JP2011116944A5 - - Google Patents
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- ａ）少なくとも１種のモノビニル芳香族化合物および少なくとも１種のポリビニル芳香族化合物およびまた少なくとも１種のポロジェンおよび少なくとも１種の開始剤または開始剤の組み合わせのモノマー液滴が、噴出原理またはシード供給原理によって反応させられて単分散架橋ポリマービーズを形成し、
ｂ）前記単分散架橋ポリマービーズの１〜１５重量％のサブ部分を不活性溶媒中に存在するフタルイミド誘導体のＳＯ3付加体へ導入し、３５℃以下の温度で１〜１５時間撹拌し、ここで、遊離ＳＯ3の量がフタルイミドの１モルを基準として０．２８〜０．６５モルであり、その後、ポリマービーズの残りの量を、不活性溶媒中に存在するフタルイミド誘導体のＳＯ3付加体へ３０〜７５℃の温度で導入することによって、ポリマービーズがフタルイミド誘導体でフタルイミドメチル化され、
ｃ）前記フタルイミドメチル化ポリマービーズがアミノメチル化ポリマービーズに転化され、そして
ｄ）前記アミノメチル化ポリマービーズが反応させられてキレート官能基を有するイオン交換体を形成する
ことを特徴とする、構造要素（Ｉ）
で表されるキレート官能基を有する単分散イオン交換体の製造方法。 - 構造要素（Ｉ）
のキレート官能基を有し、かつ、３．１〜３．９モル／ｌの総容量ＴＣおよび７０〜８５ｎｍの中央孔径を有する単分散イオン交換体。 - ａ）少なくとも１種のモノビニル芳香族化合物および少なくとも１種のポリビニル芳香族化合物およびまた少なくとも１種のポロジェンおよび少なくとも１種の開始剤または開始剤の組み合わせのモノマー液滴を、噴出原理またはシード供給原理によって反応させて単分散架橋ポリマービーズを形成する工程と、
ｂ）前記単分散架橋ポリマービーズの１〜１５重量％のサブ部分を不活性溶媒中に存在するフタルイミド誘導体のＳＯ3付加体へ導入し、３５℃以下の温度で１〜１５時間撹拌し、ここで、遊離ＳＯ3の量がフタルイミドの１モルを基準として０．２８〜０．５モルであり、その後、ポリマービーズの残りの量を、不活性溶媒中に存在するフタルイミド誘導体のＳＯ3付加体へ３０〜７５℃の温度で導入することによって、ポリマービーズをフタルイミド誘導体でフタルイミドメチル化する工程と、
ｃ）前記フタルイミドメチル化ポリマービーズをアミノメチル化ポリマービーズに転化する工程と、
ｄ）前記アミノメチル化ポリマービーズを、Ｐ−Ｈ酸化合物と組み合わせたホルマリンと懸濁液で反応させてキレート官能基を有するイオン交換体を形成する工程と
によって得られる、請求項２に記載のキレート官能基を有する単分散イオン交換体。
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