JP2011119463A - Reflow device and reflow method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、接合材料を介して部品が配置された基板を搬送しながら加熱するリフロー装置に関する。 The present invention relates to a reflow apparatus that heats a substrate on which components are arranged via a bonding material while conveying the substrate.
携帯電話、デジタルカメラ、ノートパソコン、プラズマディスプレイ等の電気製品をはじめ、日常で使用する多くの工業製品に多数の電子部品が搭載されている。電子部品には、コンデンサ、抵抗、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）パッケージ等の多くの種類がある。このような多種多数の電子部品は、プリント回路板に実装されて工業製品に搭載される。 Many electronic parts are mounted on many industrial products used on a daily basis, including electrical products such as mobile phones, digital cameras, notebook computers, and plasma displays. There are many types of electronic components such as capacitors, resistors, and IC (Integrated Circuit) packages. Such a large number of electronic components are mounted on a printed circuit board and mounted on an industrial product.
電子部品が実装されたプリント配線板（以下実装基板という。）は、部品実装システムによって生産される。部品実装システムは、一般に、印刷装置と実装装置とリフロー装置とを備える。印刷装置は、プリント配線板のランド等の所定部分にはんだペーストを塗布する。実装装置は、塗布されたはんだ上に電子部品の端子を位置付けて、はんだを介してプリント配線板に電子部品を実装する。リフロー装置は、塗布されたはんだを溶融させた後に凝固させることによって、はんだ付けを行う。このような部品実装システムでは、プリント配線板が印刷装置に供給され、印刷装置と実装装置とリフロー装置とを順次移動することによって、実装基板が完成する。 A printed wiring board on which electronic components are mounted (hereinafter referred to as a mounting substrate) is produced by a component mounting system. A component mounting system generally includes a printing apparatus, a mounting apparatus, and a reflow apparatus. The printing apparatus applies a solder paste to a predetermined portion such as a land of a printed wiring board. The mounting apparatus positions the terminal of the electronic component on the applied solder and mounts the electronic component on the printed wiring board via the solder. The reflow device performs soldering by melting the applied solder and then solidifying it. In such a component mounting system, the printed wiring board is supplied to the printing apparatus, and the mounting board is completed by sequentially moving the printing apparatus, the mounting apparatus, and the reflow apparatus.
従来、少ない設備投資費と配置スペースで生産性を高めるために、１つの印刷装置と、１つのリフロー装置との間に、複数の実装装置を並列で配置する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。 Conventionally, a technique for arranging a plurality of mounting apparatuses in parallel between one printing apparatus and one reflow apparatus has been disclosed in order to increase productivity with a small capital investment cost and an arrangement space (for example, Patent Document 1).
実装基板は上述のように様々な工業製品に搭載されており、実装基板に含まれる基板の寸法および材料、実装される電子部品の種類等は多種多様である。そのため、実装基板の熱特性は、実装基板の種類に応じて異なることがある。実装基板の熱特性は、リフロー装置における処理条件を決定する重要な要素である。そのため、異なる熱特性の実装基板においてはんだ付けが行われる場合、処理条件が異なる複数台のリフロー装置が必要になる。これでは、設備投資費と配置スペースの増加が生じてしまう。 The mounting board is mounted on various industrial products as described above, and the dimensions and materials of the board included in the mounting board, the types of electronic components to be mounted, and the like are various. Therefore, the thermal characteristics of the mounting board may differ depending on the type of mounting board. The thermal characteristics of the mounting substrate are important factors that determine the processing conditions in the reflow apparatus. Therefore, when soldering is performed on mounting boards having different thermal characteristics, a plurality of reflow devices having different processing conditions are required. This increases capital investment costs and arrangement space.
本発明は、上記問題を解決することを目的とし、配置スペースと設備投資費の増加を抑え、生産性の向上を図りながら、熱特性が異なる実装基板を適切に加熱することが可能なリフロー装置を提供する。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention aims to solve the above-described problems, and is a reflow apparatus capable of appropriately heating mounting substrates having different thermal characteristics while suppressing an increase in arrangement space and capital investment cost and improving productivity. I will provide a.
本発明の第１形態は、接合材料を介して部品が配置された基板を搬送しながら加熱するリフロー装置であって、前記基板を加熱する加熱空間を有する加熱炉と、前記加熱空間で前記基板を並べて搬送する第１搬送装置および第２搬送装置と、前記第１搬送装置と前記第２搬送装置との間に設けられ、前記加熱空間を仕切る隔壁とを備える。 1st form of this invention is a reflow apparatus heated while conveying the board | substrate with which components were arrange | positioned through joining material, Comprising: The heating furnace which has the heating space which heats the said board | substrate, The said board | substrate in the said heating space Are arranged between the first transfer device and the second transfer device, and a partition wall that partitions the heating space.
本発明の第２形態は、第１形態に係るリフロー装置であって、前記基板の熱特性に応じた搬送速度となるように前記第１搬送装置と前記第２搬送装置とを制御する搬送速度制御部を備える。 A second aspect of the present invention is a reflow apparatus according to the first aspect, wherein the first conveying apparatus and the second conveying apparatus are controlled so as to have a conveying speed according to the thermal characteristics of the substrate. A control unit is provided.
本発明の第３形態は、第１または第２形態に係るリフロー装置であって、前記第１搬送装置は、前記加熱空間の上流側で前記基板を搬送する上流側搬送装置と、前記上流側搬送装置に連接され、前記加熱空間の下流側で前記上流側と異なる搬送速度で前記基板を搬送する下流側搬送装置とを備える。 3rd form of this invention is a reflow apparatus which concerns on 1st or 2nd form, Comprising: The said 1st conveyance apparatus, The upstream conveyance apparatus which conveys the said board | substrate in the upstream of the said heating space, The said upstream side A downstream transport device connected to a transport device and transporting the substrate at a transport speed different from that of the upstream side on the downstream side of the heating space.
本発明の第４形態は、第３形態に係るリフロー装置であって、前記加熱空間は、上流側において前記基板を加熱する上流側加熱空間と、下流側において前記上流側空間と異なる温度で前記基板を加熱する下流側加熱空間とを含み、前記上流側搬送装置と前記下流側搬送装置との境界位置が、前記上流側加熱空間と前記下流側加熱空間との境界位置と一致する。 4th form of this invention is the reflow apparatus which concerns on 3rd form, Comprising: The said heating space is the upstream heating space which heats the said board | substrate in the upstream, and the said temperature differs from the said upstream space in the downstream. Including a downstream heating space for heating the substrate, and a boundary position between the upstream conveyance device and the downstream conveyance device coincides with a boundary position between the upstream heating space and the downstream heating space.
本発明の第５形態は、第１から第４形態のいずれかに係るリフロー装置であって、前記隔壁によって仕切られた第１加熱空間と第２加熱空間とのいずれにも加熱ガスを供給する共通の加熱ユニットを備える。 A fifth aspect of the present invention is a reflow apparatus according to any one of the first to fourth aspects, wherein heated gas is supplied to both the first heating space and the second heating space partitioned by the partition wall. A common heating unit is provided.
本発明の第６形態は、第１から第４形態のいずれかに係るリフロー装置であって、前記隔壁によって仕切られた前記加熱空間の一方である第１加熱空間に加熱ガスを供給する第１加熱ユニットと、前記隔壁によって仕切られた前記加熱空間の他方である第２加熱空間に、前記第１加熱ユニットとは異なる温度で加熱ガスを供給する第２加熱ユニットとを備える。 6th form of this invention is the reflow apparatus which concerns on either of the 1st to 4th form, Comprising: 1st which supplies heating gas to the 1st heating space which is one of the said heating spaces partitioned by the said partition A heating unit and a second heating unit that supplies a heating gas to a second heating space that is the other of the heating spaces partitioned by the partition walls at a temperature different from that of the first heating unit.
本発明の第７形態は、基板を搬送しながら加熱するリフロー装置であって、基板を加熱する加熱空間を有する筐体と、前記加熱空間で前記基板を並んで搬送する第１搬送装置および第２搬送装置を備える。 A seventh aspect of the present invention is a reflow apparatus that heats a substrate while transporting it, a housing having a heating space for heating the substrate, a first transport device that transports the substrate side by side in the heating space, and a first Two transport devices are provided.
本発明の第８形態は、基板を搬送しながら加熱するリフロー方法であって、第１基板および第２基板を加熱する加熱空間で、前記第１基板および前記第２基板を並べて異なる速度で搬送する。 An eighth aspect of the present invention is a reflow method for heating a substrate while transporting the substrate, and transports the first substrate and the second substrate at different speeds in a heating space for heating the first substrate and the second substrate. To do.
本発明に係るリフロー装置は、加熱空間に並べて配置された第１および第２搬送装置を備える。そのため、１台のリフロー装置であっても複数の実装基板を並行して搬送しながら加熱することができる。従って、複数台のリフロー装置を並べて配置するよりも配置スペースと設備投資費の増加を抑えながら、生産性の向上を図ることが可能になる。 A reflow apparatus according to the present invention includes first and second transfer apparatuses arranged side by side in a heating space. Therefore, even if it is one reflow apparatus, it can heat, conveying a some mounting board | substrate in parallel. Therefore, it is possible to improve productivity while suppressing an increase in the arrangement space and the capital investment cost compared to arranging a plurality of reflow devices side by side.
また、第１および第２搬送装置は別個に設けられるため、それぞれの搬送速度を異なる速度に設定することができる。そのため、第１および第２搬送装置のそれぞれで搬送される第１および第２基板が加熱空間を通過するために要する時間を異なるものにすることができる。これにより、第１基板と第２基板とに異なる量の熱を供給することができる。従って、１台のリフロー装置であっても、第１基板と第２基板とでそれぞれの熱特性に応じた温度プロファイルを実現することができ、熱特性が異なる実装基板を適切に加熱することが可能になる。 Further, since the first and second transport devices are provided separately, the respective transport speeds can be set to different speeds. Therefore, the time required for the first and second substrates transported by the first and second transport devices to pass through the heating space can be made different. Thereby, different amounts of heat can be supplied to the first substrate and the second substrate. Therefore, even with a single reflow apparatus, it is possible to realize temperature profiles corresponding to the thermal characteristics of the first substrate and the second substrate, and to appropriately heat the mounting substrates having different thermal characteristics. It becomes possible.
本発明に係るリフロー装置は、搬送装置の間に隔壁を備える。隔壁があると、加熱後のガスが他の実装基板へ移動することは規制される。そのため、加熱後の温度が低下したガスが他の実装基板に影響を及ぼすことを低減することができる。従って、実装基板の熱特性が異なっており、それらを並べて搬送した場合であっても、実装基板の熱特性に応じた温度プロファイルを確実に実現することが可能になる。 The reflow apparatus which concerns on this invention is equipped with a partition between conveying apparatuses. If there is a partition wall, movement of the heated gas to another mounting substrate is restricted. Therefore, it is possible to reduce the influence of the gas whose temperature after heating is lowered on other mounting boards. Therefore, the thermal characteristics of the mounting board are different, and even when they are transported side by side, it is possible to reliably realize a temperature profile according to the thermal characteristics of the mounting board.
また、本発明に係るリフロー方法によると、第１および第２基板は、異なる搬送速度で搬送されるため、両者が異なる熱特性を有し、かつ、同一の加熱空間を通過する場合であっても、第１および第２基板の温度プロファイルを変えることができる。従って、１台のリフロー装置において、熱特性が異なる実装基板を製造することが可能になる。そのため、配置スペースと設備投資費の増大を抑えて、生産性の向上を図りながら、熱特性が異なる実装基板を適切に加熱することが可能になる。 Further, according to the reflow method according to the present invention, the first and second substrates are transported at different transport speeds, so that both have different thermal characteristics and pass through the same heating space. Also, the temperature profiles of the first and second substrates can be changed. Therefore, it is possible to manufacture mounting boards having different thermal characteristics in one reflow apparatus. For this reason, it is possible to appropriately heat mounting boards having different thermal characteristics while improving productivity by suppressing an increase in arrangement space and capital investment cost.
本発明の実施の形態について図を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係るリフロー装置１０を上方から見た断面図である。図２は、リフロー装置１０をその水平長さ方向から見た、図１のＡＡ線における断面図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a cross-sectional view of a
本明細書では、方向を説明するために、３軸の直交座標系を用いる。図１および図２に示すように、ｘ方向はリフロー装置１０の水平長さ方向である。ｙ方向はリフロー装置１０の水平奥行き方向である。ｚ方向はリフロー装置１０の上下方向である。
In this specification, a three-axis orthogonal coordinate system is used to describe directions. As shown in FIGS. 1 and 2, the x direction is the horizontal length direction of the
リフロー装置１０は、実装基板を製造する部品実装システムに備えられる。部品実装システムは、例えば、プリント配線板に接合材料を塗布する印刷装置と、接合材料が塗布されたプリント配線基板の上に電子部品（以下、部品という。）を配置する実装装置とを備える。印刷装置における印刷工程と、実装装置における実装工程を経て、接合材料を介して種々の部品が配置された基板（以下、実装基板という。）が製造される。リフロー装置１０は、実装基板を加熱し冷却する。実装基板の接合材料は、加熱によって溶融し、後続する冷却によって凝固する。これによって、電子部品は基板に接合される。
The
本発明の実施の形態１に係るリフロー装置１０は、第１基板１２および第２基板１４を搬送しながらそれらを加熱し冷却する。第１および第２基板１２，１４は、熱特性が異なる実装基板である。例えば、第１基板１２は、表面のみに部品が配置された実装基板であり、第２基板１４は、第１基板１２の裏面に部品が配置された実装基板である。
The
ここで、熱特性は、例えば、加熱量に対する実装基板の温度上昇率を示す指標（以下、この指標を熱容量という。）である。実装基板の熱容量は、基板の材料、寸法等、および基板に配置される部品の種類、数量等によって異なる。接合材料は、例えばはんだであるが、はんだ以外の金属、合金等であってもよい。また電子部品（部品）は、例えばコンデンサ、抵抗、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）パッケージ等である。 Here, the thermal characteristics are, for example, an index indicating the rate of temperature rise of the mounting substrate with respect to the heating amount (hereinafter, this index is referred to as heat capacity). The heat capacity of the mounting board varies depending on the material and dimensions of the board, and the type and quantity of components arranged on the board. The bonding material is, for example, solder, but may be a metal other than solder, an alloy, or the like. The electronic component (component) is, for example, a capacitor, a resistor, an IC (Integrated Circuit) package, or the like.
リフロー装置１０は、各構成部材が取り付けられる筐体１６を備える。筐体１６は、搬送方向（ｘ方向）に延びる有底筒状の断熱材で形成され、第１および第２基板１２，１４を熱処理する空間を内部に形成する熱処理炉１８を有する。熱処理炉１８は、第１および第２基板１２，１４を搬入し、搬出するための搬入口２０と搬出口２２とをｘ方向に対向して有する。
The
熱処理炉１８の内壁には、加熱ユニット２４および冷却ユニットがｚ方向に対向するとともに、ｘ方向に複数配置される。加熱ユニット２４および冷却ユニットのｚ方向の中間には、第１基板１２を搬送する第１搬送装置２６と第２基板１４を搬送する第２搬送装置２８とがｙ方向に並べて設けられる。
On the inner wall of the
第１搬送装置２６と第２搬送装置２８との間は、ｘ方向に延びる隔壁３０によって仕切られる。熱処理炉１８内は、隔壁３０によって、第１基板１２が搬送される第１空間と第２基板１４が搬送される第２空間とに区分される。
The
第１搬送装置２６の上下には、第１基板１２に吹き付けるガスの流れを均一化するための複数の孔を有する整流板３２が水平に設けられる。整流板３２は、加熱ユニット２４および冷却ユニットと第１搬送装置２６との間を区分し、これによって、第１空間は、ｚ方向に３つの空間に区分される。すなわち、第１空間は、上下の整流板３２に挟まれた空間であって第１搬送装置２６が配置される第１加熱空間３４または第１冷却空間３６と、上方の加熱ユニット２４または冷却ユニットが配置される上方の第１ユニット配置空間３８と、下方の加熱ユニット２４または冷却ユニットが配置される上方の第１ユニット配置空間３８とに区分にされる。
A rectifying
第１加熱空間３４は、熱処理路（加熱炉）１８内部の設定温度によって、ｘ方向に第１予備加熱空間４０と第１本加熱空間４２とに区分される。第１予備加熱空間４０は、接合材料の融点以下の温度に実装基板を加熱する空間である。予備加熱空間では、急激な加熱による実装基板の破損を防ぐとともに、はんだに含まれるフラックスを活性化させる。また、第１本加熱空間４２は、接合材料の融点を超える温度に実装基板を加熱して維持する空間である。本加熱空間では、はんだが溶融する。なお、第１冷却空間は、加熱された実装基板を冷却する空間である。冷却空間では、はんだが凝固し、その結果部品が基板に接合される。
The
第２搬送装置２８の上下にも、上述の第１空間の場合と同様に整流板３２が設けられる。従って、第２空間は、第１空間に区画される各空間に対応してｚ方向に、第２加熱空間４４または第２冷却空間４６と、上方の第２ユニット配置空間４８と、下方の第２ユニット配置空間４８とに区分される。また、第２加熱空間は、第１加熱空間に区画される各空間に対応してｘ方向に、第２予備加熱空間５０と第２本加熱空間５２とに区分される。
The rectifying
このようにして、熱処理炉１８の内部には、ｘ方向に第１予備加熱空間４０および第２予備加熱空間５０と、第１本加熱空間４２および第２本加熱空間５２と、第１冷却空間３６および第２冷却空間４６が形成され、これらの空間の上下に第１および第２ユニット配置空間３８，４８が形成される。
Thus, in the
加熱ユニット２４は、加熱空間４０，４２，５０，５２の上下に位置する第１および第２ユニット配置空間３８，４８に配置され、第１および第２ユニット配置空間３８，４８を形成する熱処理炉１８の内壁に設けられる。
The
加熱ユニット２４は、例えば加熱空間４０，４２，５０，５２内のガスを循環させるファン５４と、そのガスを加熱するヒータ５６と、そのガスの温度を測定する温度センサ５８とを有する。加熱ユニット２４は、予備加熱空間においては、ヒータ５６によって加熱されたガスを１つのファン５４によって第１および第２予備加熱空間４０，５０の両方の中で循環させることができるように配置される。また、加熱ユニット２４は、本加熱空間においては、ヒータ５６によって加熱されたガスを１つのファン５４によって第１および第２本加熱空間４２，５２の両方の中で循環させることができるように配置される。加熱ユニット２４は、ｘ方向に沿って複数配置されており、これによって、加熱空間の温度をｘ方向に沿って異なる温度に調整することが可能になる。
The
冷却ユニットは、冷却空間３６，４６の上下に位置する第１および第２ユニット配置空間３８，４８に配置される。冷却ユニットは、例えば第１および第２冷却空間３６，４６の中で常温のガスを循環させるファンであって、熱処理炉１８の内壁にｘ方向に沿って複数配置される。
The cooling units are arranged in first and second
第１搬送装置２６は、第１基板１２を搬送する装置である。第１搬送装置２６によって、第１基板１２は、第１基板１２が供給される第１供給位置６０から搬入口２０を介して熱処理炉１８の中に移動し、第１予備加熱空間４０と、第１本加熱空間４２と、第１冷却空間３６とを順に通過した後、搬出口２２を介して、第１基板１２が回収される第１回収位置６２まで搬送される。
The
第１搬送装置２６は、第１基板１２を支持して搬送する第１搬送レール６４と、第１搬送レール６４を案内する第１案内部材６６と、第１搬送レール６４を移動させる動力を提供する第１モータ６８（動力源）とを有する。
The
第１搬送レール６４は、例えばｚ方向に対向して設けられた一対の環状のチェーンのような可撓性を有する部材である。各チェーンは、互いに対向して突き出すピンを有しており、チェーンの間隔はピンによって第１基板１２を支持できるように選択される。第１搬送レール６４は、その方向を転換するとともに、一定の張力を維持するように支持するスプロケット等の第１案内部材６６によって、案内されるとともに支持される。第１モータ６８の回転軸は、例えばスプロケットの中心軸に直結されるか、または歯車等の動力伝達機構を介して間接的に取り付けられており、第１搬送レール６４を移動させる。
The
第２搬送装置２８は、第１搬送装置２６と同様に、第２基板１４を搬送する装置である。第２搬送装置２８によって、第２基板１４は、第２基板１４が供給される第２供給位置７０から搬入口２０を介して熱処理炉１８の中に移動し、第２予備加熱空間５０と、第２本加熱空間５２と、第２冷却空間４６とを順に通過した後、搬出口２２を介して、第２基板１４が回収される第２回収位置７２まで搬送される。
The
第２搬送装置２８は、第１搬送装置２６と同様に、第２搬送レール７４と、第２案内部材７６と、第２モータ７８（動力源）とを有する。第２搬送装置２８の構成は、第１搬送装置２６の構成と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
Similar to the
第１搬送装置２６と第２搬送装置２８とは、ｙ方向に並べて配置される。これによって、１台のリフロー装置１０であっても第１基板１２と第２基板１４とを並行して搬送することができる。
The
制御部（制御ユニット）８０は、オペレータの入力に基づいてリフロー装置１０の各部の動作を制御する。図３は、実施の形態１に係る制御部（制御ユニット）８０の機能ブロック図である。同図に示すように、制御部（制御ユニット）８０は、設定情報記憶部８２と、入力情報取得部８４と、ファン制御部８６と、温度制御部８８と、第１搬送速度制御部９０と、第２搬送速度制御部９２とを有する。
The control unit (control unit) 80 controls the operation of each unit of the
設定情報記憶部８２は、リフロー装置１０の設定に関する情報（設定情報）を記憶している。設定情報は、具体的には、設定温度情報と、第１搬送速度情報と、第２搬送速度情報とを含む。
The setting
設定温度情報は、第１および第２予備加熱空間４０，５０のｘ方向の温度分布を示す情報と、第１および第２本加熱空間４２，５２のｘ方向の温度分布を示す情報とを含む。ここで、ｘ方向の温度分布とは、例えば、第１および第２予備加熱空間４０，５０と第１および第２本加熱空間４２，５２とのそれぞれをｘ方向にさらに複数に分割した空間ごとの温度である。第１搬送速度情報は、第１搬送装置２６での搬送速度を示す情報である。第２搬送速度情報は、第２搬送装置２８での搬送速度を示す情報である。
The set temperature information includes information indicating the temperature distribution in the x direction of the first and
入力情報取得部８４は、オペレータによって入力部９４に入力された情報（入力情報）を取得する。入力情報は、上記設定情報と、フローの開始指示を示す情報（開始指示情報）と、リフローの終了指示を示す情報（終了指示情報）とを含む。入力情報が設定情報である場合、入力情報取得部８４は設定情報を設定情報記憶部８２に記憶させる。
The input
ファン制御部８６は、ファン５４の稼働と停止とを制御する。温度制御部８８は、第１および第２予備加熱空間４０，５０と第１および第２本加熱空間４２，５２とが設定温度情報に示される温度となるように、温度センサから取得する温度情報に基づいてヒータ５６の稼働と停止とを制御する。第１搬送速度制御部９０は、第１搬送速度情報が示す搬送速度となるように、第１モータ６８を制御する。第２搬送速度制御部９２は、第２搬送速度情報が示す搬送速度となるように、第２モータ７８を制御する。
The
以上、実施の形態１に係るリフロー装置１０の構成を説明した。次に、フローチャートを参照して、リフロー装置１０の制御部８０が実行する処理およびリフロー装置１０の動作を説明する。
The configuration of the
図４は、実施の形態１に係る制御部８０が実行する処理を示すフローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart showing processing executed by the
入力情報取得部８４は、入力部９４から設定情報を取得する（Ｓ１）。入力情報取得部８４は、取得した設定情報を設定情報記憶部８２に記憶させる（Ｓ２）。本実施の形態の設定情報は、設定温度情報と第１搬送速度情報と第２搬送速度情報とを含む。
The input
入力情報取得部８４は、入力部９４から開始指示情報を取得したか否かを判断する（Ｓ３）。開始指示情報を取得していないと判断した場合（Ｓ３でＮｏ）、入力情報取得部８４は、開始指示情報を取得するまで設定情報取得処理（Ｓ１）を継続する。
The input
開始指示情報を取得したと判断した場合（Ｓ３でＹｅｓ）、入力情報取得部８４は、ファン制御部８６と温度制御部８８と第１搬送速度制御部９０と第２搬送速度制御部９２とがそれぞれの制御を実行するように各処理部に開始指示を送る（Ｓ４）。ファン制御部８６と温度制御部８８と第１搬送速度制御部９０と第２搬送速度制御部９２とは、並行して処理を実行する。
When it is determined that the start instruction information has been acquired (Yes in S3), the input
ファン制御部８６は、第１および第２予備加熱空間４０，５０にガスを送り込むように、また、第１および第２本加熱空間４２，５２にガスを送り込むようにファン５４を稼働させる（Ｓ５）。
The
温度制御部８８は、ヒータ５６の稼働と停止とを制御する（Ｓ６）。具体的には、温度制御部８８は、第１および第２予備加熱空間４０，５０と第１および第２本加熱空間４２，５２の現在温度を示す情報（現在温度情報）を温度センサ５８から取得する。また、温度制御部８８は、設定情報記憶部８２から設定温度情報を取得する。温度制御部８８は、現在温度と設定温度とを比較する。温度制御部８８は、比較結果に基づいて、現在温度が設定温度を基準に所定の範囲に納まるように、ヒータ５６の稼働と停止とを切り替える。
The
第１搬送速度制御部９０は、設定情報記憶部８２から第１搬送速度情報を取得し、第１搬送速度で第１基板１２が搬送されるように第１モータ６８を制御する（Ｓ７）。また、第２搬送速度制御部９２は、設定情報記憶部８２から第２搬送速度情報を取得し、第２搬送速度で第２基板１４が搬送されるように第２モータ７８を制御する（Ｓ８）。ここで、第１搬送速度と第２搬送速度とは、個別に制御される。
The first transport
入力情報取得部８４は、入力部９４から終了指示情報を取得したか否かを判断する（Ｓ９）。終了指示情報を取得していないと判断した場合（Ｓ９でＮｏ）、ファン稼働処理（Ｓ５）と温度制御処理（Ｓ６）と第１搬送速度制御処理（Ｓ７）と第２搬送速度処理（Ｓ８）とが継続する。
The input
終了指示情報を取得したと判断した場合（Ｓ９でＹｅｓ）、入力情報取得部８４が送る終了指示情報に基づいて、ファン制御部８６と温度制御部８８と第１搬送速度制御部９０と第２搬送速度制御部９２とはそれぞれ、ファン５４とヒータ５６と第１搬送装置２６と第２搬送装置２８とを停止させる（Ｓ１０）。これによって、リフロー装置１０は処理を終了する。
If it is determined that the end instruction information has been acquired (Yes in S9), based on the end instruction information sent by the input
以上、実施の形態１に係るリフロー装置１０が実行する処理について説明した。
The process executed by the
このように、ファン稼働処理（Ｓ５）および温度制御処理（Ｓ６）が実行されることによって、実質的に設定温度のガスが整流板３２を介して第１および第２基板１２，１４に均一に吹き付けられる。また、加熱ユニット２４のファン５４は、第１ユニット配置空間３８と第２ユニット配置空間４８とに共通して設けられているため、ｘ方向に同一位置にある第１および第２予備加熱空間４０，５０で共通であり、また、ｘ方向に同一位置にある第１および第２本加熱空間４２，５２で共通である。従って、第１基板１２と第２基板１４とには、両者がｘ方向の同じ位置を通過する場合、設定温度に応じた実質的に同じ温度のガスが吹き付けられる。
As described above, the fan operation process (S5) and the temperature control process (S6) are executed, so that the gas at the set temperature is substantially uniformly distributed to the first and
そして、第１搬送速度制御処理（Ｓ７）と第２搬送速度制御処理（Ｓ８）とにおいて、第１搬送速度と第２搬送速度とが独立に制御される。そのため、第１基板１２が第１予備加熱空間４０および第１本加熱空間４２を通過するために要する時間（第１加熱時間）と、第２基板１４が第２予備加熱空間５０および第２本加熱空間５２を通過するために要する時間（第２加熱時間）とが異なるようにすることができる。
In the first transport speed control process (S7) and the second transport speed control process (S8), the first transport speed and the second transport speed are controlled independently. Therefore, the time required for the
従って、実質的に同じ温度のガスが第１基板１２と第２基板１４とに吹き付けられる場合であっても、第１搬送速度と第２搬送速度とを異なる速度に設定することによって、第１基板１２と第２基板１４とに供給される熱量を変えることができる。そのため、第１基板１２と第２基板１４との熱容量が異なる場合であっても、１台のリフロー装置１０を用いて第１基板１２と第２基板１４のそれぞれを適切な温度プロファイルで加熱することが可能になる。このように、本実施の形態に係るリフロー装置１０によると、配置スペースと設備投資費の増加を抑え、生産性の向上を図りながら、熱特性が異なる基板を適切に加熱することが可能になる。
Therefore, even when gases having substantially the same temperature are blown onto the
また、ガスの熱は実装基板に供給されるため、ガスの温度は実装基板を加熱した後に低下する。熱容量の異なる実装基板に実質的に同じ温度のガスが吹き付けられた場合、熱容量の大きい実装基板に吹き付けた後のガスの温度は、熱容量の小さい実装基板に吹き付けた後のガスの温度よりも低くなる。すなわち、実装基板に吹き付けた後のガスの温度は、その実装基板の熱容量によって異なる。そのため、第１基板１２に吹き付けた後のガスが第２基板１４に吹き付けるガスに混入すると、第２基板１４の温度プロファイルに影響を及ぼす。第２基板１４に吹き付けた後のガスが第１基板１２の温度プロファイルに影響を及ぼすことも同様である。
Further, since the heat of the gas is supplied to the mounting substrate, the temperature of the gas decreases after the mounting substrate is heated. When a gas with substantially the same temperature is sprayed on a mounting board with a different heat capacity, the temperature of the gas after spraying on a mounting board with a large heat capacity is lower than the temperature of gas after spraying on a mounting board with a small heat capacity. Become. That is, the temperature of the gas after sprayed on the mounting board varies depending on the heat capacity of the mounting board. Therefore, if the gas after sprayed onto the
リフロー装置１０は隔壁３０を備えており、隔壁３０は、第１予備加熱空間４０、第１本加熱空間４２および第１冷却空間３６と、第２予備加熱空間５０、第２本加熱空間５２および第２冷却空間４６とを仕切る。このような隔壁３０があるために、第１基板１２に吹き付けた後のガスが第２基板１４に吹き付けるガスに混入することが規制される。同様に、第１基板１２に吹き付けた後のガスが第２基板１４に吹き付けるガスに混入することも規制される。従って、第１基板１２に吹き付けた後のガスと第２基板１４に吹き付けた後のガスとが相互に影響を及ぼすことを防止でき、第１基板１２および第２基板１４それぞれの温度プロファイルを正確に実現することが可能になる。
The
なお、隔壁３０の熱伝達率は小さい方が望ましい。これによって、隔壁３０を介した熱の授受を低減することができる。従って、第１基板１２に吹き付けた後のガスが隔壁３０を介して第２基板１４に吹き付けるガスの熱を奪うこと、第１基板１２に吹き付けた後のガスが隔壁３０を介して第２基板１４に吹き付けるガスの熱を奪うことが抑制される。従って、第１基板１２および第２基板１４それぞれの温度プロファイルをより正確に実現することが可能になる。
The heat transfer coefficient of the
（実施の形態２）
図５は、本発明の実施の形態２に係るリフロー装置１１０を上方から見た断面図である。
(Embodiment 2)
FIG. 5 is a cross-sectional view of the
実施の形態２のリフロー装置１１０の構成は、実施の形態１のリフロー装置１０の構成と概ね同じであるが、本実施の形態に係るリフロー装置１１０では、第１搬送装置１２６および第２搬送装置１２８がｘ方向の途中で分割されている。本実施の形態では、リフロー装置１１０が備える第１搬送装置１２６および第２搬送装置１２８の特徴について説明する。
The configuration of the
第１搬送装置１２６は、搬送方向（ｘ方向）の上流側と下流側とで分割され、上流側第１搬送装置１２６ａと下流側第１搬送装置１２６ｂとを有する。上流側第１搬送装置１２６ａと下流側第１搬送装置１２６ｂとの境界位置は、ｘ方向の位置において、第１予備加熱空間４０と第１本加熱空間４２との境界位置と同じである。そして、下流側第１搬送装置１２６ｂは、上流側第１搬送装置１２６ａが搬送してきた第１基板１２を受け取ることができるように、上流側第１搬送装置１２６ａに連接される。
The
第２搬送装置１２８は、第１搬送装置１２６と同様に、搬送方向（ｘ方向）の上流側と下流側とで分割され、上流側第２搬送装置１２８ａと下流側第２搬送装置１２８ｂとを有する。
Similar to the
制御部８０は、上流側第１搬送装置１２６ａと下流側第１搬送装置１２６ｂと上流側第２搬送装置１２８ａと下流側第２搬送装置１２８ｂとのそれぞれを独立に制御する。そのため、各搬送装置１２６ａ，１２６ｂ，１２８ａ，１２８ｂでの搬送速度を異なる速度にすることができる。
The
以上説明したような実施の形態２に係るリフロー装置１１０によって加熱した場合の第１基板１２および第２基板１４それぞれの温度プロファイルの一例を図６に示す。図６において、横軸は時間を示し、縦軸は第１および第２基板１２，１４の温度を示す。図６に示す例では、上流側第１搬送装置１２６ａの搬送速度と上流側第２搬送装置１２８ａの搬送速度とが同じであり、下流側第１搬送装置１２６ｂの搬送速度は、下流側第２搬送装置１２８ｂの搬送速度より高速である。
An example of the temperature profile of each of the
同図から分かるように、第１基板１２と第２基板１４とは、第１および第２予備加熱空間４０，５０ではいずれも同じように温度上昇し、設定温度（１８０℃程度）で安定する。次に、第１本加熱空間４２において、第１基板１２は、はんだの融点（例えば２００℃）に短時間で到達し、その後はんだの融点を超える一定の温度（例えば２００℃〜２２０℃の間）で維持されている。また、第２本加熱空間５２において、第２基板１４は、はんだの融点（例えば２００℃）にまで比較的緩やかに上昇し、その後はんだの融点を超える一定の温度（例えば２００℃〜２２０℃の間）で維持されている。
As can be seen from the figure, the temperature of the
このように、第１および第２搬送装置１２６，１２８を上流側（１２６ａ，１２６ａ）と下流側（１２８ｂ，１２８ｂ）とに分割することによって、第１および第２基板１２，１４の搬送速度を搬送される空間によって変えることができる。これによって、第１および第２基板１２，１４それぞれの熱特性に応じた緻密な温度プロファイルを実現することが可能になる。
As described above, the first and
なお、本実施の形態では、第１搬送装置１２６と第２搬送装置１２８とのいずれもがｘ方向で分割されることとしたが、分割されるのは、第１搬送装置１２６と第２搬送装置１２８とのいずれか一方だけであってもよい。また、ｘ方向に分割される数は、本実施の形態では上流側と下流側との２つとしたが、いくつであってもよい。多数に分割する程、基板の搬送速度を詳細に設定することができ、基板の熱特性に応じてより緻密な温度プロファイルを実現することが可能になる。
In the present embodiment, both the
（実施の形態３）
図７は、本発明の実施の形態３に係るリフロー装置２１０をその長さ方向から見た断面図である。
(Embodiment 3)
FIG. 7 is a cross-sectional view of the
実施の形態３のリフロー装置２１０の構成は、実施の形態１のリフロー装置１０の構成と概ね同じであり、第１加熱ユニット２２４ａと第２加熱ユニット２２４ｂとがそれぞれ実施の形態１の加熱ユニット２４に代えて設けられる。図７を参照して、リフロー装置２１０が備える第１加熱ユニット２２４ａと第２加熱ユニット２２４ｂについて説明する。
The configuration of the
実施の形態３のリフロー装置２１０は、第１加熱ユニット２２４ａと第２加熱ユニット２２４ｂとを備える。第１加熱ユニット２２４ａは、第１予備加熱空間４０と第１本加熱空間４２とを加熱する。第１加熱ユニット２２４ａは、第１予備加熱空間４０と第１本加熱空間４２との上下に形成される第１ユニット配置空間３８に設けられる。第２加熱ユニット２２４ｂは、第２予備加熱空間５０と第２本加熱空間５２とを加熱する。第２加熱ユニット２２４ｂは、第２予備加熱空間５０と第２本加熱空間５２との上下に形成される第２ユニット配置空間４８に設けられる。
The
第１加熱ユニット２２４ａおよび第２加熱ユニット２２４ｂのそれぞれの詳細な構成は、実施の形態１の加熱ユニット２４と同様である。すなわち、第１加熱ユニット２２４ａは、第１ファン２５４ａと、第１ヒータ２５６ａと、第１温度センサ２５８ａとを有する。第２加熱ユニット２２４ｂは、第２ファン２５４ｂと、第２ヒータ２５６ｂと、第２温度センサ２５８ｂとを有する。
The detailed configuration of each of the
隔壁２３０は、第１予備加熱空間４０、第１本加熱空間４２および第１冷却空間３６と、第２予備加熱空間５０、第２本加熱空間５２および第２冷却空間４６とを仕切る。そのため、このように、第１加熱ユニット２２４ａと第２加熱ユニット２２４ｂとのそれぞれによって、第１予備加熱空間４０および第１本加熱空間４２と、第２予備加熱空間５０および第２本加熱空間５２とが個別に加熱される。
The
図８は、実施の形態３に係る制御部２８０の機能ブロック図である。同図に示すように、制御部２８０は、設定情報記憶部２８２と、入力情報取得部２８４と、第１ファン制御部２８６ａと、第２ファン制御部２８６ｂと、第１温度制御部２８８ａと、第２温度制御部２８８ｂと、第１搬送速度制御部９０と、第２搬送速度制御部９２とを有する。実施の形態１の制御部８０（図３参照）と同一の機能を有する処理部には、同一の参照符号を付す。
FIG. 8 is a functional block diagram of the
設定情報記憶部２８２は、実施の形態１の設定情報の設定温度情報に代えて、第１設定温度情報と第２設定温度情報とを含む設定情報を記憶している。第１設定温度情報は、第１予備加熱空間４０のｘ方向の温度分布を示す情報と、第１本加熱空間４２のｘ方向の温度分布を示す情報とを含む。第２設定温度情報は、第２予備加熱空間５０のｘ方向の温度分布を示す情報と、第２本加熱空間５２のｘ方向の温度分布を示す情報とを含む。
The setting
入力情報取得部２８４は、入力情報を取得する。入力情報は、上記設定情報と、開始指示情報と、終了指示情報とを含む。入力情報が設定情報である場合、入力情報取得部２８４は設定情報を設定情報記憶部２８２に記憶させる。
The input
第１（第２）ファン制御部２８６ａ（２８６ｂ）は、第１（第２）ファン２５４ａ（２５４ｂ）の稼働と停止とを制御する。第１（第２）温度制御部２８８ａ（２８８ｂ）は、第１（第２）温度センサ２５８ａ（２５８ｂ）から取得する温度情報と設定温度情報とを比較し、第１（第２）予備加熱空間４０（５０）と第１（第２）本加熱空間４２（５２）とが設定温度情報が示す温度分布となるように、第１（第２）ヒータ２５６ａ（２５６ｂ）を稼働および停止させる。
The first (second) fan control unit 286a (286b) controls operation and stop of the first (second)
次に、実施の形態３に係るリフロー装置２１０の制御部８０が実行する処理およびリフロー装置２１０の動作を説明する。
Next, a process executed by the
図９は、実施の形態３に係る制御部８０が実行する処理を示すフローチャートである。実施の形態１に係る制御部８０が実行する処理（図４参照）と同一の処理には、同一の参照符号を付す。
FIG. 9 is a flowchart illustrating processing executed by the
入力情報取得部２８４は、入力部９４から設定情報を取得する（Ｓ２０１）。入力情報取得部２８４は、取得した設定情報を設定情報記憶部２８２に記憶させる（Ｓ２０２）。本実施の形態の設定情報は、第１設定温度情報と第２設定温度情報と第１搬送速度情報と第２搬送速度情報とを含む。
The input
開始指示情報を取得したと判断した場合（Ｓ３でＹｅｓ）、入力情報取得部２８４は、第１ファン制御部２８６ａと第２ファン制御部２８６ｂと第１温度制御部２８８ａと第２温度制御部２８８ｂと第１搬送速度制御部９０と第２搬送速度制御部９２とがそれぞれの制御を実行するように各処理部に開始指示を送る（Ｓ４）。第１ファン制御部２８６ａと第２ファン制御部２８６ｂと第１温度制御部２８８ａと第２温度制御部２８８ｂと第１搬送速度制御部９０と第２搬送速度制御部９２とは、並行して処理を実行する。
When it is determined that the start instruction information has been acquired (Yes in S3), the input
第１ファン制御部２８６ａは、第１予備加熱空間４０にガスを送り込むように、また、第１本加熱空間４２にガスを送り込むように第１ファン２５４ａを稼働させる（Ｓ２０５ａ）。第２ファン制御部２８６ｂは、第２予備加熱空間５０にガスを送り込むように、また、第２本加熱空間５２にガスを送り込むように第２ファン２５４ｂを稼働させる（Ｓ２０５ｂ）
The first fan control unit 286a operates the
第１温度制御部２８８ａは、第１予備加熱空間４０または第１本加熱空間４２が設定温度情報に示される温度となるように、第１ヒータ２５６ａの稼働と停止とを制御する（Ｓ２０６ａ）。第２温度制御部２８８ｂは、第２予備加熱空間５０または第２本加熱空間５２が設定温度情報に示される温度となるように、第２ヒータ２５６ｂの稼働と停止とを制御する（Ｓ２０６ｂ）。第１（第２）温度制御処理（Ｓ２０６ａ（Ｓ２０６ｂ））の詳細は、実施の形態１の温度制御処理（Ｓ６）と同様である。
The first temperature control unit 288a controls the operation and stop of the
終了指示情報を取得していないと判断した場合（Ｓ９でＮｏ）、第１ファン稼働処理（Ｓ２０５ａ）と、第２ファン稼働処理（Ｓ２０５ｂ）と、第１温度制御処理（Ｓ２０６ａ）と、第２温度制御処理（Ｓ２０６ｂ）と、第１搬送速度制御処理（Ｓ７）と、第２搬送速度処理（Ｓ８）とが継続する。 When it is determined that the end instruction information has not been acquired (No in S9), the first fan operation process (S205a), the second fan operation process (S205b), the first temperature control process (S206a), and the second The temperature control process (S206b), the first transport speed control process (S7), and the second transport speed process (S8) are continued.
終了指示情報を取得したと判断した場合（Ｓ９でＹｅｓ）、入力情報取得部２８４が送る終了指示情報に基づいて、第１ファン制御部２８６ａと第２ファン制御部２８６ｂと第１温度制御部２８８ａと第２温度制御部２８８ｂと第１搬送速度制御部９０と第２搬送速度制御部９２とはそれぞれ、第１ファン２５４ａと第２ファン２５４ｂと第１ヒータ２５６ａと第２ヒータ２５６ｂと第１搬送装置２６と第２搬送装置２８とを停止させる（Ｓ２１０）。これによって、リフロー装置２１０は処理を終了する。
If it is determined that the end instruction information has been acquired (Yes in S9), based on the end instruction information sent by the input
以上、実施の形態３に係るリフロー装置２１０が実行する処理について説明した。
The processing executed by the
このように、実施の形態３では、第１予備加熱空間４０および第１本加熱空間４２と、第２予備加熱空間５０および第２本加熱空間５２とのそれぞれに別個の第１加熱ユニット２２４ａと第２加熱ユニット２２４ｂとを備える。また、第１加熱ユニット２２４ａと第２加熱ユニット２２４ｂとは独立に制御される。従って、第１予備加熱空間４０および第１本加熱空間４２と、第２予備加熱空間５０および第２本加熱空間５２とを別個に温度制御できるため、実施の形態１よりもさらに精緻な温度プロファイルの実現が可能になる。
As described above, in the third embodiment, the
（実施の形態４）
図１０は、本発明の実施の形態４に係るリフロー装置３１０をそのｘ方向から見た断面図である。実施の形態４のリフロー装置３１０の構成は、リフロー装置３１０が隔壁を有しないことを除いて、実施の形態１のリフロー装置１０の構成と同じである。従って、本実施の形態に係る加熱空間３３４には、実施の形態１に係る第１および第２予備加熱空間４０，５０が統合された予備加熱空間（図示せず）が形成され、また、第１および第２本加熱空間４２，５２が統合された本加熱空間３４２が形成される。なお、第１および第２冷却空間３６，４６についても同様に統合された冷却空間が形成される。
(Embodiment 4)
FIG. 10 is a cross-sectional view of the
本実施の形態では、第１搬送装置２６の搬送速度と第２搬送装置２８の搬送速度とを異なる速度とすることによって、第１基板１２と第２基板１４とで異なる温度プロファイルの実現を可能にする。これによって、配置スペースと設備投資費の増加を抑え、生産性の向上を図りながら、熱特性が異なる基板を適切に加熱することが可能になる。
In the present embodiment, it is possible to realize different temperature profiles for the
以上、各実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されない。例えば、本発明は、相互に矛盾しない範囲で各実施の形態を組み合わせた形態を含む。 As mentioned above, although each embodiment was described, this invention is not limited to said embodiment. For example, this invention includes the form which combined each embodiment in the range which is not mutually contradictory.
また、例えば、実施の形態では、隔壁が、ｘ方向に沿って予備加熱空間と本加熱空間と冷却空間とのすべてを仕切る場合を例に説明した。しかし、隔壁は、予備加熱空間と本加熱空間と冷却空間との一部を仕切るものであってもよい。例えば、予備加熱部の下流側は、基板の温度が安定するため、隔壁を設けなくても、温度プロファイルに与える影響は小さい。 Further, for example, in the embodiment, the case where the partition partitions all of the preheating space, the main heating space, and the cooling space along the x direction has been described as an example. However, the partition may partition part of the preheating space, the main heating space, and the cooling space. For example, since the temperature of the substrate is stabilized on the downstream side of the preheating unit, the influence on the temperature profile is small even without providing a partition wall.
本発明は、接合材料を介して部品が配置された基板を搬送しながら加熱するリフロー装置に適用することができる。 The present invention can be applied to a reflow apparatus that heats a substrate on which components are arranged via a bonding material while conveying the substrate.
１０，１１０，２１０，３１０ リフロー装置
１２ 第１基板
１４ 第２基板
１６ 筐体
１８ 熱処理炉
２４，２２４ａ 加熱ユニット
２６，１２６ 第１搬送装置
２８，１２８ 第２搬送装置
３０，２３０ 隔壁
３２ 整流板
３８ 第１ユニット配置空間
４０ 第１予備加熱空間
４２ 第１本加熱空間
４８ 第２ユニット配置空間
５０ 第２予備加熱空間
５２ 第２本加熱空間
８０，２８０ 制御部
８２，２８２ 設定情報記憶部
８６ ファン制御部
２８６ａ 第１ファン制御部
２８６ｂ 第２ファン制御部
８８ 温度制御部
２８８ａ 第１温度制御部
２８８ｂ 第２温度制御部
９０ 第１搬送速度制御部
９２ 第２搬送速度制御部
10, 110, 210, 310
Claims (8)
前記基板を加熱する加熱空間を有する加熱炉と、
前記加熱空間で前記基板を並べて搬送する第１搬送装置および第２搬送装置と、
前記第１搬送装置と前記第２搬送装置との間に設けられ、前記加熱空間を仕切る隔壁とを備える
ことを特徴とするリフロー装置。 A reflow apparatus for heating while conveying a substrate on which components are arranged via a bonding material,
A heating furnace having a heating space for heating the substrate;
A first transport device and a second transport device for transporting the substrates side by side in the heating space;
A reflow apparatus comprising: a partition wall provided between the first transport device and the second transport device and partitioning the heating space.
ことを特徴とする請求項１に記載のリフロー装置。 The reflow apparatus according to claim 1, further comprising a transport speed control unit that controls the first transport apparatus and the second transport apparatus so that the transport speed according to the thermal characteristics of the substrate is obtained.
前記加熱空間の上流側で前記基板を搬送する上流側搬送装置と、
前記上流側搬送装置に連接され、前記加熱空間の下流側で前記上流側と異なる搬送速度で前記基板を搬送する下流側搬送装置とを備える
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のリフロー装置。 The first transport device is
An upstream transport device for transporting the substrate upstream of the heating space;
The apparatus according to claim 1, further comprising a downstream transfer device that is connected to the upstream transfer device and transfers the substrate at a transfer speed different from that of the upstream side on the downstream side of the heating space. Reflow equipment.
上流側において前記基板を加熱する上流側加熱空間と、
下流側において前記上流側空間と異なる温度で前記基板を加熱する下流側加熱空間とを含み、
前記上流側搬送装置と前記下流側搬送装置との境界位置が、前記上流側加熱空間と前記下流側加熱空間との境界位置と一致する
ことを特徴とする請求項３に記載のリフロー装置。 The heating space is
An upstream heating space for heating the substrate on the upstream side;
A downstream heating space for heating the substrate at a temperature different from the upstream space on the downstream side,
The reflow apparatus according to claim 3, wherein a boundary position between the upstream side transport device and the downstream side transport device coincides with a boundary position between the upstream heating space and the downstream heating space.
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のリフロー装置。 5. The apparatus according to claim 1, further comprising a common heating unit that supplies heating gas to both the first heating space and the second heating space partitioned by the partition wall. Reflow equipment.
前記隔壁によって仕切られた前記加熱空間の他方である第２加熱空間に、前記第１加熱ユニットとは異なる温度で加熱ガスを供給する第２加熱ユニットとを備える
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のリフロー装置。 A first heating unit that supplies a heating gas to a first heating space that is one of the heating spaces partitioned by the partition;
2. A second heating unit that supplies a heating gas at a temperature different from that of the first heating unit to a second heating space that is the other of the heating spaces partitioned by the partition wall. The reflow apparatus of any one of Claim 4.
基板を加熱する加熱空間を有する筐体と、
前記加熱空間で前記基板を並んで搬送する第１搬送装置および第２搬送装置を備える
ことを特徴とするリフロー装置。 A reflow device for heating while conveying a substrate,
A housing having a heating space for heating the substrate;
A reflow apparatus comprising a first transfer device and a second transfer device that transfer the substrates side by side in the heating space.
第１基板および第２基板を加熱する加熱空間で、前記第１基板および前記第２基板を並べて異なる速度で搬送することを特徴とするリフロー方法。 A reflow method for heating while conveying a substrate,
A reflow method comprising: transferring a first substrate and a second substrate side by side at different speeds in a heating space for heating the first substrate and the second substrate.
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