JP2011124253A - 半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、光ディスク装置、半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、光ディスク装置、半導体装置の製造方法および半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011124253A JP2011124253A JP2009278245A JP2009278245A JP2011124253A JP 2011124253 A JP2011124253 A JP 2011124253A JP 2009278245 A JP2009278245 A JP 2009278245A JP 2009278245 A JP2009278245 A JP 2009278245A JP 2011124253 A JP2011124253 A JP 2011124253A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- groove
- laser
- semiconductor laser
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02579—P-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【課題】端面窓構造を極めて簡単に形成することができ、光導波損失を抑えることができ、表面準位の存在によるレーザ動作時の光吸収・局所的な発熱を抑えることができ、製造歩留まりが高く、遠視野像の形状も良好な、窒化物系III−V族化合物半導体を用いた半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】n型GaN基板11の少なくとも端面窓構造の形成位置の近傍に溝16を形成する。溝16の幅、形状、位置などは設計により決める。この溝16が形成されたn型GaN基板11上に、InおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層19を含むGaN系半導体層25を成長させることにより、端面窓構造を有するGaN系半導体レーザを製造する。溝16の上の部分に形成された凹部は絶縁物で埋めるのが好ましい。
【選択図】図3
【解決手段】n型GaN基板11の少なくとも端面窓構造の形成位置の近傍に溝16を形成する。溝16の幅、形状、位置などは設計により決める。この溝16が形成されたn型GaN基板11上に、InおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層19を含むGaN系半導体層25を成長させることにより、端面窓構造を有するGaN系半導体レーザを製造する。溝16の上の部分に形成された凹部は絶縁物で埋めるのが好ましい。
【選択図】図3
Description
この発明は、半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、光ディスク装置、半導体装置の製造方法および半導体装置に関し、例えば、窒化物系III−V族化合物半導体を用いた端面窓構造を有するリッジストライプ型半導体レーザならびにこれを光源に用いる光ディスク装置に適用して好適なものである。
半導体レーザの最大光出力を増大させるためには、共振器端面に活性層からの光に対して透明な窓を設ける端面窓構造の導入が必要不可欠である。
従来のGaInP系の赤色発光半導体レーザでは、レーザ構造を形成する半導体層の成長後に共振器端面となる部位の近傍の半導体層にZn原子を拡散させ、局所的にバンドギャップエネルギーを増大させることにより端面窓構造を形成する方法が有効であった(例えば、特許文献1参照。)。
従来のGaInP系の赤色発光半導体レーザでは、レーザ構造を形成する半導体層の成長後に共振器端面となる部位の近傍の半導体層にZn原子を拡散させ、局所的にバンドギャップエネルギーを増大させることにより端面窓構造を形成する方法が有効であった(例えば、特許文献1参照。)。
一方、近年、高密度光ディスク装置などでは、光源として窒化物系III−V族化合物半導体系の半導体レーザが用いられている。この窒化物系III−V族化合物半導体の多くは、GaInP系半導体と比較して、熱的・機械的に安定な材料である。このため、窒化物系III−V族化合物半導体系の半導体レーザにおいては、GaInP系赤色発光半導体レーザで有効であった、異種原子の拡散プロセスおよびウェットエッチングによる端面窓構造の形成が困難である。
そこで、窒化物系III−V族化合物半導体系の半導体レーザにおいては、これまでに様々な端面窓構造の形成方法の提案・実験が行われている。以下に、これまで提案された端面窓構造の形成方法について説明する。
劈開によりレーザバーを形成した後、H2 プラズマ暴露やレーザ光照射によるIn脱離現象を利用し、共振器端面近傍のバンドギャップエネルギーを増大させて端面窓構造を形成する提案がなされている(例えば、特許文献2、3参照。)。しかしながら、これらの方法の実施のためには、高真空チャンバー装置が必要になるために設備投資が大掛かりになるだけではなく、劈開後に共振器端面を処理することは、一般的に生産性への課題が残される。
劈開によりレーザバーを形成した後、H2 プラズマ暴露やレーザ光照射によるIn脱離現象を利用し、共振器端面近傍のバンドギャップエネルギーを増大させて端面窓構造を形成する提案がなされている(例えば、特許文献2、3参照。)。しかしながら、これらの方法の実施のためには、高真空チャンバー装置が必要になるために設備投資が大掛かりになるだけではなく、劈開後に共振器端面を処理することは、一般的に生産性への課題が残される。
数多くの提案がなされているのは、基板上にレーザ構造を形成する半導体層をエピタキシャル成長させた後に、この半導体層のうちの共振器端面になる部分を反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching: RIE)で掘削し、その部分に再度、バンドギャップエネルギーの大きな窒化物系III−V族化合物半導体層をエピタキシャル成長させる方法である(例えば、特許文献4〜7参照。)。しかしながら、この方法では、RIEで掘削した表面には、表面準位が形成されてしまい、レーザ動作時に光吸収・局所的な発熱が起こる懸念がある。
また、その他の例として、RIEまたは絶縁膜蒸着により幾何学的な段差を設けた基板上に、レーザ構造を形成する半導体層をエピタキシャル成長させることにより、端面窓構造を形成する方法が提案されている(例えば、特許文献8〜11参照。)。この方法は、レーザ光の進行方向に、活性層と比較してバンドギャップエネルギーの大きなクラッド層が端面窓構造として働くことを意図している。代表的な例を図25に示す。図25に示すように、この半導体レーザにおいては、基板101の一主面をRIEでパターニングすることにより凹部101aを設け、その上にn型半導体層102、活性層103およびp型半導体層104を順次成長させ、p型半導体層104上にp側電極105、アイソレーション電極106およびパッド電極107を形成する。しかしながら、これらの方法には次のような問題点がある。すなわち、基板101の凹部101aにより、n型半導体層102、活性層103およびp型半導体層104に急峻な幾何学的段差が発生するため、この段差近傍において、光導波損失が生じてしまう。また、共振器端面近傍の活性層103のワイドギャップ化による透明化は意図されておらず、有効な端面窓構造として働かない可能性がある。
本出願人は先に、上述の従来の端面窓構造の形成方法の欠点を解消するために、基板上の、少なくとも端面窓構造の形成位置の近傍に絶縁膜からなるマスクを形成した後、このマスクで覆われていない部分の基板上に、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層を含む窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させることにより窓構造を有する半導体レーザを製造する方法を提案した(特許文献12参照。)。
しかしながら、本発明者らの検討によれば、特許文献12で提案された、窓構造を有する半導体レーザの製造方法では、次のような問題がある。すなわち、窒化物系III−V族化合物半導体層の結晶成長の初期に絶縁膜からなるマスク上に堆積物が形成され、結晶成長中およびプロセス工程においてこの堆積物が離散したり表面に吸着したりする。この結果、半導体レーザの製造歩留まりの低下や半導体レーザの遠視野像の形状不良などが生じる。
そこで、この発明が解決しようとする課題は、端面窓構造を極めて簡単に形成することができ、光導波損失を抑えることができ、表面準位の存在によるレーザ動作時の光吸収・局所的な発熱を抑えることができ、製造歩留まりが高く、遠視野像の形状も良好な、窒化物系III−V族化合物半導体を用いた半導体レーザおよびその製造方法を提供することである。
この発明が解決しようとする他の課題は、上記の優れた半導体レーザを光源に用いた光ディスク装置を提供することである。
この発明が解決しようとするさらに他の課題は、少なくとも一方向にバンドギャップエネルギーが変化する部分を有する、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体層を用いる半導体装置およびその製造方法を提供することである。
この発明が解決しようとする他の課題は、上記の優れた半導体レーザを光源に用いた光ディスク装置を提供することである。
この発明が解決しようとするさらに他の課題は、少なくとも一方向にバンドギャップエネルギーが変化する部分を有する、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体層を用いる半導体装置およびその製造方法を提供することである。
上記課題を解決するために、この発明は、
基板の、少なくとも端面窓構造の形成位置の近傍に溝を形成する工程と、
上記基板上に、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層を含む窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させる工程とを有する、端面窓構造を有する半導体レーザの製造方法である。
基板の、少なくとも端面窓構造の形成位置の近傍に溝を形成する工程と、
上記基板上に、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層を含む窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させる工程とを有する、端面窓構造を有する半導体レーザの製造方法である。
また、この発明は、
少なくとも端面窓構造に対応する部分の近傍に溝が形成された基板と、
上記基板上に成長された、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層を含む窒化物系III−V族化合物半導体層とを有する、端面窓構造を有する半導体レーザである。
少なくとも端面窓構造に対応する部分の近傍に溝が形成された基板と、
上記基板上に成長された、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層を含む窒化物系III−V族化合物半導体層とを有する、端面窓構造を有する半導体レーザである。
また、この発明は、
少なくとも端面窓構造に対応する部分の近傍に溝が形成された基板と、
上記基板上に成長された、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層を含む窒化物系III−V族化合物半導体層とを有する、端面窓構造を有する半導体レーザを光源に用いた光ディスク装置である。
少なくとも端面窓構造に対応する部分の近傍に溝が形成された基板と、
上記基板上に成長された、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層を含む窒化物系III−V族化合物半導体層とを有する、端面窓構造を有する半導体レーザを光源に用いた光ディスク装置である。
上記の各発明において、基板は、導電性半導体基板、特に窒化物系III−V族化合物半導体基板(最も典型的にはGaN基板)や窒化物系III−V族化合物半導体と異なる物質からなる基板(例えば、サファイア基板など)上に少なくとも一層の窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させたものであってもよい。基板に形成する溝の幅、深さ、長さ、断面形状、平面形状、レーザストライプとの間の間隔、位置などは、半導体レーザに要求される特性などに応じて適宜決められる。好適には、溝の側面が窒化物系III−V族化合物半導体の窒素終端化面からなる。例えば、窒化物系III−V族化合物半導体基板または窒化物系III−V族化合物半導体と異なる物質からなる基板上に成長させた窒化物系III−V族化合物半導体層に溝を形成する場合、好適には、この溝の側面が窒素終端化面からなるようにする。このために、好適には、この溝を窒化物系III−V族化合物半導体の〈1−100〉方向または〈11−20〉方向に延在する部分を含むように形成する。〈1−100〉方向に溝を形成する場合、この溝の側面は{11−22}面(例えば、(11−22)面および(−1−122)面)からなる。また、〈11−20〉方向に溝を形成する場合、この溝の側面は{1−101}面(例えば、(1−101)面および(−1101)面)からなる。{11−22}面および{1−101}面はいずれも窒素終端化面と考えられている。
基板の溝は例えば次のように形成される。すなわち、例えば、基板の、レーザストライプの形成位置の一方の側にレーザストライプの形成位置に沿って溝を形成し、この際、レーザストライプの形成位置と溝との間の間隔が端面窓構造の形成位置の近傍において他の部分よりも小さくなるようにする。あるいは、基板の、レーザストライプの形成位置の両側にレーザストライプの形成位置に沿って溝を形成し、この際、レーザストライプの形成位置と溝との間の間隔が端面窓構造の形成位置の近傍において他の部分よりも小さくなるようにする。あるいは、基板の、端面窓構造の形成位置の近傍でかつレーザストライプの形成位置の一方の側または両側に溝を形成する。この溝が形成された基板上に活性層を含む窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させると、溝の近傍の部分のレーザストライプの活性層のIn組成x(あるいは発光波長λ)と溝が近傍にない部分あるいは溝とレーザストライプとの間の距離がより大きい部分のレーザストライプの活性層のIn組成y(発光波長λ´)との関係がx<y(λ<λ´)を満たすようにすることができる。また、溝の近傍の部分のレーザストライプの厚さt1 と溝が近傍にない部分あるいは溝とレーザストライプとの間の距離がより大きい部分のレーザストライプの厚さt2 との関係がt2 <t1 を満たすようにすることができる。
窒化物系III−V族化合物半導体は、最も一般的には、AlX By Ga1-x-y-z Inz Asu N1-u-v Pv (ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦x+y+z<1、0≦u+v<1)からなる。窒化物系III−V族化合物半導体は、より具体的には、AlX By Ga1-x-y-z Inz N(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦x+y+z<1)からなる。窒化物系III−V族化合物半導体は、典型的にはAlX Ga1-x-z Inz N(ただし、0≦x≦1、0≦z≦1)からなり、具体例を挙げると、GaN、InN、AlN、AlGaN、InGaN、AlGaInNなどからなるが、これに限定されるものではない。少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体は、AlX By Ga1-x-y-z Inz Asu N1-u-v Pv (ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0<z≦1、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦x+y+z<1、0≦u+v<1)からなる。少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体は、より具体的には、AlX By Ga1-x-y-z Inz N(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0<z≦1、0≦x+y+z<1)からなる。少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体は、典型的には、AlX Ga1-x-z Inz N(ただし、0≦x≦1、0<z≦1)からなり、具体例を挙げると、InGaN、AlGaInNなどからなるが、これに限定されるものではない。窒化物系III−V族化合物半導体層は、典型的には、有機金属化学気相成長(MOCVD)、ハイドライド気相エピタキシャル成長あるいはハライド気相エピタキシャル成長(HVPE)、分子線エピタキシー(MBE)などの各種のエピタキシャル成長法により成長させることができるが、これに限定されるものではない。
基板としては、第1の平均転位密度を有する単結晶からなる第1の領域中に第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第2の領域が互いに平行に周期的に配列している窒化物系III−V族化合物半導体基板を用いてもよい。この場合、好適には、この窒化物系III−V族化合物半導体基板の、少なくとも端面窓構造の形成位置の近傍でかつ互いに隣接する二つの第2の領域間の第1の領域の中心線に関して線対称な二つ以上のレーザストライプの形成位置の一方の側または両側に、溝を上記の中心線に関して線対称に形成する。さらに、好適には、レーザストライプを形成した後、レーザストライプと電気的に接続されるパッド電極をレーザストライプに関して溝と反対側の領域に形成する。
好適には、溝が形成された基板上に活性層を含む窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させた後、この窒化物系III−V族化合物半導体層の成長によりこの溝の上の部分に形成された凹部(溝)の少なくとも一部、より好適には少なくとも大部分を絶縁物で埋める工程をさらに有し、それによってこの凹部による段差を緩和するようにする。最も好適には、この凹部の全部を絶縁物で埋めてこの凹部による段差を解消し、表面を平坦化する。このように凹部による段差が緩和され、あるいは解消されることにより、その後の工程で絶縁膜(例えば、窒化物系III−V族化合物半導体層の上部にレーザストライプとなるリッジを形成した後、このリッジの両側を含む部位に形成する電流狭窄用の絶縁膜)や電極などを形成する場合、これらを段切れなどを生じることなく良好に形成することができる。この絶縁物は、基本的にはどのようなものであってもよく、特に限定されないが、例えば、スピンオングラス(Spin on Glass :SOG) などの塗布型絶縁物、ポリイミドなどの各種の有機物、SiO2 やAl2 O3 などの各種の酸化物、SiNなどの各種の窒化物などからなる。この絶縁物は、好適にはシロキサンを含まないものが用いられる。そのような塗布型絶縁物としては、例えばリンドープシリケート系無機SOGなどが挙げられる。
光ディスク装置には、再生(読み出し)専用のもの、記録(書き込み)専用のもの、再生および記録が可能なもののいずれも含まれ、再生および/または記録の方式も特に問わない。
光ディスク装置には、再生(読み出し)専用のもの、記録(書き込み)専用のもの、再生および記録が可能なもののいずれも含まれ、再生および/または記録の方式も特に問わない。
また、この発明は、
基板の所定の部分に溝を形成する工程と、
上記基板上に、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させる工程とを有する半導体装置の製造方法である。
基板の所定の部分に溝を形成する工程と、
上記基板上に、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させる工程とを有する半導体装置の製造方法である。
また、この発明は、
所定の部分に溝が設けられた基板と、
上記基板上に成長された、上記溝の近傍において上記基板の表面に沿う少なくとも一方向にバンドギャップエネルギーが変化している、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体層とを有する半導体装置である。
所定の部分に溝が設けられた基板と、
上記基板上に成長された、上記溝の近傍において上記基板の表面に沿う少なくとも一方向にバンドギャップエネルギーが変化している、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体層とを有する半導体装置である。
ここで、半導体装置には、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体層に一方向にバンドギャップエネルギーが変化する部分を形成する半導体装置である限り、基本的にはどのようなものも含まれる。具体的には、半導体装置には、半導体レーザや発光ダイオードなどの半導体発光素子のほかに、FETなどの電子走行素子などの各種のものが含まれ、窒化物系III−V族化合物半導体層の構成はこれらの素子に応じて適宜設計される。
上記の半導体装置の製造方法および半導体装置の発明においては、上記以外のことは、その性質に反しない限り、上記の半導体レーザの製造方法および半導体レーザの発明に関連して説明したことが成立する。
上記の半導体装置の製造方法および半導体装置の発明においては、上記以外のことは、その性質に反しない限り、上記の半導体レーザの製造方法および半導体レーザの発明に関連して説明したことが成立する。
上述のように構成された半導体レーザの製造方法、半導体レーザおよび光ディスク装置の発明においては、基板の、少なくとも端面窓構造の形成位置の近傍に溝を形成し、この基板上に活性層を成長させると、Inの拡散長がGaの拡散長に比べて極めて小さいことにより、この端面窓構造を形成する部分の活性層のIn組成は他の部分に比べて小さくなる。この場合、端面窓構造を形成するためにレーザストライプが形成される部分の基板に凹部を形成しないで済み、また、溝の形状を適切に選択することにより、活性層を含む窒化物系III−V族化合物半導体層に急峻な段差が形成されないようにすることができるので、光導波損失を抑えることができる。また、端面窓構造を形成する部分の半導体層をRIEで掘削する必要がないため、表面準位が形成されず、レーザ動作時の光吸収・局所的な発熱を防止することができる。さらに、窒化物系III−V族化合物半導体層の成長により溝の上の部分に形成された凹部の少なくとも一部を絶縁物で埋めることにより、この凹部による段差を緩和することができ、その後の工程で絶縁膜や電極などを形成する場合、これらを段切れなどが生じることなく良好に形成することができる。
上述のように構成された半導体装置の製造方法および半導体装置の発明においては、基板の、バンドギャップエネルギーが変化する部分に対応する部分の近傍に溝を形成し、この基板上に窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させると、Inの拡散長がGaの拡散長に比べて極めて小さいことにより、この溝の近傍の部分の窒化物系III−V族化合物半導体のIn組成が変化し、バンドギャップエネルギーが変化する。
この発明によれば、端面窓構造を極めて簡単に形成することができ、光導波損失を抑えることができ、レーザ動作時の光吸収・局所的な発熱を抑えることができ、製造歩留まりが高く、遠視野像の形状も良好な、窒化物系III−V族化合物半導体を用いた半導体レーザを実現することができる。そして、この優れた半導体レーザを光源に用いることにより、高性能の光ディスク装置を実現することができる。
また、この発明によれば、少なくとも一方向にバンドギャップエネルギーが変化する部分を有する、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体層を極めて簡単に成長させることができる。
また、この発明によれば、少なくとも一方向にバンドギャップエネルギーが変化する部分を有する、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体層を極めて簡単に成長させることができる。
以下、発明を実施するための形態(以下「実施の形態」とする)について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
1.第1の実施の形態(GaN系半導体レーザおよびその製造方法)
2.第2の実施の形態(GaN系半導体レーザおよびその製造方法)
3.第3の実施の形態(GaN系半導体レーザおよびその製造方法)
4.第4の実施の形態(GaN系半導体レーザおよびその製造方法)
5.第5の実施の形態(GaN系半導体レーザおよびその製造方法)
6.第6の実施の形態(GaN系半導体レーザおよびその製造方法)
7.第7の実施の形態(GaN系半導体レーザおよびその製造方法)
8.第8の実施の形態(GaN系半導体レーザおよびその製造方法)
9.第9の実施の形態(GaN系半導体レーザおよびその製造方法)
10.第10の実施の形態(GaN系発光ダイオードおよびその製造方法)
1.第1の実施の形態(GaN系半導体レーザおよびその製造方法)
2.第2の実施の形態(GaN系半導体レーザおよびその製造方法)
3.第3の実施の形態(GaN系半導体レーザおよびその製造方法)
4.第4の実施の形態(GaN系半導体レーザおよびその製造方法)
5.第5の実施の形態(GaN系半導体レーザおよびその製造方法)
6.第6の実施の形態(GaN系半導体レーザおよびその製造方法)
7.第7の実施の形態(GaN系半導体レーザおよびその製造方法)
8.第8の実施の形態(GaN系半導体レーザおよびその製造方法)
9.第9の実施の形態(GaN系半導体レーザおよびその製造方法)
10.第10の実施の形態(GaN系発光ダイオードおよびその製造方法)
〈1.第1の実施の形態〉
[GaN系半導体レーザおよびその製造方法]
図1〜図3は第1の実施の形態によるGaN系半導体レーザの製造方法を示す。このGaN系半導体レーザは端面窓構造およびリッジストライプ構造を有し、共振器端面の近傍の部分のp側電極を除去して共振器の両端部を電流非注入領域としたものである。
[GaN系半導体レーザおよびその製造方法]
図1〜図3は第1の実施の形態によるGaN系半導体レーザの製造方法を示す。このGaN系半導体レーザは端面窓構造およびリッジストライプ構造を有し、共振器端面の近傍の部分のp側電極を除去して共振器の両端部を電流非注入領域としたものである。
この第1の実施の形態においては、まず、図1、図2AおよびBに示すように、例えば(0001)面(C面)方位のn型GaN基板11上に、最終的に一つのレーザチップとなる領域であるチップ領域12を画定する。ここで、図1は平面図、図2Aは図1のA−A線に沿っての断面図、図2Bは図1のB−B線に沿っての断面図である。チップ領域12において、最終的に劈開などによりフロント側およびリア側の共振器端面が形成される共振器端面形成位置13、14の近傍でかつ後にリッジストライプが形成されるリッジストライプ形成位置15の一方の側に共振器長方向の全長にわたって細長い溝16を形成する。この溝16は、例えば、SiO2 膜などからなるエッチングマスクを用いて反応性イオンエッチング(RIE)などによりn型GaN基板11をエッチングすることにより形成することができる。この溝16の中心線とリッジストライプ形成位置15の中心線との間の間隔は、共振器端面形成位置13、14から距離d1 までの部分はw1 であるが、距離d1 〜d2 の部分はw1 からw2 (w2 >w1 )まで直線的に徐々に増加し、共振器長方向の中央部ではw2 になっている。この溝16の、距離d1 〜d2 のテーパー形状の部分とリッジストライプ形成位置15との間の角度は0〜45°になるようにする。この溝16の深さおよび断面形状は必要に応じて選ばれるが、例えば、深さは0〜10μm、典型的には1〜5μm、断面形状は逆台形状であるが、これに限定されるものではない。リッジストライプ形成位置15に平行な部分の溝16の幅は例えば0〜30μm、典型的には5〜20μmであるが、これに限定されるものではない。また、例えば、w1 は17μm以下、例えば13〜15μm、w2 は20μm以上、例えば60μmであるが、これに限定されるものではない。一例を挙げると、d1 は20μm、d2 は50μm、溝16の幅は10μm、深さは3μmである。
溝16の側面には、少なくともレーザ構造を形成するGaN系半導体層をエピタキシャル成長させる前に、窒化物系III−V族化合物半導体の窒素終端化面、例えば{11−22}面または{1−101}面が現れるようにする。このためには、例えば、リッジストライプ形成位置15をn型GaN基板11の〈1−100〉方向または〈11−20〉方向に延在するように選ぶ。リッジストライプ形成位置15をn型GaN基板11の〈1−100〉方向に延在するように形成する場合、この溝16の側面は{11−22}面からなる。リッジストライプ形成位置15をn型GaN基板11の〈11−20〉方向に延在するように形成する場合、この溝16の側面は{1−101}面からなる。
チップ領域12は、実際にはn型GaN基板11上に縦横に繰り返し周期的に存在するが、図1においては一つのチップ領域12のみ示されている。また、溝16は実際には共振器長方向の互いに隣接する二つ以上のチップ領域12にまたがって形成されるが、図1においては一つのチップ領域12内にあるもののみ示されている。図1に示すチップ領域12の形状および大きさは一例に過ぎず、これに限定されるものではない。
次に、図3A、BおよびCに示すように、溝16が形成されたn型GaN基板11上に、例えば有機金属化学気相成長(MOCVD)法により、例えばGaNバッファ層を介して、レーザ構造を形成するGaN系半導体層をエピタキシャル成長させる。ここで、図3Aは図1のA−A線に沿っての断面図、図3Bは図1のB−B線に沿っての断面図、図3Cは図1のC−C線(溝16の中心線)に沿っての断面図である。このとき、GaNバッファ層の成長温度を1000℃以上にすることにより、溝16の側面に、窒化物系III−V族化合物半導体の窒素終端化面、例えば{11−22}面または{1−101}面を安定化面として出現させることができる。そして、その後にレーザ構造を形成するGaN系半導体層をエピタキシャル成長させることができる。レーザ構造を形成するGaN系半導体層としては、具体的には、n型AlGaNクラッド層17、n型GaN光導波層18、アンドープのGa1-x Inx N(量子井戸層)/Ga1-y Iny N(障壁層、x>y)多重量子井戸構造の活性層19、アンドープInGaN光導波層20、アンドープAlGaN光導波層21、p型AlGaN電子障壁層22、p型GaN/アンドープAlGaN超格子クラッド層23およびp型GaNコンタクト層24を順次エピタキシャル成長させる。ここで、Inを含まない層であるn型AlGaNクラッド層17、n型GaN光導波層18、アンドープAlGaN光導波層21、p型AlGaN電子障壁層22、p型GaN/アンドープAlGaN超格子クラッド層23およびp型GaNコンタクト層24の成長温度は例えば900〜1100℃程度とし、Inを含む層であるGa1-x Inx N/Ga1-y Iny N多重量子井戸構造の活性層19およびアンドープInGaN光導波層20の成長温度は例えば700〜800℃とするが、これに限定されるものではない。なお、以下においては、必要に応じて、レーザ構造を形成するこれらの層をまとめてGaN系半導体層25と表す。
これらのGaN系半導体層の成長原料は、例えば、Gaの原料としてはトリエチルガリウム((C2 H5 )3 Ga、TEG)またはトリメチルガリウム((CH3 )3 Ga、TMG)、Alの原料としてはトリメチルアルミニウム((CH3 )3 Al、TMA)、Inの原料としてはトリエチルインジウム((C2 H5 )3 In、TEI)またはトリメチルインジウム((CH3 )3 In、TMI)を、Nの原料としてはアンモニア(NH3 )を用いるが、これに限定されるものではない。ドーパントについては、n型ドーパントとしては例えばシラン(SiH4 )を、p型ドーパントとしては例えばビス(メチルシクロペンタジエニル)マグネシウム((CH3 C5 H4 )2 Mg)、ビス(エチルシクロペンタジエニル)マグネシウム((C2 H5 C5 H4 )2 Mg)あるいはビス(シクロペンタジエニル)マグネシウム((C5 H5 )2 Mg)を用いるが、これに限定されるものではない。また、上記のGaN系半導体層の成長時のキャリアガス雰囲気としては、例えば、H2 ガスが用いられるが、これに限定されるものではない。III族元素の原料に対するV族元素の原料の流量比(V/III比)は一般的には103 〜106 (例えば、105 程度)であるが、これに限定されるものではない。また、成長時の圧力は例えば760Torr(常圧)であるが、これに限定されるものではない。
この場合、上述のように溝16の両側面は窒素終端化面からなるが、この窒素終端化面では一般的に成長速度が遅くなる。このため、n型AlGaNクラッド層17の成長時においては、成長原料からリッジストライプ形成位置15の部分のn型GaN基板11に直接供給されるAl原子およびGa原子に加えて、成長原料から溝16の部分に供給されたAl原子およびGa原子もこの溝16から外部に拡散して供給されることにより成長に寄与する。ここで、溝16のうちの共振器端面形成位置13、14から距離d1 〜d2 の部分は、リッジストライプ形成位置15の中心線との間の距離が共振器端面形成位置13、14に向かってw2 から直線的に徐々にw1 に減少している。これに伴い、この部分のリッジストライプ形成位置15に溝16から供給されるAl原子およびGa原子の量は共振器長方向に共振器端面形成位置13、14に向かって徐々に減少する。これを反映して、n型AlGaNクラッド層17の厚さは、この部分において共振器長方向に共振器端面形成位置13、14に向かって徐々に増加する。一方、溝16のうちの共振器端面形成位置13、14から距離d1 の部分はリッジストライプ形成位置15の中心線との間の間隔が一定の間隔w1 であることにより、この部分のリッジストライプ形成位置15に溝16から供給されるAl原子およびGa原子の量は共振器長方向で一定である。これを反映して、n型AlGaNクラッド層17の厚さは、この部分において一定になる。また、溝16のうちの共振器端面形成位置13、14から距離d2 の部分を除いた中央部はリッジストライプ形成位置15の中心線との間の間隔が一定の間隔w2 であることにより、この部分のリッジストライプ形成位置15に溝16から供給されるAl原子およびGa原子の量は共振器長方向で一定である。これを反映して、n型AlGaNクラッド層17の厚さは、この中央部において一定になる。n型GaN光導波層18についても同様である。
一方、InおよびGaを含む活性層19の成長時においては、溝16の近傍の部分のリッジストライプ形成位置15には、成長原料からこの部分に直接供給されるIn原子およびGa原子に加えて、成長原料からこの部分の溝16上に供給されるIn原子およびGa原子も拡散して供給されることにより成長に寄与する。この場合、この活性層19の成長温度(例えば、700〜800℃)におけるIn原子の拡散長はGa原子の拡散長に比べて約一桁小さいため、この部分のリッジストライプ形成位置15に溝16から供給されるIn原子の量はGa原子に比べて少なくなる。加えて、n型AlGaNクラッド層17およびn型GaN光導波層18の厚さは溝16から離れるに従って減少し、この際、n型GaN光導波層18の上面には傾斜面(後述の図8および図9参照)が生じるが、n型GaN光導波層18上に活性層19を成長させる際、この傾斜面ではInの取り込みが減少するため、やはりIn原子の量はGa原子に比べて少なくなる。この結果、活性層19のIn組成は共振器長方向で不均一となり、溝16のうちの共振器端面形成位置13、14から距離d1 の部分に対応する部分のIn組成はその他の部分に比べて小さくなるため、この部分のバンドギャップエネルギーはその他の部分のバンドギャップエネルギーに比べて大きくなり、この部分が最終的に端面窓構造の領域となる。アンドープInGaN光導波層20の成長についても活性層19と同様である。
アンドープAlGaN光導波層21、p型AlGaN電子障壁層22、p型GaN/アンドープAlGaN超格子クラッド層23およびp型GaNコンタクト層24の成長については、n型AlGaNクラッド層17およびn型GaN光導波層18と同様である。
次に、特許文献13に記載された端面電流非注入構造の半導体レーザの製造方法に従って、リッジストライプ形成位置15上のGaN系半導体層25の最上部にリッジストライプを形成し、その上にp側電極を形成する。さらに、各チップ領域12ごとにアイソレーション電極およびパッド電極を形成する。次に、各チップ領域12におけるn型GaN基板11の裏面にn側電極を形成する。
次に、上述のようにしてレーザ構造が形成されたn型GaN基板11を共振器端面形成位置13、14に沿って劈開したりすることなどによりレーザバーを形成して両共振器端面を形成する。次に、これらの共振器端面に端面コーティングを施した後、このレーザバーを劈開したりすることなどによりチップ化する。
以上により、目的とするGaN系半導体レーザが製造される。
以上により、目的とするGaN系半導体レーザが製造される。
図4AおよびBに、こうして製造されたGaN系半導体レーザの詳細構造を示す。ここで、図4Aは斜視図、図4Bは図4AのB−B線に沿っての断面図である。図5はリッジストライプおよびその上に形成されたp側電極の部分を拡大して示す。
図4AおよびBならびに図5において、符号26はp側電極、27はリッジストライプ、28はアイソレーション電極、29はパッド電極、30はSiO2 膜のような絶縁膜、31はn側電極を示す。p側電極26は、例えばPd膜およびその上のPt膜からなる。
リッジストライプ27は、例えば、p型GaN/アンドープAlGaN超格子クラッド層23の上層部およびp型GaNコンタクト層24に形成される。リッジストライプ27の幅はこのGaN系半導体レーザに要求される特性などに応じて決められ、一般的には例えば1〜20μm程度(あるいは1〜12μm程度)であるが、これに限定されるものではない。また、リッジストライプ27の高さは例えば0.4〜0.65μmであるが、これに限定されるものではない。
図5に示すように、リッジストライプ27の両側面およびこのリッジストライプ27の外側の部分に延在して、例えばSiO2 膜のような絶縁膜32およびその上の例えばアンドープSi膜のような絶縁膜33が形成されている。
アイソレーション電極28は、例えばTi/Pt/Ni膜からなり、例えば、最下層のTi膜の厚さは10nm、Pt膜の厚さは100nm、最上層のNi膜の厚さは100nmであるが、これに限定されるものではない。
パッド電極29は、例えばTi/Pt/Au膜からなり、例えば、最下層のTi膜の厚さは10nm、Pt膜の厚さは100nm、最上層のAu膜の厚さは300nmであるが、これに限定されるものではない。
図6に、溝16が形成されたn型GaN基板11上にGaN系半導体層25を成長させた試料の、図1のA−A線に沿う断面の走査型電子顕微鏡写真(SEM)を示す。ただし、溝16の幅は10μm、深さは3μmである。図6より、GaN系半導体層25の厚さは、溝16(同図の左端部)から離れるに従って増加した後、一定の厚さになり、その後減少して傾斜面を形成し、再び一定の厚さになっているのが分かる。
図7は、溝16の中心線からの距離を変えて活性層19のバンドギャップエネルギーを測定した結果を示す。図7から明らかなように、溝16の中心線から約10〜17μmの距離の位置でバンドギャップエネルギーが大きく増加しており、この領域を共振器端面形成位置13、14付近に設定することにより、窓構造の形成が可能となる。
図1のA−A線に沿う断面における断面図、溝16の中心線からの距離と活性層19のバンドギャップエネルギー(Eg )との間の関係およびリッジストライプ形成位置を図8に示す。また、図1のB−B線に沿う断面における断面図、溝16の中心線からの距離と活性層19のバンドギャップエネルギー(Eg )との間の関係およびリッジストライプ形成位置を図9に示す。図8および図9に示すように、共振器端面形成位置13、14付近では、バンドギャップエネルギーのピーク値の位置がリッジストライプ27とほぼ一致しているのに対し、リッジストライプ27の中央部のバンドギャップエネルギーは共振器端面形成位置13、14付近より減少しており、これによって共振器端面形成位置13、14付近に窓構造を形成することができる。
この第1の実施の形態によれば、次のような種々の利点を得ることができる。
すなわち、n型GaN基板11に溝16を形成し、その上にレーザ構造を形成するGaN系半導体層25を成長させるだけで、共振器端面形成位置13、14の近傍の部分の活性層19のバンドギャップエネルギーをその他の部分に比べて大きくすることができるので、端面窓構造を極めて容易に形成することができる。しかも、特許文献12と異なり、窒化物系III−V族化合物半導体層の結晶成長の初期に絶縁膜からなるマスク上に堆積物が形成され、結晶成長中およびプロセス工程においてこの堆積物が離散したり表面に吸着したりする問題がない。このため、GaN系半導体レーザの製造歩留まりの低下やGaN系半導体レーザの遠視野像の形状不良などが生じるのを有効に防止することができる。
すなわち、n型GaN基板11に溝16を形成し、その上にレーザ構造を形成するGaN系半導体層25を成長させるだけで、共振器端面形成位置13、14の近傍の部分の活性層19のバンドギャップエネルギーをその他の部分に比べて大きくすることができるので、端面窓構造を極めて容易に形成することができる。しかも、特許文献12と異なり、窒化物系III−V族化合物半導体層の結晶成長の初期に絶縁膜からなるマスク上に堆積物が形成され、結晶成長中およびプロセス工程においてこの堆積物が離散したり表面に吸着したりする問題がない。このため、GaN系半導体レーザの製造歩留まりの低下やGaN系半導体レーザの遠視野像の形状不良などが生じるのを有効に防止することができる。
また、GaN系半導体層25の厚さは、共振器端面形成位置13、14から距離d1 〜d2 の部分において共振器長方向に共振器端面形成位置13、14に向かって徐々に増加するため、急峻な段差が生じない。このため、図25に示す従来の半導体レーザにおけるように、レーザ構造を形成する半導体層が凹部101aからその外側の部分にかけて急峻な幾何学的段差を有する場合と異なり、光導波損失を大幅に少なく抑えることができる。
また、端面窓構造を形成するためにレーザ構造を形成する半導体層をRIEにより掘削する必要がないため、端面窓構造形成時に表面準位が形成されることがなく、この表面準位によるレーザ動作時の光吸収・局所的な発熱の問題がない。
加えて、この第1の実施の形態によれば、ストライプ形状のp側電極26に対してリッジストライプ27が自己整合的に形成された構造を有し、両共振器端面の近傍の部分のp側電極26を除去して共振器の両端部を電流非注入領域としたGaN系半導体レーザを容易に製造することができる(特許文献13参照。)。
このGaN系半導体レーザは、共振器の両端部が電流非注入領域となっていることにより共振器端面の光学損傷(Catastrophic Optical Damage :COD)を有効に防止することができ、長寿命化および信頼性の向上を図ることができる。
このGaN系半導体レーザは、例えば、光ディスク装置の光ピックアップの光源に用いて好適なものである。光ディスク装置には、再生(読み出し)専用のもの、記録(書き込み)専用のもの、再生および記録が可能なもののいずれも含まれ、再生および/または記録の方式も特に問わない。
〈2.第2の実施の形態〉
[GaN系半導体レーザおよびその製造方法]
この第2の実施の形態においては、n型GaN基板11に形成する溝16のパターンが第1の実施の形態と異なる。具体的には、図10に示すように、n型GaN基板11に第1の実施の形態における溝16のうち共振器端面形成位置13、14から距離d2 までの部分のみを形成する。
この後、第1の実施の形態と同様に工程を進めて、目的とするGaN系半導体レーザを製造する。
この第2の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
[GaN系半導体レーザおよびその製造方法]
この第2の実施の形態においては、n型GaN基板11に形成する溝16のパターンが第1の実施の形態と異なる。具体的には、図10に示すように、n型GaN基板11に第1の実施の形態における溝16のうち共振器端面形成位置13、14から距離d2 までの部分のみを形成する。
この後、第1の実施の形態と同様に工程を進めて、目的とするGaN系半導体レーザを製造する。
この第2の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
〈3.第3の実施の形態〉
[GaN系半導体レーザおよびその製造方法]
この第3の実施の形態においては、n型GaN基板11に形成する溝16のパターンが第1の実施の形態と異なる。具体的には、図11に示すように、n型GaN基板11に、リッジストライプ形成位置15側の縁の輪郭が第1の実施の形態における溝16のリッジストライプ形成位置15側の縁と同じ輪郭を有し、リッジストライプ形成位置15と反対側の縁はリッジストライプ形成位置15と平行な溝16を形成する。
この後、第1の実施の形態と同様に工程を進めて、目的とするGaN系半導体レーザを製造する。
この第3の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
[GaN系半導体レーザおよびその製造方法]
この第3の実施の形態においては、n型GaN基板11に形成する溝16のパターンが第1の実施の形態と異なる。具体的には、図11に示すように、n型GaN基板11に、リッジストライプ形成位置15側の縁の輪郭が第1の実施の形態における溝16のリッジストライプ形成位置15側の縁と同じ輪郭を有し、リッジストライプ形成位置15と反対側の縁はリッジストライプ形成位置15と平行な溝16を形成する。
この後、第1の実施の形態と同様に工程を進めて、目的とするGaN系半導体レーザを製造する。
この第3の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
〈4.第4の実施の形態〉
[GaN系半導体レーザおよびその製造方法]
この第4の実施の形態においては、n型GaN基板11に形成する溝16のパターンが第1の実施の形態と異なる。具体的には、図12に示すように、n型GaN基板11に、第1の実施の形態における溝16をリッジストライプ形成位置15の両側にこのリッジストライプ形成位置15に関して線対称に形成する。
この後、第1の実施の形態と同様に工程を進めて、目的とするGaN系半導体レーザを製造する。
この第4の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
[GaN系半導体レーザおよびその製造方法]
この第4の実施の形態においては、n型GaN基板11に形成する溝16のパターンが第1の実施の形態と異なる。具体的には、図12に示すように、n型GaN基板11に、第1の実施の形態における溝16をリッジストライプ形成位置15の両側にこのリッジストライプ形成位置15に関して線対称に形成する。
この後、第1の実施の形態と同様に工程を進めて、目的とするGaN系半導体レーザを製造する。
この第4の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
〈5.第5の実施の形態〉
[GaN系半導体レーザおよびその製造方法]
この第5の実施の形態においては、n型GaN基板11に形成する溝16のパターンが第1の実施の形態と異なる。具体的には、図13に示すように、n型GaN基板11の、共振器端面形成位置13、14から距離d3 の範囲にかつリッジストライプ形成位置15の両側に、平面形状が長方形の溝16をこのリッジストライプ形成位置15に関して線対称に形成する。
この後、第1の実施の形態と同様に工程を進めて、目的とするGaN系半導体レーザを製造する。
この第5の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
[GaN系半導体レーザおよびその製造方法]
この第5の実施の形態においては、n型GaN基板11に形成する溝16のパターンが第1の実施の形態と異なる。具体的には、図13に示すように、n型GaN基板11の、共振器端面形成位置13、14から距離d3 の範囲にかつリッジストライプ形成位置15の両側に、平面形状が長方形の溝16をこのリッジストライプ形成位置15に関して線対称に形成する。
この後、第1の実施の形態と同様に工程を進めて、目的とするGaN系半導体レーザを製造する。
この第5の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
〈6.第6の実施の形態〉
[GaN系半導体レーザおよびその製造方法]
この第6の実施の形態においては、n型GaN基板11に形成する溝16のパターンが第1の実施の形態と異なる。具体的には、図14に示すように、n型GaN基板11の、共振器端面形成位置13、14から距離d4 の範囲にかつリッジストライプ形成位置15の両側に、平面形状が台形の溝16をこのリッジストライプ形成位置15に関して線対称に形成する。この溝16のリッジストライプ形成位置15側の縁はこのリッジストライプ形成位置15と平行である。この溝16の幅は共振器端面形成位置13、14における幅から距離d4 の部分における幅に直線的に減少している。一例を挙げると、d4 は20〜50μmであるが、これに限定されるものではない。
この後、第1の実施の形態と同様に工程を進めて、目的とするGaN系半導体レーザを製造する。
この第6の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
[GaN系半導体レーザおよびその製造方法]
この第6の実施の形態においては、n型GaN基板11に形成する溝16のパターンが第1の実施の形態と異なる。具体的には、図14に示すように、n型GaN基板11の、共振器端面形成位置13、14から距離d4 の範囲にかつリッジストライプ形成位置15の両側に、平面形状が台形の溝16をこのリッジストライプ形成位置15に関して線対称に形成する。この溝16のリッジストライプ形成位置15側の縁はこのリッジストライプ形成位置15と平行である。この溝16の幅は共振器端面形成位置13、14における幅から距離d4 の部分における幅に直線的に減少している。一例を挙げると、d4 は20〜50μmであるが、これに限定されるものではない。
この後、第1の実施の形態と同様に工程を進めて、目的とするGaN系半導体レーザを製造する。
この第6の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
〈7.第7の実施の形態〉
[GaN系半導体レーザおよびその製造方法]
この第7の実施の形態においては、図15に示すように、第1の実施の形態と同様に工程を進めて、溝16が形成されたn型GaN基板11上に、活性層19などのレーザ構造を形成するGaN系半導体層25を成長させた後、このGaN系半導体層25の成長により溝16の上の部分に形成された凹部51を絶縁物52で埋めて表面を平坦化する。具体的には、例えば、絶縁物52としてリンドープシリケート系無機SOGを回転塗布することにより凹部51を絶縁物52で埋め、その後、熱処理により溶媒を除去して固化させる。あるいは、スパッタリング法や真空蒸着法などにより絶縁物52としてポリイミドなどの有機物やSiO2 などを全面に形成して凹部51を絶縁物52で埋めた後、この絶縁物52をGaN系半導体層25が露出するまでエッチバックする。
[GaN系半導体レーザおよびその製造方法]
この第7の実施の形態においては、図15に示すように、第1の実施の形態と同様に工程を進めて、溝16が形成されたn型GaN基板11上に、活性層19などのレーザ構造を形成するGaN系半導体層25を成長させた後、このGaN系半導体層25の成長により溝16の上の部分に形成された凹部51を絶縁物52で埋めて表面を平坦化する。具体的には、例えば、絶縁物52としてリンドープシリケート系無機SOGを回転塗布することにより凹部51を絶縁物52で埋め、その後、熱処理により溶媒を除去して固化させる。あるいは、スパッタリング法や真空蒸着法などにより絶縁物52としてポリイミドなどの有機物やSiO2 などを全面に形成して凹部51を絶縁物52で埋めた後、この絶縁物52をGaN系半導体層25が露出するまでエッチバックする。
次に、上述のようにして平坦化された表面に例えばSiO2 膜のような絶縁膜(図示せず)を形成した後、この絶縁膜をエッチングにより所定形状にパターニングする。次に、図16に示すように、この絶縁膜をエッチングマスクとして用いてGaN系半導体層25を例えば塩素系のエッチングガスを用いたRIE法により所定の深さまでドライエッチングすることにより溝53、54を形成し、これらの溝53、54の間にリッジストライプ27を形成する。次に、このエッチングマスクとして用いた絶縁膜を残したまま全面に例えばSiO2 膜のような絶縁膜32および例えばアンドープSi膜のような絶縁膜33を順次形成し、その上に、リッジストライプ27に対応する部分に開口を有するレジストパターン(図示せず)をリソグラフィーにより形成した後、このレジストパターンをマスクとしてリッジストライプ27上の部分にある絶縁膜32、33を選択的にエッチング除去する。この後、レジストパターンを除去する。これによって、溝53、54の外側の部分に全体として厚い絶縁膜32、33が形成される。ここで、溝53、54の外側の部分の絶縁膜32には、エッチングマスクとして用いた絶縁膜も含まれている。
次に、図17に示すように、リッジストライプ27上にp側電極26を形成し、さらにこのp側電極26を覆うようにパッド電極29を形成する。この状態の斜視図を図18に模式的に示す。
この後、必要な工程を進めて、目的とするGaN系半導体レーザを製造する。
次に、図17に示すように、リッジストライプ27上にp側電極26を形成し、さらにこのp側電極26を覆うようにパッド電極29を形成する。この状態の斜視図を図18に模式的に示す。
この後、必要な工程を進めて、目的とするGaN系半導体レーザを製造する。
この第7の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点に加えて次のような利点を得ることもできる。すなわち、溝16が形成されていない部分のn型GaN基板11上のGaN系半導体層25の成長により溝16の上の部分に形成された凹部51を絶縁物52で埋めて表面を平坦化し、この凹部51による表面の段差を解消しているので、その後の工程で絶縁膜32、33やパッド電極29を形成する際にこれらを段切れなどが生じることなく良好に形成することができ、リーク電流の発生を抑えることができる。
〈8.第8の実施の形態〉
[GaN系半導体レーザおよびその製造方法]
第8の実施の形態においては、GaN系半導体レーザの製造方法において用いる基板として、図19に示すようなn型GaN基板61を用いる。このn型GaN基板61の詳細および製造方法については、特許文献14に記載されている。
[GaN系半導体レーザおよびその製造方法]
第8の実施の形態においては、GaN系半導体レーザの製造方法において用いる基板として、図19に示すようなn型GaN基板61を用いる。このn型GaN基板61の詳細および製造方法については、特許文献14に記載されている。
図19に示すように、このn型GaN基板61においては、単結晶GaNからなる第1の領域61a中に、直線状に延在するストライプ形状の複数のGaNからなる第2の領域61bが互いに平行に周期的に配列されている。
第2の領域61bは多結晶、第1の領域61aに対して微傾斜した単結晶または第1の領域61aに対してC軸が反転している単結晶からなる。第1の領域61aは第1の平均転位密度を有し、第2の領域61bは第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する。第2の領域61bはn型GaN基板61を貫通している。
第2の領域61bの平均転位密度は、一般的には第1の領域61aの平均転位密度の5倍以上である。典型的には、第1の領域61aの平均転位密度は2×106 cm-2以下、第2の領域61bの平均転位密度は1×108 cm-2以上である。第2の領域61bの幅は一般的には10〜100μm、典型的には20〜50μmであるが、これに限定されるものではない。
第1の領域61aと第2の領域61bとの間には遷移領域として第3の領域が存在する場合もある。この第3の領域の平均転位密度は、典型的には、1×108 cm-2より小さく、2×106 cm-2より大きい。
第1の領域61aと第2の領域61bとの間には遷移領域として第3の領域が存在する場合もある。この第3の領域の平均転位密度は、典型的には、1×108 cm-2より小さく、2×106 cm-2より大きい。
n型GaN基板61は例えば(0001)面(C面)方位を有する。この場合、第2の領域61bの長手方向は、典型的にはn型GaN基板61の〈1−100〉方向または〈11−20〉方向に平行であるが、これに限定されるものではない。このn型GaN基板61の厚さは必要に応じて選ばれるが、一般的には例えば200〜600μmである。
この第8の実施の形態においては、まず、図20、図21AおよびBに示すように、n型GaN基板61上に、最終的に一つのレーザチップとなる領域であるチップ領域12を画定する。ここで、図20は平面図、図21Aは図20のA−A線に沿っての断面図、図21Bは図20のB−B線に沿っての断面図である。
この場合、第2の領域61bの配列周期(互いに隣接する二つの第2の領域61bの中心線間距離)は、チップ領域12の共振器長方向と垂直な方向の幅の2倍に選ばれている。そして、互いに隣接する二つの第2の領域61bの中心線間に、二つのレーザチップに対応する二つのチップ領域12を画定する。
このチップ領域12において、第1の実施の形態と同様に、リッジストライプ形成位置15の両側に溝16を形成する。ここで、互いに隣接する二つのチップ領域12のリッジストライプ形成位置15は、互いに隣接する二つの第2の領域61b間の第1の領域61aの中心線に関して線対称である。
このため、リッジストライプ形成位置15と第2の領域61bとの間の距離は二つのチップ領域12間で同じになる。最終的に形成されるリッジストライプはリッジストライプ形成位置15の中心線上に形成される。
リッジストライプ形成位置15は、チップ領域12の共振器長方向の中心線付近であってもよいが、この場合、互いに隣接する二つの第2の領域61b間の第1の領域61aの中心線側に所定距離だけ寄っている。この所定距離は必要に応じて選ばれるが、一例を挙げると、互いに隣接する二つの第2の領域61bの中心線間距離の1/3程度である。
このようにする理由は、リッジストライプ形成位置15を平均転位密度が高い高欠陥密度の第2の領域61bから支障が生じない距離だけ離し、リッジストライプをできるだけ低欠陥密度のGaN系半導体層に形成するためである。
この後、必要な工程を進めて、目的とするGaN系半導体レーザを製造する。
このようにする理由は、リッジストライプ形成位置15を平均転位密度が高い高欠陥密度の第2の領域61bから支障が生じない距離だけ離し、リッジストライプをできるだけ低欠陥密度のGaN系半導体層に形成するためである。
この後、必要な工程を進めて、目的とするGaN系半導体レーザを製造する。
この第8の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点に加えて次のような利点を得ることができる。すなわち、n型GaN基板61の互いに隣接する二つの第2の領域61b間に二つのチップ領域12を画定しているため、一枚のn型GaN基板61を用いてより多数のGaN系半導体レーザを製造することができる。このため、GaN系半導体レーザの製造コストの低減を図ることができる。
〈9.第9の実施の形態〉
[GaN系半導体レーザおよびその製造方法]
この第9の実施の形態においては、図22に示すように、第8の実施の形態と同様に工程を進めて、n型GaN基板61上に、活性層19などのレーザ構造を形成するGaN系半導体層25を成長させる。このGaN系半導体層25には溝16の上の部分に凹部が形成される。
[GaN系半導体レーザおよびその製造方法]
この第9の実施の形態においては、図22に示すように、第8の実施の形態と同様に工程を進めて、n型GaN基板61上に、活性層19などのレーザ構造を形成するGaN系半導体層25を成長させる。このGaN系半導体層25には溝16の上の部分に凹部が形成される。
次に、第7の実施の形態と同様に工程を進め、GaN系半導体層25の凹部を絶縁物で埋めて表面を平坦化し、GaN系半導体層25に溝53、54を形成し、これらの溝53、54の間にリッジストライプ27を形成し、リッジストライプ27の両側に絶縁膜32、33を形成し、リッジストライプ27上にp側電極26を形成し、さらにこのp側電極26を覆うようにパッド電極29を形成する。
この場合、このパッド電極29は、リッジストライプ27上の直線状の部分と、この直線状の部分からリッジストライプ27に関して溝16と反対側の領域のほぼ平坦な表面に延在して形成された四角形状の部分とからなる。
このパッド電極29の四角形状の部分は、共振器長方向のいずれの部分に形成してもよいが、図22においては共振器長方向の中央部に形成されている。また、このパッド電極29は、溝16の上の部分に形成された凹部およびn型GaN基板61の第2の領域61bの上の部分を避けて形成されている。
このGaN系半導体レーザの実装時にパッド電極29にワイヤーボンディングを行う場合、充分な大きさのボンディング領域を確保するために、好適には、共振器長方向に垂直な方向のパッド電極29の幅は、リッジストライプ27の端から例えば45μm以上にする。
この後、必要な工程を進めて、目的とするGaN系半導体レーザを製造する。
この後、必要な工程を進めて、目的とするGaN系半導体レーザを製造する。
この第9の実施の形態によれば、第8の実施の形態と同様な利点に加えて次のような利点を得ることもできる。
すなわち、n型GaN基板61上のGaN系半導体層25の成長により溝16の上の部分に形成された凹部を避け、リッジストライプ27に関して溝16と反対側の領域のほぼ平坦な表面にパッド電極29を形成するので、パッド電極29を段切れなどが生じることなく良好に形成することができる。このため、パッド電極29の段切れなどに起因するリーク電流の大幅な低減を図ることができる。
すなわち、n型GaN基板61上のGaN系半導体層25の成長により溝16の上の部分に形成された凹部を避け、リッジストライプ27に関して溝16と反対側の領域のほぼ平坦な表面にパッド電極29を形成するので、パッド電極29を段切れなどが生じることなく良好に形成することができる。このため、パッド電極29の段切れなどに起因するリーク電流の大幅な低減を図ることができる。
また、パッド電極29の面積を必要最小限に抑えることができるので、このパッド電極29とこのパッド電極29の下層の構造とにより形成される寄生容量の容量の低減を図ることができる。このため、GaN系半導体レーザを高周波電流で駆動する場合に有利である。
〈10.第10の実施の形態〉
[GaN系発光ダイオードおよびその製造方法]
この第10の実施の形態においては、図23に示すように、n型GaN基板11の一つのチップ領域に、直線Iに関して線対称に二つの溝16を形成する。これらの二つの溝16の間の間隔はこの直線Iの方向に直線的に増減している。
そして、この溝16が形成されたn型GaN基板11上に発光ダイオード構造を形成するGaN系半導体層を成長させる。このGaN系半導体層には、第1の実施の形態によるGaN系半導体レーザの活性層19と同様な組成の活性層が含まれている。必要に応じてこのGaN系半導体層に加工を施し、さらにp側電極およびn側電極を形成した後、発光ダイオード構造が形成されたn型GaN基板11をチップ化し、目的とするGaN系発光ダイオードを製造する。
[GaN系発光ダイオードおよびその製造方法]
この第10の実施の形態においては、図23に示すように、n型GaN基板11の一つのチップ領域に、直線Iに関して線対称に二つの溝16を形成する。これらの二つの溝16の間の間隔はこの直線Iの方向に直線的に増減している。
そして、この溝16が形成されたn型GaN基板11上に発光ダイオード構造を形成するGaN系半導体層を成長させる。このGaN系半導体層には、第1の実施の形態によるGaN系半導体レーザの活性層19と同様な組成の活性層が含まれている。必要に応じてこのGaN系半導体層に加工を施し、さらにp側電極およびn側電極を形成した後、発光ダイオード構造が形成されたn型GaN基板11をチップ化し、目的とするGaN系発光ダイオードを製造する。
このGaN系発光ダイオードの活性層においては、直線Iの方向に二つの溝16の間の間隔が変更していることを反映して、第1の実施の形態で説明したメカニズムによりIn組成が変化し、その結果、バンドギャップエネルギー、従ってGaN系発光ダイオードの発光波長が変化する。例えば、図24は図23のA−A断面、B−B断面およびC−C断面における発光スペクトルを示すが、各断面における発光波長は互いに異なっており、二つの溝16の間の間隔が大きい程、発光波長が短くなっている。
この第10の実施の形態によれば、発光波長が多波長のGaN系発光ダイオードを実現することができる。このGaN系発光ダイオードを用いることにより、白色発光ダイオードを実現することも可能である。
この第10の実施の形態によれば、発光波長が多波長のGaN系発光ダイオードを実現することができる。このGaN系発光ダイオードを用いることにより、白色発光ダイオードを実現することも可能である。
以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態において挙げた数値、構造、基板、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、構造、基板、プロセスなどを用いてもよい。
具体的には、必要に応じて、上述の第1〜第10の実施形態のうちの二以上を組み合わせてもよい。
例えば、上述の実施形態において挙げた数値、構造、基板、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、構造、基板、プロセスなどを用いてもよい。
具体的には、必要に応じて、上述の第1〜第10の実施形態のうちの二以上を組み合わせてもよい。
11…n型GaN基板、12…チップ領域、13、14…共振器端面形成位置、15…リッジストライプ形成位置、16…溝、17…n型AlGaNクラッド層、18…n型GaN光導波層、19…活性層、20…アンドープInGaN光導波層、21…アンドープAlGaN光導波層、22…p型AlGaN電子障壁層、23…p型GaN/アンドープAlGaN超格子クラッド層、24…p型GaNコンタクト層、25…GaN系半導体層、26…p側電極、27…リッジストライプ、29…パッド電極、31…n側電極、32、33…絶縁膜、51…凹部、52…絶縁物、53、54…溝、61…n型GaN基板、61a…第1の領域、61b…第2の領域
Claims (19)
- 基板の、少なくとも端面窓構造の形成位置の近傍に溝を形成する工程と、
上記基板上に、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層を含む窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させる工程とを有する、端面窓構造を有する半導体レーザの製造方法。 - 上記基板は窒化物系III−V族化合物半導体基板または窒化物系III−V族化合物半導体と異なる物質からなる基板上に窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させたものである請求項1記載の半導体レーザの製造方法。
- 上記溝の側面が窒化物系III−V族化合物半導体の窒素終端化面からなる請求項2記載の半導体レーザの製造方法。
- 上記基板の、レーザストライプの形成位置の一方の側に上記レーザストライプの形成位置に沿って上記溝を形成し、この際、上記レーザストライプの形成位置と上記溝との間の間隔が上記端面窓構造の形成位置の近傍において他の部分よりも小さくなるようにする請求項3記載の半導体レーザの製造方法。
- 上記基板の、レーザストライプの形成位置の両側に上記レーザストライプの形成位置に沿って上記溝を形成し、この際、上記レーザストライプの形成位置と上記溝との間の間隔が上記端面窓構造の形成位置の近傍において他の部分よりも小さくなるようにする請求項3記載の半導体レーザの製造方法。
- 上記基板の、上記端面窓構造の形成位置の近傍でかつレーザストライプの形成位置の一方の側または両側に上記溝を形成する請求項3記載の半導体レーザの製造方法。
- 上記基板は、第1の平均転位密度を有する単結晶からなる第1の領域中に上記第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第2の領域が互いに平行に周期的に配列している窒化物系III−V族化合物半導体基板であり、この窒化物系III−V族化合物半導体基板の、少なくとも端面窓構造の形成位置の近傍でかつ互いに隣接する二つの上記第2の領域間の上記第1の領域の中心線に関して線対称な二つ以上のレーザストライプの形成位置の一方の側または両側に、上記溝を上記中心線に関して線対称に形成する請求項1記載の半導体レーザの製造方法。
- 上記レーザストライプを形成した後、上記レーザストライプと電気的に接続されるパッド電極を上記レーザストライプに関して上記溝と反対側の領域に形成する請求項7記載の半導体レーザの製造方法。
- 少なくとも端面窓構造に対応する部分の近傍に溝が形成された基板と、
上記基板上に成長された、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層を含む窒化物系III−V族化合物半導体層とを有する、端面窓構造を有する半導体レーザ。 - 上記基板は窒化物系III−V族化合物半導体基板または窒化物系III−V族化合物半導体と異なる物質からなる基板上に窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させたものである請求項9記載の半導体レーザ。
- 上記溝の側面が窒化物系III−V族化合物半導体の窒素終端化面からなる請求項10記載の半導体レーザ。
- 上記基板の、レーザストライプの形成位置の一方の側に上記レーザストライプの形成位置に沿って上記溝が形成され、上記レーザストライプの形成位置と上記溝との間の間隔が上記端面窓構造の形成位置の近傍において他の部分よりも小さい請求項11記載の半導体レーザ。
- 上記基板の、レーザストライプの形成位置の両側に上記レーザストライプの形成位置に沿って上記溝が形成され、上記レーザストライプの形成位置と上記溝との間の間隔が上記端面窓構造の形成位置の近傍において他の部分よりも小さい請求項11記載の半導体レーザ。
- 上記基板の、上記端面窓構造の形成位置の近傍でかつレーザストライプの形成位置の一方の側または両側に上記溝が形成されている請求項11記載の半導体レーザ。
- レーザストライプと電気的に接続されるパッド電極が上記レーザストライプに関して上記溝と反対側の領域に形成されている請求項11記載の半導体レーザ。
- 上記基板は、第1の平均転位密度を有する単結晶からなる第1の領域と上記第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する第2の領域とからなり、上記第2の領域は共振器長方向に平行な一辺に沿って設けられている窒化物系III−V族化合物半導体基板であり、この窒化物系III−V族化合物半導体基板の、少なくとも端面窓構造の形成位置の近傍でかつ互いに隣接する二つの上記第2の領域間の上記第1の領域の中心線に関して線対称な二つ以上のレーザストライプの形成位置の一方の側または両側に、上記溝が上記中心線に関して線対称に形成されている請求項11記載の半導体レーザ。
- 少なくとも端面窓構造に対応する部分の近傍に溝が形成された基板と、
上記基板上に成長された、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体からなる活性層を含む窒化物系III−V族化合物半導体層とを有する、端面窓構造を有する半導体レーザを光源に用いた光ディスク装置。 - 基板の所定の部分に溝を形成する工程と、
上記基板上に、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させる工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 所定の部分に溝が設けられた基板と、
上記基板上に成長された、上記溝の近傍において上記基板の表面に沿う少なくとも一方向にバンドギャップエネルギーが変化している、少なくともInおよびGaを含む窒化物系III−V族化合物半導体層とを有する半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009278245A JP2011124253A (ja) | 2009-12-08 | 2009-12-08 | 半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、光ディスク装置、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US12/956,435 US8270450B2 (en) | 2009-12-08 | 2010-11-30 | Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical disc device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009278245A JP2011124253A (ja) | 2009-12-08 | 2009-12-08 | 半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、光ディスク装置、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011124253A true JP2011124253A (ja) | 2011-06-23 |
Family
ID=44081968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009278245A Pending JP2011124253A (ja) | 2009-12-08 | 2009-12-08 | 半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、光ディスク装置、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8270450B2 (ja) |
JP (1) | JP2011124253A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9368940B2 (en) | 2014-05-30 | 2016-06-14 | Reneas Electronics Corporation | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB202007591D0 (en) | 2020-05-21 | 2020-07-08 | Renishaw Plc | Additive manufacturing methods and apparatus for forming objects from a nickel-based supperally in a layer-by-layer manner |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4686679A (en) * | 1984-03-21 | 1987-08-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Window VSIS semiconductor laser |
JP2000196188A (ja) | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Toshiba Corp | 半導体レ―ザ素子およびその製造方法 |
JP2002204036A (ja) | 2000-10-24 | 2002-07-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子、及びその製造方法 |
EP1432853B1 (en) | 2001-06-06 | 2013-04-24 | AMMONO Sp.z o.o. | Process for obtaining bulk monocrystalline gallium- containing nitride |
JP2003060298A (ja) | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法と半導体発光素子 |
JP4290358B2 (ja) | 2001-10-12 | 2009-07-01 | 住友電気工業株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
WO2003036298A2 (en) | 2001-10-25 | 2003-05-01 | Exiqon A/S | Closed substrate platforms suitable for analysis of biomolecules |
JP4426980B2 (ja) | 2001-10-29 | 2010-03-03 | パナソニック株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
JPWO2003038956A1 (ja) | 2001-10-29 | 2005-02-24 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2003198057A (ja) | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Sony Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP4457549B2 (ja) | 2002-10-10 | 2010-04-28 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP4262549B2 (ja) | 2003-07-22 | 2009-05-13 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP2005294394A (ja) | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
JP2006147814A (ja) | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Sony Corp | 半導体レーザの製造方法 |
JP2006147815A (ja) | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Sony Corp | 半導体レーザの製造方法 |
JP2008034587A (ja) | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Sony Corp | 半導体レーザの製造方法、半導体素子の製造方法および素子の製造方法 |
JP4305554B2 (ja) | 2007-02-28 | 2009-07-29 | ソニー株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
-
2009
- 2009-12-08 JP JP2009278245A patent/JP2011124253A/ja active Pending
-
2010
- 2010-11-30 US US12/956,435 patent/US8270450B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9368940B2 (en) | 2014-05-30 | 2016-06-14 | Reneas Electronics Corporation | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8270450B2 (en) | 2012-09-18 |
US20110134952A1 (en) | 2011-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3653169B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 | |
US6984841B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting element and production thereof | |
JP4305554B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
JP5627871B2 (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
US7606278B2 (en) | Semiconductor laser, method of manufacturing semiconductor device, optical pickup, and optical disk apparatus | |
JP2009158893A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
KR20080018680A (ko) | 기판 접합 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 및 그제조방법 | |
JP2003060318A (ja) | GaN系化合物半導体エピウェハ及びそれを用いた半導体素子 | |
JP2003332688A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体レーザ | |
US20110058586A1 (en) | Nitride semiconductor laser | |
JP5093033B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、光ピックアップおよび光ディスク装置 | |
JP4582210B2 (ja) | 半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ | |
JP3716622B2 (ja) | 半導体レーザ | |
JP4936598B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子とその製法 | |
JP4608731B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
JP2011124253A (ja) | 半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、光ディスク装置、半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP3933637B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 | |
JP2008028375A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
JP4146881B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子およびエピウエハとその製造方法 | |
JPH11340573A (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 | |
JP4679867B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子、及びその製造方法 | |
JP5367637B2 (ja) | 半導体素子 | |
US8530255B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group III-V compound semiconductor layer | |
JP2002076518A (ja) | 半導体レーザおよび半導体素子並びにそれらの製造方法 | |
JP5074863B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子およびエピウエハとその製造方法 |