JP2011100111A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011100111A5 JP2011100111A5 JP2010211690A JP2010211690A JP2011100111A5 JP 2011100111 A5 JP2011100111 A5 JP 2011100111A5 JP 2010211690 A JP2010211690 A JP 2010211690A JP 2010211690 A JP2010211690 A JP 2010211690A JP 2011100111 A5 JP2011100111 A5 JP 2011100111A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- examples
- amount
- comparative examples
- smaller
- remaining amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 50
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 22
- 239000004698 Polyethylene (PE) Substances 0.000 description 20
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 20
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 20
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 20
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 20
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 18
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 14
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
Description
これらの方法で実施した防塵性能の結果を表5に示す。
表5では、(4−1)ポリエチレンパウダー法、(4−2)関東ローム法及び(4−3)コットンリンタ法の結果が示される。
表5に示される通り、ポリエチレンパウダー法では、実施例1,3が比較例1,3,5,7,9や参考例1に比べて着塵量及び残存量とも小さく、実施例2,4が比較例2,4,6,8,10や参考例2に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。なお、実施例1,3が参考例1に比べて着塵量及び残存量とも小さく、実施例2,4が参考例2に比べて着塵量及び残存量とも小さいのは、前述の通り、ZrがTiに比べて電気陰性度が小さいことに起因するものと思われる。
電気陰性度とは、分子内で結合している原子が電子を引きつける能力を数値で表したものであり、その数値を求める方法がいくつかあるが、ポウリングの方法で求められた数値が一般的である。ポウリングの方法による電気陰性度はTiが1.54に対してZrが1.33と小さい。電気陰性度はゴミが表面から脱離するのに最低限必要なエネルギーとも解釈できる。そのため、電気陰性度が小さい元素を含む酸化物を使用することにより、防塵性能を向上させることができる。
また、実施例及び比較例とも、フッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けた実施例2,4、比較例2,4,6,8,10及び比較例2がフッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けない実施例1,3、比較例1,3,5,7,9及び比較例1に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。関東ローム法及びコットンリンタ法では、ポリエチレンパウダー法と同様に、実施例、比較例及び参考例とも、実施例1,2が比較例1〜10や参考例1,2に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。また、フッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けた実施例2,4、比較例2,4,6,8、10及び参考例2がフッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けない実施例1,3、比較例1,3,5,7,9及び比較例1に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。以上の結果は、フッ素含有有機ケイ素化合物膜により表面エネルギーが低下したため、表面に塵や埃がつきにくくなることに起因する。
表5では、(4−1)ポリエチレンパウダー法、(4−2)関東ローム法及び(4−3)コットンリンタ法の結果が示される。
表5に示される通り、ポリエチレンパウダー法では、実施例1,3が比較例1,3,5,7,9や参考例1に比べて着塵量及び残存量とも小さく、実施例2,4が比較例2,4,6,8,10や参考例2に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。なお、実施例1,3が参考例1に比べて着塵量及び残存量とも小さく、実施例2,4が参考例2に比べて着塵量及び残存量とも小さいのは、前述の通り、ZrがTiに比べて電気陰性度が小さいことに起因するものと思われる。
電気陰性度とは、分子内で結合している原子が電子を引きつける能力を数値で表したものであり、その数値を求める方法がいくつかあるが、ポウリングの方法で求められた数値が一般的である。ポウリングの方法による電気陰性度はTiが1.54に対してZrが1.33と小さい。電気陰性度はゴミが表面から脱離するのに最低限必要なエネルギーとも解釈できる。そのため、電気陰性度が小さい元素を含む酸化物を使用することにより、防塵性能を向上させることができる。
また、実施例及び比較例とも、フッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けた実施例2,4、比較例2,4,6,8,10及び比較例2がフッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けない実施例1,3、比較例1,3,5,7,9及び比較例1に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。関東ローム法及びコットンリンタ法では、ポリエチレンパウダー法と同様に、実施例、比較例及び参考例とも、実施例1,2が比較例1〜10や参考例1,2に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。また、フッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けた実施例2,4、比較例2,4,6,8、10及び参考例2がフッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けない実施例1,3、比較例1,3,5,7,9及び比較例1に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。以上の結果は、フッ素含有有機ケイ素化合物膜により表面エネルギーが低下したため、表面に塵や埃がつきにくくなることに起因する。
表12では、ポリエチレンパウダー法、関東ローム法及びコットンリンタ法による防塵性能の結果が示される。
表12に示される通り、ポリエチレンパウダー法では、実施例5,7が比較例11,13,15,17,19や参考例1に比べて着塵量及び残存量とも小さく、実施例6,8が比較例12,14,16,18,20や参考例4に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。なお、実施例5,7が参考例3に比べて着塵量及び残存量とも小さく、実施例6,8が参考例4に比べて着塵量及び残存量とも小さいのは、前述の通り、ZrがTiに比べて電気陰性度が小さいことに起因するものと思われる。
電気陰性度はゴミが表面から脱離するのに最低限必要なエネルギーとも解釈でき、値が小さいほどゴミが取れやすくなる。そのため、電気陰性度が小さい元素を含む酸化物を使用することにより、防塵性能を向上させることができる。
また、実施例、比較例及び参考例とも、フッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けた実施例6,8、比較例12,14,16,18,20及び参考例4がフッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けない実施例5,7、比較例11,13,15,17,19及び参考例3に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。関東ローム法及びコットンリンタ法では、ポリエチレンパウダー法と同様に、実施例、比較例及び参考例とも、実施例5〜8が比較例11〜20や比較例3,4に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。以上の結果は、表面粗さが改善されることで、表面に塵や埃がつきにくくなることに起因する。
表12に示される通り、ポリエチレンパウダー法では、実施例5,7が比較例11,13,15,17,19や参考例1に比べて着塵量及び残存量とも小さく、実施例6,8が比較例12,14,16,18,20や参考例4に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。なお、実施例5,7が参考例3に比べて着塵量及び残存量とも小さく、実施例6,8が参考例4に比べて着塵量及び残存量とも小さいのは、前述の通り、ZrがTiに比べて電気陰性度が小さいことに起因するものと思われる。
電気陰性度はゴミが表面から脱離するのに最低限必要なエネルギーとも解釈でき、値が小さいほどゴミが取れやすくなる。そのため、電気陰性度が小さい元素を含む酸化物を使用することにより、防塵性能を向上させることができる。
また、実施例、比較例及び参考例とも、フッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けた実施例6,8、比較例12,14,16,18,20及び参考例4がフッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けない実施例5,7、比較例11,13,15,17,19及び参考例3に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。関東ローム法及びコットンリンタ法では、ポリエチレンパウダー法と同様に、実施例、比較例及び参考例とも、実施例5〜8が比較例11〜20や比較例3,4に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。以上の結果は、表面粗さが改善されることで、表面に塵や埃がつきにくくなることに起因する。
4)防塵性能
防塵性能試験を、(4−1)ポリエチレンパウダー法、(4−2)関東ローム法、(4−3)コットンリンタ法で実施した。これらの方法の具体的な仕様は前述の通りである。 表17では、(4−1)ポリエチレンパウダー法、(4−2)関東ローム法及び(4−3)コットンリンタ法の結果が示される。
表17に示される通り、ポリエチレンパウダー法では、実施例9,10が比較例21〜24や参考例5,6に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。なお、実施例9,11が参考例5に比べて着塵量及び残存量とも小さく、実施例10,12が参考例6に比べて着塵量及び残存量とも小さいのは、前述の通り、TaがTiに比べて電気陰性度が小さいことに起因するものと思われるまた、実施例及び比較例とも、フッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けた実施例10,12、比較例22,24,26及び参考例6がフッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けない実施例9,11、比較例21,23,25及び参考例5に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。関東ローム法及びコットンリンタ法では、ポリエチレンパウダー法と同様に、実施例、比較例及び参考例とも、実施例9,10が比較例21〜24や参考例5,6に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。
電気陰性度とは、分子内で結合している原子が電子を引きつける能力を数値で表したものであり、その数値を求める方法がいくつかあるが、ポウリングの方法で求められた数値が一般的である。ポウリングの方法による電気陰性度はTiが1.54に対してTaが1.50と小さい。電気陰性度はゴミが表面から脱離するのに最低限必要なエネルギーとも解釈できる。そのため、電気陰性度が小さい元素を含む酸化物を使用することにより、防塵性能を向上させることができる。
また、フッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けた実施例10,12、比較例22,24,26及び参考例6がフッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けない実施例9,11、比較例21,23,25及び参考例5に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。以上の結果は、フッ素含有有機ケイ素化合物膜により表面エネルギーが低下したため、表面に塵や埃がつきにくくなることに起因する。
防塵性能試験を、(4−1)ポリエチレンパウダー法、(4−2)関東ローム法、(4−3)コットンリンタ法で実施した。これらの方法の具体的な仕様は前述の通りである。 表17では、(4−1)ポリエチレンパウダー法、(4−2)関東ローム法及び(4−3)コットンリンタ法の結果が示される。
表17に示される通り、ポリエチレンパウダー法では、実施例9,10が比較例21〜24や参考例5,6に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。なお、実施例9,11が参考例5に比べて着塵量及び残存量とも小さく、実施例10,12が参考例6に比べて着塵量及び残存量とも小さいのは、前述の通り、TaがTiに比べて電気陰性度が小さいことに起因するものと思われるまた、実施例及び比較例とも、フッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けた実施例10,12、比較例22,24,26及び参考例6がフッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けない実施例9,11、比較例21,23,25及び参考例5に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。関東ローム法及びコットンリンタ法では、ポリエチレンパウダー法と同様に、実施例、比較例及び参考例とも、実施例9,10が比較例21〜24や参考例5,6に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。
電気陰性度とは、分子内で結合している原子が電子を引きつける能力を数値で表したものであり、その数値を求める方法がいくつかあるが、ポウリングの方法で求められた数値が一般的である。ポウリングの方法による電気陰性度はTiが1.54に対してTaが1.50と小さい。電気陰性度はゴミが表面から脱離するのに最低限必要なエネルギーとも解釈できる。そのため、電気陰性度が小さい元素を含む酸化物を使用することにより、防塵性能を向上させることができる。
また、フッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けた実施例10,12、比較例22,24,26及び参考例6がフッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けない実施例9,11、比較例21,23,25及び参考例5に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。以上の結果は、フッ素含有有機ケイ素化合物膜により表面エネルギーが低下したため、表面に塵や埃がつきにくくなることに起因する。
表24では、ポリエチレンパウダー法、関東ローム法及びコットンリンタ法による防塵性能の結果が示される。
表24に示される通り、ポリエチレンパウダー法では、実施例13,15が比較例27,29,31や参考例7に比べて着塵量及び残存量とも小さく、実施例14,16が比較例28,30や参考例8に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。なお、実施例13,15が参考例7に比べて着塵量及び残存量とも小さく、実施例14,16が参考例8に比べて着塵量及び残存量とも小さいのは、前述の通り、TaがTiに比べて電気陰性度が小さいことに起因するものと思われる。
電気陰性度はゴミが表面から脱離するのに最低限必要なエネルギーとも解釈でき、値が小さいほどゴミが取れやすくなる。そのため、電気陰性度が小さい元素を含む酸化物を使用することにより、防塵性能を向上させることができる。
また、実施例、比較例及び参考例とも、フッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けた実施例14,16、比較例28,30,32及び参考例8がフッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けない実施例13,15、比較例27,29,31及び参考例7に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。関東ローム法及びコットンリンタ法では、ポリエチレンパウダー法と同様に、実施例、比較例及び参考例とも、実施例13〜16が比較例27〜32や参考例7,8に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。以上の結果は、表面粗さが改善されることで、表面に塵や埃がつきにくくなることに起因する。
表24に示される通り、ポリエチレンパウダー法では、実施例13,15が比較例27,29,31や参考例7に比べて着塵量及び残存量とも小さく、実施例14,16が比較例28,30や参考例8に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。なお、実施例13,15が参考例7に比べて着塵量及び残存量とも小さく、実施例14,16が参考例8に比べて着塵量及び残存量とも小さいのは、前述の通り、TaがTiに比べて電気陰性度が小さいことに起因するものと思われる。
電気陰性度はゴミが表面から脱離するのに最低限必要なエネルギーとも解釈でき、値が小さいほどゴミが取れやすくなる。そのため、電気陰性度が小さい元素を含む酸化物を使用することにより、防塵性能を向上させることができる。
また、実施例、比較例及び参考例とも、フッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けた実施例14,16、比較例28,30,32及び参考例8がフッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けない実施例13,15、比較例27,29,31及び参考例7に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。関東ローム法及びコットンリンタ法では、ポリエチレンパウダー法と同様に、実施例、比較例及び参考例とも、実施例13〜16が比較例27〜32や参考例7,8に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。以上の結果は、表面粗さが改善されることで、表面に塵や埃がつきにくくなることに起因する。
4)防塵性能
防塵性能試験を、(4−1)ポリエチレンパウダー法、(4−2)関東ローム法、(4−3)コットンリンタ法で実施した。これらの方法の具体的な仕様は前述の通りである。 これらの方法で実施した防塵性能の結果を表28に示す。
表28では、(4−1)ポリエチレンパウダー法、(4−2)関東ローム法及び(4−3)コットンリンタ法の結果が示される。
表28に示される通り、ポリエチレンパウダー法では、実施例17,18が比較例33〜36に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。また、実施例及び比較例とも、フッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けた実施例18,20及び比較例34,36,38,40がフッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けない実施例17,19及び比較例33,35,37,39に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。関東ローム法及びコットンリンタ法では、ポリエチレンパウダー法と同様に、実施例及び比較例とも、実施例17,18が比較例33〜36に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。また、フッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けた実施例18,20及び比較例34,36,38,40がフッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けない実施例17,19及び比較例33,35,37,39に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。以上の結果は、表面粗さが改善されることで、表面に塵や埃がつきにくくなることに起因する。
防塵性能試験を、(4−1)ポリエチレンパウダー法、(4−2)関東ローム法、(4−3)コットンリンタ法で実施した。これらの方法の具体的な仕様は前述の通りである。 これらの方法で実施した防塵性能の結果を表28に示す。
表28では、(4−1)ポリエチレンパウダー法、(4−2)関東ローム法及び(4−3)コットンリンタ法の結果が示される。
表28に示される通り、ポリエチレンパウダー法では、実施例17,18が比較例33〜36に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。また、実施例及び比較例とも、フッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けた実施例18,20及び比較例34,36,38,40がフッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けない実施例17,19及び比較例33,35,37,39に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。関東ローム法及びコットンリンタ法では、ポリエチレンパウダー法と同様に、実施例及び比較例とも、実施例17,18が比較例33〜36に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。また、フッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けた実施例18,20及び比較例34,36,38,40がフッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けない実施例17,19及び比較例33,35,37,39に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。以上の結果は、表面粗さが改善されることで、表面に塵や埃がつきにくくなることに起因する。
表34では、ポリエチレンパウダー法、関東ローム法及びコットンリンタ法による防塵性能の結果が示される。
表34に示される通り、ポリエチレンパウダー法では、実施例21,23が比較例41,43,45,47に比べて着塵量及び残存量とも小さく、実施例22,24が比較例42,44,46,48に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。また、実施例及び比較例とも、フッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けた実施例22,24及び比較例42,44,46,48がフッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けない実施例21,23及び比較例41,43,45,47に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。関東ローム法及びコットンリンタ法では、ポリエチレンパウダー法と同様に、実施例及び比較例とも、実施例21〜24が比較例41〜48に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。以上の結果は、表面粗さが改善されることで、表面に塵や埃がつきにくくなることに起因する。
表34に示される通り、ポリエチレンパウダー法では、実施例21,23が比較例41,43,45,47に比べて着塵量及び残存量とも小さく、実施例22,24が比較例42,44,46,48に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。また、実施例及び比較例とも、フッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けた実施例22,24及び比較例42,44,46,48がフッ素含有有機ケイ素化合物膜3を設けない実施例21,23及び比較例41,43,45,47に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。関東ローム法及びコットンリンタ法では、ポリエチレンパウダー法と同様に、実施例及び比較例とも、実施例21〜24が比較例41〜48に比べて着塵量及び残存量とも小さいことがわかる。以上の結果は、表面粗さが改善されることで、表面に塵や埃がつきにくくなることに起因する。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010211690A JP2011100111A (ja) | 2009-10-09 | 2010-09-22 | 光学物品、光学物品の製造方法、電子機器 |
US12/900,174 US9134462B2 (en) | 2009-10-09 | 2010-10-07 | Optical component having a low-density silicon oxide layer as the outermost layer of an inorganic thin-film, method of manufacturing optical component and electronic apparatus |
CN2010105032706A CN102043173B (zh) | 2009-10-09 | 2010-10-09 | 光学物品、光学物品的制造方法以及电子设备 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009234905 | 2009-10-09 | ||
JP2009234904 | 2009-10-09 | ||
JP2009234903 | 2009-10-09 | ||
JP2010211690A JP2011100111A (ja) | 2009-10-09 | 2010-09-22 | 光学物品、光学物品の製造方法、電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011284463A Division JP2012118536A (ja) | 2009-10-09 | 2011-12-26 | 光学物品、光学物品の製造方法、電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011100111A JP2011100111A (ja) | 2011-05-19 |
JP2011100111A5 true JP2011100111A5 (ja) | 2011-07-21 |
Family
ID=43854645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010211690A Pending JP2011100111A (ja) | 2009-10-09 | 2010-09-22 | 光学物品、光学物品の製造方法、電子機器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9134462B2 (ja) |
JP (1) | JP2011100111A (ja) |
CN (1) | CN102043173B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7117081B2 (ja) | 2017-05-12 | 2022-08-12 | Hoya株式会社 | 防塵レンズ及びその製造方法 |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2949776B1 (fr) | 2009-09-10 | 2013-05-17 | Saint Gobain Performance Plast | Element en couches pour l'encapsulation d'un element sensible |
FR2949775B1 (fr) * | 2009-09-10 | 2013-08-09 | Saint Gobain Performance Plast | Substrat de protection pour dispositif collecteur ou emetteur de rayonnement |
FR2973939A1 (fr) | 2011-04-08 | 2012-10-12 | Saint Gobain | Element en couches pour l’encapsulation d’un element sensible |
FR2973946B1 (fr) * | 2011-04-08 | 2013-03-22 | Saint Gobain | Dispositif électronique a couches |
US20140065838A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | Carolyn R. Ellinger | Thin film dielectric layer formation |
US8791023B2 (en) * | 2012-08-31 | 2014-07-29 | Eastman Kodak Company | Patterned thin film dielectric layer formation |
US8927434B2 (en) * | 2012-08-31 | 2015-01-06 | Eastman Kodak Company | Patterned thin film dielectric stack formation |
JP6042156B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2016-12-14 | 学校法人慶應義塾 | 積層体とその製造方法 |
JP6269665B2 (ja) | 2013-05-31 | 2018-01-31 | 旭硝子株式会社 | 光学フィルタ、光学フィルタの製造方法 |
US9611999B2 (en) * | 2014-07-21 | 2017-04-04 | GE Lighting Solutions, LLC | Reflecting apparatus including enhanced aluminum optical coatings |
JP2016061792A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-25 | 東海光学株式会社 | 光学製品及びレンズ用フィルタ |
WO2017039675A1 (en) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | Halliburton Energy Services, Inc. | Formation fluid analysis tool comprising an integrated computational element and an optical filter |
EP3356306B1 (en) * | 2015-09-28 | 2021-06-16 | Tru Vue, Inc. | Near infrared reflective coated articles |
JP6630161B2 (ja) * | 2016-01-21 | 2020-01-15 | 株式会社日本触媒 | 光選択透過フィルターおよびその製造方法 |
KR102396179B1 (ko) | 2016-04-19 | 2022-05-09 | 어포지 엔터프라이지즈, 인크. | 코팅된 유리 표면 및 유리 기판을 코팅하는 방법 |
KR101806698B1 (ko) * | 2016-05-30 | 2017-12-07 | 현대자동차주식회사 | 적외선 광학 필터 |
CN108375892B (zh) * | 2017-01-30 | 2022-02-01 | 精工爱普生株式会社 | 钟表用部件以及钟表 |
CN108375893A (zh) * | 2017-01-30 | 2018-08-07 | 精工爱普生株式会社 | 钟表用部件以及钟表 |
CN108375894A (zh) * | 2017-01-30 | 2018-08-07 | 精工爱普生株式会社 | 钟表用部件以及钟表 |
CA3058157A1 (en) | 2017-05-04 | 2018-11-08 | Apogee Enterprises, Inc. | Low emissivity coatings, glass surfaces including the same, and methods for making the same |
US11231533B2 (en) * | 2018-07-12 | 2022-01-25 | Visera Technologies Company Limited | Optical element having dielectric layers formed by ion-assisted deposition and method for fabricating the same |
KR102582465B1 (ko) | 2018-09-19 | 2023-09-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP2020083700A (ja) * | 2018-11-26 | 2020-06-04 | コニカミノルタ株式会社 | 光学部材及び光学部材の製造方法 |
CN109799557A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-05-24 | 南京前海有芯信息技术有限公司 | 一种能反射紫外光的薄膜 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53135348A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-25 | Toshiba Corp | Etching method for multilayer film |
IT1270628B (it) * | 1994-10-06 | 1997-05-07 | Enichem Spa | Manufatti in ossido di silicio e/o altri ossidi metallici misti e procedimento per la loro preparazione in dimensioni finali o quasi finali |
US6083628A (en) * | 1994-11-04 | 2000-07-04 | Sigma Laboratories Of Arizona, Inc. | Hybrid polymer film |
US6531230B1 (en) * | 1998-01-13 | 2003-03-11 | 3M Innovative Properties Company | Color shifting film |
JP2000243075A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-09-08 | Sony Corp | ディスクドライブ装置 |
JP2001074931A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-23 | Nikon Corp | 光学薄膜及び光学素子及び光学装置 |
WO2002069000A1 (fr) * | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Seiko Epson Corporation | Filtre a film multicouche et procede de production de celui-ci, filtre eliminateur d'uv, verre etanche aux poussieres, panneau d'affichage et unite d'affichage du type a projection |
KR20030012506A (ko) * | 2001-08-01 | 2003-02-12 | 삼성코닝 주식회사 | 디스플레이장치용 무반사 무정전 다층 박막 |
JP2003227938A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-08-15 | Sumitomo Chem Co Ltd | 偏光変換素子及びそれを用いた反射型液晶プロジェクタ |
WO2005001526A1 (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-06 | Nikon Corporation | 多層膜光学素子の製造方法 |
JP2005276306A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Hitachi Maxell Ltd | 偏光ビームスプリッタ及びその製造方法並びに光ピックアップ装置 |
FR2869324B1 (fr) | 2004-04-21 | 2007-08-10 | Saint Gobain | Procede de depot sous vide |
JP4449616B2 (ja) * | 2004-07-21 | 2010-04-14 | パナソニック株式会社 | タッチパネル |
JP4989846B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2012-08-01 | Hoya株式会社 | 光学部材及びその製造方法 |
JP2007043063A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-02-15 | Kyocera Corp | 固体撮像素子収納用パッケージおよび固体撮像素子搭載用基板ならびに固体撮像装置 |
JP2007093804A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Epson Toyocom Corp | 紫外線/赤外線カットフィルタ、及びその製造方法 |
JP2007264388A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Nikon Corp | 多層膜光学素子の製造方法 |
JP4207083B2 (ja) | 2006-04-04 | 2009-01-14 | セイコーエプソン株式会社 | 光学多層膜フィルタ、光学多層膜フィルタの製造方法および電子機器装置 |
US20070291363A1 (en) * | 2006-06-19 | 2007-12-20 | Fujifilm Corporation | Optical Film |
US7465681B2 (en) * | 2006-08-25 | 2008-12-16 | Corning Incorporated | Method for producing smooth, dense optical films |
JP2009093717A (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Sony Corp | 光情報記録媒体 |
JP2009093067A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Seiko Epson Corp | 酸化ジルコニウム層、耐擦傷性物品および光学物品 |
KR100991056B1 (ko) * | 2007-11-16 | 2010-10-29 | 엡슨 토요콤 가부시키 가이샤 | 광학 다층막 필터, 광학 다층막 필터의 제조 방법 및 전자기기 장치 |
JP2009139925A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-25 | Epson Toyocom Corp | 光学多層膜フィルタ、光学多層膜フィルタの製造方法および電子機器装置 |
-
2010
- 2010-09-22 JP JP2010211690A patent/JP2011100111A/ja active Pending
- 2010-10-07 US US12/900,174 patent/US9134462B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-09 CN CN2010105032706A patent/CN102043173B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7117081B2 (ja) | 2017-05-12 | 2022-08-12 | Hoya株式会社 | 防塵レンズ及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011100111A5 (ja) | ||
JP2014521123A5 (ja) | ||
JP2017201008A5 (ja) | ||
JP2014010882A5 (ja) | ||
JP2013518983A5 (ja) | ||
JP2011511864A5 (ja) | ||
JP2009215294A5 (ja) | ||
JP2015157928A5 (ja) | ||
JP2010049242A5 (ja) | ||
JP2013035740A5 (ja) | 酸化物膜 | |
JP2015017027A5 (ja) | ||
JP2014032248A5 (ja) | ||
JP2014187348A5 (ja) | ||
JP2017525800A5 (ja) | ||
JP2008056857A5 (ja) | ||
JP2010231174A5 (ja) | ||
JP2011136846A5 (ja) | ||
JP2013133329A5 (ja) | ||
JP2010138395A5 (ja) | ||
JP2014523466A5 (ja) | ||
JP2009149858A5 (ja) | ||
JP2017043496A5 (ja) | ||
JP2012082116A5 (ja) | 銀超微粒子分散液 | |
WO2013103332A3 (en) | Liquid silane-based compositions and methods of fabrication | |
JP2013136568A5 (ja) |