JP2011118163A - 光電気モジュール及びその製造方法並びに光電気モジュール基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持基板11の一方の面に光導波路24が形成され、光導波路24の一方側と他方側とにそれぞれ光素子32a、32bが搭載され、支持基板11の一方の面には接続パターン12a、12bが、他方の面には実装用のパッド14a、14bが接続パターン12a、12bと電気的に接続して形成され、光導波路24は、第1のクラッド層18a、コア20a、20b、第2のクラッド層18bが積層して形成され、光素子32a、32bは、光導波路24の表層である第2のクラッド層18b上に、コア20a、20bに位置合わせし、接続パターン12a、12bと電気的に接続して搭載されている。
【選択図】図9
Description
本発明は、複数の部品からなる光電気モジュールを効率的に製造することを可能にし、かつ光電気モジュールを部品化することによって、光電気モジュール基板の組み立てに容易に利用することができる光電気モジュール及びその製造方法、並びに光電気モジュールを用いた光電気モジュール基板を提供することを目的とする。
すなわち、光電気モジュールについては、支持基板の一方の面に光導波路が形成され、該光導波路の一方側と他方側とにそれぞれ光素子が搭載され、前記支持基板の一方の面には接続パターンが、他方の面には実装用のパッドが前記接続パターンと電気的に接続して形成され、前記光導波路は、第1のクラッド層、コア、第2のクラッド層が積層して形成され、前記光素子は、前記光導波路の表層である前記第2のクラッド層上に、前記コアに対して所定の位置となるよう位置合わせし、前記接続パターンと電気的に接続して搭載されていることを特徴とする。
前記接続配線を形成する工程においては、ビア穴あけ、めっきによる導体層の形成といった、従来の配線基板の製造工程における操作が利用できる。
また、前記接続配線を形成する工程においては、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層に前記接続パターンと電気的に接続するビアを形成し、前記第2のクラッド層の表面に前記光素子に接続される接続パッドを形成することを特徴とする。
また、前記接続配線を形成する工程の後工程として、前記第2のクラッド層の表面を保護膜によって被覆する工程を備えることを特徴とする。光素子が使用する波長域において保護膜を光が透過しない場合には、保護膜と光とが交差する部分の保護膜を除去して、開口部を形成する。
本発明に係る光電気モジュールの製造方法においては、従来の配線基板の製造工程と同様に、大判の基板を加工対象とし、光電気モジュールとなる単位基板を多数個取りする製造方法によって光電気モジュールを製造する。
図1〜9は、大判に形成した光電気モジュールの製造工程を示す。これらの図は、大判の基板の一つの単位基板部分の構成を示している。
図1(a)及び(b)は、光電気モジュールの支持体となる支持基板11を形成した状態を示す。支持基板11は、樹脂基板10の一方の面(光素子を搭載する面)に、光素子と電気的に接続される接続パターン12a、12bが形成され、他方の面に実装用のパッド14a、14bが形成されたもので、接続パターン12a、12bとパッド14a、14bとは、樹脂基板10を厚さ方向に貫通する導通部(スルーホール)16を介して電気的に接続されている。
本実施形態の支持基板11は、図1(b)に示すように、光導波路を形成する領域を挟む、一方側と他方側に、それぞれ4つずつ接続パターン12a、12bを露出させて形成したものである。接続パターン12a、12bの配置位置、配置数は、光電気モジュールに搭載される光素子の端子位置、端子数に合わせて設定される。
接続パターン12a、12b、パッド14a、14b及び導通部16を形成する方法は上記例に限らず、樹脂基板の両面に銅箔を被着した両面銅張り基板を用いる方法も可能である。接続パターン12a、12b、パッド14a、14bは、セミアディティブ法等の他の製造工程によることもできる。
次に、接続パターン12a、12bが形成された面(樹脂基板10の一方の面)の全面を光導波路のクラッド部分となる、第1のクラッド層18aによって被覆する(図2)。
第1のクラッド層18aは、光素子が使用する波長域において光透過性を有する樹脂フィルムを、樹脂基板10の一方の面の全面を覆うようにラミネートして形成する。第1のクラッド層18aは、樹脂フィルムをラミネートするかわりに、クラッド材となるペースト状も樹脂材をコーティングして形成することもできる。
次に、第1のクラッド層18aの表面に光導波路のコアとなるコア層20を形成する(図3)。コア層20は、コアとなる樹脂フィルムを第1のクラッド層18aの全面を覆うようにラミネートして形成する。樹脂フィルムを用いるかわりに、ペースト状のコア材をコーティングしてコア層20を形成することもできる。コア層20は、露光及び現像操作によりパターニングして光導波路のコア20aとする。したがって、コア層20には感光性レジストと同様の感光性を備えるコア材が用いられる。
図4は、コア層20をパターニングしてコア20a、20bを形成した状態を示す。図4(a)は断面図、図4(b)は平面図である。コア20a、20bは、コア層20を露光及びパターニングして形成されるから、コア層20を露光するパターンを適宜設定することによって、任意のパターンにコア層20を露光して任意の平面配置にコア20a、20bを形成することができる。
コア層20を露光及び現像する操作は、配線基板における露光及び現像操作と同様に、大判の基板(ワーク)に対し一括して露光及び現像する操作であり、この方法によって、効率的にコアを形成することができる。
コア層20をパターニングしてコア20a、20bのみを第1のクラッド層18a上に残した状態で、コア20a、20bは矩形の断面形状となる。
次に、コア20a、20bにミラーを作り込む。このミラーはコアと光素子とを光学的に接続するためのものである。
図5は、コア20a、20bに45度傾斜面となる溝21を形成した状態を示す(溝形成工程)。図5(a)に示すように、溝21はコア20a、20bの端面がコア20a、20bの長手方向に対して垂直面となり、コア20a、20bの端面に対向する面が、45度傾斜面となる。45度傾斜面は、上方(第1のクラッド層18aとは反対面側)が開放し、コア20a、20bの長手方向に対して45度傾斜する。なお、図5に示すコア20a、20bは、実際に光を透過させる最終的なコア部であり、図4に示すコア20a、20bは最終的なコア部を形成する前段階の状態である。
図5(b)は、コア20a、20bが形成されている領域では、厚さ方向の全体に溝21が形成され、第1のクラッド層18aが露出している領域では、切削ブレードの先端が通過した部位のみに溝21aが形成されることを示す。
コア20a、20bに溝21を加工する操作も、大判の基板に対して切削ブレードを位置決めして通過させることによって、一括して溝加工することができる。
なお、溝を形成する方法として、切削ブレードを使用するかわりに、片面が垂直面となる変形のV字形に、物理的あるいは化学的にエッチングする方法によることも可能である。また、切削ブレードとレーザ加工を併用することもできる。
溝21のミラーを形成する領域を露出させ、ミラーする領域を除く領域部分をマスクして溝21の露出する表面に金をスパッタリングすることによって、溝21の45度傾斜面をミラー22とすることができる。図6(b)においては、マスクが若干位置ずれしてもコア20a、20bの45度傾斜面の全面に確実に金が被着されるように、45度傾斜面よりも若干幅広にスパッタリング領域を設定して金を被着させた例である。
ミラー22を形成する方法はスパッタリング法に限られるものではなく、蒸着法、めっき法等を利用することもできる。スパッタリング法、めっき法等による場合も、大判の基板に対してスパッタリング等を施すことによって、大判の基板に形成されているコアの45度傾斜面に、一括してミラー22を形成することができる。
ミラーを形成した後、大判の基板(ワーク)の全表面を第2のクラッド層18bによって被覆する(図7)。第2のクラッド層18bは、前述した第1のクラッド層18aと同一材料を用いて形成する。第2のクラッド層18bは、コア20a、20bが厚さ方向に完全に埋没するように厚さを設定して形成する。第2のクラッド層18bは、樹脂フィルム状に形成したクラッド材をラミネートして形成することもできるし、ペースト状のクラッド材をコーティングして形成することもできる。
ミラー22は第2のクラッド層18bによって封止され、ミラー22が外部環境に曝されることが防止され、ミラー22の耐環境性が良好となる。
第2のクラッド層18bを形成した後、第2のクラッド層18bの表面に光素子を搭載するための接続パッド27a、27bを形成する。接続パッド27a、27bは、ビア26を介して接続パターン12a、12bと電気的に接続される(図8)。
接続パターン12a、12bと電気的に接続する接続パッド27a、27bを形成するには、第1のクラッド層18aと第2のクラッド層18bを厚さ方向に貫通し、底面に接続パターン12a、12bが露出するビア穴を形成し、サブトラクト法あるいはセミアディティブ法等により、ビア26を介して接続パターン12a、12bと電気的に接続して接続パッド27a、27bを形成すればよい。
セミアディティブ法によってビア26と接続パッド27a、27bを形成するには、無電解銅めっきにより、ビア穴の底面、内側面及び第2のクラッド層18bの表面にめっきシード層を形成する工程、めっきシード層の表面に接続パッド27a、27bを形成する部位を露出させたレジストパターンを形成する工程、めっきシード層をめっき給電層とする電解銅めっきを施し、ビア穴とめっきシード層の露出部分にめっきを盛り上げる工程、めっき後、レジストパターンを除去し、レジストパターンを除去して露出しためっきシード層の部分をエッチングして除去する工程によって形成することができる。
接続パッド27a、27bを形成した後、ニッケルめっき金めっき等の所要の表面処理を施すことも、従来の配線基板の製造工程と同様に行うことができる。また、接続パッド27a、27bを外面に露出させるように、第2のクラッド層18bの表面をソルダーレジスト等の保護膜によって被覆してもよい。
図9は、接続パッド27a、27bに電気的に接続して光素子32を搭載し、光電気モジュール30を完成した状態を示す。図9(b)では、光素子32a、32bの搭載位置を破線によって示している。
光素子32a、32bは、ミラー22と光素子32a、32bに形成されている受発光素子の平面位置とを位置合わせし、接続パッド27a、27bにはんだ33により接合して搭載される。光導波路24を挟む一方側と他方側の位置に光素子32a、32bを位置合わせして搭載したことにより、光電気モジュール30は、光素子32a、32bが光導波路24を介して光学的に接続されて提供される。
光導波路24のコア20a、20bから投射される光、コア20a、20bに入射する光は、表層側のクラッド層(第2のクラッド層18b)を透過して光素子32a、32bに投入射される。
第2のクラッド層18bの表面はソルダーレジスト28によって被覆されて保護されているが、光素子32a、32bとミラー22との間で光が透過する部位についてはソルダーレジスト28に開口部28aを設けて光の透過が阻害されないようにしている。ソルダーレジスト28が光素子32a、32bの波長域において透明であれば開口部28aを設ける必要はない。なお、支持基板11の下面もソルダーレジスト29によって被覆され、パッド14a、14bには実装用の接続端子としてはんだボール34が接合される。
図11(a)及び(b)は、光電気モジュール30を使用して組み立てた光電気モジュール基板40の断面図及び平面図である。光電気モジュール基板40は、実装基板42の素子搭載面に、光電気モジュール30を実装し、光電気モジュール30を挟む一方側と他方側に、ドライバIC44a、アンプIC44bと、半導体パッケージ46a、46bを搭載して組み立てられている。
光電気モジュール30は接続端子であるはんだボール34を実装基板42の電極に接合して実装される。半導体パッケージ46a、46bは、ロジック半導体やASIC等の電子部品461、462を搭載して形成され、パッケージ基板に電子部品を搭載した状態で実装基板42に実装される。
図11に示す光電気モジュール基板40において特徴的な構成は、光電気モジュール30が、半導体パッケージ46a、46bやドライバIC44a、アンプIC44bと同様の実装用部品として扱われて搭載されている点にある。光電気モジュール30は光導波路24を内蔵した実装用部品として、容易に取り扱うことができ、半導体パッケージと組み合わせて種々の形態の光電気モジュール基板を組み立てることができる。
実装基板42に実装する半導体パッケージは、パッケージ基板に複数の電子部品を搭載する設計とすることが可能であり、複数の部品を搭載して図12の形態とすることは容易である。
図13、14は、光電気モジュール30を使用して組み立てた光電気モジュール基板の他の例を示す。
図13に示す光電気モジュール基板402は、4つの半導体パッケージ48a、48b、48c、48dを四角形配置(格子点位置の配置)とし、隣り合った半導体パッケージ間に光電気モジュール30を配して組み立てた例である。
図14に示す光電気モジュール基板403は、4つの半導体パッケージ49a、49b、49c、49dを並列(横並び)に配置し、半導体パッケージ49a〜49dの並び方向の一方側に、直列状に光電気モジュール30を配置して組み立てた例である。光電気モジュール30はドライバIC・アンプIC45とブリッジIC50を介して、それぞれの半導体パッケージ49a〜49dに接続する。
このように、本発明に係る光電気モジュール30を使用すれば、半導体パッケージのさまざまな配置に対応して光電気モジュール基板を組み立てることができる。
11 支持基板
12a、12b 接続パターン
14a、14b パッド
16 導通部
18a 第1のクラッド層
18b 第2のクラッド層
20 コア層
20a、20b コア
21 溝
22 ミラー
24 光導波路
27a、27b 接続パッド
30 光電気モジュール
30a 単位基板
32a、32b 光素子
35 大判の基板
40、401、402、403 光電気モジュール基板
42 実装基板
44a ドライバIC
44b アンプIC
46a、46b、47a、47b、48a、48b、48c、48d、49a、49b、49c、49d 半導体パッケージ
Claims (8)
- 支持基板の一方の面に光導波路が形成され、該光導波路の一方側と他方側とにそれぞれ光素子が搭載され、
前記支持基板の一方の面には接続パターンが、他方の面には実装用のパッドが前記接続パターンと電気的に接続して形成され、
前記光導波路は、第1のクラッド層、コア、第2のクラッド層が積層して形成され、
前記光素子は、前記光導波路の表層である前記第2のクラッド層上に、前記コアに位置合わせし、前記接続パターンと電気的に接続して搭載されていることを特徴とする光電気モジュール。 - 前記コアには、光の投入射面である端面がコアの光信号の進行方向に対して垂直面となり、端面に対向する面が、前記光素子に向けて開いた傾斜面となる溝が形成され、
前記傾斜面がミラーとして形成されていることを特徴とする請求項1記載の光電気モジュール。 - 一方の面に接続パターンが形成され、他方の面に実装用のパッドが前記接続パターンと電気的に接続して形成された、大判の支持基板を形成する工程と、
前記支持基板の前記一方の面を第1のクラッド層によって被覆する工程と、
前記第1のクラッド層上にコア層を形成する工程と、
前記コア層をパターニングし、個々の単位基板ごとにコアを形成する工程と、
前記コアに、光の投入射面である端面がコアの長手方向に対して垂直面となり、端面に対向する面が傾斜面となる溝を加工する工程と、
前記傾斜面をミラーとする加工を施す工程と、
前記溝加工が施されたコアを埋没させて、第2のクラッド層によって基板の表面を被覆する工程と、
前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層に、前記接続パターンと電気的に接続される接続配線を形成する工程と、
前記第2のクラッド層が形成された大判の基板を単位基板ごとに個片化する工程と、
個片化された単位基板に、前記接続配線に電気的に接続して光素子を搭載する工程と、を備えることを特徴とする光電気モジュールの製造方法。 - 前記傾斜面をミラーとする加工として、前記傾斜面に金を被着形成することを特徴とする請求項3記載の光電気モジュールの製造方法。
- 前記接続配線を形成する工程においては、
前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層に前記接続パターンと電気的に接続するビアを形成し、前記第2のクラッド層の表面に前記光素子に接続される接続パッドを形成することを特徴とする請求項3または4記載の光電気モジュールの製造方法。 - 前記接続配線を形成する工程の後工程として、前記第2のクラッド層の表面を保護膜によって被覆する工程を備えることを特徴とする請求項3〜5のいずれか一項記載の光電気モジュールの製造方法。
- 前記単位基板に光素子を搭載する工程においては、前記コアに形成されたミラーと、光素子の受発光素子との平面位置を位置合わせして搭載することを特徴とする請求項3〜6のいずれか一項記載の光電気モジュールの製造方法。
- 実装基板上に、
光導波路、及び光導波路の一方側と他方側とに光素子が搭載された光電気モジュールと、半導体パッケージと、前記光電気モジュールと前記半導体パッケージとの間に介在するドライバICまたはアンプICとが搭載され、
前記光電気モジュールは、
支持基板の一方の面に光導波路が形成され、
前記支持基板の一方の面には接続パターンが、他方の面には実装用のパッドが前記接続パターンと電気的に接続して形成され、
前記光導波路は、第1のクラッド層、コア、第2のクラッド層が積層して形成され、
前記光素子は、前記光導波路の表層である前記第2のクラッド層上に、前記コアに位置合わせし、前記接続パターンと電気的に接続して搭載されていることを特徴とする光電気モジュール基板。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013222075A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体上の発光素子または受光素子と光導波路との間の光の接続損失を低減させることに役立つ、スペーサ樹脂パターンの設計 |
CN103760635A (zh) * | 2014-01-28 | 2014-04-30 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 玻璃基三维光电同传器件及其制作方法 |
US9983368B2 (en) | 2016-04-06 | 2018-05-29 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Optical waveguide device |
US10185082B2 (en) | 2017-04-28 | 2019-01-22 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Optical waveguide apparatus |
JP2019029389A (ja) * | 2017-07-26 | 2019-02-21 | 京セラ株式会社 | 光回路基板 |
WO2024063015A1 (ja) * | 2022-09-20 | 2024-03-28 | イビデン株式会社 | 配線基板 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08160236A (ja) * | 1994-12-07 | 1996-06-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路の作製方法 |
JP2005106861A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-21 | Mitsumi Electric Co Ltd | 高分子光導波路デバイス及びその製造方法 |
JP2005300913A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Sharp Corp | 微小ミラーの製造方法 |
JP2006073653A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 積層型基板、積層型基板の製造方法および半導体装置 |
JP2006119216A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光導波路の製造方法 |
-
2009
- 2009-12-03 JP JP2009275618A patent/JP2011118163A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08160236A (ja) * | 1994-12-07 | 1996-06-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路の作製方法 |
JP2005106861A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-21 | Mitsumi Electric Co Ltd | 高分子光導波路デバイス及びその製造方法 |
JP2005300913A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Sharp Corp | 微小ミラーの製造方法 |
JP2006073653A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 積層型基板、積層型基板の製造方法および半導体装置 |
JP2006119216A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光導波路の製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013222075A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体上の発光素子または受光素子と光導波路との間の光の接続損失を低減させることに役立つ、スペーサ樹脂パターンの設計 |
CN103760635A (zh) * | 2014-01-28 | 2014-04-30 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 玻璃基三维光电同传器件及其制作方法 |
US9983368B2 (en) | 2016-04-06 | 2018-05-29 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Optical waveguide device |
US10185082B2 (en) | 2017-04-28 | 2019-01-22 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Optical waveguide apparatus |
JP2019029389A (ja) * | 2017-07-26 | 2019-02-21 | 京セラ株式会社 | 光回路基板 |
WO2024063015A1 (ja) * | 2022-09-20 | 2024-03-28 | イビデン株式会社 | 配線基板 |
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