JP2011129669A - 半導体チップ及び該半導体チップを備えた半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/13111—Tin [Sn] as principal constituent
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- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13139—Silver [Ag] as principal constituent
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- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
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Abstract
【課題】半導体チップ及び該半導体チップを備えた半導体装置において、バンプの側部の周囲に、フラックスの残渣が残留することを防止する。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップと、実装基板8とを備えている。実装基板8と半導体チップとの間には、封止樹脂7が充填されている。半導体チップは、基板1と、電極パッド2と、第1の開口部3oを有する第1の保護膜3と、アンダーバリアメタル膜5と、バンプ6とを備えている。第1の保護膜3は、基板1の上面に形成された基板部3Aと、電極パッド2の側面及び電極パッド2の上面における周縁部に形成されたパッド部3Bとを有している。アンダーバリアメタル膜5における第1の保護膜3と接触する側部5p、及びバンプ6におけるアンダーバリアメタル膜5と接触する側部6pが、第1の保護膜3におけるパッド部3Bの外側面S3B上に位置している。
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置は、半導体チップと、実装基板8とを備えている。実装基板8と半導体チップとの間には、封止樹脂7が充填されている。半導体チップは、基板1と、電極パッド2と、第1の開口部3oを有する第1の保護膜3と、アンダーバリアメタル膜5と、バンプ6とを備えている。第1の保護膜3は、基板1の上面に形成された基板部3Aと、電極パッド2の側面及び電極パッド2の上面における周縁部に形成されたパッド部3Bとを有している。アンダーバリアメタル膜5における第1の保護膜3と接触する側部5p、及びバンプ6におけるアンダーバリアメタル膜5と接触する側部6pが、第1の保護膜3におけるパッド部3Bの外側面S3B上に位置している。
【選択図】図1
Description
本発明は、アンダーバリアメタル膜及びバンプを有する半導体チップ、並びに該半導体チップを備えた半導体装置に関する。
実装基板に半導体チップを実装する実装方法として、フリップチップ実装がある。フリップチップ実装とは、半導体チップのバンプと、実装基板とを電気的に接続する実装方法である。バンプは、アンダーバリアメタル膜の上に形成されている。
バンプのアンダーバリアメタル膜への接続強度を向上させる技術として、以下に示す技術が提案されている(例えば、特許文献1を参照)。
従来の半導体装置は、基板の上に形成された引出し電極と、引出し電極の上に形成されたバンプ下地導体層(=アンダーバリアメタル膜)と、バンプ下地導体層の上に形成され錫を含有するバンプとを備えている。バンプ下地導体層は、引出し電極の上に形成されチタン(Ti)又はチタン合金からなる第1の導体層と、第1の導体層の上に形成されパラジウム(Pd)を含有する第2の導体層とを有している。
従来では、バンプ下地導体層における第2の導体層の材料を、従来の銅(Cu)に代えてPdとする。これにより、第2の導体層の材料をCuとした場合のように第2の導体層とバンプとの接合領域にCu−Snのような脆い合金層が形成されることがないので、バンプの接続強度を向上させることが可能となる。このため、バンプが剥離することを抑制することができる。これにより、半導体装置の信頼性の向上を図る。
また、従来では、バンプ下地導体層を、スパッタリング法によって形成する。これにより、半導体ウエハの面内におけるバンプ下地導体層の厚さの均一性を向上させることが可能となる。このため、半導体ウエハ面内における複数のバンプの形成条件の均一性を向上させることができるので、半導体ウエハ面内における複数のバンプを良好に形成することができる。これにより、半導体装置の信頼性の向上を図る。
このように、従来では、バンプ下地導体層における第2の導体層(言い換えれば、アンダーバリアメタル膜におけるバンプと接合する部分)の材料をPdとすることにより、バンプの接続強度を向上させる。また、バンプ下地導体層の厚さの均一性を向上させることにより、バンプを良好に形成する。これにより、バンプの信頼性の向上を図り、延いては、半導体装置の信頼性の向上を図る。
しかしながら、従来では、以下に示す問題がある。
従来では、アンダーバリアメタル膜の材料及び厚さという観点から、半導体装置の信頼性の向上を図る。
しかしながら、本願発明者が検討を重ねた結果、以下のことを見出した。
バンプにおけるアンダーバリアメタル膜と接触する側部(後述の図1:6p参照)の周囲に、フラックスの残渣が残留すると、バンプの側部の周囲に、封止樹脂を良好に充填することができずに充填不良を招くため、半導体装置の信頼性の低下を招くという問題がある。ここで、フラックスは、バンプをアンダーバリアメタル膜に接合する為に用いられる。またここで、封止樹脂は、実装基板と半導体チップとの間に充填される。
前記の問題に鑑み、本発明の目的は、半導体チップ及び該半導体チップを備えた半導体装置において、バンプの側部の周囲に、フラックスの残渣が残留することを防止することである。
本願発明者が検討を重ねた結果、バンプの側部の周囲に、フラックスの残渣が残留することを防止するには、バンプの側部の周囲の構造の形状を工夫することが有効であることを見出した。本願発明は、本願発明者が見出した知見に基づいて成された発明である。
具体的には、前記の目的を達成するため、本発明に係る半導体チップは、基板と、基板の上に形成された電極パッドと、基板及び電極パッドの周縁部の上に形成され、電極パッドの中央部を露出する第1の開口部を有する第1の保護膜と、電極パッドの中央部、及び第1の保護膜における第1の開口部の周縁に位置する部分の上に形成されたアンダーバリアメタル膜と、アンダーバリアメタル膜の上に形成されたバンプとを備え、第1の保護膜は、基板の上面に形成された基板部と、電極パッドの側面及び電極パッドの上面における周縁部に形成されたパッド部とを有し、アンダーバリアメタル膜における第1の保護膜と接触する側部、及びバンプにおけるアンダーバリアメタル膜と接触する側部が、第1の保護膜におけるパッド部の外側面上に位置していることを特徴とする。
本発明に係る半導体チップによると、アンダーバリアメタル膜の側部及びバンプの側部が、第1の保護膜におけるパッド部の外側面上に位置している。言い換えれば、バンプの側部の周囲の構造の形状を工夫している。このため、バンプの側部の周囲に、フラックスの残渣が入り込む間隙が形成されることがないため、フラックスの残渣の除去の際に、バンプの側部の周囲に残留するフラックスの残渣を効果的に除去することができる。このため、バンプの側部の周囲に、フラックスの残渣が残留することを防止することができる。従って、信頼性が高い半導体チップを実現することができる。
さらに、第1の保護膜により、電極パッド、アンダーバリアメタル膜及びバンプ等が、半導体チップから剥離することを防止することができる。
本発明に係る半導体チップにおいて、アンダーバリアメタル膜の側面は、上方から下方に広がるテーパー面であり、バンプは、アンダーバリアメタル膜の側面及び上面を覆うように形成されていることが好ましい。
本発明に係る半導体チップにおいて、第1保護膜の上に形成され、第2の開口部を有する第2の保護膜をさらに備えていることが好ましい。
このようにすると、電極パッド、アンダーバリアメタル膜及びバンプ等が、半導体チップから剥離することをさらに防止することができる。
本発明に係る半導体チップにおいて、第2の保護膜は、ポリイミドからなることが好ましい。
本発明に係る半導体チップにおいて、第1の保護膜は、窒化ケイ素からなることが好ましい。
本発明に係る半導体チップにおいて、電極パッドは、格子状に配列されていることが好ましい。
このように、電極パッドと接続するバンプが、格子状に配列されて、ピッチ(隣り合うバンプの中心部同士の間隔)が狭くても、フラックスの残渣の除去の際に、バンプの側部の周囲に残留するフラックスの残渣を効果的に除去することができる。
前記の目的を達成するため、本発明に係る半導体装置は、本発明に係る半導体チップと、半導体チップが実装された実装基板とを備え、実装基板と半導体チップとの間には、封止樹脂が充填されていることを特徴とする。
本発明に係る半導体装置によると、アンダーバリアメタル膜の側部及びバンプの側部が、第1の保護膜におけるパッド部の外側面上に位置している。このため、バンプの側部の周囲に、フラックスの残渣が入り込む間隙が形成されることがないため、フラックスの残渣の除去の際に、バンプの側部の周囲に残留するフラックスの残渣を効果的に除去することができる。このため、バンプの側部の周囲に、フラックスの残渣が残留することを防止することができる。
加えて、封止樹脂の充填の際に、フラックスの残渣が効果的に除去されたバンプの側部の周囲に、封止樹脂を良好に充填することができる。このため、バンプの側部の周囲に残留するフラックスの残渣により、バンプの側部の周囲に、封止樹脂を良好に充填することができずに充填不良を招くことを防止することができる。
従って、信頼性が高い半導体装置を実現することができる。
本発明に係る半導体チップによると、バンプの側部の周囲に、フラックスの残渣が残留することを防止することができるため、信頼性が高い半導体チップを実現することができる。
本発明に係る半導体装置によると、バンプの側部の周囲に、フラックスの残渣が残留することを防止することができるため、バンプの側部の周囲に、封止樹脂を良好に充填することができるので、信頼性が高い半導体装置を実現することができる。
以下に、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
(一実施形態)
以下に、本発明の一実施形態に係る半導体チップの構造について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る半導体チップの構造を示す断面図である。具体的には、図1は、図2に示すI-I線における断面図であり、該半導体チップにおける、1コのバンプ及びその近傍部分の構造を示す断面図である。図2は、本発明の一実施形態に係る半導体チップの構造を示す平面図である。なお、図2において、簡略的に図示する為に、第1,第2の保護膜の図示を省略している。
以下に、本発明の一実施形態に係る半導体チップの構造について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る半導体チップの構造を示す断面図である。具体的には、図1は、図2に示すI-I線における断面図であり、該半導体チップにおける、1コのバンプ及びその近傍部分の構造を示す断面図である。図2は、本発明の一実施形態に係る半導体チップの構造を示す平面図である。なお、図2において、簡略的に図示する為に、第1,第2の保護膜の図示を省略している。
図1に示すように、例えばシリコン(Si)からなる基板1の上には、例えばアルミニウム(Al)からなる電極パッド2が形成されている。基板1及び電極パッド2の周縁部の上には、例えば窒化ケイ素(Si3N4)からなる第1の保護膜3が形成されている。第1の保護膜3には、電極パッド2の中央部(周縁部以外の部分)を露出する第1の開口部3oが形成されている。第1の保護膜3は、基板1の上面に形成された基板部3Aと、電極パッド2の側面及び電極パッド2の上面における周縁部に形成されたパッド部3Bとを有している。第1の保護膜3における基板部3Aは、断面形状がI字状である。第1の保護膜3におけるパッド部3Bは、断面形状がL字状である。第1の保護膜3におけるパッド部3Bの内側面は、第1の開口部3o内に露出している。
第1保護膜3の上には、例えばポリイミドからなる第2の保護膜4が形成されている。第2の保護膜4には、第2の開口部4oが形成されている。
電極パッド2の中央部、及び第1の保護膜3における第1の開口部3oの周縁に位置する部分の上には、例えばニッケル(Ni)を含むアンダーバリアメタル(UBM)膜5が形成されている。アンダーバリアメタル膜5の側面は、上方から下方に広がるテーパー面である。アンダーバリアメタル膜5における第1の保護膜3と接触する側部5pは、第1の保護膜3におけるパッド部3Bの外側面S3B上に位置している。ここで、アンダーバリアメタル膜5の「側面」とは、アンダーバリアメタル膜5における第1の開口部3o内に形成された部分以外の部分の側面をいう。
アンダーバリアメタル膜5の上には、フラックス(図示省略)を介して、例えば錫(Sn)、銀(Ag)又は銅(Cu)等のはんだ材料からなるバンプ6が形成されている。バンプ6におけるアンダーバリアメタル膜5と接触する側部6pは、第1の保護膜3におけるパッド部3Bの外側面S3B上に位置している。言い換えれば、バンプ6の側部6pは、アンダーバリアメタル膜5の側部5pに位置している。バンプ6は、アンダーバリアメタル膜5の側面及び上面を覆うように形成されている。
図2に示すように、基板1の上には、各々が電極パッドと接続する複数のバンプ6が、グリッド状に配列されている。バンプ6の平面形状は、円形状である。
以下に、本発明の一実施形態に係る半導体装置、言い換えれば、本実施形態に係る半導体チップを備えた半導体装置の構造について、図3を参照しながら説明する。図3は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。
図3に示すように、フリップチップ実装により、実装基板8の上には、本実施形態に係る半導体チップが実装されている。実装基板8と半導体チップとの間には、例えばアンダーフィルからなる封止樹脂7が充填されている。
以下に、本発明の一実施形態に係る半導体チップの製造方法について、図4(a) 〜(d) を参照しながら説明する。図4(a) 〜(d) は、本発明の一実施形態に係る半導体チップの製造方法を工程順に示す断面図である。
まず、図4(a) に示すように、例えばSiからなる基板1の上に、例えばAl等からなる電極パッド2を形成する。その後、基板1及び電極パッド2の上に、例えばSi3N4等からなる第1の保護膜を形成する。その後、第1の保護膜における電極パッド2の中央部の上に形成された部分を除去する。これにより、第1の保護膜3に、電極パッド2の中央部を露出する第1の開口部3oを形成する。このようにして、基板1の上面に形成された基板部3Aと、電極パッド2の側面及び電極パッド2の上面における周縁部に形成されたパッド部3Bとを有する第1の保護膜3を形成する。
次に、図4(b) に示すように、例えばスピンナ(図示省略)を用いて、電極パッド2及び第1の保護膜3の上に、例えばポリイミドからなる第2の保護膜用膜を均一に塗布する。続いて、例えば70℃で50秒間、90℃で50秒間又は105℃で110秒間、プリベークを行う。その後、第2の保護膜用膜に、第2の開口部4oを形成する為の開口パターンを露光する。その後、例えば80℃で50秒間、ベークを行う。その後、現像を行う。これにより、第2の保護膜用膜の材料が、ポジ型感光性ポリイミドの場合、第2の保護膜用膜における、開口パターンが露光された部分を除去する(又はネガ型感光性ポリイミドの場合、第2の保護膜用膜における、開口パターンが露光された部分以外の部分を除去する)。その後、例えば140℃で170秒間又は350℃で3600秒間、キュアを行う。このようにして、電極パッド2の幅W2よりも広い幅W4oを持つ第2の開口部4oを有する第2の保護膜4を形成する。
次に、図4(c) に示すように、例えばソフトエッチングにより、電極パッド2の上面に形成された酸化膜(図示省略)を除去する。その後、例えばジンケート処理液への浸漬により、電極パッド2の上に、亜鉛(Zn)粒子(図示省略)を析出させる。その後、例えば無電解ニッケルめっき液への浸漬により、電極パッド2及び第1の保護膜3におけるパッド部3Bの上に、例えば厚さが5×10-3mm程度のNi膜を形成する。このようにして、電極パッド2及び第1の保護膜3におけるパッド部3Bの上に、Niを含むアンダーバリアメタル膜5を形成する。このとき、アンダーバリアメタル膜5の側部5pが、第1の保護膜3におけるパッド部3Bの外側面S3B上に位置するように、アンダーバリアメタル膜5を形成する。またこのとき、アンダーバリアメタル膜5の側面が、上方から下方に広がるテーパー面となるように、アンダーバリアメタル膜5を形成する。アンダーバリアメタル膜5の厚さT5は、例えば1×10-3mm〜7×10-3mm程度であることが好ましい。
次に、図4(d) に示すように、アンダーバリアメタル膜5と対応する開口部を有し且つ厚さが例えば0.02mm〜0.04mm程度の金属製の印刷用マスク(図示省略)を用いて、例えばゴム製又は金属製のスキージ(図示省略)により、アンダーバリアメタル膜5の上に、フラックス(図示省略)を印刷する。その後、アンダーバリアメタル膜5と対応する開口部を有する搭載用マスク(図示省略)を用いて、アンダーバリアメタル膜5の上に、フラックスを介して、例えばボール形状のバンプを搭載する。その後、熱処理により、バンプを再溶融(リフロー)し、バンプ6をアンダーバリアメタル5膜に接合する。このように、ボールマウント法により、アンダーバリアメタル膜5の上に、フラックスを介して、バンプ6を形成する。このとき、バンプ6におけるアンダーバリアメタル膜5と接触する側部6pが、第1の保護膜3におけるパッド部3Bの外側面S3B上に位置するように、バンプ6を形成する。言い換えれば、バンプ6の側部6pが、アンダーバリアメタル膜5の側部(図4(c):5p参照)に位置するように、バンプ6を形成する。
ここで、フラックスは、バンプの保持、及びバンプのリフロー時での酸化膜の除去という2つの機能を主に有する。このため、フラックスとして、例えばロジン系フラックス又は水溶性フラックス等を用いることが好ましく、特に、ハロゲンフリータイプのロジン系フラックスを用いることが好ましい。
またここで、バンプ6の材料として、例えばSn、Ag又はCu等のはんだ材料を用いることが好ましい。バンプ6の形状がボール形状である場合、バンプ6の幅W6は、例えば0.07mm〜0.125mm程度であることが好ましい。また、バンプの形状が方形状である場合、バンプの長手方向の幅と短手方向の幅との平均値が、例えば0.07mm〜0.125mm程度であることが好ましい。
次に、洗浄により、フラックスの残渣、例えば、バンプ6の側部6pの周囲に残留するフラックスの残渣を除去する。このとき、アンダーバリアメタル膜5の側部5p及びバンプ6の側部6pが、第1の保護膜3におけるパッド部3Bの外側面S3B上に位置している。このため、バンプ6の側部6pの周囲に、良好な空間Sを確保することができる。言い換えれば、図5に示すように、例えば、第1の保護膜3におけるパッド部3Bとバンプ6との間に、フラックスの残渣が入り込む間隙sが形成されることがない。このため、バンプ6の側部6pの周囲に残留するフラックスの残渣を効果的に除去することができる。
以上のようにして、本実施形態に係る半導体チップを製造することができる。
以下に、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図3を参照しながら説明する。
まず、図3に示すように、実装基板8の上に、半導体チップを実装する。その後、実装基板8と半導体チップとの間に、例えばアンダーフィルからなる封止樹脂7を充填する。このとき、フラックスの残渣が効果的に除去された空間(図4(d):S参照)に、封止樹脂7を効果的に充填することができるため、バンプ6の側部(図4(d):6p参照)の周囲に、封止樹脂7を良好に充填することができる。
本実施形態によると、アンダーバリアメタル膜5の側部5p及びバンプ6の側部6pが、第1の保護膜3におけるパッド部3Bの外側面S3B上に位置している。このため、バンプ6の側部6pの周囲に、フラックスの残渣が入り込む間隙(図5:s参照)が形成されることがないため、フラックスの残渣の除去の際に、バンプ6の側部6pの周囲に残留するフラックスの残渣を効果的に除去することができる。このため、バンプ6の側部6pの周囲に、フラックスの残渣が残留することを防止することができる。従って、信頼性が高い半導体チップを実現することができる。
加えて、封止樹脂の充填の際に、フラックスの残渣が効果的に除去されたバンプ6の側部6pの周囲に、封止樹脂7を良好に充填することができる。このため、バンプ6の側部6pの周囲に残留するフラックスの残渣により、バンプ6の側部6pの周囲に、封止樹脂7を良好に充填することができずに充填不良を招くことを防止することができる。従って、信頼性が高い半導体装置を実現することができる。
さらに、第1の保護膜3を設けることにより、電極パッド2、アンダーバリアメタル膜5及びバンプ6等が、半導体チップから剥離することを防止することができる。加えて、第2の保護膜4を設けることにより、電極パッド2、アンダーバリアメタル膜5及びバンプ6等が、半導体チップから剥離することをさらに防止することができる。
なお、本実施形態では、図4(c) に示すように、例えば無電解ニッケルめっき液への浸漬により、例えば厚さが5×10-3mm程度のNi膜を形成し、Niを含むアンダーバリアメタル膜5を形成する場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
第1に例えば、本実施形態と同様に、無電解ニッケルめっき液への浸漬により、厚さが5×10-3mm程度のNi膜を形成する。その後、無電解金めっき液への浸漬により、Ni膜の上に、厚さが5×10-5mm程度の金(Au)膜を形成し、Ni及びAuを含むアンダーバリアメタル膜を形成してもよい。即ち、無電解ニッケルメッキを施した後、無電解金メッキを施す、所謂、フラッシュ金めっきを施してもよい。
第2に例えば、第1の保護膜における基板部の上に、電極パッドと対応する開口部を有するレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンをマスクとして、スパッタ又は蒸着等により、レジストパターンの開口部内に露出する電極パッド及び第1の保護膜におけるパッド部の上に、Ni膜等を形成し、Ni等を含むアンダーバリアメタル膜を形成してもよい。
なお、本実施形態では、図4(d) に示すように、例えばボールマウント法により、アンダーバリアメタル膜5の上に、バンプ6を形成する場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、めっき法又はディスペンス法等により、アンダーバリアメタル膜の上に、バンプを形成してもよい。
また、本実施形態では、第2の保護膜4の材料として、ポリイミドを用いた場合を具体例に挙げて説明したが、ポリイミドに代えて、例えばベンゾオキサゾール又はシリコーン系の樹脂等を用いてもよい。
また、本実施形態では、第1の保護膜3の上に、第2の保護膜4を形成する場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
本発明は、バンプの側部の周囲に、フラックスの残渣が残留することを防止することができ、半導体チップ及び該半導体チップを備えた半導体装置に有用である。
1 基板
2 電極パッド
3 第1の保護膜
3A 基板部
3B パッド部
3o 第1の開口部
4 第2の保護膜
4o 第2の開口部
5 アンダーバリアメタル膜
6 バンプ
7 封止樹脂
8 実装基板
S3B 外側面
5p アンダーバリアメタル膜の側部
6p バンプの側部
S 空間
W2,W4o,W6 幅
T5 厚さ
s 間隙
2 電極パッド
3 第1の保護膜
3A 基板部
3B パッド部
3o 第1の開口部
4 第2の保護膜
4o 第2の開口部
5 アンダーバリアメタル膜
6 バンプ
7 封止樹脂
8 実装基板
S3B 外側面
5p アンダーバリアメタル膜の側部
6p バンプの側部
S 空間
W2,W4o,W6 幅
T5 厚さ
s 間隙
Claims (7)
- 基板と、
前記基板の上に形成された電極パッドと、
前記基板及び電極パッドの周縁部の上に形成され、前記電極パッドの中央部を露出する第1の開口部を有する第1の保護膜と、
前記電極パッドの中央部、及び第1の保護膜における前記第1の開口部の周縁に位置する部分の上に形成されたアンダーバリアメタル膜と、
前記アンダーバリアメタル膜の上に形成されたバンプとを備え、
前記第1の保護膜は、
前記基板の上面に形成された基板部と、
前記電極パッドの側面及び前記電極パッドの上面における周縁部に形成されたパッド部とを有し、
前記アンダーバリアメタル膜における前記第1の保護膜と接触する側部、及び前記バンプにおける前記アンダーバリアメタル膜と接触する側部が、前記第1の保護膜における前記パッド部の外側面上に位置していることを特徴とする半導体チップ。 - 前記アンダーバリアメタル膜の側面は、上方から下方に広がるテーパー面であり、
前記バンプは、前記アンダーバリアメタル膜の側面及び上面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップ。 - 前記第1保護膜の上に形成され、第2の開口部を有する第2の保護膜をさらに備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体チップ。
- 前記第2の保護膜は、ポリイミドからなることを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか1項に記載の半導体チップ。
- 前記第1の保護膜は、窒化ケイ素からなることを特徴とする請求項1〜4のうちいずれか1項に記載の半導体チップ。
- 前記電極パッドは、格子状に配列されていることを特徴とする請求項1〜5のうちいずれか1項に記載の半導体チップ。
- 請求項1〜6のうちいずれか1項に記載の半導体チップと、
前記半導体チップが実装された実装基板とを備え、
前記実装基板と前記半導体チップとの間には、封止樹脂が充填されていることを特徴とする半導体装置。
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