaust duct 13 is connected to the space of each grinding stage 9, 10, 11 covered with the hermetic cover 12, and mist and grinding debris floating in this space are discharged to the outside.

第一研削ステージ１０は、サーボモータ１０ｍ，１０ｍの回転駆動により前後移動可能なツールテーブル１０ｔ，１０ｔ上に設けられた砥石軸の一対１０ａ，１０ａに軸承されたカップホイール型砥石またはリング状砥石の一対１０ｇ，１０ｇをその研削砥石面１０ｇ_ｓ，１０ｇ_ｓが相対向するようにワークテーブル４を挟んでワークテーブル４前後に対称にかつ砥石軸芯１０_ｏ，１０_ｏが同一線上となる位置に設け、これら砥石軸１０ａ，１０ａはサーボモータ１０_Ｍ，１０_Ｍの回転駆動により回転される構造となっている。 The first grinding stage 10 is composed of a cup wheel type grindstone or a ring-shaped grindstone supported by a pair of grindstone shafts 10a, 10a provided on tool tables 10t, 10t that can be moved back and forth by rotation of servo motors 10m, 10m. provided at a position where the pair 10 g, the grinding wheel surface _{10 g} s a 10 g, 10 g _s is and symmetrically around the work table 4 across the work table 4 so as to face each other grinding wheel axis ₁₀ o, 10 _o is collinear these wheel spindle 10a, 10a has a structure that is rotated by the rotational driving of the servo motor ₁₀ M, 10 _M.

サーボモータ１０ｍ，１０ｍによる回転駆動をボールネジが受けて回転し、このボールネジに螺合された固定台が前方向または後方向に前進または後退することにより、この固定台表面にツールテーブル１０ｔ，１０ｔの裏面が固定されているツールテーブル１０ｔ，１０ｔが前進移動または後退移動する。このツールテーブルの前進または後退の移動方向は、サーボモータ１０ｍ，１０ｍの回転軸が時計廻り方向か、逆時計廻り方向かに依存する。 When the ball screw receives rotation by the servo motors 10m and 10m and rotates, and the fixing table screwed to the ball screw advances or retracts forward or backward, the tool tables 10t and 10t are placed on the surface of the fixing table. The tool tables 10t and 10t whose back surfaces are fixed move forward or backward. The forward or backward movement direction of the tool table depends on whether the rotation shafts of the servo motors 10m and 10m are clockwise or counterclockwise.

第二研削ステージ１１は、サーボモータ１１ｍ，１１ｍの回転駆動により前後移動可能なツールテーブル１１ｔ，１１ｔ上に設けられた砥石軸の一対１１ａ，１１ａに軸承されたカップホイール型砥石またはリング状砥石の一対１１ｇ，１１ｇをその研削砥石面１１ｇ_ｓ，１１ｇ_ｓが相対向するようにワークテーブル４を挟んでワークテーブル４前後に対称にかつ砥石軸芯１１_ｏ，１１_ｏが同一線上となる位置に設け、これら砥石軸１１ａ，１１ａはサーボモータ１１_Ｍ，１１_Ｍの回転駆動により回転される構造となっている。 The second grinding stage 11 is a cup wheel type grindstone or ring-shaped grindstone supported by a pair of grindstone shafts 11a, 11a provided on tool tables 11t, 11t that can be moved back and forth by the rotational drive of servo motors 11m, 11m. provided at a position where the pair 11g, the grinding wheel surface _11g s to 11g, 11g _s is and symmetrically around the work table 4 across the work table 4 so as to face each other grindstone axis ₁₁ o, 11 _o is collinear these wheel spindle 11a, 11a has a structure that is rotated by the rotational driving of the servo motor ₁₁ M, 11 _M.

サーボモータ１１ｍ，１1ｍによる回転駆動をボールネジが受けて回転し、このボールネジに螺合された固定台が前方向または後方向に前進移動または後退移動することにより、この固定台表面にツールテーブル１１ｔ，１１ｔの裏面が固定されているツールテーブル１１ｔ，１１ｔが前進または後退する。このツールテーブルの前進または後退の移動方向は、サーボモータ１１ｍ，１１ｍの回転軸が時計廻り方向か、逆時計廻り方向かに依存する。 When the ball screw receives the rotation drive by the servo motors 11m and 11m and rotates, and the fixed base screwed into the ball screw moves forward or backward in the forward or backward direction, the tool table 11t, The tool tables 11t and 11t to which the back surface of 11t is fixed move forward or backward. The forward or backward movement direction of the tool table depends on whether the rotation shafts of the servomotors 11m and 11m are clockwise or counterclockwise.

第二研削ステージ１１は、前記第一研削ステージ１０の右横側に平行に設けられる。即ち、両ステージ１０，１１の砥石軸芯１０_ｏ，１１_ｏが平行である。 The second grinding stage 11 is provided in parallel to the right side of the first grinding stage 10. That is, the grindstone axes 10 _o and 11 _{o of} both the stages 10 and 11 are parallel.

なお、前記第一研削ステージ１０で使用する砥石および前記第二研削ステージ１１で使用する砥石は、左右の砥石のいずれが粗研削砥石であっても精密仕上げ研削砥石であってもよい。図６および図７は、第一研削ステージ１０で使用する砥石が粗研削砥石１０ｇであり、第二研削ステージ１１で使用する砥石は精密仕上げ研削砥石１１ｇを用いた例を示す。 Note that the grindstone used in the first grinding stage 10 and the grindstone used in the second grinding stage 11 may be either rough grinding wheels or precision finish grinding wheels. 6 and 7 show an example in which the grindstone used in the first grinding stage 10 is a rough grinding grindstone 10g, and the grindstone used in the second grinding stage 11 is a precision finish grinding grindstone 11g.

研削砥石１０ｇ，１０ｇ，１１ｇ，１１ｇのカップ砥石直径またはリング砥石直径は、一辺が１５０ｍｍの正方形状の太陽電池用シリコン基板を目的とするときは、２４０〜６０ｍｍであり、カップ砥石片の幅は３〜１０ｍｍ、リング状砥石幅は５〜１５ｍｍであるのがシリコンインゴットの研削焼け防止の観点から好ましい。砥石の中心点から砥石幅外周の距離（半径）は、粗研削砥石の１個または２個と精密仕上げ研削砥石の２個は同一半径であるのが、インゴット面取り仕上げ面の平均粗さＲａが良好なものとなる。また、一対の粗研削砥石１０ｇ，１０ｇのカップ砥石直径またはリング砥石直径は同じであっても一方の直径が他方の直径よりも５〜２０ｍｍ短くても良い。 The diameter of the grinding wheel 10g, 10g, 11g, or 11g of the grinding wheel or the ring grinding wheel diameter is 240 to 60 mm when a square silicon substrate for a solar cell having a side of 150 mm is intended, and the width of the cup grinding stone piece is 3 to 10 mm and the ring-shaped grindstone width are preferably 5 to 15 mm from the viewpoint of preventing grinding and burning of the silicon ingot. The distance (radius) from the center point of the wheel to the outer periphery of the wheel width is the same radius for one or two of the rough grinding wheels and two of the precision finish grinding wheels, but the average roughness Ra of the ingot chamfer finish surface is It will be good. Further, the cup grindstone diameter or ring grindstone diameter of the pair of coarse grinding wheels 10g, 10g may be the same, or one diameter may be 5 to 20 mm shorter than the other diameter.

研削砥石１０ｇ，１１ｇの砥粒は、ダイヤモンド砥粒、ＣＢＮ砥粒が好ましく、結合剤（ボンド）はメタルボンド、ビトリファイドボンド、エポキシレジンボンドがよい。例えば、カップホイール型粗研削砥石１０ｇは、例えば特開平９−３８８６６号公報、特開２０００―９４３４２号公報や特開２００４−１６７６１７号公報等に開示される有底筒状砥石台金の下部環状輪に砥石刃の多数を研削液が散逸する隙間間隔で環状に配置したカップホイール型砥石で、台金の内側に供給された研削液が前記隙間から散逸する構造のものが好ましい。このカップホイール型砥石１０ｇの環状砥石刃の直径は、角柱状シリコンインゴットの一辺の長さの１．２〜１．５倍の直径であることが好ましい。前記カップホイール型粗研削砥石の環状砥石刃は、砥番１００〜２８０番のダイヤモンドレジンボンド砥石、またはダイヤモンドビトリファイドボンド砥石が好ましい。また、カップホイール型精密仕上げ研削砥石１１ｇの環状砥石刃は、砥番３００〜１，２００番のダイヤモンドレジンボンド砥石、ダイヤモンドビトリファイドボンド砥石、またはダイヤモンドメタルボンド砥石が好ましい。また、後述する砥石車９ｇとしては砥番３００〜１，２００番のダイヤモンド砥石車が好ましい。 The abrasive grains of the grinding wheels 10g and 11g are preferably diamond abrasive grains and CBN abrasive grains, and the binder is preferably a metal bond, vitrified bond, or epoxy resin bond. For example, a cup wheel type rough grinding wheel 10g is a lower annular shape of a bottomed cylindrical grinding wheel base metal disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open Nos. 9-38866, 2000-94342, and 2004-167617. A cup wheel type grindstone in which a large number of grindstone blades are annularly arranged in a ring with a gap interval at which the grinding liquid dissipates, and the structure in which the grinding liquid supplied to the inside of the base metal is dissipated from the gap is preferable. The diameter of the annular grindstone blade of the cup wheel type grindstone 10g is preferably 1.2 to 1.5 times the length of one side of the prismatic silicon ingot. The ring wheel of the cup wheel type rough grinding wheel is preferably a diamond resin bond grindstone having a grind number of 100 to 280 or a diamond vitrified bond grindstone. Further, the annular grindstone blade of the cup wheel type precision finish grinding grindstone 11g is preferably a diamond resin bond grindstone, a diamond vitrified bond grindstone, or a diamond metal bond grindstone with a grind number of 300 to 1,200. Further, as the grinding wheel 9g described later, a diamond grinding wheel having a grinding number of 300 to 1,200 is preferable.

研削液としては、純水、コロイダルシリカ水分散液、セリア水分散液、ＳＣ−１液、ＳＣ−２液、あるいは、純水とこれら前記の水分散液または研削液を併用する。なお、研削液としては、環境を考慮した水処理の面から純水のみを利用するのが好ましい。 As the grinding liquid, pure water, colloidal silica water dispersion, ceria water dispersion, SC-1 liquid, SC-2 liquid, or pure water and these water dispersion or grinding liquid are used in combination. As the grinding liquid, it is preferable to use only pure water from the viewpoint of water treatment considering the environment.

ロードポート８は、第二研削ステージ１１の右横側であってワークテーブル４の前側に位置するハウジング材にワークｗを前記クランプ機構への移出入を可能とする開口部を設けることにより形成される。 The load port 8 is formed by providing an opening in the housing material located on the right side of the second grinding stage 11 and on the front side of the work table 4 so that the work w can be transferred to and from the clamp mechanism. The

Ｒコーナー部研削ステージ９は、上記ロードポート８に対向する前記ワークテーブル４の後側に、砥石車９ｗを有する砥石軸９ａをワークテーブル４の左右方向に平行であって、この砥石軸９ａの軸芯９_ｏを前後方向に移動可能にツールテーブル９ｔ上に設けた構造を採る。 The R corner portion grinding stage 9 has a grinding wheel shaft 9a having a grinding wheel 9w on the rear side of the work table 4 facing the load port 8, parallel to the horizontal direction of the work table 4, and the grinding wheel shaft 9a A structure in which the shaft core 9 _o is provided on the tool table 9 t so as to be movable in the front-rear direction is adopted.

図２、図４および図５から理解されるように、砥石軸９ａの回転駆動はサーボモータ９_Ｍの回転駆動により行われ、ツールテーブル９ｔの前進後退は、サーボモータ９ｍによる回転駆動をボールネジが受けて回転し、このボールネジに螺合された固定台が前方向または後方向に前進または後退することにより、この固定台表面にツールテーブル９ｔの裏面が固定されているツールテーブル９ｔが案内レール９ｒ，９ｒ上を前進移動または後退移動する。このツールテーブルの前進または後退の移動方向は、サーボモータ９ｍの回転軸が時計廻り方向か、逆時計廻り方向かに依存する。 Figure 2, as will be understood from FIGS. 4 and 5, rotation of the wheel spindle 9a is performed by the rotation of the servomotor 9 _M, forward and backward in the tool table 9t is ball screw rotation drive by servo motor 9m The tool table 9t having the back surface of the tool table 9t fixed to the surface of the fixed table is guided to the guide rail 9r by receiving and rotating and moving the fixed table screwed to the ball screw forward or backward in the forward or backward direction. , 9r move forward or backward. The forward or backward movement direction of the tool table depends on whether the rotation shaft of the servo motor 9m is clockwise or counterclockwise.

図２において、符号９ｃは研削液供給管を、図４において符号９ｄは乾燥空気（ドライエアー）供給口を示す。この乾燥空気は、面取り加工され、研削液（純水）により洗浄された角柱状インゴット（ワーク）の表面に吹き付けられ、研削液を吹き飛ばして角柱状インゴット表面を乾燥するのに使用される。また、図１において符号２０は制御装置を、符号２１は操作盤を示す。 In FIG. 2, reference numeral 9 c indicates a grinding fluid supply pipe, and in FIG. 4, reference numeral 9 d indicates a dry air supply port. This dry air is sprayed onto the surface of a prismatic ingot (work) that has been chamfered and cleaned with a grinding fluid (pure water), and is used to blow off the grinding fluid to dry the surface of the prismatic ingot. In FIG. 1, reference numeral 20 denotes a control device, and reference numeral 21 denotes an operation panel.

図１、図２、図３および図４に示すように、本発明のシリコンインゴットの面取り加工装置１は、前記ワークテーブル４の前側であって前記ロードポート８と前記第二研削ステージ１０との空間部にワークローディング／アンローディング装置１３およびインゴット３本を貯えるワークストッカー１４を機枠２上に並設している。符号１５は、脚立車を備えた運搬台車１６のテーブル上に載置された予備のワークストッカーである。 As shown in FIGS. 1, 2, 3, and 4, the chamfering apparatus 1 for a silicon ingot according to the present invention is a front side of the work table 4 and includes a load port 8 and a second grinding stage 10. A work loading / unloading device 13 and a work stocker 14 for storing three ingots are juxtaposed on the machine frame 2 in the space. Reference numeral 15 denotes a spare work stocker placed on the table of the transport carriage 16 provided with a stepladder.

ワークストッカー１４，１５は、角柱状シリコンインゴット（ワーク）３本ｗ，ｗ，ｗを４５度傾斜して収納できる断面が逆２等辺三角形状のＶ字棚段を備え、機枠から突き出した位置決めピン１６上に載置されている。 The work stockers 14 and 15 are provided with V-shaped shelves with inverted isosceles triangles that can store three prismatic silicon ingots (work pieces) w, w, and w inclined at 45 degrees, and are positioned protruding from the machine frame. It is placed on the pin 16.

前記ワークローディング／アンローディング装置１３は、ワークストッカー１４Ｖ字棚段に保管されている角柱状シリコンインゴット（ワーク）ｗ１本を１対の爪１３ａ，１３ｂで挟持し、両爪を上昇させることによりワークを吊り上げ、ついで、後退、右方向への移動、下降してロードポート８前に位置させ、さらに後退させることによりこのロードポート８からワークをクランプ装置７の主軸台７ａと心押台７ｂ間へと搬送する。ワークの一端を主軸台７ａのセンター支持軸７ａ１に当接させた後、心押台７ｂを空気シリンダー７ｅで右方向に移動させてセンター支持軸７ｂ１に他端を当接させワークを４５度Ｖ傾斜させかつ４面を宙吊り状態に支架する。ついで、前記爪１３ａ，１３ｂを離間させてワークの把持を開放し、ついで、両爪１３ａ，１３ｂを支持する固定台１３ｆを上昇させ、左方向に移動させ、さらに、前方向に後退させ両爪１３ａ，１３ｂを待機位置へと戻る。 The work loading / unloading device 13 holds one rectangular columnar silicon ingot (work) w stored on a work stocker 14V-shaped shelf with a pair of claws 13a and 13b, and lifts both claws to raise the workpiece. Is lifted, then moved backward, moved to the right, moved down and positioned in front of the load port 8, and further moved backward to move the workpiece between the headstock 7a of the clamp device 7 and the tailstock 7b. And carry. After one end of the work is brought into contact with the center support shaft 7a1 of the headstock 7a, the tailstock 7b is moved to the right by the air cylinder 7e, and the other end is brought into contact with the center support shaft 7b1 so that the work is 45 degrees V. Inclined and suspended on 4 sides suspended. Next, the claws 13a and 13b are separated to release the workpiece, and then the fixing base 13f supporting the claws 13a and 13b is lifted, moved to the left, and further moved backward to move both claws. 13a and 13b are returned to the standby position.

また、前記クランプ装置７に４面を宙吊り状態に支架されている面取り加工および洗浄・風乾されたワークを両爪１３ａ，１３ｂで把持し、ついで、両爪１３ａ，１３ｂを支持する固定台１３ｆを上昇させ、左方向に移動させ、さらに、前方向に後退させ両爪１３ａ，１３ｂをワークストッカー１４，１５の空棚上方へ移動したのち、下降させてワークを前記空棚に載置下後、両爪１３ａ，１３ｂを離間してワークを開放したのち、前記待機位置へと両爪１３ａ，１３ｂを戻す。 In addition, a chamfering process that has four surfaces suspended in a suspended state on the clamp device 7 and a workpiece that has been cleaned and air-dried are gripped by both claws 13a and 13b, and then a fixing base 13f that supports both claws 13a and 13b is provided. After moving the claw 13a, 13b above the empty shelves of the work stockers 14, 15 after lowering and placing the work on the empty shelf, After separating the claws 13a and 13b to release the workpiece, the claws 13a and 13b are returned to the standby position.

両爪１３ａ，１３ｂを支持する固定台１３ｆの前後方向の移動は、図２および図５に示すようにサーボモータ１３ｍにより回転駆動されたボールネジ１３ｋに裏面を螺合させた固定台１３ｆの滑走面１３ｓをコラム１３ｃ側面に設けられた案内レール１３ｇ上を滑走させることにより行われる。両爪１３ａ，１３ｂを支持する固定台１３ｆの上下方向の移動は、エアーシリンダー１３ｐにより行われる。両爪１３ａ，１３ｂの離間は、図５の円内に示されるマイクロウイークエアシリンダ１３ｅを用いて両爪１３ａ，１３ｂを離間させる。両爪１３ａ，１３ｂの僅かな昇降の微調整は、マイクロウイークエアシリンダ１３ｌを用いて行う。両爪１３ａ，１３ｂの僅かな前後移動の微調整は、マイクロウイークエアシリンダ１３_Ｒを用いて行う。 As shown in FIGS. 2 and 5, the fixed base 13f that supports the claws 13a and 13b is moved in the front-rear direction as shown in FIGS. This is performed by sliding 13s on a guide rail 13g provided on the side surface of the column 13c. The vertical movement of the fixing base 13f that supports the claws 13a and 13b is performed by the air cylinder 13p. The two claws 13a and 13b are separated by using the micro week air cylinder 13e shown in the circle of FIG. 5 to separate the claws 13a and 13b. Fine adjustment of the slight raising and lowering of the claws 13a and 13b is performed using a micro week air cylinder 13l. Both pawls 13a, fine adjustment of a small back-and-forth movement of the 13b is performed using a micro weak air cylinder 13 _R.

本発明のシリコンインゴットの面取り加工装置１を用い、ワークｗとして両端が平面切断され、４周辺をスライス加工し、四円弧隅部の円弧Ｒが残された角柱状シリコンインゴットｗを面取り加工する作業は、ワークストッカー１４Ｖ字棚段に保管されている角柱状シリコンインゴット１本をワークローディング／アンローディング装置１３を用いてクランプ機構７へ搬送し、ついで、ワークをクランプ機構７に支架させる。   Using the silicon ingot chamfering apparatus 1 of the present invention, a work is performed to chamfer a prismatic silicon ingot w in which both ends are cut as a workpiece w, and the periphery of four is sliced, and the arc R of the four arc corners is left. Transports one rectangular columnar silicon ingot stored on the work stocker 14V-shaped shelf to the clamp mechanism 7 using the work loading / unloading device 13, and then supports the work on the clamp mechanism 7.

角柱状シリコンインゴットを宙吊りしたクランプ機構７を左右方向に１〜１５ｍｍ／分速度で往復移動させながら、かつ、主軸台のセンター支持軸を１０〜３００ｒｐｍの回転速度で回転させながら円筒状砥石車９ｇを８００〜３，０００ｒｐｍの回転速度で回転しつつ、り研削液が５〜１００ｃｃ／分の量作業点に供給されている角柱状シリコンインゴット面にインフィードする円筒研削を行ってインゴットの４隅部（Ｒコーナー部）の面取り加工を行う。 A cylindrical grinding wheel 9g while reciprocating the clamp mechanism 7 in which a prismatic silicon ingot is suspended in the left-right direction at a speed of 1 to 15 mm / min and rotating the center support shaft of the headstock at a rotational speed of 10 to 300 rpm. Is rotated at a rotational speed of 800 to 3,000 rpm, and cylindrical grinding is performed to infeed the prismatic silicon ingot surface in which the grinding fluid is supplied to the working point in an amount of 5 to 100 cc / min. Chamfering the part (R corner).

ついで、一対の粗研削砥石１０ｇ，１０ｇを１００〜３００ｒｐｍの回転速度で同期制御回転させつつ、角柱状インゴットの前後面に研削液２０〜１，０００ｃｃ／分の量を作業点に供給しながら１〜１５ｍｍ／分速度で左右方向に移動している角柱状インゴットの前後面を同時に０．１〜０．３ｍｍ量の切り込みを繰り返す粗研削加工を行った後、クランプ機構７の主軸台７ａのセンター支持軸を９０度回転することにより支架されているインゴットの未研削加工面を前後位置とし、ついで、この角柱状シリコンインゴットを宙吊りしたクランプ機構７を左右方向に往復移動させながら前記一対の粗研削砥石１０ｇ，１０ｇを用いて研削液５〜１００ｃｃ／分の量が作業点に供給されているインゴットの前後面を同時に粗研削加工し、粗研削加工の平面取り（０．３〜０．８ｍｍ）加工作業を終了させる。 Next, while rotating a pair of rough grinding wheels 10g and 10g synchronously at a rotational speed of 100 to 300 rpm, supplying an amount of grinding fluid 20 to 1,000 cc / min to the front and rear surfaces of the prismatic ingot 1 After roughly grinding the front and rear surfaces of the prismatic ingot moving in the left-right direction at a speed of ˜15 mm / min and simultaneously repeating the cutting of 0.1 to 0.3 mm, the center of the headstock 7a of the clamp mechanism 7 The unground surface of the ingot supported by rotating the support shaft 90 degrees is set to the front-rear position, and then the pair of rough grinding is performed while reciprocating the clamp mechanism 7 in which the prismatic silicon ingot is suspended in the left-right direction. Using the grinding stones 10g and 10g, the front and rear surfaces of the ingot in which the amount of grinding fluid of 5 to 100 cc / min is supplied to the work point are simultaneously roughly ground, Processing up plane (0.3~0.8mm) to terminate the processing work.

前記粗研削加工の面取り作業が終了した後、一対の精密仕上げ研削砥石１１ｇ，１１ｇを１，２００〜３，０００ｒｐｍの回転速度で回転させつつ左右方向に１〜１５ｍｍ／分速度で往復移動しているインゴットの前後面に当接、摺擦させてインゴットの前後面を同時に同期制御精密仕上げ研削加工（０．０５〜０．１ｍｍ量の切り込みを行う作業を繰り返す）した後、クランプ機構の主軸台のセンター支持軸７ａ１を９０度回転することにより支架されているインゴットの未精密仕上げ研削加工面を前後位置とし、ついで、この角柱状シリコンインゴットを宙吊りしたクランプ機構を左右方向に往復移動させながら前記一対の精密仕上げ研削砥石１１ｇ，１１ｇを用いてインゴットの前後面を同時に精密仕上げ研削加工し、精密仕上げ平面取り加工（０．１〜０．２ｍｍ）作業を終了させる。この精密仕上げ平面取り加工の際、角柱状シリコンインゴットとカップホイール型精密仕上げ研削砥石が当接する加工作業点に向けて研削液が５０〜１，０００ｃｃ／分の供給量で供給される。 After the rough grinding chamfering operation is completed, the pair of precision finish grinding wheels 11g and 11g are reciprocated at a speed of 1 to 15 mm / min in the left-right direction while rotating at a speed of 1,200 to 3,000 rpm. The front and back surfaces of the ingot are brought into contact with and rubbed with each other, and the front and rear surfaces of the ingot are simultaneously synchronously controlled with precision finish grinding (repeating the work of cutting in an amount of 0.05 to 0.1 mm), and then the headstock of the clamp mechanism The center support shaft 7a1 of the ingot is rotated 90 degrees to set the non-precision finish grinding surface of the ingot supported in the front-rear position, and then the clamp mechanism in which the prismatic silicon ingot is suspended is moved back and forth in the left-right direction. A precision finish grinding surface is prepared by simultaneously precision finishing grinding the front and back surfaces of the ingot using a pair of precision finish grinding wheels 11g and 11g. Ri processing (0.1~0.2mm) to complete the work. In this precision finishing flattening process, the grinding fluid is supplied at a supply rate of 50 to 1,000 cc / min toward a processing work point where the prismatic silicon ingot and the cup wheel type precision finishing grinding wheel come into contact.

前記精密仕上げ研削加工の面取り作業が終了した後、クランプ機構７をロードポート８位置へ後退させ、そこで角柱状シリコンインゴットを回転させながら圧空をインゴット表面に噴き付けて風乾させる。風乾が終えたらクランプ機構７による角柱状シリコンインゴットの回転を終了させる。   After the chamfering operation of the precision finish grinding process is completed, the clamp mechanism 7 is moved back to the position of the load port 8, and compressed air is sprayed on the ingot surface while rotating the prismatic silicon ingot, and air-dried. When the air drying is finished, the rotation of the prismatic silicon ingot by the clamp mechanism 7 is finished.

ワークローディング／アンローディング装置１３の両爪１３ａ，１３ｂを用いてクランプ機構７に支架されている角柱状シリコンインゴットｗを把持し、ついで、心押台７ｂを左方向へ後退させて支架を解いたのち、両爪１３ａ，１３ｂをワークストッカー１４Ｖ字棚段上方へ移動させ、下降して角柱状シリコンインゴットｗをワークストッカー１４Ｖ字棚段に載置し、その後、両爪１３ａ，１３ｂを離間して角柱状シリコンインゴットｗの把持を解く。   Using the claws 13a and 13b of the work loading / unloading device 13, the prismatic silicon ingot w supported by the clamp mechanism 7 is gripped, and then the tailstock 7b is moved backward to unwind the support. After that, both claws 13a and 13b are moved upward to the work stocker 14V-shaped shelf, lowered to place the prismatic silicon ingot w on the work stocker 14V-shaped shelf, and then the claws 13a and 13b are separated from each other. Ungripping the prismatic silicon ingot w.

角柱状シリコンインゴットの面取り加工スループット時間が従来機械の約半分で行うことができるシリコンインゴットの面取り加工装置である。   This is a silicon ingot chamfering processing apparatus capable of performing the chamfering processing throughput time of a prismatic silicon ingot in about half of the conventional machine.

１ 面取り加工装置
ｗ 角柱状シリコンインゴット
２ 機枠
４ ワークテーブル
７ クランプ機構
７ａ 主軸台
７ｂ 心押台
８ ロードポート
９ Ｒコーナー部研削ステージ
１０ 第一研削ステージ
１１ 第二研削ステージ
１３ ワークローディング／アンローディング装置
１４ ワークストッカー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Chamfering processing apparatus w Square columnar silicon ingot 2 Machine frame 4 Work table 7 Clamp mechanism 7a Shaft base 7b Tailstock 8 Load port 9 R corner part grinding stage 10 First grinding stage 11 Second grinding stage 13 Work loading / unloading Device 14 Work stocker

Claims (3)

ａ）機枠（ベース）上に左右方向に設けられた案内レール上を左右方向に往復移動できるように設けられたワークテーブル、
ｂ）このワークテーブル上に左右に分離して搭載された主軸台と心押台の一対よりなるクランプ機構、
ｃ）前記クランプ機構に支架されたワーク（角柱状インゴット）を載せた前記ワークテーブルを左右方向に往復移動させる駆動機構、
ｄ）前記ワークテーブルを正面側から直角に見る方向であって、かつ、左側方向より右側方向へ向かって、
ｅ）前後移動可能な砥石軸の一対に軸承されたカップホイール型砥石またはリング状砥石の一対をその砥石面が相対向するようにワークテーブルを挟んでワークテーブル前後に設けられた第一研削ステージ、
ｆ）前記第一研削ステージの右横側に平行に設けた、前後移動可能な砥石軸の一対に軸承されたカップホイール型砥石またはリング状砥石の一対をその砥石面が相対向するようにワークテーブルを挟んでワークテーブル前後に設けられた第二研削ステージ、
ｇ）上記第二研削ステージの右横側であって前記ワークテーブルの前側に位置するハウジング材にワークを前記クランプ機構への移出入を可能とする開口部を備えるロードポート、
および、
ｈ）上記ロードポートに対向する前記ワークテーブルの後側に、砥石車を有する砥石軸をワークテーブルの左右方向に平行であって、この砥石軸をその軸芯が前後方向に移動可能にツールテーブル上に設けたＲコーナー部研削ステージ、
を設けたことを特徴とする面取り加工装置（なお、前記第一研削ステージで使用する砥石および前記第二研削ステージで使用する砥石は、左右の砥石のいずれが粗研削砥石であっても精密仕上げ研削砥石であってもよい。）。 a) a work table provided so as to be able to reciprocate in the left-right direction on a guide rail provided in the left-right direction on the machine frame (base);
b) A clamping mechanism comprising a pair of headstock and tailstock mounted separately on the work table on the left and right,
c) A drive mechanism for reciprocating the work table on which a work (rectangular prism-shaped ingot) supported by the clamp mechanism is mounted in a horizontal direction;
d) The work table is viewed from the front side at a right angle, and from the left side to the right side,
e) A first grinding stage provided in front of and behind the work table with a pair of cup wheel type grindstones or ring-shaped grindstones supported by a pair of grindstone shafts movable back and forth, with the grindstone surfaces facing each other. ,
f) A pair of cup wheel type grindstones or ring-shaped grindstones, which are mounted parallel to the right side of the first grinding stage and are supported by a pair of grindstone shafts that can move back and forth, so that their grindstone surfaces face each other. A second grinding stage provided before and after the work table across the table,
g) a load port provided with an opening that allows a workpiece to be transferred to and from the clamp mechanism in a housing material located on the right side of the second grinding stage and on the front side of the work table;
and,
h) On the rear side of the work table facing the load port, a grinding wheel shaft having a grinding wheel is parallel to the horizontal direction of the work table, and the grinding wheel shaft is movable in the front-rear direction. R corner grinding stage provided above,
Chamfering processing apparatus (note that the grindstone used in the first grinding stage and the grindstone used in the second grinding stage are precision finished regardless of whether the left or right grindstone is a rough grinding wheel. It may be a grinding wheel.) 請求項１記載の面取り加工装置において、前記第一研削ステージで使用する砥石が粗研削砥石であって、この一対の粗研削砥石のカップ砥石直径またはリング砥石直径は異なり、一方の直径が他方の直径よりも５〜２０ｍｍ短いことを特徴とする、請求項１記載の面取り加工装置。 2. The chamfering apparatus according to claim 1, wherein the grindstone used in the first grinding stage is a coarse grindstone, and the diameter of the cup grindstone or the ring grindstone of the pair of coarse grindstones is different, and one diameter is the other. The chamfering apparatus according to claim 1, wherein the chamfering apparatus is shorter by 5 to 20 mm than the diameter. 請求項１記載の面取り加工装置の前記ワークテーブルの前側であって前記ロードポートと前記第二研削ステージとの空間部にｉ）ワークストッカー（インゴット複数本を貯える棚）およびｊ）ワークローディング／アンローディング装置を並設したことを特徴とする、請求項１記載の面取り加工装置。 2. The front side of the work table of the chamfering apparatus according to claim 1, wherein i) a work stocker (a shelf for storing a plurality of ingots) and j) a work loading / unloading in a space between the load port and the second grinding stage. 2. The chamfering apparatus according to claim 1, wherein a loading device is provided in parallel.

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